JP7296962B2 - 半導体rfプラズマ処理のためのパルス内のrfパルス - Google Patents
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Description
[適用例1]
整形正弦波形を生成するための方法であって、
ON-OFFパルス高周波(RF)クロックを定義する工程であって、前記ON-OFFパルスRFクロックは、ON-OFFパルスを有さないOFF状態によって分離されたON-OFFパルス列を有する、工程と、
前記ON-OFFパルスRFクロックの大きさを調節する整形波形を印加して前記整形正弦波形を生成する工程と、
前記整形正弦波形を電極に送出する工程と、
を含む、方法。
[適用例2]
適用例1に記載の方法であって、
前記電極は、コイルまたは基板支持体である、方法。
[適用例3]
適用例1に記載の方法であって、
前記ON-OFFパルスRFクロックは、ON状態を有し、
前記方法は、さらに、
前記ON-OFFパルスRFクロックを反転させて反転方形波信号を出力する工程と、
方形波信号および前記反転方形波信号から増幅方形波形を出力する工程と、を含み、
前記整形波形を印加する前記工程は、
整形波形を生成するように前記増幅方形波形の大きさを調節する工程と、
前記整形正弦波形を前記整形波形から抽出する工程と、
を含む、方法。
[適用例4]
適用例3に記載の方法であって、
前記増幅方形波形の前記大きさを調節する前記工程は、レベル間形状波形、またはマルチレベル形状波形、または任意形状波形を出力するために実施される、方法。
[適用例5]
適用例1に記載の方法であって、
前記ON-OFFパルスRFクロックは、ON状態を有し、
前記ON-OFFパルス列は、前記ON状態および前記OFF状態の周波数よりも大きい周波数を有する、方法。
[適用例6]
方法であって、
高周波を有するクロック信号を生成する工程と、
パルス信号を提供する工程と、
前記パルス信号のON状態およびOFF状態に従って前記クロック信号をフィルタリングして、ON-OFFパルス高周波(RF)クロック信号を出力する工程と、
前記ON-OFFパルスRFクロック信号から複数の方形波信号を生成する工程と、
前記複数の方形波信号から増幅方形波形を生成する工程と、
整形波形を生成する工程と、
前記整形波形に従ってアジャイル直流(DC)レールに関連付けられたDC電圧をフィルタリングして、フィルタリングされた波形を生成する工程と、
前記フィルタリングされた波形に基づいて前記増幅方形波形を整形して、整形波形を生成する工程と、
前記整形波形から整形正弦波形を抽出する工程であって、前記整形正弦波形は、前記フィルタリングされた波形によって定義された整形エンベロープに基づいて出力される、工程と、
基板を処理するためのプラズマを生成するために前記整形正弦波形のRF電力を提供する工程と、
を含む、方法。
[適用例7]
適用例6に記載の方法であって、
前記パルス信号を提供する前記工程は、前記高周波よりも低い周波数で前記パルス信号を提供する工程を含む、方法。
[適用例8]
適用例6に記載の方法であって、
前記パルス信号を提供する前記工程は、複数のパルスを提供して、ON状態の複数のインスタンスおよびOFF状態の複数のインスタンスを提供する工程を含み、
前記パルス信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記パルス信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、前記パルス信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記パルス信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、
前記クロック信号を生成する前記工程は、複数のパルスを生成して、ON状態の複数のインスタンスおよびOFF状態の複数のインスタンスを提供する工程を含み、
前記クロック信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記クロック信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、前記クロック信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記クロック信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続く、方法。
[適用例9]
適用例8に記載の方法であって、
前記クロック信号をフィルタリングする前記工程は、前記パルス信号の前記OFF状態に従って前記クロック信号の前記複数のパルスのいくつかをフィルタアウトする工程を含む、方法。
[適用例10]
適用例6に記載の方法であって、
前記ON-OFFパルスRFクロック信号を受信して前記複数の方形波信号を生成する前記工程は、
前記ON-OFFパルスRFクロック信号を通過させて前記複数の方形波信号の第1の方形波信号を出力する工程と、
前記ON-OFFパルスRFクロック信号を反転させて前記複数の方形波信号の第2の方形波信号を出力する工程と、
を含む、方法。
[適用例11]
適用例6に記載の方法であって、
前記フィルタリングされた波形に基づいて前記増幅方形波形を整形して前記整形波形を生成する前記工程は、前記フィルタリングされた波形のエンベロープを前記増幅方形波形に印加して、前記増幅方形波形のエンベロープを前記フィルタリングされた波形の前記エンベロープと一致させる工程を含む、方法。
[適用例12]
適用例6に記載の方法であって、
前記整形波形から前記整形正弦波形を抽出する前記工程は、前記整形波形からより高次の高調波を除去して基本周波数波形を出力する工程を含む、方法。
[適用例13]
適用例6に記載の方法であって、
前記整形エンベロープは、マルチレベルパルス形状エンベロープ、またはレベル間形状エンベロープ、または任意形状エンベロープである、方法。
[適用例14]
基板を処理するために用いられるプラズマチャンバの電極に高周波(RF)電力を提供するためのマッチレスプラズマ源であって、
高周波を有するクロック信号を生成するように構成されたRFクロックと、
パルス信号を提供するように構成されたパルス発生器と、
前記パルス信号のON状態およびOFF状態に従って前記クロック信号をフィルタリングしてON-OFFパルスRFクロック信号を出力するように構成された第1のフィルタと、
前記ON-OFFパルスRFクロック信号を受信して複数の方形波信号を生成するように構成されたゲートドライバと、
前記ゲートドライバから前記複数の方形波信号を受信して増幅方形波形を生成するように構成された増幅回路と、
整形波形を生成するように構成された波形発生器と、
前記整形波形に従ってアジャイル直流(DC)レールに関連付けられたDC電圧をフィルタリングしてフィルタリングされた波形を生成するように構成された第2のフィルタであって、前記フィルタリングされた波形は前記増幅方形波形を整形して、前記増幅回路の出力において整形波形が生成される、第2のフィルタと、
前記整形波形から整形正弦波形を抽出するように構成されたリアクタンス回路であって、前記整形正弦波形は、前記フィルタリングされた波形によって定義された整形エンベロープに基づいて出力され、前記リアクタンス回路は、前記基板の前記処理のためのプラズマを生成するために前記整形正弦波形の前記RF電力を提供するように構成されている、マッチレスプラズマ源。
[適用例15]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記パルス信号は、前記高周波よりも低い周波数を有する、マッチレスプラズマ源。
[適用例16]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記パルス信号は、複数のパルスを有してON状態の複数のインスタンスおよびOFF状態の複数のインスタンスを提供し、
前記パルス信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記パルス信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、前記パルス信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記パルス信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、
前記クロック信号は、複数のパルスを有してON状態の複数のインスタンスおよびOFF状態の複数のインスタンスを提供し、
前記クロック信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記クロック信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続き、前記クロック信号の前記OFF状態の前記複数のインスタンスの各々は、次に前記クロック信号の前記ON状態の前記複数のインスタンスの対応するインスタンスが続く、マッチレスプラズマ源。
[適用例17]
適用例16に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記第1のフィルタは、前記パルス信号の前記OFF状態に従って、前記クロック信号の前記複数のパルスのいくつかをフィルタアウトするように構成されているANDゲートである、マッチレスプラズマ源。
[適用例18]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記ゲートドライバは、第1のゲートおよび第2のゲートを含み、前記第1のゲートは、前記ON-OFFパルスRFクロック信号を通過させて前記複数の方形波信号の第1の方形波信号を出力するように構成され、前記第2のゲートは、前記ON-OFFパルスRFクロック信号を反転させて前記複数の方形波信号の第2の方形波信号を出力するように構成されている、マッチレスプラズマ源。
[適用例19]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記フィルタリングされた波形は、前記フィルタリングされた波形のエンベロープに従って前記増幅方形波形のエンベロープを整形する、マッチレスプラズマ源。
[適用例20]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記リアクタンス回路は、前記整形波形からより高次の高調波を除去することによって前記整形波形から前記整形正弦波形を抽出して基本周波数波形を出力するように構成されている、マッチレスプラズマ源。
[適用例21]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記増幅回路は、複数のトランジスタを含み、前記第2のフィルタは、前記複数のトランジスタに接続されている、マッチレスプラズマ源。
[適用例22]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記整形エンベロープは、マルチレベルパルス形状エンベロープ、またはレベル間形状エンベロープ、または任意形状エンベロープである、マッチレスプラズマ源。
[適用例23]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記リアクタンス回路は、前記整形波形のより高次の高調波を除去して基本波形を生成するように構成され、前記整形正弦波形は、前記整形エンベロープを有する前記基本波形である、マッチレスプラズマ源。
[適用例24]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
リアクタンス回路は、RFマッチを用いることなく前記電極に接続されている、マッチレスプラズマ源。
[適用例25]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
前記DCアジャイルレールは、DC電圧源を備え、前記マッチレスプラズマ源は、さらに、前記整形波形の形状を制御するように構成されたコントローラを備える、マッチレスプラズマ源。
[適用例26]
適用例14に記載のマッチレスプラズマ源であって、
マッチレスバイアス源は、前記プラズマチャンバの基板支持体電極に接続されている、マッチレスプラズマ源。
Claims (10)
- 方法であって、
第1のON-OFFパルス高周波(RF)クロックを定義する工程であって、前記第1のON-OFFパルスRFクロックは、ON-OFFパルスを有さないOFF状態によって分離されたON-OFFパルス列を有する、工程と、
前記第1のON-OFFパルスRFクロックを反転させて第1の反転ON-OFFパルス信号を出力する工程と、
前記第1のON-OFFパルスRFクロック及び前記第1の反転ON-OFFパルス信号に基づいて第1の増幅方形波形を出力する工程と、
第1の整形波形を印加して、前記第1の増幅方形波形の大きさを調節し、第1の整形された波形を生成する工程と、
前記第1の整形された波形に基づいて第1の整形正弦波形を生成する工程と、
前記第1の整形正弦波形を第1の電極に送出する工程と、
を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1の電極は、コイルまたは基板支持体である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1のON-OFFパルスRFクロックは、ON状態を有し、
前記第1の整形正弦波形を生成する前記工程は、前記第1の整形正弦波形を前記第1の整形された波形から抽出する工程を含む、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記第1の増幅方形波形の前記大きさは、レベル間形状波形、またはマルチレベル形状波形、または任意形状波形を出力するために調節される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1のON-OFFパルスRFクロックは、ON状態を有し、
前記ON-OFFパルス列は、前記ON状態および前記OFF状態の周波数よりも大きい周波数を有する、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
第2のON-OFFパルスRFクロックを定義する工程であって、前記第2のON-OFFパルスRFクロックは、ON-OFFパルスを有さないOFF状態によって分離されたON-OFFパルス列を有する、工程、
を含む、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記第2のON-OFFパルスRFクロックは、前記第1のON-OFFパルスRFクロックに基づいて定義される、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記第2のON-OFFパルスRFクロックは、前記第1のON-OFFパルスRFクロックに対して反転される、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記第2のON-OFFパルスRFクロックを反転させて第2の反転ON-OFFパルス信号を出力する工程と、
前記第2のON-OFFパルスRFクロック及び前記第2の反転ON-OFFパルス信号に基づいて第2の増幅方形波形を出力する工程と、
を更に含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
第2の整形波形を印加して、前記第2の増幅方形波形の大きさを調節し、第2の整形された波形を生成する工程と、
前記第2の整形された波形に基づいて第2の整形正弦波形を生成する工程と、
前記第2の整形正弦波形を第2の電極に送出する工程と、
を更に含む、方法。
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