JP7271260B2 - thermal print head - Google Patents

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Description

本開示は、サーマルプリントヘッドに関する。 The present disclosure relates to thermal printheads.

サーマルプリントヘッドは、例えば感熱記録紙に印字するサーマルプリンタに搭載される。従来のサーマルプリントヘッドの一例としては、セラミック基板と、セラミック基板上に形成されたグレーズ層と、グレーズ層上に形成された発熱抵抗体と、発熱抵抗体上に形成され、発熱抵抗体に電流を供給する電極と、発熱抵抗体を被覆する第１保護層としての抵抗体保護層と、抵抗体保護層上に形成された第２保護層としての耐摩耗層とを備える（例えば、特許文献１参照）。このようなサーマルプリントヘッドは、被印刷物を耐摩耗層に押し当てて電極を通じて発熱抵抗体を発熱させることによって被印刷物に印字する。 A thermal print head is installed in, for example, a thermal printer that prints on thermal recording paper. An example of a conventional thermal printhead includes a ceramic substrate, a glaze layer formed on the ceramic substrate, a heating resistor formed on the glaze layer, and a current flowing through the heating resistor formed on the heating resistor. , a resistor protective layer as a first protective layer covering the heating resistor, and an abrasion resistant layer as a second protective layer formed on the resistor protective layer (for example, Patent Document 1). Such a thermal print head prints on a printed material by pressing the printed material against the wear-resistant layer and causing the heating resistor to generate heat through the electrodes.

特開平７－３２９３３０号公報JP-A-7-329330

ところで、第２保護層は、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）によって形成される場合がある。ＳｉＣによって形成された第２保護層では、被印刷物として感熱記録紙に印字する場合、感熱記録紙がサーマルプリントヘッドに不要に張り付く、いわゆるスティッキング現象が発生する場合がある。スティッキング現象が発生すると、感熱記録紙が円滑に搬送されずに副走査方向において感熱記録紙に印字されるラインに印字がされない。 By the way, the second protective layer may be made of silicon carbide (SiC), for example. When the second protective layer made of SiC is used for printing on thermal recording paper, a so-called sticking phenomenon may occur in which the thermal recording paper unnecessarily sticks to the thermal print head. When the sticking phenomenon occurs, the thermal recording paper is not conveyed smoothly, and the lines printed on the thermal recording paper in the sub-scanning direction are not printed.

本発明の目的は、スティッキング現象の発生の抑制できるサーマルプリントヘッドを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thermal printhead capable of suppressing the sticking phenomenon.

上記課題を解決するサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、前記基板の主面上に形成されたガラス層と、前記ガラス層上に形成された電極層及び抵抗体層と、前記抵抗体層及び前記電極層を覆う保護層と、を備え、前記保護層は、前記抵抗体層を覆う抵抗体被覆部を含む第１保護層と、前記抵抗体被覆部を少なくとも覆う第２保護層と、を有し、前記第２保護層は、炭化ケイ素及び窒化クロムを含む。 A thermal printhead for solving the above problems comprises a substrate having a main surface, a glass layer formed on the main surface of the substrate, an electrode layer and a resistor layer formed on the glass layer, and the resistors. and a protective layer covering the electrode layer, wherein the protective layer includes a first protective layer including a resistor covering portion covering the resistor layer, and a second protective layer covering at least the resistor covering portion. , wherein the second protective layer comprises silicon carbide and chromium nitride.

この構成によれば、第２保護層が炭化ケイ素及び窒化クロムを含むため、第２保護層が炭化ケイ素からなる場合と比較して、摩擦係数が小さくなる。したがって、サーマルプリントヘッドが被印刷物を印字する場合に第２保護層と摺動する被印刷物におけるスティッキング現象の発生を抑制できる。 According to this configuration, since the second protective layer contains silicon carbide and chromium nitride, the coefficient of friction is smaller than when the second protective layer is made of silicon carbide. Therefore, when the thermal print head prints on the material to be printed, it is possible to suppress the occurrence of the sticking phenomenon in the material to be printed that slides on the second protective layer.

上記サーマルプリントヘッドによれば、スティッキング現象の発生の抑制できる。 According to the above thermal print head, it is possible to suppress the occurrence of the sticking phenomenon.

一実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図。1 is a plan view of a thermal printhead according to one embodiment; FIG. 図１のサーマルプリントヘッドの一部の拡大図。2 is an enlarged view of a portion of the thermal printhead of FIG. 1; FIG. 図１の３－３線の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 3-3 of FIG. 1; 図３のグレーズ及びその周辺の拡大図。FIG. 4 is an enlarged view of the glaze in FIG. 3 and its surroundings; 比較例１，２及び実施例１，２の第２保護層について、硬度と摩擦係数との関係を示すグラフ。5 is a graph showing the relationship between hardness and coefficient of friction for the second protective layers of Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2; 比較例１，２及び実施例１，２の第２保護層について、印字周期とスティッキング現象の発生との関係を示す表。5 is a table showing the relationship between the printing cycle and the sticking phenomenon for the second protective layers of Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2; 比較例１，２及び実施例１の第２保護層について、保護層の磨耗量を示す表。4 is a table showing the amount of wear of the protective layer for the second protective layers of Comparative Examples 1 and 2 and Example 1;

以下、サーマルプリントヘッドの実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。 Embodiments of the thermal printhead will be described below with reference to the drawings. The embodiments shown below are examples of configurations and methods for embodying technical ideas, and the materials, shapes, structures, layouts, dimensions, etc. of each component are not limited to the following. . Various modifications can be made to the following embodiments.

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。 In this specification, "a state in which member A is connected to member B" refers to a case in which member A and member B are physically directly connected, and a case in which member A and member B are electrically connected. Including the case of being indirectly connected through other members that do not affect the connection state.

図１は、サーマルプリントヘッド１の平面図である。サーマルプリントヘッド１は、例えばバーコードシート及びレシートを作成するために感熱記録紙に対して１ラインごとに印字するサーマルプリンタに搭載される。図１に示すように、サーマルプリントヘッド１は、矩形板状に形成されたヘッド本体１Ａと、ヘッド本体１Ａに取り付けられたコネクタ１Ｂ，１Ｃとを備える。コネクタ１Ｂ，１Ｃは、サーマルプリントヘッド１をサーマルプリンタに組み込む際、サーマルプリンタ側のコネクタに接続される。本実施形態では、サーマルプリントヘッド１は、印字周期（１ラインの印字にかかる時間）が１．６０ｍｓ／ｌｉｎｅよりも遅いサーマルプリンタに適用される。一例では、サーマルプリントヘッド１は、印字周期が２．５０ｍｓ／ｌｉｎｅのサーマルプリンタに適用される。一例では、サーマルプリントヘッド１は、印字周期が３．３３ｍｓ／ｌｉｎｅのサーマルプリンタに適用される。 FIG. 1 is a plan view of the thermal print head 1. FIG. The thermal print head 1 is installed in a thermal printer that prints line by line on thermal recording paper to create, for example, bar code sheets and receipts. As shown in FIG. 1, the thermal print head 1 includes a head body 1A formed in a rectangular plate shape, and connectors 1B and 1C attached to the head body 1A. The connectors 1B and 1C are connected to connectors on the thermal printer side when the thermal print head 1 is installed in the thermal printer. In this embodiment, the thermal print head 1 is applied to a thermal printer having a print cycle (time required for printing one line) slower than 1.60 ms/line. In one example, the thermal print head 1 is applied to a thermal printer with a print cycle of 2.50 ms/line. As an example, the thermal print head 1 is applied to a thermal printer with a print cycle of 3.33 ms/line.

以降の説明において、サーマルプリントヘッド１の平面視（以下、単に「平面視」という）において、ヘッド本体１Ａの長辺方向を「主走査方向Ｘ」とし、ヘッド本体１Ａの短辺方向を「副走査方向Ｙ」とし、ヘッド本体１Ａの厚さ方向を「板厚方向Ｚ」とする。板厚方向Ｚは、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙと直交する方向である。平面視において、副走査方向Ｙは、感熱記録紙の搬送方向と一致する。また便宜上、基板１０の裏面１２から主面１１に向かう方向を「上方」とし、主面１１から裏面１２に向かう方向を「下方」とする。上方及び下方は、サーマルプリントヘッド１の姿勢等によって変更されるため、実際の製品の方向として定義するものではない。 In the following description, in a plan view of the thermal print head 1 (hereinafter simply referred to as "plan view"), the long side direction of the head main body 1A is defined as the "main scanning direction X", and the short side direction of the head main body 1A is defined as the "sub scanning direction". The thickness direction of the head main body 1A is defined as the "plate thickness direction Z". The plate thickness direction Z is a direction perpendicular to the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y. As shown in FIG. In plan view, the sub-scanning direction Y coincides with the conveying direction of the thermal recording paper. For convenience, the direction from the rear surface 12 to the main surface 11 of the substrate 10 is defined as "upward", and the direction from the main surface 11 to the rear surface 12 is defined as "downward". Since the upward direction and the downward direction are changed depending on the posture of the thermal print head 1, etc., they are not defined as actual product directions.

ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙの上流側端部かつ主走査方向Ｘの一方の端部には、コネクタ１Ｂが接続されている。ヘッド本体１Ａの副走査方向Ｙの上流側端部かつ主走査方向Ｘの他方の端部には、コネクタ１Ｃが接続されている。なお、主走査方向Ｘにおけるコネクタ１Ｂ，１Ｃの位置は任意に変更可能である。また、１個のコネクタ又は３個以上のコネクタがヘッド本体１Ａに接続されてもよい。 A connector 1B is connected to an upstream end in the sub-scanning direction Y and one end in the main scanning direction X of the head body 1A. A connector 1C is connected to the upstream end in the sub-scanning direction Y and the other end in the main scanning direction X of the head body 1A. Note that the positions of the connectors 1B and 1C in the main scanning direction X can be changed arbitrarily. Also, one connector or three or more connectors may be connected to the head body 1A.

図１～図４に示すように、ヘッド本体１Ａは、基板１０、ガラス層２０、電極層３０、抵抗体層４０、保護層５０、及び駆動ＩＣ６１を備える。なお、ヘッド本体１Ａは、基板１０に加えて、例えばガラスエポキシ樹脂からなる基材層と、銅（Ｃｕ）などからなる配線層とが積層された配線基板を有する構造としてもよい。また、図１では、便宜上、保護層５０を省略して示している。 As shown in FIGS. 1 to 4, the head body 1A includes a substrate 10, a glass layer 20, an electrode layer 30, a resistor layer 40, a protective layer 50, and a driving IC61. In addition to the substrate 10, the head body 1A may have a wiring substrate in which a substrate layer made of glass epoxy resin and a wiring layer made of copper (Cu) are laminated. Also, in FIG. 1, the protective layer 50 is omitted for the sake of convenience.

基板１０は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックからなり、例えばその厚さが０．６ｍｍ～１．０ｍｍ程度とされる。基板１０は、主走査方向Ｘに長く延びる矩形板状である。基板１０は、板厚方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１及び裏面１２を有する。基板１０の主面１１には、ガラス層２０、電極層３０、抵抗体層４０、及び保護層５０が形成されている。基板１０の裏面１２には、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる放熱板を設けてもよい。 The substrate 10 is made of ceramic such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and has a thickness of about 0.6 mm to 1.0 mm. The substrate 10 has a rectangular plate shape elongated in the main scanning direction X. As shown in FIG. The substrate 10 has a main surface 11 and a back surface 12 facing opposite sides in the plate thickness direction Z. As shown in FIG. A glass layer 20 , an electrode layer 30 , a resistor layer 40 and a protective layer 50 are formed on the main surface 11 of the substrate 10 . A heat sink made of metal such as aluminum (Al) may be provided on the rear surface 12 of the substrate 10 .

ガラス層２０は、基板１０の主面１１上に形成されており、例えば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。ガラス層２０は、グレーズ２１、ダイボンディンググレーズ２２、中間ガラス層２３、及び先端ガラス層２４を有する。ガラス層２０は、ガラスペーストを基板１０の主面１１上に厚膜印刷した後、厚膜印刷されたガラスペーストを焼成することによって形成されている。 The glass layer 20 is formed on the main surface 11 of the substrate 10 and is made of a glass material such as amorphous glass. The glass layer 20 has a glaze 21 , a die bonding glaze 22 , an intermediate glass layer 23 and a tip glass layer 24 . The glass layer 20 is formed by thick-film-printing a glass paste on the main surface 11 of the substrate 10 and then firing the thick-film-printed glass paste.

グレーズ２１は、蓄熱層であって、平面視において主走査方向Ｘに延びる帯状に形成されている。本実施形態のグレーズ２１は、副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚを含む平面で切った断面形状が板厚方向Ｚにおいて基板１０とは反対側に凸となる円弧状に形成された、いわゆる部分グレーズである。円弧状のグレーズ２１の曲率は、サーマルプリントヘッド１の用途に応じて適宜設定可能である。グレーズ２１の副走査方向Ｙのサイズは、例えば７００μｍ程度である。グレーズ２１の板厚方向Ｚのサイズは、例えば１８μｍ～５０μｍ程度である。つまり、基板１０の主面１１からグレーズ２１の頂部２１Ａまでの板厚方向Ｚのサイズが５０μｍ程度である。グレーズ２１は、抵抗体層４０のうちの発熱する部分である発熱部４１を印刷対象である感熱記録紙に押し当てるために設けられている。 The glaze 21 is a heat storage layer, and is formed in a strip shape extending in the main scanning direction X in plan view. The glaze 21 of the present embodiment is a so-called portion in which a cross-sectional shape cut by a plane including the sub-scanning direction Y and the plate thickness direction Z is formed in an arcuate shape that protrudes on the side opposite to the substrate 10 in the plate thickness direction Z. It's a glaze. The curvature of the arc-shaped glaze 21 can be appropriately set according to the application of the thermal print head 1 . The size of the glaze 21 in the sub-scanning direction Y is, for example, about 700 μm. The size of the glaze 21 in the plate thickness direction Z is, for example, about 18 μm to 50 μm. That is, the size in the plate thickness direction Z from the main surface 11 of the substrate 10 to the top portion 21A of the glaze 21 is approximately 50 μm. The glaze 21 is provided to press the heat-generating portion 41 of the resistor layer 40 against the thermal recording paper to be printed.

ダイボンディンググレーズ２２は、グレーズ２１に対して副走査方向Ｙの上流側に離間した位置で、グレーズ２１と平行に設けられた帯状に形成されている。ダイボンディンググレーズ２２は、電極層３０の一部及び駆動ＩＣ６１を支持している。ダイボンディンググレーズ２２の厚さは、例えば３０μｍ～５０μｍ程度である。グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２はそれぞれ、非晶質ガラスによって形成されている。グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２のガラス材料の軟化点は、例えば８００℃～８５０℃である。なお、ダイボンディンググレーズ２２は省略してもよい。 The die-bonding glaze 22 is formed in a strip shape provided parallel to the glaze 21 at a position spaced upstream in the sub-scanning direction Y with respect to the glaze 21 . The die bonding glaze 22 supports part of the electrode layer 30 and the drive IC 61 . The thickness of the die bonding glaze 22 is, for example, about 30 μm to 50 μm. The glaze 21 and the die bonding glaze 22 are each made of amorphous glass. The softening point of the glass material of the glaze 21 and the die bonding glaze 22 is, for example, 800.degree. C. to 850.degree. Note that the die bonding glaze 22 may be omitted.

中間ガラス層２３は、副走査方向Ｙにおいて基板１０の主面１１のうちのグレーズ２１とダイボンディンググレーズ２２とに挟まれた領域を覆っている。中間ガラス層２３は、ガラス材料の軟化点が例えば６８０℃程度と、グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２を形成するガラス材料よりも軟化点が低いガラス材料からなる。中間ガラス層２３の厚さは、例えば２．０μｍ程度である。先端ガラス層２４は、基板１０の主面１１のうちのグレーズ２１に対して副走査方向Ｙの下流側の領域の一部を覆っている。先端ガラス層２４は、中間ガラス層２３と同様の材質及び厚さである。中間ガラス層２３及び先端ガラス層２４はそれぞれ、基板１０の主面１１の凹凸をなくして電極層３０を積層し易くするために設けられている。本実施形態では、グレーズ２１及びダイボンディンググレーズ２２が形成された後、中間ガラス層２３及び先端ガラス層２４が形成される。 The intermediate glass layer 23 covers a region sandwiched between the glaze 21 and the die bonding glaze 22 on the main surface 11 of the substrate 10 in the sub-scanning direction Y. As shown in FIG. The intermediate glass layer 23 is made of a glass material having a softening point of, for example, about 680° C., which is lower than that of the glass material forming the glaze 21 and the die bonding glaze 22 . The thickness of the intermediate glass layer 23 is, for example, about 2.0 μm. The tip glass layer 24 partially covers a region of the main surface 11 of the substrate 10 on the downstream side in the sub-scanning direction Y with respect to the glaze 21 . The tip glass layer 24 has the same material and thickness as the intermediate glass layer 23 . The intermediate glass layer 23 and the tip glass layer 24 are provided to eliminate irregularities on the main surface 11 of the substrate 10 and facilitate lamination of the electrode layers 30 . In this embodiment, after the glaze 21 and the die bonding glaze 22 are formed, the intermediate glass layer 23 and the tip glass layer 24 are formed.

電極層３０は、抵抗体層４０に通電するための経路を構成するものであり、ガラス層２０上に形成されている。電極層３０は、例えば添加元素としてロジウム（Ｒｈ）、バナジウム（Ｖ）、ビスマス（Ｂｉ）、シリコン（Ｓｉ）などが添加された金（Ａｕ）レジネートペーストによって形成されている。電極層３０は、金レジネートペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷された金レジネートペーストを焼成することによって形成されている。なお、電極層３０は、スパッタリングなどの薄膜形成技術によって形成してもよい。電極層３０の厚さは特に限定されないが、例えば０．６μｍ～１．２μｍ程度である。電極層３０は、共通電極３１及び複数の個別電極３２を有する。なお、個別電極３２の個数は任意に変更可能である。 The electrode layer 30 constitutes a path for energizing the resistor layer 40 and is formed on the glass layer 20 . The electrode layer 30 is formed of a gold (Au) resinate paste to which rhodium (Rh), vanadium (V), bismuth (Bi), silicon (Si), and the like are added as additive elements, for example. The electrode layer 30 is formed by thick-film-printing a gold resinate paste and then firing the thick-film-printed gold resinate paste. The electrode layer 30 may be formed by a thin film forming technique such as sputtering. Although the thickness of the electrode layer 30 is not particularly limited, it is, for example, about 0.6 μm to 1.2 μm. The electrode layer 30 has a common electrode 31 and a plurality of individual electrodes 32 . The number of individual electrodes 32 can be changed arbitrarily.

図２に示すように、共通電極３１は、複数の第１帯状部３３、連結部３４、及び迂回部３５を有する。連結部３４は、グレーズ２１の一部と先端ガラス層２４上に形成されている。連結部３４の副走査方向Ｙの下流側端部は、先端ガラス層２４からはみ出さないように形成されている。また連結部３４の副走査方向Ｙの上流側端部は、グレーズ２１のうちの副走査方向Ｙの下流側端部に形成されている。複数の第１帯状部３３は、主走査方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。迂回部３５は、複数の個別電極３２を迂回するように、連結部３４の主走査方向Ｘの一方の端部から副走査方向Ｙの上流側に延びている。 As shown in FIG. 2 , the common electrode 31 has a plurality of first strip portions 33 , connecting portions 34 and detour portions 35 . The connecting portion 34 is formed on part of the glaze 21 and the tip glass layer 24 . A downstream end portion of the connecting portion 34 in the sub-scanning direction Y is formed so as not to protrude from the tip glass layer 24 . The upstream end of the connecting portion 34 in the sub-scanning direction Y is formed at the downstream end of the glaze 21 in the sub-scanning direction Y. As shown in FIG. The plurality of first band-shaped portions 33 are arranged at equal pitches in the main scanning direction X. As shown in FIG. The bypass portion 35 extends upstream in the sub-scanning direction Y from one end of the connecting portion 34 in the main scanning direction X so as to bypass the plurality of individual electrodes 32 .

個別電極３２は、抵抗体層４０に対して部分的に通電するものであり、共通電極３１に対して逆極性となる部分である。本実施形態では、共通電極３１が正極となり、個別電極３２が負極となる。個別電極３２は、副走査方向Ｙにおいてグレーズ２１からダイボンディンググレーズ２２までにわたり延びる帯状に形成されている。各個別電極３２は、第２帯状部３６を有する。第２帯状部３６は、グレーズ２１上において主走査方向Ｘに隣り合う第１帯状部３３の間に配置されている。つまり、第１帯状部３３及び第２帯状部３６は、主走査方向Ｘにおいて交互に配置されている。各個別電極３２の副走査方向Ｙの上流側端部には、ボンディング部３７が設けられている。ボンディング部３７は、その幅寸法が第２帯状部３６の幅寸法よりも大きくなるように形成されている。複数のボンディング部３７は、主走査方向Ｘに間隔をあけて配列されている。 The individual electrode 32 partially conducts electricity with respect to the resistor layer 40 and is a portion having a reverse polarity with respect to the common electrode 31 . In this embodiment, the common electrode 31 becomes a positive electrode, and the individual electrode 32 becomes a negative electrode. The individual electrode 32 is formed in a strip shape extending from the glaze 21 to the die bonding glaze 22 in the sub-scanning direction Y. As shown in FIG. Each individual electrode 32 has a second strip 36 . The second band-shaped portion 36 is arranged between the first band-shaped portions 33 adjacent to each other in the main scanning direction X on the glaze 21 . That is, the first band-shaped portions 33 and the second band-shaped portions 36 are alternately arranged in the main scanning direction X. As shown in FIG. A bonding portion 37 is provided at the upstream end portion in the sub-scanning direction Y of each individual electrode 32 . The bonding portion 37 is formed so that its width dimension is larger than the width dimension of the second strip portion 36 . The plurality of bonding portions 37 are arranged at intervals in the main scanning direction X. As shown in FIG.

駆動ＩＣ６１は、複数の個別電極３２を選択的に通電させることによって、抵抗体層４０の複数の発熱部４１のいずれかを任意に発熱させる機能を有する。図１に示すように、本実施形態では、複数の駆動ＩＣ６１が主走査方向Ｘに離間して配置されている。図３に示すように、駆動ＩＣ６１は、ダイボンディンググレーズ２２上に形成されている。より詳細には、ダイボンディンググレーズ２２上において駆動ＩＣ６１が配置される領域には、電極層３０の一部が形成されている。この電極層３０の一部上には、支持ガラス層２５が形成されている。支持ガラス層２５は、例えば非晶質ガラスからなる。駆動ＩＣ６１は、支持ガラス層２５上に配置されている。図２に示すように、駆動ＩＣ６１には、複数のパッド６２が形成されている。複数のパッド６２は、複数のワイヤ６３を介して個別電極３２のボンディング部３７、又はダイボンディンググレーズ２２上に形成された電極層３０の一部であるパッドに接続されている。図１に示すように、複数の駆動ＩＣ６１は、封止樹脂６４によって封止されている。 The drive IC 61 has a function of selectively energizing the individual electrodes 32 to arbitrarily heat any one of the plurality of heat generating portions 41 of the resistor layer 40 . As shown in FIG. 1, in the present embodiment, a plurality of drive ICs 61 are spaced apart in the main scanning direction X. As shown in FIG. As shown in FIG. 3, the driving IC 61 is formed on the die bonding glaze 22. As shown in FIG. More specifically, a portion of the electrode layer 30 is formed on the die bonding glaze 22 in a region where the driving IC 61 is arranged. A supporting glass layer 25 is formed on part of the electrode layer 30 . The support glass layer 25 is made of amorphous glass, for example. A drive IC 61 is arranged on the support glass layer 25 . As shown in FIG. 2, a plurality of pads 62 are formed on the driving IC 61 . A plurality of pads 62 are connected via a plurality of wires 63 to the bonding portion 37 of the individual electrode 32 or a pad that is part of the electrode layer 30 formed on the die bonding glaze 22 . As shown in FIG. 1, the driving ICs 61 are sealed with a sealing resin 64 .

図４に示すように、抵抗体層４０は、基板１０の主面１１上に形成されたグレーズ２１の頂部２１Ａにおいて、主走査方向Ｘに延びる帯状に形成されている。グレーズ２１の頂部２１Ａは、板厚方向Ｚにおいて基板１０の主面１１からグレーズ２１の表面までの高さが最も大きくなる箇所であり、本実施形態では、副走査方向Ｙにおけるグレーズ２１の中央に形成されている。抵抗体層４０は、ヘッド本体１Ａを副走査方向Ｙ及び板厚方向Ｚに沿う平面で切った断面において円弧状に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４０は、グレーズ２１上、複数の第１帯状部３３上、及び複数の第２帯状部３６上にペーストを厚膜印刷した後、厚膜印刷されたペーストを焼成することによって形成されている。なお、抵抗体層４０は、スパッタリングなどの薄膜形成技術によって形成されてもよい。抵抗体層４０の厚さは特に限定されないが、厚膜印刷の場合、例えば６μｍ程度であり、薄膜形成技術の場合、例えば０．０５μｍ～０．２μｍ程度である。 As shown in FIG. 4 , the resistor layer 40 is formed in a strip shape extending in the main scanning direction X on the top portion 21A of the glaze 21 formed on the main surface 11 of the substrate 10 . The top portion 21A of the glaze 21 is a portion where the height from the main surface 11 of the substrate 10 to the surface of the glaze 21 is the largest in the plate thickness direction Z. formed. The resistor layer 40 is formed in an arc shape in a cross section obtained by cutting the head main body 1A along a plane along the sub-scanning direction Y and the plate thickness direction Z. As shown in FIG. In this embodiment, the resistive layer 40 is formed by thick-film-printing a paste on the glaze 21, the plurality of first belt-shaped portions 33, and the plurality of second belt-shaped portions 36, and then firing the thick-film-printed paste. It is formed by Note that the resistor layer 40 may be formed by a thin film forming technique such as sputtering. The thickness of the resistor layer 40 is not particularly limited, but in the case of thick film printing, it is, for example, about 6 μm, and in the case of thin film forming technology, it is, for example, about 0.05 μm to 0.2 μm.

抵抗体層４０は、グレーズ２１において、複数の第１帯状部３３及び複数の第２帯状部３６にそれぞれ交差するように形成されている。本実施形態では、抵抗体層４０は、複数の第１帯状部３３及び複数の第２帯状部３６を跨るように形成されている。抵抗体層４０のうちの主走査方向Ｘにおいて各第１帯状部３３と各第２帯状部３６とに挟まれた部分は、発熱部４１を構成している。発熱部４１は、電極層３０によって抵抗体層４０が部分的に通電されることによって発熱する部分である。発熱部４１の発熱によって感熱記録紙に印字される。本実施形態では、第２帯状部３６とこの第２帯状部３６の両隣の第１帯状部３３との間の２つの発熱部４１によって１ドットが形成される。 The resistor layer 40 is formed in the glaze 21 so as to cross the plurality of first strip portions 33 and the plurality of second strip portions 36 respectively. In this embodiment, the resistor layer 40 is formed so as to straddle the plurality of first strip portions 33 and the plurality of second strip portions 36 . A portion of the resistor layer 40 sandwiched between the first strip portions 33 and the second strip portions 36 in the main scanning direction X constitutes a heat generating portion 41 . The heat generating portion 41 is a portion that generates heat when the electrode layer 30 partially energizes the resistor layer 40 . The heat generated by the heating portion 41 prints on the thermal recording paper. In this embodiment, one dot is formed by the two heat-generating portions 41 between the second band-shaped portion 36 and the first band-shaped portions 33 on both sides of the second band-shaped portion 36 .

図３及び図４に示すように、保護層５０は、少なくとも抵抗体層４０を保護するものであり、例えば非晶質ガラスからなる。保護層５０は、第１保護層５１及び第２保護層５２を有する。 As shown in FIGS. 3 and 4, the protective layer 50 protects at least the resistor layer 40 and is made of amorphous glass, for example. The protective layer 50 has a first protective layer 51 and a second protective layer 52 .

第１保護層５１は、少なくとも抵抗体層４０の発熱部４１を覆っている。第１保護層５１は、抵抗体層４０を覆う抵抗体被覆部５１Ａを含む。抵抗体被覆部５１Ａは、主走査方向Ｘに延びる帯状に形成されている。抵抗体被覆部５１Ａは、抵抗体層４０の全体を覆っている。本実施形態では、抵抗体被覆部５１Ａは、共通電極３１の各第１帯状部３３の一部及び各個別電極３２の第２帯状部３６の一部をそれぞれ覆っている。 The first protective layer 51 covers at least the heat generating portion 41 of the resistor layer 40 . The first protective layer 51 includes a resistor covering portion 51A covering the resistor layer 40 . The resistor covering portion 51A is formed in a strip shape extending in the main scanning direction X. As shown in FIG. The resistor covering portion 51A covers the entire resistor layer 40 . In this embodiment, the resistor covering portion 51A covers a portion of each first strip portion 33 of the common electrode 31 and a portion of each second strip portion 36 of each individual electrode 32 .

第１保護層５１は、抵抗体被覆部５１Ａよりも副走査方向Ｙの下流側に形成された下流側被覆部５１Ｂと、抵抗体被覆部５１Ａよりも副走査方向Ｙの上流側に形成された上流側被覆部５１Ｃとをさらに含む。下流側被覆部５１Ｂは、共通電極３１及び先端ガラス層２４を覆っている。上流側被覆部５１Ｃは、個別電極３２、中間ガラス層２３、及びダイボンディンググレーズ２２の一部を覆っている。 The first protective layer 51 includes a downstream side covering portion 51B formed downstream in the sub-scanning direction Y from the resistor covering portion 51A, and a downstream side covering portion 51B formed upstream in the sub-scanning direction Y from the resistor covering portion 51A. It further includes an upstream covering portion 51C. The downstream side covering portion 51B covers the common electrode 31 and the tip glass layer 24 . The upstream covering portion 51</b>C partially covers the individual electrode 32 , the intermediate glass layer 23 , and the die bonding glaze 22 .

このように、本実施形態では、第１保護層５１は、抵抗体層４０の全体及び電極層３０の大部分を覆っている。具体的には、図３に示すように、第１保護層５１は、副走査方向Ｙにおいて、基板１０の下流側端縁の手前（例えば、副走査方向Ｙにおける基板１０の下流側端縁よりも０．１ｍｍ～０．５ｍｍ上流側）からダイボンディンググレーズ２２の中央付近までにわたる領域に形成されている。すなわち第１保護層５１は、抵抗体層４０及び電極層３０を保護している。第１保護層５１は、例えば非晶質ガラスからなる。第１保護層５１は、非晶質ガラスを含むガラスペーストをガラス層２０上において抵抗体層４０及び電極層３０の一部を覆うように厚膜印刷した後、厚膜印刷されたガラスペーストを焼成することによって形成される。第１保護層５１の厚さは特に限定されないが、例えば６μｍ～８μｍ程度である。 Thus, in this embodiment, the first protective layer 51 covers the entire resistor layer 40 and most of the electrode layer 30 . Specifically, as shown in FIG. 3, the first protective layer 51 is located in front of the downstream edge of the substrate 10 in the sub-scanning direction Y (for example, from the downstream edge of the substrate 10 in the sub-scanning direction Y). 0.1 mm to 0.5 mm upstream) to the vicinity of the center of the die bonding glaze 22 . That is, the first protective layer 51 protects the resistor layer 40 and the electrode layer 30 . The first protective layer 51 is made of amorphous glass, for example. The first protective layer 51 is formed by thick-film printing a glass paste containing amorphous glass on the glass layer 20 so as to partially cover the resistor layer 40 and the electrode layer 30, and then applying the thick-film printed glass paste. It is formed by firing. Although the thickness of the first protective layer 51 is not particularly limited, it is, for example, about 6 μm to 8 μm.

第２保護層５２は、第１保護層５１上に形成されている。第２保護層５２は、感熱記録紙の搬送時に感熱記録紙がサーマルプリントヘッド１に接触する可能性のある領域に形成されている。第２保護層５２は、抵抗体被覆部５１Ａを少なくとも覆っている。第２保護層５２は、第１部分５２Ａ、第２部分５２Ｂ、及び第３部分５２Ｃに区分できる。第１部分５２Ａは、第１保護層５１の抵抗体被覆部５１Ａを覆う部分である。第２部分５２Ｂは、第１部分５２Ａよりも副走査方向Ｙの下流側に形成された部分である。第３部分５２Ｃは、第１部分５２Ａよりも副走査方向Ｙの上流側に形成された部分である。本実施形態では、第２部分５２Ｂの副走査方向Ｙの下流側端縁は、第１保護層５１の副走査方向Ｙの下流側端縁よりも上流側となるように形成されている。第３部分５２Ｃの副走査方向Ｙの下流側端縁は、ダイボンディンググレーズ２２よりも副走査方向Ｙの下流側となるように形成されている。具体的には、第３部分５２Ｃの副走査方向Ｙの下流側端縁は、中間ガラス層２３のうちの副走査方向Ｙにおいてグレーズ２１寄りの部分となるように形成されている。このように、平面視において、副走査方向Ｙにおける第２保護層５２の長さは、副走査方向Ｙにおける第１保護層５１の長さよりも短い。第２保護層５２の厚さは特に限定されないが、例えば２μｍ～４μｍ程度である。本実施形態では、第２保護層５２の厚さは、４μｍである。このように、本実施形態では、第２保護層５２の厚さは、第１保護層５１の厚さよりも薄い。 A second protective layer 52 is formed on the first protective layer 51 . The second protective layer 52 is formed in a region where the thermal recording paper may come into contact with the thermal print head 1 when the thermal recording paper is conveyed. The second protective layer 52 covers at least the resistor covering portion 51A. The second protective layer 52 can be divided into a first portion 52A, a second portion 52B, and a third portion 52C. The first portion 52A is a portion covering the resistor covering portion 51A of the first protective layer 51 . The second portion 52B is a portion formed downstream in the sub-scanning direction Y from the first portion 52A. The third portion 52C is a portion formed upstream in the sub-scanning direction Y from the first portion 52A. In the present embodiment, the downstream edge in the sub-scanning direction Y of the second portion 52B is formed to be upstream of the downstream edge in the sub-scanning direction Y of the first protective layer 51 . A downstream edge in the sub-scanning direction Y of the third portion 52</b>C is formed to be downstream in the sub-scanning direction Y from the die bonding glaze 22 . Specifically, the downstream edge in the sub-scanning direction Y of the third portion 52C is formed to be a portion of the intermediate glass layer 23 closer to the glaze 21 in the sub-scanning direction Y. As shown in FIG. Thus, the length of the second protective layer 52 in the sub-scanning direction Y is shorter than the length of the first protective layer 51 in the sub-scanning direction Y in plan view. Although the thickness of the second protective layer 52 is not particularly limited, it is, for example, about 2 μm to 4 μm. In this embodiment, the thickness of the second protective layer 52 is 4 μm. Thus, in this embodiment, the thickness of the second protective layer 52 is thinner than the thickness of the first protective layer 51 .

第２保護層５２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）を含むコーティング膜である。第２保護層５２は、例えば所望の領域を露出するマスクを形成した後、例えば炭化ケイ素及び窒化クロムを用いたスパッタリングによって形成されている。第２保護層５２は、所望の厚さ（４μｍ）となるようにスパッタリングによって形成された膜を複数積層することによって形成された多層構造である。第２保護層５２は、アルゴンガスに窒素を添加した不活性ガスをターゲットとなる炭化ケイ素及びクロムに衝突させることによって、第１保護層５１上に炭化ケイ素及びクロムを同時成膜することによって形成される。 The second protective layer 52 is a coating film containing silicon carbide (SiC) and chromium nitride (CrN). The second protective layer 52 is formed, for example, by sputtering using silicon carbide and chromium nitride, for example, after forming a mask that exposes desired regions. The second protective layer 52 has a multilayer structure formed by laminating a plurality of films formed by sputtering so as to have a desired thickness (4 μm). The second protective layer 52 is formed by simultaneously depositing silicon carbide and chromium on the first protective layer 51 by colliding silicon carbide and chromium as targets with an inert gas obtained by adding nitrogen to argon gas. be done.

一例では、第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１／３以上、３以下の範囲となるように形成されている。好ましくは、第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１／２以上、２以下の範囲となるように形成されている。本実施形態では、第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１となるように形成されている。 In one example, the second protective layer 52 is formed such that the ratio of the chromium content in the second protective layer 52 to the silicon carbide content in the second protective layer 52 is in the range of 1/3 or more and 3 or less. ing. Preferably, the second protective layer 52 is formed so that the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is in the range of 1/2 or more and 2 or less. ing. In the present embodiment, the second protective layer 52 is formed so that the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is one.

ここで、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比は、第２保護層５２に含有される炭化ケイ素の重量パーセント（ｗｔ％）から第２保護層５２に含有されるクロムの重量パーセント（ｗｔ％）を除算した値である。第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比は、スパッタリングにおいてターゲットとなる炭化ケイ素及びクロムに供給される電力（ｋＷ）によって調整される。第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１／３の場合、炭化ケイ素に供給される電力は２．３ｋＷであり、クロムに供給されるエネルギーは２．０ｋＷである。第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が３の場合、炭化ケイ素に供給される電力は６．０ｋＷであり、クロムに供給される電力は０．６ｋＷである。第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１の場合、炭化ケイ素に供給される電力は３．０ｋＷであり、クロムに供給される電力は１．０ｋＷである。 Here, the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is calculated from the weight percent (wt%) of silicon carbide contained in the second protective layer 52 to the second It is a value obtained by dividing the weight percentage (wt %) of chromium contained in the protective layer 52 . The ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is adjusted by power (kW) supplied to silicon carbide and chromium, which are targets in sputtering. When the ratio of the chromium content in the second protective layer 52 to the silicon carbide content in the second protective layer 52 is 1/3, the power supplied to the silicon carbide is 2.3 kW, and the power supplied to the chromium The energy is 2.0 kW. When the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is 3, the power supplied to silicon carbide is 6.0 kW, and the power supplied to chromium is 0.6 kW. When the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is 1, the power supplied to silicon carbide is 3.0 kW, and the power supplied to chromium is 1.0 kW.

（実施例）
本願発明者らは、比較例１，２及び実施例１，２について次の第１試験～第３試験を実施した。第１試験は、第２保護層５２の特徴的な諸元と、摩擦係数及び硬度との関係を確認するための試験である。第２試験は、第２保護層５２の特徴的な諸元と、所定距離にわたり感熱記録紙に印字した場合のスティッキング現象の発生との関係を確認する試験である。第３試験は、第２保護層５２の特徴的な諸元と、所定距離にわたり感熱記録紙を搬送した場合の第２保護層５２の磨耗量を確認する試験である。第２保護層５２の特徴的な諸元は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比である。 (Example)
The inventors of the present application conducted the following first to third tests on Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2. The first test is a test for confirming the relationship between the characteristics of the second protective layer 52 and the coefficient of friction and hardness. The second test is a test for confirming the relationship between the characteristics of the second protective layer 52 and the occurrence of sticking when printing is performed on thermal recording paper over a predetermined distance. The third test is a test for confirming the characteristics of the second protective layer 52 and the wear amount of the second protective layer 52 when the thermal recording paper is conveyed over a predetermined distance. A characteristic parameter of the second protective layer 52 is the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 .

比較例１は、炭化ケイ素からなる第２保護層を有するサーマルプリントヘッドである。比較例１では、アルゴンガスを炭化ケイ素に衝突させることによって炭化ケイ素からなる第２保護層を形成する。 Comparative Example 1 is a thermal printhead having a second protective layer made of silicon carbide. In Comparative Example 1, a second protective layer made of silicon carbide is formed by colliding silicon carbide with argon gas.

比較例２は、窒化クロムからなる第２保護層を有するサーマルプリントヘッドである。比較例２では、アルゴンガスに窒素を添加した不活性ガスをクロムに衝突させることによって窒化クロムからなる第２保護層を形成する。 Comparative Example 2 is a thermal printhead having a second protective layer made of chromium nitride. In Comparative Example 2, a second protective layer made of chromium nitride is formed by colliding chromium with an inert gas obtained by adding nitrogen to argon gas.

実施例１は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１となる第２保護層を有するサーマルプリントヘッドである。実施例１では、３．０ｋＷの電力が供給されている炭化ケイ素と１．０ｋＷの電力が供給されているクロムのそれぞれにアルゴンガスに窒素を添加した不活性ガスを衝突させることによって炭化ケイ素及び窒化クロムからなる第２保護層を形成する。 Example 1 is a thermal printhead having a second protective layer in which the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is one. In Example 1, silicon carbide supplied with 3.0 kW of power and chromium supplied with 1.0 kW of power were each bombarded with an inert gas obtained by adding nitrogen to argon gas, thereby silicon carbide and A second protective layer of chromium nitride is formed.

実施例２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が３となる第２保護層を有するサーマルプリントヘッドである。実施例２では、６．０ｋＷの電力が供給されている炭化ケイ素と０．６ｋＷの電力が供給されているクロムのそれぞれにアルゴンガスに窒素を添加した不活性ガスを衝突させることによって炭化ケイ素及び窒化クロムからなる第２保護層を形成する。 Example 2 is a thermal printhead having a second protective layer in which the ratio of the chromium content in the second protective layer 52 to the silicon carbide content in the second protective layer 52 is 3. In Example 2, silicon carbide supplied with 6.0 kW of power and chromium supplied with 0.6 kW of power were each bombarded with an inert gas obtained by adding nitrogen to argon gas, thereby silicon carbide and A second protective layer of chromium nitride is formed.

第１試験の条件について説明する。第１試験では、固定したボールに第２保護層を押し当てて往復させる、いわゆる、ボール・オン・プレート法によって摩擦係数を測定した。ボールは、感熱記録紙の材料に近いナイロンを用いた。また、ナノインデンテーション法によって第２保護層の硬さを測定した。第２保護層の硬さは、例えばビッカース硬度（ＨＶ）によって示される。ナノインデンテーション法は、例えばＩＳＯ１４５７７に準拠した押し込み方式が用いられる。 The conditions of the first test will be explained. In the first test, the coefficient of friction was measured by a so-called ball-on-plate method in which a fixed ball is pressed against the second protective layer and reciprocated. The ball is made of nylon, which is similar to the material of thermal recording paper. Also, the hardness of the second protective layer was measured by the nanoindentation method. The hardness of the second protective layer is indicated by Vickers hardness (HV), for example. For the nanoindentation method, for example, an indentation method conforming to ISO14577 is used.

第２試験の条件について説明する。第２試験では、感熱記録紙ＰＤ１５０Ｒ（王子製紙製）を複数の印字周期で印字し、スティッキング現象の発生の有無を確認した。印字周期は、１．６６ｍｓ／ｌｉｎｅ、２．５０ｍｓ／ｌｉｎｅ、３．３３ｍｓ／ｌｉｎｅ、５．００ｍｓ／ｌｉｎｅ、及び６．６７ｍｓ／ｌｉｎｅの６種類である。 The conditions of the second test will be explained. In the second test, thermal recording paper PD150R (manufactured by Oji Paper Co., Ltd.) was printed in a plurality of printing cycles to confirm the presence or absence of the sticking phenomenon. There are six types of printing cycles: 1.66 ms/line, 2.50 ms/line, 3.33 ms/line, 5.00 ms/line, and 6.67 ms/line.

第３試験の条件について説明する。第３試験では、ラッピング紙＃６０００を２００ｍにわたり走行させて第２保護層の磨耗量を測定した加速摩耗試験である。第３試験では、印字濃度を変更したに応じて第２保護層の磨耗量を測定した。試験１は、印字濃度が０％、すなわちラッピング紙に印字せずにラッピング紙を走行させた試験である。試験２は、ラッピング紙に１２．５％の印字濃度で印字しながらラッピング紙を走行させた試験である。試験３は、ラッピング紙に１００％の印字濃度、すなわち黒べたで印字しながらラッピング紙を走行させた試験である。 The conditions of the third test will be explained. The third test was an accelerated wear test in which wrapping paper #6000 was run over 200 m to measure the amount of wear of the second protective layer. In the third test, the amount of abrasion of the second protective layer was measured according to the change in print density. Test 1 is a test in which the printing density is 0%, that is, the wrapping paper is run without printing. Test 2 is a test in which the wrapping paper was run while printing on the wrapping paper at a print density of 12.5%. Test 3 is a test in which the wrapping paper was run while the printing density was 100%, that is, black solid printing was performed on the wrapping paper.

図５は、比較例１，２及び実施例１，２に関する第１試験の結果を示すグラフである。この試験結果に示すとおり、比較例１は、第２保護層のビッカース硬度が最も高いが、第２保護層の摩擦係数も最も高くなる。比較例２は、第２保護層のビッカース硬度が最も低く、第２保護層の摩擦係数も低い。実施例１の第２保護層のビッカース硬度は、比較例２の第２保護層のビッカース硬度よりも高く、比較例１の第２保護層のビッカース硬度よりも低い。実施例１の第２保護層の摩擦係数は、比較例２の第２保護層の摩擦係数よりも高く、比較例１の第２保護層の摩擦係数よりも低い。実施例２の第２保護層のビッカース硬度は、比較例２の第２保護層のビッカース硬度よりも高く、実施例１の第２保護層のビッカース硬度よりも低い。実施例２の第２保護層の摩擦係数は、最も低くなる。 FIG. 5 is a graph showing the results of the first test for Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2. FIG. As shown in the test results, in Comparative Example 1, the Vickers hardness of the second protective layer is the highest, but the coefficient of friction of the second protective layer is also the highest. In Comparative Example 2, the Vickers hardness of the second protective layer is the lowest, and the coefficient of friction of the second protective layer is also low. The Vickers hardness of the second protective layer of Example 1 is higher than the Vickers hardness of the second protective layer of Comparative Example 2 and lower than the Vickers hardness of the second protective layer of Comparative Example 1. The coefficient of friction of the second protective layer of Example 1 is higher than the coefficient of friction of the second protective layer of Comparative Example 2 and lower than the coefficient of friction of the second protective layer of Comparative Example 1. The Vickers hardness of the second protective layer of Example 2 is higher than the Vickers hardness of the second protective layer of Comparative Example 2 and lower than the Vickers hardness of the second protective layer of Example 1. The coefficient of friction of the second protective layer of Example 2 is the lowest.

図６は、比較例１，２及び実施例１，２に関する第２試験の結果を示す表である。この試験結果に示すとおり、比較例１では、印字周期が３．３３ｍｓ／ｌｉｎｅにおいてスティッキング現象が発生した。比較例２、実施例１、及び実施例２では、全ての印字周期においてスティッキング現象の発生を確認できなかった。 FIG. 6 is a table showing the results of the second test for Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 and 2. As shown in the test results, in Comparative Example 1, the sticking phenomenon occurred at a printing cycle of 3.33 ms/line. In Comparative Example 2, Example 1, and Example 2, occurrence of the sticking phenomenon could not be confirmed in all printing cycles.

図７は、比較例１，２及び実施例１に関する第３試験の結果を示す表である。この試験結果に示すとおり、比較例１では、第２保護層の磨耗量が少ない。比較例２では、第２保護層の磨耗量が多い。第２保護層の厚さが４μｍ程度であるため、比較例２の試験１では、第２保護層が全て摩耗したことを示している。実施例１の第２保護層の磨耗量は、比較例１の第２保護層の磨耗量よりも多いが、比較例２の第２保護層の磨耗量よりも少ない。 7 is a table showing the results of the third test for Comparative Examples 1 and 2 and Example 1. FIG. As shown in this test result, in Comparative Example 1, the amount of wear of the second protective layer is small. In Comparative Example 2, the amount of wear of the second protective layer is large. Since the thickness of the second protective layer is about 4 μm, Test 1 of Comparative Example 2 shows that the second protective layer is completely worn. The amount of wear of the second protective layer in Example 1 is greater than the amount of wear of the second protective layer of Comparative Example 1, but less than the amount of wear of the second protective layer of Comparative Example 2.

第１試験～第３試験の試験結果から分かるとおり、第２保護層のビッカース硬度が高いと、第２保護層の磨耗量が少なくなる一方、摩擦係数が大きくなるため、スティッキング現象が発生し易くなる。第２保護層のビッカース硬度が低いと、摩擦係数が小さくなるため、スティッキング現象が発生し難くなる一方、第２保護層の磨耗量が多くなる。 As can be seen from the test results of Tests 1 to 3, when the Vickers hardness of the second protective layer is high, the amount of wear of the second protective layer decreases, while the coefficient of friction increases, so the sticking phenomenon is likely to occur. Become. When the Vickers hardness of the second protective layer is low, the coefficient of friction is small, so sticking is less likely to occur, but the amount of wear of the second protective layer increases.

実施例１，２の第２保護層は、ビッカース硬度が比較例１の第２保護層のビッカース硬度と比較例２の第２保護層のビッカース硬度との間となり、比較例１の第２保護層よりも摩擦係数が小さい。このため、第２保護層の磨耗量の増大を抑えるとともにスティッキング現象の発生を抑制できる。 The second protective layer of Examples 1 and 2 has a Vickers hardness between the Vickers hardness of the second protective layer of Comparative Example 1 and the Vickers hardness of the second protective layer of Comparative Example 2, and the second protective layer of Comparative Example 1 It has a lower coefficient of friction than the layer. Therefore, it is possible to suppress an increase in the amount of wear of the second protective layer and suppress the occurrence of the sticking phenomenon.

本実施形態のサーマルプリントヘッド１によれば、以下の効果が得られる。
（１）感熱記録紙と接触する第２保護層５２は、炭化ケイ素及び窒化クロムを含む。この構成によれば、炭化ケイ素からなる第２保護層と比較して、スティッキング現象の発生を抑制でき、窒化クロムからなる第２保護層と比較して、第２保護層の磨耗量を低減できる。したがって、スティッキング現象の発生の抑制と耐摩耗性の低下の抑制とを両立できる。 According to the thermal print head 1 of this embodiment, the following effects are obtained.
(1) The second protective layer 52 that contacts the thermal recording paper contains silicon carbide and chromium nitride. According to this configuration, the sticking phenomenon can be suppressed compared to the second protective layer made of silicon carbide, and the amount of wear of the second protective layer can be reduced compared to the second protective layer made of chromium nitride. . Therefore, it is possible to simultaneously suppress the occurrence of the sticking phenomenon and suppress the decrease in wear resistance.

（２）第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が、１／３以上かつ３以下となるように形成されている。この構成によれば、炭化ケイ素からなる第２保護層と比較して、スティッキング現象の発生を好適に抑制でき、窒化クロムからなる第２保護層と比較して、第２保護層５２の磨耗量を好適に低減できる。 (2) The second protective layer 52 is formed such that the ratio of the chromium content in the second protective layer 52 to the silicon carbide content in the second protective layer 52 is 1/3 or more and 3 or less. there is According to this configuration, the occurrence of the sticking phenomenon can be suitably suppressed as compared with the second protective layer made of silicon carbide, and the amount of wear of the second protective layer 52 can be reduced as compared with the second protective layer made of chromium nitride. can be suitably reduced.

（３）第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が、１／２以上かつ２以下となるように形成されている。この構成によれば、炭化ケイ素からなる第２保護層と比較して、スティッキング現象の発生をより好適に抑制でき、窒化クロムからなる第２保護層と比較して、第２保護層５２の磨耗量をより好適に低減できる。 (3) The second protective layer 52 is formed such that the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is 1/2 or more and 2 or less. there is According to this configuration, the occurrence of the sticking phenomenon can be more suitably suppressed compared to the second protective layer made of silicon carbide, and the wear of the second protective layer 52 can be reduced compared to the second protective layer made of chromium nitride. amount can be reduced more favorably.

（４）第２保護層５２は、第２保護層５２における炭化ケイ素の含有率に対する第２保護層５２におけるクロムの含有率の比が１となるように形成されている。この構成によれば、炭化ケイ素からなる第２保護層と比較して、スティッキング現象の発生をより一層好適に抑制でき、窒化クロムからなる第２保護層と比較して、第２保護層５２の磨耗量をより一層好適に低減できる。 (4) The second protective layer 52 is formed such that the ratio of the content of chromium in the second protective layer 52 to the content of silicon carbide in the second protective layer 52 is one. According to this configuration, the occurrence of the sticking phenomenon can be more preferably suppressed as compared with the second protective layer made of silicon carbide, and the second protective layer 52 is more effective than the second protective layer made of chromium nitride. The amount of wear can be reduced more favorably.

（変更例）
上記実施形態は本開示に関するサーマルプリントヘッドが取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するサーマルプリントヘッドは上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記実施形態の形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。 (Change example)
The above embodiments are examples of possible forms of the thermal printhead related to the present disclosure, and are not intended to limit the forms. Thermal printheads related to the present disclosure may take forms different from those illustrated in the above embodiments. One example is a form in which part of the configuration of the above embodiment is replaced, changed, or omitted, or a form in which a new configuration is added to the above embodiment. In the following modified examples, the same reference numerals as in the above embodiment are assigned to the parts that are common to the above embodiment, and the description thereof will be omitted.

・上記実施形態において、抵抗体層４０は、板厚方向Ｚにおいてグレーズ２１と電極層３０との間に形成されてもよい。より詳細には、抵抗体層４０は、グレーズ２１上において共通電極３１の複数の第１帯状部３３と個別電極３２の複数の第２帯状部３６と交差するように主走査方向Ｘに延びている。すなわち各第１帯状部３３及び各第２帯状部３６は抵抗体層４０を副走査方向Ｙに跨るように形成されている。 - In the above embodiment, the resistor layer 40 may be formed between the glaze 21 and the electrode layer 30 in the plate thickness direction Z. More specifically, the resistor layer 40 extends in the main scanning direction X so as to intersect the plurality of first strip portions 33 of the common electrode 31 and the plurality of second strip portions 36 of the individual electrodes 32 on the glaze 21 . there is That is, each first band-shaped portion 33 and each second band-shaped portion 36 are formed so as to straddle the resistor layer 40 in the sub-scanning direction Y. As shown in FIG.

・上記実施形態において、第１保護層５１から下流側被覆部５１Ｂ及び上流側被覆部５１Ｃの少なくとも一方を省略してもよい。
・上記実施形態において、第２保護層５２から第２部分５２Ｂ及び第３部分５２Ｃの少なくとも一方を省略してもよい。 - In the above-described embodiment, at least one of the downstream side covering portion 51B and the upstream side covering portion 51C may be omitted from the first protective layer 51 .
- In the above embodiment, at least one of the second portion 52B and the third portion 52C may be omitted from the second protective layer 52 .

・上記実施形態において、平面視において第２保護層５２の副走査方向Ｙの長さは任意に変更可能である。一例では、平面視において第２保護層５２の副走査方向Ｙの長さは、第１保護層５１の副走査方向Ｙの長さと等しい。 - In the above embodiment, the length of the second protective layer 52 in the sub-scanning direction Y can be arbitrarily changed in plan view. In one example, the length in the sub-scanning direction Y of the second protective layer 52 is equal to the length in the sub-scanning direction Y of the first protective layer 51 in plan view.

・上記実施形態において、第２保護層５２の厚さは任意に変更可能である。第２保護層５２の厚さは、第１保護層５１の厚さ以上であってもよい。
・上記実施形態では、グレーズ２１として部分グレーズが形成されているが、グレーズ２１の種類はこれに限定されない。グレーズ２１は、例えば、薄グレーズ、ダブルパーシャルグレーズ、ファイングレーズ、及びスーパーファイングレーズのいずれかとして形成されてもよい。 - In the above embodiment, the thickness of the second protective layer 52 can be changed arbitrarily. The thickness of the second protective layer 52 may be greater than or equal to the thickness of the first protective layer 51 .
- Although a partial glaze is formed as the glaze 21 in the above embodiment, the type of the glaze 21 is not limited to this. The glaze 21 may be formed as any one of, for example, thin glaze, double partial glaze, fine glaze, and super fine glaze.

１…サーマルプリントヘッド
１０…基板
１１…主面
２０…ガラス層
２１…グレーズ
３０…電極層
３１…共通電極
３２…個別電極
３３…第１帯状部
３４…連結部
３６…第２帯状部
４０…抵抗体層
５０…保護層
５１…第１保護層
５１Ａ…抵抗体被覆部
５２…第２保護層
Ｘ…主走査方向
Ｙ…副走査方向 Reference Signs List 1 Thermal print head 10 Substrate 11 Main surface 20 Glass layer 21 Glaze 30 Electrode layer 31 Common electrode 32 Individual electrode 33 First strip 34 Connecting part 36 Second strip 40 Resistor Body layer 50 Protective layer 51 First protective layer 51A Resistor covering portion 52 Second protective layer X Main scanning direction Y Sub scanning direction

Claims (9)

主面を有する基板と、
前記基板の主面上に形成されたガラス層と、
前記ガラス層上に形成された電極層及び抵抗体層と、
前記抵抗体層及び前記電極層を覆う保護層と、
を備え、
前記保護層は、
前記抵抗体層を覆う抵抗体被覆部を含む第１保護層と、前記抵抗体被覆部を少なくとも覆う第２保護層と、を有し、
前記第２保護層は、炭化ケイ素及び窒化クロムを含み、前記第２保護層における炭化ケイ素の含有率に対する前記第２保護層におけるクロムの含有率の比が１／３以上、３以下の範囲となるように形成されている
サーマルプリントヘッド。 a substrate having a major surface;
a glass layer formed on the main surface of the substrate;
an electrode layer and a resistor layer formed on the glass layer;
a protective layer covering the resistor layer and the electrode layer;
with
The protective layer is
a first protective layer including a resistor covering portion covering the resistor layer; and a second protective layer covering at least the resistor covering portion;
The second protective layer contains silicon carbide and chromium nitride, and the ratio of the chromium content in the second protective layer to the silicon carbide content in the second protective layer is in the range of 1/3 or more and 3 or less. is formed to be
thermal print head. 前記第２保護層は、前記第２保護層における炭化ケイ素の含有率に対する前記第２保護層におけるクロムの含有率の比が１／２以上、２以下の範囲となるように形成されている
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。 The second protective layer is formed so that the ratio of the content of chromium in the second protective layer to the content of silicon carbide in the second protective layer is in the range of 1/2 or more and 2 or less. Item 1. The thermal printhead according to item 1 . 前記第２保護層は、前記第２保護層における炭化ケイ素の含有率に対する前記第２保護層におけるクロムの含有率の比が１となるように形成されている
請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。 3. The thermal printhead according to claim 2, wherein the second protective layer is formed such that the ratio of the content of chromium in the second protective layer to the content of silicon carbide in the second protective layer is 1. . 前記第２保護層の厚さは、前記第１保護層の厚さよりも薄い
請求項１～３のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal printhead according to any one of claims 1 to 3 , wherein the thickness of the second protective layer is thinner than the thickness of the first protective layer. 前記第２保護層は、薄膜が複数積層された多層構造である
請求項１～４のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal printhead according to any one of claims 1 to 4 , wherein the second protective layer has a multilayer structure in which a plurality of thin films are laminated. 前記ガラス層は、主走査方向に延びる帯状であって、前記主走査方向と直交する平面で切った断面形状が円弧状のグレーズを有し、
前記抵抗体層は、前記グレーズに配置され、
前記第１保護層及び前記第２保護層はそれぞれ、前記グレーズを覆うように形成されている
請求項１～５のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。 the glass layer has a strip-shaped glaze extending in the main scanning direction and having an arcuate cross-sectional shape cut along a plane perpendicular to the main scanning direction;
the resistor layer is disposed on the glaze;
The thermal printhead according to any one of Claims 1 to 5, wherein the first protective layer and the second protective layer are each formed to cover the glaze. 前記基板の主面に垂直な方向からみて、副走査方向における前記第２保護層の長さは、前記副走査方向における前記第１保護層の長さよりも短い
請求項６に記載のサーマルプリントヘッド。 7. The thermal printhead according to claim 6 , wherein the length of the second protective layer in the sub-scanning direction is shorter than the length of the first protective layer in the sub-scanning direction when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate. . 前記電極層は、
副走査方向に延び、主走査方向において互いに間隔をあけて配置されている複数の第１帯状部、及び前記主走査方向に延び、前記複数の第１帯状部を接続している連結部を有する共通電極と、
前記副走査方向に延びる第２帯状部を有する複数の個別電極と、
を備え、
前記主走査方向からみて、前記第１帯状部及び前記第２帯状部は重なるように配置され、かつ、前記主走査方向において、前記第１帯状部及び前記第２帯状部は交互に配置されている
請求項１～７のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。 The electrode layer is
A plurality of first belt-like portions extending in the sub-scanning direction and spaced apart from each other in the main scanning direction, and a connecting portion extending in the main scanning direction and connecting the plurality of first belt-like portions. a common electrode;
a plurality of individual electrodes having second strips extending in the sub-scanning direction;
with
When viewed from the main scanning direction, the first band-shaped portions and the second band-shaped portions are arranged to overlap each other, and in the main scanning direction, the first band-shaped portions and the second band-shaped portions are arranged alternately. The thermal printhead according to any one of claims 1-7 . 前記ガラス層は、前記主走査方向に延びる帯状であって、前記主走査方向と直交する平面で切った断面形状が円弧状のグレーズを有し、
前記複数の第１帯状部及び前記複数の第２帯状部はそれぞれ、前記グレーズ上に配置され、
前記抵抗体層は、前記複数の第１帯状部上及び前記複数の第２帯状部上を跨るように配置されている
請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。 the glass layer has a strip-shaped glaze extending in the main scanning direction and having an arcuate cross-sectional shape cut along a plane perpendicular to the main scanning direction;
The plurality of first strips and the plurality of second strips are each arranged on the glaze,
The thermal printhead according to claim 8 , wherein the resistor layer is arranged so as to straddle the plurality of first strip portions and the plurality of second strip portions.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114434975B (en) * 2020-10-30 2024-01-05 深圳市博思得科技发展有限公司 Thermal print head and method for manufacturing the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000318196A (en) 1999-05-12 2000-11-21 Alps Electric Co Ltd Thermal head
JP2002370398A (en) 2001-06-13 2002-12-24 Seiko Epson Corp Thermal head
JP2008221751A (en) 2007-03-15 2008-09-25 Rohm Co Ltd Thermal print head
JP2015006791A (en) 2013-05-27 2015-01-15 京セラ株式会社 Thermal head and thermal printer including the same
JP2017226231A (en) 2017-10-04 2017-12-28 ローム株式会社 Thermal print head
JP2018165048A (en) 2017-03-28 2018-10-25 ローム株式会社 Thermal print head

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07329330A (en) * 1994-06-13 1995-12-19 Sony Corp Thermal print head and manufacture thereof
US5745157A (en) * 1995-01-11 1998-04-28 Eastman Kodak Company Digital printer with support shoe and translatable media guide member therein
JPH1178091A (en) * 1997-07-11 1999-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Thermal head and manufacture thereof
US6607264B1 (en) * 2002-06-18 2003-08-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid controlling apparatus
CN107914472B (en) * 2016-10-11 2020-03-03 罗姆股份有限公司 Thermal print head and method of manufacturing thermal print head
CN108656757B (en) * 2017-03-28 2020-07-10 罗姆股份有限公司 Thermal print head

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000318196A (en) 1999-05-12 2000-11-21 Alps Electric Co Ltd Thermal head
JP2002370398A (en) 2001-06-13 2002-12-24 Seiko Epson Corp Thermal head
JP2008221751A (en) 2007-03-15 2008-09-25 Rohm Co Ltd Thermal print head
JP2015006791A (en) 2013-05-27 2015-01-15 京セラ株式会社 Thermal head and thermal printer including the same
JP2018165048A (en) 2017-03-28 2018-10-25 ローム株式会社 Thermal print head
JP2017226231A (en) 2017-10-04 2017-12-28 ローム株式会社 Thermal print head

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