JP7262511B2 - アミド化合物、含窒素複素環含有化合物および架橋物 - Google Patents

Description

本開示は、アミド化合物、含窒素複素環含有化合物および架橋物に関する。

非特許文献１や特許文献１には、ポリイミドやポリベンゾイミダゾールは高分子材料としては最高レベルの耐熱性、強度、化学安定性を持ち、耐熱性繊維、成形品、塗工用ワニス等として様々な分野で使用されていることが記載されている。

日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会編、「新訂最新ポリイミド－基礎と応用－」、株式会社エヌ・ティー・エス、２０１０年８月２５日発行、２２２～２３０頁

特開平９－２０８６９９号公報

本開示では、架橋することにより、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、架橋することにより、優れた耐熱性を有する架橋物を得ることができるアミド化合物を提供することを目的とする。
また、本開示では、架橋することにより、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、架橋することにより、優れた耐熱性を有する架橋物を得ることができる含窒素複素環含有化合物を提供することを目的とする。
また、本開示では、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有する架橋物を提供することを目的とする。

本開示によれば、式（１）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有するアミド化合物が提供される。

式（１）：

（式（１）中、
Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、
Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、
Ａはアミド結合、
Ｙは、独立に、－ＣＯＲ^１または－ＮＨＲ^２、
Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族オキシ基、または、ハロゲン原子、
Ｒ^２は、独立に、Ｈまたは１価の有機基
を表す。）

式（２）：
－Ｃ≡ＣＸ^１
（式（２）中、Ｘ^１は、Ｈまたは１価の有機基を表す。）

式（１）で示される繰り返し単位の平均重合度が２～１０であることが好ましい。

式（１）で示される繰り返し単位が、式（１ａ）で示される繰り返し単位であることが好ましい。
式（１ａ）：

（式（１ａ）中、Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族オキシ基、または、ハロゲン原子を表す。）

式（１）で示される繰り返し単位が、式（１ｂ）で示される繰り返し単位であることが好ましい。
式（１ｂ）：

（式（１ｂ）中、Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、Ｒ^２は、独立に、Ｈまたは１価の有機基を表す。）

Ｒｆ^１が、炭素数４以上のパーフルオロアルキレン基であることが好ましい。

また、本開示によれば、式（３）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有する含窒素複素環含有化合物が提供される。

式（３）：

（式（３）中、
Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、
Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、
環Ｃは置換基を有していてもよいイミド環またはベンゾイミダゾール環を表す。）

式（２）：
－Ｃ≡ＣＸ^１
（式（２）中、Ｘ^１は、Ｈまたは１価の有機基を表す。）

式（３）で示される繰り返し単位の平均重合度が２～１０であることが好ましい。
式（３）で示される繰り返し単位が、式（３ａ）で示される繰り返し単位であることが好ましい。
式（３ａ）：

（式（３ａ）中、Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基を表す。）

式（３）で示される繰り返し単位が、式（３ｂ）で示される繰り返し単位であることが好ましい。
式（３ｂ）：

（式（３ｂ）中、Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、Ｒ^２は、独立に、Ｈまたは１価の有機基を表す。）

Ｒｆ^１が、炭素数４以上のパーフルオロアルキレン基であることが好ましい。

また、本開示によれば、上記のアミド化合物、または、上記の含窒素複素環含有化合物を含有する接着剤が提供される。
また、本開示によれば、上記のアミド化合物、または、上記の含窒素複素環含有化合物を含有する塗料が提供される。
また、本開示によれば、上記のアミド化合物、または、上記の含窒素複素環含有化合物を架橋することにより得られる架橋物が提供される。
上記の架橋物は、半導体製造装置に用いる部材として好適に利用できる。

本開示によれば、架橋することにより、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、架橋することにより、優れた耐熱性を有する架橋物を得ることができるアミド化合物を提供することができる。
また、本開示によれば、架橋することにより、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、架橋することにより、優れた耐熱性を有する架橋物を得ることができる含窒素複素環含有化合物を提供することができる。
また、本開示によれば、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有する架橋物を提供することができる。

以下、本開示の具体的な実施形態について詳細に説明するが、本開示は、以下の実施形態に限定されるものではない。

＜アミド化合物＞
本開示のアミド化合物は、式（１）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有する。

式（１）：

（式（１）中、
Ｒｆ^１は２価のフッ素化有機基、
Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基、
Ａはアミド結合、
Ｙは、独立に、－ＣＯＲ^１または－ＮＨＲ^２、
Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族オキシ基、または、ハロゲン原子、
Ｒ^２は、独立に、Ｈまたは１価の有機基
を表す。）

Ｒｆ^１は、２価のフッ素化有機基を表す。上記フッ素化有機基は、１つ以上のフッ素原子を有する２価の有機基である。Ｒｆ^１としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルキレン基、または、直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化（ポリ）オキシアルキレン基が好ましく、直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルキレン基がより好ましい。

上記フッ素化アルキレン基は、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、パーフルオロアルキレン基であることが好ましい。上記パーフルオロアルキレン基とは、全ての水素原子がフッ素原子に置換されたアルキレン基であり、分子中に炭素原子－水素原子結合を含まないアルキレン基である。

上記フッ素化アルキレン基の炭素数は、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、好ましくは１～８０であり、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは３以上であり、特に好ましくは４以上であり、最も好ましくは５以上であり、より好ましくは６０以下であり、さらに好ましくは４０以下であり、特に好ましくは２０以下であり、最も好ましくは１０以下である。上記フッ素化アルキレン基の炭素数は、４、６または８であってよく、６または８であってもよい。

上記フッ素化アルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－ＣＲｆ^３ _２－（式中、Ｒｆ^３は、独立に、Ｆ、炭素数１～８の直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基、または、炭素数１～８の直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルコキシ基）で示される単位を含むことが好ましい。上記フッ素化アルキレン基としては、－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－ＣＦ（ＯＣＦ_３）－、－ＣＦ（ＯＣ_２Ｆ_５）－、または、－ＣＦ（ＯＣ_３Ｆ_７）－で示される単位を含むことがより好ましく、－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－、－ＣＦ（ＯＣＦ_３）－、－ＣＦ（ＯＣ_２Ｆ_５）－、または、－ＣＦ（ＯＣ_３Ｆ_７）－で示される単位を含むことがさらに好ましく、－ＣＦ_２－で示される単位を含むことが特に好ましい。

上記フッ素化アルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－（ＣＦ_２－ＣＦ_２）_ｎ－、－（ＣＦ_２－ＣＦ（ＣＦ_３））_ｎ－、－（ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣＦ_３））_ｎ－、－（ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣ_２Ｆ_５））_ｎ－、または、－（ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣ_３Ｆ_７））_ｎ－（各式中、ｎは１～８の整数を表す）で示される基が好ましく、－（ＣＦ_２－ＣＦ_２）_ｎ－で示される基がより好ましい。ｎとしては、得られる架橋物のエラストマー特性、耐熱性、接着性の観点から、好ましくは２以上の整数であり、より好ましくは２～４の整数であり、さらに好ましくは３または４である。

上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基には、フッ素化オキシアルキレン基およびフッ素化ポリオキシアルキレン基が含まれる。上記フッ素化ポリオキシアルキレン基とは、２以上のフッ素化オキシアルキレン基が結合した基である。

上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、パーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基が好ましい。上記パーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基とは、全ての水素原子がフッ素原子に置換された（ポリ）オキシアルキレン基であり、分子中に炭素原子－水素原子結合を含まない（ポリ）オキシアルキレン基である。

上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基の炭素数は、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、好ましくは１～８０であり、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは３以上であり、より好ましくは６０以下であり、さらに好ましくは４０以下であり、特に好ましくは２０以下である。上記フッ素化オキシアルキレン基の炭素数は、４、６または８であってよい。

上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－Ｏ－ＣＲｆ^３ _２－（式中、Ｒｆ^３は、独立に、Ｆ、炭素数１～８の直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基、または、炭素数１～８の直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルコキシ基）で示される単位を含むことが好ましい。上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基としては、－Ｏ－ＣＦ_２－、－Ｏ－ＣＦ（ＣＦ_３）－、－Ｏ－ＣＦ（ＯＣＦ_３）－、－Ｏ－ＣＦ（ＯＣ_２Ｆ_５）－、または、－Ｏ－ＣＦ（ＯＣ_３Ｆ_７）－で示される単位を含むことがより好ましい。

上記フッ素化（ポリ）オキシアルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－（Ｏ－ＣＦ_２－ＣＦ_２）_ｎ－、－（Ｏ－ＣＦ_２－ＣＦ（ＣＦ_３））_ｎ－、－（Ｏ－ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣＦ_３））_ｎ－、－（Ｏ－ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣ_２Ｆ_５））_ｎ－、または、－（Ｏ－ＣＦ_２－ＣＦ（ＯＣ_３Ｆ_７））_ｎ－（各式中、ｎは１～８の整数を表す）で示される基であることが好ましい。ｎとしては、得られる架橋物のエラストマー特性、耐熱性、接着性の観点から、好ましくは２以上の整数であり、より好ましくは２～４の整数である。

Ｒｆ^２は、単結合、－ＳＯ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、２価の非フッ素化有機基または２価のフッ素化有機基を表す。Ｒｆ^２としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－Ｏ－または２価のフッ素化有機基が好ましく、２価のフッ素化有機基がより好ましい。

上記非フッ素化有機基は、フッ素原子を有しない２価の有機基である。上記非フッ素化有機基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の非フッ素化アルキレン基または２価の非フッ素化アリール基が好ましい。

上記フッ素化有機基は、１つ以上のフッ素原子を有する２価の有機基である。Ｒｆ^２としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、直鎖状もしくは分岐鎖状のフッ素化アルキレン基が好ましい。

上記フッ素化アルキレン基は、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、パーフルオロアルキレン基であることが好ましい。

上記フッ素化アルキレン基の炭素数は、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、好ましくは１～１５であり、より好ましくは２以上であり、より好ましくは１０以下であり、さらに好ましくは５以下である。

上記フッ素化アルキレン基としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－が好ましい。

Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族オキシ基、または、ハロゲン原子である。

Ｒ^１としてのアルコキシ基の炭素数は、好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～６である。

Ｒ^１としてのアルコキシ基および芳香族オキシ基が有し得る置換基としては、アルコキシ基、アルキル基、フッ素化アルキル基、ハロ基（ハロゲン原子）、ニトロ基、シアノ基またはエステル基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。

Ｒ^１としての芳香族オキシ基としては、置換基を有していないフェノキシ基、置換基を有していてもよいトリアジニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^１としては、独立に、ＯＨ、置換基を有していないフェノキシ基、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、または、

が好ましい。

Ｒ^２は、独立に、Ｈまたは１価の有機基である。１価の有機基は、炭素原子を含有する１価の基、または、有機化合物から１個の水素原子を除去して形成される基である。上記１価の有機基としては、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族基等が挙げられる。

上記１価の有機基の具体例としては、－ＣＨ_３、－Ｃ_２Ｈ_５、－Ｃ_３Ｈ_７等の炭素数１～１０、特に１～６の低級アルキル基；－ＣＦ_３、－Ｃ_２Ｆ_５、－ＣＨ_２Ｆ、－ＣＨ_２ＣＦ_３、－ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５等の炭素数１～１０、特に１～６のフッ素原子含有低級アルキル基；（置換基を有していない）フェニル基；（置換基を有していない）ベンジル基；－Ｃ_６Ｆ_５、－ＣＨ_２Ｃ_６Ｆ_５等のフッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基またはベンジル基；－Ｃ_６Ｈ_５－ｎ（ＣＦ_３）_ｎ、－ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５－ｎ（ＣＦ_３）_ｎ（ｎは１～５の整数）等の－ＣＦ_３で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基またはベンジル基が挙げられる。

Ｒ^２としては、独立に、Ｈまたは置換基を有していてもよい芳香族基が好ましく、Ｈまたは置換基を有していてもよいフェニル基がより好ましく、Ｈ、置換基を有していないフェニル基または炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基がさらに好ましい。

Ｒ^２としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、置換基を有していないフェニル基または炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基が好ましい。

本開示のアミド化合物は、上記の繰り返し単位を有することに加えて、分子末端に架橋部位を有する。したがって、本開示のアミド化合物は架橋性を有しており、本開示のアミド化合物を架橋することにより、架橋物が得られる。本開示のアミド化合物がこのような構造を有することによって、本開示のアミド化合物を架橋させることにより得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す。また、本開示のアミド化合物がこのような構造を有することによって、本開示のアミド化合物を架橋させることにより得られる架橋物は、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

本開示のアミド化合物は、架橋部位を分子末端に有する。分子末端とは、式（１）で示される繰り返し単位を含む鎖の末端である。したがって、分子末端は、通常２個である。本開示のアミド化合物は、分子末端の２個の主鎖末端の一方または両方に架橋部位を有することができ、得られる架橋物のエラストマー特性、耐熱性、接着性の観点から、２個の主鎖末端の両方に架橋部位を有することが好ましい。また、本開示のアミド化合物は、化合物が有するすべての分子末端に架橋部位を有することが好ましい。

本開示のアミド化合物が有する架橋部位は、式（２）で示される。
式（２）：
－Ｃ≡ＣＸ^１
（式（２）中、Ｘ^１は、Ｈまたは１価の有機基を表す。）

Ｘ^１は、Ｈまたは１価の有機基である。１価の有機基は、炭素原子を含有する１価の基、または、有機化合物から１個の水素原子を除去して形成される基である。上記１価の有機基としては、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族基等が挙げられる。

上記１価の有機基の具体例としては、－ＣＨ_３、－Ｃ_２Ｈ_５、－Ｃ_３Ｈ_７等の炭素数１～１０、特に１～６の低級アルキル基；－ＣＦ_３、－Ｃ_２Ｆ_５、－ＣＨ_２Ｆ、－ＣＨ_２ＣＦ_３、－ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５等の炭素数１～１０、特に１～６のフッ素原子含有低級アルキル基；（置換基を有していない）フェニル基；（置換基を有していない）ベンジル基；－Ｃ_６Ｆ_５、－ＣＨ_２Ｃ_６Ｆ_５等のフッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基またはベンジル基；－Ｃ_６Ｈ_５－ｎ（ＣＦ_３）_ｎ、－ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５－ｎ（ＣＦ_３）_ｎ（ｎは１～５の整数）等の－ＣＦ_３で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基またはベンジル基が挙げられる。

Ｘ^１としては、独立に、Ｈまたは置換基を有していてもよい芳香族基が好ましく、Ｈまたは置換基を有していてもよいフェニル基がより好ましく、Ｈ、置換基を有していないフェニル基または炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基がさらに好ましい。

Ｘ^１としては、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られることから、置換基を有していないフェニル基または炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基が好ましく、置換基を有していないフェニル基がより好ましい。

式（２）で示される架橋部位は、アミド結合を介して、式（１）で示される繰り返し単位を含む鎖と結合することができる。本開示のアミド化合物としては、たとえば、以下のいずれかの式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２、ＡおよびＹは、式（１）と同様である。Ｘ^１は、式（２）と同様である。Ｌは連結基、ｎは、式（１）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

連結基Ｌとしては、単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基などが挙げられ、なかでも、置換基を有していてもよいアリーレン基が好ましい。置換基としては、－ＣＯＲ^１または－ＮＨＲ^２（Ｒ^１およびＲ^２は、上記したとおり）が好ましい。

このような架橋部位を含む構造は、式（２）で示される架橋部位を有する化合物（たとえば後述する化合物（６））により、式（１）で示される繰り返し単位を含む鎖の末端を修飾することにより、形成させることができる。

式（１）で示される繰り返し単位としては、式（１ａ）で示される繰り返し単位が好ましい。
式（１ａ）：

（式（１ａ）中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^１は、式（１）と同様である。）

式（１ａ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物としては、たとえば、以下の式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^１は、式（１）と同様である。Ｘ^１は、式（２）と同様である。Ｌは連結基、ｎは、式（１ａ）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

式（１）で示される繰り返し単位として、式（１ａ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物は、式（３ａ）で示される繰り返し単位を有する含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の前駆体として、好適に利用できる。また、式（１ａ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物を熱架橋することにより、後述する架橋物が得られ、得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

式（１ａ）中のＲｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^１は、式（１）と同様であり、式（１）と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

また、式（１）で示される繰り返し単位としては、式（１ｂ）で示される繰り返し単位が好ましい。
式（１ｂ）：

（式（１ｂ）中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

式（１ｂ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物としては、たとえば、以下の式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。Ｘ^１は、式（２）と同様である。Ｌは連結基、ｎは、式（１ｂ）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

式（１）で示される繰り返し単位として、式（１ｂ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物は、式（３ｂ）で示される繰り返し単位を有する含窒素複素環含有化合物（ベンゾイミダゾール化合物）の前駆体として、好適に利用できる。また、式（１ｂ）で示される繰り返し単位を含有するアミド化合物を熱架橋することにより、後述する架橋物が得られ、得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

式（１ｂ）中のＲｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様であり、式（１）と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

本開示のアミド化合物のガラス転移温度は、好ましくは１００℃～３００℃であり、より好ましくは１００℃～２５０℃である。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により、測定する値である。

本開示のアミド化合物において、式（１）で示される繰り返し単位の平均重合度としては、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、さらに好ましくは４以下であり、２以上であってよく、３以上であってもよい。平均重合度は、本開示のアミド化合物を合成するときのモノマーのモル比およびアミド化合物の数平均分子量から求められる。
架橋後に優れた特性が得られることから、アミド化合物としては、平均重合度が比較的小さいオリゴマーが好ましいが、たとえば、平均重合度が１０超のポリマーであってもよい。

本開示のアミド化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲル浸透クロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算で、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは３０００以上であり、好ましくは１００００以下であり、より好ましくは５０００以下である。

本開示のアミド化合物の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲル浸透クロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算で、好ましくは１．２以上であり、より好ましくは２以上であり、好ましくは４以下である。

本開示のアミド化合物の対数粘度η_ｉｎｈ（ｄＬ／ｇ）は、好ましくは０．１ｄＬ／ｇ以上であり、好ましくは０．５ｄＬ／ｇ以下である。対数粘度η_ｉｎｈ（ｄＬ／ｇ）は、溶媒であるＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）にアミド化合物を溶解させて、溶液濃度０．５ｇ／ｄＬの溶液を調製し、得られた溶液の３０℃での溶液粘度を測定し、以下の式により算出できる。
対数粘度η_ｉｎｈ＝ｌｎ（溶液粘度／溶媒粘度）／溶液濃度

本開示のアミド化合物は、後述する式（３）で示される繰り返し単位を有する含窒素複素環含有化合物の前駆体として、好適に利用できる。また、本開示のアミド化合物を熱架橋することにより、後述する架橋物を得ることができる。

＜含窒素複素環含有化合物＞
本開示の含窒素複素環含有化合物は、式（３）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有する。
式（３）：

（式（３）中、Ｒｆ^１およびＲｆ^２は、式（１）と同様であり、環Ｃは置換基を有していてもよいイミド環またはベンゾイミダゾール環を表す。）
式（２）：
－Ｃ≡ＣＸ^１
（式（２）中、Ｘ^１は上記したとおり。）

Ｒｆ^１およびＲｆ^２は、式（１）と同様である。Ｒｆ^１およびＲｆ^２を、式（１）と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

環Ｃは、置換基を有していてもよいイミド環またはベンゾイミダゾール環である。イミド環は置換基を有していないことが好ましい。ベンゾイミダゾール環は、置換基を有していなくても、置換基を有していてもよい。ベンゾイミダゾールが有し得る置換基としては、１価の有機基が挙げられ、式（１）のＲ^２として説明した基が好ましい。

本開示の含窒素複素環含有化合物は、上記の繰り返し単位を有することに加えて、分子末端に架橋部位を有する。したがって、本開示の含窒素複素環含有化合物は架橋性を有しており、本開示の含窒素複素環含有化合物を架橋することにより、架橋物が得られる。本開示の含窒素複素環含有化合物がこのような構造を有することによって、本開示の含窒素複素環含有化合物を架橋させることにより得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す。また、本開示の含窒素複素環含有化合物がこのような構造を有することによって、本開示の含窒素複素環含有化合物を架橋させることにより得られる架橋物は、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

本開示の含窒素複素環含有化合物は、架橋部位を分子末端に有する。分子末端とは、式（３）で示される繰り返し単位を含む鎖の末端である。したがって、分子末端は、通常２個である。本開示の含窒素複素環含有化合物は、分子末端の２個の主鎖末端の一方または両方に架橋部位を有することができ、得られる架橋物のエラストマー特性、耐熱性、接着性の観点から、２個の主鎖末端の両方に架橋部位を有することが好ましい。また、本開示の含窒素複素環含有化合物は、化合物が有するすべての分子末端に架橋部位を有することが好ましい。

本開示の含窒素複素環含有化合物が有する架橋部位は、式（２）で示される。本開示の含窒素複素環含有化合物が有する式（２）で示される架橋部位は、本開示のアミド化合物が有する架橋部位と同様である。本開示の含窒素複素環含有化合物が有する式（２）で示される架橋部位を、本開示のアミド化合物と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

式（２）で示される架橋部位は、イミド環を介して、式（３）で示される繰り返し単位を含む鎖と結合することができる。本開示の含窒素複素環含有化合物としては、たとえば、以下のいずれかの式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＹは、式（１）と同様であり、環Ｃは、式（３）と同様であり、Ｘ^１は、式（２）と同様である。ｎは、式（３）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

このような架橋部位を含む構造は、式（２）で示される架橋部位を有する化合物（たとえば後述する化合物（６））により、式（３）で示される繰り返し単位を含む鎖の末端を修飾することにより、形成させることができる。

式（３）で示される繰り返し単位としては、式（３ａ）で示される繰り返し単位が好ましい。
式（３ａ）：

（式（３ａ）中、Ｒｆ^１およびＲｆ^２は、式（１）と同様である。）

式（３ａ）で示される繰り返し単位を含有する含窒素複素環含有化合物としては、たとえば、以下の式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１およびＲｆ^２は、式（１）と同様である。Ｘ^１は、式（２）と同様である。ｎは、式（３ａ）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

式（３）で示される繰り返し単位として、式（３ａ）で示される繰り返し単位を含有する含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を架橋することにより、後述する架橋物が得られ、得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

式（３ａ）中のＲｆ^１およびＲｆ^２は、式（１）と同様であり、式（１）と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

また、式（３）で示される繰り返し単位としては、式（３ｂ）で示される繰り返し単位が好ましい。
式（３ｂ）：

（式（３ｂ）中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

式（３ｂ）で示される繰り返し単位を含有する含窒素複素環含有化合物としては、たとえば、以下の式で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２、Ｒ^２およびＹは、式（１）と同様である。Ｘ^１は、式（２）と同様である。ｎは、式（３ｂ）で示される繰り返し単位の平均重合度を表す。）

式（３）で示される繰り返し単位として、式（３ｂ）で示される繰り返し単位を含有する含窒素複素環含有化合物（ベンゾイミダゾール化合物）を架橋することにより、後述する架橋物が得られ、得られる架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

式（３ｂ）中のＲｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様であり、式（１）と同様の好適な構成とすることにより、より一層高温で、なおかつ、より一層幅広い温度範囲でエラストマー特性を示す架橋物を得ることができるとともに、より一層優れた耐熱性を有しており、基材とより一層強固に接着する架橋物が得られる。

式（３ｂ）で示される繰り返し単位としては、より一層優れた耐熱性を示し、基材とより一層強固に接着する含窒素複素環含有化合物が得られることから、式（３ｂ－１）または式（３ｂ－２）で示される繰り返し単位が好ましい。

式（３ｂ－１）

（式（３ｂ－１）中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

式（３ｂ－２）

（式（３ｂ－２）中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

本開示の含窒素複素環含有化合物のガラス転移温度は、好ましくは８０℃～２５０℃であり、より好ましくは１００℃～２００℃である。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により、測定する値である。

本開示の含窒素複素環含有化合物において、式（３）で示される繰り返し単位の平均重合度としては、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、さらに好ましくは４以下であり、２以上であってよく、３以上であってもよい。平均重合度は、本開示の含窒素複素環含有化合物の仕込みモル比および数平均分子量から求められる。
架橋後に優れた特性が得られることから、含窒素複素環含有化合物としては、平均重合度が比較的小さいオリゴマーが好ましいが、たとえば、平均重合度が１０超のポリマーであってもよい。

本開示の含窒素複素環含有化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲル浸透クロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算で、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは３０００以上であり、好ましくは１００００以下であり、より好ましくは５０００以下である。

本開示の含窒素複素環含有化合物の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲル浸透クロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算で、好ましくは１．２以上であり、より好ましくは２以上であり、好ましくは５以下であり、より好ましくは４以下である。

本開示の含窒素複素環含有化合物の対数粘度η_ｉｎｈ（ｄＬ／ｇ）は、好ましくは０．１ｄＬ／ｇ以上であり、好ましくは０．５ｄＬ／ｇ以下である。対数粘度η_ｉｎｈ（ｄＬ／ｇ）は、溶媒であるＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）に含窒素複素環含有化合物を溶解させて、溶液濃度０．５ｇ／ｄＬの溶液を調製し、得られた溶液の３０℃での溶液粘度を測定し、以下の式により算出できる。
対数粘度η_ｉｎｈ＝ｌｎ（溶液粘度／溶媒粘度）／溶液濃度

本開示の含窒素複素環含有化合物を架橋することにより、後述する架橋物を得ることができる。

＜架橋物＞
アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を架橋することにより、本開示の架橋物を得ることができる。たとえば、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を加熱することによって、３つの分子の各々の末端に位置する３つの架橋部位がお互いに反応して環を形成し、架橋物が形成されると推測される。アミド化合物または含窒素複素環含有化合物が有する繰り返し単位により形成される骨格、および、架橋により形成される架橋構造によって、本開示の架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すとともに、優れた耐熱性を有しており、基材と強固に接着する。

本開示において、エラストマー特性（ゴム特性）とは、架橋物を延伸することができ、架橋物を延伸するのに必要とされる力がもはや適用されなくなったときに、その元の長さを保持できる特性を意味する。エラストマー特性は、架橋物の動的粘弾性測定（ＤＭＡ）によってＤＭＡ曲線を得て、貯蔵弾性率（Ｅ’）の温度依存性を評価することにより確認できる。

本開示の架橋物は、充填剤を含有してもよい。充填剤としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどのイミド構造を有するイミド系フィラー、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリオキシベンゾエートなどのエンジニアリングプラスチック製の有機物フィラー、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化イットリウムなどの金属酸化物フィラー、炭化ケイ素、炭化アルミニウムなどの金属炭化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物フィラー、フッ化アルミニウム、フッ化カーボン、硫酸バリウム、カーボンブラック、シリカ、クレー、タルクなどの無機物フィラーがあげられる。

これらの中でも、各種プラズマの遮蔽効果の点から、カーボンブラック、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ケイ素、ポリイミド、フッ化カーボンが好ましい。

また、上記無機物フィラー、有機物フィラーを単独で、または２種以上を組み合わせて配合してもよい。

架橋物における充填剤の含有量は、アミド化合物および含窒素複素環含有化合物の合計１００質量部に対して、好ましくは０．５～１００質量部、より好ましくは５～５０質量部である。

また、本開示の架橋物は、必要に応じてゴムに配合される通常の添加物、たとえば加工助剤、可塑剤、着色剤などを含有してもよい。

＜アミド化合物の製造方法＞
本開示のアミド化合物は、式（４）で示される化合物（４）と、式（５）で示される化合物（５）とを重合させることにより、式（１）で示される繰り返し単位を有する化合物を得た後、得られた化合物の分子末端の基Ｙと、式（６）で示される化合物（６）とを反応させて、式（２）で示される架橋部位を分子末端に導入する製造方法により、好適に製造することができる。

式（４）：

（式（４）中、Ｒｆ^１およびＹは、式（１）と同様である。）

式（５）：

（式（５）中、Ｒｆ^２およびＹは、式（１）と同様である。ただし、式（４）中のＹが－ＣＯＲ^１である場合は、式（５）中のＹは－ＮＨＲ^２である。また、式（４）中のＹが－ＮＨＲ^２である場合は、式（５）中のＹは－ＣＯＲ^１である。また、式（５）中のＹが－ＣＯＲ^１である場合は、隣接する２つのＹが酸無水物結合（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）を介してお互いに結合することにより、２つのＹが結合する２つの炭素原子とともに、環を形成してもよい。Ｒ^１およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

式（６）：Ｒ^３－Ｃ≡ＣＸ^１
（式（６）中、Ｒ^３は、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物の分子末端の基Ｙと反応し得る反応性基を有する１価の有機基、Ｘ^１は式（２）と同様である。）

化合物（４）および化合物（５）としては、化合物（４）が一般式（４ａ）で示される化合物（４ａ）であり、化合物（５）が一般式（５ａ）で示される化合物（５ａ）であるか、または、化合物（４）が一般式（４ｂ）で示される化合物（４ｂ）であり、化合物（５）が一般式（５ｂ）で示される化合物（５ｂ）であることが好ましい。化合物（４ａ）と化合物（５ａ）とを重合させることにより、式（１ａ）で示される繰り返し単位を有するアミド化合物が得られる。また、化合物（４ｂ）と化合物（５ｂ）とを重合させることにより、式（１ｂ）で示される繰り返し単位を有するアミド化合物が得られる。

一般式（４ａ）：

（式（４ａ）中、Ｒｆ^１およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

一般式（５ａ）：

（式（５ａ）中、Ｒｆ^２およびＲ^１は、式（１）と同様である。）

一般式（４ｂ）：

（式（４ｂ）中、Ｒｆ^１およびＲ^１は、式（１）と同様である。）

一般式（５ｂ）：

（式（５ｂ）中、Ｒｆ^２およびＲ^２は、式（１）と同様である。）

化合物（４）と化合物（５）との重合は、溶媒中で行うことができる。溶媒は化合物（４）および化合物（５）と実質的に反応せず、かつ、化合物（４）および化合物（５）を良好に溶解させる性質を有する他、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物に対して良溶媒であることが望ましい。このような溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）が好ましい。これら溶媒の使用量は、化合物（４）または化合物（５）の０．１モルに対して通常１０～１０００ｍＬ、好ましくは５０～４００ｍＬである。

重合は、添加剤の存在下に実施することもできる。例えば、分子量の大きな化合物を得るために、塩化リチウムや塩化カルシウム等の無機塩類を添加してもよい。添加剤としては、なかでも塩化リチウムが好ましい。添加剤の添加量は、溶媒量に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。

重合は、例えば、化合物（４）および化合物（５）のいずれか一方を溶媒に溶解させ、得られた溶液に他方の化合物を添加し、次いで窒素等の不活性雰囲気下で撹枠しながら反応させることにより、行うことができる。重合温度としては、－５０～１５０℃が好ましく、０～１００℃がより好ましく、３５～８０℃がさらに好ましい。重合時間としては、０．１～５０時間が好ましく、１～２４時間がより好ましい。

式（１）で示される繰り返し単位の平均重合度は、化合物（４）と化合物（５）とのモル比、重合溶液濃度、重合温度、重合時間などを変化させることによって、調整することができる。

重合終了後、反応混合物をメタノールや水等の貧溶媒に投じて重合体を分離した後、再沈殿法によって精製を行って副生成物や無機塩類等を除去することにより、純度の高い化合物を得てもよい。

次に、得られた化合物と、式（６）で示される化合物とを反応させて、化合物の分子末端に式（２）で示される架橋部位を導入する。式（６）で示される化合物は、得られる化合物の分子末端の基Ｙと反応し得る反応性基を有する１価の有機基Ｒ^３を有しており、得られた化合物の分子末端の基Ｙと、有機基Ｒ^３中の反応性基が反応し、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られた化合物に式（６）で示される化合物が付加される。

式（６）におけるＲ^３が有する反応性基としては、水酸基、カルボキシル基、酸無水物基、アミノ基などが挙げられる。得られた化合物の分子末端の基Ｙが－ＣＯＲ^１である場合は、式（６）におけるＲ^３が有する反応性基は－ＮＨＲ^２であることが好ましい。また、得られた化合物の分子末端の基Ｙが－ＮＨＲ^２である場合は、式（６）におけるＲ^３が有する反応性基は－ＣＯＲ^１または酸無水物基（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）であることが好ましい。Ｒ^１およびＲ^２は、式（１）と同様である。

化合物（６）としては、４－フェニルエチニルフタル酸無水物（ＰＥＰＡ）、プロパルギルアルコール、フェニルプロパルギルアルコール、プロパルギルアミン、フェニルエチニルアニリン、エチニルアニリンなどが挙げられる。

化合物（６）の使用量は、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物が有する分子末端の基Ｙの当量に合わせて調整すればよい。たとえば、化合物（６）の使用量は、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物１モルに対して、２．０～２．５モルの範囲で使用することができる。

化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物と、化合物（６）との反応条件は、特に限定されない。反応温度としては、０～１００℃が好ましく、２０～８０℃がより好ましい。反応時間としては、０．１～５０時間が好ましく、１～２４時間がより好ましい。

反応は、溶媒中で行うことができる。溶媒としては、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物を溶解できる溶媒が好ましい。このような溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）が好ましい。これら溶媒の使用量は、化合物０．１モルに対して通常１０～１０００ｍＬ、好ましくは５０～４００ｍＬである。

反応終了後、反応混合物をメタノールや水等の貧溶媒に投じてアミド化合物を分離した後、再沈殿法によって精製を行って副生成物や無機塩類等を除去することにより、純度の高いアミド化合物を得てもよい。

化合物（４ａ）のうち、式（４ａ－１）で示される化合物（４ａ－１）は新規化合物である。

式（４ａ－１）：

（式（４ａ－１）中、Ｒ^２は、式（１）と同様である。）

化合物（４ａ－１）は、式（７ａ）で示される化合物（７ａ）と、１，８－ジヨードパーフルオロオクタンとを反応させることにより製造することができる。
式（７ａ）：

（式（７ａ）中、Ｒ^２は、式（１）と同様である。）

化合物（７ａ）と１，８－ジヨードパーフルオロオクタンとの反応は、溶媒中で行うことができる。溶媒は、化合物（７ａ）および１，８－ジヨードパーフルオロオクタンと実質的に反応せず、かつ、化合物（７ａ）および１，８－ジヨードパーフルオロオクタンを良好に溶解させる性質を有する他、得られる化合物（４ａ－１）に対して良溶媒であることが望ましい。このような溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が好ましい。これら溶媒の使用量は、化合物（７ａ）または１，８－ジヨードパーフルオロオクタンの０．１モルに対して通常１０～１０００ｍＬ、好ましくは５０～４００ｍＬである。

化合物（７ａ）と１，８－ジヨードパーフルオロオクタンとの反応は、たとえば、化合物（７ａ）および１，８－ジヨードパーフルオロオクタンのいずれか一方を溶媒に溶解させ、得られた溶液に他方の化合物を添加し、次いで窒素等の不活性雰囲気下で撹枠しながら反応させることにより、行うことができる。反応温度としては、５０～１５０℃が好ましく、１００～１４０℃がより好ましい。反応時間としては、１～５０時間が好ましく、１～３０時間がより好ましい。

化合物（７ａ）と１，８－ジヨードパーフルオロオクタンとの反応は、銅化合物などの触媒の存在下に行っても良い。

反応終了後、反応混合物をメタノールや水等の貧溶媒に投じて化合物（４ａ－１）を分離した後、再結晶法によって精製を行って副生成物や無機塩類等を除去することにより、純度の高い化合物（４ａ－１）を得てもよい。

次に、化合物（４ｂ）の製造方法を説明する。Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）は、式（７ｂ１）で示される化合物（７ｂ１）と、式（７ｂ２）で示される化合物（７ｂ２）とを反応させることにより、式（８）で示される化合物（８）を得た後、得られた化合物（８）を酸化させることにより、製造することができる。

式（７ｂ１）：

式（７ｂ２）：
Ｉ－Ｒｆ^１－Ｉ
（式（７）中、Ｒｆ^１は、式（１）と同様である。）
式（８）：

（式（８）中、Ｒｆ^１は、式（１）と同様である。）

化合物（７ｂ１）としては、４－ヨードトルエンまたは３－ヨードトルエンがより好ましい。

さらに、Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、式（９）で示される化合物（９）とを反応させることにより、所望のＲ^１で示される基（たとえば、アルコキシ基、芳香族オキシ基）を有する化合物（４ｂ）を製造することができる。
式（９）：
Ｒ－ＯＨ
（式（９）中、Ｒは、置換基を有していてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基または置換基を有していてもよい芳香族基である。）

また、Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、ハロゲン化剤とを反応させることにより、Ｒ^１がハロゲン原子である化合物（４ｂ）を製造することができる。

また、Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、塩化トリアジン化合物とを反応させることにより、Ｒ^１がトリアジニルオキシ基である化合物（４ｂ）を製造することができる。

化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）との反応は、溶媒中で行うことができる。溶媒は、化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）と実質的に反応せず、かつ、化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）を良好に溶解させる性質を有する他、得られる化合物（８）に対して良溶媒であることが望ましい。このような溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が好ましい。これら溶媒の使用量は、化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）の０．１モルに対して通常１０～１０００ｍＬ、好ましくは５０～４００ｍＬである。

化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）との反応は、たとえば、化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）のいずれか一方を溶媒に溶解させ、得られた溶液に他方の化合物を添加し、次いで窒素等の不活性雰囲気下で撹枠しながら反応させることにより、行うことができる。反応温度としては、５０～１５０℃が好ましく、１００～１４０℃がより好ましい。反応時間としては、１～５０時間が好ましく、１～３０時間がより好ましい。

化合物（７ｂ１）と化合物（７ｂ２）との反応は、銅、銅化合物などの触媒の存在下に行ってもよい。

化合物（８）の酸化は、たとえば、ＣｒＯ_３、ＫＭｎＯ_４などの酸化剤を用いて行うことができる。また、化合物（８）の酸化は、硫酸、酢酸などの酸性化合物の存在下に行うことが好ましい。

Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、ハロゲン化剤との反応に用いるハロゲン化剤としては、塩化チオニル、三塩化リン、五塩化リンなどが挙げられる。反応温度は、たとえば、２０～１００℃であってよい。化合物（４ｂ）とハロゲン化剤との反応は、溶媒中で行うこともできる。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテルが挙げられる。

Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、塩化トリアジン化合物との反応は、Ｎ－メチルモルホリン（ＮＭＭ）の存在下で、溶媒中で行うことができ、この反応により、トリアジン系活性ジエステルを合成することができる。溶媒は、化合物（４ｂ）、塩化トリアジン化合物およびＮ－メチルモルホリン（ＮＭＭ）と実質的に反応せず、かつ、化合物（４ｂ）、塩化トリアジン化合物およびＮ－メチルモルホリン（ＮＭＭ）を良好に溶解させる性質を有する他、得られるトリアジン系活性ジエステルに対して良溶媒であることが望ましい。このような溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）が好ましい。これら溶媒の使用量は、化合物（４ｂ）または塩化トリアジン化合物の０．１モルに対して通常１０～１０００ｍＬ、好ましくは５０～４００ｍＬである。

Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）と、塩化トリアジン化合物との反応は、たとえば、Ｒ^１がＯＨである化合物（４ｂ）および塩化トリアジン化合物のいずれか一方を溶媒に溶解させ、得られた溶液に他方の化合物を添加し、次いで窒素等の不活性雰囲気下で撹枠しながら反応させることにより、行うことができる。反応温度としては、０～１５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましく、１００～１４０℃がさらに好ましい。反応時間としては、１～５０時間が好ましく、１～３０時間がより好ましい。

＜含窒素複素環含有化合物の製造方法＞
本開示の含窒素複素環含有化合物は、上記の製造方法によりアミド化合物を得た後、アミド化合物を脱水環化させる製造方法により、好適に製造することができる。また、アミド化合物を製造する際に、化合物（４）と化合物（５）とを重合することにより得られる化合物と、化合物（６）との反応を加温状態で行った場合には、化合物の一部または全部が脱水環化して、式（３）で示される繰り返し単位を有する化合物が形成され、結果として、生成物の一部または全部として、本開示の含窒素複素環含有化合物が得られることがある。すなわち、本開示には、アミド化合物および含窒素複素環含有化合物の混合物も含まれる。

アミド化合物の脱水環化は、アミド化合物を加熱することにより実施できる。脱水環化のための加熱の温度としては、架橋反応を進行させない温度であることが好ましい。脱水環化のための加熱の温度としては、１１０～２９０℃が好ましく、１５０～２６０℃がより好ましい。加熱の時間としては、０．１～１０時間が好ましく、０．５～８時間がより好ましい。脱水環化は、大気中、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または減圧下で実施できる。

上記の製造方法によって、通常は、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物の溶液が得られる。得られた溶液を各種の用途にそのまま用いてもよいし、得られた溶液をメタノールや水等の貧溶媒に投じて含窒素複素環含有化合物を分離した後、乾燥させて、含窒素複素環含有化合物の粉末を作製し、得られた粉末を用いてもよい。

＜架橋物の製造方法＞
本開示の架橋物は、上記の製造方法によりアミド化合物または含窒素複素環含有化合物を得た後、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を架橋させる製造方法により、好適に製造することができる。架橋には、アミド化合物、含窒素複素環含有化合物、または、アミド化合物および含窒素複素環含有化合物の混合物を用いることができる。アミド化合物または混合物中のアミド化合物は、架橋と同時に脱水環化して、含窒素複素環含有化合物が架橋して得られる架橋物と同じ構造を有する架橋物を与える。

本開示のアミド化合物は、熱架橋性アミド化合物であり、本開示の含窒素複素環含有化合物は、熱架橋性含窒素複素環化合物である。したがって、架橋は、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を加熱することにより実施できる。架橋のための加熱の温度としては、２５０～５５０℃が好ましく、３２０～４００℃がより好ましい。加熱の時間としては、０．１～５時間が好ましく、０．５～４時間がより好ましい。架橋の際には、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物の温度をゆっくりと上昇させるように、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を加熱してもよい。昇温速度は、１～１０℃／分であってよい。たとえば、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を３００～３３０℃に加熱した後、１～１０℃／分の速度で、温度を３０℃以上上昇させるように加熱してもよい。

架橋前に、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を、所望の形状に成形してもよい。成形は、圧縮成形などの公知の方法により行うことができる。アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を、加熱溶融させて成形してもよいし、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物を含有する溶液を調製し、得られた溶液に基材を含浸させたり、得られた溶液を基材に塗布したりすることにより、成形してもよい。

架橋の前に、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物と、充填剤とを混合してもよい。これによって、充填剤を含有する架橋物を得ることができる。また、架橋の前に、アミド化合物または含窒素複素環含有化合物と、ゴムに配合される通常の添加物、たとえば、加工助剤、可塑剤、着色剤などとを混合してもよい。

アミド化合物または含窒素複素環含有化合物と充填剤または添加物との混合には、通常のポリマー用加工機械、たとえば、オープンロール、バンバリーミキサー、ニーダー、密閉式混合機などを用いることができる。

本開示の架橋物は、高温で、なおかつ、幅広い温度範囲でエラストマー特性を示すことから、特に耐熱性が要求される半導体製造装置の部材、特に半導体製造装置のシール材として好適に使用できる。上記シール材としては、Ｏ－リング、角－リング、ガスケット、パッキン、オイルシール、ベアリングシール、リップシール等が挙げられる。
そのほか、半導体製造装置に使用される各種のポリマー製品、例えばダイヤフラム、チューブ、ホース、各種ゴムロール、ベルト等としても使用できる。また、コーティング用材料、ライニング用材料としても使用できる。

なお、本開示でいう半導体製造装置は、特に半導体を製造するための装置に限られるものではなく、広く、液晶パネルやプラズマパネルを製造するための装置等、高度なクリーン度が要求される半導体分野において用いられる製造装置全般を含むものであり、例えば次のようなものを挙げることができる。

（１）エッチング装置
ドライエッチング装置
プラズマエッチング装置
反応性イオンエッチング装置
反応性イオンビームエッチング装置
スパッタエッチング装置
イオンビームエッチング装置
ウェットエッチング装置
アッシング装置
（２）洗浄装置乾式エッチング洗浄装置
ＵＶ／Ｏ_３洗浄装置
イオンビーム洗浄装置
レーザービーム洗浄装置
プラズマ洗浄装置
ガスエッチング洗浄装置
抽出洗浄装置
ソックスレー抽出洗浄装置
高温高圧抽出洗浄装置
マイクロウェーブ抽出洗浄装置
超臨界抽出洗浄装置
（３）露光装置
ステッパー
コータ・デベロッパー
（４）研磨装置
ＣＭＰ装置
（５）成膜装置
ＣＶＤ装置
スパッタリング装置
（６）拡散・イオン注入装置
酸化拡散装置
イオン注入装置

本開示の架橋物は、例えば、ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、反応性イオンエッチング装置、アッシング装置またはエキシマレーザー露光機のシール材として優れた性能を発揮する。

また、本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物が溶媒中に溶解した溶液を塗料として用いることもできる。本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物は、優れた耐熱性を有しているとともに、基材との接着性に優れていることから、基材の表面のコーティングに好適に適用することができる。たとえば、本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物が溶媒中に溶解した溶液を基材の表面に塗布し、加熱乾燥させることによって、耐熱コーティングを形成することができる。

基材としては、金属基材、ガラス基材、樹脂基材、ゴム基材などが挙げられ、特に高い接着性が得られることから、金属基材が好ましい。金属基材としては、鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、真鍮などからなる基材が挙げられる。

また、本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物に加えて、充填剤を含有する溶液を調製して基材に塗布してもよい。充填剤としては、上述したものが挙げられる。充填剤を用いることにより、耐熱コーティングの耐熱性、硬度、耐摩耗性などの各種物性を向上させることができる。

本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物に加えて、他のポリマーを含有する溶液を調製して基材に塗布してもよい。他のポリマーとしては、耐熱性に優れたポリマーが好ましく、たとえば、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルスルホン、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、ポリイミドなどが挙げられる。本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物の含有割合としては、たとえば、他のポリマー１００質量部に対して、０．０００１～１００００質量部であってよい。

また、本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物が溶媒中に溶解した溶液に繊維状基材を含浸させることにより、繊維強化複合材料を得ることもできる。

また、本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物が溶媒中に溶解した溶液を、接着剤として用いることもできる。本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物を含有する接着剤を用いることにより、耐熱性に優れた接着層を形成できる。

本開示のアミド化合物または含窒素複素環含有化合物を溶解させる溶媒としては、特に限定はされないが、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）、スルホラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトンなどがあげられる。中でも、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、１，３－ジメチルイミダゾリドン（ＤＭＩ）が好ましい。

以上、実施形態を説明したが、特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。

つぎに本開示の実施形態について実施例をあげて説明するが、本開示はかかる実施例のみに限定されるものではない。

実施例の各数値は以下の方法により測定した。
（１）ＧＰＣ：東ソー（株）製高速ＧＰＣシステムＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（カラム：東ソーＴＳＫｇｅｌ（α－Ｍ）、カラム温度：４５℃、検出器：ＵＶ－８０２０、波長２５４ｎｍ、溶離液：Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）（０．０１ｍｏｌ／Ｌ臭化リチウムを含む。）、検量線：標準ポリスチレン、カラム流速：０．２ｍＬ／ｍｉｎ）
（２）赤外スペクトル（ＦＴ－ＩＲ）：日本分光（株）製ＦＴ／ＩＲ－４２００
（３）核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：ＢＲＵＫＥＲ製ＡＣ４００Ｐ
（４）熱重量測定（ＴＧＡ）：（株）日立ハイテクサイエンス製ＴＧ／ＤＴＡ７３００、昇温速度１０℃／ｍｉｎ
（５）示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：（株）日立ハイテクサイエンス製ＤＳＣ７０００、昇温速度１０℃／ｍｉｎ
（６）熱機械分析（ＴＭＡ）：（株）日立ハイテクサイエンス製ＴＭＡ７０００、昇温速度１０℃／ｍｉｎ
（７）動的粘弾性測定（ＤＭＡ）：（株）日立ハイテクサイエンス製ＤＭＡ７１００、昇温速度２℃／ｍｉｎ
（８）引張試験：（株）島津製作所製オートグラフＡＧＳ－Ｄ型、引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎ
（９）誘電率測定：ＡＥＴ製誘電率・誘電正接測定装置（空洞共振器タイプ、２０ＧＨｚ）

＜合成例１＞
１，６－ビス（４－アミノフェニル）ドデカフルオロヘキサン（ＡＰＤＦ６）

撹拌子、ジムロート冷却管、三方コックを取り付けた１００ｍＬナスフラスコに、４－ヨードアニリン（１５ｇ、６９ｍｍｏｌ）、ＤＭＳＯ（６０ｍＬ）を入れ溶解させたのち、銅粉（２１．６ｇ、３４２ｍｍｏｌ）を空気中で酸化しないように素早く入れ、１，６－ジヨードパーフルオロヘキサン（１８．９ｇ、３３ｍｍｏｌ）を潮解する前に素早く入れた。その後、１２０℃まで昇温し、１２０℃で２４時間撹拌し反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、吸引ろ過をしてＤＭＳＯ溶液を回収した。ＤＭＳＯ溶液から減圧蒸留により、ＤＭＳＯを留去し粗生成物を得た。この粗生成物をジクロロメタンに溶解させ蒸留水で洗浄後、ジクロロメタン溶液を回収し無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させた。エバポレータでジクロロメタンを留去して、黄色の粗生成物を得た。ヘキサンで再結晶を行い、室温で減圧乾燥した。メタノールに溶かし、活性炭で脱色処理を行った。メタノールを除去後、６０℃で一晩減圧乾燥し、黄色粉末状のＡＰＤＦ６（収量：１０．８ｇ、収率：６５％）を得た。

ＦＴ－ＩＲ、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲ、^１９Ｆ－ＮＭＲおよび元素分析によって構造を確認した。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：３４４４（Ｎ－Ｈ）、３０５７（Ｃ－Ｈ）、１６０９（Ｃ＝Ｃ）、１１８５（Ｃ－Ｆ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：５．８２（ｓ，４Ｈ，ＮＨ_２）、６．６２（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、７．２０（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：１１３．０、１２７．６、１５２．４
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：－１２２．２、－１２１．５、－１０８．０
融点：７９．４℃（ＤＳＣ）
元素分析：計算値 Ｃ，４４．６４％；Ｈ，２．５０％；Ｎ，５．７８％
実測値 Ｃ，４４．６６％；Ｈ，２．７２％；Ｎ，５．４９％

＜合成例２＞
１，８－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサデカフルオロオクタン（ＡＰＨＦ８）

撹拌子、ジムロート冷却管、三方コックを取り付けた１００ｍＬナスフラスコに、４－ヨードアニリン（７．５ｇ、３４ｍｍｏｌ）、ＤＭＳＯ（２０ｍＬ）を入れ溶解させたのち、銅粉（１０ｇ、１７２ｍｍｏｌ）を空気中で酸化しないよう素早く入れ、１，８－ジヨードパーフルオロオクタン（１１．６ｇ、１７ｍｍｏｌ）を潮解する前に素早く入れた。その後、１２０℃まで昇温し、１２０℃で２４時間撹拌し反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、吸引ろ過をしてＤＭＳＯ溶液を回収した。ＤＭＳＯ溶液から減圧蒸留により、ＤＭＳＯを留去し粗生成物を得た。この粗生成物をジクロロメタンに溶解させ蒸留水で洗浄後、ジクロロメタン溶液を回収し無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させた。エバポレータでジクロロメタンを留去して、８．４ｇ（８０％）の粗生成物を回収した。ヘキサンで再結晶を行い、室温で減圧乾燥した。メタノールに溶かし活性炭で脱色処理を行った。メタノールを除去して黄色粉末状のＡＰＨＦ８（収量：５．９ｇ、収率：５８％）を得た。

ＦＴ－ＩＲ、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲ、および^１９Ｆ－ＮＭＲによって構造を確認した。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：３４８９～３３９２（Ｎ－Ｈ）、３０５０ （Ｃ－Ｈ）、１５８１（Ｃ＝Ｃ）、１２５９～１１４５（Ｃ－Ｆ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：５．８６（ｓ，４Ｈ，ＮＨ_２）、６．６６（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、７．２２（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：１１３．０、１２７．８、１５２．４
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：－１２１．７、－１２１．１、－１０７．５
融点：８５．８℃（ＤＳＣ）
元素分析：計算値 Ｃ，４１．１６％；Ｈ，２．０８％；Ｎ，４．８０％
実測値 Ｃ，４１．２３％；Ｈ，２．２８％；Ｎ，４．８５％

＜合成例３＞
１，６－ビス（３－アミノフェニル）ドデカフルオロヘキサン（ｍＡＰＤＦ６）

撹拌子、ジムロート冷却管、三方コックを取り付けた１００ｍＬナスフラスコに、３－ヨードアニリン（５．０ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）、ＤＭＳＯ（２０ｍＬ）を入れ溶解させたのち、銅粉（７．２ｇ、１１４ｍｍｏｌ）を空気中で酸化しないように素早く入れ、１，６－ジヨードパーフルオロヘキサン（６．３ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）を潮解する前に素早く入れた。その後、１２０℃まで昇温し、１２０℃で２４時間撹拌し反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、吸引ろ過をしてＤＭＳＯ溶液を回収した。ＤＭＳＯ溶液から減圧蒸留により、ＤＭＳＯを留去し粗生成物を得た。この粗生成物をジクロロメタンに溶解させ蒸留水で洗浄後、ジクロロメタン溶液を回収し無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させた。エバポレータでジクロロメタンを留去して、黄色の粗生成物を得た。メタノール／蒸留水の混合溶媒で再結晶を行い、６０℃で減圧乾燥した。メタノールに溶かし、活性炭で脱色処理を行った。メタノールを除去後、６０℃で一晩減圧乾燥し、黄色粉末状のｍＡＰＤＦ６（収量：３．０ｇ、収率：５４％）を得た。

^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲ、^１９Ｆ－ＮＭＲおよび元素分析によって構造を確認した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：３．８１（ｓ，４Ｈ，ＮＨ_２）、６．８３（ｄ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、６．８５（ｓ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、６．９５（ｄ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、７．２４（ｔ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：１１３．１、１１６．９、１１８．２、１２９．６，１３０．３，１４６．７
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：－１２１．９、－１２１．３、－１１０．７
融点：７９．４℃（ＤＳＣ）
元素分析：計算値 Ｃ，４４．６４％；Ｈ，２．５０％；Ｎ，５．７８％
実測値 Ｃ，４４．７５％；Ｈ，２．８０％；Ｎ，５．５２％

＜合成例４＞
１，６－ビス（ｐ－トリル）ドデカフルオロヘキサン（ＴＤＦ６）

攪拌子、冷却管、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、４－ヨードトルエン（８．７２ｇ、４０ｍｍｏｌ）とＤＭＳＯ（２０ｍＬ）を加えて溶解させた。次に、１，６－ジヨードパーフルオロヘキサン（１１．０８ｇ、２０ｍｍｏｌ）と銅粉（１２．６９ｇ、２００ｍｍｏｌ）を加え、段階的に１２０℃まで昇温して、１２０℃で２４時間反応させた。反応終了後、室温まで放冷し、吸引ろ過で銅粉を除去し、減圧蒸留でＤＭＳＯを留去した。得られた粗生成物をジエチルエーテル（１００ｍＬ）に溶解させ、蒸留水で洗浄した。有機層を分取して無水硫酸ナトリウムで一晩脱水した。エバポレータでジエチルエーテルを留去することで、白色の生成物（ＴＤＦ６）（収量：８．５９ｇ、収率：８９％）を得た。

得られた生成物の物性を以下に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：２．３４（ｓ、６Ｈ、ＣＨ_３）、７．４１（ｄ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）、７．５１（ｄ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：２０．８６、１２６．４６、１２９．６７，１３６．５８，１３６．６７，１３８．６０，１３８．７１，１４２．９０
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：－１０９．７２、－１２１．５７、－１２２．１３

＜合成例５＞
１，６－ビス（４－カルボキシフェニル）ドデカフルオロヘキサン（ＣＰＤＦ６）

攪拌子、窒素導入管、温度計、滴下漏斗を取り付けた５００ｍＬの三口フラスコに、ＴＤＦ６（１４．４７ｇ、３０ｍｍｏｌ）、酢酸（１５０ｍＬ）、濃硫酸（２０ｍＬ）を加えて溶解させ０℃に冷却した。無水酢酸（５０ｍＬ）に酸化クロム（１０．００ｇ、１００ｍｍｏｌ）を溶解させた溶液を滴下し、滴下が終了した後に室温で１２時間攪拌しながら反応させた。反応終了後、反応溶液を蒸留水（１Ｌ）に投入して生成物を析出させ、吸引ろ過によって回収し、１００℃で１２時間減圧乾燥を行った。収量は１５．９ｇ（収率９８％）であった。乾燥後の生成物をＤＭＦ／蒸留水の混合溶媒で再結晶を行い、１００℃で１２時間減圧乾燥を行うことで、白色粉末状の生成物（収量：６．３５ｇ、収率：３９％）を得た。

得られた生成物の物性を以下に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：７．８０（ｄ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）、８．１３（ｄ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）、１３．５０（ｓ、１Ｈ、ＣＯＯＨ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：１２７．１５，１２９．９３，１３１．１９，１３４．７４，１３６．５７，１３６．６６，１３８．７０，１６６．２３
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６、ｐｐｍ）：－１１０．４１、－１２１．５７、－１２２．０４

＜合成例６＞
１，６－ビス（４－クロロカルボニルフェニル）ドデカフルオロヘキサン（ＣＣＰＤＦ６）

撹拌子、冷却管、塩化カルシウム管を取り付けたナスフラスコ（１００ｍＬ）に、ＣＰＤＦ６（５．３８ｇ、９．９ｍｍｏｌ）と塩化チオニル（４０ｍＬ）を加え、ゆっくりと８５℃まで昇温し、１時間撹拌した。室温まで放冷し、減圧蒸留により過剰の塩化チオニルを留去し、固体の生成物を得た。これを昇華（１４０℃／０．８Ｔｏｒｒ）により精製し、白色の針状晶の生成物（収量：４．４ｇ、収率：７７％）を得た。
ＦＴ－ＩＲ、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲ、^１９Ｆ－ＮＭＲおよび元素分析によって構造を確認した。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：３０６３（Ａｒ－Ｈ）、１７４６（Ｃ＝Ｏ）、１１４２（Ｃ－Ｆ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：８．２４（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）、７．７５（ｄ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：１２７．７８、１３１．４０、１３５．４９，１３６．４４、１６７．７６、
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：－１１１．３３、－１２１．１０、－１２１．６０
融点：１２９～１３０℃
元素分析：計算値 Ｃ，４１．４８％；Ｈ，１．３９％
実測値 Ｃ，４１．４３％；Ｈ，１．４８％

＜合成例７＞
ビス（４，６－ジメトキシ－１，３，５－トリアジン－２－イル）－ｐ－ドデカフルオロヘキシレンジベンゾエート（ｐ－ＤＦＢＢＴ）

攪拌子、窒素導入管、温度計を取り付けた５００ｍＬの三口フラスコに、ＣＰＤＦ６（２７．１１ｇ、５０ｍｍｏｌ）、クロロジメトキシトリアジン（ＣＤＭＴ）（１７．５１ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ（４００ｍＬ）を加えて溶解させ、０℃に冷却した。この後に、Ｎ－メチルモルホリン（ＮＭＭ）（１１．５９ｍＬ、１１０ｍｍｏｌ）を加えて、０℃で１時間反応させた。反応終了後、酢酸を用いてｐＨ３に調整した水溶液４００ｍＬに反応溶液を投入し、生成物を析出させた。これを吸引ろ過で回収し、５０℃で１２時間減圧乾燥を行った。粗収量は３２．８ｇ（粗収率８０％）であった。乾燥後の粗生成物をクロロホルム／ヘキサン混合溶媒を用いて再結晶し、５０℃で１２時間減圧乾燥することで、白色粉末状の生成物（収量：２１．３３ｇ、収率：５２％）を得た。

得られた生成物の物性を以下に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：４．０９（ｓ、１２Ｈ、ＣＨ_３）、７．７６（ｄ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）、８．３０（ｓ、４Ｈ、Ａｒ－Ｈ）
^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：５６．２０、１２７．６４，１３０．９０，１３１．６１，１３７．０１，１３７．１０，１３９．１９，１６１．５４，１７０．７０，１７１．１３，１７４．３９
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：－１１２．６５、－１２２．５３、－１２３．１０

＜実験例１＞
アミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ）

攪拌子、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、２，２－ビス（３，４－ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＴＡ）（１．８２ｇ、５ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（９ｍＬ）を加えて溶解させ、０℃に冷却した。次に、アミド化合物の繰り返し単位数（ｎ）が４になるように、トリアジン系活性ジエステル（ｐ－ＤＦＢＢＴ）（３．２８ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、０℃で１時間反応させた。その後、室温で１２時間反応させた。反応終了後、重合溶液を蒸留水（３００ｍＬ）に投入し、アミド化合物を析出させた。析出したアミド化合物を吸引ろ過で回収し、室温で１２時間減圧乾燥を行った。粗収率は９８％であった。乾燥後のポリマーをＮＭＰ（９ｍＬ）に溶解させ、蒸留水で再沈殿精製を行うことで、淡黄色粉末状のアミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ）（収量：３．１１ｇ、収率：８１％）を得た。

得られたアミド化合物の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：１６５８（Ｃ＝Ｏ）、１５００（Ｃ＝Ｃ）、１１７０（Ｃ－Ｆ）
数平均分子量（Ｍ_ｎ）：３６００（計算値３７００）、分子量分布（Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎ）：２．２
溶解性：ＮＭＰ，ＤＭＡｃ，ＤＭＦ，ＤＭＳＯ，ＴＨＦ，アセトン，メタノールに室温で溶解

＜実験例２＞
アミド化合物（６ＦＴＡＰｈ－ｐ－ＤＦＢＢＴ）

攪拌子、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、６ＦＴＡＰｈ（２．５８ｇ、５ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（９ｍＬ）を加えて溶解させた。次に、アミド化合物の繰り返し単位数（ｎ）が４になるように、トリアジン系活性ジエステル（ｐ－ＤＦＢＢＴ）（３．２８ｇ、４ｍｍｏｌ）を加えて、室温で１２時間反応させた。反応終了後、重合溶液を蒸留水（３００ｍＬ）に投入し、アミド化合物を析出させた。析出したアミド化合物を吸引ろ過で回収し、室温で１２時間減圧乾燥を行った。粗収率は９４％であった。乾燥後のアミド化合物をＮＭＰ（９ｍＬ）に溶解させ、蒸留水で再沈殿精製を行うことで、白色粉末状のアミド化合物（６ＦＴＡＰｈ－ｐ－ＤＦＢＢＴ）（収量：３．４４ｇ、収率：７７％）を得た。

得られたアミド化合物の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：１６６１（Ｃ＝Ｏ）、１５９８（Ｃ＝Ｃ）、１１６９（Ｃ－Ｆ）
対数粘度：０．２５ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍ_ｎ）：４５００（計算値４６００）、分子量分布（Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎ）：２．０
溶解性：ＮＭＰ，ＤＭＡｃ，ＤＭＦ，ＤＭＳＯ，ＴＨＦ，クロロホルム，アセトン，メタノールに室温で溶解

＜実施例１＞
アミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ－ＰＥＰＡ）

撹拌子、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、アミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ）（０．３７１ｇ、０．１ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ（１．６ｍＬ）を加えて溶解させた。次に、架橋剤である４－フェニルエチニル無水フタル酸（ＰＥＰＡ）（０．０５０ｇ、０．２ｍｍｏｌ）を加えて、室温で１２時間反応させた。反応終了後、重合溶液ガラス板上に塗布し、室温で６時間、６０℃で６時間、１００℃で６時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間減圧乾燥を行い、架橋性基を末端に導入したアミド化合物を得た。

得られたアミド化合物の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７２５（Ｃ＝Ｏ）、１６５７（Ｃ＝Ｏ）、１６１７（Ｃ＝Ｃ）、１１８５（Ｃ－Ｆ）
溶解性：ＮＭＰ，ＤＭＡｃ、ＤＭＦに室温で溶解
ガラス転移温度：２５０℃（ＤＳＣ測定）
５％重量減少温度：４２９℃（空気中）、４３３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：４９６℃（空気中）、５０４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５７％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）

＜実施例２＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）

撹拌子、ジムロート冷却管、平栓、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬ三口フラスコをバーナーで熱し乾燥したのち、ＡＰＤＦ６（１．２１１ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）と蒸留したＮＭＰ（７．０ｍＬ）を加え、撹拌して完全に溶解させた。その後、４，４’－（ヘキサフルオロイソピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）（０．８８８ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を加え、氷浴につけて０～５℃で１時間撹拌させた。その後、徐々に昇温し６０℃で６時間撹拌させたのち、架橋剤である４－フェニルエチニル無水フタル酸（ＰＥＰＡ）（０．２４８ｇ、１．００ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１５時間撹拌させた。室温まで冷却し、重合溶液をガラス板上に流延させ、室温で３時間減圧乾燥させて、前駆体であるアミド化合物を得た。その後、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間のプログラムで減圧乾燥させることで、黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７８７（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７３（Ｃ－Ｎ）、１２９８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１４ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：４７００（計算値４５００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２．４
溶解性：ＮＭＰ、ＤＭＳＯ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦ、ＤＭＩ、γ－ブチロラクトン、ＴＨＦ、クロロホルムに室温で溶解
５％重量減少温度：５２２℃（空気中）、５２６℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５４７℃（空気中）、５５１℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５０％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１７１℃（ＤＳＣ）

＜実施例３＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）

撹拌子、ジムロート冷却管、平栓、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬ三口フラスコをバーナーで熱し乾燥したのち、ＡＰＤＦ６（１．２１１ｇ、２．５０ ｍｍｏｌ）と蒸留したＮＭＰ（７．７ｍＬ）を加え、撹拌して完全に溶解させた。その後、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）（０．６２０ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を加え、氷浴につけて０～５℃で１時間撹拌させた。その後、徐々に昇温し６０℃で６時間撹拌させたのち、架橋剤である４－フェニルエチニル無水フタル酸（ＰＥＰＡ）（０．２４８ｇ、１．００ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１２時間撹拌させた。室温まで冷却し、重合溶液をガラス板上に流延させ、室温で３時間減圧乾燥させて、前駆体であるアミド化合物を得た。その後、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間のプログラムで減圧乾燥させることで、黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１３（Ｃ≡Ｃ）、１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７０（Ｃ－Ｎ）、１２７５（Ｃ－Ｆ）、７４３（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１９ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：４１００（計算値４０００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：４．０
溶解性：ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＩに室温で溶解
５％重量減少温度：５０４℃（空気中）、５２３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５３９℃（空気中）、５５０℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５１％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１１８℃（ＤＳＣ）

＜実施例４＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－ＢＰＤＡ－ＰＥＰＡ）

実施例３のＯＤＰＡの代わりに３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）を用いて同様に、黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７８７（Ｃ＝Ｏ）、１７２７ （Ｃ＝Ｏ）、１３７３（Ｃ－Ｎ）、１２９８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．２１ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
５％重量減少温度：５１８℃（空気中）、５３４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５５７℃（空気中）、５６２℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５３％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１２８℃（ＤＳＣ）

＜実施例５＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＨＦ８－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）

撹拌子、ジムロート冷却管、平栓、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬ三口フラスコをバーナーで熱し乾燥したのち、ＡＰＨＦ８（１．４６１ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）と蒸留したＮＭＰ（９．７ｍＬ）を加え、撹拌して完全に溶解させた。その後、４，４’－（ヘキサフルオロイソピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）（０．８８８ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を加え、氷浴につけて０～５℃で１時間撹拌させた。その後、徐々に昇温し６０℃で６時間撹拌させたのち、架橋剤である４－フェニルエチニル無水フタル酸（ＰＥＰＡ）（０．２４８ｇ、１．００ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１５時間撹拌させた。室温まで冷却し、重合溶液をガラス板上に流延させ、室温で３時間減圧乾燥させて、前駆体であるアミド化合物を得た。その後、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間のプログラムで減圧乾燥させることで、黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２０８（Ｃ≡Ｃ）、１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２８（Ｃ＝Ｏ）、１３７０（Ｃ－Ｎ）、１２５８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１４ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：４９００（計算値４５００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２．３
溶解性：ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦ、ＤＭＩ、γ－ブチロラクトン、ＴＨＦ、クロロホルムに室温で溶解
５％重量減少温度：５２６℃（空気中）、５３７℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５５７℃（空気中）、５５８℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：４９％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１０６℃（ＤＳＣ）

＜実施例６＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＨＦ８－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）

撹拌子、ジムロート冷却管、平栓、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬ三口フラスコをバーナーで熱し乾燥したのち、ＡＰＨＦ８（１．４６１ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）と蒸留したＮＭＰ（８．７ｍＬ）を加え、撹拌して完全に溶解させた。その後、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）（０．６２０ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を加え、氷浴につけて０～５℃で１時間撹拌させた。その後、徐々に昇温し６０℃で６時間撹拌させたのち、架橋剤である４－フェニルエチニル無水フタル酸（ＰＥＰＡ）（０．２４８ｇ、１．００ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１５時間撹拌させた。室温まで冷却し、重合溶液をガラス板上に流延させ、室温で３時間減圧乾燥させて、前駆体であるアミド化合物を得た。その後、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間のプログラムで減圧乾燥させることで、黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１２（Ｃ≡Ｃ）、１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１５ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
５％重量減少温度：５２０℃（空気中）、５２９℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５４５℃（空気中）、５５３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５３％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１５６℃（ＤＳＣ）

＜実施例７＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）

実施例２のＡＰＤＦ６の代わりにｍＡＰＤＦ６を用いて、同様に黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７８７（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７３（Ｃ－Ｎ）、１２９８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１５ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：５０００（計算値４５００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：１．９
５％重量減少温度：４９５℃（空気中）、５２６℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５２７℃（空気中）、５５２℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５４％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１４６℃（ＤＳＣ）

＜実施例８＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）

実施例３のＡＰＤＦ６の代わりにｍＡＰＤＦ６を用いて、同様に黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７８７（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７３（Ｃ－Ｎ）、１２９８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１６ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：４２００（計算値４０００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２．５
５％重量減少温度：５２８℃（空気中）、５３５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５６８℃（空気中）、５６８℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５３％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１２６℃（ＤＳＣ）

＜実施例９＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－ＢＰＤＡ－ＰＥＰＡ）

実施例４のＡＰＤＦ６の代わりにｍＡＰＤＦ６を用いて、同様に黄色粉末状の含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）を得た。

得られた含窒素複素環含有化合物（イミド化合物）の物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：２２１４（Ｃ≡Ｃ）、１７８７（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７３（Ｃ－Ｎ）、１２９８（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．１７ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
数平均分子量（Ｍｎ）：５０００（計算値３９００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２．６
５％重量減少温度：５２６℃（空気中）、５３９℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５７９℃（空気中）、５７５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５３％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１４０℃（ＤＳＣ）

＜実施例１０＞
アミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
５ｃｍ×６ｃｍの型枠に切り抜いたポリイミドフィルムの型枠の中に、架橋性基を有するアミド化合物（６ＦＴＡ－ｐ－ＤＦＢＢＴ－ＰＥＰＡ）の粉末（０．５５ｇ）を入れ、３２０℃で加熱溶融を行った。次いで、３ＭＰａに加圧して脱気の操作を５回行った。その後、３２０℃で５ＭＰａと１０ＭＰａでそれぞれ１０分間ずつプレスし、さらに３７０℃に昇温して１５ＭＰａで１時間加熱加圧することで、加熱脱水によるイミダゾール環の生成と架橋反応により架橋物フィルムが得られた。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：１７２５（Ｃ＝Ｏ）、１４９５（Ｃ＝Ｃ）、１４６０（Ｃ＝Ｎ）、１１７１（Ｃ－Ｆ）
溶解性：有機溶媒に不溶
ガラス転移温度：２９７℃（ＤＭＡ）
５％重量減少温度：４９３℃（空気中）、５１５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５１９℃（空気中）、５４４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：６０％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：９×１０^８Ｐａ（室温～２８０℃、ガラス領域）、２×１０^７Ｐａ（３６０～４００℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）

＜実施例１１＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
ＳＵＳプレートの上にポリイミドフィルムを載せ、その上に５ｃｍ×６ｃｍの型枠が切り抜かれたポリイミドフィルムを置き、その型枠の中にイミド化合物（ＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）の粉末（０．６ｇ）を入れた。その上にポリイミドフィルムとＳＵＳプレートを載せ、３２０℃で２０分間加熱して溶融させた。その後、３ＭＰａの圧力を１分間かけて脱気を行い、この操作を５回繰り返した。３２０℃のまま５ＭＰａの圧力で１０分間、さらに１０ＭＰａの圧力で１０分間プレスを行った。その後、３７０℃まで昇温し、３７０℃で１３ＭＰａの圧力で１時間プレスを行うことで、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２８（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２５８（Ｃ－Ｆ）、７３５（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：４９８℃（空気中）、５１４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５１９℃（空気中）、５３８℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５２％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２３７℃（ＤＳＣ）、２３４℃（ＤＭＡ）、２２７℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０^９Ｐａ（室温～２２０℃、ガラス領域）、２×１０^７Ｐａ（２６０～４１０℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：７３ｐｐｍ／℃
引張破断強度：７５ＭＰａ（室温）
破断伸び：６．７％（室温）
引張弾性率：２．４ＧＰａ（室温）
誘電率：２．６１（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００４５（２０ＧＨｚ）

＜実施例１２＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
ＳＵＳプレートの上にポリイミドフィルムを載せ、その上に５ｃｍ×６ｃｍの型枠が切り抜かれたポリイミドフィルムを置き、その型枠の中にイミド化合物（ＡＰＤＦ６－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）の粉末（０．６ｇ）を入れた。その上にポリイミドフィルムとＳＵＳプレートを載せ、３２０℃で２０分間加熱して溶融させた。その後、３ＭＰａの圧力を１分間かけて脱気を行い、この操作を５回繰り返した。３２０℃のまま５ＭＰａの圧力で１０分間、さらに１０ＭＰａの圧力で１０分間プレスを行った。その後、３７０℃まで昇温し、３７０℃で１３ＭＰａの圧力で１時間プレスを行うことで褐色で不透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：４９４℃（空気中）、５０８℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５２２℃（空気中）、５３７℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５２％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２０６℃（ＤＳＣ）、２１８℃（ＤＭＡ）、２１０℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０^９Ｐａ（室温～２００℃、ガラス領域）、２×１０^７Ｐａ（２６０～３８０℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：７０ｐｐｍ／℃
誘電率：２．８７（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００３７（２０ＧＨｚ）

＜実施例１３＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＤＦ６－ＢＰＤＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
実施例１２と同様にして、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：５１７℃（空気中）、５３３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５３４℃（空気中）、５６０℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５６％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２９９℃（ＤＭＡ）、２７４℃（ＴＭＡ）
熱膨張係数：６６ｐｐｍ／℃
誘電率：２．８０（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００３５（２０ＧＨｚ）

＜実施例１４＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＨＦ８－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
ＳＵＳプレートの上にポリイミドフィルムを載せ、その上に５ｃｍ×６ｃｍの型枠が切り抜かれたポリイミドフィルムを置き、その型枠の中にイミド化合物（ＡＰＨＦ８－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）の粉末（０．６ｇ）を入れた。その上にポリイミドフィルムとＳＵＳプレートを載せ、３２０℃で２０分間加熱して溶融させた。その後、３ＭＰａの圧力を１分間かけて脱気を行い、この操作を５回繰り返した。３２０℃のまま５ＭＰａの圧力で１０分間、さらに１０ＭＰａの圧力で１０分間プレスを行った。その後、３７０℃まで昇温し、３７０℃で１０ＭＰａの圧力で１時間プレスを行うことで、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２８（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２５８（Ｃ－Ｆ）、７３５（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：５１９℃（空気中）、５３０℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５４６℃（空気中）、５５５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：４５％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１９３℃（ＤＳＣ）、１９３℃（ＤＭＡ）、２０５℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０^９Ｐａ（室温～１８５℃、ガラス領域）、２×１０⁷Ｐａ（２５０～４１０℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：１１２ｐｐｍ／℃
引張破断強度：４６ＭＰａ（室温）
破断伸び：３．３％（室温）
引張弾性率：１．５ＧＰａ（室温）
誘電率：２．５８（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００２２（２０ＧＨｚ）

＜実施例１５＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ＡＰＨＦ８－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物

ＳＵＳプレートの上にポリイミドフィルムを載せ、その上に５ｃｍ×６ｃｍの型枠が切り抜かれたポリイミドフィルムを置き、その型枠の中にイミド化合物（ＡＰＨＦ８－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）の粉末（０．６ｇ）を入れた。その上にポリイミドフィルムとＳＵＳプレートを載せ、３２０℃で２０分間加熱して溶融させた。その後、３ＭＰａの圧力を１分間かけて脱気を行い、この操作を５回繰り返した。３２０℃のまま５ＭＰａの圧力で１０分間、さらに１０ＭＰａの圧力で１０分間プレスを行った。その後、３７０℃まで昇温し、３７０℃で１０ＭＰａの圧力で１時間プレスを行うことで、褐色で不透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：４９６℃（空気中）、５１５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５１６℃（空気中）、５４０℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５１％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２２９℃（ＤＳＣ）、２２５℃（ＤＭＡ）、２２８℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０⁹Ｐａ（室温～２００℃、ガラス領域）、９×１０^７Ｐａ（２６０～３７０℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：８２ｐｐｍ／℃
誘電率：２．７７（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００２４（２０ＧＨｚ）

＜実施例１６＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
実施例１１と同様にして、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：４９６℃（空気中）、４９３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５２１℃（空気中）、５１９℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：４９％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１９６℃（ＤＳＣ）、１８９℃（ＤＭＡ）、１９３℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０⁹Ｐａ（室温～１８０℃、ガラス領域）、１×１０^７Ｐａ（２６０～４００℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：９５ｐｐｍ／℃
誘電率：２．５９（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００２６（２０ＧＨｚ）

＜実施例１７＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－ＯＤＰＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
実施例１１と同様にして、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：５３４℃（空気中）、５３５℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５６５℃（空気中）、５６８℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５３％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：１８４℃（ＤＳＣ）、１７８℃（ＤＭＡ）、１７６℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０⁹Ｐａ（室温～１５０℃、ガラス領域）、２×１０^７Ｐａ（２２０～４００℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：９３ｐｐｍ／℃

＜実施例１８＞
含窒素複素環含有化合物（イミド化合物：ｍＡＰＤＦ６－ＢＰＤＡ－ＰＥＰＡ）からの架橋物
実施例１１と同様にして、茶色で透明な架橋物フィルムを作製した。

得られた架橋物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（フィルム、ｃｍ^－１）：１７８５（Ｃ＝Ｏ）、１７２７（Ｃ＝Ｏ）、１３７５（Ｃ－Ｎ）、１２７６（Ｃ－Ｆ）、７４４（イミド環）
溶解性：有機溶媒に不溶
５％重量減少温度：５４５℃（空気中）、５４３℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５７６℃（空気中）、５７２℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５６％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２０７℃（ＤＳＣ）、２０３℃（ＤＭＡ）、１９９℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：１×１０⁹Ｐａ（室温～２００℃、ガラス領域）、２×１０^７Ｐａ（２６０～４００℃、ゴム領域）（ＤＭＡ）
熱膨張係数：６７ｐｐｍ／℃
誘電率：２．６９（２０ＧＨｚ）
誘電正接：０．００２４（２０ＧＨｚ）

＜比較例１＞
イミド化合物：ＡＰＤＦ６－６ＦＤＡ

撹拌棒、撹拌羽根、ジムロート冷却管、窒素導入管を取り付けた１００ｍＬ三口フラスコをバーナーで熱し乾燥したのち、ＡＰＤＦ６（０．７２６ｇ、１．５０ｍｍｏｌ）、蒸留したＮＭＰ（３ｍＬ）を加え撹拌して溶解させた。その後、４，４’－（ヘキサフルオロイソピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）（０．６６６ｇ、１．５０ｍｍｏｌ）を加え、徐々に昇温させ、６０℃で１８時間撹拌させ反応させることでアミド化合物の溶液を得た。アミド化合物の対数粘度（η_ｉｎｈ）は０．３２ｄＬ／ｇ（０．５ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）であった。室温まで冷却し、蒸留したＮＭＰ（２ｍＬ）を加え撹拌させることで溶液全体の濃度を薄め、その溶液をガラス板上に流延させた。これを室温で３時間減圧乾燥させ、その後、６０℃で６時間、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、２００℃で１時間、２５０℃で１時間のプログラムで減圧乾燥させることで、黄色透明のイミド化合物フィルム（膜厚２２μｍ）を得た。

得られたイミド化合物フィルムの物性を以下に示す。
ＦＴ－ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^－１）：１７８９（Ｃ＝Ｏ）、１７２５（Ｃ＝Ｏ）、１３７６（Ｃ－Ｎ）、１１９９（Ｃ－Ｆ）、７４５（イミド環）
対数粘度（η_ｉｎｈ）：０．５２ｄＬ／ｇ（０．５ ｇ／ｄＬ濃度のＮＭＰ溶液、３０℃測定）
ＧＰＣ：数平均分子量（Ｍｎ）４７０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）２．５
溶解性：ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦ、ＤＭＩ、ＴＨＦ、クロロホルムに室温で溶解
５％重量減少温度：５０９℃（空気中）、５２４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
１０％重量減少温度：５２７℃（空気中）、５４４℃（窒素中）（ＴＧＡ）
炭化収率：５２％（窒素中、８００℃）（ＴＧＡ）
ガラス転移温度：２２１℃（ＤＳＣ）、２１５℃（ＤＭＡ）、２１３℃（ＴＭＡ）
貯蔵弾性率（Ｅ’）：９×１０^８Ｐａ（室温～２００℃、ガラス領域）（ＤＭＡ）

Claims (12)

1. 式（１）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有するアミド化合物。
   式（１）：
   

   

   （式（１）中、
   Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、
   Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基、
   Ａはアミド結合、
   Ｙは、独立に、－ＣＯＲ^１または－ＮＨＲ^２、
   Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していないフェノキシ基、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、または、下記式で示される置換基、
   

   

   Ｒ^２は、独立に、Ｈ、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基
   を表す。）
   式（２）：
   －Ｃ≡ＣＸ^１
   （式（２）中、Ｘ^１は、Ｈ、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基を表す。）
2. 式（１）で示される繰り返し単位の平均重合度が２～１０である請求項１に記載のアミド化合物。
3. 式（１）で示される繰り返し単位が、式（１ａ）で示される繰り返し単位である請求項１または２に記載のアミド化合物。
   式（１ａ）：
   

   

   （式（１ａ）中、Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基、Ｒ^１は、独立に、ＯＨ、置換基を有していないフェノキシ基、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、または、下記式で示される置換基を表す。）
   

   
4. 式（１）で示される繰り返し単位が、式（１ｂ）で示される繰り返し単位である請求項１または２に記載のアミド化合物。
   式（１ｂ）：
   

   

   （式（１ｂ）中、Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基、Ｒ^２は、独立に、Ｈ、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基を表す。）
5. 式（３）で示される繰り返し単位、および、分子末端に式（２）で示される架橋部位を有する含窒素複素環含有化合物。
   式（３）：
   

   

   （式（３）中、
   Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、
   Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基、
   環Ｃはイミド環、または、ベンゼン環と共にベンゾイミダゾール環を形成する環であり、環Ｃは置換基を有していてもよく、
   前記置換基は、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基である。）
   式（２）：
   －Ｃ≡ＣＸ^１
   （式（２）中、Ｘ^１は、Ｈ、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基を表す。）
6. 式（３）で示される繰り返し単位の平均重合度が２～１０である請求項５に記載の含窒素複素環含有化合物。
7. 式（３）で示される繰り返し単位が、式（３ａ）で示される繰り返し単位である請求項５または６に記載の含窒素複素環含有化合物。
   式（３ａ）：
   

   

   （式（３ａ）中、Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基を表す。）
8. 式（３）で示される繰り返し単位が、式（３ｂ）で示される繰り返し単位である請求項５または６に記載の含窒素複素環含有化合物。
   式（３ｂ）：
   

   

   （式（３ｂ）中、Ｒｆ^１は炭素数４以上８０以下のパーフルオロアルキレン基、Ｒｆ^２は、単結合、－Ｏ－、または、炭素数が１～１５のフッ化アルキレン基、Ｒ^２は、独立に、Ｈ、炭素数１～１０の低級アルキル基、炭素数１～１０のフッ素原子含有低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基、フッ素原子で１～５個の水素原子が置換されたフェニル基もしくはベンジル基、または、炭素数１～１０のフッ素原子含有アルキル基で置換されたフェニル基を表す。）
9. 請求項１～４のいずれかに記載のアミド化合物、または、請求項５～８のいずれかに記載の含窒素複素環含有化合物を含有する接着剤。
10. 請求項１～４のいずれかに記載のアミド化合物、または、請求項５～８のいずれかに記載の含窒素複素環含有化合物を含有する塗料。
11. 請求項１～４のいずれかに記載のアミド化合物、または、請求項５～８のいずれかに記載の含窒素複素環含有化合物を架橋することにより得られる架橋物。
12. 半導体製造装置に用いる部材である請求項１１に記載の架橋物。