JP7303995B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、像担持体に形成されたマーク画像を検知する光センサを備えた画像形成装置に関する。
従来、例えば特許文献１に記載のように、ベルト上に形成されたテストパターンに光を照射しその正反射光及び拡散反射光を受光することで上記テストパターンを検知し、色ずれや濃度を調整する画像形成装置が知られている。
この画像形成装置では、基板の表面に実装される発光素子及び受光素子の光軸が基板に垂直となることから、素子の感度を向上させるために基板を傾斜させている。
この画像形成装置では、基板の表面に実装される発光素子及び受光素子の光軸が基板に垂直となることから、素子の感度を向上させるために基板を傾斜させている。
しかし、特許文献１に記載の画像形成装置では、テストパターンを検知する際、基板の上記傾斜によって特定の１つの素子に対しては光軸を適切に設定できるものの、それ以外の素子に対しては光軸を適切に設定することができない。そのため、光の利用効率を向上させＳ／Ｎ比を向上させるのが困難である、という問題があった。
本発明の目的は、光センサにより、上記テストパターンとして機能するマーク画像を検知する際の、光の利用効率を向上させＳ／Ｎ比を向上することができる画像形成装置を提供することにある。
（１）上記した目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、像担持体に画像を形成する画像形成部と、前記像担持体の幅方向の所定位置に形成されたマーク画像を検知する光センサと、を備え、前記光センサは、発光素子と、前記発光素子から出射され、前記像担持体の前記所定位置で正反射された光が入射する第１受光素子と、前記発光素子及び前記第１受光素子が実装された基板と、を有し、前記発光素子は、実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、前記第１受光素子は、実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、前記基板は、前記発光素子の実装された位置における垂線と前記第１受光素子の実装された位置における垂線とが、それぞれ前記所定位置に向くように配置されている。
本願発明の画像形成装置においては、基板に、発光素子と、像担持体のうちマーク画像が形成された幅方向の所定位置での正反射光を入射する第１受光素子と、が実装されている。発光素子は、実装位置における基板の垂線方向に指向性を有しており、また基板上において実装位置におけるその垂線が上記所定位置に向いている。第１受光素子は、実装位置における基板の垂線方向に指向性を有しており、また基板上において実装位置におけるその垂線が上記所定位置に向いている。
そのため、発光素子の光軸及び第１受光素子の光軸がいずれもマーク画像に向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
そのため、発光素子の光軸及び第１受光素子の光軸がいずれもマーク画像に向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
（２）また、前記光センサは、前記所定位置で拡散反射された光が入射する第２受光素子をさらに有し、前記第２受光素子は、実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、前記基板は、前記発光素子の実装された位置における垂線と、前記第１受光素子及び前記第２受光素子のうち少なくとも一方の実装された位置における垂線とが、それぞれ前記所定位置に向くように配置されていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、基板に、上記所定位置での拡散反射光を入射する第２受光素子が実装される。第２受光素子は、実装された位置における基板の垂線方向に指向性を有している。また基板上において、実装位置における第１受光素子及び第２受光素子の少なくとも一方の垂線が上記所定位置に向いている。
そのため、発光素子の光軸と、第１受光素子及び第２受光素子のうち少なくとも一方の光軸とが、マーク画像に向くこととなる。その結果、単に基板を傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
そのため、発光素子の光軸と、第１受光素子及び第２受光素子のうち少なくとも一方の光軸とが、マーク画像に向くこととなる。その結果、単に基板を傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
（３）また、前記基板は、前記発光素子の実装された位置における垂線と、前記第１受光素子の実装された位置における垂線と、前記第２受光素子の実装された位置における垂線とが、それぞれ前記所定位置に向くように配置されていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、基板上において、実装位置における第１受光素子及び第２受光素子の両方の垂線が上記所定位置に向いている。
そのため、発光素子の光軸と、第１受光素子の光軸と、第２受光素子の光軸とが、マーク画像に向くこととなる。その結果、光の利用効率をさらに向上させることができ、Ｓ／Ｎ比をさらに向上させることができる。
そのため、発光素子の光軸と、第１受光素子の光軸と、第２受光素子の光軸とが、マーク画像に向くこととなる。その結果、光の利用効率をさらに向上させることができ、Ｓ／Ｎ比をさらに向上させることができる。
（４）また、前記基板は、１つの可撓性基板であり、前記発光素子と、前記第１受光素子及び前記第２受光素子のうち少なくとも一方とが、前記１つの可撓性基板に実装されていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、基板として、１つの可撓性基板が用いられる。基板が可撓性を備えていることから、それぞれの光軸がマーク画像に向いた状態の発光素子及び受光素子の両方を、１つの共通の基板に実装することが可能となる。すなわち、基板の共通化、及び、光軸をマーク画像に向けること、の両立を図れる効果がある。
（５）また、前記基板は、前記像担持体の表面に対して互いに異なる角度で配置された複数の平板状基板に分割されており、前記発光素子と、前記第１受光素子及び前記第２受光素子のうち少なくとも一方とが、互いに異なる前記平板状基板にそれぞれ実装されていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、複数の平板状基板に分割された構造の基板が用いられる。素子をそれぞれ載置した複数の平板状基板が像担持体の表面に対して互いに異なる角度で配置されることにより、発光素子の光軸と、第１受光素子及び第２受光素子の少なくとも一方の光軸とを、マーク画像に向けることができる。
（６）また、前記光センサは、前記基板の一方側の面を保持する第１ホルダをさらに備えていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、第１ホルダによって基板の一方側が保持される。そのため、基板を、素子の光軸がマーク画像に向くような好適な角度で保持することができる。
（７）また、前記光センサは、前記基板の他方側の面を保持する第２ホルダをさらに備えていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、第１ホルダに加え、第２ホルダによって基板の他方側も保持される。そのため、基板を、高精度に好適な角度で保持することができる。
（８）また、前記光センサは、前記発光素子と、前記第１受光素子及び前記第２受光素子のうち少なくとも一方と、の間を遮光する遮光部をさらに備えていてもよい。
本願発明の画像形成装置においては、発光素子と、第１受光素子及び第２受光素子の少なくとも一方の間の遮光が、遮光部によって行われる。そのため、光の漏洩による利用効率の低下を抑制し、Ｓ／Ｎ比をさらに向上させることができる。
本発明によれば、発光素子の光軸及び第１受光素子の光軸がいずれもマーク画像に向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
次に、本発明の一実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
＜プリンタの概略構成＞
図１に示すように、カラープリンタ１は、本体筐体１０内に、シートＰを供給する給紙部２０と、給紙されたシートＰに画像を形成する画像形成部３０と、画像が形成されたシートＰを排出する排紙部９０と、を備えている。
図１に示すように、カラープリンタ１は、本体筐体１０内に、シートＰを供給する給紙部２０と、給紙されたシートＰに画像を形成する画像形成部３０と、画像が形成されたシートＰを排出する排紙部９０と、を備えている。
給紙部２０は、給紙トレイ２１と、給紙トレイ２１からシートＰを画像形成部３０へ搬送する用紙供給装置２２と、を備えている。
画像形成部３０は、複数のＬＥＤユニット４０と、複数のプロセスカートリッジ５０と、ベルトユニット７０と、定着装置８０と、を備えている。
ＬＥＤユニット４０は、複数のＬＥＤを有しており、後述する感光ドラム５１を露光する。
プロセスカートリッジ５０は、感光ドラム５１と、帯電器５２と、符号を省略して示す現像ローラ及びトナー収容室等と、を備えている。
ベルトユニット７０は、給紙部２０と各プロセスカートリッジ５０との間に設けられ、駆動ローラ７１と、従動ローラ７２と、像担持体の一例としての転写ベルト７３と、転写ローラ７４と、を備えている。
駆動ローラ７１及び従動ローラ７２は、離間して平行に配置され、その間にエンドレスベルトからなる転写ベルト７３を掛け渡している。転写ベルト７３の外側の面は、各感光ドラム５１と対向している。また、転写ローラ７４は、転写ベルト７３に対して感光ドラム５１とは反対側に複数配置されている。
定着装置８０は、ヒータ８１Ａを内部に備える加熱ローラ８１と、加熱ローラ８１を押圧する加圧ローラ８２と、を備えている。
排紙部９０は、シートＰを搬送する搬送ローラ９１と、本体筐体１０の排出口９２からシートＰを排紙トレイ１１に排出する排紙ローラ９３と、を備えている。
＜画像形成動作＞
このように構成される画像形成部３０では、各感光ドラム５１の表面が各帯電器５２により一様に帯電された後、各ＬＥＤユニット４０で露光され、各感光ドラム５１上に印刷データに基づく静電潜像が形成される。静電潜像に上記現像ローラからトナーが供給されることで、感光ドラム５１上にトナー像が形成される。
このように構成される画像形成部３０では、各感光ドラム５１の表面が各帯電器５２により一様に帯電された後、各ＬＥＤユニット４０で露光され、各感光ドラム５１上に印刷データに基づく静電潜像が形成される。静電潜像に上記現像ローラからトナーが供給されることで、感光ドラム５１上にトナー像が形成される。
転写ベルト７３上に供給されたシートＰが各感光ドラム５１と各転写ローラ７４との間を通過することで、各感光ドラム５１上に上記形成されたトナー像がシートＰ上に転写される。シートＰが加熱ローラ８１と加圧ローラ８２との間を通過することで、シートＰ上に転写されたトナー像が熱定着される。
＜光センサによる転写ベルトの読み取り＞
転写ベルト７３は、図２に示すように、幅方向両側それぞれに、幅方向の所定位置の一例としての被検知領域７５Ｌ，７５Ｒを有している。なお、上記幅方向は、駆動ローラ７１の回転軸線方向と一致している。以下適宜、これら両側の被検知領域７５Ｌ，７５Ｒを総称して単に「被検知領域７５」と称する。被検知領域７５は、光センサ１００により情報が読み取られる領域である。
転写ベルト７３は、図２に示すように、幅方向両側それぞれに、幅方向の所定位置の一例としての被検知領域７５Ｌ，７５Ｒを有している。なお、上記幅方向は、駆動ローラ７１の回転軸線方向と一致している。以下適宜、これら両側の被検知領域７５Ｌ，７５Ｒを総称して単に「被検知領域７５」と称する。被検知領域７５は、光センサ１００により情報が読み取られる領域である。
光センサ１００は、図２に示すように、転写ベルト７３の幅方向における両端側それぞれに２つ設けられた光センサ１００Ｌ，１００Ｒを含む。以下適宜、これら２つの光センサ１００Ｌ，１００Ｒを総称して単に「光センサ１００」と称する。光センサ１００は、図１に示すように、転写ベルト７３の回転方向に沿った最下流側の感光ドラム５１よりも回転方向下流側において、駆動ローラ７１の斜め下方に、転写ベルト７３に対向して配置されている。
光センサ１００は、転写ベルト７３の被検知領域７５に光を照射し、被検知領域７５での反射光を受光することによって情報読み取りを行う。光センサ１００で検知された情報は、図示しない制御装置に出力される。制御装置は、この情報を元に、各感光ドラム５１に対応した上記ＬＥＤの発光タイミングや、上記現像ローラに印加するバイアスを調整し、トナーの色ずれや濃度を補正する制御を行うことができる。
＜マーク画像＞
上記トナーの色ずれや濃度の補正を行う際には、画像形成部３０によって転写ベルト７３に画像が形成される。具体的には、画像形成部３０の感光ドラム５１上に形成された、マーク画像が、転写ベルト７３の被検知領域７５Ｌ，７５Ｒ上にそれぞれ転写される。被検知領域７５上に形成されたマーク画像は、光センサ１００によって読み取られる。
上記トナーの色ずれや濃度の補正を行う際には、画像形成部３０によって転写ベルト７３に画像が形成される。具体的には、画像形成部３０の感光ドラム５１上に形成された、マーク画像が、転写ベルト７３の被検知領域７５Ｌ，７５Ｒ上にそれぞれ転写される。被検知領域７５上に形成されたマーク画像は、光センサ１００によって読み取られる。
図２に示すように、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒは、２つの光センサ１００Ｌ，１００Ｒに対応して、転写ベルト７３の幅方向両端部側の全周面に２ヶ所存在している。上記マーク画像は、後述の図３（ａ）及び図３（ｂ）にも示すように、上記２ヶ所の被検知領域７５Ｌ，７５Ｒ内において、転写ベルト７３の周方向に複数形成されている。
＜光センサ＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒについて図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して詳細に説明する。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）においては、便宜上、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒの範囲を２点鎖線で図示する。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒについて図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して詳細に説明する。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）においては、便宜上、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒの範囲を２点鎖線で図示する。
＜光センサ１００Ｌの概略＞
まず図３（ａ）を用いて、光センサ１００Ｌの概略構成及び被検知領域７５Ｌの読み取りについて説明する。図３（ａ）に示すように、被検知領域７５Ｌには、マーク画像ＴＬが形成されている。光センサ１００Ｌは、発光素子１１０と、第１受光素子１２１と、第２受光素子１２２と、基板１４５と、ホルダ１４７と、を備え、マーク画像ＴＬの検知を行う。
まず図３（ａ）を用いて、光センサ１００Ｌの概略構成及び被検知領域７５Ｌの読み取りについて説明する。図３（ａ）に示すように、被検知領域７５Ｌには、マーク画像ＴＬが形成されている。光センサ１００Ｌは、発光素子１１０と、第１受光素子１２１と、第２受光素子１２２と、基板１４５と、ホルダ１４７と、を備え、マーク画像ＴＬの検知を行う。
発光素子１１０は、矢印Ａで示すように、被検知領域７５Ｌに光を出射する。
第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２は、被検知領域７５Ｌから反射された光をそれぞれ受光する。第１受光素子１２１は、矢印Ｂで示すように、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで正反射された光を入射する。第２受光素子１２２は、矢印Ｃで示すように、発光素子１１０から出射され、被検知領域７５Ｌで拡散反射された光を入射する。マーク画像ＴＬは上記正反射を弱め拡散反射を強める作用を備えるため、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２での受光結果に基づき、光センサ１００Ｌは、公知の手法によりマーク画像ＴＬを検知することができる。上記制御装置は、光センサ１００Ｌによる、マーク画像ＴＬを含む被検知領域７５Ｌからの受光結果に基づき、トナーの色ずれや濃度を補正する。なお、色ずれの補正を行う時に使用するマーク画像ＴＬと、濃度の補正を行う時に使用するマーク画像ＴＬとは、異なるものでもよいし同一のものでもよい。本明細書では、便宜上、両者を区別せずに単に「マーク画像ＴＬ」として説明している。
第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２は、被検知領域７５Ｌから反射された光をそれぞれ受光する。第１受光素子１２１は、矢印Ｂで示すように、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで正反射された光を入射する。第２受光素子１２２は、矢印Ｃで示すように、発光素子１１０から出射され、被検知領域７５Ｌで拡散反射された光を入射する。マーク画像ＴＬは上記正反射を弱め拡散反射を強める作用を備えるため、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２での受光結果に基づき、光センサ１００Ｌは、公知の手法によりマーク画像ＴＬを検知することができる。上記制御装置は、光センサ１００Ｌによる、マーク画像ＴＬを含む被検知領域７５Ｌからの受光結果に基づき、トナーの色ずれや濃度を補正する。なお、色ずれの補正を行う時に使用するマーク画像ＴＬと、濃度の補正を行う時に使用するマーク画像ＴＬとは、異なるものでもよいし同一のものでもよい。本明細書では、便宜上、両者を区別せずに単に「マーク画像ＴＬ」として説明している。
基板１４５は、横断面が略Ｖ字形状となるように折り曲げた形状の１枚の可撓性の基板であり、いわゆるフレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）によって構成されている。基板１４５のうち図示左側の一方側部分１４５ａには、発光素子１１０が実装され、基板１４５のうち図示右側の他方側部分１４５ｂには、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２が実装されている。一方側部分１４５ａ及び他方側部分１４５ｂは、それぞれ平板状に構成されている。一方側部分１４５ａは、発光素子１１０の端子がはんだ付けされるランドを備え、他方側部分１４５ｂは、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２それぞれの端子がはんだ付けされるランドを備えている。
ホルダ１４７は、樹脂製であり、基板１４５を保持する。ホルダ１４７は、上部に設けた取り付け部１４８を介しフレーム１４９に組み付けられ、ボス１４４によってフレーム１４９に対し位置決めされている。
＜発光素子＞
発光素子１１０は、ＬＥＤで構成されている。発光素子１１０は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ａ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ａ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ａ及び貫通部１４９ａは、発光素子１１０から被検知領域７５Ｌに向けて出射された光が通る孔であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と発光素子１１０とを結ぶ直線上に位置している。発光素子１１０は、基板１４５の一方側部分１４５ａへの実装位置における当該一方側部分１４５ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。
なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
発光素子１１０は、ＬＥＤで構成されている。発光素子１１０は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ａ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ａ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ａ及び貫通部１４９ａは、発光素子１１０から被検知領域７５Ｌに向けて出射された光が通る孔であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と発光素子１１０とを結ぶ直線上に位置している。発光素子１１０は、基板１４５の一方側部分１４５ａへの実装位置における当該一方側部分１４５ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。
なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
＜第１受光素子＞
第１受光素子１２１は、発光素子１１０から出射される光の波長に対して感度があるフォトダイオードである。第１受光素子１２１は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ｂ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ｂ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ｂ及び貫通部１４９ｂは、被検知領域７５Ｌで正反射された正反射光を通すための孔であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と第１受光素子１２１とを結ぶ直線上に位置している。第１受光素子１２１は、基板１４５の他方側部分１４５ｂへの実装位置における当該他方側部分１４５ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、第１受光素子１２１の光軸方向となる。
第１受光素子１２１は、発光素子１１０から出射される光の波長に対して感度があるフォトダイオードである。第１受光素子１２１は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ｂ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ｂ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ｂ及び貫通部１４９ｂは、被検知領域７５Ｌで正反射された正反射光を通すための孔であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と第１受光素子１２１とを結ぶ直線上に位置している。第１受光素子１２１は、基板１４５の他方側部分１４５ｂへの実装位置における当該他方側部分１４５ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、第１受光素子１２１の光軸方向となる。
＜第２受光素子＞
第２受光素子１２２は、発光素子１１０から出射される光の波長に対して感度があるフォトダイオードである。第２受光素子１２２は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ｃ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ｃ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ｃ及び貫通部１４９ｃは、被検知領域７５Ｌで拡散反射された拡散反射光を通すための穴であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と第２受光素子１２２とを結ぶ直線上に位置している。第２受光素子１２２は、基板１４５の他方側部分１４５ｂへの実装位置における当該他方側部分１４５ｂの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、第２受光素子１２２の光軸方向となる。
第２受光素子１２２は、発光素子１１０から出射される光の波長に対して感度があるフォトダイオードである。第２受光素子１２２は、ホルダ１４７に設けた貫通部１４２ｃ、及び、フレーム１４９に設けた貫通部１４９ｃ、を通して被検知領域７５Ｌと対向している。貫通部１４２ｃ及び貫通部１４９ｃは、被検知領域７５Ｌで拡散反射された拡散反射光を通すための穴であり、被検知領域７５Ｌの中心すなわち光が当たる部分と第２受光素子１２２とを結ぶ直線上に位置している。第２受光素子１２２は、基板１４５の他方側部分１４５ｂへの実装位置における当該他方側部分１４５ｂの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、第２受光素子１２２の光軸方向となる。
＜基板＞
基板１４５の一方側部分１４５ａは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌに向くように、傾斜して配置されている。基板１４５の他方側部分１４５ｂは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌに向くように、傾斜して配置されている。この例では垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌに向いている。この結果、基板１４５は被検知領域７５Ｌに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで正反射された光は、第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、基板１４５は、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線Ｌａとが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
なお、第２受光素子１２２は、上述のように傾斜した他方側部分１４５ｂの上に実装される結果、垂線Ｋ３は被検知領域７５Ｌに向いていない。
基板１４５の一方側部分１４５ａは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌに向くように、傾斜して配置されている。基板１４５の他方側部分１４５ｂは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌに向くように、傾斜して配置されている。この例では垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌに向いている。この結果、基板１４５は被検知領域７５Ｌに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで正反射された光は、第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、基板１４５は、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線Ｌａとが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
なお、第２受光素子１２２は、上述のように傾斜した他方側部分１４５ｂの上に実装される結果、垂線Ｋ３は被検知領域７５Ｌに向いていない。
＜ホルダ＞
ホルダ１４７は、図４に示されるように、第１ホルダの一例としての図示上側の一方側部分１４７Ｕと、第２ホルダの一例としての図示下側の他方側部分１４７Ｄと、に分割可能な構造となっている。一方側部分１４７Ｕの図示下方に設けた凸部１４７ａと、他方側部分１４７Ｄの図示上方に設けた凹部１４７ｂとが、互いに係合することで、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したホルダ１４７の構造が実現されている。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５の図示上側の面１４５ｕを保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５の図示下側の面１４５ｄを保持する。
ホルダ１４７は、図４に示されるように、第１ホルダの一例としての図示上側の一方側部分１４７Ｕと、第２ホルダの一例としての図示下側の他方側部分１４７Ｄと、に分割可能な構造となっている。一方側部分１４７Ｕの図示下方に設けた凸部１４７ａと、他方側部分１４７Ｄの図示上方に設けた凹部１４７ｂとが、互いに係合することで、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したホルダ１４７の構造が実現されている。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５の図示上側の面１４５ｕを保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５の図示下側の面１４５ｄを保持する。
一方側部分１４７Ｕは、基板１４５に配置された各素子１１０，１２１，１２２を覆うハウジング２００としての機能を兼ねており、貫通部１４２ａと、貫通部１４２ｂと、貫通部１４２ｃと、を備えている。一方側部分１４７Ｕは、貫通部１４２ａと貫通部１４２ｂとの間に遮光部１４７ｐを備え、貫通部１４２ｂと貫通部１４２ｃとの間に遮光部１４７ｑを備えている。
遮光部１４７ｐ，１４７ｑは、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２のうち少なくとも一方と、の間を遮光する。この例では、遮光部１４７ｐは発光素子１１０と第１受光素子１２１との間を遮光し、遮光部１４７ｑは発光素子１１０と第２受光素子１２２との間を遮光する。これにより、発光素子１１０から出射したホルダ１４７内にて乱反射した光が第１受光素子１２１若しくは第２受光素子１２２で受光されるのが抑制される。
＜光センサ１００Ｒ＞
次に、図３（ｂ）を用いて、光センサ１００Ｒの概略構成及び被検知領域７５Ｒの読み取りについて説明する。図３（ｂ）に示すように、被検知領域７５Ｒには、マーク画像ＴＲが形成されている。光センサ１００Ｒは、光センサ１００Ｌにおける基板１４５の他方側部分１４５ｂ上の第２受光素子１２２が省略されている以外は、光センサ１００Ｌと同様の構成である。すなわち、光センサ１００Ｒは、発光素子１１０と、第１受光素子１２１と、基板１４５と、ホルダ１４７と、を備え、マーク画像ＴＲの検知を行う。
次に、図３（ｂ）を用いて、光センサ１００Ｒの概略構成及び被検知領域７５Ｒの読み取りについて説明する。図３（ｂ）に示すように、被検知領域７５Ｒには、マーク画像ＴＲが形成されている。光センサ１００Ｒは、光センサ１００Ｌにおける基板１４５の他方側部分１４５ｂ上の第２受光素子１２２が省略されている以外は、光センサ１００Ｌと同様の構成である。すなわち、光センサ１００Ｒは、発光素子１１０と、第１受光素子１２１と、基板１４５と、ホルダ１４７と、を備え、マーク画像ＴＲの検知を行う。
光センサ１００Ｒにおいては、発光素子１１０はマーク画像ＴＲが形成された被検知領域７５Ｒに光を出射し、第１受光素子１２１は被検知領域７５Ｒで正反射された光を入射する。マーク画像ＴＲは上記正反射を弱め拡散反射を強める作用を備えるため、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２での受光結果に基づき、光センサ１００Ｒは、公知の手法によりマーク画像ＴＲを検知することができる。上記制御装置は、光センサ１００Ｒによる、マーク画像ＴＲを含む被検知領域７５Ｒからの受光結果に基づき、トナーの色ずれを補正する。
発光素子１１０は、ホルダ１４７の貫通部１４２ａ、及び、フレーム１４９の貫通部１４９ａ、を通して被検知領域７５Ｒと対向している。第１受光素子１２１は、ホルダ１４７の貫通部１４２ｂ、及び、フレーム１４９の貫通部１４９ｂ、を通して被検知領域７５Ｒと対向している。
基板１４５の一方側部分１４５ａは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｒに向くように、傾斜して配置されている。基板１４５の他方側部分１４５ｂは、垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｒに向くように、傾斜して配置されている。この結果、基板１４５は被検知領域７５Ｒに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｒで正反射された光は、第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
なお、光センサ１００Ｒにおけるホルダ１４７の構造は、図４を用いて前述した光センサ１００Ｌのホルダ１４７と同様であり、遮光部１４７ｐは、発光素子１１０と第１受光素子１２１との間を遮光する。
＜アンプなど＞
光センサ１００Ｌの発光素子１１０、第１受光素子１２１、及び第２受光素子１２２と、光センサ１００Ｒの発光素子１１０Ｒ及び第１受光素子１２１Ｒとは、中継基板１２５に備えられたアンプ１３０及び可変ＶＲ１３１に接続されている。アンプ１３０は、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の信号を増幅する素子である。
光センサ１００Ｌの発光素子１１０、第１受光素子１２１、及び第２受光素子１２２と、光センサ１００Ｒの発光素子１１０Ｒ及び第１受光素子１２１Ｒとは、中継基板１２５に備えられたアンプ１３０及び可変ＶＲ１３１に接続されている。アンプ１３０は、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の信号を増幅する素子である。
＜実施形態の効果＞
以上説明したように、本実施形態においては、光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板１４５に、発光素子１１０と、転写ベルト７３のうちマーク画像ＴＬ，ＴＲが形成された被検知領域７５Ｌ，７５Ｒでの正反射光を入射する第１受光素子１２１と、が実装されている。発光素子１１０は、実装位置における基板１４５の垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５において実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５の垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。
そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
以上説明したように、本実施形態においては、光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板１４５に、発光素子１１０と、転写ベルト７３のうちマーク画像ＴＬ，ＴＲが形成された被検知領域７５Ｌ，７５Ｒでの正反射光を入射する第１受光素子１２１と、が実装されている。発光素子１１０は、実装位置における基板１４５の垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５において実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５の垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。
そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本実施形態では特に、光センサ１００Ｌの基板１４５に、被検知領域７５Ｌでの拡散反射光を入射する第２受光素子１２２が実装される。第２受光素子１２２は、実装された位置における基板１４５の垂線Ｋ３の方向に指向性を有している。また基板１４５上において、実装位置における第１受光素子１２１の垂線Ｋ２及び第２受光素子１２２の垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌに向いている。
そのため、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１の光軸及び第２受光素子１２２の光軸のうち少なくとも一方とが、マーク画像ＴＬに向くこととなる。その結果、１つの平板状の基板を単に傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
そのため、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１の光軸及び第２受光素子１２２の光軸のうち少なくとも一方とが、マーク画像ＴＬに向くこととなる。その結果、１つの平板状の基板を単に傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本実施形態では特に、基板として、１つの可撓性基板１４５が用いられる。基板１４５が可撓性を備えていることから、前述のようにそれぞれの光軸がマーク画像ＴＬ，ＴＲに向いた状態の発光素子１１０及び受光素子１２１，１２２の両方を、１つの共通の基板１４５に実装することが可能となる。すなわち、基板１４５の共通化、及び、光軸をマーク画像ＴＬ，ＴＲに向けること、の両立を図れる効果がある。
また、本実施形態では特に、ホルダ１４７の一方側部分１４７Ｕによって基板１４５の一方側が保持される。そのため、基板１４５を、素子１１０，１２１の光軸がマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くような好適な角度で保持することができる。
また、本実施形態では特に、ホルダ１４７の一方側部分１４７Ｕに加え、他方側部分１４７Ｄによって基板１４５の他方側も保持される。そのため、基板１４５を、高精度に好適な角度で保持することができる。
また、本実施形態では特に、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の少なくとも一方と、の間の遮光が、遮光部１４７ｐ，１４７ｑによって行われる。そのため、光の漏洩による利用効率の低下を抑制し、Ｓ／Ｎ比をさらに向上させることができる。
＜変形例＞
なお、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、その趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。以下、そのような変形例を順を追って説明する。上記実施形態と同等の部分には同一の符号を付し、適宜、説明を省略又は簡略化する。
なお、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、その趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。以下、そのような変形例を順を追って説明する。上記実施形態と同等の部分には同一の符号を付し、適宜、説明を省略又は簡略化する。
（１）２分割された平板状基板を用いる場合
この変形例を、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）にそれぞれ対応する、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて説明する。
この変形例を、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）にそれぞれ対応する、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて説明する。
＜光センサ１００Ｌ，１００Ｒの概略＞
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本変形例の光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板は、上記実施形態の基板１４５と異なり、複数の平板状の基板１４５Ａ，１４５Ｂにそれぞれ分割されている。基板１４５Ａ及び基板１４５Ｂは、転写ベルト７３の表面に対して、互いに異なる角度で傾斜しつつ配置されている。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本変形例の光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板は、上記実施形態の基板１４５と異なり、複数の平板状の基板１４５Ａ，１４５Ｂにそれぞれ分割されている。基板１４５Ａ及び基板１４５Ｂは、転写ベルト７３の表面に対して、互いに異なる角度で傾斜しつつ配置されている。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいては、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２のうち少なくとも一方とが、互いに異なる基板１４５Ａ，１４５Ｂにそれぞれ実装されている。
光センサ１００Ｌについては、基板１４５Ａが上記実施形態の基板１４５の一方側部分１４５ａに対応しており、発光素子１１０が実装されている。基板１４５Ｂが上記実施形態の基板１４５の他方側部分１４５ｂに対応しており、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の両方が実装されている。
光センサ１００Ｒについては、基板１４５Ａが上記実施形態の基板１４５の一方側部分１４５ａに対応しており、発光素子１１０が実装されている。基板１４５Ｂが上記実施形態の基板１４５の他方側部分１４５ｂに対応しており、第１受光素子１２１が実装されている。
光センサ１００Ｌについては、基板１４５Ａが上記実施形態の基板１４５の一方側部分１４５ａに対応しており、発光素子１１０が実装されている。基板１４５Ｂが上記実施形態の基板１４５の他方側部分１４５ｂに対応しており、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の両方が実装されている。
光センサ１００Ｒについては、基板１４５Ａが上記実施形態の基板１４５の一方側部分１４５ａに対応しており、発光素子１１０が実装されている。基板１４５Ｂが上記実施形態の基板１４５の他方側部分１４５ｂに対応しており、第１受光素子１２１が実装されている。
＜発光素子及び受光素子＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、発光素子１１０は、基板１４５Ａへの実装位置における当該基板１４５Ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、第１受光素子１２１は、基板１４５Ｂへの実装位置における当該基板１４５Ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、基板１４５Ｂへの実装位置における当該基板１４５Ｂの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、それぞれ、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、発光素子１１０は、基板１４５Ａへの実装位置における当該基板１４５Ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、第１受光素子１２１は、基板１４５Ｂへの実装位置における当該基板１４５Ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、基板１４５Ｂへの実装位置における当該基板１４５Ｂの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、それぞれ、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の光軸方向となる。
＜基板＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ａは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように、傾斜して配置されている。また光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｂは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように、傾斜して配置されている。この例では、垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。この結果、基板１４５Ａ，１４５Ｂは、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌ，７５Ｒで正反射された光は、それぞれ第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、基板１４５Ａ，１４５Ｂは、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線Ｌａとが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
なお、光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、上述のように傾斜した基板１４５Ｂの上に実装される結果、垂線Ｋ３は被検知領域７５Ｌに向いていない。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ａは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように、傾斜して配置されている。また光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｂは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように、傾斜して配置されている。この例では、垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。この結果、基板１４５Ａ，１４５Ｂは、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌ，７５Ｒで正反射された光は、それぞれ第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、基板１４５Ａ，１４５Ｂは、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線Ｌａとが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
なお、光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、上述のように傾斜した基板１４５Ｂの上に実装される結果、垂線Ｋ３は被検知領域７５Ｌに向いていない。
＜ホルダ＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、ホルダ１４７は、上記図４を用いて前述した実施形態と同様、一方側部分１４７Ｕと他方側部分１４７Ｄとに分割可能である。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５Ａ，１４５Ｂの図示上側の面を保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５Ａ，１４５Ｂの図示下側の面を保持する。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、ホルダ１４７は、上記図４を用いて前述した実施形態と同様、一方側部分１４７Ｕと他方側部分１４７Ｄとに分割可能である。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５Ａ，１４５Ｂの図示上側の面を保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５Ａ，１４５Ｂの図示下側の面を保持する。
＜変形例の効果＞
本変形例においては、上記実施形態と同様、発光素子１１０は、実装位置における基板１４５Ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５Ａにおいて実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５Ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５Ｂ上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
本変形例においては、上記実施形態と同様、発光素子１１０は、実装位置における基板１４５Ａの垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５Ａにおいて実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５Ｂの垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５Ｂ上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本変形例では特に、光センサ１００Ｌの基板１４５Ｂに、被検知領域７５Ｌでの拡散反射光を入射する第２受光素子１２２が実装される。第２受光素子１２２は、実装された位置における基板１４５Ｂの垂線Ｋ３の方向に指向性を有している。また基板１４５Ｂ上において、実装位置における第１受光素子１２１の垂線Ｋ２及び第２受光素子１２２の垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌに向いている。そのため、上記実施形態と同様、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１の光軸及び第２受光素子１２２の光軸のうち少なくとも一方とが、マーク画像ＴＬに向くこととなる。その結果、１つの平板状の基板を単に傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本変形例では特に、複数の平板状の基板１４５Ａ，１４５Ｂに分割された構造の基板が用いられる。光センサ１００Ｌでは、発光素子１１０及び受光素子１２１，１２２をそれぞれ載置した複数の平板状の基板１４５Ａ，１４５Ｂが転写ベルト７３の表面に対して互いに異なる角度で配置される。光センサ１００Ｒでは、発光素子１１０及び受光素子１２１をそれぞれ載置した複数の平板状の基板１４５Ａ，１４５Ｂが転写ベルト７３の表面に対して互いに異なる角度で配置される。これにより、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１３３の少なくとも一方の光軸とを、マーク画像ＴＬ，ＴＲに向けることができる。
また、本変形例では特に、ホルダ１４７の一方側部分１４７Ｕによって基板１４５Ａ，１４５Ｂの一方側が保持される。そのため、基板１４５Ａ，１４５Ｂを、素子１１０，１２１の光軸がマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くような好適な角度で保持することができる。また、ホルダ１４７の他方側部分１４７Ｄによって基板１４５Ａ，１４５Ｂの他方側も保持される。そのため、基板１４５Ａ，１４５Ｂを、高精度に好適な角度で保持することができる。
（２）曲面状の基板を用いる場合
この変形例を、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）にそれぞれ対応する、図６（ａ）及び図６（ｂ）を用いて説明する。
この変形例を、上記図３（ａ）及び図３（ｂ）にそれぞれ対応する、図６（ａ）及び図６（ｂ）を用いて説明する。
＜光センサ１００Ｌ，１００Ｒの概略＞
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、本変形例の光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板は、上記実施形態の基板１４５と異なり、１つの曲面状の基板１４５Ｍである。この例では、光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板１４５Ｍは、マーク画像ＴＬ，ＴＲの表面の１点をそれぞれ半径中心とする、略円弧状の断面形状を備えている。基板１４５Ｍは、上記実施形態の基板１４５と同様、いわゆるフレキシブルプリント回路基板によって構成されている。
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、本変形例の光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板は、上記実施形態の基板１４５と異なり、１つの曲面状の基板１４５Ｍである。この例では、光センサ１００Ｌ，１００Ｒの基板１４５Ｍは、マーク画像ＴＬ，ＴＲの表面の１点をそれぞれ半径中心とする、略円弧状の断面形状を備えている。基板１４５Ｍは、上記実施形態の基板１４５と同様、いわゆるフレキシブルプリント回路基板によって構成されている。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいては、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２のうち少なくとも一方とが、同一の基板１４５Ｍにそれぞれ実装されている。
光センサ１００Ｌについては、基板１４５Ｍに対し、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の両方と、が実装されている。
光センサ１００Ｒについては、基板１４５Ｍに対し、発光素子１１０と第１受光素子１２１とが実装されている。
光センサ１００Ｌについては、基板１４５Ｍに対し、発光素子１１０と、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の両方と、が実装されている。
光センサ１００Ｒについては、基板１４５Ｍに対し、発光素子１１０と第１受光素子１２１とが実装されている。
＜発光素子及び受光素子＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、発光素子１１０は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、第１受光素子１２１は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、それぞれ、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、発光素子１１０は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ１の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ１の方向において光強度が最大となっている。なお、上記の光強度が最大となる方向が、発光素子１１０の光軸方向となる。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、第１受光素子１２１は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ２の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ２の方向において受光感度が最大となっている。光センサ１００Ｌにおいて、第２受光素子１２２は、基板１４５Ｍへの実装位置における当該基板１４５Ｍの垂線Ｋ３の方向に指向性を有し、その垂線Ｋ３の方向において受光感度が最大となっている。
なお、上記の受光感度が最大となる方向が、それぞれ、第１受光素子１２１及び第２受光素子１２２の光軸方向となる。
＜基板＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｍは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように配置されている。また光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｍは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向くように配置されている。この例では、光センサ１００Ｌでは、垂線Ｋ２と垂線Ｋ３との両方が被検知領域７５Ｌに向いている。光センサ１００Ｒでは、垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｒに向いている。これらの結果、上記実施形態と同様、光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒのマーク画像ＴＬ，ＴＲに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌ，７５Ｒで正反射された光は、それぞれ第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、光センサ１００Ｌの基板１４５Ｍは、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線でもある垂線Ｋ３とが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｍは、垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒにそれぞれ向くように配置されている。また光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、基板１４５Ｍは、垂線Ｋ２及び垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向くように配置されている。この例では、光センサ１００Ｌでは、垂線Ｋ２と垂線Ｋ３との両方が被検知領域７５Ｌに向いている。光センサ１００Ｒでは、垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｒに向いている。これらの結果、上記実施形態と同様、光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、被検知領域７５Ｌ，７５Ｒのマーク画像ＴＬ，ＴＲに直交する基準線Ｌｂに対して、垂線Ｋ１と垂線Ｋ２とが対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌ，７５Ｒで正反射された光は、それぞれ第１受光素子１２１へと入射されて第１受光素子１２１によって検出される。
また、光センサ１００Ｌの基板１４５Ｍは、垂線Ｋ１と、被検知領域７５Ｌと第２受光素子１２２とを結ぶ直線でもある垂線Ｋ３とが、基準線Ｌｂに対して非対称な角度をなすように配置されている。これにより、発光素子１１０から出射され被検知領域７５Ｌで拡散反射された光は、第２受光素子１２２へと入射されて第２受光素子１２２によって検出される。
＜ホルダ＞
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、ホルダ１４７は、上記図４を用いて前述した実施形態と同様、一方側部分１４７Ｕと他方側部分１４７Ｄとに分割可能である。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５Ｍの図示上側の面を保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５Ｍの図示下側の面を保持する。
光センサ１００Ｌ，１００Ｒにおいて、ホルダ１４７は、上記図４を用いて前述した実施形態と同様、一方側部分１４７Ｕと他方側部分１４７Ｄとに分割可能である。一方側部分１４７Ｕは、一方側の面の一例としての基板１４５Ｍの図示上側の面を保持し、他方側部分１４７Ｄは、他方側の面の一例としての基板１４５Ｍの図示下側の面を保持する。
＜変形例の効果＞
本変形例においては、上記実施形態と同様、発光素子１１０は、実装位置における基板１４５Ｍの垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５Ｍにおいて実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５Ｍの垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５Ｍ上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
本変形例においては、上記実施形態と同様、発光素子１１０は、実装位置における基板１４５Ｍの垂線Ｋ１の方向に指向性を有しており、また基板上１４５Ｍにおいて実装位置におけるその垂線Ｋ１が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。第１受光素子１２１は、実装位置における基板１４５Ｍの垂線Ｋ２の方向に指向性を有しており、また基板１４５Ｍ上において実装位置におけるその垂線Ｋ２が被検知領域７５Ｌ，７５Ｒに向いている。そのため、発光素子１１０の光軸及び第１受光素子１２１の光軸がいずれもマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くこととなり、光の利用効率を向上させることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本変形例では特に、光センサ１００Ｌの基板１４５Ｍに、被検知領域７５Ｌでの拡散反射光を入射する第２受光素子１２２が実装される。第２受光素子１２２は、実装された位置における基板１４５Ｍの垂線Ｋ３の方向に指向性を有している。また基板１４５Ｍ上において、実装位置における第１受光素子１２１の垂線Ｋ２及び第２受光素子１２２の垂線Ｋ３のうち少なくとも一方が被検知領域７５Ｌに向いている。そのため、上記実施形態と同様、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１の光軸及び第２受光素子１２２の光軸のうち少なくとも一方とが、マーク画像ＴＬに向くこととなる。その結果、１つの平板状の基板を単に傾斜させる場合に比べれば光の利用効率を向上させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。
また、本変形例では特に、光センサ１００Ｌでは、基板１４５Ｍ上において、実装位置における第１受光素子１２１の垂線Ｋ２及び第２受光素子１２２の垂線Ｋ３の両方が被検知領域７５Ｌに向いている。そのため、発光素子１１０の光軸と、第１受光素子１２１の光軸と、第２受光素子１２２の光軸とが、マーク画像ＴＬに向くこととなる。その結果、光の利用効率をさらに向上させることができ、Ｓ／Ｎ比をさらに向上させることができる。
また、本変形例では特に、ホルダ１４７の一方側部分１４７Ｕによって基板１４５Ｍの一方側が保持される。そのため、基板１４５Ｍを、素子１１０，１２１の光軸がマーク画像ＴＬ，ＴＲに向くような好適な角度で保持することができる。また、ホルダ１４７の他方側部分１４７Ｄによって基板１４５Ｍの他方側も保持される。そのため、基板１４５Ｍを、高精度に好適な角度で保持することができる。
（３）その他
以上においては、像担持体として転写ベルト７３を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、例えば用紙にマーク画像を形成して、用紙上のマーク画像を光センサで検知する構造においては、用紙が像担持体に相当する。また、像担持体は、例えば、中間転写方式における中間転写ベルトや、感光ドラム５１であってもよい。
以上においては、像担持体として転写ベルト７３を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、例えば用紙にマーク画像を形成して、用紙上のマーク画像を光センサで検知する構造においては、用紙が像担持体に相当する。また、像担持体は、例えば、中間転写方式における中間転写ベルトや、感光ドラム５１であってもよい。
また以上においては、カラープリンタ１に本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、その他の画像形成装置、例えば複写機や複合機などに本発明を適用してもよい。
なお、以上既に述べた以外にも、上記実施形態や各変形例による手法を適宜組み合わせて利用しても良い。
その他、一々例示はしないが、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。
１ カラープリンタ（画像形成装置の一例）
３０ 画像形成部
７３ 転写ベルト（像担持体の一例）
７５Ｌ 被検知領域（幅方向の所定位置の一例）
７５Ｒ 被検知領域（幅方向の所定位置の一例）
１００Ｌ 光センサ
１００Ｒ 光センサ
１１０ 発光素子
１２１ 第１受光素子
１２２ 第２受光素子
１４５ 基板（可撓性基板の一例）
１４５Ａ 基板（平板状基板の一例）
１４５Ｂ 基板（平板状基板の一例）
１４５ｄ 面（他方側の面の一例）
１４５Ｍ 基板（可撓性基板の一例）
１４５ｕ 面（一方側の面の一例）
１４７ ホルダ
１４７Ｄ 他方側部分（第２ホルダの一例）
１４７ｐ 遮光部
１４７ｑ 遮光部
１４７Ｕ 一方側部分（第１ホルダの一例）
Ｋ１ 発光素子の垂線
Ｋ２ 第１受光素子の垂線
Ｋ３ 第２受光素子の垂線
ＴＬ マーク画像
ＴＲ マーク画像
３０ 画像形成部
７３ 転写ベルト（像担持体の一例）
７５Ｌ 被検知領域（幅方向の所定位置の一例）
７５Ｒ 被検知領域（幅方向の所定位置の一例）
１００Ｌ 光センサ
１００Ｒ 光センサ
１１０ 発光素子
１２１ 第１受光素子
１２２ 第２受光素子
１４５ 基板（可撓性基板の一例）
１４５Ａ 基板（平板状基板の一例）
１４５Ｂ 基板（平板状基板の一例）
１４５ｄ 面（他方側の面の一例）
１４５Ｍ 基板（可撓性基板の一例）
１４５ｕ 面（一方側の面の一例）
１４７ ホルダ
１４７Ｄ 他方側部分（第２ホルダの一例）
１４７ｐ 遮光部
１４７ｑ 遮光部
１４７Ｕ 一方側部分（第１ホルダの一例）
Ｋ１ 発光素子の垂線
Ｋ２ 第１受光素子の垂線
Ｋ３ 第２受光素子の垂線
ＴＬ マーク画像
ＴＲ マーク画像
Claims (5)
- 像担持体に画像を形成する画像形成部と、
前記像担持体の幅方向の所定位置に形成されたマーク画像を検知する光センサと、
を備え、
前記光センサは、
発光素子と、
前記発光素子から出射され、前記像担持体の前記所定位置で正反射された光が入射する第１受光素子と、
前記所定位置で拡散反射された光が入射する第２受光素子と、
前記発光素子及び前記第１受光素子及び前記第２受光素子が実装された基板と、
を有し、
前記発光素子は、
実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、
前記第１受光素子は、
実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、
前記第２受光素子は、
実装された位置における前記基板の垂線方向に指向性を有し、
前記基板は、
前記発光素子の実装された位置における垂線と、前記第１受光素子の実装された位置における垂線とが、それぞれ前記所定位置に向くとともに、前記第２受光素子の実装された位置における垂線が前記所定位置に向かないように配置され、かつ、前記像担持体の表面に対して互いに異なる角度で配置された複数の平板状基板に分割されており、
前記発光素子と、前記第１受光素子とが、互いに異なる前記平板状基板にそれぞれ実装されている
ことを特徴とする画像形成装置。 - 前記第１受光素子と、前記第２受光素子とが、互いに共通の前記平板状基板に実装されている
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。 - 前記光センサは、
前記基板の一方側の面を保持する第１ホルダをさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。 - 前記光センサは、
前記基板の他方側の面を保持する第２ホルダをさらに備える
ことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。 - 前記光センサは、
前記発光素子と、前記第１受光素子及び前記第２受光素子のうち少なくとも一方と、の間を遮光する遮光部をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005031227A (ja) | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Ricoh Co Ltd | 位置ずれ補正パターンの形成方法、位置ずれ補正装置、画像形成装置、位置ずれ補正方法、コンピュータプログラム及び記録媒体 |
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-
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