JP7270252B2 - 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器、移動体および電磁波導波装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 318
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 229
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 559
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 453
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 195
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 131
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 52
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 21
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 20
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 210000003660 reticulum Anatomy 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N [(2R,3S,4S,5R,6R)-5-acetyloxy-3,4,6-trihydroxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OC[C@@H]1[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](O1)O)OC(=O)C)O)O SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N 0.000 description 2
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017049 AsF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHAHUJQWVQOHFE-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)c1ccc2=Cc3cc4=c5cc(ccc5=Cc4cc3=c2c1)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)c1ccc2=Cc3cc4=c5cc(ccc5=Cc4cc3=c2c1)C(C)(C)C SHAHUJQWVQOHFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910015221 MoCl5 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021174 PF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N heptacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I molybdenum pentachloride Chemical compound Cl[Mo](Cl)(Cl)(Cl)Cl GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentafluoride Chemical compound FP(F)(F)(F)F OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000264 poly(3',7'-dimethyloctyloxy phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000037072 sun protection Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I tungsten(v) chloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)Cl WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
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Description
この発明は、光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器、移動体および電磁波導波装置に関する。より詳細には、この発明は、例えば、紫外光、可視光、赤外光などの光を効率的に集め、かつ当該光を途中で損失を生じることなく高効率で導波するのに適用して好適な光導波装置、ビルや家屋などの各種の建築物の窓、壁、屋根や各種の電子機器のディスプレイ、自動車などの各種の移動体の外面に設置して太陽電池として用いて好適な光電変換装置ならびにこの光電変換装置を用いた建築物、電子機器および移動体ならびにマイクロ波などの電磁波を効率的に集め、かつ当該電磁波を途中で損失を生じることなく高効率で導波するのに適用して好適な電磁波導波装置に関する。
導波路（waveguide)とは、一般に、波動を一定領域に閉じ込めて伝送する回路または線路であり、物理的な境界によって決められる方向に電磁波を閉じ込め、指向するために設計されたシステムや材料と定義される。従来、電磁波、中でも光を途中で損失を生じることなく長距離を導波する構造体として、光ファイバーや２次元導波路（スラブ型光導波路）がよく知られている。通常、光を内部に閉じ込めて伝送するために、導波路は連続的併進対称性を持つ。また、屈折率小の部分、即ちクラッド層に囲まれ、屈折率大の部分、即ちコア層は、上面に凹凸や片流れの厚み変化を持つものもあるが、その断面は単純な閉曲面である。即ち、断面の面積をＳ、当該面積を定義する外周長をＬとすると、断面の面積Ｓは、効率的に、即ち、比較的短いＬにより、囲まれている。Ｓ～ｃＬ2 で与えられるが、１／ｃは１２～５０（１２は円の場合、５０は扁平な楔状構造の場合に相当）など１０のオーダーの量である（例えば、特許文献１参照。）。
また、従来より平面基板を用いて、複数の光をまとめ、またその光を分ける光合波・分波器が開発されているが、これは光集積回路においてであり、その光合波（集光）・分波は、損失を少なくするために数ｍｍに亘り、極めてまばらに、約３４ｍｍで４回程度行われるに過ぎない（非特許文献１参照。）。従来系では、この集光プロセスの生じている正味の距離は、基本的に短距離であり（その方が、将来的には集積度も上がる）、光の合波を稠密に長距離（数ｃｍから数十ｍ）に亘って行うシステムは存在しなかった。また情報処理が目標なので、光の存在域も線状である。
既存の太陽電池としては、バルクシリコン、薄膜シリコン、ＣＩＳを含め、面入射型が大多数であるが、材料が面積に比例して多く必要である。これに対し、スラブ型光導波路の一辺に太陽電池を配置したエッジ利用型太陽電池（特許文献２、３参照。）は、一辺の長さに比例して増えるのみなので、材料が少量で済むが、光のマニピュレーションが課題である。即ち、３次元光を２次元光化する必要があり、導波距離を十分稼ぐ必要もある。
近年、太陽光発電の効率を高めるため、特に、集光系として系を構成するために、ルミネセントソーラーコンセントレーター（Luminescent Solar Concentrator,LSC）（非特許文献２参照。）が注目を集めている。その中に、上記の２次元導波路が重要な構成要素として含まれている。しかしその実態は、従来すべて、連続的併進対称性を持つ左右対称導波路を暗黙の前提としている。
従来の導波路は、光導波方向についてその順方向と逆方向に関して、対称構造を持っており、また基本的に光を導波するコア層をクラッド層で連続的に挟み・包んだ構造により、光の漏れを防ぎ、閉じ込めを行っていた。このため、光を外から導波路コア層に導入するのが極めて難しかった。光の導波効率を下げたくないので、そもそも想定されていなかったと言える。かかる状況下では、従来型導波路を集光型太陽電池や光電変換素子と結合する場合、光を効率的に集光するに際し非常に大きな困難が伴っていた。即ち、ルミネセントソーラーコンセントレーターに入射した光には出戻る成分もあるため、全反射にならない。ルミネセントソーラーコンセントレーターには色素や量子ドットが使用されるが色素や量子ドットで太陽光を全吸収できるわけではない（抜ける成分がある）。また、色素による光の再吸収があり、また色素の寿命が長くない。さらに、ルミネセントソーラーコンセントレーターに光を閉じ込めきりにするのが難しく、発光は基本的に等方的であるため、全反射条件を満たさない光は空間に出戻るものもある（非特許文献３参照。）。その結果として、太陽電池における光電変換効率を高くできていない。
また、液晶などの屈折率異方性を有する層をクラッド層として用いる提案もなされているが、偏光の一部しか利用できないため、効率の最大化には限界が出現するか、あるいは、これを回避するために、同等の構造をもう一組用意する必要があるなど、構造の複雑化の問題を抱えていた。
また、上記のルミネセントソーラーコンセントレーターにおいては、３次元で伝搬する太陽光を、２次元導波路の中に配置した色素や量子ドットで一旦吸収し、次に、これらの色素や量子ドット内でエネルギー緩和が生じることで出て来る光を、当該導波路内を導波させることで、エッジに置かれた光電変換素子あるいは太陽電池で、電気エネルギー化するが、この一連の過程を高効率化することが容易ではなかった（例えば、非特許文献１参照。）。その理由は、（１）かかる色素や量子ドットが、太陽光のスペクトル全体に亘り、光を吸収することはできない、（２）当該色素や量子ドット間の再吸収や、当該色素内や量子ドット内のエネルギー緩和で損失が発生する、更に、（３）当該色素や量子ドットが発光する際には、基本的に等方的に発光するので、２次元導波路内を全反射で導光される光の割合は限られる（発光した光のうち、２次元導波路面に垂直方向に進む光は、当然、導波路内に閉じ込められることなく、外部にその一部が放射される）点などが挙げられる。
また、本発明者自身も、別のコンセプトを用い、その中で、くし歯状の屈折率変調構造を用いて、３次元伝播光を２次元伝播光化することが試みていたが、その効率は必ずしも高いものではなかった（特許文献４参照。）。これは、回折に基づく方向変換を利用しているため、波長依存性が大きいことと、上記屈折率変調構造は、光入射方向に対し、直角な方向において左右対称構造を持つため、時間反転対称性と空間反転対称性の効果が相俟って、基本的に、３次元伝播光を２次元伝播光にしたり、これと逆に２次元伝播光を３次元伝播光にしたりすることが不可能であることによる。
［平成２９年９月１１日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：http://www.ntt.co.jp/dic/phlab/organ/03 ＿complex.html〉
［平成２９年９月１１日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：https://www.nature.com/articles/srep17777.pdf 〉Chen Li, et. al.,
［平成２９年９月１１日検索］、インターネット〈ＵＲＬ：http://uml.chemistry.unimelb.edu.au/research-2/luminescent-solar-concentrators/ 〉University of Melbourne
従来の導波構造体では、損失を生じることなく光を長距離、導波させるためには、光の導入部は、基本的に、端点（ファイバーや導波路の始点のみ）に限られていた。このような中で、光を遠くへ届けることを目標とする場合は、殆ど例外なく当該光ファイバーや２次元導波路は、基本的にファイバーの始点（２次元導波路の光入射面）からファイバー終点（２次元導波路の光出射面）までは、光の進行方向に沿って、連続的な併進対称性を持っていた。
これは、次のように考えると理解できる。即ち、導波路のコア部の幅が一定でなく、先細りになっているとすると、当該先細りレートで決まる消失点以遠には光を届かせることができない。従って、光を長距離届かせることが不可能である。また逆に、先太り構造にすると、遠距離導波するうちに、人間が使うに便利な構造サイズを超えてしまい、これまた実用上使用が大変厄介となる。厳密には、届けたい距離まで、少しずつ先細りにしたり、使用に支障がない範囲で先太りにしたりすることも不可能ではないが、用途によりこの距離は異なるであろうから、このような導波構造体を量産する際に、大変生産性が阻害されることとなる。これを解決するには、光を導波する際の始点から終点に向かって、当該導波構造体のどこを切っても金太郎飴のように、同じ構造が現れるような構造を採用することとなる、即ち、併進対称性を持つことになる。こうすれば長さは用途に応じて、それを満たすように自由にとれる。
また、このような光を遠くまで届けるための構造体においては、始点と終点との間の構造に対しては併進対称性が存在する故に、仮に光の出し入れを反転させても、即ち、終点において光を導入しても、同じような高導波効率で、始点まで光を届かせることができることが特徴であった。即ち、簡単のため、左に始点、右に終点を置いて、両者を結ぶ一直線の配置に当該導波構造体を配置すると、この構造体は左右の空間反転対称性を有することとなる。あるいはまた、当該導波路は光導波方向について、その順方向と逆方向に関して、反転対称性を有すると言い換えても良い。
そこで、この発明が解決しようとする課題は、導波コア層の導波効率は高いままに維持しつつ、導波コア層の途中の位置から光導入コア層により太陽光などの外部からの光を導入することができ、これによって外部の光を効率的に集光して導波コア層の内部で効率的に導波させることができる光導波装置、この光導波装置の光出射部から出射される光を光電変換部に入射させることにより極めて高い光電変換効率を得ることができる光電変換装置ならびにこの光電変換装置を用いた建築物、電子機器および移動体を提供することである。
この発明が解決しようとする他の課題は、導波コア層の導波効率は高いままに維持しつつ、導波コア層の途中の位置から電磁波導入コア層によりマイクロ波などの外部からの電磁波を導入することができ、これによって外部の電磁波を効率的に集めて導波コア層の内部で効率的に導波させることができる電磁波導波装置、あるいはアンテナ装置を提供することである。
上記課題および他の課題は、本明細書の以下の記述によって明らかとなるであろう。
上記課題を解決するために、この発明は、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置である。
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置である。
この光導波装置は、上記のように構成されていることにより、導波コア層の導波方向とその逆方向とに対して非対称な構造を有する。典型的には、導波コア層は導波方向に対して連続的並進対称性を有し、クラッド層は導波方向に対して離散的並進対称性を有する。ここで、導波方向は、光のエネルギーの移動方向と言い換えることもできる。この光導波装置の対象とする光の波長は特に限定されず、紫外光、可視光、赤外光などを含む。
典型的には、クラッド層の断絶部は、導波コア層の導波方向に等間隔に複数設けられ、それぞれの断絶部に光導入コア層が設けられる。断絶部の間隔は必要に応じて選ばれる。好適には、光導入コア層およびこの光導入コア層を被覆するクラッド層は、光導入コア層に導入される光が光導入コア層とクラッド層との界面で全反射を繰り返して導波コア層に到達するように設けられる。より具体的には、光導入コア層およびクラッド層の形状や厚さ（太さ）などは、光導入コア層に導入される光のうちできるだけ多くの割合が導波コア層に到達するように最適化される。典型的には、断絶部の端部から延在するクラッド層は、導波コア層の導波方向に凹に湾曲した形状（より正確には導波コア層の導波方向に凹に湾曲した形状の一部）を有する。この形状は、例えば、四分の一円の円弧の形状や、楕円の長軸および短軸で分割された四分の一部分の弧の形状などであるが、これに限定されるものではない。断絶部の端部から延在するクラッド層は光入射側の直線部とこの直線部に連なる曲線部とを有するものであってもよい。
導波コア層、クラッド層および光導入コア層の屈折率、材質、サイズ（各層の厚さ、太さな、長さなど）は、光導波装置の使用目的などに応じて適宜選ばれる。例えば、導波コア層および光導入コア層の屈折率は１．６以上２．０以下に選ばれ、材質は樹脂またはガラスである。例えば、クラッド層の屈折率は１．８以上２．０以下であり、導波コア層および光導入コア層の屈折率より低く選ばれる。導波コア層および光導入コア層の材質は、具体的には、例えば、透明ガラス、高屈折率ガラス、透明プラスチックなどである。透明プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフッ化ビニリデン、アセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルホン類、ポリオレフィン類などが挙げられる。導波コア層および光導入コア層の材質は、特に、プラスティックオプティカルファイバー（ＰＯＦ）などに用いられるフッ素系の素材が、その低光損失性により好適である。クラッド層の材質は、例えば、アモルファスフッ素樹脂（旭硝子株式会社の商品名ＣＹＴＯＰ）（屈折率１．３４）が挙げられるが、これに限定されるものではない。典型的には、光導波装置は、導波コア層とクラッド層とを少なくとも導波コア層に導波される光の波長の１０００倍以上１０万倍以下の距離に亘って有する。光導波装置の全体のサイズは、光導波装置の使用目的などに応じて適宜選ばれるが、一般的には、例えば（１ｃｍ～１ｍ）×（１ｃｍ～１ｍ）である。光導波装置は、必要に応じて、素材や厚さなどの選択によりフレキシブルに構成することができる。
導波コア層の形状は必要に応じて選ばれるが、例えば、平板状や繊維状などの形状に構成される。一つの典型的な例では、導波コア層は平板状に構成され、クラッド層は、導波コア層の一方の主面を連続に被覆して導波コア層の導波方向に併進対称性を有し、他方の主面を不連続に被覆するように設けられ、他方の主面に断絶部を有し、断絶部に光導入コア層が設けられる。別の典型的な例では、導波コア層は平板状に構成され、クラッド層は、導波コア層の一方の主面および他方の主面を不連続に被覆するように設けられ、一方の主面および他方の主面にそれぞれ断絶部を有し、断絶部に光導入コア層が設けられる。この場合、好適には、導波コア層の一方の主面の断絶部と他方の主面の断絶部とは導波コア層の導波方向に互いにずれており、最も好適には、断絶部の間隔の１／２の距離だけ互いにずれている。これは、導波コア層の一方の主面の断絶部に設けられる光導入コア層から導入される光と導波コア層の他方の主面の断絶部に設けられる光導入コア層から導入される光とが互いに干渉しないようにするためである。さらに別の例では、導波コア層は繊維状に構成され、クラッド層は、導波コア層の外周面を不連続に被覆するように設けられ、外周面に断絶部を有し、断絶部に光導入コア層が設けられる。
この光導波装置の特徴を改めて詳細に説明する。この光導波装置では、既に述べた従来の導波路構造の基本概念を変えて、離散的併進対称性をもつ左右（あるいは進行方向・逆方向）非対称導波路構造をとる。即ち、光導波方向に対して、その順方向と逆方向に関して、反転対称性を有しない導波路を構成する。即ち、導波路に対し、その光導波方向についてその順方向と逆方向に関して、非対称構造を持たせる。あるいは光進行方向に対し非対称構造を持たせると言い換えても良い。
さらに、クラッド層に非連続性を、そして導波コア層に準解放性を持たせる。構造における主たる導波部分、即ち屈折率が相対的に大きい導波コア層に逆開裂構造（即ち、２つの部分だったものが一つにまとまる構造）を有せしめる。これにより、導波コア層は準解放系コア層となり、光は閉じ込めるが、幾何学的構造的にはオープン構造をとる。
今、導波方向にｘ軸を取ると、上述のクラッド層が不連続となる点、これをｘ＝ｘi と記すと、ｘ＜ｘi では、導波のコア領域およびその近傍において、導波方向に沿って、（断面形状として）クラッド層が３本、即ち、そのポイント断絶した地点には、始点以外の外界より、導波コア層へ光が侵入することができる。これによって、導波コア層に準解放構造を持たせ、またクラッド層に、各部分において不連続構造を有せしめる。また、この時、各非連続クラッド層は、その幾何学的構造は、導波方向に対して、導波方向に沿って、その最後端において、導波コア層に対してタンジェンシャル（tangential）に接するような構造を持たせる。
このクラッド層が終端する点において、二つの分かれていた屈折率大の部分が一つにまとまるが、二つの内の一つの屈折率大の部分から、上記クラッド層終端域において、ホイヘンスの原理に従って発する球面波が、もう一つの屈折率大層、即ち光導入コア層とそれに隣接するクラッド層に拡がって行った際に、当該クラッド層により全反射条件を満たすようななだらかな曲線を当該クラッド層は描く。これは、二つの屈折率大層のもう一つに対して、残る一つの屈折率大層、即ち光導入コア層およびその隣接クラッド層が満たす条件でもある。すなわち、合流する二つの屈折率大層（導波コア層および光導入コア層）における光は、互いにもう片方側へ、中間のクラッド層が終端して以降、ホイヘンスの原理に従って拡がってゆくが、この光は、拡がり先の屈折率大層に隣接するクラッド層により、全反射される。これにより光の合流による損失は発生しない状況が実現する。
これにより、導波コア層内の光は、導波方向に沿って１００％導波されつつ、しかしクラッド層の非連続性、導波コア層の準解放性によって、導波コア層において、導波方向の複数ポイントにおいて、外界からの光導入を可能とする。
この光導波装置においては、光導入コア層およびこの光導入コア層を被覆するクラッド層により反射光学系が構成されることが、波長依存性が極めて小さく、光の集光と高効率の導波という目的に対し、極めて有効である。
このような光導波装置を従来のエッジ利用太陽電池と結合することで、光電変換効率の飛躍的向上が可能となる。本発明者が先に発明したフォトンフォトキャリア直交型太陽電池と結合すれば、太陽光の連続スペクトルに呼応して（スペクトルエネルギーについて）連続して光電変換を可能とすることで、更に高い光電変換効率が実現する。従来の面入射の太陽電池と結合することももちろん可能である。特に、従来型の直列のタンデム構造との結合も非常に有効である。
また、この光導波装置は、例えば、入射光がガラス面内に導波されるように表面構造を持つ導波路と結合させて設けることで、従来建物の窓や壁などの建築材としての応用も開け、日照権問題の解消・緩和にも役立ちうる。
また、この発明は、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である。
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である。
この光電変換装置において、光電変換部は、光導波装置の光出射部に直接接して設けられてもよいし、光導波装置の光出射部に対し従来公知の光導波路を介して設けられてもよい。
好適には、光電変換装置に光が入射する際に光電変換部に光が直接入射しないように構成される。言い換えると、光電変換装置に光が入射する場合、光導波装置には光が入射するが、光電変換部の面には光が直接入射しない。こうすることで、光電変換部、特にその半導体層に直接入射する光により半導体層が加熱されて温度が上昇するのを防止することができるので、半導体層の特性劣化を防止することができ、ひいては、熱として散逸するエネルギーも少ないことと相まって、この光電変換装置の光電変換効率の低下を防止することができ、高い光電変換効率を得ることができる。
光電変換部は半導体層により構成してもよいし、太陽電池などの半導体層を用いた光電変換素子により構成してもよい。光電変換素子としては従来公知のものを用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、バルクシリコン、多結晶シリコン、ＣＩＳ、ペロブスカイト物質、化合物半導体などを用いた光電変換素子である。この光電変換装置は集光系を形成するので、タンデム太陽電池との結合が有効である。集光比は、光導波装置の光入射面上の光導入コア層の端面の面積の総和を光が導波される導波コア層の端面の面積で除した値となる。タンデム太陽電池は面積を大きく取ることが難しいことがネックとなっているから、光を効率的に集光できるこの光導波装置との結合が極めて有効である。結合するタンデム太陽電池は、並列タイプのものでも有効である。この場合は、光は、ｐｎ接合面に平行またはほぼ平行に入射するが、最初に最もワイドギャップの素子に入り、順次、バンドギャップが減少し、最後に最もバンドギャップの小さい太陽電池に入射することは共通である。
また、実使用例における、この発明の光導波装置と光電変換素子、即ち太陽電池とを結合した系のメリットは、太陽光受光部と光電変換部とが空間的に互いに分離されていることである。これにより、屋根や建物側面に置いた集光部、即ち光導波装置からエネルギーとして光を室内や屋根裏、側壁裏などに導いて、そこで光電変換することで、光電変換部を保護することができることにより、太陽電池の耐候性に関する要求を緩和できることは大きなメリットである。外部環境（外）と使用環境（室内）との境界を、従来の太陽電池システムは、電気の形で跨ぐのに対し、この発明では、光の形で跨ぐ設定にもできるということが大きな違いである。即ち、従来技術では太陽光受光部と光電変換部とが一体化していることにより、雨露霜雪に弱い電気の形で戸外や車外に存在するのに対し、この発明では、電荷中性、つまりニュートラルな光の形で戸外や車外に存在するので、電気的なショートなど絶縁不良に起因する機能不全や故障が発生し無い設定にできる。翻って、耐候性を増強することができる。
家屋やビルへの応用では、特に、集光部は戸外、光電変換部は屋内あるいは、建物外壁の内側において、雨露や埃などによるダメージからアクティブリージョン（光電変換部）を守る。特に離島などにおける発電システムの塩害からのプロテクションが容易になる。
このメリットは、宇宙空間での太陽光発電でも顕著に発揮される。即ち、在来システムでは、受光したところで発電するため、太陽電池は、宇宙空間に暴露して置かれているので、太陽風や、宇宙線の高エネルギー粒子のボンバードメントを受け、効率劣化が生じてしまう。これに対し、この発明では、宇宙空間に暴露されるのは、無機材料ガラス系素材を主体とするパッシブなマテリアルで光をうける集光部のみにとどめ、光として、船内または、宇宙線の外壁の裏まで導き、そこに導波路と結合して設置した光電変換素子あるいは太陽電池で電気エネルギー化することで、当該アクテティブリージョンを上記の高エネルギー粒子ボンバードメントから守ることができるという顕著なメリットがある。これにより、宇宙で必要な高エネルギー変換効率の長期に亘る維持という大きな価値を生み出すことができる。
即ち、宇宙応用として、集光部は宇宙空間に、光電変換部は船内あるいは、宇宙船の外壁の内側において、ラディエーションダメージからアクティブリージョン（光電変換部）を守ることができる。
半導体層は、無機半導体または有機半導体からなり、典型的には、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合である。導波コア層が平板状である場合、典型的には、半導体層も平板状に構成され、そのｐｎ接合面はこの導波コア層の主面に平行または垂直である。この場合、半導体層の上下の互いに対向する主面にそれぞれ第１の電極および第２の電極が設けられる。導波コア層が繊維状である場合、典型的には、半導体層は導波コア層の端面と同等以上の大きさの端面を有する平板状または繊維状に構成され、そのｐｎ接合面はこの導波コア層の直径を含む縦断面に平行または垂直である。この場合、半導体層の上下の互いに対向する面にそれぞれ第１の電極および第２の電極が設けられる。これらの第１の電極および第２の電極の一方はアノード電極、他方はカソード電極として用いられる。典型的には、導波コア層の内部を導波される光の正味の進行方向と、導波コア層の端面から半導体層に入射した光により半導体層中に生成されるキャリアの正味の移動方向とのなす角度Θがほぼ直角である。Θは、具体的には、例えば、π／２－δ≦Θ≦π／２＋δに選ばれる。ただし、δは、第１の電極および第２の電極のうちのアノード電極として用いられるものの、半導体層内の光の進行方向に平行な方向の幅（電極幅）に対する半導体層の厚さの比に対応し、δ～半導体層の厚さ／電極幅である。典型的には、導波コア層と半導体層とは互いに一体に設けられ、例えば、それらの端部同士が接合されて一体化される。半導体層の厚さは、この半導体層内のキャリアの拡散長の関数を勘案して適宜選ばれるが、ｐｎ接合面が平板状の導波コア層の主面に平行な場合、好適には１００ｎｍ以上１００μｍ以下、ｐｎ接合面が平板状の導波コア層の主面に垂直な場合、好適には１μｍ以上５００μｍ以下である。半導体層を構成する半導体は、アモルファス（非晶質）、多結晶、単結晶のいずれの形態のものであってもよい。
無機半導体としては、ＣｄＳｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどのＩＩ－ＶＩ族化合物半導体、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓＮ、ＧａＰＮなどのＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＳｉやＳｉＧｅなどのＩＶ族半導体、Ｓｉx Ｇｅy Ｓｎ1-x-y Ｏ、ＳｉＮx 、ＳｉＯx 、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ）、ＣＩＧＳ（ＣｕＩｎＧａＳｅ）、ＣｕＩｎＧａＳｅＴｅなどを用いることができる。これらの半導体は、例えば、Ｉｎ、ＧａなどのＩＩＩ族元素の組成比の制御や硫黄（Ｓ）の混合などによってバンドギャップを制御することができるのが特徴である。半導体層は、これらの無機半導体からなる微粒子により構成することもできる。
有機半導体としては、有機太陽電池の材料として一般的に報告されているものは全て用いることができるが、具体的には、ペンタセンなどのポリアセン、ポリアセチレン（好ましくは二置換型ポリアセチレン）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）、ポリ（２，５－チエニレンビニレン）、ポリピロール、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリ（９，９－ジオクチルフルオレン－co－ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）、ポリ（１－ヘキシル－２－フェニルアセチレン）（ＰＨX ＰＡ）（発光材料としては青色の発光を示す）、ポリ（ジフェニルアセチレン）誘導体（ＰＤＰＡ－ｎＢｕ）（発光材料としては緑色の発光を示す）、ポリ（ピリジン）（ＰＰｙ）、ポリ（ピリジルビニレン）（ＰＰｙＶ）、シアノ置換型ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＣＮＰＰＶ）、ポリ（３，９－ジ－tert－ブチルインデノ［１，２－ｂ］フルオレン（ＰＩＦ）などを用いることができる。これらの有機半導体のドーパントについては、ドナーとしてはアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ）を用いることができ、アクセプタとしてはハロゲン類（Ｂｒ2 、Ｉ2 、ＣＩ2 ）、ルイス酸（ＢＦ3 、ＰＦ5 、ＡｓＦ5 、ＳｂＦ5 、ＳＯ3 ）、遷移金属ハロゲン化物（ＦｅＣｌ3 、ＭｏＣｌ5 、ＷＣｌ5 、ＳｎＣｌ4 ）、有機アクセプタ分子としてはＴＣＮＥ、ＴＣＮＱを用いることができる。また、電気化学ドーピングに用いられるドーパントイオンは、陽イオンとしてはテトラエチルアンモニウムイオン（ＴＥＡ+ ）、テトラブチルアンモニウムイオン（ＴＢＡ+ ）、Ｌｉ+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 、陰イオンとしてはＣｌＯ4
- 、ＢＦ4
- 、ＰＦ6
- 、ＡｓＦ6
- 、ＳｂＦ6
- などを用いることができる。有機半導体としてはさらに、高分子電解質を用いることもできる。この高分子電解質の具体例を挙げると、ポリアニオンとしては、サルフォネートポリアニリン、ポリ（チオフェン－３－酢酸）、サルフォネートポリスチレン、ポリ（３－チオフェンアルカンサルフォネート）など、ポリカチオンとしては、ポリアリルアミン、ポリ（ｐ－フェニレン－ビニレン）前駆体高分子、ポリ（ｐ－メチルピリジニウムビニレン）、プロトン化ポリ（ｐ－ピリジルビニレン）、ポロトン（２－Ｎ－メチルピリジニウムアセチレン）などを用いることができる。半導体層として低不純物濃度にドープされた有機半導体層を用いる場合、この有機半導体層はヘテロジャンクション型あるいはバルクヘテロジャンクション型の構造とすることができる。ヘテロジャンクション型構造の有機半導体層においては、ｐ型有機半導体膜およびｎ型有機半導体膜とを第１の電極および第２の電極と接触するように接合する。バルクヘテロジャンクション型構造の有機半導体層は、ｐ型有機半導体分子とｎ型有機半導体分子との混合物からなり、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体とが互いに入り組んで互いに接触した微細構造を有する。
半導体層を構成する半導体としては、無機半導体および有機半導体のほかに、有機無機ハイブリッド半導体を用いることもできる。このような有機無機ハイブリッド半導体としては、例えば、ペロブスカイト系半導体を用いることができる。
好適には、第１の電極および第２の電極は半導体層とオーミック接触している。半導体層として有機半導体を用いる場合は、第１の電極および第２の電極は半導体層とオーミック接触していなくてもよい。第１の電極および第２の電極としては、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属のほか、特にｐ型ＳｉにはＡｌ、ｎ型ＳｉにはＡｇを用いることが有効であり、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）などの各種の透明導電性酸化物などを用いることができ、クロム、チタン、モリブデン等も合わせて用いることができるが、これに限定されるものではない。また、第１の電極および第２の電極として上記の透明導電性酸化物からなる透明電極を用いる場合、その低屈折率性、ワイドギャップ性を以て、半導体層への進入光子の高導波特性、生成フォトキャリアの低表面再結合レートへと導き、結果として高光電変換効率を可能とする効果も有する。半導体層自体のバンドギャップを第１の電極および第２の電極に近づくにつれて大きくすることも少数キャリアの表面再結合を抑制するのに有効であり、同時に光の閉じ込めをする上でも効果を有するので２重に有効である。上記透明電極は、導波コア層の主面に対し垂直方向の半導体層の差し渡しの方向の両端に設ける、上記半導体層の屈折率より低屈折率の領域に相当する。
好適には、半導体層のバンドギャップ、あるいは半導体層が有機半導体からなる場合にはＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）－ＬＵＭＯ（最低非占分子軌道）ギャップが光の進行方向に順に段階的および／または連続的に減少するようにする。こうすることで、例えば、光電変換装置の半導体層の主面に太陽光が入射した場合、この太陽光は、面状光導波路内を導波されて半導体層に入射すると、バンドギャップあるいはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが一番大きい半導体にまず入射し、最終的にバンドギャップが一番小さい半導体に入射することになり、この過程で太陽光スペクトルのうちの短い波長の光から長い波長の光に亘って順次吸収され、しかもこの吸収量は最大化される。このため、半導体層のバンドギャップあるいはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップの変化のさせ方および使用する半導体の種類によって、太陽光スペクトルの主要部あるいは実質的に全部の光を光電変換することができ、究極的には光電変換効率を理論最大効率に近づけることができる。典型的には、半導体層は、バンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが光の進行方向に順に段階的に減少した複数の領域からなり、各領域の互いに対向する一対の面に第１の電極および第２の電極が設けられ、これらの第１の電極および第２の電極のうちの少なくとも一方は各領域間で互いに分離して設けられる。
好適には、半導体層はバンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが光の進行方向に順に段階的に減少した複数の領域からなり、各領域の光の進行方向の幅が、各領域のバンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップと等しいエネルギーを有する光の各領域における吸収係数の逆数以上である。
半導体層が、バンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが光の進行方向に順に段階的に減少した複数の領域からなる場合、これらの領域の例を挙げると、光の進行方向に順に、Ｓｉx Ｃ1-x （０＜ｘ＜１）からなる領域、Ｓｉからなる領域およびＳｉy Ｇｅ1-y （０＜ｙ＜１）からなる領域、あるいは、Ｓｉx Ｃ1-x からなる領域、Ｓｉからなる領域およびマイクロクリスタルＳｉy Ｇｅ1-y からなる領域、あるいは、ＡｌＧａＮ、ＧａＮおよびＩＧＺＯ（Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの酸化物）からなる群より選ばれた少なくとも一つの半導体を含む領域、Ｓｉx Ｃ1-x からなる領域、Ｓｉからなる領域およびＳｉy Ｇｅ1-y からなる領域、あるいは、Ｓｉx Ｃ1-x からなる領域、Ｓｉからなる領域、Ｓｉy Ｇｅ1-y からなる領域およびＧｅからなる領域である。
光電変換装置には、太陽電池のほか、光センサーなども含まれる。必要に応じて、光電変換装置または太陽電池を複数組み合わせてモジュール化あるいはシステム化してもよい。
また、この発明は、
少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である建築物である。
少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である建築物である。
ここで、建築物は、光電変換装置を設置可能な建築物であれば、基本的にはどのようなものであってもよいが、具体的には、例えば、ビルディング、マンション、戸建住宅、アパート、駅舎、校舎、庁舎、競技場、球場、病院、教会、工場、倉庫、小屋、橋などが挙げられる。これらの建築物への光電変換装置の設置箇所は特に限定されず、必要に応じて選ばれる。設置箇所の例を挙げると、これらの建築物のガラス窓や採光部などである。この場合、光電変換装置は、例えば、これらの建築物やその内部に設置される電気製品の電源として用いられる太陽電池である。好適には、光導波装置の光入射面（光導入コア層側の面）に光が入射する際に半導体層に光が直接入射しないように半導体層が建築物の陰の部分に配置される。例えば、光導波装置が緩やかな曲率を有する部分を含むようにし、この部分を、例えば、瓦の下、屋根の中央部迫り出し稜線の下、窓の枠あるいは桟等に配置する。
また、この発明は、
外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である電子機器である。
外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である電子機器である。
電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含むが、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品などである。この場合、光電変換装置は、例えば、これらの電子機器の電源として用いられる太陽電池である。
また、この発明は、
外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である移動体である。
外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である移動体である。
移動体は、基本的にはどのようなものであってもよいが、具体例を挙げると、自動車、二輪車、航空機、ロケット、宇宙船、船舶などである。この場合、光電変換装置は、例えば、これらの移動体の電源として用いられる太陽電池である。
上記の光電変換装置、建築物、電子機器および移動体の各発明においては、その性質に反しない限り、上記の光導波装置の発明に関連して説明したことが成立する。
最後に、この光導波装置において何故、始点から終点までにおいて、始点のみならず途中の各点でも光の合流が可能な導波路が実現するか考える。従来導波路は、進行方向とその逆方向に対し空間反転対称性を有する（始点と終点を左右に見込むような位置（視点Ｓとする）からみると左右対称構造を有する）。また、導波過程はマクスウエル方程式に従う過程であるので、時間反転対称性を有する。さて、今視点Ｓから発した（導波路にとっては外部からの）３次元伝播光が、或る構造Ｄを通じてこの導波構造（２次元導波路）に入射することができたとすると、左右対称性から、向かって右へその半分、左へ残る半分が進行する（右へ向かう光が、その末端におかれた光電変換部、例えば太陽電池に入射して発電することとなる）。時間反転対称性があるので、時間の向きを逆転させると、光電変換部から２次元導波路内を光が左へ進行し、上記構造Ｄを経て、外部へ出てきて視点Ｓへ戻ってくる。問題は、時間が正転しているなかでも、上記空間反転対称性より、左へ向かう光が、入射できた分の半分は存在することである。この光は、（始点と終点のいたるところで外界の光を２次元導波路内に取りこめているという仮定からして、始点と終点の間の至るところに存在する）構造Ｄを通じて、外部にでてくる。つまり、左右対称構造にする限り、３次元伝播光を２次元導波路内に行ったっきりにすることは、時間反転対称性から、物理的に許されない。もし、行ったっきりにできるのであれば、上記の考察の前提条件の一部を崩す必要がある。これが、この発明が前提としている（上記視点Ｓから見ての）左右に対する空間反転対称性を有しない導波路構造を用いる理由である。空間反転対称性を破る構造とすることで（即ち、後述の図１でいえば、外から取りこむ光は、左からくる導波コア層と光導入コア層とがタンジェンシャルに接触して、それより右の領域では一つになることで、すべて右向きに導波されるようにすることで）、始点と終点の途中においても外部から光を取りこめることは上述の説明の通りである。この過程の時間反転は、当該構造で仮に右から左に走る光は、導波路のいたるところで外へ向かって流れ出てくることとなる（逆に、日照権問題を解決するに際してはこれを利用し、ビルの北面において、この配置になるように、この発明の光導波装置を組み込んだ壁材を組み込むこととなる）。光電変換応用に戻ると、この意味では、終点にて結合される太陽電池、光電変換素子は、光の入射に関し反射率が極めて小さいものとなるよう（例えば表面に段階的に粒径の大きくなっていく微粒子が積みあがったような構造などにより）設定することが極めて重要でかつ有効となることは言うまでもない。
また、この発明は、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された電磁波導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている電磁波導波装置、あるいはアンテナ装置である。
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部における接線が上記導波コア層に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された電磁波導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられている電磁波導波装置、あるいはアンテナ装置である。
この電磁波導波装置は広範な波長の電磁波を対象とし、光を集光して導波する上記の光導波装置を含むものである。電磁波は、典型的には、マイクロ波乃至テラヘルツ波（波長３０ｃｍ～０．３ｃｍ、周波数１ＧＨｚ～１ＴＨｚ）であるが、これに限定されるものではない。この電磁波導波装置において、クラッド層は、電磁波を反射する物質、典型的には金属により形成され、導波コア層および電磁波導入コア層は電磁波に対して透明な物質、具体的には誘電体により形成される。誘電体には空気も含まれる。導波コア層および電磁波導入コア層の誘電率に特異的な振る舞いが無い波長領域に対しては、電磁波の波長とこの電磁波導波装置の構造のサイズとの間にスケーリングが成り立つ。この電磁波導波装置の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、光を電磁波に置き換えて、上記の光導波装置の発明に関連して説明したことが成立する。
この電磁波導波装置により集められ、導波コア層を導波される電磁波は、導波コア層から外部に取り出され、例えばダイオードなどの半導体素子を用いた整流回路により直流に変換されて電気機器などに利用される。この意味で、この電磁波導波装置は、電磁波を受信するアンテナとしての役割も果たす。この電磁波導波装置は、上記の光導波装置と同様に、各種の建築物、電子機器および移動体に用いることができる。
この発明によれば、光導波装置が導波コア層の導波方向とその逆方向とに対して非対称な構造を有するため、光導波装置の光入射面に入射して光導入コア層から導入され、導波コア層に合流する光は導波コア層の内部をあらかじめ決められた導波方向に効率的に導波され、光導波装置から出射される。この光導波装置は、外部から入射する光を効率的に集光することができ、しかも導波コア層に途中で損失を生じることなく光効率的に導波することができる。言い換えると、導波コア層内の光は、導波方向に沿って１００％導波されつつ、しかし、クラッド層の非連続性、導波コア層の準解放性によって、導波コア層に対する光の取り入れを、導波コア層の始点から終端までの至るところで（離散的連続性を以って）、即ち導波方向の複数ポイントにおいて、行うことができる。そして、光の集光と高効率の導波という目的に対し、極めて有効な構造と機能を実現することができる。
また、光電変換装置においては、例えば、上記の光導波装置をマルチストライプフォトンフォトキャリア直交型光電変換装置と結合して、熱力学限界に迫る高光電変換効率の実現が可能となる。更にこの光導波装置と在来型のタンデム太陽電池と結合することも可能で、従来よりも高効率に、太陽光の連続スペクトルに対応して光電変換が可能となる。特に、この光導波装置を入射光がガラス面内に導波されるように表面構造を持つ導波コア層と結合させて設けることで、従来建物の窓や壁を以って、高効率のフォトン・フォトキャリア直交型光電変換装置とすることができる。太陽電池応用と併用しつつ、“光を装うことのできる”建物の外壁材としても有効である。
光電変換装置においては更に、導波コア層内を導波される光の正味の進行方向と、導波コア層の端面から半導体層に入射した光により半導体層中に生成されるキャリアの正味の移動方向とのなす角度θをほぼ直角とすることにより、光の入射方向の半導体層の厚さの選択による光の吸収量の最大化と電極間距離の最小化とを両立させることができる。このため、極めて高い光電変換効率を得ることができる。また、光導波装置の光入射面に入射した光が導波コア層内を導波されて半導体層に入射するので、半導体層に光が直接入射しないようにすることができる。このため、半導体層が例えばアモルファスシリコンや有機半導体からなる場合であっても、ステブラー・ロンスキー（ＳＷ）効果や紫外成分による有機半導体の劣化を抑えることができる。また、光導波装置の光入射面の面積を大きくすることにより、光電変換装置の大面積化も極めて容易である。また、半導体層のバンドギャップあるいは半導体層が有機半導体からなる場合にはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが光の入射方向に段階的および／または連続的に減少するようにすることにより、太陽光スペクトルの主要部あるいは全部の波長の光を吸収して光電変換することができ、究極的には理論最大効率に迫る光電変換効率を得ることができる。
光電変換装置においては更に、集光系のメリットで明電流と暗電流の比が大きくなることから、出力電圧の上昇がもたらされることで、従来の殆どすべての太陽電池の特性を上げることができる。太陽電池部が戸外にさらされることを回避することができることから、太陽光発電システムの耐用年数を上げることができる。これは、地球上のみならず宇宙空間についてもなりたち、宇宙ステーションや人工衛星、惑星探査機などの電力源となっている太陽電池システムの高信頼性化に役立つ。また、建築物側壁に用いて、光を建物の裏側に導いて、従来構想建築物の影となっていた領域への光の輸送が可能となり、いわゆる日照権問題の緩和に役立つと期待される。自動車の電気動力化が進んでいるが、かかる車両のボンネット、天井、側壁などに本構造を用いることで、特に夏の昼間の車内の温度上昇を防ぎつつ、かつ、太陽光発電および蓄電により、電気自動車の燃費向上、性能向上をもたらすことができる。自動車の表面、即ち、天井、ドアやボンネットに用いて、電気自動車化の流れに大きな貢献をすることは言うまでもない。フロントガラスやリア・サイドガラスにも半透過タイプとして適用することができるので、夏場の社内の温度上昇を、電気に変えることで熱化するチャネルを塞ぐことで実現できる。発電した電力は、空調のエネルギーに回せるので、車内温度低下に向けた効率は２重の掛け算となって、非常に高まることは重要である。また、この構造を繊維や、きし麺状の構造とすることで、これを織り合わせて衣服型の日焼け防止服（且つ太陽光発電服）やテント、さらには大規模な布状構造を作り、建物や橋の造形物を覆いながら、芸術性を醸し出しつつ、太陽光発電を行うことができる。衣服としての応用も可能となる。ファイバー、繊維、織物応用が実現する。
また、電磁波導波装置は、電磁波全般について上記の光導波装置と同様な効果を得ることができる。
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」という。）について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態の図面においては、原則として、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
〈第１の実施の形態〉
［光導波装置］
図１は第１の実施の形態による光導波装置を示す。図１に示すように、この光導波装置は、クラッド層１１と導波方向に間隔δで周期的に配置された複数のクラッド層１２とにより平板状の導波コア層１３の上下が挟まれた構造を有する。クラッド層１１は導波コア層１３の一方の主面（上面）を連続に被覆し、クラッド層１２は導波コア層１３の他方の主面（下面）を不連続に被覆している。クラッド層１１とクラッド層１２とは全体として、導波コア層１３を不連続に被覆するクラッド層を構成する。即ち、このクラッド層は、導波コア層１３を被覆していない断絶部の端部（例えば、図１中、Ｅで示す）と、この断絶部に対して導波コア層１３の導波方向と反対側でかつ導波コア層１３から離れた位置（例えば、図１中、Ｐで示す）との間に延在し、導波コア層１３の導波方向に向かって導波コア層１３に次第に近づき、かつ後述のように断絶部の端部における接線が導波コア層１３に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有する。導波コア層１３の両側面はクラッド層１１の延長部により被覆してもよいし、反射面により構成してもよい。クラッド層１２と導波コア層１３との結合部分の詳細を図２に、より広域に亘るこの結合部分の詳細を図３に示す。図２および図３においては、クラッド層１２をクラッド層１２－ａ、１２－ｂ、１２－ｃ、１２－ｄで示す。それぞれのクラッド層１２と隣のクラッド層１２との間には光導入コア層１４が設けられている。図２および図３においては、光導入コア層１４を光導入コア層１４－ａ、１４－ｂ、１４－ｃ、１４－ｄで示す。クラッド層１２および光導入コア層１４は図１の垂直方向（奥行き方向）に所定距離延びている。クラッド層１２は導波コア層１３の導波方向に凹に湾曲した形状を有し、その形状は必要に応じて選ばれるが、図１では、一例としてクラッド層１２が四分の一円の形状を有する場合が示されている。クラッド層１２の導波コア層１３側の端部の接線は導波コア層１３の面と一致しており、従って導波コア層１３内の導波方向と一致している。言い換えると、クラッド層１２の導波コア層１３側の端部は導波コア層１３にタンジェンシャルに接続している。クラッド層１１、１２および導波コア層１３の屈折率は、クラッド層１１、１２により導波コア層１１内に光を閉じ込めることができるように、導波コア層１３の屈折率に対してクラッド層１１、１２の屈折率が小さく選ばれている。また、クラッド層１２および光導入コア層１４の屈折率は、クラッド層１２により光導入コア層１４内に光を閉じ込めることができるように、光導入コア層１４の屈折率に対してクラッド層１２の屈折率が小さく選ばれている。導波コア層１３の屈折率と光導入コア層１４の屈折率とは好適には等しく選ばれるが、これに限定されるものではない。光導波装置の平面形状は特に限定されず、光導波装置の用途などに応じて適宜選ばれるが、例えば、長方形または正方形であり、この場合、光導波装置は全体として直方体の形状を有する。
［光導波装置］
図１は第１の実施の形態による光導波装置を示す。図１に示すように、この光導波装置は、クラッド層１１と導波方向に間隔δで周期的に配置された複数のクラッド層１２とにより平板状の導波コア層１３の上下が挟まれた構造を有する。クラッド層１１は導波コア層１３の一方の主面（上面）を連続に被覆し、クラッド層１２は導波コア層１３の他方の主面（下面）を不連続に被覆している。クラッド層１１とクラッド層１２とは全体として、導波コア層１３を不連続に被覆するクラッド層を構成する。即ち、このクラッド層は、導波コア層１３を被覆していない断絶部の端部（例えば、図１中、Ｅで示す）と、この断絶部に対して導波コア層１３の導波方向と反対側でかつ導波コア層１３から離れた位置（例えば、図１中、Ｐで示す）との間に延在し、導波コア層１３の導波方向に向かって導波コア層１３に次第に近づき、かつ後述のように断絶部の端部における接線が導波コア層１３に平行またはほぼ平行になるように設けられた構造をその一部に有する。導波コア層１３の両側面はクラッド層１１の延長部により被覆してもよいし、反射面により構成してもよい。クラッド層１２と導波コア層１３との結合部分の詳細を図２に、より広域に亘るこの結合部分の詳細を図３に示す。図２および図３においては、クラッド層１２をクラッド層１２－ａ、１２－ｂ、１２－ｃ、１２－ｄで示す。それぞれのクラッド層１２と隣のクラッド層１２との間には光導入コア層１４が設けられている。図２および図３においては、光導入コア層１４を光導入コア層１４－ａ、１４－ｂ、１４－ｃ、１４－ｄで示す。クラッド層１２および光導入コア層１４は図１の垂直方向（奥行き方向）に所定距離延びている。クラッド層１２は導波コア層１３の導波方向に凹に湾曲した形状を有し、その形状は必要に応じて選ばれるが、図１では、一例としてクラッド層１２が四分の一円の形状を有する場合が示されている。クラッド層１２の導波コア層１３側の端部の接線は導波コア層１３の面と一致しており、従って導波コア層１３内の導波方向と一致している。言い換えると、クラッド層１２の導波コア層１３側の端部は導波コア層１３にタンジェンシャルに接続している。クラッド層１１、１２および導波コア層１３の屈折率は、クラッド層１１、１２により導波コア層１１内に光を閉じ込めることができるように、導波コア層１３の屈折率に対してクラッド層１１、１２の屈折率が小さく選ばれている。また、クラッド層１２および光導入コア層１４の屈折率は、クラッド層１２により光導入コア層１４内に光を閉じ込めることができるように、光導入コア層１４の屈折率に対してクラッド層１２の屈折率が小さく選ばれている。導波コア層１３の屈折率と光導入コア層１４の屈折率とは好適には等しく選ばれるが、これに限定されるものではない。光導波装置の平面形状は特に限定されず、光導波装置の用途などに応じて適宜選ばれるが、例えば、長方形または正方形であり、この場合、光導波装置は全体として直方体の形状を有する。
上記の四分の一円の断面形状を有するクラッド層１２は、光入射面（光導波装置の底面）で、その接線としては、垂直のものを持つ。対応して、四分の一円の反対の終端部では、クラッド層１２は断絶し、そこで水平方向の接線を持つ。クラッド層１２が間隔δをもって横方向に周期的に配置されるので、四分の一円の上部の終端部では、図２に示すように、導波コア層１３（屈折率大の部分）がクラッド層１２に閉じ切られておらず、幾何学的にオープンな構造を持つことが特徴である。これにより、図１に示すように導波方向にｘ軸を取る（光導波装置の厚さ方向にｚ軸を取り、図１の紙面に垂直方向にｙ軸を取る）と、クラッド層１２が不連続となる地点を図２に示すようにｘ＝ｘi と記すと、ｘ＜ｘi では、導波コア層１３およびその下部近傍において、図２に示すように、導波方向に沿って（断面形状として）クラッド層１２が４本、即ちクラッド層１２－ａ、１２－ｂ、１２－ｃ、１２－ｄが存在する。即ち、図２に示すクラッド層１２－ａが断絶した地点以降の領域（ｘ≧ｘi ）では、始点以外の外界より（図２では、左下側から光導入コア層１４ａを通じて）、導波コア層１３へ光が侵入することができる。図２および図３に示すように、ｘ＝ｘi よりδ（２δ）だけ右側にずれた地点、即ち、ｘ＝ｘi ＋δ（ｘ＝ｘi ＋２δ）では、光導入コア層１４－ｂ（光導入コア層１４－ｃ）（支流）が、導波コア層１３（本流）に合流する（図３では、簡単のため、光導入コア層１４－ｃの下方に存在する光導入コア層およびこの光導入コア層と光導入コア層１４－ｃとの間のクラッド層は図示していない）。図３に示すように、クラッド層１２－a 、１２－ｂ、１２－ｃの右終端部（断絶部）での接線（図中、破線で示す）は、導波光進行方向に平行またはほぼ平行になっている。即ち、クラッド層１２－a 、１２－ｂ、１２－ｃの終端部の導波コア層１３へのタンジェンシャル接続が形成されている。このようにして、導波コア層１３には図３の太矢印で示すように進行方法に沿っての連続的併進対称性を持たせ、クラッド層１２に関しては、周期δの離散的な併進対称性を持たせる。これにより、導波コア層１３は、準解放構造を持つこととなる。ｘi －δ＜ｘ＜ｘi において導波コア層１３に最近接するクラッド層１２－ａは、上記終端部ｘ＝ｘi において不連続構造を持つものの、下方より滑らかにほぼ平行性を持ちつつ導波コア層１３に近づいてくる一層下の別のクラッド層１２－ｂが、上記最近接クラッド層の断絶をカバーするとともに自らが最近接クラッド層となることで、導波コア層１３内の光が、損失を生じることなく図３中、向かって右側へと効率良く導波される。また、この時、各非連続クラッド層１２は、その上部の終端部において（図３に破線で示すように、その接線が導波コア層１３に平行（水平）またはほぼ平行であり）幾何学的に上部のクラッド層１１に平行またはほぼ平行である。導波方向はクラッド層１１に平行であることから（当然ながら水平方向であるので）、断絶クラッド層１２は、導波方向に沿って、その最後端において導波コア層１３に対して上述の如く、タンジェンシャルに合流するような構造を持つ。ｘ＝ｘi において最近接クラッド層１２－ａが終端した地点から、ホイヘンスの原理に従って、微小球面波として導波コア層１３を導波してきた光は拡がろうとするが、上記のタンジェンシャル性をもって下から近接してくる一段下の層のクラッド層１２－ｂにより全反射される。上記の“平行またはほぼ平行であること”とは、上記過程によって全反射が生じ得る程度に平行であることにより定義される。この平行性により、上記のように導波コア層１３内の光は散逸することなく、ほぼ１００％効率良く導波される。ｘ＝ｘi ＋δにおいてもクラッド層１２－ｂとクラッド層１２－ｃについて全く同様のことが生じる。以降のすべての本流・支流合流点でも同様である。
導波コア層１３の素材としては、例えば屈折率が１．６以上２．０以下程度の無機物質、無機ガラスあるいは屈折率１．６以上の高屈折率樹脂などが挙げられるが、これに限定されるものではない。光導入コア層１４の素材としては、例えば屈折率が１．６以上２．０以下程度の無機物質、無機ガラスあるいは屈折率１．６以上の高屈折率樹脂などが挙げられるが、これに限られることはない（特に同層を挟むクラッド層として空気層などを用いる場合）。また、クラッド層１１、１２としては、例えば屈折率１．３４等の低屈折率が得られる樹脂、例えばＣＹＴＯＰが挙げられる（この他、空気層などを用いることも可能である）。導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率とクラッド層１１、１２の屈折率との組み合わせの一例を挙げると、導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率が２．０、クラッド層１１、１２の屈折率が１．３５である。導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率を例えば１．６前後とすることにより安価な材料を用いることができることから光導波装置の大面積化が容易になるため、光導波装置の大面積化が必要な場合は、導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率を１．６前後、クラッド層１１、１２の屈折率を１．３５とすることも考えられる。あるいは、光導入コア層１４の作製時に犠牲スペーサ層を介在させて作製し、光導入コア層１４完成後は、当該犠牲スペーサ層を例えば溶かすことで、上述のように空気層（屈折率＝１）そのものをクラッド層として用いることも可能である。この場合、導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率を、例えば、通常の建材ガラスの屈折率であるｎ＝１．５～１．７程度とすることができる。この光導波装置は、例えば、クラッド層１１を下にして建築用窓材に張り合わせて使用することができる。この場合、例えば、この光導波装置の光出射部に、従来の面入射型太陽電池を光電変換部として配置して光電変換装置を構成することにより、建築用窓材において太陽光発電を容易に実現することができる。
クラッド層１１、１２の厚さは例えば１μｍ以上数μｍ以下（例えば、２μｍ以下）であるが、これに限定されるものではない。導波コア層１３の厚さは、１μｍオーダーから、１ｍｍオーダーであるが、建築物の外壁に設置する用途では、数ｍｍ程度も用いられ得る。この光導波装置をｐｎ接合に平行に光を入射させるフォトンフォトキャリア直交型太陽電池と結合する場合の導波コア層１３の厚さは、２μｍ以上３００μｍ以下あるいは２μｍ以上３００μｍ程度以下程度である。在来型のタンデム構造（直列タンデム構造）光電変換装置との接続では、数百μｍから数ｍｍの厚みを持たせ、これに対応する幅を持つ短冊状に形成した上記直列タンデム構造光電変換装置と結合させる。図１に示す導波路全体構造に置ける屈折率大の部分の面積Ｓとこれを包囲する縁の曲線の総延長（～クラッド層断面長さの総延長）Ｌを評価すると、既に述べたＳ～ｃＬ2 で定義される係数ｃの逆数：１／ｃ＝２００～１０4 となり、百～万のオーダーの量である。一般に、在来型の同じサイズの導波路と比べると、この光導波装置の導波路に対しては、総じて１／ｃの値が一桁以上大きな値となる。これは、導波コア層１３の始点と終端との間の至るところで外界から光を導入することが可能となるので、導波コア層１３と同じ屈折率を持つ領域、即ち光導入コア層１４が導波コア層１３辺縁部まで連続しており、この領域の縁に存在して外部からの光導入に寄与するクラッド層１２の（断面の線分）総延長がはるかに長くなることによる。
光導波装置の各部のサイズは、光導波装置の使用目的などに応じて適宜選ばれるが、例えば、図１のｘ軸方向の幅は５ｃｍ以上１００ｃｍ以下、ｚ軸方向の厚さは１ｍｍ以上６ｍｍ以下、奥行き（ｙ軸方向の幅）は３ｃｍ以上５０ｃｍ以下、クラッド層１２の曲線の形状は半径６ｍｍの四分の一円である。
［光導波装置の製造方法］
光導波装置の製造方法の一例を図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃおよび図４Ｄに従って説明する。
光導波装置の製造方法の一例を図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃおよび図４Ｄに従って説明する。
図４Ａに示すように、まず基板２１上に熱可塑性樹脂からなるクラッド層１２と光導入コア層１４との交互積層膜を形成し、基板２１上にこの交互積層膜と接するように型２２を固定するとともに、この交互積層膜上に押し板２３を載せる。型２２は四分の一円の形状の断面を有し、図４Ａに垂直方向に延びている。型２２の弧の長さは交互積層膜の高さと同じに選ばれる。
次に、図４Ｂに示すように、クラッド層１２および光導入コア層１４を構成する熱可塑性樹脂がある程度軟化する温度に加熱した状態で、押し板２３を押し下げつつ、型２２に当たるように横にずらすことで、交互積層膜が湾曲した構造を形成する。このとき、交互積層膜を形成するクラッド層１２および光導入コア層１４は型２２に倣って変形する。ここで、押し下げつつ、横にずらすのは、圧縮およびずり前の交互積層膜の高さが、圧縮およびずり後の型２２の弧の長さと一致するようにすることで、クラッド層１２および光導入コア層１４の基板２１に平行な方向の幅も圧縮およびずりの前後で維持できるようにするためである。この幅が高さによらず一定であることで、図１に示したクラッド層１２の間隔δでの周期配置構造が可能となる。光導入コア層１４の特性を上げるべく、完全平行から、“＋ずり”（光導入コア層１４の先端が細くなる）あるいは“－ずり”（光導入コア層１４の先端を相対的に太くする）などの調整も可能である。
この後、図４Ｃに示すように、押し板２３を外して、その上に、上面にクラッド層１１が設けられた導波コア層１３の圧着を行うことで、図４Ｄに示す構造が完成する（図示の便宜上、導波コア層１３と光導入コア層１４の間に黒線が描かれているが、実用上は、典型的には同一屈折率で作るので、当該黒線は実態としては存在しない点に留意されたい）。
クラッド層１２および光導入コア層１４の湾曲形状が四分の一円でない場合には、その型２２の曲線の形状をその湾曲形状に合わせれば良い。例えば、型２２の曲線の形状の取り方により、楕円を始め、他の有為な曲線、変曲点具有構造等も形成し得る。
［光導波装置の動作］
光導波装置の動作について説明する。一例として、図５に平面形状が長方形である光導波装置を光入射面側から見た図を示す。図５に示すように、外部から光導波装置の光入射面（光導入面）に対してほぼ垂直方向から入射光が入射する場合を考える。入射光は光入射面上の各光導入コア層１４の端面に入射し、光導入コア層１４とクラッド層１２との界面で全反射を繰り返しながら光導入コア層１４内を導波されて導波コア層１３に入り、続いて導波コア層１３内を矢印方向に導波され、導波コア層１３の端面から出射される。
光導波装置の動作について説明する。一例として、図５に平面形状が長方形である光導波装置を光入射面側から見た図を示す。図５に示すように、外部から光導波装置の光入射面（光導入面）に対してほぼ垂直方向から入射光が入射する場合を考える。入射光は光入射面上の各光導入コア層１４の端面に入射し、光導入コア層１４とクラッド層１２との界面で全反射を繰り返しながら光導入コア層１４内を導波されて導波コア層１３に入り、続いて導波コア層１３内を矢印方向に導波され、導波コア層１３の端面から出射される。
［光導波装置の検証シミュレーションおよび数値実験］
既に述べたように、図２のクラッド層１２－ａが終端する点、即ち、ｘ＝ｘi において、二つの分かれていた屈折率大の部分、即ち導波コア層１３および光導入コア層１４－ａが一つにまとまる（合流する）が、導波コア層１３から、クラッド層１２－ａの終端域において、ホイヘンスの原理に従って発する球面波が、光導入コア層１４－ａとこれに隣接するクラッド層１２－ｂに向かって拡がって行った際に、クラッド層１２－ｂは導波コア層１３にタンジェンシャルに接続されていることにより、当該クラッド層１２－ｂは当該クラッド層１２－ｂにより全反射条件を満たすようななだらかな曲線を描くよう構造を作製する。
既に述べたように、図２のクラッド層１２－ａが終端する点、即ち、ｘ＝ｘi において、二つの分かれていた屈折率大の部分、即ち導波コア層１３および光導入コア層１４－ａが一つにまとまる（合流する）が、導波コア層１３から、クラッド層１２－ａの終端域において、ホイヘンスの原理に従って発する球面波が、光導入コア層１４－ａとこれに隣接するクラッド層１２－ｂに向かって拡がって行った際に、クラッド層１２－ｂは導波コア層１３にタンジェンシャルに接続されていることにより、当該クラッド層１２－ｂは当該クラッド層１２－ｂにより全反射条件を満たすようななだらかな曲線を描くよう構造を作製する。
このことがもたらす効果を、コンピュータシミュレーションにより検証した。その結果を図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃに示す。ただし、シミュレーションに際しては、導波コア層１３および光導入コア層１４の屈折率は２．０、クラッド層１２の屈折率は１．３５と設定した。クラッド層１２の端部の導波コア層１３へのタンジェンシャル接続部の曲率半径は１．１ｍｍとした。シミュレーション領域としては、図２において一点鎖線で示す領域を用いた。
図６Ａは、図２の導波コア層１３（本流）と光導入コア層１４－ａ（図６Ａでは単に支流と記載されている）との合流部の拡大図である。図６Ａでは、図で示す位置に光強度測定用のモニターＡ、Ｂが配置されている。図６Ａ中の三角形は光の向きを示す。図６Ｂはｙ＝０における電場のｚ軸方向の振幅ＥZ のｘｚ面内の分布（光場）の計算結果を示す。図６Ｂに示すように、導波コア層１３を導波されてきた光は、クラッド層１２－ａが断絶するｘ＝ｘi を過ぎて、多少下に膨らむもののクラッド層１２－ｂで全反射されて導波コア層１３へと戻ってくる。モニターＡ、Ｂにおける光強度の計算結果を図６Ｃに示す。図６Ｃの横軸は光速ｃと時間Ｔとの積つまり距離である。図６Ｃから分かるように、モニターＡ、Ｂにおける光強度が一致しており、このことから、導波コア層１３が準解放系であり、またクラッド層１２が非連続的であるにもかかわらず、Ａの位置からＢの位置まで、導波コア層１３と光導入コア層１４－ａとの合流が導波効率に害を及ぼすことなく、光が損失を生じることなく１００％導波されていることが分かる。即ち、図６Ｂに示すように、上記の全反射状況は、導波コア層１３に対して（光導入コア層１４に隣接する）クラッド層１２が、その対導波コア層１３タンジェンシャル性を以って、もたらされている。
互いに合流する導波コア層１３および光導入コア層１４における光は、互いに相手側へ、中間のクラッド層１２が終端して以降、ホイヘンスの原理に従って拡がってゆくが、図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃに示すように、光導入コア層１４中を伝搬する光は、その拡がり先である導波コア層１３に隣接するクラッド層１１により全反射される。クラッド層１２に断絶があり、導波コア層１３は幾何学的に解放構造を持っているにもかかわらず、上記の当該非連続クラッド層１２の上部終端部において、導波コア層１３に対しタンジェンシャルな接続をとるよう非連続クラッド層１２を配置することにより、光の合流による損失が発生しない状況を実現することができる。図７Ａは、図２の導波コア層１３と光導入コア層１４－ａ（図７Ａでは光導入コア層（支流）と記載されている）との合流部の拡大図である。図７Ａでは、光導入コア層１４－ａおよび導波コア層１３にモニターＡ、Ｂ、Ｃが配置されている。図７Ｂは、ｙ＝０における電場のｚ軸方向の振幅ＥZ のｘｚ面内の分布（光場）の計算結果を示す。図７Ｂに示すように、光導入コア層１４－ａを導波されてきた光は、クラッド層１２－ａが断絶するｘ＝ｘi を過ぎて、ホイヘンスの原理により多少上に膨らむもののクラッド層１１で全反射されて導波コア層１３へと戻ってくる。図７Ａの光導入コア層１４－ａの左端の位置Ａにおける光強度、合流直後の位置Ｂにおける光強度および導波コア層１３の右端の位置Ｃにおける光強度を評価した結果を図７Ｃに示す。図７Ｃより、モニターＡ、Ｂ、Ｃにおける光強度がほぼ一致しており、導波コア層１３が準解放系でクラッド層１２が非連続的であることにより、支流である光導入コア層１４－ａから本流である導波コア層１３に光が注入され、合流地点から遠く離れた光導入コア層１４－ａの位置Ａから、光が損失を生じることなく導波コア層１３の位置Ｃまでほぼ１００％導波されていることが分かる。
図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃは、導波コア層１３を導波される光と光導入コア層１４－ａを導波される光との合流（合波）のシミュレーション結果である。図８Ａは、導波コア層１３と光導入コア層１４－ａとの合流部の拡大図である。図８Ａでは、導波コア層１３にモニターＡが配置され、光導入コア層１４－ａにモニターＢが配置され、導波コア層１３の下流にモニターＣが配置され、光導入コア層１４－ａのモニターＣに対応する位置にモニターＤが配置され、導波コア層１３のモニターＣより下流にモニターＥが配置されている。図８Ｂは、ｙ＝０における電場のｚ軸方向の振幅ＥZ のｘｚ面内の分布（光場）の計算結果を示す。図８Ｂに示すように、導波コア層１３を導波されてきた光と光導入コア層１４－ａを導波されてきた光は、クラッド層１２－ａが断絶するｘ＝ｘi を過ぎて、ホイヘンスの原理により多少上下に膨らむもののクラッド層１１とクラッド層１２－ｂで全反射されて導波コア層１３へと戻ってくる。図８ＡのモニターＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅにおける光強度を評価した結果を図８Ｃに示す。図８Ｃに示すように、モニターＡ、Ｂにおける光強度とモニターＣ、Ｄにおける光強度とがほぼ一致しており、モニターＥにおける光強度が、モニターＡ、Ｂにおける光強度とモニターＣ、Ｄにおける光強度との和に等しくなっていることから、導波コア層１３が準解放系であり、クラッド層１２が非連続的であることにより、光導入コア層１４－ａのモニターＡの位置から、導波コア層１３と光導入コア層１４－ａとの合流後のモニターＣの位置まで、光が損失を生じることなく１００％導波されていることが分かる。
以上、光導波装置における導波を３つの特徴的なパターンに分けて示してきたが、最後に、少し大局的な導波の様子（図１の導波コア層１３に沿って合流箇所を三つ含む場合の計算結果）を図９Ａおよび図９Ｂに示す。外部から光を取り入れることを反映して、支流である光導入コア層１４から光を入れた。図９Ａに支流左端を発した光の光導波装置内の導波の様子を示す。図９Ｂに図９ＡのモニターＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける光強度の評価結果を示す。図９Ｂに示すように、導波コア層１３と光導入コア層１４との合流箇所を三つ経ているにもかかわらず、光導入コア層１４のモニターＡの位置から導波コア層１３のモニターＤの位置まで、１００％導波されていることが分かる。
以上のように、この第１の実施の形態によれば、光導波装置が導波コア層１３の導波方向とその逆方向とに対して非対称な構造を有するため、光入射面に入射して光導入コア層１４から導入され、導波コア層１３に合流する光は導波コア層１３の内部をあらかじめ決められた導波方向に効率的に導波され、光導波装置から出射される。この光導波装置は、外部から入射する光を効率的に集光することができ、しかも導波コア層１３に途中で損失を生じることなく光を効率的に導波することができる。言い換えると、導波コア層１３内の光は、導波方向に沿って１００％導波されつつ、しかし、クラッド層１２の非連続性、導波コア層１３の準解放性によって、導波コア層１３に対する光の取り入れを、導波コア層１３の始点から終端までの至るところで、即ち導波方向の複数ポイントにおいて、行うことができる。そして、光の集光と高効率の導波という目的に対し、極めて有効な構造と機能を実現することができる。また、光導波装置の光入射面に入射する３次元空間伝播光を光導入コア層１４に導入し、光導入コア層１４内で全反射を繰り返しながら導波コア層１３に入射させ、導波コア層１３内を導波させるので、入射する３次元空間伝播光の波長によらず、導波コア層１３の内部に効率的に光を導入することができる。この光導波装置は、高効率の受光器、受光像の転送・再生機など、幅広い分野への応用が可能である。
〈第２の実施の形態〉
［光導波装置］
図１０は第２の実施の形態による光導波装置を示す。図１０に示すように、この光導波装置は、光入射面に光波進行方向変換層３５が設けられていることを除いて、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様な構成を有する。
［光導波装置］
図１０は第２の実施の形態による光導波装置を示す。図１０に示すように、この光導波装置は、光入射面に光波進行方向変換層３５が設けられていることを除いて、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様な構成を有する。
図１０に示すように、光波進行方向変換層３５は、この光波進行方向変換層３５に入射する入射光の入射角度によらず、入射光をこの光波進行方向変換層３５の面に垂直な方向の光に変換することができる。このため、様々な方向から入射光が光導波装置に入射しても、光波進行方向変換層３５により進行方向が光入射面に対して垂直な方向に変換されることにより、結果として光導入コア層１４内で全反射を繰り返しながら導波コア層１３の内部に光を導入することができる。
光波進行方向変換層３５による効果を検証するためにシミュレーションを行った。光波進行方向変換層３５として、スラブ導波路上に、放物線の断面形状を有する透明樹脂構造体のラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）構造（スペース＝０の場合を含む）を一方向に形成した１次元構造を用いた。当該透明樹脂の屈折率は１．５２とした。この１次元構造付きスラブ導波路に対して入射角θ0 （～３０°）で波長１．０μｍの光（平面波）を入射させた。この１次元構造付きスラブ導波路の厚さ方向をｚ軸、この１次元構造付きスラブ導波路に対する入射光と垂直方向をｘ軸、これらのｘ軸およびｚ軸に垂直な方向をｙ軸とした。図１１は、光波の電場のｙ軸方向の振幅Ｅy の大きさ（強度）のｘｚ面内の分布を示したものである。図１１より、この１次元構造付きスラブ導波路に入射角θ0 で入射した光は、この１次元構造を透過した後、スラブ導波路に対してほぼ垂直な方向から入射していることが分かる。即ち、このＬ＆Ｓ構造により、斜め入射光の進行方向を光波進行方向変換層３５の面に対しほぼ垂直方向に変換することができることが分かる。
図１２は、１次元構造を構成する放物線断面の構造体の幅ｗおよび高さｈを変えて、入射角θ0 に対する屈折角（実効屈折角）の変化をシミュレーションにより求めた結果を示す。比較のために、１次元構造なしの単純なスラブ導波路を用いた場合の同様な結果も図１２に示す。図１２より、単なるスラブ導波路を用いた場合に比べて、放物線断面の構造体からなる上記Ｌ＆Ｓ構造を介すると、垂直入射に近づく（実効屈折角は０°±１０°程度に抑えられる）ことが分かる。なお、断面形状は放物線でこれが軸の周りに回転対称性を有する構造、即ち回転放物面（パラボロイド）の集合体からなる膜（パラボロイド集合体膜）を光波進行方向変換層３５に用いることも有効である。
適切に選ばれた互いに異なる光波進行方向変換層３５を２層タンデムで用いることにより、ほぼ垂直入射を実現することができる。すなわち、例えば、図１２において、光が入射する側から見て１層目の光波進行方向変換層３５をｗ＝１．０μｍ、ｈ＝１．０μｍとし、２層目の光波進行方向変換層３５をｗ＝０．７μｍ、ｈ＝０．７μｍとする。今、１層目の光波進行方向変換層３５に入射する光の入射角をｘとし、１層目の光波進行方向変換層３５による屈折角をｘ’とすると、図１２に示すように０≦ｘ≦５０に対してほぼ０≦ｘ’≦１０となる。次に、２層目の光波進行方向変換層３５に入射する光の入射角をｘ’とし、２層目の光波進行方向変換層３５による屈折角をｘ”とすると、この０≦ｘ’≦１０に対して、再び図１２よりｘ”～０となることが解る。すなわち、ほぼ垂直入射とすることができる。
次に、光波進行方向変換層３５により実際に進行方向変換実験を行った結果について説明する。光波進行方向変換層３５としてはパラボロイド集合体膜を用いた。図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃ、図１３Ｄ、図１３Ｅ、図１３Ｆ、図１３Ｇおよび図１３Ｉに示すように、この実験では、光ビーム（レーザービーム）が入射するパラボロイド集合体膜の後ろにスクリーンを置いた配置となっていて、それぞれ入射角θ＝０°、１０°、２０°、３０°、４０°、５０°、６０°、７０°、８０°となっている（各図において光ビームの入射方向を矢印で示す）。図１３Ａ～図１３Ｉより、垂直入射（入射角θ＝０°）の配置から徐々に入射角θを大きくしていった場合（入射方向を矢印で示す）のスクリーン上の光強度の最も大きなところの位置の変遷が分かる。図１３Ａ～図１３Ｉより、斜め入射をしても、垂直入射（±１０°程度）の場合の光の位置に強い光強度が確認され、斜めから入る光に対しても垂直方向への光波進行方向変換が良く行われていることが分かる。またＬＥＤ光源によっても同様の結果が得られることを確かめた。これにより、昼間のどの時間帯であるかにかかわらず、光導波装置の光入射面には、ほぼ垂直に太陽光が入射するように設定されることが実証された。
図１４Ａおよび図１４Ｂは光波進行方向変換層３５を２層タンデムで用いた場合に３次元入射光（３Ｄ）を光導波装置の入射面に垂直に入射させた時に３次元入射光が２次元導波光（２Ｄ）に変換される様子をシミュレーションにより求めたものであり、図１４Ａは光導波装置内における光場に加えてクラッド層１２および光導入コア層１４の構造を表示したもの、図１４Ｂは光場のみを表示したものである。この光導入部の構造は紙面に対し深さ方向に併進対称性を持っている（その断面構造が図１４Ａに示されている）。この光導入部は、ｘ軸方向に沿って離散的な併進対称性を持っており、真下からの光を垂直縦長楕円（この例では短軸１１μｍ、長軸２２μｍで、光レシーバー[receiver]部と呼ぶ）とこの楕円の頂上部で接続する水平横長楕円（この例では短軸３０μｍ、長軸１８０μｍで、光マージャー[merger]部と呼ぶ）から成る。光マージャー楕円は、その頂上部で導波コア層１３とタンジェンシャルに合流している。図１４Ａの構造では、光レシーバー楕円の頂上部（光マージャー楕円との接続点）は、上記導波コア層１３下端から８μｍ下方の位置に存在するように設定している。光導入コア層１４の幅は下端入射面で（ｘ軸方向に沿って）約２．２５μｍ、クラッド層１２の幅は同０．４μｍであるが、３２周期毎にクラッド層１２の幅を１μｍと厚くした離散的併進対称性を光導入コア層１４はｘ軸方向に沿って有している。計算に用いた波長は１μｍである。図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、３次元入射光は一部が光導入コア層１４を垂直に抜けて光漏れが生じるが、大部分は２次元導波光に効率的に変換されることが分かる。図１５は、３次元入射光の２次元導波光への変換効率と入射角との関係を波長が１μｍの場合と０．５μｍの場合とについて示したものである。図１５より、入射角が０°付近では３次元入射光の２次元導波光への変換効率（即ち図１～図３における導波コア層１３への光の導入効率）がほぼ５０％となっていること、変換効率の波長依存性が小さいことが分かる。変換効率の波長依存性が小さいのは、この光導波装置では、反射光学系が使用されているためである。
この第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、光導波装置に対する光の入射角によらず、光導波装置の光入射面にほぼ垂直に太陽光が入射するように設定することができるという利点を得ることができる。特に、図１２から分かるように、上記Ｌ＆Ｓ構造では、ｗ＝０．７μｍ、ｈ＝０．７μｍのＬ＆Ｓ構造を用いると垂直入射からのずれを概ね８度以下に抑えることができることが、また、パラボロイド集合体膜を光波進行方向変換層３５に用いる場合も、図１３Ａ～図１３Ｉから分かるように垂直入射からのずれを概ね同程度に抑えることができる。このように光波進行方向変換により入射光を光導波装置の光入射面に垂直に入射させることができ、この入射角の光は、図１０の構造（例えば、導波コア層１３および光導入コア層１４は屈折率２．０、クラッド層１１、１２は屈折率１．３５を有する）に対し、クラッド層１２（四分の一円であるので、入射面にクラッド層１２は直交していることに注意されたい）で全反射される。このようにして、光を光導入コア層１４を介して効率良く導波コア層１３に導入することができ、導波コア層１３の内部を導波される光量の大幅な増加を図ることができるという利点を得ることができる。
〈第３の実施の形態〉
［光導波装置］
図１６Ａは第３の実施の形態による光導波装置を示し、特に、光導入効率の高い光導入コア層１４およびクラッド層１２の部分の一例を模式的に示したものである。
［光導波装置］
図１６Ａは第３の実施の形態による光導波装置を示し、特に、光導入効率の高い光導入コア層１４およびクラッド層１２の部分の一例を模式的に示したものである。
図１６Ａに示すように、この光導波装置においては、クラッド層１２－ａとクラッド層１２－ｂとで挟まれた光導入コア層１４－ａ内に補助的にクラッド層１２’、１２''、１２''' 、１２''''等が設けられている。図示しないが、クラッド層１２－ｂとクラッド層１２－ｃとで挟まれた光導入コア層１４－ｂ内にも同様の構造が作製され、これらの層を含め、全体でｘ軸方向に離散的併進対称性が確立されている。この補助的なクラッド層１２’、１２''、……は、クラッド層が相互に近づいてくるレートを小さくするために設けられる（当該クラッド層の曲線を、局所的に直線で近似すると、その交差角εを小さくする効果があり、光導入コア層１４内を遠くまで光を届けることができる）。補助的なクラッド層１２’、１２''、……は光導入コア層１４－ａの長さ方向の途中の範囲にだけ設けられており、その長さおよび位置は、上記の実効交差角（同じｚ座標値における接線の成す角の差）で定量的に決定することができる。好適には、（π／２－θc ）／ε（ただし、θc は臨界角）が十分大きくなるように取る。図１６Ｂに導波性能を検証するために行ったシミュレーションの結果を示すが、この補助的なクラッド層１２’、１２''、……により、光導入コア層１４－ａ内を全反射を繰り返しながら光を導波する場合、光導入コア層１４－ａの全長で全反射条件をより簡単に満たすことができるようになる。これはタンジェンシャル接続の別の例であり、中途断絶するクラッド層の上下のコア層を伝搬する光がホイヘンスの原理に従って微小球面波が、中断クラッド層（補助的なクラッド層）の上下のクラッド層で全反射する程度に上記３本のクラッド層の接線の傾きが互いにほぼ平行である。このように、局所的な領域の各場所毎に、上記接線の傾きがほぼ平行であることを満たせばよいので、大局的には、（上記光導波あるいは光導入）導波路は、（図１等に代表される平面状のみならず）図１６Ａに示すように一般になだらかに湾曲していてもよい（車のボンネットなどにこの発明の光導波装置を張り付ける際に有用な特徴となる）。この光導波装置のその他の構成は、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様である。
また図１６Ａに示す構造と実効的に同様の効果をもたらす構造として、図１６Ａの根本の部分から上方に向かって進むにつれて補助的なクラッド層の幅が狭くなり、図１６Ａで補助的なクラッド層が途絶えている地点以降で、この幅が光侵入長にくらべて小さくなってクラッド層として機能しない厚みとなっているような構造（先細り構造）を採用することも有効である。この場合、補助的なクラッド層を構成する物質材料自体は図１６Ａの根本の部分からメイン導波路である導波コア層１３まで途切れることなく連続的に存在する配置を採ることができ、より容易に作製できるメリットを有する。例えば、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃおよび図４Ｄに示す横（ｘ軸）方向へのずらしを応用した作製法に従えば、クラッド層１２の体積保存とクラッド層１２のｘ方向のスライスの幅が不変であることを合わせると、クラッド層１２は図の下方からの光の進行に沿ってはその幅を小さくして行くことが分かる。横方向へのずらしを図の縦方向の位置（ｚ座標）に応じて制御する（ことを通じて、例えば図１４Ａのような構造を得る）ことで、上述の先細り構造を実現することができる。
この第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、光導入コア層１４から導波コア層１３に到達する光の量を増やすことができ、光導波装置に入射する光の利用効率の向上を図ることができるという利点を得ることができる。
〈第４の実施の形態〉
［光導波装置］
図１７は第４の実施の形態による光導波装置を示す。図１７に示すように、この光導波装置は、光入射面側のクラッド層１２が直線状の断面形状を有することを除いて、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様な構成を有する。
［光導波装置］
図１７は第４の実施の形態による光導波装置を示す。図１７に示すように、この光導波装置は、光入射面側のクラッド層１２が直線状の断面形状を有することを除いて、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様な構成を有する。
図１７に示すように、この光導波装置においては、光入射面側の厚さｔの範囲のクラッド層１２が光入射面に対して角度φをなす直線の断面形状を有し、図１に示す四分の一円の接線が水平方向からθの仰角を持つ位置で接続されている。ここで、ｔ＝δ・tan φである。φは、θに対し、φ = (θ＋π／２）／２を満たすように設定する。この直線状のクラッド層１２は、低屈折率層のほか、アルミニウムなどの光の反射率が高い金属により構成される。
この第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、光導波装置の光入射面に垂直に入射する光をクラッド層１２の直線部で効率的に全反射させることにより、始点と終端との間の至る所で損失を生じることなく滑らかに光導入コア層１４を導導波させることができ、光導波装置の光入射面に入射する光の利用効率の向上を図ることができるという利点を得ることができる。
〈第５の実施の形態〉
［光電変換装置］
図１８は第５の実施の形態による光電変換装置を示す。図１８に示すように、この光電変換装置は、第１の実施の形態による光導波装置を用いたものである。
［光電変換装置］
図１８は第５の実施の形態による光電変換装置を示す。図１８に示すように、この光電変換装置は、第１の実施の形態による光導波装置を用いたものである。
図１８に示すように、この光電変換装置は、光導波装置部および光電変換部を有する。光導波装置部は、図１に示す光導波装置と同様な構造を有する。光電変換部は各種の太陽電池あるいは光電変換素子であってもよいが、図１８においては、光電変換部が光電変換用の半導体層５０により構成される場合が示されている。この場合、クラッド層１１上に設けられ、導波コア層１３の外側に延在した基板４０上に、導波コア層１３の端面に接触して半導体層５０が設けられている。
基板４０は、光導波装置の機械的支持や機械的保護の役割なども果たすことができ、導波コア層１３の内部に光を効率良く閉じ込めるためのクラッド層としての役割を果たすことができるものであってもよく、この場合は、クラッド層１１を兼用させることもできる。基板４０は２層以上の多層構造となっていてもよい。基板４０は、例えば、ガラス板、透明プラスチック板などである。透明プラスチック板を構成する透明プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフッ化ビニリデン、アセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルホン類、ポリオレフィン類などを用いることができる。また、基板４０はフレキシブルなものであってもよく、この場合は、凸面または凹面に沿って曲げた状態で光電変換装置を容易に設置することができる。
半導体層５０はｐｎ接合を有し、そのｐｎ接合面が導波コア層１３の主面に平行になっている。半導体層５０は一般的には細長い長方形の平面形状を有する導波コア層１３と半導体層５０とは互いに一体に設けられており、全体として面状の形状を有する。
半導体層５０の上下（光入射側を上とする）の互いに対向する一対の面（上面および下面）にそれぞれ第１の電極６０および第２の電極７０が設けられている。これらの第１の電極６０および第２の電極７０の一方はアノード電極、他方はカソード電極として用いられる。例えば、第１の電極６０がアノード電極、第２の電極８０がカソード電極として用いられる。第１の電極６０および第２の電極７０は、半導体層５０が互いに異なる半導体からなる複数の領域に分割されている場合には各領域毎に設けられてもよいし、一方が全ての領域上に延在する全面電極であってもよい。
この光電変換装置においては、光導波装置部の光入射面に入射した入射光（３次元空間伝播光）は、光導入コア層１４を介して導波コア層１３の内部に入って導波された後、導波コア層１３の端面から出射されて半導体層５０に入射するように構成されている。図１９に示すように、この場合、導波コア層１３の内部を導波される光の正味の進行方向と、導波コア層１３の端面から半導体層５０に入射した光によりこの半導体層５０中に生成されるキャリア（フォトキャリア）の正味の移動方向（第１の電極６０と第２の電極７０とを最短で結ぶ方向）とのなす角度Θはほぼ直角である。角度Θは、具体的には、第１の電極６０の光の進行方向の幅あるいは半導体層５０が互いに異なる半導体からなる複数の領域に分割されており第１の電極６０が各領域毎に設けられる場合には各領域毎に設けられる第１の電極６０の光の進行方向の幅をＷ´、半導体層５０の厚さをｄとすると、π／２－δ≦Θ≦π／２＋δ（ただし、δ～ｄ／Ｗ´）であり、典型的には８０°≦Θ≦１００°であり、最も好適には９０°である。導波コア層１３と半導体層５０との接合面には、導波コア層１３から半導体層５０に入射する光の反射を防止するために、好適には反射防止膜が設けられる。
この光電変換装置においては、好適には、外部から光が入射する際に半導体層５０に光が直接入射しないように構成される。言い換えると、光電変換装置に光が入射する場合、光導波装置部の光入射面には光が入射するが、半導体層５０の面には光が直接入射しないようにする。このためには、具体的には、例えば次のようにする。例えば、第１の電極６０を覆うように半導体層５０の上方に遮光層を設ける。遮光層は従来公知のものを用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、アルミ箔の両面にプラスチックフィルムが形成されたアルミラミネートフィルムなどである。この遮光層により、半導体層５０に光が直接入射しないようにすることができる。また、基板４０が建築物や電子機器の外面の一部を構成する場合には、光導波装置部には太陽光が入射するが、半導体層５０には太陽光が入射しないように、言い換えれば半導体層５０が陰になるように部材などにより覆うようにする。例えば、建築物の窓にこの光電変換装置を設置する場合には、窓ガラスが基板４０となり、外部に露出した窓ガラス上に光導波装置部が設けられ、半導体層５０は例えばＡｌ製の窓枠の内側に隠れるようにする。また、この光電変換装置を建築物の屋根に敷き詰める場合には、隣接する光電変換装置の端部が上下に重なり合うようにし、上の光電変換装置の端部の半導体層５０により下の光電変換装置の端部の半導体層５０が覆われるようにする。また、電子機器、例えばスマートフォンのディスプレイ部にこの光電変換装置を設置する場合には、このディスプレイ部の表面の透明部材が基板４０となり、外部に露出した透明部材上に光導波装置部が設けられ、半導体層５０はこのディスプレイ部の表面に設けられた部材の内側に隠れるようにする。
半導体層５０は、例えば、既に挙げたものの中から必要に応じて選ばれる。半導体層５０は、典型的には、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合である。好適には、半導体層５０のうちの第１の電極６０および第２の電極７０が接触する部分が高不純物濃度にドープされ、これらの第１の電極６０および第２の電極７０が半導体層５０とオーミック接触するようにする。半導体層５０の一辺の長さは、典型的には、この半導体層５０が設けられる導波コア層１３の辺の長さと同一に選ばれるが、この辺と直角な辺の長さは、典型的には０．５μｍ～５ｍｍであり、好適には２μｍ～１ｍｍである。光導波装置部の大きさは上述のように例えば（５ｃｍ～１００ｃｍ）×（３ｃｍ～５０ｃｍ）であるので、この半導体層５０の面積は一般的には光導波装置部の面積よりはるかに小さくて済む。即ち、この光電変換装置は、光導波装置部が大部分を占め、半導体層５０は端のわずかな部分しか占めない。例えば、光導波装置部の大きさが１０ｃｍ×１０ｃｍ、半導体層５０の大きさが１ｍｍ×１０ｃｍとすると、光導波装置部と半導体層５０との全体の面積に占める半導体層５０の面積の割合は、０．１×１０／１０．１×１０＝０．００９９≒１％に過ぎない。これに加えて、半導体層５０の厚さは、一般的には数十μｍ以下と小さいので、半導体層５０の体積も極めて小さい。即ち、半導体層５０の使用量が極めて少なくて済む。このため、光電変換装置の製造コストの低減を図ることができる。
半導体層５０のバンドギャップあるいはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップＥg は、半導体層５０内の光の進行方向にＮ段階（Ｎ≧２）に段階的に減少しており、順にＥg1、Ｅg2、…、ＥgN（Ｅg1＞Ｅg2＞…＞ＥgN）となっている。図２０に一例としてＮ＝４の場合を示すが、これに限定されるものではない。図２０に示すように、半導体層５０は、バンドギャップあるいはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップＥg がそれぞれＥg1、Ｅg2、Ｅg3、Ｅg4の領域５１、５２、５３、５４からなる。各領域５１、５２、５３、５４は、導波コア層１３の半導体層５０が設けられた辺に平行な方向に延在する細長いストライプ状の形状を有する。図２０においては、各領域５１、５２、５３、５４上に互いに分離してそれぞれ第１の電極６１、６２、６３、６４が設けられている。第２の電極７０は全面電極であり、各領域５１、５２、５３、５４の共通電極である。半導体層５０を構成する各Ｅgi領域の幅（光の進行方向の幅で、図２０の横方向の長さ）は、各Ｅgi領域の光電変換対象光子（各Ｅgi領域のバンドギャップＥgi以上のエネルギーを有する光子）のうち、最低エネルギーのものに対するこのＥgi領域の吸収係数をαi とすると、１／αi 以上とする。
Ｅgiは次のように設定することができる。例えば、ＡＭ１．５太陽光スペクトルの全波長範囲またはその主要な波長範囲（入射エネルギーが高い部分を含む範囲）において、波長をＮ個の区間に分ける。そして、これらの区間に短波長側（高エネルギー側）から順に１、２、…、Ｎというように番号を付け、ｉ番目の区間の最小光子エネルギーに等しくＥgiを選ぶ。こうすることで、ｋ番目の区間の光子エネルギーを有する光子がＥgi領域に入射すると電子－正孔対が発生し、光電変換が行われる。また、この場合、このｋ番目の区間の光子エネルギーを有する光子が各Ｅgi領域に到達して十分に吸収されるように、導波コア層１３と半導体層５０との接合面からこのＥgi領域までの距離を選ぶ。これによって、導波コア層１３の内部を導波されて半導体層５０に入射する太陽光は、まずＥg1領域に入射してそのスペクトルのうち光子エネルギーがＥg1以上のものが吸収されて光電変換され、続いてＥg2領域に入射してそのスペクトルのうち光子エネルギーがＥg2以上でＥg1より小さいものが吸収されて光電変換され、最終的にＥgN領域に入射してそのスペクトルのうち光子エネルギーがＥgN以上でＥgN-1より小さいものが吸収されて光電変換される。この結果、太陽光スペクトルのほぼ全範囲あるいは主要な波長範囲の光を光電変換に使用することができる。
各Ｅgiの設定は、各Ｅgi領域を構成する半導体の組成や半導体の形態（アモルファス、多結晶、単結晶）などを変えることにより行うことができる。具体的には、各Ｅgi領域を別種の半導体により構成する。この場合、この半導体は、吸収係数αの大小は問わず、キャリア移動度μの高いものを選ぶことができるので、選択肢が広い。無機半導体を用いる場合について具体例をいくつか挙げると次の通りである。Ｎ＝３の場合には、例えば、Ｅg1領域をＳｉx Ｃ1-x （Ｅg ＝１．８～２．９ｅＶ）、Ｅg2領域をＳｉ（Ｅg ＝１．１１ｅＶ）、Ｅg3領域をＧｅ（Ｅg ＝０．７６ｅＶ）により構成する。また、Ｎ＝４の場合には、例えば、Ｅg1領域をＳｉx Ｃ1-x （Ｅg ＝１．８～２．９ｅＶ）、Ｅg2領域をアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）（Ｅg ＝１．４～１．８ｅＶ）、Ｅg3領域をＳｉy Ｇｅ1-y （Ｅg ＝１．１１ｅＶ）、Ｅg4領域をＳｉy Ｇｅ1-y （Ｅg ＝～０．７６ｅＶ）により構成する。あるいは、Ｎ＝４の場合に、Ｅg1領域をＩＧＺＯ（Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの酸化物）（Ｅg ＝～３ｅＶ）、Ｅg2領域をＳｉx Ｃ1-x （Ｅg ＝～１．８ｅＶ）、Ｅg3領域をＳｉ（Ｅg ＝１．１１ｅＶ）、Ｅg4領域をＳｉy Ｇｅ1-y （Ｅg ＝～０．７６ｅＶ）により構成する。そのほかに、次のように構成することもできる。Ｎ＝２の最も簡単な場合には、例えば、Ｅg1領域をａ－Ｓｉ（Ｅg ＝１．４～１．８ｅＶ）、Ｅg2領域をＳｉy Ｇｅ1-y （Ｅg ＝～０．７６ｅＶ）により構成する。また、Ｎ＝３の場合には、例えば、Ｅg1領域をＧａＰ（Ｅg ＝２．２５ｅＶ）、Ｅg2領域をＧａＡｓ（Ｅg ＝１．４３ｅＶ）、Ｅg3領域をＩｎＮ（Ｅg ＝０．７ｅＶ）により構成する。また、Ｎ＝４の場合には、例えば、Ｅg1領域をＧａx Ｉｎ1-x Ｎ（Ｅg ＝２．３ｅＶ）、Ｅg2領域をＧａy Ｉｎ1-y Ｎ（Ｅg ＝１．４～１．８ｅＶ）、Ｅg3領域をＧａz Ｉｎ1-z Ｎ（Ｅg ＝１．１ｅＶ）、Ｅg4領域をＩｎＮ（Ｅg ＝０．７ｅＶ）により構成する。また、Ｎ＝５の場合には、例えば、Ｅg1領域を直径１．９ｎｍ程度のＣｄＳｅ微粒子（吸収ピーク波長４４５ｎｍ）、Ｅg2領域を直径４．０ｎｍ程度のＣｄＳｅ微粒子（吸収ピーク波長５８５ｎｍ）、Ｅg3領域を直径２ｎｍ程度のＰｂＳｅ微粒子（吸収ピーク波長８００ｎｍ）、Ｅg4領域を直径４．５ｎｍ程度のＰｂＳｅ微粒子（吸収ピーク波長１１００ｎｍ）、Ｅg5領域を直径９０ｎｍ程度のＰｂＳｅ微粒子（吸収ピーク波長２３００ｎｍ）により構成する。さらに、ＧａＩｎＮx Ａｓ1-x やＧａＩｎＮx Ｐ1-x を用いてｘの制御だけでＮ～１０の場合のＥgi領域を構成することも可能である。加えて、Ｔｅを含ませると大きなボウイング（bowing）を示すことが知られているＩＩ－ＶＩ族化合物半導体を用いてＥgi領域を構成してもよい。有機半導体と無機半導体とを用いる場合についての具体例を挙げると次のとおりである。例えば、Ｎ＝４の場合には、Ｅg1領域をＭＤＭＯ－ＰＰＶ（Ｅg ＝２．２ｅＶ）、Ｅg2領域をａ－Ｓｉ（Ｅg ＝１．４～１．８ｅＶ）、Ｅg3領域をポリアセン系（ヘキサセン）半導体（Ｅg ＝１～１．２ｅＶ）、Ｅg4領域をポリアセン系（ヘプタセン）半導体（Ｅg ＝０．６～０８ｅＶ）により構成する。また、Ｎ≧２の場合に、Ｅg1領域をＩＧＺＯ（Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの酸化物）（Ｅg ＝～３ｅＶ）、ＡｌＩｎＮ（Ｅg ＝２．８～３ｅＶ）、またはＧａＩｎＮ（Ｅg ＝２．８～３ｅＶ）、あるいは同様のバンドギャップを有する酸化物半導体（ＺｎＯ、ＺｎＭｇＯ等）のうちのいずれか一つとし、それに続く領域、例えば、Ｅg2領域をａ－Ｓｉ（Ｅg ＝１．４～１．８ｅＶ）とすることで、４５０ｎｍ以下の波長の光によって生ずることが示されているステブラー・ロンスキー反応を起こす光子を、予め、ａ－Ｓｉ層に侵入する前に、光電変換しておくことで同反応を抑えることができ、従って、ａ－Ｓｉ層からなる光電変換領域の寿命を伸ばすことができる。また、導波コア層１３の端に、ハライド系有機－無機ペロブスカイト半導体（ＣＨ3 ＮＨ3 ＰｂＩ3 ）太陽電池や、銅、亜鉛、スズ、硫黄を原料とするＣＺＴＳを用いることも有効である。ＣＩＧＳ（Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ）系、ＣＺＴＳｅ（Ｃｕ2 ＺｎＳｎＳｅ4 ）系を用いても良い。ＣＺＴＳ内のバルク再結合が性能低下の要因とされているので、図２０のような光進行方向とフォトキャリア移動方向が直交する配置は、キャリアが電極に到着する時間を、光吸収を犠牲にすることなく短くすることができるので、極めて有効である。一方、銅、スズ、ゲルマニウム、硫黄を構成元素とするＣＴＧＳは、バンドギャップが１．０ｅＶで、高い光吸収係数、非毒性・非希少元素の材料として注目されている。Ｇｅ／Ｓｎ比の制御でバンドギャップの調整が可能なので、図２０の導波コア層１３の端に、並列接続タンデム配置する光電変換素子として有望である。上記の単なるパッシベーションでなく、有効に光電変換しつつコヒーシブエネルギーを抑える高エネルギー光子除去機能は、同じく戸外での使用には弱いとされている有機半導体光電変換部の信頼性の向上や長寿命化にも有効である。この光電変換装置を太陽電池として使用する場合、この太陽電池は導波コア層１３、即ち導波路が結合した太陽電池であるため、導波路のｘ方向の長さを太陽電池の厚みで割った値が集光比となる高効率の集光系である。レーザー応用の太陽電池は、太陽光をレーザー光（発振波長約１．０６μｍ）に変換し、これを結晶Ｓｉ太陽電池に照射して発電するというシステムであり、太陽電池の膜厚がわずか５０μｍでも光閉じ込め構造を適用することで、入射光に対して０．８～０．９という高い量子効率を得ており、２０Ｗ／ｃｍ2 のレーザー照射強度で変換効率３０％を達成しているが、この光電変換装置による横方向からの光注入システムは、ラテラル方向に光を吸収することで、上記の光閉じ込め構造と同等の効果を有し、光強度についても集光比が上述の通り、構造設計により十分大きくとれるので、レーザーを使わないにもかかわらず、上記のレーザー系と同等乃至それ以上の光電変換効率を実現することができる（具体的には、１Sun の光強度は、１ｋＷ／ｍ2 ＝１００ｍＷ／ｃｍ2 程度であるので、例えば図２０の領域５１、５２等の厚みが１０μｍ（１００μｍ）の時には、これに結合する導波コア層１３の横幅（ｘ軸方向の拡がり）が１ｃｍ（１０ｃｍ）程度あれば［集光比は、当該横幅を上記厚みで除したもので与えられるので］、上記２０Ｗ／ｃｍ2 の強度［２００Sun 相当の強度］は十分に達成できる）。並列接続タンデム構造を用いれば、さらなる高効率が達成できる。
各Ｅgi領域の厚さｄは必要に応じて選ばれるが、例えば数μｍ～数十μｍである。各Ｅgi領域の幅（半導体層５０内の光の進行方向の幅）も必要に応じて選ばれるが、例えば数十μｍ～数百μｍである。例えば、図２１は図２０の領域５１～５４の拡大図であるが、各領域５１～５４の厚さｄを数μｍ～数十μｍ、各領域５１～５４の幅ｗ1 ～ｗ4 を数十μｍ～数百μｍ、例えば～１００μｍに選ぶ。
図２２に示すように、典型的な場合、各領域５１～５４はｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合により構成される。図２２には、各領域５１～５４を構成するｐｎ接合の接合面を破線で示す。
［光電変換装置の動作］
この光電変換装置の動作について説明する。半導体層５０はｐｎ接合とする。図１８に示すように、この光電変換装置の光導波装置部の光入射面に３次元空間伝播黒体輻射光、例えば太陽光が入射する。半導体層５０の主面には光は直接入射しない。光導波装置部の光入射面に入射した３次元空間伝播光は、光導入コア層１４を通って導波コア層１３の内部に入り、導波コア層１３の内部を効率的に導波され、導波コア層１３の端面から出て半導体層５０の側面（端面）に入射した後に半導体層５０内を進み、その過程で半導体層５０中に電子－正孔対が生成される。そして、こうして生成された電子および正孔は半導体層５０内をドリフトまたは拡散により移動し、第１の電極６０および第２の電極７０のうちの一方および他方に収集される。こうして半導体層５０内で光電変換が行われ、第１の電極６０と第２の電極７０とから外部に電流（光電流）が取り出される。
この光電変換装置の動作について説明する。半導体層５０はｐｎ接合とする。図１８に示すように、この光電変換装置の光導波装置部の光入射面に３次元空間伝播黒体輻射光、例えば太陽光が入射する。半導体層５０の主面には光は直接入射しない。光導波装置部の光入射面に入射した３次元空間伝播光は、光導入コア層１４を通って導波コア層１３の内部に入り、導波コア層１３の内部を効率的に導波され、導波コア層１３の端面から出て半導体層５０の側面（端面）に入射した後に半導体層５０内を進み、その過程で半導体層５０中に電子－正孔対が生成される。そして、こうして生成された電子および正孔は半導体層５０内をドリフトまたは拡散により移動し、第１の電極６０および第２の電極７０のうちの一方および他方に収集される。こうして半導体層５０内で光電変換が行われ、第１の電極６０と第２の電極７０とから外部に電流（光電流）が取り出される。
この光電変換装置においては、上述のようにΘはほぼ直角であるため、従来の一般的な太陽電池と異なり、吸収光子数およびフォトキャリア収集効率はトレードオフの関係ではなくなる。最も好適には、Θ＝９０°とすることができる。言い換えると、第１の電極６０と第２の電極７０とを最短に結ぶ直線に垂直な方向から、導波コア層１３の内部を導波されて導波コア層１３の端面から出射される光を半導体層５０に入射させることができる。この場合、半導体層５０の吸収光子数は、光の入射方向の幅（半導体層５０が例えば領域５１～５４からなる場合には領域５１～５４の幅ｗ1 ～ｗ4 ）で支配され、光電変換効率は光吸収律速領域では半導体層５０の厚さｄに支配されない。即ち、この光電変換装置の極めて有利な点は、導波コア層１３の内部の導波方向とキャリアの移動方向とを例えば互いに直交させることにより、光吸収の最適化とキャリア収集効率の最適化とを完全に両立させることができることである。さらに、半導体層５０の吸収係数αの小ささは、光の入射方向の半導体層５０の幅（半導体層５０が例えば領域５１～５４からなる場合には領域５１～５４の幅ｗ1 ～ｗ4 ）を大きくすることにより補うことができるので、半導体層５０の材料として、αの大小にとらわれることなく、唯一の支配パラメータであるμの大きい材料を用いることができる。こうすることで、高い光電変換効率を得ることが可能となり、熱力学的限界に迫る光電変換効率を得ることも可能である。
この第５の実施の形態によれば、次のような種々の利点を得ることができる。即ち、この光電変換装置においては、光導波装置部により、第１の実施の形態と同様に、広範な波長帯の３次元空間伝播光を導波コア層１３の内部を効率的に導波させ、この広範な波長帯の光を半導体層５０に入射させて光電変換を行うことができるので、極めて高い光電変換効率を得ることができる。また、この光電変換装置においては、光導波装置部が大部分の面積を占め、この光導波装置部の光入射面全体で入射光を受光することができるため、入射光に対する不感領域が実質的にない。また、この光電変換装置においては、光導波装置部の光入射面に入射し、最終的に導波コア層１３の内部を導波されて集光された光が半導体層５０に入射するため、極めて高い光電変換効率を得ることができる。例えば、光導波装置の大きさが１０ｃｍ×１０ｃｍ、半導体層５０の厚さｄが５０μｍ＝５０×１０-4ｃｍ、半導体層５０の幅が１０ｃｍとすると、集光率は（光導波装置部の面積）／（半導体層５０の光が入射する端面の面積）＝（１０×１０）／（１０×５０×１０-4）＝２０００倍となる。このときの光電変換効率は少なくとも６０％を超える。また、従来の太陽電池では、光入射面の全体に光電変換用の半導体を設ける必要があるため、半導体の使用量が多いのに対し、この光電変換装置においては、半導体層５０はごく一部の面積を占めるに過ぎず、その体積も極めて小さくて済むため、半導体の使用量が少なくて済み、製造コストの低減を図ることができる。また、半導体層５０が、この半導体層５０内の光の進行方向にバンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが段階的に減少する複数の領域により構成される場合には、太陽光の高エネルギーの紫外成分を例えば１段目の領域で吸収することができるため、後段の領域に紫外成分が入射しないようにすることができる。このため、後段の領域をアモルファスシリコンや有機半導体により構成しても、ステブラー・ロンスキー効果や有機半導体の劣化の問題がない。このため、これによっても光電変換効率の向上を図ることができるとともに、光電変換装置の信頼性の向上を図ることができる。さらに、この光電変換装置は、光導波装置の面積を大きくするだけで容易に大面積化が可能である。また、導波コア層１３の端部に半導体層５０が設けられ、導波コア層１３内を導波される光が導波コア層１３の端面から出て半導体層５０に入射するように構成されているため、集光のためのレンズなどが不要であり、構成も極めて簡単であり、光軸合わせなども不要であるため、製造が容易であるだけでなく、製造コストの低減を図ることもでき、経時変化や経年変化を防止することもできる。
また、この光電変換装置においては、光導波装置部の光入射面、即ち受光面と光電変換領域である半導体層５０とを空間的に分離することができるので、太陽光の直射による半導体層５０の温度上昇を抑えることができる。例えば、光導波装置部が緩やかな曲率を持つ部分を含み、当外部分を瓦の下、屋根の中央部迫り出し稜線の下、窓の桟の下等に配置し、光導波装置部の光入射面に光が入射する際に半導体層５０は陰の部分に配置することができる。これにより直射光による温度上昇と、直射光の中の紫外（ＵＶ）光成分による半導体層５０の化学結合に対する悪影響との双方を抑制することができる。特に、太陽光の入射する一層目のバンドギャップＥg1を、用いる半導体材料のコヒーシブエネルギー以上に設定することで、後段の半導体の化学結合を保護し、素子寿命を延ばすことができ、長期信頼性が得られる。温度上昇に関しては、この光電変換装置の高効率性は、とりもなおさず、熱としてのロスを極小化できることを意味しているので、導波される光に対しては、そのエネルギーを高効率で電気エネルギーに変え、熱に転化する成分を低減することによって、やはり温度上昇を抑えることができる。
〈第６の実施の形態〉
［光電変換装置］
第６の実施の形態による光電変換装置においては、光導波装置部の光入射面に光波進行方向変換層３５が設けられていることを除いて、第５の実施の形態の形態による光電変換装置と同様な構成を有する。
［光電変換装置］
第６の実施の形態による光電変換装置においては、光導波装置部の光入射面に光波進行方向変換層３５が設けられていることを除いて、第５の実施の形態の形態による光電変換装置と同様な構成を有する。
この第６の実施の形態によれば、第５の実施の形態と同様な利点に加えて、第２の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈第７の実施の形態〉
［建築物］
図２３は第７の実施の形態による建築物、特に外壁の一部を示す。図２３に示すように、この建築物においては、外壁の少なくとも一部、例えば側壁１００に例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにしてアレイ状に複数設置されている。図２４に光電変換装置２００の一例を示す。図２４において、符号８０は光導波装置部を示す。
［建築物］
図２３は第７の実施の形態による建築物、特に外壁の一部を示す。図２３に示すように、この建築物においては、外壁の少なくとも一部、例えば側壁１００に例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにしてアレイ状に複数設置されている。図２４に光電変換装置２００の一例を示す。図２４において、符号８０は光導波装置部を示す。
この第７の実施の形態によれば、建築物の側壁１００に設置された太陽電池としての光電変換装置２００に太陽光が入射することにより、極めて効率的に電気エネルギーを得ることができ、この電気エネルギーを建築物で消費される電気エネルギーに充当することができる。
〈第８の実施の形態〉
［スマートフォン］
図２５は第８の実施の形態によるスマートフォンを示す。図２５に示すように、このスマートフォン３００においては、ディスプレイ部の少なくとも一部に例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにして設置されている。図２５では、一例として、ディスプレイ部の全体に光電変換装置２００が設置されている場合が示されている。
［スマートフォン］
図２５は第８の実施の形態によるスマートフォンを示す。図２５に示すように、このスマートフォン３００においては、ディスプレイ部の少なくとも一部に例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにして設置されている。図２５では、一例として、ディスプレイ部の全体に光電変換装置２００が設置されている場合が示されている。
この第８の実施の形態によれば、スマートフォン３００のディスプレイ部に設置された光電変換装置２００に太陽光が入射することにより、極めて効率的に電気エネルギーを得ることができ、この電気エネルギーをスマートフォン３００で消費される電気エネルギーに充当することができる。
〈第９の実施の形態〉
［自動車］
図２６は第９の実施の形態による自動車を示す。図２６に示すように、この自動車４００においては、車体の外面の少なくとも一部、例えば屋根、ボンネット、ドアの下部などに例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにして設置されている。
［自動車］
図２６は第９の実施の形態による自動車を示す。図２６に示すように、この自動車４００においては、車体の外面の少なくとも一部、例えば屋根、ボンネット、ドアの下部などに例えば第５の実施の形態による光電変換装置２００が太陽電池として、光導波装置部の光入射面が外を向くようにして設置されている。
この第９の実施の形態によれば、車体の外面の少なくとも一部に設置された光電変換装置２００に太陽光が入射することにより、極めて効率的に電気エネルギーを得ることができ、この電気エネルギーを自動車４００で消費される電気エネルギーに充当することができる。
〈第１０の実施の形態〉
［光導波装置］
図２７は第１０の実施の形態による光導波装置を示す。図２７に示すように、この光導波装置は、第１の実施の形態による光導波装置においてクラッド層１１を削除し、導波コア層１３のそのクラッド層１１を削除した主面にクラッド層１２および光導入コア層１４を導波コア層１３に関して対称的に設けたものである。この場合、光入射面は導波コア層１３の両側に二つある。この光導波装置のその他の構成は第１の実施の形態による光導波装置と同様である。
［光導波装置］
図２７は第１０の実施の形態による光導波装置を示す。図２７に示すように、この光導波装置は、第１の実施の形態による光導波装置においてクラッド層１１を削除し、導波コア層１３のそのクラッド層１１を削除した主面にクラッド層１２および光導入コア層１４を導波コア層１３に関して対称的に設けたものである。この場合、光入射面は導波コア層１３の両側に二つある。この光導波装置のその他の構成は第１の実施の形態による光導波装置と同様である。
この第１０の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、光導波装置に対して互いに反対側から光を取り入れることができるため、光導波装置に入射する光の利用効率の大幅な向上を図ることができるという利点を得ることができる。
〈第１１の実施の形態〉
［光導波装置］
図２８は第１１の実施の形態による光導波装置を示す断面図、図２９はこの光導波装置の側面図である。図２８および図２９に示すように、この光導波装置は、第１の実施の形態による光導波装置においてクラッド層１１を削除し、導波コア層１３として円柱状のファイバーを用い、その中心線の周りに図１に示すクラッド層１２および光導入コア層１４を３６０度回転させることにより得られる回転対称性を有する円柱状のファイバーの形態を有する。この場合、光入射面は円柱状のファイバーの外周面全体である。このファイバーの半径は例えば、数十μｍ～数百μｍ、導波コア層１３の直径は数μｍ～数十μｍが典型的な値であり、長さ（ｘ軸方向の拡がり）は、数百ｍオーダーになりうる。この光導波装置のその他の構成は、その性質に反しない限り、第１の実施の形態による光導波装置と同様である。
［光導波装置］
図２８は第１１の実施の形態による光導波装置を示す断面図、図２９はこの光導波装置の側面図である。図２８および図２９に示すように、この光導波装置は、第１の実施の形態による光導波装置においてクラッド層１１を削除し、導波コア層１３として円柱状のファイバーを用い、その中心線の周りに図１に示すクラッド層１２および光導入コア層１４を３６０度回転させることにより得られる回転対称性を有する円柱状のファイバーの形態を有する。この場合、光入射面は円柱状のファイバーの外周面全体である。このファイバーの半径は例えば、数十μｍ～数百μｍ、導波コア層１３の直径は数μｍ～数十μｍが典型的な値であり、長さ（ｘ軸方向の拡がり）は、数百ｍオーダーになりうる。この光導波装置のその他の構成は、その性質に反しない限り、第１の実施の形態による光導波装置と同様である。
この第１１の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、光導波装置の外周面全体から光を取り入れることができるため、光導波装置に入射する光の利用効率の極めて大幅な向上を図ることができるという利点を得ることができる。例えば、在来型のタンデム構造（直列タンデム構造）光電変換装置との接続では、数百μｍから数ｍｍの厚みを持たせ、これに対応する幅を持つ短冊状に形成した上記直列タンデム構造光電変換装置を導波コア層１３に結合させることも非常に有効である。こうすることで、曇天にも強い集光型直列型タンデム光電変換システムを実現できる。
〈第１２の実施の形態〉
［自動車］
図３０は第１２の実施の形態による自動車を示す。図３０に示すように、この自動車４００においては、車体のボンネットに、第５の実施の形態による光電変換装置２００の光導波装置部に相当するシート状の光導波装置５１０が光入射面を上に向けて設置されている。例えば、光導波装置５１０のクラッド層１１がボンネットに接着され、あるいはクラッド層１１が基板（図示せず）上に形成されている場合にはこの基板がボンネットに接着される。光導波装置５１０の導波コア層１３の光出射面には例えばシート状またはリボン状の光導波路５２０が取り付けられている。光導波路５２０はボンネットの内部に差し込まれ、ボンネットの内部を通って室内に取り出されている。この光導波路５２０の光出射面に、第５の実施の形態による光電変換装置２００の光電変換部に相当する光電変換部５３０が取り付けられている。これらの光導波装置５１０、光導波路５２０および光電変換部５３０により光電変換装置５００が形成されている。この光電変換装置５００は、光電変換部５３０を自動車４００の室内に設置することができるので、耐候性の大幅な向上を図ることができ、長寿命化を図ることができる。なお、この受光部と光電変換部とを分ける配置は、自動車に限らず、建築物、船舶、あるいは宇宙船に対しても適用が可能であることは言うまでもない。光電変換部は人が居住する空間あるいはその近傍（湿度変化や温度変化の小さい環境）に置いて光電変換部の電気的な劣化を防ぎながら、受光部は当該空間外の太陽光の光に有利な場所に置く（光の電荷中性性をもって環境の苛烈さにあまり影響を受けないというメリットを享受する）ことでシステム全体の長期信頼性を大きく拡大するという共通のコンセプトを有する。特に宇宙船においては、アルファ粒子などの宇宙線からの半導体層の防護の観点から、また船舶における太陽光発電においては、光電変換部を船室の奥まったところに置くことができるので、海塩による光電変換部の劣化を圧倒的に抑制することができる。同様の抑制は、例えば、離島や沿岸部でも勿論実現でき、大規模な発電所を持つことのできない地域における太陽光発電の長期信頼性向上に大きく寄与することができる。
［自動車］
図３０は第１２の実施の形態による自動車を示す。図３０に示すように、この自動車４００においては、車体のボンネットに、第５の実施の形態による光電変換装置２００の光導波装置部に相当するシート状の光導波装置５１０が光入射面を上に向けて設置されている。例えば、光導波装置５１０のクラッド層１１がボンネットに接着され、あるいはクラッド層１１が基板（図示せず）上に形成されている場合にはこの基板がボンネットに接着される。光導波装置５１０の導波コア層１３の光出射面には例えばシート状またはリボン状の光導波路５２０が取り付けられている。光導波路５２０はボンネットの内部に差し込まれ、ボンネットの内部を通って室内に取り出されている。この光導波路５２０の光出射面に、第５の実施の形態による光電変換装置２００の光電変換部に相当する光電変換部５３０が取り付けられている。これらの光導波装置５１０、光導波路５２０および光電変換部５３０により光電変換装置５００が形成されている。この光電変換装置５００は、光電変換部５３０を自動車４００の室内に設置することができるので、耐候性の大幅な向上を図ることができ、長寿命化を図ることができる。なお、この受光部と光電変換部とを分ける配置は、自動車に限らず、建築物、船舶、あるいは宇宙船に対しても適用が可能であることは言うまでもない。光電変換部は人が居住する空間あるいはその近傍（湿度変化や温度変化の小さい環境）に置いて光電変換部の電気的な劣化を防ぎながら、受光部は当該空間外の太陽光の光に有利な場所に置く（光の電荷中性性をもって環境の苛烈さにあまり影響を受けないというメリットを享受する）ことでシステム全体の長期信頼性を大きく拡大するという共通のコンセプトを有する。特に宇宙船においては、アルファ粒子などの宇宙線からの半導体層の防護の観点から、また船舶における太陽光発電においては、光電変換部を船室の奥まったところに置くことができるので、海塩による光電変換部の劣化を圧倒的に抑制することができる。同様の抑制は、例えば、離島や沿岸部でも勿論実現でき、大規模な発電所を持つことのできない地域における太陽光発電の長期信頼性向上に大きく寄与することができる。
車体（家屋、船舶、宇宙船などであってもよい）の屋根にも同様に、シート状の光導波装置５１０が光入射面を上に向けて設置されている。図示は省略するが、この光導波装置５１０の導波コア層１３の光出射面に例えばシート状またはリボン状の光導波路５２０が取り付けられ、この光導波路５２０は屋根を通って室内に取り出され、この光導波路５２０の光出射面に光電変換部５３０が取り付けられている。これらの光導波装置５１０、光導波路５２０および光電変換部５３０により光電変換装置５００が形成されている。
さらに、車体のフロントドア４０１の下部の表面には電磁波導波装置６００が入射面を外に向けて設置されている。電磁波導波装置６００は、第１の実施の形態による光導波装置と同様な構造を有するが、その構造のサイズは、この光導波装置のサイズに対して対象とする電磁波の波長と光導波装置の対象とする波長との比にスケーリングしたサイズとなっている。電磁波導波装置６００の導波コア層１３の出射面に例えばシート状またはリボン状の導波路６１０が取り付けられ、この導波路６１０はフロントドア４０１を通って室内に取り出され、この導波路６１０の出射面に整流回路を含む受電回路（図示せず）が取り付けられている。これらの電磁波導波装置６００および受電回路により電磁波受電装置が形成されている。この電磁波受電装置において電磁波導波装置６００は平面アンテナの役割を果たす。この電磁波受電装置は、自動車（家屋、船舶、宇宙船などであってもよい）の外部から送信される電磁波、取り分けマイクロ波を電磁波導波装置６００で受信し、電磁波導波装置６００の導波コア層を導波された後、整流回路により直流電流に変換することができる。すなわち、自動車の走行時あるいは静止時にこの電磁波受電装置により無線給電を受けることができる。
光電変換装置５００の光導波装置５１０の光場および電磁波受電装置の電磁波導波装置６００の電磁場をシミュレーションにより求めた結果を説明する。電磁波導波装置６００の構造のサイズは、光導波装置５１０の構造のサイズの１００倍に選ばれている。
図３１Ａおよび図３１Ｂは光導波装置５１０の光場をシミュレーションにより求めた結果を示し、それぞれ図１４Ａおよび図１４Ｂとほぼ同じものである。図３１Ｃは、後述の図３３Ａに示す位置と同様な位置にモニターＡ～Ｅを配置した時の各モニターにおける光強度を示す。図３１Ｃより、この例では、約４０％の導入効率（下方から入射する３次元導波光を２次元導波路内伝搬光へ変換する効率）が得られていることが分かる。
図３２Ａおよび図３２Ｂは電磁波導波装置６００の電磁場をシミュレーションにより求めた結果を示し、図３１Ａおよび図３１Ｂに対応するものである。図３２Ａおよび図３２Ｂを図１４Ａおよび図１４Ｂと比較すれば分かるように、電磁波導波装置６００の電磁場は光導波装置５１０の光場と同様な分布を取っている。誘電率に特異的な振る舞いが無い領域では、電磁波波長と構造体サイズに対しスケーリングが成り立つことが示された。マイクロ波、テラヘルツ波など各種の波長に対し、導波・集光（アンテナ）系の構造設計を実行していくことができる。図３２Ｃは導波コア層における電磁場強度を示し、図３１Ｃに対応するものである。図３２Ｃより、この電磁波導波装置６００でも約４０％の導入効率（３次元進行電磁波の２次元導波電磁波への変換効率）が得られていることが分かる。
次に、光導波装置５１０の光入射部の幅を大きくして光場のシミュレーションを行った結果について説明する（離散的併進対称性を有するので、この入射配置は下部からの全面入射に相当する）。図３３Ａは光場のシミュレーションに用いた構造および光強度の評価を行った位置Ａを示す。図３３Ａに示す位置にモニターＡ～Ｅを配置している。図３３Ａを図１４Ａと比較すれば分かるように、光入射部の幅が約７倍となっている。図３３Ｂおよび図３３Ｃは光導波装置５１０の光場をシミュレーションにより求めた結果を示し、それぞれ図１４Ａおよび図１４Ｂに対応するものである。図３３ＤはモニターＡ～Ｅにおける光強度を示す。図３３Ｄより、約６０％の導入効率（３次元導波光の２次元導波光への変換効率）が得られていることが分かる。
次に、光導波装置５１０における光導入部の構成を変えた場合の光場のシミュレーションを行った結果について説明する。光導入部を構成する最初のパートである光レシーバーは、短軸３６μｍ、長軸７２μｍの垂直縦長楕円（の四分の一）で、水平メイン導波路との合流を司る光マージャーは、短軸３０μｍ、長軸１８０μｍの水平横長楕円（の一部）で、その頂上部で水平導波路（導波コア層）と接している。レシーバー楕円とマージャー楕円はレシーバー楕円の頂上部で接続し、その点は水平導波路から８μｍ下方に位置する（即ち、レシーバー楕円は四分の一楕円であるが、マージャー楕円は、上記空間配置を満たすような水平横長楕円の一部から成る）。光導入コア層の幅は下端入射面で（ｘ軸方向に沿って）約２．２５μｍ、クラッド層の幅は同０．４μｍであるが、３２周期毎にクラッド層の幅を１μｍと厚くした離散的併進対称性を光導入コア層はｘ軸方向に沿って有している。図３４Ａ、図３４Ｂおよび図３４Ｃは図３３Ａ、図３３Ｂおよび図３３Ｃと対応するものである。図３４Ａに示すように、図３３Ａに示す位置と同様な位置にモニターＡ～Ｅを配置した。図３４ＣはモニターＡ～Ｅにおける光強度を示す。図３４Ｃより、約６６％の導入効率（３次元導波光の２次元導波光への変換効率）が得られていることが分かる。なお、クラッド層１２の導波コア層１３に対するタンジェンシャル接合部の曲率半径を上記の場合の約１．１ｍｍから２～３ｍｍと増加させることにより、３次元導波光の２次元導波光への変換効率のより一層の向上を図ることができる。特に、上記の構造を張り合わせ可能なフィルム状構造体として作製して、既存の建築用窓材等に張り合わせることで、既存の窓材自体を導波路として、この窓材ガラスを支える額縁の部分に太陽電池を仕込むことで、既存の建築物の窓や壁面を太陽電池部材に化けさせることもできる。当該ガラス額縁部での、通常の面入射配置太陽電池において、特に面入射のタンデム素子を配置することで、小面積ながらも高額なタンデム素子の欠点を補いながら、その高効率性を生かした新たな窓および壁面発電システムとしての応用も可能となる。
この第１２の実施の形態によれば、車体のボンネットおよび屋根にそれぞれ設置された光電変換装置５００の光導波装置５１０に太陽光が入射することにより、極めて効率的に電気エネルギーを得ることができ、この電気エネルギーを自動車４００で消費される電気エネルギーに充当することができる。加えて、自動車４００のフロントドア４１０に設置された電磁波導波装置６１０に電磁波が入射することにより、極めて効率的に電気エネルギーを得ることができ、この電気エネルギーを自動車４００で消費される電気エネルギーに充当することができる。
〈第１３の実施の形態〉
［光導波装置］
図３５は第１３の実施の形態による光導波装置を示す。図３５においては、クラッド層１１および導波コア層１３の図示は省略している。図３５に示すように、この光導波装置は長方形の平面形状を有し、光入射部のクラッド層１２および光導入コア層１４が、光導波装置の一つの短辺（図３５中、右側の短辺）の中点を中心とする同心円弧状に湾曲した形状を有する。この場合には、各光導入コア層１４を導波されて導波コア層１３に入射する光は、導波コア層１３の内部を光導波装置の一つの短辺の中点に向かって導波される。この光導波装置のその他の構成は、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様である。
［光導波装置］
図３５は第１３の実施の形態による光導波装置を示す。図３５においては、クラッド層１１および導波コア層１３の図示は省略している。図３５に示すように、この光導波装置は長方形の平面形状を有し、光入射部のクラッド層１２および光導入コア層１４が、光導波装置の一つの短辺（図３５中、右側の短辺）の中点を中心とする同心円弧状に湾曲した形状を有する。この場合には、各光導入コア層１４を導波されて導波コア層１３に入射する光は、導波コア層１３の内部を光導波装置の一つの短辺の中点に向かって導波される。この光導波装置のその他の構成は、第１の実施の形態の形態による光導波装置と同様である。
この第１３の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な利点に加えて、導波コア層１３の内部を導波される光を光導波装置の一つの短辺の中点に集光することができるという利点を得ることができる。このため、例えば、第５の実施の形態による光電変換装置において光導波装置としてこの光導波装置を用いることにより、光電変換部の長さの大幅な縮小を図ることができ、それによって半導体の使用量の大幅な低減を図ることができ、ひいては光電変換装置の低コスト化を図ることができる。
以上、この発明の実施の形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施の形態において挙げた数値、材料、形状、配置などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、形状、配置などを用いてもよい。
また、例えば、第５の実施の形態による光電変換装置を複数敷き詰めて光電変換装置システム（あるいは太陽電池システム）を構成してもよい。
また、例えば第１の実施の形態による光導波装置をフレキシブルに構成し、例えばビルの側面全面を鉢巻状にぐるりと取り巻き、これと結合する半導体層５０は、例えば、当該ビルの北側面の一箇所（即ち、例えば、鉛直方向数ｍ、横方向数ｍｍ～１ｃｍの領域）に集約して配置してもよい。
なお、この発明による光導波装置と同様の構造により、導波コア層およびクラッド層の材質として金属などを適宜用いることで、電磁波全般の導波が可能な導波装置を実現することが可能である。
１１、１２ クラッド層
１３ 導波コア層
１４ 光導入コア層
３５ 光波進行方向変換層
４０ 基板
５０ 半導体層
６０ 第１の電極
７０ 第２の電極
１００ 側壁
２００ 光電変換装置
３００ スマートフォン
４００ 自動車
５００ 光電変換装置
６００ 電磁波導波装置
１３ 導波コア層
１４ 光導入コア層
３５ 光波進行方向変換層
４０ 基板
５０ 半導体層
６０ 第１の電極
７０ 第２の電極
１００ 側壁
２００ 光電変換装置
３００ スマートフォン
４００ 自動車
５００ 光電変換装置
６００ 電磁波導波装置
Claims (16)
- 導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記光導入コア層が設けられ、
上記光導入コア層および上記光導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記光導入コア層の端面に入射して上記光導入コア層に導入される光が上記光導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する光導波装置。 - 上記光導入コア層内に一つまたは複数の補助的クラッド層が上記光導入コア層の長さ方向の途中の範囲にだけ設けられている請求項１記載の光導波装置。
- 上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は四分の一円の円弧の形状または楕円の長軸および短軸で分割された四分の一部分の弧の形状を有する請求項１記載の光導波装置。
- 上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は光入射側の直線部とこの直線部に連なる曲線部とを有する請求項１記載の光導波装置。
- 上記導波コア層と上記クラッド層とを少なくとも上記導波コア層に導波される光の波長の１０００倍以上１０万倍以下の距離に亘って有する請求項１～４のいずれか一項記載の光導波装置。
- 上記導波コア層は平板状に構成され、上記クラッド層は、上記導波コア層の一方の主面を連続に被覆して上記導波コア層の上記導波方向に併進対称性を有し、他方の主面を不連続に被覆するように設けられ、上記他方の主面に上記断絶部を有し、上記断絶部に上記光導入コア層が設けられている請求項１～５のいずれか一項記載の光導波装置。
- 上記導波コア層は平板状に構成され、上記クラッド層は、上記導波コア層の一方の主面および他方の主面を不連続に被覆するように設けられ、上記一方の主面および上記他方の主面にそれぞれ上記断絶部を有し、上記断絶部に上記光導入コア層が設けられている請求項１～５のいずれか一項記載の光導波装置。
- 上記導波コア層の上記一方の主面の上記断絶部と上記他方の主面の上記断絶部とは上記導波コア層の上記導波方向に互いにずれている請求項７記載の光導波装置。
- 上記導波コア層は繊維状に構成され、上記クラッド層は、上記導波コア層の外周面を不連続に被覆するように設けられ、上記外周面に上記断絶部を有し、上記断絶部に上記光導入コア層が設けられている請求項１～５のいずれか一項記載の光導波装置。
- 光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記光導入コア層が設けられ、
上記光導入コア層および上記光導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記光導入コア層の端面に入射して上記光導入コア層に導入される光が上記光導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置。 - 上記光電変換部は半導体層により構成され、上記半導体層はｐ型半導体層とｎ型半導体層とからなるｐｎ接合である請求項１０記載の光電変換装置。
- 上記半導体層のバンドギャップまたはＨＯＭＯ－ＬＵＭＯギャップが光の進行方向に順に段階的および／または連続的に減少するように構成されている請求項１１記載の光電変換装置。
- 少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記光導入コア層が設けられ、
上記光導入コア層および上記光導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記光導入コア層の端面に入射して上記光導入コア層に導入される光が上記光導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である建築物。 - 外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記光導入コア層が設けられ、
上記光導入コア層および上記光導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記光導入コア層の端面に入射して上記光導入コア層に導入される光が上記光導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である電子機器。 - 外面に取り付けられた少なくとも一つの光電変換装置を有し、
上記光電変換装置が、
光導波装置と、
上記光導波装置の光出射部に設けられた光電変換部とを有し、
上記光導波装置が、
導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する光導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記光導入コア層が設けられ、
上記光導入コア層および上記光導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記光導入コア層の端面に入射して上記光導入コア層に導入される光が上記光導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する光導波装置であり、
上記光導波装置の光入射部に入射した光が、上記光導波装置の光出射部から出射されて上記光電変換部に入射する光電変換装置である移動体。 - 導波コア層と、
上記導波コア層を不連続に被覆するクラッド層とを有し、
上記クラッド層は、上記導波コア層を被覆していない断絶部の端部と、上記断絶部に対して上記導波コア層の導波方向と反対側でかつ上記導波コア層から離れた位置との間に延在し、上記導波コア層の上記導波方向に向かって上記導波コア層に次第に近づき、かつ上記断絶部の上記端部において上記導波コア層にタンジェンシャルに接続するように設けられた構造をその一部に有し、
上記クラッド層の上記断絶部に上記クラッド層で被覆された、上記導波コア層の屈折率と等しい屈折率を有する電磁波導入コア層が上記導波コア層と合流するように設けられ、
上記クラッド層の上記断絶部は上記導波コア層の上記導波方向に離散的併進対称性を持って複数設けられ、それぞれの上記断絶部に上記電磁波導入コア層が設けられ、
上記電磁波導入コア層および上記電磁波導入コア層を被覆する上記クラッド層は外部から上記電磁波導入コア層の端面に入射して上記電磁波導入コア層に導入される光が上記電磁波導入コア層と上記クラッド層との界面で全反射を繰り返して上記導波コア層に到達するように設けられ、
上記導波コア層は上記導波方向に対して連続的併進対称性を有するとともに準解放性を有し、上記クラッド層は上記導波方向に対して離散的併進対称性を有するとともに不連続性を有し、
上記断絶部の上記端部から延在する上記クラッド層は上記導波コア層の上記導波方向に凹に湾曲した形状を有する電磁波導波装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017181884 | 2017-09-22 | ||
| JP2017181884 | 2017-09-22 | ||
| PCT/JP2018/035015 WO2019059342A1 (ja) | 2017-09-22 | 2018-09-21 | 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器、移動体および電磁波導波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019059342A1 JPWO2019059342A1 (ja) | 2020-10-15 |
| JP7270252B2 true JP7270252B2 (ja) | 2023-05-10 |
Family
ID=65811354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019543728A Active JP7270252B2 (ja) | 2017-09-22 | 2018-09-21 | 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器、移動体および電磁波導波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7270252B2 (ja) |
| WO (1) | WO2019059342A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022124283A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、建築物および移動体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005070573A (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 光導波路、光源モジュール、並びに光情報処理装置 |
| JP2005189385A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sony Corp | 分岐型光導波路、光源モジュール、並びに光情報処理装置 |
| JP2007171769A (ja) | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 光合波導波路 |
| JP2010525582A (ja) | 2007-05-01 | 2010-07-22 | モーガン ソーラー インコーポレーテッド | 導光ソーラーパネルおよびその製造方法 |
| US20160377798A1 (en) | 2014-01-06 | 2016-12-29 | Agira, Inc. | Light guide apparatus and fabrication method thereof |
| WO2017061448A1 (ja) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 国立大学法人北海道大学 | 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器および発光装置 |
-
2018
- 2018-09-21 JP JP2019543728A patent/JP7270252B2/ja active Active
- 2018-09-21 WO PCT/JP2018/035015 patent/WO2019059342A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010525582A (ja) | 2007-05-01 | 2010-07-22 | モーガン ソーラー インコーポレーテッド | 導光ソーラーパネルおよびその製造方法 |
| US20160377798A1 (en) | 2014-01-06 | 2016-12-29 | Agira, Inc. | Light guide apparatus and fabrication method thereof |
| WO2017061448A1 (ja) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 国立大学法人北海道大学 | 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器および発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019059342A1 (ja) | 2019-03-28 |
| JPWO2019059342A1 (ja) | 2020-10-15 |
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