JP7307853B2 - 多層体光学偽造防止素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
S1)起伏構造層を形成するステップであって、前記起伏構造層が第1の微細構造を有する第1の領域及び第2の微細構造を有する第2の領域を含み、前記第2の微細構造の比容積が前記第1の微細構造の比容積よりも大きい、ステップと、
S2)前記起伏構造層の片側に、積層された第1のめっき層材料層、誘電体層材料層、第2のめっき層材料層及び保護層材料層を順次形成するステップと、
S3)ステップS2)の半製品を、前記第2の領域に位置する第2のめっき層材料層の一部又はすべてが除去されるまで、前記第2のめっき層材料層と反応できる雰囲気に置き、そして前記第1の領域内にのみ、少なくとも積層された第1のめっき層及び第2のめっき層を残すステップであって、前記第1のめっき層及び前記第2のめっき層がそれぞれ、前記第1の領域に位置しかつ除去されていない前記第1のめっき層材料層及び前記第2のめっき層材料層の一部のめっき層材料層である、ステップと、を含む。
図1に示されるように、該光学偽造防止素子は第1の領域A及び第2の領域Bを含み、第1の領域Aは、第1の光学微細構造と機能性めっき層群とを組み合わせた光学特徴を有し、第2の領域Bは、第2の光学微細構造と第1のめっき層とを組み合わせた光学特徴を有する。2つの領域は互いに厳密に位置決めされる。画像の局所的な線は非常に細かくてもよく、例えば50um未満である。通常、機能性めっき層群は多層干渉光学可変めっき層であり、第1のめっき層は金属反射めっき層(例えばアルミニウム層)であり、このように、第1の領域Aは干渉光学可変特徴を示し、第2の領域Bは通常の金属反射めっき層の特徴を示す。
図7に示されるように、該光学偽造防止素子は、第1の領域A、第2の領域B、及び第3の領域Cを含み、第1の領域Aは、第1の光学微細構造と機能性めっき層群とを組み合わせた光学特徴を有し、第2の領域Bは、第2の光学微細構造と第1のめっき層とを組み合わせた光学特徴を有し、第3の領域Cは、透かして観察すると透かし彫り特徴を有する。3つの領域は互いに厳密に位置決めされ、例えば、図7に示される透かし彫り領域Cは、厳密に第2の領域Bの境界に位置する。多くの場合、画像又は透かし彫りの線は非常に細かく、例えば50um未満である。通常、機能性めっき層群は多層干渉光学可変めっき層であり、第1のめっき層は金属反射めっき層(例えばアルミニウム層)であり、このように、第1の領域Aは干渉光学可変特徴を示し、第2の領域Bは通常の金属反射めっき層の特徴を示す。
2 起伏構造層
3 機能性めっき層群
31 第1のめっき層
32 誘電体層
33 第2のめっき層
4 保護層
5 他の機能性コーティング
Claims (11)
- 光学偽造防止素子であって、
起伏構造層(2)であって、第1の微細構造を有する第1の領域(A)及び第2の微細構造を有する第2の領域(B)を含み、前記第2の微細構造の比容積が前記第1の微細構造の比容積よりも大きい起伏構造層(2)と、
前記起伏構造層(2)の片側に順次積層された第1のめっき層(31)、誘電体層(32)、第2のめっき層(33)及び保護層(4)と、を含み、
前記第1のめっき層(31)及び前記誘電体層(32)は前記第1の領域(A)及び前記第2の領域(B)に位置し、前記第2のめっき層(33)及び前記保護層(4)は前記第1の領域(A)に位置するが、前記第2の領域(B)には位置せず、
前記第1のめっき層(31)、前記誘電体層(32)及び前記第2のめっき層(33)は、機能性めっき層群(3)を構成し、前記機能性めっき層群(3)及び前記第1の微細構造は、前記第1の領域(A)において組み合わされた光学特徴を有し、前記第1のめっき層(31)及び前記第2の微細構造は、前記第2の領域(B)において組み合わされた光学特徴を有し、
前記起伏構造層(2)は、第3の微細構造を有する第3の領域(C)を更に含み、前記第3の微細構造のアスペクト比は前記第2の微細構造のアスペクト比よりも大きく、かつ前記第3の微細構造の比容積は前記第1の微細構造の比容積よりも大きく、
前記第1のめっき層(31)及び前記第2のめっき層(33)は前記第3の領域(C)に位置せず、
前記光学偽造防止素子は前記第3の領域(C)において透かし彫り特徴を有する、ことを特徴とする光学偽造防止素子。 - 前記第1の微細構造又は前記第2の微細構造は、周期構造及び/又は周期構造における構造若しくは組み合わせ構造であり、
前記第1の微細構造又は前記第2の微細構造の横断面構造は、正弦型構造、長方形格子構造、台形格子構造、ブレーズド格子構造、及び弧形格子構造のうちのいずれか1つの構造、又は少なくとも任意の2つの構造からなる組み合わせ構造である、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。 - 前記第1の微細構造の比容積は0um3/um2以上0.5um3/um2未満であり、
前記第2の微細構造の比容積は0.4um3/um2より大きく3um3/um2未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。 - 前記第1のめっき層(31)は前記起伏構造層(2)に隣接している、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。
- 前記第1のめっき層(31)又は前記第2のめっき層(33)の材料は、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、銅、スズ、及びチタンのうちのいずれか1種の金属、又は少なくとも任意の2種の金属の組み合わせからなる合金であり、
前記誘電体層(32)の材料は、フッ化マグネシウム、二酸化ケイ素、硫化亜鉛、窒化チタン、二酸化チタン、一酸化チタン、三酸化二チタン、五酸化三チタン、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化セリウム、三酸化ビスマス、酸化クロムグリーン、酸化鉄、酸化ハフニウム及び酸化亜鉛のうちのいずれか1種の化合物、又は少なくとも任意の2種の化合物からなる混合物である、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。 - 前記機能性めっき層群(3)は多層干渉光学可変めっき層であり、前記多層干渉光学可変めっき層のいずれかの側に前記光学偽造防止素子はいずれも干渉光学可変特徴を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。
- 前記第3の微細構造のアスペクト比は0.2より大きく1未満であり、
前記第2の微細構造のアスペクト比は0より大きく0.3未満であり、
前記第3の微細構造の比容積は0.4um3/um2より大きく3um3/um2未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の光学偽造防止素子。 - 光学偽造防止素子の製造方法であって、
S1)起伏構造層を形成するステップであって、前記起伏構造層が第1の微細構造を有する第1の領域及び第2の微細構造を有する第2の領域を含み、前記第2の微細構造の比容積が前記第1の微細構造の比容積よりも大きい、ステップと、
S2)前記起伏構造層の片側に、積層された第1のめっき層材料層、誘電体層材料層、第2のめっき層材料層及び保護層材料層を順次形成するステップと、
S3)ステップS2)の半製品を、前記第2の領域に位置する第2のめっき層材料層の一部又はすべてが除去されるまで、前記第2のめっき層材料層と反応できる雰囲気に置き、そして前記第1の領域内にのみ、少なくとも積層された第1のめっき層及び第2のめっき層を残すステップであって、前記第1のめっき層及び前記第2のめっき層がそれぞれ、前記第1の領域に位置しかつ除去されていない前記第1のめっき層材料層及び前記第2のめっき層材料層の一部のめっき層材料層である、ステップと、を含み、
ステップS1)の起伏構造層は、第3の微細構造を有する第3の領域を更に含み、前記第3の微細構造のアスペクト比は前記第2の微細構造のアスペクト比よりも大きく、前記第3の微細構造の比容積は前記第1の微細構造の比容積よりも大きい、ことを特徴とする光学偽造防止素子の製造方法。 - S4)ステップS3)の半製品を、前記第3の領域に位置する第1のめっき層材料層及び第2のめっき層材料層が部分的に又は完全に除去されるまで、前記第1のめっき層材料層と反応できる雰囲気に置くステップを更に含む、ことを特徴とする請求項8に記載の光学偽造防止素子の製造方法。
- ステップS3)の第1のめっき層及び/又は第2のめっき層はアルミニウム層を含み、
ステップS3)において、前記第1のめっき層材料層及び/又は前記第2のめっき層材料層と反応できる雰囲気は酸性液及び/又はアルカリ液である、ことを特徴とする請求項9に記載の光学偽造防止素子の製造方法。 - 無機又は有機のめっき層又はコーティングを施すステップを更に含む、ことを特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載の光学偽造防止素子の製造方法。
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