JP7320769B2 - タッチセンサ、配線器具 - Google Patents
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Description
本開示の別の一態様に係るタッチセンサは、タッチ操作を検知する静電容量式のタッチセンサである。前記タッチセンサは、基板と、センサ電極と、グランド電極と、を備える。前記基板は、第1層及び第2層を有する。前記センサ電極は、前記第1層に形成されている。前記グランド電極は、前記基板の厚さ方向において少なくとも一部が前記センサ電極と重なるように前記第2層に形成されており、前記センサ電極との間に寄生容量が形成される。前記センサ電極と前記グランド電極とのうち、前記グランド電極のみ、前記基板の厚さ方向において前記センサ電極と前記グランド電極とが重なる領域内に形成された複数の貫通孔を含む。前記基板は、第3層及び第4層を更に有する。前記第1層は、前記基板の第1表面側の層である。前記第2層は、前記基板の内側の層であって前記グランド電極としての第1グランド電極が形成される。前記第3層は、前記第2層に対して前記第1層とは反対側に形成された前記基板の内側の層であって、第2グランド電極が形成される。前記第4層は、前記第3層に対して前記第2層とは反対側に形成された前記基板の第2表面側の層であって、前記タッチ操作を検知するための電子部品が配置される。
本実施形態のタッチセンサ3では、網状の第1グランド電極32が基板30の第2層L2に形成されている。第1グランド電極32は、基板30の厚さ方向において、基板30の第1層L1に形成された各センサ電極31と重なる領域A1に複数の貫通孔320が形成されている。したがって、各センサ電極31は、基板30の厚さ方向において、一部が第1グランド電極32の複数の貫通孔320と重なる。これにより、本実施形態のタッチセンサ3では、第1グランド電極32に複数の貫通孔320が形成されていない構成と比べて、各センサ電極31と第1グランド電極32との間の寄生容量が小さくなる。
式(1)において、λは無線信号の波長、cは光の速度[m/s]、fは無線信号の周波数[Hz]、kは基板30の波長短縮率である。波長短縮率kは、下記の式(2)で表される。
式(2)において、εrは、基板30の比誘電率である。
=0.15[m]=150[mm] …(3)
各貫通孔320の開口寸法X1は、無線信号の波長λの四分の一以下が好ましく、波長λの八分の一以下がより好ましく、波長λの十分の一以下がさらに好ましい。開口寸法X1は、波長λの八分の一である場合、18.75[mm]となり、波長λの十分の一である場合、15[mm]となる。
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
第1グランド電極32の形状は、図4B、図5に示す形状に限らない。図6に示すように、第1グランド電極32Aは、各貫通孔320Aにおける各辺が上下方向又は左右方向に沿った正方形に形成されていてもよい。
上記実施形態では、第1グランド電極32が複数の貫通孔320を含むように構成されていたが、これに限らない。図9Aに示すように、各センサ電極31Dが複数の貫通孔310Dを含むように構成されていてもよい。
上述した例では、基板30の第1層L1に複数(12個)のセンサ電極31が形成されていたが、複数のセンサ電極31の数は、12個に限らず、他の個数であってもよい。また、センサ電極31の数は、1つであってもよい。
第1態様に係るタッチセンサ(3)は、タッチ操作を検知する静電容量式のタッチセンサである。タッチセンサ(3)は、基板(30)と、センサ電極(31,31D)と、グランド電極(第1グランド電極32,32A,32B,32C,32D)と、を備える。基板(30)は、第1層(L1)及び第2層(L2)を有する。センサ電極(31,31D)は、第1層(L1)に形成されている。グランド電極(32,32A,32B,32C,32D)は、基板(30)の厚さ方向において少なくとも一部がセンサ電極(31,31D)と重なるように第2層(L2)に形成されており、センサ電極(31,31D)との間に寄生容量が形成される。センサ電極(31,31D)とグランド電極(32,32A,32B,32C,32D)との少なくとも一方は、基板(30)の厚さ方向においてセンサ電極(31,31D)とグランド電極(32,32A,32B,32C,32D)とが重なる領域(A1)内に形成された複数の貫通孔(320,320A,320B,320C,310D)を含む。
12 制御回路
3 タッチセンサ
30 基板
303 前面(第1表面)
304 後面(第2表面)
31,31D センサ電極
310D 貫通孔
32,32A,32B,32C,32D 第1グランド電極(グランド電極)
320,320A,320B,320C 貫通孔
33 第2グランド電極
34 検知部(電子部品)
L1 第1層
L2 第2層
L3 第3層
L4 第4層
X1 開口寸法
41 負荷
Claims (6)
- タッチ操作を検知する静電容量式のタッチセンサであって、
少なくとも1つの基材と、第1層と、第2層と、を含む基板を備え、
前記第1層は、前記少なくとも1つの基材のうち一の基材の、第1面の上に設けられ、
前記第2層は、前記一の基材の、前記第1面とは反対側の第2面の上に設けられ、
前記タッチセンサは、
前記第1層に形成されたセンサ電極と、
前記基板の厚さ方向において少なくとも一部が前記センサ電極と重なるように前記第2層に形成されており、前記センサ電極との間に寄生容量が形成されるグランド電極と、を更に備え、
前記センサ電極と前記グランド電極とのうち、前記グランド電極のみ、前記基板の厚さ方向において前記センサ電極と前記グランド電極とが重なる領域内に形成された複数の貫通孔を含み、
前記グランド電極は、網状に形成されており、前記複数の貫通孔が複数の網目として形成されている、
タッチセンサ。 - タッチ操作を検知する静電容量式のタッチセンサであって、
第1層及び第2層を有する基板と、
前記第1層に形成されたセンサ電極と、
前記基板の厚さ方向において少なくとも一部が前記センサ電極と重なるように前記第2層に形成されており、前記センサ電極との間に寄生容量が形成されるグランド電極と、を備え、
前記センサ電極と前記グランド電極とのうち、前記グランド電極のみ、前記基板の厚さ方向において前記センサ電極と前記グランド電極とが重なる領域内に形成された複数の貫通孔を含み、
前記基板は、第3層及び第4層を更に有し、
前記第1層は、前記基板の第1表面側の層であり、
前記第2層は、前記基板の内側の層であって前記グランド電極としての第1グランド電極が形成され、
前記第3層は、前記第2層に対して前記第1層とは反対側に形成された前記基板の内側の層であって、第2グランド電極が形成され、
前記第4層は、前記第3層に対して前記第2層とは反対側に形成された前記基板の第2表面側の層であって、前記タッチ操作を検知するための電子部品が配置される、
タッチセンサ。 - 前記グランド電極は、網状に形成されており、前記複数の貫通孔が複数の網目として形成されている、
請求項2に記載のタッチセンサ。 - 前記複数の貫通孔は、前記基板の表面に沿った方向において規則的に並んで形成されている、
請求項1~3のいずれか1項に記載のタッチセンサ。 - 前記複数の貫通孔の各々の開口寸法は、前記タッチ操作の検知結果に応じて送信される無線信号の波長の四分の一以下である、
請求項1~4のいずれか1項に記載のタッチセンサ。 - 請求項1~5のいずれか1項に記載のタッチセンサと、
前記タッチセンサによる前記タッチ操作の検知結果に基づいて、負荷を制御する制御回路と、を備える、
配線器具。
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