JP7217182B2

JP7217182B2 - 弾性表面波センサ及び弾性表面波センサの製造方法

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Publication number: JP7217182B2
Application number: JP2019047774A
Authority: JP
Inventors: 幹博後藤
Original assignee: Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2019-03-14
Filing date: 2019-03-14
Publication date: 2023-02-02
Anticipated expiration: 2039-03-14
Also published as: JP2020148686A

Description

本開示は、弾性表面波の伝搬損失を低減する技術に関する。

溶液中の溶質の濃度（例えば、血液中の抗原の濃度等。）を測定するために、弾性表面波センサを利用している（例えば、特許文献１等を参照。）。具体的には、被測定物である液体の導入の前後における、弾性表面波の伝搬振幅又は伝搬位相の変化に基づいて、溶液中の溶質の濃度を測定する。そのために、弾性表面波センサは、櫛形電極及び検出領域を備える。櫛形電極は、圧電基板上に形成され、弾性表面波を送信、受信又は反射する。検出領域は、圧電基板上に形成され、被測定物である液体を導入される。

特開２０１５－１４１１６５号公報

ここで、被測定物である液体が検出領域から櫛形電極へと侵入したときは、電気信号はショートするため、櫛形電極は電気信号と弾性表面波との間の変換を行うことができない。よって、機械的なつまり非電気的な反射のみを使用する弾性表面波の反射は行われるが、電気信号と弾性表面波との間の変換を使用する信号の送受信は成り立たない。そのために、弾性表面波センサは、封止ダムを備える。封止ダムは、櫛形電極と検出領域との境界近傍の櫛形電極上（つまり、ダミー電極上。）に形成され、被測定物である液体の検出領域から櫛形電極への侵入を防止する。

そして、弾性表面波センサに封止ダムを備えないときは、櫛形電極のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比を０．５に設定することにより、弾性表面波センサ全体での弾性表面波の伝搬損失を極小化することができる。一方で、弾性表面波センサに封止ダムを備えるときは、弾性表面波の伝搬損失として封止ダムによるものが加わる。このとき、封止ダム下に形成される櫛形電極のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比を０．５に設定したとしても、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失を極小化することができないことを発明者は見出した。

そこで、前記課題を解決するために、本開示は、弾性表面波センサに封止ダムを備えるときに、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失を極小化することを目的とする。

前記課題を解決するために、封止ダム下に形成される櫛形電極のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比を、封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に対して、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失が極小化されるように設定する。

具体的には、本開示は、弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備え、前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比は、前記封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に対して、前記封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失が極小化されるような値を有することを特徴とする弾性表面波センサである。

また、本開示は、弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備える弾性表面波センサを製造することに先立って、前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比を、前記封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に対して、前記封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失が極小化されるように設定することを特徴とする弾性表面波センサの製造方法である。

これらの構成によれば、封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に応じて、封止ダム下に形成される櫛形電極のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比を最適化するため、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失を極小化することができる。

また、本開示は、弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備え、前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比は、０．５より小さい値を有することを特徴とする弾性表面波センサである。

また、本開示は、弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備える弾性表面波センサを製造することに先立って、前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比を、０．５より小さい値に設定することを特徴とする弾性表面波センサの製造方法である。

これらの構成によれば、封止ダム下に形成される櫛形電極のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比を０．５より小さくするため、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失を極小化したうえで、封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅を広げて（図４及び図５の第３段を参照。）、封止ダムの強度を高くすることができる。

このように、本開示は、弾性表面波センサに封止ダムを備えるときに、封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失を極小化することができる。

本開示の弾性表面波センサの構成を示す図である。本開示の弾性表面波センサの製造方法を示す図である。本開示の弾性表面波センサの伝搬損失の実験結果又は計算結果を示す図である。本開示の弾性表面波センサの伝搬損失の極小化方法を示す図である。本開示の弾性表面波センサの伝搬損失の極小化方法を示す図である。

添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本開示の実施の例であり、本開示は以下の実施形態に制限されるものではない。

本開示の弾性表面波センサの構成を図１に示す。図１の上段及び下段には、それぞれ、弾性表面波センサＳの透視平面図及び側面Ａ－Ａ断面図を示す。弾性表面波センサＳは、圧電基板１、櫛形電極２、検出領域３、封止ダム４及びカバーガラス５を備える。

圧電基板１は、３６Ｙ－９０Ｘ水晶基板等である。櫛形電極２は、金薄膜等であり、圧電基板１上に形成され、弾性表面波を送信、受信又は反射する。検出領域３は、金薄膜等であり、圧電基板１上に形成され、被測定物である液体を導入される。

封止ダム４は、ＳＵ－８フォトレジスト等であり、櫛形電極２と検出領域３との境界近傍の櫛形電極２上（つまり、ダミー電極上。）に形成され、被測定物である液体の検出領域３から櫛形電極２への侵入を防止する。カバーガラス５は、櫛形電極２が包囲されるように形成された封止ダム４上に形成され、櫛形電極２を密閉する。ここで、ダミー電極では、電極指はショートを形成しており、電極指間隔は弾性表面波の反射防止上、弾性表面波の波長の１／４以外、例えば弾性表面波の波長の１／８等である。

ここで、電気信号がショートしたときは、櫛形電極２は電気信号と弾性表面波との間の変換を使用する信号の送受信を行うことができないため、弾性表面波を送信又は受信する櫛形電極２については、封止ダム４を形成することが必要である。一方で、電気信号がショートしたときも、櫛形電極２は機械的なつまり非電気的な反射のみを使用する弾性表面波の反射を行うことができるため、弾性表面波を反射する櫛形電極２については、封止ダム４をあえて形成しなくてもよいが、封止ダム４を念のため形成してもよい。

櫛形電極２の種類に応じて、封止ダム４下に形成される櫛形電極２のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、電極指の幅の比率であるメタライズ比ｍは、封止ダム４が弾性表面波の伝搬方向に有する幅ｘに対して、封止ダム４による弾性表面波の伝搬損失ｙが極小化されるような値を有することが望ましい。具体的に、封止ダム４下に形成されるダミー電極では、電極指の幅αと、隣接電極指間の幅βと、を用いて、メタライズ比はｍ＝α／（α＋β）と表される。一方で、封止ダム４内に形成される弾性表面波を送受信する電極では、電極指の幅α’と、隣接電極指間の幅β’と、を用いて、メタライズ比はｍ’＝α’／（α’＋β’）＝０．５（弾性表面波を送受信する電極の一般的な設計値であるが一例である。）と表される。

このように、封止ダム４が弾性表面波の伝搬方向に有する幅ｘに応じて、封止ダム４下に形成される櫛形電極２のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比ｍを最適化するため、封止ダム４による弾性表面波の伝搬損失ｙを極小化することができる。

封止ダム４下に形成される櫛形電極２のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、電極指の幅の比率であるメタライズ比ｍは、０．５より小さい値を有することがなお望ましい。

このように、封止ダム４下に形成される櫛形電極２のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比ｍを０．５より小さくするため、封止ダム４による弾性表面波の伝搬損失ｙを極小化したうえで、封止ダム４が弾性表面波の伝搬方向に有する幅ｘを広げて（図４及び図５の第３段を参照。）、封止ダム４の強度を高くすることができる。

本開示の弾性表面波センサの製造方法を図２に示す。なお、以下の説明では、記載の簡潔のため、「封止ダム４下に形成される櫛形電極２のうちの電極指の幅と隣接電極指間の幅との和に対する電極指の幅の比率であるメタライズ比ｍ」を、「メタライズ比ｍ」といい、「封止ダム４が弾性表面波の伝搬方向に有する幅ｘ」を、「封止ダム４の幅ｘ」といい、「封止ダム４による弾性表面波の伝搬損失ｙ」を、「封止ダム４による伝搬損失ｙ」という。

ステップＳ１では、圧電基板１の材質、櫛形電極２及び検出領域３の材質及び膜厚、並びに、封止ダム４の材質を決める。本実施形態では、圧電基板１の材質を３６Ｙ－９０Ｘ水晶基板に決め、櫛形電極２及び検出領域３の材質及び膜厚を膜厚０．００５λ又は０．０１０λ（λは、弾性表面波の波長。）の金薄膜に決め、封止ダム４の材質をＳＵ－８フォトレジストに決める。

ステップＳ２では、弾性表面波の波長λにおいて、封止ダム４の所望の強度を実現する封止ダムの幅ｘを決める。例えば、封止ダム４の所望の強度が高い／低いほど、そして、封止ダム４の材質そのものの強度が低い／高いほど、封止ダム４の幅ｘを広く／狭く決める。以下に説明するように、封止ダム４の幅ｘは、弾性表面波の波長λを単位として定義されるため、封止ダム４の所望の強度を実現するために、弾性表面波の波長λが短い／長いほど、封止ダム４の幅ｘ＝ｎλにおけるｎを大きく／小さくする。

ステップＳ３では、様々なメタライズ比ｍ及び様々な封止ダム４の幅ｘについて、封止ダム４による伝搬損失ｙを実験又は計算に基づいて求める。本実施形態では、様々なメタライズ比ｍを、０．２、０．３、・・・、０．５、０．６のように０．１の間隔で設定し、様々な封止ダム４の幅ｘを、０．０λ、０．５λ、・・・、３．５λ、４．０λのように０．５λの間隔で設定する。そして、これらのメタライズ比ｍ及びこれらの封止ダム４の幅ｘについて、弾性表面波センサＳを作成し、封止ダム４による伝搬損失ｙを測定する。或いは、これらのメタライズ比ｍ及びこれらの封止ダム４の幅ｘについて、圧電基板１の材質、櫛形電極２及び検出領域３の材質及び膜厚、並びに、封止ダム４の材質（粘弾性等）を考慮し、封止ダム４による伝搬損失ｙを計算する。

ステップＳ４では、実験結果又は計算結果を再現する封止ダム４による伝搬損失ｙを、ｙ＝ａｘ＋ｂ、ａ＝ｃｍ＋ｄ、ｂ＝ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇ（つまり、ｙ＝ｃｍｘ＋ｄｘ＋ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇ）とおいて、パラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇを求める。

本開示の弾性表面波センサの伝搬損失の実験結果又は計算結果を図３に示す。本開示の弾性表面波センサの伝搬損失の極小化方法を図４及び図５に示す。

図３の上段では、様々なメタライズ比ｍ及び様々な封止ダム４の幅ｘについて、封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。図３の中段では、メタライズ比ｍを様々な値に固定したうえで、様々な封止ダム４の幅ｘについて、封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。図３の下段では、封止ダム４の幅ｘを様々な値に固定したうえで、様々なメタライズ比ｍについて、封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。

図３の上段及び中段によれば、メタライズ比ｍを様々な値に固定したうえで、封止ダム４による伝搬損失ｙは、封止ダム４の幅ｘの１次関数として、ｙ＝ａｘ＋ｂと表すことができる。ここで、メタライズ比ｍが０．２から０．５を経て０．６へと変化するにつれて、パラメータａは小さい値から中程度の値を経て大きい値へと変化し、パラメータｂは大きい値から小さい値（極小値）を経て大きい値へと変化する。

図３の上段及び下段によれば、封止ダム４の幅ｘを様々な値に固定したうえで、封止ダム４による伝搬損失ｙは、メタライズ比ｍの２次関数として、ｙ＝ｃｍｘ＋ｄｘ＋ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇと表すことができる。ここで、封止ダム４の幅ｘが０．０λから４．０λへと変化するにつれて、封止ダム４による伝搬損失ｙが極小化されるようなメタライズ比ｍは約０．５程度から約０．３程度へと変化する。

ところで、封止ダム４の幅ｘを様々な値に固定したうえで、封止ダム４による伝搬損失ｙは、メタライズ比ｍの２次関数として、ｙ＝ｃｍｘ＋ｄｘ＋ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇと表すことができる理由について、図４及び図５を用いて説明する。

図４では、ステップＳ１において、圧電基板１の材質を３６Ｙ－９０Ｘ水晶基板に決め、櫛形電極２及び検出領域３の材質及び膜厚を膜厚０．００５λの金薄膜に決め、封止ダム４の材質をＳＵ－８フォトレジストに決める。図５では、ステップＳ１において、圧電基板１の材質を３６Ｙ－９０Ｘ水晶基板に決め、櫛形電極２及び検出領域３の材質及び膜厚を膜厚０．０１０λの金薄膜に決め、封止ダム４の材質をＳＵ－８フォトレジストに決める。

図４及び図５の第１段では、様々なメタライズ比ｍについて、パラメータａを示す。図４及び図５の第１段によれば、パラメータａは、メタライズ比ｍの１次関数として、ａ＝ｃｍ＋ｄと表すことができる。ここで、図４／図５では、櫛形電極２の膜厚が薄い／厚いため、パラメータｃは５．３４／１０．７のように異なっている。

図４及び図５の第２段では、様々なメタライズ比ｍについて、パラメータｂを示す。図４及び図５の第２段によれば、パラメータｂは、メタライズ比ｍの２次関数として、ｂ＝ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇと表すことができる。ここで、図４／図５では、櫛形電極２の膜厚が薄い／厚いものの、パラメータｅは５５．２／５５．２のように同じであり（ただし、一般的には、異なることもあり得る。）、パラメータｆは－６０／－６０のように同じである（ただし、一般的には、異なることもあり得る。）。

よって、封止ダム４の幅ｘを様々な値に固定したうえで、封止ダム４による伝搬損失ｙは、メタライズ比ｍの２次関数として、ｙ＝ａｘ＋ｂ＝（ｃｍ＋ｄ）ｘ＋（ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇ）＝ｃｍｘ＋ｄｘ＋ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇと表すことができる。

ステップＳ５では、弾性表面波の波長λにおいて、封止ダム４の所望の強度を実現する封止ダム４の幅ｘに対して、封止ダム４による伝搬損失ｙを極小化するメタライズ比ｍを、ｍ＝－（ｃ／２ｅ）ｘ－ｆ／２ｅに基づいて求める。ステップＳ５が可能な理由は、以下の通りである。

つまり、封止ダム４による伝搬損失ｙ＝ｃｍｘ＋ｄｘ＋ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇをメタライズ比ｍで微分したときに、微分値ｙ’＝ｃｘ＋２ｅｍ＋ｆが得られる。そして、微分値ｙ’＝ｃｘ＋２ｅｍ＋ｆを０とおいたときに、封止ダム４による伝搬損失ｙを極小化するメタライズ比ｍ＝－（ｃ／２ｅ）ｘ－ｆ／２ｅが得られる。

図４及び図５の第３段では、様々な封止ダム４の幅ｘについて、最適化されたメタライズ比ｍを示す。上述したように、最適化されたメタライズ比ｍは、封止ダム４の幅ｘの１次関数として、ｍ＝－（ｃ／２ｅ）ｘ－ｆ／２ｅと表すことができる。ここで、図４／図５では、パラメータｃは５．３４／１０．７であり、パラメータｅは５５．２／５５．２であり、パラメータｆは－６０／－６０であり、最適化されたメタライズ比ｍは－０．０４８ｘ＋０．５４／－０．０９７ｘ＋０．５４である。

図４及び図５の第３段によれば、メタライズ比ｍを０．５より小さくしたときに、封止ダム４による伝搬損失ｙを極小化したうえで、封止ダム４の幅ｘを広げて、封止ダム４の強度を高くすることができる。逆に言えば、封止ダム４の強度を高くするために、封止ダム４の幅ｘを広げるときに、封止ダム４による伝搬損失ｙを極小化したうえで、メタライズ比ｍを０．５より小さくすればよいのである。

ステップＳ６では、圧電基板１上に、メタライズ比ｍ及び封止ダム４の幅ｘに基づいて、櫛形電極２を形成する。つまり、封止ダム４「下」に形成される櫛形電極２については、メタライズ比ｍ（図１の上段のｍを参照。）に基づいて形成する。一方で、封止ダム４「内」に形成される櫛形電極２については、メタライズ比ｍ’＝０．５（図１の上段のｍ’を参照。）に基づいて形成する。

ステップＳ６では、さらに、（１）圧電基板１上に、検出領域３を形成し、（２）櫛形電極２上に、封止ダム４の幅ｘに基づいて、封止ダム４を形成し、（３）封止ダム４上に、カバーガラス５を形成し、（４）弾性表面波センサＳの製造工程を終了する。なお、櫛形電極２及び検出領域３の形成は、同時であってもよく、同時でなくてもよい。

図４及び図５の第４段では、様々な封止ダム４の幅ｘについて、封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。「最適化されたｍ」は、本開示のメタライズ比ｍを最適化したときの封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。「従来技術のｍ＝０．５」は、従来技術のメタライズ比ｍを一律に０．５としたときの封止ダム４による伝搬損失ｙを示す。

図４及び図５の第４段によれば、本開示のメタライズ比ｍを最適化したときには、従来技術のメタライズ比ｍを一律に０．５としたときより、封止ダム４による伝搬損失ｙを低減することができる。特に、封止ダム４の強度を高くするために、封止ダム４の幅ｘを広げるときに、上述の傾向を強めることができる。

本実施形態では、封止ダム４による伝搬損失ｙ＝ａｘ＋ｂは、封止ダム４の幅ｘに関する単調増加の１次関数である。封止ダム４による伝搬損失ｙのうちの封止ダム４の幅ｘに依存する損失部分ａｘ＝（ｃｍ＋ｄ）ｘは、封止ダム４の幅ｘと、メタライズ比ｍに関する単調増加の１次関数と、の積である。封止ダム４による伝搬損失ｙのうちの封止ダム４の幅ｘに依存しない損失部分ｂ＝ｅｍ^２＋ｆｍ＋ｇは、メタライズ比ｍに関する０．５の近傍の値で極小を示す２次関数である。

変形例として、封止ダム４による伝搬損失ｙは、封止ダム４の幅ｘが増加するにつれて増加すれば、どのような関数でもよい。封止ダム４による伝搬損失ｙのうちの封止ダム４の幅ｘに依存する損失部分は、封止ダム４の幅ｘが固定されたうえで、メタライズ比ｍが増加するにつれて増加すれば、どのような関数でもよい。封止ダム４による伝搬損失ｙのうちの封止ダム４の幅ｘに依存しない損失部分は、メタライズ比ｍが０．５の近傍の値であるときに極小を示すならば、どのような関数でもよい。

本開示の弾性表面波センサ及び弾性表面波センサの製造方法は、溶液中の溶質の濃度（例えば、血液中の抗原の濃度等。）を測定する用途に対して、適用することができる。

Ｓ：弾性表面波センサ
１：圧電基板
２：櫛形電極
３：検出領域
４：封止ダム
５：カバーガラス

Claims

弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、
被測定物である液体を導入される検出領域と、
前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、
を備え、
前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比は、前記封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に対して、前記封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失が極小化されるような値を有する
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、
被測定物である液体を導入される検出領域と、
前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、
を備え、
前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比は、０．５より小さい値を有する
ことを特徴とする弾性表面波センサ。
弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備える弾性表面波センサを製造することに先立って、
前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比を、前記封止ダムが弾性表面波の伝搬方向に有する幅に対して、前記封止ダムによる弾性表面波の伝搬損失が極小化されるように設定する
ことを特徴とする弾性表面波センサの製造方法。
弾性表面波を送信、受信又は反射する櫛形電極と、被測定物である液体を導入される検出領域と、前記櫛形電極と前記検出領域との境界近傍の前記櫛形電極上に形成され、前記被測定物である液体の前記検出領域から前記櫛形電極への侵入を防止する封止ダムと、を備える弾性表面波センサを製造することに先立って、
前記封止ダム下に形成される前記櫛形電極のうちの、金属薄膜で形成される電極指の幅と金属薄膜が形成されない隣接電極指間の幅との和に対する、前記電極指の幅の比率であるメタライズ比を、０．５より小さい値に設定する
ことを特徴とする弾性表面波センサの製造方法。