JP7207656B2 - 半導体モジュールの製造方法、及び半導体モジュール - Google Patents
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Description
図11の(a)は、上記実施形態の一変形例として、工程S5における焼結型導電ペースト23及びAuSn共晶半田22の様子を拡大して示す断面図である。また、図11の(b)は、一変形例に係る半導体モジュールの一部を拡大して示す断面図である。図11の(a)に示すように、本変形例の工程S5では、焼結型導電ペースト23が、前工程において塗布されたAuSn共晶半田22と重なる部位23aを有する。また、図11の(b)に示すように、本変形例の半導体モジュールでは、Agを含む金属21が、AuSn共晶半田22と重なる部位21aを有する。当該重なる部位21a,23aは、素子搭載領域311の外側、例えば領域314,315に位置する。このような場合であっても、上記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
Claims (6)
- 金属製のベース及び前記ベースの周囲に設けられた絶縁性の側壁を有するパッケージを用意する第1工程と、
第1の部品グループに属する部品を、前記側壁に囲まれており前記ベース上において所定方向に並ぶ一対の第1領域上に配置する第2工程と、
前記第2工程ののちに、第2の部品グループに属する部品を、前記ベース上において前記一対の第1領域に挟まれており前記所定方向に並ぶ一対の第2領域上に配置する第3工程と、
前記第3工程ののちに、前記ベース上において前記一対の第2領域に挟まれており前記一対の第2領域に隣接する素子搭載領域上に半導体素子を配置する第4工程と、
を含み、
前記第2工程では、AuSn共晶半田を間に挟んで前記第1の部品グループに属する部品を前記ベース上に配置し、
前記第3工程では、Agを含む焼結型導電ペーストを間に挟んで前記第2の部品グループに属する部品を前記ベース上に配置し、
前記第4工程では、Agを含む焼結型導電ペーストを間に挟んで前記半導体素子を前記ベース上に配置する、半導体モジュールの製造方法。 - 前記第3工程において、前記焼結型導電ペーストは、前記第2工程において塗布された前記AuSn共晶半田と重なる部位を有し、当該重なる部位は、前記素子搭載領域の外側に位置する、請求項1に記載の半導体モジュールの製造方法。
- 前記第3工程において、前記半導体素子に対する入力整合回路を含む基板を前記一対の第2領域のうち一方に配置し、前記半導体素子に対する出力整合回路を含む基板を前記一対の第2領域のうち他方に配置する、請求項1または請求項2に記載の半導体モジュールの製造方法。
- 前記第2工程において、前記入力整合回路に対する分岐回路を含む基板を前記一対の第1領域のうち一方に配置し、前記出力整合回路に対する合波回路を含む基板を前記一対の第1領域のうち他方に配置する、請求項3に記載の半導体モジュールの製造方法。
- 高周波信号を入力し、該高周波信号を増幅して出力する半導体モジュールであって、
金属製のベース、及び前記ベースの周囲に設けられた絶縁性の側壁を有するパッケージと、
前記ベース上において前記側壁に囲まれた素子搭載領域に配置された半導体増幅素子と、
前記側壁に囲まれており前記ベース上において所定方向に前記素子搭載領域を挟む一対の第2領域のうち一方に配置された、前記半導体増幅素子に対する入力整合回路を含む基板と、
前記一対の第2領域のうち他方に配置された、前記半導体増幅素子に対する出力整合回路を含む基板と、
前記側壁に囲まれており前記ベース上において前記所定方向に前記一対の第2領域を挟む一対の第1領域のうち一方に配置された、前記入力整合回路に対する分岐回路を含む基板と、
前記一対の第1領域のうち他方に配置された、前記出力整合回路に対する合波回路を含む基板と、
を備え、
前記分岐回路を含む基板、及び前記合波回路を含む基板は、AuSn共晶半田を介して前記ベースに接合されており、
前記入力整合回路を含む基板、前記出力整合回路を含む基板、及び前記半導体増幅素子は、焼結されたAgを含む金属を介して前記ベースに接合されている、半導体モジュール。 - 前記Agを含む金属は、前記AuSn共晶半田と重なる部位を有し、当該重なる部位は、前記素子搭載領域の外側に位置する、請求項5に記載の半導体モジュール。
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