JP7256805B2 - 周波数基準発振器デバイス、および周波数基準信号を安定させる方法 - Google Patents
周波数基準発振器デバイス、および周波数基準信号を安定させる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7256805B2 JP7256805B2 JP2020533369A JP2020533369A JP7256805B2 JP 7256805 B2 JP7256805 B2 JP 7256805B2 JP 2020533369 A JP2020533369 A JP 2020533369A JP 2020533369 A JP2020533369 A JP 2020533369A JP 7256805 B2 JP7256805 B2 JP 7256805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- oscillator
- frequency
- temperature
- frequency signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 102100022123 Hepatocyte nuclear factor 1-beta Human genes 0.000 claims description 11
- 101001045758 Homo sapiens Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 101000596772 Homo sapiens Transcription factor 7-like 1 Proteins 0.000 claims description 7
- 101000666382 Homo sapiens Transcription factor E2-alpha Proteins 0.000 claims description 7
- 102100035097 Transcription factor 7-like 1 Human genes 0.000 claims description 7
- 102100022057 Hepatocyte nuclear factor 1-alpha Human genes 0.000 claims 1
- 101001045751 Homo sapiens Hepatocyte nuclear factor 1-alpha Proteins 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 101100207516 Homo sapiens TRIM34 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100029502 Tripartite motif-containing protein 34 Human genes 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 101000612089 Homo sapiens Pancreas/duodenum homeobox protein 1 Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100041030 Pancreas/duodenum homeobox protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0083—Temperature control
- B81B7/009—Maintaining a constant temperature by heating or cooling
- B81B7/0096—Maintaining a constant temperature by heating or cooling by heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
- H03H9/02448—Means for compensation or elimination of undesired effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
- H03L7/183—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between fixed numbers or the frequency divider dividing by a fixed number
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/22—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using more than one loop
- H03L7/23—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using more than one loop with pulse counters or frequency dividers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
第1長期安定度と第1周波数対温度頂点温度とを有する第1共振器を備え、第1周波数信号を提供することが可能である、第1発振器と、
前記第1長期安定度より低い第2長期安定度と、第2周波数対温度頂点温度とを有する第2共振器を備え、第2周波数信号を提供することが可能である、第2発振器と、
前記第1共振器の温度を基本的に前記第1頂点温度に調整し、前記第2共振器の温度を基本的に前記第2頂点温度に調整する、自動調温コントローラと、
安定した温度と、長期間安定した出力周波数信号とを提供するために、前記第2発振器を調整するために前記第1周波数信号を用いるように構成された安定度制御回路と、
を備える。
「(周波数基準)発振器(デバイス)」は、本明細書においてデバイス全体を意味し、具体的には、本明細書で説明する第1発振器および第2発振器と、自動調温コントローラと、安定度制御回路と、を備えるデバイス全体を意味する。
〔全体構造〕
図1は、MEMS共振器に基づく周波数基準発振器10の全体的な構造を示している。第1発振器11Aおよび第2発振器11Bはいずれも、安定度コントローラ回路20(「コンバイナ」)に機能的に接続されている。出力周波数は第2発振器11Bの出力から得られる。安定度制御回路の主な目的の1つは、第2発振器の長期安定度を第1発振器の安定度レベルまで改善することである。
〔安定度制御回路〕
〔第1共振器〕
〔第2共振器〕
〔自動調温制御〕
11A/11B 第1/第2共振器
12A/12B 第1/第2位相検出器
13A/13B 第1/第2ループフィルタ
14A PLLベース安定度制御回路
14B MCUベース安定度制御回路
16 電圧制御発振器
17 小数N/N+1分周器
17' 弾性係数制御
18 整数M分周器
19 周波数出力
20 安定度制御回路
32 方形プレート共振器
34A/34B 静電アクチュエータ電極
42 矩形プレート共振器
44 圧電薄膜
46 電極
米国登録特許公報第7427905号
米国登録特許公報第7268646号
米国登録特許公報第8669823号
米国登録特許公報第9191012号
米国登録特許公報第7248128号
米国出願公開特許公報第2016/0099704号
Jaakkola, A. et al.,「Piezoelectrically Transduced Single-Crystal-Silicon Plate Resonators(圧電変換式単結晶シリコンプレート共振器)」IEEE Ultrasonics Symposium, 2008. IUS 2008, 717-20, 2008
Jaakkola, Antti.,「Piezoelectrically Transduced Temperature Compensated Silicon Resonators for Timing and Frequency Reference Applications(タイミングおよび周波数基準用途のための圧電変換式温度補償シリコン共振器)」アールト大学2016年度博士論文
Claims (20)
- 第1長期安定度と第1周波数対温度頂点温度とを有する第1共振器を備え、第1周波数信号を提供することが可能である、第1発振器と、
前記第1長期安定度より低い第2長期安定度と、第2周波数対温度頂点温度とを有する第2共振器を備え、第2周波数信号を提供することが可能である、第2発振器と、
前記第1共振器の温度を基本的に前記第1周波数対温度頂点温度に調整し、前記第2共振器の温度を基本的に前記第2周波数対温度頂点温度に調整する、自動調温コントローラと、
安定した温度と、長期間安定した出力周波数信号とを提供するために、前記第2発振器の周波数を調整するために前記第1周波数信号を用いるように構成された安定度制御回路と、
を備え、前記第1発振器及び前記第2発振器はそれぞれ恒温槽付きMEMS発振器である、周波数基準発振器デバイス。 - 前記安定度制御回路は、前記第1周波数信号と、前記第2発振器の周波数を調整するために前記第2周波数信号を用いるフィードバックループと、を用いるように適合され、これにより、前記第2発振器の出力において、前記安定した出力周波数信号と前記第2周波数信号とが得られる、請求項1に記載のデバイス。
- 前記安定度制御回路は、前記第1共振器の温度から機能的に独立している、請求項1または2に記載のデバイス。
- 前記自動調温コントローラは、前記第1周波数信号および前記第2周波数信号から機能的に独立している、請求項1から3のいずれかに記載のデバイス。
- 前記安定度制御回路は、前記第1発振器を動作させ、前記第2発振器の前記調整のために前記第1周波数信号を間欠的に用いるように構成される、請求項1から4のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1共振器は、縮退ドーピングされた静電駆動式の単結晶MEMS共振器である、請求項1から5のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第2共振器は、縮退ドーピングされた圧電駆動式の複合MEMS共振器である、請求項1から6のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1発振器および/または前記第2発振器は、
少なくとも9×1019cm-3の平均ドーピング濃度でドープされたシリコンを含む共振器と、
85℃以上の頂点温度において高温頂点を有する固有の周波数対温度曲線を有する共振モードで、前記共振器を励起するアクチュエータと、
を備える、請求項1から7のいずれかに記載のデバイス。 - 前記共振器のドーピング濃度は少なくとも1.1×1020cm-3であり、前記周波数対温度曲線は2つの頂点を有し、そのうち一方は前記高温頂点であり、他方は任意で、85℃未満の温度における低温頂点である、請求項8に記載のデバイス。
- 前記第1周波数対温度頂点温度および前記第2周波数対温度頂点温度は両方とも85℃以上である、請求項1から9のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第2周波数対温度頂点温度は前記第1周波数対温度頂点温度と実質的に異なり、具体的には少なくとも5℃異なる、請求項1から10のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第2周波数対温度頂点温度は、前記第1周波数対温度頂点温度と実質的に同じ、具体的には差異が最大でも5℃であり、前記自動調温コントローラは、前記第1共振器および前記第2共振器の温度を基本的に同じ温度に調整するように適合される、請求項1から8のいずれかに記載のデバイス。
- 対応するキャリア周波数からの周波数オフセットが、対応するキャリアからの所定の周波数オフセット、例えば100Hzより大きい場合、前記第2発振器は、前記第1発振器よりも小さい固有位相雑音を有する、請求項1から12のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1共振器は、ラーメモードで発振するように適合されるプレート共振器であるか、長さ伸張モードで発振するように適合されるビーム共振器である、請求項1から13のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1共振器および/または前記第2共振器は、面内アスペクト比が1ではないプレート素子、またはビーム素子であり、面積伸張/幅伸張、面内屈曲、面外屈曲、または長さ伸張/ラーメモード分枝で発振するように適合される、請求項1から14のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1共振器および/または前記第2共振器は、1.1×1020cm-3以上、例えば1.3×1020cm-3以上の平均濃度でドープされたシリコンベース共振器である、請求項1から15のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第2共振器は、
1.3×1020cm-3以上のn型ドーパント濃度を有するシリコンベース層と、
前記シリコンベース層の上に積層された窒化アルミニウム変換器層および導電電極層と、
を含み、
前記第2共振器はプレートまたはビームとして成形され、その形状により、共振モードにおける素子に、ほぼゼロのTCF1と、前記少なくとも2つの頂点をもたらすTCF2およびTCF3特性が得られる、請求項1から16のいずれかに記載のデバイス。 - 前記安定度制御回路は、位相同期ループ(Phase Locked Loop:PLL)ベース回路を備える、請求項1から17のいずれかに記載のデバイス。
- 前記第1共振器および前記第2共振器は、異なる共振モードで共振するように適合される縮退ドーピングされたシリコン共振器である、請求項1から18のいずれかに記載のデバイス。
- 周波数基準信号を安定させる方法であって、
第1長期安定度と第1周波数対温度頂点温度とを有する第1共振器を備え、第1周波数信号を提供することが可能である、第1発振器を設けることと、
前記第1長期安定度より低い第2長期安定度と、第2周波数対温度頂点温度とを有する第2共振器を備え、第2周波数信号を提供することが可能である、第2発振器を設けることと、
前記第1共振器を前記第1周波数対温度頂点温度に加熱し、前記第2共振器を前記第2周波数対温度頂点温度に加熱するために自動調温制御を使用することと、
安定した出力周波数信号を提供するために、前記第2発振器の周波数を調整するために前記第1周波数信号を用いることと、
を含み、前記第1発振器及び前記第2発振器はそれぞれ恒温槽付きMEMS発振器である、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20175791 | 2017-09-05 | ||
FI20175791A FI128195B (en) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | Frequency reference oscillator device and method for stabilizing a frequency reference signal |
PCT/FI2018/050626 WO2019048736A1 (en) | 2017-09-05 | 2018-09-05 | FREQUENCY REFERENCE OSCILLATOR DEVICE AND METHOD FOR STABILIZING FREQUENCY REFERENCE SIGNAL |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020532929A JP2020532929A (ja) | 2020-11-12 |
JP7256805B2 true JP7256805B2 (ja) | 2023-04-12 |
Family
ID=65635331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020533369A Active JP7256805B2 (ja) | 2017-09-05 | 2018-09-05 | 周波数基準発振器デバイス、および周波数基準信号を安定させる方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10911050B2 (ja) |
EP (1) | EP3679651A4 (ja) |
JP (1) | JP7256805B2 (ja) |
KR (1) | KR102537554B1 (ja) |
CN (1) | CN111034039B (ja) |
FI (1) | FI128195B (ja) |
WO (1) | WO2019048736A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021165459A1 (de) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | 2Pi-Labs Gmbh | Referenzoszillatoranordnung, radarsystem und synchronisationsverfahren |
CN112422123A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-02-26 | 武汉滨湖电子有限责任公司 | 一种低相位噪声频率综合器及本振的实现方法 |
CN113098503B (zh) * | 2021-04-08 | 2024-03-29 | 中国科学技术大学 | 一种基于mems谐振器的低功耗高分辨率宽带可调振荡器 |
US11784619B2 (en) * | 2021-10-05 | 2023-10-10 | Snap Inc. | Disciplining crystals to synchronize timing of independent nodes |
US11775005B2 (en) | 2021-10-06 | 2023-10-03 | Snap Inc. | Synchronizing systems on a chip using a shared clock |
US12021611B2 (en) | 2021-10-07 | 2024-06-25 | Snap Inc. | Synchronizing systems-on-chip using GPIO timestamps |
US20230264946A1 (en) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | Stathera Ip Holdings Inc. | Ultra-High Frequency MEMS Resonators with First and Second Order Temperature-Induced Frequency Drift Compensation |
US20240223169A1 (en) * | 2023-01-03 | 2024-07-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Systems and methods for real-time frequency shift detection via a nested-mems architecture |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006019987A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振装置 |
JP2006050027A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振装置 |
JP2012257246A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-27 | Imec | 恒温制御されたmems発振器デバイス |
JP2013512635A (ja) | 2009-11-30 | 2013-04-11 | アイメック | 集積電気部品用2重センサ温度安定化 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296406A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償水晶発振器 |
AU1494197A (en) * | 1996-03-18 | 1997-09-25 | Motorola, Inc. | Wireless communication device and method of frequency-drift compensation |
EP1114301B1 (de) * | 1998-09-16 | 2003-08-06 | Braun GmbH | Verfahren zur bestimmung einer temperatur sowie strahlungsthermometer mit mehreren infrarot-sensorelementen |
EP1352476A4 (en) | 2000-12-15 | 2006-04-12 | Frequency Electronics Inc | QUARTZ OSCILLATOR CONTROLLED BY PRECISION OVEN |
US6831525B1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-12-14 | Nortel Networks Limited | Oscillator arrangements with improved frequency stability |
FI20040162A0 (fi) * | 2004-02-03 | 2004-02-03 | Nokia Oyj | Viitevärähtelijän taajuuden vakauttaminen |
US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
WO2006000611A1 (en) * | 2004-06-24 | 2006-01-05 | Nokia Corporation | Frequency synthesizer |
WO2007149764A2 (en) | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Sitime Corporation | Temperature measurement system having a plurality of microelectromechanical resonators and method of operating same |
US7446619B2 (en) | 2006-06-14 | 2008-11-04 | Sitime Corporation | Temperature measurement system having a plurality of microelectromechanical resonators and method of operating same |
US7545228B1 (en) | 2007-09-12 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Dynamic temperature compensation for a digitally controlled oscillator using dual MEMS resonators |
FI123529B (fi) | 2010-04-22 | 2013-06-28 | Aalto Korkeakoulusaeaetioe | Mikromekaaniseen oskillaattoriin perustuva lämpötilakompensoitu taajuusreferenssi |
US8669823B1 (en) | 2011-04-08 | 2014-03-11 | Sandia Corporation | Ovenized microelectromechanical system (MEMS) resonator |
FI124624B (en) * | 2012-06-29 | 2014-11-14 | Murata Manufacturing Co | Improved vibration gyroscope |
JP2014060682A (ja) | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Furuno Electric Co Ltd | 発振器制御方法、基準信号発生装置、及び恒温槽付発振器 |
JP2014197751A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
TWI558096B (zh) | 2014-01-24 | 2016-11-11 | 加高電子股份有限公司 | 溫度補償微機電振盪器 |
JP6567661B2 (ja) | 2014-10-03 | 2019-08-28 | テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ | 温度補償されたプレート共振器 |
EP3311486B1 (en) | 2015-06-19 | 2020-12-02 | SiTime Corporation | Microelectromechanical resonator |
FI127787B (en) | 2016-07-01 | 2019-02-28 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Micromechanical resonator |
-
2017
- 2017-09-05 FI FI20175791A patent/FI128195B/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-09-05 EP EP18853206.3A patent/EP3679651A4/en active Pending
- 2018-09-05 US US16/640,811 patent/US10911050B2/en active Active
- 2018-09-05 WO PCT/FI2018/050626 patent/WO2019048736A1/en unknown
- 2018-09-05 CN CN201880056486.7A patent/CN111034039B/zh active Active
- 2018-09-05 JP JP2020533369A patent/JP7256805B2/ja active Active
- 2018-09-05 KR KR1020207008510A patent/KR102537554B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006019987A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振装置 |
JP2006050027A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振装置 |
JP2013512635A (ja) | 2009-11-30 | 2013-04-11 | アイメック | 集積電気部品用2重センサ温度安定化 |
JP2012257246A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-27 | Imec | 恒温制御されたmems発振器デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019048736A1 (en) | 2019-03-14 |
US10911050B2 (en) | 2021-02-02 |
CN111034039A (zh) | 2020-04-17 |
US20200220549A1 (en) | 2020-07-09 |
FI128195B (en) | 2019-12-13 |
KR102537554B1 (ko) | 2023-05-26 |
EP3679651A1 (en) | 2020-07-15 |
FI20175791A1 (en) | 2019-03-06 |
JP2020532929A (ja) | 2020-11-12 |
EP3679651A4 (en) | 2021-06-09 |
CN111034039B (zh) | 2024-01-09 |
KR20200049803A (ko) | 2020-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7256805B2 (ja) | 周波数基準発振器デバイス、および周波数基準信号を安定させる方法 | |
US11909376B2 (en) | Piezo-actuated MEMS resonator | |
US7378781B2 (en) | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes | |
US7982550B1 (en) | Highly accurate temperature stable clock based on differential frequency discrimination of oscillators | |
JPH0150129B2 (ja) | ||
US8115573B2 (en) | Resonance frequency tunable MEMS device | |
CN107005224A (zh) | 温度补偿板谐振器 | |
JP2012257246A (ja) | 恒温制御されたmems発振器デバイス | |
US20110163817A1 (en) | Resonator and oscillator using same | |
JP7256806B2 (ja) | 恒温槽付周波数基準発振器、およびその作成方法 | |
Kaajakari et al. | A 32.768 kHz MEMS resonator with+/-20 ppm tolerance in 0.9 mm x 0.6 mm chip scale package | |
Lee et al. | Electrostatic-tuning of hermetically encapsulated composite resonator | |
Petit et al. | Temperature compensated BAW resonator and its integrated thermistor for a 2.5 GHz electrical thermally compensated oscillator | |
Tabrizian et al. | Compensation, tuning, and trimming of MEMS resonators | |
Pan | Temperature Compensation of Piezo-MEMS Resonators | |
JPH066174A (ja) | 温度補償形表面弾性波デバイス | |
JPH0156565B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230313 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7256805 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |