JP7323589B2 - 有機金属化合物とこれを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置 - Google Patents

有機金属化合物とこれを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、金属化合物に関するものであって、さらに詳細には、発光効率と発光寿命が向上した有機金属化合物と、これを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置に関するものである。
現在広く使われている平面表示素子の中で、有機発光ダイオードは、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に代わる表示素子として注目を集めている。有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ、ＯＬＥＤ）は、２０００Å以下の有機薄膜で形成され、用いられる電極の構成によって単方向、または双方向の画像を実現することができる。また、有機発光ダイオードは、プラスチックといったフレキシブルな透明基板上に形成することもできるので、フレキシブル、またはフォルダブルな表示装置を容易に実現することができる。さらに、有機発光ダイオードは、低電圧駆動が可能であり、色純度が優れているなど、液晶表示装置に比べて多くのメリットを有する。
従来の一般的な蛍光物質は、一重項励起子だけが発光に寄与するため、発光効率が低い。三重項励起子も発光に寄与する燐光物質は蛍光物質に比べ、発光効率が高いものの、燐光物質の代表例である有機金属化合物は、発光寿命が短いため、使用するには限界がある。そのため、発光効率および発光寿命が向上した化合物の開発が求められている。
本発明の目的は、発光効率および発光寿命が向上した有機金属化合物と、これを含む有機発光ダイオードおよび有機発光装置を提供することにある。
本発明の一側面によると、下記の化学式（１）で表される構造を有する有機金属化合物が開示される。
Figure 0007323589000001
式中、Ｍは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、または銀（Ａｇ）であり、ＡとＢとＣは、それぞれ独立して、５若しくは６員の芳香族環、または５若しくは６員のヘテロ芳香族環である。Ｘ１とＸ２は、それぞれ独立して、ＣＲ４、Ｎ、またはＰであり、Ｘ１とＸ２のうち、一方はＣＲ４であり、他方はＮ、またはＰである。Ｙ１とＹ２は、それぞれ独立して、ＢＲ５、ＣＲ５Ｒ６、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ５、ＳｉＲ５Ｒ６、ＮＲ５、ＰＲ５、ＡｓＲ５、ＳｂＲ５、ＢｉＲ５、Ｐ（Ｏ）Ｒ５、Ｐ（Ｓ）Ｒ５、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ５、Ａｓ（Ｏ）Ｒ５、Ａｓ（Ｓ）Ｒ５、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、およびＴｅＯ２で構成される群から選択される。Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基で構成される群から選択されるか、またはａとｂとｃがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する前記アルキル基、前記ヘテロアルキル基、前記アルケニル基、前記ヘテロアルケニル基、前記アルコキシ基、前記アルキルアミノ基、前記アルキルシリル基、前記脂環族基、前記ヘテロ脂環族基、前記芳香族基、および前記ヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される官能基で置換されてもよく、Ｒ１～Ｒ３の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。ａとｂとｃは、それぞれ置換基のＲ１、Ｒ２、Ｒ３の数であって、ａは０～３の整数であり、ｂは０～２の整数であり、ｃは０～４の整数であり得る。［Ｚ１－Ｚ２］はアセチルアセトナート系補助配位子であり、ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎは金属元素Ｍの酸化数を表す。
他の側面によると、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に位置し、発光物質層を含む発光層とを含み、前記発光物質層は前記有機金属化合物を含む有機発光ダイオードが開示される。
例えば、前記有機金属化合物は、発光物質層のドーパントに用いることができる。
前記発光層は、単一発光部からなってもよく、タンダム構造の複数の発光部からなってもよい。
また、他の側面によると、前述の有機金属化合物を発光物質層に導入した有機発光ダイオードが基板上に配置される有機発光装置、例えば、有機発光照明装置、または有機発光ダイオード表示装置が開示される。
本発明にかかる有機金属化合物は、少なくとも５つの縮合環を有する配位子が結合された金属原子を含む。
本発明にかかる有機金属化合物は、中心金属に結合される配位子が互いに異なるヘテロレプティック化合物であり得る。そのため、発光色を容易に調節することができる。本発明にかかる有機金属化合物は、赤色光を発する燐光物質であって、有機発光ダイオードを構成する発光物質層のドーパントに用いられ、有機発光ダイオードの駆動電圧を低下させ、発光効率および発光寿命を向上させることができる。
本発明にかかる有機発光表示装置の回路を概略的に示す模式図である。 本発明の例示的な第１実施形態にかかる有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の例示的な第１実施形態により、単一発光部を有する有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。 本発明の例示的な第２実施形態にかかる有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の例示的な第２実施形態により、タンダム構造で形成された２つの発光部を有する有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。 本発明の例示的な第３実施形態により、タンダム構造で形成された３つの発光部を有する有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。
以下、図面を参照し、本発明について説明する。
有機金属化合物
燐光物質で励起子が発光する際、発光スペクトルの幅が広くなって色純度が低下し、量子効率も高くない。本発明にかかる有機金属化合物は、堅い化学構造を持つため、有機発光ダイオードに導入された場合、有機発光ダイオードの駆動電圧を低下させ、発光効率および発光寿命を向上させる。本発明にかかる有機金属化合物は、下記の化学式（１）で表される構造を有することができる。
Figure 0007323589000002
化学式（１）中、Ｍは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、または銀（Ａｇ）であり、ＡとＢとＣは、それぞれ独立して、５若しくは６員の芳香族環、または５若しくは６員のヘテロ芳香族環である。Ｘ１とＸ２は、それぞれ独立して、ＣＲ４、Ｎ、またはＰであり、Ｘ１とＸ２のうち、一方はＣＲ４であり、他方はＮ、またはＰである。Ｙ１とＹ２は、それぞれ独立して、ＢＲ５、ＣＲ５Ｒ６、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ５、ＳｉＲ５Ｒ６、ＮＲ５、ＰＲ５、ＡｓＲ５、ＳｂＲ５、ＢｉＲ５、Ｐ（Ｏ）Ｒ５、Ｐ（Ｓ）Ｒ５、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ５、Ａｓ（Ｏ）Ｒ５、Ａｓ（Ｓ）Ｒ５、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ５、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｓ）Ｒ５、Ｂｉ（Ｓｅ）Ｒ５、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、およびＴｅＯ２で構成される群から選択される。Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族で構成される群から選択されるか、またはａとｂとｃがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する前記アルキル基、前記ヘテロアルキル基、前記アルケニル基、前記ヘテロアルケニル基、前記アルコキシ基、前記アルキルアミノ基、前記アルキルシリル基、前記脂環族基、前記ヘテロ脂環族基、前記芳香族基、および前記ヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される官能基で置換されてもよく、Ｒ１～Ｒ３の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。ａとｂとｃは、それぞれ置換基のＲ１、Ｒ２、Ｒ３の数であって、ａは０～３の整数であり、ｂは０～２の整数であり、ｃは０～４の整数であり得る。［Ｚ１－Ｚ２］はアセチルアセトナート系補助配位子であり、ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎは金属元素Ｍの酸化数を表す。
本明細書において、「非置換」は水素原子で置換されていることを意味し、この場合、水素原子に軽水素が含まれる。
本明細書において、「置換」という用語が用いられた場合、置換基は、例えば、重水素、三重水素、非置換若しくはハロゲンで置換されたアルキル基、非置換若しくはハロゲンで置換されたアルコキシ基、ハロゲン、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、アミン基、アルキルアミン基、ニトロ基、ヒドラジル基、スルホン酸基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基、シクロアルキルシリル基、アリールシリル基、非置換若しくは置換のアリール基、ヘテロアリール基などが挙げられるが、本発明がこれに限定されるものではない。
本明細書中の「ヘテロアルキル」、「ヘテロアルケニル」、「ヘテロアルキニル」、「ヘテロ脂環族」、「ヘテロ芳香族」などにおける「ヘテロ」は、これら脂肪族環や芳香族環または脂環族環を構成する炭素原子の１つ以上、例えば、１～５つの炭素原子が、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｐ、Ｂおよびこれらの組み合わせで構成される群から選択された１つ以上のヘテロ原子で置換されたことを意味する。
例えば、化学式（１）中、Ｒ１～Ｒ６が、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族官能基である場合、該芳香族官能基は、Ｃ６～Ｃ３０のアリール基、Ｃ７～Ｃ３０のアリールアルキル基、Ｃ６～Ｃ３０のアリールオキシ基、Ｃ６～Ｃ３０のアリールアミノ基などであり得る。一例に、Ｒ１～Ｒ６がＣ６～Ｃ３０のアリール基である場合、アリール基は、それぞれ独立して、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、アントラセニル、ペンタレニル、インデニル、インデノインデニル、ヘプタレニル、ビフェニルレニル、インダセニル、フェナレニル、フェナントレニル、ベンゾフェナントレニル、ジベンゾフェナントレニル、アズレニル、ピレニル、フルオランテニル、トリフェニルレニル、クリセニル、テトラフェニル、テトラセニル、プレイアデニル、ピセニル、ペンタフェニル、ペンタセニル、フルオレニル、インデノフルオレニル、またはスピロフルオレニルのような、縮合若しくは非縮合のアリール基であり得る。
また、化学式（１）中、Ｒ１～Ｒ６が、Ｃ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族官能基である場合、該ヘテロ芳香族官能基は、Ｃ３～Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ４～Ｃ３０のヘテロアリールアルキル基、Ｃ３～Ｃ３０のヘテロアリールオキシ基、Ｃ３～Ｃ３０のヘテロアリールアミノ基などであり得る。一例に、Ｒ１～Ｒ６がＣ３～Ｃ３０のヘテロアリール基である場合、ヘテロアリール基は、それぞれ独立して、ピロリル、ピリジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアジニル、テトラジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、イソインドリル、インダゾリル、インドリジニル、ピロリジニル、カルバゾリル、ベンゾカルバゾリル、ジベンゾカルバゾリル、インドロカルバゾリル、インデノカルバゾリル、ベンゾフロカルバゾリル、ベンゾチエノカルバゾリル、キノリニル、イソキノリニル、フタラジニル、キノキサリニル、シノリニル、キナゾリニル、キノゾリニル、キノリジニル、プリニル、ベンゾキノリニル、ベンゾイソキノリニル、ベンゾキナゾリニル、ベンゾキノキサリニル、アクリジニル、フェナントロリニル、ピリミジニル、フェナントリジニル、プテリジニル、ナフタリジニル、フラニル、ピラニル、オキサジニル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、トリアゾリル、ジオキシニル、ベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チオピラニル、キサンテニル、クロメニル、イソクロメニル、チアジニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、ジフロピラジニル、ベンゾフロジベンゾフラニル、ベンゾチエノベンゾチオフェニル、ベンゾチエノジベンゾチオフェニル、ベンゾチエノベンゾフラニル、ベンゾチエノジベンゾフラニル、若しくはＮ置換のスピロフルオレニルのような縮合または非縮合のヘテロアリール基であり得る。
例えば、化学式（１）中、Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する芳香族官能基、またはヘテロ芳香族官能基は、１～３つの芳香族環からなり得る。化学式（１）中、Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する芳香族基、またはヘテロ芳香族官能基における芳香族基、またはヘテロ芳香族環の数が増大すると、有機化合物の共役構造が長くなりすぎて、有機金属化合物のバンドギャップが非常に狭くなり得る。一例に、化学式（１）中、Ｒ１～Ｒ３をそれぞれ構成するアリール基、またはヘテロアリール基は、それぞれ独立して、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、ピロリル、トリアジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、フラニル、ベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、カルバゾリル、アクリジニル、カルボリニル、フェナジニル、フェノキサジニル、および／またはフェノチアジニルを含むが、本発明がこれに限定されるものではない。
一方、化学式（１）中、隣接するＲ１～Ｒ３は、それぞれ結合し、非置換若しくはアルキルで置換されたＣ４～Ｃ２０の脂環族環（例えば、Ｃ４～Ｃ１０の脂環族環）、非置換若しくはアルキルで置換されたＣ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環（例えば、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロ脂環族環）、非置換若しくはアルキルで置換されたＣ６～Ｃ２０の芳香族環（例えば、Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環）、または非置換若しくはアルキルで置換されたＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環（例えば、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロ芳香族環）を形成することができる。互いに隣接するそれぞれのＲ１～Ｒ３が結合して形成する脂環族環、ヘテロ脂環族環、芳香族環およびヘテロ芳香族環は、特に限定されるものではない。例えば、これらの官能基が結合して形成し得る芳香族環、またはヘテロ芳香族環は、ベンゼン環、ピリジン環、インドール環、ピラン環、Ｃ１～Ｃ１０のアルキルで置換され得るフルオレン環などを含むことができるが、これに限定されるものではない。
化学式（１）の構造を有する有機金属化合物は、少なくとも５つの環が縮合した配位子を有する。堅い化学構造を持つため、発光過程において化学構造が回転することなく、良好な発光寿命を安定して維持することができる。励起子の発光により、本発明に係る有機金属化合物の発光スペクトルを特定の範囲に制限することができるので、色純度を向上させることができる。
また、有機金属化合物は、中心金属に結合する２座配位子が互いに異なるヘテロレプティック金属借体であり得る。互いに異なる２座配位子が結合することにより、発光色と発光色純度を容易に調節することができる。また、それぞれの配位子に様々な置換基を導入し、色純度や発光ピークを調節することができる。化学式（１）の構造を有する有機金属化合物は、赤色光を発することができ、有機発光ダイオードの発光効率を向上させることができる。
例示的側面において、化学式（１）の構造を有する有機金属化合物として、Ａ環とＢ環とＣ環は、それぞれ６員の芳香族環、または６員のヘテロ芳香族環を含むことができる。かかる有機金属化合物は、下記の化学式（２）で表される構造を有することができる。
Figure 0007323589000003
化学式（２）中、Ｍ、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、［Ｚ１－Ｚ２］、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ３～Ｘ５は、それぞれ独立して、ＣＲ７、Ｎ、Ｐ、ＳおよびＯで構成される群から選択され、Ｘ３～Ｘ５のうち、少なくとも１つはＣＲ７である。Ｘ６～Ｘ８は、それぞれ独立してＣＲ８、Ｎ、Ｐ、ＳおよびＯで構成される群から選択され、Ｘ６～Ｘ８のうち、少なくとも１つはＣＲ８である。Ｘ９とＸ１０は、それぞれ独立してＣＲ９、Ｎ、Ｐ、ＳおよびＯで構成される群から選択され、Ｘ９とＸ１０のうち、少なくとも１つはＣＲ９である。Ｒ７～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基で構成される群から選択されるか、またはそれぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｒ７～Ｒ９をそれぞれ構成する前記アルキル基、前記ヘテロアルキル基、前記アルケニル基、前記ヘテロアルケニル基、前記アルコキシ基、前記アルキルアミノ基、前記アルキルシリル基、前記脂環族基、前記ヘテロ脂環族基、前記芳香族基、および前記ヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される官能基で置換されてもよく、Ｒ７～Ｒ９の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
選択的に、化学式（１）または化学式（２）の構造を有する有機金属化合物において、中心金属はイリジウムであり、補助配位子はアセチルアセトナート系であり得る。かかる有機金属化合物は、下記の化学式（３）で表される構造を有することができる。
Figure 0007323589000004
化学式（３）中、Ｘ１～Ｘ１０、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ化学式（２）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基で構成される群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記アルキル基、前記ヘテロアルキル基、前記アルケニル基、前記ヘテロアルケニル基、前記アルコキシ基、前記アルキルアミノ基、前記アルキルシリル基、前記脂環族基、前記ヘテロ脂環族基、前記芳香族基、および前記ヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換、若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
他の例示的側面において、前記Ａ環は６員の芳香族環を含み、前記Ｂ環は、０若しくは１つの窒素原子を持つ６員の芳香族環、または６員のヘテロ芳香族環を含み、前記Ｃ環は、０～２つの窒素原子を持つ６員の芳香族環、またはヘテロ芳香族環を含むことができる。例えば、化学式（１）の構造を有する有機金属化合物は、下記の化学式（４）で表される構造を有する有機金属化合物を含むことができる。
Figure 0007323589000005
化学式（４）中、Ｍ、ａ、ｂ、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ１１～Ｘ１３は、それぞれ独立して、ＣＲ１５またはＮであり、Ｘ１１とＸ１２のうち、いずれか一方はＣＲ１５であり、他方はＮである。Ｙ３とＹ４は、それぞれ独立して、ＣＲ１６Ｒ１７、ＮＲ１６、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＳｉＲ１６Ｒ１７である。Ｒ１１～Ｒ１５は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０のシクロアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ６～Ｃ２０のアリール基およびＣ３～Ｃ２０のヘテロアリール基で構成される群から選択されるか、またはａとｂがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１１とＲ１２は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができ、Ｒ１３～Ｒ１５は、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができ、前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、および前記Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。Ｒ１６とＲ１７は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０のシクロアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ６～Ｃ２０のアリール基およびＣ３～Ｃ２０のヘテロアリール基で構成される群から選択される。
例えば、前記Ｘ１１は、非置換若しくは置換された炭素原子であり、前記Ｘ１２は、窒素原子であり得る。選択的に、化学式（４）のＲ１３～Ｒ１５のうち、隣接する２つの官能基は結合し、Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環、またはＣ３～Ｃ１０のヘテロ芳香族環を形成することができる。
化学式（１）または化学式（４）の構造を有する有機金属化合物において、中心金属はイリジウムであり、補助配位子はアセチルアセトナート系であり得る。かかる有機金属化合物は、下記の化学式（５）で表される構造を有することができる。
Figure 0007323589000006
化学式（５）中、Ｒ１１～Ｒ１４、Ｘ１１～Ｘ１３、Ｙ３、Ｙ４、ａおよびｂは、それぞれ化学式（４）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香基族で構成される群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記アルキル基、前記ヘテロアルキル基、前記アルケニル基、前記ヘテロアルケニル基、前記アルコキシ基、前記アルキルアミノ基、前記アルキルシリル基、前記脂環族、前記ヘテロ脂環族、前記芳香族、および前記ヘテロ芳香族は、それぞれ独立して、非置換若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
さらに具体的に、化学式（１）の構造を有する有機金属化合物は、下記の化学式（６）で表される構造を有する有機金属化合物から選択されるいずれか１つを含むことができる。
Figure 0007323589000007
Figure 0007323589000008
Figure 0007323589000009
Figure 0007323589000010
Figure 0007323589000011
Figure 0007323589000012
Figure 0007323589000013
Figure 0007323589000014
Figure 0007323589000015
Figure 0007323589000016
Figure 0007323589000017
Figure 0007323589000018
Figure 0007323589000019
Figure 0007323589000020
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Figure 0007323589000022
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Figure 0007323589000031
Figure 0007323589000032
Figure 0007323589000033
Figure 0007323589000034
化学式（２）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物も複数の縮合芳香族環、またはヘテロ芳香族環からなる配位子を含み、その結果、堅い化学構造を持つ。発光半値幅が狭く、発光過程において安定した化学構造が維持されるため、発光寿命を改善することができる。さらに、有機金属化合物は、２座配位性金属借体であるため、発光色純度および発光色を容易に調節することができる。化学式（２）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を発光物質層に導入することで、駆動電圧が低く、発光効率および発光寿命に優れた有機発光ダイオードを実現することができる。
有機発光装置および有機発光ダイオード
化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を発光層に導入し、有機発光ダイオードの発光効率および発光寿命を向上させることができる。化学式（１）から化学式（６）の構造を有する金属有機化合物が導入された有機発光ダイオードは、有機発光表示装置、または有機発光照明装置のような有機発光装置に適用することができる。一例に、本発明にかかる有機発光表示装置について説明する。
図１は、本発明にかかる有機発光表示装置の回路を概略的に示す模式図である。図１に示すように、有機発光表示装置には、互いに交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬおよびパワー配線ＰＬが形成される。画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓ、駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔおよび有機発光ダイオードＤが形成される。画素領域Ｐは、赤色Ｒの画素領域、緑色Ｇの画素領域および青色Ｂの画素領域を含むことができる。
スイッチング薄膜トランジスタＴｓは、ゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬに接続され、駆動薄膜トランジスタＴｄおよびストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴｓとパワー配線ＰＬの間に接続される。有機発光ダイオードＤは、駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される。かかる有機発光表示装置では、ゲート配線ＧＬに印加されたゲート信号により、スイッチング薄膜トランジスタＴｓがオンすると、データ配線ＤＬに印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴｓを介し、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。
駆動薄膜トランジスタＴｄは、ゲート電極に印加されたデータ信号によりオンする。その結果、データ信号に比例する電流が、パワー配線ＰＬから駆動薄膜トランジスタＴｄを介して有機発光ダイオードＤへ流れるようになり、有機発光ダイオードＤは、駆動薄膜トランジスタＴｄを介して流れる電流に比例する輝度に発光する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号に比例する電圧に充電され、１フレームの間、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極の電圧が一定に保持される。したがって、有機発光表示装置は、希望する映像を表示することができる。
図２は、本発明の例示的な第１実施形態にかかる有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図２に示すように、有機発光表示装置１００は、基板１０２と、基板１０２の上部に配置される薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒに接続される有機発光ダイオードＤとを含む。
例えば、基板１０２には、赤色の画素領域、緑色の画素領域および青色の画素領域が定義され、有機発光ダイオードＤは画素領域毎に位置する。すなわち、赤色・緑色・青色の光を発する有機発光ダイオードＤが、赤色の画素領域、緑色の画素領域および青色の画素領域に対応して備えられる。
基板１０２は、ガラス基板であってもよく、薄いフレキシブル基板であってもよく、高分子のプラスチック基板であってもよい。例えば、基板１０２は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリカーボネート（ＰＣ）のうち、いずれか１つから形成することができる。その上部に薄膜トランジスタＴｒと有機発光ダイオードＤが配置された基板１０２は、アレイ基板を形成する。
基板１０２上にバッファー層１０６が形成され、バッファー層１０６上に薄膜トランジスタＴｒが形成される。バッファー層１０６は省略してもよい。
バッファー層１０６の上部に半導体層１１０が形成される。例えば、半導体層１１０は、酸化物半導体物質から形成することができる。半導体層１１０が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層１１０の下部に遮光パターン（不図示）を形成することができる。遮光パターンは、光の半導体層１１０への入射を防止し、半導体層１１０が光によって劣化することを防止する。選択的に、半導体層１１０は多結晶シリコンから形成することもできるが、この場合、半導体層１１０の両端部に不純物がドープされることもある。
半導体層１１０の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１２０が基板１０２の全面に形成される。ゲート絶縁膜１２０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。
ゲート絶縁膜１２０の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極１３０が半導体層１１０の中央に対応して形成される。図２において、ゲート絶縁膜１２０は、基板１０２の全面に形成されているが、ゲート電極１３０と同じ形にパターニングされてもよい。
ゲート電極１３０の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が基板１０２の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質で形成してもよい。
層間絶縁膜１４０は、半導体層１１０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート電極１３０の両側に、ゲート電極１３０と離隔して位置する。図２において、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、ゲート絶縁膜１２０内にも形成されているが、ゲート絶縁膜１２０がゲート電極１３０と同じ形にパターニングされる場合、第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４は、層間絶縁膜１４０内にのみ形成される。
層間絶縁膜１４０の上部には、金属のような導電性物質からなるソース電極１５２とドレイン電極１５４が形成される。ソース電極１５２とドレイン電極１５４は、ゲート電極１３０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール１４２、１４４を介して、半導体層１１０の両側に接触する。
半導体層１１０、ゲート電極１３０、ソース電極１５２、およびドレイン電極１５４は、薄膜トランジスタＴｒを構成し、薄膜トランジスタＴｒは、駆動素子として機能する。図２に示す薄膜トランジスタＴｒは、半導体層１１０の上部にゲート電極１３０、ソース電極１５２およびドレイン電極１５４が位置するコプラナ構造を有するが、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタッガード（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することもできる。この場合、半導体層は、非晶質シリコンから形成することができる。
図２に示していないが、ゲート配線（図１のＧＬ）とデータ配線（図１のＤＬ）が互いに交差して画素領域を定義し、ゲート配線およびデータ配線に接続されるスイッチング素子（図１のＴｓ）がさらに形成される。該スイッチング素子は、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒに接続される。また、パワー配線（図１のＰＬ）がデータ配線、またはゲート配線と並んで離隔して形成され、１フレームの間に、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１３０の電圧を一定に維持するためのストレージキャパシタＣｓｔをさらに含むことができる。
ソース電極１５２とドレイン電極１５４の上部には、保護層１６０が薄膜トランジスタＴｒを覆いながら基板１０２の全面に形成される。保護層１６０は、その上面が平坦であり、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４を露出するドレインコンタクトホール１６２を有する。ここで、ドレインコンタクトホール１６２は、第２半導体層コンタクトホール１４４の直上に形成されているが、第２半導体層コンタクトホール１４４と離隔して形成されてもよい。
有機発光ダイオードＤは、保護層１６０上に位置し、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１５４に接続される第１電極２１０と、第１電極２１０上に順次積層される発光層２３０および第２電極２３０を含む。
第１電極２１０は、画素領域毎に分離して形成される。第１電極２１０は、陽極（アノード）であり得る。また、第１電極２１０は、仕事関数が比較的に大きい導電性物質、例えば、透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）からなり得る。具体的に、第１電極２１０は、インジウム・スズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、インジウム・スズ・亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム・銅酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｃｏｐｐｅｒ Ｏｘｉｄｅ、ＩＣＯ）、およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ、ＡＺＯ）からなり得る。
有機発光表示装置１００がボトムエミッションタイプである場合、第１電極２１０は、透明導電性酸化物からなる単層構造を有することができる。一方、本発明の有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、第１電極２１０の下部に反射電極、または反射層をさらに形成することができる。例えば、反射電極、または反射層は、銀（Ａｇ）、またはアルミニウム・パラジウム・銅（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｃｏｐｐｅｒ、ＡＰＣ）合金から形成することができる。トップエミッションタイプの有機発光ダイオードＤにおいて、第１電極２１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、またはＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯの三層構造を有することができる。
また、保護層１６０上には、第１電極２１０の端部を覆うバンク層１６４が形成される。バンク層１６４は、画素領域に対応し、第１電極２１０の中央を露出する。
第１電極２１０上には、発光層２３０が形成される。発光層２３０は、発光物質層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）の単層構造を有することができる。あるいは、発光層２３０は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子遮断層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）、正孔遮断層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＢＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）および／または電荷発生層（Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＣＧＬ）を含むことができる（図３、図５および図６を参照）。発光層２３０は、１つの発光部からなってもよく、２つの発光部を有するタンデム構造にしてもよい。
発光層２３０は、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含むことができる。化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含み、有機発光ダイオードＤおよび有機発光表示装置１００の駆動電圧を低下させ、発光効率および発光寿命を大幅に向上させることができるが、これについては後述する。
発光層２３０が形成された基板１０２の上部に、第２電極２２０が形成される。第２電極２２０は、表示領域の全面に位置し、仕事関数が比較的に小さい導電性物質からなり、電子を注入する陰極（カソード）であり得る。例えば、第２電極２２０は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせ（例えばアルミニウム‐マグネシウム合金、ＡｌＭｇ）のように反射特性のよい素材からなり得る。有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、第２電極２２０はその厚さが薄く、光透過（半透過）特性を有する。
第２電極２２０上には、外部の水分が有機発光ダイオードＤへ浸透することを防ぐため、封止フィルム１７０（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ）が形成される。封止フィルム１７０は、第１無機絶縁層１７２と、有機絶縁層１７４と、第２無機絶縁層１７６の積層構造を有することができるが、これに限定されるものではない。また、封止フィルム１７０は省略してもよい。
有機発光表示装置１００は、外部光の反射を減らすための偏光板（不図示）を備えることができる。例えば、偏光板（不図示）は円形状であり得る。有機発光表示装置１００がボトムエミッションタイプである場合、偏光板は基板１０２の下部に位置することができる。一方、有機発光表示装置１００がトップエミッションタイプである場合、偏光板は封止フィルム１７０の上部に位置することができる。また、トップエミッションタイプの有機発光表示装置１００では、封止フィルム１７０、または偏光板（不図示）上にカバーウィンドウ（不図示）を取り付けることができる。このとき、基板１０２とカバーウィンドウ（不図示）がフレキシブルな素材からなる場合は、フレキシブル表示装置を構成することができる。
続いて、本発明の有機金属化合物が導入された有機発光ダイオードについてさらに具体的に説明する。図３は、本発明の例示的な第１実施形態により、単一発光部を有する有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。図３に示すように、本発明の第１実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ１は、互いに対向する第１電極２１０および第２電極２２０と、第１電極２１０と第２電極２２０の間に位置する発光層２３０とを含む。有機発光表示装置１００（図２を参照）は赤色の画素領域、緑色の画素領域、および青色の画素領域を含み、有機発光ダイオードＤ１は赤色の画素領域に位置することができる。
例示的側面において、発光層２３０は、第１電極２１０と第２電極２２０の間に位置する発光物質層３４０（ＥＭＬ）を含む。また、発光層２３０は、第１電極２１０と発光物質層３４０の間に位置する正孔輸送層３２０（ＨＴＬ）と、発光物質層３４０と第２電極２２０の間に位置する電子輸送層３６０（ＥＴＬ）のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。さらに、発光層２３０は、第１電極２１０と正孔輸送層３２０の間に位置する正孔注入層３２０（ＨＩＬ）と、電子輸送層３６０と第２電極２２０の間に位置する電子注入層３７０（ＥＩＬ）のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。また、選択的に発光層２３０は、発光物質層３４０と正孔輸送層３２０の間に位置する第１励起子遮断層である電子遮断層３３０（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）および／または発光物質層３４０と電子輸送層３６０の間に位置する第２励起子遮断層である正孔遮断層３５０（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＢＬ）をさらに含むことができる。
第１電極２１０は、発光物質層３４０に正孔を供給する陽極であり得る。第１電極２１０は、仕事関数が比較的に大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（ＴＣＯ）から形成することが好ましい。例えば、第１電極２１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯ、およびＡＺＯからなり得る。
第２電極２２０は、発光物質層３４０に電子を供給する陰極であり得る。第２電極２２０は、仕事関数が比較的に小さい導電性物質、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせのように、反射特性のよい素材からなり得る。
正孔注入層３１０は、第１電極２１０と正孔輸送層３２０の間に位置し、無機物である第１電極２１０と有機物である正孔輸送層３２０の間の界面特性を向上させる。１つの例示的側面において、正孔注入層３１０は、４，４’，４”‐トリス（３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＭＴＤＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ，Ｎ‐ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン；ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐１‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；１Ｔ‐ＮＡＴＡ、４，４’，４”‐トリス（Ｎ‐（ナフタレン‐２‐イル）‐Ｎ‐フェニルアミノ）トリフェニルアミン；２Ｔ‐ＮＡＴＡ、フタロシアニン銅；ＣｕＰＣ、トリス（４‐カルバゾイル‐９‐イル‐フェニル）アミン；ＴＣＴＡ、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（１‐ナフチル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４”‐ジアミン；ＮＰＢ（ＮＰＤ）、１，４，５，８，９，１１‐ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（ジピラジノ［２，３‐ｆ：２’，３’‐ｈ］キノキサリン‐２，３，６，７，１０，１１‐ヘキサカルボニトリル；ＨＡＴ‐ＣＮ、１，３，５‐トリス［４‐（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン；ＴＤＡＰＢ、ポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホン酸；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐［４‐（Ｎ，Ｎ‐ジフェニル‐アミノ）フェニル］ベンジジン；ＮＰＮＰＢ、およびこれらの組み合わせで構成される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。有機発光ダイオードＤ１の特性により、正孔注入層３４０は省略してもよい。
正孔輸送層３２０は、第１電極２１０と発光物質層３４０の間において、発光物質層３４０に隣接して位置する。１つの例示的側面において、正孔輸送層３２０は、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；ＴＰＤ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、４，４’‐ビス（Ｎ‐カルバゾリル）‐１，１’‐ビフェニル；ＣＢＰ、ポリ［Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（フェニル）‐ベンジジン］；Ｐｏｌｙ‐ＴＰＤ、ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル）ジフェニルアミン））］；ＴＦＢ、ジ‐［４‐（Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｐ‐トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン；ＴＡＰＣ、３，５‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）‐Ｎ，Ｎ‐ジフェニルアニリン；ＤＣＤＰＡ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミン、Ｎ‐（［１，１’‐ビフェニル］‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
発光物質層３４０は、ホスト（第１ホスト）およびドーパント３４２（第１ドーパント）を含み、実際の発光はドーパントで行われ得る。一例に、発光物質層３４０は赤色で発光することができる。例えば、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物は、ドーパントとして用いることができる。
発光物質層３４０と第２電極２２０の間には、電子輸送層３６０と電子注入層３７０を順次積層することができる。電子輸送層３６０を成す素材には、高い電子移動度が求められるが、スムーズな電子輸送により、発光物質層３４０に電子を安定して供給する。
例示的側面において、電子輸送層３６０は、オキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
具体的に電子輸送層３６０は、トリス（８‐ヒドロキシキノリン）アルミニウム；Ａｌｑ３、２‐ビフェニル‐４‐イル‐５‐（４‐ｔ－ブチルフェニル）‐１，３，４‐オキサジアゾール；ＰＢＤ、スピロ－ＰＢＤ、リチウムキノラート；Ｌｉｑ、１，３，５‐トリス（Ｎ‐フェニルベンゾイミダゾール‐２‐イル）ベンゼン；ＴＰＢｉ、ビス（２‐メチル‐８‐キノリノラト‐Ｎ１，０８）‐（１，１’‐ビフェニル‐４‐オラト）アルミニウム；ＢＡｌｑ、４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；Ｂｐｈｅｎ、２，９‐ビス（ナフタレン‐２‐イル）‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＮＢｐｈｅｎ、２，９‐ジメチル‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン；ＢＣＰ、３‐（４‐ビフェニル）‐４‐フェニル‐５‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール；ＴＡＺ、４‐（ナフタレン‐１‐イル）‐３，５‐ジフェニル‐４Ｈ‐１，２，４‐トリアゾール；ＮＴＡＺ、１，３，５‐トリス（ｐ‐ピリド‐３‐イル‐フェニル）ベンゼン；ＴｐＰｙＰＢ、２，４，６‐トリス（３’‐（ピリジン‐３‐イル）ビフェニル‐３‐イル）‐１，３，５‐トリアジン；ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ポリ［（９，９‐ビス（３’‐（（Ｎ，Ｎ‐ジメチル）‐Ｎ‐エチルアンモニウム）‐プロピル）‐２，７‐フルオレン）‐アルト‐２，７‐（９，９‐ジオクチルフルオレン）］ジブロミド；ＰＦＮＢｒ、トリス（フェニルキノキサリン）；ＴＰＱ、ジフェニル‐４‐トリフェニルシリル‐フェニルホスフィンオキシド；ＴＳＰＯ１、２‐［４‐（９，１０‐ジ‐２‐ナフタレン‐２‐イル‐２‐アントラセン‐２‐イル）フェニル］‐１‐フェニル‐１Ｈ‐ベンゾイミダゾール；ＺＡＤＮ、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
電子注入層３７０は、第２電極２２０と電子輸送層３６０の間に位置するが、第２電極２２０の特性を改善し、素子の寿命を改善することができる。例えば、電子注入層３７０の素子には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリ金属ハライド系物質、および／またはアルカリ土類金属ハライド系物質、および／またはＬｉｑ、安息香酸リチウム、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系物質を用いることができるが、これに限定されるものではない。選択的に電子注入層３７０は省略してもよい。
一方、正孔が発光物質層３４０を介して第２電極２２０側に移動し、または電子が発光物質層３４０を介して第１電極２１０側に移動した場合、有機発光ダイオードＤ１の寿命および発光効率が低下し得る。これを防止するため、本発明の例示的な第１実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ１は、発光物質層３４０に隣接する少なくとも１つの励起子遮断層を有する。
例えば、本発明の第１実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ１は、正孔輸送層３２０と発光物質層３４０の間に、電子移動を制御・防止することができる電子遮断層３３０を有することができる。一例に、電子遮断層３３０は、ＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、１，３‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）ベンゼン；ｍＣＰ、３，３‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ビフェニル；ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、Ｎ，Ｎ’‐ビス［４‐［ビス（３‐メチルフェニル）アミノ］フェニル］‐Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐［１，１’‐ビフェニル］‐４，４’‐ジアミン；ＤＮＴＰＤ、ＴＤＡＰＢ、ＤＣＤＰＡ、２，８‐ビス（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
また、発光物質層３４０と電子輸送層３６０の間に、第２励起子遮断層として正孔遮断層３５０が位置し、発光物質層３４０と電子輸送層３６０の間の正孔移動を防止する。例示的側面において、正孔遮断層３５０の素材として、電子輸送層３６０に使用できるオキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物のうち、少なくともいずれか１つを用いることができる。
例えば、正孔遮断層３５０は、発光物質層３４０に用いられた素材に比べ、ＨＯＭＯエネルギー準位の低いＢＣＰ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ‐ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ビス‐４，６‐（３，５‐ジ‐３‐ピリジルフェニル）‐２‐メチルピリミジン；Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ビス［２‐（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド；ＤＰＥＰＯ、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、ＴＳＰＯ１、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
前述のように、発光物質層３４０は、第１ホストおよび第１ドーパント３４２を含むことができる。第１ドーパントは、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含む。
第１ドーパント３４２と共に用いられるホストは、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐カルボニトリル；ｍＣＰ‐ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、２，８‐ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾチオフェン；ＰＰＴ、１，３，５‐トリ［（３‐ピリジル）‐フェン‐３‐イル］ベンゼン；ＴｍＰｙＰＢ、２，６‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン；ＰＹＤ‐２Ｃｚ、２，８‐ジ（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ジベンゾチオフェン；ＤＣｚＤＢＴ、３’，５’‐ジ（カルバゾール‐９‐イル）‐［１，１’‐ビフェニル］‐３，５‐ジカルボニトリル；ＤＣｚＴＰＡ、４’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、３’‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ビフェニル‐３，５‐ジカルボニトリル；ｍＣｚＢ‐２ＣＮ、ＴＳＰＯ１、９‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐６‐イル）‐９Ｈ‐カルバゾール；ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９，９’‐ジフェニル‐９Ｈ，９’Ｈ‐３，３’‐ビカルバゾール；ＢＣｚＰｈ、１，３，５‐トリス（カルバゾール‐９‐イル）ベンゼン；ＴＣＰ、ＴＣＴＡ、４，４’‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）‐２，２’‐ジメチルビフェニル；ＣＤＢＰ、２，７‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）‐９，９‐ジメチルフルオレン；ＤＭＦＬ‐ＣＢＰ、２，２’，７，７’‐テトラキス（カルバゾール‐９‐イル）‐９，９‐スピロフルオレン；Ｓｐｉｒｏ‐ＣＢＰ、３，６‐ビス（カルバゾール‐９‐イル）‐９‐（２‐エチル‐ヘキシル）‐９Ｈ‐カルバゾール；ＴＣｚｌ、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択することができるが、これに限定されるものではない。例えば、第１ドーパント３４２は、１重量％～５０重量％、好ましくは１重量％～３０重量％の割合で発光物質層３４０にドープすることができる。
化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物は、発光半値幅が狭く、堅い化学構造を持つため、発光過程において安定した化学構造が維持され、色純度および発光寿命が向上する。また、２座配位子の構造および配位子への置換基を替え、発光色を調節することができる。それにより、有機発光ダイオードＤ１の駆動電圧を低下させ、発光効率および発光寿命を向上させることができる。
前述の第１実施形態では、赤色で発光する単一発光部を有する有機発光表示装置、および有機発光ダイオードについて説明した。これと別に、白色（Ｗ）発光を含むフルカラーの表示装置を実現することもできるが、これについて説明する。
図４は、本発明の例示的な第２実施形態にかかる有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図４に示すように、本発明の第２実施形態にかかる有機発光表示装置４００は、赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰがそれぞれ定義された第１基板４０２と、第１基板４０２に対向する第２基板４０４と、第１基板４０２と第２基板４０４の間に位置し、白色を発光する有機発光ダイオードＤと、有機発光ダイオードＤと第２基板４０４の間に位置するカラーフィルター層４８０を含む。
第１基板４０２および第２基板４０４は、それぞれ、ガラス基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよく、高分子のプラスチック基板であってもよい。例えば、第１基板４０２および第２基板４０４は、それぞれＰＩ、ＰＥＳ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、およびＰＣのうち、いずれか１つで形成することができる。
第１基板４０２上にバッファー層４０６が形成され、バッファー層４０６上に赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰのそれぞれに対応して薄膜トランジスタＴｒが形成される。バッファー層４０６は省略してもよい。
バッファー層４０６上に半導体層４１０が形成される。例えば、半導体層４１０は、酸化物半導体物質からなってよく、多結晶シリコンからなってもよい。
半導体層４１０の上部には、絶縁物質、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなるゲート絶縁膜４２０が形成される。
ゲート絶縁膜４２０の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極４３０が半導体層４１０の中央に対応して形成される。ゲート電極４３０の上部には、絶縁物質、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、若しくはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質、またはベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質からなる層間絶縁膜４４０が形成される。
層間絶縁膜４４０は、半導体層４１０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール４４２、４４４を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール４４２、４４４は、ゲート電極４３０の両側に、ゲート電極４３０と離隔して位置する。
層間絶縁膜４４０の上部には、金属のような導電性物質からなるソース電極４５２およびドレイン電極４５４が形成される。ソース電極４５２とドレイン電極４５４は、ゲート電極４３０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール４４２、４４４を介し、半導体層４１０の両側に接触する。
半導体層４１０、ゲート電極４３０、ソース電極４５２、およびドレイン電極４５４は、薄膜トランジスタＴｒを構成し、薄膜トランジスタＴｒは、駆動素子として機能する。
図４に示していないが、ゲート配線（図１のＧＬ）とデータ配線（図１のＤＬ）が互いに交差して画素領域を定義し、ゲート配線とデータ配線に接続されるスイッチング素子（図１のＴｓ）がさらに形成される。該スイッチング素子Ｔｓは、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒに接続される。また、パワー配線（図１のＰＬ）がデータ配線ＤＬと並んで離隔して形成され、１フレームの間に、駆動素子である薄膜トランジスタＴｒのゲート電極の電圧を一定に維持するためのストレージキャパシタ（図１のＣｓｔ）をさらに含むことができる。
ソース電極４５２およびドレイン電極４５４の上部には、保護層４６０が薄膜トランジスタＴｒを覆いながら第１基板４０２の全面に形成される。保護層４６０は、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極４５４を露出するドレインコンタクトホール４６２を有する。
保護層４６０上に有機発光ダイオードＤが位置する。有機発光ダイオードＤは、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極４５２に接続される第１電極５１０と、第１電極５１０に対向する第２電極５２０と、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する発光層５３０を含む。
それぞれの画素領域毎に形成される第１電極５１０は、陽極（アノード）であり得る。また、仕事関数が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、第１電極５１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯ、およびＡＺＯから形成することができる。第１電極５１０の下部には反射電極、または反射層をさらに形成することができる。例えば、反射電極、または反射層は銀、またはＡＰＣ合金から形成することができる。
保護層４６０上には、第１電極５１０の端部を覆うバンク層４６４が形成される。バンク層４６４は、画素領域ＲＰ、ＧＰ、ＢＰに対応し、第１電極５１０の中央を露出する。バンク層４６４は省略してもよい。
第１電極５１０上に、複数の発光部を含むことができる発光層５３０が形成される。図５および図６に示すように、発光層５３０は、複数の発光部６００、７００、７００Ａ、８００と、１つ以上の電荷発生層６８０、７８０を含むことができる。それぞれの発光部６００、７００、７００Ａ、８００は少なくとも１つの発光物質層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、および／または電子注入層をさらに含むことができる。
発光層５３０の形成された第１基板４０２の上部に第２電極５２０が形成される。第２電極５２０は、表示領域の全面に位置し、仕事関数が比較的に小さい物質からなり、電子を注入する陰極（カソード）であり得る。例えば、第２電極５２０は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせ（例えばアルミニウム‐マグネシウム合金、ＡｌＭｇ）のように反射特性のよい素材からなり得る。
一方、本発明の例示的な第２実施形態にかかる有機発光表示装置４００では、発光層５３０からの光が第２電極５２０を介し、カラーフィルター層４８０に入射するため、第２電極５２０は、光が透過できるよう、薄い厚さを有する。
カラーフィルター層４８０は有機発光ダイオードＤの上部に位置し、赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰのそれぞれに対応する赤色のカラーフィルター４８２、緑色のカラーフィルター４８４および青色のカラーフィルター４８６を含む。図４に示していないが、カラーフィルター層４８０は、接着層を介して有機発光ダイオードＤに貼り付けることができる。あるいは、有機発光ダイオードＤの直上に形成することもできる。
図に示していないが、外部の水分が有機発光ダイオードＤへ浸透することを防ぐため、封止フィルムを形成することができる。例えば、封止フィルムは、第１無機絶縁層と、有機絶縁層と、第２無機絶縁層の積層構造を有することができるが、これに限定されるものではない（図２の１７０を参照）。また、第２基板４０４の外側面には、外部光の反射を減らすための偏光板を取り付けることができる。偏光板は、例えば円形状であり得る。
図４において、有機発光ダイオードＤからの光は第２電極５２０を透過し、カラーフィルター層４８０は有機発光ダイオードＤの上部に配置される。すなわち、有機発光表示装置４００は、トップエミッションタイプであり得る。あるいは、有機発光表示装置４００がボトムエミッションタイプである場合、有機発光ダイオードＤからの光は第１電極５１０を透過し、カラーフィルター層４８０は、有機発光ダイオードＤと第１基板４０２の間に配置することができる。
図に示していないが、有機発光ダイオードＤとカラーフィルター層４８０の間には色変換層を備えることもできる。色変換層は、赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰにそれぞれ対応して赤色の色変換層、緑色の色変換層、青色の色変換層を含み、有機発光ダイオードＤからの白色光をそれぞれ赤色、緑色、青色に変換することができる。例えば、色変換層は量子ドットを含むことができる。それにより、有機発光表示装置４００の色純度はさらに向上することができる。選択的にカラーフィルター層４８０の代わりに色変換層を含むこともできる。
前述のように、有機発光ダイオードＤからの白色光は、赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰにそれぞれ対応する赤色のカラーフィルター４８２、緑色のカラーフィルター４８４、青色のカラーフィルター４８６を透過する。その結果、赤色の画素領域ＲＰ、緑色の画素領域ＧＰおよび青色の画素領域ＢＰでは、それぞれ赤色、緑色および青色の光が表示される。
本発明の第２実施形態にかかる有機発光表示装置に適用することができる有機発光ダイオードについて、さらに具体的に説明する。図５は、本発明の例示的な第２実施形態により、タンダム構造で形成された２つの発光部を有する有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。
図５に示すように、本発明の第２実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ２は、互いに対向する第１電極５１０および第２電極５２０と、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する発光層５３０を含む。発光層５３０は、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する第１発光部６００と、第１発光部６００と第２電極５２０の間に位置する第２発光部７００と、第１発光部６００と第２発光部７００の間に位置する電荷発生層６８０を含む。
第１電極５１０は、陽極であり得る。また、仕事関数が比較的に大きい導電性物質、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）から形成することが好ましい。例えば、第１電極５１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ、ＩＣＯ、および／またはＡＺＯから形成することができる。第２電極５２０は、陰極であり得る。また、仕事関数が比較的に小さい導電性物質、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、またはこれらの合金や組み合わせのように反射特性のよい素材からなり得る。
第１発光部６００は、第１発光物質層６４０（ＥＭＬ１）を含む。第１発光部６００は、第１電極５１０と第１発光物質層６４０の間に位置する正孔注入層６１０と、正孔注入層６１０と第１発光物質層６４０の間に位置する第１正孔輸送層６２０（ＨＴＬ１）と、第１発光物質層６４０と電荷発生層６８０の間に位置する第１電子輸送層６６０（ＥＴＬ１）のうち、少なくともいずれか１つを含む。選択的に、第１発光部６００は、第１正孔輸送層６２０と第１発光物質層６４０の間に位置する第１電子遮断層６３０（ＥＢＬ１）および／または第１発光物質層６４０と第１電子輸送層６６０の間に位置する第１正孔遮断層６５０（ＨＢＬ１）をさらに含むことができる。
第２発光部７００は、第２発光物質層７４０（ＥＭＬ２）を含む。第２発光部７００は、電荷発生層６８０と第２発光物質層７４０の間に位置する第２正孔輸送層７２０（ＨＴＬ２）と、第２電極５２０と第２発光物質層７４０の間に位置する第２電子輸送層７６０（ＥＴＬ２）と、第２電極５２０と第２電子輸送層７６０の間に位置する電子注入層７７０のうち、少なくとも１つを含むことができる。選択的に、第２発光部７００は、第２正孔輸送層７２０と第２発光物質層７４０の間に位置する第２電子遮断層７３０（ＥＢＬ２）、および／または第２発光物質層７４０と第２電子輸送層７６０の間に位置する第２正孔遮断層７５０（ＨＢＬ２）をさらに含むことができる。
このとき、第１発光物質層６４０と第２発光物質層７４０のうち、少なくとも一方は、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含み、赤ないし緑の波長域で発光することができる。第１発光物質層６４０と第２発光物質層７４０のうち、他方は青色で発光し、有機発光ダイオードＤ２は、白色（Ｗ）発光を実現することができる。以下、第２発光物質層７４０が化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含む場合について説明する。
正孔注入層６１０は、第１電極５１０と第１正孔輸送層６２０の間に位置し、無機物である第１電極５１０と有機物である第１正孔輸送層６２０の間の界面特性を向上させる。例えば、正孔注入層６１０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＮＡＴＡ、１Ｔ‐ＮＡＴＡ、２Ｔ‐ＮＡＴＡ、ＣｕＰＣ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴ‐ＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＮＰＮＰＢ、およびこれらの組み合わせで構成される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。有機発光ダイオードＤ２の特性により、正孔注入層６１０は省略してもよい。
第１正孔輸送層６２０と第２正孔輸送層７２０は、それぞれＴＰＤ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、Ｐｏｌｙ‐ＴＰＤ、ＴＦＢ、ＴＡＰＣ、ＤＣＤＰＡ、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）ビフェニル）‐４‐アミン、Ｎ‐（［１，１’‐ビフェニル］‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
第１電子輸送層６６０と第２電子輸送層７６０は、それぞれ第１発光部６００と第２発光部７００における電子輸送をスムーズにさせる。一例に、第１電子輸送層６６０と第２電子輸送層７６０は、それぞれオキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物のうち、いずれか１つを含むことができる。例えば、第１電子輸送層６６０と第２電子輸送層７６０は、それぞれＡｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ－ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＴＰＢｉ、ＢＡｌｑ、Ｂｐｈｅｎ、ＮＢｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＴＡＺ、ＮＴＡＺ、ＴｐＰｙＰＢ、ＴｍＰＰＰｙＴｚ、ＰＦＮＢｒ、ＴＰＱ、ＴＳＰＯ１、ＺＡＤＮ、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
電子注入層７７０は、第２電極５２０と第２電子輸送層７６０の間に位置するが、第２電極５２０の特性を改善し、素子の寿命を改善することができる。例えば、電子注入層７７０の素子には、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＢａＦ２などのアルカリ金属ハライド系物質、および／またはアルカリ土類金属ハライド系物質、および／またはＬｉｑ、安息香酸リチウム、ステアリン酸ナトリウムなどの有機金属系物質を用いることができるが、これに限定されるものではない。
また、第１電子遮断層６３０と第２電子遮断層７３０は、それぞれＴＣＴＡ、トリス［４‐（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ‐（ビフェニル‐４‐イル）‐９，９‐ジメチル‐Ｎ‐（４‐（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐フルオレン‐２‐アミン、ＴＡＰＣ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、ＣｕＰＣ、ＤＮＴＰＤ、ＴＤＡＰＢ、ＤＣＤＰＡ、２，８‐ビス（９‐フェニル‐９Ｈ‐カルバゾール‐３‐イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、およびこれらの組み合わせで構成される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
第１正孔遮断層６５０と第２正孔遮断層７５０は、それぞれ第１電子輸送層６６０および第２電子輸送層７６０に用いられ得るオキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物のうち、いずれか１つを含むことができる。例えば、第１正孔遮断層６５０と第２正孔遮断層７５０は、それぞれＢＣＰ、Ａｌｑ３、ＰＢＤ、スピロ－ＰＢＤ、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｂ３ＰＹＭＰＭ、ＤＰＥＰＯ、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、ＴＳＰＯ１、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
電荷発生層６８０（ＣＧＬ）は、第１発光部６００と第２発光部７００の間に位置する。電荷発生層６８０は、第１発光部６００に隣接して位置するＮ型電荷発生層６８５（Ｎ‐ＣＧＬ）と、第２発光部７００に隣接して位置するＰ型電荷発生層６９０（Ｐ‐ＣＧＬ）を含む。Ｎ型電荷発生層６８５は、電子を第１発光部６００の第１発光物質層６４０へ注入し、Ｐ型電荷発生層６９０は、正孔を第２発光部７００の第２発光物質層７４０へ注入する。
Ｎ型電荷発生層６８５は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓのようなアルカリ金属、および／またはＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａのようなアルカリ土類金属がドープされた有機層であり得る。例えば、Ｎ型電荷発生層６８５に用いられるホストは、ＢｐｈｅｎやＭＴＤＡＴＡを含み、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属は、約０．０１重量％～３０重量％でドープすることができる。
一方、Ｐ型電荷発生層６９０は、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）、ベリリウム酸化物（Ｂｅ２Ｏ３）、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される無機物、および／またはＮＰＤ、ＨＡＴ‐ＣＮ、Ｆ４ＴＣＮＱ、ＴＰＤ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’‐テトラナフタレニル‐ベンジジン；ＴＮＢ、ＴＣＴＡ、Ｎ，Ｎ’‐ジオクチル‐３，４，９，１０‐ペリレンジカルボキシミド；ＰＴＣＤＩ‐Ｃ８、およびこれらの組み合わせで構成される群から選択される有機物を含むことができる。
本実施形態において、第１発光物質層６４０は青色の発光物質層であり得る。この場合、第１発光物質層６４０は青色であってもよく、空色であってもよく、濃い青であってもよい。第１発光物質層６４０は、ホストと青色のドーパントを含むことができる。ホストは、第１ホストと同じであり得る。また、青色のドーパントは、青色の燐光物質、青色の蛍光物質、青色の遅延蛍光物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
第２発光物質層７４０は、第２電子遮断層７３０と第２正孔遮断層７５０の間に位置する下部発光物質層７４０Ａと、下部発光物質層７４０Ａと第２正孔遮断層７５０の間に位置する上部発光物質層７４０Ｂを含むことができる。このとき、下部発光物質層７４０Ａと上部発光物質層７４０Ｂのうち、いずれか一方は、黄色または赤色で発光し、他方は緑色で発光することができる。以下、下部発光物質層７４０Ａが緑色で発光し、上部発光物質層７４０Ｂが赤色で発光する場合について説明する。
下部発光物質層７４０Ａは、第１ホストおよび第１ドーパント７４２を含む。第１ホストは、ｍＣＰ‐ＣＮ、ＣＢＰ、ｍＣＢＰ、ｍＣＰ、ＤＰＥＰＯ、ＰＰＴ、ＴｍＰｙＰＢ、ＰＹＤ‐２Ｃｚ、ＤＣｚＤＢＴ、ＤＣｚＴＰＡ、ｐＣｚＢ‐２ＣＮ、ｍＣｚＢ‐２ＣＮ、ＴＳＰＯ１、ＣＣＰ、４‐（３‐（トリフェニレン‐２‐イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、９‐（４‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（３‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）フェニル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、９‐（６‐（９Ｈ‐カルバゾール‐９‐イル）ピリジン‐３‐イル）‐９Ｈ‐３，９’‐ビカルバゾール、ＢＣｚＰｈ、ＴＣＰ、ＴＣＴＡ、ＣＤＢＰ、ＤＭＦＬ‐ＣＢＰ、Ｓｐｉｒｏ‐ＣＢＰ、ＴＣｚ１などを含むことができる。第１ドーパント７４２は、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含み、緑色で発光することができる。また、第１ドーパント７４２は、下部発光物質層７４０Ａ中、１重量％～５０重量％、例えば１重量％～３０重量％、好ましくは１重量％～１５重量％の割合でドープすることができる。
上部発光物質層７４０Ｂはホストおよび赤色のドーパントを含む。ホストは、第１ホストと同じであり得る。また、赤色のドーパントは、赤色の燐光物質、赤色の蛍光物質、赤色の遅延蛍光物質のうち、いずれか１つを含むことができる。
本発明の第２実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ２はタンダム構造を有し、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含む。耐熱性に優れており、堅い化学構造を持ち、発光色を容易に調節できる本発明の有機金属化合物を含む有機発光ダイオードＤ２は、発光効率および発光寿命を向上させることができる。
一方、有機発光ダイオードは、３つ以上の発光部がタンダム構造で形成されてもよい。図６は、本発明の例示的な第３実施形態により、３つの発光部がタンダム構造で形成された有機発光ダイオードを概略的に示す断面図である。
図６に示すように、本発明の第３実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ３は、互いに対向する第１電極５１０および第２電極５２０と、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する発光層５３０Ａを含む。発光層５３０Ａは、第１電極５１０と第２電極５２０の間に位置する第１発光部６００と、第１発光部６００と第２電極５２０の間に位置する第２発光部７００Ａと、第２発光部７００Ａと第２電極５２０の間に位置する第３発光部８００と、第１発光部６００と第２発光部７００Ａの間に位置する第１電荷発生層６８０と、第２発光部７００Ａと第３発光部８００の間に位置する第２電荷発生層７８０を含む。
第１発光部６００は、第１発光物質層６４０を含む。第１発光部６００は、第１電極５１０と第１発光物質層６４０の間に位置する正孔注入層６１０と、正孔注入層６１０と第１発光物質層６４０の間に位置する第１正孔輸送層６２０と、第１発光物質層６４０と第１電荷発生層６８０の間に位置する第１電子輸送層６６０のうち、いずれか１つを含むことができる。選択的に、第１発光部６００は、第１正孔輸送層６２０と第１発光物質層６４０の間に位置する第１電子遮断層６３０と、第１発光物質層６４０と第１電子輸送層６６０の間に位置する第１正孔遮断層６５０のうち、いずれか１つをさらに含むことができる。
第２発光部７００Ａは、第２発光物質層７４０を含む。第２発光部７００Ａは、第１電荷発生層６８０と第２発光物質層７４０の間に位置する第２正孔輸送層７２０と、第２発光物質層７４０と第２電荷発生層７８０の間に位置する第２電子輸送層７６０のうち、いずれか１つを含むことができる。選択的に、第２発光部７００Ａは、第２正孔輸送層７２０と第２発光物質層７４０の間に位置する第２電子遮断層７３０と、第２発光物質層７４０と第２電子輸送層７６０の間に位置する第２正孔遮断層７５０のうち、いずれか１つをさらに含むことができる。
第３発光部８００は、第３発光物質層８４０（ＥＭＬ３）を含む。第３発光部８００は、第２電荷発生層７８０と第３発光物質層８４０の間に位置する第３正孔輸送層８２０（ＨＴＬ３）と、第３発光物質層８４０と第２電極５２０の間に位置する第３電子輸送層８６０（ＨＴＬ３）と、第３電子輸送層８６０と第２電極５２０の間に位置する電子注入層８７０のうち、いずれか１つを含むことができる。選択的に、第３発光部８００は、第３正孔輸送層８２０と第３発光物質層８４０の間に位置する第３電子遮断層８３０（ＥＢＬ３）と、第３発光物質層８４０と第３電子輸送層８６０の間に位置する第３正孔遮断層８５０（ＨＢＬ３）のうち、いずれか１つをさらに含むことができる。
このとき、第１ないし第３発光物質層６４０、７４０、８４０のうち、少なくともいずれか１つは、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含むことができる。例えば、第１ないし第３発光物質層６４０、７４０、８４０のうち、いずれか１つは、赤色ないし緑色で発光することができる。このとき、第１ないし第３発光物質層６４０、７４０、８４０のうち、他の１つは青色で発光することで、有機発光ダイオードＤ３は、白色（Ｗ）発光を実現することができる。以下、第２発光物質層７４０が、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含み、赤色ないし緑色で発光し、第１発光物質層６４０および第３発光物質層８４０は青色で発光する場合について説明する。
第１電荷発生層６８０は、第１発光部６００と第２発光部７００Ａの間に位置し、第２電荷発生層７８０は、第２発光部７００Ａと第３発光部８００の間に位置する。第１電荷発生層６８０は、第１発光部６００に隣接して位置する第１Ｎ型電荷発生層６８５と、第２発光部７００Ａに隣接して位置する第１Ｐ型電荷発生層６９０を含む。第２電荷発生層７８０は、第２発光部７００Ａに隣接して位置する第２Ｎ型電荷発生層７８５と、第３発光部８００に隣接して位置する第２Ｐ型電荷発生層７９０を含む。このとき、第１Ｎ型電荷発生層６８５および第２Ｎ型電荷発生層７８５は、それぞれ第１発光部６００の第１発光物質層６４０、そして第２発光部７００Ａの第２発光物質層７４０に電子を注入し、第１Ｐ型電荷発生層６９０および第２Ｐ型電荷発生層７９０は、それぞれ第２発光部６００の第２発光物質層７４０、そして第３発光部７００Ａの第３発光物質層８４０に正孔を注入する。
一方、本実施形態において、第１発光物質層６４０と第３発光物質層８４０は、それぞれ青色の発光物質層であり得る。この場合、第１および第３発光物質層６４０、８４０は青色であってもよく、空色であってもよく、濃い青であってもよい。第１発光物質層６４０と第３発光物質層８４０は、それぞれホストおよび青色のドーパントを含むことができる。ホストは、第１ホストと同じであり得る。また、青色のドーパントは、青色の燐光物質、青色の蛍光物質、青色の遅延蛍光物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。このとき、第１発光物質層６４０と第３発光物質層８４０における青色のドーパントは、その色および発光効率が同じであってもよく、異なってもよい。
第２発光物質層７４０は、第２電子遮断層７３０と第２正孔遮断層７５０の間に位置する下部発光物質層７４０Ａと、下部発光物質層７４０Ａと第２正孔遮断層７５０の間に位置する上部発光物質層７４０Ｂを含むことができる。このとき、下部発光物質層７４０Ａと上部発光物質層７４０Ｂのうち、いずれか一方は赤色で発光し、他方は緑色で発光することができる。以下、下部発光物質層７４０Ａが緑色で発光し、上部発光物質層７４０Ｂが赤色で発光する場合について説明する。
下部発光物質層７４０Ａは、第１ホストおよび第１ドーパント７４２を含む。第１ドーパント７４２は、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含み、緑色で発光することができる。また、第１ドーパント７４２は、下部発光物質層７４０Ａ中、１重量％～５０重量％、例えば１重量％～３０重量％、好ましくは１重量％～１５重量％の割合でドープすることができる。
上部発光物質層７４０Ｂはホストおよび赤色のドーパントを含む。ホストは、第１ホストと同じであり得る。また、赤色のドーパントは、赤色の燐光物質、赤色の蛍光物質、赤色の遅延蛍光物質のうち、いずれか１つを含むことができる。
本発明の第３実施形態にかかる有機発光ダイオードＤ３は、少なくとも１つの発光物質層に、化学式（１）から化学式（６）の構造を有する有機金属化合物を含む。本発明にかかる有機金属化合物は、発光半値幅が狭く、発光過程において安定した化学構造が維持される。したがって、本発明にかかる有機金属化合物を含み、３つの発光部を有する有機発光ダイオードは、発光効率、色純度および発光寿命が向上した白色発光を実現することができる。
以下、例示的な実施形態を用いて本発明を説明するが、本発明が下記の実施例に記載の技術思想に限定されるものではない。
合成例１：化合物１の合成
（１）中間体Ａ‐１の合成
Figure 0007323589000035
反応容器に１‐ブロモ‐３‐フルオロ‐２‐ヨードベンゼン（１００ｇ、３３２．３５ｍｍｏｌ）、２‐ブロモ‐６‐ヒドロキシフェニルボロン酸（７２．１ｇ、３３２．３５ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＳＯ４（１４１．６ｇ、９９７．０４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（１０００ｍＬ）を入れ、溶かした後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、１９．２ｇ、１６．６２ｍｍｏｌ）を入れ、８０℃で１２時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、トルエンを用いて有機層を抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れてろ過し、ろ液を減圧蒸留した後、混合物をクロロホルム／エタノールで再結晶し、中間体Ａ‐１（６０．９ｇ、歩留まり５３％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３４３．８８であった。
（２）中間体Ａ‐２の合成
Figure 0007323589000036
反応容器に中間体Ａ‐１（６０．９ｇ、１７６．０２ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（４００ｍＬ）を入れ、溶かした後、Ｋ２ＣＯ３（６９．８ｇ、５２８．０５ｍｍｏｌ）を入れ、１００℃で１時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、エタノール（１００ｍＬ）をゆっくりと加えた。混合物を減圧蒸留した後、クロロホルム／エチルアセテートで再結晶し、中間体Ａ‐２（４３ｇ、歩留まり７５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２３．８８であった。
（３）中間体Ａ‐３の合成
Figure 0007323589000037
反応容器に中間体Ａ‐２（４０ｇ、１２２．７１ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３５ｇ、１４７．２５ｍｍｏｌ）、［１，１’‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２、４．５ｇ、６．１４ｍｍｏｌ）、ＫＯＡｃ（３６．１ｇ、３６８．１２ｍｍｏｌ）、そして１，４‐ジオキサン（５００ｍＬ）を入れ、溶かした後、１００℃で４時間攪拌した。反応物の温度を常温まで下げ、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ａ‐３（３５．７ｇ、歩留まり７８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３７２．０５であった。
（４）中間体Ａ‐４の合成
Figure 0007323589000038
反応容器に化合物ＳＭ‐１（１０ｇ、５２．１９ｍｍｏｌ）、中間体Ａ‐３（２３．４ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）、パラジウム（ＩＩ）アセテート（Ｐｄ（ＯＡｃ）２、１．２ｇ、１０ｍｏｌ％）、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３、６．８ｇ、２６．０９ｍｍｏｌ）、ＮａＯＡｃ（１７．１ｇ、２０８．７６ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（２００ｍＬ）を入れ、溶かした後、１２０℃で１６時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、歩留まり６３％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２１．０８であった。
（５）中間体Ａ‐５の合成
Figure 0007323589000039
反応容器に中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、３２．９９ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル（２００ｍＬ）を入れ、ＡｌＣｌ３（５．３ｇ、３９．５９ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。１５分間攪拌し、温度を０℃まで下げた後、水素化アルミニウムリチウム（ＬＡＨ、１．９ｇ、４９．４８ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。反応物を５０℃で１時間攪拌した。温度を常温まで下げ、エチルアセテートをゆっくりと加えた後、ＨＣｌ（６Ｍ、２００ｍｌ）を加えた。エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ａ‐５（９．１ｇ、歩留まり９０％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３０７．１であった。
（６）中間体Ａ‐６の合成
Figure 0007323589000040
反応容器に中間体Ａ‐５（９．１ｇ、２９．６１ｍｍｏｌ）、ＤＭＳＯ（２００ｍＬ）を入れ、溶かした後、常温下でナトリウムｔｅｒｔ‐ブトキシド（ＮａＯｔ‐Ｂｕ、２１．３ｇ、２２２．０７ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１５分間攪拌した。メチルヨージド（３３．６ｇ、２３６．８７ｍｍｏｌ）をゆっくりと入れ、１時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、蒸留水を加えて２０分間攪拌し、生成した固体をろ過した。メタノート／アセトンで再結晶し、中間体Ａ‐６（５．３ｇ、歩留まり５３％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３３５．１３であった。
（７）中間体Ａ‐７の合成
Figure 0007323589000041
反応容器に中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）、２‐エトキシエタノール（１００ｍＬ）、蒸留水（３０ｍＬ）を入れ、溶かした後、１時間窒素でバブリングし、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（２．１ｇ、６．７８ｍｍｏｌ）を加えて２日間還流した。反応完了後、温度をゆっくりと常温まで下げ、生成した固体をろ過した。ろ過された固体を、ヘキサンとメタノールで洗浄し、乾燥させて中間体Ａ‐７（２．１ｇ、歩留まり３４％）を得た。
（８）化合物１の合成
Figure 0007323589000042
反応容器に中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（２．５ｇ、２３．４ｍｍｏｌ）、そして２‐エトキシエタノール（１００ｍＬ）を入れ、溶かした後、２４時間ゆっくりと攪拌した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、化合物１（１．２ｇ、歩留まり５５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は９６０．２５であった。
合成例２：化合物５２の合成
（１）中間体Ｂ‐１の合成
Figure 0007323589000043
化合物ＳＭ‐１（１０ｇ、５２．１９ｍｍｏｌ）と中間体Ａ‐３（２３．４ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐２（１０ｇ、７０．６４ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐３（３３ｇ、８４．７７ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐４の合成方法と同様の方法で中間体Ｂ‐１（１４．４ｇ、歩留まり７１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は２８７．０４であった。
（２）中間体Ｂ‐２の合成
Figure 0007323589000044
中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、３２．９９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｂ‐１（１４．４ｇ、５０．１６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐５の合成方法と同様の方法で中間体Ｂ‐２（１２．９ｇ、歩留まり９４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は２７３．０６であった。
（３）中間体Ｂ‐３の合成
Figure 0007323589000045
中間体Ａ‐５（９．１ｇ、２９．６１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｂ‐２（１２．９ｇ、４７．１５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｂ‐３（７．８ｇ、歩留まり５５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３０１．０９であった。
（４）中間体Ｂ‐４の合成
Figure 0007323589000046
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｂ‐３（５ｇ、１６．５９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｂ‐４（２．９ｇ、歩留まり４７％）を得た。
（５）化合物５２の合成
Figure 0007323589000047
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｂ‐４（２．９ｇ、１．７７ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物５２（１．６ｇ、歩留まり５１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は８９２．１８であった。
合成例３：化合物５３の合成
（１）中間体Ｃ‐１の合成
Figure 0007323589000048
化合物ＳＭ‐１（１０ｇ、５２．１９ｍｍｏｌ）と中間体Ａ‐３（２３．４ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐２（１０ｇ、７０．６４ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐４（３８ｇ、８４．７７ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐４の合成方法と同様の方法で中間体Ｃ‐１（１８．８ｇ、歩留まり７７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３４６．１１であった。
（２）中間体Ｃ‐２の合成
Figure 0007323589000049
中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、３２．９９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｃ‐１（１８．８ｇ、５４．３９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐５の合成方法と同様の方法で中間体Ｃ‐２（１６．５ｇ、歩留まり９１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３３２．１３であった。
（３）中間体Ｃ‐３の合成
Figure 0007323589000050
中間体Ａ‐５（９．１ｇ、２９．６１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｃ‐２（１６．５ｇ、４９．５０ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｃ‐３（８．６ｇ、歩留まり４８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３６０．１６であった。
（４）中間体Ｃ‐４の合成
Figure 0007323589000051
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｃ‐３（５ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｃ‐４（３．１ｇ、歩留まり５２％）を得た。
（５）化合物５３の合成
Figure 0007323589000052
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｃ‐４（３．１ｇ、１．６４ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物５３（１．６ｇ、歩留まり４９％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１０１０．３２であった。
合成例４：化合物８６の合成
（１）中間体Ｄ‐１の合成
Figure 0007323589000053
反応容器に化合物ＳＭ‐５（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）、化合物ＳＭ‐６（２２．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（０．７ｇ、３．０６ｍｍｏｌ）、ＰＰｈ３（３．２ｇ、１２．２２ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（２５．３ｇ、１８３．３７ｍｍｏｌ）、そして１，４‐ジオキサン（１５０ｍＬ）と水（１５０ｍＬ）を入れ、溶かした後、１００℃で１２時間攪拌した。反応物の温度を常温まで下げ、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｄ‐１（１２．９ｇ、歩留まり６８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３１０．１１であった。
（２）中間体Ｄ‐２の合成
Figure 0007323589000054
反応容器に中間体Ｄ‐１（１２．９ｇ、４１．５６ｍｍｏｌ）、ＤＭＳＯ（２００ｍＬ）を入れて溶かした後、ＣｕＩ（１１．９ｇ、６２．３５ｍｍｏｌ）を加え、１５０℃で１２時間還流した。反応完了後、ろ過し、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｄ‐２（４．７ｇ、歩留まり３７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３０８．０９であった。
（３）中間体Ｄ‐３の合成
Figure 0007323589000055
反応容器に中間体Ｄ‐２（４．７ｇ、１５．３８ｍｍｏｌ）、１‐ヨードベンゼン（３．４ｇ、１６．７７ｍｍｏｌ）、トルエン（２００ｍＬ）を入れて溶かした後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ２（ｄｂａ）３、０．７ｇ、０．７６ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ‐Ｂｕ）３（０．３ｇ、１．５２ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔ‐Ｂｕ（２．９ｇ、３０．４９ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で２４時間還流した。反応完了後、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｄ‐３（５ｇ、歩留まり８５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３８４．１３であった。
（４）中間体Ｄ‐４の合成
Figure 0007323589000056
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｄ‐３（５ｇ、１３．０１ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｄ‐４（２．６ｇ、歩留まり４４％）を得た。
（５）化合物８６の合成
Figure 0007323589000057
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｄ‐４（３．５ｇ、１．９７ｍｍｏｌ）と２，２，６，６‐テトラメチルヘプタン‐３，５‐ジオン（３．６ｇ、１９．６５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物８６（１．４ｇ、歩留まり４７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１１４２．３４であった。
合成例５：化合物１０１の合成
（１）中間体Ｅ‐１の合成
Figure 0007323589000058
反応容器に中間体Ａ‐２（５０ｇ、１５３．３８ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ／ジエチルエーテル（１：１、５００ｍＬ）を入れて溶かした後、温度を－１００℃まで下げ、２．５Ｍのｎ‐ＢｕＬｉ（１５３．３８ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。３０分間温度を維持した後、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド（２０７．４ｇ、２．８ｍｏｌ）をゆっくりと加え、－８０℃で２時間攪拌した。その後、ＨＣｌ／ＥｔＯＨ（１：３、５００ｍＬ）をゆっくりと加えて反応を完了させ、反応物をＨＣｌ／ＥｔＯＨ（１：５、２０００ｍＬ）に入れた。ジエチルエーテルを用いて有機層を抽出し、ＭｇＳＯ４を入れてろ過し、ろ液を減圧蒸留した後、展開溶媒にヘキサンとジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｅ‐１（１９．４ｇ、歩留まり４６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は２７３．９６であった。
（２）中間体Ｅ‐２の合成
Figure 0007323589000059
中間体Ａ‐２（４０ｇ、１２２．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｅ‐１（１９．４ｇ、７０．５６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｅ‐２（１３．６ｇ、歩留まり６０％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２２．１４であった。
（３）中間体Ｅ‐３の合成
Figure 0007323589000060
化合物ＳＭ‐５（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐６（２２．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐７（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）とＥ‐２（２１．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｄ‐１の合成方法と同様の方法で中間体Ｅ‐３（１５．４ｇ、歩留まり７８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２３．０９であった。
（４）中間体Ｅ‐４の合成
Figure 0007323589000061
反応容器に中間体Ｅ‐３（１５．４ｇ、４７．６３ｍｍｏｌ）、メタノール（２００ｍＬ）を入れて溶かした後、攪拌しながらＩ２（１２．１ｇ、４７．６３ｍｍｏｌ）を加えた。Ｉ２が溶解した後、Ｈ２Ｏ（５０ｍＬ）に溶解したＮａＮＯ２（３．３ｇ、４７．６３ｍｍｏｌ）を加え、常温で１０分間攪拌した。その後、７０℃で１８時間攪拌し、反応が完了すると、ゆっくりと常温まで下げ、１ＭのＮａＳ２Ｏ３で洗浄した。ＣＨＣｌ３を用いて有機層を抽出し、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｅ‐４（１６．３ｇ、歩留まり９７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３５３．１１であった。
（５）中間体Ｅ‐５の合成
Figure 0007323589000062
反応容器に中間体Ｅ‐４（１６．３ｇ、４６．１３ｍｍｏｌ）、ＴＦＴ（５００ｍＬ）を入れて溶かした後、ＣＨ３ＭｇＢｒ（２７．５ｇ、２３０．６４ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、１２時間攪拌した。反応が完了すると、エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｅ‐５（８ｇ、歩留まり４９％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３５３．１４であった。
（６）中間体Ｅ‐６の合成
Figure 0007323589000063
反応容器に中間体Ｅ‐５（８ｇ、２２．６４ｍｍｏｌ）、酢酸と硫酸の混合水溶液（１００ｍＬ）を入れて溶かした後、１６時間還流した。反応完了後、温度を常温まで下げ、氷の入った水酸化ナトリウム水溶液に反応物をゆっくりと滴下した。エチルアセテートを用いて有機層を抽出した後、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。トルエン／エタノールで再結晶し、中間体Ｅ‐６（３．６ｇ、歩留まり４８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３３５．１３であった。
（７）中間体Ｅ‐７の合成
Figure 0007323589000064
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｅ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｅ‐７（３．５ｇ、歩留まり５８％）を得た。
（８）化合物１０１の合成
Figure 0007323589000065
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｅ‐７（３．５ｇ、１．９７ｍｍｏｌ）と２，２，６，６‐テトラメチルヘプタン‐３，５‐ジオン（３．６ｇ、１９．６５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物１０１（２ｇ、歩留まり５０％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１０４４．３５であった。
合成例６：化合物１３７の合成
（１）中間体Ｆ‐１の合成
Figure 0007323589000066
化合物ＳＭ‐５（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐６（２２．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐５（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐８（２３．９ｇ、７３．３５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｄ‐１の合成方法と同様の方法で中間体Ｆ‐１（１３ｇ、歩留まり６５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２６．０９であった。
（２）中間体Ｆ‐２の合成
Figure 0007323589000067
中間体Ｄ‐１（１２．９ｇ、４１．５６ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｆ‐１（１３ｇ、３９．７３ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｄ‐２の合成方法と同様の方法で中間体Ｆ‐２（５．２ｇ、歩留まり４０％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２４．０７であった。
（３）中間体Ｆ‐３の合成
Figure 0007323589000068
中間体Ｄ‐２（４．７ｇ、１５．３８ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｆ‐２（５．２ｇ、１５．８９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｄ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｆ‐３（５ｇ、歩留まり７９％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４００．１であった。
（４）中間体Ｆ‐４の合成
Figure 0007323589000069
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｆ‐３（５ｇ、１２．４８ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｆ‐４（３ｇ、歩留まり５２％）を得た。
（５）化合物１３７の合成
Figure 0007323589000070
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｆ‐４（３ｇ、１．４８ｍｍｏｌ）と３，７‐ジエチルノナン‐４，６‐ジオン（３．１ｇ、１４．７５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物１３７（１．４ｇ、歩留まり３９％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１２０２．３２であった。
合成例７：化合物４７９の合成
（１）中間体Ｇ‐１の合成
Figure 0007323589000071
反応容器に化合物ＳＭ‐９（５０ｇ、１５３．３８ｍｍｏｌ）、メチルボロン酸（２３ｇ、３８３．４６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（４．２ｇ、３ｍｏｌ％）、２‐ジシクロヘキシルホスフィノ‐２’，６’‐ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ、６．３ｇ、１５．３４ｍｍｏｌ）、リン酸二水素カリウム（１７６．６ｇ、７６６．９２ｍｍｏｌ）、そしてトルエン（１０００ｍＬ）を入れて溶かした後、１２０℃で１２時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、エチルアセテートを用いて有機層を抽出し、溶媒を除去した後、展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｇ‐１（１６．９ｇ、歩留まり５６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１９６．０９であった。
（２）中間体Ｇ‐２の合成
Figure 0007323589000072
反応容器に中間体Ｇ‐１（１６．９ｇ、８６．１２ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（３００ｍＬ）を入れて溶かした後、ＮＢＳ（３３．７ｇ、１８９．４６ｍｍｏｌ）を加え、光を遮断したまま１２時間攪拌した。反応完了後、水を加え、生成した固体をろ過した。ろ過された固体を水で３回洗浄し、トルエン／エタノールで再結晶し、中間体Ｇ‐２（２６．８ｇ、歩留まり８８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３５１．９１であった。
（３）中間体Ｇ‐３の合成
Figure 0007323589000073
反応容器に中間体Ｇ‐２（２０ｇ、５６．５ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１６．１ｇ、６７．７９ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（２．１ｇ、２．８２ｍｍｏｌ）、ＫＯＡｃ（１７．１ｇ、１７３．８９ｍｍｏｌ）、そして１，４‐ジオキサン（３００ｍＬ）を入れて溶かした後、１００℃で４時間攪拌した。反応物の温度を常温まで下げ、エチルアセテートを用いて有機層を抽出し、ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、ろ過した後、減圧して溶媒を除去した。展開溶媒にヘキサンとエチルアセテートを用いたカラムクロマトグラフィーで粗生成物を精製し、中間体Ｇ‐３（１７．２ｇ、歩留まり７６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４００．０８であった。
（４）中間体Ｇ‐４の合成
Figure 0007323589000074
中間体Ａ‐３（２３．４ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｇ‐３（２５．１ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐４の合成方法と同様の方法で中間体Ｇ‐４（１２．８ｇ、歩留まり６１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３４９．１１であった。
（５）中間体Ｇ‐５の合成
Figure 0007323589000075
中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、３２．９９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｇ‐４（１２．８ｇ、３６．５５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐５の合成方法と同様の方法で中間体Ｇ‐５（１１．８ｇ、歩留まり９６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３３５．１３であった。
（６）中間体Ｇ‐６の合成
Figure 0007323589000076
中間体Ａ‐５（９．１ｇ、２９．６１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｇ‐５（１１．８ｇ、３５．０９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｇ‐６（７ｇ、歩留まり５５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３６３．１６であった。
（７）中間体Ｇ‐７の合成
Figure 0007323589000077
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｇ‐６（５ｇ、１３．７６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｇ‐７（３ｇ、歩留まり５１％）を得た。
（８）化合物４７９の合成
Figure 0007323589000078
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｇ‐７（３ｇ、１．５９ｍｍｏｌ）と３，７‐ジエチルノナン‐４，６‐ジオン（３．４ｇ、１５．９５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物４７９（１．７ｇ、歩留まり４７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１１２８．４４であった。
合成例８：化合物７００の合成
（１）中間体Ｈ‐１の合成
Figure 0007323589000079
メチルボロン酸（２３ｇ、３８３．４６ｍｍｏｌ）に代わり、プロパン‐２‐イルボロン酸（３３．７ｇ、３８３．４６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｇ‐１の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐１（２４ｇ、歩留まり６２％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は２５２．１５であった。
（２）中間体Ｈ‐２の合成
Figure 0007323589000080
中間体Ｇ‐１（１６．９ｇ、８６．１２ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐１（２４ｇ、９５．１０ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｇ‐２の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐２（３６．７ｇ、歩留まり９４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４０７．９７であった。
（３）中間体Ｈ‐３の合成
Figure 0007323589000081
中間体Ａ‐２（５０ｇ、１５３．３８ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐２（３６．７ｇ、８９．３９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐１の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐３（１３．２ｇ、歩留まり４１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３５８．０６であった。
（４）中間体Ｈ‐４の合成
Figure 0007323589000082
中間体Ａ‐２（４０ｇ、１２２．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐３（１３．２ｇ、３６．６５ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐４（８ｇ、歩留まり５４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４０６．２３であった。
（５）中間体Ｈ‐５の合成
Figure 0007323589000083
化合物ＳＭ‐７（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）とＥ‐２（２１．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐１０（１０ｇ、５６．３０ｍｍｏｌ）とＨ‐４（２５．２ｇ、６１．９３ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐５（１８．３ｇ、歩留まり７７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４２１．２であった。
（６）中間体Ｈ‐６の合成
Figure 0007323589000084
中間体Ｅ‐３（１５．４ｇ、４７．６３ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐５（１８．３ｇ、４３．４１ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐４の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐６（１８．４ｇ、歩留まり９４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４５１．２１であった。
（７）中間体Ｈ‐７の合成
Figure 0007323589000085
中間体Ｅ‐４（１６．３ｇ、４６．１３ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐６（１８．４ｇ、４０．８１ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐５の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐７（８．１ｇ、歩留まり４４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４５１．２５であった。
（８）中間体Ｈ‐８の合成
Figure 0007323589000086
中間体Ｅ‐５（８ｇ、２２．６４ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐７（８．１ｇ、１７．９６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐８（４．４ｇ、歩留まり５７％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は４３３．２４であった。
（９）中間体Ｈ‐９の合成
Figure 0007323589000087
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐８（５ｇ、１１．９２ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｈ‐９（２．７ｇ、歩留まり４５％）を得た。
（１０）化合物７００の合成
Figure 0007323589000088
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｈ‐９（２．７ｇ、１．２２ｍｍｏｌ）と３，７‐ジエチルノナン‐４，６‐ジオン（２．６ｇ、１２．１９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物７００（１．５ｇ、歩留まり４９％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１２６８．６であった。
合成例９：化合物８００の合成
（１）中間体Ｉ‐１の合成
Figure 0007323589000089
化合物ＳＭ‐７（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）と中間体Ｅ‐２（２１．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐１１（１０ｇ、５５．６８ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐１２（２０．９ｇ、６６．８２ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｉ‐１（１２．１ｇ、歩留まり６６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２９．０９であった。
（２）中間体Ｉ‐２の合成
Figure 0007323589000090
反応容器に中間体Ｉ‐１（１２．１ｇ、３６．７５ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（１００ｍＬ）を入れて溶かした後、Ｋ２ＣＯ３（１５ｇ、１０８．５７ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で１時間攪拌した。反応完了後、温度を常温まで下げ、エタノール（１００ｍＬ）をゆっくりと入れて、混合物を減圧蒸留した後、クロロホルム／エチルアセテートで再結晶し、中間体Ｉ‐２（５．５ｇ、歩留まり４８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３０９．０８であった。
（３）中間体Ｉ‐３の合成
Figure 0007323589000091
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｉ‐２（５ｇ、１６．１６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｉ‐３（２．５ｇ、歩留まり４１％）を得た。
（４）化合物８００の合成
Figure 0007323589000092
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｉ‐３（２．５ｇ、１．５１ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物８００（１．１ｇ、歩留まり４２％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は９０８．１５であった。
合成例１０：化合物８２７の合成
（１）中間体Ｊ‐１の合成
Figure 0007323589000093
化合物ＳＭ‐７（１０ｇ、６１．１２ｍｍｏｌ）と中間体Ｅ‐２（２１．７ｇ、６７．２４ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐１１（１０ｇ、５５．６８ｍｍｏｌ）と化合物ＳＭ‐１３（２１．４ｇ、６６．８２ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｅ‐３の合成方法と同様の方法で中間体Ｊ‐１（１２．５ｇ、歩留まり６５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３４５．０６であった。
（２）中間体Ｊ‐２の合成
Figure 0007323589000094
中間体Ｉ‐１（１２．１ｇ、３６．７５ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｊ‐１（１２．５ｇ、３６．１９ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ｉ‐２の合成方法と同様の方法で中間体Ｊ‐２（６ｇ、歩留まり５１％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３２５．０６であった。
（３）中間体Ｊ‐３の合成
Figure 0007323589000095
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｊ‐２（５ｇ、１５．３７ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｊ‐３（３．２ｇ、歩留まり５２％）を得た。
（４）化合物８２７の合成
Figure 0007323589000096
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｊ‐３（３．２ｇ、１．８２ｍｍｏｌ）と３，７‐ジエチルノナン‐４，６‐ジオン（３．９ｇ、１８．１６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物８２７（２．１ｇ、歩留まり５６％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１０５２．２３であった。
合成例１１：化合物８３９の合成
（１）中間体Ｋ‐１の合成
Figure 0007323589000097
中間体Ａ‐３（２３．４ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）に代わり、化合物ＳＭ‐１４（２５ｇ、６２．６３ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐４の合成方法と同様の方法で中間体Ｋ‐１（１０．５ｇ、歩留まり５８％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３４７．１３であった。
（２）中間体Ｋ‐２の合成
Figure 0007323589000098
中間体Ａ‐４（１０．６ｇ、３２．９９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｋ‐１（１０．５ｇ、３０．２７ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐５の合成方法と同様の方法で中間体Ｋ‐２（９．６ｇ、歩留まり９５％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３３３．１５であった。
（３）中間体Ｋ‐３の合成
Figure 0007323589000099
中間体Ａ‐５（９．１ｇ、２９．６１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｋ‐２（９．６ｇ、２８．７６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐６の合成方法と同様の方法で中間体Ｋ‐３（５．４ｇ、歩留まり５２％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は３６１．１８であった。
（４）中間体Ｋ‐４の合成
Figure 0007323589000100
中間体Ａ‐６（５ｇ、１４．９ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｋ‐３（５ｇ、１３．８３ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、中間体Ａ‐７の合成方法と同様の方法で中間体Ｋ‐４（３．２ｇ、歩留まり５３％）を得た。
（５）化合物８３９の合成
Figure 0007323589000101
中間体Ａ‐７（２．１ｇ、１．２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン（１．２ｇ、１１．７１ｍｍｏｌ）に代わり、中間体Ｋ‐４（３．２ｇ、１．６７ｍｍｏｌ）と３，７‐ジエチルノナン‐４，６‐ジオン（３．５ｇ、１６．６６ｍｍｏｌ）を用いた点を除き、化合物１の合成方法と同様の方法で化合物８３９（２ｇ、歩留まり５４％）を得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）は１１２４．４８であった。
実施例１：有機発光ダイオードの製造
合成例１で合成した化合物１を発光物質層に適用した有機発光ダイオードを製造した。ＩＴＯが薄膜（１００ｎｍ）としてコーティングされたガラス基板を洗浄し、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄を行った後、１００℃のオーブンで乾燥させた。ＩＴＯ透明電極上に有機物層を蒸着するため、蒸着チャンバー内へ基板を移送した。約５～７×１０‐７Ｔｏｒｒの真空状態下、加熱ボートから蒸発させ、次のように順次蒸着した。蒸着速度は１Å／ｓに設定した。
正孔注入層（下記のＨＩ‐１（ＮＰＮＰＢ）、６０ｎｍ）、正孔輸送層（ＮＰＢ、８０ｎｍ）、発光物質層（ホストのＣＢＰ：ドーパントの化合物１＝９５：５の重量比、３０ｎｍ）、電子輸送層と電子注入層（下記のＥＴ１（２‐［４‐（９，１０‐ジ‐２‐ナフタレニル‐２‐アントラセニル）フェニル］‐１‐フェニル‐１Ｈ‐ベンゾイミダゾール；ＺＡＤＮ）：Ｌｉｑ＝１：１の重量比、３０ｎｍ）、陽極（Ａｌ、１００ｎｍ）。
製造した有機発光ダイオードをガラスでカプセル化し、皮膜を形成するため、蒸着チャンバーからドライボックスへ移した後、ＵＶ硬化エポキシおよび水分ゲッターを使用し、カプセル化した。発光ダイオードを製造するために用いられた化合物のうち、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光ホスト材料および電子輸送材料は、下記化学式（７）に記載の構造を有する。
Figure 0007323589000102
実施例２ないし実施例１１：有機発光ダイオードの製造
発光物質層のドーパントとして、化合物１に代わり、化合物５２（実施例２）、化合物５３（実施例３）、化合物８６（実施例４）、化合物１０１（実施例５）、化合物１３７（実施例６）、化合物４７９（実施例７）、化合物７００（実施例８）、化合物８００（実施例９）、化合物８２７（実施例１０）、化合物８３９（実施例１１）をそれぞれ用いた点を除き、実施例１と同じ材料および同じ手順で有機発光ダイオードを製造した。
比較例：有機発光ダイオードの製造
発光物質層のドーパントとして、化合物１に代わり、下記化学式（８）に記載の比較化合物を用いた点を除き、実施例１と同じ材料および同じ手順で有機発光ダイオードを製造した。
Figure 0007323589000103
実験例１：有機発光ダイオードの発光特性の測定
実施例１ないし実施例１１、および比較例でそれぞれ製造した有機発光ダイオードの光学的物性を測定した。９ｍｍ２の放出領域を有するそれぞれの有機発光ダイオードを外部の電力供給源に連結し、電流供給源（ＫＥＩＴＨＬＥＹ）および光度計（ＰＲ ６５０）を用いて、室温で素子の特性を評価した。１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で測定したそれぞれの有機発光ダイオードの駆動電圧（Ｖ）、外部量子効率（ＥＱＥ、相対値）、初期輝度から５％減少までの時間（ＬＴ９５、％、相対値）を下記の表１に示す。
Figure 0007323589000104
表１に示すように、比較例によって製造した有機発光ダイオードに比べ、本発明によって合成した有機金属化合物を発光物質層のドーパントに用いると、駆動電圧は、最大７．８％減少し、ＥＱＥとＬＴ９５は、それぞれ最大２２％、４２％増加した。したがって、本発明によって合成した有機金属化合物を発光物質層に導入することにより、駆動電圧が低下し、発光効率および発光寿命が大幅に向上した有機発光ダイオードを製造することができる。
以上、本発明の実施例に基づいて本発明を説明したが、本発明が必ずしも該実施例に記載の技術思想に限定されるものではない。むしろ、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、該実施例に基づき、様々な変形および変更を容易に推考することができる。また、かかる変形および変更が本発明の権利範囲に属することは、請求の範囲から明らかになる。
１００、４００…有機発光表示装置、２１０、５１０…第１電極、２２０、５２０…第２電極、２３０、５３０、５３０Ａ…発光層、２４０、６４０、７４０、８４０…発光物質層、６８０、７８０…電荷発生層、Ｄ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…有機発光ダイオード、Ｔｒ…薄膜トランジスタ

Claims (18)

  1. 下記の化学式（１）の構造を有する有機金属化合物。
    Figure 0007323589000105
     化学式（１）中、Ｍは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、または銀（Ａｇ）であり、ＡとＢとＣは、それぞれ独立して、６員の芳香族環、または６員のヘテロ芳香族環である。Ｘ１とＸ２は、それぞれ独立して、ＣＲ４、またはＮであり、Ｘ１とＸ２のうち、いずれか一方はＣＲ４であり、他方はＮである。Ｙ１とＹ２は、それぞれ独立して、ＣＲ５Ｒ６、ＳｉＲ５Ｒ６、ＮＲ５、Ｏ、Ｓ、およびＳｅからなる群から選択される。Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、およびＣ６～Ｃ３０の芳香族基からなる群から選択されるか、またはａとｂとｃがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができる。前記Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、および前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｒ１～Ｒ３の隣接する官能基が結合して形成する前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、非置換、若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。ａとｂとｃは、それぞれ置換基であるＲ１、Ｒ２、Ｒ３の数であって、ａは０～３の整数であり、ｂは０～２の整数であり、ｃは０～４の整数であり得る。［Ｚ１－Ｚ２］はアセチルアセトナート系補助配位子であり、ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎは金属元素Ｍの酸化数を表す。
  2. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（２）の構造を有する、請求項１に記載の有機金属化合物。
    Figure 0007323589000106
     化学式（２）中、Ｍ、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、［Ｚ１－Ｚ２］、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ３～Ｘ５は、それぞれ独立して、ＣＲ７である。Ｘ６～Ｘ８は、それぞれ独立して、ＣＲ８である。Ｘ９とＸ１０は、それぞれ独立してＣＲ９である。Ｒ７～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、およびＣ６～Ｃ３０の芳香族基からなる群から選択されるか、またはそれぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができる。前記Ｒ７～Ｒ９をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、および前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｒ７～Ｒ９の隣接する官能基が結合して形成する前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  3. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（３）の構造を有する、請求項２に記載の有機金属化合物。
    Figure 0007323589000107
     化学式（３）中、Ｘ１～Ｘ１０、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ化学式（２）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基からなる群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、前記Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、前記Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、および前記Ｃ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  4. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（４）の構造を有する、請求項１に記載の有機金属化合物。
    Figure 0007323589000108
     化学式（４）中、Ｍ、ａ、ｂ、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ１１～Ｘ１３は、それぞれ独立して、ＣＲ１５またはＮであり、Ｘ１１とＸ１２のうち、いずれか一方はＣＲ１５であり、他方はＮである。Ｙ３とＹ４は、それぞれ独立して、ＣＲ１６Ｒ１７、ＮＲ１６、Ｏ、またはＳである。Ｒ１１～Ｒ１５は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基であるか、またはａとｂがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１１とＲ１２は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができ、Ｒ１３～Ｒ１５は、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができ、前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ２０のアルキル基で置換されてもよい。Ｒ１６とＲ１７は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基およびＣ６～Ｃ２０のアリール基からなる群から選択される。
  5. 前記化学式（４）のＲ１３～Ｒ１５のうち、隣接する２つの官能基は結合し、Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環を形成し、前記Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ２０のアルキル基で置換される、請求項４に記載の有機金属化合物。
  6. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（５）の構造を有する、請求項４に記載の有機金属化合物。
    Figure 0007323589000109
     化学式（５）中、Ｒ１１～Ｒ１４、Ｘ１１～Ｘ１３、Ｙ３、Ｙ４、ａおよびｂは、それぞれ化学式（４）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基からなる群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、前記Ｃ３～Ｃ２０の脂環族、前記Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族、前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族、および前記Ｃ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  7. 前記有機金属化合物は、下記の構造を有する有機金属化合物から選択されるいずれか１つである、請求項１に記載の有機金属化合物。
    Figure 0007323589000110
    Figure 0007323589000111
    Figure 0007323589000112
    Figure 0007323589000113
    Figure 0007323589000114
    Figure 0007323589000115
    Figure 0007323589000116
    Figure 0007323589000117
    Figure 0007323589000118
    Figure 0007323589000119
    Figure 0007323589000120
    Figure 0007323589000121
    Figure 0007323589000122
    Figure 0007323589000123
    Figure 0007323589000124
    Figure 0007323589000125
    Figure 0007323589000126
    Figure 0007323589000127
    Figure 0007323589000128
    Figure 0007323589000129
    Figure 0007323589000130
    Figure 0007323589000131
    Figure 0007323589000132
    Figure 0007323589000133
    Figure 0007323589000134
    Figure 0007323589000135
    Figure 0007323589000136
    Figure 0007323589000137
  8. 第１電極と、
    前記第１電極に対向する第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極の間に位置し、少なくとも１つの発光物質層を有する発光層とを含み、
    前記少なくとも１つの発光物質層は、下記の化学式（１）の構造を有する有機金属化合物を含む有機発光ダイオード。
    Figure 0007323589000138
     化学式（１）中、Ｍは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、または銀（Ａｇ）であり、ＡとＢとＣは、それぞれ独立して、６員の芳香族環、または６員のヘテロ芳香族環である。Ｘ１とＸ２は、それぞれ独立して、ＣＲ４、またはＮであり、Ｘ１とＸ２のうち、いずれか一方はＣＲ４であり、他方はＮである。Ｙ１とＹ２は、それぞれ独立して、ＣＲ５Ｒ６、ＳｉＲ５Ｒ６、ＮＲ５、Ｏ、Ｓ、およびＳｅからなる群から選択される。Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、およびＣ６～Ｃ３０の芳香族基からなる群から選択されるか、またはａとｂとｃがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができる。前記Ｒ１～Ｒ６をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、および前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｒ１～Ｒ３の隣接する官能基が結合して形成する前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。ａとｂとｃは、それぞれ置換基であるＲ１、Ｒ２、Ｒ３の数であって、ａは０～３の整数であり、ｂは０～２の整数であり、ｃは０～４の整数であり得る。［Ｚ１－Ｚ２］はアセチルアセトナート系補助配位子であり、ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎは金属元素Ｍの酸化数を表す。
  9. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（２）の構造を有する、請求項８に記載の有機発光ダイオード。
    Figure 0007323589000139
     化学式（２）中、Ｍ、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、［Ｚ１－Ｚ２］、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ３～Ｘ５は、それぞれ独立して、ＣＲ７である。Ｘ６～Ｘ８は、それぞれ独立してＣＲ８である。Ｘ９とＸ１０は、それぞれ独立してＣＲ９である。Ｒ７～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、およびＣ６～Ｃ３０の芳香族基からなる群から選択されるか、またはそれぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができる。前記Ｒ７～Ｒ９をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、および前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｒ７～Ｒ９の隣接する官能基が結合して形成する前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  10. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（３）の構造を有する、請求項９に記載の有機発光ダイオード。
    Figure 0007323589000140
     化学式（３）中、Ｘ１～Ｘ１０、Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ化学式（２）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基からなる群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、前記Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、前記Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、および前記Ｃ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つ官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  11. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（４）の構造を有する、請求項８に記載の有機発光ダイオード。
    Figure 0007323589000141
     …（４）
    化学式（４）中、Ｍ、ａ、ｂ、ｍおよびｎは、それぞれ化学式（１）で定義したものと同じである。Ｘ１１～Ｘ１３は、それぞれ独立して、ＣＲ１５またはＮであり、Ｘ１１とＸ１２のうち、いずれか一方はＣＲ１５であり、他方はＮである。Ｙ３とＹ４は、それぞれ独立して、ＣＲ１６Ｒ１７、ＮＲ１６、Ｏ、またはＳである。Ｒ１１～Ｒ１５は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基であるか、またはａとｂがそれぞれ２以上である場合、Ｒ１１とＲ１２は、それぞれ独立して、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができ、Ｒ１３～Ｒ１５は、隣接する官能基と結合し、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環を形成することができ、前記Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ２０のアルキル基で置換されてもよい。Ｒ１６とＲ１７は、それぞれ独立して、水素、重水素、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基およびＣ６～Ｃ２０のアリール基からなる群から選択される。
  12. 前記化学式（４）のＲ１３～Ｒ１５のうち、隣接する２つの官能基は結合し、Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環を形成し、前記Ｃ６～Ｃ１０の芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ２０のアルキル基で置換される、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。
  13. 前記有機金属化合物は、下記の化学式（５）の構造を有する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード。
    Figure 0007323589000142
     化学式（５）中、Ｒ１１～Ｒ１４、Ｘ１１～Ｘ１３、Ｙ３、Ｙ４、ａおよびｂは、それぞれ化学式（４）で定義したものと同じである。ｍは１～３の整数であり、ｎは０～２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。Ｚ３～Ｚ５は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、ホスフィノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシ基、シリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０のアルキニル基、Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルキニル基、Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基からなる群から選択されるか、または隣接する官能基と結合し、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族環、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族環、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族環、若しくはＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族環を形成することができる。前記Ｚ３～Ｚ５をそれぞれ構成する前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のヘテロアルキル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のアルケニル基、前記Ｃ２～Ｃ２０のヘテロアルケニル基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルコキシ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルアミノ基、前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、前記Ｃ３～Ｃ２０の脂環族基、前記Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、前記Ｃ６～Ｃ３０の芳香族基、および前記Ｃ３～Ｃ３０のヘテロ芳香族基は、それぞれ独立して、非置換、若しくは重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１０のアルキル基、Ｃ４～Ｃ２０の脂環族基、Ｃ３～Ｃ２０のヘテロ脂環族基、Ｃ６～Ｃ２０の芳香族基、およびＣ３～Ｃ２０のヘテロ芳香族基からなる群から選択される少なくとも１つの官能基で置換されてもよく、Ｚ３～Ｚ５の隣接する官能基が結合して形成する前記脂環族環、前記ヘテロ脂環族環、前記芳香族環、および前記ヘテロ芳香族環は、それぞれ独立して、非置換若しくは少なくとも１つのＣ１～Ｃ１０のアルキル基で置換されてもよい。
  14. 前記少なくとも１つの発光物質層は、第１ホストおよび第１ドーパントを含み、前記第１ドーパントは、前記有機金属化合物を含む、請求項８に記載の有機発光ダイオード。
  15. 前記発光層は、前記第１電極と前記第２電極の間に位置し、第１発光物質層を含む第１発光部と、前記第１発光部と前記第２電極の間に位置し、第２発光物質層を含む第２発光部と、前記第１発光部と前記第２発光部の間に位置する第１電荷発生層とを含み、
    前記第１発光物質層と前記第２発光物質層のうち、少なくともいずれか一方は、前記有機金属化合物を含む、請求項８に記載の有機発光ダイオード。
  16. 前記第２発光物質層は、前記第１電荷発生層と前記第２電極の間に位置する下部発光物質層と、前記下部発光物質層と前記第２電極の間に位置する上部発光物質層とを含み、
    前記下部発光物質層と前記上部発光物質層のうち、いずれか一方は、前記有機金属化合物を含む、請求項１５に記載の有機発光ダイオード。
  17. 前記発光層は、前記第２発光部と前記第２電極の間に位置し、第３発光物質層を含む第３発光部と、前記第２発光部と前記第３発光部の間に位置する第２電荷発生層とをさらに含む、請求項１５に記載の有機発光ダイオード。
  18. 基板と、
    前記基板上に位置し、請求項８から１７のうち、いずれか１項に記載の有機発光ダイオードとを含む有機発光装置。
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