JP7302094B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
ここで、fcはマイクロ波周波数2.45GHz、Cは真空中光速度2.99×108m/sである。
ここで、kcは遮断波数[rad/m]、aは内側導波管29aの半径[m]、bは外側導波管29bの半径[m]である。
前記矩形導波管(33,34)は、上下に仕切られて形成された上部矩形導波管(42)および下部矩形導波管(43)と、前記高周波電源から供給されたマイクロ波の高周波電力を遮断し誘電体(31)が配置された遮断部(30)とを具備する。
前記円形導波管(29a、29b)は、前記上部矩形導波管(42)に接続され内部に形成された内側導波管(29a)と、前記下部矩形導波管(43)に接続され前記内側導波管の外側に形成された外側導波管(29b)とを具備する。
前記遮断部(30)の幅は、前記遮断部(30)以外の前記矩形導波管(33)の幅より狭い。
21:マイクロ波電力分割器
22:電磁コイル
23:処理室
25:石英窓
26:下部電極
27:RF電源
101:マグネトロン(マイクロ波源、高周波電源)
217:内側放射部
218:リング状外側放射部
29a:円形内側導波管
29b:円形外側導波管
30:くびれ部
31:石英ゲート(電力ゲート)
33:矩形導波管a
34:矩形導波管b
36:誘電体導波路
42:上部矩形導波管
43:下部矩形導波管
47:隙間
49:仕切板
57:台形部
58:挿入部
627:アクチュエータ(移動機構)
700:挿入長
Claims (7)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するためのマイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記マイクロ波を伝送する矩形導波管と、前記矩形導波管に接続され前記処理室へマイクロ波を伝送する円形導波管と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
前記矩形導波管は、前記円形導波管が延びる方向を上下方向とした場合、上下に仕切られて形成された上部矩形導波管および下部矩形導波管と、前記高周波電源から供給されたマイクロ波の高周波電力を遮断し誘電体が配置された遮断部とを具備し、
前記円形導波管は、前記上部矩形導波管に接続され内部に形成された内側導波管と、前記下部矩形導波管に接続され前記内側導波管の外側に形成された外側導波管とを具備し、
前記遮断部は、前記円形導波管との接続部と前記高周波電源の間に配置され、
前記矩形導波管の延びる方向に対して垂直方向の前記遮断部の寸法は、前記遮断部以外の前記矩形導波管における前記垂直方向の寸法より狭いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記矩形導波管は、第1の矩形導波管と、前記上下方向に対して垂直な面にて前記第1の矩形導波管と直交する第2の矩形導波管と、を具備し、
前記第1の矩形導波管は、マグネトロンからマイクロ波が伝送されるとともに前記遮断部を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記内側導波管は、誘電体導波路を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
平面図における前記誘電体導波路の中心軸は、前記平面図における前記第1の矩形導波管の中心軸および前記第2の矩形導波管の中心軸と一致しないことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記誘電体は、前記上部矩形導波管に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
前記誘電体は、前記上部矩形導波管に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記上下方向に対して垂直な方向へ前記誘電体を移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
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