JP7218420B2 - 光検出装置及び表示装置 - Google Patents
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Description
少なくとも1つの光センサを備えたセンサ部と、第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、前記光センサと対向する第1レンズを前記液晶層に形成するための電圧を印加する第1制御電極及び第2制御電極と、を備えた液晶素子と、前記センサ部及び前記液晶素子を制御する制御部と、を備えた光検出装置が提供される。
光センサを備えた第1基板と、前記光センサと対向する開口部を有する遮光体を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持され、前記光センサと前記開口部との間の第1領域、及び、前記第1領域とは異なる第2領域を有する液晶層と、前記第1領域に第1レンズを形成するための電圧を印加する第1制御電極及び第2制御電極と、前記第2領域に電圧を印加する第1表示電極及び第2表示電極と、を備えた表示装置が提供される。
光検出装置PDTは、センサ部SSと、液晶素子LDと、センサ部SS及び液晶素子LDを制御する制御部CTとを備えている。センサ部SS及び液晶素子LDの詳細については後述する。制御部CTは、タイミング制御部TCT、記憶部M、液晶制御部LCT、及び、センサ制御部SCT、を備えている。タイミング制御部TCTは、記憶部Mに記憶された各種データ等に基づいて液晶制御部LCT及びセンサ制御部SCTを制御する。記憶部Mは、一例では、後述する液晶層に所定形状のレンズを形成するために液晶層に印加すべき電圧に関するデータを記憶している。液晶制御部LCTは、液晶素子LDを制御するものであり、記憶部Mに記憶されたデータに基づいて液晶層に所定の電圧を印加する。センサ制御部SCTは、センサ部SSを制御するものであり、センサ部SSが備える光センサを駆動し、光センサからの出力を測定する。また、センサ制御部SCTは、光センサからの出力の測定結果を外部装置OTDに出力する。また、センサ制御部SCTは、液晶素子LDをフィードバック制御するために、測定結果を液晶制御部LCTに出力する。各部の制御例については後述する。
液晶素子LDは、第1基板51と、第2基板52と、液晶層53と、第1制御電極E1と、第2制御電極E2とを備えている。図示した例では、第1制御電極E1は第1基板51に設けられ、第2制御電極E2は第2基板52に設けられているが、第1制御電極E1及び第2制御電極E2がいずれも同一基板、つまり第1基板51または第2基板52に設けられてもよい。
第1基板51及び第2基板52は、非有効領域50Bにおいて、シール54によって接着されている。シール54は、導通材55を備えている。導通材55は、給電線513と第2制御電極E2との間に介在し、給電線513と第2制御電極E2とを電気的に接続している。
図3の(a)に示す第1基板51において、シール54は、枠状に形成されている。複数の第1制御電極E1は、シール54によって囲まれた内側に位置し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。第1制御電極E1の各々は、例えば、第2方向Yに延出した帯状電極である。なお、第1制御電極E1は、第1方向Xに延出した帯状電極であってもよいし、第1方向X及び第2方向Yにそれぞれ並んだ島状電極であってもよい。島状電極の形状は、四角形や六角形などの多角形、あるいは、円形などである。給電線513は、シール54と重なる位置において、第2方向Yに延出している。シール54に含まれる導通材55の少なくとも一部は、給電線513の上に重なっている。配線基板9は、第1基板51に接続され、第1制御電極E1及び給電線513の各々と液晶制御部LCTとを電気的に接続している。
ここでは、光の進行方向が第3方向Zに沿う場合に、第1方向Xに沿った振動面を有する直線偏光を第1偏光POL1と称し、第2方向Yに沿った振動面を有する直線偏光を第2偏光POL2と称する。なお、光の進行方向は、図示した例では、第3方向Zを示す矢印とは逆向きの方向である。第1偏光POL1は図中に横ストライプパターンを有する矢印で示し、第2偏光POL2は図中に斜めストライプパターンを有する矢印で示している。光Lは、例えば、ランダムな振動面を有する自然光であり、絶縁基板521の外面521Aから入射し、第2基板52から第1基板51に向かって進行するものとする。
第1レンズ5は、第1偏光POL1及び第2偏光POL2に対してそれぞれ異なる作用を有する。すなわち、第1レンズ5は、自然光Lのうち、第2偏光POL2をほとんど屈折することなく透過し、第1偏光POL1を屈折する。つまり、第1レンズ5は、主として第1偏光POL1に対して集束作用を発揮する。
図示した第1レンズ5は、法線Nに対して非対称なレンズである。第1レンズ5は、図の左側つまり第1制御電極E11乃至E13に亘る第1領域531と、図の右側つまり第1制御電極E14乃至E16に亘る第2領域532とでは、異なる屈折率分布を有している。このような第1レンズ5は、例えば、第1制御電極E11乃至E17のそれぞれの電圧を6V、5V、4V、3V、2V、1V、6Vに設定し、第2制御電極E2の電圧を0Vに設定することで形成可能である。
センサ部SSは、基板21と、基板21に実装された光センサ22とを備えている。図示した例では、センサ部SSは、1個の光センサ22を備えているが、複数個の光センサ22を備えていてもよい。液晶素子LDは、上記の通り、第1基板51と、第2基板52と、液晶層53とを備えており、詳細については上記の通りである。第1基板51及び第2基板52は、いずれも光透過性を有する。光センサ22の受光面22Aは、第1基板51の直下に位置している。受光面22Aは、第1基板51から離間していてもよいし、第1基板51に接触していてもよい。液晶層53に形成される第1レンズ5は、光センサ22と対向する。光センサ22は、液晶素子LDへの入射光が第1レンズ5によって集束される位置に配置されている。光センサ22は、受光した光の強度に応じた信号を出力する。センサ制御部SCTは、光センサ22からの出力を測定する。
図7の(a)に示した例は、法線Nとほぼ平行な方向から液晶素子LDに入射する光Lが第1レンズ5によって集束される状態を示している。図示した第1レンズ5は、液晶素子LDの法線Nに対して対称な形状のレンズである。図7の(b)に示した例は、法線Nに対して角度θ1をもって傾斜した方向から液晶素子LDに入射する光Lが第1レンズ5によって集束される状態を示している。図示した第1レンズ5は、液晶素子LDの法線Nに対して非対称な形状のレンズである。これらの形状の第1レンズ5は、液晶制御部LCTが液晶素子LDを制御することによって形成される。なお、図示したように集束される光は、図5を参照して説明したように、主に第1偏光POL1である。
制御部CTは、液晶制御部LCTの制御によって形成される第1レンズ5の形状と、センサ制御部SCTによって測定される光センサ22からの出力とに基づいて、光Lの入射方向を判定することができる。このような制御部CTによる制御例について、以下に説明する。
制御部CTにおいて、液晶制御部LCTは、タイミング制御部TCTによる制御に基づき所定のタイミングで記憶部Mから読み出した第1電圧V1を液晶層53に印加する(ステップST11)。これにより、液晶層53には、第1形状の第1レンズ5Lが形成される。一例では、図9の(a)に示すように、第2制御電極E2の電圧に対して、第1方向Xに並んだ第1制御電極E11乃至E17のそれぞれの電圧が順に小さくなるように設定された状態では、第1制御電極E11乃至E17に亘る非対称な第1レンズ5Lが形成される。このときに第1制御電極E11乃至E17、及び、第2制御電極E2に供給される電圧は、第1レンズ5Lを形成するための第1電圧V1に相当する。
そして、センサ制御部SCTは、第1レンズ5Lが形成された状態で光センサ22からの出力を測定する(ステップST12)。
そして、センサ制御部SCTは、第1レンズ5Mが形成された状態で光センサ22からの出力を測定する(ステップST14)。
そして、センサ制御部SCTは、第1レンズ5Rが形成された状態で光センサ22からの出力を測定する(ステップST16)。その後、センサ制御部SCTは、それぞれのタイミングで測定した出力を比較し、最大の出力が得られる方向を光の入射方向として判定する(ステップST17)。例えば、図9の(a)に示した第1形状の第1レンズ5Lが形成された状態で最大出力が得られた場合には、光の入射方向は、法線Nに対して図中の左側に角度θ11をもって傾斜した方向として判定することができる。また、図9の(b)に示した第2形状の第1レンズ5Mが形成された状態で最大出力が得られた場合には、光の入射方向は、法線Nに沿った方向として判定することができる。また、図9の(c)に示した第3形状の第1レンズ5Rが形成された状態で最大出力が得られた場合には、光の入射方向は、法線Nに対して図中の右側に角度θ12をもって傾斜した方向として判定することができる。
液晶層53に形成される第1レンズ5は、光センサ221乃至225と対向する。本構成例においては、第1レンズ5の形状は変化しない。つまり、液晶層53に印加される電圧は一定であり、例えば、第1制御電極E1及び第2制御電極E2には、上記の第1レンズ5Mを形成するための第2電圧V2が供給される。
このように、第1レンズ5の形状が変化しない構成であっても、その直下に配置した複数の光センサ22からの出力を比較することにより、光Lの入射方向を判定することができる。また、第1レンズ5の形状を変化させる必要がないため、第1レンズ5を形成するための制御を簡素化することができる。なお、図7の構成例と同様に形状を可変できる第1レンズ5と、複数の光センサ22を備えた図10の構成例とを組み合わせてもよい。
図11に示した例では、第1レンズ5は、第2方向Yに沿った母線を有する曲面を備え、第3方向Zに突出した凸レンズである。複数の光センサ22は、第1方向Xに並んでいる。図示した第1レンズ5は、光の入射方向に応じて集束位置が第1方向Xにシフトする。このため、第1方向Xに並んだ光センサ22からの出力を比較することで、第1方向X及び第3方向Zによって規定されるX-Z平面における光Lの入射方向を判定することができる。
図12に示した例では、第1レンズ5は、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX-Y平面においてほぼ円形であり、第3方向Zに突出した凸レンズである。複数の光センサ22は、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に並んでいる。図示した第1レンズ5は、光の入射方向に応じて集束位置が第1方向X及び第2方向Yにシフトする。このため、マトリクス状に並んだ光センサ22からの出力を比較することで、第3方向Zを中心とした光Lの入射方位を判定することができる。
図13に示した例では、第1レンズ5Xは、第1方向Xに沿った母線を有する曲面を備え、第3方向Zに突出した凸レンズである。第1レンズ5Yは、第2方向Yに沿った母線を有する曲面を備え、第3方向Zに突出した凸レンズである。第1レンズ5X及び5Yは、第3方向Zに並んでいる。複数の光センサ22は、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に並んでいる。このような例においても、図12に示した例と同様に、第3方向Zを中心とした光Lの入射方位を判定することができる。
まず、光検出装置PDTは、図7乃至図9を参照して説明した構成例、あるいは、図10乃至図13を参照して説明した構成例により、光の入射方向を判定する(ステップST21)。そして、光検出装置PDTは、判定した光の入射方向に基づいて、光源、すなわち、太陽がソーラーパネルSPNLの正面に位置しているか否かを判断する(ステップST22)。すなわち、光検出装置PDTは、判定した光の入射方向が光検出装置PDTの法線N1と平行であるか否かを判断することにより、光源が正面に位置しているか否かを判断する。光源が正面に位置している(つまり、判定した入射方向と法線N1とが平行である)と判断された場合には(ステップST22、Yes)、再び、ステップST21に戻る。一方、光源が正面に位置していない(つまり、判定した入射方向が法線N1と平行でない)と判断された場合には(ステップST22、No)、回転機構RTMが駆動される(ステップST23)。回転機構RTMは、ソーラーパネルSPNLの法線N2が光源を向くように支持体SPBを回転させる。
このような制御により、その位置が変動する光源に追随して、ソーラーパネルSPNLを光源に向けることができ、太陽エネルギーの利用効率を向上することができる。
一例では、第3制御電極E3は、第1制御電極E1と同様に第1基板51に設けられ、第1制御電極E1と同一材料によって形成可能である。第4制御電極E4は、第2制御電極E2と同様に第2基板52に設けられ、第2制御電極E2と同一材料によって形成可能である。また、第2制御電極E2及び第4制御電極E4は、一体に形成されてもよい。第3制御電極E3及び第4制御電極E4は、ITOやIZOなどの透明導電材料によって形成されている。第3制御電極E3は、図3に示した第1制御電極E1と同様に、第2方向Yに延出した帯状電極である。第4制御電極E4は、図3に示した第2制御電極E2と同様に、四角形状の平板電極である。第3制御電極E3及び第4制御電極E4は、液晶層53に第2レンズ6を形成するための電圧を印加する。液晶層53に形成される第2レンズ6は、変調素子MDと対向する。変調素子MDのうち、変調部MAは、第2レンズ6によって光が集束される位置に配置されている。変調部MAの幅W1は、第2レンズ6の第1方向Xに沿った幅(あるいは、第2レンズ6を形成するための第3制御電極E3の間隔)W3よりも小さい。なお、図中の実線の矢印は第1方向Xに沿った振動面を有する第1偏光POL1を示し、図中の点線の矢印は第2方向Yに沿った振動面を有する第2偏光POL2を示している。また、第2レンズ6は、図9を参照して説明した第1レンズ5と同様に、第3制御電極E3及び第4制御電極E4に供給される電圧を制御することで、その形状を自在に変化させることができる。
一方、液晶素子LDに入射する光のうち、第2偏光POL2は、図の右側に示すように、第2レンズ6によってほとんど集束されずに変調素子MDに入射する。第2偏光POL2は、変調部MA及び無変調部NMAに入射する。上記の通り、無変調部NMAは変調部MAよりも大きいため、変調素子MDに入射した光のうち、無変調部NMAに入射した光は、変調部MAに入射した光よりも多い。つまり、変調素子MDに入射した第2偏光POL2のほとんどは、無変調部NMAで変調されることなく偏光面を維持した状態で透過する。変調素子MDに入射した第2偏光POL2の一部は、変調部MAに入射し、第1偏光POL1に変換される。このように、液晶素子LDに入射した第2偏光POL2は、そのほとんどが第2偏光POL2のまま変調素子MDを透過する。
このような構成例によれば、液晶素子LDに入射する光の偏光方向にかかわらず、変調素子MDを透過した光の偏光方向を概ね揃えることが可能となる。偏光方向が揃った光は、例えば、液晶表示装置の照明光として好適である。
変調素子MDは、第3基板61と、第4基板62と、液晶層63と、第5制御電極E5と、第6制御電極E6と、を備えている。図示した例では、第5制御電極E5は第3基板61に設けられ、第6制御電極E6は第4基板62に設けられているが、第5制御電極E5及び第6制御電極E6がいずれも同一基板、つまり第3基板61または第4基板62に設けられてもよい。
第3基板61及び第4基板62は、非有効領域60Bにおいて、シール64によって接着されている。シール64は、導通材65を備えている。導通材65は、給電線613と第6制御電極E6との間に介在し、給電線613と第6制御電極E6とを電気的に接続している。
つまり、第5制御電極E51、E53、E55の各々と第6制御電極E6とが対向する領域は、図17に示した無変調部NMAに相当し、第5制御電極E52及びE54の各々と第6制御電極E6とが対向する領域は、図17に示した変調部MAに相当する。
まず、制御部CTは、図7乃至図9を参照して説明した構成例、あるいは、図10乃至図13を参照して説明した構成例のように、光センサ22からの出力に基づいて、光の入射方向を判定する(ステップST31)。そして、制御部CTは、液晶素子LDを制御して、判定した入射方向からの入射光を変調部MAに集束させるように第2レンズ6を形成する(ステップST32)。特定の形状に形成された第2レンズ6は、光の入射方向に応じて集束位置がシフトする。ここに説明する制御例は、光の入射方向にかかわらず、集束位置を固定すべく、第2レンズ6の形状を変化させるものである。つまり、制御部CTは、変調部MAが集束位置となる所望の形状の第2レンズ6を形成するように、第3制御電極E3及び第4制御電極E4に供給する電圧を制御する。
このような制御により、変調部MAの位置が固定されていても、光の入射方向にかかわらず、変調素子MDを透過した光の偏光方向を概ね揃えることが可能となる。
まず、制御部CTは、図7乃至図9を参照して説明した構成例、あるいは、図10乃至図13を参照して説明した構成例のように、光センサ22からの出力に基づいて、光の入射方向を判定する(ステップST41)。そして、制御部CTは、変調素子MDを制御して、判定した入射方向からの入射光を、第2レンズ6が集束させる位置に変調部MAを形成する(ステップST42)。ここに説明する制御例は、第2レンズ6の形状を可変させない場合に、光の入射方向に応じてシフトする集束位置に追随すべく、変調部MAの位置を変化させるものである。つまり、制御部CTは、入射光の集束位置に変調部MAを形成するように、第5制御電極E5及び第6制御電極E6に供給する電圧を制御する。
このような制御により、第2レンズ6の形状が固定されていても、光の入射方向にかかわらず、変調素子MDを透過した光の偏光方向を概ね揃えることが可能となる。
このような構成例においても、上記構成例と同様の効果が得られる。
表示装置DSPは、画像を表示する表示エリアDAと、表示エリアDAを囲む非表示エリアNDAと、を備えている。表示エリアDAは、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示装置DSPは、表示エリアDAにおいて、複数本の走査線(ゲート線ともいう)G(G1~Gn)、複数本の信号線(データ配線あるいはソース線ともいう)S(S1~Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。走査線駆動回路GD、信号線駆動回路SD、及び、共通電極駆動回路CDは、制御部CTによって制御される。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。
画素電極PEは、スイッチング素子SWに電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素電極PEと対向している。これらの画素電極PE及び共通電極CEは、液晶層13に電圧を印加する第1表示電極及び第2表示電極として機能する。画素電極PE及び共通電極CEは、ITOやIZOなどの透明導電材料によって形成されている。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
なお、ここでは表示装置DSPの詳細な構成については説明を省略するが、表示装置DSPは、TN(Twisted Nematic)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード、OCB(Optically Compensated Bend)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード、VA(Vertical Aligned)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、IPS(In-Plane Switching)モードなどの各種モードのいずれかに対応した構成を有している。また、各画素PXがアクティブ方式で駆動される場合について説明したが、各画素PXがパッシブ方式で駆動されてもよい。
光センサ22は、表示装置DSPに内蔵されている。図示した例では、光センサ22は、非表示エリアNDAに配置されている。光センサ22は、制御部CTによって制御される。
非表示エリアNDAの一部を拡大すると、光センサ22は、遮光体BMに形成された開口部OPに重なっている。図中の(a)に示した例では、開口部OPは、円形状のピンホールである。図中の(b)に示した例では、開口部OPは、第2方向Yに延出したスリット状に形成されている。いずれの例においても、光センサ22及び開口部OPは、シールSEよりも表示エリアDA側に位置している。
第1基板SUB1は、絶縁基板100、絶縁膜110、配向膜120、スイッチング素子SW、画素電極PE、光センサ22、第1制御電極E1などを備えている。絶縁基板100及び絶縁膜110は、いずれも透明である。表示エリアDAにおいて、スイッチング素子SWは、絶縁基板100と絶縁膜110との間に配置されている。画素電極PEは、絶縁膜110と配向膜120との間に配置され、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。
非表示エリアNDAにおいて、光センサ22は、絶縁基板100と絶縁膜110との間に配置されている。光センサ22は、一例では、PINフォトダイオードであり、スイッチング素子SWを形成する過程で形成可能である。第1制御電極E1は、絶縁膜110と配向膜120との間に配置されている。図示した例では、画素電極PE及び第1制御電極E1は、同一層に位置しており、同一材料によって形成可能である。一例では、画素電極PEは、反射電極であり、アルミニウム、銀などの反射性を有する金属材料によって形成されている。なお、画素電極PEは、ITOなどによって形成された透明電極であってもよい。
非表示エリアNDAにおいて、遮光体BMは、絶縁基板200と配向膜240との間に配置され、開口部OPを有する。開口部OPは、光センサ22と対向する位置に形成されている。第2制御電極E2は、開口部OPにおいて、絶縁基板200と配向膜240との間に配置されている。第2制御電極E2は、共通電極CEと同一材料によって形成可能である。
また、画素電極PE及び共通電極CEは、液晶層LCのうち、第2領域LC2に電圧を印加する。これにより、第2領域LC2のリタデーションが変化する。すなわち、第2領域LC2に電圧が印加されないオフ状態と、第2領域LC2に電圧が印加されたオン状態とでは、液晶層LCに含まれる液晶分子の配向状態が異なり、リタデーションが変化する。画素電極PEが反射電極であり、共通電極CEが透明電極である反射型表示装置DSPにおいては、オン状態とオフ状態とでのリタデーションの相違により、第2基板SUB2を介して入射した外光を選択的に反射し、画像を表示する。
また、光センサ22からの出力に基づき、上記した光検出装置PDTの如く、光の入射方向を判定することができるため、観察者にとって表示装置DSPを視認しやすい方向に表示装置DSPを向けることができる。例えば、外光が表示装置DSPで正反射されたときに、外光の光源が観察者から視認されないように、表示装置DSPの向きを制御することで、表示された画像の視認性を向上することができる。なお、表示装置DSPの向きを制御する手法については、図14及び図15を参照して説明したソーラーシステムSSYSの制御例が適用できる。
SS…センサ部 22…光センサ
LD…液晶素子 E1…第1制御電極 E2…第2制御電極 E3…第3制御電極 E4…第4制御電極
CT…制御部 M…記憶部
MD…変調素子 MA…変調部 NMA…無変調部 E5…第5制御電極 E6…第6制御電極
DSP…表示装置 PE…画素電極(第1表示電極) CE…共通電極(第2表示電極) LC…液晶層 LC1…第1領域 LC2…第2領域 210…透明絶縁層
Claims (3)
- 複数の光センサを有するセンサ部と、
第1液晶素子と、
前記センサ部と前記第1液晶素子との間に設けられた第2液晶素子と、
前記センサ部、前記第1液晶素子、及び、前記第2液晶素子を制御する制御部と、
を備えた検出装置であって、
前記第1液晶素子は、第1液晶層に電圧を印加することで前記第1液晶層にレンズを形成し、
前記第2液晶素子は、複数の電極を有する第1基板と、電極を有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた第2液晶層と、を有し、
前記複数の電極のそれぞれに電圧を印加することにより、前記第2液晶層に変調部と無変調部と形成し、
前記制御部は、前記複数の光センサからの出力をそれぞれ測定し、前記光センサからの出力に基づいて前記第1液晶素子を制御し、前記変調部に入射光を集束させる前記レンズを形成する、検出装置。 - 前記制御部は、前記光センサからの出力に基づいて前記第2液晶素子を制御し、前記レンズが入射光を集束させる位置に前記変調部を形成する、請求項1に記載の検出装置。
- 前記制御部は、断面視において前記第1液晶素子の法線に関して線対称形状の前記レンズを前記第1液晶層に形成するための第1電圧、及び、断面視において前記第1液晶素子の法線に関して非対称形状の前記レンズを前記第1液晶層に形成するための第2電圧を記憶した記憶部をさらに備えた、請求項1に記載の検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021196178A JP7218420B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-12-02 | 光検出装置及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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