JP7256000B2 - セラミック管状体 - Google Patents

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Description

本発明は、セラミック管状体に関する。
セラミック基複合材の製造工程は繊維による形状作製、界面層の形成、マトリックス層の形成に大別される。繊維による形状の作製方法にはフィラメントワインディング(巻きつけ)とブレーディング(組紐)がある。界面層の形成は、主に化学気相反応法(CVD法)により実施され、界面材料には熱分解炭素もしくは窒化ホウ素(BN)が用いられる。マトリックス層の形成方法は、化学気相浸透法(CVI法)、PIP法(Polymer Infiltration Pyrolysis)、MI法(Melt Infiltration)の三種類がある。
特許文献1には、ワインディング法あるいは組紐法で形成されたSiC繊維からなる骨材と該SiC繊維間に充填された熱分解炭素とからなる管状の繊維強化炭素質基材と、該繊維強化炭素質基材の少なくとも外表面に形成されたSiC層と、からなる核燃料被覆管であって、該SiC層は、該繊維強化炭素質基材表面の熱分解炭素を反応転化し形成されたCVR-SiC層と、該CVR-SiC層上に形成されたCVD-SiC層と、からなり、該核燃料被覆管は、該繊維強化炭素質基材の該SiC層との境界領域から該繊維強化炭素質基材の内部に向かってケイ素原子が拡散してなることを特徴とする核燃料被覆管が記載されている。
特開2013-210372号公報
フィラメントワインディングは1本のストランドを基材端部で折り返しながら、繰り返し巻きつけるため、繊維同士が交差しながら基材が形成される。ブレーディングは繊維を編みこむため、同様に繊維同士が交差しながら基材が形成される。このような構造を単層もしくは積層して用いると、セラミック繊維を束ねたストランドの交差し接触する箇所が周期的に形成されるため、交点まわりに大きな空間が生まれ、また表面凹凸が大きいため、積層層間に大きな空間が生じる。このような大きな空間はマトリックス形成工程で完全に充填することが難しく、セラミック基複合材の内部に空隙を残すことになる。この空隙は、強度や熱伝導等の特性に影響する。
以上より、前記記載された発明は、繊維によって基材を形成する際に、セラミック繊維を束ねたストランドの交差し接触する箇所が周期的に形成されるため、空間ができやすく、のちにマトリックスを形成しても大きな気孔が形成されやすい。
前記課題を鑑み、本発明では強度等の向上したセラミック管状体を提供することを目的とする。
本発明では多給糸式のフィラメントワインディングを用いることにより、繊維同士が全体的に接触する構造とし、これを積層することにより繊維による形状作製を行った。
前記課題を解決するための本発明のセラミック管状体は、以下の構成を有する。
(1)セラミック繊維からなる基材と、前記セラミック繊維の隙間を埋めるセラミックマトリックスとを含むセラミック管状体であって、前記基材は、径方向に積層された複数の層により構成され、各々の層は同一方向に配向するセラミック繊維から構成されるとともに、前記径方向における直下の層の全面を覆い、前記径方向において隣接した層が前記セラミック繊維の配向方向の異なる状態で積層されている。
複数のセラミック繊維の束(ストランド)を用いて巻回しているので、同一方向のセラミック繊維で隙間なく1つの層を形成することができ、繊維同士が全体的に上下の層と接触するので隙間が形成されにくい。このため、セラミックマトリックスを形成しても空隙を形成しにくくすることができる。各層で、セラミック繊維の交点が分散するため、隙間がセラミック繊維間や層間に形成されにくく、結果的に空隙(気孔)も抑えられ、強度を向上させることができ、また熱伝導を安定化させることができる。また、層間では配向方向が異なり、かつ上の層が直下の層の全面を覆うため、強度が増す。
さらに、本発明のセラミック管状体は、以下の態様であることが好ましい。
(2)前記セラミック管状体の端部において、前記層間を接続するセラミック繊維は、複数の折り返し部において折り返されている。
複数の折り返し部に分割されているので、端部に大きな突起が形成されたり、偏りが生じたりせず、端部の強度が高まる。
(3)前記折り返し部の個数は、2~128である。
折り返し部の個数が2以上であると、折り返し部が分散されるので、セラミック管状体の端部に大きな突起が形成されることを防止することができる。128本以下であるとストランドを細くしなくてもよいので層の厚さを確保でき、十分な強度が得られる。
(4)前記セラミック繊維と、当該セラミック管状体の軸方向とのなす角度は、30°~60°である。
30°~60°であると、複数の層の間でストランドが互いに弱い方向を補い合うように交差するので、強固なセラミック管状体を得ることができる。
(5)前記セラミックマトリックスは、CVI-SiCまたはPIP-SiCである。
CVI-SiC法では、内部の気孔に原料ガスを導入し熱分解させて埋めていくので、気孔の少ない強固なCVI-SiCのセラミック管状体を得ることができる。また、PIP-SiC法では、液状のSiC前駆体を含浸したのち、熱分解させるので、気孔の奥深くまで含浸することができ、強固なSiCのセラミック管状体を得ることができる。
セラミック繊維同士の交点が分散する構造のためセラミック繊維層内部に空間が無く、また、表面凹凸が小さいため積層層間に大きな空間が生じにくい。また、セラミック繊維内部の空隙が減少し、強度、熱伝導等の向上が期待される。
本発明に係るセラミック管状体の一例を示す側面視における模式図。 図1のセラミック管状体の製造工程においてストランドの巻回を示す模式図、(a)マンドレルと複数のストランド、(b)(a)の径方向視野。 図2に続くストランドの巻回を示す模式図。 ストランドの巻回状態を示す模式図。 基材の端部における折り返し部を示す模式図。 セラミック管状体の一部を示す模式図。
(発明の詳細な説明)
前記課題を解決するための本発明のセラミック管状体は、セラミック繊維からなる基材と、前記セラミック繊維の隙間を埋めるセラミックマトリックスとを含むセラミック管状体であって、前記基材は、径方向に積層された複数の層により構成され、各々の層は同一方向に配向するセラミック繊維から構成されるとともに、前記径方向における直下の層の全面を覆い、前記径方向において隣接した層が前記セラミック繊維の配向方向の異なる状態で積層されている。
複数のセラミック繊維の束(ストランド)を用いて巻回しているので、同一方向のセラミック繊維で1つの層を形成することができ、隙間が形成されにくい。このため、セラミックマトリックスを形成しても空隙を形成しにくくすることができる。各層には、セラミック繊維の周期的な交点が形成されず全体的に上下の層と接触するので、隙間がセラミック繊維間や層間に形成されにくく、結果的に空隙(気孔)も抑えられ、強度を向上させることができ、また熱伝導を安定化させることができる。また、層間では配向方向が異なり、かつ上の層が直下の層の全面を覆うため、強度が増す。
さらに、本発明のセラミック管状体は、前記セラミック管状体の端部において、前記層間を接続するセラミック繊維は、複数の折り返し部において折り返されている。
複数の折り返し部に分割されているので、端部に大きな突起が形成されたり、偏りが生じたりせず、端部の強度が高まる。
前記折り返し部の個数は、2~128である。
折り返し部の個数が2以上であると、折り返し部が分散されるので、セラミック管状体の端部に大きな突起が形成されることを防止することができる。128本以下であるとストランドを細くしなくてもよいので層の厚さを確保でき、十分な強度が得られる。
前記セラミック繊維と、当該セラミック管状体の軸方向とのなす角度は、30°~60°である。
30°~60°であると、複数の層の間でストランドが互いに弱い方向を補い合うように交差するので、強固なセラミック管状体を得ることができる。
前記セラミックマトリックスは、CVI-SiCまたはPIP-SiCである。
CVI-SiC法では、内部の気孔に原料ガスを導入し熱分解させて埋めていくので、気孔の少ない強固なCVI-SiCのセラミック管状体を得ることができる。また、PIP-SiC法では、液状のSiC前駆体を含浸したのち、熱分解させるので、気孔の奥深くまで含浸することができ、強固なSiCのセラミック管状体を得ることができる。
(発明を実施するための実施形態)
図1は、本発明に係るセラミック管状体の一例を示す側面視における模式図である。図2は、図1のセラミック管状体の製造工程においてストランドの巻回を示す模式図で、(a)はマンドレルと複数のストランド、(b)は、(a)の径方向視野である。図3は、図2に続くストランドの巻回を示す模式図である。
セラミック管状体1は、例えば核燃料を格納する燃料被覆管等に用いられるがその用途は限定されない。セラミック管状体1は、セラミック繊維2からなる基材30と、セラミック繊維2の隙間2aを埋めるセラミックマトリックス40とを含む。
セラミック繊維2は例えば炭素繊維、SiC繊維などであるが特にその種類は限定されない。セラミックマトリックス40は、炭素、SiCなど特に限定されない。セラミックマトリックス40がSiCの場合には、CVI-SiC法またはPIP-SiC法で形成されたCVI-SiCまたはPIP-SiCであることが好ましい。また、セラミックマトリックス40が炭素の場合には、熱分解炭素、ガラス状炭素などが好ましい。熱分解炭素は炭化水素ガスの熱分解によるCVI法、ガラス状炭素は、フェノール樹脂、コプナ樹脂などの樹脂を前駆体とするPIP法で得られる。
図2に示すように、セラミック管状体1の基材30は、マンドレル10に複数のセラミック繊維2の束から構成されるストランド20を巻き付けることにより形成される。マンドレル10はセラミック繊維2を巻き付ける母型であり、例えば筒形状を成している。筒形状の断面は、円形、楕円形、四角形等である。巻き付けるストランド20は、複数あるが、本実施形態では、3本を例としており、それぞれ、第1のストランド21、第2のストランド22、第3のストランド23として説明する。
マンドレル10の長手方向を軸方向Xとし、軸方向Xに直交する方向を径方向Yと定義する。軸方向X及び径方向Yは、セラミック管状体1及び基材30においても同じである。各ストランド20は、それぞれ径方向Yに巻回され、同一方向に配向する各セラミック繊維2から構成される。
例えば、マンドレル10第1のストランド21、第2のストランド22及び第3のストランド23で巻回して、複数のセラミック繊維2がマンドレル10の周囲に形成される。そして、マンドレル10の端部において折り返され、再び軸方向Xに沿って複数のストランド20、すなわちセラミック繊維2を巻回し、基材30が構成される。
当該巻回する巻回工程は、図2の右から左に向かって複数のストランド20をマンドレル10の軸方向Xに沿って互いに平行な方向に巻回し第1の層201を形成する第1の巻回工程と、マンドレル10の端部で折り返しして、図3の左から右に向かって第1の層201の全て覆う様に、複数のストランド20をマンドレル10の軸方向Xに沿って互いに平行な方向に巻回して第2の層202を形成する第2の巻回工程が含まれる。
基材30は、マンドレル10の径方向Yに第1の層201及び第2の層202が積層された複数の層により構成され、第1の層201及び第2の層202は、それぞれが同一方向に配向するセラミック繊維2から構成される。そして、第2の層202は、径方向と同じである積層方向における真下の層である第1の層201の全面を覆い、第2の層202を形成するセラミック繊維2の配向方向と、隣接する第1の層201を形成するセラミック繊維2の配向方向とが異なる状態で積層されている。
基材30を構成する複数のセラミック繊維2の配向方向において、セラミック繊維2の間に隙間2aが形成される。隙間2aを埋めるために、CVI-SiC法またはPIP-SiC法により、SiCを充填してセラミックマトリックス40を形成するマトリックス形成工程を行う。マトリックス形成工程の前においては、基材30は、第1のストランド21、第2のストランド22、第3のストランド23がそれぞれ分離した態様を採っている。しかしながらマトリックス形成工程を経ることにより、セラミック繊維2の間の隙間2aにセラミックマトリックス40が充填され、一体化し強固なセラミック管状体が得られる。
図4に示すように、ストランド20の巻き付けていく方向である配向方向は、所定の方向であることが望ましく、ストランド20とマンドレル10の軸方向Xとのなす角度θは、好ましくは30°~60°である。即ち、ストランド20およびセラミック繊維2は、マンドレル10の軸方向に対して、30°から60°の角度をもって配置されている。
また、ストランド20の巾wと、全部のストランド20が並んでいる長さであるピッチLと、ストランド20の本数nが、1≦nw/Lsinθ≦1.5を満たすことが好ましい。本実施形態におけるピッチLは、ストランド20が3本あるため、3本の軸方向Xにおける長さである。
図5は、基材30の端部における折り返し部を示す模式図である。図6は、完成したセラミック管状体1の一部を示す模式図である。図5及び図6に基づいて、折り返し部におけるセラミック繊維2の折り返しを説明する。
各セラミック繊維2は、基材30の端部における折り返し部11において折り返され、折り返し前の配向方向と異なる方向に巻回される。本実施形態の製造工程においては、セラミック繊維2を束ねたストランド20は複数であるため、複数の折り返し部11において折り返される。例えば、第1のストランド21では第1の折り返し部11a、第2のストランド22では第2の折り返し部11b、第3のストランド23では第3の折り返し部11cが形成される。尚、第3の折り返し部11cは、図4において裏面側に形成される。
マンドレル10に第1の巻回工程で巻き付ける複数のストランド20により、セラミック繊維2が第1の配向方向Xaに配向した第1の層201が形成される。折り返し部11で折り返し後、第2の巻回工程で巻き付ける複数のストランド20により、セラミック繊維2が第2の配向方向Xbに配向した第2の層202が形成される。第1の層201と第2の層202の層間を接続するセラミック繊維2は、複数の折り返し部11において折り返されている。第1の層201に対して積層方向(Y方向)において隣接した第2の層202が、第1の層201におけるセラミック繊維2の第1の配向方向Xaと異なる第2の配向方向Xbをもって積層されている。配向方向が異なることにより、基材30の強度が増す。
折り返し部11の個数は、2~128であることが好ましい。本実施形態では、巻回するストランド20を3本で説明したため折り返し部11の個数が3個になっているが、最低2個存在することが好ましく、製造装置の構造上の制約等の観点から128個までが利用しやすい。折り返し部の個数が2以上であると、折り返し部が分散されるので、セラミック管状体1の端部に大きな突起が形成されることを防止することができる。また、128本以下であるとストランド20を細くしなくてもよいので層の厚さを確保でき、十分な強度が得られる。
図6に示すように、完成したセラミック管状体1においては、第1の層201を形成するセラミック繊維2の第1の配向方向Xaと第2の層202を形成するセラミック繊維2の第2の配向方向Xbが異なっている。また、図6の左側に示す様に第1の層201の上に第2の層202が積層されるため第1の配向方向Xaの痕跡(破線矢印参照)が覆い隠されていることが理解できる。尚、図6の右側においては便宜上、第1の層201のみを示し、第2の層202の図示を省略している。また、セラミック繊維2の隙間2aがセラミックマトリックス40で埋められているため、一体化し、強固なセラミック管状体が得られる。
セラミック繊維2で形成される層を第1の層201と第2の層202で説明したが、第3の層など、更に複数の層で基材30が形成されていても良い。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
本発明のセラミック管状体は、強度があり気孔のできにくいセラミック管状体を要望する分野に適合可能である。
1 セラミック管状体
2 セラミック繊維
2a 隙間
10 マンドレル
11 折り返し部
20 ストランド
21 第1のストランド
22 第2のストランド
23 第3のストランド
30 基材
40 セラミックマトリックス
201 第1の層
202 第2の層
X 軸方向
Xa 第1の配向方向
Xb 第2の配向方向

Claims (5)

  1. セラミック繊維からなる基材と、前記セラミック繊維の隙間を埋めるセラミックマトリックスとを含むセラミック管状体であって、
    前記基材は、径方向に積層された複数の層により構成され、
    各々の層は、複数のストランドが互いに平行な方向に巻回されて形成されることで、同一方向に配向するセラミック繊維で隙間なく1つの層を形成するとともに、前記径方向における直下の層の全面を覆い、
    前記径方向において隣接した層が前記セラミック繊維の配向方向の異なる状態で積層されている、
    セラミック管状体。
  2. 前記セラミック管状体の端部において、前記層間を接続するセラミック繊維は、複数の折り返し部において折り返されている請求項1に記載のセラミック管状体。
  3. 前記折り返し部の個数は、2~128である請求項2に記載のセラミック管状体。
  4. 前記セラミック繊維と、当該セラミック管状体の軸方向とのなす角度は、30°~60°である請求項1から3のいずれか1項に記載のセラミック管状体。
  5. 前記セラミックマトリックスは、CVI-SiCまたはPIP-SiCである請求項1から4のいずれか1項に記載のセラミック管状体。
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