JP7305721B2 - 体積弾性波フィルタ - Google Patents
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Description
〔態様1〕
ダイヤモンド基板を有する、
体積弾性波(BAW)フィルタ。
〔態様2〕
前記ダイヤモンド基板上に形成されたパッシベーション層と;
前記パッシベーション層上に形成された第一の金属層と;
前記第一の金属層上に形成された圧電層と;
圧電層上に形成された第二の金属層と;
前記第一の金属層上に形成された金属パッドとをさらに有しており、
前記金属パッド、第一の金属層、圧電層、および第二の金属層は、ある周波数範囲内の電気信号を通過させる電気経路を形成する、
態様1記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様3〕
前記ダイヤモンド基板と前記パッシベーション層との間に配置され、ダイヤモンド粉末で形成され、その上に前記ダイヤモンド基板を成長させるために使用されたシード層をさらに有する、
態様2記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様4〕
前記パッシベーション層は誘電体材料から形成される、態様1記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様5〕
前記圧電層は、圧電効果もつ材料から形成される、態様1記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様6〕
前記圧電層は、GaN、AlNおよびZnOのうちの少なくとも一つを含む、態様1記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様7〕
前記第一の金属層、第二の金属層、および金属パッドのそれぞれが、電気伝導性の金属から形成される、態様2記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様8〕
前記ダイヤモンド基板は、単結晶構造および多結晶構造のうちの少なくとも一つを有する、態様1記載の体積弾性波フィルタ。
〔態様9〕
体積弾性波フィルタを製造する方法であって:
圧電層を形成するステップと;
前記圧電層の第一の表面上に第一の金属層を形成するステップと;
前記第一の金属層上に第一のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第一のパッシベーション層上にダイヤモンド基板を形成するステップと;
前記圧電層の第二の表面上に第二の金属層を形成するステップと;
前記圧電層の一部を除去して前記第一の金属層の一部を露出させるステップと;
前記第一の金属層の露出部分上に金属パッドを形成するステップとを含む、
方法。
〔態様10〕
ダイヤモンド基板を形成する前記ステップが:
前記第一のパッシベーション層上にシード層を形成するステップと;
前記シード層上に前記ダイヤモンド基板を成長させるステップとを含む、
態様9記載の方法。
〔態様11〕
前記シード層がダイヤモンド粉末で形成される、態様9記載の方法。
〔態様12〕
圧電層を形成する前記ステップが:
基板上に前記圧電層を形成するステップと;
前記圧電層上に第二のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第二のパッシベーション層上にダミー・ウェーハを形成するステップと;
前記基板を除去するステップとを含む、
態様9記載の方法。
〔態様13〕
ダイヤモンド基板を形成する前記ステップの後に、前記ダミー・ウェーハおよび前記第二のパッシベーション層を除去するステップをさらに含む、
態様12記載の方法。
〔態様14〕
前記ダミー・ウェーハがシリコンから形成される、態様12記載の方法。
〔態様15〕
前記圧電層が、GaN、AlNおよびZnOのうちの少なくとも一つを含む、態様9記載の方法。
〔態様16〕
前記第一の金属層、第二の金属層および金属パッドのそれぞれが電気伝導性の金属から形成される、態様9記載の方法。
〔態様17〕
前記第一のパッシベーション層が、ポリSiおよびSiNの少なくとも一つを含む、態様9記載の方法。
〔態様18〕
体積弾性波フィルタを作製するためのパターン・データの一つまたは複数のシーケンスを担持する非一時的なコンピュータ可読可能媒体であって、一つまたは複数のプロセッサによるパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスの実行は、該一つまたは複数のプロセッサに:
圧電層を形成するステップと;
前記圧電層の第一の表面上に第一の金属層を形成するステップと;
前記第一の金属層上に第一のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第一のパッシベーション層上にダイヤモンド基板を形成するステップと;
前記圧電層の第二の表面上に第二の金属層を形成するステップと;
前記圧電層の一部を除去して、前記第一の金属層の一部を露出させるステップと;
前記第一の金属層の露出部分上に金属パッドを形成するステップとを実行させる、
非一時的なコンピュータ可読媒体。
〔態様19〕
一つまたは複数のプロセッサによるパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスの前記実行が、該一つまたは複数のプロセッサに、ダイヤモンド基板を形成する前記ステップを:
前記第一のパッシベーション層上にシード層を形成するステップと;
前記シード層上に前記ダイヤモンド基板を成長させるステップとを実行することによって実行させる、
態様18記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
〔態様20〕
一つまたは複数のプロセッサによるパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスの前記実行が、該一つまたは複数のプロセッサに、圧電層を形成する前記ステップを:
基板上に前記圧電層を形成するステップと;
前記圧電層上に第二のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第二のパッシベーション層上にダミー・ウェーハを形成するステップと;
前記基板を除去するステップとを実行することによって実行させる、
態様18記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
Claims (10)
- 体積弾性波フィルタを製造する方法であって:
圧電層を形成するステップと;
前記圧電層の第一の表面上に第一の金属層を形成するステップと;
前記第一の金属層上に第一のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第一のパッシベーション層上にダイヤモンド基板を形成するステップと;
前記圧電層の第二の表面上に第二の金属層を形成するステップと;
前記圧電層の一部を除去して前記第一の金属層の一部を露出させるステップと;
前記第一の金属層の露出部分上に金属パッドを形成するステップとを含み、
圧電層を形成する前記ステップが:
基板上に前記圧電層を形成するステップと;
前記圧電層上に第二のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第二のパッシベーション層上にダミー・ウェーハを形成するステップと;
前記基板を除去するステップとを含む、
方法。 - ダイヤモンド基板を形成する前記ステップが:
前記第一のパッシベーション層上にシード層を形成するステップと;
前記シード層上に前記ダイヤモンド基板を成長させるステップとを含む、
請求項1記載の方法。 - 前記シード層がダイヤモンド粉末で形成される、請求項2記載の方法。
- ダイヤモンド基板を形成する前記ステップの後に、前記ダミー・ウェーハおよび前記第二のパッシベーション層を除去するステップをさらに含む、
請求項1記載の方法。 - 前記ダミー・ウェーハがシリコンから形成される、請求項1記載の方法。
- 前記圧電層が、GaN、AlNおよびZnOのうちの少なくとも一つを含む、請求項1記載の方法。
- 前記第一の金属層、第二の金属層および金属パッドのそれぞれが電気伝導性の金属から形成される、請求項1記載の方法。
- 前記第一のパッシベーション層が、ポリSiおよびSiNの少なくとも一つを含む、請求項1記載の方法。
- 体積弾性波フィルタを作製するためのパターン・データの一つまたは複数のシーケンスを担持する非一時的なコンピュータ可読可能媒体であって、一つまたは複数のプロセッサによって、体積弾性波フィルタを作製するためのコンピュータ・プログラムと一緒にパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスをロードすることは、前記コンピュータ・プログラムを適応させて、該一つまたは複数のプロセッサに:
圧電層を形成するステップと;
前記圧電層の第一の表面上に第一の金属層を形成するステップと;
前記第一の金属層上に第一のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第一のパッシベーション層上にダイヤモンド基板を形成するステップと;
前記圧電層の第二の表面上に第二の金属層を形成するステップと;
前記圧電層の一部を除去して、前記第一の金属層の一部を露出させるステップと;
前記第一の金属層の露出部分上に金属パッドを形成するステップとを実行させるようにし、
前記一つまたは複数のプロセッサによって、体積弾性波フィルタを作製するための前記コンピュータ・プログラムと一緒にパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスをロードすることが、前記コンピュータ・プログラムを適応させて、該一つまたは複数のプロセッサに、圧電層を形成する前記ステップを:
基板上に前記圧電層を形成するステップと;
前記圧電層上に第二のパッシベーション層を形成するステップと;
前記第二のパッシベーション層上にダミー・ウェーハを形成するステップと;
前記基板を除去するステップとを実行することによって実行させるようにする、非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 一つまたは複数のプロセッサによって、体積弾性波フィルタを作製するための前記コンピュータ・プログラムと一緒にパターン・データの前記一つまたは複数のシーケンスをロードすることが、前記コンピュータ・プログラムを適応させて、該一つまたは複数のプロセッサに、ダイヤモンド基板を形成する前記ステップを:
前記第一のパッシベーション層上にシード層を形成するステップと;
前記シード層上に前記ダイヤモンド基板を成長させるステップとを実行することによって実行させるようにする、
請求項9記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
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