JP7313387B2 - プラズマ点源のアレイによってワークピースを処理するためのプラズマリアクタ - Google Patents
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Description
本開示は、半導体ウェハ等のワークピースのプラズマ処理、及び処理の不均一性の低減に関する。
従来のプラズマ処理では、処理されるウェハは、異なるエッチング環境に起因する局所的な非均一性(まさに、非均一な応力、(堆積プロセスに対する)非均一な膜組成、非均一なCD(構造のクリティカルディメンジョン))に苦しむ可能性がある。これは、入ってくるウェハ間の違い又は(例えば、回転するウェハが前縁部と後縁部の半径方向の滞留時間差又は異なる局所的温度を見るカルーセルスタイルの処理チャンバ内において)処理チャンバの特性の違いに起因する可能性がある。
プラズマ源は、独立して制御される多数の局所的プラズマ点源又は局所的プラズマ点源のアレイからなり、これはユーザ定義の領域上で荷電粒子種(電子、負イオン及び正イオン)の空間的及び時間的な制御を可能にする。
図1A及び図1Bは、RF周波数を使用して容量結合された複数のプラズマ点源90を有する一実施形態を示す。点源90は、様々な構成(例えば、円形(図2A)又はパイ形状(図2B))で配置することができる。図1Aの実施形態は、円筒形の側壁102、下部天井104、及び床部106によって囲まれる処理ゾーン92を有する処理チャンバ本体100を含む。ワークピース支持体94は、処理ゾーン92内でワークピース96を支持する。真空ポンプ108は、床部106を介して処理ゾーン92に結合することができる。上部円筒側壁126上に支持される上部天井110は、下部天井104の上にあり、ガス分配器112を支持する。下部天井104は、ガス出口孔114のアレイを含む。図1Aの実施形態では、点源90は、誘電体円筒形キャビティ壁116に囲まれた円筒形キャビティ115のアレイであり、誘電体円筒形キャビティ壁116は、各々が円筒形側壁102の対称軸に対して平行で、ガス出口孔114のそれぞれ1つの誘電体と整列されている。円筒形キャビティ壁116は、それぞれの円筒形電極118によって囲まれている。
電源124は、異なるモードで各プラズマ点源90に電力を供給することができる。第1のモードでは、各プラズマ点源90は、電力の一定量を消費し、制御システムは、電気スイッチ262のアレイを用いてプラズマ点源に供給される電力をスイッチオン又はオフする。一例では、各点源は、それがオンのとき、約3ワットの一定量を消費する。電気スイッチ262のアレイは、基本的に命令で個々のプラズマの点源90に電力を印加する。プラズマ密度は、いくつのプラズマ点源90がオンされているかの関数である。このように、各プラズマ点源90へ送出される正味の電力は、パルス幅の変更によって制御することができる。
主な利点は、荷電粒子及び高エネルギーラジカルの生成の空間的・時間的における完全なる制御である。これは、局所的な荷電粒子及び高エネルギーラジカルの分布に対する空間的及び時間的制御を可能にする。
Claims (10)
- プラズマリアクタであって、
対称軸を有する下部処理部と、下部処理部から上方へ延びるキャビティのアレイとを有する処理チャンバであって、
各キャビティは細長く、下部処理部の対称軸に平行に延び、
各キャビティは他の各キャビティの外側に配置されており、
下部処理部から上方へ延びるキャビティのアレイを画定する複数の誘電体キャビティ壁と、複数の誘電体キャビティ壁の下縁に固定され、下部処理部の天井となる導電性下部プレートを備えている処理チャンバと、
処理チャンバの下部処理部内のワークピース支持体と、
異なるガス種の複数のガス源と、
複数のガス入口であって、各ガス入口はそれぞれのキャビティに開口している複数のガス入口と、
複数のガス源を複数のガス入口に結合するガス分配器であって、
ガス分配器は、それぞれのガス入口のためのそれぞれのバルブを有する複数のバルブを備え、
それぞれのバルブは、それぞれのガス入口を複数のガス源のうちの1つに選択的に接続しているガス分配器と、
電源と、
それぞれのキャビティごとにそれぞれの導体を備える導体のアレイであって、
それぞれの導体はキャビティのアレイのそれぞれの単一のキャビティに隣接して囲んでいる導体のアレイと、
電源と導体のアレイとの間に結合された電力分配器であって、
電力分配器は、電源の出力と導体のアレイとの間に結合された複数のスイッチを備え、
複数のスイッチはそれぞれの導体ごとにスイッチを備えている電力分配器と、
ユーザ定義の指示に従って、複数のバルブを個別に制御し、複数のスイッチを個別に制御して、処理チャンバの下部処理部から上方へ延びる複数のキャビティの各々においてガス種及びプラズマ生成の独立した制御を提供するプロセッサとを備えるプラズマリアクタ。 - 処理チャンバは、複数の誘電体キャビティ壁の上縁に固定され、キャビティのアレイの天井となる導電性上部プレートを備えている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 電源はRF電力発生器を備え、それぞれの導体は、対応するそれぞれのキャビティの内部から、誘電体キャビティ壁のうちの対応するそれぞれの1つによって分離されている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 導体のアレイは、RF電力をキャビティのアレイに容量結合するための電極のアレイである、請求項3に記載のプラズマリアクタ。
- 電極のアレイの各電極は円筒を形成し、円筒は対称軸に平行な軸を有し、それぞれのキャビティを囲んでいる、請求項4に記載のプラズマリアクタ。
- 導体のアレイは、RF電力をキャビティのアレイに誘導結合するためのコイルアンテナのアレイである、請求項3に記載のプラズマリアクタ。
- コイルアンテナのアレイの各コイルアンテナは、対称軸に平行な軸を有する円筒の形に巻かれたコイルを形成している、請求項6に記載のプラズマリアクタ。
- 処理チャンバは、下部処理部から上方へ延びるキャビティのアレイの一部を画定する複数の導電性キャビティ壁を備え、
導電性キャビティ壁は導体のアレイを提供している、請求項3に記載のプラズマリアクタ。 - 電源は直流電力発生器であり、
導体のアレイの各導体は直流放電用の電極である、請求項8に記載のプラズマリアクタ。 - 処理チャンバは複数の誘電体キャビティ壁を備え、誘電体キャビティ壁は導電性キャビティ壁の上と下に配置されている、請求項8に記載のプラズマリアクタ。
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