JP7272046B2 - Electronic component built-in circuit board and its manufacturing method - Google Patents

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本発明は電子部品内蔵回路基板及びその製造方法に関し、特に、多層配線構造を有する電子部品内蔵回路基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a circuit board with built-in electronic components and a method of manufacturing the same, and more particularly to a circuit board with built-in electronic components having a multi-layer wiring structure and a method of manufacturing the same.

半導体ICなどの電子部品が内部に埋め込まれた回路基板としては、特許文献1に記載された回路基板が知られている。特許文献1に記載された回路基板は、第1の絶縁層の表面にフェースアップ方式で電子部品を搭載し、電子部品の主面を覆うよう、第1の絶縁層の表面上に第2の絶縁層を形成している。第2の絶縁層の表面には、配線パターンが形成される。 A circuit board described in Patent Document 1 is known as a circuit board in which an electronic component such as a semiconductor IC is embedded. In the circuit board described in Patent Document 1, an electronic component is mounted face-up on the surface of a first insulating layer, and a second insulating layer is formed on the surface of the first insulating layer so as to cover the main surface of the electronic component. It forms an insulating layer. A wiring pattern is formed on the surface of the second insulating layer.

特開2007-150002号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-150002

しかしながら、電子部品の主面上における第2の絶縁層の厚みは非常に薄いことから、第2の絶縁層の表面に形成された配線パターンの形状を画像認識によって検査する際、第2の絶縁層を介して電子部品の主面に形成された再配線層が透けて見えてしまう。このため、撮影された画像内において配線パターンと再配線層の干渉が生じ、配線パターンの形状を検査する際の画像認識精度が低下するという問題があった。 However, since the thickness of the second insulating layer on the main surface of the electronic component is very thin, when inspecting the shape of the wiring pattern formed on the surface of the second insulating layer by image recognition, the second insulating layer The rewiring layer formed on the main surface of the electronic component can be seen through the layer. For this reason, interference occurs between the wiring pattern and the rewiring layer in the photographed image, and there is a problem that the image recognition accuracy is lowered when inspecting the shape of the wiring pattern.

したがって、本発明は、配線パターンの形状を画像認識によって検査する際、撮影された画像内における配線パターンと再配線層の干渉を少なくすることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to reduce interference between a wiring pattern and a rewiring layer in a photographed image when inspecting the shape of the wiring pattern by image recognition.

本発明による電子部品内蔵回路基板は、第1の絶縁層と、再配線層が設けられた主面と主面の反対側に位置する裏面を有し、裏面が第1の絶縁層で覆われるよう、第1の絶縁層の表面に搭載された電子部品と、第1の絶縁層の表面上に設けられ、電子部品の主面を覆う第2の絶縁層と、第2の絶縁層の表面に設けられ、少なくとも一部が再配線層と重なる第1の導体層とを備え、第2の絶縁層は第1の絶縁層よりも光の透過率が低いことを特徴とする。 A circuit board with built-in electronic components according to the present invention has a first insulating layer, a main surface provided with a rewiring layer, and a back surface located on the opposite side of the main surface, and the back surface is covered with the first insulating layer. the electronic component mounted on the surface of the first insulating layer, the second insulating layer provided on the surface of the first insulating layer and covering the main surface of the electronic component, and the surface of the second insulating layer and a first conductor layer at least partially overlapping the rewiring layer, wherein the second insulating layer has a lower light transmittance than the first insulating layer.

本発明による電子部品内蔵回路基板の製造方法は、再配線層が設けられた主面と主面の反対側に位置する裏面を有する電子部品を用意し、裏面が第1の絶縁層で覆われるよう、第1の絶縁層の表面に電子部品を搭載する工程と、電子部品の主面を覆う第2の絶縁層を第1の絶縁層の表面上に設ける工程と、第2の絶縁層の表面に少なくとも一部が再配線層と重なる導体層を形成する工程と、画像認識によって導体層の形状を検査する工程とを備え、第2の絶縁層は第1の絶縁層よりも光の透過率が低いことを特徴とする。 A method of manufacturing a circuit board with a built-in electronic component according to the present invention prepares an electronic component having a main surface provided with a rewiring layer and a back surface located on the opposite side of the main surface, and the back surface is covered with a first insulating layer. a step of mounting an electronic component on the surface of a first insulating layer; a step of providing a second insulating layer covering the main surface of the electronic component on the surface of the first insulating layer; forming a conductor layer at least partially overlapping the rewiring layer on the surface; and inspecting the shape of the conductor layer by image recognition, wherein the second insulating layer transmits more light than the first insulating layer. Characterized by a low rate.

本発明によれば、第2の絶縁層の光透過率が低いことから、画像認識によって第1の導体層の形状を検査する際に、電子部品に設けられた再配線層が透けて見えにくい。このため、第1の導体層の形状を検査する際の画像認識精度を高めることが可能となる。 According to the present invention, since the light transmittance of the second insulating layer is low, when the shape of the first conductor layer is inspected by image recognition, it is difficult to see through the rewiring layer provided on the electronic component. . Therefore, it is possible to improve the accuracy of image recognition when inspecting the shape of the first conductor layer.

本発明において、第2の絶縁層は顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されていても構わない。これによれば、第2の絶縁層の光透過率を大きく低下させることが可能となる。 In the present invention, the second insulating layer may be colored with pigment, dye or carbon black. According to this, it becomes possible to greatly reduce the light transmittance of the second insulating layer.

本発明による電子部品内蔵回路基板は、第1及び第2の絶縁層を挟む第3及び第4の絶縁層をさらに備え、第3及び第4の絶縁層は、芯材に樹脂材料を含浸させたコア層であり、第1及び第2の絶縁層は、芯材を含まない樹脂層であっても構わない。これによれば、電子部品内蔵回路基板の機械的強度を高めることが可能となる。 The electronic component built-in circuit board according to the present invention further comprises third and fourth insulating layers sandwiching the first and second insulating layers, and the third and fourth insulating layers are formed by impregnating a core material with a resin material. The first and second insulating layers may be resin layers that do not contain a core material. According to this, it is possible to increase the mechanical strength of the electronic component built-in circuit board.

本発明による電子部品内蔵回路基板は、第1の絶縁層と第3の絶縁層の間に設けられ、第3の絶縁層の表面を露出させる開口部を有する第2の導体層をさらに備え、第3の絶縁層は第4の絶縁層よりも光の反射率が低くても構わない。これによれば、第2の導体層に設けられた開口部をアライメントマークとして用いる場合、アライメントマークの下地となる第3の絶縁層の光反射率が低いことから、高いコントラストを得ることが可能となる。 The electronic component built-in circuit board according to the present invention further comprises a second conductor layer provided between the first insulating layer and the third insulating layer and having an opening for exposing the surface of the third insulating layer, The third insulating layer may have a lower light reflectance than the fourth insulating layer. According to this, when the opening provided in the second conductor layer is used as the alignment mark, it is possible to obtain high contrast because the third insulating layer, which is the base of the alignment mark, has a low light reflectance. becomes.

このように、本発明によれば、画像認識によって第1の導体層の形状を検査する際に、電子部品に設けられた再配線層が透けて見えにくいことから、画像認識精度を高めることが可能となる。 As described above, according to the present invention, when the shape of the first conductor layer is inspected by image recognition, the rewiring layer provided on the electronic component is difficult to see through, so that the image recognition accuracy can be improved. It becomes possible.

図1は、本発明の第1の実施形態による電子部品内蔵回路基板100の構造を説明するための模式的な断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of an electronic component built-in circuit board 100 according to a first embodiment of the present invention. 図2は、再配線層133のパターン形状の一例を示す模式図な平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the pattern shape of the rewiring layer 133. As shown in FIG. 図3は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 3 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the circuit board 100 with built-in electronic components. 図4は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. As shown in FIG. 図5は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the circuit board 100 with built-in electronic components. 図6は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. As shown in FIG. 図7は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 7 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. As shown in FIG. 図8は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 8 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the circuit board 100 with built-in electronic components. 図9は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 9 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. As shown in FIG. 図10は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。10A to 10D are process diagrams for explaining a method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図11は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。11A to 11D are process diagrams for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図12は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 12 is a process diagram for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. As shown in FIG. 図13は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。13A to 13D are process diagrams for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図14は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。14A to 14D are process diagrams for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図15は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。15A and 15B are process diagrams for explaining a method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図16は、電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。16A to 16D are process diagrams for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100. FIG. 図17は、本発明の第2の実施形態による電子部品内蔵回路基板200の構造を説明するための模式的な断面図である。FIG. 17 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the electronic component built-in circuit board 200 according to the second embodiment of the present invention.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。 Preferred embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態による電子部品内蔵回路基板100の構造を説明するための模式的な断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of an electronic component built-in circuit board 100 according to a first embodiment of the present invention.

図1に示すように、第1の実施形態による電子部品内蔵回路基板100は、4層の絶縁層111~114と、絶縁層111~114の各表面に位置する導体層L1~L4を有している。特に限定されるものではないが、最下層に位置する絶縁層111及び最上層に位置する絶縁層114は、ガラス繊維などの芯材にエポキシなどの樹脂材料を含浸させたコア層であっても構わない。これに対し、絶縁層112,113は、ガラスクロスなどの芯材を含まない樹脂層であっても構わない。特に、絶縁層111,114の熱膨張係数は、絶縁層112,113の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。このように、樹脂層である絶縁層112,113をコア層である絶縁層111,114で挟み込む構造とすれば、電子部品内蔵回路基板100の厚さが薄い場合であっても十分な機械的強度を得ることが可能となる。 As shown in FIG. 1, the electronic component built-in circuit board 100 according to the first embodiment has four insulating layers 111 to 114 and conductor layers L1 to L4 located on the respective surfaces of the insulating layers 111 to 114. ing. Although not particularly limited, the insulating layer 111 located at the bottom layer and the insulating layer 114 located at the top layer may be a core layer in which a core material such as glass fiber is impregnated with a resin material such as epoxy. I do not care. On the other hand, the insulating layers 112 and 113 may be resin layers that do not contain a core material such as glass cloth. In particular, the coefficient of thermal expansion of insulating layers 111 and 114 is preferably smaller than the coefficient of thermal expansion of insulating layers 112 and 113 . In this way, with a structure in which the insulating layers 112 and 113, which are resin layers, are sandwiched between the insulating layers 111 and 114, which are core layers, sufficient mechanical strength can be obtained even when the electronic component built-in circuit board 100 is thin. Strength can be obtained.

本実施形態においては、絶縁層113が顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されている。これに対し、他の絶縁層111,112,114についてはそのような着色は行われていない。このため、絶縁層113は不透明であり、他の絶縁層111,112,114に比べて光の透過率が低い。このように、樹脂層を構成する絶縁層112と絶縁層113は、光学特性が互いに異なる。これに対し、コア層を構成する絶縁層111と絶縁層114については、光学特性が互いに同じであっても構わない。 In this embodiment, the insulating layer 113 is colored with pigment, dye or carbon black. In contrast, the other insulating layers 111, 112, and 114 are not colored as such. Therefore, the insulating layer 113 is opaque and has a lower light transmittance than the other insulating layers 111 , 112 and 114 . Thus, the insulating layer 112 and the insulating layer 113 that constitute the resin layer have different optical characteristics. On the other hand, the insulating layer 111 and the insulating layer 114 forming the core layer may have the same optical characteristics.

最上層に位置する絶縁層114及びその表面に形成された導体層L1の一部は、ソルダーレジスト121によって覆われている。同様に、最下層に位置する絶縁層111及びその表面に形成された導体層L4の一部は、ソルダーレジスト122によって覆われている。特に限定されるものではないが、ソルダーレジスト121は電子部品内蔵回路基板100の上面101を構成し、ソルダーレジスト122は電子部品内蔵回路基板100の下面102を構成する。図示しないが、電子部品内蔵回路基板100の上面101には、キャパシタやインダクタなどの電子部品を搭載することができる。下面102にはマザーボードと接続されるユーザー端子を形成することができる。或いは、電子部品内蔵回路基板100を上下反転し、下面102に電子部品を搭載しても構わない。 The uppermost insulating layer 114 and part of the conductor layer L1 formed thereon are covered with a solder resist 121 . Similarly, the lowermost insulating layer 111 and part of the conductor layer L4 formed thereon are covered with a solder resist 122 . Solder resist 121 constitutes upper surface 101 of circuit board 100 with a built-in electronic component, and solder resist 122 constitutes lower surface 102 of circuit board 100 with a built-in electronic component, although they are not particularly limited. Although not shown, electronic components such as capacitors and inductors can be mounted on the upper surface 101 of the electronic component built-in circuit board 100 . The bottom surface 102 may be formed with user terminals that are connected to the motherboard. Alternatively, the electronic component built-in circuit board 100 may be turned upside down and the electronic component may be mounted on the lower surface 102 .

図1に示すように、本実施形態による電子部品内蔵回路基板100は、絶縁層113に埋め込まれた電子部品130を有している。電子部品130は例えば半導体ICであり、再配線層133が設けられた主面131が上面101側を向いて絶縁層113で覆われ、裏面132が下面102側を向いて絶縁層112で覆われている。図2は、再配線層133のパターン形状の一例を示す模式図な平面図である。図2に示すように、再配線層133は電子部品130に設けられた電極パッドPに接続されており、電極ピッチや電極面積を拡大する役割を果たす。図1には電子部品130を1個だけ図示しているが、2個以上の電子部品130を埋め込んでも構わない。 As shown in FIG. 1, an electronic component built-in circuit board 100 according to this embodiment has an electronic component 130 embedded in an insulating layer 113 . The electronic component 130 is, for example, a semiconductor IC. ing. FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the pattern shape of the rewiring layer 133. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the rewiring layer 133 is connected to the electrode pads P provided on the electronic component 130 and serves to increase the electrode pitch and electrode area. Although only one electronic component 130 is shown in FIG. 1, two or more electronic components 130 may be embedded.

導体層L1は、配線パターン141を含んでいる。配線パターン141のうち、ソルダーレジスト121で覆われていない部分は、電子部品内蔵回路基板100の外部端子を構成する。 The conductor layer L1 includes wiring patterns 141 . A portion of the wiring pattern 141 that is not covered with the solder resist 121 constitutes an external terminal of the electronic component built-in circuit board 100 .

導体層L2は、配線パターン142を含んでいる。配線パターン142の一部は、絶縁層114を貫通して設けられた複数のビア導体151を介して、導体層L1の配線パターン141に接続されている。また、配線パターン142の別の一部は、平面視で電子部品130と重なる位置に設けられたビア導体152を介して、電子部品130の再配線層133に接続されている。 The conductor layer L2 includes wiring patterns 142 . A portion of the wiring pattern 142 is connected to the wiring pattern 141 of the conductor layer L1 through a plurality of via conductors 151 provided through the insulating layer 114 . Another part of wiring pattern 142 is connected to rewiring layer 133 of electronic component 130 via via conductor 152 provided at a position overlapping electronic component 130 in plan view.

導体層L3は、配線パターン143を含んでいる。配線パターン143の一部は、絶縁層112,113を貫通して設けられた複数のビア導体153を介して、導体層L2の配線パターン142に接続されている。ビア導体153は、平面視で電子部品130と重ならない位置に配置されている。 The conductor layer L3 includes wiring patterns 143 . A portion of the wiring pattern 143 is connected to the wiring pattern 142 of the conductor layer L2 through a plurality of via conductors 153 provided through the insulating layers 112,113. Via conductor 153 is arranged at a position not overlapping electronic component 130 in plan view.

導体層L4は、配線パターン144を含んでいる。配線パターン144の一部は、絶縁層111を貫通して設けられた複数のビア導体154を介して、導体層L3の配線パターン143に接続されている。また、配線パターン144のうち、ソルダーレジスト122で覆われていない部分は、端子電極を構成する。 The conductor layer L4 includes wiring patterns 144 . A portion of the wiring pattern 144 is connected to the wiring pattern 143 of the conductor layer L3 through a plurality of via conductors 154 provided through the insulating layer 111 . A portion of the wiring pattern 144 that is not covered with the solder resist 122 constitutes a terminal electrode.

次に、本実施形態による電子部品内蔵回路基板100の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the electronic component built-in circuit board 100 according to this embodiment will be described.

図3~図16は、本実施形態による電子部品内蔵回路基板100の製造方法を説明するための工程図である。 3 to 16 are process diagrams for explaining the method of manufacturing the electronic component built-in circuit board 100 according to this embodiment.

まず、図3に示すように、ガラス繊維などの芯材を含む絶縁層111の両面にCu等の導体箔からなる導体層L3,L4が貼合されてなる基材(ワークボード)、すなわち両面CCL(Copper Clad Laminate)を準備する。絶縁層111に含まれる芯材の厚みは、ハンドリングを容易にするための適度な剛性を確保するため、40μm以上であることが望ましい。なお、導体層L3,L4の材質については特に制限されず、上述したCuの他、例えば、Au、Ag、Ni、Pd、Sn、Cr、Al、W、Fe、Ti、SUS材等の金属導電材料が挙げられ、これらの中でも、導電率やコストの観点からCuを用いることが好ましい。後述する他の導体層L1,L2についても同様である。また、導体層L3の表面L3aは、絶縁層112に対する密着性を高めるために、粗化されていることが好ましい。導体層L3の表面L3aが粗化されている場合、導体層L3に照射した光が散乱されるため、Cuなどの金属材料からなる場合であっても、やや黒っぽく見える。 First, as shown in FIG. 3, a base material (work board) in which conductor layers L3 and L4 made of conductor foil such as Cu are laminated on both sides of an insulating layer 111 containing a core material such as glass fiber, that is, both sides Prepare CCL (Copper Clad Laminate). The thickness of the core material included in the insulating layer 111 is desirably 40 μm or more in order to ensure appropriate rigidity for facilitating handling. In addition, the material of the conductor layers L3 and L4 is not particularly limited, and in addition to Cu described above, for example, metal conductive materials such as Au, Ag, Ni, Pd, Sn, Cr, Al, W, Fe, Ti, SUS materials, etc. Among these materials, it is preferable to use Cu from the viewpoint of electrical conductivity and cost. The same applies to other conductor layers L1 and L2, which will be described later. In addition, the surface L3a of the conductor layer L3 is preferably roughened in order to improve adhesion to the insulating layer 112. As shown in FIG. When the surface L3a of the conductor layer L3 is roughened, the light irradiated to the conductor layer L3 is scattered, so even if it is made of a metal material such as Cu, it looks slightly black.

また、絶縁層111に用いる樹脂材料は、シート状又はフィルム状に成形可能なものであれば特に制限されず使用可能であり、ガラスエポキシの他、例えば、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフェニレエーテル(ポリフェニレンエーテルオキサイド)樹脂(PPE,PPO)、シアネートエステル樹脂、エポキシ+活性エステル硬化樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂(ポリフェニレンオキサオド樹脂)、硬化性ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、若しくはベンゾオキサジン樹脂の単体、又は、これらの樹脂に、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム等を添加した材料、さらに、これらの樹脂に、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも1種の金属を含む金属酸化物粉末を添加した材料を用いることができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。さらに、絶縁層111に含まれる芯材としては、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料を挙げることができる。後述する他の絶縁層112~114についても同様である。 The resin material used for the insulating layer 111 is not particularly limited as long as it can be molded into a sheet or film. Bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphenylene ether (polyphenylene ether oxide) resin (PPE, PPO), cyanate ester resin, epoxy + active ester curing resin, polyphenylene ether resin (polyphenylene oxalate resin), curable polyolefin resin, Benzocyclobutene resin, polyimide resin, aromatic polyester resin, aromatic liquid crystal polyester resin, polyphenylene sulfide resin, polyetherimide resin, polyacrylate resin, polyetheretherketone resin, fluorine resin, epoxy resin, phenolic resin, or benzoxazine Resin alone, or these resins containing silica, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, aluminum borate whisker, potassium titanate fiber, alumina, glass flakes, glass fiber, tantalum nitride, Materials obtained by adding aluminum nitride or the like, and at least one of magnesium, silicon, titanium, zinc, calcium, strontium, zirconium, tin, neodymium, samarium, aluminum, bismuth, lead, lanthanum, lithium and tantalum to these resins. A material to which a metal oxide powder containing a seed metal is added can be used, and can be appropriately selected and used from the viewpoint of electrical properties, mechanical properties, water absorption, reflow resistance, and the like. Furthermore, examples of the core material included in the insulating layer 111 include materials in which resin fibers such as glass fibers and aramid fibers are blended. The same applies to other insulating layers 112 to 114, which will be described later.

次に、図4に示すように、例えばフォトリソグラフィー法など公知の手法を用いて導体層L3をパターニングすることにより、配線パターン143を形成する。この時、電子部品130の搭載領域と重ならない位置に、アライメントマークとして機能する開口部Aを導体層L3に形成しておく。開口部Aは、下地である絶縁層111を露出させるものであり、導体層L3と絶縁層111のコントラストの違いによってアライメントマークとして機能する。 Next, as shown in FIG. 4, a wiring pattern 143 is formed by patterning the conductor layer L3 using a known technique such as photolithography. At this time, an opening A that functions as an alignment mark is formed in the conductor layer L3 at a position that does not overlap the area where the electronic component 130 is mounted. The opening A exposes the underlying insulating layer 111, and functions as an alignment mark due to the difference in contrast between the conductor layer L3 and the insulating layer 111. FIG.

次に、図5に示すように、導体層L3を埋め込むよう、絶縁層111の表面に例えば未硬化(Bステージ状態)の樹脂シート等を真空圧着等によって積層することにより、絶縁層112を形成する。絶縁層112は着色されておらず、高い透明性を有している。 Next, as shown in FIG. 5, an insulating layer 112 is formed by laminating, for example, an uncured (B-stage state) resin sheet or the like on the surface of the insulating layer 111 by vacuum pressure bonding or the like so as to embed the conductor layer L3. do. The insulating layer 112 is not colored and has high transparency.

次に、図6に示すように、絶縁層112上に電子部品130を載置する。電子部品130は、主面131が上側を向くよう、フェースアップ方式で搭載される。電子部品130が半導体ICである場合、シリコン基板が例えば200μm以下、より好ましくは50~100μm程度に薄型化されていても構わない。電子部品130を搭載する際には、開口部Aからなるアライメントマークを画像認識することによって電子部品130の位置決めを行う。 Next, as shown in FIG. 6, electronic component 130 is placed on insulating layer 112 . Electronic component 130 is mounted face-up so that main surface 131 faces upward. When the electronic component 130 is a semiconductor IC, the thickness of the silicon substrate may be reduced to, for example, 200 μm or less, more preferably about 50 to 100 μm. When the electronic component 130 is mounted, the positioning of the electronic component 130 is performed by recognizing the image of the alignment mark formed by the opening A. FIG.

次に、図7に示すように、電子部品130を覆うよう、顔料、染料又はカーボンブラックによって着色された絶縁層113及び導体層L2を形成する。絶縁層113の形成は、例えば、未硬化又は半硬化状態の熱硬化性樹脂を塗布した後、未硬化樹脂の場合それを加熱して半硬化させ、さらに、プレス手段を用いて導体層L2とともに硬化成形することが好ましい。絶縁層113は、電子部品130の埋め込みを妨げる繊維が含まれない樹脂シートが望ましい。これにより、絶縁層113と、導体層L2、絶縁層112及び電子部品130との密着性が向上する。 Next, as shown in FIG. 7, an insulating layer 113 colored with a pigment, a dye or carbon black and a conductor layer L2 are formed to cover the electronic component 130. Then, as shown in FIG. The insulating layer 113 is formed, for example, by applying an uncured or semi-cured thermosetting resin, heating it to semi-cur it in the case of an uncured resin, and further using a pressing means to form the resin together with the conductor layer L2. Curing molding is preferred. The insulating layer 113 is desirably a resin sheet that does not contain fibers that interfere with the embedding of the electronic component 130 . Thereby, the adhesion between the insulating layer 113 and the conductor layer L2, the insulating layer 112 and the electronic component 130 is improved.

次に、図8に示すように、例えばフォトリソグラフィー法など公知の手法を用いて導体層L2の一部をエッチングにより除去することにより、絶縁層113を露出させる開口部162,163を形成する。このうち、開口部162は電子部品130の再配線層133と重なる位置に形成され、開口部163は電子部品130と重ならず、且つ、導体層L3の配線パターン143と重なる位置に形成される。 Next, as shown in FIG. 8, openings 162 and 163 that expose the insulating layer 113 are formed by removing part of the conductor layer L2 by etching using a known technique such as photolithography. Of these, the opening 162 is formed at a position overlapping the rewiring layer 133 of the electronic component 130, and the opening 163 is formed at a position not overlapping the electronic component 130 but overlapping the wiring pattern 143 of the conductor layer L3. .

次に、図9に示すように、導体層L2をマスクとしてレーザー加工又はブラスト加工を行うことにより、導体層L2で覆われていない部分における絶縁層113,112を除去する。これにより、導体層L2の開口部162に対応する位置には、絶縁層113にビア152aが形成され、電子部品130の再配線層133が露出する。同様に、導体層L2の開口部163に対応する位置には、絶縁層113,112にビア153aが形成され、導体層L3の配線パターン143が露出する。 Next, as shown in FIG. 9, the insulating layers 113 and 112 in the portions not covered with the conductor layer L2 are removed by laser processing or blast processing using the conductor layer L2 as a mask. As a result, a via 152a is formed in the insulating layer 113 at a position corresponding to the opening 162 of the conductor layer L2, and the rewiring layer 133 of the electronic component 130 is exposed. Similarly, vias 153a are formed in the insulating layers 113 and 112 at positions corresponding to the openings 163 of the conductor layer L2, and the wiring pattern 143 of the conductor layer L3 is exposed.

次に、図10に示すように、無電解メッキ及び電解メッキを施すことにより、ビア152a,153aの内壁にビア導体152,153をそれぞれ形成する。これにより、ビア導体152,153を介して、電子部品130の再配線層133及び導体層L3の配線パターン143が導体層L2に接続される。 Next, as shown in FIG. 10, via conductors 152 and 153 are formed on the inner walls of vias 152a and 153a by applying electroless plating and electrolytic plating. Thereby, the rewiring layer 133 of the electronic component 130 and the wiring pattern 143 of the conductor layer L3 are connected to the conductor layer L2 through the via conductors 152 and 153 .

次に、図11に示すように、導体層L2をフォトリソグラフィー法など公知の手法によってパターニングすることにより、配線パターン142を形成する。配線パターン142の一部は、平面視で電子部品130の再配線層133と重なっている。その後、画像認識によって配線パターン142の形状を検査する。本実施形態においては、絶縁層113が顔料、染料又はカーボンブラックによって着色され、これによって光透過率が低減されていることから、画像認識によって配線パターン142の形状を検査する際、絶縁層113を介して電子部品130の再配線層133が透けて見えにくく、撮影された画像内において配線パターン142と再配線層133の干渉が生じにくい。これにより、配線パターン142の形状を検査する際の画像認識精度を高めることが可能となる。 Next, as shown in FIG. 11, a wiring pattern 142 is formed by patterning the conductor layer L2 by a known technique such as photolithography. A portion of the wiring pattern 142 overlaps the rewiring layer 133 of the electronic component 130 in plan view. After that, the shape of the wiring pattern 142 is inspected by image recognition. In the present embodiment, the insulating layer 113 is colored with a pigment, dye, or carbon black to reduce the light transmittance. The rewiring layer 133 of the electronic component 130 is less likely to be seen through, and interference between the wiring pattern 142 and the rewiring layer 133 is less likely to occur in the captured image. This makes it possible to improve the accuracy of image recognition when inspecting the shape of the wiring pattern 142 .

次に、図12に示すように、導体層L2を埋め込むよう、絶縁層114と導体層L1が積層されたシートを真空熱プレスする。絶縁層114の厚みは、絶縁層111と同じであっても構わない。 Next, as shown in FIG. 12, the sheet in which the insulating layer 114 and the conductor layer L1 are laminated is vacuum hot pressed so as to embed the conductor layer L2. The thickness of the insulating layer 114 may be the same as that of the insulating layer 111 .

次に、図13に示すように、例えばフォトリソグラフィー法など公知の手法を用いて導体層L1,L4の一部をエッチングにより除去することにより、導体層L1に絶縁層114を露出させる開口部161を形成し、導体層L4に絶縁層111を露出させる開口部164を形成する。このうち、開口部161は配線パターン142と重なる位置に形成され、開口部164は配線パターン143と重なる位置に形成される。 Next, as shown in FIG. 13, a portion of the conductor layers L1 and L4 is removed by etching using a known technique such as photolithography, thereby forming an opening 161 that exposes the insulating layer 114 in the conductor layer L1. is formed to form an opening 164 exposing the insulating layer 111 in the conductor layer L4. Among them, the opening 161 is formed at a position overlapping with the wiring pattern 142 , and the opening 164 is formed at a position overlapping with the wiring pattern 143 .

次に、図14に示すように、導体層L1,L4をマスクとしてレーザー加工又はブラスト加工を行うことにより、導体層L1で覆われていない部分における絶縁層114を除去するとともに、導体層L4で覆われていない部分における絶縁層111を除去する。これにより、導体層L1の開口部161に対応する位置には、絶縁層114にビア151aが形成され、導体層L2の配線パターン142が露出する。また、導体層L4の開口部164に対応する位置には、絶縁層111にビア154aが形成され、導体層L3の配線パターン143が露出する。 Next, as shown in FIG. 14, laser processing or blast processing is performed using the conductor layers L1 and L4 as a mask to remove the insulating layer 114 in the portions not covered with the conductor layer L1, and the conductor layer L4. The insulating layer 111 is removed in the uncovered portions. As a result, a via 151a is formed in the insulating layer 114 at a position corresponding to the opening 161 of the conductor layer L1, and the wiring pattern 142 of the conductor layer L2 is exposed. A via 154a is formed in the insulating layer 111 at a position corresponding to the opening 164 of the conductor layer L4, and the wiring pattern 143 of the conductor layer L3 is exposed.

次に、図15に示すように、無電解メッキ及び電解メッキを施すことにより、ビア151a,154aの内壁にビア導体151,154をそれぞれ形成する。これにより、ビア導体151を介して、導体層L2の配線パターン142が導体層L1に接続される。また、ビア導体154を介して、導体層L3の配線パターン143が導体層L4に接続される。 Next, as shown in FIG. 15, via conductors 151 and 154 are formed on the inner walls of vias 151a and 154a by applying electroless plating and electrolytic plating. As a result, the wiring pattern 142 of the conductor layer L2 is connected to the conductor layer L1 through the via conductors 151 . In addition, the wiring pattern 143 of the conductor layer L3 is connected to the conductor layer L4 through the via conductors 154 .

次に、図16に示すように、導体層L1,L4をフォトリソグラフィー法など公知の手法によってパターニングすることにより、導体層L1に配線パターン141を形成し、導体層L4に配線パターン144を形成する。そして、所定の平面位置にソルダーレジスト121,122を形成すれば、本実施形態による電子部品内蔵回路基板100が完成する。 Next, as shown in FIG. 16, the conductor layers L1 and L4 are patterned by a known technique such as photolithography to form a wiring pattern 141 on the conductor layer L1 and a wiring pattern 144 on the conductor layer L4. . Then, by forming the solder resists 121 and 122 at predetermined planar positions, the electronic component built-in circuit board 100 according to the present embodiment is completed.

このように、本実施形態においては、絶縁層113が顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されることによって光透過率が低減されていることから、画像認識によって配線パターン142の形状を検査する際、絶縁層113を介して電子部品130の再配線層133が透けて見えにくくなる。これにより、配線パターン142の形状を検査する際の画像認識精度を高めることが可能となる。また、絶縁層112については光透過率が高いことから、電子部品130を搭載する際、開口部Aからなるアライメントマークを容易に画像認識することが可能となる。 As described above, in the present embodiment, the insulating layer 113 is colored with pigment, dye, or carbon black to reduce the light transmittance. Therefore, when inspecting the shape of the wiring pattern 142 by image recognition, The rewiring layer 133 of the electronic component 130 is less visible through the insulating layer 113 . This makes it possible to improve the accuracy of image recognition when inspecting the shape of the wiring pattern 142 . Further, since the insulating layer 112 has a high light transmittance, it is possible to easily recognize the image of the alignment mark formed by the opening A when the electronic component 130 is mounted.

図17は、本発明の第2の実施形態による電子部品内蔵回路基板200の構造を説明するための模式的な断面図である。 FIG. 17 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the electronic component built-in circuit board 200 according to the second embodiment of the present invention.

図17に示すように、第2の実施形態による電子部品内蔵回路基板200は、絶縁層111の代わりに、顔料、染料又はカーボンブラックによって着色された絶縁層111Aが用いられている点において、第1の実施形態による電子部品内蔵回路基板100と相違している。その他の点は第1の実施形態による電子部品内蔵回路基板100と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 As shown in FIG. 17, in the electronic component built-in circuit board 200 according to the second embodiment, instead of the insulating layer 111, an insulating layer 111A colored with pigment, dye or carbon black is used. It is different from the electronic component built-in circuit board 100 according to the first embodiment. Since other points are the same as the electronic component built-in circuit board 100 according to the first embodiment, the same elements are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

本実施形態においては、絶縁層111Aが顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されている。これに対し、絶縁層112,114についてはそのような着色は行われていない。このため、絶縁層111Aは不透明であり、絶縁層112,114に比べて光の反射率や透過率が低い。このように、本実施形態においては、コア層を構成する絶縁層111Aと絶縁層114についても光学特性が互いに異なる。 In this embodiment, the insulating layer 111A is colored with pigment, dye or carbon black. In contrast, the insulating layers 112 and 114 are not colored as such. Therefore, the insulating layer 111A is opaque and has a lower light reflectance and transmittance than the insulating layers 112 and 114 . Thus, in the present embodiment, the optical properties of the insulating layer 111A and the insulating layer 114 that constitute the core layer are also different from each other.

上述の通り、導体層L3の表面L3aが粗化されている場合、導体層L3が黒っぽく見えることから、開口部Aからなるアライメントマークのコントラストが不十分となることがある。特に、開口部Aからなるアライメントマークが絶縁層112で覆われると、そのコントラストは大幅に低下する。しかしながら、本実施形態においては、絶縁層111Aが着色されていることから、絶縁層112によって覆われた状態でも、十分なコントラストが確保される。 As described above, when the surface L3a of the conductor layer L3 is roughened, the conductor layer L3 looks blackish, and the contrast of the alignment mark formed by the opening A may be insufficient. In particular, when the alignment mark formed by the opening A is covered with the insulating layer 112, its contrast is greatly reduced. However, in this embodiment, since the insulating layer 111A is colored, sufficient contrast is ensured even when covered with the insulating layer 112. FIG.

このように、本実施形態においては絶縁層111Aが着色されているため、アライメントマークのコントラストは十分に確保される。このため、非常に高い精度で電子部品130の搭載位置を制御することが可能となる。絶縁層114にも顔料、染料又はカーボンブラックを添加することによって着色しても構わないが、絶縁層111Aとは異なり、絶縁層114を着色する必要はないことから、不必要なコストの増大を避けるためには、絶縁層114を着色しないことが好ましい。 As described above, since the insulating layer 111A is colored in this embodiment, the contrast of the alignment mark is sufficiently ensured. Therefore, it is possible to control the mounting position of the electronic component 130 with very high accuracy. The insulating layer 114 may also be colored by adding a pigment, dye, or carbon black. To avoid this, it is preferable not to color the insulating layer 114 .

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Needless to say, it is included within the scope.

例えば、上記の実施形態では、絶縁層113が顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されているが、絶縁層113の光透過率を低減させる方法がこれに限定されるものではない。 For example, in the above embodiments, the insulating layer 113 is colored with a pigment, dye, or carbon black, but the method of reducing the light transmittance of the insulating layer 113 is not limited to this.

100,200 電子部品内蔵回路基板
101 電子部品内蔵回路基板の上面
102 電子部品内蔵回路基板の下面
111~114,111A 絶縁層
121,122 ソルダーレジスト
130 電子部品
131 電子部品の主面
132 電子部品の裏面
133 再配線層
141~144 配線パターン
151~154 ビア導体
151a~154a ビア
161~164 開口部
A 開口部
L1~L4 導体層
L3a 導体層の表面
P 電極パッド
100, 200 electronic component built-in circuit board 101 electronic component built-in circuit board top surface 102 electronic component built-in circuit board bottom surfaces 111 to 114, 111A insulating layers 121, 122 solder resist 130 electronic component 131 electronic component main surface 132 electronic component back surface 133 rewiring layers 141-144 wiring patterns 151-154 via conductors 151a-154a vias 161-164 opening A openings L1-L4 conductor layer L3a conductor layer surface P electrode pad

Claims (5)

第1の絶縁層と、
再配線層が設けられた主面と前記主面の反対側に位置する裏面を有し、前記裏面が前記第1の絶縁層で覆われるよう、前記第1の絶縁層の表面に搭載された電子部品と、
前記第1の絶縁層の前記表面上に設けられ、前記電子部品の前記主面を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の表面に設けられ、少なくとも一部が前記再配線層と重なる第1の導体層と、
前記第1絶縁層を前記第2の絶縁層とは反対側から覆う第3の絶縁層と、
前記第1の絶縁層と前記第3の絶縁層の間に設けられ、前記第3の絶縁層の前記表面を露出させる開口部を有する第2の導体層と、を備え、
前記電子部品は、前記開口部に対して位置決めされており、
前記第2の絶縁層は前記第1の絶縁層よりも光の透過率が低いことを特徴とする電子部品内蔵回路基板。
a first insulating layer;
It has a main surface provided with a rewiring layer and a back surface located on the opposite side of the main surface, and is mounted on the surface of the first insulating layer so that the back surface is covered with the first insulating layer. electronic components;
a second insulating layer provided on the surface of the first insulating layer and covering the main surface of the electronic component;
a first conductor layer provided on the surface of the second insulating layer and at least partially overlapping with the rewiring layer;
a third insulating layer covering the first insulating layer from the side opposite to the second insulating layer;
a second conductor layer provided between the first insulating layer and the third insulating layer and having an opening that exposes the surface of the third insulating layer;
The electronic component is positioned with respect to the opening,
The electronic component built-in circuit board, wherein the second insulating layer has a lower light transmittance than the first insulating layer.
前記第2の絶縁層は、顔料、染料又はカーボンブラックによって着色されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵回路基板。 2. The circuit board with built-in electronic parts according to claim 1, wherein said second insulating layer is colored with pigment, dye or carbon black. 前記第2絶縁層を前記第1の絶縁層とは反対側から覆う第4の絶縁層をさらに備え、
前記第3及び第4の絶縁層は、芯材に樹脂材料を含浸させたコア層であり、
前記第1及び第2の絶縁層は、芯材を含まない樹脂層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品内蔵回路基板。
further comprising a fourth insulating layer covering the second insulating layer from a side opposite to the first insulating layer;
The third and fourth insulating layers are core layers obtained by impregnating a core material with a resin material,
3. The electronic component built-in circuit board according to claim 1, wherein the first and second insulating layers are resin layers that do not contain a core material.
前記第3の絶縁層は前記第の絶縁層よりも光の透過率及び反射率が低いことを特徴とする請求項3に記載の電子部品内蔵回路基板。 4. The electronic component built-in circuit board according to claim 3, wherein the third insulating layer has lower light transmittance and reflectance than the fourth insulating layer. 第3の絶縁層の表面に設けられた第2の導体層に、前記第3の絶縁層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記第2の導体層が埋め込まれるよう、前記第3の絶縁層の前記表面を第1の絶縁層で覆う工程と、
再配線層が設けられた主面と前記主面の反対側に位置する裏面を有する電子部品を用意し、前記裏面が第1の絶縁層で覆われるよう、前記開口部を画像認識することによって位置決めしながら、前記第1の絶縁層の表面に電子部品を搭載する工程と、
前記電子部品の前記主面を覆う第2の絶縁層を前記第1の絶縁層の前記表面上に設ける工程と、
前記第2の絶縁層の表面に少なくとも一部が前記再配線層と重なる第1の導体層を形成する工程と、
画像認識によって前記第1の導体層の形状を検査する工程と、を備え、
前記第2の絶縁層は前記第1の絶縁層よりも光の透過率が低いことを特徴とする電子部品内蔵回路基板の製造方法。
forming an opening in a second conductor layer provided on the surface of a third insulating layer to expose the third insulating layer;
covering the surface of the third insulating layer with a first insulating layer such that the second conductor layer is embedded;
By preparing an electronic component having a main surface provided with a rewiring layer and a back surface located on the opposite side of the main surface, and performing image recognition of the opening so that the back surface is covered with a first insulating layer. mounting an electronic component on the surface of the first insulating layer while positioning;
providing a second insulating layer covering the main surface of the electronic component on the surface of the first insulating layer;
forming a first conductor layer at least partially overlapping with the rewiring layer on the surface of the second insulating layer;
inspecting the shape of the first conductor layer by image recognition;
A method of manufacturing an electronic component built-in circuit board, wherein the second insulating layer has a lower light transmittance than the first insulating layer.
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