JP7265974B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器に関するものである。
従来、電子機器としては、被検者の身体に装着され、その被検者の生体情報に対応する信号を無線送信する生体情報測定器（センサデバイス）が知られている（例えば、特許文献１参照）。この種の電子機器は、被検者の生体情報に対応する電気信号を検出するセンサ部を有している。センサ部により検出された電気信号は、所定の信号処理が施された後に、アンテナを通じて外部の機器に無線送信される。
特表２００４－５２９７０９号公報
ところが、アンテナは他の電子部品や被検者の人体等の影響を受けてアンテナ特性が低下しやすくなっており、この点において、なお改善の余地を残すものとなっていた。
本発明の一観点によれば、互いに対向して設けられた第１板状部及び第２板状部と、前記第１板状部の第１端部と前記第２板状部の第１端部とを接続する第１接続部とを有し、前記第１板状部と前記第１接続部と前記第２板状部とによって囲まれた第１収容部を有する支持体と、前記第２板状部の一部であり、前記第１収容部の外方に突出し、平面視において前記第１板状部から露出するように形成された突出部と、前記支持体と対向する対向面と前記対向面の反対側に設けられた反対面とを有し、前記第１収容部の内面に沿って折り返されて取り付けられるとともに、前記第１収容部の内面と連続して形成された前記突出部の第１面に沿って取り付けられた配線基板と、前記第１収容部の内面に取り付けられた部分における前記配線基板の前記対向面に実装されたセンサ素子と、前記突出部の第１面に取り付けられた部分における前記配線基板の前記反対面に実装されたアンテナと、を有する。
本発明の一観点によれば、アンテナ特性の低下を抑制できるという効果を奏する。
一実施形態の電子機器を示す概略斜視図である。 一実施形態の電子機器を示す概略断面図である。 一実施形態の半導体装置を示す概略平面図である。 一実施形態の半導体装置を示す概略断面図（図３における４－４線断面図）である。 一実施形態の配線基板を示す概略平面図である。 一実施形態の電子機器の電気的構成を示すブロック図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 一実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 変更例の電子機器を示す概略断面図である。 変更例の配線基板を示す概略平面図である。 変更例の配線基板を示す概略平面図である。
以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。ここで、本明細書における「平行」、「直交」や「水平」は、厳密に平行、直交や水平の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行、直交や水平の場合も含まれる。
（電子機器１０の構造）
図１に示すように、電子機器１０は、例えば、支持体１１と、支持体１１に取り付けられた半導体装置１２とを有している。半導体装置１２は、例えば、支持体１１に取り付けられた配線基板１３と、配線基板１３に実装された複数の電子部品１４とを有している。電子機器１０は、例えば、被検者の身体に装着され、その被検者の生体情報を取得するように構成された生体情報測定器（センサデバイス）である。電子機器１０は、取得した生体情報を無線通信によって送信するように構成されている。生体情報としては、例えば、生体電位、体温、血中酸素飽和度、脈拍や血糖値などが挙げられる。ここで、生体電位とは、生体情報の電位の変化を捉えるものであればよく、例えば、心電図、インピーダンス呼吸、サーミスタ呼吸、心拍、心拍出量などが含まれる。なお、本実施形態の電子機器１０は、被検者の血中酸素飽和度を測定するように構成されている。
ここで、各図面中のＸＹＺ軸におけるＸ軸は電子機器１０の前後方向を表し、Ｙ軸はＸ軸と直交する電子機器１０の幅方向を表し、Ｚ軸はＸＹ平面に対して直交する電子機器１０の高さ方向を表している。以下の説明では、便宜上、Ｘ軸に沿って延びる方向を前後方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿って延びる方向を幅方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿って延びる方向を高さ方向Ｚと称する。また、以下の説明では、図１におけるＸ矢印方向を前方、Ｚ矢印方向を上方とする。本明細書において、「平面視」とは、対象物を高さ方向Ｚから視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を高さ方向Ｚから視た形状のことを言う。
（支持体１１の構造）
まず、支持体１１について説明する。
支持体１１は、例えば、配線基板１３よりも機械的強度（剛性や硬度等）が高く設定されている。支持体１１は、例えば、配線基板１３を支持する機能を有している。支持体１１は、例えば、弾性を有している。支持体１１の材料としては、例えば、誘電率が既知の材料であることが好ましい。支持体１１の材料としては、例えば、誘電率が１～５程度の誘電体材料であることが好ましい。支持体１１の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネートやＡＢＳ樹脂などを用いることができる。支持体１１は、例えば、遮光性を有している。支持体１１の材料としては、例えば、黒色等に着色された樹脂材料を用いることができる。
支持体１１は、例えば、Ｓ字状に形成されている。支持体１１は、例えば、Ｓ字状の断面を有している。支持体１１は、例えば、幅方向Ｙから視た側面形状がＳ字状に形成されている。
支持体１１は、例えば、互いに対向して設けられた３つの板状部２１，２２，２３と、板状部２１，２２の一端部同士を接続する接続部２４と、板状部２２，２３の一端部同士を接続する接続部２５とを有している。支持体１１は、例えば、板状部２１，２２，２３と接続部２４，２５とが一体に形成された単一部品である。
ここで、本明細書における「対向」とは、面同士又は部材同士が互いに正面の位置にあることを指し、互いが完全に正面の位置にある場合だけでなく、互いが部分的に正面の位置にある場合を含む。また、本明細書における「対向」とは、２つの部分の間に、２つの部分とは別の部材が介在している場合と、２つの部分の間に何も介在していない場合の両方を含む。
（板状部２１の構造）
板状部２１は、例えば、平板状に形成されている。板状部２１は、例えば、高さ方向Ｚに所定の厚みを有し、前後方向Ｘ及び幅方向Ｙに広がるように形成されている。板状部２１は、例えば、前後方向Ｘの一端部（ここでは、前端部）が接続部２４の上面に接続されている。板状部２１は、例えば、前後方向Ｘに沿って直線状に延びるように形成されている。板状部２１は、例えば、前後方向Ｘに沿って水平に延びるように形成されている。板状部２１は、例えば、接続部２４と接続された前端部を固定端とし、前端部とは前後方向Ｘにおいて反対側の後端部を自由端とする片持ち状に形成されている。
ここで、本明細書において、「板状部２１の前端部」とは、板状部２１の前端面から後方に延びる所定の範囲を持った領域を意味し、「板状部２１の後端部」とは、板状部２１の後端面から前方に延びる所定の範囲を持った領域を意味する。本実施形態の「板状部２１の前端部」とは、板状部２１の前後方向Ｘにおける領域のうち、接続部２４に接続された部分の領域のことを意味する。
（板状部２２の構造）
図２に示すように、板状部２２は、例えば、平板状に形成されている。板状部２２は、例えば、高さ方向Ｚに所定の厚みを有し、前後方向Ｘ及び幅方向Ｙに広がるように形成されている。板状部２２は、例えば、前後方向Ｘの一端部（ここでは、前端部）が接続部２４の下面に接続され、前後方向Ｘの他端部（ここでは、後端部）が接続部２５の上面に接続されている。板状部２２は、例えば、前後方向Ｘに沿って直線状に延びるように形成されている。板状部２２は、例えば、前後方向Ｘに沿って水平に延びるように形成されている。板状部２２は、例えば、板状部２１と平行に延びるように形成されている。板状部２２は、例えば、板状部２１と高さ方向Ｚに対向するように設けられている。板状部２２の前端部は、例えば、平面視において板状部２１の前端部と重なるように形成されている。板状部２２は、例えば、前後方向Ｘに沿って延びる長さが板状部２１よりも長く形成されている。板状部２２の後端部は、例えば、板状部２１の後端面よりも後方に突出して形成されている。すなわち、板状部２２の後端部は、板状部２１の後端面よりも後方に突出し、平面視において板状部２１から露出するように形成された突出部２２Ａを有している。換言すると、板状部２２の後端部は突出部２２Ａにより構成されている。
ここで、本明細書において、「板状部２２の前端部」とは、板状部２２の前端面から後方に延びる所定の範囲を持った領域を意味し、「板状部２２の後端部」とは、板状部２２の後端面から前方に延びる所定の範囲を持った領域を意味する。本実施形態の「板状部２２の前端部」とは、板状部２２の前後方向Ｘにおける領域のうち、接続部２４に接続された部分の領域のことを意味する。本実施形態の「板状部２２の後端部」とは、板状部２２の前後方向Ｘにおける領域のうち、接続部２５に接続された部分の領域のことを意味する。
板状部２２は、例えば、板状部２２を板厚方向（ここでは、高さ方向Ｚ）に貫通する貫通孔２２Ｘを有している。貫通孔２２Ｘは、例えば、板状部２２の前後方向Ｘの中間部に設けられている。貫通孔２２Ｘの平面形状は、例えば、矩形状に形成されている。
（接続部２４の構造）
接続部２４は、例えば、板状部２１の前端部（第１端部）と板状部２２の前端部（第１端部）とを接続するように形成されている。接続部２４は、例えば、板状部２１の前端部の下面から板状部２２の前端部の上面まで延びるように形成されている。接続部２４は、例えば、前後方向Ｘに所定の厚みを有し、幅方向Ｙ及び高さ方向Ｚに広がるように形成されている。接続部２４の厚みは、例えば、板状部２１，２２よりも厚く形成されている。接続部２４は、例えば、円弧状や楕円弧状に湾曲するように形成されている。接続部２４は、例えば、前端面及び後端面が円弧状の湾曲面に形成されている。
支持体１１では、例えば、一対の板状部２１，２２と接続部２４とからなる構造体がＵ字状に形成されている。支持体１１では、例えば、板状部２１の下面と接続部２４の後端面と板状部２２の上面とによって囲まれた空間によって、配線基板１３の一部が挿入される収容部２６が形成されている。このとき、板状部２１の下面と接続部２４の後端面と板状部２２の上面とは、収容部２６の内面を構成している。
（板状部２３の構造）
板状部２３は、例えば、平板状に形成されている。板状部２３は、例えば、高さ方向Ｚに所定の厚みを有し、前後方向Ｘ及び幅方向Ｙに広がるように形成されている。板状部２３は、例えば、前後方向Ｘの一端部（ここでは、後端部）が接続部２５の下面に接続されている。板状部２３は、例えば、接続部２５と接続された後端部を固定端とし、後端部とは前後方向Ｘにおいて反対側の前端部を自由端とする片持ち状に形成されている。板状部２３は、例えば、板状部２１，２２，２３が並ぶ方向（ここでは、高さ方向Ｚ）に弾性変形可能に構成されている。板状部２３は、例えば、弾性変形による高さ方向Ｚへの撓みが可能に構成されている。板状部２３は、例えば、前後方向Ｘに沿って直線状に延びるように形成されている。板状部２３は、例えば、前後方向Ｘに沿って水平に延びるように形成されている。板状部２３は、例えば、板状部２２と平行に延びるように形成されている。板状部２３は、例えば、板状部２２と高さ方向Ｚに対向するように設けられている。板状部２３の後端部は、例えば、平面視において板状部２２の後端部と重なるように形成されている。板状部２３は、例えば、前後方向Ｘに沿って延びる長さが板状部２２よりも短く形成されている。
ここで、本明細書において、「板状部２３の前端部」とは、板状部２３の前端面から後方に延びる所定の範囲を持った領域を意味し、「板状部２３の後端部」とは、板状部２３の後端面から前方に延びる所定の範囲を持った領域を意味する。本実施形態の「板状部２３の後端部」とは、板状部２３の前後方向Ｘにおける領域のうち、接続部２５に接続された部分の領域のことを意味する。
板状部２３は、例えば、板状部２３を板厚方向（ここでは、高さ方向Ｚ）に貫通する貫通孔２３Ｘを有している。貫通孔２３Ｘは、例えば、板状部２３の前後方向Ｘの中間部に設けられている。貫通孔２３Ｘは、例えば、平面視において貫通孔２２Ｘと重なるように設けられている。貫通孔２３Ｘの平面形状は、例えば、矩形状に形成されている。貫通孔２３Ｘの平面形状は、例えば、貫通孔２２Ｘの平面形状よりも大きく形成されている。
（接続部２５の構造）
接続部２５は、例えば、板状部２２の後端部（第２端部）と板状部２３の後端部（第２端部）とを接続するように形成されている。接続部２５は、例えば、板状部２２の後端部の下面から板状部２３の後端部の上面まで延びるように形成されている。接続部２５は、例えば、突出部２２Ａの下面から板状部２３の後端部の上面まで延びるように形成されている。接続部２５は、例えば、前後方向Ｘに所定の厚みを有し、幅方向Ｙ及び高さ方向Ｚに広がるように形成されている。
ここで、支持体１１では、例えば、一対の板状部２２，２３と接続部２５とからなる構造体がＵ字状に形成されている。支持体１１では、例えば、板状部２２の下面と接続部２５の前端面と板状部２３の上面とによって囲まれた空間によって、測定対象物Ｔ１が挿入される収容部２７が形成されている。このとき、板状部２２の下面と接続部２５の前端面と板状部２３の上面とは、収容部２７の内面を構成している。板状部２２の下面と板状部２３の上面との間の間隔は、例えば、測定対象物Ｔ１の厚みに応じて設定されている。板状部２２の下面と板状部２３の上面との間の間隔は、例えば、板状部２１の下面と板状部２２の上面との間の間隔よりも広く設定されている。ここで、測定対象物Ｔ１は、例えば、人体（生体組織）である。人体としては、例えば、指や耳などが挙げられる。
支持体１１は、例えば、板状部２２と板状部２３との間の間隔が広がるように弾性変形可能に構成されている。すなわち、支持体１１は、収容部２７の空間が広がるように弾性変形可能に構成されている。例えば、板状部２２と板状部２３との間の間隔よりも厚い測定対象物Ｔ１が収容部２７に挿入されると、板状部２２と板状部２３との間隔が一時的に広がるように弾性変形される。
収容部２７の外面を構成する接続部２５の後端面は、例えば、板状部２２と板状部２３とが並ぶ方向（ここでは、高さ方向Ｚ）に沿って平面状に延びるように形成されている。接続部２５の後端面は、例えば、高さ方向Ｚに沿って垂直に延びる平面に形成されている。接続部２５の後端面は、例えば、高さ方向Ｚ及び幅方向Ｙに広がるように形成されている。収容部２７の内面を構成する接続部２５の前端面は、例えば、円弧状や楕円弧状に湾曲する湾曲面に形成されている。本実施形態の接続部２５の前端面は、円弧状に湾曲する湾曲面に形成されている。接続部２５の前端面は、例えば、板状部２２，２３の前端部側から接続部２５の後端面側に向かって湾曲して凹むように形成されている。接続部２５の前端面は、例えば、板状部２２，２３から接続部２５の高さ方向Ｚの中央部に向かうに連れて凹み量が大きくなるように形成されている。換言すると、接続部２５の前後方向Ｘの厚みは、接続部２５の高さ方向Ｚの中央部から各板状部２２，２３に向かうに連れて厚くなるように形成されている。
本例の支持体１１では、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、突出部２２Ａの上面）との間の距離が、突出部２２Ａを除いた板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、板状部２２の上面）との間の距離よりも長く形成されている。
（配線基板１３の構造）
次に、配線基板１３の構造について説明する。配線基板１３は、可撓性を有するフレキシブル基板である。ここで、可撓性とは、曲げや撓みを持たせることができる性質をいう。
配線基板１３は、例えば、実装部１３Ａと、屈曲部１３Ｂと、実装部１３Ｃと、屈曲部１３Ｄと、実装部１３Ｅと、実装部１３Ｆと、電子部品１４が実装されていない非実装部１３Ｇと、実装部１３Ｈとを有している。配線基板１３は、例えば、実装部１３Ａと屈曲部１３Ｂと実装部１３Ｃと屈曲部１３Ｄと実装部１３Ｅと実装部１３Ｆと非実装部１３Ｇと実装部１３Ｈとが連続して一体に形成されている。ここで、本明細書の配線基板１３における「屈曲部」は、配線基板１３が略１８０度折り返される部分のことである。
図３に示すように、実装部１３Ａと屈曲部１３Ｂと実装部１３Ｃと屈曲部１３Ｄと実装部１３Ｅと実装部１３Ｆと非実装部１３Ｇと実装部１３Ｈとは、配線基板１３の長手方向（図３における左右方向）に沿ってこの順番で並んで設けられている。なお、図３は、支持体１１に装着される前の半導体装置１２、具体的には配線基板１３を屈曲部１３Ｂ，１３Ｄで屈曲させる前の状態の半導体装置１２の平面図を示している。また、図３は、配線基板１３の第１面Ｓ１（図４における上面）側から視た半導体装置１２を示す平面図である。
図４に示すように、複数の電子部品１４のうち一部の電子部品１４は配線基板１３の第１面Ｓ１に実装されており、残りの電子部品１４は配線基板１３の第２面Ｓ２に実装されている。図２に示すように、配線基板１３の第１面Ｓ１は支持体１１に対向する対向面であり、配線基板１３の第２面Ｓ２は第１面Ｓ１（対向面）の反対側の反対面である。
図３に示すように、電子部品１４は、例えば、実装部１３Ａに実装された電池モジュール１４Ａと、実装部１３Ｅに実装された発光素子１４Ｂと、実装部１３Ｈに実装された受光素子１４Ｃと、実装部１３Ｆに実装されたアンテナ１４Ｄとを有している。電子部品１４は、例えば、実装部１３Ｃに実装された電子部品１４Ｅと、実装部１３Ｅに実装された電子部品１４Ｆとを有している。
電池モジュール１４Ａは、例えば、電池ホルダと、その電池ホルダに挿入される電池５０（図６参照）とを有している。電池５０としては、例えば、ボタン型やコイン型の電池を用いることができる。
発光素子１４Ｂは、光電素子であり、電気信号を光信号に変換する素子である。発光素子１４Ｂとしては、例えば、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）を用いることができる。発光素子１４Ｂは、例えば、異なる２つの波長を発生するＬＥＤから構成されている。発光素子１４Ｂは、例えば、赤色領域の波長の赤色光を発生する赤色ＬＥＤと、赤外線領域の波長の赤外光を発生する赤外ＬＥＤとから構成されている。受光素子１４Ｃは、光電素子であり、光信号を電気信号に変換する素子である。受光素子１４Ｃは、発光素子１４Ｂから発せられた光を受光し、その受光した光強度に応じた電気信号を生成する。受光素子１４Ｃとしては、例えば、フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）やシリコンフォトダイオードを用いることができる。受光素子１４Ｃとしては、例えば、赤色領域の波長及び赤外線領域の波長に対して光感応性を有するＰＤを用いることができる。
アンテナ１４Ｄは、例えば、無線通信に用いられる。アンテナ１４Ｄは、例えば、生体情報等を含む送信情報を無線通信により外部の機器に送信する。電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、例えば、発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃ等を制御する制御部５２（図６参照）等を含むものを用いることができる。各電子部品１４は、例えば、１つのＩＣチップ又は複数のＩＣチップを含むモジュールである。
配線基板１３の屈曲部１３Ｂ，１３Ｄは、例えば、あらかじめ所定の方向に屈曲させることを想定して設計された屈曲可能部である。屈曲部１３Ｂは、例えば、実装部１３Ａと屈曲部１３Ｂと実装部１３Ｃとの並設方向（図中矢印参照）に屈曲させることを想定して設計されている。屈曲部１３Ｄは、例えば、実装部１３Ｃと屈曲部１３Ｄと実装部１３Ｅとの並設方向（図中矢印参照）に屈曲させることを想定して設計されている。このような屈曲部１３Ｂ，１３Ｄを設けることにより、それら屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおいて配線基板１３を並設方向に容易に１８０度屈曲させることができる。なお、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄの屈曲方向は、配線基板１３の長手方向と一致している。また、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄには、例えば、電子部品１４が実装されていない。
非実装部１３Ｇは、例えば、隣り合う実装部１３Ｆ，１３Ｈを接続するように形成されている。非実装部１３Ｇには、例えば、電池モジュール１４Ａ、発光素子１４Ｂ、受光素子１４Ｃ、アンテナ１４Ｄ、電子部品１４Ｅ，１４Ｆ等の電子部品１４が実装されていない。
次に、図２に従って、支持体１１に装着された状態の半導体装置１２の構造について説明する。
配線基板１３は、支持体１１の表面に沿って支持体１１に取り付けられている。配線基板１３は、例えば、接着剤（図示略）などにより支持体１１の表面に接着されている。
配線基板１３は、板状部２１の上面に沿って取り付けられている。実装部１３Ａは、収容部２６の外面を構成する板状部２１の上面を被覆するように設けられている。実装部１３Ａの第１面Ｓ１には、電池モジュール１４Ａが実装されている。なお、実装部１３Ａの第２面Ｓ２は、板状部２１の上面に対向するように設けられている。
配線基板１３は、板状部２１の後端部において、板状部２１の上面側から収容部２６の内面側に折り返すように形成されている。具体的には、配線基板１３は、板状部２１の後端部において、屈曲部１３Ｂにより略１８０度折り曲げられて板状部２１の上面側から板状部２１の下面側に折り返すように形成されている。このとき、屈曲部１３Ｂは、板状部２１の後端部の後端面を被覆するように形成されている。屈曲部１３Ｂは、例えば、円弧状に湾曲するように形成されている。屈曲部１３Ｂは、例えば、Ｕ字状に折り返されるように形成されている。屈曲部１３Ｂの第２面Ｓ２は、板状部２１の後端部の後端面と対向するように設けられている。
配線基板１３は、例えば、収容部２６の内面に沿ってＵ字状に折り返されて取り付けられている。実装部１３Ｃは、板状部２１の下面を被覆するように設けられている。実装部１３Ｃのうち板状部２２側に向く第１面Ｓ１には、電子部品１４Ｅが実装されている。電子部品１４Ｅは、例えば、実装部１３Ｃの第１面Ｓ１から板状部２２側（ここでは、下方）に向かって突出するように設けられている。なお、実装部１３Ｃの第２面Ｓ２は、板状部２１の下面と対向するように設けられている。
配線基板１３は、収容部２６の内面を構成する接続部２４の後端面において、板状部２１の下面側から板状部２２の上面側にＵ字状に折り返すように形成されている。具体的には、配線基板１３は、接続部２４の後端面において、屈曲部１３Ｄにより略１８０度折り曲げられて板状部２１の下面側から板状部２２の上面側に折り返すように形成されている。このとき、屈曲部１３Ｄは、接続部２４の後端面を被覆するように形成されている。屈曲部１３Ｄは、例えば、接続部２４の後端面に沿って円弧状に湾曲するように形成されている。屈曲部１３Ｄは、例えば、Ｕ字状に折り返されるように形成されている。屈曲部１３Ｄの第２面Ｓ２は、接続部２４の後端面に対向するように設けられている。
実装部１３Ｅは、板状部２２の上面を被覆するように設けられている。実装部１３Ｅのうち板状部２１側（ここでは、上側）に向く第１面Ｓ１には、電子部品１４Ｆが実装されている。電子部品１４Ｆは、実装部１３Ｅの第１面Ｓ１から板状部２１側（ここでは、上方）に向かって突出するように設けられている。電子部品１４Ｆは、例えば、電子部品１４Ｅと接触しないように設けられている。これら電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、収容部２６内に設けられている。実装部１３Ｅのうち板状部２２側（ここでは、下側）に向く第２面Ｓ２には、発光素子１４Ｂが実装されている。発光素子１４Ｂは、例えば、板状部２２の貫通孔２２Ｘと平面視で重なるように設けられている。発光素子１４Ｂは、例えば、実装部１３Ｅの第２面Ｓ２から貫通孔２２Ｘ内に突出するように形成されている。発光素子１４Ｂは、例えば、貫通孔２２Ｘ内に収容されている。
配線基板１３は、収容部２６の内面を構成する板状部２２の上面と連続して形成された突出部２２Ａの上面（第１面）に沿って取り付けられている。実装部１３Ｆは、突出部２２Ａの上面を被覆するように設けられている。実装部１３Ｆの第１面Ｓ１には、アンテナ１４Ｄが実装されている。すなわち、アンテナ１４Ｄは、突出部２２Ａに取り付けられた部分の配線基板１３、つまり実装部１３Ｆの第１面Ｓ１に実装されている。換言すると、アンテナ１４Ｄは、突出部２２Ａと平面視で重なる位置に設けられている。ここで、突出部２２Ａは、収容部２６の外方に設けられており、平面視において板状部２１と重ならない位置に設けられている。このため、突出部２２Ａに実装されたアンテナ１４Ｄは、板状部２１上に設けられた電池モジュール１４Ａ、収容部２６内に設けられた電子部品１４Ｅ，１４Ｆ及び発光素子１４Ｂと離れて設けることができる。これにより、電池モジュール１４Ａ、発光素子１４Ｂ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆの影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを抑制できる。また、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、突出部２２Ａの上面）との間の距離が、突出部２２Ａを除いた板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、板状部２２の上面）との間の距離よりも長く形成されている。このため、突出部２２Ａ以外の板状部２２上にアンテナ１４Ｄが設けられる場合に比べて、収容部２７に挿入される測定対象物Ｔ１とアンテナ１４Ｄとの間の距離を長く確保することができる。これにより、誘電率の比較的高い測定対象物Ｔ１の影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを抑制できる。アンテナ１４Ｄは、例えば、他の電子部品１４よりも高く形成されている。例えば、アンテナ１４Ｄの高さは、板状部２１と板状部２２との間の距離よりも長く形成されている。アンテナ１４Ｄは、例えば、前後方向から見た正面視において板状部２１と重なるように形成されている。なお、実装部１３Ｆの第２面Ｓ２は、突出部２２Ａの上面と対向するように設けられている。
配線基板１３は、収容部２７の外面を構成する接続部２５の前端面に沿って取り付けられている。非実装部１３Ｇは、接続部２５の前端面を被覆するように設けられている。非実装部１３Ｇは、例えば、接続部２５の前端面に沿って直線状に延びるように形成されている。非実装部１３Ｇは、例えば、高さ方向Ｚに沿って垂直に延びるように形成されている。非実装部１３Ｇの第２面Ｓ２は、接続部２５の前端面と対向するように設けられている。
配線基板１３は、収容部２７の外面を構成する板状部２３の下面に沿って取り付けられている。実装部１３Ｈは、板状部２３の下面を被覆するように設けられている。実装部１３Ｈのうち板状部２３側（ここでは、上側）を向く第２面Ｓ２には、受光素子１４Ｃが実装されている。受光素子１４Ｃは、発光素子１４Ｂと対向するように設けられている。受光素子１４Ｃは、例えば、平面視において、板状部２２の貫通孔２２Ｘ及び板状部２３の貫通孔２３Ｘと重なるように設けられている。受光素子１４Ｃは、例えば、実装部１３Ｈの第２面Ｓ２から貫通孔２３Ｘ内に突出するように形成されている。受光素子１４Ｃは、例えば、貫通孔２３Ｘ内に収容されている。
電子機器１０は、収容部２７に測定対象物Ｔ１が挿入されるように、測定対象物Ｔ１に装着される。このとき、発光素子１４Ｂと受光素子１４Ｃとは、測定対象物Ｔ１を挟んで生体の透過光を検出できるように、互いに対向するように配置される。これにより、発光素子１４Ｂから発せられる光を、測定対象物Ｔ１を経由した上で、受光素子１４Ｃで受光させることができる。
（配線基板１３の積層構造）
次に、図４に従って、配線基板１３の積層構造について説明する。図４では、実装部１３Ｃと屈曲部１３Ｄと実装部１３Ｅ，１３Ｆとにおける積層構造を図示している。図３に示した実装部１３Ａ、非実装部１３Ｇ及び実装部１３Ｈは、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆと同様の積層構造を有しているため、ここでは詳細な説明を省略する。また、図３に示した屈曲部１３Ｂは、屈曲部１３Ｄと同様の積層構造を有しているため、ここでは詳細な説明を省略する。
図４に示すように、配線基板１３は、複数の配線層と複数の絶縁層とが交互に積層された構造を有する多層配線基板である。配線基板１３は、例えば、配線層３０と、絶縁層３１と、配線層３２と、絶縁層３３と、配線層３４と、絶縁層３５と、配線層３６と、ソルダーレジスト層３７とが順次積層された構造を有している。このように、本実施形態の配線基板１３は、一般的なビルドアップ法を用いて作製される配線基板、つまり支持基材としてのコア基板の両面又は片面に所要数のビルドアップ層を順次形成して積層したものとは異なり、支持基材を含まない所謂コアレス基板の形態を有している。
配線層３０，３２，３４，３６の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。配線層３０，３２，３４，３６の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。また、配線層３０，３２，３４，３６のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、１０μｍ／１０μｍ～２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。ここで、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、配線の幅と、隣り合う配線同士の間隔とを示す。
絶縁層３１，３３，３５の材料としては、例えば、ヤング率が低く可撓性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３１，３３，３５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁層３１，３３，３５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることもできる。絶縁層３１，３３，３５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。なお、絶縁層３１，３３，３５の厚さは、例えば、２０～４５μｍ程度とすることができる。
配線層３０は、配線基板１３の最外層（ここでは、最下層）の配線層である。配線層３０は、信号線等を構成する配線パターン３０Ａと、電磁ノイズ等のノイズを遮蔽するシールドパターン３０Ｂとを有している。シールドパターン３０Ｂは、例えば、図示しないグランド電源と接続されるグランドパターンである。絶縁層３１は、配線基板１３の最外層（ここでは、最下層）に形成されている。本実施形態の配線基板１３では、絶縁層３１の下面が配線基板１３の第２面Ｓ２となる。絶縁層３１は、配線層３０の側面及び上面を被覆し、配線層３０の下面を露出するように形成されている。絶縁層３１の下面は、例えば、配線層３０の下面と面一になるように形成されている。
絶縁層３１から露出された配線層３０の下面は、電子部品１４と電気的に接続される接続パッドＰ１として機能する。一部の電子部品１４、具体的には発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃ（図３参照）は、配線基板１３の第２面Ｓ２側に実装される。
絶縁層３１から露出する配線層３０上（つまり、接続パッドＰ１上）には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、表面処理層の他の例としては、接続パッドＰ１の表面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることができる。ＯＳＰ膜としては、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。
配線層３２は、絶縁層３１の上面に形成されている。配線層３２は、絶縁層３１を厚さ方向に貫通するビア配線Ｖ１を介して配線層３０と電気的に接続されている。配線層３２は、例えば、ビア配線Ｖ１と一体に形成されている。配線層３２は、信号線等を構成する配線パターン３２Ａと、電磁ノイズ等のノイズを遮蔽するシールドパターン３２Ｂとを有している。シールドパターン３２Ｂは、例えば、図示しないグランド電源と接続されるグランドパターンである。
絶縁層３３は、配線層３２を被覆するように絶縁層３１の上面に形成されている。配線層３４は、絶縁層３３の上面に形成されている。配線層３４は、絶縁層３３を厚さ方向に貫通するビア配線Ｖ２を介して配線層３２と電気的に接続されている。配線層３４は、例えば、ビア配線Ｖ２と一体に形成されている。配線層３４は、信号線等を構成する配線パターン３４Ａと、電磁ノイズ等のノイズを遮蔽するシールドパターン３４Ｂとを有している。シールドパターン３４Ｂは、例えば、図示しないグランド電源と接続されるグランドパターンである。
絶縁層３５は、配線層３４を被覆するように絶縁層３３の上面に形成されている。配線層３６は、絶縁層３５の上面に形成されている。配線層３６は、絶縁層３５を厚さ方向に貫通するビア配線Ｖ３を介して配線層３４と電気的に接続されている。配線層３６は、例えば、ビア配線Ｖ３と一体に形成されている。配線層３６は、信号線等を構成する配線パターン３６Ａと、電磁ノイズ等のノイズを遮蔽するシールドパターン３６Ｂとを有している。シールドパターン３６Ｂは、例えば、図示しないグランド電源と接続されるグランドパターンである。
ここで、ビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、例えば、図４において上側（ソルダーレジスト層３７側）から下側（配線層３０側）に向かうに連れて幅が小さくなるテーパ状に形成されている。例えば、ビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、下面が上面よりも小さくなる略逆円錐台形状に形成されている。ビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の上面の直径は、例えば、６０～７０μｍ程度とすることができる。
ソルダーレジスト層３７は、配線層３６を被覆するように絶縁層３５の上面に形成されている。ソルダーレジスト層３７は、配線基板１３の最外層（ここでは、最上層）に形成されている。本実施形態の配線基板１３では、ソルダーレジスト層３７の上面が配線基板１３の第１面Ｓ１となる。ソルダーレジスト層３７の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層３７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。また、ソルダーレジスト層３７の材料としては、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂に限らず、例えば、絶縁層３１，３３，３５と同じ絶縁性樹脂を用いてもよい。なお、ソルダーレジスト層３７は、必ずしも屈曲性に優れた材料を用いる必要はない。ソルダーレジスト層３７の材料として屈曲性に優れた材料を用いない場合には、屈曲部１３Ｄにソルダーレジスト層３７を設けなくてもよい。屈曲部１３Ｄにソルダーレジスト層３７を設けない場合には、屈曲部１３Ｄにおける配線層３６を省略することができる。ソルダーレジスト層３７の厚さは、例えば、１５～３５μｍ程度とすることができる。
ソルダーレジスト層３７には、当該ソルダーレジスト層３７を厚さ方向に貫通して配線層３６の上面の一部を接続パッドＰ２として露出させるための複数の開口部３７Ｘが形成されている。接続パッドＰ２は、例えば、電子部品１４と電気的に接続されるパッドとして機能する。一部の電子部品１４、具体的には電池モジュール１４Ａ（図３参照）、アンテナ１４Ｄ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、ソルダーレジスト層３７の上面側、つまり配線基板１３の第１面Ｓ１側に実装される。
開口部３７Ｘから露出する配線層３６上（つまり、接続パッドＰ２上）には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層、ＯＳＰ膜などを挙げることができる。
本実施形態の配線基板１３では、屈曲部１３Ｄにおける配線層数が、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆにおける配線層数よりも少なくなっている。詳述すると、配線層３０は、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄのうち実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆのみに配置されている。すなわち、配線層３０は、屈曲部１３Ｄに配置されていない。また、配線層３２，３４，３６は、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄの全てに配置されている。このため、本例の配線基板１３では、屈曲部１３Ｄにおける配線層数が配線層３２，３４，３６の３層になっている一方で、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆにおける配線層数が配線層３０，３２，３４，３６の４層になっている。このように屈曲部１３Ｄにおける配線層数を実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆにおける配線層数よりも少なくすることにより、屈曲部１３Ｄにおける配線層の形成密度を低減することができ、良好な屈曲性を確保することができる。
本例のビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄのうち実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆのみに配置されている。すなわち、本例の屈曲部１３Ｄには、ビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が配置されていない。このように、屈曲可能に構成された屈曲部１３Ｄにはビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を配置せず、屈曲させることが想定されていない実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆのみにビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を配置するようにした。これにより、屈曲部１３Ｄを１８０度折り返す際に、ビア配線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の剥離等に伴う導通不良の発生を好適に抑制できる。
一方、配線パターン３０Ａ，３２Ａ，３４Ａ，３６Ａは、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄのいずれに配置してもよい。
シールドパターン３０Ｂ，３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂは、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄのいずれに配置してもよい。本例の配線基板１３では、例えば、シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂが実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄに形成されている。
屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂには、それらシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂを厚さ方向に貫通する複数の貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘがそれぞれ形成されている。
（屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの構造）
次に、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの構造について説明する。ここでは、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂの構造について説明する。なお、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３４Ｂ，３６Ｂは、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂと同様の構造を有しているため、ここでは説明を省略する。
図５に示すように、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂは、複数の貫通孔３２Ｘを有している。複数の貫通孔３２Ｘは、所定間隔で配列されている。複数の貫通孔３２Ｘは、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられるとともに、屈曲方向と平面視で直交する方向（本実施形態では、配線基板１３の短手方向）において所定の間隔を空けて設けられている。
各貫通孔３２Ｘの平面形状は、少なくとも１つの屈折部を有する形状に形成されている。本例の各貫通孔３２Ｘの平面形状は、２つの屈折部Ｃ１，Ｃ２を有するクランク状に形成されている。詳述すると、各貫通孔３２Ｘは、屈曲方向と直交する短手方向に沿って延びる開口部４１と、開口部４１の端部から屈曲方向に沿って延びる開口部４２と、開口部４２の端部から短手方向に沿って延び、開口部４２と短手方向にずれた位置に形成された開口部４３とを有している。開口部４１と開口部４３は、例えば、互いに同じ平面形状及び同じ大きさに形成されている。複数の貫通孔３２Ｘは、例えば、互いに同じ平面形状及び大きさに形成されている。また、複数の貫通孔３２Ｘは、例えば、互いに同じ方向を向いて配置されている。これら複数の貫通孔３２Ｘによって、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂは略格子状に画定されている。
屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂは、例えば、所定の方向に沿って延びるとともに互いに平行に形成された複数の支持部４４と、隣り合う支持部４４の間に形成され、隣り合う支持部４４を接続するように形成された連結部４５とを有している。連結部４５は、例えば、支持部４４と連続して一体に形成されている。
各支持部４４は、例えば、屈曲方向と平面視で交差する方向に延びるように形成されている。本例の各支持部４４は、屈曲方向（ここでは、配線基板１３の長手方向）と平面視で直交する方向（ここでは、配線基板１３の短手方向）に延びるように形成されている。各支持部４４は、例えば、所定の幅を持って直線状に延びるように形成されている。複数の支持部４４は、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられている。図５に示した例では、支持部４４を３つ設けるようにしたが、支持部４４の数は特に限定されない。支持部４４を２つ設けるようにしてもよいし、支持部４４を４つ以上設けるようにしてもよい。
複数の連結部４５は、例えば、隣り合う支持部４４の間で、配線基板１３の短手方向において所定の間隔を空けて設けられている。複数の連結部４５は、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられている。本例では、屈曲方向に沿って並んで設けられた複数の連結部４５が短手方向において同じ位置に並んで設けられている。また、複数の連結部４５は、例えば、互いに同じ平面形状及び同じ大きさに形成されている。複数の連結部４５は、例えば、互いに同じ方向を向いて配置されている。
各連結部４５の平面形状は、少なくとも１つの屈折部を有する形状に形成されている。本例の各連結部４５の平面形状は、２つの屈折部Ｃ３，Ｃ４を有するクランク状に形成されている。詳述すると、各連結部４５は、屈曲方向に沿って延びる延出部４６と、延出部４６の端部から屈曲方向と直交する短手方向に沿って延びる接続部４７と、接続部４７の端部から屈曲方向に沿って延びる延出部４８とを有している。すなわち、各連結部４５では、接続部４７が延出部４６に対して略直角に屈折して形成されており、延出部４８が接続部４７に対して略直角に屈折して形成されている。各連結部４５では、延出部４６と接続部４７との接続部分に屈折部Ｃ３が形成されており、接続部４７と延出部４８との接続部分に屈折部Ｃ４が形成されている。各連結部４５では、延出部４６と延出部４８とが短手方向において互いにずれた位置に設けられている。これら延出部４６と延出部４８とは、例えば、互いに同じ平面形状及び同じ大きさに形成されている。そして、延出部４６の端部が隣り合う支持部４４のうち一方の支持部４４に接続され、延出部４８の端部が隣り合う支持部４４のうち他方の支持部４４に接続されている。例えば、隣り合う支持部４４と延出部４６と接続部４７と延出部４８とは連続して一体に形成されている。
このように、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂでは、隣り合う支持部４４の間に形成された連結部４５の平面形状を、屈折部Ｃ３，Ｃ４を有する形状に形成した。これにより、連結部４５にばね性を持たせることができるため、そのばね性によって良好な屈曲性を確保することができる。
ここで、支持部４４の幅寸法（つまり、支持部４４の屈曲方向の長さ）Ｌ１は、例えば、２５～１００μｍ程度とすることができる。屈曲方向に隣り合う支持部４４の間の離間距離Ｌ２は、例えば、２２５～４００μｍ程度とすることができる。延出部４６の屈曲方向の長さＬ３は、例えば、１００～１５０μｍ程度とすることができる。接続部４７の幅寸法（つまり、接続部４７の屈曲方向の長さ）Ｌ４は、例えば、２５～１００μｍ程度とすることができる。延出部４８の屈曲方向の長さＬ５は、例えば、１００～１５０μｍ程度とすることができる。連結部４５全体の短手方向の長さ（つまり、接続部４７の短手方向の長さ）Ｌ６は、例えば、２０１～３５０μｍ程度とすることができる。延出部４６の幅寸法（つまり、延出部４６の短手方向の長さ）Ｌ７は、例えば、２５～１００μｍ程度とすることができる。延出部４８の幅寸法（延出部４８の短手方向の長さ）Ｌ８は、例えば、２５～１００μｍ程度とすることができる。短手方向に隣り合う連結部４５の間の離間距離Ｌ９は、例えば、１００～１５０μｍ程度とすることができる。短手方向に隣り合う延出部４６の間の離間距離（つまり、貫通孔３２Ｘの開口部４１の短手方向の長さ）Ｌ１０は、例えば、１２６～５００μｍ程度とすることができる。短手方向に隣り合う延出部４８の間の離間距離（つまり、貫通孔３２Ｘの開口部４３の短手方向の長さ）Ｌ１１は、例えば、２５０～３００μｍ程度とすることができる。以上説明した各部材の寸法は、シールドパターン３２Ｂに求められるシールド性能及び曲げ弾性率等に基づいて適宜設定される。
本実施形態では、支持部４４の幅寸法Ｌ１と、接続部４７の幅寸法Ｌ４と、延出部４６の幅寸法Ｌ７と、延出部４８の幅寸法Ｌ８とが同じ長さになるように設定されている。また、本実施形態では、屈曲方向に隣り合う支持部４４の間の離間距離Ｌ２が、短手方向に隣り合う延出部４６の間の離間距離Ｌ１０（又は、短手方向に隣り合う延出部４８の間の離間距離Ｌ１１）よりも長くなるように設定されている。これにより、連結部４５に比べて剛性の高い構造を有する支持部４４の間隔を広く確保することができるため、良好な屈曲性を確保することができる。
なお、図示は省略するが、図４に示した屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３４Ｂ，３６Ｂには、貫通孔３２Ｘと同じ平面形状を有する貫通孔３４Ｘ，３６Ｘがそれぞれ形成されている。貫通孔３４Ｘ，３６Ｘはそれぞれ、例えば、貫通孔３２Ｘと同じ大きさに形成されており、貫通孔３２Ｘと同じ間隔で配列されている。本実施形態では、積層方向に隣り合う貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘが平面視で重なるように形成されている。
屈曲部１３Ｄに配置された各シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂは、それらシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂに要求される所望のシールド性能を維持できる程度の面積を有している。シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの材料が銅である場合には、屈曲部１３Ｄに配置された各シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの残銅率は、所望のシールド性能を維持できる範囲内で任意に設定することができる。例えば、屈曲部１３Ｄに配置された各シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの残銅率は、３０～４０％程度に設定することができる。ここで、残銅率とは、ある絶縁層上の面積に占める銅層の面積の比率である。
図４に示すように、電子部品１４は、例えば、その一方の面に設けられた電極端子１４Ｐを有している。電極端子１４Ｐとしては、例えば、金属柱、金バンプや半田バンプを用いることができる。金属柱の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。半田バンプの材料としては、例えば、鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＣｕの合金、Ｓｎと銀（Ａｇ）の合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金などを用いることができる。
発光素子１４Ｂは、例えば、電極端子１４Ｐが配線基板１３の接続パッドＰ１と電気的に接続されている。これにより、発光素子１４Ｂは、電極端子１４Ｐを介して、配線基板１３の配線パターン３０Ａと電気的に接続されている。すなわち、発光素子１４Ｂは、配線基板１３の第２面Ｓ２にフリップチップ実装されている。アンテナ１４Ｄ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、例えば、電極端子１４Ｐが配線基板１３の接続パッドＰ２と電気的に接続されている。この電極端子１４Ｐは、例えば、接続パッドＰ２上に設けられた半田３８を介して、接続パッドＰ２と電気的に接続されている。これにより、アンテナ１４Ｄ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、電極端子１４Ｐ及び半田３８を介して、配線基板１３の配線パターン３６Ａと電気的に接続されている。すなわち、アンテナ１４Ｄ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆは、配線基板１３の第１面Ｓ１にフリップチップ実装されている。半田３８の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金などを用いることができる。
なお、図示は省略するが、図３に示した電池モジュール１４Ａは、アンテナ１４Ｄ及び電子部品１４Ｅ，１４Ｆと同様に、配線基板１３の第１面Ｓ１にフリップチップ実装されている。また、図３に示した受光素子１４Ｃは、発光素子１４Ｂと同様に、配線基板１３の第２面Ｓ２にフリップチップ実装されている。
（電子機器１０の電気的構成）
次に、図６に従って、電子機器１０の電気的構成について説明する。
図６に示すように、電子機器１０は、例えば、情報管理装置６０と協働して、生体情報測定システムを構成している。
電子機器１０は、例えば、電池５０と、センサ部５１と、制御部５２と、通信部５６とを有している。
電池５０は、例えば、センサ部５１と制御部５２と通信部５６とに対して、それらセンサ部５１と制御部５２と通信部５６とが動作するために必要な電力を供給するように構成されている。
センサ部５１は、被検者の測定対象物Ｔ１から生体情報を検出し、その生体情報に対応する信号を出力するように構成されている。センサ部５１は、例えば、取得する生体情報に応じて様々な態様をとりうる。生体情報として心電図やインピーダンス呼吸を取得する場合には、センサ部５１は、生体電位を検出する複数の電極を有する態様をとる。生体情報としてサーミスタ呼吸や体温を取得する場合には、センサ部５１は、温度検知素子を有する態様をとる。生体情報として血糖値を取得する場合には、センサ部５１は、血糖値検知素子を有する態様をとる。生体情報として脈拍や血中酸素飽和度を取得する場合には、センサ部５１は、発光素子及び受光素子を有する態様をとる。本実施形態のセンサ部５１は、生体情報として血中酸素飽和度を取得するものであり、発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃを有している。
制御部５２は、発光素子１４Ｂと電気的に接続されるとともに、受光素子１４Ｃと電気的に接続されている。制御部５２は、通信部５６と電気的に接続されている。
制御部５２は、例えば、発光素子１４Ｂを駆動する駆動回路５３と、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路５４と、制御装置５５とを有している。駆動回路５３は、例えば、所定のサンプリング周期に基づいて、発光素子１４Ｂを発光させる制御を行うように構成されている。発光素子１４Ｂから発せられた光は、例えば、収容部２７（図２参照）に挿入された測定対象物Ｔ１を経由した上で、受光素子１４Ｃにて受光される。Ａ／Ｄ変換回路５４は、例えば、受光素子１４Ｃから出力される生体情報（アナログ信号）を発光素子１４Ｂの発光に同期して取得し、取得したアナログ信号をデジタル信号に変換する。制御装置５５は、例えば、制御部５２に含まれる各回路の動作を統括制御するように構成されている。制御装置５５は、例えば、Ａ／Ｄ変換回路５４で生成されたデジタル信号（つまり、生体情報）に対して所定の解析処理を施して解析結果情報を生成する。制御装置５５は、例えば、Ａ／Ｄ変換回路５４で生成されたデジタル信号（つまり、生体情報）又は解析結果情報を通信部５６に出力する。
制御装置５５は、［１］コンピュータプログラム（ソフトウェア）に従って各種処理を実行する１つ以上のプロセッサ、［２］各種処理のうち少なくとも一部の処理を実行する、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等の１つ以上の専用のハードウェア回路、或いは［３］それらの組み合わせ、を含む回路として構成し得る。プロセッサは、中央演算処理装置（Central Processing Unit：ＣＰＵ）と、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリとを含んでいる。メモリは、処理をＣＰＵに実行させるように構成されたプログラムコード又は指令を格納している。メモリ、つまりコンピュータ可読媒体は、汎用又は専用のコンピュータでアクセスできるあらゆる利用可能な媒体を含む。
通信部５６には、所定の無線通信方式により情報管理装置６０と通信を行うためのアンテナ１４Ｄが接続されている。通信部５６は、例えば、送信回路である。通信部５６は、発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃにより取得した生体情報や解析結果情報を含む送信情報をアンテナ１４Ｄに送信する。通信部５６は、アンテナ１４Ｄを通じて、送信情報を無線通信によって情報管理装置６０に送信する。なお、無線通信方式の例としては、ＢＬＥ（Bluetooth Low Energy、Bluetoothは登録商標）、ＺｉｇＢｅｅ（登録商標）、ＡＮＴ＋（登録商標）、ＮＦＣなどが挙げられる。
情報管理装置６０は、例えば、アンテナ６１を有し、電子機器１０から送信される情報を受信する。情報管理装置６０は、例えば、受信した情報を記憶装置に記憶する。記憶装置としては、例えば、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）を用いることができる。情報管理装置６０は、例えば、受信した情報を表示装置に表示する。情報管理装置６０は、例えば、受信した情報に対して所定の解析処理を施した解析結果を表示装置に表示する。表示装置としては、例えば、液晶表示装置（Liquid Crystal Display）や有機ＥＬ（Electronic Luminescence）を用いることができる。
（半導体装置１２の製造方法）
次に、図７～図１２に従って、半導体装置１２の製造方法について説明する。本実施形態では、支持基板上に１個ずつ半導体装置を作製した後に支持基板を除去する工程の例を示すが、支持基板上に複数の半導体装置となる部分を作製して支持基板を除去した後に個片化して各半導体装置とする工程としてもよい。なお、説明の便宜上、最終的に半導体装置１２の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。ここでは、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄにおける構造体を図示して説明する。
図７（ａ）に示すように、まず、支持基板７０を準備する。支持基板７０としては、例えば、金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。支持基板７０の厚さは、例えば、１８～１００μｍ程度とすることができる。
次に、支持基板７０の上面に、その上面全面を被覆するシード層７１を形成する。シード層７１は、例えば、無電解めっき法（例えば、無電解銅めっき法）やスパッタ法により形成することができる。シード層７１の材料としては、例えば、支持基板７０をエッチング除去する際にストッパ層となる導電材料を用いることができる。シード層７１の材料としては、支持基板７０に対して選択的にエッチング除去することのできる導電材料を用いることができる。このようなシード層７１の材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、錫、コバルト（Ｃｏ）、パラジウムなどの金属、又はこれら金属から選択される少なくとも一種の金属を含む合金を用いることができる。
続いて、図７（ｂ）に示す工程では、シード層７１の上面に、開口パターン７２Ｘを有するレジスト層７２を形成する。開口パターン７２Ｘは、配線層３０（図４参照）の形成領域に対応する部分のシード層７１の上面を露出するように形成される。レジスト層７２の材料としては、例えば、感光性のドライフィルム又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムを用いる場合には、シード層７１の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてレジスト層７２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７２を形成することができる。
続いて、図８（ａ）に示す工程では、レジスト層７２の開口パターン７２Ｘから露出されたシード層７１の上面に導電層７３を形成する。例えば、レジスト層７２をめっきマスクとして、開口パターン７２Ｘから露出されたシード層７１の上面に、そのシード層７１をめっき給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、シード層７１上に導電層７３を形成する。
次いで、レジスト層７２をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。
次に、図８（ｂ）に示す工程では、導電層７３をエッチングマスクとして、不要なシード層７１をエッチングにより除去する。これにより、シード層７１と導電層７３とからなる配線層３０が形成される。この配線層３０は、配線パターン３０Ａと、シールドパターン３０Ｂとを有している。配線層３０は、屈曲部１３Ｄには形成されていない。なお、これ以降の図９～図１２では、シード層７１と導電層７３との図示を省略し、配線層３０（配線パターン３０Ａ及びシールドパターン３０Ｂ）として図示する。
続いて、図９（ａ）に示す工程では、支持基板７０の上面に、配線層３０を覆うように絶縁層３１を形成する。絶縁層３１として樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、支持基板７０上に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０～１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層３１を形成することができる。また、液状又はペースト状の絶縁性樹脂を支持基板７０の上面にスピンコート法などにより塗布し、その塗布した絶縁性樹脂を１３０～１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層３１を形成することもできる。
次いで、図９（ｂ）に示す工程では、絶縁層３１に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層３０の上面の一部を露出するビアホール３１Ｘを形成する。ビアホール３１Ｘは、実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ及び屈曲部１３Ｄのうち実装部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆのみに形成される。ビアホール３１Ｘは、例えば、ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、絶縁層３１が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えば、フォトリソグラフィ法により所要のビアホール３１Ｘを形成するようにしてもよい。
次に、ビアホール３１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホール３１Ｘの底部に露出する配線層３０の露出面に付着した樹脂スミア（樹脂残渣）を除去する。
続いて、図１０（ａ）に示す工程では、ビアホール３１Ｘにビア導体を充填してビア配線Ｖ１を形成するとともに、そのビア配線Ｖ１を介して配線層３０と電気的に接続される配線層３２を絶縁層３１の上面に積層する。これらビア配線Ｖ１及び配線層３２は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。ここで、配線層３２は、配線パターン３２Ａと、シールドパターン３２Ｂとを有している。このとき、屈曲部１３Ｄに設けられたシールドパターン３２Ｂには、屈折部Ｃ１，Ｃ２（図５参照）を有する複数の貫通孔３２Ｘが形成されている。
次いで、図１０（ｂ）に示す工程では、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁層３１の上面に、配線層３２の上面の一部を露出するビアホール３３Ｘを有する絶縁層３３を形成する。
続いて、図１０（ａ）に示した工程と同様に、ビアホール３３Ｘにビア導体を充填してビア配線Ｖ２を形成するとともに、そのビア配線Ｖ２を介して配線層３２と電気的に接続される配線層３４を絶縁層３３の上面に積層する。配線層３４は、配線パターン３４Ａと、シールドパターン３４Ｂとを有している。このとき、屈曲部１３Ｄに設けられたシールドパターン３４Ｂには、屈折部Ｃ１，Ｃ２（図５参照）を有する複数の貫通孔３４Ｘが形成されている。
次いで、図１１に示す工程では、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁層３３の上面に、配線層３４の上面の一部を露出するビアホール３５Ｘを有する絶縁層３５を形成する。
続いて、図１０（ａ）に示した工程と同様に、ビアホール３５Ｘにビア導体を充填してビア配線Ｖ３を形成するとともに、そのビア配線Ｖ３を介して配線層３４と電気的に接続される配線層３６を絶縁層３５の上面に積層する。配線層３６は、配線パターン３６Ａと、シールドパターン３６Ｂとを有している。このとき、屈曲部１３Ｄに設けられたシールドパターン３６Ｂには、屈折部Ｃ１，Ｃ２（図５参照）を有する複数の貫通孔３６Ｘが形成されている。
次いで、絶縁層３５の上面に、配線層３６の上面の一部を接続パッドＰ２として露出させるための開口部３７Ｘを有するソルダーレジスト層３７を形成する。ソルダーレジスト層３７は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成することができる。なお、必要に応じて、接続パッドＰ２上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
次に、支持基板７０を除去する。支持基板７０として銅箔を用いた場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより支持基板７０を除去することができる。本工程により、図１２に示すように、配線層３０の下面が接続パッドＰ１として絶縁層３１から露出される。なお、必要に応じて、接続パッドＰ１上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
以上の工程により、本実施形態の配線基板１３を製造することができる。その後、配線基板１３の第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２に電子部品１４を実装することにより、図４に示した半導体装置１２を製造することができる。
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）収容部２６の内面に取り付けられた配線基板１３の実装部１３Ｅの第２面Ｓ２に発光素子１４Ｂが実装され、突出部２２Ａの上面に取り付けられた配線基板１３の実装部１３Ｆの第１面Ｓ１にアンテナ１４Ｄが実装される。ここで、突出部２２Ａは、収容部２６の外方に突出し、平面視において板状部２１から露出するように設けられている。このため、突出部２２Ａ上に設けられたアンテナ１４Ｄは、収容部２６に設けられた実装部１３Ｅに実装された発光素子１４Ｂと離れて設けることができる。また、アンテナ１４Ｄは、収容部２６内に設けられた電子部品１４Ｅ，１４Ｆと離れて設けることができる。これにより、発光素子１４Ｂや電子部品１４Ｅ，１４Ｆがアンテナ１４Ｄの近くに配置されることに起因して、それら発光素子１４Ｂや電子部品１４Ｅ，１４Ｆの影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを抑制できる。
（２）また、被検者の生体情報を検出するセンサ素子である発光素子１４Ｂと離れてアンテナ１４Ｄを設けることができるため、測定対象物Ｔ１と離れた位置にアンテナ１４Ｄを設けることが可能である。これにより、誘電率の比較的高い人体である測定対象物Ｔ１がアンテナ１４Ｄに近づくことを抑制できるため、測定対象物Ｔ１の影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを抑制できる。
（３）支持体１１に、測定対象物Ｔ１が挿入される収容部２７を設けた。この構成によれば、収容部２７に測定対象物Ｔ１を挿入することによって、被検者に対して電子機器１０を装着することが可能となる。このため、被検者に対して電子機器１０を容易に装着することができる。
（４）突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、突出部２２Ａの上面）との間の距離が、突出部２２Ａを除いた板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面（ここでは、板状部２２の上面）との間の距離よりも長く形成されている。このため、突出部２２Ａ以外の板状部２２上にアンテナ１４Ｄが設けられる場合に比べて、収容部２７に挿入される測定対象物Ｔ１とアンテナ１４Ｄとの間の距離を長く確保することができる。これにより、誘電率の比較的高い測定対象物Ｔ１の影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを好適に抑制できる。
（５）収容部２７の内面を構成する接続部２５の前端面を、板状部２２側から接続部２５の高さ方向の中央部に向かうに連れて凹み量が大きくなるように湾曲させて形成することで、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離を長く形成している。この構成によれば、測定対象物Ｔ１の先端部が接触する可能性のある接続部２５の前端面を湾曲面に形成しつつ、その湾曲面によって測定対象物Ｔ１がアンテナ１４Ｄに近づくことを抑制することができる。
（６）発光素子１４Ｂを板状部２２の貫通孔２２Ｘに収容し、受光素子１４Ｃを板状部２３の貫通孔２３Ｘに収容した。この構成によれば、板状部２２，２３の板厚部分の空間である貫通孔２２Ｘ，２３Ｘを発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃの収容部としてそれぞれ利用することができる。このため、発光素子１４Ｂ及び受光素子１４Ｃを貫通孔２２Ｘ，２３Ｘ以外に設ける場合に比べて、電子機器１０が大型化することを抑制できる。
（７）収容部２６の外面を構成する板状部２１の上面を被覆する実装部１３Ａに電池モジュール１４Ａが実装される。ここで、突出部２２Ａは、平面視において板状部２１と重ならない位置に設けられている。すなわち、突出部２２Ａは、平面視において板状部２１から露出された位置に設けられている。このため、突出部２２Ａ上に設けられたアンテナ１４Ｄは、板状部２１上に設けられた電池モジュール１４Ａと離れて設けることができる。これにより、電池モジュール１４Ａがアンテナ１４Ｄの近くに配置されることに起因して、その電池モジュール１４Ａの影響により、アンテナ１４Ｄのアンテナ特性が低下することを抑制できる。
（８）屈曲部１３Ｂ，１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂに、平面形状が屈折部Ｃ１，Ｃ２を有する形状に形成された複数の貫通孔３２Ｘを所定間隔で配列した。これにより、シールドパターンが貫通孔を有しないベタパターンである場合に比べて、シールドパターン３２Ｂの曲げ弾性率を低減することができ、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄの曲げ弾性率を低減することができる。この結果、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおける屈曲性を向上させることができる。
（９）また、シールドパターン３２Ｂに複数の貫通孔３２Ｘが形成されると、それら複数の貫通孔３２Ｘによって画定されるシールドパターン３２Ｂにも屈折部Ｃ３，Ｃ４が形成される。この屈折部Ｃ３，Ｃ４を有するシールドパターン３２Ｂにばね性を持たせることができるため、そのばね性によって良好な屈曲性を確保することができる。
（１０）シールドパターン３２Ｂを、屈曲方向と直交する方向に沿って延びるとともに互いに平行に形成された複数の支持部４４と、隣り合う支持部４４の間に形成された連結部４５とを有する構造に形成した。さらに、連結部４５の平面形状を、屈折部Ｃ３，Ｃ４を有する形状に形成した。これにより、連結部４５にばね性を持たせることができるため、そのばね性によって良好な屈曲性を確保することができる。
（１１）支持部４４を屈曲方向と直交する方向に延びるように形成した。この構成によれば、連結部４５に比べて剛性の高い構造を有する支持部４４が屈曲方向と直交する方向に延びるように形成される。このため、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおける屈曲性が支持部４４によって阻害されることを好適に抑制できる。
（１２）連結部４５を、全体として屈曲方向に沿って延びるように形成した。この構成によれば、支持部４４に比べて剛性の低い構造を有し、且つばね性を有する連結部４５が屈曲方向に沿って延びるように形成される。このため、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄの曲げ弾性率を効果的に低減することができ、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおける屈曲性をより向上させることができる。
（１３）屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおいて積層方向に隣接するシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂに設けられた貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘを平面視で重なるように形成した。この構成によれば、積層方向に隣接する貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘ同士が平面視で重なっているため、それら貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘを通じてガスが抜けやすくなる。このため、各貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘをデガスホールとして機能させることができる。各貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘがデガスホールとして機能することにより、配線基板１３の内部にボイドが発生することを好適に抑制できる。なお、デガスホールとは、配線基板の製造工程において、加熱の際に配線基板の内部で発生するガスを外部に逃がすためのガス抜き用の孔である。
（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・上記実施形態では、収容部２７の内面を構成する接続部２５の前端面を、板状部２２側から接続部２５の高さ方向の中央部に向かうに連れて凹み量が大きくなるように湾曲させて形成することで、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離を長く形成した。これに限らず、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離が突出部２２Ａ以外の板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離よりも長くなる構造であれば、その具体的な構造は特に限定されない。
・上記実施形態では、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離を、突出部２２Ａ以外の板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離よりも長く形成したが、これに限定されない。例えば、突出部２２Ａにおける収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離を、突出部２２Ａ以外の板状部２２における収容部２７の内面と収容部２７の外面との間の距離と同じ距離になるように設定してもよい。
・上記実施形態では、収容部２７の外面を構成する接続部２５の後端面を、高さ方向Ｚに沿って平面状に延びるように形成したが、これに限定されない。例えば、接続部２５の後端面を、円弧状に湾曲するように形成してもよい。
・図１３に示すように、支持体１１から接続部２５及び板状部２３を省略してもよい。この場合には、支持体１１から収容部２７が省略される。この場合の支持体１１は、板状部２１，２２と接続部２４とによって構成される。この場合であっても、板状部２２は、収容部２６の外方に突出して形成された突出部２２Ａを有している。この突出部２２Ａの上面を覆う配線基板１３の実装部１３Ｆにアンテナ１４Ｄが実装されている。また、収容部２６の内面を構成する板状部２２の上面を被覆する配線基板１３の実装部１３Ｅの第２面Ｓ２には、センサ素子１４Ｇが実装されている。センサ素子１４Ｇは、例えば、板状部２２の貫通孔２２Ｘ内に収容されるように設けられている。センサ素子１４Ｇとしては、例えば、発光素子、受光素子、温度検知素子、血糖値検知素子などを用いることができる。なお、この場合の配線基板１３は、非実装部１３Ｇ及び実装部１３Ｈが省略されている。
・図１３に示した変更例において、センサ素子１４Ｇの実装位置は特に限定されない。例えば、センサ素子１４Ｇの実装位置は、収容部２６の内面に取り付けられた部分の配線基板１３であれば、その位置は特に限定されない。例えば、板状部２１の下面を被覆する配線基板１３の実装部１３Ｃにセンサ素子１４Ｇを実装するようにしてもよい。
・上記実施形態の配線基板１３から実装部１３Ａ及び屈曲部１３Ｂを省略してもよい。
・上記実施形態の電子機器１０から電池モジュール１４Ａを省略してもよい。この場合には、例えば、電子機器１０の外部に設けられた電源装置から電子機器１０に対して電力が供給され、その電力に基づいて電子機器１０を動作させるようにしてもよい。
・上記実施形態の半導体装置１２において、電子部品１４の個数や電子部品１４の実装位置は特に限定されない。例えば、実装部１３Ｅの第２面Ｓ２に受光素子１４Ｃを実装し、実装部１３Ｈの第２面Ｓ２に発光素子１４Ｂを実装するようにしてもよい。例えば、非実装部１３Ｇに電子部品１４を実装するようにしてもよい。
・上記実施形態の半導体装置１２における電子部品１４の実装の形態（例えば、フリップチップ実装、ワイヤボンディングによる実装、はんだ実装、又はこれらの組み合わせ）は適宜変更することが可能である。
・上記実施形態の屈曲部１３Ｂ，１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの構造は特に限定されない。例えば、貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘの平面形状は、少なくとも１つの屈折部を有する形状であれば、その形状は特に限定されない。例えば、連結部４５の平面形状は、少なくとも１つの屈折部を有する形状であれば、その形状は特に限定されない。
例えば図１４に示すように、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂに、平面形状が１つの屈折部Ｃ５を有するＶ字状に形成された複数の貫通孔３２Ｙを形成するようにしてもよい。複数の貫通孔３２Ｙは、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられるとともに、屈曲方向と平面視で直交する短手方向において所定の間隔を空けて設けられている。
本例のシールドパターン３２Ｂは、屈曲方向と平面視で交差する短手方向に沿って延びるとともに互いに平行に形成された複数の支持部８４と、隣り合う支持部８４の間に形成され、隣り合う支持部８４を接続するように形成された連結部８５とを有している。
各支持部８４は、例えば、所定の幅を持って直線状に延びるように形成されている。複数の支持部８４は、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられている。図１４に示した例では、支持部８４を３つ設けるようにしたが、支持部８４の数は特に限定されない。支持部８４を２つ設けるようにしてもよいし、支持部８４を４つ以上設けるようにしてもよい。
複数の連結部８５は、例えば、隣り合う支持部８４の間で、屈曲方向と直交する短手方向において所定の間隔を空けて設けられている。複数の連結部８５は、例えば、屈曲方向において所定の間隔を空けて設けられている。本例では、屈曲方向に並んで設けられた複数の連結部８５が短手方向において同じ位置に並んで設けられている。複数の連結部８５は、例えば、互いに同じ平面形状及び互いに同じ大きさに形成されている。複数の連結部８５は、例えば、互いに同じ方向を向いて配置されている。
本例の各連結部８５の平面形状は、１つの屈折部Ｃ６を有するＶ字状に形成されている。詳述すると、各連結部８５は、支持部８４の延出方向と交差する方向に沿って延びる延出部８６と、延出部８６の端部から支持部８４の延出方向及び延出部８６の延出方向の双方と交差する方向に沿って延びる延出部８７とを有している。本例の延出部８７は、支持部８４の延出方向と交差する方向であって、且つ延出部８６の延出方向と直交する方向に延びるように形成されている。すなわち、本例の各連結部８５では、延出部８７が延出部８６に対して略直角に屈曲して形成されている。各連結部８５では、延出部８６と延出部８７との接続部分に屈折部Ｃ６が形成されている。各連結部８５では、例えば、延出部８６と延出部８７とが短手方向において互いに同じ位置に設けられている。これら延出部８６と延出部８７とは、例えば、互いに同じ平面形状に形成されるとともに、互いに同じ大きさに形成されている。そして、延出部８６の端部が隣り合う支持部８４のうち一方の支持部８４に接続され、延出部８７の端部が隣り合う支持部８４のうち他方の支持部８４に接続されている。例えば、隣り合う支持部８４と延出部８６と延出部８７とは連続して一体に形成されている。
このように、本例のシールドパターン３２Ｂでは、隣り合う支持部８４の間に形成された連結部８５の平面形状を、１つの屈折部Ｃ６を有する形状に形成した。これにより、連結部８５にばね性を持たせることができるため、そのばね性によって良好な屈曲性を確保することができる。
なお、図示は省略するが、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄに配置されたシールドパターン３４Ｂ，３６Ｂ（図４参照）には、貫通孔３２Ｙと同じ平面形状を有する貫通孔が貫通孔３２Ｙと同じ間隔で形成されている。例えば、積層方向に隣り合うシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂに形成された貫通孔は平面視で重なるように形成されている。
・上記実施形態における連結部４５の平面形状を、３つ以上の屈折部を有する形状に変更してもよい。例えば、連結部４５の平面形状を、Ｗ字状に形成してもよい。
・上記実施形態では、シールドパターン３２Ｂの支持部４４を、屈曲方向と直交する方向に沿って延びるように形成したが、これに限定されない。
例えば図１５に示すように、支持部４４を、屈曲方向に沿って延びるように形成してもよい。この場合には、屈曲方向と直交する短手方向に隣り合う支持部４４の間に連結部４５が形成される。なお、図１５に示したシールドパターン３２Ｂは、図５に示したシールドパターン３２Ｂを平面視で右回り（時計回り）に９０度回転した構造になっている。
・上記実施形態では、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂを互いに略同じ平面形状に形成するようにした。これに限らず、例えば、屈曲部１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂを互いに異なる平面形状に形成してもよい。例えば、シールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂにおいて、連結部４５を互いに異なる平面形状に形成してもよい。
・上記実施形態では、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂの全てに、屈折部を有する貫通孔３２Ｘ，３４Ｘ，３６Ｘを形成した。これに限らず、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおいて、屈折部を有する貫通孔が形成されていないシールドパターンを設けるようにしてもよい。例えば、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄに配置されたシールドパターン３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂのうちシールドパターン３４Ｂのみに、屈折部を有する貫通孔３４Ｘを形成するようにしてもよい。
・上記実施形態における配線基板１３における配線層数は特に限定されない。例えば、屈曲部１３Ｂ，１３Ｄにおける配線層数は、実装部１３Ｃにおける配線層数と同じ層数であってもよい。
・上記実施形態では、配線基板１３をコアレス基板に具体化したが、これに限定されない。例えば、配線基板１３を、コア基板を有する配線基板に具体化してもよい。
１０ 電子機器
１１ 支持体
１２ 半導体装置
１３ 配線基板
１３Ａ，１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｆ，１３Ｈ 実装部
１３Ｂ，１３Ｄ 屈曲部
Ｓ１ 第１面（対向面）
Ｓ２ 第２面（反対面）
１４ 電子部品
１４Ａ 電池モジュール
１４Ｂ 発光素子（第１センサ素子）
１４Ｃ 受光素子（第２センサ素子）
１４Ｄ アンテナ
１４Ｅ，１４Ｆ 電子部品
１４Ｇ センサ素子
２１ 板状部（第１板状部）
２２ 板状部（第２板状部）
２２Ｘ 貫通孔（第１貫通孔）
２２Ａ 突出部
２３ 板状部（第３板状部）
２３Ｘ 貫通孔（第２貫通孔）
２４ 接続部（第１接続部）
２５ 接続部（第２接続部）
２６ 収容部（第１収容部）
２７ 収容部（第２収容部）
３０，３２，３４，３６ 配線層
３１，３３，３５ 絶縁層
３０Ａ，３２Ａ，３４Ａ，３６Ａ 配線パターン
３０Ｂ，３２Ｂ，３４Ｂ，３６Ｂ シールドパターン
３２Ｘ，３２Ｙ，３４Ｘ，３６Ｘ 貫通孔
４４，８４ 支持部
４５，８５ 連結部
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ５ 屈折部
Ｃ３，Ｃ４，Ｃ６ 屈折部
Ｔ１ 測定対象物

Claims (10)

  1. 互いに対向して設けられた第１板状部及び第２板状部と、前記第１板状部の第１端部と前記第２板状部の第１端部とを接続する第１接続部とを有し、前記第１板状部と前記第１接続部と前記第２板状部とによって囲まれた第１収容部を有する支持体と、
    前記第２板状部の一部であり、前記第１収容部の外方に突出し、平面視において前記第１板状部から露出するように形成された突出部と、
    前記支持体と対向する対向面と前記対向面の反対側に設けられた反対面とを有し、前記第１収容部の内面に沿って折り返されて取り付けられるとともに、前記第１収容部の内面と連続して形成された前記突出部の第１面に沿って取り付けられた配線基板と、
    前記第１収容部の内面に取り付けられた部分における前記配線基板の前記対向面に実装されたセンサ素子と、
    前記突出部の第１面に取り付けられた部分における前記配線基板の前記反対面に実装されたアンテナと、を有する電子機器。
  2. 前記支持体は、
    前記第２板状部と対向して設けられた第３板状部と、
    前記突出部により構成される前記第２板状部の第２端部と前記第３板状部の第２端部とを接続する第２接続部と、
    前記第２板状部と前記第３板状部と前記第２接続部とによって囲まれた空間であり、測定対象物が挿入される第２収容部と、
    を有する請求項１に記載の電子機器。
  3. 前記突出部における前記第２収容部の内面と前記第２収容部の外面との間の距離は、前記突出部を除いた前記第２板状部における前記第２収容部の内面と前記第２収容部の外面との間の距離よりも長く形成されている請求項２に記載の電子機器。
  4. 前記第２収容部の外面を構成する前記第２接続部の端面は、前記第２板状部と前記第３板状部とが並ぶ第１方向に沿って平面状に延びるように形成されており、
    前記第２収容部の内面を構成する前記第２接続部の端面は、前記第２板状部の第１端部側から前記第２収容部の外面を構成する前記第２接続部の端面側に凹むように湾曲して形成されており、前記第２板状部側から前記第２接続部の前記第１方向の中央部に向かうに連れて凹み量が大きくなるように湾曲して形成されている請求項３に記載の電子機器。
  5. 前記センサ素子を第１センサ素子とした場合に、
    前記配線基板は、前記第２収容部の外面を構成する前記第３板状部の端面を被覆する実装部を有しており、
    前記実装部に、前記第１センサ素子と対向するように実装された第２センサ素子を更に有する請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の電子機器。
  6. 前記第２板状部には、前記第１センサ素子と平面視で重なる位置に、前記第２板状部を貫通する第１貫通孔が形成されており、
    前記第３板状部には、前記第２センサ素子と平面視で重なる位置に、前記第３板状部を貫通する第２貫通孔が形成されている請求項５に記載の電子機器。
  7. 前記第１センサ素子は、前記第１貫通孔内に収容されており、
    前記第２センサ素子は、前記第２貫通孔内に収容されている請求項６に記載の電子機器。
  8. 前記配線基板は、前記第１収容部の内面を構成する前記第１板状部の端面に沿って取り付けられるとともに、前記第１板状部の第２端部において前記第１収容部の外面側に折り返されて前記第１収容部の外面を構成する前記第１板状部の端面に沿って取り付けられており、
    前記第１収容部の外面を構成する前記第１板状部の端面に取り付けられた部分における前記配線基板の前記反対面に実装された電池モジュールを更に有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子機器。
  9. 前記配線基板は、前記第１収容部の内面を構成する前記第１接続部の端面において屈曲された屈曲部を有し、
    前記配線基板は、複数の配線層と複数の絶縁層とが交互に積層された構造を有し、
    前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、シールドパターンを有し、
    前記屈曲部に配置された前記シールドパターンには、複数の貫通孔が所定間隔で配列されており、
    前記各貫通孔の平面形状は、少なくとも１つの屈折部を有する形状に形成されている請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電子機器。
  10. 前記屈曲部に配置されたシールドパターンは、
    前記屈曲部が屈曲される屈曲方向と直交する方向に沿って延びるとともに互いに平行に形成された複数の支持部と、
    隣り合う前記支持部の間に形成され、隣り合う前記支持部を接続するように形成された連結部とを有し、
    前記連結部の平面形状は、２つの屈折部を有するクランク状に形成されている請求項９に記載の電子機器。
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