JP7312840B2 - 広いビデオ帯域幅のｒｆパワーアンプ - Google Patents

広いビデオ帯域幅のｒｆパワーアンプ Download PDF

Info

Publication number
JP7312840B2
JP7312840B2 JP2021545293A JP2021545293A JP7312840B2 JP 7312840 B2 JP7312840 B2 JP 7312840B2 JP 2021545293 A JP2021545293 A JP 2021545293A JP 2021545293 A JP2021545293 A JP 2021545293A JP 7312840 B2 JP7312840 B2 JP 7312840B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
damping resistor
power amplifier
video bandwidth
power device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021545293A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022518866A (ja
Inventor
強 馬
勇 張
Original Assignee
蘇州遠創達科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 蘇州遠創達科技有限公司 filed Critical 蘇州遠創達科技有限公司
Publication of JP2022518866A publication Critical patent/JP2022518866A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7312840B2 publication Critical patent/JP7312840B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/647—Resistive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/552—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being made for video applications
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、無線通信技術分野に関し、特に、広いビデオ帯域幅のＲＦパワーアンプに関する。
無線通信システムにおける無線周波数フロントエンドの重要なコアモジュールの一つとして、パワーアンプは、通信システムの全体的な性能に重大な影響を与えている。最先端の無線通信システムは、ますます増加するデータ速度と帯域幅が必要となっている。信号帯域幅は、ＲＦパワーデバイスの無制限の増幅を制限する。信号帯域幅及びビデオ帯域幅（低周波数）は、無線通信システムの線形性要件を満たすのが非常に重要である。ここでのビデオ帯域幅は、デジタルプリディストーションシステム性能の向上を制限する主な要因である。
現在、ＲＦパワーデバイスのビデオ帯域幅を増やすため、図１に示されるように、パワーデバイスの内部構造に電子部品を設置してパワーデバイス内部の電子部品間にデカップリングＬＣ回路を形成し、等価回路図を図２に示す。しかしながら、従来の主流の高出力ＲＦパワーアンプ内において、そのパワーデバイスは、一般的にセラミックパッケージ構造が採用され、このセラミックパッケージ構造の内部空間が限られており、外方に拡張することができないため、スペース及びＬＣ回路（大型コンデンサ・小型インダクタ）サイズによって制限され、第２コンデンサ５’の厚さが非常に厚くなることが多くなるため、キャリアフランジに溝を設ける必要があり、加工工程が面倒で、コストも高くなる。第２コンデンサ５’と接続するリード線は、インダクタンスＬｖを形成し、Ｌｖと回路内のマッチングする並列インダクタンスＬｄ＋Ｌｓが等価インダクタンスを共に形成し、（Ｌｄ＋Ｌｓ）＞＞Ｌｖであるため、等価インダクタンスがＬｖにほぼ等しいため、ビデオ帯域幅は下式で表される通りである。したがって従来のパワーデバイスの構造は、ビデオ帯域幅の最大化の実現が非常に困難であった。
Figure 0007312840000001
上記技術的課題に着目し、本発明の目的は、加工工程が簡単で、同時にビデオ帯域幅の最大化を実現する広いビデオ帯域幅のＲＦパワーアンプを提供することである。
本発明は、従来の技術的課題を解決するために以下のような技術的手段を講じた。
広いビデオ帯域幅のＲＦパワーアンプであって、パワーデバイスと、放熱板と、を備え、
前記パワーデバイスは、キャリアフランジを備え、前記キャリアフランジにトランジスタ及びデカップリング回路モジュールが貼設され、前記トランジスタ及びデカップリング回路モジュールがリード線で接続され、
前記パワーデバイスは、放熱板の上に溶着され、
ここで、前記デカップリング回路モジュールは、第１コンデンサと、第２コンデンサと、ダンピング抵抗器と、を少なくとも備え、前記ダンピング抵抗器が第１コンデンサ及び第２コンデンサに接続され、前記第１コンデンサ、第２コンデンサ及びダンピング抵抗器が多層共焼成セラミック材料スタックによって作製され、前記第１コンデンサ及びダンピング抵抗器のインダクタンスはビデオＬＣ共振回路を形成し、前記第２コンデンサがダンピング抵抗器及びリード線と直列に接続してインダクタンスを形成した後、回路内の直列等価インダクタンスＬｓと超低周波共振回路を構成する。
好ましい技術的手段として、前記第１コンデンサの静電容量値は、１００ｐＦより大きい。
好ましい技術的手段として、前記第２コンデンサの静電容量値は、１０ｎＦより大きい。
好ましい技術的手段として、前記ダンピング抵抗器は、０．１Ω～５Ωの範囲である。
好ましい技術的手段として、パワーデバイスを覆い、放熱板に固定され、放熱板と閉じた空洞を形成する保護カバーをさらに備える。
従来技術内の技術的手段と比較して、本発明は、次の利点を有する。
パワーデバイスのビデオ帯域幅を増やすため、増設されるデカップリング回路モジュールは、多層共焼成セラミック材料スタックによって作製され、第１コンデンサと、ダンピング抵抗器を介して接続された第２コンデンサと、を備え、パワーデバイス内に設けられ、パワーデバイス及びデカップリング回路モジュールを図３に示す等価回路に簡略化できる。第２コンデンサは、ＬＣデカップリング回路内のデカップリング電容を形成し、リード線と接続してＬＣデカップリング回路内のデカップリングインダクタンスを形成し、第１コンデンサ回路の上で第２コンデンサと直列に接続されたダンピング抵抗器と直接接続し、従来技術内の配線インダクタンスＬｖが存在しないため、この構造はビデオ帯域幅の最大化の実現に有利となる。
同時に、この構造は、キャリアフランジに溝を設ける必要がなく、加工工程が簡単でコストも安くなる。
以下、図面及び実施例を参照しつつ本発明をさらに説明する。
従来技術における広いビデオ帯域幅のＲＦパワーアンプの上面図である。 本発明の従来技術における広いビデオ帯域幅のＲＦパワーアンプの等価回路図である。 本発明の実施例の等価回路図である。 本発明の実施例に係るＲＦパワーアンプの上面図である。 図４に示すＲＦパワーアンプのＡ－Ａ線に沿った断面図である。 本発明のデカップリング回路モジュールの概略構成図である。
以下に、具体的実施例と併せて上記技術的手段をさらに説明する。これらの実施例は、本発明を説明するために使用され、本発明の範囲を限定することを意図したものではないことを理解されたい。実施例内で用いられている実施条件は、業者の条件に基づいてさらに調整することができ、明示されていない実施条件は通常従来試験中の条件である。
図３、図４、図５及び図６に示すように、前記ＲＦパワーアンプは、パワーデバイス１と、放熱板３と、を備え、図４に示すように、パワーデバイス１は放熱板３の上に溶着される。
パワーデバイス１は、キャリアフランジ１１を備え、キャリアフランジ１１にトランジスタ及びデカップリング回路モジュール１０が貼設され、トランジスタが複数のトランジスタチップ１３で接続され、トランジスタとデカップリング回路モジュール１０がリード線１２を通じて接続され溶接機器を通じてキャリアフランジ１１に溶接され、パワーデバイス１の内部に設けることができる。
図６に示すように、デカップリング回路モジュール１０は、第１コンデンサ１４と、第２コンデンサ２２と、ダンピング抵抗器１５と、を備え、ダンピング抵抗器１５が第１コンデンサ１４及び第２コンデンサ２２に接続され、第１コンデンサ１４、第２コンデンサ２２及びダンピング抵抗器１５が多層共焼成セラミック材料スタックによって作製され、好ましくはパッケージに作製される。共焼成セラミック材料は、多層高温共焼成セラミック材料及び／又は多層低温共焼成セラミック材料を含み得、本実施例の具体的実施例は、上部の多層（図では２層として示されている）が誘電率の小さな材料で構成された第１コンデンサＣｄ１４であり、下部の多層が誘電率の大きな材料で構成された第２コンデンサＣｖ２２であり、もちろん、接地層も含まれている。なおダンピング抵抗器１５は、モジュール内に設けることができ、最上層等に設けられてもよい。
第１コンデンサＣｄ１４は、無線周波数ＤＣブロッキングコンデンサである。
よって、パワーデバイス１とデカップリング回路モジュール１０で構成される回路は、図３に示す等価回路に簡略化されることができ、異なる周波数でこれらの等価回路内に３つの共振回路を出現させることができる。
ここで、第１の共振回路は、トランジスタの出力寄生容量とリード線１２によって形成されたインダクタンスＬｄで構成された無線周波数共振回路である。
第２の共振回路は、第２コンデンサＣｖがダンピング抵抗器Ｒｄ及びインダクタンスＬｄと直列に接続した後に回路内の直列等価インダクタンスＬｓと構成された超低周波共振回路であり、前記共振回路の式が次に表され、
Figure 0007312840000002
 ダンピング抵抗器は、超低周波数範囲内（＜５０ＭＨｚ）の振幅と位相を含むインピーダンス変化を効果的に滑らかにすることができる。滑らかな振幅と位相は、滑らかな振幅と位相は、メモリー効果が低くなる。パワーアンプの線形性及びデジタルプリディストーションシステム性能を向上させる上で重要な役割を果たす。
第３の共振回路は、第１コンデンサＣｄ１４とダンピング抵抗器のインダクタンスＬ（Ｒｄ）で構成されたビデオＬＣ共振回路であり、第１コンデンサＣｄ１４がビデオデカップリング電容であり、
Figure 0007312840000003
 上記ビデオ帯域幅の公式から分かるように、ダンピング抵抗器Ｒｄのインダクタンスが極めて小さいため、ビデオ帯域幅は理論的においてある程度拡大された。
具体的実施例として、第１コンデンサは、１００ｐＦより大きくてもよい。
第２コンデンサは、１０ｎＦより大きくてもよい。
なお、ダンピング抵抗器は、０．１Ω～５Ωの範囲にすることができる。
また、パワーデバイス１内部の電子部品を保護するため、図５に示すように、パワーデバイスの外部に保護カバー５をさらに設けてもよい。前記保護カバー５は、入出力ピン２に固定され、入出力ピン２と閉じた空洞を形成する。前記保護カバー５は、パワーデバイス１内の全ての電子部品を覆い、パワーデバイス１を保護し、雑物がパワーデバイス１に入らないよう保護するために用いられる。
組立方法は柔軟で多様で、本実施例は例えばセラミック、ＯＭＰ、空洞プラスチック等の従来のパッケージ形態で説明し、もちろんパッケージ構造なしのパワーデバイスＰＣＢ組立形態に適用することもできる。
本発明の上記具体的実施形態は、本発明の原理を例示的に説明するか、又は解釈するためにのみ使用され、本発明を限定することを構成しないことを理解されたい。したがって、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく行われた修正、均等範囲内での置換、改善などは、本発明の保護範囲に含まれるべきである。なお、本発明の添付の特許請求の範囲は、添付の特許請求の範囲と境界線、又はそのような範囲と境界線の均等の形態に含まれる全ての変更及び修正例を網羅することを意図している。
１００ パワーデバイス
１０ デカップリング回路モジュール
１ パワーデバイス
１’ チップ
１１ キャリアフランジ
１２ リード線
１３ チップ
１４ 第１コンデンサ
１５ ダンピング抵抗器
２ 入出ピン
２’ 入出ピン
２２ 第２コンデンサ
３ 放熱板
３’ 第１コンデンサ
５ 保護カバー
５’ 第２コンデンサ
６’ リード線

Claims (5)

  1. 広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプであって、パワーデバイスと、放熱板と、を備え、
    前記パワーデバイスは、キャリアフランジを備え、前記キャリアフランジにトランジスタ及びデカップリング回路モジュールが貼設され、前記トランジスタ及びデカップリング回路モジュールがリード線で接続され、
    前記パワーデバイスは、放熱板の上に溶着され、
    ここで、トランジスタのドレインに接続される前記デカップリング回路モジュールは、第１コンデンサと、第２コンデンサと、ダンピング抵抗器とを少なくとも備え、前記ドレインから前記ダンピング抵抗器の一端と前記第１コンデンサとが分岐接続され、前記ダンピング抵抗器の他端に前記第２コンデンサが直列接続される構成であって、
    前記第１コンデンサ、前記第２コンデンサ及び前記ダンピング抵抗器が多層共焼成セラミック材料スタックによって作製され、前記第１コンデンサ及び前記ダンピング抵抗器のインダクタンスはビデオＬＣ共振回路を形成し、前記第２コンデンサが前記ダンピング抵抗器及びリード線と直列に接続してインダクタンスを形成し、これらのデカップリング回路モジュールと前記ドレインから並列に分岐される直列等価インダクタンスＬ ｓ と超低周波共振回路を構成することを特徴とする、広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプ。
  2. 前記第１コンデンサの静電容量値は、１００ｐＦより大きいことを特徴とする、請求項１に記載の広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプ。
  3. 前記第２コンデンサの静電容量値は、１０ｎＦより大きいことを特徴とする、請求項１に記載の広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプ。
  4. 前記ダンピング抵抗器の抵抗値は、０．１Ω以上５Ω以下の範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプ。
  5. 前記パワーデバイスを覆い、前記放熱板に固定され、前記放熱板と閉じた空洞を形成する保護カバーをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の広いビデオ帯域幅的ＲＦパワーアンプ。
JP2021545293A 2019-01-31 2020-01-21 広いビデオ帯域幅のｒｆパワーアンプ Active JP7312840B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910097927.4A CN111510074B (zh) 2019-01-31 2019-01-31 一种高视频带宽的射频功率放大器
CN201910097927.4 2019-01-31
PCT/CN2020/073368 WO2020156351A1 (zh) 2019-01-31 2020-01-21 一种高视频带宽的射频功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022518866A JP2022518866A (ja) 2022-03-16
JP7312840B2 true JP7312840B2 (ja) 2023-07-21

Family

ID=71841205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021545293A Active JP7312840B2 (ja) 2019-01-31 2020-01-21 広いビデオ帯域幅のｒｆパワーアンプ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7312840B2 (ja)
CN (1) CN111510074B (ja)
WO (1) WO2020156351A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298364A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器
JP2012512556A (ja) 2008-12-16 2012-05-31 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 無線アプリケーション用高出力半導体素子および高出力半導体素子の製造方法
WO2014073134A1 (ja) 2012-11-09 2014-05-15 パナソニック株式会社 半導体装置
WO2018179086A1 (ja) 2017-03-28 2018-10-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2020150526A (ja) 2019-03-15 2020-09-17 株式会社東芝 高周波回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6112500B2 (ja) * 2012-09-25 2017-04-12 三菱電機株式会社 マイクロ波増幅器
CN202977410U (zh) * 2012-11-19 2013-06-05 苏州远创达科技有限公司 一种半导体部件
US9438184B2 (en) * 2014-06-27 2016-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated passive device assemblies for RF amplifiers, and methods of manufacture thereof
CN204168250U (zh) * 2014-11-04 2015-02-18 四川九洲电器集团有限责任公司 一种ltcc功率放大模块
US10432152B2 (en) * 2015-05-22 2019-10-01 Nxp Usa, Inc. RF amplifier output circuit device with integrated current path, and methods of manufacture thereof
NL2017206B1 (en) * 2016-07-21 2018-01-30 Ampleon Netherlands Bv Integrated passive device for RF power amplifier package
CN107919351A (zh) * 2016-10-11 2018-04-17 苏州远创达科技有限公司 一种射频功放模块及其组装方法
CN207732726U (zh) * 2017-12-13 2018-08-14 上海航天电子有限公司 基于ltcc技术的小型化、低功耗低噪声放大模块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298364A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器
JP2012512556A (ja) 2008-12-16 2012-05-31 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 無線アプリケーション用高出力半導体素子および高出力半導体素子の製造方法
WO2014073134A1 (ja) 2012-11-09 2014-05-15 パナソニック株式会社 半導体装置
WO2018179086A1 (ja) 2017-03-28 2018-10-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2020150526A (ja) 2019-03-15 2020-09-17 株式会社東芝 高周波回路

Also Published As

Publication number Publication date
CN111510074B (zh) 2023-06-23
JP2022518866A (ja) 2022-03-16
WO2020156351A1 (zh) 2020-08-06
CN111510074A (zh) 2020-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7418251B2 (en) Compact radio frequency harmonic filter using integrated passive device technology
US9711486B2 (en) Stacked semiconductor device
JP3663397B2 (ja) 高周波電力増幅器
US9093977B2 (en) Integrated passive device filter with fully on-chip ESD protection
KR100744903B1 (ko) 디커플링 기능을 갖는 다층 기판
US9444421B2 (en) Combiner circuit for a class-E outphasing power amplifier
US20190123553A1 (en) Filter having an esd protection device
JPH11136045A (ja) マイクロ波増幅器
JP6478253B2 (ja) 電力増幅回路およびトランスミッタ
US8355229B2 (en) Semiconductor device with an inductor
JPH11274369A (ja) 半導体デバイス
WO2019132941A1 (en) Hybrid filter having an acoustic wave resonator embedded in a cavity of a package substrate
JPH1167486A (ja) Ｅｓｄ保護回路及びｅｓｄ保護回路を含むパッケージ
JP7312840B2 (ja) 広いビデオ帯域幅のｒｆパワーアンプ
US11881833B2 (en) Radio frequency filtering circuitry on integrated passive die
US8922306B2 (en) Reduced size bias tee
US9780085B1 (en) Electrostatic discharge protection apparatus
US20080169536A1 (en) Semiconductor device and signal terminating method thereof
US20220278652A1 (en) Doherty amplifier
US11936348B2 (en) Impedance element with built-in odd-mode oscillation suppression
US11018649B2 (en) Compensation of on-die inductive parasitics in ladder filters through negative mutual inductance between ground inductors
US9257946B2 (en) Amplifier circuits
WO2022196642A1 (ja) 過渡電圧吸収回路
EP3142252B1 (en) Video bandwidth in rf amplifiers
CN115632049A (zh) 一种高视频带宽射频功率器件及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210902

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221025

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230704

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7312840

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150