JP7253961B2

JP7253961B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ABNORMALITY DETECTION METHOD

Info

Publication number: JP7253961B2
Application number: JP2019074587A
Authority: JP
Inventors: 佳志濱田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-04-10
Filing date: 2019-04-10
Publication date: 2023-04-07
Anticipated expiration: 2039-04-10
Also published as: JP2020174099A

Description

本開示は、基板処理装置及び異常検出方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and an abnormality detection method.

特許文献１は、半導体ウェハの表面にレジスト液を供給するためのレジストノズルを有するレジスト塗布処理ユニットが開示されている。このレジスト塗布処理ユニットでは、レジストノズルはレジスト供給管を介して液供給機構に接続されている。また、レジスト液供給管には、供給管を開閉するバルブが設けられており、このバルブにより、レジスト液供給管のレジスト液の流出と停止とを切り換えるようになっている。 Patent Document 1 discloses a resist coating processing unit having a resist nozzle for supplying a resist solution to the surface of a semiconductor wafer. In this resist coating processing unit, a resist nozzle is connected to a liquid supply mechanism through a resist supply pipe. In addition, the resist liquid supply pipe is provided with a valve for opening and closing the supply pipe, and this valve switches between outflow and stop of the resist solution in the resist solution supply pipe.

特開２００３－２１８０２２号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-218022

本開示にかかる技術は、処理液の吐出部への供給管に設けられた弁の、スローリーク等の異常を検知する。 The technology according to the present disclosure detects an abnormality such as a slow leak in a valve provided in a supply pipe to a treatment liquid ejection portion.

本開示の一態様は、基板に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記基板に前記処理液を吐出する吐出部と、前記吐出部に前記処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記処理液供給部は、前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、前記吐出部と前記ポンプとを接続する供給管と、前記供給管に、上流側から順に設けられた上流側弁及び下流側弁と、前記上流側弁と前記下流側弁との間の部分における、前記供給管内の前記処理液の圧力を測定する圧力測定部と、前記吐出部からの吐出後に前記上流側弁及び前記下流側弁が閉状態とされているときの、前記圧力測定部での測定結果に基づいて、前記上流側弁及び前記下流側弁の異常の有無を判定するように構成されている制御部と、を有し、前記上流側弁は、流路を形成する弁箱を有し、前記弁箱は、当該弁箱により形成される流路を開閉する弁体が内蔵され、前記弁体と対向する位置に弁座を有し、前記上流側弁の前記弁箱により形成される流路の断面積は、前記弁座より下流側が上流側に比べて大きい。 One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to a substrate and performs a predetermined processing, comprising: a discharge section that discharges the processing liquid onto the substrate; and a discharge section that supplies the processing liquid. a processing liquid supply unit, wherein the processing liquid supply unit includes a pump that pumps the processing liquid to the discharge unit; a supply pipe that connects the discharge unit and the pump; an upstream valve and a downstream valve provided in order from , a pressure measuring unit for measuring the pressure of the processing liquid in the supply pipe in a portion between the upstream valve and the downstream valve, and the discharge unit Determining whether there is an abnormality in the upstream valve and the downstream valve based on the measurement result of the pressure measurement unit when the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from and a control unit configured to: the upstream valve has a valve box forming a flow path; and the valve box opens and closes the flow path formed by the valve box. A body is built therein, and a valve seat is provided at a position facing the valve body, and the cross-sectional area of the flow path formed by the valve body of the upstream valve is larger on the downstream side than on the upstream side of the valve seat. .

本開示によれば、処理液の吐出部への供給管に設けられた弁の、スローリーク等の異常を検知することができる。 According to the present disclosure, it is possible to detect an abnormality such as a slow leak in the valve provided in the supply pipe to the discharge portion of the treatment liquid.

第１実施形態にかかる基板処理装置としての現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。1 is a vertical cross-sectional view showing an outline of a configuration of a development processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the first embodiment; FIG. 第１実施形態にかかる基板処理装置としての現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。1 is a cross-sectional view showing an outline of a configuration of a development processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the first embodiment; FIG. 現像液供給部の構成の概略を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of a configuration of a developer supply section; 上流側弁の構成の概略を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of an upstream valve; 本実施形態にかかる異常の有無の判定手法の説明図であり、異常がない場合の現像液の測定圧の時間変化を示している。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for determining the presence or absence of an abnormality according to the present embodiment, and shows the time change of the measured pressure of the developer when there is no abnormality. 本実施形態にかかる異常の有無の判定手法の説明図であり、下流側弁のみに異常がある場合の現像液の測定圧の時間変化を示している。FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for determining the presence or absence of an abnormality according to the present embodiment, and shows a change over time in the measured pressure of the developer when there is an abnormality only in the downstream valve. 本実施形態にかかる異常の有無の判定手法の説明図であり、上流側弁のみに異常がある場合の現像液の測定圧の時間変化を示している。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for determining the presence or absence of an abnormality according to the present embodiment, and shows changes over time in the measured pressure of the developer when there is an abnormality only in the upstream valve. 本実施形態にかかる異常の有無の判定手法の説明図であり、上流側弁と下流側弁の両方に異常がある場合の現像液の測定圧の時間変化を示している。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for determining the presence or absence of an abnormality according to the present embodiment, and shows the time change of the measured pressure of the developer when both the upstream side valve and the downstream side valve have an abnormality. 第２実施形態にかかる現像処理装置が備える現像液供給部の構成の概略を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing the outline of the configuration of a developer supply unit provided in a development processing apparatus according to a second embodiment; 上流側弁及び下流側弁の他の例を説明する断面図である。It is a sectional view explaining other examples of an upstream side valve and a downstream side valve.

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。 2. Description of the Related Art In the photolithography process in the manufacturing process of semiconductor devices and the like, a series of processes are performed to form a predetermined resist pattern on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer"). The above series of processes include, for example, a resist coating process in which a resist solution is supplied onto a wafer to form a resist film, an exposure process in which the resist film is exposed, and a development process in which a developing solution is supplied to the exposed resist film and developed. etc. are included.

上述の現像処理では、吐出ノズルから現像液を吐出し、ウェハ表面上に現像液の液膜を形成し、ウェハ上のレジスト膜を現像する。また、現像処理後等に、ウェハ表面上にリンス液を供給することで、ウェハの洗浄を行うこともある。 In the above-described development process, the developer is discharged from the discharge nozzle to form a liquid film of the developer on the wafer surface, thereby developing the resist film on the wafer. In addition, the wafer may be cleaned by supplying a rinsing liquid onto the surface of the wafer after development processing or the like.

ところで、現像液やリンス液に、酢酸ブチル等の絶縁性の高い液体を用いることがある。
本発明者らが調査したところによれば、酢酸ブチル等の絶縁性の高い処理液を用いる場合、吐出ノズルへの供給管に設けられた開閉弁を閉じた後、暫くしてから吐出ノズルから液垂れすることがある。
この液垂れの原因としては以下のものが考えられる。すなわち、吐出ノズルへの供給管に設けられた開閉弁も、フッ素系樹脂等の絶縁性材料から形成されるため、絶縁性の高い処理液が開閉弁内を通過する際に、当該開閉弁に静電気が生じ蓄積される。この静電気が過剰に蓄積されたときに静電気放電が生じ開閉弁内の弁体や弁座に微小な損傷が与えられる。このように開閉弁に異常が生じた結果、開閉弁を閉状態としても処理液が徐々に漏れ出し、すなわち、処理液のスローリーク（例えば０．０１ｍｌ／ｍｉｎ～０．０．０４ｍｌ／ｍｉｎ）が生じ、上述のような液垂れが生じるものと考えられる。しかし、処理液の供給流量の調整等のために装置内に設けられている流量計では、処理液の流れが存在しない状態でも、０．１ｍｌ／ｍｉｎ以上の範囲で計測値がぶれており、０．０１ｍｌ／ｍｉｎ～０．０．０４ｍｌ／ｍｉｎのような遅い速度のリークを安定的に検知することができない。その理由としては、装置内に既設の流量計の検知範囲は吐出レートに合わせて設定されていること等が考えられる。 By the way, a highly insulating liquid such as butyl acetate is sometimes used as a developer or a rinse.
According to investigations conducted by the present inventors, when using a highly insulating treatment liquid such as butyl acetate, after a while after closing an on-off valve provided in a supply pipe to the ejection nozzle, It may drip.
Possible causes of this liquid dripping are as follows. That is, since the on-off valve provided in the supply pipe to the discharge nozzle is also made of an insulating material such as fluorine-based resin, when the treatment liquid with high insulation passes through the on-off valve, Static electricity is generated and accumulated. When this static electricity is excessively accumulated, electrostatic discharge occurs, and minute damage is given to the valve body and valve seat in the on-off valve. As a result of such an abnormality in the on-off valve, the processing liquid gradually leaks even when the on-off valve is closed, that is, a slow leak of the processing liquid (for example, 0.01 ml/min to 0.0.04 ml/min). is considered to occur, and the above-mentioned dripping occurs. However, with the flow meter provided in the apparatus for adjusting the supply flow rate of the treatment liquid, the measured value fluctuates in the range of 0.1 ml/min or more even when there is no flow of the treatment liquid. A slow leak rate such as 0.01 ml/min to 0.0.04 ml/min cannot be stably detected. A possible reason for this is that the detection range of the existing flow meter in the apparatus is set in accordance with the discharge rate.

そこで、本開示にかかる技術は、処理液吐出部への供給管に設けられた弁におけるスローリーク等の異常を検知する。 Therefore, the technology according to the present disclosure detects an abnormality such as a slow leak in the valve provided in the supply pipe to the processing liquid ejection section.

以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び異常検出方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 A substrate processing apparatus and an abnormality detection method according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.

（第１実施形態）
図１及び図２は、第１実施形態にかかる基板処理装置としての現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。 (First embodiment)
1 and 2 are a longitudinal sectional view and a transverse sectional view showing an outline of the configuration of a developing treatment apparatus 1 as a substrate treating apparatus according to the first embodiment.

現像処理装置１は、図１に示すように内部を密閉可能な筐体１０を有している。筐体１０の側面には、図２に示すように基板としてのウェハＷの搬入出口１１が形成され、搬入出口１１には、開閉シャッタ１２が設けられている。 The development processing apparatus 1 has a housing 10 whose inside can be sealed as shown in FIG. As shown in FIG. 2, a loading/unloading port 11 for a wafer W as a substrate is formed on the side surface of the housing 10, and the loading/unloading port 11 is provided with an open/close shutter 12. As shown in FIG.

筐体１０内の中央部には、図１に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２０上に吸着保持できる。 A spin chuck 20 that holds and rotates the wafer W is provided in the center of the housing 10 as shown in FIG. The spin chuck 20 has a horizontal upper surface, and the upper surface is provided with a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example. The wafer W can be sucked and held on the spin chuck 20 by suction from this suction port.

スピンチャック２０は、例えばモータなどのチャック駆動部２１により所定の速度で回転自在に構成されている。また、チャック駆動部２１には、不図示のシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック２０は昇降駆動機構により昇降自在に構成されている。 The spin chuck 20 is rotatable at a predetermined speed by a chuck drive unit 21 such as a motor. The chuck drive unit 21 is provided with an elevation drive mechanism such as a cylinder (not shown), and the spin chuck 20 is configured to be vertically movable by the elevation drive mechanism.

スピンチャック２０の周囲には、ウェハＷから飛散または落下する現像液や洗浄液等の液体を受け止め、回収するカップ２２が設けられている。カップ２２の底面には、回収した液体を排出する排出管２３と、当該カップ２２内の雰囲気を排気する排気管２４が接続されている。 A cup 22 is provided around the spin chuck 20 to receive and collect the liquid such as the developer and the cleaning liquid that are scattered or dropped from the wafer W. As shown in FIG. A discharge pipe 23 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 24 for discharging the atmosphere in the cup 22 are connected to the bottom surface of the cup 22 .

図２に示すように、カップ２２のＸ方向負方向側（図２の下側）には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が形成されている。レール３０は、例えばカップ２２のＹ方向負方向側（図２の左側）の外方からＹ方向正方向側（図２の右側）の外方まで形成されている。レール３０には、アーム３１が取り付けられている。 As shown in FIG. 2, a rail 30 extending in the Y direction (horizontal direction in FIG. 2) is formed on the negative side of the cup 22 in the X direction (lower side in FIG. 2). The rail 30 is formed, for example, from the outside of the cup 22 in the negative direction in the Y direction (left side in FIG. 2) to the outside in the positive direction in the Y direction (right side in FIG. 2). An arm 31 is attached to the rail 30 .

アーム３１には、吐出部としての吐出ノズル３２が支持されている。吐出ノズル３２は、処理液としての現像液をウェハＷ上に吐出する。アーム３１は、ノズル駆動部３３によってレール３０上を移動自在になっている。これにより、吐出ノズル３２は、カップ２２のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部３４から、カップ２２内のウェハＷの中央部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部３３によって、アーム３１は昇降自在であり、吐出ノズル３２の高さを調節できる。現像液としては酢酸ブチルが用いられる。
なお、吐出ノズル３２は、処理液供給部としての現像液供給部１００に接続されている。現像液供給部１００については後述する。 A discharge nozzle 32 as a discharge portion is supported by the arm 31 . The ejection nozzle 32 ejects a developer as a processing liquid onto the wafer W. As shown in FIG. The arm 31 is movable on the rail 30 by the nozzle driving section 33 . Thereby, the ejection nozzle 32 can move from the standby portion 34 provided outside the cup 22 on the Y-direction negative direction side to above the central portion of the wafer W in the cup 22 . Further, the arm 31 can be moved up and down by the nozzle driving section 33, and the height of the discharge nozzle 32 can be adjusted. Butyl acetate is used as the developer.
The ejection nozzle 32 is connected to a developer supply section 100 as a processing liquid supply section. The developer supply unit 100 will be described later.

以上の現像処理装置１には、図１に示すように、現像処理装置１の現像液供給部１００等の各構成要素を制御する制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、現像処理装置１における各種処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェハ（回路基板）で実現してもよい。
なお、制御部２００は、後述するように、現像液供給部１００内の後述の上流側弁等の異常の有無を判定するように構成されている。そして、制御部２００は、異常ありと判定された場合に、異常を報知するアラーム発報部２０１を有している。なお、アラーム発報部２０１は、例えば警告を画面に表示するディスプレイや、警告音を発報するブザー等により構成される。 As shown in FIG. 1, the development processing apparatus 1 described above is provided with a control section 200 for controlling each component of the development processing apparatus 1 such as the developer supply section 100 . The control unit 200 is, for example, a computer equipped with a CPU, memory, etc., and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores programs for controlling various processes in the development processing apparatus 1 . The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the control unit 200 from the storage medium. Part or all of the program may be implemented on a dedicated hardware (circuit board).
As will be described later, the control unit 200 is configured to determine whether or not there is an abnormality in an upstream valve or the like in the developer supply unit 100, which will be described later. The control unit 200 has an alarm issuing unit 201 that reports an abnormality when it is determined that there is an abnormality. Note that the alarm issuing unit 201 is configured by, for example, a display that displays an alarm on a screen, a buzzer that issues an alarm sound, and the like.

次に、現像処理装置１における現像処理について説明する。なお、以下の説明において、筐体１０内に搬入されるウェハＷの表面には予めレジスト膜が形成され、当該レジスト膜は露光処理、その後の加熱処理が完了しているものとする。 Next, development processing in the development processing apparatus 1 will be described. In the following description, it is assumed that a resist film has been previously formed on the surface of the wafer W to be carried into the housing 10, and that the resist film has undergone exposure processing and subsequent heating processing.

現像処理ではまず、開閉シャッタ１２が制御され搬入出口１１が開状態とされ、ウェハＷが筐体１０内に搬入されスピンチャック２０上に載置され吸着される。その後、開閉シャッタ１２が駆動され搬入出口１１が閉状態とされる。 In the development process, first, the opening/closing shutter 12 is controlled to open the loading/unloading port 11, and the wafer W is loaded into the housing 10, placed on the spin chuck 20, and sucked. After that, the open/close shutter 12 is driven to close the loading/unloading port 11 .

次いで、吐出ノズル３２がウェハＷの中央部上方へ移動される。次に、ウェハＷが回転され、その状態で、吐出ノズル３２からウェハＷ上に現像液が供給され、ウェハＷの全面に現像液パドルが形成される。 Next, the ejection nozzle 32 is moved above the central portion of the wafer W. As shown in FIG. Next, the wafer W is rotated, and in this state, the developer is supplied from the discharge nozzle 32 onto the wafer W, and a developer puddle is formed on the entire surface of the wafer W. As shown in FIG.

現像液パドルの形成後、吐出ノズル３２からの現像液の供給が停止された状態で、例えばウェハＷが所定時間静止される静止現像が行われ、これにより、ウェハＷ上のレジスト膜の現像が進行する。この間に、吐出ノズル３２はカップ２２の外側へ退避される。 After the developer puddle is formed, static development is performed in which the wafer W is kept stationary for a predetermined time while the supply of the developer from the discharge nozzle 32 is stopped, whereby the resist film on the wafer W is developed. proceed. During this time, the discharge nozzle 32 is retracted to the outside of the cup 22 .

静止現像のための上記所定時間が経過し、ウェハＷ上にレジストパターンが形成されると、ウェハＷが高速で回転され、これによりウェハＷを乾燥させる。その後、ウェハＷは搬入出口１１を介して筐体１０から搬出され、一連の現像処理が終了する。 After the predetermined time for static development has passed and the resist pattern is formed on the wafer W, the wafer W is rotated at high speed, thereby drying the wafer W. As shown in FIG. After that, the wafer W is unloaded from the housing 10 through the loading/unloading port 11, and a series of developing processes is completed.

続いて、現像液供給部１００の構成について説明する。図３は、現像液供給部１００の構成の概略を示す説明図である。図４は、後述の上流側弁１０４の構成の概略を示す断面図である。
なお、現像液供給部１００は、例えば、後述の開閉弁からフィルタまでの部分が、不図示のケミカル室内に設けられている。ケミカル室とは、各種処理液を現像処理装置１等の液処理装置に供給するためのものである。 Next, the configuration of the developer supply section 100 will be described. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the developer supply section 100. As shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the upstream side valve 104, which will be described later.
Note that the developing solution supply unit 100 is provided, for example, in a chemical chamber (not shown) in a portion from an on-off valve (to be described later) to a filter. The chemical chamber is for supplying various processing liquids to the liquid processing apparatus such as the development processing apparatus 1 .

現像液供給部１００は、吐出ノズル３２に現像液を供給するものであり、具体的には、例えば、工場用力供給源等により構成される現像液供給源Ｓからの現像液を吐出ノズル３２に供給する。
この現像液供給部１００は、現像液供給源Ｓからの現像液を吐出ノズル３２に圧送するポンプ１０１を有する。ポンプ１０１と現像液供給源Ｓとは接続管１５１によって接続されており、接続管１５１には開閉弁１０２が設けられている。ポンプ１０１の駆動動作や開閉弁１０２の開閉動作は、制御部２００によって制御される。
また、ポンプ１０１には、当該ポンプ１０１と吐出ノズル３２とを接続する供給管１５２が接続されている。供給管１５２は、フッ素系樹脂で形成されている。 The developer supply unit 100 supplies the developer to the discharge nozzle 32 . Specifically, for example, the developer supplied from the developer supply source S configured by a factory power supply source or the like is supplied to the discharge nozzle 32 . supply.
The developer supply unit 100 has a pump 101 for pumping the developer from the developer supply source S to the discharge nozzle 32 . A connection pipe 151 connects the pump 101 and the developer supply source S, and the connection pipe 151 is provided with an on-off valve 102 . The driving operation of the pump 101 and the opening/closing operation of the on-off valve 102 are controlled by the control unit 200 .
A supply pipe 152 that connects the pump 101 and the discharge nozzle 32 is connected to the pump 101 . The supply pipe 152 is made of fluorine-based resin.

供給管１５２には、上流側から順に、フィルタ１０３、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が設けられている。フィルタ１０３は、現像液供給源Ｓからの現像液内の異物を除去するものである。上流側弁１０４は、例えば、供給管１５２を閉止する状態と供給管１５２を開放する状態とを切り換える開閉弁、具体的には、供給管１５２内の流路を閉止する状態と当該流路を開放する状態とを切り換える開閉弁である。下流側弁１０５は、例えば、吐出ノズル３２に供給する現像液の流量を調整する流量調整弁であり、その開度を調整可能に構成されている。 The supply pipe 152 is provided with a filter 103, an upstream valve 104, and a downstream valve 105 in this order from the upstream side. The filter 103 removes foreign substances in the developer from the developer supply source S. As shown in FIG. The upstream side valve 104 is, for example, an on-off valve that switches between a state of closing the supply pipe 152 and a state of opening the supply pipe 152. It is an on-off valve that switches between an open state and an open state. The downstream side valve 105 is, for example, a flow rate adjustment valve that adjusts the flow rate of the developer supplied to the discharge nozzle 32, and is configured so that the degree of opening thereof can be adjusted.

上流側弁１０４は、図４に示すように、流路を形成する弁箱１０４ａを有する。
弁箱１０４ａには、弁体１０４ｂが内蔵されている。弁体１０４ｂは、弁箱１０４ａにより形成される流路に対して直角に移動して当該流路を開閉する。
また、弁箱１０４ａには、弁体１０４ｂと対向する位置に、弁体１０４ｂに向かって延び出すように形成された弁座１０４ｃが形成されている。弁体１０４ｂの弁座１０４ｃ側の面（図４の下面）と弁座１０４ｃの弁体１０４ｂの面（図４の上面）とが当接したときに弁箱１０４ａにより形成される流路は閉止され、供給管１５２は閉止され、現像液Ｒの流れが停止する。弁箱１０４ａ、弁体１０４ｂ及び弁座１０４ｃはそれぞれフッ素系樹脂材料で形成されている。
この上流側弁１０４は、例えば、エアオペレーションバルブで構成され、当該エアオペレーションバルブに設けられたスピードコントローラ（図示せず）で、弁体１０４ｂによる流路の開閉速度を調整することができる。
なお、下流側弁１０５の構造は、上流側弁１０４の構造と同様であるため、その図示や説明を省略する。 The upstream valve 104 has a valve box 104a forming a flow path, as shown in FIG.
A valve body 104b is incorporated in the valve box 104a. The valve body 104b moves perpendicularly to the flow path formed by the valve box 104a to open and close the flow path.
A valve seat 104c is formed in the valve box 104a at a position facing the valve body 104b so as to extend toward the valve body 104b. When the surface of the valve body 104b on the side of the valve seat 104c (lower surface in FIG. 4) and the surface of the valve body 104b of the valve seat 104c (upper surface in FIG. 4) come into contact, the flow path formed by the valve box 104a is closed. , the supply pipe 152 is closed and the flow of the developer R is stopped. The valve box 104a, the valve body 104b and the valve seat 104c are each made of a fluororesin material.
The upstream side valve 104 is composed of, for example, an air operation valve, and a speed controller (not shown) provided in the air operation valve can adjust the opening/closing speed of the flow path by the valve element 104b.
Since the structure of the downstream side valve 105 is the same as that of the upstream side valve 104, illustration and description thereof are omitted.

図３の説明に戻る
上述の上流側弁１０４の開閉動作や下流側弁１０５の開度は制御部２００によって制御される。
また、供給管１５２には、圧力測定部としての圧力センサ１０６が設けられている。圧力センサ１０６は、上流側弁１０４と下流側弁１０５との間の部分における、供給管１５２内の現像液の圧力を測定する。圧力センサ１０６での測定結果は、制御部２００に出力される。
なお、図示は省略するが、供給管１５２には、吐出ノズル３２へ供給される現像液の流量を測定するための流量計が設けられている。流量計は、例えば供給管１５２における下流側弁１０５と圧力センサ１０６との間の部分に設けられる。 Returning to the description of FIG.
Further, the supply pipe 152 is provided with a pressure sensor 106 as a pressure measuring section. A pressure sensor 106 measures the pressure of the developer in the supply pipe 152 between the upstream valve 104 and the downstream valve 105 . A measurement result of the pressure sensor 106 is output to the control unit 200 .
Although not shown, the supply pipe 152 is provided with a flow meter for measuring the flow rate of the developer supplied to the discharge nozzle 32 . A flow meter is provided, for example, in a portion of the supply pipe 152 between the downstream valve 105 and the pressure sensor 106 .

以上のように構成される現像液供給部１００では、現像液として絶縁性の高い酢酸ブチルが用いられており、上流側弁１０４や下流側弁１０５も絶縁性の高いフッ素系樹脂で形成されている。したがって、現像液が上流側弁１０４や下流側弁１０５を通過する際に、上流側弁１０４や下流側弁１０５に静電気が生じ蓄積される。この静電気が過剰に蓄積されると静電気放電が生じ、上流側弁１０４や下流側弁１０５の弁体や弁座の接液面に微小な損傷が加わる。このような異常の結果、上流側弁１０４や下流側弁１０５において、現像液のスローリークが生じることがある。
それに対し、現像液供給部１００では、制御部２００が、上流側弁１０４と下流側弁１０５の両方が閉状態のときの圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定する。
例えば、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態とされてから所定時間経過後の圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、上記異常の有無の判定を行う。より具体的には、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態とする制御信号を出力してから所定時間経過後の圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、上記異常の有無の判定を行う。上記所定の時間は例えば４５～１２０秒である。異常の有無の判定の具体的な方法については後述する。 In the developer supply unit 100 configured as described above, butyl acetate with high insulating properties is used as the developer, and the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are also made of highly insulating fluorine-based resin. there is Therefore, static electricity is generated and accumulated in the upstream valve 104 and the downstream valve 105 when the developer passes through the upstream valve 104 and the downstream valve 105 . When this static electricity is excessively accumulated, electrostatic discharge occurs, and minute damage is applied to the liquid contact surfaces of the valve bodies and valve seats of the upstream valve 104 and the downstream valve 105 . As a result of such an abnormality, a slow leak of developer may occur in the upstream valve 104 and the downstream valve 105 .
On the other hand, in the developer supply section 100, the control section 200 controls the upstream side valve 104 and the downstream side valve 104 based on the measurement result of the pressure sensor 106 when both the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed. The presence or absence of abnormality in the valve 105 is determined.
For example, the control unit 200 determines whether or not there is an abnormality based on the measurement result of the pressure sensor 106 after a predetermined time has passed since the upstream valve 104 and the downstream valve 105 are closed. More specifically, the control unit 200 outputs a control signal for closing the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 based on the measurement result of the pressure sensor 106 after a predetermined time has passed. Determines whether or not there is The predetermined time is, for example, 45 to 120 seconds. A specific method for determining whether or not there is an abnormality will be described later.

次に、制御部２００による制御の下、現像液供給部１００で行われる吐出ノズル３２への現像液の供給処理について、説明する。 Next, the process of supplying the developer to the discharge nozzle 32 performed by the developer supply section 100 under the control of the control section 200 will be described.

まず、制御部２００は、例えば現像処理の際に、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を開状態にさせ、開閉弁１０２を閉状態にさせると共に、ポンプ１０１を駆動させる。これにより、ポンプ１０１と吐出ノズル３２の間に貯留されていた現像液が、吐出ノズル３２へ所定量供給され、当該吐出ノズル３２を介してウェハＷ上に吐出される。 First, the control unit 200 opens the upstream valve 104 and the downstream valve 105, closes the on-off valve 102, and drives the pump 101, for example, during development processing. As a result, a predetermined amount of developer stored between the pump 101 and the discharge nozzle 32 is supplied to the discharge nozzle 32 and discharged onto the wafer W through the discharge nozzle 32 .

吐出ノズル３２からの吐出後、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態にさせ、開閉弁１０２を開状態とさせると共に、ポンプ１０１を駆動させる。そうすると、吐出ノズル３２からウェハＷに供給される１回分の供給量の現像液が、ポンプ１０１に補充される。なお、ポンプ１０１は常時駆動されている。 After discharge from the discharge nozzle 32 , the control unit 200 closes the upstream valve 104 and the downstream valve 105 , opens the on-off valve 102 , and drives the pump 101 . As a result, the pump 101 is replenished with the amount of developer supplied to the wafer W from the discharge nozzle 32 for one time. Note that the pump 101 is always driven.

また、制御部２００は、吐出ノズル３２からの吐出後に、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態にさせたときに、圧力センサ１０６から測定結果を取得する。具体的には、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態とする制御信号を出力してから所定時間経過後に、圧力センサ１０６から測定結果を取得する。そして、制御部２００は、取得した測定結果に基づいて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定する。
以下、異常の有無の判定手法を図５～図８を用いて説明する。 Further, the control unit 200 obtains the measurement result from the pressure sensor 106 when the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed after discharge from the discharge nozzle 32 . Specifically, the control unit 200 acquires the measurement result from the pressure sensor 106 after a predetermined time has passed since outputting the control signal to close the upstream valve 104 and the downstream valve 105 . Then, the control unit 200 determines whether there is an abnormality in the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 based on the obtained measurement result.
A method for determining the presence or absence of an abnormality will be described below with reference to FIGS. 5 to 8. FIG.

圧力センサ１０６で測定される現像液の圧力（以下、「現像液の測定圧」と省略することがある。）Ｐｍは、図５に示すように、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態となった直後は、上流側弁１０４の弁体１０４ｂに現像液が押し出されることにより、ポンプ１０１の圧送圧（例えば約３００ｋＰａ）Ｐｐより高くなる。そして、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が正常であれば、現像液の測定圧Ｐｍは時間が経過しても略一定である。
しかし、上流側弁１０４が正常であり下流側弁１０５にスローリークが生じていた場合、図６に示すように、現像液の測定圧Ｐｍは徐々に低下し、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐを下回り、吐出ノズル３２の周囲の雰囲気圧力（例えば大気圧）Ｐｓ近くまで低下する。
また、下流側弁１０５が正常であり上流側弁１０４にスローリークが生じていた場合、図７に示すように、現像液の測定圧Ｐｍは徐々に低下し、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐ近くまで低下する。
下流側弁１０５及び上流側弁１０４の両方にスローリークが生じていた場合は、図８に示すように、現像液の測定圧Ｐｍは、徐々に低下し、吐出ノズル３２の周囲の雰囲気圧力Ｐｓまでは低下しないものの、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐを下回るようになる。 The pressure of the developer measured by the pressure sensor 106 (hereinafter sometimes abbreviated as "measured pressure of the developer") Pm is, as shown in FIG. Immediately after the state is reached, the developing solution is pushed out to the valve body 104b of the upstream side valve 104, so that the pumping pressure (for example, about 300 kPa) of the pump 101 becomes higher than Pp. If the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are normal, the measured pressure Pm of the developer is substantially constant over time.
However, when the upstream side valve 104 is normal and the downstream side valve 105 has a slow leak, as shown in FIG. , the atmospheric pressure around the ejection nozzle 32 (for example, the atmospheric pressure) drops to near Ps.
When the downstream side valve 105 is normal and the upstream side valve 104 is slow leaking, as shown in FIG. descend.
When slow leaks occur in both the downstream side valve 105 and the upstream side valve 104, as shown in FIG. However, it falls below the pressure-feeding pressure Pp of the pump 101 .

そこで、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態とする制御信号を出力してから所定時間経過後に、圧力センサ１０６から測定結果を取得する。そして、制御部２００は、現像液の測定圧Ｐｍが、第１閾値Ｐ１（図６参照）を下回るか否か判定する。第１閾値Ｐ１は、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐより小さく吐出ノズル３２の周囲の雰囲気圧力Ｐｓ以上に設定されたものである。そして、第１閾値Ｐ１を下回ったときに、制御部２００は、下流側弁１０５に異常ありと判定する。 Therefore, the control unit 200 acquires the measurement result from the pressure sensor 106 after a predetermined time has passed since outputting the control signal to close the upstream valve 104 and the downstream valve 105 . Then, the control unit 200 determines whether or not the measured pressure Pm of the developer is lower than the first threshold value P1 (see FIG. 6). The first threshold value P1 is set to be lower than the pumping pressure Pp of the pump 101 and equal to or higher than the atmospheric pressure Ps around the discharge nozzle 32 . Then, when it falls below the first threshold value P1, the control unit 200 determines that the downstream side valve 105 is abnormal.

また、制御部２００は、上記所定時間経過後に取得した圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、現像液の測定圧Ｐｍが、第２閾値Ｐ２（図８参照）を下回るか否か判定する。第２閾値Ｐ２は、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐより小さく第１閾値Ｐ１より大きい値に設定されたものである。そして、第１閾値Ｐ１を下回らないが第２閾値Ｐ２を下回るときに、制御部２００は、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の両方に異常ありと判定する。 Further, the control unit 200 determines whether or not the measured pressure Pm of the developer is lower than the second threshold value P2 (see FIG. 8 ) based on the measurement result obtained by the pressure sensor 106 after the predetermined time has elapsed. The second threshold value P2 is set to a value smaller than the pumping pressure Pp of the pump 101 and larger than the first threshold value P1. Then, when it does not fall below the first threshold value P1 but falls below the second threshold value P2, the control unit 200 determines that both the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are abnormal.

さらに、制御部２００は、上記所定時間経過後に取得した圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、現像液の測定圧Ｐｍが、第３閾値Ｐ３（図７参照）を下回るか否か判定する。第３閾値Ｐ３は、ポンプ１０１の圧送圧Ｐｐ以上に設定されたものであり、本実施形態ではポンプ１０１の圧送圧に設定されている。そして、第１閾値Ｐ１及び第２閾値Ｐ２を下回らないが第３閾値Ｐ３を下回るときに、制御部２００は、上流側弁１０４に異常ありと判定する。
制御部２００は、異常有りと判定された場合、例えば、アラーム発報部２０１を介して異常を報知する。 Furthermore, the control unit 200 determines whether or not the measured pressure Pm of the developer is lower than the third threshold value P3 (see FIG. 7 ) based on the measurement result obtained by the pressure sensor 106 after the predetermined time has elapsed. The third threshold value P3 is set to be equal to or higher than the pumping pressure Pp of the pump 101, and is set to the pumping pressure of the pump 101 in this embodiment. Then, when it does not fall below the first threshold value P1 and the second threshold value P2 but falls below the third threshold value P3, the control unit 200 determines that the upstream side valve 104 is abnormal.
When it is determined that there is an abnormality, the control unit 200 notifies the abnormality via the alarm notification unit 201, for example.

以上のように、本実施形態では、制御部２００が、吐出ノズル３２から吐出後に上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態とされているときの、圧力センサ１０６での測定結果に基づいて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定する。したがって、上流側弁１０４及び下流側弁１０５について、吐出ノズル３２から例えば０．０１ｍｌ／ｍｉｎ～０．０．０４ｍｌ／ｍｉｎ（４５秒～１２０秒に１回液垂れ）という遅い速度で漏れ出すスローリーク等の異常を検知することができる。 As described above, in the present embodiment, the control unit 200 controls the pressure sensor 106 based on the measurement result of the pressure sensor 106 when the upstream valve 104 and the downstream valve 105 are closed after discharge from the discharge nozzle 32 . , the presence or absence of an abnormality in the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 is determined. Therefore, for the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105, a slow leak rate of, for example, 0.01 ml/min to 0.0.04 ml/min (dropping once every 45 to 120 seconds) from the discharge nozzle 32 Abnormalities such as leaks can be detected.

なお、供給管１５２にも静電気放電が生じその接液面に微小な損傷が生じることがある。この微小な損傷により、流路の体積変化が生じる。この体積変化は圧力センサ１０６で検出され得る。そのため、本実施形態によれば、供給管１５２の異常も検出し得る。 Electrostatic discharge may also occur in the supply pipe 152, causing minute damage to the wetted surface thereof. This minute damage causes a volume change in the channel. This volume change can be detected by the pressure sensor 106 . Therefore, according to this embodiment, an abnormality in the supply pipe 152 can also be detected.

また、本実施形態では、制御部２００が、上述の第１～第３閾値Ｐ１～Ｐ３を用いて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定している。したがって、下流側弁１０５のみに異常が発生しているか、上流側弁１０４のみに異常が発生しているか、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の両方に異常が発生しているかを判定することができる。 Further, in the present embodiment, the control unit 200 determines whether or not the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are abnormal using the above-described first to third threshold values P1 to P3. Therefore, it is necessary to determine whether only the downstream valve 105 has an abnormality, only the upstream valve 104 has an abnormality, or both the upstream valve 104 and the downstream valve 105 have an abnormality. can be done.

上流側弁１０４の異常の有無を判定可能とするためには、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態にされた直後に圧力センサ１０６で測定される圧力Ｐｉ（初期測定圧Ｐｉ（図６等参照））が大きい方がよい。そのためには、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態とする際、制御部２００が、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が同時に閉状態となる制御信号、または、下流側弁１０５が閉状態となった後に上流側弁１０４が閉状態となる制御信号を出力することが好ましい。前者の制御信号に比べ、後者の制御信号の方が、圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉが大きくなり、上流側弁１０４の異常をより精度良く検出することができるため、特に、後者の制御信号を出力することが好ましい。 In order to be able to determine whether or not the upstream valve 104 is abnormal, the pressure Pi measured by the pressure sensor 106 immediately after the upstream valve 104 and the downstream valve 105 are closed (initial measured pressure Pi (Fig. 6, etc.)) is better. For this purpose, when the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed, the control unit 200 outputs a control signal for simultaneously closing the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105, or the downstream side valve 105 is closed. It is preferable to output a control signal to close the upstream side valve 104 after the closed state. Compared to the former control signal, the latter control signal increases the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106, and the abnormality of the upstream side valve 104 can be detected more accurately. is preferably output.

なお、圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉが大きい方が、上流側弁１０４の異常をより精度良く検出することができる。圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉを大きくするためには、上流側弁１０４を閉状態とするときの、上流側弁１０４と下流側弁１０５との間の部分における現像液の圧力上昇が大きい方がよい。この圧力上昇を大きくするため、上流側弁１０４内の流路の断面積は、当該上流側弁１０４の弁体１０４ｂより下流側が上流側に比べて大きいことが好ましい。具体的には、上流側弁１０４の弁箱１０４ａにより形成される流路の断面積は、弁座１０４ｃより下流側が上流側に比べて大きいことが好ましい。 The larger the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106 is, the more accurately the abnormality of the upstream side valve 104 can be detected. In order to increase the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106, the pressure rise of the developer in the portion between the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 when the upstream side valve 104 is closed must be increased. is good. In order to increase this pressure rise, it is preferable that the cross-sectional area of the flow path in the upstream side valve 104 is larger on the downstream side than on the upstream side of the valve body 104b of the upstream side valve 104 . Specifically, it is preferable that the cross-sectional area of the flow path formed by the valve box 104a of the upstream valve 104 is larger on the downstream side than on the upstream side of the valve seat 104c.

また、圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉを大きくするために、上流側弁１０４の弁体１０４ｂによる流路の開閉速度を速くすることが好ましい。弁体１０４ｂによる流路の開閉速度は、例えば、前述のように、上流側弁１０４を構成するエアオペレーションバルブに設けられたスピードコントローラ（図示せず）で調整することができる。 Moreover, in order to increase the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106, it is preferable to increase the speed at which the valve body 104b of the upstream valve 104 opens and closes the flow path. The opening/closing speed of the flow path by the valve element 104b can be adjusted, for example, by a speed controller (not shown) provided in the air operation valve that constitutes the upstream side valve 104, as described above.

（第２実施形態）
図９は、第２実施形態にかかる現像処理装置が備える現像液供給部３００の構成の概略を示す説明図である。
図示するように、本実施形態にかかる現像液供給部３００では、ポンプ１０１は、複数の吐出ノズル３２で共通としている。また、供給管１５２は、複数の吐出ノズル３２に向けて分岐された分岐管３０１を有する。そして、各分岐管３０１に対し、上流側弁１０４、下流側弁１０５、圧力センサ１０６が設けられている。なお、図では、一部の分岐管３０１のみに上流側弁１０４等が設けられている。
さらに、各分岐管３０１には、上流側弁１０４より上流側における当該分岐管３０１内の現像液の圧力を測定する他の圧力測定部としての圧力センサ３０２が設けられている。圧力センサ３０２での測定結果は、制御部２００に出力される。 (Second embodiment)
FIG. 9 is an explanatory diagram showing the outline of the configuration of the developer supply section 300 provided in the development processing apparatus according to the second embodiment.
As shown in the figure, in the developer supply unit 300 according to this embodiment, the pump 101 is shared by the plurality of discharge nozzles 32 . Also, the supply pipe 152 has a branch pipe 301 branched toward the plurality of discharge nozzles 32 . An upstream valve 104 , a downstream valve 105 and a pressure sensor 106 are provided for each branch pipe 301 . In the drawing, only some of the branch pipes 301 are provided with the upstream valves 104 and the like.
Furthermore, each branch pipe 301 is provided with a pressure sensor 302 as another pressure measuring unit for measuring the pressure of the developer in the branch pipe 301 on the upstream side of the upstream valve 104 . A measurement result of the pressure sensor 302 is output to the control unit 200 .

上述のようにポンプ１０１を複数の吐出ノズル３２で共通とする場合、各分岐管３０１への現像液の圧送圧は変化することがある。したがって、上流側弁１０４の異常の有無を判定するための第３閾値Ｐ３を固定値としておくと、例えば、現像液の圧送圧Ｐｐが上昇した場合、上流側弁１０４にリークがあるにも関わらず、現像液の測定圧Ｐｍが第３閾値Ｐ３以下にならず、上流側弁１０４の異常が検知できないことがある。 When the pump 101 is shared by a plurality of discharge nozzles 32 as described above, the pressure of the developing solution pumped to each branch pipe 301 may vary. Therefore, if the third threshold value P3 for determining whether or not the upstream valve 104 is abnormal is set to a fixed value, for example, when the pumping pressure Pp of the developer increases, the upstream valve 104 is leaked. Otherwise, the measured pressure Pm of the developer does not become equal to or lower than the third threshold value P3, and the abnormality of the upstream valve 104 may not be detected.

そこで、本実施形態では、制御部２００は、吐出ノズル３２からの吐出後に、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態とされているときに、圧力センサ１０６及び圧力センサ３０２から現像液の圧力の測定結果を取得する。そして、制御部２００は、これら測定結果に基づいて、上流側弁１０４の異常の有無を判定する。 Therefore, in the present embodiment, the controller 200 controls the pressure sensor 106 and the pressure sensor 302 to release the developer from the pressure sensor 106 and the pressure sensor 302 when the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed after the discharge from the discharge nozzle 32. Get the pressure measurement result. Based on these measurement results, the control unit 200 determines whether the upstream valve 104 is abnormal.

具体的には、制御部２００は、第３閾値Ｐ３を、圧力センサ３０２で測定される現像液の圧力（基準圧Ｐｂ）と、圧力センサ１０６で測定される初期測定圧Ｐｉとに基づいて設定する。例えば、制御部２００は、第３閾値Ｐ３を以下の式（１）を満たすように設定する。
Ｐ３＝Ｐｂ＋（Ｐｉ－Ｐｂ）×０．２５ …（１）
そして、制御部２００は、圧力センサ１０６で測定される現像液の測定圧Ｐｍが第３閾値Ｐ３を下回るか否かに基づいて、上流側弁１０４の異常の有無を判定する。 Specifically, the control unit 200 sets the third threshold value P3 based on the developer pressure (reference pressure Pb) measured by the pressure sensor 302 and the initial measured pressure Pi measured by the pressure sensor 106. do. For example, the control unit 200 sets the third threshold P3 so as to satisfy the following formula (1).
P3=Pb+(Pi−Pb)×0.25 (1)
Then, the control unit 200 determines whether or not the upstream side valve 104 is abnormal based on whether or not the measured pressure Pm of the developer measured by the pressure sensor 106 is lower than the third threshold value P3.

このような構成により、分岐管３０１への現像液の圧送圧（＝基準圧Ｐｂ）が上昇した場合でも、上流側弁１０４の異常をより確実に検知することができる。 With such a configuration, even when the pressure (=reference pressure Pb) of the developing solution pumped to the branch pipe 301 increases, the abnormality of the upstream side valve 104 can be detected more reliably.

なお、基準圧Ｐｂが大きく変動した場合、例えば、基準圧Ｐｂが初期測定圧Ｐｉを超える場合、式（１）に基づいて第３閾値Ｐ３を設定しても、上流側弁１０４の異常の有無を判定することができない。したがって、基準圧Ｐｂに対して、初期測定圧Ｐｉを基準とした閾値ＰＬを設け、基準圧Ｐｂが当該閾値ＰＬを超える場合は、異常検知不可の報知が行われるようにしてもよい。 Note that when the reference pressure Pb fluctuates greatly, for example, when the reference pressure Pb exceeds the initial measurement pressure Pi, even if the third threshold value P3 is set based on the equation (1), whether or not the upstream side valve 104 is abnormal cannot be determined. Therefore, a threshold value PL may be provided for the reference pressure Pb based on the initial measured pressure Pi, and when the reference pressure Pb exceeds the threshold value PL, a notification that abnormality detection is not possible may be performed.

各分岐管３０１への現像液の圧送圧が低下する場合、すなわち、圧力センサ３０２で測定される現像液の基準圧Ｐｂが、上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態にされた直後の基準圧（初期基準圧）Ｐｂ_０以下になる場合は、第３閾値Ｐ３を上記初期基準圧Ｐｂ_０で固定としてもよい。つまり、第３閾値Ｐ３を以下の式（２）を満たすように設定してもよい。
Ｐ３＝Ｐｂ＋（Ｐｉ－Ｐｂ）×０．２５（Ｐｂ＞Ｐｂ_０の場合）
＝Ｐｂ_０（Ｐｂ≦Ｐｂ_０の場合）…（２） When the pressure of the developing solution pumped to each branch pipe 301 decreases, that is, when the reference pressure Pb of the developing solution measured by the pressure sensor 302 becomes When the reference pressure (initial reference pressure) Pb0 becomes less than or equal to ₀ , the third threshold value P3 may be fixed at the initial reference pressure _Pb0 . That is, the third threshold P3 may be set so as to satisfy the following formula (2).
P3=Pb+(Pi−Pb)×0.25 (when Pb>Pb ₀ )
=Pb ₀ (when Pb≤Pb ₀ ) (2)

また、圧力センサ３０２で測定される現像液の基準圧Ｐｂが、初期基準圧Ｐｂ_０以下になる場合は、圧力センサ３０２で測定される現像液の基準圧Ｐｂを第３閾値Ｐ３として用いてもよい。つまり、第３閾値Ｐ３を以下の式（３）を満たすように設定してもよい。
Ｐ３＝Ｐｂ＋（Ｐｉ－Ｐｂ）×０．２５（Ｐｂ＞Ｐｂ_０の場合）
＝Ｐｂ（Ｐｂ≦Ｐｂ_０の場合）…（３） Further, when the reference pressure Pb of the developer measured by the pressure sensor 302 is equal to or less than the initial reference pressure Pb ₀ , the reference pressure Pb of the developer measured by the pressure sensor 302 may be used as the third threshold value P3. good. That is, the third threshold P3 may be set so as to satisfy the following formula (3).
P3=Pb+(Pi−Pb)×0.25 (when Pb>Pb ₀ )
=Pb (when Pb≦Pb ₀ ) (3)

（第１実施形態及び第２実施形態の変形例）
以上の例では、現像処理の際に、吐出ノズル３２からの現像液の吐出後、上流側弁１０４及び下流側弁１０５を閉状態として、圧力センサ１０６から測定結果を取得し、該測定結果に基づいて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定していた。
上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無の判定を行うタイミングは、上述のような現像処理等の基板処理時に限られない。例えば、現像処理等の基板処理の待機時に、上記異常の有無の判定を行うようにしてもよい。具体的には、制御部２００が、上記待機時に、吐出ノズル３２から一旦現像液が吐出されその後上流側弁１０４及び下流側弁１０５が閉状態とされているときの、圧力センサ１０６等での測定結果が取得されるよう制御信号を出力する。そして、圧力センサ１０６等での測定結果に基づいて、上流側弁１０４及び下流側弁１０５の異常の有無を判定するようにしてもよい。なお、待機時に異常の有無を判定する際、現像液の吐出先は、待機部３４内であってもよいし、カップ２２内であってもよい。 (Modified example of the first and second embodiments)
In the above example, during development processing, after the developer is discharged from the discharge nozzle 32, the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed, the measurement result is acquired from the pressure sensor 106, and the measurement result is Based on this, it is determined whether or not there is an abnormality in the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 .
The timing for determining whether or not there is an abnormality in the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 is not limited to the time of substrate processing such as development processing as described above. For example, the presence or absence of the abnormality may be determined during standby for substrate processing such as development processing. Specifically, the control unit 200 controls the pressure sensor 106 and the like when the developing solution is once discharged from the discharge nozzle 32 and then the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 are closed during the standby time. Output a control signal to acquire the measurement result. Then, based on the measurement results of the pressure sensor 106 or the like, it may be determined whether or not there is an abnormality in the upstream side valve 104 and the downstream side valve 105 . When determining whether or not there is an abnormality during standby, the developer may be discharged to either the standby section 34 or the cup 22 .

図１０は、上流側弁及び下流側弁の他の例を説明する断面図である。
本例において、上流側弁４０１及び下流側弁４０２は一体物とされ、当該一体物に対し圧力センサ１０６が設けられている。 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating another example of the upstream valve and the downstream valve.
In this example, the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 are integrated, and the pressure sensor 106 is provided for the integrated body.

上流側弁４０１及び下流側弁４０２はそれぞれ、流路を形成する弁箱４０１ａ、４０２ａを有する。
弁箱４０１ａ、４０２ａには、弁体４０１ｂ、４０２ｂが内蔵されている。弁体４０１ｂ、４０２ｂは、弁箱４０１ａ、４０２ａにより形成される流路に対して直角に移動して当該流路を開閉する。
また、弁箱４０１ａ、４０２ａには、弁体４０１ｂ、４０２ｂと対向する位置に、弁体４０１ｂ、４０２ｂに向かって延び出すように形成された弁座４０１ｃ、４０２ｃが形成されている。弁体４０１ｂ、４０２ｂの弁座４０１ｃ、４０２ｃ側の面（図１０の下面）と弁座４０１ｃ、４０２ｃの弁体４０１ｂ、４０２ｂの面（図１０の上面）とが当接したときに弁箱４０１ａ、４０２ａにより形成される流路は閉止され、供給管１５２は閉止される。弁箱４０１ａ、４０２ａ、弁体４０１ｂ、４０２ｂ及び弁座４０１ｃ、４０２ｃはそれぞれフッ素系樹脂材料で形成されている。 The upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 respectively have valve boxes 401a and 402a that form flow paths.
The valve bodies 401b and 402b are built in the valve bodies 401a and 402a. The valve bodies 401b and 402b move perpendicularly to the flow path formed by the valve bodies 401a and 402a to open and close the flow path.
In addition, valve seats 401c and 402c formed to extend toward the valve bodies 401b and 402b are formed in the valve bodies 401a and 402a at positions facing the valve bodies 401b and 402b. When the surfaces of the valve bodies 401b and 402b on the side of the valve seats 401c and 402c (lower surfaces in FIG. 10) and the surfaces of the valve bodies 401b and 402b of the valve seats 401c and 402c (upper surfaces in FIG. 10) come into contact with each other, the valve body 401a , 402a is closed and the supply tube 152 is closed. The valve bodies 401a and 402a, the valve bodies 401b and 402b, and the valve seats 401c and 402c are each made of a fluororesin material.

そして、本例では、上流側弁４０１の弁箱４０１ａと下流側弁４０２の弁箱４０２ａとが一体物とされている。また、当該一体物における、弁体４０１ｂの配設領域と弁体４０２ｂの配設領域との間の部分に圧力センサ１０６が設けられ、当該部分内の現像液Ｒの圧力が圧力センサ１０６によって測定されるように構成されている。 In this example, the valve box 401a of the upstream side valve 401 and the valve box 402a of the downstream side valve 402 are integrated. In addition, a pressure sensor 106 is provided in a portion between the arrangement area of the valve body 401b and the arrangement area of the valve body 402b in the integral body, and the pressure sensor 106 measures the pressure of the developing solution R in the part. configured to be

前述のように、圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉを大きくするために、上流側弁４０１を閉状態とするときの、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の部分における現像液の圧力上昇が大きい方がよい。そのためには、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の距離が短く、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の部分の容積が小さいこと、具体的には、上流側弁４０１の弁体４０１ｂと下流側弁４０２の弁体４０２ｂとの間の流路の容積が小さいことが好ましい。 As described above, the pressure of the developer in the portion between the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 when the upstream side valve 401 is closed in order to increase the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106 is Larger rise is better. For that purpose, the distance between the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 should be short, and the volume of the portion between the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 should be small. It is preferable that the volume of the passage between the valve body 401b of the downstream side valve 402 and the valve body 402b of the downstream side valve 402 is small.

それに対し、本例では、上流側弁４０１及び下流側弁４０２が一体物とされているため、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の距離が短く、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の部分の容積が小さい。具体的には、弁箱４０１ａ、４０２ａが一体物とされているため、上流側弁４０１の弁体４０１ｂと下流側弁４０２の弁体４０２ｂとの間の流路の容積が小さい。そのため、本例によれば、上流側弁４０１を閉状態としたときの、上流側弁４０１と下流側弁４０２との間の部分における現像液の圧力上昇が大きくすることができる。したがって、圧力センサ１０６による初期測定圧Ｐｉを大きくすることができ、その結果、上流側弁４０１の異常をより精度良く検出することができる。 On the other hand, in this example, since the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 are integrated, the distance between the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 is short, and the upstream side valve 401 and the downstream side valve The volume of the portion between 402 is small. Specifically, since the valve bodies 401a and 402a are integrated, the volume of the passage between the valve element 401b of the upstream valve 401 and the valve element 402b of the downstream valve 402 is small. Therefore, according to this example, when the upstream side valve 401 is closed, the pressure rise of the developer in the portion between the upstream side valve 401 and the downstream side valve 402 can be increased. Therefore, the initial pressure Pi measured by the pressure sensor 106 can be increased, and as a result, the abnormality of the upstream side valve 401 can be detected with higher accuracy.

以上の例では、処理液として、酢酸ブチルというネガ型現像液を用いていたが、体積抵抗率が４．５×１０^１０Ω・ｃｍ以上の、他のネガ型の現像液や、ポジ型の現像液を用いてもよい。例えば、ジブチルエーテルを用いてもよい。
また、以上の例では、処理液として現像液を供給する供給部に、上流側弁及び下流側弁を設け、これらの異常の有無を判定していた。これに代えて、処理液として体積抵抗率が４．５×１０^１０Ω・ｃｍ以上のリンス液を供給する供給部に、上流側弁及び下流側弁を設け、これらの異常の有無を判定するようにしてもよい。
なお、以上の例では、上流側弁や下流側弁は、フッ素系樹脂で形成されるものとしていたが、他の絶縁性樹脂で形成されていてもよい。また、上流側弁や下流側弁の全体ではなく、接液面のみが絶縁性樹脂で形成されていてもよい。 In the above example, a negative developing solution called butyl acetate was used as the processing liquid, but other negative developing solutions having a volume resistivity of 4.5×10 ¹⁰ Ω·cm or more and positive developing solutions may be used. A developer may be used. For example, dibutyl ether may be used.
Further, in the above example, an upstream side valve and a downstream side valve are provided in the supply section for supplying the developing liquid as the processing liquid, and the presence or absence of abnormality in these valves is determined. Instead of this, an upstream valve and a downstream valve are provided in a supply unit that supplies a rinse liquid having a volume resistivity of 4.5×10 ¹⁰ Ω·cm or more as the processing liquid, and the presence or absence of abnormality in these valves is determined. You may do so.
In the above example, the upstream side valve and the downstream side valve are made of fluorine-based resin, but they may be made of other insulating resin. Alternatively, only the liquid-contacting surface may be made of insulating resin instead of the entire upstream or downstream valve.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に前記処理液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記処理液を供給する処理液供給部と、を備え、
前記処理液供給部は、
前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、
前記吐出部と前記ポンプとを接続する供給管と、
前記供給管に、上流側から順に設けられた上流側弁及び下流側弁と、
前記上流側弁と前記下流側弁との間の部分における、前記供給管内の前記処理液の圧力を測定する圧力測定部と、
前記吐出部からの吐出後に前記上流側弁及び前記下流側弁が閉状態とされているときの、前記圧力測定部での測定結果に基づいて、前記上流側弁及び前記下流側弁の異常の有無を判定するように構成されている制御部と、を有する、基板処理装置。
上記（１）によれば、処理液の吐出部への供給管に設けられた上流側弁及び下流側弁の、スローリーク等の異常を検知することができる。 Note that the following configuration also belongs to the technical scope of the present disclosure.
(1) A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to perform a predetermined processing,
a discharge unit for discharging the processing liquid onto the substrate;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the ejection unit;
The processing liquid supply unit
a pump for pumping the treatment liquid to the discharge section;
a supply pipe connecting the discharge part and the pump;
an upstream side valve and a downstream side valve provided in order from the upstream side in the supply pipe;
a pressure measuring unit that measures the pressure of the processing liquid in the supply pipe at a portion between the upstream valve and the downstream valve;
Abnormality of the upstream side valve and the downstream side valve is determined based on the measurement result of the pressure measuring section when the upstream side valve and the downstream side valve are closed after discharge from the discharge section. A substrate processing apparatus comprising: a controller configured to determine the presence or absence of the substrate.
According to the above (1), it is possible to detect an abnormality such as a slow leak in the upstream valve and the downstream valve provided in the supply pipe to the discharge portion of the treatment liquid.

（２）前記制御部は、前記圧力測定部で測定された前記処理液の圧力が、前記ポンプの処理液の圧送圧より小さく前記吐出部の周囲の雰囲気圧力以上に設定された閾値を下回ったときに、前記下流側弁に異常あり、と判定するように構成されている、前記（１）に記載の基板処理装置。 (2) The control unit determines that the pressure of the processing liquid measured by the pressure measuring unit has fallen below a threshold set to be lower than the pumping pressure of the processing liquid of the pump and equal to or higher than the atmospheric pressure around the discharge unit. The substrate processing apparatus according to (1), which is configured to determine that the downstream valve is abnormal at times.

（３）前記制御部は、前記圧力測定部で測定された前記処理液の圧力が、前記ポンプの処理液の圧送圧より小さく且つ前記閾値より大きい値に設定された他の閾値を下回ったときに、前記上流側弁と前記下流側弁の両方に異常あり、と判定するように構成されている、前記（２）に記載の基板処理装置。 (3) When the pressure of the processing liquid measured by the pressure measuring section falls below another threshold set to a value smaller than the pumping pressure of the processing liquid of the pump and larger than the threshold (2) The substrate processing apparatus according to (2) above, configured to determine that both the upstream valve and the downstream valve are abnormal.

（４）前記制御部は、前記圧力測定部で測定された前記処理液の圧力が、前記ポンプの処理液の圧送圧以上に設定された別の閾値を下回ったときに、前記上流側弁に異常あり、と判定するように構成されている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理装置。 (4) When the pressure of the processing liquid measured by the pressure measuring section falls below another threshold value set to be equal to or higher than the pumping pressure of the processing liquid of the pump, the control section controls the upstream side valve. The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (3) above, configured to determine that there is an abnormality.

（５）前記制御部は、前記吐出部からの吐出後に前記上流側弁及び前記下流側弁が閉状態とされてから所定時間経過後の、前記圧力測定部での測定結果に基づいて、前記異常の有無の判定を行うように構成されている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理装置。 (5) The control unit measures the above-described The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (3) above, configured to determine the presence or absence of an abnormality.

（６）前記制御部は、前記所定の処理の待機時に、前記吐出部からの吐出後に前記上流側弁及び前記下流側弁が閉状態とされているときの、前記圧力測定部での測定結果が、取得されるよう制御信号を出力すると共に、当該測定結果に基づいて、前記異常の有無の判定を行うように構成されている、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（６）によれば、上流側弁の異常をより確実に検知することができる。 (6) During standby for the predetermined process, the control unit measures the measurement result of the pressure measurement unit when the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from the discharge unit. is configured to output a control signal to be acquired, and to determine the presence or absence of the abnormality based on the measurement result, any one of the above (1) to (5). Substrate processing equipment.
According to (6) above, the abnormality of the upstream valve can be detected more reliably.

（７）前記制御部は、前記異常の有無の判定の際、前記下流側弁が閉状態となった後に前記上流側弁が閉状態がとなるよう制御信号を出力するように構成されている、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（７）によれば、上流側弁の異常をより確実に検知することができる。 (7) The control unit is configured to output a control signal so that the upstream valve is closed after the downstream valve is closed when determining whether or not there is an abnormality. , the substrate processing apparatus according to any one of (1) to (6) above.
According to (7) above, an abnormality in the upstream valve can be detected more reliably.

（８）前記上流側弁及び前記下流側弁は一体物であり、前記圧力測定は当該一体物に対し設けられている、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（８）によれば、上流側弁の異常をより確実に検知することができる。 (8) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (7), wherein the upstream side valve and the downstream side valve are integrated, and the pressure measurement is provided for the integrated body. .
According to (8) above, an abnormality in the upstream valve can be detected more reliably.

（９）前記上流側弁内の流路の断面積は、当該上流側弁の弁体より下流側が上流側に比べて大きい、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
前記（９）によれば、上流側弁の異常をより確実に検知することができる。 (9) The substrate processing according to any one of (1) to (8) above, wherein the cross-sectional area of the flow path in the upstream valve is larger on the downstream side than on the upstream side of the valve body of the upstream valve. Device.
According to (9) above, the abnormality of the upstream valve can be detected more reliably.

（１０）前記ポンプは、複数の前記吐出部で共通であり、
前記供給管は、前記複数の前記吐出部それぞれに向けて分岐され前記上流側弁及び前記下流側弁が設けられた分岐管を有し、
前記処理液供給部は、さらに、前記上流側弁より上流側における、前記分岐管内の前記処理液の圧力を測定する他の圧力測定部を有し、
前記制御部は、前記吐出部からの吐出後に前記上流側弁及び前記下流側弁が閉状態とされているときの、前記圧力測定部及び前記他の圧力測定部での測定結果に基づいて、前記上流側弁の異常の有無を判定するように構成されている、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置
前記（１０）によれば、分岐管への現像液の圧送圧が上昇した場合でも、上流側弁の異常をより確実に検知することができる。 (10) the pump is common to a plurality of the discharge units;
The supply pipe has a branch pipe branched toward each of the plurality of discharge portions and provided with the upstream valve and the downstream valve,
The processing liquid supply unit further has another pressure measuring unit for measuring the pressure of the processing liquid in the branch pipe on the upstream side of the upstream valve,
Based on the measurement results of the pressure measurement unit and the other pressure measurement unit when the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from the discharge unit, the control unit The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (9), which is configured to determine whether or not the upstream valve is abnormal. Even if the pumping pressure of the upstream side valve rises, the abnormality of the upstream side valve can be detected more reliably.

（１１）前記処理液は、体積抵抗率が４．５×１０^１０Ω・ｃｍ以上である、前記（１）～（１０）のいずれか１に記載の基板処理装置。 (11) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (10), wherein the processing liquid has a volume resistivity of 4.5×10 ¹⁰ Ω·cm or more.

（１２）前記上流側弁及び前記下流側弁の前記処理液と接触する部分は、絶縁性材料で形成されている、前記（１）～（１１）のいずれか１に記載の基板処理装置。 (12) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (11), wherein portions of the upstream side valve and the downstream side valve that come into contact with the processing liquid are made of an insulating material.

（１３）基板に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置の異常を検出する異常検出方法であって、
前記基板処理装置は、
前記基板に前記処理液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記処理液を供給する処理液供給部と、を備え、
前記処理液供給部は、
前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、
前記吐出部と前記ポンプとを接続する供給管と、
前記供給管に、上流側から順に設けられた上流側弁及び下流側弁と、を有し、
当該異常検出方法は、
前記吐出部から前記処理液を吐出する吐出工程と、
前記吐出工程後、前記上流側弁及び前記下流側弁を閉状態とする弁制御工程と、
閉状態とされた前記上流側弁と前記下流側弁との間の部分における、前記供給管内の前記処理液の圧力を測定する圧力測定工程と、
前記圧力測定工程での測定結果に基づいて、前記上流側弁及び前記下流側弁の異常の有無を判定する判定工程と、を含む、異常検出方法。 (13) An abnormality detection method for detecting an abnormality in a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to a substrate to perform a predetermined process, comprising:
The substrate processing apparatus is
a discharge unit for discharging the processing liquid onto the substrate;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the ejection unit;
The processing liquid supply unit
a pump for pumping the treatment liquid to the discharge section;
a supply pipe connecting the discharge part and the pump;
The supply pipe has an upstream valve and a downstream valve provided in order from the upstream side,
The anomaly detection method is
a discharging step of discharging the treatment liquid from the discharging section;
a valve control step of closing the upstream valve and the downstream valve after the discharge step;
a pressure measuring step of measuring the pressure of the treatment liquid in the supply pipe at a portion between the closed upstream valve and the downstream valve;
and a determination step of determining whether or not there is an abnormality in the upstream valve and the downstream valve based on the measurement result in the pressure measurement step.

１現像処理装置
３２吐出ノズル
１００、３００現像液供給部
１０１ポンプ
１０４、４０１上流側弁
１０５、４０２下流側弁
１０６圧力センサ
１５２供給管
２００制御部
Ｐｂ基準圧
Ｐｍ測定圧
Ｐｐ圧送圧
Ｒ現像液
Ｗウェハ 1 development processing device 32 discharge nozzles 100, 300 developer supply unit 101 pumps 104, 401 upstream valves 105, 402 downstream valve 106 pressure sensor 152 supply pipe 200 control unit Pb reference pressure Pm measurement pressure Pp pumping pressure R developer W wafer

Claims

A substrate processing apparatus for performing a predetermined process by supplying a processing liquid to a substrate,
a discharge unit for discharging the processing liquid onto the substrate;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the ejection unit;
The processing liquid supply unit
a pump for pumping the treatment liquid to the discharge section;
a supply pipe connecting the discharge part and the pump;
an upstream side valve and a downstream side valve provided in order from the upstream side in the supply pipe;
a pressure measuring unit that measures the pressure of the processing liquid in the supply pipe at a portion between the upstream valve and the downstream valve;
Abnormality of the upstream side valve and the downstream side valve is determined based on the measurement result of the pressure measuring section when the upstream side valve and the downstream side valve are closed after discharge from the discharge section. a control unit configured to determine the presence of
The upstream valve has a valve box forming a flow path,
The valve body has a built-in valve body that opens and closes a flow path formed by the valve body, and has a valve seat at a position facing the valve body,
The substrate processing apparatus , wherein a cross-sectional area of a flow path formed by the valve box of the upstream valve is larger on the downstream side than on the upstream side of the valve seat.

When the pressure of the processing liquid measured by the pressure measuring unit falls below a threshold set to be less than the pumping pressure of the processing liquid of the pump and equal to or higher than the atmospheric pressure around the discharge section, 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, configured to determine that said downstream valve is abnormal.

The control unit adjusts the pressure of the processing liquid measured by the pressure measuring unit to a value that does not fall below the threshold, but is smaller than the pumping pressure of the processing liquid of the pump and larger than the threshold based on the pumping pressure. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, configured to determine that both the upstream side valve and the downstream side valve are abnormal when the difference falls below another set threshold.

The control unit controls that the pressure of the treatment liquid measured by the pressure measurement unit does not fall below the threshold value and the other threshold value, but is below the value immediately after the upstream valve and the downstream valve are closed. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein it is determined that said upstream side valve has an abnormality when said pumping pressure of the processing liquid of said pump falls below another threshold value set to be equal to or higher than said pumping pressure of said processing liquid. .

The control unit determines the presence or absence of the abnormality based on the measurement result of the pressure measurement unit after a predetermined time has passed since the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from the discharge unit. 5. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, which is configured to determine

The control unit acquires the measurement result of the pressure measurement unit when the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from the discharge unit during standby for the predetermined process. 6. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, configured to output a control signal so as to cause the substrate to be in contact with the substrate, and to determine whether or not the abnormality exists based on the measurement result.

2. The control unit is configured to output a control signal so that the upstream valve is closed after the downstream valve is closed when determining the presence or absence of the abnormality. 7. The substrate processing apparatus according to any one of items 1 to 6.

A substrate processing apparatus for performing a predetermined process by supplying a processing liquid to a substrate,
a discharge unit for discharging the processing liquid onto the substrate;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the ejection unit;
The processing liquid supply unit
a pump for pumping the treatment liquid to the discharge section;
a supply pipe connecting the discharge part and the pump;
an upstream side valve and a downstream side valve provided in order from the upstream side in the supply pipe;
a pressure measuring unit that measures the pressure of the processing liquid in the supply pipe at a portion between the upstream valve and the downstream valve;
Abnormality of the upstream side valve and the downstream side valve is determined based on the measurement result of the pressure measuring section when the upstream side valve and the downstream side valve are closed after discharge from the discharge section. a control unit configured to determine the presence of
The substrate processing apparatus, wherein the upstream side valve and the downstream side valve are integrated, and the pressure measuring section is provided for the integrated body.

A substrate processing apparatus for performing a predetermined process by supplying a processing liquid to a substrate,
a discharge unit for discharging the processing liquid onto the substrate;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the ejection unit;
The processing liquid supply unit
a pump for pumping the treatment liquid to the discharge section;
a supply pipe connecting the discharge part and the pump;
an upstream side valve and a downstream side valve provided in order from the upstream side in the supply pipe;
a pressure measuring unit that measures the pressure of the processing liquid in the supply pipe at a portion between the upstream valve and the downstream valve;
Abnormality of the upstream side valve and the downstream side valve is determined based on the measurement result of the pressure measuring section when the upstream side valve and the downstream side valve are closed after discharge from the discharge section. a control unit configured to determine the presence of
the pump is common to a plurality of the discharge units,
The supply pipe has a branch pipe branched toward each of the plurality of discharge portions and provided with the upstream valve and the downstream valve,
The processing liquid supply unit further has another pressure measuring unit for measuring the pressure of the processing liquid in the branch pipe on the upstream side of the upstream valve,
Based on the measurement results of the pressure measurement unit and the other pressure measurement unit when the upstream valve and the downstream valve are closed after discharge from the discharge unit, the control unit A substrate processing apparatus configured to determine whether or not there is an abnormality in the upstream valve.

10. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein said processing liquid has a volume resistivity of 4.5×10 ¹⁰ Ω·cm or more.

The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10 , wherein portions of said upstream side valve and said downstream side valve that come into contact with said processing liquid are made of an insulating material.