JP7250110B2 - 有機発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光素子に関する。

有機発光素子（organic light emitting device）は、自発光型素子であり、従来の素子に比べ、視野角が広く、コントラストに優れるだけではなく、応答時間が短く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れ、多色化が可能である。

前記有機発光素子は、基板上部に、第１電極が配置されており、前記第１電極上部に、正孔輸送領域（hole transport region）、発光層、電子輸送領域（electron transport region）及び第２電極が順次に形成されている構造を有することができる。前記第１電極から注入された正孔は、該正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、第２電極から注入された電子は、該電子輸送領域を経由して発光層に移動する。前記正孔及び前記電子のようなキャリアは、該発光層領域で再結合し、励起（exciton）を生成する。該励起子が励起状態から基底状態に変わりながら光が生成される。

本発明が解決しようとする課題は、励起子消光層を含む有機発光素子を提供することである。

一側面によれば、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層を含む有機層と、前記アノードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第１励起子消光層と、を含み、
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記第１励起子消光層は、第１消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）

前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記実施例において、前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含んでもよい。

前記実施例において、前記第１励起子消光層の厚み（Ｄ_Ｑ１）と、前記発光層の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ１でであってもよい。

前記実施例において、前記ドーパントは、遅延蛍光または蛍光を放出することができる。

前記実施例において、前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含んでもよい。

前記実施例において、前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストであってもよい。

前記実施例において、前記発光層と前記カソードとの間に電子注入層をさらに含み、前記電子注入層の仕事関数（work function）は、３．０ｅＶ未満であってもよい。

前記実施例において、前記電子注入層は、希土類金属を含んでもよい。

前記実施例において、前記電子注入層は、Ｙｂを含んでもよい。

前記実施例において、前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記第１励起子消光層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。

前記実施例において、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一であってもよい。

前記実施例において、前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と前記第１励起子消光層との間に介在された電子阻止層を含み、前記第１励起子消光層と前記電子阻止層は、直接接触し、前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。

前記実施例において、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一であってもよい。

前記実施例において、前記カソードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第２励起子消光層をさらに含み、前記第２励起子消光層は、第２消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１及び２－２を満足することができる：
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）

前記式２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記実施例において、前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含んでもよい。

前記実施例において、前記第２励起子消光層の厚み（Ｄ_Ｑ２）と、前記発光層の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ２であってもよい。

前記実施例において、前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記第２励起子消光層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。

前記実施例において、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一であってもよい。

前記実施例において、前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記電子輸送層と前記第２励起子消光層との間に介在された正孔阻止層を含み、前記第２励起子消光層と前記正孔阻止層は、直接接触し、前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。

前記実施例において、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一であってもよい。

本発明の励起子消光層を含む有機発光素子は、寿命特性が向上しうる。

本発明の一実施例による有機発光素子の構造を概略的に示した図面である。 本発明の他の実施例による有機発光素子の構造を概略的に示した図面である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施例を有することができるが、特定の実施例を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、多様な形態にも実現される。

以下、添付された図面を参照し、本発明の実施例について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一の図面符号を付し、それについての重複する説明は、省略する。

以下の実施例において、単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施例において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。

以下の実施例において、膜、領域、構成要素のような部分が、他部分の「上」または「上部」にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されることもあり、縮小されることもある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

本明細書において、「最低励起三重項エネルギーレベル」は、トルエンと各化合物との混合物（トルエン３ｍＬに各化合物１ｍｇを溶解させる）を石英セルに入れた後、液体窒素（７７Ｋ）に入れ、フォトルミネセンス測定機器を利用し、フォトルミネセンススペクトルを測定し、それを一般的な常温フォトルミネセンススペクトルと比較し、低温でしか観測されないピークのみを分析し、そこからＴ１エネルギーレベルを計算したものである。

本明細書において、「仕事関数」は、ＣＶ（電解質：０．１Ｍ Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４／溶媒：ＣＨ_２Ｃｌ_２／電極：３電極システム（作用電極：ＧＣ、基準電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ、補助電極：Ｐｔ））を利用し、各化合物の電位（Ｖ）・電流（Ａ）グラフを得た後、前記グラフの還元オンセット（reduction onset）から、各化合物の仕事関数を計算したものである。

本明細書において、「有機層」は、前記有機発光素子において、アノード極とカソード極との間に介在された単一及び／または複数の全ての層を示す用語である。前記「有機層」の層に含まれた物質は、有機物に限定されるものではない。

本明細書において、「（有機層が）化学式１で表される化合物を含む」というのは、「（有機層が）前記化学式１の範疇に属する１種の化合物、または前記化学式１の範疇に属する互いに異なる２種以上の化合物を含んでもよい」とも解釈される。

以下、添付された図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

図１は、発明の一実施例による有機発光素子１の概略的な断面図である。

図１を参照すれば、有機発光素子１は、アノード１１０と、カソード１２０と、前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層１３１を含む有機層１３０と、アノード１１０及び発光層１３１の間に介在され、発光層１３１と直接接触する第１励起子消光層１３２と、を含み、発光層１３１は、ホスト及びドーパントを含み、第１励起子消光層１３２は、第１消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）

前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記式１－１を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項のうち一部を第１励起子消光層に移動させることができる。それにより、前記発光層内の三重項濃度を適切に調節することができ、発光に関与せずに発光層内に存在する三重項の濃度を低くすることにより、前記有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。

前記式１－２を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項が、いずれも第１励起子消光層に移動するものではなく、前記発光層のドーパントにも移動することができるようにする。それにより、発光層内の三重項濃度が、目的とする発光効率を得ることができる程度に維持される。

前述の効果を得るためには、必ず前記発光層と前記第１励起子消光層は、直接接触してなければならず、前記発光層と前記第１励起子消光層との間に他の層がさらに介在されていてはならない。

具体的には、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１１及び／または１－２１をさらに満足することができるが、それらに限定されるものではない：
＜式１－１１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｈ）≦１．０ｅＶ
＜式１－２１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｄ）≦１．０ｅＶ

前記式１－１１及び１－２１で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記式１－１１をさらに満足する有機発光素子は、ホストから第１励起子消光層に移動する三重項対比で、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率及び寿命特性が同時に向上しうる。

前記式１－２１をさらに満足する有機発光素子は、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率がさらに向上しうる。

アノード１１０は、例えば、基板上部に、アノード用物質を蒸着法またはスパッタリング法などを利用して提供することによっても形成される。前記アノード１１０は、正孔注入が容易であるように、高い仕事関数を有する物質のうちからも選択される。

アノード１１０は、反射型電極、半透過型電極または透過型電極であってもよい。透過型電極を形成するために、アノード用物質は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びそれら任意の組み合わせのうちからも選択されるが、それらに限定されるものではない。または、半透過型電極または反射型電極を形成するために、アノード用物質は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、及びそれら任意の組み合わせのうちからも選択されるが、それらに限定されるものではない。

アノード１１０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。例えば、アノード１１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができるが、それに限定されるものではない。

アノード１１０上部には、有機層１３０が配置されている。前述のように、有機層１３０は、発光層１３１及び第１励起子消光層１３２を含む。有機層１３０は、アノード１１０と発光層１３１との間に介在された正孔輸送領域（hole transport region）（図示せず）、及び発光層１３１とカソード１２０との間に介在された電子輸送領域（electron transport region）（図示せず）をさらに含んでもよい。

前記正孔輸送領域は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、またはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。

前記正孔輸送領域は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光補助層及び電子阻止層（ＥＢＬ）のうちから選択された少なくとも１層を含んでもよい。

例えば、前記正孔輸送領域は、複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造を有するか、またはアノード１１０から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光補助層、正孔注入層／発光補助層、正孔輸送層／発光補助層または正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の多層構造を有することができるが、これらに限定されるものではない。

前記正孔輸送領域は、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＤＡＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、β－ＮＰＢ、ＴＰＤ、Spiro－ＴＰＤ、Spiro－ＮＰＢ、メチル化された（methylated）－ＮＰＢ、ＴＡＰＣ、ＨＭＴＰＤ、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）、ＣｚＳｉ、ＴＣＴＡ、下記化学式２０１で表される化合物、及び下記化学式２０２で表される化合物のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよい：

＜化学式２０１＞

＜化学式２０２＞

前記化学式２０１及び２０２で、
Ｌ_２０１～Ｌ_２０４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキルレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｌ_２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ_２０１）－＊’、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_２０アルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_２０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０～３の整数のうちから選択され、
ｘａ５は１～１０の整数のうちから選択され、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０４、及び_Ｑ２０１は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されてもよい。

例えば、前記化学式２０２で、Ｒ_２０１とＲ_２０２は、選択的に（optionally）、単結合、ジメチル－メチレン基またはジフェニル－メチレン基を介しても互いに連結され、Ｒ_２０３とＲ_２０４は、選択的に、単結合、ジメチル－メチレン基またはジフェニル－メチレン基を介して互いに連結されてもよい。

一実施例によれば、前記化学式２０１及び２０２で、
Ｌ_２０１～Ｌ_２０５は、互いに独立して、
フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、及び－Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；のうちから選択され、
前記Ｑ_３１～前記Ｑ_３３は、互いに独立して、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。

他の実施例によれば、ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０、１または２でであってもよい。

さらに他の実施例によれば、ｘａ５は、１、２、３または４でであってもよい。

さらに他の実施例によれば、Ｒ_２０１～Ｒ_２０４、及びＱ_２０１は、互いに独立して、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、及び－Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基；のうちから選択されてもよく、
前記Ｑ_３１～前記Ｑ_３３についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。

さらに他の実施例によれば、前記化学式２０１で、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３のうち少なくとも一つは、互いに独立して、
フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で、ｉ）Ｒ_２０１とＲ_２０２は、単結合を介して互いに連結されてもよく、かつ／またはｉｉ）Ｒ_２０３とＲ_２０４は、単結合を介して互いに連結されてもよい。

さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で、Ｒ_２０１～Ｒ_２０４のうち少なくとも一つは、
カルバゾリル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたカルバゾリル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａによって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ＞

例えば、前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａ１によって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ（１）＞

さらに他の例として、前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａ－１によって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ－１＞

一方、前記化学式２０２で表される化合物は、下記化学式２０２Ａによって表されてもよい：
＜化学式２０２Ａ＞

さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で表される化合物は、下記化学式２０２Ａ－１によって表されてもよい：
＜化学式２０２Ａ－１＞

前記化学式２０１Ａ、２０１Ａ（１）、２０１Ａ－１、２０２Ａ及び２０２Ａ－１で、
Ｌ_２０１～Ｌ_２０３、ｘａ１～ｘａ３、ｘａ５、及びＲ_２０２～Ｒ_２０４についての説明は、本明細書に記載されたところを参照し、
Ｒ_２１１及びＲ_２１２についての説明は、本明細書において、Ｒ_２０３についての説明を参照し、
Ｒ_２１３～Ｒ_２１７は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基のうちから選択されてもよい。

前記正孔輸送領域は、下記化合物ＨＴ１～ＨＴ３９のうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：

前記正孔輸送領域の厚みは、約１００Å～約１０，０００Å、例えば、約１００Å～約１，０００Åでもある。前記正孔輸送領域が、正孔注入層及び正孔輸送層のうち少なくとも１層を含むならば、前記正孔注入層の厚みは、約１００Å～約９，０００Å、例えば、約１００Å～約１，０００Åであり、前記正孔輸送層の厚みは、約５０Å～約２，０００Å、例えば、約１００Å～約１，５００Åでもある。前記正孔輸送領域、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。

前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質をさらに含んでもよい。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に均一にも不均一にも分散されている。

前記電荷生成物質は、例えば、ｐ－ドーパントであってもよい。

一実施例によれば、前記ｐ－ドーパントのＬＵＭＯは、－３．５ｅＶ以下であってもよい。

前記ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、金属酸化物及びシアノ基含有化合物のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限定されるものではない。

例えば、前記ｐ－ドーパントは、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）及びＦ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン）のようなキノン誘導体；
タングステン酸化物及びモリブデン酸化物のような金属酸化物；
ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）；及び
下記化学式２２１で表される化合物；のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜ＨＡＴ－ＣＮ＞

＜Ｆ４－ＴＣＮＱ＞

＜化学式２２１＞

前記化学式２２１で、
Ｒ_２２１～Ｒ_２２３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されるものの、前記Ｒ_２２１～前記Ｒ_２２３のうち少なくとも一つは、シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、－Ｆで置換されたＣ_１－Ｃ_２０アルキル基、－Ｃｌで置換されたＣ_１－Ｃ_２０アルキル基、－Ｂｒで置換されたＣ_１－Ｃ_２０アルキル基、及び－Ｉで置換されたＣ_１－Ｃ_２０アルキル基のうちから選択された少なくとも１つの置換基を有する。

前記第１消光物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積され、寿命特性を低下させる危険性がある励起子を、第１励起子消光層に分散させるのに十分である。

前記第１消光物質は、下記化学式３で表される化合物を含んでもよいが、これに限定されるものではない：
＜化学式３＞

＜化学式１０＞

前記化学式３及び１０で、
Ｘ_１は、Ｎ－（Ｌ_４）_ａ４－（Ａｒ_１）_ｂ１、Ｏ及びＳのうちから選択され、
Ａは、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_２０芳香族環であり、
Ｌ_１～Ｌ_４、Ｌ_３１、及びＬ_３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ａ１～ａ４、ａ３１及びａ３２は、互いに独立して、０、１、２及び３のうちから選択され、
Ａｒ_１、Ａｒ_３１及びＡｒ_３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｂ１、ｂ３１及びｂ３２は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
Ａｒ_３１とＡｒ_３２は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｒ_１～Ｒ_４は、互いに独立して、前記化学式１０で表される基、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ_１）（Ｑ_２）（Ｑ_３）、及び－Ｂ（Ｑ_１）（Ｑ_２）のうちから選択され、
ｃ１は、互いに独立して、１、２、３及び４のうちから選択され、ｃ２は、１、２及び３のうちから選択され、ｃ３及びｃ４は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
ｃ１が２以上である場合、Ｒ_１のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ２が２以上である場合、Ｒ_２のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ３が２以上である場合、Ｒ_３のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ４が２以上である場合、Ｒ_４のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｑ_１～Ｑ_３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。

例えば、前記第１消光物質は、下記化合物Ｑ１～下記化合物Ｑ３６のうちから選択されるが、これらに限定されるものではない：

第１励起子消光層１３２において、前記第１消光物質の含量は、０．０１重量％～２０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の寿命特性を改善させることができるほどに十分な量の三重項が、ホストから第１励起子消光層１３２に移動することができる。

第１励起子消光層１３２は、第１ベース物質をさらに含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記第１ベース物質は、第１励起子消光層１３２の正孔輸送性を改善させることができる。

一実施例において、前記第１ベース物質は、前記ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。例えば、前記第１ベース物質は、正孔輸送性ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。

一実施例において、第１励起子消光層１３２は、第１消光物質及び第１ベース物質からなってもよく、これに限定されるものではない。

第１励起子消光層１３２が第１ベース物質をさらに含む場合、前記第１励起子消光層において、前記第１ベース物質の含量は、９９．９９重量％～８０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、第１励起子消光層１３２の正孔輸送性が十分に改善され、有機発光素子の駆動電圧が低くもなる。

例えば、前記第１ベース物質は、Ｔ１（Ｂ１）≦Ｔ１（Ｈ）を満足することができ、ここで、Ｔ１（Ｂ１）は、前記第１ベース物質の最低励起三重項エネルギーレベルである。一方、前記第１ベース物質は、Ｔ１（Ｂ１）≦Ｔ１（Ｄ）を満足することができる。

他の例として、前記第１ベース物質は、１．２ｅＶ≦Ｔ１（Ｂ１）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を、第１励起子消光層に分散させるのに十分である。

一実施例において、第１励起子消光層１３２の厚み（Ｄ_Ｑ１）と、発光層１３１の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ１であってもよい。具体的には、第１励起子消光層１３２の厚み（Ｄ_Ｑ１）と、発光層１３１の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ＞Ｄ_Ｑ１であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。

他の実施例において、第１励起子消光層１３２の厚みは、５０Å～２００Åであってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を実質的に高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。

発光層１３１は、ホスト及びドーパントを含む。

前記ドーパントは、熱活性化遅延蛍光または蛍光を放出することができる。

具体的には、前記ドーパントは、下記式３をさらに満足することができる：
＜式３＞
｜Ｓ１（Ｄ）－Ｔ１（Ｄ）｜≦０．５ｅＶ

前記式３で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。

前記式３を満足すれば、常温においても、熱活性化遅延蛍光を放出することができる。

さらに具体的には、Ｓ１（Ｄ）－Ｔ１（Ｄ）≦０．２ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。

一実施例において、前記ドーパントは、下記式４及び／または式５をさらに満足することができるが、これらに限定されるものではない：
＜式４＞
２．６５ｅＶ≦Ｓ１（Ｄ）≦２．８５ｅＶ
＜式５＞
２．６５ｅＶ≦Ｔ１（Ｄ）≦３．０５ｅＶ

前記式４及び５で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。

前記式４及び／または５を満足すれば、前記ドーパントは、青色を放出することができる。

他の実施例において、前記ドーパントは、金属原子を含まなくてもよい。すなわち、前記ドーパントは、金属原子を含むリン光放出エミッタとは、明らかに区別される。

前記発光層において、前記ドーパントの含量は、０．０１重量％～３０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。

例えば、前記ホストは、Ｔ１（Ｈ）≧Ｔ１（Ｄ）を満足することができるが、これに限定されるものではない。前記ホストが前述の範囲を満足すれば、ホストからドーパントに励起子が円滑に伝達されうる。

一実施例において、前記ホストは、１種以上の化合物を含んでもよい。

例えば、前記ホストは、
下記化学式１及び２のうちいずれか一つで表される化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜化学式１＞

＜化学式２＞

前記化学式１及び２で、
Ｘ_１１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ_１３）及びＣ（Ｒ_１３）（Ｒ_１４）のうちから選択され、
Ｘ_１２は、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ_１５）及びＣ（Ｒ_１５）（Ｒ_１６）のうちから選択され、
Ａ_１１及びＡ_１２は、互いに独立して、Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基及びＣ_１－Ｃ_６０ヘテロ環基のうちから選択され、
Ｒ_１１～Ｒ_１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_２－Ｃ_６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ_１）（Ｑ_２）（Ｑ_３）、－Ｂ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、－Ｎ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、－Ｐ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_１）、－Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ_１）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_１）（Ｑ_２）及び－Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ_１）（Ｑ_２）のうちから選択され、
ｂ１１及びｂ１２は、互いに独立して、１、２、３、４、５及び６のうちから選択され、
Ｑ_１～Ｑ_３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、ビフェニリル基及びターフェニリル基のうちから選択され、
Ｘ_２１は、ＮまたはＣ（Ｒ_２１）であり、Ｘ_２２は、ＮまたはＣ（Ｒ_２２）であり、Ｘ_２３は、ＮまたはＣ（Ｒ_２３）であり、Ｘ_２４は、ＮまたはＣ（Ｒ_２４）であり、Ｘ_２５は、ＮまたはＣ（Ｒ_２５）であり、Ｘ_２６は、ＮまたはＣ（Ｒ_２６）であるものの、Ｘ_２１～Ｘ_２６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｒ_２１～Ｒ_２６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｒ_２１～Ｒ_２６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。具体的には、前記ホストは、下記化合物１～１２、及び下記化合物２１～２７のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない：

一実施例において、前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含んでもよい。

具体的には、前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストであってもよく、これらに限定されるものではない。

本明細書において、「電子輸送性モイエティ」は、シアノ基、ホスフィンオキシド基、スルホンオキシド基、スルホネート及び／またはπ電子欠乏性含窒素環を含んでもよい。

例えば、前記第１ホストは、前記化学式１で表され、前記第２ホストは、前記化学式２によっても表されてもよく、これらに限定されるものではない。

具体的には、前記第１ホストは、前記化合物１～１２のうちから選択されてもよく、前記第２ホストは、前記化合物２１～２７のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

一実施例において、前記第１ホストは、前記化学式１で表される化合物を含み、前記第２ホストは、下記化学式２で表される化合物を含んでもよい。

発光層１３１の厚みは、約１００Å～約１，０００Å、例えば、約２００Å～約６００Åでもある。前記発光層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を示すことができる。

前記電子輸送領域は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、あるいはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。

前記電子輸送領域は、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層のうちから選択された少なくとも１層を含んでもよいが、これらに限定されるものではない。

例えば、前記電子輸送領域は、発光層から順に積層された電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層、電子調節層／電子輸送層／電子注入層、またはバッファ層／電子輸送層／電子注入層などの構造を有することができるが、これらに限定されるものではない。

前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域におけるバッファ層、正孔阻止層、電子調節層または電子輸送層）は、π電子欠乏性含窒素環を少なくとも一つ含む金属非含有化合物を含んでもよい。

前記「π電子欠乏性含窒素環」は、環形成モイエティであり、少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有するＣ_１－Ｃ_６０ヘテロ環基を意味する。

例えば、前記「π電子欠乏性含窒素環」は、ｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基であるか、ｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基のうち２以上が互いに縮合されているヘテロ多環基であるか、あるいはｉｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基のうち少なくとも一つと、少なくとも１つのＣ_５－Ｃ_６０炭素環基とが互いに縮合されているヘテロ多環基であってもよい。

前記π電子欠乏性含窒素環の具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン（purine）、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、アザカルバゾールなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

例えば、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１で表される化合物を含んでもよい。
＜化学式６０１＞
［Ａｒ_６０１］_ｘｅ１１－［（Ｌ_６０１）_ｘｅ１－Ｒ_６０１］_ｘｅ２１

前記化学式６０１で、
Ａｒ_６０１は、置換もしくは非置換のＣ_５－Ｃ_６０炭素環基、または置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロ環基であり、
ｘｅ１１は、１、２または３であり、
Ｌ_６０１は、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘｅ１は、０～５の整数のうちから選択され、
Ｒ_６０１は、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）（Ｑ_６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）のうちから選択され、
前記Ｑ_６０１～前記Ｑ_６０３は、互いに独立して、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基またはナフチル基であり、
ｘｅ２１は、１～５の整数のうちから選択される。

一実施例によれば、前記ｘｅ１１個のＡｒ_６０１、及びｘｅ２１個のＲ_６０１のうち少なくとも一つは、前述のようなπ電子欠乏性含窒素環を含んでもよい。

一実施例によれば、前記化学式６０１で環Ａｒ_６０１は、
ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、－Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；のうちから選択される環構造であってもよく、
前記Ｑ_３１～前記Ｑ_３３は、互いに独立して、Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちから選択されてもよい。

前記化学式６０１で、ｘｅ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ_６０１は、単結合を介して互いに連結されてもよい。

他の実施例によれば、前記化学式６０１でＡｒ_６０１は、アントラセン環であってもよい。

さらに他の実施例によれば、前記６０１で表される化合物は、下記化学式６０１－１によって表されてもよい：
＜化学式６０１－１＞

前記化学式６０１－１で、
Ｘ_６１４は、ＮまたはＣ（Ｒ_６１４）であり、Ｘ_６１５は、ＮまたはＣ（Ｒ_６１５）であり、Ｘ_６１６は、ＮまたはＣ（Ｒ_６１６）であり、Ｘ_６１４～Ｘ_６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ_６１１～Ｌ_６１３は、互いに独立して、前記Ｌ_６０１についての説明を参照し、
ｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して、前記ｘｅ１についての説明を参照し、
Ｒ_６１１～Ｒ_６１３は、互いに独立して、前記Ｒ_６０１についての説明を参照し、
Ｒ_６１４～Ｒ_６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。

一実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、Ｌ_６０１、及びＬ_６１１～Ｌ_６１３は、互いに独立して、
フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

他の実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、ｘｅ１及びｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して、０、１または２であってもよい。

さらに他の実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、Ｒ_６０１、及びＲ_６１１～Ｒ_６１３は、互いに独立して、
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；並びに
－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）；のうちから選択され、
前記Ｑ_６０１及びＱ_６０２についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。

前記電子輸送領域は、下記化合物ＥＴ１～ＥＴ３６のうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：

または、前記電子輸送領域は、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑ、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、ＮＴＡＺ、ＴＳＰＯ１（ジフェニル（４－（トリフェニルシリル）フェニル）－ホスフィンオキシド）、ＴＰＢＩ及びＤＰＥＰＯのうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよい。

前記バッファ層、正孔阻止層または電子調節層の厚みは、互いに独立して、約２０Å～約１，０００Å、例えば、約３０Å～約３００Åであってもよい。前記バッファ層、正孔阻止層または電子調節層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔阻止特性または電子調節特性を得ることができる。

前記電子輸送層の厚みは、約１００Å～約１，０００Å、例えば、約１５０Å～約５００Åであってもよい。前記電子輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。

前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域における電子輸送層）は、前述のような物質以外に、金属含有物質をさらに含んでもよい。

前記金属含有物質は、アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよい。前記アルカリ金属錯体の金属イオンは、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン、Ｒｂイオン及びＣｓイオンのうちからも選択され、前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンは、Ｂｅイオン、Ｍｇイオン、Ｃａイオン、Ｓｒイオン及びＢａイオンのうちから選択されてもよい。前記アルカリ金属錯体及び前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンに配位されたリガンドは、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン及びシクロペンタジエンのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

例えば、前記金属含有物質は、Ｌｉ錯体を含んでもよい。前記Ｌｉ錯体は、例えば、下記化合物ＥＴ－Ｄ１（リチウムキノレート（ＬｉＱ））またはＥＴ－Ｄ２を含んでもよい。

前記電子輸送領域は、カソード１２０からの電子注入を容易にする電子注入層を含んでもよい。前記電子注入層の仕事関数は、３．０ｅＶ未満であってもよい。前述の範囲を満足すれば、カソード１２０からの電子注入が非常に迅速に起こるので、電子と正孔との再結合は、発光層中心より正孔輸送領域側に偏ることになる。それにより、第１励起子消光層１３２が、アノード１１０と発光層１３１との間に位置すれば、さらに効果的に有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。

前記電子注入層は、前記カソード１２０と直接接触することができる。

前記電子注入層は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、またはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。

前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはそれらうちの任意の組み合わせを含んでもよい。

前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓのうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記アルカリ金属は、Ｌｉ、ＮａまたはＣｓであってもよい。他の実施例によれば、前記アルカリ金属は、ＬｉまたはＣｓであってもよく、これらに限定されるものではない。

前記アルカリ土類金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうちから選択されてもよい。

前記希土類金属は、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＧｄのうちから選択されてもよい。

前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物及び前記希土類金属化合物は、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属及び前記希土類金属の酸化物及びハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）のうちから選択されてもよい。

前記アルカリ金属化合物は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏのようなアルカリ金属酸化物、及びＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩのようなアルカリ金属ハロゲン化物のうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記アルカリ金属化合物は、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＮａＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

前記アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｂａ_ｘＳｒ_１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）、Ｂａ_ｘＣａ_１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）のようなアルカリ土類金属化合物のうちからも選択される。一実施例によれば、前記アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

前記希土類金属化合物は、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＳｃＯ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、ＧｄＦ_３及びＴｂＦ_３のうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記希土類金属化合物は、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＴｂＦ_３、ＹｂＩ_３、ＳｃＩ_３、ＴｂＩ_３のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体及び前記希土類金属錯体は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のイオンを含み、前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体及び前記希土類金属錯体の金属イオンに配位されたリガンドは、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン及びシクロペンタジエンのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

前記電子注入層は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはこれらのうちの任意の組み合わせだけからなるか、あるいは前記有機物をさらに含んでもよい。前記電子注入層が有機物をさらに含む場合、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属、前記希土類金属、前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物、前記希土類金属化合物、前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体、前記希土類金属錯体、またはそれらのうちの任意の組み合わせは、前記有機物からなるマトリックスに均一または不均一に分散されている。

具体的には、前記電子注入層は、希土類金属を含んでもよいが、これに限定されるものではない。さらに具体的には、前記電子注入層は、Ｙｂを含んでもよいが、これに限定されるものではない。Ｙｂのような希土類金属は、仕事関数が相対的に非常に低いために、カソード１２０からの電子注入を非常に迅速にすることができる。

前記電子注入層の厚みは、約１Å～約１００Å、約３Å～約９０Åであってもよい。前記電子注入層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入特性を得ることができる。

前述のような有機層１３０上部には、カソード１２０が配置されている。カソード１２０用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びそれらの組み合わせを使用することができる。

カソード１２０は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、ＩＴＯ及びＩＺＯのうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、それらに限定されるものではない。具体的には、カソード１２０は、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。

前記カソード１２０は、透過型電極、半透過型電極または反射型電極であってもよい。

前記カソード１２０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。

一実施例において、有機層１３０は、アノード１１０と第１励起子消光層１３２との間に介在された正孔輸送層を含み、第１励起子消光層１３２と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。その場合、第１励起子消光層１３２は、第１ベース物質を含み、前記第１ベース物質のＨＯＭＯレベルは、前記ホストのＨＯＭＯレベルよりも低い。それにより、第１励起子消光層１３２は、正孔阻止層の役割を同時に遂行することができる。

例えば、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。

他の実施例において、有機層１３０は、アノード１１０と第１励起子消光層１３２との間に介在された正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と第１励起子消光層１３２との間に介在された電子阻止層を含み、第１励起子消光層１３２と前記電子阻止層は、直接接触し、前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。

例えば、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。

図１のアノード１１０の下部（有機層と接しない一面）、またはカソード１２０の上部（有機層と接しない一面）には、基板が追加しても配置される。前記基板としては、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れるガラス基板またはプラスチック基板を使用することができる。

有機発光素子１がフルカラー有機発光素子である場合、発光層１３１は、個々の副画素毎に、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層にパターニングされる。または、発光層１３１は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうちから選択された２以上の層が接触または離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色光放出物質、緑色光放出物質及び青色光放出物質のうちから選択された２以上の物質が層の区別なしに混合された構造を有し、白色光を放出することができる。

図２は、発明の他の実施例による有機発光素子２の概略的な断面図である。図２を参照し、他の実施例による有機発光素子２の構造について詳細に説明するが、有機発光素子１との差異を中心に説明する。

図２を参照すると、有機発光素子２は、アノード２１０と、カソード２２０と、アノード２１０とカソード２２０との間に介在され、発光層２３１を含む有機層２３０と、を含み、アノード２１０と発光層２３１との間に介在され、発光層２３１と直接接触する第１励起子消光層２３２を含み、カソード２２０と発光層２３１との間に介在され、発光層２３２と直接接触する第２励起子消光層２３３を含み、発光層２３１は、ホスト及びドーパントを含み、第１励起子消光層２３２は、第１消光物質を含み、第２励起子消光層２３３は、第２消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント、前記第１消光物質及び前記第２消光物質は、下記式１－１、１－２、２－１及び２－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）

前記式１－１、１－２、２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記式２－１を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項のうち一部を第２励起子消光層に移動させることができる。これにより、前記発光層内の三重項濃度を適切に調節することができ、発光に関与せずに発光層内に存在する三重項の濃度を低くすることにより、前記有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。

前記式２－２を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項がいずれも第１励起子消光層に移動せず、前記発光層のドーパントにも移動することができるようにする。これにより、発光層内の三重項濃度が、目的とする発光効率を得ることができる程度に維持することができる。

具体的には、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１１及び／または２－２１をさらに満足することができるが、これらに限定されるものではない：
＜式２－１１＞
０．０１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｈ）≦２．０ｅＶ
＜式２－２１＞
０．０２ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｄ）≦２．０ｅＶ

前記式２－１１及び２－２１で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。

前記式２－１１をさらに満足する有機発光素子は、ホストから第２励起子消光層に移動する三重項対比で、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率及び寿命特性が同時に向上しうる。

前記式２－２１をさらに満足する有機発光素子は、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率がさらに向上しうる。

例えば、前記第１消光物質及び前記第２消光物質は、互いに同一であってもよく、これに限定されるものではない。

前記第２消光物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を第２励起子消光層に分散させるのに十分である。

前記第２消光物質は、前記化学式３によっても表されるが、それに限定されるものではない。

具体的には、前記第２消光物質は、前記化合物Ｑ１～前記化学式Ｑ３６のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。

第２励起子消光層２３３において、前記第２消光物質の含量は、０．０１重量％～２０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の寿命特性を改善させることができる程度に十分な量の三重項が、ホストから第２励起子消光層２３３に移動することができる。

第２励起子消光層２３３は、第２ベース物質をさらに含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記第２ベース物質は、第２励起子消光層２３３の電子輸送性を改善させることができる。

一実施例において、前記第２ベース物質は、前記ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。例えば、前記第２ベース物質は、電子輸送性ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。

第２励起子消光層２３３は、第２消光物質及び前記第２ベース物質からなってもよく、これに限定されるものではない。

第２励起子消光層２３３が第２ベース物質をさらに含む場合、前記第２励起子消光層において、前記第２ベース物質の含量は、９９．９９重量％～８０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、第２励起子消光層２３３の電子輸送性が十分に改善され、有機発光素子の駆動電圧が低くなる。

例えば、前記第２ベース物質は、Ｔ１（Ｂ２）≦Ｔ１（Ｈ）を満足することができ、ここで、Ｔ１（Ｂ２）は、前記第２ベース物質の最低励起三重項エネルギーレベルである。一方、前記第２ベース物質は、Ｔ１（Ｂ２）≦Ｔ１（Ｄ）を満足することができる。

他の例として、前記第２ベース物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｂ２）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を第１励起子消光層に分散させるのに十分である。

一実施例において、第２励起子消光層２３３の厚み（Ｄ_Ｑ２）と、発光層２３１の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ２でもある。具体的には、第２励起子消光層２３３の厚み（Ｄ_Ｑ２）と、発光層２３１の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ＞Ｄ_Ｑ２であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。

他の実施例において、第２励起子消光層２３３の厚みは、５０Å～２００Åであってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を実質的に高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。

一実施例において、有機層２３０は、カソード２２０と第２励起子消光層２３３との間に介在された電子輸送層を含み、第２励起子消光層２３３と前記電子輸送層は、直接接触することができる。この場合、第２励起子消光層２３３は、第２ベース物質を含み、前記第２ベース物質のＬＵＭＯレベルは、前記ホストのＬＵＭＯレベルよりも高い。これにより、第２励起子消光層２３３は、電子阻止層の役割を同時に遂行することができる。

例えば、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。

他の実施例において、有機層２３０は、カソード２２０と第２励起子消光層２３３との間に介在された電子輸送層を含み、前記電子輸送層と第２励起子消光層２３３との間に介在された正孔阻止層を含み、第２励起子消光層２３３と前記正孔阻止層は、直接接触し、前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。

例えば、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。

図２において、アノード２１０、カソード２２０及び有機層２３０についての説明は、図１についての説明を参照する。

一方、有機発光素子１及び有機発光素子２は、光が取り出される方向に位置したキャッピング層をさらに含んでもよい。該キャッピング層は、補強干渉の原理により、外部発光効率を向上させる役割を行うことができる。

該キャッピング層は、互いに独立して、有機物からなる有機キャッピング層、無機物からなる無機キャッピング層、または有機物及び無機物を含む複合キャッピング層であってもよい。

該キャッピング層は、炭素環化合物、ヘテロ環化合物、アミン系化合物、ポルフィン誘導体（porphine derivatives）、フタロシアニン誘導体（phthalocyanine derivatives）、ナフタロシアニン誘導体（naphthalocyanine derivatives）、アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体のうちから選択された少なくとも１つの物質を含んでもよい。前記炭素環化合物、ヘテロ環化合物及びアミン系化合物は、選択的に、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのうちから選択された少なくとも１つの元素を含む置換基によって置換されてもよい。

一実施例によれば、前記キャッピング層は、アミン系化合物を含んでもよい。

他の実施例によれば、前記キャッピング層は、前記化学式２０１で表される化合物、または前記化学式２０２で表される化合物を含んでもよい。

さらに他の実施例によれば、前記キャッピング層は、前記化合物ＨＴ２８～前記化合物ＨＴ３３、及び下記化合物ＣＰ１～下記化合物ＣＰ５のうちから選択された化合物を含んでもよいが、それらに限定されるものではない。

以上、前記有機発光素子について、図１及び２を参照して説明したが、これらに限定されるものではない。

前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層はそれぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザー熱転写（ＬＩＴＩ：laser induced thermal imaging）法のような多様な方法を利用し、所定領域にも形成される。

真空蒸着法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、蒸着条件は、例えば、約１００～約５００℃の蒸着温度、約１０^－８～約１０^－３ｔｏｒｒの真空度、及び約０．０１～約１００Å／ｓｅｃの蒸着速度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮しても選択される。

スピンコーティング法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、コーティング条件は、例えば、約２，０００ｒｐｍ～約５，０００ｒｐｍのコーティング速度、及び約８０℃～２００℃の熱処理温度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されてもよい。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基は、炭素数１～６０の線状または分枝状の脂肪族炭化水素一価基を意味し、具体的な例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒ－ブチル基、ペンチル基、ｉｓｏ－アミル基、ヘキシル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキレン基は、前記Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基は、前記Ｃ_２－Ｃ_６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素二重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体的な例には、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニレン基は、前記Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基は、前記Ｃ_２－Ｃ_６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素三重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体的な例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニレン基は、前記Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０アルコキシ基は、－ＯＡ_１０１（ここで、Ａ_１０１は、前記Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体的な例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。

本明細書において、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基は、Ｃ_３－Ｃ_１０一価飽和炭化水素単環基を意味し、その具体例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキレン基は、前記Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含むＣ_１－Ｃ_１０一価単環基を意味し、その具体例には、１，２，３，４－オキサトリアゾリジニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基は、前記Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基は、Ｃ_３－Ｃ_１０一価単環基であり、環内に少なくとも１つの二重結合を有するが、芳香族性（aromaticity）を有さない基を意味し、その具体例には、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基は、前記Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含むＣ_１－Ｃ_１０一価単環基であり、環内に少なくとも１つの二重結合を有する。前記Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基の具体例には、４，５－ジヒドロ－１，２，３，４－オキサトリアゾリル基、２，３－ジヒドロフラニル基、２，３－ジヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基は、前記Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基は、Ｃ_６－Ｃ_６０炭素環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ_６－Ｃ_６０アリーレン基は、Ｃ_６－Ｃ_６０炭素環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基の具体例には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基などが含まれる。前記Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基及びＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基が２以上の環を含む場合、前記２以上の環は、互いに縮合されうる。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロ環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロ環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基の具体例には、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基などが含まれる。前記Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基及びＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、互いに縮合されうる。

本明細書において、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基は、－ＯＡ_１０２（ここで、Ａ_１０２は、前記Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基である）を示し、前記Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基は、－ＳＡ_１０３（ここで、Ａ_１０３は、前記Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基である）を示す。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基は、－ＯＡ_１０４（ここで、Ａ_１０４は、前記Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基である）を示し、前記Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基は－ＳＡ_１０５（ここで、Ａ_１０５は、前記Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基である）を示す。
本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（non-aromaticity）を有する一価基（例えば、炭素数８～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族縮合多環基の具体例には、フルオレニル基などが含まれる。本明細書において、二価芳香族縮合多環基は、前記一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素以外に、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含み、分子全体が非芳香族性を有する一価基（例えば、炭素数１～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の具体例には、カルバゾリル基などが含まれる。本明細書において、二価芳香族ヘテロ縮合多環基は、前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基とは、環形成原子として炭素のみを含む、Ｃ_５－Ｃ_６０単環基またはＣ_５－Ｃ_６０多環基を意味する。前記Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基は、芳香族炭素環基または非芳香族炭素環基であってもよい。前記Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基は、ベンゼンのような環、フェニル基のような一価基、またはフェニレン基のような二価基であってもよい。または、前記Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基に連結された置換基の個数により、前記Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基は、三価基または四価基でもあるというように、多様な変形が可能である。

本明細書において、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロ環基とは、前記Ｃ_５－Ｃ_６０炭素環基と同一構造を有するものの、環形成原子として、炭素（炭素数は、１～６０でもある）以外に、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む基を意味する。

本明細書において、前述の置換されたＣ_５－Ｃ_６０炭素環基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０ヘテロ環基、置換されたＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキレン基、置換されたＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基、置換されたＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニレン基、置換されたＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリーレン基、置換された二価芳香族縮合多環基、置換された二価芳香族ヘテロ縮合多環基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０アルキル基、置換されたＣ_２－Ｃ_６０アルケニル基、置換されたＣ_２－Ｃ_６０アルキニル基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、置換されたＣ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、置換されたＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換されたＣ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換されたＣ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリール基、置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、置換されたＣ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、置換された一価非芳香族縮合多環基及び置換された一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の置換基のうち少なくとも一つは、
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基及びＣ_１－Ｃ_６０アルコキシ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）（Ｑ_１３）、－Ｎ（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）、－Ｂ（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_１１）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_１１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基及びＣ_１－Ｃ_６０アルコキシ基；
Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ_２１）（Ｑ_２２）（Ｑ_２３）、－Ｎ（Ｑ_２１）（Ｑ_２２）、－Ｂ（Ｑ_２１）（Ｑ_２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_２１）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_２１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_２１）（Ｑ_２２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；並びに
－Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、－Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、－Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、－Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択され、
前述のＱ_１１～Ｑ_１３、Ｑ_２１～Ｑ_２３、及びＱ_３１～Ｑ_３３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１－Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３－Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１－Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリール基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ_１－Ｃ_６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ_１－Ｃ_６０アルキル基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリール基、ビフェニリル基、及びターフェニリル基のうちからも選択される。

本明細書において、「Ｐｈ」は、フェニル基を意味し、「Ｍｅ」は、メチル基を意味し、「Ｅｔ」は、エチル基を意味し、「ｔｅｒ－Ｂｕ」または「Ｂｕｔ」は、ｔｅｒｔ－ブチル基を意味し、「ＯＭｅ」は、メトキシ基を意味する。

本明細書において、「ビフェニリル基」は、「フェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ビフェニリル基」は、置換基が「Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。

本明細書において、「ターフェニリル基」は、「ビフェニリル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ターフェニリル基」は、置換基が「Ｃ_６－Ｃ_６０アリール基で置換されたＣ_６－Ｃ_６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。

本明細書において、＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において、隣接する原子との結合サイトを意味する。

以下において、実施例を挙げ、本発明の一実施例による有機発光素子について、さらに具体的に説明する。

評価例１：最低励起三重項エネルギーレベル（Ｔ１）の測定
実施例１、２、及び比較例１～３で使用される下記化合物に対し、Ｔ１エネルギーレベルを測定し、その結果を下記表１に示した。

実施例１
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ^２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。

前記ガラス基板上部に、２－ＴＮＡＴＡを６００Å厚に真空蒸着し、正孔注入層を形成した後、続けて、ＨＡＴ－ＣＮを３００Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。

前記正孔輸送層上部に、化合物Ｑ２８及びＨＴ７を、５：９５の重量比で同時に蒸着し、１０Å厚に真空蒸着し、励起子消光層を形成した。

前記励起子消光層上部に、ＣＢＰ（ホスト）と化合物Ｔ１（ドーパント）とを、９５：５の重量比で同時に蒸着し、２９０Å厚の発光層を形成した。

次に、前記発光層上部に、ＥＴ１を３００Å厚に真空蒸着し、電子輸送層を形成した。前記電子輸送層上部に、Ｙｂを１０Å厚に真空蒸着し、電子注入層を形成し、Ａｌを真空蒸着し、３，０００Å（カソード）厚に真空蒸着し、有機発光素子を製造した。

実施例２
前記励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を作製した。

比較例１
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ^２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。

前記ガラス基板上部に、２－ＴＮＡＴＡを６００Å厚に真空蒸着し、正孔注入層を形成した後、続けて、ＨＡＴ－ＣＮを３００Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。

前記正孔輸送層上部に、ＣＢＰ（ホスト）と化合物Ｔ１（ドーパント）とを、９５：５の重量比で同時に蒸着し、２９０Å厚の発光層を形成した。

前記発光層上部に、化合物Ｑ２８及びＥＴ２を、５：９５の重量比で同時に蒸着し、１０Å厚の励起子消光層を形成した。

次に、前記励起子消光層上部に、ＥＴ１を３００Å厚に真空蒸着し、電子輸送層を形成した。前記電子輸送層上部に、Ｙｂを１０Å厚に真空蒸着し、電子注入層を形成し、Ａｌを真空蒸着し、３，０００Å（カソード）厚に真空蒸着し、有機発光素子を製造した。

比較例２
下記表２の材料を使用したことを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。

比較例３
下記表２の材料を使用し、励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。

評価例２
前記実施例１，２、及び比較例１～３で作製された有機発光素子の駆動電圧及び寿命（ＬＴ_５０）を、Keithley ＳＭＵ２３６及び輝度計ＰＲ６５０を利用して測定し、その結果を表２に示した。

前記表１から、実施例１及び２の有機発光素子は、比較例１～３より長寿命を有するということを確認することができる。

Claims (20)

1. アノードと、
   カソードと、
   前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層を含む有機層と、
   前記アノードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第１励起子消光層と、を含み、
   前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
   前記第１励起子消光層は、第１消光物質を含み、
   前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子：
   ＜式１－１＞
   Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
   ＜式１－２＞
   Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
   
   前記式１－１及び１－２で、
   Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
   Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
   Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
   前記第１消光物質は、下記化学式３で表される化合物である。
   ＜化学式３＞
   

   

   
   ＜化学式１０＞
   

   

   
   （前記化学式３及び１０で、
   Ｘ_１は、Ｎ－（Ｌ_４）_ａ４－（Ａｒ_１）_ｂ１、Ｏ及びＳのうちから選択され、
   Ａは、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _２０ 芳香族環であり、
   Ｌ _１ ～Ｌ _４ 、Ｌ _３１ 、及びＬ _３２ は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _６０ アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _６０ ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
   ａ１～ａ４、ａ３１及びａ３２は、互いに独立して、０、１、２及び３のうちから選択され、
   Ａｒ _１ 、Ａｒ _３１ 及びＡｒ _３２ は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _６０ アリール基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _６０ ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
   ｂ１、ｂ３１及びｂ３２は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
   Ａｒ _３１ とＡｒ _３２ は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
   Ｒ _１ ～Ｒ _４ は、互いに独立して、前記化学式１０で表される基、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _６０ アルキル基、置換もしくは非置換のＣ _２ －Ｃ _６０ アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ _２ －Ｃ _６０ アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _６０ アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ _２ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ _３ －Ｃ _１０ シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ _２ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _６０ アリール基、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _６０ アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ _６ －Ｃ _６０ アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ _１ －Ｃ _６０ ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ _１ ）（Ｑ _２ ）（Ｑ _３ ）、及び－Ｂ（Ｑ _１ ）（Ｑ _２ ）のうちから選択され、
   ｃ１は、互いに独立して、１、２、３及び４のうちから選択され、ｃ２は、１、２及び３のうちから選択され、ｃ３及びｃ４は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
   ｃ１が２以上である場合、Ｒ _１ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ２が２以上である場合、Ｒ _２ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ３が２以上である場合、Ｒ _３ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ４が２以上である場合、Ｒ _４ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
   Ｑ _１ ～Ｑ _３ は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、Ｃ _１ －Ｃ _６０ アルキル基、Ｃ _２ －Ｃ _６０ アルケニル基、Ｃ _２ －Ｃ _６０ アルキニル基、Ｃ _１ －Ｃ _６０ アルコキシ基、Ｃ _３ －Ｃ _１０ シクロアルキル基、Ｃ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルキル基、Ｃ _３ －Ｃ _１０ シクロアルケニル基、Ｃ _１ －Ｃ _１０ ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ _６ －Ｃ _６０ アリール基、Ｃ _１ －Ｃ _６０ ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。）
2. 前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含む、請求項１に記載の有機発光素子。
3. 前記第１励起子消光層の厚み（Ｄ_Ｑ１）と、前記発光層の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ１である、請求項１に記載の有機発光素子。
4. 前記ドーパントは、遅延蛍光または蛍光を放出する、請求項１に記載の有機発光素子。
5. 前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含む、請求項１に記載の有機発光素子。
6. 前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、
   前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストである、請求項５に記載の有機発光素子。
7. 前記発光層と前記カソードとの間に電子注入層をさらに含み、
   前記電子注入層の仕事関数は、３．０ｅＶ未満である、請求項１に記載の有機発光素子。
8. 前記電子注入層は、希土類金属を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
9. 前記電子注入層は、Ｙｂを含む、請求項７に記載の有機発光素子。
10. 前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、
    前記第１励起子消光層と前記正孔輸送層は、直接接触する、請求項１に記載の有機発光素子。
11. 前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、
    前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含み、
    前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一である、請求項１０に記載の有機発光素子。
12. 前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、
    前記正孔輸送層と前記第１励起子消光層との間に介在された電子阻止層を含み、
    前記第１励起子消光層と前記電子阻止層は、直接接触し、
    前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触する、請求項１に記載の有機発光素子。
13. 前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、
    前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、
    前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含み、
    前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一である、請求項１２に記載の有機発光素子。
14. 前記カソードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第２励起子消光層をさらに含み、
    前記第２励起子消光層は、第２消光物質を含み、
    前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１及び２－２を満足する、請求項１に記載の有機発光素子：
    ＜式２－１＞
    Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
    ＜式２－２＞
    Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
    
    前記式２－１及び２－２で、
    Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
    Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
    Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
15. 前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含む、請求項１４に記載の有機発光素子。
16. 前記第２励起子消光層の厚み（Ｄ_Ｑ２）と前記発光層の厚み（Ｄ_Ｅ）は、Ｄ_Ｅ≧Ｄ_Ｑ２である、請求項１４に記載の有機発光素子。
17. 前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、
    前記第２励起子消光層と前記電子輸送層は、直接接触する、請求項１４に記載の有機発光素子。
18. 前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、
    前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含み、
    前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一である、請求項１７に記載の有機発光素子。
19. 前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、
    前記電子輸送層と前記第２励起子消光層との間に介在された正孔阻止層を含み、
    前記第２励起子消光層と前記正孔阻止層は、直接接触し、
    前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触する、請求項１４に記載の有機発光素子。
20. 前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、
    前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、
    前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含み、
    前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一である、請求項１９に記載の有機発光素子。

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