JP7257247B2 - light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を含む発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device including light-emitting elements such as light-emitting diodes.

発光装置は、例えば、端子や配線などが設けられた基板と、当該基板上に実装された少なくとも１つの発光素子とを含む。例えば、特許文献１には、発光素子と、当該発光素子から出射された光を透過させつつ外部に放出する透光性部材と、を有する発光装置が開示されている。 A light-emitting device includes, for example, a substrate provided with terminals, wiring, and the like, and at least one light-emitting element mounted on the substrate. For example, Patent Literature 1 discloses a light-emitting device having a light-emitting element and a translucent member that transmits and emits light emitted from the light-emitting element to the outside.

特開2010-272847号公報JP 2010-272847 A

発光装置に要求される特性としては、例えば、高輝度であること、波長特性や配光特性などの光学特性が安定していること、及び高品質であることなどが挙げられる。また、発光装置に要求される光学特性としては、例えば、所望の波長（発光色）の光が取り出されること、またその取り出される光の波長にムラがないこと、及び取り出される光が所望の強度特性を有すること（例えば配光領域内で所望の強度分布を有すること）などが挙げられる。 Characteristics required for a light-emitting device include, for example, high luminance, stable optical characteristics such as wavelength characteristics and light distribution characteristics, and high quality. Further, the optical characteristics required for the light-emitting device are, for example, that light of a desired wavelength (emission color) is extracted, that the wavelength of the emitted light is uniform, and that the emitted light has a desired intensity. To have a characteristic (for example, to have a desired intensity distribution within a light distribution area).

例えば、所定の波長の光を放出する発光素子及び当該発光素子から放出された光の波長を変換する波長変換体を組み合わせて発光装置を構成し、当該波長変換体から光を出射させることで、当該発光装置から所望の波長の光を取り出すことができる。 For example, a light-emitting device that emits light of a predetermined wavelength and a wavelength converter that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting device are combined to form a light-emitting device, and light is emitted from the wavelength converter. Light of a desired wavelength can be extracted from the light emitting device.

また、当該波長変換体の表面の一部を光反射体で覆うことで、当該波長変換体から光が出射される領域、すなわち発光装置から光が取り出される領域を制限することができる。これによって、例えば、当該波長変換体内の光が当該光取り出し領域から集中して取り出されるため、高輝度な光を所望の領域に配向させて出射することができる。 In addition, by covering part of the surface of the wavelength converter with the light reflector, it is possible to limit the area from which light is emitted from the wavelength converter, that is, the area from which light is extracted from the light emitting device. As a result, for example, the light in the wavelength converter is concentrated and extracted from the light extraction region, so that high-brightness light can be directed to a desired region and emitted.

ここで、波長変換体及び光反射体は、一般には、互いに異なる材料からなる。また、波長変換体は、例えば蛍光体を含む。また、波長変換体は、駆動中に容易に発熱するなど、その温度特性が駆動中に変化しやすい。また、発光装置が搭載される環境の変化によっても、波長変換体の温度特性は変化する。従って、当該波長変換体を覆う光反射体の内部には、応力が生じやすい。 Here, the wavelength converter and the light reflector are generally made of different materials. Also, the wavelength converter includes, for example, a phosphor. In addition, the temperature characteristics of the wavelength converter are likely to change during operation, such as heat generation during operation. Moreover, the temperature characteristic of the wavelength converter also changes due to changes in the environment in which the light emitting device is mounted. Therefore, stress is likely to occur inside the light reflector that covers the wavelength converter.

特に、例えば、光反射体は、樹脂材料などの膨張及び収縮しやすい材料によって構成される場合が多い。従って、例えば、発光装置を長時間駆動し又は大電流で駆動すると、光反射体にクラックが生ずる場合や、光反射体が波長変換体から剥離する場合がある。この場合、発光装置の光学特性が変化するなど、品質が低下する場合がある。 In particular, for example, the light reflector is often made of a material that easily expands and contracts, such as a resin material. Therefore, for example, if the light emitting device is driven for a long time or driven with a large current, cracks may occur in the light reflector, or the light reflector may separate from the wavelength converter. In this case, the optical characteristics of the light-emitting device may change, and the quality may deteriorate.

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光反射体の早期の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置を提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-quality, high-luminance light-emitting device that prevents early deterioration of a light reflector.

本発明による発光装置は、基板と、基板の上面上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、第１の部分の上面上に配置された底面及び底面とは反対側の上面を有し、上面の縁から延びかつ上面に平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、第１の部分の側面及び第２の部分の側面を覆うように形成されかつ発光素子及び波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴としている。 A light-emitting device according to the present invention comprises a substrate, a light-emitting element arranged on an upper surface of the substrate, and a wavelength conversion body arranged on the light-emitting element and configured to convert the wavelength of light emitted from the light-emitting element, a first portion having a bottom surface extending along the top surface of the substrate and having a frustum shape; a bottom surface disposed on the top surface of the first portion; a second portion extending from the edge and having a curved side surface convex outward in a direction parallel to the top surface; and a light reflector formed on the light emitting device and reflecting light generated by the light emitting element and the wavelength converter.

また、本発明による発光装置は、基板と、基板の上面上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板の上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、第１の部分の上面上に底面が配置されかつ第１の部分の側面の底面に対する傾斜角とは異なる傾斜角で底面から傾斜する側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、第１の部分の側面及び第２の部分の側面を覆うように基板上に形成されかつ発光素子及び波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴としている。 A light-emitting device according to the present invention includes a substrate, a light-emitting element arranged on an upper surface of the substrate, and a wavelength converter arranged on the light-emitting element and configured to convert the wavelength of light emitted from the light-emitting element. a first portion having a bottom surface extending along the top surface of the substrate and having a truncated cone shape; a second portion having a side surface inclined from the bottom surface at a different angle of inclination; and a light reflector that reflects light generated by the wavelength converter.

実施例１に係る発光装置の斜視図である。1 is a perspective view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の上面図である。1 is a top view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例２に係る発光装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 2; 実施例３に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 3; 実施例４に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 4; 実施例４に係る発光装置における波長変換体の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a wavelength converter in a light emitting device according to Example 4; 実施例５に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 5; 実施例６に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 6; 実施例７に係る発光装置の斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of a light emitting device according to Example 7; 実施例７に係る発光装置の上面図である。FIG. 11 is a top view of a light emitting device according to Example 7; 実施例７に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 7; 実施例８に係る発光装置の上面図である。FIG. 11 is a top view of a light emitting device according to Example 8; 実施例８に係る発光装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 8; 実施例９に係る発光装置の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 9;

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。 Examples of the present invention will be described in detail below.

図１は、実施例１に係る発光装置１０の模式的な斜視図である。図１を用いて、発光装置１０の概略的な構成について説明する。発光装置１０は、実装用基板（第１の基板、以下、単に基板と称する）１１と、基板１１上に実装された発光素子２０と、を有する。本実施例においては、発光装置１０は、基板１１上に並置された２つの発光素子２０を有する。 FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device 10 according to Example 1. FIG. A schematic configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 has a mounting substrate (first substrate, hereinafter simply referred to as substrate) 11 and a light emitting element 20 mounted on the substrate 11 . In this embodiment, the light emitting device 10 has two light emitting elements 20 arranged side by side on the substrate 11 .

基板１１は、例えば、絶縁性を有する基材１１Ａ及び基材１１Ａ上に形成された配線電極１１Ｂを有する。基板１１は、発光素子２０の各々を実装する実装面を有する。本実施例においては、基材１１Ａは、平板形状を有し、その主面の一方である上面を当該実装面として有する。例えば、基材１１Ａは、高い熱伝導性を有する材料、例えばＡｌＮからなる。配線電極１１Ｂは、例えばパターニングされて基材１１Ａ上に形成された銅膜からなる。 The substrate 11 has, for example, an insulating base material 11A and wiring electrodes 11B formed on the base material 11A. The substrate 11 has a mounting surface on which each of the light emitting elements 20 is mounted. In this embodiment, the base material 11A has a flat plate shape and has an upper surface, which is one of its main surfaces, as the mounting surface. For example, the base material 11A is made of a material having high thermal conductivity, such as AlN. The wiring electrode 11B is made of, for example, a copper film patterned and formed on the substrate 11A.

発光素子２０は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子２０は、例えば、支持基板（第２の基板、以下、単に基板と称する）２１と、基板２１に支持された半導体発光層（以下、単に半導体層と称する）２２と、を含む。例えば、基板２１は、平板形状を有し、Ｓｉからなる。また、半導体層２２は、例えば、窒化物半導体からなる。 The light emitting element 20 is, for example, a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode. The light emitting element 20 includes, for example, a support substrate (second substrate, hereinafter simply referred to as substrate) 21 and a semiconductor light emitting layer (hereinafter simply referred to as semiconductor layer) 22 supported by the substrate 21 . For example, the substrate 21 has a flat plate shape and is made of Si. Moreover, the semiconductor layer 22 consists of a nitride semiconductor, for example.

また、発光素子２０は、基板２１上における半導体層２２の側方に設けられたパッド電極２３と、基板２１における半導体層２２とは反対側（基板１１側）の面上に設けられた裏面電極２４と、を有する。例えば、半導体層２２は、ｎ型半導体層（図示せず）及びｐ型半導体層（図示せず）を有する。例えば、パッド電極２３は、半導体層２２のｐ型半導体層に接続されている。また、裏面電極２４は、半導体層２２のｎ型半導体層に接続されている。 In addition, the light emitting element 20 includes a pad electrode 23 provided on the side of the semiconductor layer 22 on the substrate 21 and a back electrode provided on the surface of the substrate 21 opposite to the semiconductor layer 22 (substrate 11 side). 24 and . For example, the semiconductor layer 22 has an n-type semiconductor layer (not shown) and a p-type semiconductor layer (not shown). For example, the pad electrode 23 is connected to the p-type semiconductor layer of the semiconductor layer 22 . Also, the back electrode 24 is connected to the n-type semiconductor layer of the semiconductor layer 22 .

また、本実施例においては、パッド電極２３は、ボンディングワイヤを介して基板１１の配線電極１１Ｂに接続されている。また、基板１１の基材１１Ａは、その主面間を貫通するビア（図示せず）を有する。裏面電極２４は、当該ビアを介して、基材１１Ａの配線電極１１Ｂとは反対側の面上に設けられた配線電極（図示せず）に接続されている。 Moreover, in this embodiment, the pad electrode 23 is connected to the wiring electrode 11B of the substrate 11 via a bonding wire. Also, the base material 11A of the substrate 11 has vias (not shown) penetrating between its main surfaces. The back surface electrode 24 is connected via the via to a wiring electrode (not shown) provided on the surface of the substrate 11A opposite to the wiring electrode 11B.

本実施例においては、発光素子２０は、矩形の上面形状を有する。具体的には、本実施例においては、基板２１及び半導体層２２の各々は、矩形の上面形状を有する。例えば、半導体層２２の上面は、一辺が約１ｍｍの正方形の形状を有する。また、発光素子２０の各々は、基板１１上においてそれぞれの基板２１の１つの側面が互いに対向するように、全体として整列して配置されている。 In this embodiment, the light emitting element 20 has a rectangular top shape. Specifically, in this embodiment, each of the substrate 21 and the semiconductor layer 22 has a rectangular top surface shape. For example, the top surface of the semiconductor layer 22 has a square shape with sides of about 1 mm. In addition, each of the light emitting elements 20 is arranged in alignment as a whole on the substrate 11 so that one side surface of each substrate 21 faces each other.

なお、本実施例においては、発光装置１０が２つの発光素子２０を有する場合について説明するが、発光素子２０の構成はこれに限定されない。例えば、発光装置１０が１つの発光素子２０のみを有していてもよいし、３つ以上の発光素子２０を有していてもよい。また、発光装置２０が複数の発光素子２０を有する場合でも、その配置構成は上記した場合に限定されない。また、発光素子２０の上面形状は、矩形に限定されず、例えば多角形状又は円形状を有していてもよい。 In this embodiment, the case where the light emitting device 10 has two light emitting elements 20 will be described, but the configuration of the light emitting elements 20 is not limited to this. For example, the light emitting device 10 may have only one light emitting element 20 or may have three or more light emitting elements 20 . Further, even when the light emitting device 20 has a plurality of light emitting elements 20, the arrangement configuration is not limited to the above case. Moreover, the top surface shape of the light emitting element 20 is not limited to a rectangle, and may have, for example, a polygonal shape or a circular shape.

発光装置１０は、発光素子２０上に形成され、接着層３０を介して発光素子２０に接着された波長変換体４０を有する。接着層３０は、例えば発光素子２０の基板２１上において半導体層２２を埋設するように層状に形成されている。また、接着層３０は、発光層２０から放出される光及び波長変換体４０から出射される光に対して透光性を有する。例えば、接着層３０は、透明な樹脂層からなる。 The light-emitting device 10 has a wavelength converter 40 formed on a light-emitting element 20 and adhered to the light-emitting element 20 via an adhesive layer 30 . The adhesive layer 30 is formed, for example, in layers on the substrate 21 of the light emitting element 20 so as to bury the semiconductor layer 22 . Further, the adhesive layer 30 has translucency with respect to the light emitted from the light emitting layer 20 and the light emitted from the wavelength converter 40 . For example, the adhesive layer 30 is made of a transparent resin layer.

本実施例においては、波長変換体４０は、２つの発光素子２０間に跨って形成されている。例えば、本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０の各々における半導体層２２の上面全体を覆い、基板１１における隣接する半導体層２２の間に跨って一体的に形成されている。波長変換体４０は、例えば、ＹＡＧ蛍光体及びアルミナを焼結して形成された蛍光体プレートからなる。 In this embodiment, the wavelength conversion body 40 is formed across the two light emitting elements 20 . For example, in this embodiment, the wavelength converter 40 covers the entire upper surface of the semiconductor layer 22 in each of the light emitting elements 20 and is integrally formed across the adjacent semiconductor layers 22 on the substrate 11 . The wavelength converter 40 is composed of, for example, a phosphor plate formed by sintering YAG phosphor and alumina.

発光装置１０は、基板１１上に形成され、発光素子２０の各々を封止し、かつ波長変換体４０の側面を覆う光反射体５０を有する。図１においては、発光装置１０の光反射体５０の内側の構造を図示するため、光反射体５０の外縁のみを破線で示し、その図示を省略している。 The light emitting device 10 has a light reflector 50 which is formed on the substrate 11 , seals each of the light emitting elements 20 , and covers the side surface of the wavelength converter 40 . In FIG. 1, in order to illustrate the inner structure of the light reflector 50 of the light-emitting device 10, only the outer edge of the light reflector 50 is indicated by broken lines, and illustration thereof is omitted.

光反射体５０は、発光素子２０から放出される光及び波長変換体４０から出射される光に対して反射性を有する。例えば、光反射体５０は、光散乱性の粒子（例えば酸化チタン粒子）を含有する樹脂体からなる。光反射体５０は、波長変換体４０の上面を露出させるように、基板１１上に形成されている。本実施例においては、波長変換体４０における光反射体５０から露出した表面は、発光装置１０における光取り出し面を形成する。 The light reflector 50 is reflective with respect to light emitted from the light emitting element 20 and light emitted from the wavelength converter 40 . For example, the light reflector 50 is made of a resin containing light-scattering particles (eg, titanium oxide particles). The light reflector 50 is formed on the substrate 11 so as to expose the top surface of the wavelength converter 40 . In this embodiment, the surface of the wavelength converter 40 exposed from the light reflector 50 forms the light extraction surface of the light emitting device 10 .

図２は、発光装置１０の上面図である。また、図３は、発光装置１０の断面図であり、図２における３－３線に沿った断面図である。図２及び図３を用いて、発光装置１０における波長変換体４０及び光反射体５０の詳細な構造について説明する。 FIG. 2 is a top view of the light emitting device 10. FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device 10, taken along line 3-3 in FIG. 2. FIG. Detailed structures of the wavelength converter 40 and the light reflector 50 in the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

まず、波長変換体４０は、接着層３０を介して発光素子２０（半導体層２２）に対向し、基板１１に沿って延びる面を発光素子２０から放出された光が入射する光入射面４０Ｐとして有し、光入射面４０Ｐから入射した光に対して波長変換を行う。また、波長変換体４０は、光反射体５０に覆われていない面を波長変換体４０内の光が出射する光出射面４０Ｑとして有する。本実施例においては、光出射面４０Ｑは、発光装置１０における光取り出し面である。 First, the wavelength converter 40 faces the light emitting element 20 (semiconductor layer 22) via the adhesive layer 30, and the surface extending along the substrate 11 is used as the light incident surface 40P on which the light emitted from the light emitting element 20 is incident. and wavelength-converts the light incident from the light incident surface 40P. Further, the wavelength converter 40 has a surface not covered with the light reflector 50 as a light exit surface 40Q from which the light inside the wavelength converter 40 is emitted. In this embodiment, the light exit surface 40Q is the light extraction surface of the light emitting device 10. As shown in FIG.

また、本実施例においては、波長変換体４０の光出射面４０Ｑは、光入射面４０Ｐよりも小さな平面サイズを有する。また、波長変換体４０は、全体として、光入射面４０Ｐから光出射面４０Ｑに向かって（発光素子２０から離れるに従って）徐々に側面間の距離が小さくなるような先細り形状を有する。 Further, in this embodiment, the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40 has a plane size smaller than that of the light entrance surface 40P. Moreover, the wavelength converter 40 as a whole has a tapered shape such that the distance between the side surfaces gradually decreases from the light incident surface 40P toward the light emitting surface 40Q (as the distance from the light emitting element 20 increases).

本実施例においては、波長変換体４０は、基板１１から垂直に延びる側面４１Ａと、光入射面４０Ｐとして機能する底面４１Ｂと、を有し、柱形状を有する柱状部（第５の部分）４１を有する。 In this embodiment, the wavelength converter 40 has a side surface 41A extending vertically from the substrate 11 and a bottom surface 41B functioning as a light incident surface 40P, and has a columnar portion (fifth portion) 41 having a columnar shape. have

本実施例においては、柱状部４１の底面４１Ｂは、その全体が接着層３０に接しており、かつ半導体層２２（基板１１）に沿って延びている。また、本実施例においては、柱状部４１の底面４１Ｂ及び底面４１Ｂとは反対側の上面の各々は、矩形の平面形状を有する。すなわち、本実施例においては、柱状部４１は、四角柱の形状を有する。 In this embodiment, the bottom surface 41B of the columnar portion 41 is entirely in contact with the adhesive layer 30 and extends along the semiconductor layer 22 (substrate 11). Further, in this embodiment, each of the bottom surface 41B of the columnar portion 41 and the top surface opposite to the bottom surface 41B has a rectangular planar shape. That is, in this embodiment, the columnar portion 41 has a square prism shape.

また、波長変換体４０は、柱状部４１の上面が底面となるように柱状部４１上において柱状部４１に一体的に形成され、かつ錐台形状を有する錐台状部（第１の部分）４２を有する。本実施例においては、錐台状部４２は、底面に対して内側に傾斜する側面４２Ａを有する。 The wavelength converter 40 is formed integrally with the columnar portion 41 on the columnar portion 41 so that the top surface of the columnar portion 41 serves as the bottom surface, and has a frustum-shaped portion (first portion). 42. In this embodiment, the frustum-shaped portion 42 has a side surface 42A that slopes inwardly with respect to the bottom surface.

本実施例においては、錐台状部４２は、四角錐台の形状を有する。また、本実施例においては、錐台状部４２の４つの全ての側面は、側面４２Ａとして構成されている。従って、本実施例においては、錐台状部４２は、上面を頂面とし、頂面に向かって全ての側面が傾斜する先細り形状を有する。 In this embodiment, the frustum-shaped portion 42 has the shape of a truncated quadrangular pyramid. Further, in this embodiment, all four side surfaces of the frustum-shaped portion 42 are configured as side surfaces 42A. Therefore, in this embodiment, the frustum-shaped portion 42 has a tapered shape in which the top surface is the top surface and all the side surfaces are inclined toward the top surface.

また、本実施例においては、波長変換体４０は、錐台状部４２の上面が底面となるように錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部（第４の部分）４３を有する。柱状部４３は、底面に対して垂直に延びる側面４３Ａを有する。本実施例においては、柱状部４３は、柱状部４１の底面よりも小さな底面及び上面を有する四角柱の形状を有する。 Further, in this embodiment, the wavelength converter 40 is formed integrally with the frustum-shaped portion 42 on the frustum-shaped portion 42 so that the top surface of the frustum-shaped portion 42 becomes the bottom surface, and has a columnar shape. has a columnar portion (fourth portion) 43 having a The columnar portion 43 has a side surface 43A extending perpendicularly to the bottom surface. In this embodiment, the columnar portion 43 has a quadrangular prism shape having a bottom surface and a top surface smaller than the bottom surface of the columnar portion 41 .

また、本実施例においては、波長変換体４０は、柱状部４３の上面が底面となるように柱状部４３上において柱状部４３に一体的に形成され、かつ外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部（第２の部分）４４を有する。本実施例においては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、ラウンド形状部４４の底面から垂直に延び、かつ外側に凸となる曲面形状をなして内側に屈曲している。 In this embodiment, the wavelength converter 40 is formed integrally with the columnar portion 43 on the columnar portion 43 so that the top surface of the columnar portion 43 serves as the bottom surface. It has a round profile (second portion) 44 with 44A. In this embodiment, the side surface 44A of the round portion 44 extends perpendicularly from the bottom surface of the round portion 44 and bends inward to form an outwardly convex curved shape.

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４は、平坦な上面４４Ｂを有する。また、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂは、波長変換体４０の光出射面４０Ｑとして機能する。 Also, in this embodiment, the round portion 44 has a flat upper surface 44B. Also, the upper surface 44B of the round portion 44 is exposed from the light reflector 50 . In this embodiment, the upper surface 44B of the round portion 44 functions as the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40. As shown in FIG.

本実施例においては、波長変換体４０は、一方の主面を光入射面４０Ｐとし、他方の主面を光出射面４０Ｑとする全体として板状の形状を有する。また、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａの全体は、波長変換体４０の側面を構成する。 In this embodiment, the wavelength converter 40 has a plate-like shape as a whole, with one principal surface as the light incident surface 40P and the other principal surface as the light exit surface 40Q. The side surface 41A of the columnar portion 41, the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42, the side surface 43A of the columnar portion 43, and the side surface 44A of the round-shaped portion 44 all constitute side surfaces of the wavelength converter 40. FIG.

例えば、波長変換体４０の光入射面４０Ｐは、約１ｍｍの短辺及び約２ｍｍの長辺を有する長方形の形状を有する。波長変換体４０の光出射面４０Ｑは、約０．６～０．９ｍｍの短辺及び約１．２～１．８ｍｍの長辺を有する長方形の形状を有する。また、波長変換体４０における光入射面４０Ｐから光出射面４０Ｑまでの距離、すなわち波長変換体４０の厚さは、約５０～５００μｍである。 For example, the light incident surface 40P of the wavelength converter 40 has a rectangular shape with short sides of about 1 mm and long sides of about 2 mm. The light exit surface 40Q of the wavelength converter 40 has a rectangular shape with short sides of about 0.6-0.9 mm and long sides of about 1.2-1.8 mm. Further, the distance from the light incident surface 40P to the light emitting surface 40Q in the wavelength converter 40, that is, the thickness of the wavelength converter 40 is approximately 50 to 500 μm.

また、本実施例においては、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａは、連続して一体的に形成されている。すなわち、各部分の側面は、その端部において隣接する他の部分の側面に接している。 Further, in this embodiment, the side surface 41A of the columnar portion 41, the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42, the side surface 43A of the columnar portion 43, and the side surface 44A of the round-shaped portion 44 are continuously and integrally formed. . That is, the side surface of each portion is in contact with the side surface of the adjacent portion at its end.

波長変換体４０は、例えば、柱状部４１の底面４１Ｂ及びラウンド形状部４４の上面４４Ｂとなる主面を有する蛍光体プレートを以下の２つのステップで切削することによって形成することができる。 The wavelength converter 40 can be formed, for example, by cutting a phosphor plate having principal surfaces serving as the bottom surface 41B of the columnar portion 41 and the top surface 44B of the round portion 44 in the following two steps.

例えば、第１のステップにおいては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａと同一形状の曲面部、柱状部４３の側面４３Ａと同一形状の平坦部、及び錐台状部４２の側面４２Ａと同一形状の傾斜部を有するブレード面のダイシングブレード（第１のブレード）を用いて、蛍光体プレートを切削して当該蛍光体プレートの主面に溝を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面４４Ａ、４３Ａ及び４２Ａとなる部分が形成される。 For example, in the first step, a curved surface portion having the same shape as the side surface 44A of the round portion 44, a flat portion having the same shape as the side surface 43A of the columnar portion 43, and an inclined surface having the same shape as the side surface 42A of the frustum portion 42 A dicing blade (first blade) having a blade surface having a portion is used to cut the phosphor plate to form grooves on the main surface of the phosphor plate. As a result, the phosphor plate is formed with portions that will become the side surfaces 44A, 43A and 42A.

次に、第２のステップにおいては、当該蛍光体プレートの当該主面に垂直なブレード面を有するブレード（第２のブレード）を用いて、当該蛍光体プレートにおける第１のステップで形成した溝の底部に凹部又は貫通孔を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面４１Ａとなる部分が形成される。なお、例えば、この他の当該蛍光体プレートの主面を研削することで、柱状部４１の底面４１Ｂ及びラウンド形状部４４の上面４４Ｂの面形状及び面品質を安定させることができる。 Next, in the second step, a blade (second blade) having a blade surface perpendicular to the main surface of the phosphor plate is used to form the grooves formed in the phosphor plate in the first step. A recess or a through hole is formed in the bottom. As a result, the phosphor plate is formed with a portion that will become the side surface 41A. For example, by grinding other main surfaces of the phosphor plate, the surface shape and surface quality of the bottom surface 41B of the columnar portion 41 and the top surface 44B of the round portion 44 can be stabilized.

例えばこのようにして、波長変換体４０を作製することができる。なお、波長変換体４０の形成方法はこれに限定されない。例えば、波長変換体４０は、成型加工によって形成されることもできる。 For example, the wavelength conversion body 40 can be produced in this way. In addition, the formation method of the wavelength conversion body 40 is not limited to this. For example, the wavelength conversion body 40 can also be formed by molding.

次に、光反射体５０は、基板１１上において、発光素子２０（基板２１、半導体層２２、パッド電極２３及び裏面電極２４）及び基板１１上の各配線電極を封止する。これによって、発光素子２０を電気的に保護する。また、光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆う。これによって、波長変換体４０から出射される光の方向が制限される。 Next, the light reflector 50 seals the light emitting element 20 (the substrate 21 , the semiconductor layer 22 , the pad electrode 23 and the back surface electrode 24 ) and each wiring electrode on the substrate 11 on the substrate 11 . This electrically protects the light emitting element 20 . Moreover, the light reflector 50 covers the side surface of the wavelength converter 40 . This restricts the direction of light emitted from the wavelength converter 40 .

本実施例においては、光反射体５０は、波長変換体４０から離れた領域では波長変換体４０の光出射面４０Ｑよりも基板１１に近い位置（低い位置）を有するような上面５０Ａを有する。一方、光反射体５０の上面５０Ａは、波長変換体４０の近傍では波長変換体４０の光出射面４０Ｑと同程度の高さ位置を有するように湾曲している。そして、本実施例においては、光反射体５０は、波長変換体４０の側面全体を覆っている。 In this embodiment, the light reflector 50 has an upper surface 50A that is positioned closer (lower) to the substrate 11 than the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40 in the region away from the wavelength converter 40. FIG. On the other hand, the upper surface 50A of the light reflector 50 is curved in the vicinity of the wavelength converter 40 so as to have the same height position as the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40 . In this embodiment, the light reflector 50 covers the entire side surface of the wavelength converter 40 .

より具体的には、光反射体５０の上面５０Ａは、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂ（波長変換体４０の光出射面４０Ｑ）よりも基板１１側に位置しかつ基板１１に沿って延びる平面部Ｓ１１を有する。また、光反射体５０の上面５０Ａは、平面部Ｓ１１よりも波長変換体４０側において平面部Ｓ１１よりもラウンド形状部４４の上面４４Ｂに近い位置に形成され、かつ基板１１に向かって凹となるように屈曲する曲面部Ｓ１２を有する。 More specifically, the upper surface 50A of the light reflector 50 is a planar portion located closer to the substrate 11 than the upper surface 44B of the round portion 44 (the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40) and extending along the substrate 11. It has S11. Further, the upper surface 50A of the light reflector 50 is formed closer to the upper surface 44B of the round portion 44 than the flat portion S11 on the wavelength converter 40 side of the flat portion S11, and is concave toward the substrate 11. It has a curved surface portion S12 that bends in the following manner.

本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａにおける曲面部Ｓ１２は、波長変換体４０に近づくに従って徐々に基板１１から離れるように平面部Ｓ１１から湾曲して形成された部分である。また、曲面部Ｓ１２は、ラウンド形状部４４の側面４４Ｂに接している。本実施例においては、曲面部Ｓ１２は、ラウンド形状部４４の側面４４Ａの上端部に接している。 In this embodiment, the curved surface portion S12 on the upper surface 50A of the light reflector 50 is a portion curved from the flat surface portion S11 so as to gradually separate from the substrate 11 as the wavelength converter 40 is approached. Also, the curved surface portion S12 is in contact with the side surface 44B of the round portion 44 . In this embodiment, the curved surface portion S12 is in contact with the upper end portion of the side surface 44A of the round portion 44. As shown in FIG.

換言すれば、本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａの曲面部Ｓ１２は、凹状に湾曲しつつ平面部Ｓ１１から延びてラウンド形状部４４の側面４４Ａに接する部分である。 In other words, in this embodiment, the curved surface portion S12 of the upper surface 50A of the light reflector 50 is a portion that extends from the flat surface portion S11 while curving in a concave shape and contacts the side surface 44A of the round portion 44 .

光反射体５０は、例えば、光反射体５０となる光反射性の粒子を含む熱硬化性樹脂を基板１１上に塗布する際に、当該熱硬化性樹脂の塗布量を調節し（例えば、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂの高さに達する量よりも少なくし）、その後当該熱硬化性樹脂を硬化させることで、形成することができる。 For the light reflector 50, for example, when a thermosetting resin containing light-reflective particles that becomes the light reflector 50 is applied onto the substrate 11, the amount of the thermosetting resin applied is adjusted (for example, a round less than the height of the upper surface 44B of the shaped portion 44) and then curing the thermosetting resin.

より具体的には、熱硬化性樹脂は、硬化前においては、一定の濡れ性を有する。従って、熱硬化性樹脂は、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂよりも低い高さ位置に達する量で塗布した場合でも、側面４４Ａ上を上昇して側面４４Ａ上に濡れ広がる。また、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、曲面形状を有している。従って、熱硬化性樹脂は、容易に側面４４Ａ上に濡れ広がることとなる。光反射体５０は、この状態で熱硬化性樹脂を加熱することで、形成することができる。 More specifically, thermosetting resins have certain wettability before curing. Therefore, even when the thermosetting resin is applied in an amount reaching a height position lower than the upper surface 44B of the round portion 44, it rises on the side surface 44A and spreads over the side surface 44A. Moreover, 44 A of side surfaces of the round shape part 44 have curved-surface shape. Therefore, the thermosetting resin easily spreads over the side surface 44A. The light reflector 50 can be formed by heating the thermosetting resin in this state.

本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０上に配置され、柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４がそれぞれの上面及び底面を共有するように順に積層された構造を有する。また、光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆うように形成されている。これによって、高い光取出し効率及び配光特性を有し、また高品質な発光装置１０を提供することができる。 In this embodiment, the wavelength conversion body 40 is disposed on the light emitting element 20, and the columnar portion 41, the frustum portion 42, the columnar portion 43 and the round portion 44 are arranged in order so that they share their top and bottom surfaces. It has a laminated structure. Moreover, the light reflector 50 is formed so as to cover the side surface of the wavelength converter 40 . As a result, it is possible to provide a high-quality light emitting device 10 that has high light extraction efficiency and light distribution characteristics.

より具体的には、波長変換体４０が最も発光素子２０側に柱状部４１（第５の部分）を有することで、発光素子２０から放出された光が高効率で波長変換体４０内に入射することとなる。従って、発光素子２０から放出された光に対する高い波長変換効率を維持することができる。 More specifically, since the wavelength conversion body 40 has the columnar portion 41 (fifth portion) closest to the light emitting element 20, the light emitted from the light emitting element 20 enters the wavelength conversion body 40 with high efficiency. It will be done. Therefore, high wavelength conversion efficiency for light emitted from the light emitting element 20 can be maintained.

また、一様な厚みの柱状部４１に光が入射することで、柱状部４１の面内での波長変換ムラが抑制される。従って、柱状部４１から錐台状部４２に向かう光における柱状部４１の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。 In addition, since the light is incident on the columnar portion 41 having a uniform thickness, unevenness in wavelength conversion within the plane of the columnar portion 41 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress intensity unevenness and color unevenness in the plane of the columnar portion 41 in the light traveling from the columnar portion 41 to the frustum-shaped portion 42 .

また、波長変換体４０が錐台状部４２（第１の部分）を有することで、錐台状部４２から光出射面４０Ｑに向かう光を集光することができる。従って、例えば、十分な光量の光が放出されるようなサイズの発光素子２０（半導体層２２）を構成した上で、この発光素子２０からの放出光を発光領域よりも小さな領域に集めることができる。これによって、例えば、波長変換体４０の光出射面４０Ｑからは、高輝度な光を出射させることができる。 Further, since the wavelength conversion body 40 has the frustum-shaped portion 42 (first portion), the light traveling from the frustum-shaped portion 42 toward the light exit surface 40Q can be condensed. Therefore, for example, after forming the light emitting element 20 (semiconductor layer 22) of a size that emits a sufficient amount of light, the emitted light from the light emitting element 20 can be collected in a region smaller than the light emitting region. can. As a result, for example, high-brightness light can be emitted from the light emission surface 40Q of the wavelength conversion body 40 .

また、波長変換体４０が錐台状部４２（第１の部分）とラウンド形状部４４（第２の部分）との間に柱状部４３（第４の部分）を有することで、錐台状部４２によって集光された光の光量を柱状部４３の面内で均一化することができる。従って、柱状部４３からラウンド形状部４４に向かう光における柱状部４３の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。 Further, since the wavelength conversion body 40 has the columnar portion 43 (fourth portion) between the frustum portion 42 (first portion) and the round portion 44 (second portion), The amount of light condensed by the portion 42 can be made uniform within the plane of the columnar portion 43 . Therefore, it is possible to suppress intensity unevenness and color unevenness in the plane of the columnar portion 43 in the light traveling from the columnar portion 43 toward the round portion 44 .

また、波長変換体４０が光出射面４０Ｑを形成する上面４４Ｂを有するラウンド形状部４４を有することで、ラウンド形状部４４の側面４４Ａを光反射体５０によって確実にかつ強固に覆うことができる。従って、光出射面４０Ｑの近傍における光反射体５０の波長変換体４０からの剥離を抑制することができる。これによって、波長変換体４０から出射される光の品質、例えば配光特性、強度特性及び波長特性が長期に亘って安定する。 Further, since the wavelength conversion body 40 has the round portion 44 having the upper surface 44B forming the light emitting surface 40Q, the side surface 44A of the round portion 44 can be reliably and firmly covered with the light reflector 50. Therefore, peeling of the light reflector 50 from the wavelength converter 40 in the vicinity of the light exit surface 40Q can be suppressed. As a result, the quality of light emitted from the wavelength converter 40, such as light distribution characteristics, intensity characteristics, and wavelength characteristics, is stabilized over a long period of time.

より具体的には、本実施例においては、波長変換体４０内に存在する光は、光出射面４０Ｑとなるラウンド形状部４４の上面４４Ｂ以外の外部に露出する表面を光反射体５０によって覆うことで、ほぼ当該上面４４Ｂのみから出射されることとなる。すなわち、本実施例においては、光反射体５０は、発光装置１０の配光特性を定める機能を有する。 More specifically, in this embodiment, the light existing in the wavelength conversion body 40 is covered by the light reflector 50 on the surface exposed to the outside other than the top surface 44B of the round portion 44 that becomes the light exit surface 40Q. As a result, the light is almost emitted only from the upper surface 44B. That is, in this embodiment, the light reflector 50 has the function of determining the light distribution characteristics of the light emitting device 10 .

従って、光反射体５０は、確実に波長変換体４０における所望の領域を覆っていることが好ましい。また、光反射体５０は、例えば、発光装置１０を大電流又は長時間駆動した場合でも、当該波長変換体４０を覆っている状態を維持することが好ましい。特に、光出射面４０Ｑの近傍においては、確実にかつ安定して光反射体５０が波長変換体４０を覆っていることが好ましい。 Therefore, it is preferable that the light reflector 50 surely covers the desired region of the wavelength converter 40 . In addition, it is preferable that the light reflector 50 keep covering the wavelength converter 40 even when the light emitting device 10 is driven with a large current or for a long time, for example. In particular, it is preferable that the light reflector 50 reliably and stably covers the wavelength converter 40 in the vicinity of the light exit surface 40Q.

仮に、波長変換体４０がラウンド形状部４４を有さず、柱状部４３の上面を波長変換体４０の光出射面４０Ｑとして構成する場合を考える。この場合、光反射体５０は、柱状部４３の上面を露出させつつ柱状部４３の側面４３Ａを覆うように形成される。この場合、駆動中などにおいて、光反射体５０が柱状部４３の側面４３Ａから剥離しやすい。 Consider a case where the wavelength conversion body 40 does not have the round portion 44 and the upper surface of the columnar portion 43 is configured as the light exit surface 40Q of the wavelength conversion body 40 . In this case, the light reflector 50 is formed so as to expose the upper surface of the columnar portion 43 and cover the side surface 43A of the columnar portion 43 . In this case, the light reflector 50 is likely to separate from the side surface 43A of the columnar portion 43 during driving or the like.

これは、光反射体５０と側面４３Ａとが接触している面積が小さく、例えば波長変換体４０からの熱を受けることによって光反射体５０に生ずる応力が側面４４Ｂに集中しやすいからである。また、光反射体５０となる熱硬化性樹脂を基板１１上に塗布した場合、柱状部４３の側面４３Ａ、すなわち基板１１に垂直に延びる波長変換体４０の側面に対して、熱硬化性樹脂が十分に接していない状態で硬化される場合があるからである。 This is because the contact area between the light reflector 50 and the side surface 43A is small, and the stress generated in the light reflector 50 by receiving heat from the wavelength converter 40, for example, tends to concentrate on the side surface 44B. Further, when the thermosetting resin that forms the light reflector 50 is applied onto the substrate 11 , the thermosetting resin is applied to the side surface 43 A of the columnar portion 43 , that is, the side surface of the wavelength conversion body 40 extending perpendicularly to the substrate 11 . This is because they may be cured in a state in which they are not sufficiently in contact with each other.

これに対し、本実施例においては、上面４４Ｂから外側に凸となるような曲面状に延びる側面４４Ａを有するラウンド形状部４４を設けることで、大きな面積の側面４４Ａに接するように光反射体５０が形成される。従って、光反射体５０に生ずる応力の集中が抑制される。 On the other hand, in the present embodiment, by providing the round portion 44 having the curved side surface 44A extending outward from the upper surface 44B, the light reflector 50 is in contact with the side surface 44A having a large area. is formed. Therefore, concentration of stress generated in the light reflector 50 is suppressed.

また、光反射体５０は、例えば、側面４４Ａ上に乗り上げるように熱硬化性樹脂が塗布され、この状態で熱硬化性樹脂が硬化されることで、形成される。従って、光反射体５０が側面４４Ａに密着する。従って、光反射体５０が光出射面４０Ｑの近傍において波長変換体４０から剥離することが確実に抑制される。 Further, the light reflector 50 is formed by, for example, applying a thermosetting resin so as to ride on the side surface 44A and curing the thermosetting resin in this state. Therefore, the light reflector 50 adheres to the side surface 44A. Therefore, the separation of the light reflector 50 from the wavelength converter 40 in the vicinity of the light exit surface 40Q is reliably suppressed.

また、本実施例においては、波長変換体４０は、矩形の上面形状を有する。これによって、種々の用途に容易に適用可能な形状の配光特性を得ることができる。例えば、発光装置１０は、照明用途、例えば車両用灯具として用いる場合に好適な構成を有する。例えば、波長変換体４０が矩形の上面形状を有することで、ヘッドランプに求められる特性、例えば中央領域が高輝度であり、周辺領域が低輝度であるような配光特性の光を容易に形成することができるからである。 Moreover, in the present embodiment, the wavelength conversion body 40 has a rectangular upper surface shape. As a result, it is possible to obtain light distribution characteristics having a shape that can be easily applied to various uses. For example, the light-emitting device 10 has a suitable configuration when used for lighting purposes, for example, as a vehicle lamp. For example, since the wavelength conversion body 40 has a rectangular top surface shape, it is possible to easily form light having characteristics required for a headlamp, such as high luminance in the central region and low luminance in the peripheral region. Because you can.

また、本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａは、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂよりも低い位置の平面部Ｓ１１と、平面部Ｓ１１からラウンド形状部４４の側面４４Ａに向かって高くなるように湾曲した曲面部Ｓ１２と、を有する。これによって、光反射体５０における波長変換体４０の近傍に生ずる応力が分散しやすくなる。従って、光反射体５０の剥離がさらに抑制される。 Further, in this embodiment, the upper surface 50A of the light reflector 50 has a flat portion S11 which is lower than the upper surface 44B of the round portion 44 and rises from the flat portion S11 toward the side surface 44A of the round portion 44. and a curved surface portion S12. This makes it easier to disperse the stress generated in the vicinity of the wavelength converter 40 in the light reflector 50 . Therefore, peeling of the light reflector 50 is further suppressed.

また、例えば光反射体５０の形成には熱硬化性樹脂の塗布量を少なくする以外に追加する工程などが不要となり、容易に光反射体５０を形成することができる。光反射体５０の上面５０Ａの形状は、この形成方法によって形成した結果といえる。また、熱硬化性樹脂の塗布量が少なく済むのみならず、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂにまで熱硬化性樹脂が塗布又は濡れ広がることが抑制される。これによって、光出射面４０Ｑの形状バラつき、またこれによる配光形状のバラつきが抑制される。 In addition, for example, the formation of the light reflector 50 does not require additional steps other than reducing the amount of thermosetting resin applied, and the light reflector 50 can be formed easily. It can be said that the shape of the upper surface 50A of the light reflector 50 is the result of forming by this forming method. Moreover, not only is the amount of thermosetting resin applied small, but the application or wetting of the thermosetting resin to the upper surface 44B of the round portion 44 is suppressed. As a result, variation in the shape of the light exit surface 40Q and resulting variation in light distribution shape are suppressed.

なお、本実施例においては、発光装置１０の光取り出し面が波長変換体４０におけるラウンド形状部４４の上面４４Ｂによって画定される場合について説明した。しかし、光反射体５０におけるラウンド形状部４４の側面４４Ａ上の領域の厚さは、他の領域の厚さに比べて小さい。従って、ラウンド形状部４４の側面形状などによっては、側面４４Ａからも光が外部に取り出される場合がある。従って、発光装置１０の光取り出し面は、ラウンド形状部４４の側面４４Ａ及び上面４４Ｂの両方によって画定されてもよい。 In this embodiment, the case where the light extraction surface of the light emitting device 10 is defined by the upper surface 44B of the round portion 44 of the wavelength conversion body 40 has been described. However, the thickness of the area on the side surface 44A of the round portion 44 in the light reflector 50 is smaller than the thickness of other areas. Therefore, depending on the shape of the side surface of the round portion 44, light may be extracted to the outside from the side surface 44A as well. Accordingly, the light extraction surface of the light emitting device 10 may be defined by both the side surface 44A and the top surface 44B of the round portion 44. FIG.

なお、上記した波長変換体４０の構成は、一例に過ぎない。例えば、本実施例においては、波長変換体４０は、一体的に形成された柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４を有する場合について説明した。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面の形状が一致する場合について説明した。しかし、波長変換体４０は、例えば互いに分離可能なように形成された柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４を有していてもよい。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面は互いに光学的に結合していればよく、その形状は一致しなくてもよく、また、互いに離間していてもよい。 Note that the configuration of the wavelength converter 40 described above is merely an example. For example, in the present embodiment, the case where the wavelength conversion body 40 has the columnar portion 41, the frustum-shaped portion 42, the columnar portion 43, and the round-shaped portion 44 that are integrally formed has been described. Also, the case where the shapes of the upper surface and the bottom surface of the vertically adjacent portions are the same have been described. However, the wavelength converter 40 may have, for example, a columnar portion 41, a frustum-shaped portion 42, a columnar portion 43 and a round-shaped portion 44 which are separable from each other. Moreover, the top surface and the bottom surface of each vertically adjacent portion need only be optically coupled to each other, and the shapes thereof do not have to match, or they may be separated from each other.

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４の全ての側面（本実施例においては４つの側面）が曲面形状を有する側面４４Ａである場合について説明した。しかし、ラウンド形状部４４の側面形状はこれに限定されない。ラウンド形状部４４は、側面の少なくとも一部に曲面形状の側面４４Ａとなる部分を有していればよい。例えば、ラウンド形状部４４の４つの側面のうち、１つのみの側面が曲面形状を有していてもよい。 Further, in this embodiment, the case where all the side surfaces (four side surfaces in this embodiment) of the round portion 44 are curved side surfaces 44A has been described. However, the side shape of the round portion 44 is not limited to this. The round shape part 44 should just have the part used as 44 A of curved-surface-shaped side surfaces in at least one part of the side surface. For example, only one of the four side surfaces of the round portion 44 may have a curved shape.

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、底面の近傍において当該底面に垂直に延び、湾曲しつつ上面４４Ｂに至り、上面４４Ｂにおいては上面４４Ｂに平行に延びるように構成されている場合について説明した。しかし、ラウンド形状部４４の側面４４Ａの形状は、これに限定されない。 In this embodiment, the side surface 44A of the round portion 44 extends perpendicular to the bottom surface in the vicinity of the bottom surface, curves to reach the top surface 44B, and extends parallel to the top surface 44B at the top surface 44B. I explained the case when However, the shape of the side surface 44A of the round portion 44 is not limited to this.

例えば、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、少なくとも上面４４Ｂの縁から延びており、上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状を有していればよい。例えば、側面４４Ａは、上面４４Ｂから底面に至る間に、例えば底面の近傍において内側に延びる部分を有していてもよい。 For example, the side surface 44A of the round portion 44 extends at least from the edge of the top surface 44B and has a curved shape that protrudes outward in the direction parallel to the top surface 44B. For example, the side surface 44A may have a portion extending inwardly between the top surface 44B and the bottom surface, such as near the bottom surface.

また、本実施例においては、光反射体５０が上面５０Ａに曲面部Ｓ１２を有する場合について説明した。しかし、光反射体５０の上面形状は、これに限定されない。光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆っていればよい。 Moreover, in the present embodiment, the case where the light reflector 50 has the curved surface portion S12 on the upper surface 50A has been described. However, the top surface shape of the light reflector 50 is not limited to this. The light reflector 50 should just cover the side surface of the wavelength converter 40 .

また、本実施例においては、波長変換体４０は、一体的に形成された蛍光体プレートからなり、その全体において波長変換機能を有する場合について説明した。しかし、波長変換体４０の構成はこれに限定されない。 Moreover, in the present embodiment, the case where the wavelength conversion body 40 is composed of an integrally formed phosphor plate and has a wavelength conversion function as a whole has been described. However, the configuration of the wavelength converter 40 is not limited to this.

例えば、波長変換体４０は、柱状部４１の一部をなす蛍光体プレートと、当該蛍光体プレート上に形成され、波長変換体４０の他の部分をなす透光プレートと、からなっていてもよい。すなわち、波長変換体４０は、複数の部材を組み合わせた構造を有していてもよいし、またその一部のみに波長変換機能をなす部材を有していてもよい。 For example, the wavelength conversion body 40 may be composed of a phosphor plate forming part of the columnar section 41 and a translucent plate formed on the phosphor plate and forming another part of the wavelength conversion body 40. good. That is, the wavelength conversion body 40 may have a structure in which a plurality of members are combined, or may have a member that performs the wavelength conversion function only in part thereof.

また、発光素子２０の構成や、発光装置１０の用途によっては、波長変換体４０の全体が波長変換機能を有していなくてもよい。例えば、単色（単一波長）の光のみを用いて通信や分析などを行う用途に用いられる場合、発光素子２０から放出された光がその波長特性を維持したまま取り出されればよい場合がある。この場合、波長変換体４０は、波長変換機能を有する必要はなく、例えば、単純な透光体として機能すればよい。この場合でも、当該透光体が例えば上記したような構成を有することで、光反射体５０の当該透光体からの剥離を防止でき、高品質かつ高輝度な発光装置１０を提供することができる。 Further, depending on the configuration of the light emitting element 20 and the application of the light emitting device 10, the entire wavelength conversion body 40 may not have the wavelength conversion function. For example, when it is used for communication or analysis using only monochromatic (single wavelength) light, it may be sufficient to extract the light emitted from the light emitting element 20 while maintaining its wavelength characteristics. In this case, the wavelength conversion body 40 does not need to have a wavelength conversion function, and may function as a simple translucent body, for example. Even in this case, since the translucent body has the structure as described above, the separation of the light reflector 50 from the translucent body can be prevented, and the light emitting device 10 with high quality and high brightness can be provided. can.

このように、本実施例においては、発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に形成された発光素子２０と、発光素子２０上に形成された波長変換体４０と、波長変換体４０の側面を覆う光反射体５０と、を有する。 Thus, in this embodiment, the light-emitting device 10 includes the substrate 11, the light-emitting element 20 formed on the substrate 11, the wavelength converter 40 formed on the light-emitting element 20, and the wavelength converter 40. and a light reflector 50 covering the side surface.

また、本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０から放出された光が入射する光入射面４０Ｐをなす底面４１Ｂを有する柱状部４１と、柱状部４１上に形成されかつ柱状部４１の上面に一体的に形成された底面を有する錐台状部４２と、錐台状部４２上に形成されかつ錐台状部４２の上面に一体的に形成された底面を有する柱状部４３と、柱状部４３上に形成され、柱状部４３の上面に一体的に形成された底面及び当該底面とは反対の上面４４Ｂを有し、上面４４Ｂの縁から延びかつ上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部４４と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０を提供することができる。 In this embodiment, the wavelength converter 40 includes a columnar portion 41 having a bottom surface 41B forming a light incident surface 40P on which light emitted from the light emitting element 20 is incident, and a columnar portion formed on the columnar portion 41 and having A frustum-shaped portion 42 having a bottom surface formed integrally with the upper surface of the frustum-shaped portion 41, and a columnar portion 43 having a bottom surface formed integrally with the upper surface of the frustum-shaped portion 42 and formed on the frustum-shaped portion 42. is formed on the columnar portion 43, has a bottom surface integrally formed on the top surface of the columnar portion 43 and a top surface 44B opposite to the bottom surface, and extends from the edge of the top surface 44B and in a direction parallel to the top surface 44B and a round portion 44 having an outwardly convex curved side surface 44A. Therefore, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and the light emitting device 10 with high quality and high brightness can be provided.

図４は、実施例２に係る発光装置１０Ａの断面図である。発光装置１０Ａは、波長変換体４０Ａの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４上に形成された柱状部４５（第３の部分）を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。 FIG. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device 10A according to Example 2. FIG. 10 A of light-emitting devices have the same structure as the light-emitting device 10 except the structure of 40 A of wavelength conversion bodies. Also, the wavelength converter 40A has the same configuration as the wavelength converter 40 except that it has a columnar portion 45 (third portion) formed on the round portion 44 .

より具体的には、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の上面（図３における上面４４Ｂに対応する表面部分）が底面となるようにラウンド形状部４４上においてラウンド形状部４４に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部４５を有する。柱状部４５は、底面に対して垂直に延びる側面４５Ａを有する。本実施例においては、柱状部４５は、柱状部４３の底面よりも小さな底面及び上面を有する四角柱の形状を有する。 More specifically, the wavelength conversion body 40A is integrated with the round portion 44 on the round portion 44 so that the top surface of the round portion 44 (the surface portion corresponding to the top surface 44B in FIG. 3) becomes the bottom surface. It has a columnar portion 45 formed and having a columnar shape. The columnar portion 45 has a side surface 45A extending perpendicularly to the bottom surface. In this embodiment, the columnar portion 45 has the shape of a square column having a bottom surface and a top surface smaller than the bottom surface of the columnar portion 43 .

本実施例においては、柱状部４５は、平坦な上面４５Ｂを有する。また、柱状部４５の上面４５Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の側面４５Ａ及び上面４５Ｂの両方が光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の上面４５Ｂは、波長変換体４０Ａの光出射面４０Ｑとして機能する。 In this embodiment, the columnar portion 45 has a flat upper surface 45B. Also, the top surface 45B of the columnar portion 45 is exposed from the light reflector 50 . In this embodiment, both the side surface 45A and the top surface 45B of the columnar portion 45 are exposed from the light reflector 50. As shown in FIG. In this embodiment, the upper surface 45B of the columnar portion 45 functions as the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40A.

なお、本実施例においては、波長変換体４０Ａの全体が平板状の形状を有する。また、本実施例においては、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ、ラウンド形状部４４の側面４４Ａ及び柱状部４５の側面４５Ａの全体は、波長変換体４０Ａの側面を構成する。 In addition, in the present embodiment, the entire wavelength conversion body 40A has a plate-like shape. In this embodiment, the side surface 41A of the columnar portion 41, the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42, the side surface 43A of the columnar portion 43, the side surface 44A of the round-shaped portion 44, and the side surface 45A of the columnar portion 45 all have wavelengths It constitutes the side surface of the conversion body 40A.

本実施例においては、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の側面４４Ａである曲面形状の側面部分の上端から、柱状部４５の側面４５Ａである垂直に延びる側面部分を有する。これによって、波長変換体４０Ａの光出射面４０Ｑ上に光反射体５０となる熱硬化性樹脂が付着することが抑制される。 In this embodiment, the wavelength converter 40A has a side surface 45A of the columnar portion 45 extending vertically from the upper end of the curved side surface 44A of the round portion 44. As shown in FIG. As a result, the thermosetting resin that forms the light reflector 50 is prevented from adhering to the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40A.

より具体的には、本実施例においても、光反射体５０は、波長変換体４０Ａを発光素子２０に接着した後に、波長変換体４０Ａの側面を覆うような量で熱硬化性樹脂を塗布し、当該熱硬化性樹脂を硬化させることで、形成されることができる。この熱硬化性樹脂の塗布時においては、例えば熱硬化性樹脂の塗布量によって、熱硬化性樹脂の一部が波長変換体４０Ａの側面を越えて波長変換体４０Ａの上面に乗り上げることが想定される。 More specifically, also in this embodiment, the light reflector 50 is formed by applying a thermosetting resin in such an amount as to cover the side surface of the wavelength conversion body 40A after bonding the wavelength conversion body 40A to the light emitting element 20. can be formed by curing the thermosetting resin. At the time of applying the thermosetting resin, it is assumed that part of the thermosetting resin may cross over the side surface of the wavelength conversion body 40A and ride on the upper surface of the wavelength conversion body 40A, depending on the amount of the thermosetting resin applied. be.

特に、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは曲面形状を有するため、側面４４Ａを越えて上面４４Ｂ上に熱硬化性樹脂が濡れ広がる可能性がある。従って、熱硬化性樹脂の塗布量を厳密に調節することが必要となる場合や、また、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂ上に乗り上げた熱硬化性樹脂を除去する工程が発生する場合がある。 In particular, since the side surface 44A of the round portion 44 has a curved surface shape, the thermosetting resin may spread over the upper surface 44B beyond the side surface 44A. Therefore, it may be necessary to strictly adjust the amount of thermosetting resin to be applied, and a step of removing the thermosetting resin that has run over the upper surface 44B of the round portion 44 may be required.

これに対し、例えばわずかな厚さの柱状部４５をラウンド形状部４４上に設けることで、柱状部４５の側面４５Ａが熱硬化性樹脂の上面４５Ｂ上への乗り上げを防止する壁として機能する。従って、製造工程を厳格化し又は追加することなく、容易に波長変換体４０Ａの側面のみに光反射体５０を形成することができる。従って、例えば実施例１において説明した種々の効果を安定して得ることができる。 On the other hand, for example, by providing a slightly thick columnar portion 45 on the round portion 44, the side surface 45A of the columnar portion 45 functions as a wall that prevents the thermosetting resin from running over the upper surface 45B. Therefore, the light reflectors 50 can be easily formed only on the side surfaces of the wavelength conversion body 40A without tightening or adding the manufacturing process. Therefore, the various effects described in Example 1, for example, can be stably obtained.

このように、本実施例においては、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の上面が底面となるようにラウンド形状部４４上に形成され、かつ柱形状の柱状部４５を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ａを提供することができる。 Thus, in this embodiment, the wavelength converter 40A is formed on the round portion 44 so that the top surface of the round portion 44 is the bottom surface, and has the columnar portion 45 having a columnar shape. Therefore, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and the light emitting device 10A with high quality and high brightness can be provided.

図５は、実施例３に係る発光装置１０Ｂの断面図である。発光装置１０Ｂは、波長変換体４０Ｂの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｂは、錐台状部４２及びラウンド形状部４４のみからなる点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。 FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device 10B according to Example 3. FIG. The light-emitting device 10B has the same configuration as the light-emitting device 10 except for the configuration of the wavelength converter 40B. Also, the wavelength conversion body 40B has the same configuration as the wavelength conversion body 40 except that it consists only of the frustum-shaped portion 42 and the round-shaped portion 44 .

本実施例においては、波長変換体４０Ｂは、波長変換体４０から柱状部４１及び４３を除いた場合に相当する構成を有する。本実施例においては、錐台状部４２の底面４２Ｂは、接着層３０に接している。また、錐台状部４２の底面４２Ｂは、波長変換体４０Ｂにおける光入射面４０Ｐとして機能する。また、錐台状部４２の上面がラウンド形状部４４の底面となるように、ラウンド形状部４４が錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成されている。 In this embodiment, the wavelength converter 40B has a configuration corresponding to the wavelength converter 40 with the columnar portions 41 and 43 removed. In this embodiment, the bottom surface 42B of the frustum 42 is in contact with the adhesive layer 30. As shown in FIG. Further, the bottom surface 42B of the frustum-shaped portion 42 functions as the light incident surface 40P of the wavelength converter 40B. Further, a round portion 44 is integrally formed on the frustum portion 42 so that the top surface of the frustum portion 42 serves as the bottom surface of the round portion 44 .

また、本実施例においては、波長変換体４０Ｂは、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａの全体を側面として有する平板形状を有する。また、光反射体５０は、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａを覆うように基板１１上に形成されている。 Further, in this embodiment, the wavelength conversion body 40B has a flat plate shape having the entire side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 and the side surface 44A of the round-shaped portion 44 as side surfaces. Moreover, the light reflector 50 is formed on the substrate 11 so as to cover the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 and the side surface 44A of the round-shaped portion 44 .

本実施例のように、波長変換体４０Ｂは、柱状の部分を有していなくてもよい。この場合でも、錐台状部４２によって高輝度化を図ることができ、またラウンド形状部４４によって光反射体５０の剥離を抑制することができる。すなわち、例えば、波長変換体４０Ｂは、少なくとも錐台状部４２及びラウンド形状部４４を有していればよい。 As in this embodiment, the wavelength conversion body 40B does not have to have a columnar portion. Even in this case, the frustum-shaped portion 42 can increase the luminance, and the round-shaped portion 44 can suppress peeling of the light reflector 50 . That is, for example, the wavelength conversion body 40B should have at least the frustum-shaped portion 42 and the round-shaped portion 44 .

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｂは、基板１１と、基板１１の上面上に配置された発光素子２０と、発光素子２０上に配置されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体４０Ｂであって、基板１１の上面に沿って延びる底面４２Ｂを有しかつ錐台形状を有する錐台状部４２（第１の部分）と、錐台状部４２の上面上に配置された底面及び底面とは反対の上面４４Ｂを有し、上面４４Ｂの縁から延びかつ上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部４４（第２の部分）と、を有する波長変換体４０Ｂと、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａを覆うように形成されかつ発光素子２０及び波長変換体４０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体５０と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｂを提供することができる。 Thus, in this embodiment, the light-emitting device 10B includes the substrate 11, the light-emitting element 20 arranged on the upper surface of the substrate 11, and the light emitted from the light-emitting element 20 arranged on the light-emitting element 20. In contrast, the wavelength converter 40B that performs wavelength conversion has a frustum-shaped portion 42 (first portion) that has a bottom surface 42B extending along the upper surface of the substrate 11 and has a frustum shape, and a frustum-shaped portion A round portion having a bottom surface disposed on the top surface of 42 and a top surface 44B opposite to the bottom surface and having a curved side surface 44A extending from the edge of the top surface 44B and convex outward in a direction parallel to the top surface 44B. 44 (second portion), a wavelength converting body 40B formed to cover side 42A of frustum 42 and side 44A of rounding 44 and produced by light emitting element 20 and wavelength converting body 40B and a light reflector 50 that is reflective to reflected light. Therefore, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and the light emitting device 10B with high quality and high brightness can be provided.

図６は、実施例４に係る発光装置１０Ｃの断面図である。発光装置１０Ｃは、波長変換体４０Ｃの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｃは、ラウンド形状部４４に代えて錐台状部（第２の錐台状部又は第２の部分）４６を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。 FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device 10C according to Example 4. FIG. The light emitting device 10C has the same configuration as the light emitting device 10 except for the configuration of the wavelength conversion body 40C. Also, the wavelength converter 40C has the same configuration as the wavelength converter 40 except that it has a frustum-shaped portion (second frustum-shaped portion or second portion) 46 instead of the round-shaped portion 44. have

本実施例においては、波長変換体４０Ｃは、柱状部４３の上面が底面となるように柱状部４３上において柱状部４３に一体的に形成され、かつ錐台形状を有する錐台状部４６を有する。錐台状部４６は、光反射体５０に覆われた側面４６Ａと、光反射体５０から露出した上面４６Ｂとを有する。本実施例においては、錐台状部４６の上面４６Ｂは、波長変換体４０Ｃにおける光出射面４０Ｑとして機能する。 In this embodiment, the wavelength converter 40C has a frustum-shaped portion 46 formed integrally with the columnar portion 43 on the columnar portion 43 so that the top surface of the columnar portion 43 serves as the bottom surface. have. The frustum-shaped portion 46 has a side surface 46A covered with the light reflector 50 and an upper surface 46B exposed from the light reflector 50 . In this embodiment, the upper surface 46B of the frustum-shaped portion 46 functions as the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40C.

本実施例においては、光反射体５０は、実施例１と同様に、錐台状部４６の上面４６Ｂよりも基板１１に近い高さ位置の平面部Ｓ１１と、平面部Ｓ１１よりも波長変換体４０Ｃ側において平面部Ｓ１１よりも錐台状部４６の上面４６Ｂに近い位置に形成され、かつ基板１１に向かって凹となるように屈曲する曲面部Ｓ１２を有する。 In this embodiment, as in the first embodiment, the light reflector 50 includes a plane portion S11 at a height position closer to the substrate 11 than the top surface 46B of the frustum portion 46, and It has a curved surface portion S12 that is formed closer to the upper surface 46B of the frustum-shaped portion 46 than the flat portion S11 on the side of 40C and that bends concavely toward the substrate 11 .

本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａにおける曲面部Ｓ１２は、平面部Ｓ１１から湾曲して形成された部分である。また、曲面部Ｓ１２は、錐台状部４６の側面４６Ａに接している。本実施例においては、曲面部Ｓ１２は、錐台状部４６の側面４６Ａの上端部に接している。 In this embodiment, the curved surface portion S12 of the upper surface 50A of the light reflector 50 is a portion curved from the flat surface portion S11. Further, the curved surface portion S12 is in contact with the side surface 46A of the frustum-shaped portion 46. As shown in FIG. In this embodiment, the curved surface portion S12 is in contact with the upper end portion of the side surface 46A of the frustum-shaped portion 46. As shown in FIG.

図７は、波長変換体４０Ｃの側面近傍を拡大して示す図である。図７は、図６における２点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図７を用いて、波長変換体４０Ｃの詳細な構成について説明する。 FIG. 7 is an enlarged view showing the vicinity of the side surface of the wavelength conversion body 40C. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged portion surrounded by a two-dot chain line in FIG. A detailed configuration of the wavelength converter 40C will be described with reference to FIG.

図７に示すように、波長変換体４０Ｃにおいて、錐台状部４２の側面４２Ａは、錐台状部４２の底面に対して角度θ１だけ傾斜している。また、本実施例においては、錐台状部４６の側面４６Ａは、錐台状部４６の底面に対して、角度θ１よりも小さな角度θ２だけ傾斜している。 As shown in FIG. 7, in the wavelength converter 40C, the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 is inclined with respect to the bottom surface of the frustum-shaped portion 42 by an angle θ1. In this embodiment, the side surface 46A of the frustum-shaped portion 46 is inclined with respect to the bottom surface of the frustum-shaped portion 46 by an angle θ2 smaller than the angle θ1.

波長変換体４０Ｃにおいて錐台状部４２の側面４２Ａ及び錐台状部４６の側面４６Ａがこのような傾斜角の関係を有することで、高輝度化及び剥離防止の両立を図ることができる。 In the wavelength converter 40C, the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 and the side surface 46A of the frustum-shaped portion 46 have such an inclination angle relationship, so that both high brightness and prevention of peeling can be achieved.

具体的には、まず、波長変換体４０Ｃ内において、錐台状部４２は、主に、光を集光し、高輝度化を図る目的で設けられている。従って、傾斜角θ１が小さすぎると、集光機能は果たせるものの、錐台状部４２から光出射面４０Ｑに向かう光が少なくなる。従って、錐台状部４２の側面４２Ａは、傾斜角θ１がある程度大きくなるように構成されていることが好ましい。 Specifically, first, in the wavelength conversion body 40C, the frustum-shaped portion 42 is provided mainly for the purpose of condensing light and achieving high brightness. Therefore, if the inclination angle θ1 is too small, the light condensing function can be achieved, but the amount of light from the frustum-shaped portion 42 toward the light exit surface 40Q is reduced. Therefore, it is preferable that the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 is configured so that the inclination angle θ1 is somewhat large.

一方、錐台状部４６は、主に、その側面４６Ａに光反射体５０を強く密着させ、光反射体５０の波長変換体４０Ｃからの剥離を防止する目的で設けられている。従って、傾斜角θ２が大きすぎると、光反射体５０の側面４６Ａへの密着力が低下し、剥離防止効果が小さくなる。従って、錐台状部４６の側面４６Ａは、傾斜角θ２がある程度小さくなるように構成されていることが好ましい。 On the other hand, the frustum-shaped portion 46 is mainly provided for the purpose of strongly adhering the light reflector 50 to its side surface 46A and preventing the separation of the light reflector 50 from the wavelength converter 40C. Therefore, if the inclination angle θ2 is too large, the adhesion of the light reflector 50 to the side surface 46A is reduced, and the separation prevention effect is reduced. Therefore, the side surface 46A of the frustum-shaped portion 46 is preferably configured so that the inclination angle θ2 is somewhat small.

これに対し、本実施例においては、錐台状部４２及び４６は、傾斜角θ１及びθ２がθ１＞θ２の関係を満たすように構成されている。従って、高輝度化を図りつつ、高い剥離防止効果を得ることができる。 In contrast, in this embodiment, the frustum-shaped portions 42 and 46 are configured so that the inclination angles θ1 and θ2 satisfy the relationship θ1>θ2. Therefore, it is possible to obtain a high peeling prevention effect while achieving high luminance.

なお、傾斜角θ１及びθ２の関係は、これに限定されない。波長変換体４０Ｃは、錐台状部４６を有していれば一定の剥離防止効果を得ることができる。すなわち、波長変換体４０Ｃは、錐台状部４２の側面４２Ａの傾斜角θ１とは異なる傾斜角θ２で傾斜する側面４６Ａを有する錐台状部４６を有していればよい。 Note that the relationship between the tilt angles θ1 and θ2 is not limited to this. If the wavelength converter 40C has the frustum-shaped portion 46, it is possible to obtain a certain peeling prevention effect. That is, the wavelength converter 40C may have the frustum-shaped portion 46 having the side surface 46A inclined at the inclination angle θ2 different from the inclination angle θ1 of the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 .

また、発光装置１０と同様に、光反射体５０の上面５０Ａは平面部Ｓ１１及び曲面部Ｓ１２を有する場合に限定されない。光反射体５０は、波長変換体４０Ｃの側面を覆っていればよい。 Further, like the light-emitting device 10, the upper surface 50A of the light reflector 50 is not limited to having the flat surface portion S11 and the curved surface portion S12. The light reflector 50 should just cover the side surface of the wavelength converter 40C.

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｃは、柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及び錐台状部４６を有する波長変換体４０Ｃを有する。従って、この波長変換体４０Ｃの側面を覆うように形成することで、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｃを提供することができる。 Thus, in this embodiment, the light emitting device 10C has a wavelength converter 40C having the columnar portion 41, the frustum portion 42, the columnar portion 43, and the frustum portion 46. FIG. Therefore, by forming the wavelength converter 40C so as to cover the side surface thereof, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and a high-quality and high-luminance light-emitting device 10C can be provided.

図８は、実施例５に係る発光装置１０Ｄの断面図である。発光装置１０Ｄは、波長変換体４０Ｄの構成を除いては、発光装置１０Ｃと同様の構成を有する。また波長変換体４０Ｄは、錐台状部４６上に柱状部４５を有する点を除いては、波長変換体４０Ｃと同様の構成を有する。 FIG. 8 is a cross-sectional view of a light emitting device 10D according to Example 5. FIG. The light emitting device 10D has the same configuration as the light emitting device 10C, except for the configuration of the wavelength converter 40D. The wavelength converter 40D has the same configuration as the wavelength converter 40C, except that the columnar portion 45 is provided on the frustum portion 46. As shown in FIG.

本実施例は、実施例４に実施例２を組み合わせた場合に相当する。具体的には、本実施例においては、波長変換体１０Ｄは、錐台状部４６の上面（図６における上面４６Ｂに対応する表面部分）が底面となるように錐台状部４６上において錐台状部４６に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部（第３の柱状部）４５を有する。 This embodiment corresponds to the case where the fourth embodiment is combined with the second embodiment. Specifically, in this embodiment, the wavelength converter 10D is placed on the frustum-shaped portion 46 so that the top surface of the frustum-shaped portion 46 (the surface portion corresponding to the top surface 46B in FIG. 6) becomes the bottom surface. It has a columnar portion (third columnar portion) 45 that is formed integrally with the pedestal portion 46 and has a columnar shape.

柱状部４５は、底面に対して垂直に延びる側面４５Ａと、平坦な上面４５Ｂと、を有する。また、柱状部４５の上面４５Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の側面４５Ａ及び上面４５Ｂの両方が光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の上面４４Ｂは、波長変換体４０Ｄの光出射面４０Ｑとして機能する。 The columnar portion 45 has a side surface 45A extending perpendicularly to the bottom surface and a flat upper surface 45B. Also, the top surface 45B of the columnar portion 45 is exposed from the light reflector 50 . In this embodiment, both the side surface 45A and the top surface 45B of the columnar portion 45 are exposed from the light reflector 50. As shown in FIG. In this embodiment, the upper surface 44B of the columnar portion 45 functions as the light exit surface 40Q of the wavelength converter 40D.

柱状部４５を錐台状部４６上に設けた場合でも、柱状部４５の側面４５Ａが熱硬化性樹脂の上面４５Ｂ上への乗り上げを防止する壁として機能する。従って、製造工程を厳格化し又は追加することなく、容易に波長変換体４０Ｄの側面のみに光反射体５０を形成することができる。従って、例えば実施例１及び４において説明した種々の効果を安定して得ることができる。 Even when the columnar portion 45 is provided on the frustum-shaped portion 46, the side surface 45A of the columnar portion 45 functions as a wall that prevents the thermosetting resin from running over the upper surface 45B. Therefore, the light reflectors 50 can be easily formed only on the side surfaces of the wavelength converter 40D without tightening or adding to the manufacturing process. Therefore, various effects described in Examples 1 and 4, for example, can be stably obtained.

本実施例においては、波長変換体４０Ｄは、錐台状部４６の上面が底面となるように錐台状部４６上に形成され、かつ柱形状の柱状部４５を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｄを提供することができる。 In this embodiment, the wavelength converter 40</b>D is formed on the frustum-shaped portion 46 so that the top surface of the frustum-shaped portion 46 becomes the bottom surface, and has a columnar portion 45 . Therefore, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and a high-quality and high-luminance light-emitting device 10D can be provided.

図９は、実施例６に係る発光装置１０Ｅの断面図である。発光装置１０Ｅは、波長変換体４０Ｅの構成を除いては、発光装置１０Ｃと同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｅは、錐台状部４２及び４６のみからなる点を除いては、波長変換体４０Ｃと同様の構成を有する。 FIG. 9 is a cross-sectional view of a light emitting device 10E according to Example 6. FIG. The light-emitting device 10E has the same configuration as the light-emitting device 10C except for the configuration of the wavelength converter 40E. Also, the wavelength conversion body 40E has the same configuration as the wavelength conversion body 40C, except that it consists of only the frustum-shaped portions 42 and 46. As shown in FIG.

本実施例においては、波長変換体４０Ｅは、波長変換体４０Ｃから柱状部４１及び４３を除いた場合に相当する構成を有する。本実施例においては、錐台状部４２の底面４２Ｂは、接着層３０に接している。また、錐台状部４２の底面４２Ｂは、波長変換体４０Ｅにおける光入射面４０Ｐとして機能する。また、錐台状部４２の上面が錐台状部４６の底面となるように、錐台状部４６が錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成されている。 In this embodiment, the wavelength converter 40E has a configuration corresponding to the wavelength converter 40C with the columnar portions 41 and 43 removed. In this embodiment, the bottom surface 42B of the frustum 42 is in contact with the adhesive layer 30. As shown in FIG. Further, the bottom surface 42B of the frustum-shaped portion 42 functions as the light incident surface 40P of the wavelength converter 40E. A frustum-shaped portion 46 is integrally formed on the frustum-shaped portion 42 so that the top surface of the frustum-shaped portion 42 serves as the bottom surface of the frustum-shaped portion 46 .

本実施例のように、波長変換体４０Ｅは、少なくとも錐台状部４２及び４６を有していればよい。これによって、発光装置１０Ｅの高輝度化及び剥離防止の効果を得ることができる。 As in this embodiment, the wavelength converter 40E may have at least the frustum-shaped portions 42 and 46 . As a result, the effects of increasing the brightness of the light emitting device 10E and preventing peeling can be obtained.

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｅは、基板１１と、基板１１の上面上に配置された発光素子２０と、発光素子２０上に配置されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体４０Ｅであって、発光素子２０上に形成され、基板１１の上面に沿って延びる底面を有する錐台形状の錐台状部４２（第１の部分）と、錐台状部４２の上面上に底面が配置され、錐台形状を有しかつ錐台状部４２における側面４２Ａの底面に対する傾斜角θ１とは異なる傾斜角θ２で底面から傾斜した側面４６Ａを有する錐台状部４６（第２の部分）と、を有する波長変換体４０Ｅと、錐台状部４２の側面４２Ａ及び錐台状部４６の側面４６Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体４０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体５０と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｅを提供することができる。 Thus, in this embodiment, the light-emitting device 10E includes the substrate 11, the light-emitting element 20 arranged on the upper surface of the substrate 11, and the light emitted from the light-emitting element 20 arranged on the light-emitting element 20. A wavelength conversion body 40E for performing wavelength conversion, which is formed on the light emitting element 20 and has a frustum-shaped portion 42 (first portion) having a bottom surface extending along the top surface of the substrate 11; The bottom surface is arranged on the top surface of the frustum-shaped portion 42, and has a side surface 46A which has a frustum shape and is inclined from the bottom surface at an inclination angle θ2 different from the inclination angle θ1 of the side surface 42A of the frustum-shaped portion 42 with respect to the bottom surface. a wavelength conversion body 40E having a frustum-shaped portion 46 (second portion); and a light reflector 50 that is reflective to the light generated by the element 20 and the wavelength conversion body 40B. Therefore, deterioration of the light reflector 50 can be prevented, and a high-quality and high-luminance light emitting device 10E can be provided.

図１０は、実施例７に係る発光装置６０の模式的な斜視図である。また、図１１及び１２は、それぞれ発光装置６０の上面図及び断面図である。図１２は、図１１における１２－１２線に沿った断面図である。図１０乃至図１２を用いて、発光装置６０の構成について説明する。 FIG. 10 is a schematic perspective view of a light emitting device 60 according to Example 7. FIG. 11 and 12 are a top view and a cross-sectional view of the light emitting device 60, respectively. 12 is a cross-sectional view taken along line 12--12 in FIG. 11. FIG. The configuration of the light emitting device 60 will be described with reference to FIGS. 10 to 12. FIG.

本実施例においては、発光装置６０は、波長変換体７０及び光反射体８０の構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。本実施例においては、波長変換体７０は、ラウンド形状の上面を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。また、光反射体８０は、一様に平坦な上面８０Ａを有する点を除いては、光反射体５０と同様の構成を有する。 In this embodiment, the light-emitting device 60 has the same configuration as the light-emitting device 10 except for the configurations of the wavelength converter 70 and the light reflector 80 . In this embodiment, the wavelength conversion body 70 has the same configuration as the wavelength conversion body 40 except that it has a round upper surface. Moreover, the light reflector 80 has the same configuration as the light reflector 50 except that it has a uniformly flat upper surface 80A.

まず、波長変換体７０は、波長変換体４０における柱状部４１及び錐台状部４２と同様の柱状部（第３の部分）７１及び錐台状部（第１の部分）７２と、を有する。柱状部７１は、基板１１に対して垂直に延びる側面７１Ａと、接着層３０を介して発光素子２０の半導体層２２に対向する底面７１Ｂと、を有する。柱状部７１の底面７１Ｂは、波長変換体７０における光入射面７０Ｐとして機能する。本実施例においては、柱状部７１は、四角柱の形状を有する。 First, the wavelength converter 70 has a columnar portion (third portion) 71 and a frustum portion (first portion) 72 similar to the columnar portion 41 and the frustum portion 42 of the wavelength converter 40. . The columnar portion 71 has a side surface 71A extending perpendicularly to the substrate 11 and a bottom surface 71B facing the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 with the adhesive layer 30 interposed therebetween. A bottom surface 71B of the columnar portion 71 functions as a light incident surface 70P of the wavelength conversion body 70 . In this embodiment, the columnar portion 71 has a square prism shape.

また、錐台状部７２は、柱状部７１の上面が底面となるように柱状部７１上において柱状部７１に一体的に形成され、傾斜した側面７２Ａを有する。本実施例においては、錐台状部７２は、四角錐台の形状を有する。 The frustum-shaped portion 72 is formed integrally with the columnar portion 71 on the columnar portion 71 so that the top surface of the columnar portion 71 serves as the bottom surface, and has an inclined side surface 72A. In this embodiment, the frustum-shaped portion 72 has the shape of a truncated quadrangular pyramid.

また、本実施例においては、波長変換体７０は、錐台状部７２上において錐台状部７２に一体的に形成され、かつ柱形状の柱状部（第２の部分）７３を有する。本実施例においては、柱状部７３は、基板１１に垂直に延びかつ光反射体８０に覆われた側面７３Ａと、矩形の角が丸まった形状を有しかつ光反射体８０から露出した上面７３Ｂと、を有する。 In this embodiment, the wavelength converter 70 is integrally formed on the frustum-shaped portion 72 and has a columnar portion (second portion) 73 . In this embodiment, the columnar portion 73 has a side surface 73A extending perpendicular to the substrate 11 and covered with the light reflector 80, and an upper surface 73B having a rectangular shape with rounded corners and exposed from the light reflector 80. and have

本実施例においては、柱状部７３の上面７３Ｂは、波長変換体７０における光出射面７０Ｑとして機能する。本実施例においては、発光装置６０は、略矩形であり角が丸まった形状の光取り出し面を有する。 In this embodiment, the upper surface 73B of the columnar portion 73 functions as the light exit surface 70Q of the wavelength converter 70. As shown in FIG. In this embodiment, the light emitting device 60 has a substantially rectangular light extraction surface with rounded corners.

このように、本実施例においては、波長変換体７０は、矩形の角が円形状に面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部７３を有する。これによって、光反射体８０の上面８０Ａにおける波長変換体７０の近傍のクラックの発生を防止することができる。 As described above, in this embodiment, the wavelength converter 70 has the columnar portion 73 having the upper surface 73B in which the corners of the rectangle are chamfered in a circular shape. This can prevent cracks from occurring in the vicinity of the wavelength converter 70 on the upper surface 80A of the light reflector 80 .

より具体的には、波長変換体７０の上面には、矩形の角をなすように鋭角で屈曲する部分が存在しない。仮に、波長変換体の上面に例えば９０°以下の角度で屈曲する部分が設けられ、この上面を覆うように光反射体を形成した場合、光反射体における当該屈曲部分を覆う部分は、応力が集中しやすい部分となる。この場合に発光素子２０を例えば大電流又は長時間駆動した場合、当該屈曲部分を起点として光反射体にクラックが生ずる場合がある。従って、性能及び品質が早期に劣化する場合がある。 More specifically, the upper surface of the wavelength conversion body 70 does not have a portion bent at an acute angle to form a rectangular corner. If a portion bent at an angle of, for example, 90° or less is provided on the upper surface of the wavelength conversion body, and the light reflector is formed so as to cover this upper surface, the portion of the light reflector that covers the bent portion is subjected to stress. It becomes an easy part to concentrate. In this case, when the light emitting element 20 is driven with a large current or for a long period of time, cracks may occur in the light reflector starting from the bent portion. Therefore, performance and quality may degrade prematurely.

これに対し、本実施例においては、波長変換体７０は、矩形の角が面取りされた形状の上面７３を有する柱状部７３を有する。従って、光反射体８０に応力が生じた場合でも、その応力が分散されやすい。従って、光反射体８０にクラックが発生することが抑制される。従って、長期に安定した品質及び性能の発光装置６０を提供することができる。また、波長変換体７０が柱状部７１を有することで、波長変換体７０内における波長変換ムラを抑制することができる。 On the other hand, in the present embodiment, the wavelength converter 70 has a columnar portion 73 having an upper surface 73 of a rectangular shape with chamfered corners. Therefore, even when stress is generated in the light reflector 80, the stress is easily dispersed. Therefore, the occurrence of cracks in the light reflector 80 is suppressed. Therefore, it is possible to provide the light emitting device 60 with stable quality and performance over a long period of time. Further, since the wavelength conversion body 70 has the columnar portion 71, wavelength conversion unevenness in the wavelength conversion body 70 can be suppressed.

また、本実施例においては、波長変換体７０の上面、すなわち柱状部７３の上面７３Ｂは、ほぼ矩形の形状を有する。これによって、例えば実施例１において説明したように、発光装置６０は、車両用灯具に用いられる場合に好適な構成となる。 Further, in this embodiment, the upper surface of the wavelength converter 70, that is, the upper surface 73B of the columnar portion 73 has a substantially rectangular shape. As a result, for example, as described in the first embodiment, the light emitting device 60 has a suitable configuration when used as a vehicle lamp.

なお、波長変換体７０の上面は矩形形状を有する場合に限定されない。例えば、柱状部７３の上面７３Ｂは、多角形状（例えば三角形や五角形など）の角が面取りされた形状を有していればよい。 Note that the upper surface of the wavelength conversion body 70 is not limited to having a rectangular shape. For example, the upper surface 73B of the columnar portion 73 may have a polygonal (for example, triangular, pentagonal, etc.) shape with chamfered corners.

なお、本実施例においては、錐台状部７２に接するように柱状部７３Ｂが形成される場合について説明した。しかし、柱状部７３と錐台状部７２との間には、別の形状の部分が設けられていてもよい。 In this embodiment, the case where the columnar portion 73B is formed so as to be in contact with the frustum-shaped portion 72 has been described. However, a portion having another shape may be provided between the columnar portion 73 and the frustum portion 72 .

また、本実施例においては、柱状部７３が柱状の形状を有する場合、すなわち基板１１に垂直な側面７３Ａを有する場合について説明した。しかし、柱状部７３の側面形状はこれに限定されない。少なくとも、矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂを有する種々の立体形状を有する部分が錐台状部７２上に形成されていればよい。なお、光取り出し面内における光の強度ムラ及び色ムラを抑制することを考慮すると、錐台状部７２よりも発光素子２０側に柱形状を有する柱状部７１が設けられていることが好ましい。 Moreover, in the present embodiment, the case where the columnar portion 73 has a columnar shape, that is, the case where the side surface 73A is perpendicular to the substrate 11 has been described. However, the side shape of the columnar portion 73 is not limited to this. At least, a portion having various three-dimensional shapes having a rectangular top surface 73B with chamfered corners is formed on the frustum-shaped portion 72 . Considering suppression of light intensity unevenness and color unevenness in the light extraction surface, it is preferable that the columnar portion 71 having a columnar shape is provided closer to the light emitting element 20 than the frustum portion 72 is.

このように、本実施例においては、発光装置６０は、発光素子２０上に形成され、基板１１の上面に沿って延びる底面７１Ｂを有しかつ柱形状を有する柱状部７１と、柱状部７１上に形成されかつ錐台形状を有する錐台状部７２（第１の部分）と、錐台状部７２上に形成され、柱形状を有しかつ矩形の角が円形状に面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部（第２の部分）７３と、を有する波長変換体７０と、柱状部７１の側面７１Ａ、錐台状部７２の側面７２Ａ及び柱状部７３の側面７３Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体７０によって生成された光に対して反射性を有する光反射体８０と、を有する。従って、光反射体８０の早期劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置６０を提供することができる。 Thus, in this embodiment, the light-emitting device 60 includes a columnar portion 71 formed on the light-emitting element 20 and having a bottom surface 71B extending along the upper surface of the substrate 11 and having a columnar shape. and a frustum-shaped portion 72 (first portion) formed on the frustum-shaped portion 72 and formed on the frustum-shaped portion 72 and having a columnar shape and a shape in which the corners of the rectangle are chamfered into a circular shape. A wavelength conversion body 70 having a columnar portion (second portion) 73 having an upper surface 73B; 11 and a light reflector 80 that is reflective to the light generated by the light emitting element 20 and the wavelength converting body 70 . Therefore, early deterioration of the light reflector 80 can be prevented, and a high-quality and high-luminance light-emitting device 60 can be provided.

図１３は、実施例８に係る発光装置６０Ａの上面図である。図１４は、発光装置６０Ａの断面図である。図１４は、図１３の１４－１４線に沿った断面図である。図１３及び図１４を用いて、発光装置６０Ａの構成について説明する。 FIG. 13 is a top view of a light emitting device 60A according to Example 8. FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view of the light emitting device 60A. 14 is a cross-sectional view along line 14-14 of FIG. 13. FIG. The configuration of the light emitting device 60A will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG.

発光装置６０Ａは、波長変換体７０Ａの構成を除いては、発光装置６０と同様の構成を有する。また、波長変換体７０Ａは、柱状部７３に代えて柱状部（第２の部分）７４を有する点を除いては、波長変換体７０と同様の構成を有する。 60 A of light-emitting devices have the same structure as the light-emitting device 60 except the structure of 70 A of wavelength conversion bodies. Also, the wavelength converter 70A has the same configuration as the wavelength converter 70 except that it has a columnar portion (second portion) 74 instead of the columnar portion 73 .

本実施例においては、波長変換体７０Ａは、錐台状部７２上に形成され、基板１１から垂直に延びる側面７４Ａと、角が直線状に面取りされた形状の上面７４Ｂと、を有する柱状部７４を有する。本実施例においては、柱状部７４の上面７４Ｂは、波長変換体７０Ａの光出射面７０Ｑとして機能する。 In this embodiment, the wavelength conversion body 70A is formed on the frustum-shaped portion 72 and has a columnar portion having a side surface 74A extending vertically from the substrate 11 and an upper surface 74B having a straight chamfered corner. 74. In this embodiment, the upper surface 74B of the columnar portion 74 functions as the light exit surface 70Q of the wavelength converter 70A.

本実施例においては、柱状部７４の上面７４Ｂは、矩形の角が直線状に面取りされた（Ｃ面取りされた）形状を有する。このような上面形状の上面７４Ｂを有している場合でも、光反射体８０内で応力が集中しにくくなり、上面８０Ａにクラックが生じにくくなる。従って、安定した品質及び高輝度な発光装置６０Ａを提供することができる。 In this embodiment, the upper surface 74B of the columnar portion 74 has a shape in which the corners of a rectangle are linearly chamfered (C-chamfered). Even when the upper surface 74B has such an upper surface shape, stress is less likely to concentrate in the light reflector 80, and cracks are less likely to occur in the upper surface 80A. Therefore, it is possible to provide the light emitting device 60A with stable quality and high luminance.

図１５は、実施例９に係る発光装置６０Ｂの断面図である。発光装置６０Ｂは、波長変換体７０Ｂの構成を除いては、発光装置６０と同様の構成を有する。また、波長変換体７０Ｂは、錐台状部７２及び柱状部７３のみからなる点を除いては、波長変換体７０と同様の構成を有する。 FIG. 15 is a cross-sectional view of a light emitting device 60B according to Example 9. FIG. The light-emitting device 60B has the same configuration as the light-emitting device 60 except for the configuration of the wavelength converter 70B. Also, the wavelength conversion body 70B has the same configuration as the wavelength conversion body 70 except that it consists of only the frustum-shaped portion 72 and the columnar portion 73 .

本実施例においては、波長変換体７０Ｂは、波長変換体７０から柱状部７１を除いた場合に相当する構成を有する。従って、錐台状部７２の底面７２Ｂが光入射面７０Ｐとして発光素子２０の半導体層２２に対向して配置される。 In this embodiment, the wavelength converter 70B has a configuration corresponding to the wavelength converter 70 with the columnar portion 71 removed. Therefore, the bottom surface 72B of the frustum-shaped portion 72 is arranged to face the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 as the light incident surface 70P.

このように、波長変換体７０Ｂは、柱状部７１を有していなくてもよい。すなわち、波長変換体７０Ｂは、少なくとも錐台状部７２及び柱状部７３を有していればよい。また、実施例７及び８において説明したように、波長変換体７３は、例えば柱状部７３又は７４のように、矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂ又は７４Ｂを有する種々の立体形状の部分を有していればよい。これによって、最もクラックの生じやすい部分である光反射体８０の上面８０Ａの近傍での応力が分散される。従って、光反射体８０の早期劣化を抑制することができる。 Thus, the wavelength conversion body 70B does not have to have the columnar portion 71 . That is, the wavelength conversion body 70B only needs to have at least the frustum-shaped portion 72 and the columnar portion 73 . Further, as described in Embodiments 7 and 8, the wavelength conversion body 73 includes various three-dimensional portions having upper surfaces 73B or 74B with rectangular corners chamfered, such as the columnar portions 73 and 74. should have This disperses the stress in the vicinity of the upper surface 80A of the light reflector 80 where cracks are most likely to occur. Therefore, early deterioration of the light reflector 80 can be suppressed.

このように、本実施例においては、発光装置６０Ｂは、基板１１と、基板１１の上面上に形成された発光素子２０と、発光素子２０上に形成されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体７０Ｂであって、基板１１の上面に沿って延びる底面７２Ｂを有しかつ錐台形状を有する錐台状部７２（第１の部分）と、錐台状部７２の上面上に底面が配置されかつ矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部（第２の部分）７３と、を有する波長変換体７０Ｂと、錐台状部７２の側面７２Ａ及び柱状部７３の側面７３Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体７０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体８０と、を有する。従って、光反射体８０の早期劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置６０Ｂを提供することができる。 Thus, in this embodiment, the light-emitting device 60B includes the substrate 11, the light-emitting element 20 formed on the upper surface of the substrate 11, and the light emitted from the light-emitting element 20 formed on the light-emitting element 20. A wavelength conversion body 70B for performing wavelength conversion has a frustum-shaped portion 72 (first portion) having a bottom surface 72B extending along the upper surface of the substrate 11 and having a frustum shape, and a frustum-shaped portion a columnar portion (second portion) 73 having a bottom surface arranged on the top surface of the truncated portion 72 and having a rectangular top surface 73B with chamfered corners; and a light reflector 80 formed on the substrate 11 so as to cover the side surface 73A of the columnar portion 73 and having reflectivity with respect to the light generated by the light emitting element 20 and the wavelength converter 70B. Therefore, early deterioration of the light reflector 80 can be prevented, and a high-quality and high-luminance light-emitting device 60B can be provided.

１０、１０Ａ～１０Ｅ、６０、６０Ａ、６０Ｂ 発光装置
１１ 基板
２０ 発光素子
４０、４０Ａ～４０Ｅ、７０、７０Ａ、７０Ｂ 波長変換体
５０、８０ 光反射体 10, 10A to 10E, 60, 60A, 60B Light emitting device 11 Substrate 20 Light emitting element 40, 40A to 40E, 70, 70A, 70B Wavelength converter 50, 80 Light reflector

Claims (8)

基板と、
前記基板の上面上に配置された発光素子と、
前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、前記第１の部分の上面上に配置された底面及び前記底面とは反対側の上面を有し、前記第１の部分の上面の縁から延びかつ前記第１の部分の上面に平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面を有する第２の部分と、を有する前記波長変換体と、
前記第１の部分の側面及び前記第２の部分の側面を覆うように形成されかつ前記発光素子及び前記波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有し、
前記第１の部分の底面は前記発光素子に向いており、前記第１の部分の上面は前記発光素子の反対側を向いておりかつ前記第１の部分の底面より小さい面積を有し、
前記波長変換体は、前記第２の部分の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する第３の部分をさらに有し、
前記第３の部分の上面は、前記光反射体から露出していることを特徴とする発光装置。 a substrate;
a light emitting element disposed on the upper surface of the substrate;
A wavelength conversion body arranged on the light emitting element to convert the wavelength of light emitted from the light emitting element, the wavelength converting body having a bottom surface extending along the top surface of the substrate and having a truncated cone shape. 1, a bottom surface located on the top surface of the first portion and a top surface opposite to the bottom surface, extending from an edge of the top surface of the first portion and the top surface of the first portion. a second portion having a curved side surface convex outward in a direction parallel to the wavelength converter;
a light reflector formed to cover the side surface of the first portion and the side surface of the second portion and having reflectivity with respect to the light generated by the light emitting element and the wavelength converter; ,
a bottom surface of the first portion faces the light emitting device, a top surface of the first portion faces the opposite side of the light emitting device and has a smaller area than a bottom surface of the first portion;
The wavelength converter further has a third portion having a bottom surface disposed on the top surface of the second portion and having a columnar shape,
The light-emitting device , wherein the upper surface of the third portion is exposed from the light reflector . 前記波長変換体は、前記第１の部分と前記第２の部分との間に配置されかつ柱形状を有する第４の部分を有し、
前記第４の部分の底面は、前記第１の部分の上面上に配置され、かつ前記第１の部分の上面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記第４の部分の上面は、前記第２の部分の底面の下に配置され、かつ、前記第２の部分の底面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記光反射体は、前記第４の部分の側面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 the wavelength converter has a fourth portion disposed between the first portion and the second portion and having a columnar shape ;
the bottom surface of the fourth portion is disposed on the top surface of the first portion and integrally formed to share the same plane as the top surface of the first portion;
the top surface of the fourth portion is disposed below the bottom surface of the second portion and is coplanar with and integrally formed with the bottom surface of the second portion;
2. The light emitting device according to claim 1 , wherein the light reflector covers the side surface of the fourth portion . 前記波長変換体は、最も前記発光素子側に配置されかつ柱形状を有する第５の部分を有し、
前記第５の部分の底面は、前記発光素子側を向いて光入射面を構成し、
前記第５の部分の上面は、前記第５の部分の底面と反対側の面であって前記第１の部分の底面の下に配置され、かつ、前記第１の部分の底面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記第５の部分の側面は前記光反射体に覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。 the wavelength converter has a fifth portion arranged closest to the light emitting element and having a columnar shape;
the bottom surface of the fifth portion faces the light emitting element side and constitutes a light incident surface;
The top surface of the fifth portion is a surface opposite to the bottom surface of the fifth portion, is arranged below the bottom surface of the first portion, and is flush with the bottom surface of the first portion. shared and integrally formed,
3. The light emitting device according to claim 1, wherein a side surface of said fifth portion is covered with said light reflector . 前記光反射体は、前記基板に沿って延びる平面部と、前記基板に向かって凹となるように湾曲しつつ前記平面部から延びて前記第２の部分の前記側面に接する曲面部と、を有する上面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。 The light reflector has a flat portion extending along the substrate, and a curved portion extending from the flat portion while curving to be concave toward the substrate and in contact with the side surface of the second portion. 4. A light emitting device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it has an upper surface with a . 基板と、
前記基板の上面上に配置された発光素子と、
前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、前記第１の部分の上面上に配置されかつ柱形状を有する第４の部分と、前記第４の部分の上面上に底面が配置され、錐台形状を有しかつ前記第１の部分の側面の前記底面に対する傾斜角とは異なる傾斜角で前記底面から傾斜する側面を有する第２の部分と、を有する前記波長変換体と、
前記第１の部分の前記側面及び前記第２の部分の前記側面を覆うように形成されかつ前記発光素子及び前記波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有し、
前記第４の部分の底面は、前記第１の部分の上面上に配置され、かつ前記第１の部分の上面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記第４の部分の上面は、前記第２の部分の底面の下に配置され、かつ、前記第２の部分の底面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記第１の部分の底面は前記発光素子に向かい、前記第１の部分の上面は前記発光素子の反対側の面でありかつ前記第１の部分の底面より前記第１の部分の上面の方が小さく、
前記第２の部分の底面は前記第４の部分の上面に向かい、前記第２の部分の上面は前記第４の部分の上面の反対側の面でありかつ前記第２の部分の底面より前記第２の部分の上面の方が小さいことを特徴とする発光装置。 a substrate;
a light emitting element disposed on the upper surface of the substrate;
A wavelength converter arranged on the light emitting element to convert the wavelength of light emitted from the light emitting element, the wavelength converting body having a bottom surface extending along the top surface of the substrate and having a truncated cone shape. a fourth portion disposed on the top surface of the first portion and having a columnar shape; and a bottom surface disposed on the top surface of the fourth portion and having a frustum shape and the fourth portion. a second portion having side surfaces that incline from the bottom surface at an angle of inclination different from the angle of inclination of the side surfaces of the first portion with respect to the bottom surface;
a light reflector formed to cover the side surface of the first portion and the side surface of the second portion and having reflectivity with respect to light generated by the light emitting element and the wavelength conversion body; have
the bottom surface of the fourth portion is disposed on the top surface of the first portion and integrally formed to share the same plane as the top surface of the first portion;
the top surface of the fourth portion is disposed below the bottom surface of the second portion and is integrally formed with and coplanar with the bottom surface of the second portion;
The bottom surface of the first portion faces the light emitting element, and the top surface of the first portion is the surface opposite to the light emitting element and is closer to the top surface of the first portion than the bottom surface of the first portion. is small,
The bottom surface of the second portion faces the top surface of the fourth portion, the top surface of the second portion is the surface opposite to the top surface of the fourth portion, and the bottom surface of the second portion faces the top surface of the second portion. A light emitting device , wherein the upper surface of the second portion is smaller . 前記第１の部分における前記側面の前記傾斜角は、前記第２の部分における前記側面の前記傾斜角よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。 6. The light emitting device according to claim 5 , wherein the inclination angle of the side surface in the first portion is larger than the inclination angle of the side surface in the second portion. 前記波長変換体は、前記第２の部分の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する第３の部分を有し、
前記第３の部分の上面は、前記光反射体から露出していることを特徴とする請求項５又は６に記載の発光装置。 the wavelength converter has a third portion having a bottom surface disposed on the top surface of the second portion and having a columnar shape ;
7. The light emitting device according to claim 5, wherein the upper surface of said third portion is exposed from said light reflector . 前記波長変換体は、最も前記発光素子側に配置されかつ柱形状を有する第５の部分を有し、
前記第５の部分の底面は前記発光素子側を向いて光入射面を構成し、
前記第５の部分の上面は前記第５の部分の底面と反対側の面であって前記第１の部分の底面の下に配置され、かつ、前記第１の部分の底面と同一平面を共有して一体的に形成され、
前記第５の部分の側面は前記光反射体に覆われていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１つに記載の発光装置。
the wavelength converter has a fifth portion arranged closest to the light emitting element and having a columnar shape;
a bottom surface of the fifth portion faces the light emitting element side and constitutes a light incident surface;
The top surface of the fifth portion is the surface opposite to the bottom surface of the fifth portion, is disposed below the bottom surface of the first portion, and shares the same plane with the bottom surface of the first portion. integrally formed by
8. The light emitting device according to claim 5, wherein a side surface of said fifth portion is covered with said light reflector .
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