JP7232763B2 - スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ - Google Patents

スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ Download PDF

Info

Publication number
JP7232763B2
JP7232763B2 JP2019533320A JP2019533320A JP7232763B2 JP 7232763 B2 JP7232763 B2 JP 7232763B2 JP 2019533320 A JP2019533320 A JP 2019533320A JP 2019533320 A JP2019533320 A JP 2019533320A JP 7232763 B2 JP7232763 B2 JP 7232763B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
spacer
pad
abrasive element
abrasive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019533320A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020501923A5 (ja
JP2020501923A (ja
Inventor
リン,イ-シャン
チェン トゥ,ポー
オー. シャンティ,ノア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of JP2020501923A publication Critical patent/JP2020501923A/ja
Publication of JP2020501923A5 publication Critical patent/JP2020501923A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7232763B2 publication Critical patent/JP7232763B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/02Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding rotationally symmetrical surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245Pads with fixed abrasives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0009Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/04Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
    • B24D3/06Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic metallic or mixture of metals with ceramic materials, e.g. hard metals, "cermets", cements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/06Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
    • B24D7/066Grinding blocks; their mountings or supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、ウェハ化学機械平坦化システムに対するパッドコンディショナのスペーサ、このようなスペーサを有するパッドコンディショナ、及びこのようなスペーサを有するパッドコンディショナを有するウェハ化学機械平坦化システムに関する。
化学機械平坦化(chemical mechanical planarization、CMP)はウェハ表面を平滑化するためのプロセスである。適切な研磨能力を得るために、パッドの表面を、パッドコンディショナがパッド表面上でパッド中心とパッドの縁との間を掃引することによってリフレッシュする。
CMPプロセスではダイヤモンドディスクパッドコンディショナが広く用いられている。しかし、ダイヤモンドディスクのダイヤモンドグリットが均一に埋め込まれていないと、CMP動作中にウェハ損傷が生じる。このような問題を解決するために、新しいタイプの化学気相成長法(chemical vapor deposition、CVD)パッドコンディショナが開発された(米国特許出願公開第20150209932(A1)号(Duy K Lehuuら)、同第20150087212(A1)号(Patrick Doeringら)、同第20160074993(A1)号(Joseph Smithら)、同第20160121454(A1)号(Jun Ho Songら)、同第20090224370(A1)号(David E.Slutz)、同第20110250826(A1)号(So Young Yoonら)、及び米国特許第5921856(A)号(Jerry W.Zimmer))。
ダイヤモンドディスクパッドコンディショナと比べて、CVDパッドコンディショナはいくつかの優位点を示す。例えば、ディスク寿命が長く、ウェハ欠陥率が低く、パッド摩耗レートが低く、ディスク一貫性が高い。しかし新しいタイプのパッドコンディショナのパッド表面上での掃引距離は、ダイヤモンドディスクパッドコンディショナの場合よりも短い。言い換えれば、新しいタイプのパッドコンディショナの掃引距離は、砥粒要素の数及び位置に制限される。
問題を解決するために、本発明では、化学機械平坦化プロセスにおいて適用されるCVDパッドコンディショナ用のスペーサを提供することを目的とする。本発明のパッドコンディショナにより、パッドコンディショナがパッドの縁上でスピンするときのパッド縁損傷(例えば、巻き上がる)を回避することができる。また、パッド直径を越えて掃引するパッドコンディショナ部分に起因して、パッド上に残る要素に対する下向きの力が増えることによって、より深い侵入深さ及びパッド縁付近の摩擦が生じることを、軽減することができる。
一実施形態では、本発明は、キャリアと、少なくとも1つの砥粒要素と、スペーサとを含むパッドコンディショナである。キャリアは露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含む。砥粒要素はキャリアの表面の取り付け領域上に配置され、作用面を有する少なくとも1つの砥粒要素は、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む。スペーサはキャリアの表面上に配置され、露出領域の少なくとも一部を覆っており、スペーサは第1の表面と第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、第2の表面はキャリアの表面に隣接している。少なくとも1つの砥粒要素の最も高い特徴部の遠位端とキャリアの表面との間の距離(D1)は、スペーサの第1の表面とキャリアの表面との間の距離(D2)よりも大きい。
別の実施形態では、本発明は、キャリアと少なくとも1つの砥粒要素とを含むパッドコンディショナ上に配置されたスペーサである。パッドコンディショナのキャリアは、複数の取り付け領域と露出領域とを有する表面を含む。砥粒要素は、キャリアの表面の取り付け領域上に配置されて、複数の特徴部を含む。スペーサは、互いに反対側の第1の表面及び第2の表面を含み、第2の表面はキャリアに隣接している。砥粒要素の最も高い特徴部の遠位端とキャリアの表面との間の距離(D1)は、スペーサの第1の表面とキャリアの表面との間の距離(D2)よりも大きい。
更に他の実施形態では、本発明は、プラテンと、プラテン上に配置されて研磨面を有するパッドと、パッドコンディショナとを含むウェハ化学機械平坦化システムである。パッドコンディショナは、キャリアと、少なくとも1つの砥粒要素と、スペーサとを含む。キャリアは露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含み、砥粒要素はキャリアの表面の取り付け領域上に配置されている。少なくとも1つの砥粒要素は、パッドに面する作用面であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む作用面を含む。スペーサはキャリアの表面上に配置されて、露出領域の少なくとも一部を覆っており、スペーサは、互いに反対側の第1の表面及び第2の表面を有し、第2の表面はキャリア表面に隣接している。砥粒要素の最も高い特徴部の遠位端はパッドの研磨面と接触しており、スペーサの第1の表面及びパッドの研磨面は、それらの間にギャップ(G)を有する。
本発明の一実施形態によるパッドコンディショナの概略図である。
図1のa-a’断面図である。
図2のゾーンbに対する拡大図である。
本発明の一実施形態によるウェハ化学機械平坦化システムの概略図である。
本発明の第2の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
本発明の第3の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
本発明の第4の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
本発明の第5の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
本発明の第6の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
本発明の第7の実施形態によるパッドコンディショナの平面図である。
比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 比較例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。
実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。 実施例1についての、異なる位置におけるディスクの傾斜度を示す図である。
比較例1及び実施例1の傾斜度の比較を示す図である。
本発明の実施形態について、添付の図面一式を用いて詳細に説明する。しかし、本発明は図面によって限定されず、他の形態で具体化してもよい。以下の説明の全体にわたって、同じ参照数字を用いて同じ又は同様の要素を示す。
ここで図1を参照して、化学機械平坦化(CMP)プロセス用のパッドコンディショナ1は、キャリア10と、少なくとも1つの砥粒要素12と、スペーサ14とを含む。キャリア10は、露出領域103と複数の取り付け領域105とを含む表面101を含む。この実施形態では、キャリア10は円形状であり、取り付け領域105はキャリア10の周囲の周りに等しい間隔で離間されている。
砥粒要素12はキャリア10の表面101の取り付け領域103上に接着剤を介して配置されているが、キャリア10の取り付け領域103に砥粒要素12を固定するための方法は限定されない。砥粒要素12は、キャリア10の周囲の周りに等しい間隔で離間されている。この実施形態では、キャリア10上に5つの砥粒要素が取り付けられており、つまり砥粒要素12はキャリア10の周囲の周りに等しく72度で間隔をあけて離間されている。しかし、砥粒要素12の数は限定されず、異なる要件に従って調整することができる。他の実施形態では、わずか1つの砥粒要素を含んでいてもよいし、又は16もの砥粒要素を含んでいてもよい。
砥粒要素12のうちの少なくとも1つは、複数の特徴部123が形成された作用面121を含む。この実施形態では、砥粒要素12はそれぞれ、作用面121上に形成された複数の特徴部123を有する(図2及び図3)。特徴部123はそれぞれ遠位端125を有し、砥粒要素12の最も高い特徴部123の遠位端125及びキャリア10の表面101は、それらの間に距離D1を有する。特徴部123は高精度な形状の特徴部であり、機械加工若しくは微細加工、ウォータージェット切断、射出成形、押出成形、微細複製、又はセラミック金型プレスなどの方法から形成することができる。しかし、特徴部123の形状は高精度な形状に限定されず、特徴部の形状は異なる研磨要件に従って変更することができる。本発明のいくつかの実施形態では、砥粒要素12には以下が含まれていてもよい。金属母材中の超砥粒グリット、少なくとも85重量%の量のセラミック材料を含むセラミック体、及びダイヤモンドコーティングを含むセラミック体。超砥粒グリットの例は立方晶窒化ホウ素(CBN)及びCVDダイヤモンドである。キャリア10及び砥粒要素12の詳細は、米国特許出願公開第20150209932(A1)号(Duy K.Lehuuら)に記載されている。なおこの文献は、本明細書において参照により組み込まれている。
キャリア10及び砥粒要素12に加えて、パッドコンディショナ1はスペーサ14を備える。スペーサ14はキャリア10の表面101上に配置されて、露出領域103の少なくとも一部を覆っている。スペーサ14は、互いに反対側の第1の表面141及び第2の表面143を含んでおり、スペーサ14の第2の表面143はキャリアの表面101に隣接している(図2に示す)。スペーサ14の第2の表面143は、例えば、3M(商標)VHB(商標)テープ又は3M(商標)SCOTCH-WELD(商標)エポキシ接着剤であるが、これらに限定されない接着剤を介してキャリア10に固定することができる。例えば、スペーサはキャリアと一体化することができる。キャリア10の表面101の露出領域103に対するスペーサ14の被覆率は、1.7%~100%の範囲であってもよい。
この実施形態では、スペーサ14は5葉型の形状であり、周囲に複数の凹部145があって砥粒要素12を収容している。しかし、スペーサ14の形状は限定されない。図5に示すように、スペーサ24は複数の開口部241を含んでいてもよく、各開口部241には砥粒要素12の1つが組み込まれている。スペーサ24の周囲は実質的に、キャリア10の外縁と位置合わせされているため、キャリア10の表面101の露出領域103に対するスペーサ24の被覆率は約100%である。
図5~図8を参照されたい。いくつかの他の実施形態では、スペーサ34、44、54は実質的に円形状又はリング状であり、キャリア10の周囲の内側に同心円状にキャリア上に配置されている。図6に示すように、スペーサ34は砥粒要素12とほぼ同じサイズであり、キャリア10の中心に配置されている。言い換えれば、スペーサ34の中心はキャリア10の中心と位置が合っている。この実施形態では、キャリア10の直径は約107.95mmであり、砥粒要素12の直径は約13.6mmであり、したがって、キャリア10の露出領域103に対するスペーサ34の被覆率は約1.7%である。
いくつかの他の実施形態では、スペーサをリング状とすることができる。図7を参照されたい。スペーサ44は円環状であり、キャリア10上に同心円状にキャリア10の周囲の内側に配置されている。砥粒要素12はスペーサ44の内縁の内側に配置され、スペーサの外縁はキャリア10の周囲の内側にある。しかしリングのサイズは限定されず、例えば、図8に示すように、円環状のスペーサ54は図7のそれよりも小さく、スペーサ54の外縁の直径は、砥粒要素が配設される円の直径よりも小さい。
更にいくつかの他の実施形態では、スペーサ64、74は複数のリブ641、741を含む。図9及び図10に示すように、スペーサ64は複数のリブ641を含み、リブ641、741のそれぞれは、キャリア10の周囲の周りに等しい間隔で離間され、1つの砥粒要素12が、隣接する2つのリブ641の間に配置される。言い換えれば、リブ641は放射状に配設されている。リブの形状は限定されず、例えば、矩形形状(図9に示す)又は三角形(図10に示す)とすることができる。また、リブ641は互いに離れていることもできるし(図9に示す)又は互いに接触していることもできる(図10に示す)。
これらの実施形態により、キャリアの表面の露出領域に対するスペーサの被覆率は、1.7%~100%の範囲であることを理解されたい。例えば、1.7%、5.0%、10.0%、15.0%、20.0%、25.0%、30.0%、35.0%、40.0%、45.0%、50.0%、55.0%、60.0%、65.0%、70.0%、75.0%、80.0%、85.0%、90.0%、90.0%、100.0%、又は1.7%~100.0%のパーセンテージのいずれかである。
ここで図2を参照して、スペーサ14は傾斜縁147を更に含み、傾斜縁147とキャリア10の表面101との間の角度Aは10~80度の範囲である。別の実施形態では、角度Aは30~60度の範囲である。他の実施形態では、角度Aは約45度である。スペーサ14には厚さがあり、言い換えれば、キャリア10の表面101上にスペーサ14が配置されたときに、第1の表面141とキャリア10の表面101との間には距離D2が存在する。距離D2はおよそ2.9mm~3.5mmの範囲である。砥粒要素12の研磨能力に対するスペーサ14の影響を回避するために、スペーサ14の第1の表面141とキャリア10の表面101との間の距離D2は、砥粒要素12の作用面121上の最も高い特徴部123の遠位端125の間の距離D1よりも小さい。いくつかの実施形態では、距離D1とD2との差は0.2mm~0.7mmの範囲である。例えば、距離D1とD2との差は0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、又は0.2mm~0.7mmの数のいずれかとすることができる。
スペーサ14は、CMPプロセスで用いる種々の種類のスラリーに対して耐久性があり、スラリー、パッド、又はパッドコンディショナ自体と相互作用しない材料で作製することができる。例えば、スペーサ14の材料は、ポリマー、例えばポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、ポリ(塩化ビニル)(PVC)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリアミド(PA)、ポリオキシメチレン(POM)、ポリ(ブチレンテレフタレート)(PBT)、ポリカーボネート(PC)、ポリ(フェニレンオキシド)(PPO)、ポリフェニレンスルファイド(PPS)、ポリ(プロピレンイミン)(PI)、液晶プラスチック(LCP)、ポリ(テトラフルオロエチレン)(PTFE)、ポリ(エーテルエーテルケトン)(PEEK)、多環芳香族樹脂(PAR)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)又はポリ(アミドイミド)(PAI)、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂(UF)、ポリウレタン(PU)、又はエポキシ樹脂から選択することができるがこれらに限定されない。他の実施形態では、スペーサ14の材料はセラミック例えばサファイア又はガラスを含むことができる。本発明の他の態様では、スペーサはブラシ材料例えばBRUSHLON製品(3M Company,USA)であってもよい。全般的に、パッドを研磨するときの下向きの力は約4~10ポンドであってもよく、15ポンドという大きさであってもよい。したがって、こうして、スペーサ14の硬度は好ましくは、これらの力に耐えるほど十分に硬くて、支持機能をもたらし、パッドコンディショナがパッド直径を越えて掃引した場合にパッドコンディショナのアンバランスを回避する。
スペーサを有するパッドコンディショナ1を、ウェハ化学機械平坦化(CMP)システムにおいて適用することができる。図4に示すように、ウェハ化学機械平坦化システム8は、プラテン81と、パッド82と、パッドコンディショナ1とを含む。パッド82はプラテン80上に配置され、研磨面821を含む。パッドコンディショナ1は図1のそれと同様であり、ここでは重複して説明しない。ウェハ化学機械平坦化システム8において、キャリア10の表面101はパッド82の研磨面821に面し、表面101は研磨面821と実質的に平行である。砥粒要素12の特徴部123はパッド82の研磨面821と接触して、研磨面821をコンディショニングする。砥粒要素12の最も高い特徴部123の遠位端125及びパッド82の研磨面821は、それらの間にギャップGを有する。いくつかの実施形態では、ギャップGは0.2mm以上だが0.7mm以下である。例えば、ギャップGは0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、又は0.2mm~0.7mmの数のいずれかとすることができる。
図4を参照されたい。パッドコンディショナ1がパッド82の縁にわたって掃引されるときに(例えば、砥粒要素12のうちの1つがパッドの縁を越えて進むときに)、パッドコンディショナ1のスペーサ14は、パッドコンディショナ1を支持してパッドコンディショナ1のバランスを保ち、パッド82に対するパッドコンディショナ1の傾斜を軽減することができる。したがって、振動に起因して生じるパッドの縁82の揺れ及びえぐりを抑えることができる。加えて、パッドコンディショナ1の掃引がパッド82の中心に戻ったときに、スペーサ14の傾斜縁147によってパッド82の縁の損傷を防ぐことができる。本発明のパッドコンディショナはまた、CMP性能(例えば、材料除去率)がウェハ表面にわたって一様となるように、パッドの縁をコンディショニングすることができる。
本発明を以下の実施例を用いて更に説明する。
比較例1:TRIZACT B25-2910-5S2ディスク(3M Company,St.Paul,MN,US)を、AMAT REFLEXIONツール(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,CA,US)上に配置した。このディスクにはスペーサはなかった。パッドはJSR CMP 9006-FPJパッド(JSR Corporation,Tokyo,JP)であった。ディスクをパッドの縁(外半径方向掃引位置)の付近に配置し(ステップ1)、そしてディスクを、6ポンドの下向きの力で接触するまで下げた(ステップ2)。ディスクの写真を取って傾斜の記録を取った(ステップ3)。ディスクを上げてパッドから離し、ディスク位置を外側に向けて増加させて傾斜の記録を取った(ステップ4)。ステップ3及び4を繰り返して傾斜の記録を取った。
実施例1:ディスク、ツール、及びパッドは、本発明のスペーサをディスクにVHBテープ(3M Company,St.Paul,MN,US)を介して取り付けたことを除き、比較例1のものと同じであった。スペーサは、PMMAで形成された5葉型形状のスペーサであった。スペーサの厚さは3mmであり、各円弧の弦長は47.2mmであった。比較例1に関して前述したステップ3及び4を繰り返して、傾斜を記録した。
結果を図11~図13に示す。少なくとも1つの要素がパッドによって支持されない点までディスクが広がったときに、スペーサがない比較例で多少の傾斜が明らかだった(図11(f)~(h))。スペーサがある場合、傾斜量は実質的に低減されている(図12及び図13)。
本発明を特定の実施形態に言及して詳細に説明してきたが、他の変形形態も可能である。したがって、添付の請求項の趣旨及び範囲が本明細書の説明及び図面に限定されることはない。当然のことながら、説明で用いた用語は特定の変形形態又は実施形態を説明するためだけのものであり、本発明の範囲を限定することは意図されていない。
なお、以上の各実施形態に加えて以下の態様について付記する。
(付記1)
パッドコンディショナであって、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む作用面を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの前記表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは、第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は、前記キャリアの前記表面に隣接する、前記スペーサと、を備え、
前記少なくとも1つの砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、パッドコンディショナ。
(付記2)
前記少なくとも1つの砥粒要素は、金属母材中の超砥粒グリット、少なくとも85重量%の量のセラミック材料を含むセラミック体、及びダイヤモンドコーティングを含むセラミック体のうちの1つ以上を含む、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記3)
前記砥粒要素の前記複数の特徴部は高精度な形状の特徴部である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記4)
前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記5)
前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しく72度で間隔をあけて離間されている、請求項4に記載のパッドコンディショナ。
(付記6)
前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記7)
前記スペーサは前記キャリアの周囲の内側に同心円状に配置されている、請求項5に記載のパッドコンディショナ。
(付記8)
前記スペーサは複数のリブを更に含み、前記リブはそれぞれ前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項5に記載のパッドコンディショナ。
(付記9)
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記10)
前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は30度~60度である、請求項9に記載のパッドコンディショナ。
(付記11)
前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は45度である、請求項10に記載のパッドコンディショナ。
(付記12)
D1とD2との差は0.2mm以上である、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記13)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記14)
前記スペーサ及び前記砥粒要素は前記キャリア上に接着剤を介して取り付けられている、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
(付記15)
パッドコンディショナ用のスペーサであって、前記パッドコンディショナは、複数の取り付け領域と露出領域とを有する表面を有するキャリアと、前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、を含み、前記スペーサは、第1の表面と、前記第1の表面の反対側の第2の表面であって、前記キャリアに隣接する第2の表面とを含み、前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、スペーサ。
(付記16)
前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記17)
前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は10度~80度である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記18)
D1とD2との差は0.2mm以上である、請求項15に記載のスペーサ。
(付記19)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項15に記載のスペーサ。
(付記20)
ウェハ化学機械平坦化システムであって、
プラテンと、
前記プラテン上に配置され、研磨面を有するパッドと、
パッドコンディショナと、を備え、前記パッドコンディショナは、
露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、前記少なくとも1つの砥粒要素は、前記パッドに面する作用面であって、それぞれが遠位端を有する複数の特徴部を含む作用面を有する、前記少なくとも1つの砥粒要素と、
前記キャリアの表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は前記キャリアの前記表面に隣接する、前記スペーサと、を含み、
前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端は前記パッドの前記研磨面と接触しており、前記スペーサの前記第1の表面及び前記パッドの前記研磨面は、それらの間にギャップ(G)を有する、ウェハ化学機械平坦化システム。
(付記21)
前記砥粒要素の前記複数の特徴部は高精度な形状の特徴部である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記22)
前記パッドコンディショナの前記砥粒要素は前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記23)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは前記キャリアの周囲の内側に同心円状に配置されている、請求項22に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記24)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは複数のリブを更に含み、前記リブはそれぞれ前記キャリアの周囲の周りに等しい間隔で離間されている、請求項22に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記25)
前記パッドコンディショナの前記キャリアの前記表面の前記露出領域に対する前記スペーサの被覆率は1.7%~100%である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記26)
前記パッドコンディショナの前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の前記角度(A)は10度~80度である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記27)
前記ギャップ(G)は0.2mm以上である、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記28)
前記スペーサの材料はポリマーである、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。
(付記29)
前記スペーサは前記キャリア上に接着剤を介して取り付けられている、請求項20に記載のウェハ化学機械平坦化システム。

Claims (4)

  1. パッドコンディショナであって、
    露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
    前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を含む作用面を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、
    前記キャリアの前記表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは、第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は、前記キャリアの前記表面に隣接し、前記少なくとも1つの砥粒要素がコンディショニング対象のパッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触する、前記スペーサと、を備え、
    前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、
    前記少なくとも1つの砥粒要素の最も高い研磨作用部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、パッドコンディショナ。
  2. 前記少なくとも1つの砥粒要素は、金属母材中の超砥粒グリット、少なくとも85重量%の量のセラミック材料を含むセラミック体、及びダイヤモンドコーティングを含むセラミック体のうちの1つ以上を含む、請求項1に記載のパッドコンディショナ。
  3. パッドコンディショナ用のスペーサであって、前記パッドコンディショナは、複数の取り付け領域と露出領域とを有する表面を有するキャリアと、前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を有する前記少なくとも1つの砥粒要素と、を含み、前記スペーサは、第1の表面と、前記第1の表面の反対側の第2の表面であって、前記キャリアに隣接する第2の表面とを含み、前記少なくとも1つの砥粒要素がコンディショニング対象のパッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触し、前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、前記砥粒要素の最も高い特徴部の前記遠位端と前記キャリアの前記表面との間の距離(D1)は、前記スペーサの前記第1の表面と前記キャリアの前記表面との間の距離(D2)よりも大きい、スペーサ。
  4. ウェハ化学機械平坦化システムであって、
    プラテンと、
    前記プラテン上に配置され、研磨面を有するパッドと、
    パッドコンディショナと、を備え、前記パッドコンディショナは、
    露出領域と複数の取り付け領域とを有する表面を含むキャリアと、
    前記キャリアの前記表面の前記取り付け領域上に配置された少なくとも1つの砥粒要素であって、前記少なくとも1つの砥粒要素は、前記パッドに面する作用面であって、それぞれが遠位端を有する複数の研磨作用部を含む作用面を有する、前記少なくとも1つの砥粒要素と、
    前記キャリアの表面上に配置され、前記露出領域の少なくとも一部を覆うスペーサであって、前記スペーサは第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面とを有し、前記第2の表面は前記キャリアの前記表面に隣接し、前記少なくとも1つの砥粒要素が前記パッドの縁部から外れた場合に前記パッドの研磨面に接触する、前記スペーサと、を含み、
    前記スペーサは傾斜縁を更に含み、前記傾斜縁と前記キャリアの前記表面との間の角度(A)は10度~80度であり、前記傾斜縁は前記第1の表面から前記第2の表面へ前記スペーサの半径方向外側に延びており、
    前記砥粒要素の最も高い研磨作用部の前記遠位端は前記パッドの前記研磨面と接触しており、前記スペーサの前記第1の表面及び前記パッドの前記研磨面は、それらの間にギャップ(G)を有する、ウェハ化学機械平坦化システム。
JP2019533320A 2016-12-21 2017-12-18 スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ Active JP7232763B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662437144P 2016-12-21 2016-12-21
US62/437,144 2016-12-21
PCT/IB2017/058053 WO2018116122A1 (en) 2016-12-21 2017-12-18 Pad conditioner with spacer and wafer planarization system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020501923A JP2020501923A (ja) 2020-01-23
JP2020501923A5 JP2020501923A5 (ja) 2021-02-12
JP7232763B2 true JP7232763B2 (ja) 2023-03-03

Family

ID=62626270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019533320A Active JP7232763B2 (ja) 2016-12-21 2017-12-18 スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190337119A1 (ja)
JP (1) JP7232763B2 (ja)
CN (1) CN110087809B (ja)
TW (1) TWI813551B (ja)
WO (1) WO2018116122A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706831B (zh) * 2020-02-10 2020-10-11 富仕多科技有限公司 用於研磨墊修整裝置之基座
CN112757161B (zh) * 2020-12-31 2022-04-19 上海超硅半导体股份有限公司 一种抛光载具的修整方法
US20230114941A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-13 Entegris, Inc. Double-sided pad conditioner

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208575A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Sony Corp 半導体研磨装置
US20030070756A1 (en) 2001-10-11 2003-04-17 Yung-Tai Hung Wafer carrier used for chemical mechanic polishing
JP2014510645A (ja) 2011-03-07 2014-05-01 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械平坦化パッドコンディショナー
JP2015524358A (ja) 2012-08-02 2015-08-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 精密に成形された構造部を有する研磨物品及びその作製方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2442129A (en) * 1945-08-06 1948-05-25 Norton Co Diamond grinding wheel construction
US5197249A (en) * 1991-02-07 1993-03-30 Wiand Ronald C Diamond tool with non-abrasive segments
JP3533046B2 (ja) * 1996-07-18 2004-05-31 新日本製鐵株式会社 半導体基板用研磨布のドレッサー
KR19990081117A (ko) * 1998-04-25 1999-11-15 윤종용 씨엠피 패드 컨디셔닝 디스크 및 컨디셔너, 그 디스크의 제조방법, 재생방법 및 세정방법
US6203407B1 (en) * 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
US6093085A (en) * 1998-09-08 2000-07-25 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatuses and methods for polishing semiconductor wafers
US20040072518A1 (en) * 1999-04-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing
US6498101B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
CN1314514C (zh) * 2001-10-29 2007-05-09 旺宏电子股份有限公司 化学机械研磨装置的晶圆载具结构
JP2003175465A (ja) * 2001-12-11 2003-06-24 Mitsubishi Materials Corp ダイヤモンドコーティング切削工具
US7160178B2 (en) * 2003-08-07 2007-01-09 3M Innovative Properties Company In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article
US6951509B1 (en) * 2004-03-09 2005-10-04 3M Innovative Properties Company Undulated pad conditioner and method of using same
JP2006075922A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨布用ドレッシング工具
CN104708539A (zh) * 2007-09-28 2015-06-17 宋健民 具有镶嵌研磨块的cmp衬垫修整器和相关方法
US8801497B2 (en) * 2009-04-30 2014-08-12 Rdc Holdings, Llc Array of abrasive members with resilient support
CN101879702B (zh) * 2009-05-05 2011-11-30 宋健民 组合式修整器及其制法
US8496511B2 (en) * 2010-07-15 2013-07-30 3M Innovative Properties Company Cathodically-protected pad conditioner and method of use
CN202180415U (zh) * 2010-08-31 2012-04-04 深圳嵩洋微电子技术有限公司 化学机械抛光垫修整器
US8998678B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
DE102013206613B4 (de) * 2013-04-12 2018-03-08 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur
TWI546159B (zh) * 2014-04-11 2016-08-21 中國砂輪企業股份有限公司 可控制研磨深度之化學機械研磨修整器
TWI595973B (zh) * 2015-06-01 2017-08-21 China Grinding Wheel Corp Chemical mechanical polishing dresser and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208575A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Sony Corp 半導体研磨装置
US20030070756A1 (en) 2001-10-11 2003-04-17 Yung-Tai Hung Wafer carrier used for chemical mechanic polishing
JP2014510645A (ja) 2011-03-07 2014-05-01 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械平坦化パッドコンディショナー
JP2015524358A (ja) 2012-08-02 2015-08-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 精密に成形された構造部を有する研磨物品及びその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI813551B (zh) 2023-09-01
JP2020501923A (ja) 2020-01-23
CN110087809A (zh) 2019-08-02
TW201829128A (zh) 2018-08-16
WO2018116122A1 (en) 2018-06-28
CN110087809B (zh) 2020-12-01
US20190337119A1 (en) 2019-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7232285B2 (ja) 特徴を含む内面を有する保持リング
JP7232763B2 (ja) スペーサ及びウェハ平坦化システムを有するパッドコンディショナ
JP5355563B2 (ja) 成形された断面形状を有するリテイナーリング
TWI417168B (zh) 在有機基質中結合超研磨顆粒的方法
TW201136708A (en) Retaining ring with shaped surface
TW200815154A (en) CMP pad having unevenly spaced grooves
KR102420066B1 (ko) Cmp를 위한 리테이닝 링
TWM459065U (zh) 硏磨墊以及硏磨系統
JP7368492B2 (ja) ディスクのセグメント設計
TWI426980B (zh) 具有溝槽以減少漿液之消耗之研磨墊及其製造方法
JP2018022877A (ja) 化学機械研磨コンディショナー及びその製造方法
US7131901B2 (en) Polishing pad and fabricating method thereof
TWI679083B (zh) 研磨墊
WO2023126760A1 (en) Pad conditioning disk with compressible circumferential layer
JPH11188642A (ja) ディスク状研削ホイール

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220125

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20220315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220920

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7232763

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150