KR101949803B1 - 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기 - Google Patents

스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기 Download PDF

Info

Publication number
KR101949803B1
KR101949803B1 KR1020130140976A KR20130140976A KR101949803B1 KR 101949803 B1 KR101949803 B1 KR 101949803B1 KR 1020130140976 A KR1020130140976 A KR 1020130140976A KR 20130140976 A KR20130140976 A KR 20130140976A KR 101949803 B1 KR101949803 B1 KR 101949803B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
pulse shaping
shaping circuit
waveform
power amplifier
Prior art date
Application number
KR1020130140976A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150058673A (ko
Inventor
이재섭
김범만
이한규
정대철
정태영
Original Assignee
삼성전자주식회사
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130140976A priority Critical patent/KR101949803B1/ko
Priority to US14/190,498 priority patent/US9722829B2/en
Priority to CN201410213843.XA priority patent/CN104660224B/zh
Publication of KR20150058673A publication Critical patent/KR20150058673A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101949803B1 publication Critical patent/KR101949803B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/02Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/02Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H04L27/04Modulator circuits; Transmitter circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2171Class D power amplifiers; Switching amplifiers with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/03Shaping networks in transmitter or receiver, e.g. adaptive shaping networks
    • H04L25/03828Arrangements for spectral shaping; Arrangements for providing signals with specified spectral properties
    • H04L25/03834Arrangements for spectral shaping; Arrangements for providing signals with specified spectral properties using pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/408Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising three power stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 OOK(On-Off Keying) 송신기가 개시된다. OOK(On-Off Keying) 송신기에 포함된 전력 증폭기(Power Amplifier)의 스위치에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형하는 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)을 제공할 수 있다.

Description

스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기{PULSE SHAPING CIRCUIT TO IMPROVE SPECTRUM EFFICIENCY AND ON-OFF KEYING TRANSMITTER INCLUDING THE PULSE SHAPING CIRCUIT}
아래의 실시예들은 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 OOK(On-Off Keying) 송신기에 관한 것이다.
저전력 무선 센서 네트워크 통신 시스템에서 사용할 수 있는 스펙트럼 밴드는 한정되어 있으며 채널이 점유하는 채널폭이 적을 수록 더 많은 채널을 이용할 수 있다. 저전력 무선 센서 네트워크 통신 시스템의 파워 효율의 향상을 위해서는 OOK 변조 방식을 이용하는 것이 유리하다. 하지만 OOK 변조 방식은 파워 효율이 높은 반면 스펙트럼 효율은 좋지 못하고, 스펙트럼 효율을 증가시키기 위하여 출력 파형을 정형하는 경우, 파워 효율이 감소하게 된다. OOK 변조 방식에서 파워 효율과 스펙트럼 효율은 트래이드-오프(trade-off)의 관계에 있다.
일실시예에 따르면, 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)는 OOK(On-Off Keying) 송신기에 포함된 전력 증폭기(Power Amplifier)의 스위치에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 오른쪽으로 완만해 지도록 파형을 정형할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 상기 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 완만해 지도록 상기 파형을 정형할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기를 완만하게 하여 상기 전력 증폭기가 포화 영역(saturation area)에 도달하는 시간을 지연시킴으로써 상기 전력 증폭기의 출력 신호의 파형을 스무딩(smoothing)할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 직렬로 나란히 배치된 제1 인터버, 제2 인터버 및 상기 제2 인터버의 출력단에 연결된 1개의 커패시터를 포함하고, 상기 커패시터를 통해 출력되는 신호는 상기 전력 증폭기의 스위치로 인가될 수 있다.
상기 스위치는, 상기 전력 증폭기의 소스(Source) 단에 위치하고, 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, OOK(On-Off Keying) 송신기는 PLL(Phase Lock Loop) 회로; 버퍼(buffer); 스위치를 포함하는 전력 증폭기(Power Amplifier); 및 상기 스위치에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형하는 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)를 포함할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 오른쪽으로 완만해 지도록지도록 파형을 정형할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 상기 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 완만해 지도록 상기 파형을 정형할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기를 완만하게 하여 상기 전력 증폭기가 포화 영역(saturation area)에 도달하는 시간을 지연시킴으로써 상기 전력 증폭기의 출력 신호의 파형을 스무딩(smoothing)할 수 있다.
상기 펄스 정형 회로는, 직렬로 나란히 배치된 제1 인터버, 제2 인터버 및 상기 제2 인터버의 출력단에 연결된 1개의 커패시터를 포함하고, 상기 커패시터를 통해 출력되는 신호가 상기 전력 증폭기의 스위치로 인가될 수 있다.
상기 스위치는, 상기 전력 증폭기의 소스(Source) 단에 위치하고, 트랜지스터를 포함할 수 있다.
도 1은 일실시예에 따른 OOK 송신기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 OOK 송신기의 출력 파형에 따른 스펙트럼의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 OOK 송신기에서 증폭기의 효율과 출력 파워의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4는 일실시예에 따른 펄스 정형 회로에 의해 전력 증폭기에 인가되는 정형된 신호를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일실시예에 따른 펄스 정형 회로의 구조 및 펄스 정형 회로와 OOK 송신기의 전력 증폭기 간의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 일실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 일실시예에 따른 OOK 송신기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 OOK 송신기는 PLL(Phase Locked Loop) 회로(110), 버퍼(buffer)(130), 전력 증폭기(Power Amplifier)(150), 스위치(160) 및 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)(170)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 OOK 송신기에 포함된 PLL 회로(110), 버퍼(130) 및 전력 증폭기(150)의 일반적인 동작은 공지된 OOK 송신기에 포함된 해당 요소의 동작으로부터 용이하게 파악할 수 있으므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
스위치(160)는 전력 증폭기(150)의 소스(Source) 단에 위치하고, 예를 들어, MOS-FET 트랜지스터 등과 같은 트랜지스터로 구성될 수 있다.
펄스 정형 회로(170)는 전력 증폭기(150)의 스위치(160)에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형할 수 있다.
펄스 정형 회로(170)의 구조 및 펄스 정형 회로(170)가 정형하는 파형의 형태 등에 대하여는 도 3 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
펄스 정형 회로(170)는 직렬로 나란히 배치된 제1 인터버, 제2 인터버 및 제2 인터버의 출력단에 연결된 1개의 커패시터를 포함할 수 있다. 이때, 커패시터를 통해 출력되는 신호는 전력 증폭기(150)의 스위치(160)로 인가될 수 있다.
도 1의 펄스 정형 회로(170)에서는 인버터와 커패시터 간의 연결 관계를 나타내기 위하여 제2 인터버와 커패시터만을 도시하였다.
도 2는 도 1의 OOK 송신기의 출력 파형에 따른 스펙트럼의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
OOK 송신기에서 증폭기의 출력 신호가 210의 사각파와 같이 피크(peak) 파워에서만 동작하는 증폭기의 경우, 평균 효율이 포화 영역(Saturation region)에서의 효율과 비슷하므로 정형된 회로 보다 평균 효율이 높게 된다.
OOK 송신기에서 증폭기의 출력 신호가 230과 같이 백 오프 영역(Back-off region)에서 동작하는 구간이 길어 질수록 증폭기의 평균 효율은 감소한다.
증폭기의 출력 신호가 210과 같이 사각파에서 파형이 정형된다면, 정형되는 형태에 따라 추가적인 대역폭(bandwidth)의 절약을 가져올 수 있지만, 이 경우 파형 정형을 위해서는 송신기 내부의 증폭기가 포화 영역(Saturation region)이 아닌 백 오프 영역(Back-off region)에서 동작이 필요하며 증폭기의 효율이 낮은 구간에서 동작하게 된다.
도 3은 도 1의 OOK 송신기에서 증폭기의 효율과 출력 파워의 관계를 나타낸 그래프이다.
파형을 정형하기 위해서는 도 3과 같이 증폭기의 출력 신호가 백-오프(back-off) 영역에서 출력 파워가 최대인 포화 영역(Saturation region)을 지나 출력 파워가 낮은 백 오프 영역(Back-off region)으로 동작해야 한다.
일 실시예에서는 초저전력 무선 센서 네트워크 통신 시스템의 한정된 주파수 자원을 기반으로 스펙트럼 효율의 증가에 따라 발생하는 파워 효율의 감소를 최소화 하고자 한다. 이를 위해, 일 실시예에 따른 OOK 송신기는 도 3과 같이 하나의 채널이 점유(occupy)하는 주파수 밴드를 줄여 채널 수를 증가시킬 수 있다.
도 3의 그래프를 참조하면, 일 실시예에 따른 OOK 송신기의 신호의 대부분이 최대 파워에서 동작하는 것을 볼 수 있다.
일 실시예에서는 이와 같이 신호의 대부분이 최대 파워에서 동작하게 함으로써 파워 효율이 감소되는 구간을 줄이는 동시에, 펄스 정형 회로를 이용하여 전력 증폭기에서 인가되는 신호의 에지(edge)만을 정형하여 파워 효율의 감소를 최소화할 수 있다.
도 4는 일실시예에 따른 펄스 정형 회로에 의해 전력 증폭기에 인가되는 정형된 신호를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 일반적인 OOK 송신기에 포함된 전력 증폭기(410)에서 출력되는 신호의 파형(415)과 일실시예에 따른 펄스 정형 회로(430)에 의해 정형된 신호가 입력된 전력 증폭기(450)에서 출력되는 신호의 파형(455) 간에 차이가 있음을 볼 수 있다.
일반적인 OOK 송신기에 포함된 전력 증폭기(410)에는 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 90도인 사각파(rectangular wave)가 인가되고, 이에 따라 전력 증폭기(410)의 출력 파형은 415와 같은 형태를 나타낸다.
전력 증폭기(450)의 소스 단에 위치하는 스위치에는 펄스 정형 회로(430)에 의해 정형된 신호(435)가 입력된다. 이때 펄스 정형 회로(430)는 입력된 신호를 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 435와 같이 오른쪽으로 완만해진 형태의 파형으로 정형한다.
일 실시예에 따른 펄스 정형 회로(430)는 전력 증폭기(450)의 소스단에 위치하는 스위치에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기를 의도적으로 완만하게 한다(눕힌다).
이처럼 에지(edge)의 기울기를 의도적으로 완만하게 함으로써(눕힘으로써), 펄스 정형 회로(430)는 전력 증폭기(450)의 동작 영역이 포화 영역(saturation area)으로 가는 시간을 지연시켜 전력 증폭기(450)의 출력 신호의 파형의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)를 455와 같이 부드럽게 스무딩(smoothing) 할 수 있다.
전술한 바와 같이, 스펙트럼 효율의 증가는 파워 효율의 감소를 수반하는데, 일 실시예에서는 전력 증폭기(450)에 인가되는 신호의 파형의 에지(edge)만을 정형하여 평균적으로 고효율을 유지할 수 있도록 한다.
이때, 전력 증폭기(450)의 스위치에 인가되는 신호가 '1'이면, 전력 증폭기(450)의 출력 파형은 '1'을 나타내는 신호가 되고, 전력 증폭기(450)의 스위치에 인가되는 신호가 '0'이면, 전력 증폭기(450)의 출력 파형은 존재하지 않게 된다. 출력 파형이 존재하지 않는 경우, 이는 '0'을 나타내는 신호가 된다.
도 5는 일실시예에 따른 펄스 정형 회로의 구조 및 펄스 정형 회로와 OOK 송신기의 전력 증폭기 간의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 펄스 정형 회로(510)는 직렬로 나란히 배치된 제1 인터버(511), 제2 인터버(513) 및 1개의 커패시터(515)를 포함할 수 있다.
이때, 제1 인터버(511)의 출력단은 제2 인터버(513)의 입력단과 연결되고, 제2 인터버(513)의 출력단에는 커패시터(515)가 연결된다.
일 실시예에 따른 펄스 정형 회로(510)는 2개의 인버터들(511, 513)과 1개의 커패시터(515)를 사용함으로써, 예를 들어, 5uW 또는 3 uW 이하의 적은 파워만으로도 고주파 성분을 필터링하여 파형을 정형할 수 있다.
커패시터(515)를 통해 출력되는 신호는 전력 증폭기의 스위치(550)로 인가될 수 있다. 스위치(550)는 전력 증폭기(530)의 소스(Source) 단에 위치하고, 트랜지스터로 구성될 수 있다.
펄스 정형 회로(510)는 OOK(On-Off Keying) 송신기에 포함된 전력 증폭기(530)의 소스에 위치한 스위치(550)인 트랜지스터의 게이트(gate) 단자와 소스(source) 단자 간에 걸리는 전압에 의해 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형할 수 있다.
펄스 정형 회로(510)는 스위치(550)에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 오른쪽으로 완만해 지도록 파형을 정형할 수 있다.
펄스 정형 회로(510)는 스위치(550)에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 완만해 지도록 파형을 정형할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성 요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
110: PLL(Phase Lock Loop) 회로
130: 버퍼(buffer)
150: 전력 증폭기(Power Amplifier)
160: 스위치(switch)
170: 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)

Claims (12)

  1. OOK(On-Off Keying) 송신기에 포함된 전력 증폭기(Power Amplifier)의 소스 노드에 배치되는 스위치에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형하는 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)에 있어서,
    상기 펄스 정형 회로는,
    직렬로 연결된 제1 인버터와 제2 인버터; 및
    상기 제2 인버터의 출력단에 연결된 커패시터 - 상기 커패시터는 상기 스위치 내에 존재하는 트랜지스터의 게이트 노드에 배치됨 -
    로 구성되고,
    상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기를 완만하게 하여 상기 전력 증폭기가 포화 영역(saturation area)에 도달하는 시간을 지연시킴으로써 상기 전력 증폭기의 출력 신호의 파형을 스무딩(smoothing)하고,
    상기 커패시터를 통하여 출력되는 신호는 상기 전력 증폭기의 스위치에 적용되고,
    상기 펄스 정형 회로는 상기 스위치에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 상기 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 완만해 지도록 상기 파형을 정형하는 펄스 정형 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 펄스 정형 회로는,
    상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 오른쪽으로 완만해 지도록 파형을 정형하는, 펄스 정형 회로.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. PLL(Phase Lock Loop) 회로;
    버퍼(buffer);
    전력 증폭기(Power Amplifier);
    트랜지스터를 포함하고, 상기 전력 증폭기의 소스 노드에 배치되는 스위치; 및
    상기 스위치에 인가되는 신호의 에지(edge)의 파형을 정형하는 펄스 정형 회로(pulse shaping circuit)
    를 포함하고,
    상기 전력 증폭기의 출력 파형은 상기 스위치에 적용되는 신호에 기초하여 결정되고,
    상기 펄스 정형 회로는,
    직렬로 연결된 제1 인버터와 제2 인버터; 및
    상기 제2 인버터의 출력단에 연결된 커패시터 - 상기 커패시터는 상기 스위치 내에 존재하는 트랜지스터의 게이트 노드에 배치됨 -
    로 구성되고,
    상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기를 완만하게 하여 상기 전력 증폭기가 포화 영역(saturation area)에 도달하는 시간을 지연시킴으로써 상기 전력 증폭기의 출력 신호의 파형을 스무딩(smoothing)하고,
    상기 커패시터를 통하여 출력되는 신호는 상기 전력 증폭기의 스위치에 적용되고,
    상기 펄스 정형 회로는 상기 스위치에 인가되는 신호의 트랜지션 타임(transition time)에 상기 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 완만해 지도록 상기 파형을 정형하는 OOK(On-Off Keying) 송신기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 펄스 정형 회로는,
    상기 스위치에 인가되는 신호의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)의 기울기가 오른쪽으로 완만해 지도록 파형을 정형하는, OOK 송신기.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
KR1020130140976A 2013-11-19 2013-11-19 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기 KR101949803B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130140976A KR101949803B1 (ko) 2013-11-19 2013-11-19 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기
US14/190,498 US9722829B2 (en) 2013-11-19 2014-02-26 Pulse shaping circuit for improving spectrum efficiency and on-off keying (OOK) transmitter including pulse shaping circuit
CN201410213843.XA CN104660224B (zh) 2013-11-19 2014-05-20 脉冲整形电路和包括脉冲整形电路的开关键控发射器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130140976A KR101949803B1 (ko) 2013-11-19 2013-11-19 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150058673A KR20150058673A (ko) 2015-05-29
KR101949803B1 true KR101949803B1 (ko) 2019-02-20

Family

ID=53173294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130140976A KR101949803B1 (ko) 2013-11-19 2013-11-19 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9722829B2 (ko)
KR (1) KR101949803B1 (ko)
CN (1) CN104660224B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7296962B2 (ja) * 2017-12-07 2023-06-23 ラム リサーチ コーポレーション 半導体rfプラズマ処理のためのパルス内のrfパルス
US10763805B2 (en) 2018-09-27 2020-09-01 Em Microelectronic-Marin S.A. Programmable power amplifier
US10992265B2 (en) * 2019-03-29 2021-04-27 Eta Wireless, Inc. Multi-stage pulse shaping network

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070223700A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chaotic signal transmitter
US20070230701A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chaotic signal transmitter using pulse shaping method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656960A (en) * 1995-05-30 1997-08-12 National Semiconductor Corporation Controlled slope output buffer
US5696794A (en) 1996-04-04 1997-12-09 Motorola, Inc. Method and apparatus for conditioning digitally modulated signals using channel symbol adjustment
SE507373C2 (sv) 1996-09-06 1998-05-18 Ericsson Telefon Ab L M Anordning och metod för pulsformning och effektförstärkning
US5880633A (en) 1997-05-08 1999-03-09 Motorola, Inc. High efficiency power amplifier
US6753708B2 (en) 2002-06-13 2004-06-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Driver circuit connected to pulse shaping circuitry and method of operating same
CN101401306B (zh) 2006-03-10 2011-10-26 Nxp股份有限公司 用于晶体振荡器的脉冲整形电路
KR100875201B1 (ko) 2007-04-04 2008-12-19 한국과학기술원 진폭 변조를 위한 캐스코드 구조의 전력 증폭기
JP5057894B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-24 セイコーインスツル株式会社 電圧検出回路及びそれを用いた発振器
KR101013461B1 (ko) * 2009-07-20 2011-02-14 광운대학교 산학협력단 On-Off Keying 변조방식 RF 송신기를 위한 펄스형상조절회로
CN102074204B (zh) * 2009-11-25 2013-02-13 上海天马微电子有限公司 滤波整形电路、驱动电路以及非晶硅栅极电路
KR101094088B1 (ko) 2010-03-11 2011-12-15 주식회사 파이칩스 전류 모드 스위칭 전력 증폭기 및 바이아싱 방법
US8183917B2 (en) 2010-06-04 2012-05-22 Quantance, Inc. RF power amplifier circuit with mismatch tolerance
CN103297001B (zh) * 2013-05-17 2016-06-22 中科院微电子研究所昆山分所 一种脉冲整形电路及脉冲整形方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070223700A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chaotic signal transmitter
US20070230701A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chaotic signal transmitter using pulse shaping method

Also Published As

Publication number Publication date
US9722829B2 (en) 2017-08-01
KR20150058673A (ko) 2015-05-29
CN104660224A (zh) 2015-05-27
CN104660224B (zh) 2019-05-03
US20150139362A1 (en) 2015-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8896375B2 (en) Efficiency improved envelope amplifier using dual switching amplifiers
WO2020238898A1 (zh) 一种用于射频功率放大器的电源
CN105453433B (zh) 开关线性化器
JP5022792B2 (ja) Dcdcコンバータユニット、電力増幅器、及び基地局装置
EP2582041A2 (en) Apparatus and Method for Interleaving Switching in Power Amplifier
KR101949803B1 (ko) 스펙트럼 효율 개선을 위한 펄스 정형 회로 및 펄스 정형 회로를 포함하는 온오프 키잉 송신기
KR101441650B1 (ko) 동기 샘플링식 싱글 비트 스위치 모드 전원
US8948299B2 (en) Pulse converting and shaping communication device
US9148112B2 (en) Matching circuit system
UA110866C2 (uk) Контури для створення сигналу з гойданням частоти
CN202385058U (zh) D类功率放大器中实现死区时间自适应控制的电路结构
US9312909B2 (en) RF switch
JP7245426B2 (ja) フィードバックに基づく無線周波数電力増幅器用電源
JP5741296B2 (ja) 通信装置
RU2735905C1 (ru) Многокаскадный усилитель мощности догерти и передатчик
WO2021161721A1 (ja) 電力増幅回路、高周波回路及び通信装置
JP2013192135A (ja) ドハティ増幅器
CN104617885A (zh) 一种用于移动终端功率放大器的功率控制方法及其装置
US10651763B2 (en) Radio-frequency/direct-current converter
CN210041760U (zh) 一种基于反馈的用于射频功率放大器的电源
CN116566489A (zh) 一种信号转换的装置和方法
CN108206703B (zh) 射频发射电路、发射机及用户终端
CN104869093A (zh) 一种降低信号峰均比的方法及系统
US9331635B2 (en) Quadrature modulator
EP3905533B1 (en) High-frequency power amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant