JP7313449B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, NOZZLE INSPECTION METHOD, AND STORAGE MEDIUM - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, NOZZLE INSPECTION METHOD, AND STORAGE MEDIUM Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a nozzle inspection method, and a storage medium.

特許文献1では、基板処理装置において処理液を供給する液ノズルの吐出口部分を撮像し、異物の状態に応じて異常の判定を行う構成が開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200001 discloses a configuration for imaging an ejection opening portion of a liquid nozzle that supplies a processing liquid in a substrate processing apparatus and determining abnormality according to the state of foreign matter.

特開2015-153913号公報JP 2015-153913 A

本開示は、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することが可能な技術を提供する。 The present disclosure provides a technology capable of more appropriately evaluating the state of adhering matter in the vicinity of the ejection port of a nozzle.

本開示の一態様による基板処理装置は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、を実行する。 A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes: a liquid nozzle that ejects a processing liquid from an ejection port onto a substrate below; an imaging unit that captures an image of the entire periphery of the vicinity of the ejection port of the liquid nozzle; and a control unit. ,

本開示によれば、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することが可能となる。 Advantageous Effects of Invention According to the present disclosure, it is possible to more appropriately evaluate the state of adhering matter in the vicinity of the discharge port of a nozzle.

一つの例示的実施形態に係る塗布・現像システムを示す斜視図である。1 is a perspective view of a coating and developing system according to one exemplary embodiment; FIG. 図1のII-II線断面図の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a sectional view taken along line II-II of FIG. 1; 図2のIII-III線断面図の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2; 基板処理装置を示す断面図の一例である。It is an example of sectional drawing which shows a substrate processing apparatus. 基板処理装置のハードウェア構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the hardware constitutions of a substrate processing apparatus. 撮像部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an imaging part. 撮像部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an imaging part. 撮像部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an imaging part. 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of the board|substrate inspection method by a substrate processing apparatus. 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of the board|substrate inspection method by a substrate processing apparatus. 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image used by a board|substrate inspection method. 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image used by a board|substrate inspection method. 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of the board|substrate inspection method by a substrate processing apparatus. 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image used by a board|substrate inspection method. 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image used by a board|substrate inspection method. 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the image used by a board|substrate inspection method. 基板洗浄方法の選択に係る手順の一例を示すフロー図である。FIG. 5 is a flow diagram showing an example of a procedure for selecting a substrate cleaning method;

以下、種々の例示的実施形態について説明する。 Various exemplary embodiments are described below.

一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、を実行する。 In one exemplary embodiment, a substrate processing apparatus includes: a liquid nozzle that ejects a processing liquid from an ejection port onto a substrate below; an imaging unit that captures an image of the entire periphery of the liquid nozzle in the vicinity of the ejection port; perform evaluation control;

上記の基板処理装置によれば、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像に基づいて、液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価が行われる。このように、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した画像に基づいて付着物の付着状態の評価が行われるため、付着物が付着した状態で液ノズルが動作する可能性を低減させることができる。したがって、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。 According to the above-described substrate processing apparatus, the state of adherence of matter adhering to the ejection port of the liquid nozzle is evaluated based on the inspection image obtained by imaging the entire periphery in the vicinity of the ejection port of the liquid nozzle. In this way, the adhesion state of the adhering matter is evaluated based on the image obtained by capturing the entire circumference of the vicinity of the discharge port of the liquid nozzle, so the possibility of operating the liquid nozzle with the adhering matter attached can be reduced. Therefore, it is possible to more appropriately evaluate the state of adhering matter in the vicinity of the discharge port of the nozzle.

前記制御部は、前記評価制御での評価結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する判定制御をさらに実行する、態様としてもよい。 The control unit may further execute determination control for determining an operation to be performed on the liquid nozzle based on the evaluation result of the evaluation control.

上記のように、制御部が評価結果に基づいて液ノズルに対して実行すべき動作を判定する構成とすることで、評価結果に応じて適切な処置を実施することが可能となり、液ノズルの異常等を考慮した適切な対応を行うことができる。 As described above, by configuring the control unit to determine the operation to be performed with respect to the liquid nozzle based on the evaluation result, it is possible to take appropriate measures according to the evaluation result, and to take appropriate measures in consideration of the abnormality of the liquid nozzle.

また、前記制御部は、前記評価制御において、前記評価制御において、前記検査画像から前記液ノズルに付着した付着物の領域を推定し、前記推定した領域の画素値に基づき前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態を評価し、前記判定制御において、前記評価結果に基づいて前記液ノズルにおける異常の有無を判定する態様とすることができる。 Further, in the evaluation control, the control unit may estimate an area of the deposit attached to the liquid nozzle from the inspection image, evaluate the state of attachment of the deposit to the ejection port of the liquid nozzle based on the pixel values of the estimated area, and determine whether or not there is an abnormality in the liquid nozzle based on the evaluation result in the determination control.

上記のように、検査画像において付着物を撮像した領域の画素値に基づいて液ノズルの吐出口への付着物の付着状態を評価し、その結果から液ノズルにおける異常の有無を判定する態様とする。このような構成とすることで、実質的に付着物の付着量に応じて異常の有無を評価することができ、付着物の付着状態をより適切に評価することができる。 As described above, the state of adherence of adherents to the discharge ports of the liquid nozzles is evaluated based on the pixel values of the areas in which the adherents are imaged in the inspection image, and the presence or absence of an abnormality in the liquid nozzles is determined based on the evaluation results. With such a configuration, the presence or absence of abnormality can be evaluated substantially according to the amount of adhering matter, and the adherence state of the adhering matter can be evaluated more appropriately.

前記制御部は、前記評価制御において、前記検査画像から推定された前記液ノズルに付着した付着物を撮像した領域の外形または大きさに基づいて、前記液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定する態様とすることができる。 In the evaluation control, the control unit may estimate whether the substance adhering to the liquid nozzle is liquid or solid based on the outer shape or size of the imaged region of the substance adhering to the liquid nozzle estimated from the inspection image.

上記のように、検査画像から推定された液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定することで、液ノズルの吐出口付近における付着物がどの程度強固に付着しているものであるか等を評価でき、付着状態をより適切に評価することができる。 As described above, by estimating from the inspection image whether the adhering matter adhering to the liquid nozzle is liquid or solid, it is possible to evaluate how firmly the adhering matter is adhering in the vicinity of the discharge port of the liquid nozzle, and to more appropriately evaluate the adhering state.

前記制御部は、前記評価制御において、前記検査画像に基づいて、前記液ノズルにおける付着物の付着位置を推定する態様とすることができる。 In the evaluation control, the control unit may estimate a position where the adhering matter adheres to the liquid nozzle based on the inspection image.

上記のように、付着物の付着位置を推定することにより、当該付着物がノズルを使用した処理にどの程度影響を与えるか等をより精度よく評価できることができる。 As described above, by estimating the attachment position of the adhering matter, it is possible to more accurately evaluate how much the adhering matter affects the processing using the nozzle.

前記制御部は、前記判定制御において、前記液ノズルにおいて異常があると判定した場合に、前記評価結果に基づいて、前記液ノズルの洗浄方法を選択する態様とすることができる。 In the determination control, when it is determined that there is an abnormality in the liquid nozzle, the control section may select a cleaning method for the liquid nozzle based on the evaluation result.

上記のように、評価制御での評価結果に基づいて液ノズルの洗浄方法を選択する構成とすることで、付着物の付着状況に応じた適切な洗浄を行うことが可能となるため、ノズルからの付着部の除去を好適に行うことができる。 As described above, by adopting a configuration in which the cleaning method for the liquid nozzle is selected based on the evaluation result of the evaluation control, it is possible to perform appropriate cleaning according to the adhesion state of the adhering matter, so that the adhering portion can be preferably removed from the nozzle.

一つの例示的実施形態において、ノズル検査方法は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルを有する基板処理装置に係るノズル検査方法であって、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像を取得し、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う。 In one exemplary embodiment, a nozzle inspection method relates to a substrate processing apparatus having a liquid nozzle that ejects a processing liquid from an ejection opening onto a substrate below, wherein an inspection image obtained by imaging the entire periphery of the vicinity of the ejection opening of the liquid nozzle is obtained, and the state of adhesion of matter adhering to the ejection opening of the liquid nozzle is evaluated from the inspection image of the entire periphery of the vicinity of the ejection opening of the liquid nozzle.

上記のノズル検査方法によれば、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した画像に基づいて液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価が行われる、付着物が付着した状態で液ノズルが動作する可能性を低減させることができる。したがって、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。 According to the above-described nozzle inspection method, the state of adherence of deposits to the discharge port of the liquid nozzle is evaluated based on an image obtained by capturing the entire circumference of the vicinity of the discharge port of the liquid nozzle, and the possibility of operating the liquid nozzle with the deposit adhered can be reduced. Therefore, it is possible to more appropriately evaluate the state of adhering matter in the vicinity of the discharge port of the nozzle.

一つの例示的実施形態において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、上記のノズル検査方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶する。 In one exemplary embodiment, a computer-readable storage medium stores a program for causing an apparatus to execute the nozzle inspection method described above.

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。以下では、位置関係を明確にするために、必要に応じて、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。 Various exemplary embodiments are described in detail below with reference to the drawings. In addition, suppose that the same code|symbol is attached|subjected to the part which is the same or equivalent in each drawing. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis that are orthogonal to each other are defined as necessary, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.

[塗布・現像装置の動作]
まず、図1~図3に示される塗布・現像装置1の構成の概要について説明する。塗布・現像装置1は、露光装置E1による露光処理の前に、ウエハ(基板)Wの表面Waにレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。塗布・現像装置1は、露光装置E1による露光処理の後に、ウエハWの表面Waに形成されたレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハWは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれている形状であってもよく、また、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。
[Operation of Coating/Developing Device]
First, an overview of the configuration of the coating/developing apparatus 1 shown in FIGS. 1 to 3 will be described. The coating/developing apparatus 1 applies a resist material to the surface Wa of the wafer (substrate) W to form a resist film before the exposure process by the exposure apparatus E1. The coating/developing apparatus 1 develops the resist film formed on the front surface Wa of the wafer W after the exposure process by the exposure apparatus E1. In this embodiment, the wafer W has a disc shape, but it may have a circular shape with a part cut away, or a wafer having a shape other than a circular shape such as a polygon may be used.

塗布・現像装置1は、図1及び図2に示されるように、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェースブロックS3と、塗布・現像装置1の制御手段として機能する制御装置CUと、制御装置CUによる処理結果を表示可能な表示部Dとを備える。本実施形態において、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェースブロックS3及び露光装置E1は、この順に直列に並んでいる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the coating/developing apparatus 1 includes a carrier block S1, a processing block S2, an interface block S3, a control unit CU functioning as control means for the coating/developing apparatus 1, and a display unit D capable of displaying the results of processing by the control unit CU. In this embodiment, the carrier block S1, processing block S2, interface block S3 and exposure apparatus E1 are arranged in series in this order.

キャリアブロックS1は、図1及び図3に示されるように、キャリアステーション12と、搬入・搬出部13とを有する。キャリアステーション12は、複数のキャリア11を支持する。キャリア11は、複数枚のウエハWを密封状態で収容する。キャリア11は、ウエハWを出し入れするための開閉扉(図示せず)を一方の側面11a側に有する。キャリア11は、側面11aが搬入・搬出部13側に面するように、キャリアステーション12上に着脱自在に設置される。 The carrier block S1 has a carrier station 12 and a loading/unloading section 13, as shown in FIGS. A carrier station 12 supports a plurality of carriers 11 . The carrier 11 accommodates a plurality of wafers W in a sealed state. The carrier 11 has an opening/closing door (not shown) for loading and unloading the wafer W on one side surface 11a. The carrier 11 is detachably installed on the carrier station 12 so that the side surface 11a faces the loading/unloading section 13 side.

搬入・搬出部13は、図1~図3に示されるように、キャリアステーション12上の複数のキャリア11にそれぞれ対応する開閉扉13aを有する。側面11aの開閉扉と搬入・搬出部13の開閉扉13aとが同時に開放されると、キャリア11内と搬入・搬出部13内とが連通する。搬入・搬出部13は、図2及び図3に示されるように、受け渡しアームA1を内蔵している。受け渡しアームA1は、キャリア11からウエハWを取り出して処理ブロックS2に渡す。受け渡しアームA1は、処理ブロックS2からウエハWを受け取ってキャリア11内に戻す。 The loading/unloading section 13 has opening/closing doors 13a respectively corresponding to the plurality of carriers 11 on the carrier station 12, as shown in FIGS. When the opening/closing door on the side surface 11a and the opening/closing door 13a of the loading/unloading section 13 are opened at the same time, the inside of the carrier 11 and the inside of the loading/unloading section 13 communicate with each other. As shown in FIGS. 2 and 3, the carry-in/carry-out section 13 incorporates a transfer arm A1. The delivery arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and delivers it to the processing block S2. The transfer arm A1 receives the wafer W from the processing block S2 and returns it into the carrier 11. FIG.

処理ブロックS2は、図1~図3に示されるように、キャリアブロックS1に隣接すると共に、キャリアブロックS1と接続されている。処理ブロックS2は、図1及び図2に示されるように、下層反射防止膜形成(BCT)ブロック14と、レジスト膜形成(COT)ブロック15と、上層反射防止膜形成(TCT)ブロック16と、現像処理(DEV)ブロック17とを有する。DEVブロック17、BCTブロック14、COTブロック15及びTCTブロック16は、底面側からこの順に並んで配置されている。 The processing block S2 is adjacent to and connected to the carrier block S1, as shown in FIGS. 1-3. The processing block S2, as shown in FIGS. 1 and 2, has a lower antireflection film formation (BCT) block 14, a resist film formation (COT) block 15, an upper antireflection film formation (TCT) block 16, and a development processing (DEV) block 17. The DEV block 17, BCT block 14, COT block 15 and TCT block 16 are arranged in this order from the bottom side.

BCTブロック14は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA2とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をウエハWの表面Waに塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWの表面Wa上に下層反射防止膜が形成される。 As shown in FIG. 2, the BCT block 14 incorporates a coating unit (not shown), a heating/cooling unit (not shown), and a transfer arm A2 for transferring the wafer W to these units. The coating unit coats the front surface Wa of the wafer W with a chemical solution for forming an antireflection film. The heating/cooling unit heats the wafer W using, for example, a hot plate, and then cools the wafer W using, for example, a cooling plate. Thus, the lower antireflection film is formed on the surface Wa of the wafer W. As shown in FIG.

COTブロック15は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA3とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の薬液(レジスト材料)を下層反射防止膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWの下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。レジスト材料は、ポジ型でもよいし、ネガ型でもよい。 As shown in FIG. 2, the COT block 15 incorporates a coating unit (not shown), a heating/cooling unit (not shown), and a transfer arm A3 for transferring the wafer W to these units. The coating unit applies a chemical solution (resist material) for forming a resist film onto the lower antireflection film. The heating/cooling unit heats the wafer W using, for example, a hot plate, and then cools the wafer W using, for example, a cooling plate. Thus, a resist film is formed on the lower antireflection film of the wafer W. As shown in FIG. The resist material may be positive or negative.

TCTブロック16は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA4とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をレジスト膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWのレジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。 As shown in FIG. 2, the TCT block 16 incorporates a coating unit (not shown), a heating/cooling unit (not shown), and a transfer arm A4 for transferring the wafer W to these units. The coating unit applies a chemical solution for forming an antireflection film onto the resist film. The heating/cooling unit heats the wafer W using, for example, a hot plate, and then cools the wafer W using, for example, a cooling plate. Thus, an upper antireflection film is formed on the resist film of the wafer W. As shown in FIG.

DEVブロック17は、図2及び図3に示されるように、複数の現像処理ユニット(基板処理装置)U1と、複数の加熱・冷却ユニット(熱処理部)U2を有する。さらに、DEVブロック17は、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA5と、これらのユニットを経ずに処理ブロックS2の前後間でウエハWを搬送する搬送アームA6とを内蔵している。 The DEV block 17, as shown in FIGS. 2 and 3, has a plurality of developing processing units (substrate processing apparatuses) U1 and a plurality of heating/cooling units (thermal processing section) U2. Further, the DEV block 17 incorporates a transfer arm A5 for transferring the wafer W to these units, and a transfer arm A6 for transferring the wafer W between the front and rear of the processing block S2 without passing through these units.

現像処理ユニットU1は、後述するように、露光されたレジスト膜の現像処理を行う。加熱・冷却ユニットU2は、例えば熱板によるウエハWの加熱を通じて、ウエハW上のレジスト膜を加熱する。加熱・冷却ユニットU2は、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却する。加熱・冷却ユニットU2は、ポストエクスポージャベーク(PEB)、ポストベーク(PB)等の加熱処理を行う。PEBは、現像処理前にレジスト膜を加熱する処理である。PBは、現像処理後にレジスト膜を加熱する処理である。 The development processing unit U1 develops the exposed resist film, as will be described later. The heating/cooling unit U2 heats the resist film on the wafer W, for example, by heating the wafer W with a hot plate. The heating/cooling unit U2 cools the heated wafer W using, for example, a cooling plate. The heating/cooling unit U2 performs heat treatments such as post-exposure baking (PEB) and post-baking (PB). PEB is a process of heating the resist film before development. PB is a process of heating the resist film after the development process.

図1~図3に示されるように、処理ブロックS2のうちキャリアブロックS1側には、棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、複数のセルC30~C38を有する。セルC30~C38は、DEVブロック17とTCTブロック16との間において上下方向(Z軸方向)に並んで配置されている。棚ユニットU10の近傍には、昇降アームA7が設けられている。昇降アームA7は、セルC30~C38の間でウエハWを搬送する。 As shown in FIGS. 1 to 3, a shelf unit U10 is provided on the carrier block S1 side of the processing block S2. Shelf unit U10 has a plurality of cells C30 to C38. The cells C30 to C38 are arranged vertically (Z-axis direction) between the DEV block 17 and the TCT block 16 . A lifting arm A7 is provided near the shelf unit U10. Elevating arm A7 carries wafer W between cells C30 to C38.

処理ブロックS2のうちインターフェースブロックS3側には、棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は、複数のセルC40~C42を有する。セルC40~C42は、DEVブロック17に隣接して、上下方向(Z軸方向)に並んで配置されている。 A shelf unit U11 is provided on the interface block S3 side of the processing block S2. The shelf unit U11 has a plurality of cells C40-C42. The cells C40 to C42 are arranged adjacent to the DEV block 17 in the vertical direction (Z-axis direction).

インターフェースブロックS3は、図1~図3に示されるように、処理ブロックS2及び露光装置E1の間に位置すると共に、処理ブロックS2及び露光装置E1のそれぞれに接続されている。インターフェースブロックS3は、図2及び図3に示されるように、受け渡しアームA8を内蔵している。受け渡しアームA8は、処理ブロックS2の棚ユニットU11から露光装置E1にウエハWを渡す。受け渡しアームA8は、露光装置E1からウエハWを受け取り、棚ユニットU11にウエハWを戻す。 The interface block S3 is located between the processing block S2 and the exposure apparatus E1 and is connected to the processing block S2 and the exposure apparatus E1, respectively, as shown in FIGS. The interface block S3 incorporates a transfer arm A8, as shown in FIGS. Transfer arm A8 transfers wafer W from shelf unit U11 of processing block S2 to exposure apparatus E1. The transfer arm A8 receives the wafer W from the exposure apparatus E1 and returns the wafer W to the shelf unit U11.

[制御装置の動作]
制御装置CUは、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図5に示される回路120を有する。回路120は、一つ又は複数のプロセッサ121と、メモリ122と、ストレージ123と、入出力ポート124とを有する。ストレージ123は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述のプロセス処理手順を制御装置CUに実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ122は、ストレージ123の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ121による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ121は、メモリ122と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート124は、プロセッサ121からの指令に従って、制御対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。
[Operation of the control device]
The control unit CU is composed of one or more control computers. For example, controller 100 has circuit 120 shown in FIG. Circuitry 120 includes one or more processors 121 , memory 122 , storage 123 and input/output ports 124 . The storage 123 has a computer-readable storage medium such as a hard disk. The storage medium stores a program for causing the control unit CU to execute a process procedure, which will be described later. The storage medium may be a removable medium such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk and an optical disk. The memory 122 temporarily stores the program loaded from the storage medium of the storage 123 and the calculation result by the processor 121 . The processor 121 cooperates with the memory 122 to execute the programs, thereby configuring each functional module described above. The input/output port 124 inputs/outputs electric signals to/from a member to be controlled according to a command from the processor 121 .

なお、制御装置CUのハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置100の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。 Note that the hardware configuration of the control unit CU is not necessarily limited to configuring each functional module by a program. For example, each functional module of the control device 100 may be composed of a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) integrated with this.

また、制御装置CUは、図1に示されるように、記憶部CU1と、制御部CU2とを有する。記憶部CU1は、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。詳しくは後述するが、記憶部CU1は、各種のデータ(例えば、異物の大きさデータ、異物の位置データ)や、撮像部26によって撮像された撮像画像も記憶している。記憶部CU1は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部CU1とは別体の外部記憶装置や、伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部CU1に当該プログラムをインストールして、記憶部CU1に当該プログラムを記憶させてもよい。制御部CU2は、記憶部CU1から読み出したプログラムに基づいて、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部の動作を制御する。 Further, the control unit CU has a storage unit CU1 and a control unit CU2, as shown in FIG. The storage unit CU1 stores a program for operating each part of the coating/developing apparatus 1 and each part of the exposure apparatus E1. Although the details will be described later, the storage unit CU1 also stores various types of data (for example, foreign object size data and foreign object position data) and captured images captured by the imaging unit 26 . The storage unit CU1 is, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or a magneto-optical recording disk. The program may also be included in an external storage device separate from the storage unit CU1, or an intangible medium such as a propagated signal. The program may be installed in the storage unit CU1 from these other media and stored in the storage unit CU1. The control unit CU2 controls the operation of each unit of the coating/developing apparatus 1 and each unit of the exposure apparatus E1 based on the program read from the storage unit CU1.

制御装置CUは、表示部Dと接続されており、処理条件の設定画面や、塗布・現像装置1によるウエハWの処理経過、処理結果等を表示部Dに表示させてもよい。塗布・現像装置1は、処理条件を作業者が入力可能な入力部(図示せず)をさらに有してもよい。この場合、制御装置CUは、入力部を通じて制御装置CUに入力された条件に従って、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部を動作させてもよい。入力部としては、例えば、マウス、タッチパネル、ペンタブレット、キーボードを挙げることができる。 The control unit CU is connected to the display unit D, and may cause the display unit D to display a processing condition setting screen, the processing progress of the wafer W by the coating/developing apparatus 1, the processing result, and the like. The coating/developing apparatus 1 may further have an input section (not shown) through which the operator can input processing conditions. In this case, the control unit CU may operate each unit of the coating/developing apparatus 1 and each unit of the exposure apparatus E1 according to the conditions input to the control unit CU through the input unit. Examples of input units include a mouse, touch panel, pen tablet, and keyboard.

[塗布・現像装置の動作]
次に、塗布・現像装置1の動作の概要について説明する。まず、キャリア11がキャリアステーション12に設置される。このとき、キャリア11の一方の側面11aは、搬入・搬出部13の開閉扉13aに向けられる。続いて、キャリア11の開閉扉と、搬入・搬出部13の開閉扉13aとが共に開放され、受け渡しアームA1により、キャリア11内のウエハWが取り出され、処理ブロックS2の棚ユニットU10のうちいずれかのセルに順次搬送される。
[Operation of Coating/Developing Device]
Next, an overview of the operation of the coating/developing apparatus 1 will be described. First, carrier 11 is installed in carrier station 12 . At this time, one side surface 11 a of the carrier 11 faces the opening/closing door 13 a of the loading/unloading section 13 . Subsequently, both the opening/closing door of the carrier 11 and the opening/closing door 13a of the loading/unloading section 13 are opened, and the transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and sequentially transports it to one of the cells of the shelf unit U10 of the processing block S2.

ウエハWが受け渡しアームA1により棚ユニットU10のいずれかのセルに搬送された後、ウエハWは、昇降アームA7により、BCTブロック14に対応するセルC33に順次搬送される。セルC33に搬送されたウエハWは、搬送アームA2によってBCTブロック14内の各ユニットに搬送される。搬送アームA2によってウエハWがBCTブロック14内を搬送される過程で、ウエハWの表面Wa上に下層反射防止膜が形成される。 After the wafer W is transferred by the delivery arm A1 to any cell of the shelf unit U10, the wafer W is transferred to the cell C33 corresponding to the BCT block 14 by the elevating arm A7. The wafer W transferred to the cell C33 is transferred to each unit in the BCT block 14 by the transfer arm A2. A lower anti-reflection film is formed on the surface Wa of the wafer W while the wafer W is being transferred within the BCT block 14 by the transfer arm A2.

下層反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送アームA2によってセルC33の上のセルC34に搬送される。セルC34に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、COTブロック15に対応するセルC35に搬送される。セルC35に搬送されたウエハWは、搬送アームA3によりCOTブロック15内の各ユニットに搬送される。搬送アームA3によってウエハWがCOTブロック15内を搬送される過程で、下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。 Wafer W on which the lower antireflection film is formed is transferred to cell C34 above cell C33 by transfer arm A2. The wafer W transferred to the cell C34 is transferred to the cell C35 corresponding to the COT block 15 by the elevating arm A7. The wafer W transferred to the cell C35 is transferred to each unit in the COT block 15 by the transfer arm A3. A resist film is formed on the lower anti-reflection film while the wafer W is being transferred within the COT block 15 by the transfer arm A3.

レジスト膜が形成されたウエハWは、搬送アームA3によってセルC35の上のセルC36に搬送される。セルC36に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、TCTブロック16に対応するセルC37に搬送される。セルC37に搬送されたウエハWは、搬送アームA4によってTCTブロック16内の各ユニットに搬送される。搬送アームA4によってウエハWがTCTブロック16内を搬送される過程で、レジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。 The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the cell C36 above the cell C35 by the transfer arm A3. The wafer W transferred to the cell C36 is transferred to the cell C37 corresponding to the TCT block 16 by the elevating arm A7. The wafer W transferred to the cell C37 is transferred to each unit in the TCT block 16 by the transfer arm A4. While the wafer W is transported within the TCT block 16 by the transport arm A4, an upper antireflection film is formed on the resist film.

上層反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送アームA4によってセルC37の上のセルC38に搬送される。セルC38に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によってセルC32に搬送された後、搬送アームA6によって棚ユニットU11のセルC42に搬送される。セルC42に搬送されたウエハWは、インターフェースブロックS3の受け渡しアームA8により露光装置E1に渡され、露光装置E1においてレジスト膜の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハWは、受け渡しアームA8によりセルC42の下のセルC40,C41に搬送される。 Wafer W on which the upper antireflection film is formed is transferred to cell C38 above cell C37 by transfer arm A4. The wafer W transferred to the cell C38 is transferred to the cell C32 by the lifting arm A7, and then transferred to the cell C42 of the shelf unit U11 by the transfer arm A6. The wafer W transported to the cell C42 is transferred to the exposure apparatus E1 by the transfer arm A8 of the interface block S3, and exposure processing of the resist film is performed in the exposure apparatus E1. Wafers W that have undergone exposure processing are transferred to cells C40 and C41 below cell C42 by transfer arm A8.

セルC40,C41に搬送されたウエハWは、搬送アームA5により、DEVブロック17内の各ユニットに搬送され、現像処理が行われる。これにより、ウエハWの表面Wa上にレジストパターン(凹凸パターン)が形成される。レジストパターンが形成されたウエハWは、搬送アームA5によって棚ユニットU10のうちDEVブロック17に対応したセルC30,C31に搬送される。セルC30,C31に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、受け渡しアームA1がアクセス可能なセルに搬送され、受け渡しアームA1によって、キャリア11内に戻される。 The wafers W transported to the cells C40 and C41 are transported to each unit in the DEV block 17 by the transport arm A5, and developed. Thereby, a resist pattern (concavo-convex pattern) is formed on the surface Wa of the wafer W. As shown in FIG. The wafer W on which the resist pattern is formed is transferred to the cells C30 and C31 corresponding to the DEV block 17 in the shelf unit U10 by the transfer arm A5. The wafers W transferred to the cells C30 and C31 are transferred by the elevating arm A7 to a cell accessible by the transfer arm A1, and returned into the carrier 11 by the transfer arm A1.

上述した塗布・現像装置1の構成及び動作は一例にすぎない。塗布・現像装置1は、塗布ユニットや現像処理ユニット等の液処理ユニットと、加熱・冷却ユニット等の前処理・後処理ユニットと、搬送装置とを備えていればよい。すなわち、これら各ユニットの個数、種類、レイアウト等は適宜変更可能である。 The configuration and operation of the coating/developing apparatus 1 described above are merely examples. The coating/developing apparatus 1 may include a liquid processing unit such as a coating unit and a developing unit, a pre-processing/post-processing unit such as a heating/cooling unit, and a conveying device. That is, the number, types, layout, etc. of these units can be changed as appropriate.

[現像処理ユニット(基板処理装置)]
次に、現像処理ユニット(基板処理装置)U1について、さらに詳しく説明する。現像処理ユニットU1は、ウエハWの表面Waに処理液を吐出する吐出処理を、複数のウエハWについて一つずつ順次実行する。現像処理ユニットU1は、図4に示されるように、回転保持部20と、昇降装置22と、処理液供給部24とを備える。
[Development processing unit (substrate processing apparatus)]
Next, the development processing unit (substrate processing apparatus) U1 will be described in more detail. The development processing unit U1 sequentially executes a discharge process for discharging the processing liquid onto the front surface Wa of the wafer W for each of the plurality of wafers W one by one. The development processing unit U1 includes a rotation holding section 20, an elevating device 22, and a processing liquid supply section 24, as shown in FIG.

回転保持部20は、電動モータ等の動力源を内蔵した本体部20aと、本体部20aから鉛直上方に延びる回転軸20bと、回転軸20bの先端部に設けられたチャック20cとを有する。本体部20aは、動力源により回転軸20b及びチャック20cを回転させる。チャック20cは、ウエハWの中心部を支持し、例えば吸着によりウエハWを略水平に保持する。すなわち、回転保持部20は、ウエハWの姿勢が略水平の状態で、ウエハWの表面Waに対して垂直な中心軸(鉛直軸)周りでウエハWを回転させる。図4に示されるように、回転保持部20は、上方から見て例えば正時計回りにウエハWを回転させる。 The rotary holding unit 20 has a main body 20a containing a power source such as an electric motor, a rotary shaft 20b extending vertically upward from the main body 20a, and a chuck 20c provided at the tip of the rotary shaft 20b. The body portion 20a rotates the rotating shaft 20b and the chuck 20c by a power source. The chuck 20c supports the central portion of the wafer W and holds the wafer W substantially horizontally, for example, by suction. That is, the rotation holding unit 20 rotates the wafer W about a central axis (vertical axis) perpendicular to the front surface Wa of the wafer W, with the attitude of the wafer W being substantially horizontal. As shown in FIG. 4, the rotation holding unit 20 rotates the wafer W clockwise, for example, when viewed from above.

昇降装置22は、回転保持部20に取り付けられており、回転保持部20を昇降させる。具体的には、昇降装置22は、搬送アームA5とチャック20cとの間でウエハWの受け渡しを行うための上昇位置(受け渡し位置)と、液処理を行うための下降位置(現像位置)との間で、回転保持部20(チャック20c)を昇降させる。 The lifting device 22 is attached to the rotation holding part 20 and lifts the rotation holding part 20 up and down. Specifically, the lifting device 22 lifts and lowers the rotary holding unit 20 (chuck 20c) between a raised position (transfer position) for transferring the wafer W between the transfer arm A5 and the chuck 20c and a lowered position (developing position) for liquid processing.

回転保持部20の周囲には、カップ30が設けられている。ウエハWが回転すると、ウエハWの表面Waに供給された処理液が周囲に振り切られて落下するが、カップ30は、当該落下した処理液を受け止める収容器として機能する。カップ30は、回転保持部20を囲む円環形状の底板31と、底板31の外縁から鉛直上方に突出した円筒状の外壁32と、底板31の内縁から鉛直上方に突出した円筒状の内壁33とを有する。 A cup 30 is provided around the rotation holding portion 20 . When the wafer W rotates, the processing liquid supplied to the surface Wa of the wafer W is shaken off and dropped, and the cup 30 functions as a container for receiving the dropped processing liquid. The cup 30 has an annular bottom plate 31 that surrounds the rotation holding part 20, a cylindrical outer wall 32 that projects vertically upward from the outer edge of the bottom plate 31, and a cylindrical inner wall 33 that projects vertically upward from the inner edge of the bottom plate 31.

外壁32の全部分は、チャック20cに保持されたウエハWよりも外側に位置する。外壁32の上端32aは、下降位置にある回転保持部20に保持されたウエハWよりも上方に位置する。外壁32の上端32a側の部分は、上方に向かうにつれて内側に傾いた傾斜壁部32bとなっている。内壁33の全部分は、チャック20cに保持されたウエハWの周縁よりも内側に位置する。内壁33の上端33aは、下降位置にある回転保持部20に保持されたウエハWよりも下方に位置する。 The entire outer wall 32 is located outside the wafer W held by the chuck 20c. The upper end 32a of the outer wall 32 is located above the wafer W held by the rotation holding part 20 in the lowered position. A portion of the outer wall 32 on the side of the upper end 32a forms an inclined wall portion 32b that is inclined inward as it goes upward. The entire inner wall 33 is located inside the peripheral edge of the wafer W held by the chuck 20c. An upper end 33a of the inner wall 33 is located below the wafer W held by the rotation holding part 20 in the lowered position.

内壁33と外壁32との間には、底板31の上面から鉛直上方に突出した仕切壁34が設けられている。すなわち、仕切壁34は、内壁33を囲んでいる。底板31のうち、外壁32と仕切壁34との間の部分には、液体排出孔31aが形成されている。液体排出孔31aには、排液管35が接続されている。底板31のうち、仕切壁34と内壁33との間の部分には、気体排出孔31bが形成されている。気体排出孔31bには、排気管36が接続されている。 A partition wall 34 is provided between the inner wall 33 and the outer wall 32 and protrudes vertically upward from the upper surface of the bottom plate 31 . That is, the partition wall 34 surrounds the inner wall 33 . A portion of the bottom plate 31 between the outer wall 32 and the partition wall 34 is formed with a liquid discharge hole 31a. A drain pipe 35 is connected to the liquid drain hole 31a. A gas discharge hole 31 b is formed in a portion of the bottom plate 31 between the partition wall 34 and the inner wall 33 . An exhaust pipe 36 is connected to the gas exhaust hole 31b.

内壁33の上には、仕切壁34よりも外側に張り出す傘状部37が設けられている。ウエハW上から外側に振り切られて落下した処理液は、外壁32と仕切壁34との間に導かれ、液体排出孔31aから排出される。仕切壁34と内壁33との間には、処理液から発生したガス等が進入し、当該ガスが気体排出孔31bから排出される。 An umbrella-shaped portion 37 is provided on the inner wall 33 to protrude outward from the partition wall 34 . The processing liquid that has been shaken off and dropped from the wafer W is guided between the outer wall 32 and the partition wall 34 and discharged from the liquid discharge hole 31a. A gas or the like generated from the processing liquid enters between the partition wall 34 and the inner wall 33 and is discharged from the gas discharge hole 31b.

内壁33に囲まれる空間の上部は、仕切板38により閉塞されている。回転保持部20の本体部20aは仕切板38の下方に位置する。チャック20cは仕切板38の上方に位置する。回転軸20bは仕切板38の中心部に形成された貫通孔内に挿通されている。 The upper part of the space surrounded by the inner wall 33 is closed by a partition plate 38 . A body portion 20 a of the rotation holding portion 20 is positioned below the partition plate 38 . The chuck 20 c is positioned above the partition plate 38 . The rotary shaft 20b is inserted through a through hole formed in the center of the partition plate 38. As shown in FIG.

処理液供給部24は、図4に示されるように、処理液の供給源24aと、ヘッド部24cと、移動体24dと、撮像部26とを有する。供給源24aは、処理液の貯蔵容器、ポンプ及びバルブ等を有する。処理液は、例えば洗浄液(リンス液)や現像液である。洗浄液は、例えば純水又はDIW(Deionized Water)である。ヘッド部24cは、供給管24bを介して供給源24aに接続される。ヘッド部24cは、処理液の供給の際に、ウエハWの表面Waの上方に位置している。ヘッド部24cに設けられた液ノズルNは、ウエハWの表面Waに向けて下方に開口している。従って、ヘッド部24cは、制御装置CUからの制御信号を受けて供給源24aから供給された処理液を、液ノズルNからウエハWの表面Waに吐出する。 The processing liquid supply unit 24 includes a processing liquid supply source 24a, a head unit 24c, a moving body 24d, and an imaging unit 26, as shown in FIG. The supply source 24a has a processing liquid storage container, a pump, a valve, and the like. The processing liquid is, for example, a cleaning liquid (rinse liquid) or a developing liquid. The cleaning liquid is, for example, pure water or DIW (Deionized Water). The head portion 24c is connected to the supply source 24a via the supply pipe 24b. The head portion 24c is positioned above the surface Wa of the wafer W when the processing liquid is supplied. A liquid nozzle N provided in the head portion 24c opens downward toward the front surface Wa of the wafer W. As shown in FIG. Accordingly, the head unit 24c ejects the processing liquid supplied from the supply source 24a from the liquid nozzle N onto the surface Wa of the wafer W in response to the control signal from the control unit CU.

移動体24dは、アーム24eを介してヘッド部24cに接続されている。移動体24dは、制御装置CUからの制御信号を受けて、ガイドレール(図示せず)上を水平方向(例えば、X軸方向)に移動する。これにより、ヘッド部24cは、ウエハWの表面Waに対して液ノズルNの吐出口Naから処理液を吐出する吐出処理において、下降位置にあるウエハWの上方で且つウエハWの中心軸に直交する直線上を、ウエハWの径方向に沿って水平方向、に移動する。移動体24dは、制御装置CUからの制御信号を受けて、アーム24eを昇降させる。これにより、ヘッド部24cは、上下方向に移動し、ウエハWの表面Waに対して近接又は離間する。 24 d of moving bodies are connected to the head part 24c via the arm 24e. The movable body 24d receives a control signal from the control unit CU and moves horizontally (eg, in the X-axis direction) on a guide rail (not shown). As a result, the head unit 24c moves horizontally along the radial direction of the wafer W above the wafer W in the lowered position and on a straight line perpendicular to the central axis of the wafer W in the ejection process of ejecting the processing liquid from the ejection port Na of the liquid nozzle N onto the surface Wa of the wafer W. The moving body 24d raises and lowers the arm 24e upon receiving a control signal from the control unit CU. As a result, the head portion 24c moves vertically and approaches or separates from the front surface Wa of the wafer W. As shown in FIG.

撮像部26は、図4に示されるようにヘッド部24cの先端近傍に設けられており、ヘッド部24cと共に移動する。撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na部分を撮像する。撮像部26によって撮像された撮像画像は、制御装置CUの制御部CU2に送信される。制御部CU2は、受信した撮像画像を画像処理して、液ノズルNの吐出口Na近傍の付着物の有無、付着物の量等に係る情報を取得する。本実施形態における付着物としては、例えば、液滴、固形物(処理液が固化・結晶化したもの、異物)等が挙げられる。制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍での付着物の結果に基づいて、液ノズルNに係る異常判定を行い、異常である場合には液ノズルNの洗浄を行う。また、異常が続く場合などは異常時の措置(例えば、警報発出、異常通知等)を実施する。 The imaging section 26 is provided near the tip of the head section 24c as shown in FIG. 4, and moves together with the head section 24c. The imaging unit 26 images the discharge port Na portion of the liquid nozzle N. As shown in FIG. A captured image captured by the imaging unit 26 is transmitted to the control unit CU2 of the control unit CU. The control unit CU2 performs image processing on the received captured image to obtain information regarding the presence or absence of deposits near the discharge port Na of the liquid nozzle N, the amount of deposits, and the like. Examples of the deposits in the present embodiment include droplets, solids (solidified/crystallized processing liquid, foreign matter), and the like. The control unit CU2 performs an abnormality determination regarding the liquid nozzle N based on the result of the adhering matter in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N, and cleans the liquid nozzle N when there is an abnormality. In addition, if the abnormality persists, measures to be taken in the event of an abnormality (for example, issuing an alarm, notifying an abnormality, etc.) will be implemented.

撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na近傍について、その全周を撮像可能な構成とされている。液ノズルNの吐出口Na近傍とは、吐出口Naから吐出される処理液が付着し得る領域である。処理液の吐出速度(単位時間当たりの吐出量)、ウエハWの回転速度等に応じて、処理液が付着する領域は変更し得る。したがって、通常動作時に処理液が付着し得る場所を吐出口Na近傍として取り扱うことができる。具体的には、例えば、吐出口Naの下端から0.5mm~数mm程度とされる。 The imaging unit 26 is configured to be capable of imaging the entire periphery of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. As shown in FIG. The vicinity of the ejection opening Na of the liquid nozzle N is a region where the processing liquid ejected from the ejection opening Na may adhere. The area to which the processing liquid adheres can be changed according to the ejection speed (discharge amount per unit time) of the processing liquid, the rotational speed of the wafer W, and the like. Therefore, the place where the processing liquid may adhere during normal operation can be treated as the vicinity of the discharge port Na. Specifically, for example, it is about 0.5 mm to several mm from the lower end of the ejection port Na.

吐出口Naから処理液を吐出する際、吐出口Naの下端部またはその周縁に処理液が付着し残存すると、その後再度処理液を吐出する際に付着物が吐出初期段階の処理液と共にウエハWに向けて流れる場合がある。ウエハWに対する処理液の供給量が多い場合には、吐出初期段階の処理液はウエハW上から排出されるため、付着物もウエハW上から排出される。しかしながら、処理液の供給量が少ない場合には吐出初期段階の処理液もウエハW上に残存するため、付着物のウエハW上に残存することになる。このような場合付着物がウエハW上での異物となり、基板の処理精度等に影響を与える可能性がある。上記のような観点から、撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na近傍において、その全周を撮像する。なお、撮像部26では、吐出口Naの近傍の全周における付着物を撮像可能であればよい。したがって、撮像部26が取得する画像は、少なくとも吐出口Na近傍の一部において全周の画像が含まれていればよい。また、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周を撮像した画像とは、全周を同時に撮像していなくてもよく、多少の時間差を有して撮像された複数枚数の画像を組み合わせたものであってもよい。上述のように、吐出口Na近傍に付着する付着物は、主に液ノズルNから吐出された処理液に由来するものであり、ある程度時間が経つと乾燥・吸湿等によりその状態が変化し得る。撮像部26では、上記の付着物の状態変化が起こらない程度の時間差を有した状態(例えば、数秒~数分)で、複数枚数の画像を撮像することによって、全周の画像を取得する構成としてもよい。 When the processing liquid is ejected from the ejection port Na, if the processing liquid adheres to the lower end portion or the peripheral edge of the ejection port Na and remains there, when the processing liquid is subsequently ejected again, the deposits may flow toward the wafer W together with the processing liquid in the initial stage of ejection. When the amount of the processing liquid supplied to the wafer W is large, the processing liquid in the initial stage of ejection is discharged from the wafer W, so the deposits are also discharged from the wafer W. FIG. However, when the supply amount of the processing liquid is small, the processing liquid in the initial stage of ejection also remains on the wafer W, so that the adherents remain on the wafer W as well. In such a case, the adhering matter may become a foreign substance on the wafer W and affect the processing accuracy of the substrate. From the above point of view, the imaging unit 26 images the entire periphery of the liquid nozzle N in the vicinity of the ejection port Na. Note that the image capturing unit 26 may be capable of capturing an image of the adhering matter on the entire circumference near the ejection port Na. Therefore, the image acquired by the imaging unit 26 should include an image of the entire periphery at least in a part near the ejection port Na. In addition, the image obtained by capturing the entire periphery near the discharge port Na of the liquid nozzle N may not be captured simultaneously, and may be a combination of a plurality of images captured with a slight time difference. As described above, the deposits adhering to the vicinity of the ejection port Na are mainly derived from the processing liquid ejected from the liquid nozzle N, and the state thereof may change after a certain amount of time due to drying, moisture absorption, or the like. In the imaging unit 26, a plurality of images are captured with a time difference (for example, several seconds to several minutes) that does not cause the change in the state of the adhering matter, thereby obtaining an image of the entire circumference.

図4では、撮像部26を模式的に示しているが、全周を撮像するための撮像部26の構成は特に限定されない。図6~図8は、撮像部26の構成例を説明する図である。 Although FIG. 4 schematically shows the imaging unit 26, the configuration of the imaging unit 26 for imaging the entire circumference is not particularly limited. 6 to 8 are diagrams illustrating configuration examples of the imaging unit 26. FIG.

図6(a)は、複数のカメラ27により撮像部26が構成されて、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周を撮像する構成を示している。図6(a)では、3つのカメラ27を配置している例を示しているが、撮像部26の数は特に限定されない。複数の撮像部26を互いに異なる方向から吐出口Na近傍の全周を撮像可能なように配置をすることで、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周に係る画像を取得することができる。3つのカメラ27を配置する場合、例えば、平面視において、隣接するカメラ27と液ノズルNの吐出口Naとを結ぶ線と、自カメラと吐出口Naとを結ぶ線とのなす角度がそれぞれ120°となるように3つのカメラ27を周方向に均等に配置することができる。これにより、3つのカメラ27によって吐出口Na近傍の全周を均等に撮像する構成とすることができる。なお、複数のカメラ27は同一の水平面(XY平面)に配置してもよいが、例えば、上下方向(Z軸方向)の高さ位置を互いに異ならせて配置してもよい。カメラ27は、例えば、処理液供給部24に設けられていてもよいし、カップ30の外壁32等に取り付けられていてもよい。すなわち、カメラ27を現像処理ユニットU1のどの位置(部材)に取り付けるかは特に限定されない。 FIG. 6A shows a configuration in which an imaging unit 26 is composed of a plurality of cameras 27 and captures an image of the entire periphery of the liquid nozzle N in the vicinity of the discharge port Na. Although FIG. 6A shows an example in which three cameras 27 are arranged, the number of imaging units 26 is not particularly limited. By arranging the plurality of imaging units 26 so as to be able to capture images of the entire periphery near the ejection opening Na from different directions, an image of the entire periphery near the ejection opening Na of the liquid nozzle N can be obtained. When arranging the three cameras 27, for example, the three cameras 27 can be evenly arranged in the circumferential direction so that, in plan view, a line connecting the adjacent camera 27 and the discharge port Na of the liquid nozzle N and a line connecting the own camera and the discharge port Na form an angle of 120°. Thereby, the three cameras 27 can be configured to uniformly image the entire periphery in the vicinity of the discharge port Na. Although the plurality of cameras 27 may be arranged on the same horizontal plane (XY plane), for example, they may be arranged at different height positions in the vertical direction (Z-axis direction). The camera 27 may be provided, for example, in the treatment liquid supply section 24 or may be attached to the outer wall 32 of the cup 30 or the like. That is, there is no particular limitation as to which position (member) the camera 27 is attached to in the developing processing unit U1.

図6(b)は、1つのカメラ27と1つのミラー28とにより撮像部26が構成されている状態を示している。このような構成の場合、カメラ27は、ミラー28に写る液ノズルNの吐出口Na近傍の像を撮像する。ミラー28は、例えば、図6(b)に示すように吐出口Naの下方(Z軸負方向)に配置し、カメラ27の位置に応じてその反射面の角度を調整する。一方、カメラ27は、ミラー28の反射面に対向するような配置とする。これにより、カメラ27では、ミラー28において反射された吐出口Na近傍の像を撮像することができる。また、ミラー28を用いる構成とすることで、カメラ27からは死角となる側の吐出口Na近傍も撮像することができることになり、液ノズルNの吐出口Na近傍での全周の画像を取得することができる。なお、カメラ27及びミラー28の配置は適宜変更することができる。 FIG. 6B shows a state in which the imaging section 26 is configured with one camera 27 and one mirror 28 . In such a configuration, the camera 27 captures an image of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N reflected on the mirror 28 . For example, the mirror 28 is arranged below the outlet Na (in the negative direction of the Z-axis) as shown in FIG. On the other hand, the camera 27 is arranged so as to face the reflecting surface of the mirror 28 . As a result, the camera 27 can capture an image of the vicinity of the ejection port Na reflected by the mirror 28 . In addition, by adopting the configuration using the mirror 28, it is possible to image the vicinity of the ejection port Na on the blind spot side from the camera 27, and an image of the entire periphery in the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N can be obtained. Note that the arrangement of the camera 27 and the mirror 28 can be changed as appropriate.

図6(c)は、1つのカメラ27により撮像部26が構成されている状態を示している。カメラ27は液ノズルNの吐出口Naの真下(Z軸負方向)に配置される。このような構成の場合、カメラ27は、液ノズルNの吐出口Naの下端の全周を一度に撮像することができる。すなわち、図6(c)に示す構成の場合であっても、吐出口Na近傍の全周に係る撮像を行うことができる。また、図6等に示す液ノズルNのように吐出口Naへ向けて先端が先細りするような形状の場合、図6(c)に示すカメラ27は吐出口Naの下端だけでなくその上方の傾斜部分も撮像することが可能といえる。また、図6(c)に示すようにカメラ27を吐出口Naの真下に配置し、さらに、ミラー28を利用して液ノズルNの吐出口Na近傍の側面の像についてもカメラ27で撮像可能な構成としてもよい。 FIG. 6(c) shows a state in which the imaging section 26 is configured by one camera 27. As shown in FIG. The camera 27 is arranged directly below the discharge port Na of the liquid nozzle N (Z-axis negative direction). With such a configuration, the camera 27 can image the entire periphery of the lower end of the discharge port Na of the liquid nozzle N at once. That is, even in the case of the configuration shown in FIG. 6C, it is possible to image the entire periphery in the vicinity of the ejection port Na. In addition, in the case where the liquid nozzle N shown in FIG. 6 and the like has a shape in which the tip tapers toward the ejection port Na, it can be said that the camera 27 shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 6C, the camera 27 may be arranged directly below the ejection port Na, and a mirror 28 may be used to allow the camera 27 to capture an image of the side surface of the liquid nozzle N in the vicinity of the ejection port Na.

図7は、カメラ27とミラー28との配置の一例であり、ヘッド部24cに繋がるアーム24eにカメラ27を取り付けて、液ノズルNの下方にミラー28を配置した例である。アーム24eの高さ位置は図4の構成に限定されず、例えばヘッド部24cの構成を変更する等他の部材の構成を変更することで、適宜変更することができるとする。また、ミラー28に代えて、チャック20cに保持された表面が平坦な基板(ベアウエハ)を用いてもよい。この場合、ベアウエハに写る液ノズルNの吐出口Na近傍の像をカメラ27において撮像する構成となる。 7 shows an example of the arrangement of the camera 27 and the mirror 28, in which the camera 27 is attached to an arm 24e connected to the head portion 24c and the mirror 28 is arranged below the liquid nozzle N. FIG. The height position of the arm 24e is not limited to the configuration shown in FIG. 4, and can be changed as appropriate by changing the configuration of other members such as changing the configuration of the head portion 24c. Further, instead of the mirror 28, a substrate (bare wafer) with a flat surface held by the chuck 20c may be used. In this case, the camera 27 captures an image of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N reflected on the bare wafer.

図8は、カメラ27とミラー28との配置の他の一例であり、ヘッド部24cに繋がるアーム24eにカメラ27を取り付けて、液ノズルNの周囲にミラー28を配置した例である。図8(a)は上記の構成を側面から見た図であり、図8(b)は上方から見た場合の液ノズルN、カメラ27及びミラー28の位置関係を模式的に示した図である。図8に示す例は、カメラ27の取り付け位置は図7に示す例と同じであるが、ミラー28の配置が異なる。具体的には、カメラ27に対して死角となる液ノズルNの側面の外壁がミラー28に写るようにミラー28が配置されている。したがって、カメラ27はミラー28に写る液ノズルNの側面の像も撮像することで死角の部分の撮像も行うことができる。このような構成とすることで、カメラ27は一度の撮像で液ノズルNの側面の全周の撮像を行うことができる。 8 shows another example of the arrangement of the camera 27 and the mirror 28, in which the camera 27 is attached to the arm 24e connected to the head part 24c and the mirror 28 is arranged around the liquid nozzle N. FIG. FIG. 8(a) is a side view of the above configuration, and FIG. 8(b) is a view schematically showing the positional relationship among the liquid nozzle N, the camera 27 and the mirror 28 when viewed from above. The example shown in FIG. 8 has the same mounting position of the camera 27 as the example shown in FIG. 7, but the arrangement of the mirror 28 is different. Specifically, the mirror 28 is arranged so that the outer wall of the side surface of the liquid nozzle N, which is a blind spot with respect to the camera 27, is reflected on the mirror 28. As shown in FIG. Therefore, the camera 27 can also take an image of the blind spot by taking an image of the side surface of the liquid nozzle N reflected on the mirror 28 . With such a configuration, the camera 27 can capture an image of the entire circumference of the side surface of the liquid nozzle N in one image capturing.

上記のように、撮像部26の構成は特に限定されず、種々の構成を適用することができる。上記で示した構成例を組み合わせてもよい。また、液ノズルNに対してその位置を変更可能な移動機構を有するカメラ27を撮像部26として用いてもよい。なお、カメラ27を吐出口Naの近傍に配置する場合、カメラ27及びカメラ27を支持するための機構が現像処理ユニットU1の各部の動作に干渉しないように、各部の構成を適宜調整することができる。 As described above, the configuration of the imaging unit 26 is not particularly limited, and various configurations can be applied. The configuration examples shown above may be combined. Also, a camera 27 having a moving mechanism capable of changing the position of the liquid nozzle N may be used as the imaging section 26 . When the camera 27 is arranged near the ejection port Na, the configuration of each part can be appropriately adjusted so that the camera 27 and the mechanism for supporting the camera 27 do not interfere with the operation of each part of the development processing unit U1.

[ノズル検査方法]
次に、図9~図16を参照しながら、現像処理ユニットU1における液ノズルNの吐出口Naの検査方法の手順について説明する。図9は、検査方法に係る一連の手順を説明するフロー図である。また、図10及び図13は画像処理及び付着状態の評価に係る手順を説明するフロー図であり、図11,12,14-16は、上記の手順を実施する際に用いる画像の例を説明する図である。
[Nozzle inspection method]
Next, referring to FIGS. 9 to 16, a procedure for inspecting the ejection port Na of the liquid nozzle N in the development processing unit U1 will be described. FIG. 9 is a flowchart for explaining a series of procedures related to the inspection method. 10 and 13 are flow charts for explaining the procedure for image processing and adhesion state evaluation, and FIGS.

まず、制御装置CUの制御部CU2は、ステップS01を実行する。ステップS01では、液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の状態を評価するための基準画像を取得する。この基準画像とは、付着物が付着していない状態での液ノズルNの吐出口Na近傍の画像であり、検査時に取得する液ノズルNの吐出口Na近傍の全周の画像に対応するものである。制御部CU2は撮像部26を制御して、液ノズルNの吐出口Na近傍に係る基準画像を取得する。取得した基準画像は、記憶部CU1において記憶する構成としてもよい。 First, the control unit CU2 of the control unit CU executes step S01. In step S01, a reference image for evaluating the state of deposits in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N is obtained. This reference image is an image of the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N in a state where no deposit is attached, and corresponds to the image of the entire periphery of the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N acquired during inspection. The control unit CU2 controls the imaging unit 26 to obtain a reference image of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. FIG. The acquired reference image may be configured to be stored in the storage unit CU1.

次に、制御部CU2は、ステップS02を実行する。ステップS02では、制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周に係る検査画像を取得する(画像取得制御)。検査画像とは、付着物に係る評価等を行う対象となる画像である。制御部CU2は撮像部26を制御して、液ノズルNの吐出口Na近傍に係る検査画像を取得する。ステップS02を実行するタイミングは、予め設定したタイミング(例えばロット単位のウエハWに係る処理が終わった後)であってもよい。また、現像処理ユニットU1における処理後のウエハW等を評価した結果に基づいてステップS02を実行する構成としてもよい。なお、複数の画像を組み合わせて液ノズルNの吐出口Na近傍の全周の画像が得られる場合、一連の複数の画像を一つの検査画像として取り扱う構成としてもよい。取得した検査画像は、記憶部CU1において記憶する構成としてもよい。 Next, control unit CU2 executes step S02. In step S02, the control unit CU2 acquires an inspection image related to the entire periphery near the discharge port Na of the liquid nozzle N (image acquisition control). An inspection image is an image to be subjected to an evaluation or the like relating to adhering matter. The control unit CU2 controls the imaging unit 26 to obtain an inspection image of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. FIG. The timing of executing step S02 may be a preset timing (for example, after the processing of wafers W in lot units is completed). Further, the step S02 may be executed based on the evaluation result of the wafer W or the like after processing in the developing processing unit U1. In the case where a plurality of images are combined to obtain an image of the entire periphery near the ejection port Na of the liquid nozzle N, a configuration may be adopted in which a series of the plurality of images are treated as one inspection image. The acquired inspection image may be configured to be stored in the storage unit CU1.

次に、制御部CU2は、ステップS03を実行する。ステップS03では、制御部CU2は、ステップS01で取得した基準画像と、ステップS02で取得した検査画像とを用いて、付着物の評価に係る画像処理を行う(評価制御)。次に、制御部CU2は、ステップS04を実行する。ステップS04では、ステップS03で処理を行った画像に基づいて、付着物の付着状態に係る評価を行う(評価制御)。上記のステップS03及びステップS04については後述する。 Next, control unit CU2 executes step S03. In step S03, the control unit CU2 uses the reference image acquired in step S01 and the inspection image acquired in step S02 to perform image processing related to the evaluation of adhering matter (evaluation control). Next, control unit CU2 executes step S04. In step S04, based on the image that has been processed in step S03, the state of adherence of the adhering matter is evaluated (evaluation control). The above steps S03 and S04 will be described later.

次に、制御部CU2は、ステップS05を実行する。ステップS05では、ステップS04における付着状態の評価の結果、液ノズルNに異常があるか否かを判定する(判定制御)。この段階での異常ありか否かの判定とは、このまま液ノズルNを用いてウエハWに対する処理を行ってよいかの判定である。したがって、異常がないと判定した場合には、液ノズルNの検査結果に基づいて液ノズルNに対して実行すべき動作は無いと判断し、一連の処理を終了する。 Next, control unit CU2 executes step S05. In step S05, as a result of the adhesion state evaluation in step S04, it is determined whether or not there is an abnormality in the liquid nozzle N (determination control). Determining whether or not there is an abnormality at this stage means determining whether or not the wafer W can be processed using the liquid nozzle N as it is. Therefore, if it is determined that there is no abnormality, it is determined that there is no operation to be performed for the liquid nozzle N based on the inspection result of the liquid nozzle N, and the series of processes is terminated.

ステップS05において異常があると判定した場合には、制御部CU2は、ステップS06を実行する。ステップS06では、今回の判定において異常があると判定した場合に、装置の異常に基づく強制停止(異常停止)等の液ノズルNに対して実行すべき動作を実施する必要があるかを判定する(判定制御)。異常があると判定する場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していることを検出した場合となるが、このような場合には通常液ノズルNの吐出口Na近傍の洗浄を行うことで対処する。しかしながら、例えば繰り返し異常があると判定されるなど、ノズルの洗浄以外の何らかの対応を採る必要がある場合には、異常停止が必要と判断する。この場合、制御部CU2はステップS07を実行する。すなわち、ステップS07では、制御部CU2は現像処理ユニットU1における基板処理の強制停止を行う。なお、図8では異常停止の要否判断及び異常停止を行う場合について説明したが、異常停止ではなく警報の通知のみを行う構成としてもよい。また、ステップS06において、異常停止及び警報の通知のどちらを実施するかについても判定する構成としてもよい。 When it is determined that there is an abnormality in step S05, control unit CU2 executes step S06. In step S06, if it is determined that there is an abnormality in this determination, it is determined whether it is necessary to perform an operation to be performed on the liquid nozzle N, such as a forced stop (abnormal stop) based on the abnormality of the apparatus (determination control). If it is determined that there is an abnormality, it will be the case that it is detected that there is an adhering substance in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. In such a case, the vicinity of the discharge port Na of the normal liquid nozzle N is washed. However, if it is necessary to take some action other than cleaning the nozzles, such as when it is determined that there is a repeated abnormality, for example, it is determined that an abnormal stop is necessary. In this case, control unit CU2 executes step S07. That is, in step S07, the control unit CU2 forcibly stops the substrate processing in the development processing unit U1. In addition, although FIG. 8 describes the case of judging whether or not an abnormal stop is necessary and performing an abnormal stop, it is also possible to adopt a configuration in which only an alarm notification is performed instead of an abnormal stop. Further, in step S06, it may be configured to determine which of abnormal stop and warning notification is to be performed.

ステップS06において異常停止は必要ではないと判定した場合、制御部CU2は、ステップS08を実行する。ステップS08では、液ノズルNの吐出口Na近傍の洗浄を行う(判定制御・洗浄制御)。制御部CU2は現像処理ユニットU1を制御し、液ノズルNの洗浄に係る処理を行う。なお、付着状態の評価結果に基づいてステップS08における液ノズルNの洗浄方法を変更する構成としてもよい。この点については後述する。 If it is determined in step S06 that the abnormal stop is not necessary, the control unit CU2 executes step S08. In step S08, the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N is cleaned (determination control/cleaning control). The control unit CU2 controls the development processing unit U1 and performs processing related to cleaning the liquid nozzle N. FIG. It should be noted that the cleaning method of the liquid nozzle N in step S08 may be changed based on the evaluation result of the adhesion state. This point will be described later.

[画像処理から異常判定までの具体的な手順]
次に、図10~図12を参照しながら、液ノズルNの吐出口Na近傍の異常の有無を判定する際の具体的な手順について説明する。ここで説明する手順は図9におけるステップS03~ステップS06の具体的な手順の一つの手法である。
[Specific procedure from image processing to abnormality determination]
Next, specific procedures for determining whether there is an abnormality in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N will be described with reference to FIGS. 10 to 12. FIG. The procedure described here is one of the specific procedures of steps S03 to S06 in FIG.

まず、制御部CU2は、ステップS11を実行する。ステップS11では、制御部CU2は、記憶部CU1に保持されている基準画像と検査画像とから差分を算出する。差分を算出することにより、検査画像における各ピクセルが基準画像に対してどの程度変化しているかを輝度値から把握することができる。基準画像に対する検査画像の変化、すなわち、輝度値が0とは異なる部分は、その多くが付着物の付着の影響を受けることが考えられる。すなわち、差分に係る画像を作成する処理を行うことで、付着物の領域を推定することができる。 First, the control unit CU2 executes step S11. In step S11, the control unit CU2 calculates a difference between the reference image and the inspection image held in the storage unit CU1. By calculating the difference, it is possible to grasp how much each pixel in the inspection image changes from the reference image from the luminance value. Changes in the inspection image with respect to the reference image, ie, portions where the brightness value is different from 0, are considered to be affected by adhesion of deposits. That is, by performing processing for creating an image related to the difference, it is possible to estimate the area of the adhering matter.

制御部CU2は、ステップS12を実行する。ステップS12では、制御部CU2は、差分画像における各ピクセルでの輝度値の平均値を算出する。すなわち、差分画像に含まれる全ピクセルでの輝度値の平均値を算出する。 The control unit CU2 executes step S12. In step S12, the control unit CU2 calculates the average luminance value of each pixel in the difference image. That is, the average luminance value of all pixels included in the difference image is calculated.

制御部CU2は、ステップS13を実行する。ステップS13では、ステップS12で算出された輝度値の平均値に基づいて異常判定を行う。具体的には、平均値が閾値以上である場合には液ノズルNの吐出口Na近傍に異常があると判定する。なお、ステップS13において異常があると判定した場合、制御部CU2では、図9に示す手順に基づいて更なる判定を実施し、異常停止または洗浄等の制御を行う。 The control unit CU2 executes step S13. In step S13, abnormality determination is performed based on the average value of the brightness values calculated in step S12. Specifically, when the average value is equal to or greater than the threshold, it is determined that there is an abnormality in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. If it is determined that there is an abnormality in step S13, the control unit CU2 performs further determination based on the procedure shown in FIG. 9, and performs control such as abnormal stop or cleaning.

具体的な例について、図11を参照しながら説明する。図11では、液ノズルNの吐出口Na近傍を下斜め方向から撮像した画像の例を示している。図11では、縦480ピクセル×横640ピクセルの合計307200ピクセルの画像を用いている。図11(a)は、液ノズルNの吐出口Na近傍の基準画像に相当するものである。これに対して、図11(b)は、検査画像に相当する画像であり、付着物がほぼ存在しないような状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を求めた結果を図11(c)に示している。図11(c)に示す画像は2つの画像の各ピクセルにおける輝度値(画素値)の差分を各ピクセルに対応する位置に示したモノクロ画像である。基準画像及び検査画像がカラー画像である場合には、それぞれグレースケール化した後に輝度値の差分を算出する構成としてもよい。カラー画像である場合には、図11(c)は、各ピクセルの輝度値(0~255)をグレースケールとして示したものであり、輝度値が大きいほど白色となるように示している。図11(c)では、参考のために画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。なお、基準画像及び検査画像がカラー画像である場合、グレースケール化とは異なる方法で各ピクセルの画素値を算出する方法を用いてもよい。 A specific example will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows an example of an image of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N captured obliquely downward. In FIG. 11, an image with a total of 307,200 pixels of 480 vertical pixels×640 horizontal pixels is used. FIG. 11A corresponds to a reference image in the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N. FIG. On the other hand, FIG. 11(b) is an image corresponding to the inspection image, and is an image showing a state in which there is almost no adhering matter. FIG. 11(c) shows the result of calculating the difference between these two images. The image shown in FIG. 11C is a monochrome image in which the difference in luminance value (pixel value) of each pixel of the two images is shown at the position corresponding to each pixel. If the reference image and the inspection image are color images, the difference between the luminance values may be calculated after each of them is grayscaled. In the case of a color image, FIG. 11(c) shows the luminance value (0 to 255) of each pixel as a gray scale, and the higher the luminance value, the whiter the image. For reference, FIG. 11(c) shows a state in which the brightness of the entire image has been adjusted. Note that when the reference image and the inspection image are color images, a method of calculating the pixel value of each pixel by a method different from grayscaling may be used.

図11(b)に示す検査画像のように、付着物がほぼ存在しない状態を撮像した画像が検査画像である場合、図11(c)に示すように、差分の画像では輝度値を有するピクセルはかなり少なくなり、その結果、輝度値の平均値は小さくなる。図11(c)に示す例では、輝度値の平均値が2.95となる。一方、図11(d)は、図11(b)とは別の検査画像に相当する画像であり、液ノズルNの吐出口Naの先端付近に付着物が存在している状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を算出した場合、図11(e)に示すように、付着物が付着していると思われる領域では、ある程度の輝度値を有する(白く見える)ピクセルが存在する。この場合、輝度値の平均値は大きくなる。図11(e)に示す例では、輝度値の平均値が2.95となる。このように、付着物の付着状況によって、基準画像を用いた差分画像の輝度値の平均値が変化する。したがって、この平均値が所定の閾値よりも大きくなっている場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していると判断して異常ありと判定する構成とすることができる。なお、図11(e)では、参考のために画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。 As in the inspection image shown in FIG. 11(b), if the inspection image is an image obtained by imaging a state in which there is almost no adhering matter, as shown in FIG. In the example shown in FIG. 11C, the average luminance value is 2.95. On the other hand, FIG. 11D is an image corresponding to a different inspection image from FIG. When the difference between these two images is calculated, as shown in FIG. 11(e), there are pixels having a certain luminance value (appearing white) in the area where the deposit is thought to be attached. In this case, the average value of luminance values increases. In the example shown in FIG. 11E, the average luminance value is 2.95. In this way, the average value of the luminance values of the difference image using the reference image changes depending on the adherence state of the adhering matter. Therefore, when this average value is larger than a predetermined threshold value, it can be determined that there is an abnormality by determining that there is an adhering substance in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N. For reference, FIG. 11E shows a state in which the brightness of the entire image is adjusted.

図11とは異なる具体例について、図12を参照しながら説明する。図12では、液ノズルNの吐出口Na近傍を吐出口Naの真下から撮像した画像の例を示している。図12では、縦640ピクセル×横480ピクセルの合計307200ピクセルの画像を用いている。図12(a)は、液ノズルNの吐出口Na近傍の基準画像に相当するものである。これに対して、図12(b)は、液ノズルNの吐出口Naの先端付近に付着物が存在している状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を算出した結果を図12(c)に示している。図12(c)は、図11(c),(e)と同様の手法で差分の輝度値を算出した結果を示した画像である。また、図12(c)についても、画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。図12(c)に示すように、付着物が付着していると思われる領域では、ある程度の輝度値を有する(白く見える)ピクセルが存在する。この場合も、全ピクセルでの輝度値の平均値はある程度大きくなると思われるので、平均値が所定の閾値よりも大きくなっている場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していると判断して異常ありと判定する構成とすることができる。 A specific example different from FIG. 11 will be described with reference to FIG. FIG. 12 shows an example of an image of the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N captured from directly below the ejection port Na. In FIG. 12, an image with a total of 307,200 pixels of 640 vertical pixels×480 horizontal pixels is used. FIG. 12A corresponds to a reference image in the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N. FIG. On the other hand, FIG. 12B is an image showing a state in which deposits are present near the tip of the ejection port Na of the liquid nozzle N. FIG. FIG. 12(c) shows the result of calculating the difference between these two images. FIG. 12(c) is an image showing the result of calculating the luminance value of the difference using the same method as in FIGS. 11(c) and 11(e). FIG. 12(c) also shows a state in which the brightness of the entire image has been adjusted. As shown in FIG. 12(c), pixels having a certain luminance value (appearing white) are present in the area where the deposit is thought to be attached. In this case as well, the average value of the luminance values of all pixels is expected to be somewhat large. Therefore, when the average value is larger than a predetermined threshold value, it is possible to determine that there is an abnormality by determining that there is an adhering substance in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N.

また、図12(c)に示す差分画像では、液ノズルNの吐出口Naの内壁側及び外壁側のそれぞれに付着している付着物の画像を区別することができる。すなわち、吐出口Naの下端の端面に対応する領域では、基準画像及び検査画像の両方が同程度の輝度となっているので差分画像では輝度が0または0に近くなっている。一方、内壁表面より内側及び外壁表面より外側は、図12(b)に示すように基準画像と比べて検査画像における付着物が目立っている。そのため、図12(c)に示すように差分画像においても各領域において輝度値の大きな領域が見られる。 In addition, in the difference image shown in FIG. 12C, the images of the deposits adhering to the inner wall side and the outer wall side of the ejection port Na of the liquid nozzle N can be distinguished. That is, in the area corresponding to the end surface of the lower end of the ejection port Na, both the reference image and the inspection image have approximately the same brightness, so the brightness of the difference image is 0 or close to 0. On the other hand, inside the inner wall surface and outside the outer wall surface, as shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 12(c), regions with large luminance values can be seen in each region in the differential image as well.

図12に示す例の場合、上述のように内壁の付着物と外壁の付着物とを区別することができる。そこで、このような画像を用いて液ノズルNの吐出口Na近傍の付着物の評価を行う場合、内壁側の付着物と外壁側の付着物を区別して評価を行うことができる。また、図12に示す例のように、液ノズルNの吐出口Na近傍を撮像した画像の解像度が高い場合、付着物の特性が画像に反映される。したがって、検査画像または差分画像から付着物の特性に係る情報を取得し、付着物の種類を特定することが可能となる。 In the case of the example shown in FIG. 12, deposits on the inner wall and deposits on the outer wall can be distinguished as described above. Therefore, when evaluating deposits near the discharge port Na of the liquid nozzle N using such an image, the evaluation can be performed by distinguishing between deposits on the inner wall side and deposits on the outer wall side. Further, as in the example shown in FIG. 12, when the resolution of the image obtained by capturing the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N is high, the characteristics of the adhering substances are reflected in the image. Therefore, it is possible to obtain information about the properties of the adhering matter from the inspection image or the differential image and specify the type of the adhering matter.

そこで、図13~図16を参照しながら、付着物の付着位置を区別した評価及び付着物の種類の評価等に基づいて、液ノズルNの吐出口Na近傍の異常の有無を判定する際の具体的な手順について説明する。ここで説明する手順は図9におけるステップS03~ステップS06の具体的な手順の一つの手法である。 Therefore, with reference to FIGS. 13 to 16, a specific procedure for determining the presence or absence of an abnormality in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N based on the evaluation of the adhesion position of the adhering matter and the evaluation of the type of the adhering matter will be described. The procedure described here is one of the specific procedures of steps S03 to S06 in FIG.

図14~図16では、図12と同様に液ノズルNの吐出口Naの下端を撮像した画像を用いた具体例を示している。ただし、図11で説明した液ノズルNの吐出口Naを斜め下から撮像した画像を検査画像とした場合でも同様の手順を行うことができる。また、液ノズルNの吐出口Na近傍の側面の全周を撮像した画像を検査画像とした場合でも、同様の手順を行うことができる。ただし、検査画像における液ノズルNの向きによっては液ノズルNの吐出口Naの下面の付着物は検出が困難である等、検査画像における液ノズルNの向きによって、異常判定を行う対象となる場所(液ノズルNの側面、下端等)が変化し得る。 14 to 16 show specific examples using an image of the lower end of the discharge port Na of the liquid nozzle N as in FIG. However, the same procedure can be performed even when an image of the discharge port Na of the liquid nozzle N described in FIG. 11 is captured obliquely from below as the inspection image. The same procedure can be performed even when an image obtained by imaging the entire circumference of the side surface of the liquid nozzle N in the vicinity of the discharge port Na is used as the inspection image. However, depending on the orientation of the liquid nozzle N in the inspection image, it may be difficult to detect deposits on the lower surface of the discharge port Na of the liquid nozzle N. For example, depending on the orientation of the liquid nozzle N in the inspection image, the location subject to abnormality determination (side surface, bottom end, etc. of the liquid nozzle N) may change.

まず、制御部CU2は、ステップS21を実行する。ステップS21では、制御部CU2は、記憶部CU1に保持されている基準画像と検査画像とから差分を算出する。この手順は、ステップS11と同様である。 First, the control unit CU2 executes step S21. At step S21, the control unit CU2 calculates a difference between the reference image and the inspection image held in the storage unit CU1. This procedure is similar to step S11.

次に、制御部CU2は、ステップS22を実行する。ステップS22では、制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍のノズル形状情報に基づいて液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の付着位置を推定する。ノズル形状情報とは、液ノズルNの形状を特定するものである。本実施形態では、液ノズルNの下端部の外形、すなわち下端部の輪郭がノズル形状情報となるが、例えば、検査画像における液ノズルNの向きによっては、その他の部分の形状を特定する情報がノズル形状情報となり得る。すなわち、ノズル形状情報とは、付着物が付着していない状態でのノズルの形状を特定することができる情報をいう。
図12(c)に示したように、基準画像と検査画像との差分画像では、液ノズルNの吐出口Naの下端の輪郭を特定することができる。すなわち、図14(a)に示すように、差分画像から液ノズルNの吐出口Naの下端の輪郭、すなわち、下端面の内壁との境界部と、外壁との境界部と、を特定することができる。なお、ノズル形状情報は、差分画像から取得することに代えて、予め制御装置CUの記憶部CU1において対応する情報を保持しておく態様としてもよい。撮像部26により撮像される液ノズルNの吐出口Na近傍の画像は、上記のように撮像位置が基本的に決まっているものである。したがって、検査画像における液ノズルNの吐出口Naの下端の位置は基本的に変わらないものとして、予め検査画像に含まれる液ノズルNの吐出口Naのノズル形状情報を保持しておくこととしてもできる。
Next, the control unit CU2 executes step S22. In step S22, the control unit CU2 estimates the adhering position of the adhering matter in the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N based on the nozzle shape information in the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N. FIG. The nozzle shape information specifies the shape of the liquid nozzle N. FIG. In this embodiment, the outer shape of the lower end of the liquid nozzle N, that is, the contour of the lower end, is the nozzle shape information. That is, the nozzle shape information is information that can specify the shape of the nozzle in a state where no deposit is attached.
As shown in FIG. 12C, the contour of the lower end of the ejection port Na of the liquid nozzle N can be specified in the difference image between the reference image and the inspection image. That is, as shown in FIG. 14A, the outline of the lower end of the ejection port Na of the liquid nozzle N, that is, the boundary portion with the inner wall and the boundary portion with the outer wall of the lower end surface can be specified from the differential image. Note that the nozzle shape information may be stored in advance in the storage unit CU1 of the control unit CU instead of being acquired from the difference image. The imaging position of the image near the discharge port Na of the liquid nozzle N captured by the imaging unit 26 is basically determined as described above. Therefore, the position of the lower end of the ejection port Na of the liquid nozzle N in the inspection image is basically unchanged, and the nozzle shape information of the ejection port Na of the liquid nozzle N included in the inspection image can be held in advance.

上記のようにノズル形状情報を用いると、差分画像において輝度値が高い領域となる付着物が付着した領域が、液ノズルNの内壁側にあるのか外壁側にあるのかを推定することができる。すなわち、差分画像に含まれるノズル形状情報を用いて、付着物の付着位置を推定することができる。なお、本実施形態では、この段階の付着物の付着位置の推定とは付着位置が内壁側/外壁側のどちらである場合について説明している。しかしながら、より詳細な付着位置として、例えば、液ノズルNの中心を基準としてどちらの方向に付着物があるか、液ノズルNの吐出口Naからの距離がどの程度の位置にあるか、等を推定する構成としてもよい。検査画像がどちらから撮像した画像であるかによって、画像から推定できる付着位置(上下方向、径方向での位置関係等)は変化し得る。 By using the nozzle shape information as described above, it is possible to estimate whether the area where the attached matter, which is the area with the high luminance value in the difference image, is on the inner wall side or the outer wall side of the liquid nozzle N. That is, it is possible to estimate the adhesion position of the deposit using the nozzle shape information included in the difference image. In the present embodiment, the estimation of the adhering position of the adhering matter at this stage is explained as to whether the adhering position is on the inner wall side or the outer wall side. However, as a more detailed adhesion position, for example, it is possible to estimate in which direction the adhered matter is located with respect to the center of the liquid nozzle N, how far the distance from the discharge port Na of the liquid nozzle N is, and the like. Depending on which direction the inspection image was taken, the adhesion position (positional relationship in the vertical direction, radial direction, etc.) that can be estimated from the image may change.

次に、制御部CU2は、ステップS23を実行する。ステップS23では、制御部CU2は、付着位置毎に付着物が撮像されたピクセルの数から付着物の付着量を評価する。図14(b)は、図12(c)に示す画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った後に、外壁側の付着物を撮像したと思われる領域のみを抽出した例を示している。また、図14(c)は、図12(c)に示す画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った後に、内壁側の付着物を撮像したと思われる領域のみを抽出した例を示している。このように、二値化処理を行った上で、外壁側/内壁側の付着物を撮像した領域を抽出することで、液ノズルNの外壁側/内壁側に付着した付着物の撮像したピクセルの数(ピクセル数)を算出することができる。例えば、図14(b)に示す例では、外壁側で付着物を撮像したピクセル数は12649ピクセルとカウントすることができる。また、図14(c)に示す例では、内壁側で付着物を撮像したピクセル数は5426ピクセルとカウントすることができる。このように、付着物を撮像したピクセル数、すなわち付着物を撮像した面積から付着物の付着量を評価することができる。このように算出された付着量は異常の有無を判定する際の情報として利用することができる。 Next, the control unit CU2 executes step S23. In step S23, the control unit CU2 evaluates the adhered amount of adhered matter from the number of pixels in which the adhered matter is imaged for each adhered position. FIG. 14(b) shows an example of extracting only the region where the image of the image shown in FIG. 12(c) was binarized based on a predetermined threshold value, and then the image of the adhering matter on the outer wall side was taken. Also, FIG. 14(c) shows an example of extracting only a region where the image of the image shown in FIG. 12(c) was binarized based on a predetermined threshold value, and then an image of the attached matter on the inner wall side was taken. In this way, after the binarization process is performed, the number of pixels (the number of pixels) in which the deposits on the outer wall side/inner wall side of the liquid nozzle N are captured can be calculated by extracting the imaged area of the deposits on the outer wall side/inner wall side. For example, in the example shown in FIG. 14B, 12649 pixels can be counted as the number of pixels that captured the attached matter on the outer wall side. Also, in the example shown in FIG. 14C, the number of pixels that captured the attached matter on the inner wall side can be counted as 5426 pixels. In this way, the amount of adhering matter can be evaluated from the number of pixels in which the adhering matter is imaged, that is, the area in which the adhering matter is imaged. The adhesion amount calculated in this manner can be used as information for determining the presence or absence of an abnormality.

次に、制御部CU2は、ステップS24を実行する。ステップS24では、制御部CU2は、付着物の種類を評価する。付着物の種類としては上述のように大枠として液体(液滴)と固体(固形物)とに分けられる。ステップS24では、制御部CU2は検査画像または差分画像に基づいてこの2種類を区別する。 Next, the control unit CU2 executes step S24. At step S24, the control unit CU2 evaluates the type of adhering matter. As described above, the types of deposits can be broadly classified into liquids (droplets) and solids (solids). At step S24, the control unit CU2 distinguishes between these two types based on the inspection image or the difference image.

付着物の種類を特定するための手順の一例について、図15を参照しながら説明する。図15(a)は液ノズルNの吐出口Na近傍の外壁側に液滴が付着している状態を撮像した検査画像である。図15(b)は、図15(a)に示す検査画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った画像である。一方、図15(c)は液ノズルNの吐出口Na近傍の外壁側に固形物が付着している状態を撮像した検査画像である。図15(d)は、図15(c)に示す検査画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った画像である。 An example of the procedure for identifying the type of adhering matter will be described with reference to FIG. FIG. 15(a) is an inspection image obtained by imaging a state in which liquid droplets adhere to the outer wall side near the discharge port Na of the liquid nozzle N. FIG. FIG. 15(b) is an image obtained by performing binarization processing on the inspection image shown in FIG. 15(a) based on a predetermined threshold value. On the other hand, FIG. 15(c) is an inspection image obtained by imaging a state in which a solid substance adheres to the outer wall side near the discharge port Na of the liquid nozzle N. FIG. FIG. 15(d) is an image obtained by binarizing the inspection image shown in FIG. 15(c) based on a predetermined threshold value.

図15(a)と図15(c)との比較からわかるように、液滴が付着した場合と固形物が付着した場合とでは、撮像画像においても見た目が変化する。具体的には、液滴が付着した場合は、付着物の外形がなだらかとなり光り方が一様になるため、画像上でもなだらかな形状となる。一方、固形物が付着した場合は、付着物の外形に細かい凹凸が残り得る(当然ながら固形物によってその形状は異なり得る)ことにより光り方がまばらとなり、画像上でも凹凸がはっきりと残る。上記の相違点は、図15(b)及び図15(d)に示す二値化画像においても把握することができる。したがって、付着量を評価した二値化画像を利用して、付着物の外形(凹凸)を推定することで付着物が液体であるか固体であるかを判定することもできる。なお、二値化画像ではなく、検査画像(図15(a),(c)に示す画像)から直接付着物の種類を判定する構成としてもよい。また、外形(凹凸)を推定する際に、極座標展開を行うこととしてもよい。 As can be seen from the comparison between FIG. 15(a) and FIG. 15(c), the appearance of the picked-up image changes depending on whether the droplet adheres or the solid substance adheres. Specifically, when a liquid droplet adheres, the external shape of the adhering substance becomes smooth and the way it shines is uniform, so that the image also has a smooth shape. On the other hand, when a solid substance adheres, fine unevenness may remain on the outer shape of the adhered substance (the shape may naturally differ depending on the solid substance), so that the lighting becomes sparse and the unevenness remains clearly on the image. The above difference can also be grasped in the binarized images shown in FIGS. 15(b) and 15(d). Therefore, it is also possible to determine whether the adhering matter is liquid or solid by estimating the outer shape (unevenness) of the adhering matter using the binarized image obtained by evaluating the adhering amount. It should be noted that the type of adhering matter may be determined directly from the inspection image (images shown in FIGS. 15A and 15C) instead of the binarized image. Further, when estimating the outer shape (unevenness), polar coordinate expansion may be performed.

また、上記のように付着物の外形の凹凸を基準に判定することに代えて、例えば、1つの付着物を撮像した領域の大きさ(ピクセル数)を基準に判定することとしてもよい。例えば、液滴はある程度の大きさにならないと単体で存在しないため、液滴を撮像した画像においては付着物を撮像した領域がある程度大きくなると推定できる。一方、固形物は液滴よりも小さくても単体で存在し得る。このことに基づいて、1つの付着物を撮像したと推定される連続する領域の大きさ(ピクセル数)に基づいて、所定の閾値より大きい領域には液滴が存在すると判定し、それ以外の領域には固形物が存在すると判定する構成としてもよい。このように、検査画像または検査画像から加工された画像(例えば、二値化後の画像)から、液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の種類を判定する方法は、特に限定されず、種々の方法を適用することができる。 Further, instead of determining based on the unevenness of the outer shape of the attached matter as described above, for example, determination may be performed based on the size (the number of pixels) of an imaged area of one attached matter. For example, since a droplet does not exist by itself unless it reaches a certain size, it can be estimated that the image of the droplet will have a larger area in which the adhering matter is imaged. On the other hand, a solid substance can exist alone even if it is smaller than a droplet. Based on this, based on the size (the number of pixels) of a continuous area estimated to capture one attached object, it may be determined that a liquid droplet exists in an area larger than a predetermined threshold, and that a solid substance exists in other areas. In this way, the method of determining the type of deposits in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N from the inspection image or an image processed from the inspection image (for example, the image after binarization) is not particularly limited, and various methods can be applied.

次に、制御部CU2は、ステップS25を実行する。ステップS25では、制御部CU2は、上記のステップS23,S24で得られた各種情報から異常の有無を判定する。例えば、ステップS23を実行することで、制御部CU2では付着物の付着量に係る情報を得ることができる。また、ステップS24を実行することで、制御部CU2では付着物の種類に係る情報を得ることができる。これらの情報を利用して、異常の有無を判定する態様とすることができる。 Next, the control unit CU2 executes step S25. At step S25, the control unit CU2 determines the presence or absence of an abnormality from the various information obtained at steps S23 and S24. For example, by executing step S23, the control unit CU2 can obtain information about the amount of adhered matter. Further, by executing step S24, the control unit CU2 can obtain information about the type of the adhering matter. These pieces of information can be used to determine the presence or absence of an abnormality.

付着物の付着量から異常の有無を判定する際の基準は、単純に付着物を撮像したピクセルのピクセル数としてもよいが、この構成に限定されるものではない。例えば、付着物を撮像したピクセルの輝度値(画素値)が大小に基づいて異常の有無を判定してもよい。また、付着物がどのように付着しているかについても異常の有無を判定する際の基準に含める構成としてもよい。図16は、付着物が付着している「状態」も考慮する場合も一例について説明する図である。図16では、図14(b)に示した外壁の付着物を撮像した領域を抽出した画像に対して異常の有無を判定するための2つの基準線L1,L2を追加したものである。基準線L1,L2は、それぞれ液ノズルNの吐出口Naの中心を基準としながら外壁からの距離が互いに異なる円である。すなわち、基準線L1は外壁に対して100μm外側を示す線であり、基準線L2は外壁に対して50μm外側を示す線である。この基準線L1,L2を事前に設けておき、付着物を撮像したピクセルと基準線L1,L2との位置関係から異常の有無を判定する態様とすることができる。例えば、付着物が基準線L1よりも外側に突出している場合には異常停止が必要であると判定する態様とすることができる。また、付着物が基準線L1よりも外側に突出していないが、基準線L2よりも外側に突出している場合には異常があると判定し警告を発出すると判定する態様としてもよい。また、基準線L1または基準線L2よりも外側に突出している付着物(を撮像した領域のピクセル数)が所定量よりも超えている場合には異常であると判定する態様とすることもできる。このように、異常の有無を判定する際の基準として、基準線L1,L2を利用するような構成としてもよい。 The reference for determining the presence or absence of abnormality from the amount of adhering matter may simply be the number of pixels in which the adhering matter is imaged, but is not limited to this configuration. For example, the presence or absence of abnormality may be determined based on the magnitude of the luminance value (pixel value) of the pixel that captured the attached matter. In addition, it is also possible to adopt a configuration in which the manner in which the adhered matter adheres is included in the criteria for determining the presence or absence of an abnormality. FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a case where the "state" of adhering matter is also taken into consideration. In FIG. 16, two reference lines L1 and L2 for determining the presence or absence of abnormality are added to the image obtained by extracting the area of the attached matter on the outer wall shown in FIG. 14(b). The reference lines L1 and L2 are circles whose distances from the outer wall are different from each other while the center of the discharge port Na of the liquid nozzle N is used as a reference. That is, the reference line L1 is a line indicating 100 μm outside the outer wall, and the reference line L2 is a line indicating 50 μm outside the outer wall. The reference lines L1 and L2 are provided in advance, and the presence or absence of an abnormality can be determined from the positional relationship between the reference lines L1 and L2 and the pixels that captured the attached matter. For example, it may be determined that an abnormal stop is necessary when the adhering matter protrudes outside the reference line L1. Alternatively, if the adhering matter does not protrude outside the reference line L1 but protrudes outside the reference line L2, it may be determined that there is an abnormality and issue a warning. It is also possible to adopt an aspect in which it is determined that there is an abnormality when the number of pixels in the imaged area of the attached matter protruding outside the reference line L1 or the reference line L2 exceeds a predetermined amount. In this manner, the reference lines L1 and L2 may be used as references for determining whether or not there is an abnormality.

次に、制御部CU2は、ステップS26を実行する。ステップS26では、制御部CU2は、異常の判定の結果に応じて液ノズルNの洗浄が必要と判定された場合に、判定の結果に応じた洗浄方法を選択し、洗浄を実行する。 Next, the control unit CU2 executes step S26. In step S26, when it is determined that cleaning of the liquid nozzle N is necessary according to the result of the abnormality determination, the control unit CU2 selects a cleaning method according to the determination result and performs cleaning.

具体的な洗浄方法の選択に係る制御部CU2での判断のフローの一例を図17に示す。まず、制御部CU2は、ステップS31を実行する。ステップS31では、制御部CU2は付着物の位置の特定(ステップS22)の結果に基づいて、液ノズルNの吐出口Na近傍の内壁側に汚れがあるか(付着物があるか)を判定する。この結果、内壁側に付着物があると判定された場合には、制御部CU2はステップS32を実行する。すなわち、制御部CU2は、ステップS32として、液ノズルNの内壁が洗浄可能となる方法で液ノズルNの洗浄を実施する。この場合、液ノズルN内部の洗浄と共に外壁の洗浄も行う態様とすることができる。一方、ステップ内壁側に付着物がないと判定された場合には、制御部CU2はステップS33を実行する。すなわち、制御部CU2はノズルチップの洗浄を行う。ノズルチップの洗浄とは、ノズルの外壁を主に洗浄する方法であり、内壁の洗浄を行う場合と比較して、工程数が少ない方法である。このように、付着物の付着位置に応じて洗浄方法を変更する態様としてもよい。なお、付着物の付着位置に応じた洗浄方法の選択(ステップS26)は行わずに、洗浄が必要である場合には所定の洗浄方法を実行する態様としてもよい。 FIG. 17 shows an example of the flow of determination in the control unit CU2 regarding selection of a specific cleaning method. First, the control unit CU2 executes step S31. In step S31, the control unit CU2 determines whether the inner wall near the discharge port Na of the liquid nozzle N is dirty (whether or not there is an adhering matter) based on the result of specifying the position of the adhering matter (step S22). As a result, when it is determined that there is an adhering matter on the inner wall side, the control unit CU2 executes step S32. That is, the control unit CU2 cleans the liquid nozzle N by a method that enables the inner wall of the liquid nozzle N to be cleaned in step S32. In this case, it is possible to adopt a mode in which the cleaning of the inside of the liquid nozzle N and the cleaning of the outer wall are performed. On the other hand, when it is determined that there is no deposit on the inner wall side of the step, the control unit CU2 executes step S33. That is, the control unit CU2 cleans the nozzle tip. Cleaning of the nozzle tip is a method of mainly cleaning the outer wall of the nozzle, and is a method with fewer steps than cleaning of the inner wall. In this manner, the cleaning method may be changed according to the position of the adhering matter. Alternatively, a predetermined cleaning method may be executed when cleaning is required without selecting the cleaning method according to the adhesion position of the adhering matter (step S26).

なお、上記実施形態では、図10及び図13を参照しながら2つの手順について説明した。ただし、特に液ノズルNの異常の有無の判定に関して、図10及び図13で説明する手順を制御部CU2が両方同時に行う構成としてもよいし、どちらか一方のみを行う構成としてもよい。 In the above embodiment, two procedures have been described with reference to FIGS. 10 and 13. FIG. However, regarding the determination of the presence or absence of an abnormality in the liquid nozzle N in particular, the control unit CU2 may perform both of the procedures described with reference to FIGS. 10 and 13 at the same time, or may perform only one of them.

[作用]
上記の現像処理ユニット(基板処理装置)U1及びノズル検査方法によれば、液ノズルNの吐出口Naの近傍に係る全周を撮像した検査画像に基づいて、液ノズルNの吐出口Naへの付着物の付着状態の評価が行われる。また、より詳細には、液ノズルNに付着した付着物を撮像した領域が推定され、その結果に基づいて異常の有無が判定される。このように、液ノズルNの吐出口Naの近傍に係る全周を撮像した画像に基づいた評価が行われ、その一態様として、異常の有無が判定される。したがって、付着物が付着した状態で液ノズルNが動作する可能性を低減させることができるため、ノズルの吐出口Na付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
[Action]
According to the developing processing unit (substrate processing apparatus) U1 and the nozzle inspection method described above, the state of adhesion of matter adhering to the ejection port Na of the liquid nozzle N is evaluated based on the inspection image obtained by imaging the entire circumference of the vicinity of the ejection port Na of the liquid nozzle N. Further, more specifically, the imaged area of the adhering matter adhering to the liquid nozzle N is estimated, and the presence or absence of abnormality is determined based on the result. In this way, the evaluation is performed based on the image of the entire circumference of the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N, and as one aspect of the evaluation, the presence or absence of an abnormality is determined. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the liquid nozzle N operates in a state where the deposit is attached, so that the adhesion state of the deposit near the discharge port Na of the nozzle can be evaluated more appropriately.

従来から、基板処理装置における処理液を供給する液ノズルの状態を評価する際に、画像を用いることは検討されていた。しかしながら、液ノズルを一方向から撮像した画像を用いて評価を行う構成とした場合、画像では撮像することができない場所に付着物が付着した場合には、付着物が付着していることを気付けない場合がある。このような場合、液ノズルの異常判定について誤って判定してしまう可能性がある。しかしながら、上述したように、従来は基板に対して供給される処理液の供給量が多いため、吐出初期段階の処理液と共に基板表面に落下する付着物が、基板処理において問題となる可能性が低かった。そのため、上記の構成であっても大きな問題となる可能性は少なかった。 Conventionally, it has been considered to use an image when evaluating the state of a liquid nozzle that supplies a processing liquid in a substrate processing apparatus. However, when the configuration is such that evaluation is performed using an image of the liquid nozzle captured from one direction, if the deposit adheres to a location that cannot be captured by the image, the adherence may not be noticed. In such a case, there is a possibility that the abnormality determination of the liquid nozzle is erroneously determined. However, as described above, conventionally, a large amount of the processing liquid is supplied to the substrate, so there is a low possibility that deposits falling on the substrate surface together with the processing liquid in the initial stage of ejection pose a problem in substrate processing. Therefore, even with the above configuration, there was little possibility of causing a serious problem.

これに対して、近年検討が進められている、従来の液処理と比べて基板に対して供給する処理液の供給量を低減する制御では、吐出初期段階の処理液に付着物が混合することは基板における液処理で欠陥を引き起こす可能性がある。したがって、ノズルに対する付着物の付着をより高い精度で検知する構成が求められていた。上記の基板処理装置及びノズル検査方法によれば、従来の構成と比較して、より高い精度でノズルに対する付着物の付着に係る評価を行うことができ、さらに、異常の有無を判定することを可能とする。したがって、処理液の供給量を低減した基板処理の制御にも対応可能となる。 On the other hand, in the control of reducing the amount of processing liquid supplied to the substrate compared to conventional liquid processing, which has been studied in recent years, adhering matter mixed with the processing liquid in the initial stage of ejection may cause defects in the liquid processing on the substrate. Therefore, there has been a demand for a configuration for detecting adherence of substances to nozzles with higher accuracy. According to the above-described substrate processing apparatus and nozzle inspection method, it is possible to evaluate adhesion of deposits to nozzles with higher accuracy than in the conventional configuration, and to determine the presence or absence of an abnormality. Therefore, it is possible to cope with control of substrate processing in which the supply amount of the processing liquid is reduced.

また、上記実施形態で説明したように、評価結果に基づいて液ノズルに対して実行すべき動作を判定する構成とすることで、評価結果に応じて適切な処置を実施することが可能となり、液ノズルNの異常等を考慮した適切な対応を行うことができる。 Further, as described in the above embodiment, by determining the operation to be performed on the liquid nozzle based on the evaluation result, it is possible to take appropriate measures according to the evaluation result, and to take appropriate measures in consideration of the abnormality of the liquid nozzle N.

また、上記実施形態で説明したように、検査画像において付着物を撮像した領域の画素値またはピクセル数等に基づいて付着物の付着状態を評価し、その結果に基づいて液ノズルNにおける異常の有無を判定する態様とする。このような態様とすることで、付着物の付着状態に応じて異常の有無を評価することができる。したがって、このような構成とすることで、付着物の付着状態をより適切に評価することができる。 Further, as described in the above embodiment, the adhered state of the adhering matter is evaluated based on the pixel value or the number of pixels of the area where the adhering matter is imaged in the inspection image, and the presence or absence of an abnormality in the liquid nozzle N is determined based on the result. By adopting such a mode, the presence or absence of abnormality can be evaluated according to the adhered state of the adhering matter. Therefore, by adopting such a configuration, it is possible to more appropriately evaluate the adherence state of the adhering matter.

また、上記実施形態では、検査画像から推定された液ノズルNに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定する。このような構成とすることで、液ノズルNの吐出口Na付近における付着物がどの程度強固に付着しているものであるか等を評価でき、付着状態をより適切に評価することができる。 Further, in the above-described embodiment, it is estimated whether the adhering matter adhering to the liquid nozzle N estimated from the inspection image is liquid or solid. By adopting such a configuration, it is possible to evaluate how firmly the deposits are adhered in the vicinity of the discharge port Na of the liquid nozzle N, and to evaluate the adhesion state more appropriately.

また、上記実施形態では、検査画像に基づいて、付着物の付着位置を推定することにより、当該付着物が液ノズルNを使用した処理にどの程度影響を与えるか等をより精度よく評価できることができる。特に、付着物が液ノズルNの内壁側及び外壁側のどちらに付着しているかに応じて、付着物が処理液と共に排出されるリスクも変わり得る。したがって、付着物が液ノズルNの内壁側及び外壁側のどちらに付着しているかを推定する構成を有することで、より付着物が基板処理に与える影響をより適切に評価することができる。 In addition, in the above embodiment, by estimating the adhesion position of the adhering matter based on the inspection image, it is possible to more accurately evaluate how much the adhering matter affects the processing using the liquid nozzle N. In particular, depending on whether the deposit is attached to the inner wall side or the outer wall side of the liquid nozzle N, the risk of the deposit being discharged together with the processing liquid may change. Therefore, by having a configuration for estimating on which of the inner wall side and the outer wall side of the liquid nozzle N the adhering matter is attached, the influence of the adhering matter on the substrate processing can be evaluated more appropriately.

また、上記実施形態では、評価制御での評価結果に基づいて液ノズルNの洗浄方法を選択する構成としている。このような構成とすることで、付着物の付着状況に応じた適切な洗浄を行うことが可能となる。したがって、液ノズルNからの付着部の除去を好適に行うことができる。 Further, in the above-described embodiment, the cleaning method for the liquid nozzle N is selected based on the evaluation result of the evaluation control. By adopting such a configuration, it is possible to perform appropriate cleaning according to the adhesion state of the adhering substances. Therefore, it is possible to remove the adhering portion from the liquid nozzle N favorably.

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。 While various exemplary embodiments have been described above, various omissions, substitutions, and modifications may be made without being limited to the exemplary embodiments described above. Also, elements from different embodiments can be combined to form other embodiments.

例えば、上記実施形態では、制御装置CUの制御部CU2において、ノズル検査に係る制御を行う場合について説明した。しかしながらノズル検査に係る制御を行う機能部は、1つの装置に集中してもよいし、複数の装置に分散配置されていてもよい。 For example, in the above embodiment, the control unit CU2 of the control unit CU controls the nozzle inspection. However, the functional units that perform nozzle test-related control may be concentrated in one device, or may be dispersedly arranged in a plurality of devices.

また、液ノズルN及びその吐出口Naの形状は適宜変更することができる。吐出口Naの形状によって、撮像部26の構成を変更することができる。また、液ノズルNの形状に応じて検査画像として使用する画像を変更することができる。 Also, the shapes of the liquid nozzle N and its discharge port Na can be changed as appropriate. The configuration of the imaging unit 26 can be changed depending on the shape of the ejection port Na. Also, the image used as the inspection image can be changed according to the shape of the liquid nozzle N. FIG.

また、検査画像から付着物を撮像した領域を推定する方法は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、液ノズルNの吐出口Naの真下から撮像した画像については、吐出口Naの下端(下面)の付着物について評価を行うことについては説明をしていない。これに対して、例えば、検査画像における各ピクセルの輝度値の分布等に基づいて下端の付着物についても評価を行う構成としてもよい。また、上記実施形態では、基準画像を利用して生成した差分画像に基づいて異常の判定を行う場合について説明したが、差分画像を利用しない構成としてもよい。また、基準画像も利用しない構成としてもよい。 Further, the method of estimating the area where the attached matter is imaged from the inspection image is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, regarding an image captured from directly below the ejection port Na of the liquid nozzle N, the evaluation of the deposits on the lower end (lower surface) of the ejection port Na is not described. On the other hand, for example, it is also possible to adopt a configuration in which deposits on the lower edge are also evaluated based on the distribution of luminance values of each pixel in the inspection image. Further, in the above-described embodiment, a case has been described in which an abnormality is determined based on a difference image generated using a reference image, but a configuration that does not use a difference image is also possible. Also, the configuration may be such that the reference image is not used either.

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。 From the foregoing description, it will be appreciated that various embodiments of the present disclosure have been set forth herein for purposes of illustration, and that various changes may be made without departing from the scope and spirit of the present disclosure. Therefore, the various embodiments disclosed herein are not intended to be limiting, with a true scope and spirit being indicated by the following claims.

1…塗布・現像装置、26…撮像部、27…カメラ、28…ミラー、CU…制御装置、CU1…記憶部、CU2…制御部、D…表示部、N…液ノズル、Na…吐出口、U1…現像処理ユニット(基板処理装置)、W…ウエハ(基板)、Wa…表面。 Reference Signs List 1 Coating/developing device 26 Imaging unit 27 Camera 28 Mirror CU Control device CU1 Storage unit CU2 Control unit D Display unit N Liquid nozzle Na Discharge port U1 Development processing unit (substrate processing apparatus) W Wafer (substrate) Wa Surface.

Claims (12)

下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、
前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、
前記評価制御での評価結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する判定制御と、を実行し、
前記画像取得制御において、前記検査画像と、前記付着物が付着してない状態での前記吐出口近傍の全周の画像である基準画像との差分画像を算出し、
前記評価制御において、前記差分画像における輝度値の平均値を算出し、
前記判定制御において、前記平均値が閾値以上であるか否かに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、基板処理装置。
a liquid nozzle for ejecting the processing liquid from the ejection port to the substrate below;
an imaging unit that captures an image of the entire periphery of the liquid nozzle in the vicinity of the ejection port;
a control unit;
The control unit
image acquisition control for acquiring an inspection image of the entire circumference related to the vicinity of the discharge port of the liquid nozzle imaged by the imaging unit;
evaluation control for evaluating a state of adherence of matter adhering to the ejection port of the liquid nozzle from an inspection image of the entire circumference related to the vicinity of the ejection port of the liquid nozzle;
executing determination control for determining an operation to be performed on the liquid nozzle based on the evaluation result of the evaluation control ;
In the image acquisition control, calculating a difference image between the inspection image and a reference image, which is an image of the entire circumference of the vicinity of the ejection port in a state where the adhering matter is not adhered;
In the evaluation control, calculating an average value of luminance values in the difference image;
In the determination control, the substrate processing apparatus determines an operation to be performed on the liquid nozzle based on whether the average value is equal to or greater than a threshold.
前記制御部は、The control unit
前記評価制御において、前記ノズルの形状を特定するノズル形状情報と、前記差分画像における輝度値とに基づいて、前記ノズルにおいて前記付着物が付着した領域を推定し、In the evaluation control, based on nozzle shape information specifying the shape of the nozzle and luminance values in the difference image, estimating a region where the deposit adheres to the nozzle,
前記判定制御において、前記付着物が付着した領域の推定結果に更に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、請求項1に記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein, in said determination control, an operation to be performed with respect to said liquid nozzle is determined further based on a result of estimating an area to which said adhering matter adheres.
前記制御部は、前記評価制御において、前記ノズル形状情報を用いて、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの内壁側の領域を含むか否かと、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの外壁側の領域を含むか否かとを推定する、請求項2に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein in the evaluation control, the control unit uses the nozzle shape information to estimate whether or not the area where the deposit adheres includes an area on the inner wall side of the liquid nozzle, and whether or not the area where the deposit adheres includes an area on the outer wall side of the liquid nozzle. 前記制御部は、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの内壁側の領域を含むか否かの推定結果と、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの外壁側の領域を含むか否かの推定結果とに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作として、前記液ノズルの洗浄方法を選択する、請求項3に記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit selects a cleaning method for the liquid nozzle as an operation to be executed for the liquid nozzle based on an estimation result of whether the area to which the deposit is attached includes an area on the inner wall side of the liquid nozzle and an estimation result of whether the area to which the deposit is attached includes an area on the outer wall side of the liquid nozzle. 前記制御部は、前記評価制御において、前記差分画像に二値化処理を行い、前記二値化処理を行った前記差分画像に基づいて、前記付着物が付着した領域を推定する、請求項2に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein in the evaluation control, the control unit performs binarization processing on the difference image, and estimates an area where the deposit adheres on the basis of the binarization processing on the difference image. 前記制御部は、
前記評価制御において、前記検査画像から推定された前記液ノズルに付着した付着物を撮像した領域の外形または大きさに基づいて、前記液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定し、
前記判定制御において、前記付着物が液体であるか固体であるかを推定した結果に更に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The control unit
in the evaluation control, based on the outer shape or size of the imaged area of the adherent adhered to the liquid nozzle estimated from the inspection image, estimating whether the adherent adhered to the liquid nozzle is liquid or solid;
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein, in said determination control, an operation to be performed on said liquid nozzle is determined further based on a result of estimating whether said adhering matter is liquid or solid.
前記撮像部は、複数のカメラを有し、The imaging unit has a plurality of cameras,
前記複数のカメラは、前記ノズルの前記吐出口近傍において周方向に均等に配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said plurality of cameras are evenly arranged in the circumferential direction in the vicinity of said ejection port of said nozzle.
前記撮像部は、カメラと、ミラーと、を有し、The imaging unit has a camera and a mirror,
前記ミラーは、前記ノズルの前記吐出口の下方に配置され、The mirror is arranged below the outlet of the nozzle,
前記カメラは、前記ミラーの反射面と対向するように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said camera is arranged so as to face the reflecting surface of said mirror.
前記ノズルの前記吐出口の下方に配置され、前記基板を支持するための支持部を更に備え、further comprising a support portion disposed below the ejection port of the nozzle for supporting the substrate;
前記撮像部は、カメラを有し、The imaging unit has a camera,
前記カメラは、前記支持部に支持された前記基板の前記吐出口側の表面と対向するように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said camera is arranged so as to face the surface of said substrate supported by said support portion on the side of said ejection port.
前記撮像部は、カメラと、ミラーと、前記吐出口及び前記基板が対向する方向と垂直な方向に延在するアームと、を有し、The imaging unit has a camera, a mirror, and an arm extending in a direction perpendicular to a direction in which the ejection port and the substrate face each other,
前記カメラは、前記アームの一端に接続され、 the camera is connected to one end of the arm;
前記ノズルは、前記アームの他端に接続され、 the nozzle is connected to the other end of the arm;
前記ミラーは、前記カメラに対して死角となる前記ノズルの側面の外壁が写るように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said mirror is arranged so as to reflect an outer wall on a side surface of said nozzle, which is a blind spot with respect to said camera.
下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルを有する基板処理装置に係るノズル検査方法であって、
前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像を取得し、
前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行い、
前記付着状態の評価の結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定し、
前記検査画像を取得することにおいて、前記検査画像と、前記付着物が付着してない状態での前記吐出口の近傍の全周の画像である基準画像との差分画像を算出し、
前記付着状態の評価を行うことにおいて、前記差分画像における輝度値の平均値を算出し、
前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定することにおいて、前記平均値が閾値以上であるか否かに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、ノズル検査方法。
A nozzle inspection method for a substrate processing apparatus having a liquid nozzle for discharging a processing liquid from a discharge port to a substrate below, comprising:
Acquiring an inspection image obtained by imaging the entire periphery of the liquid nozzle in the vicinity of the ejection port;
Evaluating a state of adherence of matter adhering to the ejection port of the liquid nozzle from an inspection image of the entire periphery in the vicinity of the ejection port of the liquid nozzle,
determining an operation to be performed on the liquid nozzle based on the evaluation result of the adhesion state;
In obtaining the inspection image, calculating a difference image between the inspection image and a reference image that is an image of the entire periphery of the vicinity of the ejection port in a state where the deposit is not adhered;
In evaluating the adhesion state, calculating the average value of the luminance values in the difference image,
A nozzle inspection method, wherein, in determining the operation to be performed on the liquid nozzle, the operation to be performed on the liquid nozzle is determined based on whether or not the average value is equal to or greater than a threshold value.
請求項11に記載のノズル検査方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 A computer-readable storage medium storing a program for causing an apparatus to execute the nozzle inspection method according to claim 11 .
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202347550A (en) * 2022-03-29 2023-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate processing apparatus, inspection method therefor, and substrate processing system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007021910A (en) 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc Liquid delivery apparatus and method for discharging liquid
JP2015062876A (en) 2013-09-26 2015-04-09 株式会社Screenホールディングス Ejection inspection device and substrate processing apparatus
JP2015153903A (en) 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing method, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
JP2018026505A (en) 2016-08-12 2018-02-15 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method and cleaning device of wetting nozzle
JP2018051432A (en) 2016-09-26 2018-04-05 セイコーエプソン株式会社 Droplet discharge device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08141464A (en) * 1994-11-17 1996-06-04 Hitachi Techno Eng Co Ltd Paste applying machine
JP4273572B2 (en) 1999-05-25 2009-06-03 株式会社ニコン X-ray generator, X-ray exposure apparatus having the same, and X-ray generation method
JP2003154301A (en) * 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp Applicator and application method
JP2004226272A (en) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp Method and apparatus for detecting stain defect
JP2007289796A (en) * 2006-04-20 2007-11-08 Yamaha Motor Co Ltd Coating apparatus
JPWO2009072483A1 (en) * 2007-12-05 2011-04-21 株式会社ニコン Observation apparatus and observation method
JP2010119954A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Hitachi High-Technologies Corp Functional liquid application apparatus, and apparatus and method for exchanging functional liquid supply head
JP5304474B2 (en) 2009-06-22 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP5459279B2 (en) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
KR101673061B1 (en) * 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2015148447A (en) * 2014-02-04 2015-08-20 東レエンジニアリング株式会社 Automatic visual inspection apparatus
JP6340204B2 (en) 2014-02-14 2018-06-06 エイブリック株式会社 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6035279B2 (en) * 2014-05-08 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 Film thickness measuring apparatus, film thickness measuring method, program, and computer storage medium
JP6423672B2 (en) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2016114264A1 (en) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社村田製作所 Drip amount measurement device, drip amount controller, intravenous drip device, and droplet volume measurement device
JP6686712B2 (en) * 2016-06-08 2020-04-22 大日本印刷株式会社 Spout inspection device and spout inspection method
JP2018187792A (en) * 2017-04-28 2018-11-29 セイコーエプソン株式会社 Liquid discharge device and operation method for liquid discharge device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007021910A (en) 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc Liquid delivery apparatus and method for discharging liquid
JP2015062876A (en) 2013-09-26 2015-04-09 株式会社Screenホールディングス Ejection inspection device and substrate processing apparatus
JP2015153903A (en) 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing method, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium
JP2018026505A (en) 2016-08-12 2018-02-15 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method and cleaning device of wetting nozzle
JP2018051432A (en) 2016-09-26 2018-04-05 セイコーエプソン株式会社 Droplet discharge device

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