JP7232763B2 - スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ - Google Patents
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Description
なお、以上の各実施形態に加えて以下の態様について付記する。
(付記1)
パッドコンディショナであって、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む作用面を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの前記表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは、第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は、前記キャリアの前記表面に隣接する、前記スペーサと、を備え、
前記少なくとも1つの砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、パッドコンディショナ。
(付記2)
前記少なくとも1つの砥粒要素は、金属母材中の超砥粒グリット、少なくとも85重量%の量のセラミック材料を含むセラミック体、及びダイヤモンドコーティングを含むセラミック体のうちの1つ以上を含む、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記3)
前記砥粒要素の前記複数の特徴部は高精度な形状の特徴部である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記4)
前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記5)
前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しく72度で間隔をあけて離間されている、請求項4に記載のパッドコンディショナ。
(付記6)
前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記7)
前記スペーサは前記キャリアの周囲の内側に同心円状に配置されている、請求項5に記載のパッドコンディショナ。
(付記8)
前記スペーサは複数のリブを更に含み、前記リブはそれぞれ前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項5に記載のパッドコンディショナ。
(付記9)
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記10)
前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は30度~60度である、請求項9に記載のパッドコンディショナ。
(付記11)
前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は45度である、請求項10に記載のパッドコンディショナ。
(付記12)
D1とD2との差は0.2mm以上である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記13)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記14)
前記スペーサ及び前記砥粒要素は前記キャリア上に接着剤を介して取り付けられている、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記15)
パッドコンディショナ用のスペーサであって、前記パッドコンディショナは、複数の取り付け領域と露出領域とを有する表面を有するキャリアと、前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、を含み、前記スペーサは、第1の表面と、前記第1の表面の反対側の第2の表面であって、前記キャリアに隣接する第2の表面とを含み、前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、スペーサ。
(付記16)
前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記17)
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は10度~80度である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記18)
D1とD2との差は0.2mm以上である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記19)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項15に記載のスペーサ。
(付記20)
ウェハ化学機械平坦化システムであって、
プラテンと、
前記プラテン上に配置され、研磨面を有するパッドと、
パッドコンディショナと、を備え、前記パッドコンディショナは、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、前記少なくとも1つの砥粒要素は、前記パッドに面する作用面であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む作用面を有する、前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は前記キャリアの前記表面に隣接する、前記スペーサと、を含み、
前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端は前記パッドの前記研磨面と接触しており、前記スペーサの前記第1の表面及び前記パッドの前記研磨面は、それらの間にギャップ(G)を有する、ウェハ化学機械平坦化システム。
(付記21)
前記砥粒要素の前記複数の特徴部は高精度な形状の特徴部である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記22)
前記パッドコンディショナの前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記23)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは前記キャリアの周囲の内側に同心円状に配置されている、請求項22に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記24)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは複数のリブを更に含み、前記リブはそれぞれ前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項22に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記25)
前記パッドコンディショナの前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記26)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は10度~80度である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記27)
前記ギャップ(G)は0.2mm以上である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記28)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記29)
前記スペーサは前記キャリア上に接着剤を介して取り付けられている、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
Claims (4)
- パッドコンディショナであって、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を含む作用面を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの前記表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは、第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は、前記キャリアの前記表面に隣接し、前記少なくとも1つの砥粒要素がコンディショニング対象のパッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触する、前記スペーサと、を備え、
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、
前記少なくとも1つの砥粒要素の最も高い研磨作用部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、パッドコンディショナ。 - 前記少なくとも1つの砥粒要素は、金属母材中の超砥粒グリット、少なくとも85重量%の量のセラミック材料を含むセラミック体、及びダイヤモンドコーティングを含むセラミック体のうちの1つ以上を含む、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
- パッドコンディショナ用のスペーサであって、前記パッドコンディショナは、複数の取り付け領域と露出領域とを有する表面を有するキャリアと、前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、を含み、前記スペーサは、第1の表面と、前記第1の表面の反対側の第2の表面であって、前記キャリアに隣接する第2の表面とを含み、前記少なくとも1つの砥粒要素がコンディショニング対象のパッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触し、前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、スペーサ。
- ウェハ化学機械平坦化システムであって、
プラテンと、
前記プラテン上に配置され、研磨面を有するパッドと、
パッドコンディショナと、を備え、前記パッドコンディショナは、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、前記少なくとも1つの砥粒要素は、前記パッドに面する作用面であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を含む作用面を有する、前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は前記キャリアの前記表面に隣接し、前記少なくとも1つの砥粒要素が前記パッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触する、前記スペーサと、を含み、
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、
前記砥粒要素の最も高い研磨作用部の前記遠位端は前記パッドの前記研磨面と接触しており、前記スペーサの前記第1の表面及び前記パッドの前記研磨面は、それらの間にギャップ(G)を有する、ウェハ化学機械平坦化システム。
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CN112757161B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-19 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种抛光载具的修整方法 |
US20230114941A1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-04-13 | Entegris, Inc. | Double-sided pad conditioner |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208575A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体研磨装置 |
US20030070756A1 (en) | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Yung-Tai Hung | Wafer carrier used for chemical mechanic polishing |
JP2014510645A (ja) | 2011-03-07 | 2014-05-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッドコンディショナー |
JP2015524358A (ja) | 2012-08-02 | 2015-08-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 精密に成形された構造部を有する研磨物品及びその作製方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2442129A (en) * | 1945-08-06 | 1948-05-25 | Norton Co | Diamond grinding wheel construction |
US5197249A (en) * | 1991-02-07 | 1993-03-30 | Wiand Ronald C | Diamond tool with non-abrasive segments |
JP3533046B2 (ja) * | 1996-07-18 | 2004-05-31 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体基板用研磨布のドレッサー |
KR19990081117A (ko) * | 1998-04-25 | 1999-11-15 | 윤종용 | 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법 |
US6203407B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
US6093085A (en) * | 1998-09-08 | 2000-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatuses and methods for polishing semiconductor wafers |
US20040072518A1 (en) * | 1999-04-02 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing |
US6498101B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-12-24 | Micron Technology, Inc. | Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies |
CN1314514C (zh) * | 2001-10-29 | 2007-05-09 | 旺宏电子股份有限公司 | 化学机械研磨装置的晶圆载具结构 |
JP2003175465A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンドコーティング切削工具 |
US7160178B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-01-09 | 3M Innovative Properties Company | In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article |
US6951509B1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-10-04 | 3M Innovative Properties Company | Undulated pad conditioner and method of using same |
JP2006075922A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨布用ドレッシング工具 |
CN104708539A (zh) * | 2007-09-28 | 2015-06-17 | 宋健民 | 具有镶嵌研磨块的cmp衬垫修整器和相关方法 |
US8801497B2 (en) * | 2009-04-30 | 2014-08-12 | Rdc Holdings, Llc | Array of abrasive members with resilient support |
CN101879702B (zh) * | 2009-05-05 | 2011-11-30 | 宋健民 | 组合式修整器及其制法 |
US8496511B2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-07-30 | 3M Innovative Properties Company | Cathodically-protected pad conditioner and method of use |
CN202180415U (zh) * | 2010-08-31 | 2012-04-04 | 深圳嵩洋微电子技术有限公司 | 化学机械抛光垫修整器 |
US8998678B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
DE102013206613B4 (de) * | 2013-04-12 | 2018-03-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur |
TWI546159B (zh) * | 2014-04-11 | 2016-08-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 可控制研磨深度之化學機械研磨修整器 |
TWI595973B (zh) * | 2015-06-01 | 2017-08-21 | China Grinding Wheel Corp | Chemical mechanical polishing dresser and its manufacturing method |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208575A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体研磨装置 |
US20030070756A1 (en) | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Yung-Tai Hung | Wafer carrier used for chemical mechanic polishing |
JP2014510645A (ja) | 2011-03-07 | 2014-05-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッドコンディショナー |
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Also Published As
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