JP7306449B2 - Laminate for high frequency circuit, flexible printed circuit board, and laminate wound body - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂層とフィルム層とを貼り合わせてなる高周波回路用積層体及びその製造方法、フレキシブルプリント基板、並びにBステージシートに関する。また、本発明は、高周波回路基板として好適に使用される積層体捲回体に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a laminate for a high-frequency circuit formed by laminating a resin layer and a film layer, a method for producing the same, a flexible printed circuit board, and a B-stage sheet. The present invention also relates to a laminated body wound body suitable for use as a high-frequency circuit board.

近年の情報端末機器の高性能化やネットワーク技術の飛躍的進歩に伴い、情報通信分野で扱う電気信号は高速・大容量伝送に向けた高周波数化が進んでいる。これに対応するため、使用されるプリント配線板にも高周波信号や高速デジタル信号を伝送・処理する上で課題となる伝送損失を低減できる低誘電率(低ε)・低誘電正接(低tanδ)材料に対する要求が高まっている(例えば、特許文献1~4参照)。Along with recent advances in performance of information terminal equipment and dramatic progress in network technology, the frequency of electrical signals handled in the field of information communication is increasing toward high-speed, large-capacity transmission. In order to cope with this, the printed wiring board used has a low dielectric constant (low ε r ) and low dielectric loss tangent (low tan δ) that can reduce transmission loss, which is a problem in transmitting and processing high-frequency signals and high-speed digital signals. ) There is an increasing demand for materials (see, for example, Patent Documents 1 to 4).

プリント配線板としては、フレキシブルプリント基板(以下、「FPC」ともいう。)やフレキシブルフラットケーブル(以下、「FFC」ともいう。)が、電子・電気機器に使用されている。FPCは、絶縁体層と銅箔層とからなる銅張積層体(CCL)を加工して電気回路を形成した後、該回路部を保護するために絶縁層と接着剤層からなるカバーレイ(CL)の接着剤部を回路部へ取り付ける工程を経て製造される。また、FFCは、絶縁体層と接着剤層からなる基材と配線状に形成した銅箔等の導体を用い、基材の接着剤部同士の間に導体を複数本並べ、接着して得られる電気回路である。 As printed wiring boards, flexible printed boards (hereinafter also referred to as "FPC") and flexible flat cables (hereinafter also referred to as "FFC") are used in electronic and electrical equipment. FPC is made by processing a copper-clad laminate (CCL) consisting of an insulator layer and a copper foil layer to form an electric circuit, and then applying a coverlay consisting of an insulation layer and an adhesive layer to protect the circuit. CL) is manufactured through the process of attaching the adhesive part to the circuit part. In addition, FFC is obtained by using a base material consisting of an insulating layer and an adhesive layer and a conductor such as copper foil formed in a wiring shape, and arranging and bonding a plurality of conductors between the adhesive parts of the base material. It is an electrical circuit that

特開2014-197611号公報JP 2014-197611 A 特開2015-176921号公報JP 2015-176921 A 特開2016-087799号公報JP 2016-087799 A 特開2016-032098号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2016-032098

しかしながら、電気信号は高周波になればなるほど減衰しやすく、伝送損失が大きくなる傾向にある。そのため、次世代高周波(10GHz以上)対応実装基板では、配線間クロストーク低減のための低誘電や電気信号の伝送損失を抑制するための低誘電損失特性が、絶縁体材料に必要不可欠な特性となっている。また、電気信号の伝送損失を抑制するためには、実装基板が平滑性に優れていることも重要である。特にFPCやFFCでは、樹脂層とフィルム層とを積層させるために接着剤が使用されるが、接着剤によって形成される接着層が実装基板の低誘電損失特性や平滑性を損なう一因であると考えられる。 However, the higher the frequency of the electrical signal, the more likely it is to attenuate and the greater the transmission loss tends to be. Therefore, in next-generation high-frequency (10 GHz or higher) mounting substrates, low dielectric properties to reduce crosstalk between wires and low dielectric loss properties to suppress transmission loss of electrical signals are essential properties of insulator materials. It's becoming Moreover, in order to suppress the transmission loss of electric signals, it is also important that the mounting board has excellent smoothness. Especially in FPC and FFC, an adhesive is used to laminate the resin layer and the film layer, and the adhesive layer formed by the adhesive is one of the factors that impair the low dielectric loss characteristics and smoothness of the mounting board. it is conceivable that.

さらに、接着剤を介在させた樹脂層とフィルム層との積層体は、巻芯に捲回させた捲回体として保管した場合に、外的な要因(例えば保管環境)により接着層が変質して硬化するために、引き出したときに巻癖が発生しやすいという課題があった。 Furthermore, when a laminate of a resin layer and a film layer with an adhesive interposed therebetween is stored as a wound body wound around a core, the adhesive layer may deteriorate due to external factors (for example, the storage environment). There was a problem that curling tended to occur when the sheet was pulled out because the sheet was hardened by heating.

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、高周波回路における電気信号の伝送損失を低減し、平滑性に優れた回路基板を製造可能な高周波回路用積層体を提供することを課題とする。また、本発明は、低温での貼り合わせによる製造が可能であり、樹脂層とフィルム層間の接着性に優れる高周波回路用積層体の製造方法を提供することを課題とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a laminate for a high-frequency circuit, which reduces the transmission loss of electric signals in the high-frequency circuit and enables the manufacture of a circuit board with excellent smoothness. . Another object of the present invention is to provide a method for producing a laminate for high-frequency circuits, which can be produced by bonding at a low temperature and has excellent adhesiveness between the resin layer and the film layer.

さらに、高周波信号の伝送損失を低減することが可能な高周波回路用積層体を巻芯に捲回して保管した場合であっても巻癖を効果的に抑制できる積層体捲回体を提供することを課題とする。 Further, the present invention provides a laminate roll that can effectively suppress curl even when the laminate for a high-frequency circuit capable of reducing transmission loss of high-frequency signals is wound around a core and stored. is the subject.

本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。 The present invention has been made to solve at least part of the above problems, and can be implemented as any of the following aspects.

本発明に係る高周波回路用積層体の一態様は、
ガラス転移温度が150℃以上のフィルム層と、樹脂層とが接して積層され、
前記樹脂層が、下記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位を有する重合体を含有し、前記樹脂層の弾性率が0.1~3.0GPaであり、23℃において前記樹脂層の周波数10GHzにおける誘電正接が0.001~0.01であり、かつ、比誘電率が2.0~3.0である。

Figure 0007306449000001
〔上記一般式(1-1)~(1-3)中、Rは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、1~3級アミノ基、又は1~3級アミノ基の塩である。nは、それぞれ独立して、0~2の整数である。nが2の場合、複数のRは、同一であっても異なっていてもよく、任意の組み合わせで結合して環構造の一部を形成していてもよい。〕One aspect of the laminate for a high-frequency circuit according to the present invention is
A film layer having a glass transition temperature of 150° C. or higher and a resin layer are laminated in contact with each other,
The resin layer contains a polymer having at least one type of repeating unit among repeating units represented by the following general formulas (1-1), (1-2) and (1-3), and the resin layer The elastic modulus of the resin layer is 0.1 to 3.0 GPa, the dielectric loss tangent of the resin layer at a frequency of 10 GHz at 23 ° C. is 0.001 to 0.01, and the relative dielectric constant is 2.0 to 3.0 is.
Figure 0007306449000001
[In the above general formulas (1-1) to (1-3), R 1 is each independently a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, is a salt of a halogenated hydrocarbon group, a nitro group, a cyano group, a primary to tertiary amino group, or a primary to tertiary amino group. Each n is independently an integer of 0 to 2. When n is 2, multiple R 1s may be the same or different, and may be combined in any combination to form a part of the ring structure. ]

上記高周波回路用積層体の一態様において、
前記樹脂層の厚さが1~30μmであり、かつ、前記フィルム層の厚さが10~300μmであることができる。
In one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
The resin layer may have a thickness of 1 to 30 μm, and the film layer may have a thickness of 10 to 300 μm.

上記高周波回路用積層体のいずれかの態様において、
前記樹脂層と前記フィルム層との剥離強度が5.0N/cm以上であることができる。
In any one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
A peel strength between the resin layer and the film layer may be 5.0 N/cm or more.

上記高周波回路用積層体のいずれかの態様において、
前記フィルム層と接していない前記樹脂層の面に、さらに金属層が接して積層されることができる。
In any one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
A metal layer may be laminated in contact with the surface of the resin layer that is not in contact with the film layer.

上記高周波回路用積層体のいずれかの態様において、
前記樹脂層と前記金属層との剥離強度が5.0N/cm以上であることができる。
In any one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
A peel strength between the resin layer and the metal layer may be 5.0 N/cm or more.

上記高周波回路用積層体のいずれかの態様において、
前記金属層の厚さが3~50μmであることができる。
In any one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
The metal layer may have a thickness of 3-50 μm.

上記高周波回路用積層体のいずれかの態様において、
前記フィルム層が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリーレンエーテルケトン、及びポリフェニレンエーテルからなる群より選択される1種であることができる。
In any one aspect of the above laminate for high-frequency circuits,
The film layer is one selected from the group consisting of polyimide, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyethylene naphthalate, polystyrene, cycloolefin polymer, polyether ether ketone, polyarylene ether ketone, and polyphenylene ether. can.

本発明に係るフレキシブルプリント基板の一態様は、
上記いずれかの態様の高周波回路用積層体を備えたものである。
One aspect of the flexible printed circuit board according to the present invention is
A laminate for a high-frequency circuit according to any one of the aspects described above is provided.

本発明に係る高周波回路用積層体の製造方法の一態様は、
ガラス転移温度が150℃以上のフィルム層と、表面粗さRaが1~100nmのBステージ樹脂層とを、50~200℃に加熱して1~19kN/mの線荷重を掛けて貼り合わせる工程を含む。
One aspect of the method for manufacturing a laminate for high-frequency circuits according to the present invention is
A step of bonding a film layer having a glass transition temperature of 150° C. or higher and a B-stage resin layer having a surface roughness Ra of 1 to 100 nm by heating to 50 to 200° C. and applying a linear load of 1 to 19 kN/m. including.

上記高周波回路用積層体の製造方法の一態様において、
さらに、前記Bステージ樹脂層の前記フィルム層を貼り合わせる面の裏面に、表面粗さRaが10~300nmの金属層を貼り合わせる工程を含むことができる。
In one aspect of the method for manufacturing the laminate for high-frequency circuits,
Further, a step of bonding a metal layer having a surface roughness Ra of 10 to 300 nm to the back surface of the B-stage resin layer to which the film layer is bonded can be included.

本発明に係るBステージシートの一態様は、
Bステージ樹脂層と、前記Bステージ樹脂層の少なくとも一方の面に形成されたフィルム層と、を有するBステージシートであって、
前記Bステージ樹脂層が硬化されてCステージ樹脂層となったときの、
前記Cステージ樹脂層の弾性率が0.1~3.0GPaであり、
前記Cステージ樹脂層及び前記フィルム層の23℃での周波数10GHzにおける誘電正接が0.001~0.01であり、かつ、比誘電率が2.0~3.0である。
One aspect of the B stage sheet according to the present invention is
A B-stage sheet having a B-stage resin layer and a film layer formed on at least one surface of the B-stage resin layer,
When the B stage resin layer is cured to become a C stage resin layer,
The C-stage resin layer has an elastic modulus of 0.1 to 3.0 GPa,
The C-stage resin layer and the film layer have a dielectric loss tangent of 0.001 to 0.01 at 23° C. and a frequency of 10 GHz, and a relative dielectric constant of 2.0 to 3.0.

本発明に係る積層体捲回体の一態様は、
上記いずれかの態様の高周波回路用積層体が、半径10~100mmの巻芯に捲回されたものである。
One aspect of the laminate roll according to the present invention is
The high-frequency circuit laminate of any one of the aspects described above is wound around a winding core having a radius of 10 to 100 mm.

本発明に係る高周波回路用積層体によれば、高周波回路における電気信号の伝送損失を低減し、平滑性に優れた回路基板を製造することができる。また、本発明に係る高周波回路用積層体の製造方法によれば、低温での貼り合わせによる製造が可能であり、樹脂層とフィルム層間の接着性に優れる高周波回路用積層体を製造することができる。さらに、本発明に係る積層体捲回体によれば、高周波信号の伝送損失を低減することが可能な高周波回路用積層体を巻芯に捲回して保管した場合であっても巻癖を効果的に抑制できる。 According to the high-frequency circuit laminate of the present invention, it is possible to reduce the transmission loss of electric signals in the high-frequency circuit and to manufacture a circuit board having excellent smoothness. Further, according to the method for producing a laminate for high frequency circuits according to the present invention, it is possible to produce a laminate for high frequency circuits by lamination at a low temperature and having excellent adhesiveness between the resin layer and the film layer. can. Furthermore, according to the laminated body wound body according to the present invention, even when the high-frequency circuit laminated body capable of reducing the transmission loss of the high-frequency signal is wound around the core and stored, the curl is effective. can be effectively suppressed.

図1Aは、高周波回路用積層体の製造例Aにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example A of a laminate for high-frequency circuits. 図1Bは、高周波回路用積層体の製造例Aにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example A of the laminate for high-frequency circuits. 図1Cは、高周波回路用積層体の製造例Aにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example A of the laminate for high-frequency circuits. 図1Dは、高周波回路用積層体の製造例Aにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 1D is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example A of the laminate for high-frequency circuits. 図1Eは、高周波回路用積層体の製造例Aにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 1E is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example A of the laminate for high-frequency circuits. 図2Aは、高周波回路用積層体の製造例Bにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example B of a laminate for high-frequency circuits. 図2Bは、高周波回路用積層体の製造例Bにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example B of the laminate for high-frequency circuits. 図2Cは、高周波回路用積層体の製造例Bにおける工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 2C is a cross-sectional view schematically showing a part of the steps in Production Example B of the laminate for high-frequency circuits. 図3は、本実施形態に係る積層体捲回体の一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of the laminate roll according to this embodiment. 図4は、巻芯の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a winding core. 図5は、従来の積層体捲回体から積層体を巻き戻した際に発生する押し跡の様子を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a state of a push mark generated when a laminate is unwound from a conventional laminate roll.

以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に記載された実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含むものとして理解されるべきである。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below. It should be understood that the present invention is not limited only to the embodiments described below, but includes various modifications implemented without departing from the gist of the present invention.

本明細書において、「~」を用いて記載された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。 In the present specification, a numerical range described using "to" means that the numerical values described before and after "to" are included as lower and upper limits.

1.高周波回路用積層体
本明細書で用いられる用語を以下のように定義する。
・「高周波信号」とは、10GHz以上の周波数の電気信号または電波のことをいう。
・「高周波回路用積層体」とは、10GHz以上の周波数で駆動する高周波回路を製造する際に使用するための積層体のことをいう。
・「Bステージ樹脂層」とは、樹脂が半硬化した状態の層のことをいう。
・「Cステージ樹脂層」とは、樹脂が完全に硬化した状態の層のことをいう。なお、本願発明において、「Cステージ樹脂層」を単に「樹脂層」ということもある。
・「Bステージシート」とは、フィルム層の少なくとも一方の面にBステージ樹脂層が形成された積層構造を含むシートのことをいう。
・「捲回体」とは、巻芯上に、一様の幅の高周波回路用積層体が所定の長さ分だけ捲回されたものをいう。巻長や幅は特に限定されるものではないが、通常巻長は0.5~100m、幅は数十~1000mm程度である。
1. High-Frequency Circuit Laminate The terms used in this specification are defined as follows.
・"High frequency signal" means an electric signal or radio wave with a frequency of 10 GHz or higher.
- "Laminate for high frequency circuit" means a laminate for use in manufacturing a high frequency circuit driven at a frequency of 10 GHz or higher.
- "B stage resin layer" refers to a layer in which the resin is semi-cured.
- "C-stage resin layer" refers to a layer in which the resin is completely cured. In addition, in this invention, a "C stage resin layer" may be called simply a "resin layer."
- "B stage sheet" refers to a sheet including a laminated structure in which a B stage resin layer is formed on at least one surface of a film layer.
- "Wound body" refers to a winding core in which a high-frequency circuit laminate having a uniform width is wound for a predetermined length. Although the winding length and width are not particularly limited, the winding length is usually 0.5 to 100 m and the width is several tens to 1000 mm.

本実施形態に係る高周波回路用積層体は、フィルム層と樹脂層とが接して積層された構造を有していればよく、該構造を含む多層構造としてもよい。また、本実施形態に係る高周波回路用積層体は、フィルム層と接していない樹脂層の面に、さらに金属層が積層されていてもよい。これらの各層の組合せや順番は、高周波回路を製造するために任意に選択することができる。 The laminate for a high-frequency circuit according to this embodiment may have a structure in which a film layer and a resin layer are laminated in contact with each other, and may have a multilayer structure including the structure. Further, in the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment, a metal layer may be further laminated on the surface of the resin layer that is not in contact with the film layer. The combination and order of these layers can be arbitrarily selected for manufacturing a high frequency circuit.

本実施形態に係る高周波回路用積層体は、フィルム層と樹脂層とが接して積層されてなるものであり、フィルム層と樹脂層との間にプライマー樹脂層のような接着層を介在しない。一般的な回路用積層体は、フィルム層と樹脂層との密着性を向上させるために、樹脂層とフィルム層との間に接着層を介在させている。接着層は、主に極性官能基を有する重合体を含有する接着剤を用いて、塗布などの方法によって形成される。しかしながら、このような接着層は、電気特性が悪いので、絶縁機能を担う樹脂層の実効誘電率や実効誘電損失が大きくなってしまい、高周波回路には不適であった。これに対して、本実施形態に係る高周波回路用積層体は、接着剤を使用しなくてもフィルム層と樹脂層との密着性が良好である。加えて、フィルム層と樹脂層とが接して積層されることによって、樹脂層の実効電気特性を劣化させずに高周波回路に適した積層体を得ることに成功した。 The laminate for a high-frequency circuit according to this embodiment is formed by laminating a film layer and a resin layer in contact with each other, and an adhesive layer such as a primer resin layer is not interposed between the film layer and the resin layer. A general circuit laminate has an adhesive layer interposed between the resin layer and the film layer in order to improve the adhesion between the film layer and the resin layer. The adhesive layer is formed by a method such as coating using an adhesive containing a polymer having a polar functional group. However, since such an adhesive layer has poor electrical properties, it increases the effective dielectric constant and effective dielectric loss of the resin layer that has an insulating function, making it unsuitable for high-frequency circuits. In contrast, the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment has good adhesion between the film layer and the resin layer without using an adhesive. In addition, by laminating the film layer and the resin layer in contact with each other, the inventors succeeded in obtaining a laminate suitable for high-frequency circuits without deteriorating the effective electrical properties of the resin layer.

本実施形態に係る高周波回路用積層体は、樹脂層とフィルム層との剥離強度が5.0N/cm以上であることが好ましく、5.3N/cm以上であることがより好ましく、6.0N/cm以上であることが特に好ましい。本実施形態に係る高周波回路用積層体は、上記範囲の剥離強度を有するため、接着剤を使用しなくても金属層と樹脂層との密着性が良好である。なお、剥離強度は、「IPC-TM-650 2.4.9」に記載されている方法に準じて測定することができる。 In the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment, the peel strength between the resin layer and the film layer is preferably 5.0 N/cm or more, more preferably 5.3 N/cm or more, and 6.0 N/cm or more. /cm or more is particularly preferable. Since the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment has a peel strength within the above range, the adhesion between the metal layer and the resin layer is good without using an adhesive. The peel strength can be measured according to the method described in "IPC-TM-650 2.4.9".

本実施形態に係る高周波回路用積層体の厚さは、20~200μmであることが好ましく、30~180μmであることがより好ましく、50~150μmであることが特に好ましい。高周波回路用積層体の厚さが前記範囲にあると、薄厚化された高周波回路基板を作製できるだけでなく、巻芯に捲回した場合に巻癖が付きにくくなる。 The thickness of the high-frequency circuit laminate according to this embodiment is preferably 20 to 200 μm, more preferably 30 to 180 μm, and particularly preferably 50 to 150 μm. When the thickness of the high-frequency circuit laminate is within the above range, not only can a thin high-frequency circuit board be produced, but also curling is less likely to occur when wound around a core.

また、高周波回路用積層体の厚さは、巻芯に段差部が形成されている場合には、段差部の高さ(μm)±10μmであることが特に好ましい。高周波回路用積層体の厚さが前記範囲内であると、巻芯の段差部と高周波回路用積層体との接合部における段差が解消されるため、積層体捲回体の押し跡が形成されることをより効果的に抑制することができる。 Further, when a stepped portion is formed on the winding core, the thickness of the high-frequency circuit laminate is particularly preferably the height of the stepped portion (μm)±10 μm. When the thickness of the high-frequency circuit laminate is within the above range, the step at the joint between the stepped portion of the winding core and the high-frequency circuit laminate is eliminated, so that the laminate wound body does not leave impressions. can be more effectively suppressed.

以下、本実施形態に係る高周波回路用積層体を構成する各層の構成、製造方法について、詳細に説明する。 Hereinafter, the structure of each layer constituting the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment and the manufacturing method thereof will be described in detail.

1.1.樹脂層
本実施形態に係る高周波回路用積層体は、樹脂層を備える。樹脂層の弾性率は、0.1~3.0GPaであり、0.2~2.5GPaであることが好ましい。樹脂層の弾性率が前記範囲であると、柔軟性に優れた高周波回路用積層体となるため、より自由な条件で回路基板を製造することができる。樹脂層の弾性率とは、引張弾性率のことであり、JIS K 7161に準じて測定することができる。
1.1. Resin Layer The high-frequency circuit laminate according to the present embodiment includes a resin layer. The elastic modulus of the resin layer is 0.1 to 3.0 GPa, preferably 0.2 to 2.5 GPa. When the elastic modulus of the resin layer is within the above range, the laminate for high-frequency circuits is excellent in flexibility, so that the circuit board can be produced under more flexible conditions. The elastic modulus of the resin layer is a tensile elastic modulus and can be measured according to JIS K7161.

23℃における樹脂層の周波数10GHzでの比誘電率は、2.0~3.0であり、2.1~2.8であることが好ましい。また、樹脂層の23℃における周波数10GHzでの誘電正接は、0.001~0.01であり、0.002~0.009であることが好ましい。比誘電率及び誘電正接が前記範囲であると、高周波特性に優れた回路基板を製造することができる。23℃における樹脂層の周波数10GHzでの比誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法誘電率測定装置を用いて測定することができる。 The dielectric constant of the resin layer at 23° C. and a frequency of 10 GHz is 2.0 to 3.0, preferably 2.1 to 2.8. Further, the dielectric loss tangent of the resin layer at 23° C. and a frequency of 10 GHz is 0.001 to 0.01, preferably 0.002 to 0.009. When the dielectric constant and the dielectric loss tangent are within the above ranges, a circuit board having excellent high frequency characteristics can be produced. The dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin layer at a frequency of 10 GHz at 23° C. can be measured using a cavity resonator perturbation dielectric constant measuring device.

また、樹脂層の厚さの下限は、好ましくは1μmであり、より好ましくは3μmであり、特に好ましくは5μmである。樹脂層の厚さの上限は、好ましくは30μmであり、より好ましくは25μmである。 Also, the lower limit of the thickness of the resin layer is preferably 1 μm, more preferably 3 μm, and particularly preferably 5 μm. The upper limit of the thickness of the resin layer is preferably 30 μm, more preferably 25 μm.

本願発明では、樹脂層は異なる複数の樹脂層から構成されている態様も含む。樹脂層が複数の樹脂層からなる場合、各樹脂単層の弾性率、比誘電率、誘電正接は、必ずしも上記に記載の好ましい範囲に限定される必要はなく、全体として好ましい範囲となっていればよい。 In the invention of the present application, the resin layer also includes an embodiment composed of a plurality of different resin layers. When the resin layer is composed of a plurality of resin layers, the elastic modulus, dielectric constant, and dielectric loss tangent of each resin single layer are not necessarily limited to the preferred ranges described above, and may be within the preferred ranges as a whole. Just do it.

このような樹脂層の製造方法については、特に限定されないが、樹脂層用組成物をフィルム層や金属箔等の基材に塗布したり、押出成形して自立フィルムを作製する等の方法により作製することができる。 The method for producing such a resin layer is not particularly limited, but it is produced by a method such as applying the resin layer composition to a substrate such as a film layer or metal foil, or extruding to produce a self-supporting film. can do.

樹脂層用組成物の組成は、後述する下記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位を有する重合体を含有すれば特に限定されないが、硬化性化合物、必要に応じて、その他の重合体、硬化助剤、溶媒を含有してもよい。 The composition of the resin layer composition comprises a polymer having at least one type of repeating unit among repeating units represented by the following general formulas (1-1), (1-2) and (1-3) described later. Although it is not particularly limited as long as it is contained, it may contain a curable compound and, if necessary, another polymer, a curing aid, and a solvent.

1.1.1.樹脂層用組成物
<重合体>
樹脂層用組成物は、重合体として、下記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位を有する重合体(以下、「特定重合体」ともいう。)を含有する。また、樹脂層用組成物は、その他の重合体、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアリーレン等、低誘電率かつ低誘電正接の特性を有する公知の材料を適時含有することができる。
1.1.1. Composition for Resin Layer <Polymer>
The resin layer composition includes, as a polymer, a polymer ( Hereinafter, it is also referred to as “specific polymer”.). In addition, the resin layer composition may appropriately contain known materials having low dielectric constant and low dielectric loss tangent properties, such as other polymers such as epoxy resin, polyimide, and polyarylene.

Figure 0007306449000002
〔式(1-1)~(1-3)中、Rは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、1~3級アミノ基、又は1~3級アミノ基の塩である。nは、それぞれ独立して、0~2の整数である。nが2の場合、複数のRは、同一であっても異なっていてもよく、任意の組み合わせで結合して環構造の一部を形成していてもよい。〕
Figure 0007306449000002
[In formulas (1-1) to (1-3), R 1 is each independently a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogen having 1 to 20 carbon atoms, a hydrocarbon group, a nitro group, a cyano group, a primary to tertiary amino group, or a salt of a primary to tertiary amino group. Each n is independently an integer of 0 to 2. When n is 2, multiple R 1s may be the same or different, and may be combined in any combination to form a part of the ring structure. ]

としては、ハロゲン原子、炭素数1~6の1価の炭化水素基、炭素数1~6の1価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、1~3級アミノ基、又は1~3級アミノ基の塩が好ましく、フッ素原子、塩素原子、メチル基、ニトロ基、シアノ基、tert-ブチル基、フェニル基、アミノ基がより好ましい。nとしては、0又は1が好ましく、0がより好ましい。R 1 is a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, a primary to tertiary amino group, or Salts of primary to tertiary amino groups are preferred, and fluorine atom, chlorine atom, methyl group, nitro group, cyano group, tert-butyl group, phenyl group and amino group are more preferred. n is preferably 0 or 1, more preferably 0.

繰り返し単位の一方の結合手に対する他方の結合手の位置は特に限定されないが、繰り返し単位を与える単量体の重合反応性を向上させるためにはメタ位が好ましい。また、繰り返し単位としては、ピリミジン骨格を有する上記一般式(1-2)で表される繰り返し単位が好ましい。 The position of one bond of the repeating unit with respect to the other bond is not particularly limited, but the meta position is preferred in order to improve the polymerization reactivity of the monomer that provides the repeating unit. Moreover, as the repeating unit, a repeating unit represented by the general formula (1-2) having a pyrimidine skeleton is preferable.

このような繰り返し単位を与える単量体としては、例えば、4,6-ジクロロピリミジン、4,6-ジブロモピリミジン、2,4-ジクロロピリミジン、2,5-ジクロロピリミジン、2,5-ジブロモピリミジン、5-ブロモ-2-クロロピリミジン、5-ブロモ-2-フルオロピリミジン、5-ブロモ-2-ヨードピリミジン、2-クロロ-5-フルオロピリミジン、2-クロロ-5-ヨードピリミジン、2,4-ジクロロ-5-フルオロピリミジン、2,4-ジクロロ-5-ヨードピリミジン、5-クロロ-2,4,6-トリフルオロピリミジン、2,4,6-トリクロロピリミジン、4,5,6-トリクロロピリミジン、2、4,5-トリクロロピリミジン、2,4,5,6-テトラクロロピリミジン、2-フェニル-4,6-ジクロロピリミジン、2-メチルチオ-4,6-ジクロロピリミジン、2-メチルスルフォニル-4,6-ジクロロピリミジン、5-メチル-4,6-ジクロロピリミジン、2-アミノ-4,6-ジクロロピリミジン、5-アミノ-4,6-ジクロロピリミジン、2,5-ジアミノ-4,6-ジクロロピリミジン、4-アミノ-2,6-ジクロロピリミジン、5-メトキシ-4,6-ジクロロピリミジン、5-メトキシ-2,4-ジクロロピリミジン、5-フルオロ-2,4-ジクロロピリミジン、5-ブロモ-2,4-ジクロロピリミジン、5-ヨード-2,4-ジクロロピリミジン、2-メチル-4,6-ジクロロピリミジン、5-メチル-4,6-ジクロロピリミジン、6-メチル-2,4-ジクロロピリミジン、5-メチル-2,4-ジクロロピリミジン、5-ニトロ-2,4-ジクロロピリミジン、4-アミノ-2-クロロ-5-フルオロピリミジン、2-メチル-5-アミノ-4,6-ジクロロピリミジン、5-ブロモ-4-クロロ-2-メチルチオピリミジン;3,6-ジクロロピリダジン、3,5-ジクロロピリダジン、4-メチル-3,6-ジクロロピリダジン;2,3-ジクロロピラジン、2,6-ジクロロピラジン、2,5-ジブロモピラジン、2,6-ジブロモピラジン、2-アミノ-3,5-ジブロモピラジン、5,6-ジシアノ-2,3-ジクロロピラジン等が挙げられる。なお、これらの単量体は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 Examples of monomers that give such repeating units include 4,6-dichloropyrimidine, 4,6-dibromopyrimidine, 2,4-dichloropyrimidine, 2,5-dichloropyrimidine, 2,5-dibromopyrimidine, 5-bromo-2-chloropyrimidine, 5-bromo-2-fluoropyrimidine, 5-bromo-2-iodopyrimidine, 2-chloro-5-fluoropyrimidine, 2-chloro-5-iodopyrimidine, 2,4-dichloro -5-fluoropyrimidine, 2,4-dichloro-5-iodopyrimidine, 5-chloro-2,4,6-trifluoropyrimidine, 2,4,6-trichloropyrimidine, 4,5,6-trichloropyrimidine, 2 , 4,5-trichloropyrimidine, 2,4,5,6-tetrachloropyrimidine, 2-phenyl-4,6-dichloropyrimidine, 2-methylthio-4,6-dichloropyrimidine, 2-methylsulfonyl-4,6 -dichloropyrimidine, 5-methyl-4,6-dichloropyrimidine, 2-amino-4,6-dichloropyrimidine, 5-amino-4,6-dichloropyrimidine, 2,5-diamino-4,6-dichloropyrimidine, 4-amino-2,6-dichloropyrimidine, 5-methoxy-4,6-dichloropyrimidine, 5-methoxy-2,4-dichloropyrimidine, 5-fluoro-2,4-dichloropyrimidine, 5-bromo-2, 4-dichloropyrimidine, 5-iodo-2,4-dichloropyrimidine, 2-methyl-4,6-dichloropyrimidine, 5-methyl-4,6-dichloropyrimidine, 6-methyl-2,4-dichloropyrimidine, 5 -methyl-2,4-dichloropyrimidine, 5-nitro-2,4-dichloropyrimidine, 4-amino-2-chloro-5-fluoropyrimidine, 2-methyl-5-amino-4,6-dichloropyrimidine, 5 -bromo-4-chloro-2-methylthiopyrimidine; 3,6-dichloropyridazine, 3,5-dichloropyridazine, 4-methyl-3,6-dichloropyridazine; 2,3-dichloropyrazine, 2,6-dichloropyrazine , 2,5-dibromopyrazine, 2,6-dibromopyrazine, 2-amino-3,5-dibromopyrazine, 5,6-dicyano-2,3-dichloropyrazine and the like. In addition, these monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

特定重合体中の上記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位の含有割合は、特定重合体中の全繰り返し単位の合計を100モル%とした場合に、5~95モル%であることが好ましく、10~60モル%であることがより好ましい。 The content of the repeating units represented by the above general formulas (1-1), (1-2) and (1-3) in the specific polymer is 100 mol% of the total of all repeating units in the specific polymer. , the content is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.

特定重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、上記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位を与える単量体と、必要に応じてその他の単量体とを、有機溶媒中、アルカリ金属等と共に加熱することで合成することができる。 A method for synthesizing the specific polymer is not particularly limited, and a known method can be used. For example, the above general formula (1-1), (1-2) and a monomer that provides at least one repeating unit among the repeating units represented by (1-3), and optionally other monomers It can be synthesized by heating the compound with an alkali metal or the like in an organic solvent.

特定重合体の重量平均分子量(Mw)の下限は、500であることが好ましく、1,000であることがより好ましく、10,000であることがさらにより好ましく、30,000であることが特に好ましい。重量平均分子量(Mw)の上限は、600,000であることが好ましく、400,000であることがより好ましく、300,000であることがさらにより好ましく、200,000であることが特に好ましい。 The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the specific polymer is preferably 500, more preferably 1,000, even more preferably 10,000, especially 30,000 preferable. The upper limit of the weight average molecular weight (Mw) is preferably 600,000, more preferably 400,000, even more preferably 300,000, and particularly preferably 200,000.

特定重合体のガラス転移温度(Tg)の下限は、150℃が好ましく、180℃がより好ましい。ガラス転移温度(Tg)の上限は、320℃が好ましく、300℃がより好ましい。 The lower limit of the glass transition temperature (Tg) of the specific polymer is preferably 150°C, more preferably 180°C. The upper limit of the glass transition temperature (Tg) is preferably 320°C, more preferably 300°C.

特定重合体は、さらに下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有することが好ましい。 The specific polymer preferably further has a repeating unit represented by the following general formula (2).

Figure 0007306449000003
(式(2)中、R及びRはそれぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又は炭素数1~20の1価の有機基、c及びdはそれぞれ独立して0~8の整数、e、f、yはそれぞれ独立して0~2の整数、Lは、単結合、-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-又は炭素数1~20の2価の有機基である。)
Figure 0007306449000003
(wherein R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; c and d are each independently 0 to 8; , e, f, and y are each independently an integer of 0 to 2, L is a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO—, —SO 2 —, or 1 to 1 carbon atoms 20 divalent organic groups.)

及びRで表されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。Halogen atoms represented by R 3 and R 4 include, for example, fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.

及びRで表される炭素数1~20の1価の有機基としては、例えば、1価の鎖状炭化水素基、1価の脂環式炭化水素基、1価の芳香族炭化水素基、1価のハロゲン化炭化水素基等が挙げられる。Examples of monovalent organic groups having 1 to 20 carbon atoms represented by R 3 and R 4 include monovalent chain hydrocarbon groups, monovalent alicyclic hydrocarbon groups, and monovalent aromatic hydrocarbon groups. A hydrogen group, a monovalent halogenated hydrocarbon group, and the like can be mentioned.

上記1価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基等のアルキル基;エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent chain hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, Alkyl groups such as n-pentyl group; alkenyl groups such as ethenyl group, propenyl group, butenyl group and pentenyl group; alkynyl groups such as ethynyl group, propynyl group, butynyl group and pentynyl group;

上記1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基;ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基;シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group; polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group and adamantyl group; monocyclic cycloalkenyl groups such as cyclopropenyl group, cyclobutenyl group, cyclopentenyl group and cyclohexenyl group; and polycyclic cycloalkenyl groups such as norbornenyl group.

上記1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group and anthryl group; aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group and naphthylmethyl group; etc.

上記1価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、上記R及びRで表される基として例示した炭素数1~20の1価の炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換した基等が挙げられる。As the monovalent halogenated hydrocarbon group, for example, some or all of the hydrogen atoms of the monovalent hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms exemplified as the groups represented by R 3 and R 4 are fluorine and groups substituted with halogen atoms such as atoms, chlorine atoms, bromine atoms and iodine atoms.

Lで表される炭素数1~20の2価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基、炭素数1~20の2価の脂環式炭化水素基、炭素数1~20の2価のフッ素化鎖状炭化水素基、炭素数6~20の2価の芳香族炭化水素基又は炭素数6~20の2価のフッ素化芳香族炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by L include a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a divalent alicyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. group, a divalent fluorinated chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, or a divalent fluorinated aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms etc.

上記2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、sec-ブチレン基、t-ブチレン基、ネオペンチレン基、4-メチル-ペンタン-2,2-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基等が挙げられる。 Examples of the divalent chain hydrocarbon group include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, sec-butylene group, t-butylene group, neopentylene group, 4-methyl -pentane-2,2-diyl group, nonane-1,9-diyl group and the like.

上記2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基;ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基;シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。 Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group; polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group and adamantyl group; monocyclic cycloalkenyl groups such as cyclopropenyl group, cyclobutenyl group, cyclopentenyl group and cyclohexenyl group; and polycyclic cycloalkenyl groups such as norbornenyl group.

上記2価のフッ素化鎖状炭化水素基としては、例えば、上記Lで表される基として例示した炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換した基等が挙げられる。 As the divalent fluorinated chain hydrocarbon group, for example, some or all of the hydrogen atoms of the divalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms exemplified as the group represented by L are fluorine Atom-substituted groups and the like are included.

上記2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。 Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group and anthryl group; aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group and naphthylmethyl group; etc.

特定重合体中の上記一般式(2)で表される繰り返し単位の含有割合は、特定重合体中の全繰り返し単位の合計を100モル%とした場合に、5~95モル%であることが好ましく、10~60モル%であることがより好ましい。 The content of the repeating unit represented by the general formula (2) in the specific polymer is 5 to 95 mol% when the total of all repeating units in the specific polymer is 100 mol%. It is preferably 10 to 60 mol %, and more preferably 10 to 60 mol %.

これら重合体としては、例えば、特開2015-209511号公報、国際公開第2016/143447号、特開2017-197725号公報、特開2018-024827号公報等に記載の重合体を例示できる。 Examples of these polymers include the polymers described in JP-A-2015-209511, WO 2016/143447, JP-A-2017-197725, JP-A-2018-024827, and the like.

樹脂層用組成物中の重合体の含有割合は、後述する硬化性化合物及び重合体の合計100質量部に対して、10質量部以上90質量部以下であることが好ましい。 The content of the polymer in the resin layer composition is preferably 10 parts by mass or more and 90 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the curable compound and the polymer, which will be described later.

<硬化性化合物>
硬化性化合物は、熱や光(例えば、可視光、紫外線、近赤外線、遠赤外線、電子線等)の照射により硬化する化合物であり、後述する硬化助剤を必要とするものであってもよい。このような硬化性化合物としては、例えば、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、アクリル化合物、メタクリル化合物、ウレタン化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、及びプロパルギル化合物が挙げられる。これらは、1種単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。これらの中でも、前記特定重合体との相溶性、耐熱性等を高めるためには、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、及びアリル化合物のうちの少なくとも1種であることが好ましく、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、アリル化合物、及びシリコーン化合物のうちの少なくとも1種であることがより好ましい。
<Curable compound>
The curable compound is a compound that is cured by irradiation with heat or light (e.g., visible light, ultraviolet rays, near-infrared rays, far-infrared rays, electron beams, etc.), and may require a curing aid, which will be described later. . Examples of such curable compounds include epoxy compounds, cyanate ester compounds, vinyl compounds, silicone compounds, oxazine compounds, maleimide compounds, allyl compounds, acrylic compounds, methacrylic compounds, urethane compounds, oxetane compounds, methylol compounds, and propargyl. compound. These may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be used together. Among these, at least one of epoxy compounds, cyanate ester compounds, vinyl compounds, silicone compounds, oxazine compounds, maleimide compounds, and allyl compounds is used in order to improve compatibility with the specific polymer and heat resistance. and more preferably at least one of an epoxy compound, a cyanate ester compound, a vinyl compound, an allyl compound, and a silicone compound.

前記エポキシ化合物としては、例えば、下記式(c1-1)~(c1-6)で表される化合物が挙げられる。なお、下記式(c1-6)で表される化合物は、JSR(株)製のエポキシ基含有NBR粒子「XER-81」である。前記エポキシ化合物としては更に、ジシクロペンタジエン・フェノール重合物のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック型液状エポキシ化合物、スチレン-ブタジエンブロック共重合体のエポキシ化物、3’,4’-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等も挙げられる。 Examples of the epoxy compound include compounds represented by the following formulas (c1-1) to (c1-6). The compound represented by the following formula (c1-6) is epoxy group-containing NBR particles "XER-81" manufactured by JSR Corporation. Further examples of the epoxy compound include polyglycidyl ether of dicyclopentadiene-phenol polymer, phenol novolac type liquid epoxy compound, epoxidized styrene-butadiene block copolymer, and 3′,4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4. -epoxycyclohexane carboxylate and the like.

Figure 0007306449000004
[式(c1-5)中、nは0~5000であり、mは独立して、0~5000である。]
Figure 0007306449000004
[In the formula (c1-5), n is 0 to 5000, and m is independently 0 to 5000. ]

前記シアネートエステル化合物としては、例えば、下記式(c2-1)~(c2-7)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the cyanate ester compounds include compounds represented by the following formulas (c2-1) to (c2-7).

Figure 0007306449000005
[式(c2-6)及び(c2-7)中、nは独立して、0~30である。]
Figure 0007306449000005
[In formulas (c2-6) and (c2-7), n is independently 0 to 30. ]

前記ビニル化合物としては、例えば、下記式(c3-1)~(c3-5)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the vinyl compound include compounds represented by the following formulas (c3-1) to (c3-5).

Figure 0007306449000006
[式(c3-4)中、nは1~5000である。]
Figure 0007306449000006
[In the formula (c3-4), n is 1 to 5000. ]

前記シリコーン化合物としては、例えば、下記式(c4-1)~(c4-16)で表される化合物が挙げられる。なお、式(c4-1)におけるRとしては、下記のいずれかが選択され、ビニル基を備えるものが選択される場合には、前記ビニル化合物として取り扱うこともでき、オキセタン基を備えるものが選択される場合には、前記オキセタン化合物として取り扱うこともできる。また、式(c4-2)~(c4-16)において、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、及びアルケニル基から選ばれる有機基であり、nは0~1000の整数(好ましくは0~100の整数)である。 Examples of the silicone compound include compounds represented by the following formulas (c4-1) to (c4-16). As R in formula (c4-1), one of the following is selected, and when one having a vinyl group is selected, it can be treated as the vinyl compound, and one having an oxetane group is selected. can be treated as the oxetane compound. In formulas (c4-2) to (c4-16), each R is independently an organic group selected from an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, and an alkenyl group, and n is 0. It is an integer of up to 1000 (preferably an integer of 0-100).

アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基;ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基;シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。アルケニル基としては、エテニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基等が挙げられる。 The alkyl group includes methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group and the like. The alicyclic hydrocarbon group includes monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl and cyclohexyl; polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl and adamantyl; cyclopropenyl and cyclobutenyl. monocyclic cycloalkenyl groups such as , cyclopentenyl group and cyclohexenyl group; and polycyclic cycloalkenyl groups such as norbornenyl group. Aryl groups include phenyl, tolyl, xylyl, naphthyl, and anthryl groups. The alkenyl group includes ethenyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group and the like.

Figure 0007306449000007
Figure 0007306449000007

前記オキサジン化合物としては、例えば、下記式(c5-1)~(c5-5)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the oxazine compound include compounds represented by the following formulas (c5-1) to (c5-5).

Figure 0007306449000008
Figure 0007306449000008

前記マレイミド化合物としては、例えば、下記式(c6-1)~(c6-5)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the maleimide compound include compounds represented by the following formulas (c6-1) to (c6-5).

Figure 0007306449000009
[式(c6-2)中、Etはエチル基であり、式(c6-3)中、nは0~30である。]
Figure 0007306449000009
[In the formula (c6-2), Et is an ethyl group, and in the formula (c6-3), n is 0 to 30. ]

前記アリル化合物としては、例えば、下記式(c7-1)~(c7-6)で表される化合物が挙げられる。特に、このアリル化合物としては、2つ以上(特に2~6、更には2~3)のアリル基を有する化合物が好ましい。 Examples of the allyl compound include compounds represented by the following formulas (c7-1) to (c7-6). In particular, the allyl compound is preferably a compound having two or more (especially 2 to 6, further 2 to 3) allyl groups.

Figure 0007306449000010
Figure 0007306449000010

前記オキセタン化合物としては、例えば、下記式(c8-1)~(c8-3)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the oxetane compound include compounds represented by the following formulas (c8-1) to (c8-3).

Figure 0007306449000011
[式(c8-1)及び(c8-2)中、括弧で括った繰り返し単位の繰り返し単位数はそれぞれ独立に、0~30である。]
Figure 0007306449000011
[In the formulas (c8-1) and (c8-2), the number of repeating units in parenthesized repeating units is independently 0 to 30. ]

前記メチロール化合物としては、例えば、特開2006-178059号公報、及び特開2012-226297号公報に記載のメチロール化合物が挙げられる。具体的には、例えば、ポリメチロール化メラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン等のメラミン系メチロール化合物;ポリメチロール化グリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等のグリコールウリル系メチロール化合物;3,9-ビス[2-(3,5-ジアミノ-2,4,6-トリアザフェニル)エチル]-2,4,8,10-テトラオキソスピロ[5.5]ウンデカン、3,9-ビス[2-(3,5-ジアミノ-2,4,6-トリアザフェニル)プロピル]-2,4,8,10-テトラオキソスピロ[5.5]ウンデカン等のグアナミンをメチロール化した化合物、及び当該化合物中の活性メチロール基の全部又は一部をアルキルエーテル化した化合物等のグアナミン系メチロール化合物が挙げられる。 Examples of the methylol compound include those described in JP-A-2006-178059 and JP-A-2012-226297. Specifically, for example, melamine-based methylol compounds such as polymethylolated melamine, hexamethoxymethylmelamine, hexaethoxymethylmelamine, hexapropoxymethylmelamine, hexabutoxymethylmelamine; polymethylolated glycoluril, tetramethoxymethylglycoluril, glycoluril-based methylol compounds such as tetrabutoxymethylglycoluril; 3,9-bis[2-(3,5-diamino-2,4,6-triazaphenyl)ethyl]-2,4,8,10-tetra Oxospiro[5.5]undecane, 3,9-bis[2-(3,5-diamino-2,4,6-triazaphenyl)propyl]-2,4,8,10-tetraoxospiro[5 5] Compounds obtained by methylolating guanamine such as undecane, and guanamine-based methylol compounds such as compounds obtained by alkyl-etherifying all or part of the active methylol groups in the compound.

前記プロパギル化合物としては、例えば、下記式(c9-1)~(c9-2)で表される化合物が挙げられる。 Examples of the propargyl compound include compounds represented by the following formulas (c9-1) to (c9-2).

Figure 0007306449000012
Figure 0007306449000012

樹脂層用組成物中の硬化性化合物の含有割合は、樹脂層用組成物100質量部に対して、10質量部以上90質量部以下であることが好ましく、20質量部以上80質量部以下であることがより好ましい。 The content of the curable compound in the composition for the resin layer is preferably 10 parts by mass or more and 90 parts by mass or less, and is preferably 20 parts by mass or more and 80 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the composition for the resin layer. It is more preferable to have

<硬化助剤>
硬化助剤としては、例えば、光反応開始剤(光ラジカル発生剤、光酸発生剤、光塩基発生剤)等の重合開始剤を挙げることができる。硬化助剤の具体例としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物、トリアジン化合物、ニトロベンジル化合物、ベンジルイミダゾール化合物、有機ハロゲン化物類、オクチル酸金属塩、ジスルホン等が挙げられる。これらの硬化助剤は、種類を問わず、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Curing aid>
Examples of curing aids include polymerization initiators such as photoreaction initiators (photoradical generators, photoacid generators, photobase generators). Specific examples of curing aids include onium salt compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, sulfonimide compounds, disulfonyldiazomethane compounds, disulfonylmethane compounds, oximesulfonate compounds, hydrazinesulfonate compounds, triazine compounds, nitrobenzyl compounds, Examples include benzylimidazole compounds, organic halides, metal octylate, disulfones, and the like. These curing aids may be used singly or in combination of two or more regardless of the type.

樹脂層用組成物中の硬化助剤の含有割合は、樹脂層用組成物100質量部に対して、5質量部以上20質量部以下であることが好ましく、5質量部以上10質量部以下であることがより好ましい。 The content of the curing aid in the composition for the resin layer is preferably 5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the composition for the resin layer. It is more preferable to have

<溶媒>
樹脂層用組成物は、必要に応じて溶媒を含有してもよい。溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等のアミド系溶媒;γ-ブチロラクトン、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン系溶媒、1,2-メトキシエタン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶媒、1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多官能性溶媒;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン等のスルホン系溶媒の他、塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数;1~4)、トリアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数;1~4)等が挙げられる。これらの溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Solvent>
The resin layer composition may contain a solvent, if necessary. Examples of solvents include amides such as N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, etc. Ester solvents such as γ-butyrolactone and butyl acetate; Ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, methyl ethyl ketone and benzophenone; Ether solvents such as 1,2-methoxyethane and diphenyl ether; 1-methoxy-2- Polyfunctional solvents such as propanol and propylene glycol methyl ether acetate; Examples thereof include dialkoxybenzene (the number of carbon atoms in the alkoxy group; 1 to 4) and trialkoxybenzene (the number of carbon atoms in the alkoxy group; 1 to 4). These solvents may be used singly or in combination of two or more.

樹脂層用組成物が溶媒を含有する場合、溶媒を除いた樹脂層用組成物100質量部に対して、2000質量部以下が好ましく、200質量部以下がより好ましい。 When the resin layer composition contains a solvent, it is preferably 2000 parts by mass or less, more preferably 200 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the resin layer composition excluding the solvent.

<その他の成分>
樹脂層用組成物は、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、酸化防止剤、強化剤、滑剤、難燃剤、抗菌剤、着色剤、離型剤、発泡剤、前記重合体以外の他の重合体等が挙げられる。
<Other ingredients>
The resin layer composition may contain other components as necessary. Other components include, for example, antioxidants, reinforcing agents, lubricants, flame retardants, antibacterial agents, colorants, release agents, foaming agents, and polymers other than the above polymers.

<樹脂層用組成物の調製方法>
樹脂層用組成物の調製方法は特に限定されないが、例えば、重合体、硬化性化合物、及び必要に応じて他の添加剤(例えば、硬化助剤、溶媒、酸化防止剤等の他の成分)を均一に混合することによって調製することができる。また、組成物の形態は、液状、ペースト状等とすることができる。
<Method for Preparing Resin Layer Composition>
The method for preparing the resin layer composition is not particularly limited, but for example, a polymer, a curable compound, and optionally other additives (e.g., other components such as a curing aid, a solvent, and an antioxidant). can be prepared by uniformly mixing Moreover, the form of the composition can be liquid, paste, or the like.

1.2.フィルム層
本実施形態に係る高周波回路用積層体は、ガラス転移温度(Tg)が150℃以上のフィルム層を備える。フィルム層としては、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、液晶ポリマー(LCP)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリスチレン(PS)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリーレンエーテルケトン(PAEK)及びポリフェニレンエーテル(PPE)からなる群より選択される1種のフィルムであることが好ましい。これらの中でも、ポリイミド(PI)、液晶ポリマー(LCP)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)がより好ましく、ポリイミド(PI)、液晶ポリマー(LCP)が特に好ましい。また、本実施形態に係る高周波回路用積層体が複数のフィルム層を有する場合には、該フィルム層には同種のフィルムを用いてもよいし、異種のフィルムを用いてもよい。
1.2. Film Layer The high-frequency circuit laminate according to the present embodiment includes a film layer having a glass transition temperature (Tg) of 150° C. or higher. Film layers include polyimide (PI), polyetherimide (PEI), liquid crystal polymer (LCP), polyethylene naphthalate (PEN), polystyrene (PS), cycloolefin polymer (COP), polyetheretherketone (PEEK), It is preferably one film selected from the group consisting of polyarylene ether ketone (PAEK) and polyphenylene ether (PPE). Among these, polyimide (PI), liquid crystal polymer (LCP), polyethylene naphthalate (PEN), and polyetheretherketone (PEEK) are more preferable, and polyimide (PI) and liquid crystal polymer (LCP) are particularly preferable. Moreover, when the laminate for high-frequency circuits according to the present embodiment has a plurality of film layers, the film layers may be made of the same type of film or different types of films.

ポリイミド(PI)の具体例としては、商品名「カプトン(登録商標)」(東レデュポン社製)等が挙げられる。ポリエーテルイミド(PEI)の具体例としては、商品名「スペリオ」(三菱化学社製)等が挙げられる。液晶ポリマー(LCP)の具体例としては、商品名「ベクスター」(クラレ社製)等が挙げられる。ポリエチレンナフタレート(PEN)の具体例としては、商品名「テオネックス」(帝人社製)等が挙げられる。シクロオレフィンポリマー(COP)の具体例としては、商品名「ゼオノア」(日本ゼオン社製)等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)の具体例としては、商品名「APTIV」(Victex社製)等が挙げられる。ポリアリーレンエーテルケトン(PAEK)の具体例としては、商品名「AvaSpire」(Solvay社製)等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル(PPE)の具体例としては、商品名「NORYL」(SABIC社製)等が挙げられる。 Specific examples of polyimide (PI) include trade name "Kapton (registered trademark)" (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.). Specific examples of polyetherimide (PEI) include trade name "Superio" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). Specific examples of the liquid crystal polymer (LCP) include trade name "Vecstar" (manufactured by Kuraray Co., Ltd.). Specific examples of polyethylene naphthalate (PEN) include trade name "Teonex" (manufactured by Teijin Limited). Specific examples of the cycloolefin polymer (COP) include trade name "Zeonor" (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.). Specific examples of polyetheretherketone (PEEK) include trade name "APTIV" (manufactured by Victex). Specific examples of polyarylene ether ketone (PAEK) include trade name "AvaSpire" (manufactured by Solvay). Specific examples of polyphenylene ether (PPE) include trade name "NORYL" (manufactured by SABIC).

フィルム層の厚みの下限は、好ましくは10μmであり、より好ましくは15μmであり、特に好ましくは20μmである。フィルム層の厚みの上限は、好ましくは300μmであり、より好ましくは250μmであり、さらにより好ましくは200μmであり、特に好ましくは180μmである。 The lower limit of the thickness of the film layer is preferably 10 µm, more preferably 15 µm, and particularly preferably 20 µm. The upper limit of the thickness of the film layer is preferably 300 μm, more preferably 250 μm, still more preferably 200 μm, and particularly preferably 180 μm.

1.3.金属層
本実施形態に係る高周波回路用積層体は、フィルム層の他に金属層を備えていてもよい。金属層としては、金属箔やスパッタ膜を使用することが好ましい。金属箔としては銅箔が好ましい。銅箔の種類には電解箔と圧延箔とがあるが、どちらを用いてもよい。
1.3. Metal Layer The laminate for a high-frequency circuit according to this embodiment may include a metal layer in addition to the film layer. As the metal layer, it is preferable to use a metal foil or a sputtered film. A copper foil is preferable as the metal foil. There are electrolytic foil and rolled foil as types of copper foil, and either of them may be used.

金属層の表面粗さRaは、10~300nmであることが好ましく、30~200nmであることがより好ましく、30~100nmであることが特に好ましい。金属層の表面粗さRaが前記範囲であると、高周波回路用積層体を作成する際に、樹脂層と金属層との密着性をより向上させることができる。さらに、高周波回路用積層体の面内での厚みをより均一にすることができ、高周波回路用積層体を捲回させてロール状にする際に樹脂層と金属層の剥離を抑制することができる。なお、金属層の表面粗さRaは、JIS B0601-2001に準拠して測定した「算術平均粗さ」のことをいう。 The surface roughness Ra of the metal layer is preferably 10 to 300 nm, more preferably 30 to 200 nm, particularly preferably 30 to 100 nm. When the surface roughness Ra of the metal layer is within the above range, the adhesion between the resin layer and the metal layer can be further improved when the laminate for high frequency circuits is produced. Furthermore, the in-plane thickness of the high-frequency circuit laminate can be made more uniform, and peeling of the resin layer and the metal layer can be suppressed when the high-frequency circuit laminate is wound into a roll. can. The surface roughness Ra of the metal layer means "arithmetic mean roughness" measured according to JIS B0601-2001.

金属層の厚みの下限は、好ましくは3μmであり、より好ましくは5μmであり、特に好ましくは7μmである。金属層の厚みの上限は、好ましくは50μmであり、より好ましくは40μmであり、特に好ましくは35μmである。 The lower limit of the thickness of the metal layer is preferably 3 μm, more preferably 5 μm, particularly preferably 7 μm. The upper limit of the thickness of the metal layer is preferably 50 μm, more preferably 40 μm, particularly preferably 35 μm.

金属層として金属箔を用いる場合、金属箔の表面粗さRaが前記範囲であれば薄厚化したものをそのまま用いてもよいが、その表面を物理的または化学的に処理して表面粗さRaを前記範囲に制御したものを用いてもよい。金属箔の表面の粗さを制御する方法としては、金属箔にエッチング処理(酸処理など)、レーザー処理、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタ処理、サンドブラストなどの方法があるが、これらに限定されるものではない。 When a metal foil is used as the metal layer, if the surface roughness Ra of the metal foil is within the above range, the thinned metal foil may be used as it is. is controlled within the above range. Methods for controlling the surface roughness of the metal foil include, but are not limited to, etching treatment (acid treatment, etc.), laser treatment, electrolytic plating, electroless plating, sputtering treatment, sandblasting, and the like. not something.

1.4.高周波回路用積層体の製造方法
本実施形態に係る高周波回路用積層体の製造方法は、樹脂層とフィルム層とを接して積層させることができればその方法は特に限定されない。「樹脂層とフィルム層とが接する」とは、樹脂層の一方の面がフィルム層と全面に接している場合に限られず、樹脂層の一方の面の少なくとも一部がフィルム層と接している場合を含む。
1.4. Method for Manufacturing Laminate for High-Frequency Circuits The method for manufacturing the laminate for high-frequency circuits according to the present embodiment is not particularly limited as long as the resin layer and the film layer can be laminated in contact with each other. "The resin layer and the film layer are in contact" is not limited to the case where one surface of the resin layer is in contact with the entire surface of the film layer, and at least a portion of one surface of the resin layer is in contact with the film layer. Including cases.

以下に、本実施形態に係る高周波回路用積層体の好ましい製造例について説明する。なお、各製造例の途中の段階であっても、必要な積層体であれば適宜利用できる。 A preferable manufacturing example of the high-frequency circuit laminate according to the present embodiment will be described below. It should be noted that even in the middle stages of each production example, any necessary laminate can be used as appropriate.

<製造例A>
図1A~図1Eは、製造例Aの各工程における断面を模式的に示す図である。図1A~図1Eを参照しながら、製造例Aについて説明する。
<Production example A>
1A to 1E are diagrams schematically showing cross sections in each step of Production Example A. FIG. Manufacturing Example A will be described with reference to FIGS. 1A to 1E.

(工程A1)
図1Aに示すように、フィルム層10上へ樹脂層用組成物を塗工してBステージ樹脂層12を形成し、「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を作製する。フィルム層10としては、PI、PEI、LCP、PEN、PS、COP、PEEK、PAEK、PPE等の材質からなるフィルムを使用することができる。樹脂層用組成物の塗工方法は、公知の塗工方法を使用することができるが、例えばバーコーターを用いて膜厚を調整して塗工することが好ましい。
(Step A1)
As shown in FIG. 1A, a resin layer composition is applied onto a film layer 10 to form a B-stage resin layer 12 to produce a "B-stage resin layer/film layer laminate". As the film layer 10, films made of materials such as PI, PEI, LCP, PEN, PS, COP, PEEK, PAEK, and PPE can be used. As for the coating method of the resin layer composition, a known coating method can be used, but it is preferable to adjust the film thickness using a bar coater, for example.

このようにフィルム層10へ樹脂層用組成物を塗工した後、オーブン等公知の加熱手段を用いて半硬化状態のBステージ樹脂層12を形成することが好ましい。加熱温度としては、50~150℃であることが好ましく、70~130℃であることがより好ましい。加熱する際、例えば50~100℃と100~150℃等の多段階に加熱してもよい。また、加熱時間の合計は、30分未満が好ましく、20分未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、膜厚均一性の高いBステージ樹脂層12を作製することができる。 After the resin layer composition is applied to the film layer 10 in this way, it is preferable to form a semi-cured B-stage resin layer 12 using a known heating means such as an oven. The heating temperature is preferably 50 to 150°C, more preferably 70 to 130°C. When heating, the heating may be performed in multiple stages such as 50 to 100.degree. C. and 100 to 150.degree. Also, the total heating time is preferably less than 30 minutes, more preferably less than 20 minutes. A B-stage resin layer 12 with high film thickness uniformity can be produced by heating under conditions of temperature and time within the above ranges.

表面に露出しているBステージ樹脂層12の表面粗さRaは、1~100nmであることが好ましく、10~50nmであることがより好ましい。Bステージ樹脂層12の表面粗さRaが前記範囲であると、高周波回路用積層体を製造する場合、樹脂層とフィルム層や、樹脂層と金属層の密着性をより向上させることができる。なお、本願発明におけるBステージ樹脂層の表面粗さRaとは、JIS B0601-2001に準拠して測定した「算術平均粗さ」のことをいう。 The surface roughness Ra of the B-stage resin layer 12 exposed on the surface is preferably 1 to 100 nm, more preferably 10 to 50 nm. When the surface roughness Ra of the B-stage resin layer 12 is within the above range, the adhesion between the resin layer and the film layer or between the resin layer and the metal layer can be further improved when manufacturing a laminate for high frequency circuits. The surface roughness Ra of the B-stage resin layer in the present invention means "arithmetic mean roughness" measured according to JIS B0601-2001.

Bステージ樹脂層12の弾性率は、1Hzの測定条件で、50℃以上80℃未満での弾性率(MPa)の最大値が1MPa以上であることが好ましく、3MPa以上であることがより好ましい。また、80℃以上200℃以下の温度範囲内での弾性率(MPa)の最小値が20MPa以下であることが好ましく、15MPa以下であることがより好ましい。Bステージ樹脂層の弾性率が各温度範囲であると、高周波回路用積層体を熱プレスして製造した場合に、配線部と非配線部の凹凸を抑制することができ、伝送損失を抑制することができる。 The elastic modulus of the B-stage resin layer 12 preferably has a maximum elastic modulus (MPa) of 1 MPa or higher, more preferably 3 MPa or higher, at 50° C. or higher and lower than 80° C. under the measurement condition of 1 Hz. Also, the minimum value of the elastic modulus (MPa) within the temperature range of 80° C. to 200° C. is preferably 20 MPa or less, more preferably 15 MPa or less. When the elastic modulus of the B-stage resin layer is within each temperature range, when the laminated body for high-frequency circuits is produced by hot pressing, unevenness between the wiring portion and the non-wiring portion can be suppressed, and transmission loss can be suppressed. be able to.

(工程A2)
図1Bに示すように、工程A1で作製した「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」の露出した樹脂層面13と金属層14とを貼り合わせて「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を作製する。樹脂層面13と貼り合わせる金属層14の表面粗さRaは、10~300nmであることが好ましく、30~200nmであることがより好ましく、30~100nmであることが特に好ましい。
(Step A2)
As shown in FIG. 1B, the exposed resin layer surface 13 and the metal layer 14 of the "B stage resin layer/film layer laminate" produced in step A1 are bonded together to form a "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate. Create a "body". The surface roughness Ra of the metal layer 14 bonded to the resin layer surface 13 is preferably 10 to 300 nm, more preferably 30 to 200 nm, and particularly preferably 30 to 100 nm.

貼り合わせる際には、「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」の樹脂層面13と金属層14とを重ね合わせた後、さらに加熱したロール(本明細書中において「熱ロール」ともいう。)等を用いて加熱圧着することが好ましい。加熱圧着する際の線荷重は1~19kN/mが好ましく、5~18kN/mがより好ましい。加熱圧着の温度としては、50~200℃が好ましく、50~150℃がより好ましく、70~130℃が特に好ましい。 When laminating together, the resin layer surface 13 and the metal layer 14 of the "B-stage resin layer/film layer laminate" are superimposed, and then a heated roll (also referred to as a "heat roll" in this specification) is applied. It is preferable to carry out thermocompression bonding using, for example. A line load during thermocompression bonding is preferably 1 to 19 kN/m, more preferably 5 to 18 kN/m. The temperature for thermocompression bonding is preferably 50 to 200.degree. C., more preferably 50 to 150.degree. C., and particularly preferably 70 to 130.degree.

また、工程A2では、貼り合わせ直後の「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を、引き続き、加熱されたロールに接触させたりまたは加熱炉を通したりすることで、アニール処理を行ってもよい。このようなアニール処理は、樹脂の融点以上の温度であればよいが、例えば100~250℃が好ましく、110~230℃がより好ましい。加熱する時間は、特に限定されないが、好ましくは5~600秒間、より好ましくは10~300秒間である。熱ロールを用いて、例えば5~600秒程度の短時間でアニール処理することにより、膜厚均一性の高いBステージ樹脂層を作製することができる。なお、上述した『貼り合わせ直後の「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を、引き続き、』処理するとは、積層体の貼り合わせを行う製造ラインにおいて、貼り合わせを行った積層体を製造ラインから取り出すことなく、貼り合わせ処理後に引き続いてインラインで処理する工程である。 Further, in step A2, the "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate" immediately after bonding is subsequently annealed by bringing it into contact with a heated roll or passing it through a heating furnace. may Such annealing treatment may be performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the resin, preferably 100 to 250.degree. C., more preferably 110 to 230.degree. The heating time is not particularly limited, but is preferably 5 to 600 seconds, more preferably 10 to 300 seconds. A B-stage resin layer with high film thickness uniformity can be produced by annealing in a short period of time, for example, about 5 to 600 seconds using a hot roll. It should be noted that the above-mentioned "continuously treating the 'metal layer/B stage resin layer/film layer laminate' immediately after bonding" means that the laminated body that has been bonded in the production line for bonding the laminate. It is a step of in-line processing subsequent to the bonding process without removing from the production line.

(工程A3)
図1Cに示すように、工程A2で作製した「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」のフィルム層10上にBステージ樹脂層16を、工程A1と同様にして形成する。Bステージ樹脂層16の材質は、Bステージ樹脂層12の材質と同じであってもよく、異なっていてもよい。
(Step A3)
As shown in FIG. 1C, a B-stage resin layer 16 is formed on the film layer 10 of the "metal layer/B-stage resin layer/film layer laminate" produced in step A2 in the same manner as in step A1. The material of the B-stage resin layer 16 may be the same as or different from that of the B-stage resin layer 12 .

(工程A4)
図1Dに示すように、工程A3で作製した「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層」のBステージ樹脂層16上に金属層18を、工程A2と同様にして貼り合わせて「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」を作製する。工程A4においては、工程A2と同様の圧着工程を行うことが好ましい。
(Step A4)
As shown in FIG. 1D, a metal layer 18 is laminated on the B-stage resin layer 16 of "metal layer/B-stage resin layer/film layer/B-stage resin layer" produced in step A3 in the same manner as in step A2. A "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate" is produced. In step A4, it is preferable to perform the same crimping step as in step A2.

(工程A5)
図1Eに示すように、Bステージ樹脂層12及び16を硬化させて、それぞれCステージ樹脂層20及び22とすることにより、高周波回路用積層体100が得られる。Bステージ樹脂層12及び16を硬化させるために、工程A4で得られた積層体をオーブン等の公知の加熱手段を用いて50~200℃に加熱することが好ましく、100~200℃に加熱することがより好ましい。加熱する際、例えば50~100℃と100~200℃等の多段階に加熱してもよい。また、加熱時間は5時間未満が好ましく、3時間未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、Bステージ樹脂層を硬化させた、膜厚均一性の高いCステージ樹脂層を作製することができる。
(Step A5)
As shown in FIG. 1E, the high-frequency circuit laminate 100 is obtained by curing the B-stage resin layers 12 and 16 to form the C-stage resin layers 20 and 22, respectively. In order to cure the B-stage resin layers 12 and 16, the laminate obtained in step A4 is preferably heated to 50 to 200°C using a known heating means such as an oven, and heated to 100 to 200°C. is more preferable. When heating, the heating may be performed in multiple stages such as 50 to 100.degree. C. and 100 to 200.degree. Also, the heating time is preferably less than 5 hours, more preferably less than 3 hours. By heating under conditions of temperature and time within the above ranges, a C-stage resin layer having high film thickness uniformity can be produced by curing the B-stage resin layer.

<製造例B>
図2A~図2Cは、製造例Bの各工程における断面を模式的に示す図である。図2A~図2Cを参照しながら、製造例Bについて説明する。
<Manufacturing example B>
2A to 2C are diagrams schematically showing cross sections in each step of Production Example B. FIG. Manufacturing Example B will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.

(工程B1)
図2Aに示すように、金属層30へ樹脂層用組成物を塗工してBステージ樹脂層32を形成し、「金属層/Bステージ樹脂層積層体」を作製する。樹脂層用組成物の塗工方法は、公知の塗工方法を使用することができるが、例えばバーコーターを用いて膜厚を調整して塗工することが好ましい。
(Step B1)
As shown in FIG. 2A, a resin layer composition is applied to a metal layer 30 to form a B-stage resin layer 32 to produce a "metal layer/B-stage resin layer laminate". As for the coating method of the resin layer composition, a known coating method can be used, but it is preferable to adjust the film thickness using a bar coater, for example.

このように金属層30へ樹脂層用組成物を塗工した後、オーブン等公知の加熱手段を用いて半硬化状態のBステージ樹脂層32を形成することが好ましい。加熱温度としては、50~150℃であることが好ましく、70~130℃であることがより好ましい。加熱する際、例えば50~100℃と100~150℃等の多段階に加熱してもよい。また、加熱時間の合計は30分未満が好ましく、20分未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、膜厚均一性の高いBステージ樹脂層32を作製することができる。 After the resin layer composition is applied to the metal layer 30 in this way, it is preferable to form a semi-cured B-stage resin layer 32 using a known heating means such as an oven. The heating temperature is preferably 50 to 150°C, more preferably 70 to 130°C. When heating, the heating may be performed in multiple stages such as 50 to 100.degree. C. and 100 to 150.degree. Also, the total heating time is preferably less than 30 minutes, more preferably less than 20 minutes. A B-stage resin layer 32 with high film thickness uniformity can be produced by heating under conditions of temperature and time within the above ranges.

(工程B2)
図2Bに示すように、工程B1で作製した「金属層/Bステージ樹脂層積層体」を2つ用意して、フィルム層34の両面に「金属層/Bステージ樹脂層積層体」の露出した樹脂層面33をそれぞれ貼り合わせて、「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」を作製する。露出した樹脂層面33にフィルム層34を貼り合わせる場合、露出した樹脂層面33とフィルム層34とを重ね合わせた後、さらに熱ロール等を用いて加熱圧着することが好ましい。また、加熱圧着は、上記工程A2と同様の条件が好ましい。
(Step B2)
As shown in FIG. 2B, two “metal layer/B stage resin layer laminates” prepared in step B1 were prepared, and the “metal layer/B stage resin layer laminate” was exposed on both sides of the film layer 34. The resin layer surfaces 33 are bonded together to produce a "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate". When the film layer 34 is attached to the exposed resin layer surface 33, it is preferable that the exposed resin layer surface 33 and the film layer 34 are superimposed and then heat-pressed using a hot roll or the like. Moreover, the conditions similar to said process A2 are preferable for thermocompression-bonding.

また、工程B2では、貼り合わせ直後の「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」を、引き続き、加熱されたロールに接触させたりまたは加熱炉を通したりすることで、アニール処理を行ってもよい。アニール処理は、上記工程A2と同様の条件が好ましい。 Further, in step B2, the "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate" immediately after bonding is subsequently brought into contact with a heated roll or passed through a heating furnace. By doing so, annealing may be performed. The annealing treatment is preferably performed under the same conditions as in step A2 above.

露出した樹脂層面33の表面粗さRaは、1~100nmであることが好ましく、10~50nmであることがより好ましい。Bステージ樹脂層の表面粗さRaが前記範囲であると、高周波回路用積層体を製造する場合、樹脂層とフィルム層の密着性をより向上させることができる。また、樹脂層面33と貼り合わせるフィルム層34のガラス転移温度(Tg)は、150℃以上であることが好ましく、160℃以上であることがより好ましく、170℃以上であることが特に好ましい。 The surface roughness Ra of the exposed resin layer surface 33 is preferably 1 to 100 nm, more preferably 10 to 50 nm. When the surface roughness Ra of the B-stage resin layer is within the above range, it is possible to further improve the adhesion between the resin layer and the film layer when producing a laminate for high frequency circuits. Also, the glass transition temperature (Tg) of the film layer 34 bonded to the resin layer surface 33 is preferably 150° C. or higher, more preferably 160° C. or higher, and particularly preferably 170° C. or higher.

(工程B3)
図2Cに示すように、Bステージ樹脂層32を硬化させてCステージ樹脂層36とすることにより、高周波回路用積層体200が得られる。工程B3では、工程B2で作製した「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」をオーブン等公知の加熱手段を用いて50~200℃に加熱することが好ましく、100~200℃に加熱することがより好ましい。加熱する際、例えば50~100℃と100~200℃等の二段階に加熱してもよい。また、加熱時間は5時間未満が好ましく、3時間未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、Bステージ樹脂層32を硬化させた、膜厚均一性の高いCステージ樹脂層36を作製することができる。
(Step B3)
As shown in FIG. 2C, the high-frequency circuit laminate 200 is obtained by curing the B-stage resin layer 32 to form the C-stage resin layer 36 . In step B3, the "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate" prepared in step B2 can be heated to 50 to 200°C using a known heating means such as an oven. Heating at 100 to 200° C. is more preferable. When heating, for example, the heating may be performed in two steps such as 50 to 100°C and 100 to 200°C. Also, the heating time is preferably less than 5 hours, more preferably less than 3 hours. By heating under the temperature and time conditions within the above ranges, the C-stage resin layer 36 having high film thickness uniformity can be produced by curing the B-stage resin layer 32 .

2.積層体捲回体
本実施形態に係る積層体捲回体は、ガラス転移温度(Tg)が150℃以上のフィルム層と、特定重合体を含有する樹脂層とが接して積層された構造を含む高周波回路用積層体が、半径10~100mmの巻芯に捲回されてなることを特徴とする。
2. Laminate roll The laminate roll according to the present embodiment includes a structure in which a film layer having a glass transition temperature (Tg) of 150°C or higher and a resin layer containing a specific polymer are laminated in contact with each other. The high-frequency circuit laminate is wound around a core having a radius of 10 to 100 mm.

以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る積層体捲回体について説明する。 Hereinafter, a laminate wound body according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図3は、本実施形態に係る積層体捲回体の一例を示す斜視図である。図4は、本実施形態で使用可能な巻芯の一例を示す斜視図である。図3に示すように、本実施形態に係る積層体捲回体300は、巻芯40と、巻芯40に捲回された高周波回路用積層体50とを備える。このような高周波回路用積層体は、加工を効率的に行うために一定の幅を有する長尺のシート状とし、それを巻芯に捲回した積層体捲回体の状態で使用または保管されることが一般的である。 FIG. 3 is a perspective view showing an example of the laminate roll according to this embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing an example of a winding core that can be used in this embodiment. As shown in FIG. 3 , the laminate wound body 300 according to the present embodiment includes a core 40 and a high frequency circuit laminate 50 wound around the core 40 . Such a high-frequency circuit laminate is used or stored in the form of a long sheet having a constant width and wound around a core for efficient processing. It is common to

本実施形態に係る積層体捲回体は、略円柱状の巻芯を使用することが好ましい。この場合、円柱状の巻芯の半径を小さくし、曲率半径をできるだけ小さくすることで、同じ長さの高周波回路用積層体が捲回されたロールでも、より小型化が可能となり、生産性を向上させることができる。ところが、曲率半径が小さい積層体捲回体では、高周波回路用積層体に巻癖が残留しやすく、高周波回路用積層体の加工が困難になる傾向があった。このため、高周波回路用積層体に残留する巻癖を抑制するために、積層体捲回体の曲率半径を小さくすることは困難であった。 It is preferable to use a substantially cylindrical winding core for the laminated body wound body according to the present embodiment. In this case, by reducing the radius of the cylindrical winding core and making the radius of curvature as small as possible, it is possible to further reduce the size of the roll wound with the high-frequency circuit laminate of the same length, thereby improving productivity. can be improved. However, in the case of a laminated body wound with a small radius of curvature, curling tends to remain in the high-frequency circuit laminated body, which tends to make it difficult to process the high-frequency circuit laminated body. For this reason, it has been difficult to reduce the curvature radius of the laminated body for suppressing the curl remaining in the laminated body for high-frequency circuits.

また、従来の高周波回路用積層体は、樹脂層とフィルム層との密着性を向上させるために接着層を介在させていた。このため、従来の高周波回路用積層体を巻芯に捲回させた積層体捲回体を保管する場合、外的な要因により接着層が変質して硬化するために、引き出したときに巻癖が発生しやすかった。 Further, conventional laminates for high-frequency circuits have an adhesive layer interposed therebetween in order to improve the adhesion between the resin layer and the film layer. For this reason, when a laminate roll obtained by winding a conventional laminate for high-frequency circuits around a core is stored, the adhesive layer is deteriorated and hardened due to an external factor, so that when the laminate is pulled out, there is a tendency to curl. was likely to occur.

しかしながら、本実施形態に係る積層体捲回体では、ガラス転移温度(Tg)が150℃以上のフィルム層と、特定重合体を含有する樹脂層とが接して積層された構造を含む高周波回路用積層体を用いることで、半径10~100mmの巻芯に捲回された、小型の高周波回路用積層体捲回体を作製することが可能となった。 However, the laminate roll according to the present embodiment includes a structure in which a film layer having a glass transition temperature (Tg) of 150 ° C. or higher and a resin layer containing a specific polymer are laminated in contact with each other. By using the laminate, it has become possible to produce a compact wound laminate for high-frequency circuits, which is wound around a core with a radius of 10 to 100 mm.

巻芯40と高周波回路用積層体50とは、接合部材を用いて接合されていてもよく、接合されていなくてもよい。例えば図4に示すように、巻芯40が段差部42を有する場合、高周波回路用積層体50の端部で接合部材を介して巻芯40の段差部42に接合した後、巻芯40を回転させて高周波回路用積層体50を巻き取り、積層体捲回体300を作製することができる。なお、段差部が形成された巻芯については、例えば実用新案登録第3147706号公報に記載されている巻芯等を使用することができる。 The winding core 40 and the high-frequency circuit laminate 50 may or may not be joined using a joining member. For example, as shown in FIG. 4, when the winding core 40 has a stepped portion 42, the end portion of the high-frequency circuit laminate 50 is joined to the stepped portion 42 of the winding core 40 via a joining member, and then the winding core 40 is attached. By rotating the high-frequency circuit laminate 50 , the laminate roll 300 can be produced. As for the winding core having the stepped portion, for example, the winding core described in Japanese Utility Model Registration No. 3147706 can be used.

なお、接合部材の種類は、特に限定されず各種接合部材を用いることができ、例えば接着剤、粘着剤、及び両面テープ等を用いることができる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、この接合部材は、高周波回路用積層体50の幅方向の全長を巻芯40に接合してもよく、一部のみを接合してもよい。 The type of joining member is not particularly limited, and various joining members can be used. For example, adhesives, adhesives, double-sided tapes, and the like can be used. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. Moreover, this joining member may join the entire length of the high-frequency circuit laminate 50 in the width direction to the winding core 40, or may join only a part thereof.

巻芯40の半径は、10~100mmであるが、10~50mmであることが好ましく、15~40mmであることがより好ましい。巻芯40の半径が前記範囲であると、積層体捲回体300から高周波回路用積層体50を引き出して加工する際に、高周波回路用積層体50と巻芯40との接合部(捲回開始部)の段差に起因する、図5に示すような押し跡51が形成されることを効果的に抑制することができる。なお、このような押し跡51は、高周波回路用積層体加工の際に歩留まりの低下の主要因となるため、生産性向上のためには可能な限り抑制するべき巻癖の一つである。 The radius of the winding core 40 is 10 to 100 mm, preferably 10 to 50 mm, more preferably 15 to 40 mm. When the radius of the winding core 40 is within the above range, when the high-frequency circuit laminate 50 is pulled out from the laminate wound body 300 and processed, the joint portion (wound portion) between the high-frequency circuit laminate 50 and the winding core 40 It is possible to effectively suppress the formation of the impression 51 as shown in FIG. Such impressions 51 are one of the curls that should be suppressed as much as possible in order to improve productivity, since such impressions 51 are a major factor in lowering the yield during processing of the laminate for high-frequency circuits.

段差部42の高さは、50~300μmであることが好ましく、60~180μmであることがより好ましく、70~150μmであることが特に好ましい。また、段差部42の高さは、高周波回路用積層体50の厚さ(μm)±10μmであることが特に好ましい。段差部42の高さが前記範囲内であると、巻芯40の段差部42と高周波回路用積層体50との接合部における段差が解消されるため、積層体捲回体300の押し跡が形成されることをより効果的に抑制することができる。 The height of the step portion 42 is preferably 50-300 μm, more preferably 60-180 μm, and particularly preferably 70-150 μm. Moreover, it is particularly preferable that the height of the step portion 42 is within the thickness (μm) of the high-frequency circuit laminate 50±10 μm. When the height of the stepped portion 42 is within the above range, the stepped portion at the junction between the stepped portion 42 of the core 40 and the high-frequency circuit laminate 50 is eliminated. Formation can be suppressed more effectively.

巻芯40の材質としては、特に限定されないが、紙、金属、熱可塑性樹脂等を挙げることができる。巻芯40の材質が紙である場合、樹脂等で表面をコートしてもよい。金属としては、SUS、鉄、アルミニウム等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、オレフィン系樹脂(ポリエチレン、ポリプロピレン等)、スチレン系樹脂(ABS樹脂、AES樹脂、AS樹脂、MBS樹脂、ポリスチレン等)、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン系樹脂、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール、スチレン系ブロックコポリマー樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエステル(ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等)、フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリサルホン、非晶ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン類、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、熱可塑性ポリイミド類、シンジオ型ポリスチレン等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。巻芯40の材質が熱可塑性樹脂である場合、巻芯40及びその段差部42は、押出成形または切削成形により作製することができる。 The material of the winding core 40 is not particularly limited, but examples thereof include paper, metal, thermoplastic resin, and the like. When the material of the core 40 is paper, the surface may be coated with resin or the like. Examples of metals include SUS, iron, and aluminum. Thermoplastic resins include olefin resins (polyethylene, polypropylene, etc.), styrene resins (ABS resin, AES resin, AS resin, MBS resin, polystyrene, etc.), polyvinyl chloride, vinylidene chloride resins, methacrylic resins, polyvinyl alcohol. , styrene block copolymer resin, polyamide, polyacetal, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polyester (polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, etc.), fluororesin, polyphenylene sulfide, polysulfone, amorphous polyarylate, polyetherimide, polyethersulfone, poly Ether ketones, liquid crystal polymers, polyamideimides, thermoplastic polyimides, syndio-type polystyrene, and the like. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. When the material of the winding core 40 is a thermoplastic resin, the winding core 40 and its stepped portion 42 can be produced by extrusion molding or cutting molding.

前記貼り合わせた高周波回路用積層体をロール状に巻き取る方法は、特に限定されず、高周波回路用積層体やフィルムの製造において使用される方法に従ってよい。 The method of winding the laminated body for high-frequency circuits into a roll is not particularly limited, and may be in accordance with the method used in the production of the laminated body for high-frequency circuits or the film.

3.回路基板(フレキシブルプリント基板)
上述した本願発明の高周波回路用積層体を用いてFPC等の回路基板を製造することができる。このような回路基板は、本願発明の高周波回路用積層体を積層構造の少なくとも一部とすることにより、高周波で駆動しても伝送損失を低減することができる。このような回路基板は、本願発明の高周波回路用積層体を積層構造の一部として備えていればよく、公知の方法により製造することができ、例えば国際公開第2012/014339号、特開2009-231770号公報等に記載されている製造プロセスを適用して製造することができる。
3. Circuit board (flexible printed circuit board)
A circuit board such as an FPC can be manufactured using the above-described high-frequency circuit laminate of the present invention. Such a circuit board can reduce transmission loss even when driven at a high frequency by using the high-frequency circuit laminate of the present invention as at least a part of the laminate structure. Such a circuit board may be provided with the high-frequency circuit laminate of the present invention as part of the laminate structure, and can be produced by a known method. It can be manufactured by applying the manufacturing process described in JP-A-231770 or the like.

本願発明の高周波回路用積層体を積層したり、本願発明の高周波回路用積層体の金属層をエッチングによりパターニングしたり、穴を穿ったり、必要な大きさに切断する等により、回路基板を製造することができる。 Manufacture a circuit board by laminating the high-frequency circuit laminate of the present invention, patterning the metal layer of the high-frequency circuit laminate of the present invention by etching, drilling holes, cutting to a required size, etc. can do.

このような回路基板は、接着層を介在しないため、凸部である金属配線層を被覆する樹脂層が大きな段差にならず、樹脂層表面が平滑となる。このため、回路を積層しても、高い位置決め精度を満足することができ、より多層の回路を集積することが可能となる。 Since such a circuit board does not have an adhesive layer interposed therebetween, the resin layer covering the metal wiring layer, which is a convex portion, does not form a large step, and the surface of the resin layer becomes smooth. Therefore, even if the circuits are stacked, high positioning accuracy can be satisfied, and circuits with more layers can be integrated.

このような回路基板は、例えば、
・工程(a):回路用基板に樹脂フィルムを積層して樹脂層を形成する工程、
・工程(b):樹脂層を加熱・加圧して平坦化する工程、
・工程(c):樹脂層上に回路層をさらに形成する工程、
等を経て製造することができる。
Such a circuit board may, for example,
- Step (a): a step of laminating a resin film on a circuit substrate to form a resin layer;
- Step (b): a step of flattening the resin layer by heating and pressurizing it;
- Step (c): a step of further forming a circuit layer on the resin layer;
etc. can be manufactured.

工程(a)において回路用基板に樹脂フィルムを積層する方法は特に限定されないが、例えば、多段プレス、真空プレス、常圧ラミネーター、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法等が挙げられ、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法が好ましい。これにより、回路用基板が表面に微細配線回路を有していてもボイドがなく回路間を樹脂で埋め込むことができる。ラミネート条件は特に限定されないが、圧着温度が70~130℃、圧着圧力が1~11kgf/cmであって、減圧又は真空下で積層するのが好ましい。ラミネートは、バッチ式であってもよく、また、ロールでの連続式であってもよい。The method of laminating the resin film on the circuit board in the step (a) is not particularly limited, but examples thereof include a method of laminating using a multistage press, a vacuum press, a normal pressure laminator, and a laminator that heats and presses under vacuum. A method using a laminator that heats and presses under vacuum is preferred. As a result, even if the circuit substrate has fine wiring circuits on its surface, the gaps between the circuits can be filled with resin without voids. Although the lamination conditions are not particularly limited, it is preferable to laminate at a compression temperature of 70 to 130° C. and a compression pressure of 1 to 11 kgf/cm 2 under reduced pressure or vacuum. Lamination may be batchwise or continuous on rolls.

回路用基板としては、特に限定されず、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板、フッ素樹脂基板等を使用することができる。回路用基板の樹脂フィルムが積層される面の回路表面は予め粗化処理されていてもよい。また、回路用基板の回路層数は限定されない。例えば、ミリ波レーダー用印刷配線板を作製する場合、その設計に応じて2層~20層等と自由に選択することができる。 The circuit substrate is not particularly limited, and glass epoxy substrates, metal substrates, polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, fluorine resin substrates, etc. can be used. The surface of the circuit board on which the resin film is laminated may be roughened in advance. Moreover, the number of circuit layers of the circuit board is not limited. For example, when manufacturing a printed wiring board for millimeter wave radar, it is possible to freely select from 2 to 20 layers according to the design.

工程(b)では、工程(a)で積層した樹脂フィルムと回路用基板とを加熱加圧し、平坦化する。条件は特に限定されないが、温度100℃~250℃、圧力0.2~10MPa、時間30~120分間の範囲が好ましく、150℃~220℃がより好ましい。 In step (b), the resin film laminated in step (a) and the circuit board are heated and pressurized to flatten them. Although the conditions are not particularly limited, a temperature of 100°C to 250°C, a pressure of 0.2 to 10 MPa, and a time of 30 to 120 minutes are preferable, and 150°C to 220°C are more preferable.

工程(c)では、樹脂フィルムと回路用基板を加熱加圧して作製した樹脂層上にさらに回路層を形成する。このように樹脂層上に作製される回路層の形成方法は特に限定されず、例えば、サブトラクティブ法等のエッチング法、セミアディティブ法等によって形成してもよい。 In the step (c), a circuit layer is further formed on the resin layer produced by heating and pressurizing the resin film and circuit board. The method of forming the circuit layer formed on the resin layer in this manner is not particularly limited, and may be formed, for example, by an etching method such as a subtractive method, a semi-additive method, or the like.

サブトラクティブ法は、金属層の上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、レジストの除去された部分の金属層を薬液で溶解し除去することによって、所望の回路を形成する方法である。 In the subtractive method, an etching resist layer having a shape corresponding to the desired pattern shape is formed on the metal layer, and the metal layer where the resist has been removed is dissolved and removed with a chemical solution by subsequent development processing. is a method of forming a desired circuit.

セミアディティブ法は、無電解めっき法により樹脂層の表面に金属被膜を形成し、金属被膜上に所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法によって金属層を形成した後、不要な無電解めっき層を薬液等で除去し、所望の回路層を形成する方法である。 In the semi-additive method, a metal film is formed on the surface of a resin layer by electroless plating, a plating resist layer having a shape corresponding to a desired pattern is formed on the metal film, and then a metal layer is formed by electrolytic plating. After that, the unnecessary electroless plating layer is removed with a chemical solution or the like to form a desired circuit layer.

また、樹脂層には、必要に応じてビアホール等のホールを形成してもよい。ホールの形成方法は限定されないが、NCドリル、炭酸ガスレーザー、UVレーザー、YAGレーザー、プラズマ等を適用できる。 Moreover, holes such as via holes may be formed in the resin layer as necessary. A hole forming method is not limited, but NC drill, carbon dioxide laser, UV laser, YAG laser, plasma, etc. can be applied.

4.実施例
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例中の「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。
4. Examples Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to these examples. "Parts" and "%" in Examples and Comparative Examples are based on mass unless otherwise specified.

4.1.重合体の合成
<合成例1>
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BisTMC)(18.6g、60.0mmol)、4,6-ジクロロピリミジン(Pym)(8.9g、60.0mmol)、及び炭酸カリウム(11.1g、81.0mmol)を量り入れ、N-メチル-2-ピロリドン(64g)を加え、窒素雰囲気下、130℃で6時間反応させた。反応終了後、N-メチル-2-ピロリドン(368g)を加えて、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール(9.1kg)に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、真空乾燥機を用いて減圧下120℃で12時間乾燥し、下記式(P-1)で表される構造単位を有する重合体P-1を得た(収量;20.5g、収率;90%、重量平均分子量(Mw);32,000、ガラス転移温度(Tg);206℃)。
4.1. Synthesis of Polymer <Synthesis Example 1>
1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BisTMC) (18.6 g, 60.0 mmol), 4,6- Dichloropyrimidine (Pym) (8.9 g, 60.0 mmol) and potassium carbonate (11.1 g, 81.0 mmol) were weighed, N-methyl-2-pyrrolidone (64 g) was added, and the temperature was maintained at 130°C under a nitrogen atmosphere. was reacted for 6 hours. After completion of the reaction, N-methyl-2-pyrrolidone (368 g) was added, the salt was removed by filtration, and this solution was poured into methanol (9.1 kg). The precipitated solid was filtered off, washed with a small amount of methanol, filtered again and collected, dried under reduced pressure at 120 ° C. for 12 hours using a vacuum dryer, and the structure represented by the following formula (P-1) A polymer P-1 having units was obtained (yield: 20.5 g, yield: 90%, weight average molecular weight (Mw): 32,000, glass transition temperature (Tg): 206°C).

Figure 0007306449000013
Figure 0007306449000013

なお、ガラス転移温度(Tg)は、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツル社製、「DMS7100」)を用いて、周波数1Hz、昇温速度10℃/分で測定し、損失正接が極大となる温度とした。損失正接は、貯蔵弾性率を損失弾性率で割った値とした。 The glass transition temperature (Tg) is measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Seiko Instruments Inc., "DMS7100") at a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. temperature. The loss tangent was obtained by dividing the storage modulus by the loss modulus.

また、重量平均分子量(Mw)は、GPC装置(東ソー社の「HLC-8320型」)を使用し、下記条件で測定した。
カラム:東ソー社の「TSKgel α―M」と、東ソー社の「TSKgel guardcоlumn α」とを連結したもの
展開溶媒:N-メチル-2-ピロリドン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:0.75質量%
試料注入量:50μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Further, the weight average molecular weight (Mw) was measured using a GPC apparatus (“HLC-8320 type” manufactured by Tosoh Corporation) under the following conditions.
Column: Tosoh's "TSKgel α-M" and Tosoh's "TSKgel guard column α" Developing solvent: N-methyl-2-pyrrolidone Column temperature: 40°C
Flow rate: 1.0 mL/min Sample concentration: 0.75% by mass
Sample injection volume: 50 μL
Detector: Differential refractometer Standard substance: Monodisperse polystyrene

<合成例2>
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BisTMC)(10.7g、34.5mmol)、3,6-ジクロロピリダジン(Pyd)(5.1g、34.2mmol)、及び炭酸カリウム(6.5g、47.0mmol)を量り入れ、N-メチル-2-ピロリドン(36g)を加え、窒素雰囲気下、145℃で9時間反応させた。反応終了後、N-メチル-2-ピロリドン(150g)を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール(3kg)に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例1と同じ条件で乾燥し、下記式(P-2)で表される構造単位を有する重合体P-2を得た(収量7.6g、収率48%、重量平均分子量(Mw);30,000、ガラス転移温度(Tg);232℃)。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例1と同様に測定した。
<Synthesis Example 2>
1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BisTMC) (10.7 g, 34.5 mmol), 3,6- Dichloropyridazine (Pyd) (5.1 g, 34.2 mmol) and potassium carbonate (6.5 g, 47.0 mmol) were weighed, N-methyl-2-pyrrolidone (36 g) was added, and the temperature was maintained at 145°C under a nitrogen atmosphere. was reacted for 9 hours. After completion of the reaction, N-methyl-2-pyrrolidone (150 g) was added for dilution, and after removing salts by filtration, this solution was poured into methanol (3 kg). The precipitated solid was filtered, washed with a small amount of methanol, filtered again and collected, dried under the same conditions as in Synthesis Example 1, and polymer P having a structural unit represented by the following formula (P-2): -2 was obtained (yield 7.6 g, yield 48%, weight average molecular weight (Mw); 30,000, glass transition temperature (Tg); 232°C). The weight average molecular weight and glass transition temperature were measured in the same manner as in Synthesis Example 1.

Figure 0007306449000014
Figure 0007306449000014

<合成例3>
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BisTMC)(18.6g、60.0mmol)、4,6-ジクロロ-2-フェニルピリミジン(PhPym)(13.7g、61.1mmol)、及び炭酸カリウム(11.4g、82.5mmol)を量り入れ、N-メチル-2-ピロリドン(75g)を加え、窒素雰囲気下、130℃で6時間反応させた。反応終了後、N-メチル-2-ピロリドン(368g)を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール(9.1kg)に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例1と同じ条件で乾燥し、下記式(P-3)で表される構造単位を有する重合体P-3を得た(収量20.5g、収率90%、重量平均分子量(Mw);187,000、ガラス転移温度(Tg);223℃)。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例1と同様に測定した。
<Synthesis Example 3>
1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BisTMC) (18.6 g, 60.0 mmol), 4,6- Dichloro-2-phenylpyrimidine (PhPym) (13.7 g, 61.1 mmol) and potassium carbonate (11.4 g, 82.5 mmol) were weighed, N-methyl-2-pyrrolidone (75 g) was added, and a nitrogen atmosphere was added. The mixture was reacted at 130° C. for 6 hours. After completion of the reaction, N-methyl-2-pyrrolidone (368 g) was added for dilution, and after removing salts by filtration, this solution was poured into methanol (9.1 kg). The precipitated solid was filtered off, washed with a small amount of methanol, filtered again and collected, dried under the same conditions as in Synthesis Example 1, and polymer P having a structural unit represented by the following formula (P-3): -3 was obtained (yield 20.5 g, yield 90%, weight average molecular weight (Mw); 187,000, glass transition temperature (Tg); 223°C). The weight average molecular weight and glass transition temperature were measured in the same manner as in Synthesis Example 1.

Figure 0007306449000015
Figure 0007306449000015

<合成例4>
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BisTMC)(12.4g、40.0mmol)、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-プロパン(BisA)(2.3g、10.0mmol)、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-ノナン(BisP-DED)(3.3g、10.0mmol)、4,6-ジクロロ-2-フェニルピリミジン(PhPym)(13.7g、61.1mmol)、及び炭酸カリウム(11.4g、82.5mmol)を量り入れ、N-メチル-2-ピロリドン(75g)を加え、窒素雰囲気下、130℃で6時間反応させた。反応終了後、N-メチル-2-ピロリドン(368g)を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール(9.1kg)に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例1と同じ条件で乾燥し、下記式(P-4)で表される構造単位を有する重合体P-4を得た(収量23.5g、収率87%、重量平均分子量(Mw);165,000、ガラス転移温度(Tg);196℃)。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例1と同様に測定した。
<Synthesis Example 4>
1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BisTMC) (12.4 g, 40.0 mmol), 2,2- bis(4-hydroxyphenyl)-propane (BisA) (2.3 g, 10.0 mmol), 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-nonane (BisP-DED) (3.3 g, 10.0 mmol), 4,6-dichloro-2-phenylpyrimidine (PhPym) (13.7 g, 61.1 mmol) and potassium carbonate (11.4 g, 82.5 mmol) were weighed in and N-methyl-2-pyrrolidone (75 g) was added. In addition, they were reacted at 130° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, N-methyl-2-pyrrolidone (368 g) was added for dilution, and after removing salts by filtration, this solution was poured into methanol (9.1 kg). The precipitated solid was filtered, washed with a small amount of methanol, filtered again and collected, dried under the same conditions as in Synthesis Example 1, and the polymer P having a structural unit represented by the following formula (P-4): -4 was obtained (yield 23.5 g, yield 87%, weight average molecular weight (Mw); 165,000, glass transition temperature (Tg); 196°C). The weight average molecular weight and glass transition temperature were measured in the same manner as in Synthesis Example 1.

Figure 0007306449000016
Figure 0007306449000016

<合成例5>
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン(BisTMC)(12.4g、40.0mmol)、4,4’-(1,3-ジメチルブチリデン)ビスフェノール(BisP-MIBK)(2.7g、10.0mmol)、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-ノナン(BisP-DED)(3.3g、10.0mmol)、4,6-ジクロロ-2-フェニルピリミジン(PhPym)(13.7g、61.1mmol)、及び炭酸カリウム(11.4g、82.5mmol)を量り入れ、N-メチル-2-ピロリドン(75g)を加え、窒素雰囲気下、130℃で6時間反応させた。反応終了後、N-メチル-2-ピロリドン(368g)を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール(9.1kg)に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例1と同じ条件で乾燥し、下記式(P-5)で表される構造単位を有する重合体P-5を得た(収量23.8g、収率88%、重量平均分子量(Mw);157,000、ガラス転移温度(Tg);190℃)。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例1と同様に測定した。
<Synthesis Example 5>
1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexane (BisTMC) (12.4 g, 40.0 mmol), 4,4′ was added to a four-necked separable flask equipped with a stirrer. -(1,3-dimethylbutylidene)bisphenol (BisP-MIBK) (2.7 g, 10.0 mmol), 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)-nonane (BisP-DED) (3.3 g, 10 .0 mmol), 4,6-dichloro-2-phenylpyrimidine (PhPym) (13.7 g, 61.1 mmol), and potassium carbonate (11.4 g, 82.5 mmol) were weighed into N-methyl-2-pyrrolidone. (75 g) was added and reacted at 130° C. for 6 hours under nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, N-methyl-2-pyrrolidone (368 g) was added for dilution, and after removing salts by filtration, this solution was poured into methanol (9.1 kg). The precipitated solid was filtered, washed with a small amount of methanol, filtered again and collected, dried under the same conditions as in Synthesis Example 1, and polymer P having a structural unit represented by the following formula (P-5). -5 was obtained (yield 23.8 g, yield 88%, weight average molecular weight (Mw); 157,000, glass transition temperature (Tg); 190°C). The weight average molecular weight and glass transition temperature were measured in the same manner as in Synthesis Example 1.

Figure 0007306449000017
Figure 0007306449000017

4.2.実施例1
4.2.1.Bステージ樹脂層/剥離層積層体の作製
重合体P-1を50部、硬化性化合物として2,2’-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン(東京化成工業社製)を50部、硬化助剤として1-ベンジル-2-メチルイミダゾール(三菱化学社製、製品名「BMI 12」)を5部、及びシクロペンタノンを160部混合し、樹脂層用組成物を調製した。
4.2. Example 1
4.2.1. Preparation of B-stage resin layer / release layer laminate 50 parts of polymer P-1, 50 parts of 2,2'-bis (4-cyanatophenyl) propane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a curable compound, and cured 5 parts of 1-benzyl-2-methylimidazole (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name “BMI 12”) as an auxiliary agent and 160 parts of cyclopentanone were mixed to prepare a resin layer composition.

剥離層として、厚さ100μmのPETフィルム(帝人フィルムソリューション社製、テイジンテトロンフィルムG2)上に、硬化後の膜厚が25μmとなるように上記で調製した樹脂層用組成物を、バーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて70℃で10分加熱した後、さらに130℃で10分加熱して、PETフィルム上にBステージ樹脂層が積層された「Bステージ樹脂層/剥離層積層体」を得た。 As a release layer, the resin layer composition prepared above so that the film thickness after curing is 25 μm on a 100 μm thick PET film (manufactured by Teijin Film Solution Co., Ltd., Teijin Tetoron Film G2) is coated with a bar coater. and heated at 70 ° C. for 10 minutes using an oven, then heated at 130 ° C. for 10 minutes, and the B stage resin layer was laminated on the PET film "B stage resin layer / release layer lamination got a body

<表面粗さRa>
上記で得られた「Bステージ樹脂層/剥離層積層体」の樹脂層の表面を、白色干渉顕微装置(ZYGO社製 New View 5032)を用いて測定し、JIS B0601-2001に準拠して10μm×10μmの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さRaとした。その結果を表1に示す。
<Surface roughness Ra>
The surface of the resin layer of the "B stage resin layer / peeling layer laminate" obtained above was measured using a white interference microscope (New View 5032 manufactured by ZYGO), and 10 μm in accordance with JIS B0601-2001. The "arithmetic mean roughness" calculated for the range of ×10 μm was defined as the surface roughness Ra. Table 1 shows the results.

<樹脂層の50℃~200℃の弾性率測定>
上記で得られた「Bステージ樹脂層/剥離層積層体」から剥離層(PETフィルム)を剥離し、試験片(幅3mm×長さ2cm)を切り出し、DMS試験器(セイコーインスツル社製)にて、1Hz、10℃/分の測定条件で、50℃以上80℃未満の温度範囲での弾性率(MPa)の最大値及び80℃以上200℃以下の温度範囲での弾性率(MPa)の最小値を測定した。その結果を表1に示す。
<Measurement of elastic modulus of resin layer at 50°C to 200°C>
Peel off the release layer (PET film) from the "B stage resin layer / release layer laminate" obtained above, cut out a test piece (width 3 mm × length 2 cm), DMS tester (manufactured by Seiko Instruments Inc.) At 1 Hz, 10 ° C./min, the maximum value of the elastic modulus (MPa) in the temperature range of 50 ° C. or higher and lower than 80 ° C. and the elastic modulus (MPa) in the temperature range of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower was measured. Table 1 shows the results.

4.2.2.Bステージ樹脂層/フィルム層積層体の作製
フィルムとして、厚さ25μmのPIフィルム(東レデュポン社製、カプトンEN)上に、硬化後の膜厚が5μmとなるように上記で調製した樹脂層用組成物を、バーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて70℃で10分加熱した後、さらに130℃で10分加熱して、PIフィルム上にBステージ樹脂層が積層された「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を得た。
4.2.2. Preparation of B-stage resin layer/film layer laminate As a film, on a 25 μm thick PI film (manufactured by Toray DuPont, Kapton EN), the resin layer prepared above so that the film thickness after curing is 5 μm The composition was coated using a bar coater, heated at 70 ° C. for 10 minutes using an oven, and then heated at 130 ° C. for 10 minutes to form a B-stage resin layer laminated on the PI film. A "stage resin layer/film layer laminate" was obtained.

4.2.3.金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体の作製
上記で得られた「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」の露出した樹脂層上に、厚さ18μmの銅箔(三井金属社製、型番「TQ-M4-VSP」、表面粗さ110nm)を重ね合わせ、さらに150℃の熱ロールで線荷重10kN/mの条件でプレスし、銅箔/Bステージ樹脂層/フィルム層の積層構造を有する「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を作製した。なお、銅箔の表面粗さRaは、白色干渉顕微装置(ZYGO社製 New View 5032)を用いて測定し、JIS B0601-2001に準拠して10μm×10μmの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さRaとした。その結果を表1に示す。
4.2.3. Preparation of metal layer / B stage resin layer / film layer laminate On the exposed resin layer of the "B stage resin layer / film layer laminate" obtained above, a copper foil with a thickness of 18 µm (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., Model number "TQ-M4-VSP", surface roughness 110 nm) are superimposed and further pressed with a hot roll at 150 ° C under the condition of a line load of 10 kN / m to form a laminated structure of copper foil / B stage resin layer / film layer. A "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate" having The surface roughness Ra of the copper foil was measured using a white interference microscope (New View 5032 manufactured by ZYGO), and was calculated for a range of 10 μm × 10 μm according to JIS B0601-2001. ” was taken as the surface roughness Ra. Table 1 shows the results.

<フィルム層剥離後の表面粗さRa>
上記で得られた「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」からフィルム層を剥離し、露出した樹脂層の表面を、白色干渉顕微装置(ZYGO社製 New View 5032)を用いて測定し、JIS B0601-2001に準拠して10μm×10μmの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さRaとした。その結果を表1に示す。
<Surface roughness Ra after film layer peeling>
The film layer was peeled off from the "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate" obtained above, and the surface of the exposed resin layer was measured using a white interference microscope (New View 5032 manufactured by ZYGO). The "arithmetic mean roughness" calculated for a range of 10 μm×10 μm in accordance with JIS B0601-2001 was defined as the surface roughness Ra. Table 1 shows the results.

4.2.4.金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層積層体の作製
上記で得られた「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」のフィルム面の上に上記で調製した樹脂層用組成物を、硬化後の膜厚が5μmとなるようにバーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて70℃で10分加熱した後、さらに130℃で10分加熱して、フィルム層の上にBステージ樹脂層を積層させ、「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層積層体」を作製した。
4.2.4. Production of metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer laminate The resin layer prepared above on the film surface of the "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate" obtained above was applied using a bar coater so that the film thickness after curing was 5 μm, heated in an oven at 70° C. for 10 minutes, and further heated at 130° C. for 10 minutes to form a film layer. A B-stage resin layer was laminated thereon to prepare a "metal layer/B-stage resin layer/film layer/B-stage resin layer laminate".

4.2.5.金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体の作製
上記で得られた「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層積層体」の外側のBステージ樹脂層に、厚さ18μmの銅箔(三井金属社製、型番「TQ-M4-VSP」、表面粗さ110nm)を重ね合わせ、さらに150℃の熱ロールで線荷重10kN/mの条件でプレスし、「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」を作製した。
4.2.5. Production of metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate Outside B of "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer laminate" obtained above A copper foil with a thickness of 18 μm (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., model number “TQ-M4-VSP”, surface roughness: 110 nm) is superimposed on the stage resin layer, and further heated with a hot roll at 150° C. under the condition of a line load of 10 kN/m. It was pressed to produce a "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate".

4.2.6.高周波回路用積層体の作製及び評価
上記で得られた「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層/Bステージ樹脂層/金属層積層体」を150℃の熱ロールで線荷重10kN/mの条件でプレスし、その後オーブンを用いて250℃で3時間加熱して、フィルム層の両面にCステージ樹脂層が積層された「銅箔(膜厚18μm)/Cステージ樹脂層(膜厚5μm)/フィルム層(25μm)/Cステージ樹脂層(膜厚5μm)/銅箔(膜厚18μm)」の積層構造を有する高周波回路用積層体を作製した。なお、銅箔(金属層)の表面粗さRaは、白色干渉顕微装置(ZYGO社製 New View 5032)を用いて測定し、JIS B0601-2001に準拠して10μm×10μmの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さRaとした。その結果を表1に示す。
4.2.6. Preparation and Evaluation of High-Frequency Circuit Laminate The "metal layer/B stage resin layer/film layer/B stage resin layer/metal layer laminate" obtained above was heated with a hot roll at 150° C. under the condition of a line load of 10 kN/m. and then heated at 250 ° C. for 3 hours using an oven to laminate the C stage resin layer on both sides of the film layer "copper foil (thickness 18 μm) / C stage resin layer (thickness 5 μm) / A high-frequency circuit laminate having a laminated structure of film layer (25 μm)/C-stage resin layer (5 μm thick)/copper foil (18 μm thick) was produced. The surface roughness Ra of the copper foil (metal layer) was measured using a white interference microscope (New View 5032 manufactured by ZYGO), and was calculated for a range of 10 μm × 10 μm in accordance with JIS B0601-2001. Arithmetic mean roughness" was taken as the surface roughness Ra. Table 1 shows the results.

<剥離強度>
作製した高周波回路用積層体から試験片(幅1cm×長さ10cm)を切り出し、インストロン社製「Instron5567」を用い、金属層を500mm/分の条件で90度方向に引っ張り、「IPC-TM-650 2.4.9」に準拠して剥離強度を測定した。次に、金属層が剥離された高周波回路用積層体からCステージ樹脂層をさらに剥離した後、上記の金属層を剥離したときと同様の条件でフィルム層を90度方向に引っ張り、「IPC-TM-650 2.4.9」に準拠して剥離強度を測定した。結果を表1に示す。
<Peel strength>
A test piece (width 1 cm x length 10 cm) was cut out from the produced high-frequency circuit laminate, and using "Instron 5567" manufactured by Instron, the metal layer was pulled in the direction of 90 degrees at 500 mm / min, and "IPC-TM -650 2.4.9" to measure the peel strength. Next, after further peeling off the C-stage resin layer from the high-frequency circuit laminate from which the metal layer was peeled off, the film layer was pulled in a 90-degree direction under the same conditions as when the metal layer was peeled off. The peel strength was measured according to TM-650 2.4.9. Table 1 shows the results.

4.2.7.Cステージ樹脂特性の評価
<引張強度及び引張伸び>
上記で調製した樹脂層用組成物を、硬化後の膜厚が20μmとなるようにバーコーターを用いて金属層上に塗工し、オーブンを用いて70℃で10分加熱した後、さらに130℃で10分加熱して、「金属層/Bステージ樹脂層積層体」を作製した。更にオーブンを用いて250℃で3時間加熱した高周波回路用積層体にエッチング処理して銅箔を除去することによりCステージ樹脂層を取り出して、それを評価用樹脂フィルムとした。作成した樹脂フィルムからJIS K 7161 7号ダンベル形試験片を切り出し、島津製作所社製「Ez-LX」を用い、5mm/分で引っ張り、破断した際の応力を引張強度、伸びを引張伸びとして測定した。結果を表1に示す。
4.2.7. Evaluation of C stage resin properties <Tensile strength and tensile elongation>
The resin layer composition prepared above was coated on the metal layer using a bar coater so that the film thickness after curing was 20 μm, heated at 70° C. for 10 minutes using an oven, and then heated at 70° C. for 10 minutes. C. for 10 minutes to prepare a "metal layer/B stage resin layer laminate". Further, the high-frequency circuit laminate heated at 250° C. for 3 hours in an oven was etched to remove the copper foil, thereby taking out the C-stage resin layer, which was used as a resin film for evaluation. A JIS K 7161 No. 7 dumbbell-shaped test piece is cut out from the prepared resin film, and is pulled at 5 mm/min using "Ez-LX" manufactured by Shimadzu Corporation. bottom. Table 1 shows the results.

<ガラス転移温度(Tg)>
上記で作成した樹脂フィルムから試験片(幅3mm×長さ1cm)を切り出し、DMS試験器(セイコーインスツル社製、型番「EXSTAR4000」)にてガラス転移温度(Tg)を測定した。結果を表1に示す。
<Glass transition temperature (Tg)>
A test piece (3 mm wide x 1 cm long) was cut out from the resin film prepared above, and the glass transition temperature (Tg) was measured with a DMS tester (manufactured by Seiko Instruments Inc., model number "EXSTAR4000"). Table 1 shows the results.

<弾性率>
上記で作成した樹脂フィルムからJIS K 7161 7号ダンベルを切り出し、島津製作所社製「Ez-LX」を用いて、JIS K 7161に準じて5mm/分で引張試験を行い、引張弾性率を測定した。結果を表1に示す。
<Elastic modulus>
A JIS K 7161 No. 7 dumbbell was cut out from the resin film prepared above, and a tensile test was performed at 5 mm/min according to JIS K 7161 using "Ez-LX" manufactured by Shimadzu Corporation to measure the tensile modulus. . Table 1 shows the results.

<電気特性(比誘電率、誘電正接)>
上記で作成した樹脂フィルムから試験片(幅2.6mm×長さ80mm)を切り出し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置(アジレントテクノロジー社製、型番「PNA-LネットワークアナライザーN5230A」、関東電子応用開発社製、型番「空洞共振器10GHz用CP531)を用いて23℃、10GHzにおける比誘電率及び誘電正接の測定を行った。結果を表1に示す。
<Electrical properties (relative permittivity, dielectric loss tangent)>
A test piece (width 2.6 mm × length 80 mm) is cut out from the resin film prepared above, and a cavity resonator perturbation method dielectric constant measurement device (manufactured by Agilent Technologies, model number “PNA-L network analyzer N5230A”, Kanto Denshi application The relative permittivity and dielectric loss tangent were measured at 23° C. and 10 GHz using model number “CP531 for cavity resonator 10 GHz” manufactured by Kaihatsu Co., Ltd. The results are shown in Table 1.

4.2.8.積層体捲回体の作製及び評価
上記で作製した高周波回路用積層体を、幅250mm、巻芯半径40mmの厚紙製の巻芯に厚さ10μmの両面テープを幅方向中央に長さ100mmにわたって貼り付けた。その後、作製した高周波回路用積層体を両面テープに接合した後、巻き取り張力150N/mで巻芯に高周波回路用積層体を1,000層に巻き、積層体捲回体を作製した。
4.2.8. Preparation and Evaluation of Laminate Winding Body The high-frequency circuit laminate prepared above was attached to a cardboard core having a width of 250 mm and a core radius of 40 mm, and a double-sided tape having a thickness of 10 μm was attached to the center in the width direction over a length of 100 mm. attached. Then, after bonding the produced high-frequency circuit laminate to a double-sided tape, 1,000 layers of the high-frequency circuit laminate were wound around a winding core at a winding tension of 150 N/m to produce a laminate roll.

作製した積層体捲回体に捲回された高周波回路用積層体を25℃で1ヶ月保存した後、巻芯から積層体を全て巻き戻した。その後、巻き戻した積層体の巻癖を目視で評価した。巻癖が認められない場合は「良好」と判断し、巻癖が激しく、実用に供することができない場合には「不良」と判断した。結果を表1に示す。 After the high-frequency circuit laminate wound around the laminate wound body thus produced was stored at 25° C. for one month, the laminate was completely unwound from the winding core. After that, the curl of the unwound laminate was visually evaluated. When no curl was observed, it was judged as "good", and when the curl was severe and practical use was not possible, it was judged as "poor". Table 1 shows the results.

4.2.9.回路基板の作製及び評価
上記で作製した高周波回路用積層体の片面を、感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが150μmで線幅がそれぞれ40、45、50、55、60μm、及びピッチが750μmで線幅がそれぞれ200、220、240、260、280μmの銅配線パターンを作製した。次いで、作製した銅配線パターンの表面に、上記で作製した「Bステージ樹脂層/剥離層積層体」をBステージ樹脂層側がパターニングした高周波回路用積層体の銅配線に接するように載置した後、その上に鏡板を乗せ、120℃/3.0MPa/5分のプレス条件で加熱加圧成形後、剥離層(PETフィルム)を剥離して250℃で3時間加熱して、回路基板を作製した。
4.2.9. Production and Evaluation of Circuit Board On one side of the high-frequency circuit laminate produced above, a copper foil was patterned using a photosensitive dry film, and the pitch was 150 μm and the line widths were 40, 45, 50, 55, and 60 μm, respectively. and copper wiring patterns with a pitch of 750 μm and line widths of 200, 220, 240, 260 and 280 μm, respectively. Then, the "B stage resin layer/release layer laminate" prepared above is placed on the surface of the prepared copper wiring pattern so that the B stage resin layer side is in contact with the copper wiring of the patterned high frequency circuit laminate. , Place a panel on top of it, heat and pressure mold under press conditions of 120°C/3.0 MPa/5 minutes, peel off the release layer (PET film) and heat at 250°C for 3 hours to produce a circuit board. bottom.

<伝送損失評価>
上記で作製した回路基板について、測定プローブ(カスケードマイクロテック社製、シングル(ACP40GSG250)、ベクトル型ネットワークアナライザー(Keysight technology E8363B)を用いて25℃における周波数20GHzの伝送損失を測定した。伝送損失が-5dB/100mm以上の場合、良好と判断した。
<Transmission loss evaluation>
For the circuit board produced above, the transmission loss at a frequency of 20 GHz at 25° C. was measured using a measurement probe (manufactured by Cascade Microtech, single (ACP40GSG250), vector type network analyzer (Keysight technology E8363B). Transmission loss is − A value of 5 dB/100 mm or more was judged to be good.

<基板段差評価>
上記で作製した高周波回路用積層体の両面を、銅箔の厚みが9μmになるように両面エッチングを行い、さらに感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが100μmで線幅が50μmの銅配線パターンを作製した。
次に、上記で作製した「金属層/Bステージ樹脂層/剥離層積層体」から、剥離層(PETフィルム)を剥離し、剥離して露出した樹脂層と、作製した銅配線パターンが接するように両面に配置し、さらに鏡板で挟み込み、120℃/1.1MPa/2分のプレス条件で加熱加圧し、さらに250℃で3時間加熱した。
その後、感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが100μmで線幅が50μmの銅配線パターンを両面に作製した。
最後に、上記で作製した「Bステージ樹脂層/剥離層積層体」から、剥離層(PETフィルム)を剥離し、剥離面の樹脂層と、作製した銅配線パターンが接するように両面に配置し、さらに鏡板で挟み込み、120℃/1.1MPa/2分のプレス条件で加熱加圧成形後、さらに250℃で3時間加熱し、4層の銅配線を有する評価用基板を作製した。
<Substrate level difference evaluation>
Both sides of the laminate for high-frequency circuits prepared above are subjected to double-sided etching so that the copper foil has a thickness of 9 μm, and the copper foil is patterned using a photosensitive dry film, so that the pitch is 100 μm and the line width is 50 μm. A copper wiring pattern was produced.
Next, the release layer (PET film) is peeled off from the "metal layer/B stage resin layer/release layer laminate" prepared above, and the resin layer exposed by peeling is in contact with the prepared copper wiring pattern. , sandwiched between end plates, heated and pressurized under press conditions of 120° C./1.1 MPa/2 minutes, and further heated at 250° C. for 3 hours.
Thereafter, the copper foil was patterned using a photosensitive dry film to form copper wiring patterns with a pitch of 100 μm and a line width of 50 μm on both sides.
Finally, the release layer (PET film) was peeled off from the "B stage resin layer/release layer laminate" prepared above, and the resin layer on the release surface and the prepared copper wiring pattern were placed on both sides so that they were in contact with each other. Then, it was further sandwiched between end plates, heat-pressed under press conditions of 120° C./1.1 MPa/2 min, and further heated at 250° C. for 3 hours to prepare an evaluation board having four layers of copper wiring.

作製した評価用基板の断面形状を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、凹部と凸部の差が5%以下の場合、実用可能であり良好と判断、5%超の場合、実用不可でありと不良と判断した。結果を表1に示す。 The cross-sectional shape of the prepared evaluation substrate is observed using a scanning electron microscope. If the difference between the concave and convex portions is 5% or less, it is judged to be practical and good, and if it exceeds 5%, it is not practical. It was judged to be bad. Table 1 shows the results.

4.3.実施例2~6、9及び比較例1~3
樹脂層用組成物を表1の組成に変更し、金属層及びフィルム層の種類や各種膜厚、積層条件、積層体捲回体の作製条件を表1のように変更した以外は実施例1と同様の方法で高周波回路用積層体を作製し評価した。結果を表1に示す。
4.3. Examples 2-6, 9 and Comparative Examples 1-3
Example 1 except that the resin layer composition was changed to the composition shown in Table 1, and the types of metal layers and film layers, various film thicknesses, lamination conditions, and conditions for producing the laminated body roll were changed as shown in Table 1. A laminate for high-frequency circuits was produced and evaluated in the same manner as in the above. Table 1 shows the results.

4.4.実施例7
厚さ18μmの銅箔(三井金属社製、型番「TQ-M4-VSP」、表面粗さ110nm)上に、硬化後の膜厚が15μmとなるように、表1に記載の樹脂層用組成物を、バーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて70℃で10分間加熱した後、さらに130℃で10分間加熱して、銅箔/Bステージ樹脂層の積層構造を有する「金属層/Bステージ樹脂層積層体」を作製した。
4.4. Example 7
On a 18 μm thick copper foil (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., model number “TQ-M4-VSP”, surface roughness 110 nm), so that the film thickness after curing is 15 μm, the resin layer composition described in Table 1 The object is coated using a bar coater, heated at 70 ° C. for 10 minutes using an oven, and then heated at 130 ° C. for 10 minutes to form a "metal layer" having a laminated structure of copper foil / B stage resin layer. /B stage resin layer laminate” was produced.

一方、フィルムとして、厚さ75μmのPAEKフィルム(Solvay社製、AvaSpire)上に、硬化後の膜厚が15μmとなるように表1に記載の樹脂層用組成物を、バーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて70℃で10分加熱した後、さらに130℃で10分加熱して、PAEKフィルム上にBステージ樹脂層が積層された「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を得た。得られた「Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」の露出した樹脂層上に、厚さ18μmの銅箔(三井金属社製、型番「TQ-M4-VSP」、表面粗さ110nm)を重ね合わせ、さらに150℃の熱ロールで線荷重10kN/mの条件でプレスし、銅箔/Bステージ樹脂層/フィルム層の積層構造を有する「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を作製した。 On the other hand, as a film, a 75 μm thick PAEK film (manufactured by Solvay, AvaSpire) is coated with the resin layer composition described in Table 1 using a bar coater so that the film thickness after curing is 15 μm. After heating at 70 ° C. for 10 minutes using an oven, it is further heated at 130 ° C. for 10 minutes to obtain a "B stage resin layer / film layer laminate" in which the B stage resin layer is laminated on the PAEK film. Obtained. A 18 μm thick copper foil (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., model number “TQ-M4-VSP”, surface roughness 110 nm) is overlaid on the exposed resin layer of the obtained “B-stage resin layer/film layer laminate”. Combined and further pressed with a hot roll at 150° C. under the condition of a line load of 10 kN/m to obtain a “metal layer/B stage resin layer/film layer laminate” having a laminated structure of copper foil/B stage resin layer/film layer. made.

作製した「金属層/Bステージ樹脂層積層体」の露出した樹脂層面へ、上記で作製した「金属層/Bステージ樹脂層/フィルム層積層体」を重ね合わせ、150℃の熱ロールを用いて線荷重10kN/mの条件でプレスし、その後、オーブンを用いて250℃で3時間加熱し、「銅箔(膜厚18μm)/Cステージ樹脂層(膜厚15μm)/フィルム層(膜厚75μm)/Cステージ樹脂層(15μm)/銅箔(膜厚18μm)」の積層構造を有する高周波回路用積層体を作製した。このようにして作製された高周波回路用積層体について、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。 The "metal layer/B stage resin layer/film layer laminate" prepared above is superimposed on the exposed resin layer surface of the prepared "metal layer/B stage resin layer laminate", and a hot roll is applied at 150°C. Press under the condition of a line load of 10 kN / m, then heat at 250 ° C. for 3 hours using an oven, "copper foil (film thickness 18 μm) / C stage resin layer (film thickness 15 μm) / film layer (film thickness 75 μm )/C-stage resin layer (15 μm)/copper foil (thickness 18 μm)”. The high-frequency circuit laminate thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

4.5.実施例8、比較例4
表1の組成となるように樹脂層用組成物を実施例1と同様に調製し、その樹脂層用組成物を使用して上記実施例7と同様にして高周波回路用積層体を作製した。このようにして作製された高周波回路用積層体について、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
4.5. Example 8, Comparative Example 4
A resin layer composition was prepared in the same manner as in Example 1 so as to have the composition shown in Table 1, and a high-frequency circuit laminate was produced in the same manner as in Example 7 using the resin layer composition. The high-frequency circuit laminate thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

4.6.比較例5
フィルム層として、厚さ25μmポリイミドフィルム(東レデュポン社製、商品名「カプトン100H」)を使用した。また、樹脂層用組成物の代わりに、接着層を作製するためのマレイン酸変性スチレン-エチレンブチレン-スチレンブロック共重合体(旭化成ケミカルズ社製、商品名「タフテックM1913」)を用いた以外は、実施例1と同様にして高周波回路用積層体を作製した。このようにして作製された高周波回路用積層体について、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
4.6. Comparative example 5
A 25 μm thick polyimide film (trade name “Kapton 100H” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was used as the film layer. In addition, instead of the resin layer composition, maleic acid-modified styrene - ethylene butylene - styrene block copolymer (manufactured by Asahi Kasei Chemicals, trade name "Tuftec M1913") for preparing the adhesive layer was used. A high-frequency circuit laminate was produced in the same manner as in Example 1. The high-frequency circuit laminate thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

4.7.評価結果
表1に、各実施例及び各比較例で使用した樹脂層用組成物の組成、各層及び高周波回路用積層体及び積層体捲回体の評価結果を示す。
4.7. Evaluation Results Table 1 shows the composition of the resin layer composition used in each example and each comparative example, the evaluation results of each layer, the high-frequency circuit laminate, and the laminate roll.

Figure 0007306449000018
Figure 0007306449000018

上表1中、下記の略称等について補足する。
<重合体>
・SEBC:マレイン酸変性スチレン-エチレンブチレン-スチレンブロック共重合体(旭化成ケミカルズ社製、商品名「タフテックM1913」)
<硬化性化合物>
・化合物A:2,2’-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン(東京化成工業社製)
・化合物B:SR-16H(坂本薬品工業社製、エポキシ当量;160g/eq)
・化合物C:HP-4032D(DIC社製、エポキシ当量;141meq/g)
・化合物D:SR-4PG(坂本薬品工業社製、エポキシ当量;305g/eq)
<硬化助剤>
・硬化助剤A:1-ベンジル-2-メチルイミダゾール(三菱化学社製、製品名「BMI 12」)
・硬化助剤B:2-エチルオクチル酸亜鉛(和光純薬工業社製)
<溶媒>
・溶媒A:シクロペンタノン(東京化成工業社製)
・溶媒B:塩化メチレン(東京化成工業社製)
<金属層種類>
・電解銅箔A:三井金属株式会社製、品番「TQ-M4-VSP」
・電解銅箔B:三井金属株式会社製、品番「3EC-M3S-HTE」
・圧延銅箔A:JX金属株式会社製、品番「GHY5-HA」
<フィルム層種類>
・PI:東レデュポン社製、商品名「カプトン100H」、ポリイミド
・LCP:クラレ社製、商品名「ベクスター」、液晶ポリマー
・PEEK:Solvay社製、商品名「KT-820」、ポリエーテルエーテルケトン
・特殊ポリスチレン:クラボウ社製、商品名「オイディス」
・PEI:Solvay社製、商品名「Ajedium」、ポリエーテルイミド
・PEN:帝人社製、商品名「テオネックス」、ポリエチレンナフタレート
・PAEK:Solvay社製、商品名「AV-630」、ポリアリーレンエーテルケトン
・PPE:Sabic社製、商品名「Nory EFR-735」、ポリフェニレンオキシド
・PET:帝人フィルムソリューション社製、商品名「テイジンテトロン」、ポリエチレンテレフタレート
In Table 1 above, the following abbreviations, etc. are supplemented.
<Polymer>
・ SEBC: maleic acid-modified styrene-ethylene butylene-styrene block copolymer (manufactured by Asahi Kasei Chemicals, trade name “Tuftec M1913”)
<Curable compound>
- Compound A: 2,2'-bis (4-cyanatophenyl) propane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
- Compound B: SR-16H (manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., epoxy equivalent: 160 g / eq)
- Compound C: HP-4032D (manufactured by DIC, epoxy equivalent; 141 meq / g)
- Compound D: SR-4PG (manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., epoxy equivalent: 305 g / eq)
<Curing aid>
- Curing aid A: 1-benzyl-2-methylimidazole (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "BMI 12")
・ Curing aid B: Zinc 2-ethyloctylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
<Solvent>
- Solvent A: cyclopentanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
・ Solvent B: methylene chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<Type of metal layer>
・Electrolytic copper foil A: manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., product number “TQ-M4-VSP”
・Electrolytic copper foil B: manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., product number “3EC-M3S-HTE”
・ Rolled copper foil A: JX Metals Co., Ltd., product number “GHY5-HA”
<Film layer type>
・PI: manufactured by DuPont Toray Co., Ltd., trade name “Kapton 100H”, polyimide ・LCP: manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name “Vecstar”, liquid crystal polymer ・PEEK: manufactured by Solvay Co., Ltd., trade name “KT-820”, polyether ether ketone・Special polystyrene: Made by Kurabo Industries, trade name “Oidis”
・PEI: manufactured by Solvay, trade name “Ajedium”, polyetherimide ・PEN: manufactured by Teijin, trade name “Teonex”, polyethylene naphthalate ・PAEK: manufactured by Solvay, trade name “AV-630”, polyarylene ether Ketone/PPE: manufactured by Sabic, trade name “Nory EFR-735” Polyphenylene oxide/PET: manufactured by Teijin Film Solutions, trade name “Teijin Tetron”, polyethylene terephthalate

表1の結果より、実施例1~8で得られた高周波回路用積層体を用いて回路基板を作成すると、高周波回路における電気信号の伝送損失が低減され、平滑性に優れた回路基板を作製できることがわかった。 From the results in Table 1, when a circuit board is produced using the high-frequency circuit laminates obtained in Examples 1 to 8, the transmission loss of electrical signals in the high-frequency circuit is reduced, and a circuit board with excellent smoothness is produced. It turns out you can.

また、表1の結果より、実施例1~8で得られた積層体捲回体は、高周波回路における電気信号の伝送損失が低減される高周波回路用積層体を、巻芯に捲回して保管した場合であっても巻癖を効果的に抑制できることがわかった。 Further, from the results of Table 1, the laminated body wound bodies obtained in Examples 1 to 8 are stored by winding the laminated body for high frequency circuits, which reduces the transmission loss of electric signals in the high frequency circuit, around the winding core. It was found that curling can be effectively suppressed even in the case of

10…フィルム層、11…樹脂層面(露出面)、12・16…Bステージ樹脂層、13…樹脂層面(露出面)、14・18…金属層、20・22…Cステージ樹脂層、30…金属層、32…Bステージ樹脂層、33…樹脂層面(露出面)、34…フィルム層、36…Cステージ樹脂層、40…巻芯、42…段差部、50…高周波回路用積層体、51…押し跡(巻癖)、100…高周波回路用積層体、200…高周波回路用積層体、300…積層体捲回体
10 Film layer 11 Resin layer surface (exposed surface) 12 16 B stage resin layer 13 Resin layer surface (exposed surface) 14 18 Metal layer 20 22 C stage resin layer 30 Metal layer 32... B stage resin layer 33... Resin layer surface (exposed surface) 34... Film layer 36... C stage resin layer 40... Winding core 42... Stepped portion 50... High frequency circuit laminate 51 100 Laminated body for high frequency circuit 200 Laminated body for high frequency circuit 300 Laminated body wound body

Claims (8)

ガラス転移温度が150℃以上のフィルム層と、樹脂層とが接して積層され、前記フィルム層と接していない前記樹脂層の面に、さらに金属層が接して積層されてなる高周波回路用積層体であって、
前記樹脂層が、下記一般式(1-1)、(1-2)及び(1-3)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位を有する重合体を含有し、
前記樹脂層のJIS K 7161に準じて測定される引張弾性率が0.1~3.0GPaであり、
23℃において前記樹脂層の周波数10GHzにおける誘電正接が0.001~0.01であり、かつ、比誘電率が2.0~3.0である、高周波回路用積層体。
Figure 0007306449000019
〔上記一般式(1-1)~(1-3)中、Rは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、1~3級アミノ基、又は1~3級アミノ基の塩である。nは、それぞれ独立して、0~2の整数である。nが2の場合、複数のRは、同一であっても異なっていてもよく、任意の組み合わせで結合して環構造の一部を形成していてもよい。〕
A laminate for a high-frequency circuit, wherein a film layer having a glass transition temperature of 150° C. or higher and a resin layer are laminated in contact with each other, and a metal layer is further laminated in contact with the surface of the resin layer that is not in contact with the film layer. and
The resin layer contains a polymer having at least one repeating unit selected from repeating units represented by the following general formulas (1-1), (1-2) and (1-3),
The tensile elastic modulus of the resin layer measured according to JIS K 7161 is 0.1 to 3.0 GPa,
A laminate for a high-frequency circuit, wherein the resin layer has a dielectric loss tangent of 0.001 to 0.01 at a frequency of 10 GHz at 23° C. and a dielectric constant of 2.0 to 3.0.
Figure 0007306449000019
[In the above general formulas (1-1) to (1-3), R 1 is each independently a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, is a salt of a halogenated hydrocarbon group, a nitro group, a cyano group, a primary to tertiary amino group, or a primary to tertiary amino group. Each n is independently an integer of 0 to 2. When n is 2, multiple R 1s may be the same or different, and may be combined in any combination to form a part of the ring structure. ]
前記樹脂層の厚さが1~30μmであり、かつ、前記フィルム層の厚さが10~300μmである、請求項1に記載の高周波回路用積層体。 2. The high-frequency circuit laminate according to claim 1, wherein the resin layer has a thickness of 1 to 30 μm, and the film layer has a thickness of 10 to 300 μm. 前記樹脂層と前記フィルム層との剥離強度が5.0N/cm以上である、請求項1また
は請求項2に記載の高周波回路用積層体。
3. The laminate for high-frequency circuits according to claim 1, wherein a peel strength between said resin layer and said film layer is 5.0 N/cm or more.
前記樹脂層と前記金属層との剥離強度が5.0N/cm以上である、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の高周波回路用積層体。 4. The high-frequency circuit laminate according to claim 1 , wherein a peel strength between said resin layer and said metal layer is 5.0 N/cm or more. 前記金属層の厚さが3~50μmである、請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の高周波回路用積層体。 5. The high-frequency circuit laminate according to claim 1, wherein the metal layer has a thickness of 3 to 50 μm. 前記フィルム層が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリーレンエーテルケトン、及びポリフェニレンエーテルからなる群より選択される1種である、請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の高周波回路用積層体。 The film layer is one selected from the group consisting of polyimide, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, polyether ether ketone, polyarylene ether ketone, and polyphenylene ether. The laminate for high-frequency circuits according to any one of claims 1 to 5 . 請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の高周波回路用積層体を備えたフレキシブルプリント基板。 A flexible printed circuit board comprising the high-frequency circuit laminate according to any one of claims 1 to 6 . 請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の高周波回路用積層体が、半径10~100mmの巻芯に捲回された、積層体捲回体。 7. A wound laminate, in which the laminate for a high-frequency circuit according to claim 1 is wound around a core having a radius of 10 to 100 mm.
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