JP2019033246A - Substrate processing method, storage medium, and substrate processing system - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing method capable of improving the accuracy of the thickness of a liquid film of a processing liquid formed on the surface of a substrate.SOLUTION: In a substrate processing method according to the present invention, first, as a liquid film forming step, a processing liquid is supplied to the surface of a substrate W while rotating the substrate W by a first rotation number to form a liquid film of the processing liquid that covers the surface of the substrate W. After the liquid film forming step, as a supply stop step, the number of rotations of the substrate W is set to the first rotation number or less, and supply of the processing liquid to the substrate W is stopped. After the supply stop step, as a liquid amount adjusting step, the number of rotations of the substrate W is set to be larger than the first rotation number to reduce the amount of the processing liquid forming the liquid film.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムに関する。   The present invention relates to a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing system.

基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する処理工程が行われている。   In the manufacturing process of a semiconductor device in which a laminated structure of integrated circuits is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate, a minute dust or a natural oxide film on the wafer surface is removed by a cleaning liquid such as a chemical liquid Processing steps for processing the wafer surface using a liquid are performed.

こうした処理工程にてウエハの表面に残留した液体を除去する際に、超臨界状態の処理流体を用いる方法が知られている。例えば特許文献１には、超臨界流体を利用して基板の上から有機溶剤を溶解してウエハを乾燥させる基板処理装置が開示されている。   There is known a method of using a supercritical processing fluid when removing the liquid remaining on the wafer surface in such a processing step. For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that uses a supercritical fluid to dissolve an organic solvent from above a substrate and dry the wafer.

特許文献１の基板処理装置では、処理装置内で薬液などの洗浄液によりウエハの表面の洗浄が行われる。洗浄後のウエハの表面には、処理液としての有機溶剤が液盛りされる。有機溶剤が液盛りされたウエハは、洗浄装置から超臨界処理装置に搬送され、超臨界処理装置内で超臨界状態の処理流体を用いてウエハの乾燥処理が行われる。このようにウエハの表面に有機溶剤を液盛りすることにより、洗浄後のウエハの表面が、超臨界処理装置内で乾燥処理されるまでに乾燥することを防止し、パーティクルの発生を防止している。   In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the wafer surface is cleaned with a cleaning liquid such as a chemical solution in the processing apparatus. An organic solvent as a processing liquid is deposited on the surface of the cleaned wafer. The wafer on which the organic solvent is accumulated is transferred from the cleaning apparatus to the supercritical processing apparatus, and the wafer is dried using a processing fluid in a supercritical state in the supercritical processing apparatus. By depositing the organic solvent on the surface of the wafer in this way, the surface of the cleaned wafer is prevented from drying before being dried in the supercritical processing apparatus, and the generation of particles is prevented. Yes.

特開２０１３−１２５３８号公報JP 2013-12538 A

しかしながら、洗浄後のウエハの表面上の有機溶剤の液盛り量が少なすぎると、超臨界処理装置内での乾燥処理を行うまでに有機溶剤が気化してしまう可能性がある。一方、液盛り量が多すぎると、超臨界処理装置内での乾燥処理後に、ウエハにパーティクルが発生するおそれがある。このため、洗浄後のウエハの表面上の有機溶剤は、所望の量で精度良く液盛りされていることが要求される。   However, if the amount of the organic solvent on the wafer surface after cleaning is too small, the organic solvent may be vaporized before the drying process in the supercritical processing apparatus. On the other hand, if the amount of liquid is too large, particles may be generated on the wafer after the drying process in the supercritical processing apparatus. For this reason, it is required that the organic solvent on the surface of the cleaned wafer is accurately deposited in a desired amount.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の表面上に形成される処理液の液膜の厚さの精度を向上させることができる基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムを提供する。   The present invention has been made in consideration of such points, and a substrate processing method, a storage medium, and a substrate capable of improving the accuracy of the thickness of a liquid film of a processing liquid formed on the surface of the substrate. Provide a processing system.

本発明の一実施の形態は、
基板を第１回転数で回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面を覆う前記処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数以下の回転数にするとともに、前記基板への前記処理液の供給を停止する供給停止工程と、
前記供給停止工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも大きい回転数にして、前記液膜を形成する前記処理液の液量を低減させる液量調整工程と、を備えた、基板処理方法、
を提供する。 One embodiment of the present invention
A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first number of revolutions to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate;
After the liquid film forming step, the rotation number of the substrate is set to a rotation number equal to or less than the first rotation number, and the supply stop step for stopping the supply of the processing liquid to the substrate;
A liquid amount adjusting step for reducing the amount of the processing liquid for forming the liquid film by setting the number of rotations of the substrate to be higher than the first number of rotations after the supply stop step; , Substrate processing method,
I will provide a.

また、本発明の他の実施の形態は、
基板処理システムの動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理システムを制御して上述の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体、
を提供する。 In addition, other embodiments of the present invention
A storage medium storing a program that, when executed by a computer for controlling the operation of the substrate processing system, causes the computer to control the substrate processing system to execute the above-described substrate processing method;
I will provide a.

また、本発明の他の実施の形態は、
基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板を第１回転数で回転させながら前記基板の表面に前記処理液を供給して、前記基板の表面を覆う前記処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜形成工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数以下の回転数にするとともに、前記基板への前記処理液の供給を停止する供給停止工程と、前記供給停止工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも大きい第２回転数にして、前記液膜を形成する前記処理液の液量を低減させる液量調整工程と、を行うように、前記回転駆動部及び前記処理液供給部を制御する、基板処理システム、
を提供する。 In addition, other embodiments of the present invention
A holding unit for holding the substrate horizontally;
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate held by the holding unit;
A control unit,
The control unit supplies the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation number, and forms a liquid film of the processing liquid that covers the surface of the substrate; and After the liquid film forming step, the rotation number of the substrate is set to a rotation number equal to or less than the first rotation number, a supply stop step for stopping the supply of the processing liquid to the substrate, and after the supply stop step And the liquid volume adjustment step of reducing the liquid volume of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a second rotation speed larger than the first rotation speed. A substrate processing system for controlling the driving unit and the processing liquid supply unit;
I will provide a.

本発明によれば、基板の表面上に形成される処理液の液膜の厚さの精度を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the precision of the thickness of the liquid film of the process liquid formed on the surface of a board | substrate can be improved.

図１は、第１の実施の形態における基板処理システムの横断平面図である。FIG. 1 is a cross-sectional plan view of the substrate processing system in the first embodiment. 図２は、図１に示す基板処理システムに設けられている洗浄装置の縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a cleaning apparatus provided in the substrate processing system shown in FIG. 図３は、図１の洗浄装置におけるＩＰＡ供給系統を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an IPA supply system in the cleaning apparatus of FIG. 図４は、超臨界処理装置の処理容器の外観斜視図である。FIG. 4 is an external perspective view of the processing container of the supercritical processing apparatus. 図５は、図４に示す処理容器の一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the processing container shown in FIG. 図６（ａ）は、図５に示す処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の第２蓋部材の容器本体側の面を示す図である。6A is a cross-sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing container shown in FIG. 5, and FIG. 6B shows the surface of the second lid member of FIG. 6A on the container main body side. FIG. 図７は、第１の実施の形態における超臨界処理装置の系統図である。FIG. 7 is a system diagram of the supercritical processing apparatus according to the first embodiment. 図８（ａ）は、第１の実施の形態における基板処理方法において、第２リンス工程を説明するための図であり、図８（ｂ）は、ＩＰＡ液膜形成工程を説明するための図であり、図８（ｃ）は、供給停止工程を説明するための図であり、図８（ｄ）は、液量調整工程を説明するための図である。FIG. 8A is a diagram for explaining the second rinsing step in the substrate processing method in the first embodiment, and FIG. 8B is a diagram for explaining the IPA liquid film forming step. FIG. 8C is a diagram for explaining the supply stop process, and FIG. 8D is a diagram for explaining the liquid amount adjusting process. 図９は、図８における基板処理方法において、基板の回転数の推移を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the transition of the rotation speed of the substrate in the substrate processing method in FIG. 図１０（ａ）〜（ｄ）は、ＩＰＡの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハが有する凹部としてのパターンを概略的に示した拡大断面図である。FIGS. 10A to 10D are views for explaining the drying mechanism of IPA, and are enlarged cross-sectional views schematically showing patterns as concave portions of the wafer. 図１１は、超臨界処理装置の処理容器のメンテナンス方法を説明するための断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a maintenance method of the processing container of the supercritical processing apparatus. 図１２（ａ）は、図５に示す処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図の変形例であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の第２蓋部材の横断面図である。12A is a modification of the cross-sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing container shown in FIG. 5, and FIG. 12B is a cross-sectional view of the second lid member of FIG. 12A. It is. 図１３（ａ）は、第２の実施の形態における基板処理方法において、ＩＰＡ液盛り工程を説明するための図であり、図１３（ｂ）は、第２の液量調整工程を説明するための図である。FIG. 13A is a diagram for explaining the IPA liquid accumulation step in the substrate processing method according to the second embodiment, and FIG. 13B is a diagram for explaining the second liquid amount adjustment step. FIG. 図１４は、図１３における基板処理方法において、基板の回転数の推移を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a change in the number of rotations of the substrate in the substrate processing method in FIG.

（第１の実施の形態）
以下、図面を参照して本発明の基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムの一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。 (First embodiment)
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing system of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the structure shown in drawing attached to this specification may contain the part from which size and the scale etc. were changed from those of the real thing for convenience of illustration and an understanding.

［基板処理システムの構成］
図１に示すように、基板処理システム１は、ウエハＷに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置２（図１に示す例では２台の洗浄装置２）と、洗浄処理後のウエハＷに残留している乾燥防止用の処理液（本実施形態では有機溶剤の一例であるＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を、超臨界状態の処理流体（本実施形態ではＣＯ２：二酸化炭素）と接触させて除去する複数の超臨界処理装置３（図１に示す例では２台の超臨界処理装置３）と、を備える。 [Configuration of substrate processing system]
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a plurality of cleaning apparatuses 2 (two cleaning apparatuses 2 in the example shown in FIG. 1) that supply a cleaning liquid to the wafer W to perform a cleaning process, and a post-cleaning process. A treatment liquid for preventing drying (IPA: isopropyl alcohol, which is an example of an organic solvent in the present embodiment) remaining on the wafer W is brought into contact with a supercritical processing fluid (CO 2 : carbon dioxide in the present embodiment). And a plurality of supercritical processing devices 3 (two supercritical processing devices 3 in the example shown in FIG. 1) to be removed.

この基板処理システム１では、載置部１１にＦＯＵＰ１００が載置され、このＦＯＵＰ１００に格納されたウエハＷが、搬入出部１２及び受け渡し部１３を介して洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５に受け渡される。洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５において、ウエハＷは、まず洗浄処理部１４に設けられた洗浄装置２に搬入されて洗浄処理を受け、その後、超臨界処理部１５に設けられた超臨界処理装置３に搬入されてウエハＷ上からＩＰＡを除去する乾燥処理を受ける。図１中、符合「１２１」はＦＯＵＰ１００と受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する第１の搬送機構を示し、符合「１３１」は搬入出部１２と洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５との間で搬送されるウエハＷが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚を示す。   In this substrate processing system 1, the FOUP 100 is mounted on the mounting unit 11, and the wafer W stored in the FOUP 100 is transferred to the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15 via the loading / unloading unit 12 and the transfer unit 13. Delivered. In the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15, the wafer W is first loaded into the cleaning apparatus 2 provided in the cleaning processing unit 14 and subjected to cleaning processing, and then the supercritical processing provided in the supercritical processing unit 15. It is carried into the processing apparatus 3 and undergoes a drying process for removing IPA from the wafer W. In FIG. 1, reference numeral “121” indicates a first transfer mechanism that transfers the wafer W between the FOUP 100 and the transfer unit 13, and reference numeral “131” indicates a loading / unloading unit 12, a cleaning processing unit 14, and a supercritical processing unit. 15 shows a delivery shelf that serves as a buffer on which wafers W to be transferred to and from 15 are temporarily placed.

受け渡し部１３の開口部にはウエハ搬送路１６２が接続されており、ウエハ搬送路１６２に沿って洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５が設けられている。洗浄処理部１４には、当該ウエハ搬送路１６２を挟んで洗浄装置２が１台ずつ配置されており、合計２台の洗浄装置２が設置されている。一方、超臨界処理部１５には、ウエハＷからＩＰＡを除去する乾燥処理を行う超臨界処理装置３が、ウエハ搬送路１６２を挟んで１台ずつ配置されており、合計２台の超臨界処理装置３が設置されている。ウエハ搬送路１６２には第２の搬送機構１６１が配置されており、第２の搬送機構１６１は、ウエハ搬送路１６２内を移動可能に設けられている。受け渡し棚１３１に載置されたウエハＷは第２の搬送機構１６１によって受け取られ、第２の搬送機構１６１は、ウエハＷを洗浄装置２及び超臨界処理装置３に搬入する。なお、洗浄装置２及び超臨界処理装置３の数及び配置態様は特に限定されず、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数及び各洗浄装置２及び各超臨界処理装置３の処理時間等に応じて、適切な数の洗浄装置２及び超臨界処理装置３が適切な態様で配置される。   A wafer transfer path 162 is connected to the opening of the transfer unit 13, and a cleaning processing unit 14 and a supercritical processing unit 15 are provided along the wafer transfer path 162. In the cleaning processing unit 14, one cleaning device 2 is disposed across the wafer conveyance path 162, and a total of two cleaning devices 2 are installed. On the other hand, in the supercritical processing unit 15, one supercritical processing apparatus 3 that performs a drying process for removing IPA from the wafer W is disposed one by one across the wafer transfer path 162. A device 3 is installed. A second transfer mechanism 161 is disposed in the wafer transfer path 162, and the second transfer mechanism 161 is provided so as to be movable in the wafer transfer path 162. The wafer W placed on the delivery shelf 131 is received by the second transfer mechanism 161, and the second transfer mechanism 161 carries the wafer W into the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3. The number and arrangement of the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3 are not particularly limited, depending on the number of wafers W processed per unit time, the processing time of each cleaning apparatus 2 and each supercritical processing apparatus 3, and the like. A suitable number of cleaning devices 2 and supercritical processing devices 3 are arranged in a suitable manner.

図２に示すように、洗浄装置２は、例えばスピン洗浄によってウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の装置として構成される。すなわち、図２の縦断面図に示すように、処理空間を形成するアウターチャンバ２１内に配置されたウエハ保持機構２３（保持部）にて、ウエハＷがほぼ水平に保持されている。このウエハ保持機構２３を、モータ２０（回転駆動部）によって鉛直軸周りに回転させることにより、ウエハＷが回転する。そして、回転するウエハＷの上方にノズルアーム２４を進入させ、その先端部に設けられた各ノズル２５〜２８から、洗浄用の薬液や、リンス液、ＩＰＡをウエハＷの処理面に対して適切なタイミングで供給することで、ウエハＷの洗浄処理が行われる。また、ウエハ保持機構２３の内部にも薬液供給路２３１が形成されており、この薬液供給路２３１から供給された薬液及びリンス液によってウエハＷの裏面洗浄が行われる。   As shown in FIG. 2, the cleaning apparatus 2 is configured as a single wafer type apparatus that cleans wafers W one by one by, for example, spin cleaning. That is, as shown in the longitudinal sectional view of FIG. 2, the wafer W is held substantially horizontally by the wafer holding mechanism 23 (holding portion) disposed in the outer chamber 21 forming the processing space. The wafer W is rotated by rotating the wafer holding mechanism 23 around the vertical axis by the motor 20 (rotation drive unit). Then, the nozzle arm 24 is made to enter above the rotating wafer W, and cleaning chemicals, rinsing liquid, and IPA are appropriately applied to the processing surface of the wafer W from the nozzles 25 to 28 provided at the tip portions thereof. By supplying at a proper timing, the wafer W is cleaned. A chemical solution supply path 231 is also formed inside the wafer holding mechanism 23, and the back surface of the wafer W is cleaned by the chemical solution and the rinse liquid supplied from the chemical solution supply path 231.

ノズルアーム２４の先端部には、第１薬液ノズル２５、第２薬液ノズル２６、リンス液ノズル２７及びＩＰＡノズル２８が設けられている。   A first chemical liquid nozzle 25, a second chemical liquid nozzle 26, a rinsing liquid nozzle 27, and an IPA nozzle 28 are provided at the tip of the nozzle arm 24.

第１薬液ノズル２５は、アルカリ性の薬液であるＳＣ１液（すなわちアンモニアと過酸化水素水の混合液）をウエハＷに供給する。このＳＣ１液は、ウエハＷからパーティクルや有機性の汚染物質を除去するための薬液である。第１薬液ノズル２５には、図示しないが、第１薬液供給ラインを介して第１薬液供給源が接続されており、第１薬液供給ラインに、第１薬液開閉弁が設けられている。この第１薬液開閉弁を開くことにより、第１薬液供給源から第１薬液ノズル２５にＳＣ１が供給される。   The first chemical nozzle 25 supplies the SC1 solution (that is, a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution), which is an alkaline chemical solution, to the wafer W. The SC1 solution is a chemical solution for removing particles and organic contaminants from the wafer W. Although not shown, the first chemical liquid supply source is connected to the first chemical liquid nozzle 25 via a first chemical liquid supply line, and a first chemical liquid on / off valve is provided in the first chemical liquid supply line. By opening the first chemical liquid on / off valve, SC1 is supplied to the first chemical liquid nozzle 25 from the first chemical liquid supply source.

第２薬液ノズル２６は、酸性の薬液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ：Diluted HydroFluoric acid）をウエハＷに供給する。このＤＨＦは、ウエハＷの表面に形成された自然酸化膜を除去するための薬液である。第２薬液ノズル２６には、図示しないが、第２薬液供給ラインを介して第２薬液供給源が接続されており、第２薬液供給ラインに、第２薬液開閉弁が設けられている。この第２薬液開閉弁を開くことにより、第２薬液供給源から第２薬液ノズル２６にＤＨＦが供給される。   The second chemical nozzle 26 supplies a dilute hydrofluoric acid (DHF) solution, which is an acidic chemical, to the wafer W. This DHF is a chemical solution for removing the natural oxide film formed on the surface of the wafer W. Although not shown, the second chemical solution supply source is connected to the second chemical solution nozzle 26 via a second chemical solution supply line, and a second chemical solution opening / closing valve is provided in the second chemical solution supply line. By opening the second chemical liquid on / off valve, DHF is supplied from the second chemical liquid supply source to the second chemical liquid nozzle 26.

リンス液ノズル２７は、リンス液である脱イオン水（ＤＩＷ、Deionized Water）をウエハＷに供給する。このＤＩＷは、ＳＣ１液またはＤＨＦをウエハＷから洗い流すための液体である。リンス液ノズル２７には、図示しないが、リンス液供給ラインを介してリンス液供給源が接続されており、リンス液供給ラインに、リンス液開閉弁が設けられている。このリンス液開閉弁を開くことにより、リンス液供給源からリンス液ノズル２７にＤＩＷが供給される。   The rinse liquid nozzle 27 supplies deionized water (DIW) that is a rinse liquid to the wafer W. This DIW is a liquid for washing the SC1 liquid or DHF from the wafer W. Although not shown, the rinse liquid nozzle 27 is connected to a rinse liquid supply source via a rinse liquid supply line, and a rinse liquid opening / closing valve is provided in the rinse liquid supply line. By opening this rinse liquid on-off valve, DIW is supplied from the rinse liquid supply source to the rinse liquid nozzle 27.

ＩＰＡノズル２８は、乾燥防止用の処理液であるＩＰＡをウエハＷに供給する。このＩＰＡは、ウエハＷの乾燥を防ぐ役割を果たすための処理液である。特に、ウエハＷへのＩＰＡの供給は、洗浄装置２から超臨界処理装置３へのウエハＷの搬送中におけるウエハＷの乾燥を防ぐことを目的としている。そして、搬送中におけるＩＰＡの気化によってウエハＷに所謂パターン倒れが生じてしまうことを防ぐため、比較的大きな厚みを有するＩＰＡの液膜がウエハＷの表面に形成されるように、ＩＰＡは、ウエハＷの表面上に液盛りされる。ＩＰＡノズル２８には、図３に示すように、ＩＰＡ供給ライン２９を介してＩＰＡ供給源３０が接続されており、ＩＰＡ供給ライン２９に、ＩＰＡ開閉弁３１が設けられている。このＩＰＡ開閉弁３１を開くことにより、ＩＰＡ供給源３０からＩＰＡノズル２８にＩＰＡが供給される。ＩＰＡノズル２８、ＩＰＡ供給ライン２９、ＩＰＡ供給源３０およびＩＰＡ開閉弁３１により、ＩＰＡ供給部３２（処理液供給部）が構成されている。   The IPA nozzle 28 supplies IPA, which is a treatment liquid for preventing drying, to the wafer W. This IPA is a processing solution for preventing the wafer W from being dried. In particular, the supply of IPA to the wafer W is intended to prevent the wafer W from being dried during the transfer of the wafer W from the cleaning apparatus 2 to the supercritical processing apparatus 3. Then, in order to prevent the so-called pattern collapse of the wafer W due to the evaporation of the IPA during the transfer, the IPA is used so that a liquid film of IPA having a relatively large thickness is formed on the surface of the wafer W. Liquid is deposited on the surface of W. As shown in FIG. 3, an IPA supply source 30 is connected to the IPA nozzle 28 via an IPA supply line 29, and an IPA opening / closing valve 31 is provided in the IPA supply line 29. By opening the IPA on / off valve 31, IPA is supplied from the IPA supply source 30 to the IPA nozzle 28. The IPA nozzle 28, the IPA supply line 29, the IPA supply source 30, and the IPA on / off valve 31 constitute an IPA supply unit 32 (treatment liquid supply unit).

なお、ウエハＷを洗浄するために用いられる薬液は、ＳＣ１液とＤＨＦに限られることはなく、任意である。また、ノズルアーム２４にリンス液ノズル２７を設ける代わりに、第１薬液ノズル２５及び第２薬液ノズル２６から、選択的にＤＩＷを吐出できるようにしてもよい。   In addition, the chemical | medical solution used in order to wash | clean wafer W is not restricted to SC1 liquid and DHF, It is arbitrary. Further, instead of providing the rinse liquid nozzle 27 on the nozzle arm 24, the DIW may be selectively discharged from the first chemical liquid nozzle 25 and the second chemical liquid nozzle 26.

このような薬液、ＤＩＷ及びＩＰＡは、図２に示すように、アウターチャンバ２１内に配置されたインナーカップ２２やアウターチャンバ２１に受け止められて排液口２２１、２１１から排出される。また、アウターチャンバ２１内の雰囲気は排気口２１２から排気される。   Such chemicals, DIW and IPA are received by the inner cup 22 and the outer chamber 21 disposed in the outer chamber 21 and discharged from the drain ports 221 and 211 as shown in FIG. The atmosphere in the outer chamber 21 is exhausted from the exhaust port 212.

洗浄装置２から搬出されたウエハＷは、図１に示す第２の搬送機構１６１によって、ＩＰＡが液盛りされた状態で超臨界処理装置３の処理容器３０１内に搬入され、超臨界処理装置３においてＩＰＡの乾燥処理が行われる。   The wafer W unloaded from the cleaning apparatus 2 is loaded into the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 in a state where IPA is accumulated by the second transfer mechanism 161 shown in FIG. The IPA drying process is performed in step (b).

［超臨界処理装置］
次に、超臨界処理装置３で行われる超臨界流体を用いた乾燥処理の詳細について説明する。まず、超臨界処理装置３においてウエハＷが搬入される処理容器の構成例を説明する。 [Supercritical processing equipment]
Next, details of the drying process using the supercritical fluid performed in the supercritical processing apparatus 3 will be described. First, a configuration example of a processing container into which the wafer W is loaded in the supercritical processing apparatus 3 will be described.

図４、超臨界処理装置３の処理容器３０１の一例を示す外観斜視図であり、図５は、処理容器３０１の一例を示す断面図である。   FIG. 4 is an external perspective view showing an example of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the processing container 301.

処理容器３０１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して超臨界流体等の高圧の処理流体を用いて処理を行うものである。この処理容器３０１は、図４及び図５に示すように、ウエハＷを収容する筐体状の容器本体３１１と、容器本体３１１内にウエハＷを搬入及び搬出するための搬送口３１２と、処理対象のウエハＷを横向きに保持する保持板３１６と、この保持板３１６を支持するとともに、ウエハＷを容器本体３１１内に搬入したとき搬送口３１２を密閉する第１蓋部材３１５とを備えている。また、容器本体３１１のうち、搬送口３１２とは異なる位置に、メンテナンス用開口３２１が設けられている。このメンテナンス用開口３２１は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材３２２によって塞がれている。   The processing container 301 accommodates the wafer W and processes the wafer W using a high-pressure processing fluid such as a supercritical fluid. As shown in FIGS. 4 and 5, the processing container 301 includes a casing-shaped container main body 311 that accommodates the wafer W, a transfer port 312 for carrying the wafer W into and out of the container main body 311, and a processing A holding plate 316 that holds the target wafer W sideways, and a first lid member 315 that supports the holding plate 316 and seals the transfer port 312 when the wafer W is loaded into the container body 311 are provided. . In addition, a maintenance opening 321 is provided at a position different from the transport port 312 in the container body 311. The maintenance opening 321 is closed by the second lid member 322 except during maintenance.

容器本体３１１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して処理流体を用いた処理を行うものである。容器本体３１１は、例えば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な処理空間３１９が内部に形成された容器である。上述した搬送口３１２及びメンテナンス用開口３２１（例えば搬送口３１２と同等の大きさ及び形状の開口）は、処理空間３１９の両端にそれぞれ形成され、ともに処理空間３１９に連通している。   The container body 311 accommodates the wafer W and performs processing using a processing fluid on the wafer W. The container body 311 is a container in which, for example, a processing space 319 in which a wafer W having a diameter of 300 mm can be accommodated is formed. The transfer port 312 and the maintenance opening 321 (for example, openings having the same size and shape as the transfer port 312) are formed at both ends of the processing space 319, respectively, and communicate with the processing space 319.

また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４が設けられている。排出ポート３１４は、処理容器３０１の下流側に設けられる、処理流体を流通させるための排出側供給ライン６５（図７参照）に接続されている。なお、図４には２つの排出ポート３１４が図示されているが、排出ポート３１４の数は特に限定されない。   In addition, a discharge port 314 is provided in a wall portion of the container body 311 on the side of the transport port 312. The discharge port 314 is connected to a discharge side supply line 65 (see FIG. 7) provided on the downstream side of the processing container 301 for circulating the processing fluid. 4 shows two discharge ports 314, the number of discharge ports 314 is not particularly limited.

搬送口３１２の上側及び下側にそれぞれ位置する第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂには、それぞれ後述する第１ロックプレート３２７を嵌入するための嵌入孔３２５、３２３が形成されている。各嵌入孔３２５、３２３は、それぞれ第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向）に貫通している。   The first upper block 312a and the first lower block 312b, which are respectively positioned on the upper side and the lower side of the transport port 312, are formed with fitting holes 325 and 323 for fitting a first lock plate 327, which will be described later. . The respective insertion holes 325 and 323 penetrate the first upper block 312a and the first lower block 312b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W), respectively.

保持板３１６は、ウエハＷを保持した状態で容器本体３１１の処理空間３１９内に水平な状態で配置可能に構成された薄い板状の部材であり、第１蓋部材３１５に連結されている。なお、保持板３１６の第１蓋部材３１５側には排出口３１６ａが設けられている。   The holding plate 316 is a thin plate-like member configured to be horizontally arranged in the processing space 319 of the container main body 311 while holding the wafer W, and is connected to the first lid member 315. A discharge port 316a is provided on the first lid member 315 side of the holding plate 316.

容器本体３１１のうち、手前側（Ｙ方向マイナス側）の領域には、第１蓋部材収容空間３２４が形成されている。第１蓋部材３１５は、保持板３１６を処理容器３０１内に搬入してウエハＷに対して超臨界処理を行う際、第１蓋部材収容空間３２４に収容される。この場合、第１蓋部材３１５は、搬送口３１２を塞いで処理空間３１９を密閉する。   A first lid member accommodation space 324 is formed in a region on the near side (minus side in the Y direction) of the container body 311. The first lid member 315 is accommodated in the first lid member accommodation space 324 when the holding plate 316 is carried into the processing container 301 and the wafer W is subjected to supercritical processing. In this case, the first lid member 315 closes the processing space 319 by closing the transfer port 312.

第１ロックプレート３２７は、処理容器３０１の手前側に設けられている。この第１ロックプレート３２７は、保持板３１６を処理位置まで移動させたとき、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第１ロックプレート３２７は、第１下側ブロック３１２ｂの嵌入孔３２３、及び第１上側ブロック３１２ａの嵌入孔３２５に嵌入される。このとき、第１ロックプレート３２７が閂（かんぬき）としての役割を果たすため、第１蓋部材３１５及び保持板３１６は、その前後方向（図４及び図５中Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第１ロックプレート３２７は、嵌入孔３２３、３２５に嵌入されて第１蓋部材３１５を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第１蓋部材３１５を開放する開放位置との間で、昇降機構３２６により上下方向に移動する。この例では、第１ロックプレート３２７と嵌入孔３２３、３２５と昇降機構３２６とにより、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力により移動することを規制する規制機構が構成されている。なお嵌入孔３２３、３２５には、それぞれ第１ロックプレート３２７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３２３、３２５とロック位置にある第１ロックプレート３２７との間には僅かな隙間Ｃ１（図５）が形成されている。なお、図示の便宜上、図５では隙間Ｃ１を誇張して描いている。   The first lock plate 327 is provided on the front side of the processing container 301. The first lock plate 327 serves as a regulating member that regulates the movement of the first lid member 315 due to the pressure in the container body 311 when the holding plate 316 is moved to the processing position. The first lock plate 327 is inserted into the insertion hole 323 of the first lower block 312b and the insertion hole 325 of the first upper block 312a. At this time, since the first lock plate 327 serves as a hook, the first lid member 315 and the holding plate 316 are restricted from moving in the front-rear direction (Y direction in FIGS. 4 and 5). . The first lock plate 327 is inserted into the insertion holes 323 and 325 to hold the first lid member 315, and the first lock plate 327 is retracted downward from the lock position to open the first lid member 315. In between, it moves to an up-down direction by the raising / lowering mechanism 326. In this example, the first lock plate 327, the fitting holes 323 and 325, and the elevating mechanism 326 constitute a restriction mechanism that restricts the movement of the first lid member 315 due to the pressure in the container body 311. Since the insertion holes 323 and 325 have margins necessary for inserting and removing the first lock plate 327, respectively, the insertion holes 323 and 325 are provided between the insertion holes 323 and 325 and the first lock plate 327 at the lock position. A slight gap C1 (FIG. 5) is formed. For convenience of illustration, the gap C1 is exaggerated in FIG.

メンテナンス用開口３２１は、容器本体３１１の壁面であって、搬送口３１２に対向する位置に設けられている。このようにメンテナンス用開口３２１と搬送口３１２とが対向することにより、第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２によって容器本体３１１を密閉した際、処理空間３１９の圧力が、容器本体３１１の内面に略均等に加わる。このため、容器本体３１１の特定の箇所に応力が集中することが防止される。しかしながら、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２に対向する位置以外の箇所、例えばウエハＷの進行方向（Ｙ方向）に対して側方の壁面に設けられていても良い。   The maintenance opening 321 is a wall surface of the container main body 311 and is provided at a position facing the transfer port 312. Since the maintenance opening 321 and the transfer port 312 face each other in this manner, when the container body 311 is sealed by the first lid member 315 and the second lid member 322, the pressure of the processing space 319 is changed to the inner surface of the container body 311. Join almost evenly. For this reason, it is prevented that stress concentrates on the specific location of the container main body 311. However, the maintenance opening 321 may be provided at a location other than the position facing the transfer port 312, for example, on the side wall surface with respect to the traveling direction (Y direction) of the wafer W.

第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂは、それぞれメンテナンス用開口３２１の上側及び下側に位置している。この第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂには、それぞれ第２ロックプレート３３７を嵌入させるための嵌入孔３３５、３３３が形成されている。各嵌入孔３３５、３３３は、それぞれ第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向、Ｚ方向）に貫通している。   The second upper block 321a and the second lower block 321b are located above and below the maintenance opening 321, respectively. The second upper block 321a and the second lower block 321b are formed with fitting holes 335 and 333 for fitting the second lock plate 337, respectively. The insertion holes 335 and 333 respectively penetrate the second upper block 321a and the second lower block 321b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W, Z direction).

容器本体３１１のうち、奥側（Ｙ方向プラス側）の領域には、第２蓋部材収容空間３３４が形成されている。第２蓋部材３２２は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材収容空間３３４に収容されるとともに、メンテナンス用開口３２１を塞ぐ。また、第２蓋部材３２２には、供給ポート３１３が設けられている。供給ポート３１３は、処理容器３０１の上流側に設けられ、処理流体を流通させるための第１供給ライン６３（図７参照）に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３１３が図示されているが、供給ポート３１３の数は特に限定されない。   A second lid member accommodating space 334 is formed in a region on the back side (Y direction plus side) of the container body 311. The second lid member 322 is accommodated in the second lid member accommodation space 334 except during maintenance, and closes the maintenance opening 321. The second lid member 322 is provided with a supply port 313. The supply port 313 is provided on the upstream side of the processing container 301 and is connected to a first supply line 63 (see FIG. 7) for circulating the processing fluid. Although two supply ports 313 are shown in FIG. 4, the number of supply ports 313 is not particularly limited.

第２ロックプレート３３７は、第２蓋部材３２２が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第２ロックプレート３３７は、メンテナンス用開口３２１の周囲の嵌入孔３３３、３３５に嵌入される。このとき、第２ロックプレート３３７が閂としての役割を果たすため、第２蓋部材３２２は、その前後方向（Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第２ロックプレート３３７は、嵌入孔３３３、３３５に嵌入されて第２蓋部材３２２を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第２蓋部材３２２を開放する開放位置との間で、上下方向に移動するように構成されている。本実施形態において、第２ロックプレート３３７は、手動で移動されるようになっているが、昇降機構３２６と略同様の昇降機構を設け、自動で移動させても良い。なお嵌入孔３３３、３３５には、第２ロックプレート３３７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３３３、３３５とロック位置にある第２ロックプレート３３７との間には僅かな隙間Ｃ２（図５）が形成されている。なお、図示の便宜上、図５では隙間Ｃ２を誇張して描いている。   The second lock plate 337 serves as a regulating member that regulates the movement of the second lid member 322 by the pressure in the container body 311. The second lock plate 337 is fitted into the fitting holes 333 and 335 around the maintenance opening 321. At this time, since the second lock plate 337 serves as a bag, the movement of the second lid member 322 in the front-rear direction (Y direction) is restricted. The second lock plate 337 is inserted into the insertion holes 333 and 335 to hold the second lid member 322, and the second lock plate 337 retracts downward from the lock position to open the second lid member 322. It is comprised so that it may move to an up-down direction between. In the present embodiment, the second lock plate 337 is moved manually. However, a lifting mechanism substantially similar to the lifting mechanism 326 may be provided and moved automatically. Since the insertion holes 333 and 335 have a margin necessary for inserting and removing the second lock plate 337, the insertion holes 333 and 335 are provided between the insertion holes 333 and 335 and the second lock plate 337 at the lock position. A slight gap C2 (FIG. 5) is formed. For convenience of illustration, the gap C2 is exaggerated in FIG.

本実施形態において、第２蓋部材３２２は、第１供給ライン６３に接続され、第２蓋部材３２２には多数の開孔３３２が設けられている。この第２蓋部材３２２は、供給ポート３１３を介して第１供給ライン６３から供給される処理流体を容器本体３１１の内部に供給する流体供給ヘッダーとしての役割を果たす。これにより、メンテナンス時に第２蓋部材３２２を取り外した際、開孔３３２の清掃等のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、容器本体３１１内の搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４に連通する流体排出ヘッダー３１８が設けられている。この流体排出ヘッダー３１８にも多数の開孔が設けられている。   In the present embodiment, the second lid member 322 is connected to the first supply line 63, and the second lid member 322 is provided with a number of apertures 332. The second lid member 322 serves as a fluid supply header that supplies the processing fluid supplied from the first supply line 63 via the supply port 313 to the inside of the container body 311. Thereby, when the 2nd cover member 322 is removed at the time of a maintenance, maintenance work, such as cleaning of the opening 332, can be performed easily. Further, a fluid discharge header 318 communicating with the discharge port 314 is provided on the wall portion on the side of the transfer port 312 in the container body 311. The fluid discharge header 318 is also provided with a number of openings.

第２蓋部材３２２及び流体排出ヘッダー３１８は相互に対向するように設置されている。流体供給部として機能する第２蓋部材３２２は、実質的に水平方向へ向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。ここでいう水平方向とは、重力が作用する鉛直方向と垂直な方向であって、通常は、保持板３１６に保持されたウエハＷの平坦な表面が延在する方向と平行な方向である。容器本体３１１内の流体を排出する流体排出部として機能する流体排出ヘッダー３１８は、容器本体３１１内の流体を、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通り、容器本体３１１外に導いて排出する。流体排出ヘッダー３１８を介して容器本体３１１外に排出される流体には、第２蓋部材３２２を介して容器本体３１１内に供給された処理流体の他に、ウエハＷの表面から処理流体に溶け込んだＩＰＡが含まれる。このように第２蓋部材３２２の開孔３３２から容器本体３１１内に処理流体を供給することにより、また流体排出ヘッダー３１８の開孔を介して流体を容器本体３１１内から排出することにより、容器本体３１１内には、ウエハＷの表面と略平行に流動する処理流体の層流が形成される。   The second lid member 322 and the fluid discharge header 318 are installed so as to face each other. The second lid member 322 functioning as a fluid supply unit supplies the processing fluid into the container body 311 in a substantially horizontal direction. The horizontal direction here is a direction perpendicular to the vertical direction in which gravity acts, and is usually a direction parallel to the direction in which the flat surface of the wafer W held on the holding plate 316 extends. The fluid discharge header 318 that functions as a fluid discharge unit that discharges the fluid in the container body 311 guides and discharges the fluid in the container body 311 to the outside of the container body 311 through the discharge port 316 a provided in the holding plate 316. To do. In addition to the processing fluid supplied into the container main body 311 via the second lid member 322, the fluid discharged from the container main body 311 via the fluid discharge header 318 is dissolved into the processing fluid from the surface of the wafer W. IPA is included. By supplying the processing fluid into the container main body 311 from the opening 332 of the second lid member 322 in this way and discharging the fluid from the container main body 311 through the opening of the fluid discharge header 318, the container A laminar flow of processing fluid that flows substantially parallel to the surface of the wafer W is formed in the main body 311.

また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の側面とメンテナンス用開口３２１側の側面とには、それぞれ真空吸引管３４８、３４９が接続されている。真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ容器本体３１１のうち第１蓋部材収容空間３２４側の面と第２蓋部材収容空間３３４側の面とに連通している。この真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ真空吸引力により第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に引き付ける役割を果たす。   Further, vacuum suction pipes 348 and 349 are connected to the side surface on the transport port 312 side and the side surface on the maintenance opening 321 side in the container main body 311, respectively. The vacuum suction pipes 348 and 349 communicate with the surface on the first lid member accommodation space 324 side and the surface on the second lid member accommodation space 334 side of the container main body 311, respectively. The vacuum suction tubes 348 and 349 play a role of attracting the first lid member 315 and the second lid member 322 to the container body 311 side by a vacuum suction force, respectively.

また、容器本体３１１の底面には、処理流体を容器本体３１１の内部に供給する底面側流体供給部３４１が形成されている。底面側流体供給部３４１は、容器本体３１１内に処理流体を供給する第２供給ライン６４（図７参照）に接続されている。底面側流体供給部３４１は、実質的に下方から上方に向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。底面側流体供給部３４１から供給された処理流体は、ウエハＷの裏面から保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通ってウエハＷの表面に回り込み、第２蓋部材３２２からの処理流体とともに、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通って流体排出ヘッダー３１８から排出される。底面側流体供給部３４１の位置は、例えば容器本体３１１内に導入されたウエハＷの下方とすることが好ましく、ウエハＷの中心部の下方とすることが更に好ましい。このことにより、底面側流体供給部３４１からの処理流体をウエハＷの表面に均一に回り込ませることができる。   Further, a bottom surface side fluid supply unit 341 that supplies a processing fluid to the inside of the container body 311 is formed on the bottom surface of the container body 311. The bottom surface side fluid supply unit 341 is connected to a second supply line 64 (see FIG. 7) that supplies a processing fluid into the container body 311. The bottom surface side fluid supply unit 341 supplies the processing fluid into the container body 311 substantially from below to above. The processing fluid supplied from the bottom surface side fluid supply unit 341 goes from the back surface of the wafer W to the surface of the wafer W through the discharge port 316a provided in the holding plate 316, and together with the processing fluid from the second lid member 322, The fluid is discharged from the fluid discharge header 318 through a discharge port 316 a provided in the holding plate 316. The position of the bottom surface side fluid supply unit 341 is preferably, for example, below the wafer W introduced into the container body 311, and more preferably below the center portion of the wafer W. As a result, the processing fluid from the bottom surface side fluid supply unit 341 can be uniformly wound around the surface of the wafer W.

図５に示すように、容器本体３１１の上下両面には、例えばテープヒーターなどの抵抗発熱体からなるヒーター３４５が設けられている。ヒーター３４５は、電源部３４６と接続されており、電源部３４６の出力を増減して、容器本体３１１及び処理空間３１９の温度を例えば１００℃〜３００℃の範囲に維持することができる。   As shown in FIG. 5, heaters 345 made of a resistance heating element such as a tape heater are provided on the upper and lower surfaces of the container body 311. The heater 345 is connected to the power supply unit 346, and can increase or decrease the output of the power supply unit 346 to maintain the temperature of the container body 311 and the processing space 319 in a range of, for example, 100 ° C to 300 ° C.

次に、図６（ａ）、（ｂ）を参照して、メンテナンス用開口３２１の周囲の構成について更に説明する。   Next, the configuration around the maintenance opening 321 will be further described with reference to FIGS.

図６（ａ）に示すように、第２蓋部材３２２のうち処理空間３１９側の側壁には、メンテナンス用開口３２１の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３２８が形成されている。この凹部３２８内にシール部材３２９を嵌め込むことにより、メンテナンス用開口３２１の周囲の側壁面に当接する第２蓋部材３２２側の側壁面にシール部材３２９が配置される。   As shown in FIG. 6A, a recess 328 is formed on the side wall on the processing space 319 side of the second lid member 322 so as to surround a position corresponding to the periphery of the maintenance opening 321. By fitting the seal member 329 into the recess 328, the seal member 329 is disposed on the side wall surface on the second lid member 322 side that contacts the side wall surface around the maintenance opening 321.

シール部材３２９は、メンテナンス用開口３２１を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３２９の断面形状はＵ字状となっている。図６（ａ）に示したシール部材３２９においては、Ｕ字の開口３２９ａは、環状のシール部材３２９の内周面に沿って形成されている。言い替えると、シール部材３２９には、Ｕ字状に囲まれた内部空間が形成されていることになる。   The seal member 329 is formed in an annular shape so as to be able to surround the maintenance opening 321. The cross-sectional shape of the seal member 329 is U-shaped. In the seal member 329 shown in FIG. 6A, the U-shaped opening 329 a is formed along the inner peripheral surface of the annular seal member 329. In other words, the seal member 329 has an internal space surrounded by a U-shape.

このシール部材３２９が設けられた第２蓋部材３２２を用いてメンテナンス用開口３２１の周囲を塞ぐことにより、シール部材３２９は、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を塞ぐように、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間に配置される。そして、この隙間は容器本体３１１内のメンテナンス用開口３２１の周りに形成されていることから、シール部材３２９の内周面に沿って形成された開口３２９ａは、当該処理空間３１９と連通した状態となっている。   By closing the periphery of the maintenance opening 321 using the second lid member 322 provided with the seal member 329, the seal member 329 closes the gap between the second lid member 322 and the container body 311. The second lid member 322 and the container body 311 are disposed. Since the gap is formed around the maintenance opening 321 in the container main body 311, the opening 329 a formed along the inner peripheral surface of the seal member 329 communicates with the processing space 319. It has become.

開口３２９ａが処理空間３１９と連通しているシール部材３２９は、処理流体の雰囲気に晒されることになるが、処理流体は樹脂やゴム等の成分やそこに含まれる不純物を溶出させてしまう場合がある。そこで、シール部材３２９は、少なくとも処理空間３１９に向かう開口３２９ａの内側を、液体ＩＰＡや処理流体に対する耐食性を備えた樹脂にて構成している。このような樹脂の例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、パラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が挙げられ、処理流体中への成分の微量の溶出があったとしても半導体装置に影響の少ない、非フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。また、Ｕ字状のシール部材３２９の内面（開口３２９ａに面する面）には、金属製のスプリング（図示せず）が設けられていることが好適である。このスプリングは、シール部材３２９を外側に押し広げる方向（開口３２９ａを広げる方向）にスプリング力を作用するように構成されている。   The seal member 329 in which the opening 329a communicates with the processing space 319 is exposed to the atmosphere of the processing fluid, but the processing fluid may elute components such as resin and rubber and impurities contained therein. is there. Therefore, the seal member 329 is formed of at least the inside of the opening 329a toward the processing space 319 with a resin having corrosion resistance against the liquid IPA and the processing fluid. Examples of such resins include polyimide, polyethylene, polypropylene, para-xylene, and polyetheretherketone (PEEK). Even if a minute amount of components are eluted into the processing fluid, the semiconductor device is less affected. It is preferable to use a non-fluorine resin. Further, it is preferable that a metal spring (not shown) is provided on the inner surface of the U-shaped seal member 329 (the surface facing the opening 329a). This spring is configured to exert a spring force in a direction in which the seal member 329 is pushed outward (a direction in which the opening 329a is widened).

開口３２９ａ内に処理流体が進入すると、開口３２９ａからシール部材３２９を押し広げ、シール部材３２９の外周面（開口３２９ａとは反対側の面）を第２蓋部材３２２の凹部３２８側の面、及び容器本体３１１の側壁面に向けて押し付ける力が作用する。これにより、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。この種のシール部材３２９は、処理流体から受ける力により変形可能な弾性を備えつつ、処理空間３１９と外部との圧力差（例えば１６〜２０ＭＰａ程度））に抗して隙間を気密に塞いだ状態を維持することができる。また、上述したように、シール部材３２９の内面に金属製のスプリングが設けられている場合には、このスプリング力によって、シール部材３２９の外周面（開口３２９ａとは反対側の面）を第２蓋部材３２２の凹部３２８側の面、及び容器本体３１１の側壁面に向けて押し付ける力が増大し、気密性を高めることができる。   When the processing fluid enters the opening 329a, the seal member 329 is pushed out from the opening 329a, and the outer peripheral surface of the seal member 329 (the surface opposite to the opening 329a) is the surface on the concave portion 328 side of the second lid member 322 A force pressing toward the side wall surface of the container body 311 acts. Thereby, the outer peripheral surface of the seal member 329 is in close contact with the second lid member 322 and the container body 311, and the gap between the second lid member 322 and the container body 311 is airtightly closed. This type of seal member 329 is provided with elasticity that can be deformed by a force received from the processing fluid, and in a state where the gap is airtightly closed against a pressure difference between the processing space 319 and the outside (for example, about 16 to 20 MPa). Can be maintained. Further, as described above, when a metal spring is provided on the inner surface of the seal member 329, the outer peripheral surface (the surface opposite to the opening 329a) of the seal member 329 is made to be the second by this spring force. The force pressed against the surface of the lid member 322 on the concave portion 328 side and the side wall surface of the container main body 311 increases, and airtightness can be improved.

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第２蓋部材３２２には、複数の追加開孔３３０が設けられている。この追加開孔３３０は、供給ポート３１３を介して第１供給ライン６３から供給される処理流体を、シール部材３２９の開口３２９ａに供給するようになっている。各追加開孔３３０は、第２蓋部材３２２に設けられた開孔３３２毎に設けられており、開孔３３２向かって流れる処理流体の一部が抽出されて、当該開孔３３２に対応する追加開孔３３０からシール部材３２９の開口３２９ａに供給される。なお、図６（ｂ）に示すように、追加開孔３３０は、第２蓋部材３２２の側部にも設けられていることが好ましく、この場合には、シール部材３２９の開口３２９ａのうちメンテナンス用開口３２１の側方の部分にも、処理流体が供給される。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the second lid member 322 is provided with a plurality of additional holes 330. The additional opening 330 supplies the processing fluid supplied from the first supply line 63 via the supply port 313 to the opening 329a of the seal member 329. Each additional opening 330 is provided for each opening 332 provided in the second lid member 322, and a part of the processing fluid flowing toward the opening 332 is extracted, and an additional corresponding to the opening 332. It is supplied from the opening 330 to the opening 329 a of the seal member 329. As shown in FIG. 6B, it is preferable that the additional opening 330 is also provided on the side portion of the second lid member 322. In this case, the maintenance is performed in the opening 329a of the seal member 329. The processing fluid is also supplied to the side portion of the opening 321 for use.

なお、本実施形態において、容器本体３１１の搬送口３１２についても、搬送口３１２と同様にして第１蓋部材３１５によって密閉されている。   In the present embodiment, the transport port 312 of the container body 311 is also sealed by the first lid member 315 in the same manner as the transport port 312.

すなわち、図５に示すように、第１蓋部材３１５の処理空間３１９側の側壁には、搬送口３１２の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３３８が形成されている。この凹部３３８内にシール部材３３９を嵌め込むことにより、搬送口３１２の周囲の側壁面に当接する第１蓋部材３１５側の側壁面にシール部材３３９が配置される。   That is, as shown in FIG. 5, a recess 338 is formed on the side wall of the first lid member 315 on the processing space 319 side so as to surround a position corresponding to the periphery of the transport port 312. By fitting the seal member 339 into the recess 338, the seal member 339 is disposed on the side wall surface on the first lid member 315 side that contacts the side wall surface around the transport port 312.

シール部材３３９は、搬送口３１２を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３３９の断面形状はＵ字状となっている。このように、シール部材３３９が設けられた第１蓋部材３１５を用いて搬送口３１２を塞ぐことにより、シール部材３３９は、第１蓋部材３１５と搬送口３１２との間の隙間を塞ぐように、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との間に配置される。このほか、第１蓋部材３１５及びシール部材３３９を用いて搬送口３１２を塞ぐための構成は、上述したメンテナンス用開口３２１を塞ぐための構成と略同様である。   The seal member 339 is formed in an annular shape so as to be able to surround the transport port 312. The cross-sectional shape of the seal member 339 is U-shaped. In this way, by closing the transport port 312 using the first lid member 315 provided with the seal member 339, the seal member 339 closes the gap between the first lid member 315 and the transport port 312. The first lid member 315 and the container body 311 are disposed. In addition, the configuration for closing the transport port 312 using the first lid member 315 and the seal member 339 is substantially the same as the configuration for closing the maintenance opening 321 described above.

［超臨界処理装置のシステム全体の構成］
図７は、超臨界処理装置３のシステム全体の構成例を示す図である。 [Overall system configuration of supercritical processing equipment]
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of the entire system of the supercritical processing apparatus 3.

図４、図５及び図７に示すように、第２蓋部材３２２には、処理容器３０１内に処理流体を供給するための第１供給ライン６３が接続されている。容器本体３１１の壁部には、処理容器３０１内に処理流体を供給するための第２供給ライン６４が接続されている。第２供給ライン６４は、開閉弁６７の下流側において第１供給ライン６３から分岐している。また、容器本体３１１の底部には、処理容器３０１内の流体を排出するための排出側供給ライン６５が接続されている。   As shown in FIGS. 4, 5, and 7, a first supply line 63 for supplying a processing fluid into the processing container 301 is connected to the second lid member 322. A second supply line 64 for supplying a processing fluid into the processing container 301 is connected to the wall portion of the container body 311. The second supply line 64 branches from the first supply line 63 on the downstream side of the on-off valve 67. Further, a discharge side supply line 65 for discharging the fluid in the processing container 301 is connected to the bottom of the container body 311.

処理容器３０１に接続された第１供給ライン６３は、処理容器３０１への高圧流体の供給、停止に合わせて開閉する開閉弁６７、フィルター６８及び流量調整弁６９を介して流体供給タンク５１に接続されている。流体供給タンク５１は、例えば液体ＣＯ２を貯留するＣＯ２ボンベと、このＣＯ２ボンベから供給された液体ＣＯ２を昇圧して超臨界状態とするための、シリンジポンプやダイヤフラムポンプなどからなる昇圧ポンプとを備えている。図７には、これらＣＯ２ボンベや昇圧ポンプを総括的にボンベの形状で示してある。   The first supply line 63 connected to the processing container 301 is connected to the fluid supply tank 51 via an on-off valve 67, a filter 68 and a flow rate adjusting valve 69 that opens and closes when the high-pressure fluid is supplied to the processing container 301 and stopped. Has been. The fluid supply tank 51 includes, for example, a CO2 cylinder that stores liquid CO2, and a booster pump that includes a syringe pump, a diaphragm pump, and the like for boosting the liquid CO2 supplied from the CO2 cylinder to a supercritical state. ing. In FIG. 7, the CO2 cylinder and the booster pump are generally shown in a cylinder shape.

流体供給タンク５１から供給された超臨界ＣＯ２は、流量調整弁６９にて流量を調節され、処理容器３０１に供給される。この流量調整弁６９は、例えばニードルバルブなどから構成され、流体供給タンク５１からの超臨界ＣＯ２の供給を遮断する遮断部としても兼用されている。   The flow rate of supercritical CO 2 supplied from the fluid supply tank 51 is adjusted by the flow rate adjusting valve 69 and supplied to the processing container 301. The flow rate adjusting valve 69 is constituted by a needle valve, for example, and is also used as a shut-off unit that shuts off the supply of supercritical CO 2 from the fluid supply tank 51.

また、排出側供給ライン６５の減圧弁７０は圧力コントローラー７１と接続されており、この圧力コントローラー７１は、処理容器３０１に設けられた圧力計６６から取得した処理容器３０１内の圧力の測定結果と、予め設定された設定圧力との比較結果に基づいて開度を調整するフィードバック制御機能を備えている。   In addition, the pressure reducing valve 70 of the discharge side supply line 65 is connected to a pressure controller 71, and the pressure controller 71 includes the measurement result of the pressure in the processing container 301 acquired from the pressure gauge 66 provided in the processing container 301. A feedback control function for adjusting the opening based on a comparison result with a preset pressure is provided.

以上に説明した構成を備えた基板処理システム１や洗浄装置２、超臨界処理装置３は図１、図７に示すように制御部４に接続されている。制御部４は、たとえばコンピュータであり、図示しない演算部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。演算部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。   The substrate processing system 1, the cleaning apparatus 2, and the supercritical processing apparatus 3 having the above-described configuration are connected to the control unit 4 as shown in FIGS. The control unit 4 is, for example, a computer and includes a calculation unit 18 and a storage unit 19 (not shown). The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The computing unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19. The program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 19 of the control unit 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

特に超臨界処理装置３について制御部４は、処理を終えたウエハＷを取り出す前に、処理容器３０１と第１供給ライン６３とを併せて減圧することにより、第１供給ライン６３から処理容器３０１へ向けて、減圧方向への急激な圧力変化が発生することを避けるように制御信号を出力する機能を備えている。このような観点から、図７に示すように制御部４は、排出側供給ライン６５に設けられた減圧弁７０の開度を調節する圧力コントローラー７１や、第１供給ライン６３側の開閉弁６７、流量調整弁６９と電気的に接続されている。   In particular, with respect to the supercritical processing apparatus 3, the controller 4 decompresses the processing container 301 and the first supply line 63 together before taking out the processed wafer W, so that the processing container 301 is removed from the first supply line 63. A function of outputting a control signal so as to avoid a sudden pressure change in the depressurization direction is provided. From such a viewpoint, as shown in FIG. 7, the control unit 4 includes a pressure controller 71 that adjusts the opening degree of the pressure reducing valve 70 provided in the discharge side supply line 65, and an on-off valve 67 on the first supply line 63 side. The flow control valve 69 is electrically connected.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理システム１におけるウエハＷの処理方法（基板処理方法）について説明する。   Next, an operation of the present embodiment having such a configuration, that is, a wafer W processing method (substrate processing method) in the substrate processing system 1 according to the present embodiment will be described.

［洗浄処理］
ここではまず、洗浄装置２におけるウエハＷの洗浄処理方法について説明する。 [Cleaning treatment]
Here, first, a cleaning method of the wafer W in the cleaning apparatus 2 will be described.

＜第１薬液洗浄工程＞
まず、ウエハＷが、洗浄装置２のウエハ保持機構２３にほぼ水平に保持される。続いて、ウエハ保持機構２３を鉛直軸周りに回転させて、ウエハＷを水平面内で回転させる。次に、回転するウエハＷの上方にノズルアーム２４が進入し、その先端部に設けられた第１薬液ノズル２５からウエハＷの表面の中心部に洗浄用の薬液としてＳＣ１液が供給される。ＳＣ１液は遠心力により広がり、ウエハＷの表面の全域がＳＣ１液の液膜により覆われ、これによりウエハＷの表面がＳＣ１液により洗浄される。この場合、ウエハＷからパーティクルや有機性の汚染物質を除去することができる。ウエハＷの表面上のＳＣ１液は、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散する。飛散したＳＣ１液は、排液口２２１、２１１から排出される。 <First chemical cleaning process>
First, the wafer W is held substantially horizontally by the wafer holding mechanism 23 of the cleaning apparatus 2. Subsequently, the wafer holding mechanism 23 is rotated around the vertical axis, and the wafer W is rotated in the horizontal plane. Next, the nozzle arm 24 enters above the rotating wafer W, and the SC1 solution is supplied as a cleaning solution to the center of the surface of the wafer W from the first chemical solution nozzle 25 provided at the tip thereof. The SC1 liquid spreads by centrifugal force, and the entire surface of the wafer W is covered with the liquid film of the SC1 liquid, whereby the surface of the wafer W is cleaned with the SC1 liquid. In this case, particles and organic contaminants can be removed from the wafer W. The SC1 liquid on the surface of the wafer W is scattered radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W. The scattered SC1 liquid is discharged from the liquid discharge ports 221 and 211.

＜第１リンス工程＞
第１薬液洗浄工程の後、ウエハＷを回転させたまま、ウエハＷがリンス処理される。この場合、ノズルアーム２４の先端部に設けられたリンス液ノズル２７から、回転するウエハＷの表面の中心部にＤＩＷ（リンス液）が供給される。これにより、ＤＩＷは遠心力により広がり、ウエハＷからＳＣ１液を追い出すように洗い流すことができる。ウエハＷの表面上のＤＩＷやＳＣ１液は、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。 <First rinse step>
After the first chemical cleaning process, the wafer W is rinsed while the wafer W is rotated. In this case, DIW (rinsing liquid) is supplied from the rinse liquid nozzle 27 provided at the tip of the nozzle arm 24 to the center of the surface of the rotating wafer W. Thereby, DIW spreads by the centrifugal force and can be washed away so as to expel the SC1 liquid from the wafer W. The DIW or SC1 liquid on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the liquid discharge ports 221 and 211.

＜第２薬液洗浄工程＞
第１リンス工程の後、ウエハＷがＤＨＦ液で薬液洗浄される。この場合、ノズルアーム２４の先端部に設けられた第２薬液ノズル２６から、回転するウエハＷの表面の中心部に洗浄用の薬液としてＤＨＦが供給される。ＤＨＦは遠心力により広がり、ウエハＷの表面の全域が、ＤＨＦの液膜により覆われ、これによりウエハＷの表面がＤＨＦにより洗浄される。この場合、ウエハＷに形成されていた自然酸化膜を除去することができる。ウエハＷの表面上のＤＨＦ液は、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。 <Second chemical cleaning process>
After the first rinsing step, the wafer W is cleaned with a DHF solution. In this case, DHF is supplied as a cleaning chemical from the second chemical nozzle 26 provided at the tip of the nozzle arm 24 to the center of the surface of the rotating wafer W. The DHF spreads due to centrifugal force, and the entire surface of the wafer W is covered with a DHF liquid film, whereby the surface of the wafer W is cleaned by the DHF. In this case, the natural oxide film formed on the wafer W can be removed. The DHF liquid on the surface of the wafer W is scattered radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and discharged from the liquid discharge ports 221 and 211.

＜第２リンス工程＞
第２薬液洗浄工程の後、図８（ａ）及び図９に示すように、ウエハＷがリンス処理される。この場合、第１リンス工程と同様にして、ノズルアーム２４の先端部に設けられたリンス液ノズル２７から、回転するウエハＷの表面の中心部にＤＩＷが供給される。これにより、ＤＩＷは遠心力により広がり、ウエハＷからＤＨＦを追い出すように洗い流すことができる。ウエハＷの表面上のＤＩＷやＤＨＦは、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。 <Second rinse step>
After the second chemical liquid cleaning step, the wafer W is rinsed as shown in FIGS. In this case, similarly to the first rinsing step, DIW is supplied from the rinse liquid nozzle 27 provided at the tip of the nozzle arm 24 to the center of the surface of the rotating wafer W. Thereby, DIW spreads by centrifugal force and can be washed away so as to drive DHF out of the wafer W. DIW and DHF on the surface of the wafer W are scattered radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and are discharged from the liquid discharge ports 221 and 211.

第２リンス工程では、例えば、ＤＩＷの吐出量は、３００ｍＬ／分、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍに設定される。そして、図８（ａ）に示すように、ウエハＷの表面には、ＤＩＷの液膜が形成される。   In the second rinsing step, for example, the discharge amount of DIW is set to 300 mL / min, and the rotation speed of the wafer W is set to 1000 rpm. Then, as shown in FIG. 8A, a DIW liquid film is formed on the surface of the wafer W.

＜ＩＰＡ液膜形成工程＞
第２リンス工程の後、図８（ｂ）及び図９に示すように、ウエハＷを第１回転数で回転させながら、ウエハＷに、乾燥防止用の液体としてＩＰＡが供給される。この場合、まず、ウエハＷの回転数を、第２リンス工程時の回転数よりも低い第１回転数まで低減させる。続いて、ＩＰＡ開閉弁３１を開き、ＩＰＡ供給源３０からＩＰＡ供給ライン２９を通って、ノズルアーム２４の先端部に設けられたＩＰＡノズル２８にＩＰＡが供給される。ＩＰＡノズル２８に供給されたＩＰＡは、ＩＰＡノズル２８から、回転するウエハＷの表面の中心部に供給される。ＩＰＡは遠心力により広がり、ウエハＷの処理面に形成されたＤＩＷの液膜がＩＰＡに置換され、図８（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面に、ウエハＷの表面を覆うＩＰＡの液膜（液盛りされたＩＰＡのパドル）が形成される。ウエハＷの表面上のＩＰＡは、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。 <IPA liquid film formation process>
After the second rinsing step, as shown in FIG. 8B and FIG. 9, IPA is supplied to the wafer W as a liquid for preventing drying while rotating the wafer W at the first rotational speed. In this case, first, the rotational speed of the wafer W is reduced to a first rotational speed that is lower than the rotational speed during the second rinsing step. Subsequently, the IPA on / off valve 31 is opened, and IPA is supplied from the IPA supply source 30 through the IPA supply line 29 to the IPA nozzle 28 provided at the tip of the nozzle arm 24. The IPA supplied to the IPA nozzle 28 is supplied from the IPA nozzle 28 to the center of the surface of the rotating wafer W. The IPA spreads due to the centrifugal force, and the DIW liquid film formed on the processing surface of the wafer W is replaced with the IPA, and the IPA covering the surface of the wafer W is placed on the surface of the wafer W as shown in FIG. A liquid film (a liquid IPA paddle) is formed. The IPA on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the liquid discharge ports 221 and 211.

ＩＰＡ液膜形成工程では、例えば、ＩＰＡの吐出量は、３００ｍＬ／分、ウエハＷの回転数が３０ｒｐｍに設定され、ＩＰＡの吐出が１５秒間継続される。ＩＰＡ液膜形成工程におけるウエハＷの回転数は、図９に示すように、後述する液量調整工程におけるウエハＷの回転数よりも小さくなっている。このため、ウエハＷの外周縁ＷｅからＩＰＡが飛散することが抑制され、ＩＰＡ液膜形成工程後のＩＰＡの液膜の厚さ（図８（ｂ）に示すｔ１）は、液量調整工程後のＩＰＡの液膜の厚さ（図８（ｄ）に示すｔ３）よりも厚くなっている。すなわち、ＩＰＡ液膜形成工程後におけるＩＰＡの液盛り量が、液量調整工程後におけるＩＰＡの液盛り量よりも多くしている。   In the IPA liquid film forming step, for example, the discharge amount of IPA is set to 300 mL / min, the rotation speed of the wafer W is set to 30 rpm, and the discharge of IPA is continued for 15 seconds. As shown in FIG. 9, the number of rotations of the wafer W in the IPA liquid film formation step is smaller than the number of rotations of the wafer W in the liquid amount adjustment step described later. For this reason, the IPA is prevented from scattering from the outer peripheral edge We of the wafer W, and the thickness of the IPA liquid film after the IPA liquid film forming process (t1 shown in FIG. 8B) is the same as that after the liquid amount adjusting process. The thickness of the IPA liquid film (t3 shown in FIG. 8D) is thicker. That is, the IPA liquid volume after the IPA liquid film forming process is larger than the IPA liquid volume after the liquid volume adjusting process.

＜供給停止工程＞
ＩＰＡ液膜形成工程の後、図８（ｃ）及び図９に示すように、ウエハＷの回転数を第１回転数以下の回転数にする（ここでは、ウエハＷの回転を停止する）とともに、ウエハＷへのＩＰＡの供給を停止する。この場合、まず、ウエハＷの回転を停止する。この際、ウエハＷの回転の停止は、緩やかに行うことが好ましい。このことにより、ウエハＷの表面に残存するＩＰＡがウエハＷの表面から排出されることを抑制できる。その後、ＩＰＡ開閉弁３１を閉じて、ＩＰＡの供給を停止する。この供給停止工程後においても、ウエハＷの表面には、液膜の厚さがｔ２となるＩＰＡの液膜が残存しており、この液膜の厚さｔ２は、上述したＩＰＡ液膜形成工程後のＩＰＡの液膜の厚さｔ１と等しいか、若しくは若干薄いが、後述する液量調整工程後のＩＰＡの液膜の厚さｔ３よりも厚くなっている。 <Supply stop process>
After the IPA liquid film forming step, as shown in FIGS. 8C and 9, the rotation speed of the wafer W is set to a rotation speed equal to or lower than the first rotation speed (here, the rotation of the wafer W is stopped). Then, the supply of IPA to the wafer W is stopped. In this case, first, the rotation of the wafer W is stopped. At this time, it is preferable to gently stop the rotation of the wafer W. As a result, it is possible to suppress the IPA remaining on the surface of the wafer W from being discharged from the surface of the wafer W. Thereafter, the IPA on / off valve 31 is closed to stop the supply of IPA. Even after this supply stop process, an IPA liquid film having a liquid film thickness of t2 remains on the surface of the wafer W. This liquid film thickness t2 is equal to the IPA liquid film forming process described above. Although it is equal to or slightly thinner than the later-described IPA liquid film thickness t1, it is thicker than the IPA liquid film thickness t3 after the liquid volume adjusting step described later.

＜液量調整工程＞
供給停止工程の後、図８（ｄ）及び図９に示すように、ウエハＷの回転数を第１回転数よりも大きい第２回転数にして、ウエハＷの表面上の液膜を形成するＩＰＡの液量を低減させる。この場合、ウエハ保持機構２３を鉛直軸周りに回転させて、停止していたウエハＷを水平面内で再び回転させる。このウエハＷの回転に伴い発生する遠心力により、ウエハＷの表面上の液膜を形成するＩＰＡの一部が、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。一方、この間、ＩＰＡ開閉弁３１は閉じたままにし、ウエハＷの表面へのＩＰＡの供給は行わない。このようにして、液膜を形成するＩＰＡの液量が低減し、ＩＰＡの液膜の厚さｔ３が、ＩＰＡ液膜形成工程後の液膜の厚さｔ１及び供給停止工程後のＩＰＡの液膜の厚さｔ２よりも薄くなる。このことにより、ＩＰＡの液膜の厚さが所望の厚さになる。 <Liquid volume adjustment process>
After the supply stop process, as shown in FIGS. 8D and 9, the number of rotations of the wafer W is set to a second number of rotations larger than the first number of rotations to form a liquid film on the surface of the wafer W. Reduce the liquid volume of IPA. In this case, the wafer holding mechanism 23 is rotated about the vertical axis, and the stopped wafer W is rotated again in the horizontal plane. Due to the centrifugal force generated along with the rotation of the wafer W, a part of the IPA that forms a liquid film on the surface of the wafer W scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W, and the liquid discharge ports 221 and 211. Discharged from. On the other hand, the IPA on / off valve 31 is kept closed during this time, and IPA is not supplied to the surface of the wafer W. In this way, the amount of IPA liquid forming the liquid film is reduced, and the IPA liquid film thickness t3 is equal to the liquid film thickness t1 after the IPA liquid film forming process and the IPA liquid after the supply stop process. It becomes thinner than the film thickness t2. As a result, the thickness of the IPA liquid film becomes a desired thickness.

液量調整工程においては、停止していたウエハＷの回転を再開して（増大させて）から所定時間経過後（例えば、１秒後）に、ウエハＷの回転を緩やかに停止することが好適である。このことにより、液膜を形成するＩＰＡが過度にウエハＷの表面から排出されることを防止し、ＩＰＡの液膜の厚さｔ３を所望の厚さに調整することができる。   In the liquid amount adjustment step, it is preferable to gently stop the rotation of the wafer W after a predetermined time has elapsed (for example, after 1 second) after the rotation of the wafer W that has been stopped is restarted (increased). It is. As a result, the IPA forming the liquid film can be prevented from being excessively discharged from the surface of the wafer W, and the thickness t3 of the IPA liquid film can be adjusted to a desired thickness.

液量調整工程においては、ウエハＷの回転数や、ウエハＷの回転を再開してから停止するまでの時間を調整することによって、ＩＰＡの液膜の厚さを任意に調整することができる。また、ウエハＷの処理時間を短縮させるためには、ウエハＷの回転を再開してから停止するまでの時間を短く設定し、この時間内でＩＰＡの液膜の厚さを所望の厚さに調整することができるようなウエハＷの回転数を設定するようにしてもよい。   In the liquid amount adjusting step, the thickness of the IPA liquid film can be arbitrarily adjusted by adjusting the number of rotations of the wafer W and the time from when the rotation of the wafer W is restarted to when it is stopped. Further, in order to shorten the processing time of the wafer W, the time from restarting the rotation of the wafer W to stopping it is set short, and within this time, the thickness of the IPA liquid film is set to a desired thickness. You may make it set the rotation speed of the wafer W which can be adjusted.

このようにして、ウエハＷの洗浄処理が終了する。この際、ウエハＷの表面には、所望の厚さを有するＩＰＡの液膜が形成されており、ウエハＷの乾燥を防止している。   In this way, the cleaning process for the wafer W is completed. At this time, an IPA liquid film having a desired thickness is formed on the surface of the wafer W to prevent the wafer W from drying.

［乾燥処理］
次に、超臨界処理装置３におけるウエハＷの乾燥処理方法について説明する。ここでは、まず、図１０を用いて、ＩＰＡの乾燥メカニズムを説明する。 [Drying process]
Next, a method for drying the wafer W in the supercritical processing apparatus 3 will be described. Here, first, the drying mechanism of IPA will be described with reference to FIG.

＜乾燥メカニズム＞
超臨界処理装置３において超臨界状態の処理流体Ｒが処理容器３０１の容器本体３１１内に導入された当初は、図１０（ａ）に示すように、パターンＰ間にはＩＰＡのみが充填されている。 <Drying mechanism>
When the supercritical processing fluid R is introduced into the container main body 311 of the processing container 301 in the supercritical processing apparatus 3, only the IPA is filled between the patterns P as shown in FIG. Yes.

パターンＰ間のＩＰＡは、超臨界状態の処理流体Ｒと接触することで、徐々に処理流体Ｒに溶解し、図１０（ｂ）に示すように徐々に処理流体Ｒと置き換わる。このとき、パターンＰ間には、ＩＰＡ及び処理流体Ｒの他に、ＩＰＡと処理流体Ｒとが混合した状態の混合流体Ｍが存在する。   The IPA between the patterns P is gradually dissolved in the processing fluid R by coming into contact with the processing fluid R in the supercritical state, and gradually replaces the processing fluid R as shown in FIG. At this time, in addition to the IPA and the processing fluid R, the mixed fluid M in a state where the IPA and the processing fluid R are mixed exists between the patterns P.

そして、パターンＰ間でＩＰＡから処理流体Ｒへの置換が進行するに従って、パターンＰ間からはＩＰＡが除去され、最終的には図１０（ｃ）に示すように、超臨界状態の処理流体ＲのみによってパターンＰ間が満たされる。   Then, as the replacement of the IPA with the processing fluid R progresses between the patterns P, the IPA is removed from between the patterns P, and finally, as shown in FIG. 10C, the processing fluid R in the supercritical state is removed. Only between the patterns P is satisfied.

パターンＰ間からＩＰＡが除去された後に、容器本体３１１内の圧力を大気圧まで下げることによって、図１０（ｄ）に示すように、処理流体Ｒは超臨界状態から気体状態に変化し、パターンＰ間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンＰ間のＩＰＡは除去され、ウエハＷの乾燥処理は完了する。   After IPA is removed from between the patterns P, the processing fluid R changes from the supercritical state to the gas state as shown in FIG. The space between P is occupied only by gas. Thus, the IPA between the patterns P is removed, and the drying process of the wafer W is completed.

上述の図１０（ａ）〜（ｄ）に示すメカニズムを背景に、本実施形態の超臨界処理装置３は、以下のようにしてＩＰＡの乾燥処理を行う。   Against the background of the mechanism shown in FIGS. 10A to 10D described above, the supercritical processing apparatus 3 of the present embodiment performs the IPA drying process as follows.

＜搬入工程＞
液量調整工程の後、ウエハＷが、所望の厚さを有するＩＰＡの液膜が形成された状態で超臨界処理装置３の処理容器３０１に搬入される。 <Import process>
After the liquid amount adjustment step, the wafer W is carried into the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 in a state where an IPA liquid film having a desired thickness is formed.

この場合、まず、ウエハＷを、第２の搬送機構１６１によって洗浄装置２から搬出され、超臨界処理装置３の処理容器３０１内に搬入される。搬入時には、第２の搬送機構１６１は、受け渡し位置において待機している保持板３１６にウエハＷを受け渡した後、保持板３１６の上方位置から退避する。   In this case, first, the wafer W is unloaded from the cleaning apparatus 2 by the second transfer mechanism 161 and is loaded into the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3. At the time of carry-in, the second transfer mechanism 161 transfers the wafer W to the holding plate 316 waiting at the transfer position, and then retreats from the position above the holding plate 316.

次いで、保持板３１６を水平方向にスライドさせて、保持板３１６を容器本体３１１内の処理位置まで移動させる。このとき、第１蓋部材３１５は、第１蓋部材収容空間３２４内に収容され、搬送口３１２を覆う。続いて、真空吸引管３４８（図４及び図５）からの吸引力により、第１蓋部材３１５が容器本体３１１に引き付けられ、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２が塞がれる。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７をロック位置まで上昇させて、第１ロックプレート３２７と第１蓋部材３１５の前面とを当接させ、第１蓋部材３１５の移動を規制する。   Next, the holding plate 316 is slid in the horizontal direction, and the holding plate 316 is moved to the processing position in the container main body 311. At this time, the first lid member 315 is accommodated in the first lid member accommodation space 324 and covers the transport port 312. Subsequently, the first lid member 315 is attracted to the container body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 348 (FIGS. 4 and 5), and the transport port 312 is closed by the first lid member 315. Next, the first lock plate 327 is raised to the lock position by the lifting mechanism 326, the first lock plate 327 and the front surface of the first lid member 315 are brought into contact with each other, and the movement of the first lid member 315 is restricted.

＜乾燥工程＞
搬入工程の後、ウエハＷを乾燥させる。乾燥工程では、処理容器３０１に加圧された処理流体を供給して、処理容器３０１内の圧力を処理流体が臨界状態を維持する圧力に維持しつつ、処理容器３０１に加圧された処理流体を供給するとともに処理容器３０１から処理流体を排出する。このことにより、ウエハＷ上のＩＰＡが処理流体に置換されて、その後、処理容器３０１内の圧力を低下させることで、ウエハＷが乾燥する。 <Drying process>
After the loading process, the wafer W is dried. In the drying process, the pressurized processing fluid is supplied to the processing container 301, and the processing fluid pressurized to the processing container 301 is maintained while maintaining the pressure in the processing container 301 at a pressure at which the processing fluid maintains a critical state. And the processing fluid is discharged from the processing container 301. As a result, the IPA on the wafer W is replaced with the processing fluid, and then the wafer W is dried by lowering the pressure in the processing container 301.

より具体的には、ウエハＷの表面に液盛りされたＩＰＡが乾燥してしまう前に、開閉弁６７及び流量調整弁６９を開いて第１供給ライン６３、第２供給ライン６４を介して処理空間３１９に高圧の処理流体を供給する。これにより、処理空間３１９内の圧力を例えば１４〜１６ＭＰａ程度まで昇圧する。処理空間３１９の加圧に伴い、第１蓋部材３１５の凹部３３８に設けられた断面Ｕ字状のシール部材３３９が押し広げられ、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。   More specifically, before the IPA accumulated on the surface of the wafer W is dried, the on-off valve 67 and the flow rate adjustment valve 69 are opened, and processing is performed via the first supply line 63 and the second supply line 64. A high-pressure processing fluid is supplied to the space 319. Thereby, the pressure in the processing space 319 is increased to, for example, about 14 to 16 MPa. As the processing space 319 is pressurized, the seal member 339 having a U-shaped cross section provided in the concave portion 338 of the first lid member 315 is expanded and the gap between the first lid member 315 and the container body 311 is hermetically sealed. Close up.

一方、処理空間３１９内では、当該処理空間３１９内に供給された処理流体がウエハＷに液盛りされたＩＰＡと接触すると、液盛りされたＩＰＡは徐々に処理流体に溶解し、徐々に処理流体と置換する。そして、ウエハＷのパターン間でＩＰＡから処理流体への置換が進行するに従って、パターン間からはＩＰＡが除去され、最終的には超臨界状態の処理流体のみによってパターンＰ間が満たされる。この結果、ウエハＷの表面は液体のＩＰＡから処理流体に置換されていくことになるが、平衡状態において液体ＩＰＡと処理流体との間には界面が形成されないので、パターン倒れを引き起こすことなくウエハＷ表面のＩＰＡを処理流体に置換することができる。   On the other hand, in the processing space 319, when the processing fluid supplied into the processing space 319 comes into contact with the IPA accumulated on the wafer W, the accumulated IPA gradually dissolves in the processing fluid, and gradually the processing fluid. Replace with As the replacement of the IPA with the processing fluid progresses between the patterns on the wafer W, the IPA is removed from between the patterns, and finally the space between the patterns P is filled only with the processing fluid in the supercritical state. As a result, the surface of the wafer W is replaced with the processing fluid from the liquid IPA. However, since no interface is formed between the liquid IPA and the processing fluid in the equilibrium state, the wafer does not collapse without causing pattern collapse. The W surface IPA can be replaced by a processing fluid.

その後、処理空間３１９内に処理流体を供給してから予め設定した時間が経過し、ウエハＷの表面が処理流体にて置換された状態となったら、減圧弁７０を開いて処理空間３１９内の雰囲気を流体排出ヘッダー３１８から容器本体３１１外方に向けて排出する。これにより、容器本体３１１内の圧力は次第に低下していき、処理空間３１９内の処理流体は超臨界の状態から気体の状態に変化する。このとき超臨界状態と気体との間には界面が形成されないので、ウエハＷの表面に形成されたパターンに表面張力を作用させることなく、ウエハＷを乾燥することができる。   Thereafter, when a predetermined time has elapsed since the processing fluid was supplied into the processing space 319 and the surface of the wafer W has been replaced with the processing fluid, the pressure reducing valve 70 is opened to open the processing space 319. The atmosphere is discharged from the fluid discharge header 318 toward the outside of the container body 311. As a result, the pressure in the container body 311 gradually decreases, and the processing fluid in the processing space 319 changes from a supercritical state to a gaseous state. At this time, since no interface is formed between the supercritical state and the gas, the wafer W can be dried without applying surface tension to the pattern formed on the surface of the wafer W.

以上のプロセスにより、ウエハＷの超臨界処理を終えた後、処理空間３１９に残存している気体の処理流体を排出するため、不図示のパージガス供給ラインからＮ２ガスを供給して流体排出ヘッダー３１８へ向けてパージを行う。そして予め定めた時間だけＮ２ガスの供給を行いパージが完了し、容器本体３１１内が大気圧に復帰したら、第１ロックプレート３２７を開放位置まで降下させる。そして保持板３１６を受け渡し位置まで水平方向に移動させ、超臨界処理を終えたウエハＷを第２の搬送機構１６１を用いて搬出する。 After the supercritical processing of the wafer W is completed by the above process, in order to discharge the gaseous processing fluid remaining in the processing space 319, N 2 gas is supplied from a purge gas supply line (not shown), and the fluid discharge header Purge toward 318. Then, when the purge is completed by supplying N 2 gas for a predetermined time and the inside of the container body 311 returns to atmospheric pressure, the first lock plate 327 is lowered to the open position. Then, the holding plate 316 is moved to the delivery position in the horizontal direction, and the wafer W that has been subjected to supercritical processing is unloaded using the second transfer mechanism 161.

ところで、上述した超臨界処理を行っている間、第２ロックプレート３３７は、常時ロック位置まで上昇されている。これにより第２ロックプレート３３７と第２蓋部材３２２の後面とが当接し、第２蓋部材３２２の移動が規制される。そして処理空間３１９に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体３１１内の圧力が高められていない場合、第２蓋部材３２２及び容器本体３１１の側壁面同士が直接対向してシール部材３２９を押し潰し、メンテナンス用開口３２１の周囲を気密に塞ぐ。   By the way, during the supercritical processing described above, the second lock plate 337 is always raised to the lock position. As a result, the second lock plate 337 and the rear surface of the second lid member 322 come into contact with each other, and the movement of the second lid member 322 is restricted. When the high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure in the container main body 311 is not increased, the side walls of the second lid member 322 and the container main body 311 are directly opposed to each other and the sealing member 329. And the area around the maintenance opening 321 is airtightly closed.

一方、処理空間３１９に高圧の処理流体を供給した場合、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１周囲の嵌入孔３３５、３３３と、第２ロックプレート３３７との間の隙間Ｃ２分だけ処理空間３１９から遠ざかる方向（Ｙ方向プラス側）に移動する。第２蓋部材３２２が移動することにより、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間が広がる。この場合、弾性を有するシール部材３２９の復元力により開口３２９ａが広がるので、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間は気密に塞がれる。このように、上述した超臨界処理を行っている間、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１を塞いだままの状態を維持するようになっている。   On the other hand, when the high-pressure processing fluid is supplied to the processing space 319, the second lid member 322 has a processing space corresponding to the clearance C <b> 2 between the fitting holes 335 and 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337. Move in a direction away from 319 (Y direction plus side). By moving the second lid member 322, a gap between the second lid member 322 and the container body 311 is widened. In this case, since the opening 329a is widened by the restoring force of the elastic seal member 329, the outer peripheral surface of the seal member 329 is in close contact with the second lid member 322 and the container main body 311, and the second lid member 322 and the container main body 311 The gap between is sealed airtight. Thus, during the supercritical processing described above, the second lid member 322 maintains a state where the maintenance opening 321 is closed.

また、第１供給ライン６３から処理空間３１９に高圧の処理流体を供給している間、第２蓋部材３２２に設けられた追加開孔３３０から、シール部材３２９の開口３２９ａに処理流体が供給される。このことにより、シール部材３２９の内側に処理流体を吹き付けて、シール部材３２９の内面に付着したゴミなどの異物を吹き飛ばすことができる。このため、超臨界処理を行いながら、シール部材３２９の内面を清浄にすることができる。開口３２９ａに供給された処理流体は、処理空間３１９に供給される。   Further, while the high-pressure processing fluid is supplied from the first supply line 63 to the processing space 319, the processing fluid is supplied from the additional opening 330 provided in the second lid member 322 to the opening 329 a of the seal member 329. The Accordingly, the processing fluid can be sprayed on the inner side of the seal member 329, and foreign matters such as dust attached to the inner surface of the seal member 329 can be blown away. For this reason, the inner surface of the seal member 329 can be cleaned while performing supercritical processing. The processing fluid supplied to the opening 329a is supplied to the processing space 319.

［メンテナンス方法］
次に、上述した超臨界処理が終了し、処理容器３０１のメンテナンスを行う際の作用について説明する。 [Maintenance method]
Next, the operation when the supercritical processing described above is completed and the processing container 301 is maintained will be described.

まず、処理空間３１９の内部を大気圧に開放する。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５から下方側に移動し、第１蓋部材３１５を開放する開放位置とする。次いで、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動する。これにより、保持板３１６は処理空間３１９から取り出され、第１蓋部材３１５は搬送口３１２から離間する（図１１（ａ））。   First, the inside of the processing space 319 is opened to atmospheric pressure. Next, the first lock plate 327 is moved downward from the insertion holes 323 and 325 by the elevating mechanism 326, so that the first lid member 315 is opened. Next, the first lid member 315 and the holding plate 316 are moved toward the front side (Y direction minus side). Thereby, the holding plate 316 is taken out from the processing space 319, and the first lid member 315 is separated from the transport port 312 (FIG. 11A).

次に、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５から下方側に移動して、第２蓋部材３２２を開放する開放位置とする。次に、第２蓋部材３２２を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動し、第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から離間する（図１１（ｂ））。   Next, the second lock plate 337 is moved downward from the fitting holes 333 and 335, so that the second lid member 322 is opened. Next, the second lid member 322 is moved to the back side (Y direction plus side), and the second lid member 322 is separated from the maintenance opening 321 (FIG. 11B).

続いて、メンテナンス用開口３２１から清掃治具や工具等を挿入し、処理空間３１９の内部のメンテナンス作業（清掃、調整等）を行う。本実施形態においては、第２ロックプレート３３７を下方側に移動し、第２蓋部材３２２を取り外すだけで処理空間３１９の内部にアクセスすることが可能になるので、このようなメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、供給ポート３１３が第２蓋部材３２２に接続されているので、上記処理空間３１９内のメンテナンス作業と併せて、供給ポート３１３や開孔３３２のメンテナンス作業（清掃、調整等）も容易に行うことができる。   Subsequently, a cleaning jig, a tool, or the like is inserted from the maintenance opening 321 to perform maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319. In the present embodiment, it is possible to access the inside of the processing space 319 simply by moving the second lock plate 337 downward and removing the second lid member 322, so that such maintenance work is facilitated. It can be carried out. Further, since the supply port 313 is connected to the second lid member 322, maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) of the supply port 313 and the opening 332 is easily performed together with the maintenance work in the processing space 319. be able to.

このようにしてメンテナンス作業が終了した後、上記の逆のステップで容器本体３１１に対して第２蓋部材３２２及び第１蓋部材３１５をそれぞれ組み付ける。すなわち、まず第２蓋部材３２２を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動し、第２蓋部材３２２によってメンテナンス用開口３２１を覆う。次に、真空吸引管３４９からの吸引力により、第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に吸引する。次いで、第２ロックプレート３３７を上昇させ、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５内に嵌入することにより、第２蓋部材３２２を押さえるロック位置とする。これにより、メンテナンス用開口３２１の周囲が気密に塞がれる。   After the maintenance work is thus completed, the second lid member 322 and the first lid member 315 are assembled to the container body 311 in the reverse steps described above. That is, first, the second lid member 322 is moved to the front side (minus side in the Y direction), and the maintenance opening 321 is covered by the second lid member 322. Next, the second lid member 322 is sucked toward the container main body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 349. Next, the second lock plate 337 is raised, and the second lock plate 337 is inserted into the insertion holes 333 and 335, so that the second lid member 322 is pressed. Thereby, the periphery of the maintenance opening 321 is airtightly closed.

次に、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動することにより、保持板３１６を処理空間３１９内に進入させるとともに、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２を覆う。次に、真空吸引管３４８からの吸引力により、第１蓋部材３１５を容器本体３１１側に吸引する。続いて、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を上昇させ、第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５に嵌入し、ロック位置とする。このようにして、搬送口３１２の周囲は気密に塞がれ、再び処理空間３１９が密閉される。その後、必要に応じて上述した超臨界処理を行う。   Next, the first lid member 315 and the holding plate 316 are moved to the back side (Y direction plus side) to cause the holding plate 316 to enter the processing space 319, and the first lid member 315 moves the transport port 312. cover. Next, the first lid member 315 is sucked toward the container main body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 348. Subsequently, the first lock plate 327 is raised by the elevating mechanism 326, and the first lock plate 327 is fitted into the fitting holes 323 and 325 to be in the locked position. In this manner, the periphery of the transfer port 312 is airtightly closed, and the processing space 319 is sealed again. Then, the supercritical process mentioned above is performed as needed.

このように本実施の形態によれば、ウエハＷを第１回転数で回転させながらウエハＷの表面にＩＰＡの液膜を形成し、続いて、ウエハＷの回転を停止させるとともにＩＰＡの供給を停止し、その後、ウエハＷを、第１回転数よりも大きい第２回転数で回転させる。このことにより、ＩＰＡの供給停止のタイミングとは無関係に、ウエハＷの回転数を調整することにより、ＩＰＡの液膜の厚さを調整することができる。   As described above, according to the present embodiment, the liquid film of IPA is formed on the surface of the wafer W while rotating the wafer W at the first rotation speed, and then the rotation of the wafer W is stopped and the supply of IPA is performed. Then, the wafer W is rotated at a second rotational speed greater than the first rotational speed. Thus, the thickness of the IPA liquid film can be adjusted by adjusting the number of rotations of the wafer W regardless of the timing of stopping the supply of IPA.

ここで、ウエハＷを所望の回転数で回転させてウエハＷに所望のＩＰＡ吐出量（供給量）で吐出した状態を所定時間継続してＩＰＡの液膜の厚さを調整するという方法も考えられる。この場合には、所定時間経過後にウエハＷの回転を停止するとともにＩＰＡの供給を停止する。ウエハＷの回転停止は、制御部４が、ウエハ保持機構２３を回転駆動するモータ２０に停止指令を発信することによって実現される。このことにより、制御部４が停止指令を発信してからウエハＷの回転が停止するまでの時間は、変動しにくくなっている。一方、ＩＰＡの供給停止は、制御部４が、ＩＰＡ開閉弁３１に閉塞指令を発信することによって実現される。より具体的には、制御部４からの閉塞指令を受信したＩＰＡ開閉弁３１の弁体駆動部（図示せず）が、弁体を移動させて、ＩＰＡ開閉弁３１の内部流路を閉塞する。このことにより、制御部４が閉塞指令を発信してからＩＰＡ開閉弁３１が閉じるまでの時間は、変動しやすく、一定に維持することが困難になると考えられる。このため、ウエハＷの表面上のＩＰＡの液膜の厚さが変動し、所望の厚さに維持することが困難になり得る。   Here, a method of adjusting the thickness of the IPA liquid film by continuously rotating the wafer W at a desired number of rotations and discharging the wafer W at a desired IPA discharge amount (supply amount) for a predetermined time is also considered. It is done. In this case, the rotation of the wafer W is stopped and the supply of IPA is stopped after a predetermined time has elapsed. The rotation stop of the wafer W is realized by the control unit 4 transmitting a stop command to the motor 20 that rotationally drives the wafer holding mechanism 23. As a result, the time from when the control unit 4 issues a stop command to when the rotation of the wafer W stops is less likely to fluctuate. On the other hand, the supply stop of IPA is realized by the control unit 4 sending a block command to the IPA on / off valve 31. More specifically, the valve body drive unit (not shown) of the IPA on / off valve 31 that has received the closing command from the control unit 4 moves the valve body to close the internal flow path of the IPA on / off valve 31. . Thus, it is considered that the time from when the control unit 4 issues a closing command to when the IPA on-off valve 31 is closed is likely to fluctuate and difficult to keep constant. For this reason, the thickness of the liquid film of IPA on the surface of the wafer W varies, and it may be difficult to maintain the desired thickness.

これに対して本実施の形態によれば、上述したように、ウエハＷの回転を停止するとともにＩＰＡの供給を停止した後に、ウエハＷを、ウエハＷにＩＰＡを供給していた際のウエハＷの回転数（第１回転数）よりも大きい第２回転数で回転させる。このため、ＩＰＡの供給停止とは無関係に、ウエハＷの回転数を調整することにより、ＩＰＡの液膜の厚さを調整することができる。このため、ＩＰＡの液膜の厚さが変動することを防止し、厚さの精度を向上させることができる。この場合、洗浄処理後のウエハＷが超臨界処理装置３内での乾燥処理を行うまでにＩＰＡが気化することを防止できると共に、超臨界処理装置３内での乾燥処理後に、ウエハＷにパーティクルが発生することを防止できる。   On the other hand, according to the present embodiment, as described above, after the rotation of wafer W is stopped and the supply of IPA is stopped, wafer W is supplied when IPA is supplied to wafer W. The rotation speed is higher than the second rotation speed (first rotation speed). For this reason, the thickness of the IPA liquid film can be adjusted by adjusting the number of rotations of the wafer W regardless of the supply stop of the IPA. For this reason, it can prevent that the thickness of the liquid film of IPA fluctuates, and can improve the precision of thickness. In this case, the wafer W after the cleaning process can be prevented from evaporating until the drying process in the supercritical processing apparatus 3 is performed, and the particles on the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3 can be prevented. Can be prevented.

また、本実施の形態によれば、ウエハＷの表面へのＩＰＡの供給を停止する供給停止工程において、ウエハＷの回転を停止する。このことにより、供給停止工程において、ウエハＷの表面に残存するＩＰＡが、遠心力によってウエハＷの表面から排出されることを防止でき、ウエハＷ上のＩＰＡの液膜を表面張力で維持することができる。このため、液量調整工程開始時における液膜の厚さを確保することができ、液量調整工程後のＩＰＡの液膜を、所望の厚さに調整することができる。   Further, according to the present embodiment, the rotation of the wafer W is stopped in the supply stop process in which the supply of IPA to the surface of the wafer W is stopped. Accordingly, it is possible to prevent the IPA remaining on the surface of the wafer W from being discharged from the surface of the wafer W due to centrifugal force in the supply stop process, and to maintain the IPA liquid film on the wafer W with the surface tension. Can do. For this reason, the thickness of the liquid film at the start of the liquid volume adjustment process can be secured, and the IPA liquid film after the liquid volume adjustment process can be adjusted to a desired thickness.

また、本実施の形態によれば、ウエハＷの表面へのＩＰＡの供給を停止する供給停止工程において、ウエハＷの回転を停止した後、ＩＰＡの供給を停止する。すなわち、制御部４がモータ２０への停止指令とＩＰＡ開閉弁３１への閉塞指令とを同時に発信しても、ＩＰＡ開閉弁３１が閉じるタイミングが、ウエハＷの回転停止よりも遅くなる場合がある。この場合においても、ウエハＷの回転が停止した後に供給されたＩＰＡは、ウエハＷの周縁から零れ落ちる。このことにより、液量調整工程開始時におけるＩＰＡの液膜の厚さが厚くなることを抑制でき、液量調整工程後のＩＰＡの液膜を、所望の厚さに調整することができる。   Further, according to the present embodiment, in the supply stop process for stopping the supply of IPA to the surface of wafer W, the supply of IPA is stopped after the rotation of wafer W is stopped. That is, even when the control unit 4 transmits a stop command to the motor 20 and a close command to the IPA on / off valve 31 at the same time, the timing at which the IPA on / off valve 31 closes may be later than the rotation stop of the wafer W. . Also in this case, the IPA supplied after the rotation of the wafer W stops falls from the periphery of the wafer W. By this, it can suppress that the thickness of the liquid film of IPA at the time of a liquid volume adjustment process start becomes thick, and the liquid film of IPA after a liquid volume adjustment process can be adjusted to desired thickness.

また、本実施の形態によれば、液膜を形成するＩＰＡの液量を低減させる液量調整工程において、ウエハＷの回転数を増大させてから所定時間経過後にウエハＷの回転を停止する。このことにより、液膜を形成するＩＰＡがウエハＷの表面から過度に排出されることを防止できる。このため、ＩＰＡの液膜の厚さが所望の厚さよりも薄くなることを防止し、ＩＰＡの液膜の厚さの精度を向上させることができる。   Further, according to the present embodiment, in the liquid amount adjustment process for reducing the liquid amount of IPA that forms the liquid film, the rotation of the wafer W is stopped after a predetermined time has elapsed since the rotation number of the wafer W was increased. This can prevent the IPA forming the liquid film from being excessively discharged from the surface of the wafer W. For this reason, it is possible to prevent the thickness of the IPA liquid film from becoming thinner than a desired thickness, and to improve the accuracy of the thickness of the IPA liquid film.

また、本実施の形態によれば、液量調整工程の後、ウエハＷは、処理流体が臨界状態を維持する圧力に維持された処理容器３０１に搬入され、ウエハＷに当該圧力の処理流体が供給されるとともに、処理容器３０１から処理流体が排出される。このことにより、ウエハＷ上の液膜を形成するＩＰＡを処理流体に置換させて、その後に処理容器３０１内の圧力を低下させることにより、ウエハＷを乾燥させることができる。このため、ウエハＷにパーティクルが発生することを防止できる。   Further, according to the present embodiment, after the liquid amount adjustment step, the wafer W is loaded into the processing container 301 maintained at a pressure at which the processing fluid maintains a critical state, and the processing fluid at the pressure is applied to the wafer W. While being supplied, the processing fluid is discharged from the processing container 301. As a result, the wafer W can be dried by substituting the processing fluid for the IPA that forms the liquid film on the wafer W and then reducing the pressure in the processing container 301. For this reason, generation of particles on the wafer W can be prevented.

なお、上述した本実施の形態においては、供給停止工程において、ウエハＷの回転を停止する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハＷは、第１回転数または第１回転数未満の回転数で回転させていてもよい。この場合には、液量調整工程において、ウエハＷが第２回転数に達するまでの時間を短縮することができる。   In the above-described embodiment, the example in which the rotation of the wafer W is stopped in the supply stop process has been described. However, the present invention is not limited to this, and the wafer W may be rotated at the first rotational speed or a rotational speed less than the first rotational speed. In this case, in the liquid amount adjustment step, the time until the wafer W reaches the second rotation speed can be shortened.

また、上述した本実施の形態においては、第２蓋部材３２２に、複数の開孔３３２及び複数の追加開孔３３０が設けられている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、図１２（ａ）、（ｂ）に示すような構成としてもよい。図１２（ａ）、（ｂ）に示す変形例では、第２蓋部材３２２の容器本体３１１側の面に、管状に設けられた流体供給ヘッダー３５０が設けられている。この流体供給ヘッダー３５０は、第２蓋部材３２２の容器本体３１１側の面において、紙面に垂直な方向（図４に示すＸ方向）に延びている。流体供給ヘッダー３５０は、供給ポート３１３を介して第１供給ライン６３に接続されている。また、流体供給ヘッダー３５０には、複数の開孔３３２及び複数の追加開孔３３０が設けられている。このことにより、第１供給ライン６３から供給された処理流体を、開孔３３２を通って処理空間３１９に供給することができるとともに、追加開孔３３０を通って、シール部材３２９の内面に供給することができる。   Moreover, in this Embodiment mentioned above, the 2nd cover member 322 demonstrated the example in which the some opening 332 and the some additional opening 330 were provided. However, the present invention is not limited to this. For example, it is good also as a structure as shown to Fig.12 (a), (b). In the modification shown in FIGS. 12A and 12B, a fluid supply header 350 provided in a tubular shape is provided on the surface of the second lid member 322 on the container body 311 side. The fluid supply header 350 extends on the surface of the second lid member 322 on the container body 311 side in a direction perpendicular to the paper surface (X direction shown in FIG. 4). The fluid supply header 350 is connected to the first supply line 63 via the supply port 313. Further, the fluid supply header 350 is provided with a plurality of openings 332 and a plurality of additional openings 330. Thus, the processing fluid supplied from the first supply line 63 can be supplied to the processing space 319 through the opening 332 and supplied to the inner surface of the seal member 329 through the additional opening 330. be able to.

（第２の実施の形態）
次に、図１３および図１４を用いて、本発明の第２の実施の形態における基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムについて説明する。 (Second Embodiment)
Next, a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing system according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１３および図１４に示す第２の実施の形態においては、基板の周縁部に、基板を回転させながら処理液を供給する周縁供給工程と、液膜を形成する処理液の液量を低減させる第２の液量調整工程と、を更に備えている点が主に異なり、他の構成は、図１〜図１２に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図１３および図１４において、図１〜図１２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   In the second embodiment shown in FIG. 13 and FIG. 14, the peripheral supply step of supplying the processing liquid to the peripheral portion of the substrate while rotating the substrate, and the amount of the processing liquid forming the liquid film is reduced. The second liquid amount adjustment step is mainly different, and the other configurations are substantially the same as those of the first embodiment shown in FIGS. 13 and 14, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 12 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態においては、図８（ｄ）に示す液量調整工程の後に、周縁供給工程と第２の液量調整工程が行われる。以下に、本実施の形態による液処理方法のうち周縁供給工程と第２の液量調整工程とについて、より詳細に説明する。   In the present embodiment, a peripheral edge supplying step and a second liquid amount adjusting step are performed after the liquid amount adjusting step shown in FIG. Below, a peripheral supply process and a 2nd liquid quantity adjustment process among the liquid processing methods by this Embodiment are demonstrated in detail.

＜周縁供給工程＞
液量調整工程の後、図１３（ａ）及び図１４に示すように、ウエハＷを第３回転数で回転させながらウエハＷの周縁部ＷａにＩＰＡが供給される。この場合、まず、ウエハＷの回転数を、液量調整工程時の回転数（第２回転数）よりも低い第３回転数まで低減させる。続いて、ＩＰＡノズル２８を、ウエハＷの周縁部Ｗａの上方に位置付ける。次に、ＩＰＡ開閉弁３１を開き、ＩＰＡ供給源３０からＩＰＡノズル２８にＩＰＡが供給される。ＩＰＡノズル２８に供給されたＩＰＡは、回転するウエハＷの表面のうち周縁部Ｗａに供給される。 <Edge supply process>
After the liquid amount adjustment step, IPA is supplied to the peripheral edge Wa of the wafer W while rotating the wafer W at the third rotation number, as shown in FIGS. In this case, first, the number of rotations of the wafer W is reduced to a third number of rotations lower than the number of rotations (second number of rotations) in the liquid amount adjustment process. Subsequently, the IPA nozzle 28 is positioned above the peripheral edge Wa of the wafer W. Next, the IPA on / off valve 31 is opened, and IPA is supplied from the IPA supply source 30 to the IPA nozzle 28. The IPA supplied to the IPA nozzle 28 is supplied to the peripheral edge Wa of the surface of the rotating wafer W.

周縁供給工程においては、ウエハＷが、液盛りが形成できる第３回転数で回転しているため、周縁部Ｗａに供給されたＩＰＡは、ウエハＷの周縁部Ｗａに留まる。このことにより、図１３（ａ）に示すように、ウエハＷの表面を覆うＩＰＡの液膜が、周縁部Ｗａで盛り上がるように形成される。周縁部Ｗａに供給されたＩＰＡの一部は、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。ここで、周縁部Ｗａとは、ウエハＷの外周縁Ｗｅから所定の幅にわたる領域を意味する。例えば、周縁供給工程においてウエハＷへのＩＰＡの供給点（ＩＰＡノズル２８の位置）は、ウエハＷの外周縁Ｗｅから２０ｍｍ内側の位置にしてもよい。ＩＰＡノズル２８は、図２に示すノズルアーム２４の進入位置を調整することによって、所望の供給点に位置付けられ得る。   In the peripheral edge supplying step, since the wafer W is rotated at the third rotational speed at which the liquid can be formed, the IPA supplied to the peripheral edge Wa remains at the peripheral edge Wa of the wafer W. As a result, as shown in FIG. 13A, an IPA liquid film covering the surface of the wafer W is formed so as to rise at the peripheral edge Wa. Part of the IPA supplied to the peripheral edge Wa scatters radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W and is discharged from the liquid discharge ports 221 and 211. Here, the peripheral edge Wa means a region extending from the outer peripheral edge We of the wafer W to a predetermined width. For example, the IPA supply point (the position of the IPA nozzle 28) to the wafer W in the peripheral edge supplying step may be a position 20 mm inside from the outer peripheral edge We of the wafer W. The IPA nozzle 28 can be positioned at a desired supply point by adjusting the entry position of the nozzle arm 24 shown in FIG.

周縁供給工程におけるウエハＷの周縁部ＷａへのＩＰＡの吐出量（供給量）は、図８（ｂ）に示すＩＰＡ液膜形成工程におけるウエハＷへのＩＰＡの吐出量と等しくしてもよい。周縁供給工程では、例えば、ＩＰＡの吐出量は、３００ｍＬ／分、ウエハＷの回転数が３０ｒｐｍに設定され、ＩＰＡの吐出が４秒間継続される。周縁供給工程におけるウエハＷの回転数（すなわち、第３回転数）は、図１４に示すように、ＩＰＡ液膜形成工程におけるウエハＷの回転数（すなわち、第１回転数）と等しくしてもよい。この場合、ウエハＷの外周縁ＷｅからＩＰＡが飛散することが抑制され、ウエハＷの周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ４が、周縁部Ｗａよりも内側に位置する内側部ＷｂにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ３よりも厚くなっている。すなわち、内側部ＷｂにおけるＩＰＡの液膜は、液量調整工程後における液膜の厚さｔ３に維持されている。また、周縁供給工程後の周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ４が、第２の液量調整工程後の周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ５よりも厚くなっている。すなわち、周縁供給工程後における周縁部ＷａのＩＰＡの液盛り量が、第２の液量調整工程後における周縁部ＷａのＩＰＡの液盛り量よりも多くしている。   The discharge amount (supply amount) of IPA to the peripheral portion Wa of the wafer W in the peripheral supply step may be equal to the discharge amount of IPA to the wafer W in the IPA liquid film forming step shown in FIG. In the peripheral edge supplying step, for example, the discharge amount of IPA is set to 300 mL / min, the rotation speed of the wafer W is set to 30 rpm, and the discharge of IPA is continued for 4 seconds. As shown in FIG. 14, the number of rotations of the wafer W in the peripheral supply process (that is, the third number of rotations) may be equal to the number of rotations of the wafer W in the IPA liquid film forming process (that is, the first number of rotations). Good. In this case, the IPA is prevented from scattering from the outer peripheral edge We of the wafer W, and the IPA liquid film thickness t4 at the peripheral edge Wa of the wafer W is IPA at the inner part Wb positioned inside the peripheral edge Wa. It is thicker than the thickness t3 of the liquid film. That is, the IPA liquid film in the inner portion Wb is maintained at the liquid film thickness t3 after the liquid amount adjustment step. Further, the thickness t4 of the IPA liquid film in the peripheral edge Wa after the peripheral supply process is thicker than the thickness t5 of the IPA liquid film in the peripheral edge Wa after the second liquid amount adjusting process. That is, the IPA liquid volume at the peripheral edge Wa after the peripheral edge supplying process is larger than the IPA liquid volume at the peripheral edge Wa after the second liquid volume adjusting process.

＜第２の液量調整工程＞
周縁供給工程の後、図１３（ｂ）及び図１４に示すように、ウエハＷへのＩＰＡの供給を停止するとともにウエハＷを回転させながら、ウエハＷの表面上の液膜を形成するＩＰＡの液量を低減させる。この場合、まず、ＩＰＡ開閉弁３１を閉じて、ウエハＷへのＩＰＡの供給を停止する。続いて、ウエハＷの回転数を第３回転数よりも大きく、かつ第２回転数以下となる第４回転数にする。このことにより、ウエハＷの回転に伴い発生する遠心力が増大し、ウエハＷの周縁部Ｗａに液盛りされたＩＰＡの一部が、ウエハＷの外周縁Ｗｅから半径方向外側に飛散し、排液口２２１、２１１から排出される。また、第４回転数を第２回転数以下にすることにより、ウエハＷの内側部Ｗｂから外周側にＩＰＡが移動することを抑制している。一方、この間、ＩＰＡ開閉弁３１は閉じたままにし、ウエハＷの表面へのＩＰＡの供給は行わない。このようにして、ウエハＷの内側部ＷｂにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ３を図８（ｄ）に示す液量調整工程後の厚さｔ３に維持しつつ、周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液盛り量を低減する。これにより、周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ５が、周縁供給工程後の周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さｔ４よりも薄くなる。このため、周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さが所望の厚さになり、ウエハＷの表面上のＩＰＡの全液盛り量が、所望の量に調整される。 <Second liquid amount adjusting step>
After the peripheral edge supplying step, as shown in FIGS. 13B and 14, the IPA of the IPA that forms a liquid film on the surface of the wafer W while stopping the supply of the IPA to the wafer W and rotating the wafer W is provided. Reduce liquid volume. In this case, first, the IPA on / off valve 31 is closed, and the supply of IPA to the wafer W is stopped. Subsequently, the rotation speed of the wafer W is set to a fourth rotation speed that is greater than the third rotation speed and equal to or less than the second rotation speed. As a result, the centrifugal force generated along with the rotation of the wafer W increases, and a part of the IPA accumulated on the peripheral edge Wa of the wafer W is scattered radially outward from the outer peripheral edge We of the wafer W to be discharged. The liquid is discharged from the liquid ports 221 and 211. In addition, the IPA is suppressed from moving from the inner side Wb of the wafer W to the outer peripheral side by setting the fourth rotation number to be equal to or less than the second rotation number. On the other hand, the IPA on / off valve 31 is kept closed during this time, and IPA is not supplied to the surface of the wafer W. In this way, while the thickness t3 of the IPA liquid film in the inner portion Wb of the wafer W is maintained at the thickness t3 after the liquid amount adjustment step shown in FIG. Reduce the amount. Thereby, the thickness t5 of the IPA liquid film in the peripheral edge Wa becomes thinner than the thickness t4 of the IPA liquid film in the peripheral edge Wa after the peripheral edge supplying step. For this reason, the thickness of the IPA liquid film at the peripheral portion Wa becomes a desired thickness, and the total amount of IPA liquid on the surface of the wafer W is adjusted to a desired amount.

なお、第２の液量調整工程を行っている間においても、ウエハＷの回転による遠心力とＩＰＡの粘性によって、ＩＰＡの液膜は、ウエハＷの周縁部Ｗａで盛り上がるような形状に維持される。また、本実施の形態の第２の液量調整工程後におけるＩＰＡの全液盛り量を、第１の実施の形態の図８（ｄ）に示す液量調整工程後におけるＩＰＡの全液盛り量と等しくする場合には、本実施の形態の周縁供給工程の前の液量調整工程におけるウエハＷの回転数を大きくする等して、当該液量調整工程後のＩＰＡの液盛り量を少なくしておけばよい。   Even during the second liquid amount adjustment step, the IPA liquid film is maintained in a shape that rises at the peripheral edge Wa of the wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W and the viscosity of the IPA. The Further, the total liquid volume of IPA after the second liquid volume adjustment process of the present embodiment is used as the total liquid volume of IPA after the liquid volume adjustment process shown in FIG. 8 (d) of the first embodiment. If the number of rotations of the wafer W in the liquid amount adjustment step before the peripheral edge supply step of the present embodiment is increased, the liquid volume of the IPA after the liquid amount adjustment step is reduced. Just keep it.

第２の液量調整工程においては、第４回転数や、第４回転数で回転を開始してから停止するまでの時間を調整することによって、周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さを任意に調整することができる。また、ウエハＷの処理時間を短縮させるためには、ウエハＷの回転を再開してから停止するまでの時間を短く（例えば、１秒に）設定し、この時間内で周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さを所望の厚さに調整することができるようなウエハＷの回転数を設定するようにしてもよい。     In the second liquid amount adjustment step, the thickness of the IPA liquid film at the peripheral portion Wa is adjusted by adjusting the fourth rotation speed and the time from the start of rotation at the fourth rotation speed to the stop. It can be adjusted arbitrarily. Further, in order to shorten the processing time of the wafer W, the time from restarting the rotation of the wafer W to stopping it is set short (for example, 1 second), and within this time, the IPA in the peripheral portion Wa is reduced. You may make it set the rotation speed of the wafer W which can adjust the thickness of a liquid film to desired thickness.

このようにして、ウエハＷの洗浄処理が終了する。この際、ウエハＷの表面には、所望の厚さ（または液盛り量）を有するＩＰＡの液膜が形成されており、ウエハＷの乾燥を防止している。そして、この液膜は、ウエハＷの周縁部Ｗａにおいて盛り上がるように形成されており、周縁部Ｗａにおける厚さが内側部Ｗｂにおける厚さよりも厚くなるような形状に維持されている。     In this way, the cleaning process for the wafer W is completed. At this time, an IPA liquid film having a desired thickness (or liquid volume) is formed on the surface of the wafer W to prevent the wafer W from drying. The liquid film is formed so as to rise at the peripheral edge Wa of the wafer W, and is maintained in a shape such that the thickness at the peripheral edge Wa is greater than the thickness at the inner side Wb.

ウエハＷの洗浄処理が終了した後、第１の実施の形態と同様にしてウエハＷの乾燥処理が行われる。   After the cleaning process for the wafer W is completed, the drying process for the wafer W is performed in the same manner as in the first embodiment.

このように本実施の形態によれば、ウエハＷの周縁部Ｗａに、ウエハＷを回転させながらＩＰＡが供給される。このことにより、ウエハＷの周縁部Ｗａにおいて、ＩＰＡの液膜を盛り上がるように形成することができる。   Thus, according to the present embodiment, IPA is supplied to the peripheral edge Wa of the wafer W while rotating the wafer W. As a result, the liquid film of IPA can be formed so as to rise at the peripheral edge Wa of the wafer W.

ここで、洗浄処理後のウエハＷが超臨界処理装置３内での乾燥処理を行うまでに、ウエハＷの表面のうち周縁部ＷａにおけるＩＰＡが、周縁部Ｗａよりも内側に位置する内側部ＷｂにおけるＩＰＡよりも気化されやすくなっている。このことにより、ウエハＷの周縁部Ｗａが先に乾燥し、内側部ＷｂにはＩＰＡが残存しているという状態になり得る。ウエハＷの周縁部Ｗａが先に乾燥すると、周縁部Ｗａにおいて所謂パターン倒れが生じ得る。ウエハＷの周縁部Ｗａを乾燥させないようにするためには、ウエハＷの表面上のＩＰＡの液膜の厚さを全体的に厚くするという方法も考えられる。しかしながら、この方法では、ウエハＷの表面上のＩＰＡの液盛り量が増えるため、超臨界処理装置３内での乾燥処理後に、ウエハＷの表面にパーティクルが発生しやすくなる。   Here, before the wafer W after the cleaning process is subjected to the drying process in the supercritical processing apparatus 3, the IPA at the peripheral edge Wa of the surface of the wafer W is located on the inner side Wb located inside the peripheral edge Wa. It is easier to vaporize than IPA. As a result, the peripheral edge Wa of the wafer W may be dried first, and the IPA may remain on the inner side Wb. If the peripheral edge Wa of the wafer W is dried first, so-called pattern collapse may occur in the peripheral edge Wa. In order to prevent the peripheral edge Wa of the wafer W from being dried, a method of increasing the thickness of the IPA liquid film on the surface of the wafer W as a whole is also conceivable. However, in this method, since the amount of IPA liquid on the surface of the wafer W increases, particles are likely to be generated on the surface of the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

これに対して本実施の形態によれば、上述したように、ウエハＷの周縁部Ｗａにおいて、ＩＰＡの液膜を盛り上がるように形成している。このため、ウエハＷの周縁部ＷａにおいてＩＰＡを長く残存させることができ、ウエハＷが周縁部Ｗａから先に乾燥することを防止できる。このため、洗浄処理後のウエハＷの表面全体にわたって、超臨界処理装置３内での乾燥処理を行うまでにＩＰＡが気化することを防止できる。一方、ウエハＷの内側部Ｗｂにおいては、ＩＰＡの液膜の厚さが増大することを抑制できる。このことにより、ウエハＷの表面上のＩＰＡの液盛り量が過度に増大することを抑制でき、超臨界処理装置３内での乾燥処理後に、ウエハＷにパーティクルが発生することを防止できる。   On the other hand, according to the present embodiment, as described above, the IPA liquid film is formed so as to rise at the peripheral edge Wa of the wafer W. For this reason, IPA can remain for a long time at the peripheral edge Wa of the wafer W, and the wafer W can be prevented from drying first from the peripheral edge Wa. For this reason, it is possible to prevent the IPA from being vaporized before the drying process in the supercritical processing apparatus 3 is performed over the entire surface of the wafer W after the cleaning process. On the other hand, in the inner portion Wb of the wafer W, it is possible to suppress an increase in the thickness of the IPA liquid film. Accordingly, it is possible to suppress an excessive increase in the amount of IPA on the surface of the wafer W, and it is possible to prevent particles from being generated on the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

また、本実施の形態によれば、ウエハＷの周縁部ＷａにＩＰＡを供給する周縁供給工程は、液膜を形成するＩＰＡの液量を低減させる液量調整工程の後に行われる。このことにより、ウエハＷの表面上のＩＰＡの液膜を、周縁部Ｗａで盛り上がるような形状に長い時間維持することができる。このため、超臨界処理装置３内での乾燥処理を行うまでに、ウエハＷの表面全体にわたってＩＰＡが気化することをより一層防止できる。   Further, according to the present embodiment, the peripheral edge supplying step for supplying IPA to the peripheral portion Wa of the wafer W is performed after the liquid amount adjusting step for reducing the liquid amount of IPA forming the liquid film. As a result, the IPA liquid film on the surface of the wafer W can be maintained in a shape that rises at the peripheral edge Wa for a long time. For this reason, it is possible to further prevent the IPA from being vaporized over the entire surface of the wafer W before the drying process in the supercritical processing apparatus 3 is performed.

また、本実施の形態によれば、ウエハＷの周縁部ＷａにＩＰＡを供給する周縁供給工程の後に、ウエハＷの表面上の液膜を形成するＩＰＡの液量を低減させる第２の液量調整工程が行われる。このことにより、ウエハＷの周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さを調整し、精度を向上させることができる。このため、超臨界処理装置３内での乾燥処理後に、ウエハＷにパーティクルが発生することをより一層防止できる。   In addition, according to the present embodiment, the second liquid amount that reduces the liquid amount of IPA that forms the liquid film on the surface of the wafer W after the peripheral edge supplying step of supplying IPA to the peripheral edge Wa of the wafer W. An adjustment process is performed. As a result, the thickness of the IPA liquid film at the peripheral edge Wa of the wafer W can be adjusted, and the accuracy can be improved. For this reason, it is possible to further prevent the generation of particles on the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

また、本実施の形態によれば、第２の液量調整工程において、ウエハＷを、周縁供給工程の前の液量調整工程におけるウエハＷの回転数（第２回転数）以下の第４回転数で回転させる。このことにより、ウエハＷの周縁部Ｗａよりも内側に位置する内側部Ｗｂから外周側にＩＰＡが移動することを抑制できる。このため、内側部ＷｂにおけるＩＰＡの液膜の厚さを、当該液量調整工程後の厚さに維持することができ、液膜の厚さの精度を向上させることができる。   Further, according to the present embodiment, in the second liquid amount adjustment step, the wafer W is rotated in the fourth rotation that is equal to or lower than the rotation number (second rotation number) of the wafer W in the liquid amount adjustment step before the peripheral supply step. Rotate by number. As a result, it is possible to suppress the IPA from moving from the inner side portion Wb located inside the peripheral edge portion Wa of the wafer W to the outer peripheral side. For this reason, the thickness of the liquid film of IPA in the inner part Wb can be maintained at the thickness after the liquid amount adjustment step, and the accuracy of the thickness of the liquid film can be improved.

なお、上述した本実施の形態においては、周縁供給工程におけるウエハＷの第３回転数を、ＩＰＡ液膜形成工程におけるウエハＷの第１回転数に等しくしている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ＩＰＡの液膜を周縁部Ｗａで盛り上げるように形成することができれば、第３回転数は第１回転数より大きくてもよく、あるいは小さくてもよい。   In the above-described embodiment, an example has been described in which the third rotation number of the wafer W in the peripheral supply step is equal to the first rotation number of the wafer W in the IPA liquid film formation step. However, the present invention is not limited to this, and the third rotational speed may be larger or smaller than the first rotational speed as long as the IPA liquid film can be formed so as to rise at the peripheral edge Wa.

また、上述した本実施の形態においては、周縁供給工程の後に第２の液量調整工程を行う例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、図８（ａ）に示す第２リンス工程の後であって、図８（ｂ）に示すＩＰＡ液膜形成工程の前に、周縁供給工程を行うようにしてもよい。この場合であっても、ウエハＷの周縁部Ｗａにおいて、ＩＰＡの液膜を盛り上がるように形成することができ、このようなＩＰＡの液膜の形状を、図１３（ｂ）に示す第２の液量調整工程後においても維持することができる。   Moreover, in this Embodiment mentioned above, the example which performs a 2nd liquid amount adjustment process after a periphery supply process was demonstrated. However, the present invention is not limited to this. For example, the peripheral edge supplying step may be performed after the second rinsing step shown in FIG. 8A and before the IPA liquid film forming step shown in FIG. Even in this case, the IPA liquid film can be formed so as to rise at the peripheral edge Wa of the wafer W. The shape of such an IPA liquid film is the second shape shown in FIG. It can be maintained even after the liquid volume adjustment step.

また、周縁供給工程においてウエハＷの周縁部Ｗａに供給されるＩＰＡの吐出量や吐出時間、ウエハＷの回転数を適切に調整することによって、ウエハＷの周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さを精度良く調整することができれば、第２の液量調整工程は行わなくてもよい。この場合、周縁供給工程におけるウエハＷの周縁部ＷａへのＩＰＡの吐出量は、図８（ｂ）に示すＩＰＡ液膜形成工程におけるウエハＷへのＩＰＡの吐出量よりも小さくしてもよい。また、ウエハＷの周縁部ＷａへのＩＰＡの吐出時間は短く（例えば、２秒間）してもよい。このことにより、周縁部ＷａにおけるＩＰＡの液膜の厚さが過度に増大することを抑制でき、超臨界処理装置３内での乾燥処理後に、ウエハＷにパーティクルが発生することを防止できる。   In addition, the thickness of the IPA liquid film at the peripheral portion Wa of the wafer W is adjusted by appropriately adjusting the discharge amount and discharge time of the IPA supplied to the peripheral portion Wa of the wafer W and the rotation speed of the wafer W in the peripheral supply step. If the thickness can be adjusted with high accuracy, the second liquid amount adjustment step may not be performed. In this case, the discharge amount of IPA to the peripheral portion Wa of the wafer W in the peripheral supply step may be smaller than the discharge amount of IPA to the wafer W in the IPA liquid film forming step shown in FIG. Further, the discharge time of IPA to the peripheral edge Wa of the wafer W may be short (for example, 2 seconds). Accordingly, it is possible to suppress an excessive increase in the thickness of the IPA liquid film at the peripheral edge Wa, and to prevent generation of particles on the wafer W after the drying process in the supercritical processing apparatus 3.

本発明は上記各実施の形態及び各変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施の形態及び各変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。各実施の形態及び各変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態及び変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be embodied by modifying the components without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments and modifications. Some components may be deleted from all the components shown in each embodiment and each modification. Furthermore, constituent elements over different embodiments and modifications may be combined as appropriate.

１ 基板処理システム
２ 洗浄装置
３ 超臨界処理装置
４ 制御部
２０ モータ
２３ ウエハ保持機構
２７ リンス液ノズル
２８ ＩＰＡノズル
３２ ＩＰＡ供給部
３０１ 処理容器
Ｗ ウエハ
Ｗａ 周縁部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 2 Cleaning apparatus 3 Supercritical processing apparatus 4 Control part 20 Motor 23 Wafer holding mechanism 27 Rinse liquid nozzle 28 IPA nozzle 32 IPA supply part 301 Processing container W Wafer Wa edge part

Claims (12)

基板を第１回転数で回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面を覆う前記処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数以下の回転数にするとともに、前記基板への前記処理液の供給を停止する供給停止工程と、
前記供給停止工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも大きい第２回転数にして、前記液膜を形成する前記処理液の液量を低減させる液量調整工程と、を備えた、基板処理方法。 A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first number of revolutions to form a liquid film of the processing liquid covering the surface of the substrate;
After the liquid film forming step, the rotation number of the substrate is set to a rotation number equal to or less than the first rotation number, and the supply stop step for stopping the supply of the processing liquid to the substrate;
After the supply stop step, a liquid amount adjustment step of reducing the liquid amount of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a second rotation speed larger than the first rotation speed. A substrate processing method provided. 前記供給停止工程において、前記基板の回転を停止する、請求項１に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein in the supply stop step, rotation of the substrate is stopped. 前記供給停止工程において、前記基板の回転を停止した後、前記処理液の供給を停止する、請求項２に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 2, wherein, in the supply stop step, the supply of the processing liquid is stopped after the rotation of the substrate is stopped. 前記供給停止工程において、前記基板を、前記第１回転数以下の回転数で回転させる、請求項１に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein, in the supply stop step, the substrate is rotated at a rotation speed equal to or lower than the first rotation speed. 前記液量調整工程において、前記基板の回転数を増大させてから所定時間経過後に前記基板の回転を停止する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。   5. The substrate processing method according to claim 1, wherein, in the liquid amount adjusting step, the rotation of the substrate is stopped after a predetermined time has elapsed since the number of rotations of the substrate is increased. 前記基板の周縁部に、前記基板を回転させながら前記処理液を供給する周縁供給工程を更に備えた、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, further comprising a peripheral edge supplying step of supplying the processing liquid to the peripheral edge of the substrate while rotating the substrate. 前記周縁供給工程は、前記液量調整工程の後に行われる、請求項６に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 6, wherein the peripheral edge supplying step is performed after the liquid amount adjusting step. 前記周縁供給工程の後、前記基板への前記処理液の供給を停止するとともに前記基板を回転させながら、前記液膜を形成する前記処理液の液量を低減させる第２の液量調整工程を更に備えた、請求項７に記載の基板処理方法。   After the peripheral edge supplying step, a second liquid amount adjusting step of stopping the supply of the processing liquid to the substrate and rotating the substrate while reducing the liquid amount of the processing liquid forming the liquid film. The substrate processing method according to claim 7, further comprising: 前記第２の液量調整工程において、前記基板を、前記第２回転数以下の回転数で回転させる、請求項８に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 8, wherein, in the second liquid amount adjustment step, the substrate is rotated at a rotation speed equal to or less than the second rotation speed. 前記液量調整工程の後、前記基板を、前記処理液の前記液膜が形成された状態で処理容器内に搬入する搬入工程と、
前記搬入工程の後、前記処理容器に加圧された処理流体を供給して、前記処理容器内の圧力を前記処理流体が臨界状態を維持する圧力に維持しつつ、前記処理容器に加圧された前記処理流体を供給するとともに前記処理容器から前記処理流体を排出して、前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を更に備えた、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理方法。 After the liquid amount adjusting step, the substrate is loaded into a processing container in a state where the liquid film of the processing liquid is formed;
After the carrying-in step, the pressurized processing fluid is supplied to the processing container, and the processing container is pressurized while maintaining the pressure in the processing container at a pressure at which the processing fluid maintains a critical state. The substrate processing method according to claim 1, further comprising: a drying step of supplying the processing fluid and discharging the processing fluid from the processing container to dry the substrate. . 基板処理システムの動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理システムを制御して請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。   11. When executed by a computer for controlling the operation of the substrate processing system, the computer controls the substrate processing system to execute the substrate processing method according to any one of claims 1 to 10. A storage medium on which a program is recorded. 基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板を第１回転数で回転させながら前記基板の表面に前記処理液を供給して、前記基板の表面を覆う前記処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜形成工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数以下の回転数にするとともに、前記基板への前記処理液の供給を停止する供給停止工程と、前記供給停止工程の後、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも大きい第２回転数にして、前記液膜を形成する前記処理液の液量を低減させる液量調整工程と、を行うように、前記回転駆動部及び前記処理液供給部を制御する、基板処理システム。 A holding unit for holding the substrate horizontally;
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate held by the holding unit;
A control unit,
The control unit supplies the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the substrate at a first rotation number, and forms a liquid film of the processing liquid that covers the surface of the substrate; and After the liquid film forming step, the rotation number of the substrate is set to a rotation number equal to or less than the first rotation number, a supply stop step for stopping the supply of the processing liquid to the substrate, and after the supply stop step And the liquid volume adjustment step of reducing the liquid volume of the processing liquid for forming the liquid film by setting the rotation speed of the substrate to a second rotation speed larger than the first rotation speed. A substrate processing system for controlling a driving unit and the processing liquid supply unit.
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