KR102581314B1 - Substrate processing method, recording medium and substrate processing system - Google Patents

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KR102581314B1
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겐타로 고시
타쿠로 마스즈미
히로미 키요세
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판의 표면 상에 형성되는 처리액의 액막의 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서는, 먼저, 액막 형성 공정으로서, 기판(W)을 제 1 회전수로 회전시키면서 기판(W)의 표면에 처리액을 공급하여, 기판(W)의 표면을 덮는 처리액의 액막을 형성한다. 액막 형성 공정 후, 공급 정지 공정으로서, 기판(W)의 회전수를 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고, 또한 기판(W)으로의 처리액의 공급을 정지한다. 공급 정지 공정 후, 액량 조정 공정으로서, 기판(W)의 회전수를 제 1 회전수보다 큰 회전수로 하여, 액막을 형성하는 처리액의 액량을 저감시킨다. A substrate processing method capable of improving the precision of the thickness of a processing liquid film formed on the surface of a substrate is provided. In the substrate processing method according to the present invention, first, as a liquid film forming step, a processing liquid is supplied to the surface of the substrate W while rotating the substrate W at a first rotation speed to cover the surface of the substrate W. Forms a liquid film of the treatment liquid. After the liquid film forming process, as a supply stop process, the rotation speed of the substrate W is set to a rotation speed equal to or less than the first rotation speed, and the supply of the processing liquid to the substrate W is stopped. After the supply stop process, as a liquid amount adjustment process, the rotation speed of the substrate W is set to a rotation speed greater than the first rotation speed to reduce the liquid amount of the processing liquid forming the liquid film.

Description

기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate processing method, storage medium, and substrate processing system {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to substrate processing methods, storage media, and substrate processing systems.

기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 등의 표면에 집적회로의 적층 구조를 형성하는 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 약액 등의 세정액에 의해 웨이퍼 표면의 미소한 먼지 또는 자연 산화막을 제거하는 등, 액체를 이용하여 웨이퍼 표면을 처리하는 처리 공정이 행해지고 있다.In the manufacturing process of semiconductor devices that form a layered structure of integrated circuits on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer), etc., which is a substrate, fine dust or natural oxide film on the wafer surface is removed using a cleaning solution such as a chemical solution, etc. , a treatment process is being performed to treat the wafer surface using liquid.

이러한 처리 공정으로 웨이퍼의 표면에 잔류한 액체를 제거할 시, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하는 방법이 알려져 있다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 초임계 유체를 이용하여 기판 상으로부터 유기 용제를 용해하여 웨이퍼를 건조시키는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.When removing the liquid remaining on the surface of the wafer through this processing process, a method of using a processing fluid in a supercritical state is known. For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing device that dries a wafer by dissolving an organic solvent from the substrate using a supercritical fluid.

특허 문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 처리 장치 내에서 약액 등의 세정액에 의해 웨이퍼의 표면의 세정이 행해진다. 세정 후의 웨이퍼의 표면에는 처리액으로서의 유기 용제가 액 축적된다. 유기 용제가 액 축적된 웨이퍼는, 세정 장치로부터 초임계 처리 장치로 반송되고, 초임계 처리 장치 내에서 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 웨이퍼의 건조 처리가 행해진다. 이와 같이 웨이퍼의 표면에 유기 용제를 액 축적함으로써, 세정 후의 웨이퍼의 표면이 초임계 처리 장치 내에서 건조 처리 될 때까지 건조되는 것을 방지하여, 파티클의 발생을 방지하고 있다. In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the surface of the wafer is cleaned with a cleaning liquid such as a chemical solution within the processing apparatus. The organic solvent as a processing liquid accumulates on the surface of the wafer after cleaning. The wafer on which the organic solvent has accumulated is transported from the cleaning device to the supercritical processing device, and the wafer is dried using a processing fluid in a supercritical state within the supercritical processing device. By accumulating the organic solvent on the surface of the wafer in this way, the surface of the wafer after cleaning is prevented from drying until drying is performed in the supercritical processing apparatus, and the generation of particles is prevented.

일본특허공개공보 2013-012538호Japanese Patent Publication No. 2013-012538

그러나, 세정 후의 웨이퍼의 표면 상의 유기 용제의 액 축적량이 너무 적으면, 초임계 처리 장치 내에서의 건조 처리를 행할 때까지 유기 용제가 기화되어 버릴 가능성이 있다. 한편, 액 축적량이 너무 많으면, 초임계 처리 장치 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼에 파티클이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 세정 후의 웨이퍼의 표면 상의 유기 용제는, 원하는 양으로 정밀도 좋게 액 축적되어 있는 것이 요구된다. However, if the amount of organic solvent liquid accumulated on the surface of the wafer after cleaning is too small, there is a possibility that the organic solvent may evaporate until drying is performed in the supercritical processing apparatus. On the other hand, if the liquid accumulation amount is too large, there is a risk that particles may be generated on the wafer after drying in the supercritical processing device. For this reason, it is required that the organic solvent on the surface of the wafer after cleaning is accurately accumulated in a desired amount.

본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것이며, 기판의 표면 상에 형성되는 처리액의 액막의 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템을 제공한다. The present invention has been made in consideration of these points, and provides a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing system that can improve the precision of the thickness of the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate.

본 발명의 일실시의 형태는,One embodiment of the present invention is,

기판을 제 1 회전수로 회전시키면서 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면을 덮는 상기 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation speed to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate;

상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고, 또한 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하는 공급 정지 공정과,a supply stop step of setting the rotation speed of the substrate to be equal to or less than the first rotation speed after the liquid film forming step and stopping the supply of the processing liquid to the substrate;

상기 공급 정지 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 큰 회전수로 하여, 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정을 구비한, 기판 처리 방법A substrate processing method including a liquid amount adjustment step of reducing the liquid amount of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a rotation speed greater than the first rotation speed after the supply stop process.

을 제공한다. provides.

또한 본 발명의 다른 실시의 형태는,In addition, another embodiment of the present invention is:

기판 처리 시스템의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때, 상기 컴퓨터가 상기 기판 처리 시스템을 제어하여 상술한 기판 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체A storage medium in which a program is recorded that, when executed by a computer for controlling the operation of the substrate processing system, causes the computer to control the substrate processing system and execute the above-described substrate processing method.

를 제공한다. provides.

또한 본 발명의 다른 실시의 형태는,In addition, another embodiment of the present invention is:

기판을 수평으로 유지하는 유지부와,a holding part that holds the substrate horizontally,

상기 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,a rotation drive unit that rotates the holding unit;

상기 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate held by the holding unit;

제어부를 구비하고,Equipped with a control unit,

상기 제어부는, 상기 기판을 제 1 회전수로 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면을 덮는 상기 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고, 또한 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하는 공급 정지 공정과, 상기 공급 정지 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 하여, 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정을 행하도록, 상기 회전 구동부 및 상기 처리액 공급부를 제어하는 기판 처리 시스템The control unit supplies the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation speed to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate, and after the liquid film forming process, , a supply stop process in which the rotation speed of the substrate is set to a rotation speed equal to or less than the first rotation speed and the supply of the processing liquid to the substrate is stopped, and after the supply stop process, the rotation speed of the substrate is set to the rotation speed in the above. A substrate processing system that controls the rotation drive unit and the processing liquid supply unit to perform a liquid amount adjustment process of reducing the liquid amount of the processing liquid forming the liquid film at a second rotation speed greater than the first rotation speed.

을 제공한다. provides.

본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 형성되는 처리액의 액막의 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있다. According to the present invention, the precision of the thickness of the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate can be improved.

도 1은 제 1 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 시스템의 횡단 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 기판 처리 시스템에 마련되어 있는 세정 장치의 종단면도이다.
도 3은 도 1의 세정 장치에 있어서의 IPA 공급 계통을 나타내는 도이다.
도 4는 초임계 처리 장치의 처리 용기의 외관 사시도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 처리 용기의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)는 도 5에 나타내는 처리 용기의 메인터넌스용 개구의 주위를 나타내는 단면도이며, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 제 2 덮개 부재의 용기 본체측의 면을 나타내는 도이다.
도 7은 제 1 실시의 형태에 있어서의 초임계 처리 장치의 계통도이다.
도 8의 (a)는 제 1 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 방법에 있어서 제 2 린스 공정을 설명하기 위한 도이며, 도 8의 (b)는 IPA 액막 형성 공정을 설명하기 위한 도이며, 도 8의 (c)는 공급 정지 공정을 설명하기 위한 도이며, 도 8의 (d)는 액량 조정 공정을 설명하기 위한 도이다.
도 9는 도 8에 있어서의 기판 처리 방법에 있어서 기판의 회전수의 추이를 나타내는 도이다.
도 10의 (a) ~ 도 10의 (d)는 IPA의 건조 메커니즘을 설명하기 위한 도이며, 웨이퍼가 가지는 오목부로서의 패턴을 개략적으로 나타낸 확대 단면도이다.
도 11은 초임계 처리 장치의 처리 용기의 메인터넌스 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12의 (a)는 도 5에 나타내는 처리 용기의 메인터넌스용 개구의 주위를 나타내는 단면도의 변형예이며, 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 제 2 덮개 부재의 횡단면도이다.
도 13의 (a)는 제 2 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 방법에 있어서 IPA 액 축적 공정을 설명하기 위한 도이며, 도 13의 (b)는 제 2 액량 조정 공정을 설명하기 위한 도이다.
도 14는 도 13에 있어서의 기판 처리 방법에 있어서 기판의 회전수의 추이를 나타내는 도이다. 1 is a cross-sectional plan view of a substrate processing system according to a first embodiment.
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a cleaning device provided in the substrate processing system shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a diagram showing the IPA supply system in the cleaning device of FIG. 1.
Figure 4 is an external perspective view of the processing vessel of the supercritical processing apparatus.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the processing container shown in FIG. 4.
FIG. 6(a) is a cross-sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing container shown in FIG. 5, and FIG. 6(b) shows the surface of the second lid member shown in FIG. 6(a) on the container body side. It is also a degree.
Fig. 7 is a schematic diagram of the supercritical processing device in the first embodiment.
Figure 8(a) is a diagram for explaining the second rinsing process in the substrate processing method in the first embodiment, and Figure 8(b) is a diagram for explaining the IPA liquid film forming process. Figure 8(c) is a diagram for explaining the supply stop process, and Figure 8(d) is a diagram for explaining the liquid volume adjustment process.
FIG. 9 is a diagram showing a change in the rotation speed of the substrate in the substrate processing method in FIG. 8.
Figures 10(a) to 10(d) are diagrams for explaining the drying mechanism of IPA, and are enlarged cross-sectional views schematically showing the pattern of the concave portion of the wafer.
Figure 11 is a cross-sectional view for explaining a maintenance method for a processing vessel of a supercritical processing device.
FIG. 12(a) is a modified example of the cross-sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing vessel shown in FIG. 5, and FIG. 12(b) is a cross-sectional view of the second cover member in FIG. 12(a).
FIG. 13(a) is a diagram for explaining the IPA liquid accumulation process in the substrate processing method in the second embodiment, and FIG. 13(b) is a diagram for explaining the second liquid volume adjustment process.
FIG. 14 is a diagram showing a change in the rotation speed of the substrate in the substrate processing method in FIG. 13.

(제 1 실시의 형태)(First Embodiment)

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템의 일실시의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본건 명세서에 첨부하는 도면에 나타나 있는 구성에는, 도시와 쉬운 이해의 편의상, 사이즈 및 축척 등이 실물에서 변경되어 있는 부분이 포함될 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing method, storage medium, and substrate processing system of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the configuration shown in the drawings attached to this specification may include parts whose size and scale have been changed from the actual version for convenience of illustration and easy understanding.

[기판 처리 시스템의 구성][Configuration of substrate processing system]

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하여 세정 처리를 행하는 복수의 세정 장치(2)(도 1에 나타내는 예에서는 2 대의 세정 장치(2))와, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)에 잔류하고 있는 건조 방지용의 처리액(본 실시 형태에서는 유기 용제의 일례인 IPA : 이소프로필 알코올)을 초임계 상태의 처리 유체(본 실시 형태에서는 CO2 : 이산화탄소)와 접촉시켜 제거하는 복수의 초임계 처리 장치(3)(도 1에 나타내는 예에서는 2 대의 초임계 처리 장치(3))를 구비한다. As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a plurality of cleaning devices 2 (two cleaning devices 2 in the example shown in FIG. 1) that supply cleaning liquid to the wafer W to perform cleaning processing. And, the processing liquid for preventing drying remaining on the wafer W after the cleaning treatment (IPA: isopropyl alcohol, an example of an organic solvent in this embodiment) is replaced with a processing fluid in a supercritical state (CO 2 : carbon dioxide in this embodiment). ) are provided with a plurality of supercritical processing devices 3 (two supercritical processing devices 3 in the example shown in FIG. 1) that are removed by contacting with.

이 기판 처리 시스템(1)에서는, 배치부(11)에 FOUP(100)이 배치되고, 이 FOUP(100)에 저장된 웨이퍼(W)가 반입반출부(12) 및 전달부(13)를 거쳐 세정 처리부(14) 및 초임계 처리부(15)로 전달된다. 세정 처리부(14) 및 초임계 처리부(15)에 있어서, 웨이퍼(W)는 먼저 세정 처리부(14)에 마련된 세정 장치(2)로 반입되어 세정 처리를 받고, 이 후, 초임계 처리부(15)에 마련된 초임계 처리 장치(3)로 반입되어 웨이퍼(W) 상으로부터 IPA를 제거하는 건조 처리를 받는다. 도 1 중, 부재번호 '121'은 FOUP(100)과 전달부(13)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 1 반송 기구를 나타내고, 부재번호 '131'은 반입반출부(12)와 세정 처리부(14) 및 초임계 처리부(15)와의 사이에서 반송되는 웨이퍼(W)가 일시적으로 배치되는 버퍼로서의 역할을 하는 전달 선반을 나타낸다. In this substrate processing system 1, a FOUP 100 is placed in the placement unit 11, and the wafer W stored in the FOUP 100 is cleaned through the loading/unloading unit 12 and the delivery unit 13. It is transmitted to the processing unit 14 and the supercritical processing unit 15. In the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15, the wafer W is first brought into the cleaning device 2 provided in the cleaning processing unit 14 to undergo cleaning processing, and then the wafer W is transferred to the cleaning processing unit 15. It is brought into the supercritical processing device 3 provided in and undergoes a drying treatment to remove IPA from the wafer W. In FIG. 1, reference numeral '121' indicates a first transport mechanism for transporting the wafer W between the FOUP 100 and the transfer unit 13, and reference number '131' indicates the carrying/unloading unit 12. A transfer shelf is shown that serves as a buffer where wafers W to be transported between the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15 are temporarily placed.

전달부(13)의 개구부에는 웨이퍼 반송로(162)가 접속되어 있고, 웨이퍼 반송로(162)를 따라 세정 처리부(14) 및 초임계 처리부(15)가 마련되어 있다. 세정 처리부(14)에는, 당해 웨이퍼 반송로(162)를 사이에 두고 세정 장치(2)가 1 대씩 배치되어 있으며, 합계 2 대의 세정 장치(2)가 설치되어 있다. 한편 초임계 처리부(15)에는, 웨이퍼(W)로부터 IPA를 제거하는 건조 처리를 행하는 초임계 처리 장치(3)가 웨이퍼 반송로(162)를 사이에 두고 1 대씩 배치되어 있으며, 합계 2 대의 초임계 처리 장치(3)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송로(162)에는 제 2 반송 기구(161)가 배치되어 있고, 제 2 반송 기구(161)는 웨이퍼 반송로(162) 내를 이동 가능하게 마련되어 있다. 전달 선반(131)에 배치된 웨이퍼(W)는 제 2 반송 기구(161)에 의해 수취되고, 제 2 반송 기구(161)는 웨이퍼(W)를 세정 장치(2) 및 초임계 처리 장치(3)로 반입한다. 또한 세정 장치(2) 및 초임계 처리 장치(3)의 수 및 배치 태양은 특별히 한정되지 않으며, 단위 시간당 웨이퍼(W)의 처리 매수 및 각 세정 장치(2) 및 각 초임계 처리 장치(3)의 처리 시간 등에 따라, 적절한 수의 세정 장치(2) 및 초임계 처리 장치(3)가 적절한 태양으로 배치된다. A wafer transport path 162 is connected to the opening of the transfer unit 13, and a cleaning processing unit 14 and a supercritical processing unit 15 are provided along the wafer transport path 162. In the cleaning processing unit 14, one cleaning device 2 is disposed across the wafer transfer path 162, and a total of two cleaning devices 2 are installed. Meanwhile, in the supercritical processing unit 15, supercritical processing devices 3 that perform a drying process to remove IPA from the wafer W are arranged one at a time across the wafer transport path 162, a total of two units. A critical processing device 3 is installed. A second transfer mechanism 161 is disposed in the wafer transfer path 162, and the second transfer mechanism 161 is provided to be movable within the wafer transfer path 162. The wafer W placed on the transfer shelf 131 is received by the second transfer mechanism 161, and the second transfer mechanism 161 transfers the wafer W to the cleaning device 2 and the supercritical processing device 3. ) is imported. In addition, the number and arrangement of the cleaning device 2 and the supercritical processing device 3 are not particularly limited, and the number of wafers (W) processed per unit time and each cleaning device 2 and each supercritical processing device 3 are not particularly limited. Depending on the processing time, etc., an appropriate number of cleaning devices 2 and supercritical processing devices 3 are arranged in an appropriate manner.

도 2에 나타내는 바와 같이, 세정 장치(2)는, 예를 들면 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1 매씩 세정하는 매엽식의 장치로서 구성된다. 즉, 도 2의 종단면도에 나타내는 바와 같이, 처리 공간을 형성하는 외측 챔버(21) 내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(23)(유지부)에 의해 웨이퍼(W)가 대략 수평으로 유지되어 있다. 이 웨이퍼 유지 기구(23)를 모터(20)(회전 구동부)에 의해 연직축 둘레로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)가 회전한다. 그리고, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 노즐 암(24)을 진입시키고, 그 선단부에 마련된 각 노즐(25 ~ 28)로부터 세정용의 약액 및 린스액, IPA를 웨이퍼(W)의 처리면에 대하여 적절한 타이밍에 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 세정 처리가 행해진다. 또한, 웨이퍼 유지 기구(23)의 내부에도 약액 공급로(231)가 형성되어 있고, 이 약액 공급로(231)로부터 공급된 약액 및 린스액에 의해 웨이퍼(W)의 이면 세정이 행해진다. As shown in FIG. 2 , the cleaning device 2 is configured as a single wafer type device that cleans the wafers W one by one by, for example, spin cleaning. That is, as shown in the longitudinal cross-sectional view of FIG. 2, the wafer W is held substantially horizontally by the wafer holding mechanism 23 (holding portion) disposed within the outer chamber 21 forming the processing space. The wafer W rotates by rotating the wafer holding mechanism 23 around the vertical axis using the motor 20 (rotation drive unit). Then, the nozzle arm 24 is introduced above the rotating wafer W, and a cleaning chemical solution, a rinse solution, and IPA are applied to the treated surface of the wafer W from each nozzle 25 to 28 provided at the tip thereof. By supplying at an appropriate timing, the wafer W is cleaned. Additionally, a chemical liquid supply path 231 is formed inside the wafer holding mechanism 23, and the back surface of the wafer W is cleaned using the chemical liquid and rinse liquid supplied from this chemical liquid supply passage 231.

노즐 암(24)의 선단부에는 제 1 약액 노즐(25), 제 2 약액 노즐(26), 린스액 노즐(27) 및 IPA 노즐(28)이 마련되어 있다. The tip of the nozzle arm 24 is provided with a first chemical liquid nozzle 25, a second chemical liquid nozzle 26, a rinse liquid nozzle 27, and an IPA nozzle 28.

제 1 약액 노즐(25)은 알칼리성의 약액인 SC1액(즉 암모니아와 과산화수소수의 혼합액)을 웨이퍼(W)에 공급한다. 이 SC1액은 웨이퍼(W)로부터 파티클 또는 유기성의 오염 물질을 제거하기 위한 약액이다. 제 1 약액 노즐(25)에는, 도시하지 않지만, 제 1 약액 공급 라인을 개재하여 제 1 약액 공급원이 접속되어 있고, 제 1 약액 공급 라인에 제 1 약액 개폐 밸브가 마련되어 있다. 이 제 1 약액 개폐 밸브를 엶으로써, 제 1 약액 공급원으로부터 제 1 약액 노즐(25)로 SC1이 공급된다. The first chemical liquid nozzle 25 supplies SC1 liquid (i.e., a mixed liquid of ammonia and hydrogen peroxide), which is an alkaline chemical liquid, to the wafer W. This SC1 liquid is a chemical liquid for removing particles or organic contaminants from the wafer W. Although not shown, the first chemical liquid nozzle 25 is connected to a first chemical liquid supply source via a first chemical liquid supply line, and a first chemical liquid open/close valve is provided in the first chemical liquid supply line. By opening this first chemical liquid opening/closing valve, SC1 is supplied from the first chemical liquid supply source to the first chemical liquid nozzle 25.

제 2 약액 노즐(26)은 산성의 약액인 희불산 수용액(DHF : Diluted HydroFluoric acid)을 웨이퍼(W)에 공급한다. 이 DHF는 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하기 위한 약액이다. 제 2 약액 노즐(26)에는, 도시하지 않지만, 제 2 약액 공급 라인을 개재하여 제 2 약액 공급원이 접속되어 있고, 제 2 약액 공급 라인에 제 2 약액 개폐 밸브가 마련되어 있다. 이 제 2 약액 개폐 밸브를 엶으로써, 제 2 약액 공급원으로부터 제 2 약액 노즐(26)로 DHF가 공급된다. The second chemical liquid nozzle 26 supplies diluted hydrofluoric acid (DHF), an acidic chemical liquid, to the wafer W. This DHF is a chemical solution for removing the natural oxide film formed on the surface of the wafer (W). Although not shown, a second chemical liquid supply source is connected to the second chemical liquid nozzle 26 via a second chemical liquid supply line, and a second chemical liquid open/close valve is provided in the second chemical liquid supply line. By opening this second chemical liquid opening/closing valve, DHF is supplied from the second chemical liquid supply source to the second chemical liquid nozzle 26.

린스액 노즐(27)은 린스액인 탈이온수(DIW, Deionized Water)를 웨이퍼(W)에 공급한다. 이 DIW는 SC1액 또는 DHF를 웨이퍼(W)로부터 씻어내기 위한 액체이다. 린스액 노즐(27)에는, 도시하지 않지만, 린스액 공급 라인을 개재하여 린스액 공급원이 접속되어 있고, 린스액 공급 라인에 린스액 개폐 밸브가 마련되어 있다. 이 린스액 개폐 밸브를 엶으로써, 린스액 공급원으로부터 린스액 노즐(27)로 DIW가 공급된다. The rinse liquid nozzle 27 supplies deionized water (DIW), which is a rinse liquid, to the wafer W. This DIW is a liquid for washing SC1 liquid or DHF from the wafer (W). Although not shown, a rinse liquid supply source is connected to the rinse liquid nozzle 27 via a rinse liquid supply line, and a rinse liquid opening/closing valve is provided in the rinse liquid supply line. By opening this rinse liquid opening/closing valve, DIW is supplied from the rinse liquid supply source to the rinse liquid nozzle 27.

IPA 노즐(28)은 건조 방지용의 처리액인 IPA를 웨이퍼(W)에 공급한다. 이 IPA는 웨이퍼(W)의 건조를 방지하는 역할을 하기 위한 처리액이다. 특히, 웨이퍼(W)로의 IPA의 공급은, 세정 장치(2)로부터 초임계 처리 장치(3)로의 웨이퍼(W)의 반송 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 건조를 방지하는 것을 목적으로 하고 있다. 그리고, 반송 중에 있어서의 IPA의 기화에 의해 웨이퍼(W)에 소위 패턴 도괴가 발생하는 것을 방지하기 위하여, 비교적 큰 두께를 가지는 IPA의 액막이 웨이퍼(W)의 표면에 형성되도록, IPA는 웨이퍼(W)의 표면 상에 액 축적된다. IPA 노즐(28)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, IPA 공급 라인(29)을 개재하여 IPA 공급원(30)이 접속되어 있고, IPA 공급 라인(29)에 IPA 개폐 밸브(31)가 마련되어 있다. 이 IPA 개폐 밸브(31)를 엶으로써, IPA 공급원(30)으로부터 IPA 노즐(28)로 IPA가 공급된다. IPA 노즐(28), IPA 공급 라인(29), IPA 공급원(30) 및 IPA 개폐 밸브(31)에 의해 IPA 공급부(32)(처리액 공급부)가 구성되어 있다. The IPA nozzle 28 supplies IPA, a treatment liquid for preventing drying, to the wafer W. This IPA is a treatment liquid that serves to prevent drying of the wafer (W). In particular, the purpose of supplying IPA to the wafer W is to prevent the wafer W from drying out while it is being transported from the cleaning device 2 to the supercritical processing device 3. In order to prevent so-called pattern collapse in the wafer W due to vaporization of IPA during transport, IPA is applied to the wafer W so that an IPA liquid film having a relatively large thickness is formed on the surface of the wafer W. ) liquid accumulates on its surface. As shown in FIG. 3 , the IPA nozzle 28 is connected to an IPA supply source 30 via an IPA supply line 29, and an IPA opening/closing valve 31 is provided in the IPA supply line 29. By opening this IPA opening/closing valve 31, IPA is supplied from the IPA supply source 30 to the IPA nozzle 28. The IPA supply section 32 (processing liquid supply section) is comprised of an IPA nozzle 28, an IPA supply line 29, an IPA supply source 30, and an IPA opening/closing valve 31.

또한 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여 이용되는 약액은, SC1액과 DHF에 한정되지 않으며, 임의이다. 또한, 노즐 암(24)에 린스액 노즐(27)을 마련하는 대신에, 제 1 약액 노즐(25) 및 제 2 약액 노즐(26)로부터 선택적으로 DIW를 토출할 수 있도록 해도 된다. Additionally, the chemical liquid used to clean the wafer W is not limited to SC1 liquid and DHF and is optional. Additionally, instead of providing the rinse liquid nozzle 27 on the nozzle arm 24, DIW may be selectively discharged from the first chemical liquid nozzle 25 and the second chemical liquid nozzle 26.

이러한 약액, DIW 및 IPA는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 외측 챔버(21) 내에 배치된 내측 컵(22) 및 외측 챔버(21)에 받아져 배액구(221, 211)로부터 배출된다. 또한, 외측 챔버(21) 내의 분위기는 배기구(212)로부터 배기된다. As shown in FIG. 2, these chemical solutions, DIW and IPA, are received in the inner cup 22 and the outer chamber 21 disposed within the outer chamber 21, and are discharged from the drain ports 221 and 211. Additionally, the atmosphere within the outer chamber 21 is exhausted from the exhaust port 212.

세정 장치(2)로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 제 2 반송 기구(161)에 의해, IPA가 액 축적된 상태로 초임계 처리 장치(3)의 처리 용기(301) 내로 반입되어, 초임계 처리 장치(3)에서 IPA의 건조 처리가 행해진다. The wafer W unloaded from the cleaning device 2 is carried into the processing container 301 of the supercritical processing device 3 in a state in which IPA liquid is accumulated by the second transport mechanism 161 shown in FIG. 1. Then, drying of IPA is performed in the supercritical processing device 3.

[초임계 처리 장치][Supercritical processing device]

이어서, 초임계 처리 장치(3)에서 행해지는 초임계 유체를 이용한 건조 처리의 상세에 대하여 설명한다. 먼저, 초임계 처리 장치(3)에서 웨이퍼(W)가 반입되는 처리 용기의 구성예를 설명한다. Next, details of the drying process using the supercritical fluid performed in the supercritical processing device 3 will be described. First, an example of the configuration of a processing container into which the wafer W is loaded into the supercritical processing apparatus 3 will be described.

도 4는 초임계 처리 장치(3)의 처리 용기(301)의 일례를 나타내는 외관 사시도이며, 도 5는 처리 용기(301)의 일례를 나타내는 단면도이다. FIG. 4 is an external perspective view showing an example of the processing vessel 301 of the supercritical processing apparatus 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the processing vessel 301.

처리 용기(301)는 웨이퍼(W)를 수용하고 또한 웨이퍼(W)에 대하여 초임계 유체 등의 고압의 처리 유체를 이용하여 처리를 행하는 것이다. 이 처리 용기(301)는, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 수용하는 하우징 형상의 용기 본체(311)와, 용기 본체(311) 내에 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하기 위한 반송구(312)와, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 옆으로 유지하는 유지판(316)과, 이 유지판(316)을 지지하고 또한 웨이퍼(W)를 용기 본체(311) 내로 반입했을 때 반송구(312)를 밀폐하는 제 1 덮개 부재(315)를 구비하고 있다. 또한, 용기 본체(311) 중, 반송구(312)와는 상이한 위치에 메인터넌스용 개구(321)가 마련되어 있다. 이 메인터넌스용 개구(321)는 메인터넌스 시 등을 제외하면, 제 2 덮개 부재(322)에 의해 폐색되어 있다. The processing container 301 accommodates the wafer W and processes the wafer W using a high-pressure processing fluid such as a supercritical fluid. As shown in FIGS. 4 and 5 , this processing container 301 includes a housing-shaped container body 311 that accommodates the wafer W, and a container body 311 for loading and unloading the wafer W into the container body 311. a transfer port 312 for processing, a holding plate 316 for holding the wafer W to be processed laterally, and a holding plate 316 for supporting the wafer W into the container body 311. It is provided with a first cover member 315 that seals the conveyance port 312. Additionally, in the container body 311, an opening 321 for maintenance is provided at a different position from the transfer port 312. This maintenance opening 321 is closed by the second cover member 322 except during maintenance, etc.

용기 본체(311)는, 웨이퍼(W)를 수용하고, 또한 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 이용한 처리를 행하는 것이다. 용기 본체(311)는 예를 들면 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 처리 공간(319)이 내부에 형성된 용기이다. 상술한 반송구(312) 및 메인터넌스용 개구(321)(예를 들면 반송구(312)와 동등한 크기 및 형상의 개구)는 처리 공간(319)의 양단에 각각 형성되고, 함께 처리 공간(319)에 연통하고 있다. The container body 311 accommodates the wafer W and processes the wafer W using a processing fluid. The container body 311 is a container inside which a processing space 319 capable of accommodating a wafer W with a diameter of 300 mm is formed. The above-mentioned transfer port 312 and maintenance opening 321 (for example, an opening of the same size and shape as the transfer port 312) are formed at both ends of the processing space 319, and together, the processing space 319 is in communication with

또한, 용기 본체(311) 중 반송구(312)측의 벽부에는 배출 포트(314)가 마련되어 있다. 배출 포트(314)는 처리 용기(301)의 하류측에 마련되는, 처리 유체를 유통시키기 위한 배출측 공급 라인(65)(도 7 참조)에 접속되어 있다. 또한, 도 4에는 2 개의 배출 포트(314)가 도시되어 있지만, 배출 포트(314)의 수는 특별히 한정되지 않는다. Additionally, a discharge port 314 is provided on the wall of the container body 311 on the side of the transfer port 312. The discharge port 314 is connected to a discharge-side supply line 65 (see FIG. 7) provided on the downstream side of the processing vessel 301 for distributing the processing fluid. Additionally, although two discharge ports 314 are shown in FIG. 4, the number of discharge ports 314 is not particularly limited.

반송구(312)의 상측 및 하측에 각각 위치하는 제 1 상측 블록(312a) 및 제 1 하측 블록(312b)에는, 각각 후술하는 제 1 락 플레이트(327)를 감입하기 위한 감입홀(325, 323)이 형성되어 있다. 각 감입홀(325, 323)은 각각 제 1 상측 블록(312a) 및 제 1 하측 블록(312b)을 상하 방향(웨이퍼(W)의 면에 대하여 수직인 방향)으로 관통하고 있다. The first upper block 312a and the first lower block 312b, respectively located above and below the transfer port 312, have insertion holes 325 and 323 for inserting the first lock plate 327, which will be described later, respectively. ) is formed. Each insertion hole 325 and 323 penetrates the first upper block 312a and the first lower block 312b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W), respectively.

유지판(316)은, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 용기 본체(311)의 처리 공간(319) 내에 수평인 상태로 배치 가능하게 구성된 얇은 판 형상의 부재이며, 제 1 덮개 부재(315)에 연결되어 있다. 또한, 유지판(316)의 제 1 덮개 부재(315)측에는 배출구(316a)가 마련되어 있다. The holding plate 316 is a thin plate-shaped member configured to be placed horizontally in the processing space 319 of the container body 311 while holding the wafer W, and the first cover member 315 is connected to Additionally, an outlet 316a is provided on the first cover member 315 side of the retaining plate 316.

용기 본체(311) 중, 앞측(Y 방향 마이너스측)의 영역에는 제 1 덮개 부재 수용 공간(324)이 형성되어 있다. 제 1 덮개 부재(315)는, 유지판(316)을 처리 용기(301) 내로 반입하여 웨이퍼(W)에 대하여 초임계 처리를 행할 시, 제 1 덮개 부재 수용 공간(324)에 수용된다. 이 경우, 제 1 덮개 부재(315)는 반송구(312)를 폐색하여 처리 공간(319)을 밀폐한다. A first lid member accommodation space 324 is formed in the area on the front side (minus side in the Y direction) of the container body 311. The first cover member 315 is accommodated in the first cover member accommodation space 324 when the retaining plate 316 is carried into the processing container 301 and supercritical processing is performed on the wafer W. In this case, the first cover member 315 closes the transfer port 312 and seals the processing space 319.

제 1 락 플레이트(327)는 처리 용기(301)의 앞측에 마련되어 있다. 이 제 1 락 플레이트(327)는, 유지판(316)을 처리 위치까지 이동시켰을 때, 제 1 덮개 부재(315)가 용기 본체(311) 내의 압력에 의해 이동하는 것을 규제하는 규제 부재로서의 역할을 한다. 이 제 1 락 플레이트(327)는 제 1 하측 블록(312b)의 감입홀(323) 및 제 1 상측 블록(312a)의 감입홀(325)에 감입된다. 이 때, 제 1 락 플레이트(327)가 산(빗장)으로서의 역할을 하기 때문에, 제 1 덮개 부재(315) 및 유지판(316)은 그 전후 방향(도 4 및 도 5 중 Y 방향)의 이동이 규제된다. 그리고, 제 1 락 플레이트(327)는 감입홀(323, 325)에 감입되어 제 1 덮개 부재(315)를 누르는 락 위치와 이 락 위치에서 하방측으로 퇴피하여 제 1 덮개 부재(315)를 개방하는 개방 위치와의 사이에서, 승강 기구(326)에 의해 상하 방향으로 이동한다. 이 예에서는, 제 1 락 플레이트(327)와 감입홀(323, 325)과 승강 기구(326)에 의해, 제 1 덮개 부재(315)가 용기 본체(311) 내의 압력에 의해 이동하는 것을 규제하는 규제 기구가 구성되어 있다. 또한 감입홀(323, 325)에는, 각각 제 1 락 플레이트(327)를 삽입 분리하기 위하여 필요한 마진이 마련되어 있으므로, 감입홀(323, 325)과 락 위치에 있는 제 1 락 플레이트(327)와의 사이에는 약간의 간극(C1)(도 5)이 형성되어 있다. 또한 도시의 편의상, 도 5에서는 간극(C1)을 과장하여 그리고 있다. The first lock plate 327 is provided on the front side of the processing container 301. This first lock plate 327 serves as a regulating member that regulates movement of the first cover member 315 by pressure within the container body 311 when the retaining plate 316 is moved to the processing position. do. This first lock plate 327 is fitted into the fitting hole 323 of the first lower block 312b and the fitting hole 325 of the first upper block 312a. At this time, since the first lock plate 327 functions as a mount (latch), the first cover member 315 and the retaining plate 316 move in the front-back direction (Y direction in FIGS. 4 and 5). This is regulated. In addition, the first lock plate 327 is inserted into the fitting holes 323 and 325 and has a lock position for pressing the first cover member 315 and a lock position for opening the first cover member 315 by retracting downward from this lock position. It moves in the up and down direction by the lifting mechanism 326 between the open positions. In this example, movement of the first cover member 315 by pressure within the container body 311 is regulated by the first lock plate 327, the insertion holes 323 and 325, and the lifting mechanism 326. A regulatory body has been established. In addition, the insertion holes 323 and 325 are provided with necessary margins for inserting and removing the first lock plate 327, so that there is a space between the insertion holes 323 and 325 and the first lock plate 327 in the lock position. A slight gap C1 (FIG. 5) is formed. Also, for convenience of illustration, the gap C1 is drawn exaggerated in FIG. 5 .

메인터넌스용 개구(321)는, 용기 본체(311)의 벽면으로서, 반송구(312)에 대향하는 위치에 마련되어 있다. 이와 같이 메인터넌스용 개구(321)와 반송구(312)가 대향함으로써, 제 1 덮개 부재(315) 및 제 2 덮개 부재(322)에 의해 용기 본체(311)를 밀폐했을 시, 처리 공간(319)의 압력이 용기 본체(311)의 내면에 대략 균등하게 가해진다. 이 때문에, 용기 본체(311)의 특정의 개소에 응력이 집중되는 것이 방지된다. 그러나, 메인터넌스용 개구(321)는, 반송구(312)에 대향하는 위치 이외의 개소, 예를 들면 웨이퍼(W)의 진행 방향(Y 방향)에 대하여 측방의 벽면에 마련되어 있어도 된다. The maintenance opening 321 is a wall surface of the container body 311 and is provided at a position opposite to the transfer port 312. In this way, the maintenance opening 321 and the transfer port 312 face each other, so that when the container body 311 is sealed with the first cover member 315 and the second cover member 322, the processing space 319 A pressure of is applied approximately equally to the inner surface of the container body 311. For this reason, stress is prevented from concentrating on a specific location of the container body 311. However, the maintenance opening 321 may be provided at a location other than the location opposite the transfer port 312, for example, on a wall surface lateral to the moving direction (Y direction) of the wafer W.

제 2 상측 블록(321a) 및 제 2 하측 블록(321b)은 각각 메인터넌스용 개구(321)의 상측 및 하측에 위치하고 있다. 이 제 2 상측 블록(321a) 및 제 2 하측 블록(321b)에는, 각각 제 2 락 플레이트(337)를 감입시키기 위한 감입홀(335, 333)이 형성되어 있다. 각 감입홀(335, 333)은 각각 제 2 상측 블록(321a) 및 제 2 하측 블록(321b)을 상하 방향(웨이퍼(W)의 면에 대하여 수직인 방향, Z 방향)으로 관통하고 있다. The second upper block 321a and the second lower block 321b are located above and below the maintenance opening 321, respectively. Insertion holes 335 and 333 for inserting the second lock plate 337 are formed in the second upper block 321a and the second lower block 321b, respectively. Each insertion hole 335 and 333 penetrates the second upper block 321a and the second lower block 321b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W, Z direction), respectively.

용기 본체(311) 중 후측(Y 방향 플러스측)의 영역에는, 제 2 덮개 부재 수용 공간(334)이 형성되어 있다. 제 2 덮개 부재(322)는 메인터넌스 시 등을 제외하면, 제 2 덮개 부재 수용 공간(334)에 수용되고, 또한 메인터넌스용 개구(321)를 폐색한다. 또한, 제 2 덮개 부재(322)에는 공급 포트(313)가 마련되어 있다. 공급 포트(313)는 처리 용기(301)의 상류측에 마련되고, 처리 유체를 유통시키기 위한 제 1 공급 라인(63)(도 7 참조)에 접속되어 있다. 또한, 도 4에는 2 개의 공급 포트(313)가 도시되어 있지만, 공급 포트(313)의 수는 특별히 한정되지 않는다. A second lid member accommodating space 334 is formed in the area on the rear side (Y direction positive side) of the container body 311. Except during maintenance, etc., the second cover member 322 is accommodated in the second cover member accommodation space 334 and closes the maintenance opening 321. Additionally, the second cover member 322 is provided with a supply port 313. The supply port 313 is provided on the upstream side of the processing vessel 301 and is connected to the first supply line 63 (see FIG. 7) for distributing the processing fluid. Additionally, although two supply ports 313 are shown in FIG. 4, the number of supply ports 313 is not particularly limited.

제 2 락 플레이트(337)는 제 2 덮개 부재(322)가 용기 본체(311) 내의 압력에 의해 이동하는 것을 규제하는 규제 부재로서의 역할을 한다. 이 제 2 락 플레이트(337)는 메인터넌스용 개구(321)의 주위의 감입홀(333, 335)에 감입된다. 이 때, 제 2 락 플레이트(337)가 산으로서의 역할을 하기 때문에, 제 2 덮개 부재(322)는 그 전후방향(Y 방향)의 이동이 규제된다. 그리고, 제 2 락 플레이트(337)는 감입홀(333, 335)에 감입되어 제 2 덮개 부재(322)를 누르는 락 위치와 이 락 위치에서 하방측으로 퇴피하여 제 2 덮개 부재(322)를 개방하는 개방 위치와의 사이에서, 상하 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 제 2 락 플레이트(337)는 수동으로 이동되도록 되어 있지만, 승강 기구(326)와 대략 동일한 승강 기구를 마련하여, 자동으로 이동시켜도 된다. 또한 감입홀(333, 335)에는, 제 2 락 플레이트(337)를 삽입 분리하기 위하여 필요한 마진이 마련되어 있으므로, 감입홀(333, 335)과 락 위치에 있는 제 2 락 플레이트(337)의 사이에는 약간의 간극(C2)(도 5)이 형성되어 있다. 또한 도시의 편의상, 도 5에서는 간극(C2)을 과장하여 그리고 있다. The second lock plate 337 serves as a regulating member that regulates movement of the second cover member 322 by pressure within the container body 311. This second lock plate 337 is inserted into the fitting holes 333 and 335 around the maintenance opening 321. At this time, since the second lock plate 337 functions as a mountain, the movement of the second cover member 322 in the front-back direction (Y direction) is restricted. In addition, the second lock plate 337 is inserted into the fitting holes 333 and 335 and has a lock position for pressing the second cover member 322 and a lock position for retracting downward from this lock position to open the second cover member 322. It is configured to move in the up and down direction between the open positions. In this embodiment, the second lock plate 337 is moved manually, but a lifting mechanism substantially the same as the lifting mechanism 326 may be provided and moved automatically. In addition, since the insertion holes 333 and 335 are provided with a margin necessary for inserting and removing the second lock plate 337, there is a space between the insertion holes 333 and 335 and the second lock plate 337 in the lock position. A slight gap C2 (FIG. 5) is formed. Also, for convenience of illustration, the gap C2 is drawn exaggerated in Figure 5.

본 실시 형태에 있어서, 제 2 덮개 부재(322)는 제 1 공급 라인(63)에 접속되고, 제 2 덮개 부재(322)에는 다수의 개공(332)이 마련되어 있다. 이 제 2 덮개 부재(322)는, 공급 포트(313)를 거쳐 제 1 공급 라인(63)으로부터 공급되는 처리 유체를 용기 본체(311)의 내부로 공급하는 유체 공급 헤더로서의 역할을 한다. 이에 의해, 메인터넌스 시에 제 2 덮개 부재(322)를 분리했을 때, 개공(332)의 청소 등의 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 용기 본체(311) 내의 반송구(312)측의 벽부에는, 배출 포트(314)에 연통하는 유체 배출 헤더(318)가 마련되어 있다. 이 유체 배출 헤더(318)에도 다수의 개공이 마련되어 있다. In this embodiment, the second cover member 322 is connected to the first supply line 63, and a plurality of openings 332 are provided in the second cover member 322. This second cover member 322 serves as a fluid supply header that supplies the processing fluid supplied from the first supply line 63 via the supply port 313 into the interior of the container body 311. Accordingly, when the second cover member 322 is removed during maintenance, maintenance work such as cleaning of the opening 332 can be easily performed. Additionally, a fluid discharge header 318 communicating with the discharge port 314 is provided on the wall portion of the container body 311 on the side of the transfer port 312. This fluid discharge header 318 is also provided with a number of openings.

제 2 덮개 부재(322) 및 유체 배출 헤더(318)는 서로 대향하도록 설치되어 있다. 유체 공급부로서 기능하는 제 2 덮개 부재(322)는, 실질적으로 수평 방향을 향해 처리 유체를 용기 본체(311) 내로 공급한다. 여기서 말하는 수평 방향이란, 중력이 작용하는 연직 방향과 수직인 방향으로서, 통상은, 유지판(316)에 유지된 웨이퍼(W)의 평탄한 표면이 연장되는 방향과 평행한 방향이다. 용기 본체(311) 내의 유체를 배출하는 유체 배출부로서 기능하는 유체 배출 헤더(318)는 용기 본체(311) 내의 유체를, 유지판(316)에 마련된 배출구(316a)를 통하여, 용기 본체(311) 밖으로 유도하여 배출한다. 유체 배출 헤더(318)를 거쳐 용기 본체(311) 밖으로 배출되는 유체에는, 제 2 덮개 부재(322)를 거쳐 용기 본체(311) 내로 공급된 처리 유체 외에, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 처리 유체에 용해된 IPA가 포함된다. 이와 같이 제 2 덮개 부재(322)의 개공(332)으로부터 용기 본체(311) 내로 처리 유체를 공급함으로써, 또한 유체 배출 헤더(318)의 개공을 거쳐 유체를 용기 본체(311) 내로부터 배출함으로써, 용기 본체(311) 내에는 웨이퍼(W)의 표면과 대략 평행하게 유동하는 처리 유체의 층류가 형성된다. The second cover member 322 and the fluid discharge header 318 are installed to face each other. The second cover member 322, which functions as a fluid supply unit, supplies the processing fluid into the container body 311 in a substantially horizontal direction. The horizontal direction referred to here is a direction perpendicular to the vertical direction in which gravity acts, and is usually parallel to the direction in which the flat surface of the wafer W held by the holding plate 316 extends. The fluid discharge header 318, which functions as a fluid discharge unit that discharges the fluid in the container body 311, discharges the fluid in the container body 311 through the discharge port 316a provided in the retaining plate 316 to the container body 311. ) It is guided outside and discharged. The fluid discharged out of the container body 311 through the fluid discharge header 318 includes processing fluid supplied into the container body 311 through the second cover member 322, as well as processing fluid from the surface of the wafer W. Contains dissolved IPA. In this way, by supplying the processing fluid into the container body 311 from the opening 332 of the second cover member 322 and discharging the fluid from the container body 311 through the opening of the fluid discharge header 318, A laminar flow of processing fluid flowing approximately parallel to the surface of the wafer W is formed within the container body 311.

또한, 용기 본체(311) 중 반송구(312)측의 측면과 메인터넌스용 개구(321)측의 측면에는, 각각 진공 흡인관(348, 349)이 접속되어 있다. 진공 흡인관(348, 349)은 각각 용기 본체(311) 중 제 1 덮개 부재 수용 공간(324)측의 면과 제 2 덮개 부재 수용 공간(334)측의 면에 연통하고 있다. 이 진공 흡인관(348, 349)은, 각각 진공 흡인력에 의해 제 1 덮개 부재(315) 및 제 2 덮개 부재(322)를 용기 본체(311)측으로 끌어당기는 역할을 한다. In addition, vacuum suction tubes 348 and 349 are connected to the side surface of the container body 311 on the side of the transfer port 312 and the side surface on the side of the maintenance opening 321, respectively. The vacuum suction pipes 348 and 349 communicate with the surface of the container body 311 on the first lid member accommodating space 324 side and the surface on the second lid member accommodating space 334 side, respectively. These vacuum suction pipes 348 and 349 each serve to pull the first lid member 315 and the second lid member 322 toward the container body 311 by vacuum suction force.

또한 용기 본체(311)의 저면에는, 처리 유체를 용기 본체(311)의 내부로 공급하는 저면측 유체 공급부(341)가 형성되어 있다. 저면측 유체 공급부(341)는 용기 본체(311) 내로 처리 유체를 공급하는 제 2 공급 라인(64)(도 7 참조)에 접속되어 있다. 저면측 유체 공급부(341)는 실질적으로 하방으로부터 상방을 향해 처리 유체를 용기 본체(311) 내로 공급한다. 저면측 유체 공급부(341)로부터 공급된 처리 유체는, 웨이퍼(W)의 이면으로부터 유지판(316)에 마련된 배출구(316a)를 통하여 웨이퍼(W)의 표면으로 돌아 들어가, 제 2 덮개 부재(322)로부터의 처리 유체와 함께 유지판(316)에 마련된 배출구(316a)를 통하여 유체 배출 헤더(318)로부터 배출된다. 저면측 유체 공급부(341)의 위치는, 예를 들면 용기 본체(311) 내에 도입된 웨이퍼(W)의 하방으로 하는 것이 바람직하며, 웨이퍼(W)의 중심부의 하방으로 하는 것이 더 바람직하다. 이에 의해, 저면측 유체 공급부(341)로부터의 처리 유체를 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 돌아 들어가게 할 수 있다. Additionally, a bottom-side fluid supply portion 341 is formed on the bottom of the container body 311 to supply processing fluid into the interior of the container body 311. The bottom side fluid supply part 341 is connected to the second supply line 64 (see FIG. 7) that supplies processing fluid into the container body 311. The bottom side fluid supply unit 341 supplies processing fluid into the container body 311 substantially from downward to upward. The processing fluid supplied from the bottom side fluid supply unit 341 returns to the surface of the wafer W through the outlet 316a provided in the retaining plate 316 from the back side of the wafer W, and flows into the second cover member 322. ) is discharged from the fluid discharge header 318 through the discharge port 316a provided in the retaining plate 316 together with the processing fluid from the fluid. The position of the bottom-side fluid supply part 341 is, for example, preferably below the wafer W introduced into the container body 311, and more preferably below the center of the wafer W. As a result, the processing fluid from the bottom side fluid supply unit 341 can be circulated uniformly onto the surface of the wafer W.

도 5에 나타내는 바와 같이, 용기 본체(311)의 상하 양면에는, 예를 들면 테이프 히터 등의 저항 발열체로 이루어지는 히터(345)가 마련되어 있다. 히터(345)는 전원부(346)와 접속되어 있고, 전원부(346)의 출력을 증감하여, 용기 본체(311) 및 처리 공간(319)의 온도를 예를 들면 100℃ ~ 300℃의 범위로 유지할 수 있다. As shown in Fig. 5, heaters 345 made of a resistance heating element such as a tape heater are provided on both the upper and lower sides of the container body 311. The heater 345 is connected to the power supply unit 346 and increases or decreases the output of the power supply unit 346 to maintain the temperature of the container body 311 and the processing space 319 in the range of, for example, 100°C to 300°C. You can.

이어서, 도 6의 (a), (b)를 참조하여, 메인터넌스용 개구(321)의 주위의 구성에 대하여 더 설명한다. Next, with reference to FIGS. 6A and 6B , the configuration around the maintenance opening 321 will be further described.

도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제 2 덮개 부재(322) 중 처리 공간(319)측의 측벽에는, 메인터넌스용 개구(321)의 주연에 대응하는 위치를 둘러싸도록 오목부(328)가 형성되어 있다. 이 오목부(328) 내에 씰 부재(329)를 끼워넣음으로써, 메인터넌스용 개구(321)의 주위의 측벽면에 접촉하는 제 2 덮개 부재(322)측의 측벽면에 씰 부재(329)가 배치된다. As shown in (a) of FIG. 6 , a concave portion 328 is formed on the side wall of the second cover member 322 on the processing space 319 side to surround a position corresponding to the periphery of the maintenance opening 321. It is formed. By inserting the seal member 329 into this concave portion 328, the seal member 329 is disposed on the side wall surface on the side of the second cover member 322, which is in contact with the side wall surface around the maintenance opening 321. do.

씰 부재(329)는 메인터넌스용 개구(321)를 둘러싸는 것이 가능하도록 환상(環狀)으로 형성되어 있다. 또한, 씰 부재(329)의 단면 형상은 U 자 형상으로 되어 있다. 도 6의 (a)에 나타낸 씰 부재(329)에 있어서는, U 자의 개구(329a)는 환상의 씰 부재(329)의 내주면을 따라 형성되어 있다. 환언하면, 씰 부재(329)에는 U 자 형상으로 둘러싸인 내부 공간이 형성되어 있게 된다. The seal member 329 is formed in an annular shape so that it can surround the maintenance opening 321. Additionally, the cross-sectional shape of the seal member 329 is U-shaped. In the seal member 329 shown in FIG. 6(a), the U-shaped opening 329a is formed along the inner peripheral surface of the annular seal member 329. In other words, an internal space surrounded by a U shape is formed in the seal member 329.

이 씰 부재(329)가 마련된 제 2 덮개 부재(322)를 이용하여 메인터넌스용 개구(321)의 주위를 폐색함으로써, 씰 부재(329)는 제 2 덮개 부재(322)와 용기 본체(311) 사이의 간극을 폐색하도록, 제 2 덮개 부재(322)와 용기 본체(311)의 사이에 배치된다. 그리고, 이 간극은 용기 본체(311) 내의 메인터넌스용 개구(321)의 주위에 형성되어 있는 점에서, 씰 부재(329)의 내주면을 따라 형성된 개구(329a)는 당해 처리 공간(319)과 연통한 상태로 되어 있다. By closing the surroundings of the maintenance opening 321 using the second cover member 322 provided with the seal member 329, the seal member 329 is positioned between the second cover member 322 and the container body 311. It is disposed between the second lid member 322 and the container body 311 to close the gap. Since this gap is formed around the maintenance opening 321 in the container body 311, the opening 329a formed along the inner peripheral surface of the seal member 329 communicates with the processing space 319. It is in a state.

개구(329a)가 처리 공간(319)과 연통하고 있는 씰 부재(329)는, 처리 유체의 분위기에 노출되게 되는데, 처리 유체는 수지 또는 고무 등의 성분 또는 그에 포함되는 불순물을 용출시키는 경우가 있다. 따라서, 씰 부재(329)는, 적어도 처리 공간(319)을 향하는 개구(329a)의 내측을, 액체 IPA 또는 처리 유체에 대한 내식성을 구비한 수지로 구성하고 있다. 이러한 수지의 예로서는, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 파라크실렌, 폴리에테르에테르 케톤(PEEK)을 들 수 있고, 처리 유체 중으로의 성분의 미량의 용출이 있었다 하더라도 반도체 장치에 영향의 적은, 비불소계의 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, U 자 형상의 씰 부재(329)의 내면(개구(329a)에 면하는 면)에는, 금속제의 스프링(도시하지 않음)이 마련되어 있는 것이 적합하다. 이 스프링은, 씰 부재(329)를 외측으로 확장하는 방향(개구(329a)를 넓히는 방향)으로 스프링력을 작용하도록 구성되어 있다. The seal member 329, whose opening 329a communicates with the processing space 319, is exposed to the atmosphere of the processing fluid, and the processing fluid may elute components such as resin or rubber or impurities contained therein. . Accordingly, the seal member 329 is made of at least the inside of the opening 329a facing the processing space 319 with liquid IPA or a resin having corrosion resistance to the processing fluid. Examples of such resins include polyimide, polyethylene, polypropylene, paraxylene, and polyetherether ketone (PEEK), and are non-fluorinated resins that have little effect on the semiconductor device even if a trace amount of the component is eluted into the processing fluid. It is preferable to use resin. Additionally, it is preferable that a metal spring (not shown) is provided on the inner surface (surface facing the opening 329a) of the U-shaped seal member 329. This spring is configured to apply spring force in the direction of expanding the seal member 329 outward (the direction of expanding the opening 329a).

개구(329a) 내로 처리 유체가 진입하면, 개구(329a)로부터 씰 부재(329)를 확장하여, 씰 부재(329)의 외주면(개구(329a)와는 반대측의 면)을 제 2 덮개 부재(322)의 오목부(328)측의 면 및 용기 본체(311)의 측벽면을 향해 누르는 힘이 작용한다. 이에 의해, 씰 부재(329)의 외주면이 제 2 덮개 부재(322) 및 용기 본체(311)에 밀착하여, 이들 제 2 덮개 부재(322)와 용기 본체(311) 사이의 간극을 기밀하게 폐색한다. 이런 종류의 씰 부재(329)는 처리 유체로부터 받은 힘에 의해 변형 가능한 탄성을 구비하면서, 처리 공간(319)과 외부와의 압력차(예를 들면 16 ~ 20 MPa 정도))에 저항하여 간극을 기밀하게 폐색한 상태를 유지할 수 있다. 또한 상술한 바와 같이, 씰 부재(329)의 내면에 금속제의 스프링이 마련되어 있는 경우에는, 이 스프링력에 의해 씰 부재(329)의 외주면(개구(329a)와는 반대측의 면)을 제 2 덮개 부재(322)의 오목부(328)측의 면 및 용기 본체(311)의 측벽면을 향해 누르는 힘이 증대되어, 기밀성을 높일 수 있다. When the processing fluid enters the opening 329a, the seal member 329 is expanded from the opening 329a, and the outer peripheral surface of the seal member 329 (the surface opposite to the opening 329a) is connected to the second cover member 322. A pressing force is applied toward the surface on the concave portion 328 side and the side wall surface of the container body 311. As a result, the outer peripheral surface of the seal member 329 comes into close contact with the second lid member 322 and the container body 311, and the gap between these second lid members 322 and the container body 311 is airtightly closed. . This type of seal member 329 has elasticity that can be deformed by the force received from the processing fluid, and resists the pressure difference between the processing space 319 and the outside (for example, about 16 to 20 MPa) to close the gap. It can be kept airtight and closed. Additionally, as described above, when a metal spring is provided on the inner surface of the seal member 329, the outer peripheral surface of the seal member 329 (the surface opposite to the opening 329a) is connected to the second cover member by this spring force. The force pressing against the surface on the concave portion 328 side of 322 and the side wall surface of the container body 311 is increased, thereby improving airtightness.

도 6의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 덮개 부재(322)에는 복수의 추가 개공(330)이 마련되어 있다. 이 추가 개공(330)은, 공급 포트(313)를 거쳐 제 1 공급 라인(63)으로부터 공급되는 처리 유체를 씰 부재(329)의 개구(329a)에 공급하도록 되어 있다. 각 추가 개공(330)은 제 2 덮개 부재(322)에 마련된 개공(332)마다 마련되어 있으며, 개공(332)을 향해 흐르는 처리 유체의 일부가 추출되어 당해 개공(332)에 대응하는 추가 개공(330)으로부터 씰 부재(329)의 개구(329a)로 공급된다. 또한 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 추가 개공(330)은 제 2 덮개 부재(322)의 측부에도 마련되어 있는 것이 바람직하며, 이 경우에는, 씰 부재(329)의 개구(329a) 중 메인터넌스용 개구(321)의 측방의 부분에도 처리 유체가 공급된다. As shown in FIGS. 6A and 6B , a plurality of additional openings 330 are provided in the second cover member 322. This additional opening 330 is configured to supply the processing fluid supplied from the first supply line 63 via the supply port 313 to the opening 329a of the seal member 329. Each additional opening 330 is provided for each opening 332 provided in the second cover member 322, and a portion of the processing fluid flowing toward the opening 332 is extracted to form the additional opening 330 corresponding to the opening 332. ) is supplied to the opening 329a of the seal member 329. In addition, as shown in (b) of FIG. 6, the additional opening 330 is preferably provided on the side of the second cover member 322, and in this case, the maintenance hole 330 is located in the opening 329a of the seal member 329. Processing fluid is also supplied to a portion on the side of the treatment opening 321.

또한 본 실시 형태에 있어서, 용기 본체(311)의 반송구(312)에 대해서도, 메인터넌스용 개구(321)와 마찬가지로 하여 제 1 덮개 부재(315)에 의해 밀폐되어 있다. In addition, in this embodiment, the conveyance port 312 of the container body 311 is sealed by the first cover member 315 in the same manner as the maintenance opening 321.

즉, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 덮개 부재(315)의 처리 공간(319)측의 측벽에는, 반송구(312)의 주연에 대응하는 위치를 둘러싸도록 오목부(338)가 형성되어 있다. 이 오목부(338) 내에 씰 부재(339)를 끼워넣음으로써, 반송구(312)의 주위의 측벽면에 접촉하는 제 1 덮개 부재(315)측의 측벽면에 씰 부재(339)가 배치된다. That is, as shown in FIG. 5 , a concave portion 338 is formed on the side wall of the first cover member 315 on the processing space 319 side to surround a position corresponding to the periphery of the transfer port 312. . By inserting the seal member 339 into this concave portion 338, the seal member 339 is disposed on the side wall surface on the side of the first cover member 315 that is in contact with the side wall surface around the conveyance port 312. .

씰 부재(339)는 반송구(312)를 둘러싸는 것이 가능하도록 환상으로 형성되어 있다. 또한, 씰 부재(339)의 단면 형상은 U 자 형상으로 되어 있다. 이와 같이, 씰 부재(339)가 마련된 제 1 덮개 부재(315)를 이용하여 반송구(312)를 폐색함으로써, 씰 부재(339)는, 제 1 덮개 부재(315)와 반송구(312) 사이의 간극을 폐색하도록, 제 1 덮개 부재(315)와 용기 본체(311)의 사이에 배치된다. 이 외에, 제 1 덮개 부재(315) 및 씰 부재(339)를 이용하여 반송구(312)를 폐색하기 위한 구성은, 상술한 메인터넌스용 개구(321)를 폐색하기 위한 구성과 대략 동일하다. The seal member 339 is formed in an annular shape so that it can surround the conveyance port 312. Additionally, the cross-sectional shape of the seal member 339 is U-shaped. In this way, by closing the conveyance port 312 using the first cover member 315 provided with the seal member 339, the seal member 339 is positioned between the first cover member 315 and the conveyance port 312. It is disposed between the first lid member 315 and the container body 311 to close the gap. In addition to this, the configuration for closing the conveyance port 312 using the first cover member 315 and the seal member 339 is substantially the same as the configuration for closing the maintenance opening 321 described above.

[초임계 처리 장치의 시스템 전체의 구성][Configuration of the entire system of the supercritical processing device]

도 7은 초임계 처리 장치(3)의 시스템 전체의 구성예를 나타내는 도이다. FIG. 7 is a diagram showing an example of the entire system configuration of the supercritical processing device 3.

도 4, 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 2 덮개 부재(322)에는, 처리 용기(301) 내로 처리 유체를 공급하기 위한 제 1 공급 라인(63)이 접속되어 있다. 용기 본체(311)의 벽부에는, 처리 용기(301) 내로 처리 유체를 공급하기 위한 제 2 공급 라인(64)이 접속되어 있다. 제 2 공급 라인(64)은, 개폐 밸브(67)의 하류측에서 제 1 공급 라인(63)으로부터 분기하고 있다. 또한, 용기 본체(311)의 저부에는 처리 용기(301) 내의 유체를 배출하기 위한 배출측 공급 라인(65)이 접속되어 있다. As shown in FIGS. 4 , 5 , and 7 , a first supply line 63 for supplying a processing fluid into the processing container 301 is connected to the second cover member 322 . A second supply line 64 for supplying processing fluid into the processing container 301 is connected to the wall portion of the container body 311. The second supply line 64 branches from the first supply line 63 on the downstream side of the on-off valve 67 . Additionally, a discharge-side supply line 65 for discharging the fluid in the processing container 301 is connected to the bottom of the container body 311.

처리 용기(301)에 접속된 제 1 공급 라인(63)은 처리 용기(301)에 대한 고압 유체의 공급, 정지에 맞추어 개폐하는 개폐 밸브(67), 필터(68) 및 유량 조정 밸브(69)를 개재하여 유체 공급 탱크(51)에 접속되어 있다. 유체 공급 탱크(51)는, 예를 들면 액체 CO2를 저류하는 CO2 봄베와, 이 CO2 봄베로부터 공급된 액체 CO2를 승압하여 초임계 상태로 하기 위한, 시린지 펌프 또는 다이어프램 펌프 등으로 이루어지는 승압 펌프를 구비하고 있다. 도 7에는 이들 CO2 봄베 및 승압 펌프를 총괄적으로 봄베의 형상으로 나타내고 있다. The first supply line 63 connected to the processing container 301 includes an opening/closing valve 67, a filter 68, and a flow rate adjustment valve 69 that open and close in accordance with the supply and stop of high-pressure fluid to the processing container 301. It is connected to the fluid supply tank 51 via. The fluid supply tank 51 includes, for example, a CO 2 cylinder that stores liquid CO 2 and a syringe pump or diaphragm pump for pressurizing the liquid CO 2 supplied from the CO 2 cylinder to a supercritical state. Equipped with a booster pump. In Figure 7, these CO 2 cylinders and booster pumps are collectively shown in the shape of a cylinder.

유체 공급 탱크(51)로부터 공급된 초임계 CO2는, 유량 조정 밸브(69)로 유량이 조절되어, 처리 용기(301)로 공급된다. 이 유량 조정 밸브(69)는 예를 들면 니들 밸브 등으로 구성되고, 유체 공급 탱크(51)로부터의 초임계 CO2의 공급을 차단하는 차단부로서도 겸용되어 있다. The flow rate of supercritical CO 2 supplied from the fluid supply tank 51 is adjusted by the flow rate adjustment valve 69 and is supplied to the processing container 301 . This flow rate adjustment valve 69 is composed of, for example, a needle valve, etc., and also serves as a blocking portion that blocks the supply of supercritical CO 2 from the fluid supply tank 51.

또한, 배출측 공급 라인(65)의 감압 밸브(70)는 압력 컨트롤러(71)와 접속되어 있고, 이 압력 컨트롤러(71)는 처리 용기(301)에 마련된 압력계(66)로부터 취득한 처리 용기(301) 내의 압력의 측정 결과와 미리 설정된 설정 압력과의 비교 결과에 기초하여 개방도를 조정하는 피드백 제어 기능을 구비하고 있다. In addition, the pressure reducing valve 70 of the discharge-side supply line 65 is connected to a pressure controller 71, and this pressure controller 71 measures the pressure of the processing container 301 obtained from the pressure gauge 66 provided in the processing container 301. ) is equipped with a feedback control function that adjusts the degree of opening based on the measurement results of the pressure within the unit and the comparison results with the preset set pressure.

이상에 설명한 구성을 구비한 기판 처리 시스템(1) 및 세정 장치(2), 초임계 처리 장치(3)는 도 1, 도 7에 나타내는 바와 같이 제어부(4)에 접속되어 있다. 제어부(4)는 예를 들면 컴퓨터이며, 도시하지 않은 연산부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 연산부(18)는 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. The substrate processing system 1, cleaning device 2, and supercritical processing device 3 having the configuration described above are connected to the control unit 4 as shown in FIGS. 1 and 7. The control unit 4 is, for example, a computer and includes a calculation unit 18 and a storage unit 19, not shown. The storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1. The calculation unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19. The program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium into the storage unit 19 of the control unit 4. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

특히 초임계 처리 장치(3)에 대하여 제어부(4)는, 처리를 끝낸 웨이퍼(W)를 꺼내기 전에, 처리 용기(301)와 제 1 공급 라인(63)을 함께 감압함으로써, 제 1 공급 라인(63)으로부터 처리 용기(301)를 향해 감압 방향으로의 급격한 압력 변화가 발생하는 것을 피하도록 제어 신호를 출력하는 기능을 구비하고 있다. 이러한 관점으로부터, 도 7에 나타내는 바와 같이 제어부(4)는, 배출측 공급 라인(65)에 마련된 감압 밸브(70)의 개방도를 조절하는 압력 컨트롤러(71), 및 제 1 공급 라인(63)측의 개폐 밸브(67), 유량 조정 밸브(69)와 전기적으로 접속되어 있다. In particular, with respect to the supercritical processing device 3, the control unit 4 depressurizes the processing container 301 and the first supply line 63 before taking out the processed wafer W, thereby reducing the pressure of the first supply line ( It has a function of outputting a control signal to avoid sudden pressure changes in the direction of decompression from 63) toward the processing vessel 301. From this point of view, as shown in FIG. 7, the control unit 4 includes a pressure controller 71 that adjusts the opening degree of the pressure reducing valve 70 provided in the discharge side supply line 65, and the first supply line 63. It is electrically connected to the opening/closing valve 67 and the flow rate adjustment valve 69 on the side.

이어서, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시의 형태의 작용, 즉, 본 실시의 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 방법(기판 처리 방법)에 대하여 설명한다. Next, the operation of the present embodiment having this configuration, that is, the wafer W processing method (substrate processing method) in the substrate processing system 1 according to the present embodiment will be described.

[세정 처리][Cleaning treatment]

여기서는 먼저, 세정 장치(2)에 있어서의 웨이퍼(W)의 세정 처리 방법에 대하여 설명한다. Here, first, a method of cleaning the wafer W in the cleaning device 2 will be described.

<제 1 약액 세정 공정><First chemical cleaning process>

먼저, 웨이퍼(W)가 세정 장치(2)의 웨이퍼 유지 기구(23)에 대략 수평으로 유지된다. 이어서, 웨이퍼 유지 기구(23)를 연직축 둘레로 회전시켜, 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 회전시킨다. 이어서, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 노즐 암(24)이 진입하고, 그 선단부에 마련된 제 1 약액 노즐(25)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 세정용의 약액으로서 SC1액이 공급된다. SC1액은 원심력에 의해 확산되어, 웨이퍼(W)의 표면의 전역이 SC1액의 액막에 의해 덮이고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 SC1액에 의해 세정된다. 이 경우, 웨이퍼(W)로부터 파티클 또는 유기성의 오염 물질을 제거할 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면 상의 SC1액은 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산한다. 비산한 SC1액은 배액구(221, 211)로부터 배출된다. First, the wafer W is held approximately horizontally in the wafer holding mechanism 23 of the cleaning device 2. Next, the wafer holding mechanism 23 is rotated around the vertical axis to rotate the wafer W in a horizontal plane. Next, the nozzle arm 24 enters the upper part of the rotating wafer W, and SC1 liquid is supplied as a cleaning chemical liquid to the center of the surface of the wafer W from the first chemical liquid nozzle 25 provided at the tip thereof. do. The SC1 liquid spreads by centrifugal force, so that the entire surface of the wafer W is covered with a liquid film of the SC1 liquid, and as a result, the surface of the wafer W is cleaned by the SC1 liquid. In this case, particles or organic contaminants can be removed from the wafer W. The SC1 liquid on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer edge We of the wafer W. The scattered SC1 liquid is discharged from the drain ports 221 and 211.

<제 1 린스 공정><First rinse process>

제 1 약액 세정 공정 후, 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로 웨이퍼(W)가 린스 처리된다. 이 경우, 노즐 암(24)의 선단부에 마련된 린스액 노즐(27)로부터, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 DIW(린스액)가 공급된다. 이에 의해, DIW는 원심력에 의해 확산되어, 웨이퍼(W)로부터 SC1액을 몰아내도록 씻어낼 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면 상의 DIW 및 SC1액은 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. After the first chemical cleaning process, the wafer W is rinsed while the wafer W is rotated. In this case, DIW (rinse liquid) is supplied to the center of the surface of the rotating wafer W from the rinse liquid nozzle 27 provided at the tip of the nozzle arm 24. As a result, the DIW can be spread by centrifugal force and washed away to drive the SC1 liquid from the wafer W. The DIW and SC1 liquids on the surface of the wafer W scatter radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and are discharged from the drain ports 221 and 211.

<제 2 약액 세정 공정><Second chemical cleaning process>

제 1 린스 공정 후, 웨이퍼(W)가 DHF액으로 약액 세정된다. 이 경우, 노즐 암(24)의 선단부에 마련된 제 2 약액 노즐(26)로부터, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 세정용의 약액으로서 DHF가 공급된다. DHF는 원심력에 의해 확산되어, 웨이퍼(W)의 표면의 전역이 DHF의 액막에 의해 덮이고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 DHF에 의해 세정된다. 이 경우, 웨이퍼(W)에 형성되어 있던 자연 산화막을 제거할 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면 상의 DHF액은 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. After the first rinse process, the wafer W is chemically cleaned with DHF solution. In this case, DHF is supplied as a cleaning chemical liquid to the center of the surface of the rotating wafer W from the second chemical liquid nozzle 26 provided at the tip of the nozzle arm 24. DHF is spread by centrifugal force, so that the entire surface of the wafer W is covered with a liquid film of DHF, and as a result, the surface of the wafer W is cleaned by DHF. In this case, the natural oxide film formed on the wafer W can be removed. The DHF liquid on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the drain ports 221 and 211.

<제 2 린스 공정><Second rinse process>

제 2 약액 세정 공정 후, 도 8의 (a) 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 린스 처리된다. 이 경우, 제 1 린스 공정과 동일하게 하여, 노즐 암(24)의 선단부에 마련된 린스액 노즐(27)로부터, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부로 DIW가 공급된다. 이에 의해, DIW는 원심력에 의해 확산되어, 웨이퍼(W)로부터 DHF를 몰아내도록 씻어낼 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면 상의 DIW 및 DHF는, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. After the second chemical cleaning process, the wafer W is rinsed, as shown in FIGS. 8A and 9 . In this case, in the same manner as the first rinsing process, DIW is supplied to the center of the surface of the rotating wafer W from the rinse liquid nozzle 27 provided at the tip of the nozzle arm 24. Thereby, DIW can be spread by centrifugal force and washed away to drive DHF from the wafer W. DIW and DHF on the surface of the wafer W scatter radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and are discharged from the drain ports 221 and 211.

제 2 린스 공정에서는, 예를 들면 DIW의 토출량은 300 mL/분, 웨이퍼(W)의 회전수가 1000 rpm으로 설정된다. 그리고, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에는 DIW의 액막이 형성된다. In the second rinse process, for example, the discharge amount of DIW is set to 300 mL/min and the rotation speed of the wafer W is set to 1000 rpm. And, as shown in FIG. 8(a), a DIW liquid film is formed on the surface of the wafer W.

<IPA 액막 형성 공정><IPA liquid film formation process>

제 2 린스 공정 후, 도 8의 (b) 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 제 1 회전수로 회전시키면서, 웨이퍼(W)에 건조 방지용의 액체로서 IPA가 공급된다. 이 경우, 먼저, 웨이퍼(W)의 회전수를 제 2 린스 공정 시의 회전수보다 낮은 제 1 회전수까지 저감시킨다. 이어서, IPA 개폐 밸브(31)를 열어, IPA 공급원(30)으로부터 IPA 공급 라인(29)을 통하여 노즐 암(24)의 선단부에 마련된 IPA 노즐(28)로 IPA가 공급된다. IPA 노즐(28)로 공급된 IPA는, IPA 노즐(28)로부터, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부로 공급된다. IPA는 원심력에 의해 확산되고, 웨이퍼(W)의 처리면에 형성된 DIW의 액막이 IPA로 치환되어, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 웨이퍼(W)의 표면을 덮는 IPA의 액막(액 축적된 IPA의 퍼들)이 형성된다. 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA는 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. After the second rinsing process, as shown in FIGS. 8(b) and 9, IPA is supplied to the wafer W as a drying prevention liquid while the wafer W is rotated at the first rotation speed. In this case, first, the rotation speed of the wafer W is reduced to a first rotation speed that is lower than the rotation speed during the second rinsing process. Next, the IPA opening/closing valve 31 is opened, and IPA is supplied from the IPA source 30 to the IPA nozzle 28 provided at the tip of the nozzle arm 24 through the IPA supply line 29. IPA supplied to the IPA nozzle 28 is supplied from the IPA nozzle 28 to the center of the surface of the rotating wafer W. IPA is spread by centrifugal force, and the liquid film of DIW formed on the processing surface of the wafer W is replaced with IPA, and as shown in FIG. 8(b), the surface of the wafer W is formed on the surface of the wafer W. A covering IPA liquid film (a puddle of liquid accumulated IPA) is formed. IPA on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the drain ports 221 and 211.

IPA 액막 형성 공정에서는, 예를 들면 IPA의 토출량은 300 mL/분, 웨이퍼(W)의 회전수가 30 rpm으로 설정되고, IPA의 토출이 15 초간 계속된다. IPA 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 후술하는 액량 조정 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수보다 작게 되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 IPA가 비산하는 것이 억제되어, IPA 액막 형성 공정 후의 IPA의 액막의 두께(도 8의 (b)에 나타내는 t1)는, 액량 조정 공정 후의 IPA의 액막의 두께(도 8의 (d)에 나타내는 t3)보다 두꺼워져 있다. 즉, IPA 액막 형성 공정 후에 있어서의 IPA의 액 축적량이 액량 조정 공정 후에 있어서의 IPA의 액 축적량보다 많게 되어 있다. In the IPA liquid film formation process, for example, the discharge amount of IPA is set to 300 mL/min, the rotation speed of the wafer W is set to 30 rpm, and the discharge of IPA continues for 15 seconds. As shown in FIG. 9 , the rotation speed of the wafer W in the IPA liquid film forming process is smaller than the rotation speed of the wafer W in the liquid volume adjustment process described later. For this reason, the scattering of IPA from the outer edge We of the wafer W is suppressed, and the thickness of the IPA liquid film after the IPA liquid film forming process (t1 shown in (b) of FIG. 8) is that of the IPA after the liquid volume adjustment process. It is thicker than the thickness of the liquid film (t3 shown in Figure 8(d)). That is, the amount of IPA liquid accumulated after the IPA liquid film forming process is greater than the amount of IPA liquid accumulated after the liquid amount adjustment process.

<공급 정지 공정><Supply stop process>

IPA 액막 형성 공정 후, 도 8의 (c) 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수를 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고(여기서는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고), 또한 웨이퍼(W)로의 IPA의 공급을 정지한다. 이 경우, 우선, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전의 정지는 완만하게 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 IPA가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 배출되는 것을 억제할 수 있다. 이 후, IPA 개폐 밸브(31)를 닫아, IPA의 공급을 정지한다. 이 공급 정지 공정 후에 있어서도, 웨이퍼(W)의 표면에는 액막의 두께가 t2가 되는 IPA의 액막이 잔존하고 있으며, 이 액막의 두께(t2)는, 상술한 IPA 액막 형성 공정 후의 IPA의 액막의 두께(t1)와 동일하거나 혹은 약간 얇은데, 후술하는 액량 조정 공정 후의 IPA의 액막의 두께(t3)보다 두꺼워져 있다. After the IPA liquid film forming process, as shown in Fig. 8 (c) and Fig. 9, the rotation speed of the wafer W is set to a rotation speed below the first rotation speed (here, the rotation of the wafer W is stopped) ), and also stops the supply of IPA to the wafer (W). In this case, first, the rotation of the wafer W is stopped. At this time, it is desirable to stop the rotation of the wafer W gently. As a result, it is possible to suppress the IPA remaining on the surface of the wafer W from being discharged from the surface of the wafer W. After this, the IPA opening/closing valve 31 is closed to stop the supply of IPA. Even after this supply stop process, an IPA liquid film with a liquid film thickness of t2 remains on the surface of the wafer W, and the thickness t2 of this liquid film is the thickness of the IPA liquid film after the above-described IPA liquid film forming process ( It is the same as or slightly thinner than t1), but is thicker than the thickness (t3) of the IPA liquid film after the liquid volume adjustment process described later.

<액량 조정 공정><Liquid amount adjustment process>

공급 정지 공정 후, 도 8의 (d) 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수를 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 하고, 웨이퍼(W)의 표면 상의 액막을 형성하는 IPA의 액량을 저감시킨다. 이 경우, 웨이퍼 유지 기구(23)를 연직축 둘레로 회전시켜, 정지하고 있던 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 다시 회전시킨다. 이 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 발생하는 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상의 액막을 형성하는 IPA의 일부가 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. 한편, 그 동안, IPA 개폐 밸브(31)는 닫힌 채로 하여, 웨이퍼(W)의 표면으로의 IPA의 공급은 행하지 않는다. 이와 같이 하여, 액막을 형성하는 IPA의 액량이 저감되고, IPA의 액막의 두께(t3)가 IPA 액막 형성 공정 후의 액막의 두께(t1) 및 공급 정지 공정 후의 IPA의 액막의 두께(t2)보다 얇아진다. 이에 의해, IPA의 액막의 두께가 원하는 두께가 된다. After the supply stop process, as shown in FIGS. 8(d) and 9, the rotation speed of the wafer W is set to a second rotation speed greater than the first rotation speed, and a liquid film is formed on the surface of the wafer W. Reduces the amount of IPA produced. In this case, the wafer holding mechanism 23 is rotated around the vertical axis to rotate the stationary wafer W again in the horizontal plane. Due to the centrifugal force generated with the rotation of the wafer W, a portion of the IPA forming the liquid film on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W, and drains the liquid. It is discharged from spheres 221 and 211. Meanwhile, the IPA opening/closing valve 31 remains closed and IPA is not supplied to the surface of the wafer W. In this way, the amount of IPA liquid forming the liquid film is reduced, and the thickness (t3) of the IPA liquid film is thinner than the thickness (t1) of the liquid film after the IPA liquid film forming process and the thickness (t2) of the IPA liquid film after the supply stop process. Lose. As a result, the thickness of the IPA liquid film becomes the desired thickness.

액량 조정 공정에 있어서는, 정지하고 있던 웨이퍼(W)의 회전을 재개하고(증대시키고) 나서 정해진 시간 경과 후(예를 들면, 1초 후)에, 웨이퍼(W)의 회전을 완만하게 정지하는 것이 적합하다. 이에 의해, 액막을 형성하는 IPA가 과도하게 웨이퍼(W)의 표면으로부터 배출되는 것을 방지하여, IPA의 액막의 두께(t3)를 원하는 두께로 조정할 수 있다. In the liquid volume adjustment process, after restarting (increasing) the rotation of the stopped wafer W, the rotation of the wafer W is gently stopped after a certain period of time (for example, 1 second later). Suitable. As a result, the IPA forming the liquid film is prevented from being excessively discharged from the surface of the wafer W, and the thickness t3 of the IPA liquid film can be adjusted to a desired thickness.

액량 조정 공정에 있어서는, 웨이퍼(W)의 회전수 또는 웨이퍼(W)의 회전을 재개하고 나서 정지할 때까지의 시간을 조정함으로써, IPA의 액막의 두께를 임의로 조정할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 처리 시간을 단축시키기 위해서는, 웨이퍼(W)의 회전을 재개하고 나서 정지할 때까지의 시간을 짧게 설정하고, 이 시간 내에 IPA의 액막의 두께를 원하는 두께로 조정할 수 있는 웨이퍼(W)의 회전수를 설정하도록 해도 된다. In the liquid amount adjustment process, the thickness of the IPA liquid film can be arbitrarily adjusted by adjusting the rotation speed of the wafer W or the time from restarting the rotation of the wafer W to stopping. In addition, in order to shorten the processing time of the wafer W, the time from restarting the rotation of the wafer W to stopping is set short, and the thickness of the IPA liquid film can be adjusted to the desired thickness within this time. You may set the rotation speed of the wafer W.

이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 세정 처리가 종료된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 표면에는 원하는 두께를 가지는 IPA의 액막이 형성되어 있어, 웨이퍼(W)의 건조를 방지하고 있다. In this way, the cleaning process for the wafer W is completed. At this time, an IPA liquid film having a desired thickness is formed on the surface of the wafer W, preventing drying of the wafer W.

[건조 처리][Dry processing]

이어서, 초임계 처리 장치(3)에 있어서의 웨이퍼(W)의 건조 처리 방법에 대하여 설명한다. 여기서는, 먼저 도 10을 이용하여, IPA의 건조 메커니즘을 설명한다. Next, a method for drying the wafer W in the supercritical processing apparatus 3 will be described. Here, first, the drying mechanism of IPA will be explained using FIG. 10.

<건조 메커니즘><Drying mechanism>

초임계 처리 장치(3)에 있어서 초임계 상태의 처리 유체(R)가 처리 용기(301)의 용기 본체(311) 내로 도입된 당초에는, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 패턴(P) 사이에는 IPA만이 충전되어 있다. In the supercritical processing device 3, when the processing fluid R in a supercritical state is initially introduced into the container body 311 of the processing container 301, as shown in FIG. 10(a), the pattern P ), only IPA is filled.

패턴(P) 사이의 IPA는 초임계 상태의 처리 유체(R)와 접촉함으로써 서서히 처리 유체(R)에 용해되고, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이 서서히 처리 유체(R)와 치환된다. 이 때, 패턴(P) 사이에는, IPA 및 처리 유체(R) 외에, IPA와 처리 유체(R)가 혼합된 상태의 혼합 유체(M)가 존재한다. The IPA between the patterns P gradually dissolves in the processing fluid R upon contact with the processing fluid R in a supercritical state, and is gradually replaced with the processing fluid R as shown in FIG. 10(b). At this time, in addition to the IPA and the processing fluid R, a mixed fluid M in which IPA and the processing fluid R are mixed exists between the patterns P.

그리고, 패턴(P) 사이에서 IPA로부터 처리 유체(R)로의 치환이 진행됨에 따라, 패턴(P) 사이로부터는 IPA가 제거되어, 최종적으로는 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이, 초임계 상태의 처리 유체(R)에만 의해 패턴(P) 사이가 채워진다. Then, as the substitution of IPA with the processing fluid R progresses between the patterns P, IPA is removed from between the patterns P, and ultimately, as shown in FIG. 10(c), a supercritical state is achieved. The space between the patterns (P) is filled only with the processing fluid (R).

패턴(P) 사이로부터 IPA가 제거된 후에, 용기 본체(311) 내의 압력을 대기압까지 낮춤으로써, 도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이, 처리 유체(R)는 초임계 상태로부터 기체 상태로 변화하고, 패턴(P) 사이는 기체에만 의해 점유된다. 이와 같이 하여 패턴(P) 사이의 IPA는 제거되고, 웨이퍼(W)의 건조 처리는 완료된다. After IPA is removed from between the patterns P, the pressure in the container body 311 is lowered to atmospheric pressure, and as shown in FIG. 10(d), the processing fluid R changes from the supercritical state to the gaseous state. And, the space between the patterns (P) is occupied only by the gas. In this way, the IPA between the patterns P is removed, and the drying process for the wafer W is completed.

상술한 도 10의 (a) ~ (d)에 나타내는 메커니즘을 배경으로, 본 실시 형태의 초임계 처리 장치(3)는 이하와 같이 하여 IPA의 건조 처리를 행한다. Against the background of the mechanism shown in Figures 10 (a) to 10 (d) described above, the supercritical processing device 3 of the present embodiment performs IPA drying processing as follows.

<반입 공정><Importation process>

액량 조정 공정 후, 웨이퍼(W)가 원하는 두께를 가지는 IPA의 액막이 형성된 상태로 초임계 처리 장치(3)의 처리 용기(301)에 반입된다. After the liquid amount adjustment process, the wafer W is loaded into the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 with an IPA liquid film having a desired thickness formed thereon.

이 경우, 먼저, 웨이퍼(W)는 제 2 반송 기구(161)에 의해 세정 장치(2)로부터 반출되어, 초임계 처리 장치(3)의 처리 용기(301) 내로 반입된다. 반입 시, 제 2 반송 기구(161)는 전달 위치에서 대기하고 있는 유지판(316)에 웨이퍼(W)를 전달한 후, 유지판(316)의 상방 위치로부터 퇴피한다. In this case, first, the wafer W is transported from the cleaning device 2 by the second transport mechanism 161 and loaded into the processing container 301 of the supercritical processing device 3. At the time of loading, the second transfer mechanism 161 delivers the wafer W to the holding plate 316 waiting at the delivery position, and then retracts from the upper position of the holding plate 316.

이어서, 유지판(316)을 수평 방향으로 슬라이드시켜, 유지판(316)을 용기 본체(311) 내의 처리 위치까지 이동시킨다. 이 때, 제 1 덮개 부재(315)는 제 1 덮개 부재 수용 공간(324) 내에 수용되어, 반송구(312)를 덮는다. 이어서, 진공 흡인관(348)(도 4 및 도 5)으로부터의 흡인력에 의해, 제 1 덮개 부재(315)가 용기 본체(311)로 끌어당겨지고, 제 1 덮개 부재(315)에 의해 반송구(312)가 폐색된다. 이어서, 승강 기구(326)에 의해 제 1 락 플레이트(327)를 락 위치까지 상승시켜, 제 1 락 플레이트(327)와 제 1 덮개 부재(315)의 앞면을 접촉시키고, 제 1 덮개 부재(315)의 이동을 규제한다. Next, the holding plate 316 is slid in the horizontal direction to move the holding plate 316 to the processing position within the container body 311. At this time, the first cover member 315 is accommodated in the first cover member accommodating space 324 and covers the transfer port 312. Next, the first cover member 315 is pulled into the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 348 (FIGS. 4 and 5), and the first cover member 315 is pulled into the conveyance port ( 312) is blocked. Next, the first lock plate 327 is raised to the locked position by the lifting mechanism 326, the first lock plate 327 and the front surface of the first cover member 315 are brought into contact, and the first cover member 315 is brought into contact with the first lock plate 327. ) regulates the movement of

<건조 공정><Drying process>

반입 공정 후, 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 건조 공정에서는, 처리 용기(301)로 가압된 처리 유체를 공급하고, 처리 용기(301) 내의 압력을 처리 유체가 임계 상태를 유지하는 압력으로 유지하면서, 처리 용기(301)로 가압된 처리 유체를 공급하고 또한 처리 용기(301)로부터 처리 유체를 배출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 IPA가 처리 유체로 치환되고, 이 후, 처리 용기(301) 내의 압력을 저하시킴으로써 웨이퍼(W)가 건조된다. After the loading process, the wafer W is dried. In the drying process, the pressurized processing fluid is supplied to the processing container 301, and the pressurized processing fluid is supplied to the processing container 301 while maintaining the pressure within the processing container 301 at a pressure that maintains the processing fluid in a critical state. Supply and discharge processing fluid from the processing vessel 301. As a result, the IPA on the wafer W is replaced by the processing fluid, and then the wafer W is dried by lowering the pressure inside the processing container 301.

보다 구체적으로, 웨이퍼(W)의 표면에 액 축적된 IPA가 건조되기 전에, 개폐 밸브(67) 및 유량 조정 밸브(69)를 열어 제 1 공급 라인(63), 제 2 공급 라인(64)을 거쳐 처리 공간(319)으로 고압의 처리 유체를 공급한다. 이에 의해, 처리 공간(319) 내의 압력을 예를 들면 14 ~ 16 MPa 정도까지 승압한다. 처리 공간(319)의 가압에 수반하여, 제 1 덮개 부재(315)의 오목부(338)에 마련된 단면 U 자 형상의 씰 부재(339)가 확장되어, 제 1 덮개 부재(315)와 용기 본체(311) 사이의 간극을 기밀하게 폐색한다. More specifically, before the IPA liquid accumulated on the surface of the wafer W is dried, the opening/closing valve 67 and the flow rate adjustment valve 69 are opened to connect the first supply line 63 and the second supply line 64. A high-pressure processing fluid is supplied to the processing space 319. As a result, the pressure within the processing space 319 is increased to, for example, about 14 to 16 MPa. As the processing space 319 is pressurized, the seal member 339 having a U-shaped cross-section provided in the concave portion 338 of the first cover member 315 expands, and the first cover member 315 and the container body (311) The gap between them is airtightly closed.

한편, 처리 공간(319) 내에서는, 당해 처리 공간(319) 내로 공급된 처리 유체가 웨이퍼(W)에 액 축적된 IPA와 접촉하면, 액 축적된 IPA는 서서히 처리 유체에 용해되어, 서서히 처리 유체와 치환된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 패턴 사이에서 IPA로부터 처리 유체로의 치환이 진행됨에 따라, 패턴 사이로부터는 IPA가 제거되어, 최종적으로는 초임계 상태의 처리 유체에만 의해 패턴(P) 사이가 채워진다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면은 액체의 IPA로부터 처리 유체로 치환되어 가게 되는데, 평형 상태에서 액체 IPA와 처리 유체 사이에는 계면이 형성되지 않으므로, 패턴 도괴를 일으키지 않고 웨이퍼(W) 표면의 IPA를 처리 유체로 치환할 수 있다. Meanwhile, within the processing space 319, when the processing fluid supplied into the processing space 319 comes into contact with the IPA liquid accumulated on the wafer W, the accumulated IPA is gradually dissolved in the processing fluid, is replaced with As the replacement of IPA with the processing fluid progresses between the patterns of the wafer W, IPA is removed from between the patterns, and ultimately, the space between the patterns P is filled only with the processing fluid in a supercritical state. As a result, the surface of the wafer W is replaced by the processing fluid from the liquid IPA. Since no interface is formed between the liquid IPA and the processing fluid in the equilibrium state, the IPA on the surface of the wafer W does not cause pattern collapse. can be replaced with a treatment fluid.

이 후, 처리 공간(319) 내로 처리 유체를 공급하고 나서 미리 설정한 시간이 경과되어, 웨이퍼(W)의 표면이 처리 유체로 치환된 상태가 되면, 감압 밸브(70)를 열어 처리 공간(319) 내의 분위기를 유체 배출 헤더(318)로부터 용기 본체(311) 외방을 향해 배출한다. 이에 의해, 용기 본체(311) 내의 압력은 점차 저하되어 처리 공간(319) 내의 처리 유체는 초임계 상태로부터 기체 상태로 변화한다. 이 때 초임계 상태와 기체의 사이에는 계면이 형성되지 않으므로, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 패턴에 표면 장력을 작용시키지 않고, 웨이퍼(W)를 건조할 수 있다. Afterwards, when a preset time has elapsed after supplying the processing fluid into the processing space 319 and the surface of the wafer W has been replaced with the processing fluid, the pressure reducing valve 70 is opened and the processing space 319 ) The atmosphere inside is discharged from the fluid discharge header 318 toward the outside of the container body 311. As a result, the pressure within the container body 311 gradually decreases, and the processing fluid within the processing space 319 changes from a supercritical state to a gaseous state. At this time, since no interface is formed between the supercritical state and the gas, the wafer W can be dried without applying surface tension to the pattern formed on the surface of the wafer W.

이상의 프로세스에 의해, 웨이퍼(W)의 초임계 처리를 끝낸 후, 처리 공간(319)에 잔존하고 있는 기체의 처리 유체를 배출하기 위하여, 미도시의 퍼지 가스 공급 라인으로부터 N2 가스를 공급하여 유체 배출 헤더(318)를 향해 퍼지를 행한다. 그리고 미리 정한 시간만큼 N2 가스의 공급을 행하여 퍼지가 완료되고, 용기 본체(311) 내가 대기압으로 복귀하면, 제 1 락 플레이트(327)를 개방 위치까지 강하시킨다. 그리고 유지판(316)을 전달 위치까지 수평 방향으로 이동시켜, 초임계 처리를 끝낸 웨이퍼(W)를 제 2 반송 기구(161)를 이용하여 반출한다. After completing the supercritical processing of the wafer W through the above process, in order to discharge the gaseous processing fluid remaining in the processing space 319, N 2 gas is supplied from a purge gas supply line (not shown) to remove the fluid. Purge is performed toward the discharge header 318. Then, the purge is completed by supplying the N 2 gas for a predetermined period of time, and when the inside of the container body 311 returns to atmospheric pressure, the first lock plate 327 is lowered to the open position. Then, the holding plate 316 is moved in the horizontal direction to the transfer position, and the wafer W that has completed the supercritical treatment is transported using the second transport mechanism 161.

그런데, 상술한 초임계 처리를 행하고 있는 동안, 제 2 락 플레이트(337)는 상시 락 위치까지 상승되어 있다. 이에 의해 제 2 락 플레이트(337)와 제 2 덮개 부재(322)의 후면이 접촉하여, 제 2 덮개 부재(322)의 이동이 규제된다. 그리고 처리 공간(319)에 고압의 처리 유체가 공급되어 있지 않고, 용기 본체(311) 내의 압력이 높여져 있지 않은 경우, 제 2 덮개 부재(322) 및 용기 본체(311)의 측벽면끼리가 직접 대향하여 씰 부재(329)를 눌러, 메인터넌스용 개구(321)의 주위를 기밀하게 폐색한다. However, while the above-described supercritical process is being performed, the second lock plate 337 is raised to the constant lock position. As a result, the second lock plate 337 and the rear surface of the second cover member 322 come into contact with each other, and the movement of the second cover member 322 is restricted. In addition, when high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure within the container body 311 is not increased, the second cover member 322 and the side wall surfaces of the container body 311 are directly connected to each other. The seal member 329 is pressed against each other to airtightly close the area around the maintenance opening 321.

한편, 처리 공간(319)에 고압의 처리 유체를 공급한 경우, 제 2 덮개 부재(322)는, 메인터넌스용 개구(321) 주위의 감입홀(335, 333)과, 제 2 락 플레이트(337) 사이의 간극(C2)분만큼 처리 공간(319)으로부터 멀어지는 방향(Y 방향 플러스측)으로 이동한다. 제 2 덮개 부재(322)가 이동함으로써, 제 2 덮개 부재(322)와 용기 본체(311) 사이의 간극이 넓어진다. 이 경우, 탄성을 가지는 씰 부재(329)의 복원력에 의해 개구(329a)가 넓어지므로, 씰 부재(329)의 외주면이 제 2 덮개 부재(322) 및 용기 본체(311)에 밀착하여, 이들 제 2 덮개 부재(322)와 용기 본체(311) 사이의 간극은 기밀하게 폐색된다. 이와 같이, 상술한 초임계 처리를 행하고 있는 동안, 제 2 덮개 부재(322)는 메인터넌스용 개구(321)를 폐색한 채의 상태를 유지하도록 되어 있다. On the other hand, when high-pressure processing fluid is supplied to the processing space 319, the second cover member 322 has the insertion holes 335 and 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337. It moves in the direction (positive side of the Y direction) away from the processing space 319 by the amount of the gap C2 between them. As the second cover member 322 moves, the gap between the second cover member 322 and the container body 311 widens. In this case, the opening 329a is widened by the restoring force of the elastic seal member 329, so the outer peripheral surface of the seal member 329 is in close contact with the second cover member 322 and the container body 311, 2 The gap between the cover member 322 and the container body 311 is airtightly closed. In this way, while the above-described supercritical treatment is being performed, the second cover member 322 maintains the maintenance opening 321 closed.

또한, 제 1 공급 라인(63)으로부터 처리 공간(319)으로 고압의 처리 유체를 공급하고 있는 동안, 제 2 덮개 부재(322)에 마련된 추가 개공(330)으로부터, 씰 부재(329)의 개구(329a)로 처리 유체가 공급된다. 이에 의해, 씰 부재(329)의 내측에 처리 유체를 분사하여, 씰 부재(329)의 내면에 부착한 먼지 등의 이물을 날려 버릴 수 있다. 이 때문에, 초임계 처리를 행하면서, 씰 부재(329)의 내면을 청정하게 할 수 있다. 개구(329a)로 공급된 처리 유체는 처리 공간(319)으로 공급된다. In addition, while high-pressure processing fluid is being supplied from the first supply line 63 to the processing space 319, an opening ( Process fluid is supplied to 329a). As a result, the processing fluid can be sprayed onto the inside of the seal member 329 to blow away foreign substances such as dust adhering to the inner surface of the seal member 329. For this reason, the inner surface of the seal member 329 can be cleaned while performing supercritical treatment. The processing fluid supplied through the opening 329a is supplied to the processing space 319.

[메인터넌스 방법][Maintenance method]

이어서, 상술한 초임계 처리가 종료되어, 처리 용기(301)의 메인터넌스를 행할 시의 작용에 대하여 설명한다. Next, the operation when the above-described supercritical processing is completed and maintenance of the processing container 301 is performed will be described.

먼저, 처리 공간(319)의 내부를 대기압에 개방한다. 이어서, 승강 기구(326)에 의해 제 1 락 플레이트(327)를 감입홀(323, 325)로부터 하방측으로 이동하여, 제 1 덮개 부재(315)를 개방하는 개방 위치로 한다. 이어서, 제 1 덮개 부재(315) 및 유지판(316)을 앞측(Y 방향 마이너스측)으로 이동한다. 이에 의해, 유지판(316)은 처리 공간(319)으로부터 꺼내지고, 제 1 덮개 부재(315)는 반송구(312)로부터 이간한다(도 11의 (a)). First, the interior of the processing space 319 is opened to atmospheric pressure. Next, the first lock plate 327 is moved downward from the insertion holes 323 and 325 by the lifting mechanism 326 to an open position where the first cover member 315 is opened. Next, the first cover member 315 and the retaining plate 316 are moved to the front side (Y direction minus side). As a result, the holding plate 316 is taken out from the processing space 319, and the first cover member 315 is separated from the conveyance port 312 (FIG. 11(a)).

이어서, 제 2 락 플레이트(337)를 감입홀(333, 335)로부터 하방측으로 이동하여, 제 2 덮개 부재(322)를 개방하는 개방 위치로 한다. 이어서, 제 2 덮개 부재(322)를 내측(Y 방향 플러스측)으로 이동하여, 제 2 덮개 부재(322)를 메인터넌스용 개구(321)로부터 이간한다(도 11의 (b)). Next, the second lock plate 337 is moved downward from the insertion holes 333 and 335 to an open position where the second cover member 322 is opened. Next, the second cover member 322 is moved inward (Y direction positive side) to separate the second cover member 322 from the maintenance opening 321 (FIG. 11(b)).

이어서, 메인터넌스용 개구(321)로부터 청소 지그 또는 공구 등을 삽입하여, 처리 공간(319)의 내부의 메인터넌스 작업(청소, 조정 등)을 행한다. 본 실시 형태에 있어서는, 제 2 락 플레이트(337)를 하방측으로 이동하고, 제 2 덮개 부재(322)를 분리하는 것만으로 처리 공간(319)의 내부에 액세스하는 것이 가능해지므로, 이러한 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 공급 포트(313)가 제 2 덮개 부재(322)에 접속되어 있으므로, 상기 처리 공간(319) 내의 메인터넌스 작업과 아울러, 공급 포트(313) 또는 개공(332)의 메인터넌스 작업(청소, 조정 등)도 용이하게 행할 수 있다. Next, a cleaning jig or tool, etc. is inserted through the maintenance opening 321 to perform maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319. In this embodiment, it becomes possible to access the inside of the processing space 319 simply by moving the second lock plate 337 downward and removing the second cover member 322, making such maintenance work easy. It can be done. In addition, since the supply port 313 is connected to the second cover member 322, in addition to the maintenance work within the processing space 319, maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) of the supply port 313 or the opening 332 can be performed. ) can also be easily performed.

이와 같이 하여 메인터넌스 작업이 종료된 후, 상기의 반대 순서로 용기 본체(311)에 대하여 제 2 덮개 부재(322) 및 제 1 덮개 부재(315)를 각각 조립한다. 즉, 먼저 제 2 덮개 부재(322)를 앞측(Y 방향 마이너스측)으로 이동하고, 제 2 덮개 부재(322)에 의해 메인터넌스용 개구(321)를 덮는다. 이어서, 진공 흡인관(349)으로부터의 흡인력에 의해, 제 2 덮개 부재(322)를 용기 본체(311)측으로 흡인한다. 이어서, 제 2 락 플레이트(337)를 상승시켜, 제 2 락 플레이트(337)를 감입홀(333, 335) 내에 감입함으로써, 제 2 덮개 부재(322)를 누르는 락 위치로 한다. 이에 의해, 메인터넌스용 개구(321)의 주위가 기밀하게 폐색된다. After the maintenance work is completed in this way, the second cover member 322 and the first cover member 315 are respectively assembled to the container body 311 in the reverse order described above. That is, first, the second cover member 322 is moved to the front side (minus side in the Y direction), and the maintenance opening 321 is covered with the second cover member 322. Next, the second cover member 322 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 349. Next, the second lock plate 337 is raised and the second lock plate 337 is inserted into the insertion holes 333 and 335, thereby putting the second cover member 322 in a locked position. As a result, the surroundings of the maintenance opening 321 are airtightly sealed.

이어서, 제 1 덮개 부재(315) 및 유지판(316)을 내측(Y 방향 플러스측)으로 이동함으로써, 유지판(316)을 처리 공간(319) 내에 진입시키고, 또한 제 1 덮개 부재(315)에 의해 반송구(312)를 덮는다. 이어서, 진공 흡인관(348)으로부터의 흡인력에 의해, 제 1 덮개 부재(315)를 용기 본체(311)측으로 흡인한다. 이어서, 승강 기구(326)에 의해 제 1 락 플레이트(327)를 상승시키고, 제 1 락 플레이트(327)를 감입홀(323, 325)에 감입하여, 락 위치로 한다. 이와 같이 하여, 반송구(312)의 주위는 기밀하게 폐색되어, 다시 처리 공간(319)이 밀폐된다. 이 후, 필요에 따라 상술한 초임계 처리를 행한다. Next, by moving the first cover member 315 and the retaining plate 316 inward (Y direction positive side), the retaining plate 316 enters the processing space 319, and the first cover member 315 The return port 312 is covered by . Next, the first cover member 315 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 348. Next, the first lock plate 327 is raised by the lifting mechanism 326, and the first lock plate 327 is inserted into the fitting holes 323 and 325 to be in the locked position. In this way, the area around the transfer port 312 is airtightly closed, and the processing space 319 is sealed again. After this, the above-described supercritical treatment is performed as necessary.

이와 같이 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)를 제 1 회전수로 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면에 IPA의 액막을 형성하고, 이어서, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고 또한 IPA의 공급을 정지하고, 이 후, 웨이퍼(W)를, 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 회전시킨다. 이에 의해, IPA의 공급 정지의 타이밍과는 관계없이, 웨이퍼(W)의 회전수를 조정함으로써, IPA의 액막의 두께를 조정할 수 있다. According to this embodiment, an IPA liquid film is formed on the surface of the wafer W while rotating the wafer W at a first rotation speed, and then the rotation of the wafer W is stopped and IPA is supplied. is stopped, and thereafter, the wafer W is rotated at a second rotation speed that is greater than the first rotation speed. Accordingly, the thickness of the IPA liquid film can be adjusted by adjusting the rotation speed of the wafer W, regardless of the timing of the IPA supply stop.

여기서, 웨이퍼(W)를 원하는 회전수로 회전시켜 웨이퍼(W)에 원하는 IPA 토출량(공급량)으로 토출한 상태를 정해진 시간 계속하여 IPA의 액막의 두께를 조정한다고 하는 방법도 고려된다. 이 경우에는, 정해진 시간 경과 후에 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고 또한 IPA의 공급을 정지한다. 웨이퍼(W)의 회전 정지는, 제어부(4)가 웨이퍼 유지 기구(23)를 회전 구동하는 모터(20)에 정지 지령을 발신함으로써 실현된다. 이에 의해, 제어부(4)가 정지 지령을 발신하고 나서 웨이퍼(W)의 회전이 정지할 때까지의 시간은, 변동하기 어렵게 되어 있다. 한편, IPA의 공급 정지는, 제어부(4)가 IPA 개폐 밸브(31)에 폐색 지령을 발신함으로써 실현된다. 보다 구체적으로, 제어부(4)로부터의 폐색 지령을 수신한 IPA 개폐 밸브(31)의 밸브 본체 구동부(도시하지 않음)가 밸브 본체를 이동시켜, IPA 개폐 밸브(31)의 내부 유로를 폐색한다. 이에 의해, 제어부(4)가 폐색 지령을 발신하고 나서 IPA 개폐 밸브(31)가 닫힐 때까지의 시간은 변동하기 쉽고, 일정하게 유지하는 것이 곤란해진다고 상정된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 액막의 두께가 변동하여, 원하는 두께로 유지하는 것이 곤란해질 수 있다. Here, a method of adjusting the thickness of the IPA liquid film by rotating the wafer W at a desired rotation speed and discharging the desired IPA discharge amount (supply amount) to the wafer W for a set period of time is also considered. In this case, after a predetermined time has elapsed, the rotation of the wafer W is stopped and the supply of IPA is stopped. Stopping the rotation of the wafer W is realized by the control unit 4 sending a stop command to the motor 20 that rotationally drives the wafer holding mechanism 23. As a result, the time from when the control unit 4 transmits the stop command until the rotation of the wafer W stops is difficult to vary. On the other hand, stopping the supply of IPA is realized by the control unit 4 sending a closure command to the IPA opening/closing valve 31. More specifically, the valve body driving unit (not shown) of the IPA opening/closing valve 31, which receives the closing command from the control unit 4, moves the valve body to close the internal flow path of the IPA opening/closing valve 31. As a result, it is assumed that the time from when the control unit 4 transmits the occlusion command until the IPA opening/closing valve 31 is closed tends to vary, and it becomes difficult to keep it constant. For this reason, the thickness of the IPA liquid film on the surface of the wafer W may vary, making it difficult to maintain the desired thickness.

이에 대하여 본 실시의 형태에 따르면, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고 또한 IPA의 공급을 정지한 후에, 웨이퍼(W)를, 웨이퍼(W)에 IPA를 공급하고 있었을 때의 웨이퍼(W)의 회전수(제 1 회전수)보다 큰 제 2 회전수로 회전시킨다. 이 때문에, IPA의 공급 정지와는 관계없이, 웨이퍼(W)의 회전수를 조정함으로써, IPA의 액막의 두께를 조정할 수 있다. 이 때문에, IPA의 액막의 두께가 변동하는 것을 방지하여, 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이 경우, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)가 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리를 행할 때까지 IPA가 기화하는 것을 방지할 수 있고, 또한 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In contrast, according to the present embodiment, as described above, after the rotation of the wafer W is stopped and the supply of IPA is stopped, the wafer W is supplied with IPA to the wafer W. The wafer W is rotated at a second rotation speed that is greater than the rotation speed (first rotation speed). For this reason, the thickness of the IPA liquid film can be adjusted by adjusting the rotation speed of the wafer W, regardless of whether the IPA supply is stopped. For this reason, it is possible to prevent the thickness of the IPA liquid film from fluctuating and improve the thickness accuracy. In this case, it is possible to prevent IPA from vaporizing until the wafer W after the cleaning treatment is subjected to drying treatment within the supercritical processing apparatus 3, and further drying treatment within the supercritical processing apparatus 3 is possible. Later, particles can be prevented from being generated on the wafer W.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 표면으로의 IPA의 공급을 정지하는 공급 정지 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 이에 의해, 공급 정지 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 IPA가 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면으로부터 배출되는 것을 방지할 수 있어, 웨이퍼(W) 상의 IPA의 액막을 표면 장력으로 유지할 수 있다. 이 때문에, 액량 조정 공정 개시 시에 있어서의 액막의 두께를 확보할 수 있어, 액량 조정 공정 후의 IPA의 액막을 원하는 두께로 조정할 수 있다. Additionally, according to this embodiment, in the supply stop process of stopping the supply of IPA to the surface of the wafer W, the rotation of the wafer W is stopped. As a result, in the supply stop process, the IPA remaining on the surface of the wafer W can be prevented from being discharged from the surface of the wafer W due to centrifugal force, thereby forming the IPA liquid film on the wafer W by surface tension. It can be maintained. For this reason, the thickness of the liquid film at the start of the liquid amount adjustment process can be secured, and the IPA liquid film after the liquid amount adjustment process can be adjusted to a desired thickness.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 표면으로의 IPA의 공급을 정지하는 공급 정지 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한 후, IPA의 공급을 정지한다. 즉, 제어부(4)가 모터(20)에 대한 정지 지령과 IPA 개폐 밸브(31)에 대한 폐색 지령을 동시에 발신해도, IPA 개폐 밸브(31)가 닫히는 타이밍이 웨이퍼(W)의 회전 정지보다 늦어지는 경우가 있다. 이 경우에 있어서도, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한 후에 공급된 IPA는 웨이퍼(W)의 주연으로부터 흘러넘친다. 이에 의해, 액량 조정 공정 개시 시에 있어서의 IPA의 액막의 두께가 두꺼워지는 것을 억제할 수 있어, 액량 조정 공정 후의 IPA의 액막을 원하는 두께로 조정할 수 있다. Additionally, according to this embodiment, in the supply stop process of stopping the supply of IPA to the surface of the wafer W, after stopping the rotation of the wafer W, the supply of IPA is stopped. That is, even if the control unit 4 simultaneously transmits a stop command to the motor 20 and a closing command to the IPA opening/closing valve 31, the timing at which the IPA opening/closing valve 31 closes is later than the rotation stop of the wafer W. There are times when you lose. Also in this case, the supplied IPA overflows from the periphery of the wafer W after the rotation of the wafer W stops. As a result, it is possible to suppress an increase in the thickness of the IPA liquid film at the start of the liquid amount adjustment process, and the IPA liquid film after the liquid amount adjustment process can be adjusted to a desired thickness.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 액막을 형성하는 IPA의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수를 증대시키고 나서 정해진 시간 경과 후에 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 이에 의해, 액막을 형성하는 IPA가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 과도하게 배출되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, IPA의 액막의 두께가 원하는 두께보다 얇아지는 것을 방지하여, IPA의 액막의 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있다. Furthermore, according to the present embodiment, in the liquid amount adjustment process of reducing the amount of IPA forming the liquid film, the rotation speed of the wafer W is increased, and then the rotation of the wafer W is stopped after a predetermined time has elapsed. As a result, it is possible to prevent IPA forming the liquid film from being excessively discharged from the surface of the wafer W. For this reason, the thickness of the IPA liquid film can be prevented from becoming thinner than the desired thickness, and the accuracy of the IPA liquid film thickness can be improved.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 액량 조정 공정 후, 웨이퍼(W)는 처리 유체가 임계 상태를 유지하는 압력으로 유지된 처리 용기(301)로 반입되어, 웨이퍼(W)에 당해 압력의 처리 유체가 공급되고, 또한 처리 용기(301)로부터 처리 유체가 배출된다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 액막을 형성하는 IPA를 처리 유체로 치환시켜, 이 후에 처리 용기(301) 내의 압력을 저하시킴으로써, 웨이퍼(W)를 건조시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Additionally, according to the present embodiment, after the liquid volume adjustment process, the wafer W is brought into the processing container 301 in which the processing fluid is maintained at a pressure that maintains a critical state, and the processing fluid at the pressure is applied to the wafer W. The processing fluid is supplied and discharged from the processing container 301. As a result, the IPA forming the liquid film on the wafer W is replaced by the processing fluid, and the pressure inside the processing container 301 is subsequently reduced, thereby drying the wafer W. For this reason, it is possible to prevent particles from being generated on the wafer W.

또한 상술한 본 실시의 형태에 있어서는, 공급 정지 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하는 예에 대하여 설명했다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 웨이퍼(W)는, 제 1 회전수 또는 제 1 회전수 미만의 회전수로 회전시키고 있어도 된다. 이 경우에는, 액량 조정 공정에 있어서, 웨이퍼(W)가 제 2 회전수에 이르기까지의 시간을 단축할 수 있다. In addition, in the present embodiment described above, an example in which the rotation of the wafer W is stopped in the supply stop process has been described. However, the present invention is not limited to this, and the wafer W may be rotated at the first rotation speed or at a rotation speed less than the first rotation speed. In this case, in the liquid volume adjustment process, the time it takes for the wafer W to reach the second rotation speed can be shortened.

또한 상술한 본 실시의 형태에 있어서는, 제 2 덮개 부재(322)에 복수의 개공(332) 및 복수의 추가 개공(330)이 마련되어 있는 예에 대하여 설명했다. 그러나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 도 12의 (a), (b)에 나타내는 것과 같은 구성으로 해도 된다. 도 12의 (a), (b)에 나타내는 변형예에서는, 제 2 덮개 부재(322)의 용기 본체(311)측의 면에, 관 형상으로 마련된 유체 공급 헤더(350)가 마련되어 있다. 이 유체 공급 헤더(350)는, 제 2 덮개 부재(322)의 용기 본체(311)측의 면에 있어서, 지면에 수직인 방향(도 4에 나타내는 X 방향)으로 연장되어 있다. 유체 공급 헤더(350)는 공급 포트(313)를 개재하여 제 1 공급 라인(63)에 접속되어 있다. 또한, 유체 공급 헤더(350)에는 복수의 개공(332) 및 복수의 추가 개공(330)이 마련되어 있다. 이에 의해, 제 1 공급 라인(63)으로부터 공급된 처리 유체를 개공(332)을 통하여 처리 공간(319)으로 공급할 수 있고, 또한 추가 개공(330)을 통하여 씰 부재(329)의 내면으로 공급할 수 있다. In addition, in the present embodiment described above, an example in which a plurality of openings 332 and a plurality of additional openings 330 are provided in the second cover member 322 has been described. However, it is not limited to this. For example, it may be configured as shown in Figures 12(a) and 12(b). In the modified example shown in FIGS. 12(a) and 12(b), a tubular fluid supply header 350 is provided on the surface of the second lid member 322 on the container body 311 side. This fluid supply header 350 extends in the direction perpendicular to the ground (X direction shown in FIG. 4) on the surface of the second lid member 322 on the container body 311 side. The fluid supply header 350 is connected to the first supply line 63 via the supply port 313. Additionally, the fluid supply header 350 is provided with a plurality of openings 332 and a plurality of additional openings 330. As a result, the processing fluid supplied from the first supply line 63 can be supplied to the processing space 319 through the opening 332, and can also be supplied to the inner surface of the seal member 329 through the additional opening 330. there is.

(제 2 실시의 형태)(Second Embodiment)

이어서, 도 13 및 도 14를 이용하여, 본 발명의 제 2 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템에 대하여 설명한다. Next, using FIGS. 13 and 14 , the substrate processing method, storage medium, and substrate processing system in the second embodiment of the present invention will be described.

도 13 및 도 14에 나타내는 제 2 실시의 형태에 있어서는, 기판의 주연부에 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하는 주연 공급 공정과, 액막을 형성하는 처리액의 액량을 저감시키는 제 2 액량 조정 공정을 더 구비하고 있는 점이 주로 상이하며, 다른 구성은, 도 1 ~ 도 12에 나타내는 제 1 실시의 형태와 대략 동일하다. 또한 도 13 및 도 14에 있어서, 도 1 ~ 도 12에 나타내는 제 1 실시의 형태와 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다. In the second embodiment shown in FIGS. 13 and 14, a peripheral supply process of supplying a processing liquid to the periphery of the substrate while rotating the substrate, and a second liquid amount adjustment process of reducing the liquid amount of the processing liquid that forms the liquid film. The main differences are in the points provided, and the other configurations are substantially the same as the first embodiment shown in FIGS. 1 to 12. In Figures 13 and 14, the same parts as those in the first embodiment shown in Figures 1 to 12 are given the same reference numerals, and detailed descriptions are omitted.

본 실시의 형태에 있어서는, 도 8의 (d)에 나타내는 액량 조정 공정 후에, 주연 공급 공정과 제 2 액량 조정 공정이 행해진다. 이하에, 본 실시의 형태에 따른 액 처리 방법 중 주연 공급 공정과 제 2 액량 조정 공정에 대하여 보다 상세하게 설명한다. In this embodiment, after the liquid volume adjustment process shown in FIG. 8(d), the peripheral supply process and the second liquid quantity adjustment process are performed. Below, the main supply process and the second liquid volume adjustment process among the liquid processing methods according to the present embodiment will be described in more detail.

<주연 공급 공정><Main lead supply process>

액량 조정 공정 후, 도 13의 (a) 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 제 3 회전수로 회전시키면서 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 IPA가 공급된다. 이 경우, 먼저, 웨이퍼(W)의 회전수를 액량 조정 공정 시의 회전수(제 2 회전수)보다 낮은 제 3 회전수까지 저감시킨다. 이어서, IPA 노즐(28)을 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)의 상방에 위치시킨다. 이어서, IPA 개폐 밸브(31)를 열어, IPA 공급원(30)으로부터 IPA 노즐(28)로 IPA가 공급된다. IPA 노즐(28)로 공급된 IPA는 회전하는 웨이퍼(W)의 표면 중 주연부(Wa)로 공급된다. After the liquid amount adjustment process, IPA is supplied to the peripheral area Wa of the wafer W while rotating the wafer W at a third rotation speed, as shown in FIGS. 13A and 14 . In this case, first, the rotation speed of the wafer W is reduced to a third rotation speed that is lower than the rotation speed (second rotation speed) during the liquid volume adjustment process. Next, the IPA nozzle 28 is positioned above the peripheral part Wa of the wafer W. Next, the IPA opening/closing valve 31 is opened, and IPA is supplied from the IPA supply source 30 to the IPA nozzle 28. IPA supplied through the IPA nozzle 28 is supplied to the peripheral area (Wa) of the surface of the rotating wafer (W).

주연 공급 공정에 있어서는, 웨이퍼(W)가 액 축적이 형성되는 제 3 회전수로 회전하고 있기 때문에, 주연부(Wa)로 공급된 IPA는 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 머문다. 이에 의해, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면을 덮는 IPA의 액막이 주연부(Wa)에서 솟아오르도록 형성된다. 주연부(Wa)로 공급된 IPA의 일부는 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. 여기서, 주연부(Wa)란, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 정해진 폭에 걸친 영역을 의미한다. 예를 들면, 주연 공급 공정에 있어서 웨이퍼(W)로의 IPA의 공급점(IPA 노즐(28)의 위치)은 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 20 mm 내측의 위치로 해도 된다. IPA 노즐(28)은, 도 2에 나타내는 노즐 암(24)의 진입 위치를 조정함으로써, 원하는 공급점에 위치될 수 있다. In the peripheral supply process, since the wafer W is rotating at the third rotation speed at which liquid accumulation is formed, the IPA supplied to the peripheral portion Wa stays in the peripheral portion Wa of the wafer W. As a result, as shown in Figure 13(a), the IPA liquid film covering the surface of the wafer W is formed to rise from the peripheral portion Wa. A portion of the IPA supplied to the peripheral portion Wa scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the drain ports 221 and 211. Here, the peripheral area (Wa) refers to an area spanning a predetermined width from the outer edge (We) of the wafer (W). For example, in the peripheral supply process, the IPA supply point to the wafer W (position of the IPA nozzle 28) may be 20 mm inward from the outer peripheral edge We of the wafer W. The IPA nozzle 28 can be positioned at a desired supply point by adjusting the entry position of the nozzle arm 24 shown in FIG. 2.

주연 공급 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)로의 IPA의 토출량(공급량)은, 도 8의 (b)에 나타내는 IPA 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)로의 IPA의 토출량과 동일하게 해도 된다. 주연 공급 공정에서는, 예를 들면, IPA의 토출량은 300 mL/분, 웨이퍼(W)의 회전수가 30 rpm으로 설정되고, IPA의 토출이 4 초간 계속된다. 주연 공급 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수(즉, 제 3 회전수)는, 도 14에 나타내는 바와 같이, IPA 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수(즉, 제 1 회전수)와 동일하게 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 IPA가 비산하는 것이 억제되어, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t4)가 주연부(Wa)보다 내측에 위치하는 내측부(Wb)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t3)보다 두꺼워져 있다. 즉, 내측부(Wb)에 있어서의 IPA의 액막은 액량 조정 공정 후에 있어서의 액막의 두께(t3)로 유지되어 있다. 또한, 주연 공급 공정 후의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t4)가 제 2 액량 조정 공정 후의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t5)보다 두꺼워져 있다. 즉, 주연 공급 공정 후에 있어서의 주연부(Wa)의 IPA의 액 축적량이 제 2 액량 조정 공정 후에 있어서의 주연부(Wa)의 IPA의 액 축적량보다 많게 되어 있다. The discharge amount (supply amount) of IPA to the periphery Wa of the wafer W in the peripheral supply process is the same as the discharge amount of IPA to the wafer W in the IPA liquid film formation process shown in FIG. 8(b). You can do it. In the main supply process, for example, the IPA discharge amount is set to 300 mL/min, the rotation speed of the wafer W is set to 30 rpm, and IPA discharge continues for 4 seconds. As shown in FIG. 14, the rotation speed of the wafer W in the peripheral supply process (i.e., the third rotation speed) is the rotation speed of the wafer W in the IPA liquid film forming process (i.e., the first rotation speed). You can do the same as number). In this case, scattering of IPA from the outer edge We of the wafer W is suppressed, and the thickness t4 of the IPA liquid film at the peripheral edge Wa of the wafer W is set to be inside the peripheral edge Wa. It is thicker than the thickness t3 of the IPA liquid film in the inner part Wb located. That is, the IPA liquid film in the inner portion Wb is maintained at the liquid film thickness t3 after the liquid volume adjustment process. Additionally, the thickness t4 of the IPA liquid film in the peripheral area Wa after the peripheral supply process is thicker than the thickness t5 of the IPA liquid film in the peripheral area Wa after the second liquid volume adjustment process. That is, the amount of IPA liquid accumulated in the peripheral area Wa after the peripheral supply process is greater than the amount of IPA liquid accumulated in the peripheral area Wa after the second liquid amount adjustment process.

<제 2 액량 조정 공정><Second liquid volume adjustment process>

주연 공급 공정 후, 도 13의 (b) 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)로의 IPA의 공급을 정지하고 또한 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 표면 상의 액막을 형성하는 IPA의 액량을 저감시킨다. 이 경우, 먼저, IPA 개폐 밸브(31)를 닫아, 웨이퍼(W)로의 IPA의 공급을 정지한다. 이어서, 웨이퍼(W)의 회전수를 제 3 회전수보다 크고, 또한 제 2 회전수 이하가 되는 제 4 회전수로 한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 발생하는 원심력이 증대되어, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 액 축적된 IPA의 일부가 웨이퍼(W)의 외주 가장자리(We)로부터 반경 방향 외측으로 비산하고, 배액구(221, 211)로부터 배출된다. 또한, 제 4 회전수를 제 2 회전수 이하로 함으로써, 웨이퍼(W)의 내측부(Wb)로부터 외주측으로 IPA가 이동하는 것을 억제하고 있다. 한편, 그 동안, IPA 개폐 밸브(31)는 닫힌 채로 하여, 웨이퍼(W)의 표면으로의 IPA의 공급은 행하지 않는다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 내측부(Wb)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t3)를 도 8의 (d)에 나타내는 액량 조정 공정 후의 두께(t3)로 유지하면서, 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액 축적량을 저감한다. 이에 의해, 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t5)가 주연 공급 공정 후의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께(t4)보다 얇아진다. 이 때문에, 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께가 원하는 두께가 되어, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 전체 액 축적량이 원하는 양으로 조정된다. After the peripheral supply process, as shown in FIGS. 13(b) and 14, the supply of IPA to the wafer W is stopped and the wafer W is rotated to form a liquid film on the surface of the wafer W. Reduces the amount of IPA liquid. In this case, first, the IPA opening/closing valve 31 is closed to stop the supply of IPA to the wafer W. Next, the rotation speed of the wafer W is set to a fourth rotation speed that is greater than the third rotation speed and is less than or equal to the second rotation speed. As a result, the centrifugal force generated with the rotation of the wafer W increases, and a portion of the IPA liquid accumulated on the peripheral portion Wa of the wafer W is moved radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W. It scatters and is discharged from the drain ports (221, 211). Additionally, by setting the fourth rotation speed to the second rotation speed or less, movement of IPA from the inner portion Wb of the wafer W to the outer peripheral side is suppressed. Meanwhile, the IPA opening/closing valve 31 remains closed and IPA is not supplied to the surface of the wafer W. In this way, the thickness t3 of the IPA liquid film on the inner side Wb of the wafer W is maintained at the thickness t3 after the liquid amount adjustment process shown in (d) of FIG. Reduces the amount of IPA liquid accumulated in the body. As a result, the thickness t5 of the IPA liquid film in the peripheral part Wa becomes thinner than the thickness t4 of the IPA liquid film in the peripheral part Wa after the peripheral supply process. For this reason, the thickness of the IPA liquid film in the peripheral area Wa becomes the desired thickness, and the total amount of IPA liquid accumulated on the surface of the wafer W is adjusted to the desired amount.

또한 제 2 액량 조정 공정을 행하고 있는 동안에 있어서도, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력과 IPA의 점성에 의해, IPA의 액막은 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에서 솟아오르는 형상으로 유지된다. 또한, 본 실시의 형태의 제 2 액량 조정 공정 후에 있어서의 IPA의 전체 액 축적량을 제 1 실시의 형태의 도 8의 (d)에 나타내는 액량 조정 공정 후에 있어서의 IPA의 전체 액 축적량과 동일하게 하는 경우에는, 본 실시의 형태의 주연 공급 공정의 전인 액량 조정 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수를 크게 하는 등 하여, 당해 액량 조정 공정 후의 IPA의 액 축적량을 줄여 두면 된다. Also, while performing the second liquid amount adjustment process, the IPA liquid film is maintained in a shape rising from the peripheral part Wa of the wafer W due to the centrifugal force caused by the rotation of the wafer W and the viscosity of the IPA. In addition, the total liquid accumulation amount of IPA after the second liquid volume adjustment process of the present embodiment is made to be the same as the total liquid accumulation amount of IPA after the liquid volume adjustment process shown in FIG. 8(d) of the first embodiment. In this case, the amount of liquid accumulation of IPA after the liquid quantity adjustment process may be reduced by, for example, increasing the rotation speed of the wafer W in the liquid quantity adjustment process before the peripheral supply process of this embodiment.

제 2 액량 조정 공정에 있어서는, 제 4 회전수, 또는 제 4 회전수로 회전을 개시하고 나서 정지할 때까지의 시간을 조정함으로써, 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께를 임의로 조정할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 처리 시간을 단축시키기 위해서는, 웨이퍼(W)의 회전을 재개하고 나서 정지할 때까지의 시간을 짧게(예를 들면, 1 초로) 설정하고, 이 시간 내에서 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께를 원하는 두께로 조정할 수 있는 웨이퍼(W)의 회전수를 설정하도록 해도 된다. In the second liquid volume adjustment step, the thickness of the IPA liquid film in the peripheral area Wa can be arbitrarily adjusted by adjusting the fourth rotation speed or the time from starting rotation at the fourth rotation speed to stopping. there is. In addition, in order to shorten the processing time of the wafer W, the time from restarting the rotation of the wafer W to stopping is set short (for example, to 1 second), and within this time, the peripheral area (Wa ), the number of rotations of the wafer W may be set to adjust the thickness of the IPA liquid film to a desired thickness.

이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 세정 처리가 종료된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 표면에는, 원하는 두께(또는 액 축적량)를 가지는 IPA의 액막이 형성되어 있어, 웨이퍼(W)의 건조를 방지하고 있다. 그리고, 이 액막은 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에서 솟아오르도록 형성되어 있어, 주연부(Wa)에 있어서의 두께가 내측부(Wb)에 있어서의 두께보다 두꺼워지는 형상으로 유지되어 있다. In this way, the cleaning process for the wafer W is completed. At this time, an IPA liquid film having a desired thickness (or liquid accumulation amount) is formed on the surface of the wafer W, preventing the wafer W from drying. This liquid film is formed to rise from the peripheral portion Wa of the wafer W, and is maintained in a shape in which the thickness of the peripheral portion Wa is thicker than the thickness of the inner portion Wb.

웨이퍼(W)의 세정 처리가 종료된 후, 제 1 실시의 형태와 마찬가지로 하여 웨이퍼(W)의 건조 처리가 행해진다. After the cleaning process for the wafer W is completed, the wafer W is dried in the same manner as in the first embodiment.

이와 같이 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 IPA가 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 있어서, IPA의 액막을 솟아오르도록 형성할 수 있다. According to this embodiment, IPA is supplied to the peripheral area Wa of the wafer W while rotating the wafer W. As a result, the IPA liquid film can be formed to rise on the peripheral part Wa of the wafer W.

여기서, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)가 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리를 행할 때까지, 웨이퍼(W)의 표면 중 주연부(Wa)에 있어서의 IPA가 주연부(Wa)보다 내측에 위치하는 내측부(Wb)에 있어서의 IPA보다 쉽게 기화되게 되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)가 먼저 건조되고, 내측부(Wb)에는 IPA가 잔존하고 있는 상태가 될 수 있다. 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)가 먼저 건조되면, 주연부(Wa)에서 소위 패턴 도괴가 생길 수 있다. 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)를 건조시키지 않게 하기 위해서는, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 액막의 두께를 전체적으로 두껍게 한다고 하는 방법도 고려된다. 그러나 이 방법에서는, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 액 축적량이 증가하기 때문에, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 발생하기 쉬워진다. Here, until the wafer W after the cleaning treatment is subjected to drying treatment in the supercritical processing device 3, the IPA on the peripheral area Wa of the surface of the wafer W is located inside the peripheral area Wa. It is vaporized more easily than IPA in the inner part (Wb) located there. As a result, the peripheral part Wa of the wafer W is dried first, and the IPA may remain in the inner part Wb. If the peripheral portion Wa of the wafer W dries first, so-called pattern collapse may occur in the peripheral portion Wa. In order to prevent the peripheral area Wa of the wafer W from drying, a method of increasing the overall thickness of the IPA liquid film on the surface of the wafer W is also considered. However, in this method, since the amount of IPA liquid accumulated on the surface of the wafer W increases, particles are likely to be generated on the surface of the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

이에 대하여 본 실시의 형태에 따르면, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에서 IPA의 액막을 솟아오르도록 형성하고 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에서 IPA를 길게 잔존시킬 수 있어, 웨이퍼(W)가 주연부(Wa)로부터 먼저 건조되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 세정 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리를 행할 때까지 IPA가 기화되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 내측부(Wb)에서는 IPA의 액막의 두께가 증대되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 액 축적량이 과도하게 증대되는 것을 억제할 수 있어, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In contrast, according to the present embodiment, as described above, the IPA liquid film is formed to rise from the peripheral part Wa of the wafer W. For this reason, IPA can remain for a long time in the peripheral portion Wa of the wafer W, and the wafer W can be prevented from drying from the peripheral portion Wa first. For this reason, it is possible to prevent IPA from being vaporized over the entire surface of the wafer W after cleaning treatment until drying treatment in the supercritical processing apparatus 3 is performed. On the other hand, an increase in the thickness of the IPA liquid film in the inner portion Wb of the wafer W can be suppressed. As a result, it is possible to suppress excessive increase in the amount of IPA liquid accumulated on the surface of the wafer W, thereby preventing particles from being generated in the wafer W after the drying process in the supercritical processing device 3. can do.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 IPA를 공급하는 주연 공급 공정은, 액막을 형성하는 IPA의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정 후에 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA의 액막을 주연부(Wa)에서 솟아오르는 형상으로 긴 시간 유지할 수 있다. 이 때문에, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리를 행할 때까지, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐 IPA가 기화하는 것을 보다 한층 방지할 수 있다. Moreover, according to this embodiment, the peripheral supply process of supplying IPA to the peripheral part Wa of the wafer W is performed after the liquid amount adjustment process of reducing the liquid amount of IPA forming the liquid film. As a result, the IPA liquid film on the surface of the wafer W can be maintained in a shape rising from the peripheral part Wa for a long time. For this reason, it is possible to further prevent IPA from vaporizing over the entire surface of the wafer W until the drying process in the supercritical processing apparatus 3 is performed.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 IPA를 공급하는 주연 공급 공정 후에, 웨이퍼(W)의 표면 상의 액막을 형성하는 IPA의 액량을 저감시키는 제 2 액량 조정 공정이 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께를 조정하여, 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼(W)에 파티클이 발생하는 것을 보다 한층 방지할 수 있다. Furthermore, according to the present embodiment, after the peripheral supply process of supplying IPA to the peripheral part Wa of the wafer W, a second liquid amount adjustment process of reducing the liquid amount of IPA forming a liquid film on the surface of the wafer W is performed. It is done. As a result, the thickness of the IPA liquid film at the peripheral part Wa of the wafer W can be adjusted and precision can be improved. For this reason, it is possible to further prevent particles from being generated in the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

또한 본 실시의 형태에 따르면, 제 2 액량 조정 공정에 있어서, 웨이퍼(W)를 주연 공급 공정의 전인 액량 조정 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수(제 2 회전수) 이하의 제 4 회전수로 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)보다 내측에 위치하는 내측부(Wb)로부터 외주측으로 IPA가 이동하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 내측부(Wb)에 있어서의 IPA의 액막의 두께를 당해 액량 조정 공정 후의 두께로 유지할 수 있어, 액막의 두께의 정밀도를 향상시킬 수 있다. Furthermore, according to the present embodiment, in the second liquid volume adjustment process, the wafer W is rotated in a fourth rotation less than or equal to the rotation speed (second rotation speed) of the wafer W in the liquid volume adjustment process before the peripheral supply process. Rotate by number. As a result, it is possible to suppress IPA from moving from the inner portion Wb, which is located inside the peripheral portion Wa of the wafer W, to the outer peripheral side. For this reason, the thickness of the IPA liquid film in the inner portion Wb can be maintained at the thickness after the liquid volume adjustment process, and the precision of the liquid film thickness can be improved.

또한 상술한 본 실시의 형태에 있어서는, 주연 공급 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 제 3 회전수를 IPA 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 제 1 회전수와 동일하게 하고 있는 예에 대하여 설명했다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, IPA의 액막을 주연부(Wa)에서 솟아오르도록 형성할 수 있으면, 제 3 회전수는 제 1 회전수보다 커도 되고, 혹은 작아도 된다. In addition, in the present embodiment described above, the third rotation speed of the wafer W in the peripheral supply process is set to be the same as the first rotation speed of the wafer W in the IPA liquid film forming process. explained. However, it is not limited to this, and as long as the IPA liquid film can be formed to rise from the peripheral part Wa, the third rotation speed may be greater or smaller than the first rotation speed.

또한 상술한 본 실시의 형태에 있어서는, 주연 공급 공정 후에 제 2 액량 조정 공정을 행하는 예에 대하여 설명했다. 그러나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 도 8의 (a)에 나타내는 제 2 린스 공정의 후로서, 도 8의 (b)에 나타내는 IPA 액막 형성 공정 전에, 주연 공급 공정을 행하도록 해도 된다. 이 경우라도, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에서 IPA의 액막을 솟아오르도록 형성할 수 있어, 이러한 IPA의 액막의 형상을 도 13의 (b)에 나타내는 제 2 액량 조정 공정 후에서도 유지할 수 있다. In addition, in the present embodiment described above, an example in which the second liquid volume adjustment process is performed after the peripheral supply process has been described. However, it is not limited to this. For example, the peripheral supply process may be performed after the second rinsing process shown in Figure 8(a) and before the IPA liquid film forming process shown in Figure 8(b). Even in this case, the IPA liquid film can be formed to rise from the peripheral part Wa of the wafer W, and the shape of the IPA liquid film can be maintained even after the second liquid volume adjustment process shown in (b) of FIG. 13. there is.

또한, 주연 공급 공정에서 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 공급되는 IPA의 토출량 또는 토출 시간, 웨이퍼(W)의 회전수를 적절히 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께를 정밀도 좋게 조정할 수 있으면, 제 2 액량 조정 공정은 행하지 않아도 된다. 이 경우, 주연 공급 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)로의 IPA의 토출량은 도 8의 (b)에 나타내는 IPA 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)로의 IPA의 토출량보다 작게 해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 주연부(Wa)로의 IPA의 토출 시간은 짧게(예를 들면, 2 초간) 해도 된다. 이에 의해, 주연부(Wa)에 있어서의 IPA의 액막의 두께가 과도하게 증대하는 것을 억제할 수 있어, 초임계 처리 장치(3) 내에서의 건조 처리 후에, 웨이퍼(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, by appropriately adjusting the discharge amount or discharge time of IPA supplied to the peripheral portion Wa of the wafer W in the peripheral supply process and the rotation speed of the wafer W, IPA in the peripheral portion Wa of the wafer W If the thickness of the liquid film can be adjusted with high precision, the second liquid amount adjustment step does not need to be performed. In this case, the amount of IPA discharged to the peripheral part Wa of the wafer W in the peripheral supply process may be smaller than the amount of IPA discharged to the wafer W in the IPA liquid film forming process shown in FIG. 8(b). . Additionally, the ejection time of IPA to the peripheral part Wa of the wafer W may be short (for example, 2 seconds). As a result, excessive increase in the thickness of the IPA liquid film at the peripheral area Wa can be suppressed, and particles are prevented from being generated on the wafer W after drying treatment in the supercritical processing device 3. It can be prevented.

본 발명은 상기 각 실시의 형태 및 각 변형예 그대로에 한정되는 것이 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 각 실시의 형태 및 각 변형예에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의해, 다양한 발명을 형성할 수 있다. 각 실시의 형태 및 각 변형예에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시의 형태 및 변형예에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다. The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and may be embodied by modifying the components in the implementation stage without departing from the gist of the invention. Additionally, various inventions can be formed by appropriate combination of a plurality of components disclosed in each of the above-described embodiments and each modification. Several components may be deleted from all components appearing in each embodiment and each modification. Additionally, components from different embodiments and modifications may be appropriately combined.

1 : 기판 처리 시스템
2 : 세정 장치
3 : 초임계 처리 장치
4 : 제어부
20 : 모터
23 : 웨이퍼 유지 기구
27 : 린스액 노즐
28 : IPA 노즐
32 : IPA 공급부
301 : 처리 용기
W : 웨이퍼
Wa : 주연부1: Substrate processing system
2: Cleaning device
3: Supercritical processing device
4: Control unit
20: motor
23: wafer holding mechanism
27: Rinse liquid nozzle
28: IPA nozzle
32: IPA supply department
301: processing vessel
W: wafer
Wa: main role

Claims (12)

기판을 제 1 회전수로 회전시키면서 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면을 덮는 상기 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고, 또한 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하는 공급 정지 공정과,
상기 공급 정지 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 하여, 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정과,
상기 액량 조정 공정 후, 상기 기판을 상기 처리액의 상기 액막이 형성된 상태로 처리 용기 내로 반입하는 반입 공정과,
상기 반입 공정 후, 상기 처리 용기로 가압된 처리 유체를 공급하여, 상기 처리 용기 내의 압력을 상기 처리 유체가 임계 상태를 유지하는 압력으로 유지하면서, 상기 처리 용기로 가압된 상기 처리 유체를 공급하여 상기 기판 상의 상기 처리액을 상기 처리 유체로 치환하고, 상기 처리 용기로부터 상기 처리 유체를 배출하여, 상기 기판을 건조시키는 건조 공정
을 구비한, 기판 처리 방법. A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation speed to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate;
a supply stop step of setting the rotation speed of the substrate to be equal to or less than the first rotation speed after the liquid film forming step and stopping the supply of the processing liquid to the substrate;
After the supply stop step, a liquid amount adjustment step of reducing the liquid amount of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a second rotation speed greater than the first rotation speed;
After the liquid amount adjustment step, an loading step of loading the substrate into a processing container with the liquid film of the processing liquid formed;
After the loading process, the pressurized processing fluid is supplied to the processing container, and the pressurized processing fluid is supplied to the processing container while maintaining the pressure in the processing container at a pressure at which the processing fluid maintains the critical state. A drying process of replacing the processing liquid on the substrate with the processing fluid, discharging the processing fluid from the processing container, and drying the substrate.
Provided with a substrate processing method. 제 1 항에 있어서,
상기 공급 정지 공정에 있어서, 상기 기판의 회전을 정지하는, 기판 처리 방법. According to claim 1,
A substrate processing method wherein, in the supply stop process, rotation of the substrate is stopped. 제 2 항에 있어서,
상기 공급 정지 공정에 있어서, 상기 기판의 회전을 정지한 후, 상기 처리액의 공급을 정지하는, 기판 처리 방법. According to claim 2,
In the supply stop process, the supply of the processing liquid is stopped after rotation of the substrate is stopped. 제 1 항에 있어서,
상기 공급 정지 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 회전시키는, 기판 처리 방법. According to claim 1,
In the supply stop process, a substrate processing method wherein the substrate is rotated at a rotation speed less than or equal to the first rotation speed. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액량 조정 공정에 있어서, 상기 기판의 회전수를 증대시키고 나서 정해진 시간 경과 후에 상기 기판의 회전을 정지하는, 기판 처리 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
In the liquid amount adjustment step, a substrate processing method wherein the rotation speed of the substrate is increased and then the rotation of the substrate is stopped after a predetermined time has elapsed. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반입 공정 전에, 상기 기판의 주연부로, 상기 기판을 회전시키면서 상기 처리액을 공급하는 주연 공급 공정을 더 구비한, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
Before the loading process, the substrate processing method further includes a peripheral supply step of supplying the processing liquid to a peripheral portion of the substrate while rotating the substrate. 제 6 항에 있어서,
상기 주연 공급 공정은 상기 액량 조정 공정 후에 행해지는, 기판 처리 방법. According to claim 6,
A substrate processing method, wherein the peripheral supply process is performed after the liquid volume adjustment process. 기판을 제 1 회전수로 회전시키면서 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면을 덮는 상기 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고, 또한 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하는 공급 정지 공정과,
상기 공급 정지 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 하여, 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정과,
상기 기판의 주연부로, 상기 기판을 회전시키면서 상기 처리액을 공급하는 주연 공급 공정을 구비하고,
상기 주연 공급 공정은 상기 액량 조정 공정 후에 행해지고,
상기 주연 공급 공정 후, 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하고 또한 상기 기판을 회전시키면서, 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 제 2 액량 조정 공정을 더 구비한, 기판 처리 방법. A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation speed to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate;
a supply stop step of setting the rotation speed of the substrate to be equal to or less than the first rotation speed after the liquid film forming step and stopping the supply of the processing liquid to the substrate;
After the supply stop step, a liquid amount adjustment step of reducing the liquid amount of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a second rotation speed greater than the first rotation speed;
A peripheral supply process for supplying the processing liquid to a peripheral portion of the substrate while rotating the substrate,
The peripheral supply process is performed after the liquid volume adjustment process,
A substrate processing method further comprising a second liquid amount adjustment step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate after the peripheral supply process and rotating the substrate to reduce the amount of the processing liquid forming the liquid film. method. 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 액량 조정 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제 2 회전수 이하의 회전수로 회전시키는, 기판 처리 방법. According to claim 8,
In the second liquid amount adjustment step, the substrate processing method includes rotating the substrate at a rotation speed less than or equal to the second rotation speed. 삭제delete 기판 처리 시스템의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때, 상기 컴퓨터가 상기 기판 처리 시스템을 제어하여 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체. A memory in which a program is recorded that, when executed by a computer for controlling the operation of the substrate processing system, causes the computer to control the substrate processing system and execute the substrate processing method according to any one of claims 1 to 4. media. 기판을 수평으로 유지하는 유지부와,
상기 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판을 제 1 회전수로 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하여 상기 기판의 표면을 덮는 상기 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수 이하의 회전수로 하고 또한 상기 기판으로의 상기 처리액의 공급을 정지하는 공급 정지 공정과, 상기 공급 정지 공정 후, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 큰 제 2 회전수로 하여 상기 액막을 형성하는 상기 처리액의 액량을 저감시키는 액량 조정 공정과, 상기 액량 조정 공정 후, 상기 기판을 상기 처리액의 상기 액막이 형성된 상태로 처리 용기 내로 반입하는 반입 공정과, 상기 반입 공정 후, 상기 처리 용기로 가압된 처리 유체를 공급하여, 상기 처리 용기 내의 압력을 상기 처리 유체가 임계 상태를 유지하는 압력으로 유지하면서, 상기 처리 용기로 가압된 상기 처리 유체를 공급하여 상기 기판 상의 상기 처리액을 상기 처리 유체로 치환하고, 상기 처리 용기로부터 상기 처리 유체를 배출하여, 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 행하도록 상기 회전 구동부 및 상기 처리액 공급부를 제어하는, 기판 처리 시스템.a holding part that holds the substrate horizontally,
a rotation drive unit that rotates the holding unit;
a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate held by the holding unit;
Equipped with a control unit,
The control unit supplies the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation speed to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate, and after the liquid film forming process, a supply stop process of setting the rotation speed of the substrate to a rotation speed of less than or equal to the first rotation speed and stopping the supply of the processing liquid to the substrate; and, after the supply stop process, adjusting the rotation speed of the substrate to the first rotation speed. a liquid amount adjustment step of reducing the amount of the processing liquid forming the liquid film at a second rotation speed greater than the rotation speed; and after the liquid amount adjustment step, the substrate is brought into the processing container with the liquid film of the processing liquid formed thereon. an loading process, and after the loading process, supplying pressurized processing fluid to the processing container, maintaining the pressure within the processing container at a pressure at which the processing fluid maintains a critical state, and the processing of the pressurized processing fluid into the processing container. Controlling the rotation drive unit and the processing liquid supply unit to supply a fluid to replace the processing liquid on the substrate with the processing fluid, discharge the processing fluid from the processing container, and perform a drying process of drying the substrate. , substrate processing system.
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