JP7277728B2

JP7277728B2 - 電子部品冷却モジュール及び電子装置

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Publication number: JP7277728B2
Application number: JP2019080806A
Authority: JP
Inventors: 祐樹金井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2019-04-22
Filing date: 2019-04-22
Publication date: 2023-05-19
Anticipated expiration: 2039-04-22
Also published as: JP2020178092A; US10939583B2; US20200337182A1

Description

本発明は、電子部品冷却モジュール及び電子装置に関する。

近年、メモリ等の電子部品の通信量増大や、通信速度の高速化、さらには、データセンターのフリークーリング等に起因するサーバ等の電子装置の設置環境温度が高くなっている。また、電子部品の高密度実装により冷却のための空気の流路が十分に確保できない場合がある。このような状況下においては、システムファンによる強制空冷を行っても電子部品の冷却が十分に行われない可能性がある。そこで、冷媒液により受熱する冷却方式を採用した電子デバイスの冷却器が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、電子デバイスを挟む間隙を有すると共に内部に冷媒液が流れる構造体を有する冷却器が開示されている。この冷却器は、構造体と、この構造体を引き伸ばすことで幅が狭くなった間隙に挟まれた電子デバイスとの接触圧力を確保して電子デバイスを冷却するとされている。

特開２０１３－２０１１６５号公報

ところで、電子装置に組み込まれた電子部品を冷却する冷却モジュールの一部が電子部品の高さを超えた状態で設置されていると電子装置の高密度実装の妨げとなる。例えば、電子部品であるメモリがマザーボードに設けられているメモリスロットに挿し込まれた状態を想定したとき、冷却モジュールの一部がメモリのマザーボードから離れた側の端縁よりも上側に位置していると高密度実装に影響が及ぶ。このため、冷却モジュールは、電子装置の高密度実装に影響を及ぼすことがないように、電子装置に組み込まれた電子部品の高さを超えない状態とされることが望ましい。しかしながら、特許文献１は、構造体が有する間隔で電子デバイスを挟む態様であり、構造体の一部が電子デバイスの高さよりも高い状態となっていた。

１つの側面では、本明細書開示の発明は、電子部品の高さを超えることなく冷媒液によって電子部品を冷却することを目的とする。

１つの態様では、電子部品冷却モジュールは、基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、前記チューブを支持する支持部と、を有し、前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下である。

他の態様では、電子装置は、基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、前記電子部品と並列に配置されるチューブと、前記チューブを支持する支持部と、を有し、前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下である。

本発明によれば、電子部品の高さを超えることなく冷媒液によって電子部品を冷却することができる。

図１は実施形態の電子装置の概略構成図である。図２は実施形態の電子部品冷却モジュールの斜視図である。図３は実施形態の電子装置に含まれるサーバの斜視図である。図４は実施形態の電子装置に含まれるサーバの平面図である。図５は実施形態の電子部品冷却モジュールに含まれるチューブの斜視図である。図６は実施形態の電子部品冷却モジュールに含まれるチューブの図５におけるＡ－Ａ線断面図である。図７（Ａ）は膨張していない状態のチューブの断面図であり、図７（Ｂ）は膨張量が少ない状態のチューブの断面図であり、図７（Ｃ）は膨張量が多い状態のチューブの断面図である。図８はチューブが膨張して電子部品に接触している状態を模式的に示す説明図である。図９（Ａ）は電子部品間のピッチが大きいときにチューブが膨張して電子部品に接触している状態を模式的に示す説明図であり、図９（Ｂ）は電子部品間のピッチが小さいときにチューブが膨張して電子部品に接触している状態を模式的に示す説明図である。図１０は変形例のチューブの断面図である。図１１はさらに他の変形例のチューブの断面図である。図１２はさらに他の変形例のチューブの断面図である。図１３はさらに他の変形例のチューブの断面図である。図１４はサーバ毎にポンプを備えた電子装置の概略構成図である。

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されていたり、寸法が実際よりも誇張されて描かれていたりする場合がある。

（実施形態）
まず、図１から図９を参照して実施形態の電子装置１００について説明する。図１を参照すると、電子装置１００は、複数のサーバ（ノード）５０を備える。各サーバ５０には、電子部品冷却モジュール（以下、単に「冷却モジュール」という）１が設けられている。各冷却モジュール１は、第１配管４３と第２配管４４を介してＣＤＵ（Coolant Distribution Unit）４０と接続されている。ＣＤＵ４０は、熱交換器４１とポンプ４２を備える。ポンプ４２は、第１配管４３、各冷却モジュール１及び第２配管４４内に封入されている冷媒液１５（図６参照）を循環させる。熱交換器４１は、外部で冷却された冷媒と冷媒液１５との間で熱交換を行い、冷媒液１５を冷却する。第１配管４３は、熱交換器４１で冷却された冷媒液１５を各冷却モジュール１に分配する。第２配管は、各冷却モジュールでサーバ５０から熱を奪い温まった冷媒液１５を回収する。なお、図１には、４台のサーバ５０が描かれているが、サーバ５０の台数はこれに限定されるものではない。また、本実施形態の説明では、説明の都合上、複数のサーバ５０を含む形態を電子装置と称しているが、サーバ５０の一台ずつを電子装置と称することもできる。

図２を参照すると、冷却モジュール１は、複数のチューブ２と、チューブ２を支持する支持部３を備えている。複数のチューブ２は、直列に配列されている。直列に配列されたチューブ２の入口部分と出口部分には、圧力調整タンク４５が設けられている。圧力調整タンク４５が冷媒液１５によるチューブ２内の圧力が所定値を超えないように設けられている。圧力調整タンク４５は、カプラ形状とすることもできる。カプラ形状とすることで、冷却モジュール１の脱着を容易とし、冷却モジュール１内の冷媒液１５を抜く作業をし易くすることができる。また、圧力調整タンク４５に代えてアキュムレータを装備するようにしてもよい。

図３や図４を参照すると、サーバ５０は、マザーボード（基板）５１上にメモリスロット５３を備え、このメモリスロット５３に挿し込まれた電子部品としてメモリ５２を備えている。本実施形態のメモリ５２は、長手方向に沿って２列、厚み方向に沿って８列設けられており、合計１６枚のメモリ５２がマザーボード上に実装されている。このようなメモリ５２の配列に対し、チューブ２は、メモリ５２の長手方向に沿うように配置されている。チューブ２は、マザーボード５１上に固定された支持部３によって支持されている。チューブ２は、対向配置されているメモリ５２の間を通過し、メモリ５２と並列するように配置されている。メモリ５２は、冷却対象となる電子部品の一例であり、冷却対象となる電子部品は、メモリに限定されるものではない。

なお、マザーボード５１自体は、サーバラック等に搭載される際、その平滑面が水平となるように設置されたり、平滑面が垂直となるように設置されたりすることがある。但し、以下の説明では、説明の都合上、図３に示すように、マザーボード５１の平滑面と垂直となる方向を上下方向、または、高さ方向と称し、メモリ５２が対向配置されている方向をチューブ２が膨張し、収縮する伸縮方向として説明する。このため、メモリ５２は、上下方向に立てた状態でマザーボード５１に装着されており、図３において符号３ａを付して示した上端縁が最も高い位置となっている。

図５や図６を参照すると、チューブ２は、内部に冷媒液１５が流れると共に、膨張部２ａと、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部２ｂ、２ｃを備えている。高さ寸法維持部２ｂは、膨張部２ａの上側に設けられている。膨張部２ａは、サーバ５０に組み込まれた状態のときに、側方に位置しているメモリ５２と対向するように設けられている。膨張部２ａは、チューブ２内に冷媒液１５が流れると、その圧力に応じて膨張及び収縮することができる。膨張部２ａは、膨張することで、側方に配置されるメモリ５２に接触することができる。膨張部２ａは、チューブ２内の圧力を適切に調節することでメモリ５２と面接触することができ、メモリ５２との間で熱伝導を行うことができる。冷媒液１５はメモリ５２から熱を奪う。これにより、メモリ５２は冷却される。メモリ５２の熱を奪った冷媒液１５は、ＣＤＵ４０で冷却され、ポンプ４２によって、再び冷却モジュール１に送られる。なお、チューブ２の前端及び後端は、配管部となっており、他のチューブ２や配管部材と接続可能とされている。本実施形態体のチューブ２は、複数のチューブ２を連結して用いられているが、冷却モジュール１に用いられるチューブ全体を一体に形成するようにしてもよい。

チューブ２は、熱伝導性を有する素材で成形されている。本実施形態のチューブ２は、膨張部２ａが膨張し易いように、弾性を有する素材であるシリコーンゴムで形成されている。チューブ２は、熱伝導性を有し、変形可能な弾性を有するものであれば良く、シリコーンゴム以外では、例えば、エチレンプロピレンゴムを用いることができる。また、多硫化ゴム、ニトリルゴム、ノルボルネンゴム水素化ニトリルゴム、アクリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム等、従来公知の素材を適宜採用することができる。また、チューブの伝熱性を向上させるために、ゴム素材中に熱伝導率が良好な銅やアルミニウム等のフィラーを配合してもよい。

ここで、膨張部２ａと高さ寸法維持部２ｂ、２ｃの肉厚について説明する。本実施形態では、膨張部２ａと高さ寸法維持部２ｂ、２ｃを一体に形成しているが、膨張部２ａの肉厚は、高さ寸法維持部２ｂ、２ｃの肉厚よりも薄い。これにより、膨張部２ａは、高さ寸法維持部２ｂ、２ｃと比較して変形し易く、チューブ２内の圧力が上昇したときに、側方に向かって膨張し、メモリ５２に面接触することができる。これに対し、高さ寸法維持部２ｂ、２ｃは、チューブ２が支持部３によって支持された状態における高さ位置はほとんど変化することがない。

なお、本実施形態のチューブ２は、対向する壁面にそれぞれ膨張部２ａを備えている。但し、膨張部２ａは、チューブ２の一方の側壁にのみ設けるようにしてもよい。例えば、チューブ２の一方の側方にのみメモリ５２が配置されているようなレイアウトの場合には、メモリ５２が配置されている側にのみ膨張部２ａを設けるようにしてもよい。

膨張部２ａは、チューブ２内の圧力が上昇することによってメモリ５２に密着することができるため、良好な熱伝導性を実現することができる。このため、サーマルシート等、従来の冷却装置に装備されていた部品が不要となる。また、チューブ２が直接メモリと接触するため、ヒートスプレッダ等も不要である。このため、装置のコストダウンと図ることができる。

なお、本実施形態のチューブ２は、その断面形状を楕円形とし、曲率の大きい側壁に膨張部２ａを設けているため、膨張部２ａをメモリ５２の広範囲に接触させることができる。これにより、熱伝導性を高め、冷却効率を向上させることができる。

本実施形態の冷媒液１５は、純水を用いているが、冷媒液１５はこれに限定されない。エチレングリコール水溶液等、従来、水冷の冷却装置の冷媒として採用されている公知の冷媒は、本実施形態の冷媒液１５として採用することができる。

チューブ２は、ポンプ４２の出力を調整することで、図７（Ａ）から図７（Ｃ）に示すように、膨張部２ａの膨張具合を調整することができる。膨張部２ａは、ポンプ４２が稼働していないときには、図７（Ａ）に示すように、収縮した状態となっている。また、ポンプ４２の出力を中程度に調整することで、図７（Ｂ）に示すように膨張部２ａは、わずかに膨張した状態となる。そして、ポンプ４２の出力をさらに高めることで図７（Ｃ）に示すように膨張部２ａは、大きく膨張した状態となる。膨張部２ａは、大きく膨張することで、メモリ５２に対する密着度を向上させることができる。すなわち、例えば、バネや複雑な構造の加圧構造等を備えることなく、チューブ２とメモリ５２との密着状態と実現することができる。

つぎに、図８を参照して、チューブ２の設置に関し、より詳細に説明する。図８を参照すると、チューブ２は、メモリスロット５３間のピッチがＰであるメモリ５２の間に配置されている。チューブ２には、メモリ５２が備える実装部品（チップ）５２１に押し当てられる程度に膨張部２ａが膨張するように冷媒液１５が送り込まれる。チューブ２内の圧力を決める冷媒液１５の流量は、予めポンプ４２の出力を調整しておくことで決められる。

チューブ２は、その上端部２ｂ１が、メモリ５２の上端部５２ａよりも下側、すなわち、マザーボード５１に近い側に位置するように設置されている。また、支持部３もその上端部３ａが、メモリ５２の上端部５２ａよりも下側、すなわち、マザーボード５１に近い側に位置するように設置されている。このように、チューブ２と支持部３の高さを、マザーボード５１に実装された状態のメモリ５２の高さ以下とすることで、冷却モジュール１が電子装置１００における高密度実装の妨げとなることがない。

すなわち、各サーバ５０において、最も高い位置をメモリ５２の上端部５２ａとすることで、各サーバ５０の高さがメモリ５２を基準に設定されることになり、冷却モジュール１は、各サーバ５０の高さに影響を与えることがない。この結果、各サーバ５０は、メモリ５２の高さ位置を基準に寸法設計を行えばよい。

つぎに、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を参照して、チューブ２の異なるメモリスロット５３間のピッチＰへの対応について説明する。チューブ２は、図７（Ａ）から図７（Ｃ）を参照して説明したように、その内部の圧力に応じて、膨張部２ａの膨張量を調節することができる。このため、チューブ２は、例えば、図９（Ａ）のようにピッチＰ１で配置されるメモリ５２や図９（Ｂ）で示すようにピッチＰ１よりも狭いピッチＰ２で配置されるメモリ５２にも対応することができる。すなわち、図９（Ａ）に示すようにピッチＰ１のときは膨張部２ａの膨張量を大きくし、一方、図９（Ｂ）に示すようにピッチＰ２のときは膨張部２ａの膨張量を小さくする。このように、本実施形態の冷却モジュール１は、メモリ５２の異なるレイアウトに対応することができる。

このように、本実施形態の冷却モジュール１によれば、メモリ５２の高さを超えることなく冷媒液１５によってメモリを冷却することができる。なお、冷却モジュール１は、例えば、ポンプ４２を停止させ、チューブ２内の圧力を低下させることで、容易にメモリ５２を脱着することができ、保守作業性も良好である。チューブ２から冷媒液１５を抜くための治具を準備しておき、この治具によって冷媒液１５を抜き、チューブ２内の圧力を低下させるようにしてもよい。

（第１変形例）
つぎに、図１０を参照して、第１変形例について説明する。本実施形態のチューブ２は、図６に示すように、チューブ２の内周壁面側を凹状として薄肉に形成して膨張部２ａを形成していた。これに対し、第１変形例のチューブ１２は、チューブ１２の外周壁面側を凹状として薄肉に形成し、膨張部１２ａを形成している。膨張部１２ａの上側に厚肉の高さ寸法維持部１２ｂが形成され、膨張部１２ａの下側に厚肉の高さ寸法維持部１２ｃが形成されている点は、チューブ６と共通している。このようなチューブ１２であっても、膨張部１２ａを適宜膨張させ、メモリ５２に面接触させることができる。このようなチューブ１２も上端部１２ｂ１がメモリ５２の上端部５２ａよりも低い位置となるようにサーバ５０に搭載され、メモリ５２の高さを超えることなく冷媒液１５によってメモリを冷却することができる。

（第２変形例）
つぎに、図１１を参照して、第２変形例について説明する。第２変形例のチューブ２２は、全周に亘って、同じ肉厚とし、上端部及び下端部にそれぞれカバー部材２３を装着している。これにより、カバー部材２３間を膨張部２２ａとしている。カバー部材２３を装着した部分は、それぞれ、高さ寸法維持部２２ｂ、２２ｃを形成している。このようなチューブ２２であっても、膨張部２２ａを適宜膨張させ、メモリ５２に面接触させることができる。このようなチューブ２２も上端部２２ｂ１がメモリ５２の上端部５２ａよりも低い位置となるようにサーバ５０に搭載され、メモリ５２の高さを超えることなく冷媒液１５によってメモリを冷却することができる。

（第３変形例）
つぎに、図１２を参照して、第３変形例について説明する。第３変形例のチューブ３２は、メモリ５２に向かう方向に沿って伸縮する蛇腹状部３２ｂ、３２ｃを含み、膨張部３２ａは、蛇腹状部３２ｂ、３２ｃの伸縮に伴って、メモリ５２に対して接近及び離間することができる。蛇腹状部３２ｂ、３２ｃは、メモリ５２に向かう方向に沿って伸縮するものであり、高さ方向の位置は、概ね変化することがない。このため、蛇腹状部３２ｂ、３２ｃは、高さ寸法維持部としての機能を有している。蛇腹状部３２ｂ、３２ｃは、内部の圧力が上昇すると、広がり、この結果、膨張部３２ａは側方に位置しているメモリ５２に向かって移動し、メモリ５２に面接触する。このようなチューブ３２も上端部３２ｂ１がメモリ５２の上端部５２ａよりも低い位置となるようにサーバ５０に搭載され、メモリ５２の高さを超えることなく冷媒液１５によってメモリを冷却することができる。

（第４変形例）
図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）を参照して、第４変形例について説明する。第３変形例のチューブ３２は、チューブ６２の側壁部に設けられた袋状部６２ａを備える。袋状部６２ａは膨張部として機能する。袋状部６２ａの上側には、高さ寸法維持部６２ｂが形成され、袋状部６２ａの下側には、高さ寸法維持部６２ｃが形成されている。袋状部６２ａは、ポンプ４２が稼働していなかったり、チューブ６２内の圧力が低かったりする場合には、図１３（Ａ）に示すように萎んだ状態となっている。一方、袋状部６２ａは、ポンプ４２が稼働し、チューブ６２内の圧力が高まると、図１３（Ｂ）に示すように膨らむ。袋状部６２ａは、膨らむことでメモリ５２に面接触することができる。このようなチューブ６２も上端部６２ｂ１がメモリ５２の上端部５２ａよりも低い位置となるようにサーバ５０に搭載され、メモリ５２の高さを超えることなく冷媒液１５によってメモリを冷却することができる。

（第５変形例）
つぎに、図１４を参照して第５変形例について説明する。図１４に示す第５変形例としての電子装置２００が図１に示す電子装置１００と異なる点は、電子装置２００が、電子装置１００が備えるポンプ４２に代えてサーバ５０毎に設けられたポンプ４６を備える点である。

電子装置１００では、単一のポンプ４２を備えているため、各サーバ５０が備える冷却モジュール１が備えるチューブ２に導入される冷媒液１５の流量は、ほぼ均一である。このため、チューブ２が備える膨張部２ａの膨張量も概ね同じである。これに対し、電子装置２００では、サーバ５０毎にポンプ４６を備えるため、各ポンプ４６の出力を調整することで、冷却モジュール１毎に膨張部２ａの膨張量を調節することができる。このため、サーバ５０毎にメモリ５２間のピッチＰが異なっているようなレイアウトにも適宜対応することができる。

以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

なお、以上の実施形態の説明に関して、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下である電子部品冷却モジュール。
（付記２）
前記膨張部の肉厚は、前記高さ寸法維持部の肉厚よりも薄い付記１に記載の電子部品冷却モジュール。
（付記３）
前記膨張部は、前記チューブの上端部及び下端部にそれぞれ装着されるカバー部材の間に形成されている付記１に記載の電子部品冷却モジュール。
（付記４）
前記高さ寸法維持部は、前記電子部品に向かう方向に沿って伸縮する蛇腹状部を含み、前記膨張部は、前記蛇腹状部の伸縮に伴って、前記電子部品に対して接近及び離間する付記１に記載の電子部品冷却モジュール。
（付記５）
前記膨張部は、袋状部である付記１に記載の電子部品冷却モジュール。
（付記６）
基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、
前記電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下である電子装置。
（付記７）
前記膨張部の肉厚は、前記高さ寸法維持部の肉厚よりも薄い付記６に記載の電子装置。
（付記８）
前記膨張部は、前記チューブの上端部及び下端部にそれぞれ装着されるカバー部材の間に形成されている付記６に記載の電子装置。
（付記９）
前記高さ寸法維持部は、前記電子部品に向かう方向に沿って伸縮する蛇腹状部を含み、前記膨張部は、前記蛇腹状部の伸縮に伴って、前記電子部品に対して接近及び離間する付記６に記載の電子装置。
（付記１０）
前記膨張部は、袋状部である付記６に記載の電子装置。

１電子部品冷却モジュール
２、１２、２２、６２チューブ
２ｂ１、１２ｂ１、２２ｂ１、６２ｂ１上端部
３支持部
３ａ上端部
４２、４６ポンプ
５０サーバ
５１マザーボード（基板）
５２メモリ（電子部品）
１００電子装置

Claims

基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部の肉厚は、前記高さ寸法維持部の肉厚よりも薄い、
電子部品冷却モジュール。
基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部は、前記チューブの上端部及び下端部にそれぞれ装着されるカバー部材の間に形成されている、
電子部品冷却モジュール。
基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記高さ寸法維持部及び前記膨張部は、前記電子部品に向かう方向に沿って伸縮する蛇腹状部を含み、前記チューブは、前記蛇腹状部の伸縮に伴って、前記電子部品に対して接近及び離間する、
電子部品冷却モジュール。
基板に実装される電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部は、袋状部である、
電子部品冷却モジュール。
基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、
前記電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部の肉厚は、前記高さ寸法維持部の肉厚よりも薄い、
電子装置。
基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、
前記電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部は、前記チューブの上端部及び下端部にそれぞれ装着されるカバー部材の間に形成されている、
電子装置。
基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、
前記電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記高さ寸法維持部及び前記膨張部は、前記電子部品に向かう方向に沿って伸縮する蛇腹状部を含み、前記チューブは、前記蛇腹状部の伸縮に伴って、前記電子部品に対して接近及び離間する、
電子装置。
基板に設けられているスロットに実装された電子部品と、
前記電子部品と並列に配置されるチューブと、
前記チューブを支持する支持部と、を有し、
前記チューブは、内部に前記電子部品を冷却する冷媒液が流れ、前記冷媒液の圧力によって側方に配置される前記電子部品に向かって膨張し、前記電子部品と面接触する膨張部と、高さ方向の寸法を維持する高さ寸法維持部と、を有し、
前記チューブと前記支持部の高さは、前記基板に実装された状態の前記電子部品の高さ以下であり、
前記膨張部は、袋状部である、
電子装置。