JP7208490B2 - Resin package and light emitting device - Google Patents
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本開示は、樹脂パッケージ及び発光装置に関する。 The present disclosure relates to resin packages and light emitting devices.
特許文献1には、素子実装部の表面にAgメッキが形成され、ワイヤボンディング部の表面にAuメッキが形成されることにより、ボンディングワイヤの接合強度を高い半導体発光装置が開示されている Patent Literature 1 discloses a semiconductor light-emitting device in which the surface of an element mounting portion is Ag-plated and the surface of a wire-bonding portion is plated with Au, thereby increasing bonding strength of bonding wires.
しかしながら、上記の発光装置は、発光素子から発する光がワイヤボンディング部の表面に位置するAuメッキに吸収され、発光装置の光取り出し効率が低下するおそれがある。本発明は、光取り出し効率を向上させた樹脂パッケージ及び発光装置を提供することを目的とする。 However, in the light emitting device described above, the light emitted from the light emitting element may be absorbed by the Au plating located on the surface of the wire bonding portion, and the light extraction efficiency of the light emitting device may decrease. An object of the present invention is to provide a resin package and a light emitting device with improved light extraction efficiency.
本開示の樹脂パッケージは、底面と内側面とを有する凹部を有し、リードと樹脂体とを含む樹脂パッケージであって、前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、を含み、前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd又はPd合金から選択される少なくとも1種であり、前記第3樹脂部の外側に位置する前記凹部の底面において、前記第1めっき層の面積が前記第2めっき層の面積よりも大きい。 A resin package of the present disclosure has a recess having a bottom surface and an inner side surface, and includes leads and a resin body, wherein the leads include first leads having an element mounting area and wire connection areas. and the resin body includes a first resin portion, a second resin portion and a third resin portion, and the bottom surface of the recess includes the element mounting region, the wire connection region and the The inner surface of the recess includes the second resin portion, and the third resin portion is located above the bottom surface of the recess and separated from the inner surface of the recess to mount the element. The wire connection area surrounds the placement area, the wire connection area is located outside the third resin part, the first lead and the second lead have a plating layer on the surface, the plating layer includes a first plating layer, the a second plating layer covering part of the first plating layer, wherein the first plating layer is positioned on the outermost surface of the wire connection region, and the second plating layer is positioned on the outermost surface of the element mounting region; The first plating layer located on the surface is at least one selected from Au, Au alloy, Pd, and Pd alloy, and the bottom surface of the recess located outside the third resin portion has the first plating layer. The area of the plating layer is larger than the area of the second plating layer.
本開示の発光装置は、底面と内側面とを有する凹部を有し、リードと樹脂体とを含む樹脂パッケージと、発光素子と、ワイヤと、を備え、前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、を含み、前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、前記発光素子は、前記素子載置領域に配置され、前記ワイヤは、前記ワイヤ接続領域と前記発光素子とを電気的に接続し、前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、又は、Pd合金から選択される少なくとも1種であり、前記第3樹脂部の外側に位置する前記凹部の底面において、前記第1めっき層の面積が前記第2めっき層の面積よりも大きい。 A light emitting device of the present disclosure has a recess having a bottom surface and an inner side surface, and includes a resin package including a lead and a resin body, a light emitting element, and a wire, the lead having an element mounting region. a first lead and a second lead having a wire connection area; the resin body includes a first resin portion, a second resin portion and a third resin portion; The inner side surface of the recess includes the second resin portion, the third resin portion is located above the bottom surface of the recess, and is located above the bottom surface of the recess. The wire connection area surrounds the element mounting area away from the inner surface, the wire connection area is positioned outside the third resin part, the light emitting element is disposed in the element mounting area, and the wire is connected to the wire. The connection region and the light emitting element are electrically connected, the first lead and the second lead are provided with a plated layer on the surface, the plated layer comprises a first plated layer and a part of the first plated layer. a covering second plating layer, the first plating layer being positioned on the outermost surface of the wire connection region; the second plating layer being positioned on the outermost surface of the element mounting region; The plating layer is at least one selected from Au, an Au alloy, Pd, or a Pd alloy, and the area of the first plating layer on the bottom surface of the recess located outside the third resin portion is the It is larger than the area of the second plating layer.
本開示の一実施形態により、光取り出し効率を向上させた樹脂パッケージ及び発光装置を得ることができる。 According to one embodiment of the present disclosure, it is possible to obtain a resin package and a light emitting device with improved light extraction efficiency.
以下、図面を参照しながら、本開示の樹脂パッケージ及び発光装置を詳細に説明する。本開示の樹脂パッケージ及び/又は発光装置は、例示であり、以下で説明する樹脂パッケージ及び/又は発光装置に限られない。以下の説明では、特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向や位置を、分かり易さのために用いているに過ぎない。また、図面が示す構成要素の大きさや位置関係等は、分かり易さのため、誇張されている場合があり、実際の樹脂パッケージ及び/又は発光装置における大きさあるいは、実際の樹脂パッケージ及び/又は発光装置における構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。 Hereinafter, the resin package and the light emitting device of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The resin package and/or light emitting device of the present disclosure are examples, and are not limited to the resin package and/or light emitting device described below. The following description may use terms that indicate specific directions or positions (eg, "upper", "lower", and other terms that include those terms). The terms use the relative orientations and positions in the referenced figures only for the sake of clarity. In addition, the sizes, positional relationships, and the like of components shown in the drawings may be exaggerated for the sake of clarity. It may not reflect the size relationship between the components in the light-emitting device.
[樹脂パッケージ10]
図1Aから図5に基づいて、本開示の樹脂パッケージ10を説明する。
[Resin package 10]
A
図1Aに示すように、樹脂パッケージ10は、底面11aと内側面11bとを有する凹部11を有する。樹脂パッケージ10は、リード20と、樹脂体30と、を備える。リード20は、素子載置領域211aを有する第1リード21と、ワイヤ接続領域221aを有する第2リード22と、を含んでいる。樹脂体30は、第1樹脂部31、第2樹脂部32、及び、第3樹脂部33を含んでいる。樹脂体30は、第1リード21及び第2リード22と一体的に形成されている。樹脂パッケージ10の凹部11の底面11aは、素子載置領域211a、ワイヤ接続領域221a及び第1樹脂部31を含んでいる。凹部11の内側面11bは、第2樹脂部32を含んでいる。第3樹脂部33は、凹部11の底面11aより上側に位置し、凹部11の内側面11bから離れて素子載置領域211aを囲んでいる。ワイヤ接続領域221aは、第3樹脂部33の外側に位置している。第1リード21及び第2リード22は表面にめっき層200を備える。めっき層200は第1めっき層201と、第1めっき層201の一部を覆う第2めっき層202と、を備えている。図1A及び図4Aにおいて、第1めっき層201は左上がりの斜線のハッチングで示し、第2めっき層202は右上がりの斜線のハッチングで示す。第1めっき層201は、ワイヤ接続領域221aの最表面に位置する。第2めっき層202は、素子載置領域211aの最表面に位置する。第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、Pd合金から選択される少なくとも1種である。図1Aに示すように、第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、樹脂体30から露出する第1めっき層201の面積が樹脂体30から露出する第2めっき層202の面積よりも大きい。素子載置領域211aとは、発光素子が配置される領域であり、最表面が第2めっき層で、第3樹脂部33の内側に位置する第1リード21の上面21aのことである。ワイヤ接続領域221aとは、ワイヤが接続される領域であり、最表面が第1めっき層で、第2樹脂部32と第3樹脂部33との間に位置する第2リードの上面である。
As shown in FIG. 1A,
ワイヤ接続領域221aが第3樹脂部33の外側に位置することで、素子載置領域に配置された発光素子からの光が、ワイヤ接続領域の第1めっきに直接照射されることを抑制することができる。これにより、光取り出し効率の高い樹脂パッケージとすることができる。また、第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、樹脂体から露出する第1めっき層の面積が樹脂体から露出する第2めっき層の面積よりも大きいことで、第1めっき層を覆う第2めっき層の面積が小さくすることができる。これにより、樹脂パッケージの部材費を下げることができる。また、第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、第1めっき層の面積が第2めっき層の面積よりも大きい場合でも、発光素子からの光の一部は第3樹脂部33によって遮られる。このため、発光素子からの光が第1めっき層によって吸収されることを抑制できる。これにより、光取り出し効率の高い樹脂パッケージとすることができる。
Positioning the
図2Aに示すように、樹脂パッケージ10は、上面10a及び上面10aと反対側に位置する下面10bとを有する。本実施形態では、樹脂パッケージ10は、上面視において略四角形の外形形状を有する。このため、樹脂パッケージ10は、外側面10c、外側面10cと反対側に位置する外側面10d、外側面10c及び外側面10dと隣接する外側面10e、及び、外側面10eと反対側に位置する外側面10fの4つの外側面を有する。なお、上面視における樹脂パッケージ10の外形形状は、四角形に限られず、他の形状を有していてもよい。また、樹脂パッケージ10は、上面視において、開口11cの1つの角部を面取りすることによって形成されたアノードマーク又はカソードマークを有していてもよい。アノードマーク又はカソードマークは、2つのリードの極性を示すマークとして機能する。
As shown in FIG. 2A, the
樹脂パッケージ10には、上面10aに開口11cを有する凹部11が設けられている。凹部11の底面には、第1リード21の上面21a、第2リード22の上面22a、及び、樹脂体30の第1樹脂部31のそれぞれの一部が位置している。
図1Bに示すように、樹脂パッケージ10の下面10bでは、第1リード21の下面21bおよび第2リード22の下面22bが樹脂体30から露出している。樹脂体から露出する第1リード21の下面の最表面21bは、図3Aに示すように、第1めっき層201を覆う第2めっき層202でもよく、図3Bに示すように、第1めっき層201でもよい。第1リード21の下面21bの最表面が第2めっき層202であることで、第1リードの基材が第1めっき層及び第2めっき層に覆われるので、第1リードの基材210が外部に露出されることを抑制できる。尚、第1リードの基材210とは、めっき層200に覆われる部材のことである。第1リード21の下面21bの最表面が第1めっき層201であることで、第1めっき層を覆う第2めっき層を備える場合よりも、樹脂パッケージの部材費を下げることができる。また、第1めっき層はAu、Au合金、Pd又はPd合金から選択される少なくとも1種であるので、第1リード21の下面の最表面が第1めっき層である場合には、第1リード21の下面21bが硫化することを抑制できる。尚、樹脂体から露出する第2リードの下面の最表面は、第1リードの下面の最表面と同様に、第1めっき層でもよく、第1めっき層を覆う第2めっき層でもよい。
As shown in FIG. 1B , the
Au合金としては、AuAg合金、Au合金、AuIn合金、AuTl合金、AuSb合金、AuSn合金等が挙げられる。Au合金におけるAuの含有率は、70質量%以上であることが好ましく、80質量%以上であることがより好ましく、85質量%以上であることが更に好ましい。なお、質量%とは、Au合金の全質量に対するAuの質量の比率を表す。Pd合金としては、PdAu合金、PdAg合金、PdNi合金、PdIn合金、PdTe合金、PdGe合金、PdBi合金、PdSe合金等が挙げられる。Pd合金におけるPdの含有率は、例えば60質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、75質量%以上であることが更に好ましい。 Au alloys include AuAg alloys, Au alloys, AuIn alloys, AuTl alloys, AuSb alloys, AuSn alloys, and the like. The content of Au in the Au alloy is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and even more preferably 85% by mass or more. The mass % represents the mass ratio of Au to the total mass of the Au alloy. Pd alloys include PdAu alloys, PdAg alloys, PdNi alloys, PdIn alloys, PdTe alloys, PdGe alloys, PdBi alloys, PdSe alloys, and the like. The content of Pd in the Pd alloy is, for example, preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and even more preferably 75% by mass or more.
[第1リード21、第2リード22]
第1リード21および第2リード22は、導電性を有し、発光素子に給電するための電極や熱伝導性を有する放熱性部材として機能する。本実施形態では、リード20として、第1リード21および第2リード22を備える。また、樹脂パッケージ10は、第1リード21および第2リード22に加えて第3リードを備えていてもよい。樹脂パッケージ10が第1リード21、第2リード22、及び、第3リードを含む場合には、第1リード21と第2リード22との間に第3リードが位置してもよい。この場合、第3リードは放熱部材として機能し、第1リードおよび第2リードは電極として機能してよい。尚、樹脂パッケージ10は、4つ以上のリードを備えていてもよい。
[First lead 21, second lead 22]
The
図4A、図4B及び図4Cに示すように、第1リード21は、例えば、略矩形形状を有し、側部21c、21d、21e、21fを有する。側部21dは第2リード22と対向している。また、側部21cは、側部21dと反対側に位置している。側部21eおよび側部21fは互いに反対側に位置し、第2リード22と対向していない。
As shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, the
図4Cに示すように、第1リード21は、側部21d、21e、21fに沿って、側部21d、21e、21fの下面21b側に側縁溝部21g(網掛けのハッチングで示す)を有する。側縁溝部21gは、第1リード21の下面21bから上面21a側に窪んでいる。側縁溝部21gは、エッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。
As shown in FIG. 4C, the
上面視における第1リード21の側部21c、21e、21fのそれぞれの中央近傍には延伸部21hが位置している。延伸部21hは、第1リード21の一部である。側部21c、21e、21fにある延伸部21hの端面は、樹脂パッケージ10の外側面10c、10e、10fにおいて樹脂体30から露出している。例えば、図1Cに示すように、延伸部21hの端面は、樹脂パッケージ10の外側面10cにおいて樹脂体30から露出している。また、図1Dに示すように、延伸部21hの端面は、樹脂パッケージ10の外側面10fにおいて樹脂体30から露出している。樹脂パッケージ10の外側面10c、10e、10fにおいて、第1リード21の延伸部21hの端面は、樹脂体30と略同一平面となっている。延伸部21hは、第1リード21の本体部から樹脂パッケージ10の外側面10c、10e、10fに向かって延伸している。第1リード21の本体部とは、第1リード21のうち延伸部21hを除いた部位のことを指す。図4A、図4B、及び、図4Cに示すように、第1リードの本体部の外形は略四角形である。
第1リード21の側部21e、21fには、貫通部25m、25nがそれぞれ設けられている。貫通部25m、25nは、第1リード21の上面21aから下面21bに貫通した空洞(孔)であり、側部21eおよび側部21fのそれぞれの外縁に開口(切れ目)を有している。貫通部25m、25nは、側部21e、21fにそれぞれ設けられた切り欠きともいえる。ただし、側部21e、21fの一部を切り欠くことによって形成されている必要はなく、例えば、エッチング加工やプレス加工等によって、側部21e、21fと貫通部25m、25nとを同時に形成してもよい。貫通部25m、25nおよび側縁溝部21gは樹脂体の一部で埋め込まれる。これにより、樹脂体と第1リードの密着性が向上する。
図4Bに示すように、第1リード21の上面21aには、第1溝21j、第2溝21m、21nおよび第3溝21p(網掛けのハッチングで示す)が設けられている。第1溝21jは、上面視において素子載置領域の周囲の少なくとも一部に配置される。また、第1溝21jが上面視において素子載置領域の周囲の少なくとも一部に配置されるとは、第1溝21jが、素子載置領域の周囲の全部(全周)に配置されてもよく、素子載置領域の周囲の一部に配置されてもよい。第1溝21j内には、樹脂体30の第1樹脂部31が配置される。
As shown in FIG. 4B, the
第1溝21j、第2溝21m、21nおよび第3溝21pは、上面視において、第1リード21の側部21d、21e、21fに設けられた側縁溝部21gと重ならないように設けられることが好ましい。第1リード21の上面21aに設けられる第1溝21jと下面21b側に設けられる側縁溝部21gとが重ならないことで、第1リード21の上面21a側および下面21b側から薄くなる部分が設けられないので第1リードの強度低下が抑制される。同様に、第1リード21の第2溝21m、21nおよび第3溝21pが、上面視において、第1リード21の側部21dに設けられた側縁溝部21gと重ならないように設けることで、第1リードの強度低下が抑制される。
The first groove 21j, the
第1リード21の第2溝21mは、貫通部25mと第1溝21jと第3溝21pとを接続している。同様に、第1リード21の第2溝21nは、貫通部25nと第1溝21jと第3溝21pとを接続している。第2溝21m、21n内には、樹脂体30の第1樹脂部31が配置される。
The second groove 21m of the
第3溝21pは、第2溝21m、21nと接続する。第3溝21p内には、樹脂体30の第1樹脂部31が配置される。第3溝21p内には、樹脂体30の第1樹脂部31が配置される。これにより、第1リードと樹脂体との密着性が向上する。
The
図4A、図4B及び図4Cに示すように、第2リード22は、例えば、略矩形形状を有し、側部22c、22d、22e、22fを有する。第1リード21の側部21dと第2リード22の側部22cとが対向している。図4Cに示すように、第2リード22は、下面22bの側部22c、22e、22fに沿って、側縁溝部22g(網掛けのハッチングで示す)を有する。上面視における第2リード22の側部22d、22e、22fのそれぞれの中央近傍には延伸部22hが位置している。延伸部22hは、第2リード22の一部である。側部22d、22e、22fにある延伸部22hの端面は、樹脂パッケージ10の外側面10d、10e、10fにおいて樹脂体30から露出している。樹脂パッケージ10の外側面10d、10e、10fにおいて、第2リード22の延伸部22hの端面は、樹脂体30と略同一平面となっている。延伸部22hは、第2リード22の本体部から樹脂パッケージ10の外側面10d、10e、10fに向かって延伸している。第2リード22の本体部とは、第2リード22のうち延伸部22hを除いた部位のことを指す。図4A、図4B、及び、図4Cに示すように、第2リードの本体部の外形は略四角形である。
As shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, the
本実施形態では、上面視において、第1リード21の面積は第2リード22の面積よりも大きい。これは、第1リード21に発光素子を配置する素子載置領域を設けているからである。しかし、上面視における第1リード21および第2リード22の大小関係はこれに限られない。例えば、素子載置領域を設ける第1リード21よりも素子載置領域を設けていない第2リード22を大きくしてもよい。また、素子載置領域を第2リードに設ける場合には、上面視において、第2リード22の面積が第1リード21の面積より大きくてもよい。素子載置領域を第1リード21および第2リードにまたがって設けてもよい。この場合には、上面視において、第1リード21および第2リード22の面積が略等しくてもよい。複数のリードが第1リード21、第2リード22および第3リードを含み、第1リード21が第2リード22と第3リードとの間に位置する場合には、例えば、上面視において、第2リード22および第3リードそれぞれの面積は略等しく、第1リード21の面積は第2リード22および第3リードの面積よりも大きくてもよい。
In this embodiment, the area of the
第1リード21に設けられた側縁溝部21gおよび貫通部25m、25nは、樹脂体と第1リードの密着性の向上のために設けられている。また、第2リード22に設けられた側縁溝部22gは、樹脂体と第2リードの密着性の向上のために設けられている。
The side
リードフレームは、フレームと、複数の連結部と、複数の連結部により連結された複数対の第1リード21となる部分の本体部および第2リード22となる部分の本体部とを有する。そして、リードフレームに樹脂体30が一体的に形成され、その後連結部で切断することによって個片化される。延伸部21h、22hは、第1リード21および第2リード22となる部分の本体部をフレームに連結する連結部の一部である。このため、連結部の一部であった延伸部21h、22hは、樹脂パッケージ10の外側面10c、10d、10e、10fにおいて、樹脂体30と略同一平面で露出する。個片化された後は、第1リード21の本体部と延伸部21hとを含めて第1リード21となる。第2リード22についても同様であり、第2リード22の本体部と延伸部22hとを含めて第2リード22となる。
The lead frame has a frame, a plurality of connecting portions, and a main body portion serving as a plurality of pairs of first leads 21 and a main body portion serving as second leads 22 connected by the plurality of connecting portions. Then, the
第1リード21および第2リード22は、それぞれ基材210と、基材210を被覆するめっき層200と、を有する。基材210は、板状の部材であることが好ましい。基材210は、Cu、Alまたはこれらの合金等の公知の材料を用いることができる。これらは単層であってもよいし、積層構造(例えば、クラッド材)であってもよい。特に、基材には安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。
The
めっき層200は第1めっき層201と、第1めっき層201の一部を覆う第2めっき層202と、を備える。図3Cに示すように、第1めっき層201は、ワイヤ接続領域221aの最表面に位置する。第1めっき層201は、Au、Au合金、Pd又はPd合金から選択される少なくとも1種である。Au、Au合金、Pd又はPd合金は、Agと比較して硫黄成分と反応しにくい金属である。このため、ワイヤ接続領域221aの最表面がAu、Au合金、Pd又はPd合金から選択される少なくとも1種であることにより、ワイヤ接続領域が硫化することが抑制される。これにより、ワイヤの断線を抑制することができる。
The
図1Aに示すように、ワイヤ接続領域221aが第3樹脂部33の外側に位置することで、素子載置領域に配置された発光素子からの光が、ワイヤ接続領域の第1めっきに直接照射されることを抑制することができる。これにより、光取り出し効率の高い樹脂パッケージとすることができる。
As shown in FIG. 1A, the
第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、樹脂体30から露出する第1めっき層201の面積は、樹脂体30から露出する第2めっき層202の面積よりも大きい。例えば、第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、樹脂体30から露出する第1めっき層201の面積は、樹脂体30から露出する第2めっき層202の面積の2倍以上であることが好ましく、3倍以上であることがより好ましく。4倍以上であることが更に好ましい。このようにすることで、第2めっき層の面積が小さくすることができるので、樹脂パッケージの部材費を下げることができる。
The area of the
第1めっき層201の厚みは、第1リード21の上面21a側と下面21b側とで同じ厚みでもよく、上面21a側の第1めっき層201の厚みが下面21b側の第1めっき層201の厚みよりも厚くてもよく、下面21b側の第1めっき層201の厚みが上面21a側の第1めっき層201の厚みよりも厚くてもよい。例えば、電解めっき法において、第1リード21の上面21a側と下面21b側とで、それぞれの陰極電流密度分布を異ならせるように陽極と陰極との間に異なる大きさの遮蔽板を配置することによって、第1リード21の上面21a側と下面21b側とで厚みが異なる第1めっき層201を形成することができる。第1リード21の上面21a側の第1めっき層201の厚みが第1リード21の下面21b側の第1めっき層201の厚みよりも厚い場合には、上面21a側に位置する第1めっき層201の平坦度が向上するため、発光素子からの光を効率的に上側に反射させることができる。また、第1リード21の下面21b側の第1めっき層201の厚みが第1リード21の上面21a側の第1めっき層201の厚みよりも厚い場合には、接合部材を介して樹脂パッケージを実装基板に実装する際に、樹脂パッケージと接合部材との接合強度を向上させることができる。尚、第1めっき層201の厚みは、第2リード22の上面22a側と下面22b側とで同じ厚みでもよく、上面22a側の第1めっき層201の厚みが下面22b側の第1めっき層201の厚みよりも厚くてもよく、下面22b側の第1めっき層201の厚みが上面22a側の第1めっき層201の厚みよりも厚くてもよい。
The thickness of the
第2めっき層202の厚みは、第1リード21の上面21a側と下面21b側とで同じ厚みでもよく、上面21a側の第2めっき層202の厚みが下面21b側の第2めっき層202の厚みよりも厚くてもよく、下面21b側の第2めっき層202の厚みが上面21a側の第2めっき層202の厚みよりも厚くてもよい。第1リード21の上面21a側の第2めっき層202の厚みが第1リード21の下面21b側の第2めっき層202の厚みよりも厚い場合には、上面21a側に位置する第2めっき層202の平坦度が向上するため、発光素子からの光を効率的に上側に反射させることができる。また、第1リード21の下面21b側の第2めっき層202の厚みが第1リード21の上面21a側の第2めっき層202の厚みよりも厚い場合には、接合部材を介して樹脂パッケージを実装基板に実装する際に、樹脂パッケージと接合部材との接合強度を向上させることができる。尚、第2めっき層202の厚みは、第2リード22の上面22a側と下面22b側とで同じ厚みでもよく、上面22a側の第2めっき層202の厚みが下面22b側の第2めっき層202の厚みよりも厚くてもよく、下面22b側の第2めっき層202の厚みが上面22a側の第2めっき層202の厚みよりも厚くてもよい。
The thickness of the
図1Aに示すように、第1リード21が、ワイヤ接続領域221b、221cを備えていてもよい。ワイヤ接続領域221b、221cは、ワイヤが接続される領域であり、最表面が第1めっき層で、第2樹脂部32と第3樹脂部33との間に位置する第1リードの上面である。
As shown in FIG. 1A, the
図3Bに示すように、基材210を被覆するめっき層200は、基材210と第1めっき層201との間に位置する第3めっき層203を備えていてもよい。第3めっき層203は単層でもよく複数層でもよい。例えば、基材210としてCu又はCu合金を用いる場合には、第3めっき層203がNi、Pdとが順に積層した複数層であり、第1めっき層がAuであることが好ましい。第3めっき層203があることで、基材のCuが、第1めっき層及び第2めっき層に拡散するのを抑制することができる。これにより、第1めっき層、第2めっき層及び第3めっき層の密着性の低下を抑制することができる。
As shown in FIG. 3B, the
図3Aに示すように、第2めっき層202は、素子載置領域211aの最表面に位置する。素子載置領域211aに配置される発光素子のピーク波長において、第2めっき層202の反射率が第1めっき層201の反射率よりも高いことが好ましい。このようにすることで、光取り出し効率の高い樹脂パッケージとすることができる。例えば、第2めっき層がAg又はAg合金から選択される少なくとも1種であることが好ましい。Ag又はAg合金は反射率が高いので、発光素子のピーク波長において、第2めっき層の反射率が第1めっき層の反射率よりも高くなりやすい。このため、光取り出し効率の高い樹脂パッケージとすることができる。
As shown in FIG. 3A, the
Ag合金としては、AgAu合金、AgPd合金、AgIn合金等が挙げられる。Ag合金におけるAgの含有率は、70質量%以上であることが好ましく、80質量%以上であることがより好ましく、85質量%以上であることが更に好ましい。 Ag alloys include AgAu alloys, AgPd alloys, AgIn alloys, and the like. The content of Ag in the Ag alloy is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and even more preferably 85% by mass or more.
第2めっき層202として、Ag又はAg合金を用いる場合には、第2めっき層202の表面に酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の保護層を設けることが好ましい。これにより、大気中の硫黄成分等によりAg又はAg合金を用いた第2めっき層が変色することを抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ等の真空プロセスによって成膜することができるが、その他の既知の方法を用いてもよい。
When Ag or Ag alloy is used as the
また、第3樹脂部33の外側に位置する凹部11の底面11aにおいて、樹脂体30から露出する第2めっき層202の面積は、樹脂体30から露出する第1めっき層201の面積よりも小さい。このため、第2めっき層202としてAg又はAg合金を用いた場合でも、変色する第2めっき層の面積が小さいので樹脂パッケージの光取り出し効率の低下を抑制することができる。
In addition, the area of the
第1リード21の側面21sの最表面は、第1めっき層でもよく第2めっき層でもよい。第2めっき層202として、Ag又はAg合金を用いる場合には、図3Aに示すように、第2めっき層202が第1リード21の側面21sの最表面に位置していることが好ましい。一般的に、Ag又はAg合金は、Au、Au合金、Pd又はPd合金よりも酸化しやすい。酸化しやすい金属と樹脂の密着性は、酸化しにくい金属と樹脂の密着性よりも高い。このため。第2めっき層202としてAg又はAg合金を用いる場合には、第1リードの側面の最表面に第2めっき層202が位置していることで、第1リードと樹脂体の密着性を向上させることができる。尚、第1リード21の側面21sは、第1リードの上面21aと第1リードの下面21bとの間に位置する。同様に、第2めっき層として、Ag又はAg合金を用いる場合には、第2めっき層が第2リードの側面の最表面に位置していることが好ましい。第2リードの側面は、第2リードの上面と第2リードの下面との間に位置する。
The outermost surface of the
図3Aに示すように、第2めっき層202が第1リード21の上面21a及び側面21sの最表面に連続して位置することが好ましい。このようにすることで、第1リード21の側面21sを被覆する第2めっき層の面積を増やしやすくなる。また、図3Dに示すように、第2めっき層202が第2リード22の上面22a及び側面22sの最表面に連続して位置することが好ましい。このようにすることで、第2リード22の側面22sを被覆する第2めっき層の面積を増やしやすくなる。
As shown in FIG. 3A, it is preferable that the
図4Aに示すように、第1リード21の上面21aに第1溝21j、第2溝21m、21n及び第3溝21pが設けられている場合には、少なくとも第1溝21j、第2溝21m、21n及び第3溝21pの1つの溝の最表面に第2めっき層202が位置していることが好ましい。第2めっき層202として、Ag又はAg合金を用いる場合には、第1リードの上面の溝の最表面に第2めっき層202が位置していることで、第1リードと樹脂体の密着性を向上させることができる。
As shown in FIG. 4A, when the
樹脂体30は、第1リード21、及び、第2リード22と一体に形成される。樹脂パッケージ10は、樹脂体30、第1リード21、及び、第2リード22を含む。また、樹脂体30は、第1樹脂部31、第2樹脂部32および第3樹脂部33を含む。
The
図2A示すように、第1樹脂部31は、上面31aおよび下面31bを有し、上面31aは、凹部の底面11aに位置している。第1樹脂部31の下面31bは、樹脂パッケージ10の下面10bに位置している。第1樹脂部31は、樹脂体のうち、Z方向においてリードの最上面と同じ高さ、又は、リードの最上面よりも下側に位置する部分である。例えば、第1樹脂部31は、第1リード21と第2リード22との間に位置する樹脂体の部分である。また、第1樹脂部31は、第1溝21j、第2溝21m、21n、及び、第3溝21p内に配置される樹脂体の一部である。例えば、樹脂パッケージが第3リードを備える場合は、第1樹脂部31は、第1リード21と第2リード22との間および第2リード22と第3リードとの間にも配置される。
As shown in FIG. 2A, the
第2樹脂部32は、凹部11の内側面11bを含んでいる。第2樹脂部32は、第1樹脂部31の上面31aより上側に位置する。第2樹脂部32は、内側壁面32c、32d、32e、32fの4つの側面を有する。内側壁面32cと内側壁面32dとが対向し、内側壁面32eと内側壁面32fとが対向している。本実施形態において、凹部11の内側面11bは、内側壁面32c、32d、32e、32fの4つの側面を含んでいる。
The
第2樹脂部32は、さらに、樹脂パッケージ10の外側面10c、10d、10e、10fの一部を構成している。外側面10c、10d、10e、10fは、それぞれ、内側壁面32c、32d、32e、32fの反対側に位置している。樹脂パッケージ10の外側面10c、10d、10e、10fは、第1樹脂部31及び第2樹脂部32を含む。
The
図1Aで示すように、内側壁面32c、32d、32e、32fのうち、隣接する2つは曲面を構成するように接続されており、内側壁面間の明瞭な境界は形成されていない。凹部11の開口11cは、上面視において、略四角形の外形形状を有し、4つの角部が丸まっている。凹部11の底面11aの外縁は、上面視において、4つの角部の位置で、開口11cの外縁の4つの角部と比較して、より半径の大きい円弧を描くように丸まっている。
As shown in FIG. 1A, two adjacent inner wall surfaces 32c, 32d, 32e, and 32f are connected to form a curved surface, and no clear boundary is formed between the inner wall surfaces. The
第3樹脂部33は、凹部11の底面11aより上側に位置し、凹部11の内側面11bから離れて素子載置領域211aを囲んでいる。ワイヤ接続領域221aが、第3樹脂部33の外側に位置することで、素子載置領域211aに配置された発光素子からの光がワイヤ接続領域221aに吸収されることを抑制することができる。図1Aに示すように、上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の全面が第2めっき層202に覆われてもよく、図5に示すように、上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の一部が第2めっき層202から露出していてもよい。上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の全面が第2めっき層202に覆われていることにより、素子載置領域に配置された発光素子からの光が第1めっき層201に吸収されることを抑制することができる。また、上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の一部が第2めっき層202から露出することにより、第2めっき層202の面積を小さくすることができる。このため、第2めっき層202としてAg又はAg合金を用いる場合でも、変色する第2めっき層の面積が小さいので樹脂パッケージの光取り出し効率の低下を抑制することができる。図5に示すように、上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201が第2めっき層202を囲んでいてもよい。図2Bに示すように、本実施形態では、第3樹脂部33は、第1リード21の上面21aから高さh1および幅w1を有し、素子載置領域を切れ目なく囲む環形状を有する。第3樹脂部33の高さh1とは、Z方向における樹脂パッケージ10の凹部11の底面11aから第3樹脂部の上端までの距離のことである。
The
第3樹脂部33は、第1リード21の上面の上に位置する部分と、第1樹脂部31の上面の上に位置する部分を有している。第1リード21の上面の上に第3樹脂部33が位置することにより、樹脂体と第1リードの密着性が向上する。第1リード21の第1溝21jの幅w2は、第3樹脂部33の幅w1よりも大きいことが好ましい。これにより、第1樹脂部31と第1リード21とが接する面積を大きくすることができるので、樹脂体と第1リードの密着性が向上する。
The
樹脂体30は、第4樹脂部34を備えていてもよい。図2Bに示すように、第4樹脂部34とは、樹脂体のうち、リードの最上面よりも上側に位置する部分であり、第2樹脂部32と第3樹脂部33を繋ぐ部分である。第4樹脂部が第2樹脂部と第3樹脂部を繋ぐことで、樹脂体30と第1リードの密着性が向上する。
The
第1めっき層201及び第2めっき層202が、樹脂体30と接していてもよい。このようにすることで、リードと樹脂体とが接する面積を大きくすることができるので、リードと樹脂体の密着性が向上する。
The
樹脂体30は、母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化体、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂組成物や変性シリコーン樹脂組成物の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。第1樹脂部31、第2樹脂部32、第3樹脂部33および第4樹脂部34は一体に連結するため、同じ樹脂材料によって形成され得る。樹脂体30は、母材中に光反射性物質を含有していることが好ましい。このようにすることで、樹脂体30が反射性を有するので、発光素子からの光を効率的に上側に反射させることができる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いることができる。
The
また、樹脂体30は、発光装置のコントラストを向上させるために、発光装置の外光(多くの場合、太陽光)に対して光反射率が低いものを用いてもよい。この場合、通常は黒色ないしそれに近似した色であることが好ましい。この時の充填剤としてはアセチレンブラック、活性炭、黒鉛などのカーボンや、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物、もしくは有色有機顔料などを目的に応じて利用することができる。
Moreover, in order to improve the contrast of the light-emitting device, the
[発光装置]
図6Aから図10Cに基づいて、本開示の発光装置100、101、102を説明する。内部の構造を示すため、図6A、図7A、図8A、及び、図9Aおいて、封止部材は透明な部材として示している。
[Light emitting device]
The
図6A及び図6Cに示すように、発光装置100は、樹脂パッケージ10と、発光素子41と、ワイヤ43aと、を備える。発光装置100は、上述した樹脂パッケージ10を備えている。発光素子41は、第1リードの素子載置領域211aに配置される。ワイヤ43aは、ワイヤ接続領域221aと発光素子41とを電気的に接続する。ワイヤ接続領域221aが第3樹脂部33の外側に位置することで、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
As shown in FIGS. 6A and 6C, the
発光素子のピーク波長における第2めっき層の反射率は、第1めっき層の反射率よりも高いことが好ましい。第2めっき層は、素子載置領域には第2めっき層が位置しているので、第2めっき層の反射率が高いことにより発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。 The reflectance of the second plating layer at the peak wavelength of the light emitting element is preferably higher than the reflectance of the first plating layer. Since the second plating layer is located in the element mounting region, the high reflectance of the second plating layer can improve the light extraction efficiency of the light emitting device.
[発光素子41]
発光素子41には、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。本実施形態では、発光装置100は、1つの発光素子を備えているが、2つ以上の発光素子を備えていてもよい。発光素子41は、特に、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことが好ましい。例えば、発光素子41は、それぞれ青色光および緑色光を出射してもよい。発光装置が、3つの発光素子を備える場合、3つの発光素子は、それぞれ、青色光、緑色光、赤色光を出射してもよい。複数の発光素子は直列接続されていてもよく、並列接続されていてもよい。また、複数の発光素子が直列接続と並列接続を組みわせて電気的に接続されていてもよい。
[Light emitting element 41]
A semiconductor light emitting element such as a light emitting diode element can be used for the
図6Cに示すように、発光素子41の高さh2は、第3樹脂部33の高さh1よりも高いほうが好ましい。これにより、発光素子41からの光が第3樹脂部33に遮られにくくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。発光素子41の高さh2とは、Z方向における樹脂パッケージ10の凹部11の底面11aから発光素子の上面までの距離のことである。
As shown in FIG. 6C, the height h2 of the
発光素子41は、第1リード21の素子載置領域211aに配置され、第1リード21と接合部材によって接合される。接合部材としては、例えば、樹脂体で例示した樹脂材料を含む樹脂、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等を用いることができる。本実施形態では、発光素子41と、第1リード21、及び、第2リード22と、をワイヤ43a、43bによって電気的に接続する。
The
上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の全面が第2めっき層202に覆われてもよく、図7Aに示すように、上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の一部が第2めっき層202から露出していてもよい。上面視において、第3樹脂部33に囲まれる第1めっき層201の一部が第2めっき層202から露出する場合には、図7Bに示すように、発光素子41の下面と対向する第1リードの最表面の全面が第2めっき層202であることが好ましい。このようにすることで、発光素子からの光を第2めっき層で反射させやすくなる。
The entire surface of the
[光反射性部材50]
図6Aに示すように、発光装置100は、光反射性部材50を備えていてもよい。光反射性部材50は、発光素子41から出射した光を開口11cへ向けて反射させる。光反射性部材50は、第2樹脂部32の内側壁面及び凹部11の底面11aの少なくとも一部を連続して覆っている。また、図6C及び図6Dに示すように、光反射性部材50がワイヤ接続領域を被覆することが好ましい。このようにすることで、発光素子からの光がワイヤ接続領域の最表面に位置する第1めっきに吸収されることを抑制できる。光反射性部材50は、第2樹脂部32及び第3樹脂部33を連続して覆っていることが好ましい。このようにすることで、光反射性部材と樹脂パッケージの密着性が向上する。
[Light reflective member 50]
As shown in FIG. 6A, the
光反射性部材50は、凹部11の底面11a側から開口11cへ広がる傾斜面50sを有していることが好ましい。傾斜面50sによって発光素子41から出射した光を開口11cへ向けて反射させることができる。これにより、発光装置100の光取り出し効率を向上させることができる。光反射性部材50の傾斜面50sは平面を有していてもよく、凹曲面を有していてもよく、凸曲面を有していてもよい。換言すると、断面視において、光反射性部材50の傾斜面は直線を有していてもよく、凹曲線を有していてもよく、凸曲線を有していてもよい。図6Cに示すように、断面視において、光反射性部材50の傾斜面50sが、凹部11の底面11a側に凹む凹曲線であることが好ましい。このようにすることで、発光素子41からの光が光反射性部材50に反射されて、発光素子41に吸収されることを抑制することができる。
The
図6Aに示すように、光反射性部材50は、第3樹脂部33と発光素子41の間に位置する凹部11の底面11aから離れていてもよく、図8Aに示すように、第3樹脂部33と発光素子41の間に位置する凹部11の底面11aの一部と接していてもよい。光反射性部材50が、第3樹脂部と発光素子の間に位置する凹部11の底面から離れていることにより、光反射性部材50と発光素子が接することを抑制することができる。光反射性部材50と発光素子とが離れていることにより、発光素子41からの光が光反射性部材50に反射されて、発光素子41に吸収されることを抑制することができる。光反射性部材50が、第3樹脂部33と発光素子41の間に位置する凹部11の底面11aの一部と接することにより、光反射性部材50を発光素子の近傍にまで形成することができる。光反射性部材50によって発光素子41からの光が反射されやすくなるので、発光装置の光取り出し効率を向上させやすくなる。
As shown in FIG. 6A, the
光反射性部材50が、発光素子から離れて、第3樹脂部33と発光素子41の間に位置する凹部11の底面11aの一部と接する場合には、図8A、図8B、及び、図8Cに示すように、第3樹脂部33と発光素子41の間に第4溝21kを設けることが好ましい。このようにすることで、光反射性部材50を第4溝21kによってせき止めることができる。
When the
光反射性部材50が、発光素子から離れて、第3樹脂部33と発光素子41の間に位置する凹部11の底面11aと接する場合には、図9A、図9B、及び、図9Cに示すように、第3樹脂部33と発光素子41の間に樹脂枠80を設けることが好ましい。このようにすることで、光反射性部材50を樹脂枠80によってせき止めることができる。
When the
光反射性部材50は発光素子からの光や外光などに対して透過や吸収しにくい部材が好ましい。光反射性部材50は白色を有することが好ましい。例えば、光反射性部材50の母体となる樹脂として熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンや、PPAやシリコーン樹脂などを用いることができる。これら母体となる樹脂に、発光素子からの光を吸収しにくくかつ母体となる樹脂に対して屈折率差の大きい反射部材(例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム)などの光散乱粒子を分散することで、効率よく光を反射させることができる。光反射性部材50の未硬化の状態の粘度は、樹脂体30の未硬化の状態の粘度よりも低いことが好ましい。例えば、光反射性部材50の未硬化の状態の粘度は、1pa・s~20pa・sであることが好ましく、5pa・s~15pa・sであることがより好ましい。これにより、凹部11内において、光反射性部材50の濡れ広がりが良好となり、光反射性部材50が充填不足となる可能性を抑制することができる。光反射性部材50は、未硬化の状態でチクソ性が高いことが好ましい。
The light-reflecting
光反射性部材50は、樹脂体30よりも光反射率が高いことが好ましい。例えば、光反射性部材50に含有される光反射性物質(例えば酸化チタン)の含有量は、樹脂体30に含有される光反射性物質の含有量よりも多い。具体的には、光反射性部材50に含有される光反射性物質の含有量は、樹脂体30に含有される光反射性物質の含有量の1.5倍以上であることが好ましく、2倍以上であることがより好ましく、2.5倍以上であることがさらに好ましい。例えば、光反射性部材50には、未硬化の樹脂材料の全重量のうち酸化チタンが40重量%含有されており、樹脂体30には、未硬化の樹脂材料の全重量のうち酸化チタンが15~20重量%含有されている。
The
第2めっき層がAg又はAg合金から選択される少なくとも1種である場合には、第2めっき層の表面に酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の保護層が設けられることが好ましい。これにより、大気中の硫黄成分等により第2めっき層が変色することを抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ等の真空プロセスによって成膜することができるが、その他の既知の方法を用いてもよい。保護層は、発光素子を実装してワイヤで接続し、光反射性部材を形成した後で形成してもよい。また、図10Aに示すように、保護層70は、発光素子41を実装しワイヤで接続した後で、且つ、光反射性部材50を形成する前に形成してもよい。図10Aに示すように、保護層70は、発光素子及び凹部の底面の少なくとも一部を被覆してもよい。
When the second plating layer is at least one selected from Ag or Ag alloy, it is preferable to provide a protective layer such as silicon oxide or aluminum oxide on the surface of the second plating layer. As a result, discoloration of the second plating layer due to sulfur components in the air can be suppressed. The protective layer can be formed by a vacuum process such as sputtering, but other known methods may be used. The protective layer may be formed after the light-emitting elements are mounted and connected with wires to form the light-reflecting member. Moreover, as shown in FIG. 10A, the
[保護素子60]
発光装置は、静電耐圧を向上させるために保護素子60を備えていてもよい。保護素子60には、一般的な発光装置に搭載される種々の保護素子を用いることができる。例えば、保護素子60としてツェナーダイオードを用いることができる。発光装置において、保護素子および発光素子は、並列に接続されている。
[Protection element 60]
The light-emitting device may include a
図6Bに示すように、保護素子60は、第2リード22の上面22aに設けてもよい。保護素子は、光反射性部材内に埋め込まれることが好ましい。これにより、発光素子からの光が保護素子に吸収されることを抑制することができる。
As shown in FIG. 6B, the
保護素子60の2つの端子のうちの一方は、接合部材によって、第2リード22の上面22aと電気的に接続されている。接合部材としては、例えば錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等を用いることができる。また、保護素子60の他方の端子は、例えば、ワイヤ61によって第1リード21の上面21aに接続されている。
One of the two terminals of the
図6Cに示すように、発光装置100は、発光素子の上面を被覆する封止部材75を備えていてもよい。封止部材75は、凹部11内の光反射性部材50の傾斜面50sが形成する凹部内に位置し、凹部11の底に位置する発光素子41を被覆している。封止部材75は発光素子41を外力や埃、水分などから保護することができる。
As shown in FIG. 6C, the
封止部材75は、発光素子41から出射される光の60%以上を透過するもの、さらに90%以上を透過するものが好ましい。封止部材75の材料としては、樹脂体30で用いられる樹脂材料を用いることができ、母体となる樹脂として熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらを1つ以上含む樹脂を用いることができる。封止部材75は単一層から形成することもできるが、複数層から構成することもできる。また、封止部材75には、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの光散乱粒子を分散させてもよい。
The sealing
封止部材75は、発光素子41からの光の波長を変換する材料(蛍光体等)を含んでいてもよい。蛍光体としては、具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウムおよび/若しくはクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(カルシウムの一部をストロンチウムで置換可)、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、ユウロピウムで賦活されたアルミン酸ストロンチウム、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどを用いることができる。光散乱粒子および/又は蛍光体の含有量は、例えば、封止部材75の全重量に対して10~100重量%程度であることが好ましい。
The sealing
封止部材75は、複数の封止部を有していてよい。例えば、図10Bに示すように、封止部材75は、第1封止部75aと第2封止部75bとを有していてもよい。第1封止部75aは、発光素子41の上面および側面を被覆する。第2封止部75bは、第1封止部75aの上に配置される。このような封止部材75において、例えば、第1封止部75aに長波の光を発する蛍光体を含有させ、第2封止部75bに短波の光を発する蛍光体を含有させることで、蛍光体同士の光の吸収を抑えることができる。例えば、第1封止部75aに赤色蛍光体を含有させ、第2封止部75bに黄色蛍光体、緑色蛍光体、及び/又は、青色蛍光体を含有させる。
The sealing
図10Cに示すように、封止部材75が第1封止部75aと第2封止部75bとを有していてもよい。第1封止部75aは、発光素子41の上面のみを被覆し、発光素子41の側面は被覆しない。第2封止部75bは、第1封止部75aの上に配置され、第1封止部75aの上面および発光素子41の側面を被覆する。このような封止部材75において、例えば、第1封止部75aに長波の光を発する蛍光体を含有させ、第2封止部75bに短波の光を発する蛍光体を含有させる。光強度が大きい発光素子41の上面(発光面)側に長波の光を発する蛍光体を配置することで、発光素子41から出射される光の多くを長波の光を発する蛍光体に効率的に吸収させることができる。その結果、第1封止部75aに含有される蛍光体と、第2封止部75bに含有される蛍光体との蛍光体同士の光の吸収を抑えることができる。例えば、第1封止部75aに赤色蛍光体を含有させ、第2封止部75bに黄色蛍光体、緑色蛍光体、及び/又は、青色蛍光体を含有させる。
As shown in FIG. 10C, the sealing
本発明の一実施形態に係る発光装置は、各種照明器具、液晶ディスプレイのバックライト装置、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。 The light-emitting device according to one embodiment of the present invention includes various types of lighting fixtures, backlight devices for liquid crystal displays, large displays, various display devices for advertisements and destination information, projector devices, digital video cameras, facsimiles, and copiers. , an image reading device such as a scanner.
樹脂パッケージ10
樹脂体30
第1樹脂部31
第2樹脂部32
第3樹脂部33
第1リード21
素子載置領域211a
第2リード22
ワイヤ接続領域221a
発光素子41
光反射性部材50
保護素子60
封止部材75
第1封止部75a、第2封止部75b
樹脂枠80
light emitting
Sealing
First sealing
Claims (11)
前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、を含み、
前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、
前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、
前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、
前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、
前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、
前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、
前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、
前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、
前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd又はPd合金から選択される少なくとも1種であり、
前記第2めっき層は、Ag又はAg合金から選択される少なくとも1種であり、
前記第3樹脂部の外側に位置する前記凹部の底面において、前記樹脂体から露出する前記第1めっき層の面積が前記樹脂体から露出する前記第2めっき層の面積よりも大きい樹脂パッケージ。 A resin package having a recess having a bottom surface and an inner side surface and including leads and a resin body,
the leads include a first lead having an element mounting area and a second lead having a wire connection area;
The resin body includes a first resin portion, a second resin portion and a third resin portion,
the bottom surface of the recess includes the element mounting area, the wire connection area, and the first resin part;
the inner surface of the recess includes the second resin portion,
the third resin portion is located above the bottom surface of the recess and surrounds the element mounting region away from the inner side surface of the recess;
the wire connection region is positioned outside the third resin portion,
The first lead and the second lead each have a plated layer on the surface, the plated layer includes a first plated layer and a second plated layer covering a part of the first plated layer,
The first plating layer is located on the outermost surface of the wire connection region,
The second plating layer is located on the outermost surface of the element mounting region,
The first plating layer is at least one selected from Au, Au alloy, Pd or Pd alloy,
The second plating layer is at least one selected from Ag or Ag alloy,
A resin package in which the area of the first plating layer exposed from the resin body is larger than the area of the second plating layer exposed from the resin body on the bottom surface of the recess positioned outside the third resin part.
発光素子と、
ワイヤと、を備え、
前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、を含み、
前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、
前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、
前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、
前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、
前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、
前記発光素子は、前記素子載置領域に配置され、
前記ワイヤは、前記ワイヤ接続領域と前記発光素子とを電気的に接続し、
前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、
前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、
前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、
前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、又は、Pd合金から選択される少なくとも1種であり、
前記発光素子のピーク波長における前記第2めっき層の反射率は、前記第1めっき層の反射率よりも高く、
前記第3樹脂部の外側に位置する前記凹部の底面において、前記樹脂体から露出する前記第1めっき層の面積が前記樹脂体から露出する前記第2めっき層の面積よりも大きい発光装置。 a resin package having a recess having a bottom surface and an inner side surface and including leads and a resin body;
a light emitting element;
comprising a wire and
the leads include a first lead having an element mounting area and a second lead having a wire connection area;
The resin body includes a first resin portion, a second resin portion and a third resin portion,
the bottom surface of the recess includes the element mounting area, the wire connection area, and the first resin part;
the inner surface of the recess includes the second resin portion,
the third resin portion is located above the bottom surface of the recess and surrounds the element mounting region away from the inner side surface of the recess;
the wire connection region is positioned outside the third resin portion,
The light emitting element is arranged in the element mounting area,
the wire electrically connects the wire connection region and the light emitting element;
The first lead and the second lead each have a plated layer on the surface, the plated layer includes a first plated layer and a second plated layer covering a part of the first plated layer,
The first plating layer is located on the outermost surface of the wire connection region,
The second plating layer is located on the outermost surface of the element mounting region,
The first plating layer is at least one selected from Au, Au alloy, Pd, or Pd alloy,
The reflectance of the second plating layer at the peak wavelength of the light emitting element is higher than the reflectance of the first plating layer,
The light emitting device, wherein the area of the first plating layer exposed from the resin body is larger than the area of the second plating layer exposed from the resin body on the bottom surface of the recess located outside the third resin part.
発光素子と、
ワイヤと、を備え、
前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、を含み、
前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、
前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、
前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、
前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、
前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、
前記発光素子は、前記素子載置領域に配置され、
前記ワイヤは、前記ワイヤ接続領域と前記発光素子とを電気的に接続し、
前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、
前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、
前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、
前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、又は、Pd合金から選択される少なくとも1種であり、
前記第2めっき層は、Ag又はAg合金から選択される少なくとも1種であり、
前記第3樹脂部の外側に位置する前記凹部の底面において、前記樹脂体から露出する前記第1めっき層の面積が前記樹脂体から露出する前記第2めっき層の面積よりも大きい発光装置。 a resin package having a recess having a bottom surface and an inner side surface and including leads and a resin body;
a light emitting element;
comprising a wire and
the leads include a first lead having an element mounting area and a second lead having a wire connection area;
The resin body includes a first resin portion, a second resin portion and a third resin portion,
the bottom surface of the recess includes the element mounting area, the wire connection area, and the first resin part;
the inner surface of the recess includes the second resin portion,
the third resin portion is located above the bottom surface of the recess and surrounds the element mounting region away from the inner side surface of the recess;
the wire connection region is positioned outside the third resin portion,
The light emitting element is arranged in the element mounting area,
the wire electrically connects the wire connection region and the light emitting element;
The first lead and the second lead each have a plated layer on the surface, the plated layer includes a first plated layer and a second plated layer covering a part of the first plated layer,
The first plating layer is located on the outermost surface of the wire connection region,
The second plating layer is located on the outermost surface of the element mounting region,
The first plating layer is at least one selected from Au, Au alloy, Pd, or Pd alloy,
The second plating layer is at least one selected from Ag or Ag alloy,
The light emitting device, wherein the area of the first plating layer exposed from the resin body is larger than the area of the second plating layer exposed from the resin body on the bottom surface of the recess located outside the third resin part.
から10のいずれか1項に記載の発光装置。 6. A protective layer covering at least part of the light emitting element and the bottom surface of the recess is provided .
11. The light-emitting device according to any one of 10 to 10 .
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