JP7261278B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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れているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリ
コンまたは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリ
コン半導体を用いたトランジスタは、集積回路(IC)などにも利用されている。
る技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物
半導体とよぶことにする。
ランジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる
技術が開示されている(特許文献1参照)。
にあり、さらには、対角120インチ以上の画面サイズも視野に入れた開発が行われてい
る。このため、表示装置に用いられるガラス基板においては、第8世代以上の大面積化が
進んでいる。
用されるフォトマスクが大きくなり、フォトマスクの価格が問題となっている。例えば、
第10世代のフォトマスクは1枚1億円以上と高価であるため、フォトマスクの枚数を削
減した作製工程の開発が求められている。
るほど、電界を加えた状況において、液晶素子の液晶分子の配向を一定に保つことができ
る期間を長くすることができる。静止画を表示させる表示装置において、当該期間を長く
できることは、画像データを書き換える回数を低減することができ、消費電力の低減が望
める。
、具体的には一対の電極が重畳している面積を大きくするという手段がある。しかしなが
ら、上記表示装置において、一対の電極が重畳している面積を大きくするために遮光性を
有する導電膜の面積を大きくすると、画素の開口率が低減し、画像の表示品位が低下する
。
有する半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減する可能な半導体装置におい
て、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課題の一とする。
マスクを用いた工程により、チャネル領域を有する金属酸化物膜と、チャネル保護膜とを
形成することを特徴とする。また、本発明の一態様は、トランジスタと容量素子とを同時
に作製する方法であって、多階調フォトマスクを用いた工程により、トランジスタに含ま
れるチャネル領域を有する金属酸化物膜及びチャネル保護膜と、容量素子の一方の電極と
を形成することを特徴とする。
上に第1の金属酸化物膜及び第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、第1の厚さを有
する領域、及び第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する領域を有する第1のマスクと、
第1の厚さと同じ厚さを有する第2のマスクを形成し、第1のマスク及び第2のマスクを
用いて、第1の絶縁膜及び第1の金属酸化物膜をそれぞれエッチングして、第2の絶縁膜
及び第3の絶縁膜、並びに第2の金属酸化物膜及び第3の金属酸化物膜を形成する。次に
、第1のマスクを加工して、第3のマスクを形成すると共に第2のマスクを取り除いた後
、第3のマスクを用いて第2の絶縁膜をエッチングして、第2の金属酸化物膜上に第4の
絶縁膜を形成する共に第3の金属酸化物膜上の第3の絶縁膜を取り除く。次に、第2の金
属酸化物膜、第3の金属酸化物膜、第4の絶縁膜、及びゲート絶縁膜上に、窒化物絶縁膜
で形成される第5の絶縁膜を形成し、第5の絶縁膜の一部をエッチングして、第5の絶縁
膜に開口部を形成した後、第2の金属酸化物膜に接する一対の電極、及び第3の金属酸化
物膜に接する配線を形成する。次に、第5の絶縁膜上に、一対の電極の一方に接続し、且
つ第3の金属酸化物膜の一部と重なる、透光性を有する導電膜を形成する半導体装置の作
製方法である。
上に第1の金属酸化物膜及び第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、第1の厚さを有
する領域、及び第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する領域を有する第1のマスクと、
第1の厚さと同じ厚さを有する第2のマスクを形成する。次に、第1のマスク及び第2の
マスクを用いて、第1の絶縁膜及び第1の金属酸化物膜をそれぞれエッチングして、第2
の絶縁膜及び第3の絶縁膜、並びに第2の金属酸化物膜及び第3の金属酸化物膜を形成す
る。次に、第1のマスクを加工して、第3のマスクを形成すると共に第2のマスクを取り
除いた後、第3のマスクを用いて第2の絶縁膜をエッチングして、第2の金属酸化物膜上
に第4の絶縁膜を形成する共に、第3の金属酸化物膜上の第3の絶縁膜を取り除く。次に
、第2の金属酸化物膜に接する一対の電極、及び第3の金属酸化物膜に接する配線を形成
し、一対の電極、第4の絶縁膜、第3の金属酸化物膜、及び配線上に、窒化物絶縁膜で形
成される第5の絶縁膜を形成する。次に、第5の絶縁膜の一部をエッチングして、第5の
絶縁膜に開口部を形成した後、一対の電極の一方に接続し、且つ第3の金属酸化物膜の一
部と重なる、透光性を有する導電膜を形成する半導体装置の作製方法である。
とともに、ゲート電極の一部を露出させ、透光性を有する導電膜を形成するとともに、ゲ
ート電極と接続し且つ第2の金属酸化物膜と重なる導電膜を形成してもよい。
る第4の絶縁膜、及び一対の電極でトランジスタを構成する。また、第3の金属酸化物膜
、第5の絶縁膜、及び透光性を有する導電膜で容量素子を構成する。
、第3の金属酸化物膜は、導電性を有し、容量素子の一方の電極として機能する。
属酸化物膜は、第2の金属酸化物膜より水素濃度が高い。
を有する。また、第1の金属酸化物膜、第2の金属酸化物膜、及び第3の金属酸化物膜は
、In、Ga、及びZnの少なくとも一を有する。また、第1の金属酸化物膜、第2の金
属酸化物膜及び第3の金属酸化物膜は、同じ金属元素で構成されている。
域は、酸化物絶縁膜で形成される。また、第4の絶縁膜であって、第2の金属酸化物膜に
接する領域は、酸化物絶縁膜で形成される。
の絶縁膜は接する。
子を有する半導体装置の作製方法において、コストを削減することができる。消費電力を
低減する可能な半導体装置の作製方法において、コストを削減することができる。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。また
、以下に説明する実施の形態及び実施例において、同一部分または同様の機能を有する部
分には、同一の符号または同一のハッチパターンを異なる図面間で共通して用い、その繰
り返しの説明は省略する。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第1の」を
「第2の」または「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。
合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレ
イン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
、フォトリソグラフィ工程で形成したマスクは除去するものとする。
本実施の形態では、開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を
有する半導体装置において、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減する可能な半導体装置におい
て、コストを削減することが可能な作製方法を提供することを課題の一とする。
たトランジスタにおいて、トランジスタの電気特性の不良に繋がる欠陥の一例として酸素
欠損がある。例えば、膜中に酸素欠損が含まれている酸化物半導体膜を用いたトランジス
タは、しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリーオン特性となりやすい。
これは、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生じ、低抵抗化するためで
ある。トランジスタがノーマリーオン特性を有すると、動作時に動作不良が発生しやすく
なる、または非動作時の消費電力が高くなるなどの、様々な問題が生じる。また、経時変
化やストレス試験により、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧の変動量が
増大するという問題がある。
ンジスタの電気特性の不良の原因となる。このため、該不純物が、酸化物半導体膜に混入
することにより、当該酸化物半導体膜が低抵抗化してしまい、経時変化やストレス試験に
より、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧の変動量が増大するという問題
がある。
するトランジスタを備える半導体装置において、チャネル領域である酸化物半導体膜への
酸素欠損、及び酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することを課題の一とする。
て図面を参照して説明する。本実施の形態では、多階調フォトマスクを用いた工程により
、チャネル領域を有する金属酸化物膜と、チャネル保護膜とを形成することを特徴とする
。
と、走査線駆動回路14と、信号線駆動回路16と、各々が平行または略平行に配設され
、且つ走査線駆動回路14によって電位が制御されるm本の走査線17と、各々が平行ま
たは略平行に配設され、且つ信号線駆動回路16によって電位が制御されるn本の信号線
19と、を有する。さらに、画素部11はマトリクス状に配設された複数の画素13を有
する。また、信号線19に沿って、各々が平行または略平行に配設された容量線15を有
する。なお、容量線15は、走査線17に沿って、各々が平行または略平行に配設されて
いてもよい。また、走査線駆動回路14及び信号線駆動回路16をまとめて駆動回路部と
いう場合がある。
の行に配設されたn個の画素13と電気的に接続される。また、各信号線19は、m行n
列に配設された画素13のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素13に電気的と接
続される。m、nは、ともに1以上の整数である。また、各容量線15は、m行n列に配
設された画素13のうち、いずれかの行に配設されたn個の画素13と電気的に接続され
る。なお、容量線15が、信号線19に沿って、各々が平行または略平行に配設されてい
る場合は、m行n列に配設された画素13のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素
13に電気的と接続される。
路構成の一例を示している。
、を有する。
液晶素子21は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。また、複数の画素1
3のそれぞれが有する液晶素子21の一対の電極の一方に共通の電位(コモン電位)を与
えてもよい。また、各行の画素13毎の液晶素子21の一対の電極の一方に異なる電位を
与えてもよい。
る素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方
向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御される。なお、液晶素子21としては
、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、サーモトロピック液晶、ラ
イオトロピック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等が挙げられる。
、ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cel
l)モード、OCB(Optically Compensated Birefrin
gence)モード、MVAモード、PVA(Patterned Vertical
Alignment)モード、IPSモード、FFSモード、またはTBA(Trans
verse Bend Alignment)モードなどを用いてもよい。ただし、これ
に限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
により液晶素子を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が1msec以下と
短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、且つ視野角依存性が小さい。
ン電極の一方は、信号線19に電気的に接続され、他方は液晶素子21の一対の電極の他
方に電気的に接続される。また、トランジスタ22のゲート電極は、走査線17に電気的
に接続される。トランジスタ22は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ
信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。なお、トランジスタ22は、実施の形
態1乃至実施の形態7のいずれかに示すトランジスタを用いることができる。
が供給される容量線15に電気的に接続され、他方は、液晶素子21の一対の電極の他方
に電気的に接続される。なお、容量線15の電位の値は、画素13の仕様に応じて適宜設
定される。容量素子25は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有す
る。
の画素13を順次選択し、トランジスタ22をオン状態にしてデータ信号のデータを書き
込む。
になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
と、画素の駆動を制御するトランジスタ22と、トランジスタ35と、容量素子25と、
発光素子31と、を有する。
、を有する素子などがある。EL層の一例としては、1重項励起子からの発光(蛍光)が
可能な材料を有する層、3重項励起子からの発光(燐光)が可能な材料を有する層、1重
項励起子からの発光(蛍光)が可能な材料及び3重項励起子からの発光(燐光)が可能な
材料を有する層などがある。
号線19に電気的に接続される。さらに、トランジスタ22のゲート電極は、ゲート信号
が与えられる走査線17に電気的に接続される。
の書き込みを制御する機能を有する。
配線37と電気的に接続され、トランジスタ22のソース電極及びドレイン電極の他方は
、発光素子31の一方の電極に電気的に接続される。さらに、トランジスタ22のゲート
電極は、トランジスタ33のソース電極及びドレイン電極の他方、及び容量素子25の一
方の電極に電気的に接続される。
る電流を制御する機能を有する。
る配線39と接続され、トランジスタ35のソース電極及びドレイン電極の他方は、発光
素子31の一方の電極、及び容量素子25の他方の電極に電気的に接続される。さらに、
トランジスタ35のゲート電極は、ゲート信号が与えられる走査線17に電気的に接続さ
れる。
光素子31が劣化等により、発光素子31の内部抵抗が上昇した場合、トランジスタ35
のソース電極及びドレイン電極の一方が接続された配線39に流れる電流をモニタリング
することで、発光素子31に流れる電流を補正することができる。配線39に与えられる
電位としては、例えば、0Vとすることができる。
の他方、及びトランジスタ22のゲート電極と電気的に接続され、容量素子25の一対の
電極の他方は、トランジスタ35のソース電極及びドレイン電極の他方、及び発光素子3
1の一方の電極に電気的に接続される。
持する保持容量としての機能を有する。
の他方、容量素子25の他方、及びトランジスタ22のソース電極及びドレイン電極の他
方と電気的に接続される。また、発光素子31の一対の電極の他方は、カソードとして機
能する配線41に電気的に接続される。
う)などを用いることができる。ただし、発光素子31としては、これに限定されず、無
機材料からなる無機EL素子を用いても良い。
電源電位VSSが与えられる。図1(C)に示す構成においては、配線37に高電源電位
VDDを、配線41に低電源電位VSSを、それぞれ与える構成としている。
3を順次選択し、トランジスタ22をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
になる。さらに、トランジスタ22は、容量素子25と接続しているため、書き込まれた
データを長時間保持することが可能となる。また、トランジスタ33により、ソース電極
とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子31は、流れる電流量に応じた
輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、または様々
な素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子または発光装置の一例とし
ては、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機
EL素子、無機EL素子)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子
放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、デジタルマイクロミラーデバイス(D
MD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、など、電気磁気的作用により、コ
ントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素
子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用い
た表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)またはSE
D方式平面型ディスプレイ(SED:Surface-conduction Elec
tron-emitter Display)などがある。液晶素子を用いた表示装置の
一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ
、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などが
ある。電子インクまたは電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなど
がある。
明する。ここでは、図1(B)に示す画素13の上面図を図2に示す。
左右方向)に延伸して設けられている。信号線として機能する導電膜117aは、走査線
に略直交する方向(図中上下方向)に延伸して設けられている。容量線として機能する導
電膜117cは、信号線と平行方向に延伸して設けられている。なお、走査線として機能
する導電膜103は、走査線駆動回路14(図1(A)を参照。)と電気的に接続されて
おり、信号線として機能する導電膜117a及び容量線として機能する導電膜117cは
、信号線駆動回路16(図1(A)を参照。)に電気的に接続されている。
タ22は、ゲート電極として機能する導電膜103、ゲート絶縁膜(図2に図示せず。)
、ゲート絶縁膜上に形成されたチャネル領域が形成される金属酸化物膜109a、ソース
電極及びドレイン電極として機能する導電膜117a、117bにより構成される。なお
、導電膜103は、走査線としても機能し、金属酸化物膜109aと重畳する領域がトラ
ンジスタ22のゲート電極として機能する。また、導電膜117aは、信号線としても機
能し、金属酸化物膜109aと重畳する領域がトランジスタ22のソース電極またはドレ
イン電極として機能する。また、図2において、走査線は、上面形状において端部が金属
酸化物膜109aの端部より外側に位置する。このため、走査線はバックライトなどの光
源からの光を遮る遮光膜として機能する。この結果、トランジスタに含まれる金属酸化物
膜109aに光が照射されず、トランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。
また、金属酸化物膜109aは半導体特性を有する金属酸化物を用いて形成されているた
め、金属酸化物膜109aにチャネル領域が形成される。
的に接続されている。
て機能する透光性を有する導電膜119と、トランジスタ22上に設けられる窒化物絶縁
膜で形成される誘電体膜とで構成されている。金属酸化物膜109cは透光性を有するた
め、容量素子25は透光性を有する。また、容量素子25一対の電極の一方として機能す
る金属酸化物膜109cが、開口部115cにおいて容量線として機能する導電膜117
cと接続されている。
大面積に)形成することができる。従って、開口率を高めつつ、50%以上、好ましくは
55%以上、好ましくは60%以上とすることが可能であると共に、電荷容量を増大させ
た半導体装置を得ることができる。例えば、解像度の高い半導体装置、例えば液晶表示装
置においては、画素の面積が小さくなり、容量素子の面積も小さくなる。このため、解像
度の高い半導体装置において、容量素子に蓄積される電荷容量が小さくなる。しかしなが
ら、本実施の形態に示す容量素子25は透光性を有するため、当該容量素子を画素に設け
ることで、各画素において十分な電荷容量を得つつ、開口率を高めることができる。代表
的には、画素密度が200ppi以上、さらには300ppi以上、さらには500pp
i以上である高解像度の半導体装置に好適に用いることができる。
て、信号線として機能する導電膜117aと平行な辺の方が短い形状であり、且つ容量線
として機能する導電膜117cが、信号線として機能する導電膜117aと平行な方向に
延伸して設けられている。この結果、画素13に占める導電膜117cの面積を低減する
ことが可能であるため、開口率を高めることができる。
るため、バックライトなどの光源の光を効率よく利用することができ、表示装置の消費電
力を低減することができる。
置の素子基板の作製方法について、説明する。
トマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、導電膜102上にマスク131を形成
する。
の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サ
ファイア基板等を、基板101として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなど
を用いて形成される単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化
合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素
子が設けられたものを、基板101として用いてもよい。なお、基板101として、ガラ
ス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870m
m×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400m
m×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用い
ることで、大型の表示装置を作製することができる。
成してもよい。または、基板101と導電膜102の間に剥離層を設け、剥離層上にトラ
ンジスタを有する素子部を作製した後、剥離層において基板101から素子部を剥離し、
別の基板に転載してもよい。この結果、耐熱性の低い基板や可撓性を有する基板上に素子
部を設けることができる。
電膜102は、ゲート電極として用いることが可能な導電材料を適宜用いる。導電膜10
2は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選
ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み
合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれ
か一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電膜102は、単層構
造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単
層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を
積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル
膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜
を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにそ
の上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル
、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、
または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
化物膜、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物膜、酸化チタンを含むインジウム
酸化物膜、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物膜、酸化シリ
コンを添加したインジウム錫酸化物膜等の透光性を有する導電性材料で形成される膜を適
用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料で形成される膜と、上記金属
元素で形成される膜の積層構造とすることもできる。
により形成する。次に、フォトリソグラフィ工程によりマスクを形成する。
機能する導電膜103を形成する。ドライエッチング法または/及びウェットエッチング
法を用いて、導電膜102をエッチングすることができる。こののち、マスク131を除
去する(図3(B)を参照。)。
チングして、ゲート電極として機能する導電膜103を形成する。
絶縁膜110を順に形成する。次に、第2のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工
程により、絶縁膜110上にマスク133、135を形成する。ここでは、第2のフォト
マスクとして、多諧調マスクを用いることを特徴とする。
的には、グレートーンマスク、ハーフトーンマスク等がある。グレートーンマスクは、透
光性を有する基板上に、遮光部及び回折格子が形成される。回折格子はスリット、ドット
、メッシュ等の光透過領域の間隔が、露光に用いる光の解像度限界以下の間隔であり、当
該構成により、光の透過率を制御する。ハーフトーンマスクは、透光性を有する基板上に
、遮光部及び半透過部が形成される。半透過部により露光に用いる光の透過率を制御する
。
で露光を行うことができる。この結果、多階調フォトマスクを用いることで、一度の露光
及び現像工程によって、複数(代表的には二種類)の厚さを有するレジストマスクを形成
することが可能であり、フォトマスクの枚数を削減することができる。ここでは、金属酸
化物膜109a、109b及び絶縁膜111cの形成工程において、多階調フォトマスク
を用いることで、フォトマスクを1枚削減することができる。
は、基板101及びゲート電極として機能する導電膜103から金属酸化物膜108に不
純物が拡散するのを防ぐため、窒化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。また、絶
縁膜106は、金属酸化物膜108と接する。絶縁膜106及び金属酸化物膜108の界
面準位を低減するため、絶縁膜106は酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。
ミニウムなどを用いて形成すればよく、積層または単層で設ける。
ム、酸化ガリウムまたはGa-Zn系金属酸化物などを用いて形成すればよく、積層また
は単層で設ける。
たハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムアルミネ
ート(HfAlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのhigh-k材
料を用いて形成することでトランジスタのゲートリークを低減できる。
しくは10nm以上300nm以下、より好ましくは50nm以上250nm以下とする
とよい。
適宜用いることができる。
ート電極として機能する導電膜103からの不純物、代表的には、水素、窒素、アルカリ
金属、またはアルカリ土類金属等が、金属酸化物膜109aに移動することを防ぐことが
できる。
膜106を設けることで、ゲート絶縁膜及び金属酸化物膜109a界面における欠陥準位
を低減することが可能である。この結果、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得るこ
とができる。
-M-Zn酸化物膜(Mは、Al、Ga、Ti、Y、Zr、La、Ce、またはNd)等
の金属酸化物膜がある。なお、該金属酸化物膜は半導体特性を有するため、酸化物半導体
ということもできる。
100atomic%としたとき、InとMの原子数比率は好ましくはInが25ato
mic%より大きく、Mが75atomic%未満、さらに好ましくはInが34ato
mic%より大きく、Mが66atomic%未満とする。
、より好ましくは3eV以上である。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物
を用いて形成することで、後に形成するトランジスタのオフ電流を低減することができる
。
属酸化物膜108は、キャリア密度が1×1017個/cm3以下、好ましくは1×10
15個/cm3以下、さらに好ましくは1×1013個/cm3以下、より好ましくは1
×1011個/cm3以下の金属酸化物膜を用いる。
0nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。
アブレーション法等を用いて形成することができる。
電源装置は、RF電源装置、AC電源装置、DC電源装置等を適宜用いることができる。
ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス
比を高めることが好ましい。
La、Ce、NdまたはHf)の場合、In-M-Zn酸化物膜を成膜するために用いる
スパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、金属元素の原子数比をIn:M:Z
n=x1:y1:z1とすると、x1/y1は、1/3以上6以下、さらには1以上6以
下であって、z1/y1は、1/3以上6以下、さらには1以上6以下であることが好ま
しい。なお、z1/y1を1以上6以下とすることで、金属酸化物膜108として後述す
るCAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxid
e Semiconductor)膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原
子数比の代表例としては、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=3:1:2、
In:M:Zn=5:5:6等がある。なお、成膜される金属酸化物膜108の原子数比
はそれぞれ、誤差として上記のターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナ
ス40%の変動を含む。
ならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアル
ゴンガスは、露点が-40℃以下、好ましくは-80℃以下、より好ましくは-100℃
以下、より好ましくは-120℃以下にまで高純度化したガスを用いることで金属酸化物
膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。
物絶縁膜であることが好ましい。絶縁膜110は、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化
シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa-Zn系金属酸
化物などを用いて形成すればよく、積層または単層で設ける。
の酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。化学量論
的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、TDS(Thermal
Desorption Spectroscopy)分析において、表面温度が100℃
以上700℃以下、または100℃以上500℃以下の加熱処理における酸素原子に換算
しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは3.0×1
020atoms/cm3以上である酸化物絶縁膜である。
り、シリコンのダングリングボンドに由来するg=2.001に現れる信号のスピン密度
が1.5×1018spins/cm3未満、更には1×1018spins/cm3以
下、1×1017spins/cm3以下、さらには検出下限以下であることが好ましい
。
nm以下とする。
膜を用いて形成することで、加熱処理により、絶縁膜110から脱離する酸素を、金属酸
化物膜108に移動させることができる。この結果、金属酸化物膜108に含まれる酸素
欠損を低減することができる。
積性気体及び酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例と
しては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、
酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等がある。
を用いて形成する場合は、プラズマCVD装置の真空排気された処理室内に載置された基
板を180℃以上280℃以下、さらに好ましくは200℃以上240℃以下に保持し、
処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250Pa以下、さ
らに好ましくは100Pa以上200Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に0.1
7W/cm2以上0.5W/cm2以下、さらに好ましくは0.25W/cm2以上0.
35W/cm2以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化窒化
シリコン膜を形成することができる。
力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加し
、原料ガスの酸化が進むため、絶縁膜110中における酸素含有量が化学量論的組成より
も多くなる。一方、基板温度が、上記温度で形成された膜では、シリコンと酸素の結合力
が弱いため、後の工程の加熱処理により膜中の酸素の一部が脱離する。この結果、化学量
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜
110を形成することができる。
して酸素を透過させることが可能な酸化物絶縁膜を用いて形成し、第2の絶縁膜として化
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸
化物絶縁膜を形成してもよい。該積層構造とすることで、第2の絶縁膜の成膜工程におい
て、第1の絶縁膜が金属酸化物膜の保護膜となる。この結果、金属酸化物膜へのダメージ
を低減しつつ、パワー密度の高い高周波電力を用いて第2の絶縁膜を形成することができ
る。
を添加することにより、絶縁膜110を形成することができる。なお、絶縁膜に酸素を添
加する方法としては、イオンドーピング法、イオン注入法等がある。または、酸化性気体
雰囲気で発生させた酸素を含むプラズマを絶縁膜に曝すことで、絶縁膜に酸素を添加する
ことができる。
形成する。また、絶縁膜106として、CVD法により、厚さ50nmの酸化窒化シリコ
ン膜を形成する。また、金属酸化物膜108として、In-Ga-Zn酸化物ターゲット
(In:Ga:Zn=1:1:1)を用いたスパッタリング法により、厚さ35nmのI
n-Ga-Zn酸化物膜を形成する。また、絶縁膜110として、流量200sccmの
シラン及び流量4000sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、反応室の圧力を200
Pa、基板温度を220℃とし、27.12MHzの高周波電源を用いて1500Wの高
周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法により、絶縁膜110として、厚さ
400nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。なお、プラズマCVD装置は電極面積が6
000cm2である平行平板型のプラズマCVD装置であり、供給した電力を単位面積あ
たりの電力(電力密度)に換算すると0.25W/cm2である。また、ハーフトーンマ
スクを用いてマスク133、135を形成する。
D)に示すように、絶縁膜111a、111bを形成する。ドライエッチング法または/
及びウェットエッチング法を用いて、絶縁膜110をエッチングすることができる。次に
、マスク133、135を用いて、金属酸化物膜108の一部をエッチングして、金属酸
化物膜109a、109bを形成する。ドライエッチング法または/及びウェットエッチ
ング法を用いて、金属酸化物膜108をエッチングすることができる。
れ一部をエッチングする。
ると共に、マスク135を除去するように加工する。ここでは、酸素を有する雰囲気で発
生させたプラズマにマスク133、135を曝すプラズマ処理により、マスク133、1
35を加工する。酸素を有する雰囲気としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒
素等の酸化性気体を有する雰囲気がある。なお、基板101側にバイアスを印加した状態
で発生したプラズマにマスク133、135を曝してもよい。このようなプラズマ処理を
行う装置の一例として、アッシング装置がある。
ことで、マスク133、135を加工する。
ることができる。また、マスク135が除去され、絶縁膜111bが露出する。なお、図
3(D)において、破線はそれぞれ図3(C)に示すマスク133、135に相当する。
示すように、絶縁膜111cを形成すると共に、絶縁膜111bを取り除く。ドライエッ
チング法または/及びウェットエッチング法を用いて、絶縁膜111a、111bをエッ
チングすることができる。なお、ここでは、絶縁膜111aをエッチングし、金属酸化物
膜109a、109bをエッチングしない、または絶縁膜111aより金属酸化物膜10
9a、109bのエッチングレートが小さい条件を用いることが好ましい。
に、絶縁膜111bを取り除く。
た、絶縁膜111b上にマスクが形成されないため、絶縁膜111bは取り除かれ、金属
酸化物膜109bの表面が露出する。なお、絶縁膜106は、絶縁膜110と同様に酸化
物絶縁膜で形成される。このため、当該工程において絶縁膜106もエッチングされ、絶
縁膜105及び金属酸化物膜109aの間に、金属酸化物膜109aと端部が略一致する
絶縁膜107aが形成される。また、絶縁膜105及び金属酸化物膜109bの間に、金
属酸化物膜109bと端部が略一致する絶縁膜107bが形成される。
化物膜109a、109bと、チャネル保護膜として機能する絶縁膜111cとを形成す
ることができる。
a、109bにおいてプラズマに曝された領域はダメージを受け、酸素欠損が形成される
。このため、金属酸化物膜109aにおいて絶縁膜111cに覆われていない領域、及び
金属酸化物膜109bの導電性が高まる。
満、好ましくは300℃以上500℃以下、好ましくは320℃以上470℃以下とする
。
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することができる。
pm以下、好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウム等)
の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水
等が含まれないことが好ましい。
移動させ、金属酸化物膜109aに含まれる酸素欠損を低減することができる。
物膜108に酸素を移動させ、金属酸化物膜108に含まれる酸素欠損を補填することが
可能であるため、当該加熱処理を行わなくともよい。
気で、450℃、1時間の加熱処理を行う。
、109b、及び絶縁膜111c上に、絶縁膜112を形成する。次に、第3のフォトマ
スクを用いたフォトリソグラフィ工程により、絶縁膜112上にマスク139を形成する
。
窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。窒化物絶縁膜と
して、水素を含む窒化物絶縁膜を形成してもよい。
00nm以下とする。
は、スパッタリング法、CVD法等を用いて絶縁膜を形成した後、該絶縁膜に水素を添加
してもよい。なお、絶縁膜に水素を添加する方法としては、イオンドーピング法、イオン
注入法等がある。または、水素を含む気体雰囲気で発生させたプラズマを絶縁膜に曝すこ
とで、絶縁膜に水素を添加することができる。
ズマCVD法により、厚さ100nmの窒化シリコン膜を形成する。
酸化物膜109a、109bには、酸素欠損が形成される。このため、金属酸化物膜10
9aにおいて絶縁膜111cに覆われていない領域、及び金属酸化物膜109bの導電性
が高くなる。また、絶縁膜112として、水素を含む窒化物絶縁膜を用いることで、絶縁
膜112から金属酸化物膜109a、109bに水素が移動する。酸素欠損に水素が移動
することで、キャリアである電子が生成される。この結果、金属酸化物膜109bは、導
電性が高くなり、導電性を有する金属酸化物膜109cとなる。また、金属酸化物膜10
9cは、容量素子25の一方の電極として機能する。
。絶縁膜111cは酸化物絶縁膜であるため、絶縁膜111cと接する金属酸化物膜10
9aはトランジスタのチャネル領域として機能する。また、金属酸化物膜109aにおい
て、絶縁膜113と接する領域は、金属酸化物膜109cと同様に、導電性が高い。すな
わち、金属酸化物膜109cにおいて、低抵抗領域として機能する。このため、トランジ
スタのオン電流を増大させることが可能であるとともに、電界効果移動度を高めることが
可能である。
12として、窒化物絶縁膜を設けることで、外部から金属酸化物膜109aへの水素、水
等の侵入を防ぐことができる。
るが、不純物濃度が異なる。具体的には、金属酸化物膜109aと比較して、金属酸化物
膜109cの不純物濃度が高い。例えば、金属酸化物膜109aに含まれる水素濃度は、
5×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満
、好ましくは1×1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017ato
ms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以下であり、金属
酸化物膜109cに含まれる水素濃度は、8×1019以上、好ましくは1×1020a
toms/cm3以上、より好ましくは5×1020以上である。また、金属酸化物膜1
09aと比較して、金属酸化物膜109cに含まれる水素濃度は2倍、好ましくは10倍
以上である。
膜109cの抵抗率が、金属酸化物膜109aの抵抗率の1×10-8倍以上1×10-
1倍未満であることが好ましく、代表的には1×10-3Ωcm以上1×104Ωcm未
満、さらに好ましくは、抵抗率が1×10-3Ωcm以上1×10-1Ωcm未満である
とよい。
0℃以下、好ましくは300℃以上400℃以下、好ましくは320℃以上370℃以下
とする。
で形成される絶縁膜112が接しており、絶縁膜105、112の間に、金属酸化物膜1
09a及び絶縁膜111cが設けられる。窒化物絶縁膜は、水素、水、及び酸素の拡散係
数が小さく、水素、水、及び酸素のブロッキング性が高い。また、絶縁膜111cとして
、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成するこ
とで、当該加熱処理において、金属酸化物膜109aに含まれる酸素の外部への拡散を抑
制することができる。また、金属酸化物膜109aに含まれる酸素の外部への拡散を抑制
することができる。この結果、金属酸化物膜109aの酸素欠損を低減することができる
。さらには、外部からの金属酸化物膜109aへの水素、水等の拡散を抑制することがで
きる。このため、金属酸化物膜109aの水素、水等を低減することができる。この結果
、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。
ち、図4(B)に示すように、開口部115a、115b、115cを有する絶縁膜11
3を形成する。開口部115a、115bにおいては、金属酸化物膜109aの一部が露
出される。開口部115cにおいては、金属酸化物膜109cの一部が露出される。ドラ
イエッチング法または/及びウェットエッチング法を用いて、絶縁膜112をエッチング
することができる。次に、マスク139を除去する。
cの露出部、及び絶縁膜113上に導電膜116を形成する。次に、第4のフォトマスク
を用いたフォトリソグラフィ工程により、導電膜116上にマスク141a、141b、
141cを形成する。
して機能する導電膜117cとなる。このため、導電膜116は、電極として用いること
が可能な導電材料を適宜用いる。導電膜116は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッ
ケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステ
ンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用
いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜
を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅-マグ
ネシウム-アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層す
る二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜
と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さ
らにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化
モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜ま
たは銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層
構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用い
て形成してもよい。
膜及び厚さ300nmの銅膜を形成する。
して、一対の電極として機能する導電膜117a、117b、容量線として機能する導電
膜117cを形成する。ドライエッチング法または/及びウェットエッチング法を用いて
、導電膜116をエッチングすることができる。こののち、マスク141a、141b、
141cを除去する(図4(D)を参照。)。
物絶縁膜で形成される絶縁膜113が形成される。窒化物絶縁膜における銅の拡散係数が
小さいため、銅拡散を防ぐことができる。このため、導電膜117a、117bの一部ま
たは全部が銅膜で形成される場合、絶縁膜113が銅のバリア膜として機能する。このた
め、チャネル領域への銅の拡散が低減し、トランジスタの電気特性のばらつきを低減する
ことができる。
ングステン、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、クロム、またはタンタル単体若し
くは合金等の酸素と結合しやすい導電材料を用いることで、金属酸化物膜109a中の酸
素が酸素と結合しやすい導電材料に引き抜かれる。また、金属酸化物膜109aにタング
ステン、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、クロム、またはタンタル単体の若しく
は合金の構成元素の一部が混入する場合もある。これらの結果、金属酸化物膜109aに
おいて、導電膜117a、117bと接する領域近傍に、低抵抗領域が形成される。低抵
抗領域は、導電性が高いため、金属酸化物膜109aと導電膜117a、117bとの接
触抵抗を低減することが可能であり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能で
ある。
に、透光性を有する導電膜118を形成する。次に、第5のフォトマスクを用いたフォト
リソグラフィ工程により、導電膜118上にマスク143を形成する。
膜118は、画素電極として用いることが可能な導電材料を適宜用いる。導電膜118は
、インジウム錫酸化物膜、酸化タングステンを含むインジウム酸化物膜、酸化タングステ
ンを含むインジウム亜鉛酸化物膜、酸化チタンを含むインジウム酸化物膜、酸化チタンを
含むインジウム錫酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物膜、酸化シリコンを添加したインジウ
ム錫酸化物膜等の透光性を有する導電性材料で形成される導電膜を適用することができる
。
形成する。
能する導電膜119を形成する。導電膜119は、一対の電極として機能する導電膜11
7bと接すると共に、絶縁膜113を介して、金属酸化物膜109cと重なるように形成
される。ドライエッチング法または/及びウェットエッチング法を用いて、導電膜118
をエッチングすることができる。こののち、マスク143を除去する(図5(B)を参照
。)。
する絶縁膜105、106a、金属酸化物膜109a、金属酸化物膜109aの一部を覆
う絶縁膜111c、金属酸化物膜109aと接し、一対の電極として機能する導電膜11
7a、117bを有するトランジスタ22を作製することができる。また、トランジスタ
22に含まれる導電膜117bと接し、画素電極として機能する導電膜119を形成する
ことができる。また、絶縁膜106b上に形成された金属酸化物膜109c、絶縁膜11
3、及び導電膜119を有する容量素子25を作製することができる。即ち、トランジス
タ22、画素電極として機能する導電膜119、及び容量素子25を有する素子基板を、
5枚のフォトマスクで作製することができる。本実施の形態では、金属酸化物膜及びチャ
ネル保護膜を1枚のフォトマスクを用いて形成するため、素子基板を作製するために必要
なフォトマスクを削減することができる。
物膜と同時に、容量素子の一方の電極となる金属酸化物膜を形成する。このため、トラン
ジスタのチャネル領域を含む金属酸化物膜と、容量素子の一方の電極となる金属酸化物膜
とは、同じ金属元素で構成される。また、画素電極として機能する導電膜を容量素子の他
方の電極として用いる。これらのため、容量素子を形成するために、新たに導電膜を形成
する工程が不要であり、表示装置の作製工程を削減できる。また、容量素子は、一対の電
極である金属酸化物膜109c及び導電膜119が共に、透光性を有するため、容量素子
25が透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素の開口率を
高めることができる。さらには、消費電力を低減した表示装置を作製することができる。
酸素欠損が形成された酸化物半導体に水素を添加すると、酸素欠損サイトに水素が入り
伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体は、導電性が高くなり、
導電体化する。導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体ということができる。一般に
、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。
一方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがっ
て、該ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透
光性を有する。
下、酸化物半導体膜(OS)という。)と、金属酸化物膜109cに用いられるような、
酸化物導電体で形成される膜(以下、酸化物導電体膜(OC)という。)における、抵抗
率の温度依存性について、図13を用いて説明する。図13において、横軸に測定温度を
示し、縦軸に抵抗率を示す。また、酸化物半導体膜(OS)の測定結果を丸印で示し、酸
化物導電体膜(OC)の測定結果を四角印で示す。
:Zn=1:1:1.2のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚
さ35nmのIn-Ga-Zn酸化物膜を形成し、原子数比がIn:Ga:Zn=1:4
:5のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ20nmのIn-
Ga-Zn酸化物膜を形成し、450℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、450℃の窒素
及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、さらにプラズマCVD法で酸化窒化シリコン膜
を形成して、作製された。
:Zn=1:1:1のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ1
00nmのIn-Ga-Zn酸化物膜を形成し、450℃の窒素雰囲気で加熱処理した後
、450℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、プラズマCVD法で窒化シリ
コン膜を形成して、作製された。
化物半導体膜(OS)における抵抗率の温度依存性より小さい。代表的には、80K以上
290K以下における酸化物半導体膜(OC)の抵抗率の変化率は、±20%未満である
。または、150K以上250K以下における抵抗率の変化率は、±10%未満である。
即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフェルミ準位とが一致または略一
致していると推定される。このため、酸化物導電体膜を、抵抗素子、配線、容量素子の電
極、画素電極、コモン電極等に用いることが可能である。
次に、半導体特性を有する金属酸化物膜及び酸化物半導体膜に適用可能な一態様につい
て説明する。ここでは、代表例として、酸化物半導体膜を用いて説明するが、適宜酸化物
半導体膜の構成を金属酸化物膜に適用することができる。
S膜は、c軸配向性を有し、明確な結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認
することができない。この結果、チャネルエッチ型のトランジスタにおいて、一対の電極
を形成する際の酸化物半導体膜のオーバーエッチング量が少ない。この結果、酸化物半導
体膜をCAAC-OS膜で構成することで、チャネルエッチ型のトランジスタを作製する
ことができる。なお、チャネルエッチ型のトランジスタは、一対の電極の間隔、即ちチャ
ネル長を、チャネル長が0.5μm以上6.5μm以下、好ましくは1μmより大きく6
μm未満と小さくすることが可能である。
う。)、多結晶構造の酸化物半導体(以下、多結晶酸化物半導体という。)、及び微結晶
構造の酸化物半導体(以下、微結晶酸化物半導体という。)の一以上で構成されてもよい
。以下に、CAAC-OS、単結晶酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半
導体について説明する。
CAAC-OS膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。また、CA
AC-OS膜に含まれる結晶部は、c軸配向性を有する。平面TEM像において、CAA
C-OS膜に含まれる結晶部の面積が2500nm2以上、さらに好ましくは5μm2以
上、さらに好ましくは1000μm2以上である。また、断面TEM像において、該結晶
部を50%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは95%以上有することで、単
結晶に近い物性の薄膜となる。
tron Microscope)によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、C
AAC-OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
察)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹
凸を反映した形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。な
お、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配
置されている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直
」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従っ
て、85°以上95°以下の場合も含まれる。
EM観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
が観測される。
ていることがわかる。
装置を用いて構造解析を行うと、CAAC-OS膜のout-of-plane法による
解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、I
nGaZn酸化物の結晶の(00x)面(xは整数)に帰属されることから、CAAC-
OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向いて
いることが確認できる。
lane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、InGaZn酸化物の結晶の(110)面に帰属される。InGaZn酸化物の単結
晶酸化物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ
軸)として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結
晶面に帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC-OS膜の場合は、2
θを56°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
不規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平
行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のa-b面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC-OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC-OS膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC-OS膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
膜の結晶部が、CAAC-OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CA
AC-OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる場合がある。2θが36°近
傍のピークは、CAAC-OS膜中の一部に、c軸配向性を有さない結晶部が含まれるこ
とを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍にピークを示し、2θが36°
近傍にピークを示さないことが好ましい。
、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリ
コンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸
化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させ
る要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半
径(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜
の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不
純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによっ
てキャリア発生源となることがある。
は実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体
膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、当
該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(ノ
ーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度
真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体
膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる
。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する
時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高
く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定とな
る場合がある。
性の変動が小さい。
単結晶酸化物半導体膜は、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い(酸素欠損が少ない
)酸化物半導体膜である。そのため、キャリア密度を低くすることができる。従って、単
結晶酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ノーマリーオンの電気特性になることが少
ない。また、単結晶酸化物半導体膜は、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、キ
ャリアトラップが少なくなる場合がある。従って、単結晶酸化物半導体膜を用いたトラン
ジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
結晶性が高いと密度が高くなる。また、酸化物半導体膜は、水素などの不純物濃度が低い
と密度が高くなる。単結晶酸化物半導体膜は、CAAC-OS膜よりも密度が高い。また
、CAAC-OS膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも密度が高い。また、多結晶酸化物半
導体膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも密度が高い。また、微結晶酸化物半導体膜は、非
晶質酸化物半導体膜よりも密度が高い。
多結晶酸化物半導体膜は、高分解能TEMによる観察において、結晶粒を確認すること
ができる。多結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶粒は、例えば、高分解能TEMによる観
察像で、2nm以上300nm以下、3nm以上100nm以下または5nm以上50n
m以下の粒径であることが多い。また、多結晶酸化物半導体膜は、高分解能TEMによる
観察像で、結晶粒界を確認できる場合がある。
位が異なっている場合がある。また、多結晶酸化物半導体膜に対し、XRD装置を用いて
構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有する多結晶酸化物半導体膜のou
t-of-plane法による解析では、2θが31°近傍のピーク、2θが36°近傍
のピーク、またはそのほかのピークが現れる場合がある。
る。従って、多結晶酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有す
る。ただし、多結晶酸化物半導体膜は、結晶粒界に不純物が偏析する場合がある。また、
多結晶酸化物半導体膜の結晶粒界は欠陥準位となる。多結晶酸化物半導体膜は、結晶粒界
がキャリアトラップやキャリア発生源となる場合があるため、多結晶酸化物半導体膜を用
いたトランジスタは、CAAC-OS膜を用いたトランジスタと比べて、電気特性の変動
が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる場合がある。
微結晶酸化物半導体膜は、TEMによる観察像では、明確に結晶部を確認することがで
きない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以
下、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10n
m以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocrys
tal)を有する酸化物半導体膜を、nc-OS(nanocrystalline O
xide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc-OS膜は、例えば、T
EMによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc-OS膜は、異な
る結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。
従って、nc-OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない
場合がある。例えば、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD
装置を用いて構造解析を行うと、out-of-plane法による解析では、結晶面を
示すピークが検出されない。また、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きい径(例えば
50nm以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう。)を行うと
、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc-OS膜に対し、結晶
部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径(例えば1nm以上30nm以下)の電
子線を用いる電子線回折(ナノビーム電子線回折ともいう。)を行うと、スポットが観測
される。また、nc-OS膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように(リ
ング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、nc-OS膜に対しナノビー
ム電子線回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
のため、nc-OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし
、nc-OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc-
OS膜は、CAAC-OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
本実施の形態に示すトランジスタにおいて、必要に応じて、基板101及びゲート電極
として機能する導電膜103の間に、下地絶縁膜を設けることができる。下地絶縁膜とし
ては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウ
ム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等を
用いて形成することができる。なお、下地絶縁膜として、窒化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム等を用いて形成することで、基板
101から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の金属酸化物膜109aへの拡
散を抑制することができる。
窒化物絶縁膜で形成される絶縁膜105を、欠陥の少ない第1の窒化物絶縁膜、及び水
素ブロッキング性の高い第2の窒化物絶縁膜の積層構造とすることができる。ゲート絶縁
膜として、欠陥の少ない窒化物絶縁膜を設けることで、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を向上さ
せることができる。また、ゲート絶縁膜として、水素ブロッキング性の高い窒化物絶縁膜
を設けることで、ゲート電極として機能する導電膜103及び絶縁膜105からの水素が
、金属酸化物膜109aに移動することを防ぐことができる。
い第1の窒化物絶縁膜と、欠陥の少ない第2の窒化物絶縁膜と、水素ブロッキング性の高
い第2の窒化物絶縁膜とが、ゲート電極として機能する導電膜103側から順に積層され
る積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜として、不純物のブロッキング性が高い第
1の窒化物絶縁膜を設けることで、ゲート電極として機能する導電膜103からの不純物
、代表的には、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が金属酸化物膜1
09aに移動することを防ぐことができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる表示装置の素子基板の作製方法について、図
面を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1と同様に、チャネル領域を有する金
属酸化物膜と、チャネル保護膜として機能する絶縁膜を1枚のフォトマスクを用いて形成
する。一方、本実施の形態は、電極として機能する導電膜及び容量素子の誘電体膜として
機能する絶縁膜の作製工程の順序が、実施の形態1と異なる。
ここでは、図1(B)に示す画素13の上面図を図6に示す。
左右方向)に延伸して設けられている。信号線として機能する導電膜213aは、走査線
に略直交する方向(図中上下方向)に延伸して設けられている。容量線として機能する導
電膜213cは、信号線と平行方向に延伸して設けられている。なお、走査線として機能
する導電膜203は、走査線駆動回路14(図1(A)を参照。)と電気的に接続されて
おり、信号線として機能する導電膜213a及び容量線として機能する導電膜213cは
、信号線駆動回路16(図1(A)を参照。)に電気的に接続されている。
スタ22aは、ゲート電極として機能する導電膜203、ゲート絶縁膜(図6に図示せず
。)、ゲート絶縁膜上に形成されたチャネル領域が形成される金属酸化物膜209a、ソ
ース電極及びドレイン電極として機能する導電膜213a、213bにより構成される。
なお、導電膜203は、走査線としても機能し、金属酸化物膜209aと重畳する領域が
トランジスタ22aのゲート電極として機能する。また、導電膜213aは、信号線とし
ても機能し、金属酸化物膜209aと重畳する領域がトランジスタ22aのソース電極ま
たはドレイン電極として機能する。また、図6において、走査線は、上面形状において端
部が金属酸化物膜209aの端部より外側に位置する。このため、走査線はバックライト
などの光源からの光を遮る遮光膜として機能する。この結果、トランジスタに含まれる金
属酸化物膜209aに光が照射されず、トランジスタの電気特性の変動を抑制することが
できる。
する導電膜221と電気的に接続されている。
して機能する透光性を有する導電膜221と、トランジスタ22a上に設けられる窒化物
絶縁膜で形成される誘電体膜とで構成されている。金属酸化物膜109bは透光性を有す
るため、容量素子25aは透光性を有する。また、容量素子25aの一対の電極の一方と
して機能する金属酸化物膜209bが、容量線として機能する導電膜213cと接続され
ている。
く(大面積に)形成することができる。従って、開口率を高めつつ、50%以上、好まし
くは55%以上、好ましくは60%以上とすることが可能であると共に、電荷容量を増大
させた半導体装置を得ることができる。例えば、解像度の高い半導体装置、例えば液晶表
示装置においては、画素の面積が小さくなり、容量素子の面積も小さくなる。このため、
解像度の高い半導体装置において、容量素子に蓄積される電荷容量が小さくなる。しかし
ながら、本実施の形態に示す容量素子25aは透光性を有するため、当該容量素子を画素
に設けることで、各画素において十分な電荷容量を得つつ、開口率を高めることができる
。代表的には、画素密度が200ppi以上、さらには300ppi以上、さらには50
0ppiである高解像度の半導体装置に好適に用いることができる。
て、信号線として機能する導電膜213aと平行な辺の方が短い形状であり、且つ容量線
として機能する導電膜213cが、信号線として機能する導電膜213aと平行な方向に
延伸して設けられている。この結果、画素13に占める導電膜213cの面積を低減する
ことが可能であるため、開口率を高めることができる。
るため、バックライトなどの光源の光を効率よく利用することができ、表示装置の消費電
力を低減することができる。
置の素子基板の作製方法について、説明する。
た工程により、図7(A)に示すように、基板210上にゲート電極として機能する導電
膜203を形成する。また、基板291及び導電膜203上に、絶縁膜205、207a
、207bを形成する。また、絶縁膜207a、207b上にそれぞれ金属酸化物膜20
9a、209bを形成する。また、金属酸化物膜209a上にチャネル保護膜として機能
する絶縁膜211cを形成する。こののち、加熱処理を行う。
電膜203は、実施の形態1に示すゲート電極として機能する導電膜103と同様の材料
及び作製方法を適宜選択することができる。絶縁膜205は、実施の形態1に示す絶縁膜
105と同様の材料及び作製方法を適宜選択することができる。絶縁膜207a、207
bは、実施の形態1に示す絶縁膜107a、107bと同様の材料及び作製方法を適宜選
択することができる。金属酸化物膜209a、209bは、実施の形態1に示す金属酸化
物膜109a、109bと同様の材料及び作製方法を適宜選択することができる。チャネ
ル保護膜として機能する絶縁膜211cは、実施の形態1に示す絶縁膜111cと同様の
材料及び作製方法を適宜選択することができる。
a、209bにおいてプラズマに曝された領域はダメージを受け、酸素欠損が形成される
。このため、金属酸化物膜209aにおいて絶縁膜211cに覆われていない領域、及び
金属酸化物膜209bの導電性が高まる。
物膜209a、209b、及び絶縁膜211c上に、導電膜212を形成する。次に、第
3のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、導電膜212上にマスク23
1a、231b、231cを形成する。
択することができる。
して、一対の電極として機能する導電膜213a、213b、容量線として機能する導電
膜213cを形成する。ドライエッチング法または/及びウェットエッチング法を用いて
、導電膜116をエッチングすることができる。こののち、マスク231a、231b、
231cを除去する(図7(C)を参照。)。
物膜209a、209b、絶縁膜211c、及び導電膜213a、213b、213c上
に、絶縁膜214を形成する。次に、第4のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工
程により、絶縁膜214上にマスク233を形成する。
択することができる。
酸化物膜209a、209bには、酸素欠損が形成される。このため、金属酸化物膜20
9aにおいて絶縁膜211cに覆われていない領域、及び金属酸化物膜209bの導電性
が高くなる。また、絶縁膜214として、水素を含む窒化物絶縁膜を用いることで、絶縁
膜214から金属酸化物膜209a、209bに水素が拡散する。酸素欠損に水素が移動
することで、キャリアである電子が生成される。この結果、金属酸化物膜209bは、導
電性が高くなり、導電性を有する金属酸化物膜209cとなる。また、金属酸化物膜20
9cは、容量素子25の一方の電極として機能する。
。絶縁膜211cは酸化物絶縁膜であるため、絶縁膜211cと接する金属酸化物膜20
9aはトランジスタのチャネル領域として機能する。また、金属酸化物膜209aにおい
て、導電膜213a、213bと接する領域は、金属酸化物膜209cと同様に、導電性
が高い。すなわち、金属酸化物膜209aにおいて、低抵抗領域として機能する。このた
め、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であるとともに、電界効果移動度を
高めることが可能である。
14として、窒化物絶縁膜を設けることで、外部から金属酸化物膜209aへの水素、水
等の侵入を防ぐことができる。
が、不純物濃度が異なる。具体的には、金属酸化物膜209aと比較して、金属酸化物膜
209cの不純物濃度が高い。例えば、金属酸化物膜209aに含まれる水素濃度は、5
×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、
好ましくは1×1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atom
s/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以下であり、金属酸
化物膜209cに含まれる水素濃度は、8×1019以上、好ましくは1×1020at
oms/cm3以上、より好ましくは5×1020以上である。また、金属酸化物膜20
9aと比較して、金属酸化物膜209cに含まれる水素濃度は2倍、好ましくは10倍以
上である。
膜209cの抵抗率が、金属酸化物膜209aの抵抗率の1×10-8倍以上1×10-
1倍以下であることが好ましく、代表的には1×10-3Ωcm以上1×104Ωcm未
満、さらに好ましくは、抵抗率が1×10-3Ωcm以上1×10-1Ωcm未満である
とよい。
0℃以下、好ましくは300℃以上400℃以下、好ましくは320℃以上370℃以下
とする。
接しており、絶縁膜205、214の間に、金属酸化物膜209a及び絶縁膜211cが
設けられる。窒化物絶縁膜は、水素、水、及び酸素の拡散係数が小さく、水素、水、及び
酸素のブロッキング性が高い。また、絶縁膜211cとして、化学量論的組成を満たす酸
素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成することで、当該加熱処理において
、金属酸化物膜209aに含まれる酸素の外部への拡散を抑制することができる。この結
果、金属酸化物膜209aの酸素欠損を低減することができる。さらには、外部からの金
属酸化物膜209aへの水素、水等の拡散を抑制することができる。このため、金属酸化
物膜209aの水素、水等を低減することができる。この結果、信頼性の高いトランジス
タを作製することができる。
によりマスク233を形成する。次に、マスク233を用いて、絶縁膜214の一部をエ
ッチングして、図8(B)に示すように、開口部219を有する絶縁膜217を形成する
。開口部219においては、導電膜213bの一部が露出される。
性を有する導電膜220を形成する。次に、第5のフォトマスクを用いたフォトリソグラ
フィ工程により、導電膜220上にマスク235を形成する。
択することができる。
能する導電膜221を形成する。こののち、マスク235を除去する(図8(D)を参照
。)。
する絶縁膜205、206a、金属酸化物膜209a、金属酸化物膜209aの一部を覆
うチャネル保護膜として機能する絶縁膜211c、金属酸化物膜209aと接し、一対の
電極として機能する導電膜213a、213bを有するトランジスタ22aを作製するこ
とができる。また、トランジスタ22aに含まれる導電膜213bと接し、画素電極とし
て機能する導電膜221を形成することができる。また、絶縁膜206b上に形成された
金属酸化物膜209c、絶縁膜217、及び導電膜221を有する容量素子25aを作製
することができる。即ち、トランジスタ22a、画素電極として機能する導電膜221、
及び容量素子25aを有する素子基板を、5枚のフォトマスクで作製することができる。
本実施の形態では、金属酸化物膜及びチャネル保護膜を1枚のフォトマスクを用いて形成
するため、素子基板を作製するために必要なフォトマスクを削減することができる。
物膜と同時に、容量素子の一方の電極となる金属酸化物膜を形成する。このため、トラン
ジスタのチャネル領域を含む金属酸化物膜と、容量素子の一方の電極となる金属酸化物膜
とは、同じ金属元素で構成される。また、画素電極として機能する導電膜を容量素子の他
方の電極として用いる。これらのため、容量素子を形成するために、新たに導電膜を形成
する工程が不要であり、表示装置の作製工程を削減できる。また、容量素子は、一対の電
極である金属酸化物膜109c及び導電膜119が共に、透光性を有するため、容量素子
25aが透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素の開口率
を高めることができる。さらには、消費電力を低減した表示装置を作製することができる
。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2と比較して、金属酸化物膜の欠陥量
をさらに低減することが可能なトランジスタを有する半導体装置について図面を参照して
説明する。本実施の形態で説明するトランジスタは、実施の形態1及び実施の形態2と比
較して、金属酸化物膜の代わりに、複数の金属酸化物膜を有する多層膜が設けられている
点が異なる。
図9は、図2の一点鎖線A-B、C-D間の断面図である。
。多層膜150aは、絶縁膜107aに接する第1の金属酸化物膜151a、並びに第1
の金属酸化物膜151a及び絶縁膜111cに接する第2の金属酸化物膜152aを有す
る。
層膜150bは、絶縁膜107bに接する第1の金属酸化物膜151b、及び第1の金属
酸化物膜151b及び絶縁膜113に接する第2の金属酸化物膜152bを有する。
構成する元素の一種以上から構成される金属酸化物膜である。このため、第1の金属酸化
物膜151a、151bと第2の金属酸化物膜152a、152bとの界面において、界
面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されないため、
トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
、代表的には、In-Ga酸化物、In-Zn酸化物、In-M-Zn酸化物(MはAl
、Ga、Ti、Y、Zr、La、Ce、またはNd)である。
1bよりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に近く、代表的には、第2の金属酸化物
膜152a、152bの伝導帯の下端のエネルギーと、第1の金属酸化物膜151a、1
51bの伝導帯の下端のエネルギーとの差が、0.05eV以上、0.07eV以上、0
.1eV以上、または0.15eV以上、且つ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下
、または0.4eV以下である。即ち、第2の金属酸化物膜152a、152bの電子親
和力と、第1の金属酸化物膜151a、151bの電子親和力との差が、0.05eV以
上、0.07eV以上、0.1eV以上、または0.15eV以上、且つ2eV以下、1
eV以下、0.5eV以下、または0.4eV以下である。
、Inを含むことで、キャリア移動度(電子移動度)が高くなるため好ましい。
Ce、またはNdをInより高い原子数比で有することで、以下の効果を有する場合があ
る。(1)第2の金属酸化物膜152a、152bのエネルギーギャップを大きくする。
(2)第2の金属酸化物膜152a、152bの電子親和力を小さくする。(3)外部か
らの不純物の拡散を抑制する。(4)第1の金属酸化物膜151a、151bと比較して
、絶縁性が高くなる。(5)Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNdは、酸素と
の結合力が強い金属元素であるため、酸素欠損が生じにくくなる。
びMの和を100atomic%としたとき、InとMの原子数比率は好ましくはInが
25atomic%より大きく、Mが75atomic%未満、さらに好ましくはInが
34atomic%より大きく、Mが66atomic%未満とする。
びMの和を100atomic%としたとき、InとMの原子数比率は、好ましくは、I
nが50atomic%未満、Mが50atomic%より大きい、さらに好ましくは、
Inが25atomic%未満、Mが75atomic%より大きいとする。
2bが、In-M-Zn酸化物M(Mは、Al、Ga、Ti、Y、Zr、La、Ce、ま
たはNd)の場合、第1の金属酸化物膜151a、151bと比較して、第2の金属酸化
物膜152a、152bに含まれるM(Al、Ga、Ti、Y、Zr、La、Ce、また
はNd)の原子数比が大きく、代表的には、第1の金属酸化物膜151a、151bに含
まれる上記原子と比較して、1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍
以上高い原子数比である。
2bが、In-M-Zn酸化物(MはAl、Ga、Ti、Y、Zr、La、Ce、または
Nd)の場合、第2の金属酸化物膜152a、152bをIn:M:Zn=x1:y1:
z1[原子数比]、第1の金属酸化物膜151a、151bをIn:M:Zn=x2:y
2:z2[原子数比]とすると、y1/x1がy2/x2よりも大きく、好ましくは、y
1/x1がy2/x2よりも1.5倍以上である。さらに好ましくは、y1/x1がy2
/x2よりも2倍以上大きく、より好ましくは、y1/x1がy2/x2よりも3倍以上
大きい。このとき、金属酸化物膜において、y2がx2以上であると、当該金属酸化物膜
を用いたトランジスタ22bに安定した電気特性を付与できるため好ましい。
Ti、Y、Zr、La、Ce、またはNd)の場合、第1の金属酸化物膜151a、15
1bを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をIn:M:Zn
=x1:y1:z1とすると、x1/y1は、1/3以上6以下、さらには1以上6以下
であって、z1/y1は、1/3以上6以下、さらには1以上6以下であることが好まし
い。なお、z1/y1を1以上6以下とすることで、第1の金属酸化物膜151a、15
1bとしてCAAC-OS膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の
代表例としては、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In
:M:Zn=3:1:2等がある。
Ti、Y、Zr、La、Ce、またはNd)の場合、第2の金属酸化物膜152a、15
2bを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をIn:M:Zn
=x2:y2:z2とすると、x2/y2<x1/y1であって、z2/y2は、1/3
以上6以下、さらには1以上6以下であることが好ましい。なお、z2/y2を1以上6
以下とすることで、第2の金属酸化物膜152a、152bとしてCAAC-OS膜が形
成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、In:M:Zn
=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4、In:M:Zn=1:3:6、In:M:
Zn=1:3:8等がある。
2bの原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス40%の変動を
含む。
第1の金属酸化物膜151aへのダメージ緩和膜としても機能する。
くは3nm以上100nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。第2
の金属酸化物膜152a、152bの厚さは、3nm以上100nm以下、好ましくは3
nm以上50nmとする。
、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、後述するCAAC-OS(C
Axis Aligned-Crystalline Oxide Semicond
uctor)、多結晶構造、後述する微結晶構造、または非晶質構造を含む。
2bにおいて、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-O
Sの領域、単結晶構造の領域の二種以上を有する混合膜を構成してもよい。混合膜は、例
えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-OSの領域
、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域を有する単層構造の場合がある。また、混
合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-
OSの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある
。
膜152aが設けられている。このため、第2の金属酸化物膜152aと絶縁膜111c
の間において、不純物及び欠陥によりキャリアトラップが形成されても、当該キャリアト
ラップが形成される領域と第1の金属酸化物膜151aとの間には隔たりがある。この結
果、第1の金属酸化物膜151aを流れる電子がキャリアトラップに捕獲されにくく、ト
ランジスタ22bのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高
めることができる。また、キャリアトラップに電子が捕獲されると、該電子が負の固定電
荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電圧が変動してしまう。しかしな
がら、第1の金属酸化物膜151aとキャリアトラップが形成される領域との間に隔たり
があるため、キャリアトラップにおける電子の捕獲を抑制することが可能であり、しきい
値電圧の変動を低減することができる。
ため、外部から第1の金属酸化物膜151aへ移動する不純物量を低減することが可能で
ある。また、第2の金属酸化物膜152aは、酸素欠損を形成しにくい。これらのため、
第1の金属酸化物膜151aにおける不純物濃度及び酸素欠損量を低減することが可能で
ある。
2bは、各膜を単に積層するのではなく連続接合(ここでは特に伝導帯の下端のエネルギ
ーが各膜の間で連続的に変化する構造)が形成されるように作製する。すなわち、各膜の
界面にトラップ中心や再結合中心のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しない
ような積層構造とする。仮に、積層された第1の金属酸化物膜151a、151b及び第
2の金属酸化物膜152a、152bの間に不純物が混在していると、エネルギーバンド
の連続性が失われ、界面でキャリアがトラップされ、あるいは再結合して、消滅してしま
う。
置(スパッタリング装置)を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層するこ
とが必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、金属酸化物膜にとって不
純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプ
を用いて高真空排気(5×10-7Pa乃至1×10-4Pa程度まで)することが好ま
しい。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバ
ー内に気体、特に炭素または水素を含む気体が逆流しないようにしておくことが好ましい
。
素子25cは多層膜155bを有してもよい。
第2の金属酸化物膜152aが順に積層されている。また、第3の金属酸化物膜153a
は絶縁膜107aと接し、第2の金属酸化物膜152aは絶縁膜111cと接し、第1の
金属酸化物膜151aがチャネル領域として機能する。
第2の金属酸化物膜152bが順に積層されている。また、第3の金属酸化物膜153b
は絶縁膜107bと接し、第2の金属酸化物膜152bは絶縁膜113と接する。
同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。
り膜厚が小さいと好ましい。第3の金属酸化物膜153a、153bの厚さを1nm以上
5nm以下、好ましくは1nm以上3nm以下とすることで、トランジスタのしきい値電
圧の変動量を低減することが可能である。
の間に、第3の金属酸化物膜153aが設けられている。また、第1の金属酸化物膜15
1a及び絶縁膜111cの間に、第2の金属酸化物膜152aが設けられている。これら
のため、絶縁膜107a及び第1の金属酸化物膜151aの間、並びに第1の金属酸化物
膜151a及び絶縁膜111cの間において、不純物及び欠陥によりキャリアトラップが
形成されても、当該キャリアトラップが形成される領域と第1の金属酸化物膜151aと
の間には隔たりがある。この結果、第1の金属酸化物膜151aを流れる電子がキャリア
トラップに捕獲されにくく、トランジスタ22cのオン電流を増大させることが可能であ
ると共に、電界効果移動度を高めることができる。また、キャリアトラップに電子が捕獲
されると、該電子が負の固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電
圧が変動してしまう。しかしながら、第1の金属酸化物膜151aとキャリアトラップが
形成される領域との間に隔たりがあるため、キャリアトラップにおける電子の捕獲を抑制
することが可能であり、トランジスタ22cのしきい値電圧の変動を低減することができ
る。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、オン電流が大きく、電界効果易動度が高く、電気特性のばらつきの
少ないトランジスタと、容量素子とを、フォトマスクを削減して作製する方法について、
図10及び図11を用いて説明する。なお、本実施の形態では、実施の形態2に示すトラ
ンジスタ及びその作製方法を用いて説明するが、適宜他の実施の形態に本実施の形態を適
用することができる。また、実施の形態2と重複する構成は説明を省略する。
間の断面図であり、図11(B)は、図10の一点鎖線E-F間の断面図である。
スタ22dは、ゲート電極として機能する導電膜203、ゲート絶縁膜(図11に図示せ
ず。)、ゲート絶縁膜上に形成されたチャネル領域が形成される金属酸化物膜209a、
ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜213a、213b、金属酸化物膜2
09a、導電膜213a、213bを覆う絶縁膜(図11に図示せず。)、及びゲート電
極として機能する導電膜243により構成される。トランジスタ22dは、開口部241
において、ゲート電極として機能する導電膜203及び導電膜243が接続していること
を特徴とする。
)はトランジスタ22dのチャネル長方向の断面図及び容量素子25aの断面図であり、
図11(B)はトランジスタ22dのチャネル方向の断面図である。
ジスタであり、基板201上に設けられるゲート電極として機能する導電膜203と、基
板201及び導電膜203上に形成される絶縁膜205と、絶縁膜205上に形成される
絶縁膜207aと、絶縁膜205、207aを介して、導電膜203と重なる金属酸化物
膜209aと、金属酸化物膜209a上に形成される、チャネル保護膜として機能する絶
縁膜211cと、一方の端部が絶縁膜211c上に位置し且つ金属酸化物膜209aに接
する導電膜213a、213bを有する。また、絶縁膜205、金属酸化物膜209a、
絶縁膜211c、及び導電膜213a、213b上に形成される絶縁膜217と、絶縁膜
217上に形成されるゲート電極として機能する導電膜243とを有する。絶縁膜205
及び絶縁膜207aはゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜211c及び絶縁膜2
17はゲート絶縁膜として機能する。
膜217に設けられる開口部241において、接続する。また、トランジスタのチャネル
幅方向において、導電膜243の端部は、金属酸化物膜209aの端部の外側に位置する
。また、絶縁膜217を介して金属酸化物膜209aの側面が導電膜243と対向する。
また、導電膜243は、開口部241において、金属酸化物膜209aの側面と対向する
。
る。また、開口部241は、開口部219を形成する際に同時に形成することができる。
この結果、フォトマスク数を増やすくことなく、5枚のフォトマスクを用いてトランジス
タ22dを作製することができる。
る。一方、図11(C)に示すように、導電膜203及び導電膜243は、導電膜253
を介して電気的に接続されていてもよい。
253が接続される。また、絶縁膜217に設けられる開口部255において、導電膜2
53及び導電膜243が接続される。この結果、導電膜203及び導電膜253は同電位
の電圧が印加される構造である。
ることができる。図11(B)に示す開口部241と比較して、開口部251及び開口部
255は、それぞれ高さが低い。この結果、それぞれの開口部における導電膜243、2
53の被覆率を高めることが可能である。この結果、歩留まりを高めることができる。
aの側面がゲート電極として機能する導電膜243と対向する。また、図11(C)にお
いて、トランジスタのチャネル幅方向において、金属酸化物膜209aの側面が、ゲート
電極として機能する導電膜203、243と同電位である導電膜253と対向する。この
ため、導電膜203及び導電膜243の電界が、金属酸化物膜209aの平面だけでなく
、側面へも影響する。この結果、金属酸化物膜209aにおいてキャリアの流れる領域が
、絶縁膜207aと金属酸化物膜209aとの界面、及び金属酸化物膜209aと絶縁膜
211cとの界面のみでなく、金属酸化物膜209aの内部を含む広い範囲となるため、
トランジスタにおけるキャリアの移動量が増加する。この結果、トランジスタのオン電流
が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が10cm2
/V・s以上、さらには20cm2/V・s以上となる。なお、トランジスタのL長を0
.5μm以上6.5μm以下、好ましくは1μmより大きく6μm未満とすることで、電
界効果移動度の増加が顕著である。
るダメージにより欠陥が形成される共に、不純物付着などにより汚染される。このため、
トランジスタにおいてゲート電極として機能する導電膜203または導電膜243の一方
のみ形成される場合、金属酸化物膜209aが真性または実質的に真性であっても、電界
などのストレスが与えられることによって金属酸化物膜209aの端部は活性化され、n
型の領域(低抵抗領域)となりやすい。また、当該n型の領域が、導電膜213a、21
3の間に直線的に設けられると、n型の領域がキャリアのパスとなってしまい、寄生チャ
ネルが形成される。この結果、しきい値電圧におけるドレイン電流の上昇が段階的であり
、且つしきい値電圧がマイナスシフトしたトランジスタとなってしまう。しかしながら、
図11(B)及び図11(C)に示すように、同電位である導電膜203及び導電膜24
3を有し、チャネル幅方向において、導電膜243が、金属酸化物膜209aの側面と対
向することで、導電膜243の電界が金属酸化物膜209aの側面へも影響する。この結
果、金属酸化物膜209aの側面、または側面及びその近傍を含む端部における寄生チャ
ネルの発生が抑制される。この結果、しきい値電圧におけるドレイン電流の上昇が急峻で
ある、電気特性の優れたトランジスタとなる。
蔽する機能を有するため、基板201及び導電膜243の間、導電膜243上に設けられ
る固定電荷が金属酸化物膜209aに影響しない。この結果、ストレス試験(例えば、ゲ
ート電極にマイナスの電位を印加する-GBT(Gate Bias-Temperat
ure)ストレス試験)の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電
流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。
ジスタの特性変化(即ち、経年変化)を、短時間で評価することができる。特に、BTス
トレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための
重要な指標となる。BTストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど
、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
膜109aの一方の側面側に開口部が設けれ、該開口部において導電膜203及び導電膜
243が電気的に接続しているが、他方の側面側にも開口部を設け、該開口部において導
電膜203及び導電膜243を電気的に接続してもよい。この結果、導電膜243の抵抗
値の増加を防ぐことができるとともに、金属酸化物膜209aの両側面から導電膜243
の電界を金属酸化物膜209aに影響させることが可能であり、トランジスタのオン電流
を増大させるとともに、電界効果移動度を高めることができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1乃至実施の形態4に示すトランジスタ及び容量素子を用いて、駆動回路を
作製することができる。
い。このため、大電流を流す必要のあるトランジスタで構成される回路、例えばバッファ
にトランジスタ22dを用いることで、チャネル長及びチャネル幅を小さくすることが可
能であり、トランジスタの面積を縮小することが可能である。この結果、駆動回路の面積
が縮小される。周辺部に駆動回路を有する半導体装置、代表的には表示装置において、駆
動回路の面積を縮小することで、表示装置における画素部の面積を増大させることができ
る。すなわち、表示装置の狭額縁化が可能である。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、上記実施の形態で説明した半導体装置を
搭載することのできる電子機器について説明する。
いう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これら
の電子機器の具体例を図12に示す。
、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表
示することが可能であり、上記実施の形態で説明した表示装置を表示部7103に用いる
ことができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を
示している。
モートコントローラ7110により行うことができる。リモートコントローラ7110が
備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部71
03に表示される映像を操作することができる。また、リモートコントローラ7110に
、当該リモートコントローラから出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成と
してもよい。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方
向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である
。
キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含
む。なお、コンピュータは、上記実施の形態で説明した表示装置を表示部7203に用い
ることができる。
されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示
部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、
図12(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部73
07、LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ
7311(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度
、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、
振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を
備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示
部7304および表示部7305の両方、または一方に上記実施の形態で説明した表示装
置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図1
2(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読
み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する
機能を有する。なお、図12(C)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず
、様々な機能を有することができる。
1に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、上
記実施の形態で説明した表示装置を表示部7402に用いることにより作製される。
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作
は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが
好ましい。
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、
表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種
類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動
画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用
光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
ンピュータ7450は、ヒンジ7454で接続された筐体7451Lと筐体7451Rを
備えている。また、操作ボタン7453、左側スピーカ7455Lおよび右側スピーカ7
455Rの他、コンピュータ7450の側面には図示されていない外部接続ポート745
6を備える。なお、筐体7451Lに設けられた表示部7452Lと、筐体7451Rに
設けられた表示部7452Rが互いに対峙するようにヒンジ7454を折り畳むと、表示
部を筐体で保護することができる。
入力できる。例えば、インストール済みのプログラムを示すアイコンを指でふれて選択し
、プログラムを起動できる。または、表示された画像の二箇所に触れた指の間隔を変えて
、画像を拡大または縮小できる。または、表示された画像の一箇所に触れた指を移動して
画像を移動できる。また、キーボードの画像を表示して、表示された文字や記号を指で触
れて選択し、情報を入力することもできる。
ositioning System)受信機、指紋センサ、ビデオカメラを搭載するこ
ともできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装
置を設けることで、コンピュータ7450の向き(縦か横か)を判断して、表示する画面
の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。
ンターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔か
ら操作する端末として用いることができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
Claims (4)
- 透光性の画素電極と、平面視において前記画素電極と重なる領域を有する透光性の第1の金属酸化物膜と、前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続されたソース配線と、前記第1の金属酸化物膜と接続された補助配線と、を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、第2の金属酸化物膜にチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタ上に設けられた絶縁層を介して前記画素電極と前記第1の金属酸化物膜は、重なり、
前記絶縁層は、前記画素電極と前記第1の金属酸化物膜に接し、
前記補助配線は、前記ソース配線と平行に配置される領域を有し、
前記補助配線は、前記ソース配線と同じ材料を有し、
前記補助配線は、前記ソース配線が延伸する方向に配置された3つ以上の画素に渡って配置され、
前記画素電極は、導電膜を介して前記トランジスタと接続され、
前記導電膜は、前記第2の金属酸化物膜と接続され、
前記画素電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて前記導電膜と接続され、
平面視において、前記画素電極は、前記補助配線と重ならない液晶表示装置。 - 透光性の画素電極と、平面視において前記画素電極と重なる領域を有する透光性の第1の金属酸化物膜と、前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続されたソース配線と、前記第1の金属酸化物膜と接続された補助配線と、を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、第2の金属酸化物膜にチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタ上に設けられた絶縁層を介して前記画素電極と前記第1の金属酸化物膜は、重なり、
前記絶縁層は、前記画素電極と前記第1の金属酸化物膜に接し、
前記補助配線は、前記ソース配線と平行に配置される領域を有し、
前記補助配線は、前記第1の金属酸化物膜上に直接接するように設けられ、
前記補助配線は、前記ソース配線と同じ材料を有し、
前記補助配線は、前記ソース配線が延伸する方向に配置された3つ以上の画素に渡って配置され、
前記画素電極は、導電膜を介して前記トランジスタと接続され、
前記導電膜は、前記第2の金属酸化物膜と接続され、
前記画素電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて前記導電膜と接続され、
平面視において、前記画素電極は、前記補助配線と重ならない液晶表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記絶縁層は、窒化物絶縁膜である液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の金属酸化物膜は、前記チャネル形成領域上において酸化物絶縁膜に接する液晶表示装置。
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