JP7202770B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、色変換層を有する表示装置及びその製造方法に関する。
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）は、現在最も広く使われている平板表示装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＰＤ）のうちの一つであって、電極が形成されている２つの基板と、その間に挿入されている液晶層を含む。
液晶表示装置は、２つの電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子などを再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。これらの液晶表示装置は、色を表現するためのカラーフィルターを含む。
最近、既存の液晶表示装置に使用されるカラーフィルターを蛍光パターンで代替した表示装置が研究されている。これらの蛍光パターンを有する表示装置をフォトルミネセンス表示装置（ｐｈｏｔｏ－ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｓｐｌａｙ；ＰＬＤ）ともいう。フォトルミネセンス表示装置は、色変換層と光量調節層との間に配置された偏光板を含む。
本発明の実施形態は、薄くて優れた平坦度を有する偏光板を含む表示装置及びその製造方法を提供しようとする。
本発明の一実施形態は、表示基板と、前記表示基板と対向する対向基板と、前記表示基板と前記対向基板との間に介在された光量調節層と、を含み、前記表示基板は、第１基板と、前記第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と、を含み、前記対向基板は、第２基板と、前記第２基板上に配置された色変換層と、前記色変換層上に配置された第１偏光板と、を含み、前記第１偏光板は、ベース基板と、前記ベース基板の一面に配置された偏光子と、を含み、前記第１偏光板は、前記画素電極と対向し、前記偏光子が配置された前記ベース基板の一面は、６０ｎｍ以下の平坦度を有する、表示装置を提供する。なお、以下に、好ましい各実施形態についての事項を列挙する。
前記ベース基板は、０．８μｍ～５０μｍの厚さを有する。
前記ベース基板は、プラスチック基板である。
前記表示装置は、前記色変換層と前記ベース基板との間に配置されたダイクロイック層をさらに含む。
前記表示装置は、前記第２基板と前記色変換層との間に配置された粘着層を含む。
前記表示装置は、前記色変換層と前記第１偏光板との間に配置された粘着層を含む。
前記偏光子は、ワイヤーグリッド偏光子（ＷＧＰ；ｗｉｒｅ ｇ ｒｉｄ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）である。
前記偏光子は、ＰＶＡ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を含む。
前記色変換層は、蛍光体を含む。
前記色変換層は、量子ドットを含む。
前記色変換層は、赤色蛍光体を含む赤色変換部と、緑色蛍光体を含む緑色変換部と、を含む。
前記表示装置は、前記赤色変換部及び前記緑色変換部上に配置された黄色カラーフィルターをさらに含む。
前記表示装置は、前記ベース基板と前記偏光子との間に配置されたパッシベーション層をさらに含む。
前記表示装置は、前記表示基板に配置された第２偏光板をさらに含む。
前記光量調節層は、液晶層である。
前記対向基板は、遮光層をさらに含む。
前記遮光層は、前記ベース基板と前記第２基板との間に配置される。
前記遮光層は、前記ベース基板と前記光量調節層との間に配置される。
本発明の他の一実施形態は、表示基板を形成するステップと、第１偏光板を形成するステップと、前記第１偏光板と前記表示基板を互いに対向配置するステップと、を含み、前記表示基板を形成するステップは、第１基板上に薄膜トランジスタを配置するステップと、前記第１基板上に前記薄膜トランジスタと連結された画素電極を形成するステップと、を含み、前記第１偏光板を形成するステップは、キャリア基板上にベース基板を配置するステップと、前記ベース基板上に第１偏光子を配置するステップと、を含み、前記第１偏光板と前記表示基板を互いに対向配置するステップは、前記キャリア基板を除去するステップを含む、表示装置の製造方法を提供する。なお、以下に、好ましい各実施形態についての事項を列挙する。
前記ベース基板は、プラスチック基板である。
前記ベース基板は、０．８μｍ～５０μｍの厚さを有する。
前記製造方法は、前記第１偏光板と前記表示基板を互いに対向配置するステップの前に、前記第１偏光板上に色変換層を配置するステップをさらに含む。
前記製造方法は、前記キャリア基板を除去するステップの後に、前記第１偏光板上に色変換層を配置するステップをさらに含む。
本発明のさらに他の一実施形態は、表示基板を形成するステップと、キャリア基板上に第１偏光板を形成するステップと、前記第１偏光板上に色変換層を形成するステップと、前記色変換層上に第２基板を配置するステップと、前記第１偏光板から前記キャリア基板を除去するステップと、前記第１偏光板に共通電極を配置して対向基板を形成するステップと、前記対向基板を前記表示基板と対向配置するステップと、を含み、前記第１偏光板を形成するステップは、前記キャリア基板上にベース基板を配置するステップと、前記ベース基板上に偏光子を配置するステップと、を含む、表示装置の製造方法を提供する。なお、以下に、好ましい各実施形態についての事項を列挙する。
前記ベース基板は、プラスチック基板である。
前記ベース基板は、０．８μｍ～５０μｍの厚さを有する。
前記表示基板を形成するステップは、第１基板上に薄膜トランジスタを配置するステップと、前記第１基板上に前記薄膜トランジスタと連結された画素電極を形成するステップと、を含む。
前記製造方法は、前記第１偏光板上に色変換層を形成するステップの前に、前記第１偏光板上にダイクロイック層を配置するステップをさらに含む。
前記製造方法は、前記第１偏光板上にダイクロイック層を配置するステップの前に、前記第１偏光板上に第１パッシベーション層を配置するステップをさらに含む。
前記製造方法は、前記ベース基板上に偏光子を配置するステップの前に、前記ベース基板上にダイクロイック層を配置するステップをさらに含む。
前記色変換層上に第２基板を配置するステップは、前記色変換層と前記第２基板との間に粘着層を配置するステップをさらに含む。
前記色変換層を形成するステップは、前記第１偏光板上に赤色蛍光体を含む赤色変換部及び緑色蛍光体を含む緑色変換部を形成するステップを含む。
前記製造方法は、前記赤色変換部及び前記緑色変換部上に黄色カラーフィルターを配置するステップをさらに含む。
前記色変換層を形成するステップは、遮光層を形成するステップをさらに含む。
本発明のさらに他の一実施形態は、表示基板を形成するステップと、キャリア基板上に第１偏光板を形成するステップと、前記第１偏光板上に共通電極を形成するステップと、前記共通電極を前記表示基板と対向配置するステップと、第１偏光板から前記キャリア基板を除去するステップと、第２基板上に色変換層を形成し、前記第２基板上に形成された前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップと、を含み、前記第１偏光板を形成するステップは、前記キャリア基板上にベース基板を配置するステップと、前記ベース基板上に偏光子を配置するステップと、を含む、表示装置の製造方法を提供する。なお、以下に、好ましい各実施形態についての事項を列挙する。
前記製造方法は、前記第１偏光板上に前記共通電極を形成するステップの前に、前記第１偏光板上に補償フィルムを配置するステップをさらに含む。
前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップは、前記色変換層と前記第１偏光板との間に粘着層を配置するステップをさらに含む。
前記色変換層を形成するステップは、前記第２基板上に遮光層を形成するステップをさらに含む。
前記製造方法は、前記色変換層上にダイクロイック層を形成するステップをさらに含む。
本発明のさらに他の一実施形態は、表示基板を形成するステップと、キャリア基板上にベース基板を形成するステップと、前記ベース基板上に共通電極を形成するステップと、前記共通電極を前記表示基板と対向するように配置するステップと、前記ベース基板から前記キャリア基板を除去するステップと、前記キャリア基板が除去されて露出されたベース基板上に偏光子を配置して第１偏光板を形成するステップと、第２基板上に色変換層を形成し、前記第２基板上に形成された前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップと、を含む、表示装置の製造方法を提供する。
本発明のさらに他の実施形態は、表示基板と、表示基板と対向する対向基板と、表示基板と対向基板との間に介在された液晶層と、を含み、表示基板は、第１基板と、第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと連結された第１電極と、を含み、対向基板は、第２基板と、第２基板上に配置された色変換層と、色変換層上に配置された第１偏光板と、第１偏光板上に配置された第２電極と、を含み、色変換層は、色変換部と、色変換部と重なる重畳する緩衝層と、を含む。なお、以下に、好ましい各実施形態についての事項を列挙する。
色変換部は、赤色変換部と、緑色変換部と、を含むことができる。
色変換部は、量子ドットを含むことができる。
色変換部は、透過部をさらに含むことができる。
平面上で赤色変換部と緑色変換部との間に配置される遮光層をさらに含むことができる。
遮光層は、第２基板と緩衝層との間に配置され得る。
遮光層は、緩衝層と第１偏光板との間に配置され得る。
第２電極と第１偏光板との間に配置された平坦層をさらに含むことができる。
遮光層は、第１偏光板と平坦層との間に配置され得る。
第２基板と緩衝層との間に配置される黄色カラーフィルターをさらに含むことができる。
黄色カラーフィルターは、赤色変換部及び緑色変換部と重畳することができる。
色変換部は、第２基板と緩衝層との間に配置され得る。
色変換部は、緩衝層と第１偏光板との間に配置され得る。
緩衝層と第１偏光板との間に配置された粘着層を含むことができる。
本発明のさらに他の実施形態は、表示基板と、表示基板と対向する対向基板と、表示基板と対向基板との間に介在された液晶層と、を含み、表示基板は、第１基板と、第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと連結された第１電極と、を含み、対向基板は、第２基板と、第２基板上に配置された色変換層と、色変換層上に配置された第１偏光板と、第１偏光板上に配置された第２電極と、を含み、対向基板は、第２基板と色変換層上との間、及び第１偏光板と第２電極との間のうちの少なくとも一つに配置された平坦層を含む、表示装置の製造方法を提供する。
本発明の一実施例による表示装置は、薄い偏光板を含むので、混色なく画面を表示することができる。
また、本発明の他の一実施例によると、キャリア基板上で偏光板が形成されるので、薄い偏光板が作られることができる。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例などを参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例などに限定されるのではなく、互いに異なる様々な形態で具現されるはずであり、単に本実施例などは、本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明のカテゴリを完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項のカテゴリによって定義されるのみである。従って、いくつかの実施例において、よく知られている工程ステップなど、よく知られている素子構造及びよく知られている技術は、本発明についてポイントがぼやけて解釈されることを避けるために具体的に説明されない。明細書全体にわたって同一参照符号は、同一構成要素を指称する。
図面において、多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似した部分については、同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるとするとき、これは他の部分“真上に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分“真上に”あるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“下に”あるとするとき、これは他の部分“すぐ下に”ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分“すぐ下に”あるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。
空間的に相対的な用語である“下（ｂｅｌｏｗ）”、“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”、“下部（ｌｏｗｅｒ）”、“上（ａｂｏｖｅ）”、“上部（ｕｐｐｅｒ）”などは、図面に示されているように、一つの素子または構成要素などと、他の素子または構成要素などとの相関関係を容易に記述するために使用され得る。空間的に相対的な用語は、図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。例えば、図面に示されている素子を覆す場合は、他の素子の“下（ｂｅｌｏｗ）”または“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”に記述された素子は、他の素子の“上（ａｂｏｖｅ）”に置かれることができる。従って、例示的な用語である“下”は、下と上の方向をいずれも含むことができる。素子は、他の方向にも配向されることができ、これにより、空間的に相対的な用語は、配向に応じて解釈され得る。
本明細書において、ある部分が他の部分と連結されているとするとき、これは直接的に連結されている場合だけでなく、その中間に他の素子を間に置いて電気的に連結されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むとするとき、これは特にそれに反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本明細書において、第１、第２、第３などの用語は、様々な構成要素などを説明するのに使用され得るが、これらの構成要素などは、前記用語などによって限定されるのではない。前記用語などは、一つの構成要素を他の構成要素などから区別する目的で使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せず、第１構成要素が第２または第３構成要素などと命名されることができ、類似に第２または第３構成要素も交互的に命名され得る。
他の定義がなければ、本明細書で使用されるすべての用語（技術及び科学的用語を含み）は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に共通的に理解され得る意味で使用され得るだろう。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語などは、明白に特別に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
以下、図１～図３を参照して、本発明の第１実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施例による表示装置の分解斜視図である。
図１を参照すると、本発明の第１実施例による表示装置は、順次に配置されたバックライト部４１０と、第２偏光板５２０と、表示基板１１０と、光量調節層３１０と、対向基板２１０と、を含む。対向基板２１０は、共通電極ＣＥと、第１偏光板５１０と、色変換層２３０と、第２基板２１１と、を含む。
バックライト部４１０は、紫外線、近紫外線（near ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）などを照射することができる。バックライト部４１０は、例えば、白色光または青色光を表示基板１１０に照射することができる。以下、青色光を発光するバックライト部４１０を含む表示装置を中心に第１実施例を説明する。
図２は、図１に示された表示装置の画素に対する平面図であり、図３は、図２の切断線Ｉ－Ｉ’に沿って切った断面図である。
図２及び図３に示されたように、本発明の第１実施例による表示装置１０１は、表示基板１１０と、表示基板１１０と対向する対向基板２１０と、表示基板１１０と対向基板２１０との間に配置された光量調節層３１０と、を含む。
光量調節層３１０は、バックライト部４１０から提供された光の透過度を制御することができるものなら、いずれでも可能である。例えば、光量調節層３１０は、液晶層、エレクトロウェッティング層（電気湿潤層）及び電気泳動層のうちのいずれか一つであり得る。以下では、光量調節層３１０が液晶層であることを例に挙げて説明する。この場合には、本発明の第１実施例による表示装置１０１は、液晶表示装置であるといえる。
表示基板１１０は、第１基板１１１と、薄膜トランジスタＴＦＴと、画素電極（ＰＥ）と、ゲート絶縁膜１２１と、保護膜１３１と、を含む。薄膜トランジスタＴＦＴは、半導体層ＳＭと、抵抗性接触層１１５と、ゲート電極ＧＥと、ソース電極ＳＥと、ドレイン電極ＤＥと、を含む。
第１基板１１１は、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる。
第１基板１１１上に複数のゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥが配置される。ゲート電極ＧＥは、ゲートラインＧＬと一体に構成される。ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金といったアルミニウム系列の金属、銀（Ａｇ）や銀合金といった銀系列の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金といった銅系列の金属、またはモリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金のようなモリブデン系列の金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちのいずれか一つで作られることができる。ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥのうちの少なくとも一つは、物理的性質が互いに異なる少なくとも２つの導電膜を含む、多重膜構造を有することもできる。
ゲート絶縁膜１２１は、ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを含んだ第１基板１１１の全面に配置される。ゲート絶縁膜１２１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られうる。または、ゲート絶縁膜１２１は、物理的性質が互いに異なる少なくとも２つの絶縁層などを含む、多重膜構造を有することができる。
半導体層ＳＭは、ゲート絶縁膜１２１上に配置される。ここで、半導体層ＳＭは、ゲート絶縁膜１２１の下部に位置したゲート電極ＧＥと重なり合う。半導体層ＳＭは、非晶質ケイ素または多結晶ケイ素などで作られうる。半導体層ＳＭは、酸化物半導体からなることもできる。
抵抗性接触層１１５は、半導体層ＳＭ上に配置される。例えば、抵抗性接触層１１５は、半導体層ＳＭのチャンネル部分以外の半導体層ＳＭ上に配置される。
また、ゲート絶縁膜１２１上に複数のデータラインＤＬが配置される。データラインＤＬは、ゲートラインＧＬと交差する。ソース電極ＳＥは、データラインＤＬと一体に構成される。ソース電極ＳＥは、抵抗性接触層１１５上に配置される。ドレイン電極ＤＥは、抵抗性接触層１１５上に配置され、画素電極ＰＥに連結される。
データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥのうちの少なくとも一つは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタンなどの耐熱性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金で作られうる。または、データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥのうちの少なくとも一つは、耐熱性金属膜と低抵抗導電膜を含む多重膜構造を有しうる。
保護膜１３１は、半導体層ＳＭ、データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含んだ第１基板１１１の全面に配置される。保護膜１３１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物で作られることができる。これとは異なり、保護膜１３１は、有機膜で作られることもありうる。保護膜１３１は、下部無機膜と上部有機膜からなる二重膜構造を有することもありうる。
画素電極ＰＥは、保護膜１３１上に配置される。ここで、画素電極ＰＥは、保護膜１３１のコンタクトホールＣＨを介してドレイン電極ＤＥと連結される。画素電極ＰＥは、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性物質で作られうる。
第２偏光板５２０は、表示基板１１０の一方の面に配置される。具体的に、第２偏光板５２０は、第１基板１１１の背面（外側面、すなわち、透過型液晶表示装置の場合におけるバックライトの側の面）に配置され得る。
対向基板２１０は、第２基板２１１と、色変換層２３０と、第１偏光板５１０と、を含む。本発明の第１実施例によると、対向基板２１０は、遮光層ＢＭ及び共通電極ＣＥをさらに含む。
第２基板２１１は、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる。
遮光層ＢＭは、第２基板２１１上に配置される。遮光層ＢＭは、複数の開口部などを有する。開口部は、第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２の各画素電極ＰＥに対応して配置される。遮光層ＢＭは、開口部などを除いた部分における光を遮断する。例えば、遮光層ＢＭは、薄膜トランジスタＴＦＴ、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬ上に位置してこれらを通過した光が外部に放出されることを遮断する。
色変換層２３０は、各画素ＰＸ１、ＰＸ２に配置される。言い替えれば、色変換層２３０は、第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２にそれぞれ対応する領域などに配置される。例えば、色変換層２３０は、画素電極ＰＥに対応して遮光層ＢＭの開口部に位置することができる。ここで、色変換層２３０の縁部は、遮光層ＢＭ上に位置しうる。色変換層２３０の縁部は、遮光層ＢＭと重なり合うのでありうる。
色変換層２３０は、バックライト部４１０から入射された光の波長を変換して、他の波長を有する光を放出する。
色変換層２３０は、複数の色変換部２３１、２３２を含む。色変換部２３１、２３２は、所定の波長を有する光を吸収して他の波長を有する光を放出する蛍光体を含む。色変換部２３１、２３２は、遮光層ＢＭによって互いに区分され得る。しかし、遮光層ＢＭが必ず必要なことではない。遮光層ＢＭは省略されうる。
具体的に、色変換部２３１、２３２は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。例えば、第１色変換部２３１は、赤色画素に対応し、第２色変換部２３２は、緑色画素に対応するのでありうる。示されていないが、バックライト部４１０が青色光を表示基板１１０に放出する際に、色変換層２３０は、第３色変換部を含みうるところ、この第３色変換部は、後述する透過部及び青色変換部を含みうる。第３色変換部は、青色画素に対応しうる。第１色変換部２３１は、赤色蛍光体を含み、第２色変換部２３２は、緑色蛍光体を含み、第３色変換部（図示せず）は、青色蛍光体を含むのでありうる。
また、色変換部２３１は、透過部を含みうる。透過部を通過する光は、波長が変わらない。例えば、バックライト部４１０が青色光を表示基板１１０に出光する場合には、透過部は、青色画素に対応するのでありうる。
色変換層２３０は、蛍光体を含む樹脂（ｒｅｓｉｎ）からなるのでありうる。色変換層２３０は、反射体をさらに含みうる。蛍光体は、光、放射線などの照射で蛍光を発する物質であって、蛍光体固有の色を持った光を放出する。また、蛍光体は、照射される光の方向にかかわらず、全領域に光を放出する。反射体として、ＴｉＯ２などがある。反射体は、粒子の形態を有することができ、蛍光体を含む樹脂内に分散されて配置され得る。
色変換層２３０に含まれた蛍光体として量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）がある。量子ドットは、量子ドットに入射された入射光を吸収した後、入射光とは異なる波長を有する光を放出する。すなわち、量子ドットは、量子ドットに入射された光の波長を変換させることができる波長変換粒子である。量子ドットは、その大きさに応じて変換することができる波長が変わりうる。例えば、量子ドットの直径の調節によって、量子ドットが所望の色相の光を放出させるようにすることができる。
量子ドットは、一般的な蛍光染料に比べて高い吸光係数（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）及び高い量子効率（ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ）を持ち、非常に強い蛍光を発生する。特に、量子ドットは、短い波長の光を吸収して、より長い波長を有する光を放出することができる。
量子ドットは、コアナノ結晶、及び、コアナノ結晶を取り囲むシェルナノ結晶を含む構造を有することができる。また、量子ドットは、シェルナノ結晶に結合される有機リガンドを含むことができ、シェルナノ結晶を取り囲む有機コーティング層を含むこともできる。
シェルナノ結晶は、２層以上に形成され得る。シェルナノ結晶は、コアナノ結晶の表面に配置される。
量子ドットは、II族化合物半導体、III族化合物半導体、Ｖ族化合物半導体及びVI族化合物半導体のうちの少なくとも一つの物質を含むことができる。より詳細に、量子ドットを構成するコアナノ結晶は、ＰｂＳｅ、ＩｎＡｓ、ＰｂＳ、ＣｄＳｅ、ＩｎＧａＰ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＨｇＴｅ及びＨｇＳのうちの少なくとも一つを含むことができる。また、シェルナノ結晶は、ＣｕＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＨｇＴｅ及びＨｇＳのうちの少なくとも一つを含むことができる。
例えば、コアナノ結晶がＣｄＳｅを含むとともに、量子ドットの直径が１ｎｍ～３ｎｍであるときに、青色光を発生させることができ、量子ドットの直径が３ｎｍ～５ｎｍであるときに、緑色光を発生させることができ、量子ドットの直径が７ｎｍ～１０ｎｍであるときに、赤色光を発生させることができる。
量子ドットは、化学的な湿式法によって形成され得る。化学的な湿式法は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。
色変換層２３０は、量子ドットとして、球状または丸い粒子に代えて、またはこれとともに、ロッド状の粒子、すなわち量子ロッド（ｑｕａｎｔｕｍ ｒｏｄ）を含むこともできる。
第２基板２１１をベースとして、第１偏光板５１０は、色変換層２３０上に配置され、色変換層２３０よりも光量調節層３１０に近接して配置される。すなわち、図３を参照すると、第１偏光板５１０は、色変換層２３０の下（光量調節層３１０と接する表面に近い側）に配置される。第１偏光板５１０の透過軸と第２偏光板５２０の透過軸は直交し、これらのうちのいずれか一つの透過軸は、ゲートラインＧＬに沿って、特には平行に配列され得る。
第２基板２１１をベースとして、共通電極ＣＥは、第１偏光板５１０上に配置される。例えば、共通電極ＣＥは、第１偏光板５１０が含まれる第２基板２１１の全面に位置することができる。共通電極ＣＥは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなることができる。
共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥなどと共に光量調節層３１０に電界を印加する。これにより、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の液晶層に電界が形成される。なお、ＦＦＳなどの横電界方式の表示装置にあっては、共通電極を表示基板１１０に配置することができる。この場合、ベース基板５１１が、直接、光量調節層３１０に露出するのでありうる。
図４ａは、本発明の第１実施例による表示装置１０１に適用された第１偏光板５１０の斜視図であり、図４ｂは、図４ａのII－II’に沿って切断した断面図である。
第１偏光板５１０は、ベース基板５１１と、ベース基板５１１上に配置された偏光子５１２とを含む。
ベース基板５１１は、透過性、耐熱性、耐化学性などが優れた物質で作られうる。例えば、ベース基板５１１は、光透過性が優れたポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート及びポリアクリルのうちのいずれか一つを含むプラスチック基板で作られうる。
示されていないが、ベース基板５１１上にバッファー層が配置され得る。バッファー層は、不純元素または不必要な成分が偏光子５１２に侵透することを防止しながら、同時に表面を平坦化する役割を果たす。バッファー層は、種々の無機膜及び種々の有機膜のうちから選択された一つ以上の膜を含むことができる。例えば、バッファー層は、一つの無機膜または一つの有機膜で作られることができ、有機膜と無機膜が積層された構造を有することもできる。しかし、バッファー層は、必ず必要なものではなく、省略され得る。
偏光子５１２は、ベース基板５１１上に、互いに並んで配置された複数本のラインパターン５１２ａを含む。ラインパターン５１２ａは、いずれも、一方向に延びた直線の形態を有し所定の幅を有しており、また、所定の間隔で互いに離隔される。
ラインパターン５１２ａは金属で作られうる。金属で作られた複数個のラインパターン５１２ａを含む偏光子５１２を、ワイヤーグリッド偏光子（ｗｉｒｅ ｇ ｒｉｄ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ；ＷＧＰ）ともいう。本発明の第１実施例による偏光子５１２は、ワイヤーグリッド偏光子（ＷＧＰ）である。
ラインパターン５１２ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうちの少なくとも一つを含むことができる。
偏光子５１２は、モールドを利用したインプリント（ｉｍｐｒｉｎｔ）法、フォトリソグラフィなどの方法で作られうる。しかし、本発明の第１実施例がこれに限定されるのではなく、偏光子５１２は、ブロック共重合体によっても作られうる。すなわち、ラインパターン５１２ａは、蒸着やスパッタリングなどによる金属パターンに限らず、例えば金属微粒子などを含む樹脂により形成されるものであってもよい。
偏光子５１２は、非常に薄くて均一なラインパターン５１２ａからなるので、優れた平坦度を有するベース基板５１１上に偏光子５１２が配置されてこそ、優れた偏光効率を有することになる。例えば、ベース基板は、偏光子を向き合う面を持つ。上記ベース基板の面は、優れた平坦度を有する。上記ベース基板の平坦度は、基準面からのその面の最大偏差（maximum deviation）を根拠に測定することができる。これとは異なり、上記ベース基板の平坦度は、基準面からのその面の平均偏差（average deviation）を根拠に測定することができる。上記基準面はminimum zone reference methodまたはleast squares reference plane methodに基づいて判断されることができる。
本件出願において、平坦度は、JIS B 6190-1：2016 (ISO 230-1：2012)の平面度（flatness）を意味する。すなわち、「平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさ」を意味する。そのため、表面の粗さによる突起や、局部的なうねりやしわによる突出の高さを意味する。この平坦度は、対象となる平面を、平行な平面で挟んだときにできる隙間の値（「最大傾斜式平面度」）として算出することができる。平坦度の測定は、例えばJIS B 6190-1の「112.2.5.4 レーザ干渉計による測定」の測定手順に準拠して行うことができる。具体的には、例えば、三角測距反射方式で行うことができ、一例として、株式会社キーエンス（KEYENCE CORPORATION）の「レーザ変位計LK-G5000」を用いることができる。
ここでの平面度は、各表示装置の表示領域について求めるものである。すなわち、大型のマザー基板から多数の表示装置を切り出す場合、表示装置ごとの表示領域について、平面度を求めることができる。また、表示装置の表示領域は、対角寸法が、一般に２インチ～１００インチ（5.1cm～2.5m）、典型的には２．５インチ～２０インチ（6.3cm～51cm）である。一方、ベース基板５１１の平坦度は、表示装置を分解して、対向基板２１０のパターン形成面について、上記の測定を行うことにより、求めることができる。他方、表示面が湾曲している曲面型の表示装置の場合、ベース基板５１１の平坦度は、湾曲の前に測定されるものであるか、または、湾曲したベース基板５１１の面を基準にした突起などの高さとすることができる。
本発明の第１実施例によると、偏光子５１２は、キャリア基板５５０上に作られうる（図５ｂ参照）。キャリア基板５５０には、ベース基板５１１または接着層との親和性が高く、平坦度、剛性及び安定性の材料からなる板材を用いることができる。例えば、薄型の表示パネルを製造する際に、薄型のガラス基板に裏打ちされて用いられるキャリヤガラス基板などといった、液晶表示装置用のガラス基板と同一の材料からなり、より厚みが大きいガラス板を用いることができる。または、ステンレス鋼やチタン合金などの金属板を用いることができる。キャリア基板５５０の上面の平坦度は、各液晶表示装置の表示領域に対応する領域内にて、少なくとも６０ｎｍ以下、例えば１０～６０ｎｍもしくは１０～５０ｎｍ、または５～５０ｎｍの範囲内でありうる。キャリア基板５５０の厚みは、例えば5～30mmである。偏光子５１２が、このようににキャリア基板５５０上にて形成されるならば、ベース基板５１１がキャリア基板５５０によって支持されるので、ベース基板５１１が優れた平坦度を有することができる。
本発明の第１実施例によると、ベース基板５１１は、６０ｎｍ以下の平坦度を有することができる。すなわち、ベース基板５１１の不均一部分の高さが６０ｎｍ以下に維持され得る。例えば、ベース基板は、１０ｎｍ～６０ｎｍの平坦度を有することができる。従って、本発明の第１実施例による第１偏光板５１０は、優れた偏光効率を有する。
また、本発明の第１実施例によると、偏光子５１２の製造過程において、キャリア基板５５０がベース基板５１１を支持するので、薄い厚さを有するベース基板５１１上にも偏光子５１２が形成され得る。
例えば、本発明の第１実施例によると、ベース基板５１１は、０．８μｍ～５０μｍの厚さ、好ましくは１～３０μｍ、より好ましくは３～２０μｍの厚さを有することができる。また、偏光子５１２のラインパターン５１２ａの厚さは、例えば５０ｎｍ～０．２μｍとすることができる。一方、パッシベーション層の厚さは、例えば２０ｎｍ～０．２μｍとすることができる。他方、色変換層２３０及びブラックマトリクスの厚さは、例えば０．１～０．３μｍとすることができる。
このように、ベース基板５１１が薄い厚さを有するので、画素電極ＰＥと色変換層２３０との間の距離が遠くなるのが防止される。これに伴い、画素電極ＰＥと色変換層２３０との間の距離が大きいと生じる混色が防止される。従って、本発明の第１実施例による表示装置１０１は、優れた表示品質を持つことができる。
本発明の第１実施例によると、第１偏光板５１０上に第１パッシベーション層５３１が配置され、第１パッシベーション層５３１上に色変換層２３０が形成された後、第２基板２１１が色変換層２３０に接着され得る。このように積層する場合、色変換層２３０と第２基板２１１との間に、粘着層２８０が配置され得る。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
以下、図５ａ～図５ｇを参照して、本発明の第１実施例による表示装置１０１の製造方法を説明する。図５ａ～５ｇは、本発明の第１実施例による表示装置１０１の製造工程図である。
先ず、図５ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
表示基板１１０の製造のために、第１基板１１１上にゲート電極ＧＥ及びゲートラインＧＬが形成され、その上にゲート絶縁膜１２１が配置される。
次に、ゲート絶縁膜１２１上に半導体層ＳＭが配置され、半導体層ＳＭ上に抵抗性接触層１１５が配置される。
また、ゲート絶縁膜１２１上にデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配置される。
半導体層ＳＭ、データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含んだ第１基板１１１の全面に保護膜１３１が配置される。保護膜１３１上に画素電極ＰＥが配置される。画素電極ＰＥは、保護膜１３１のコンタクトホールＣＨを介してドレイン電極ＤＥに接続される。
図５ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板５１０が形成される。
第１偏光板５１０の形成のために、先ず、キャリア基板５５０上にベース基板５１１が配置される。
例えば、キャリア基板５５０上に高分子樹脂が塗布された後、硬化されてベース基板５１１が作られうる。
ここでの高分子樹脂としては、光（ＵＶを含む）または熱により硬化が可能な硬化性の樹脂液、または、溶剤により溶解または分散させた樹脂液を用いることができる。例えば、硬化前の（メタ）アクリレート、イミド化の前のポリアミック酸、ポリアミドの溶液などを用いることができる。また、この塗布の際、キャリア基板５５０は、上面が水平になるように配置され、高精度のスリットコーターなどを用いて、高度に均一に塗布の厚みを制御しつつ行うことができる。
または、キャリア基板５５０上にプラスチック基板からなるベース基板５１１が配置され得る。プラスチック基板として、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート及びポリアクリルのうちのいずれか一つを含む透明基板が使用され得る。この時、ベース基板５１１をキャリア基板５５０に固定するための接着剤が使用され得る。ここで用いる、プラスチック基板としては、上記のキャリア基板と同様のものを用いて、この上に高分子樹脂を塗布することで得たものを用いることができる。また、例えば、精密に制御しつつ、Ｔダイからの押出により無延伸のポリエチレンナフタレートやポリエチレンテレフタレートを成膜することにより得ることも可能である。
本発明の第１実施例によると、ベース基板５１１がキャリア基板５５０によって支持されるので、ベース基板５１１が優れた平坦度を有することができる。例えば、ベース基板５１１は、６０ｎｍ以下の平坦度を有することができる。
ベース基板５１１がキャリア基板５５０によって支持されるので、薄い厚さを有するベース基板５１１が十分な強度を持つことができる。従って、０．８μｍ～５０μｍの薄い厚さを有するベース基板が使用され得る。
偏光子５１２は、薄い厚さを有するベース基板５１１上に形成される。偏光子５１２は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）またはニッケル（Ｎｉ）から作られることができる。偏光子５１２の製造のために、インプリント（ｉｍｐｒｉｎｔ）、フォトリソグラフィなどの方法が適用され得る。
図５ｃを参照すると、偏光子５１２上に第１パッシベーション層５３１が配置され、第１パッシベーション層５３１上に遮光層ＢＭ及び色変換層２３０が配置される。
第１パッシベーション層５３１は、偏光子５１２を保護し、偏光子５１２に異物が侵透することを防止する。
色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２は、それぞれ赤色変換部、緑色変換部及び青色変換部のうちのいずれか一つであり得る。
示されていないが、色変換層２３０は、第３色変換部を含むことができ、透光部を含むこともできる。
図５ｄを参照すると、色変換層２３０上に第２基板２１１が配置される。第２基板２１１が色変換層２３０に接着されるようにするために、第２基板２１１と色変換層２３０との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学用粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
図５ｅを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、第１偏光板５１０のベース基板５１１から分離されて除去される。
ベース基板５１１からキャリア基板５５０を分離するために、レーザーが照射され得る。レーザーの照射によってベース基板５１１とキャリア基板５５０との間の接着力が弱くなり、キャリア基板５５０がベース基板５１１から分離され得る。
図５ｆを参照すると、第１偏光板５１０のベース基板５１１に共通電極ＣＥが配置される。示されていないが、ベース基板５１１の平坦度の維持のために、ベース基板５１１上に平坦化膜が配置された後、その上に共通電極ＣＥが配置され得る。平坦化膜は、例えば、有機膜からなることができ、５０μｍ以下、例えば０．５～２μｍの厚さを有することができる。この時、平坦化膜は、ベース基板５１１の全面に配置され得る。
共通電極ＣＥは、ITOやIZOなどの透明導電材料の成膜及びパターニングといった、公知の方法で作られうる。これにより、対向基板２１０が作られる。
図５ｇを参照すると、図５ｆにて作られた対向基板２１０が表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。一方、表示基板１１０上に光量調節層３１０である液晶層が配置され、その上に対向基板２１０が配置されることもできる。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置される。例えば、第１基板１１１の背面に第２偏光板５２０が配置され得る。第２偏光板５２０として、例えば、ＰＶＡ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）層を含むフィルムといった偏光子が使用され得る。このフィルム偏光子は、典型的な例において、ＰＶＡフィルムをヨウ素化合物で染色してから延伸及び架橋を行った後、トリアセチルセルロース（TAC）などの保護層を積層させたものである。また、示されていないが、第２偏光板５２０上に補償フィルムが配置され得る。補償フィルムとして、例えば、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムが使用され得る。位相差フィルムとして、λ／４位相差板及びλ／２位相差板のうちの少なくとも一つが使用され得る。
以下、図６ａ及び図６ｂを参照して、本発明の第２実施例を説明する。以下、重複を避けるために、既に説明された構成要素に対する説明は省略される。
図６ａは、本発明の第２実施例による表示装置１０２の断面図であり、図６ｂは、図６ａによる表示装置１０２の製造工程図のうちの一つである。
本発明の第２実施例による表示装置１０２は、第１偏光板５１０と色変換層２３０との間に配置されたダイクロイック層５４１を含むことを除いて、本発明の第１実施例による表示装置１０１と同一の構造を有する。
図６ｂを参照すると、偏光子５１２上に第１パッシベーション層５３１が配置され、遮光層ＢＭ及び色変換層２３０が配置される工程において（図５ｃ参照）、第１パッシベーション層５３１上にダイクロイック層５４１を配置した後、ダイクロイック層５４１上に遮光層ＢＭ及び色変換層２３０を配置することによって、本発明の第２実施例による表示装置１０２が作られうる。
また、図６ａ及び図６ｂを参照すると、ベース基板５１１と偏光子５１２との間に第２パッシベーション層５３２が配置される。第２パッシベーション層５３２は、バッファー層と同様に不純元素または不必要な成分が偏光子５１２に侵透することを防止しながら、同時にベース基板５１１の表面を平坦化する役割を果たす。第２パッシベーション層５３２は、様々な無機膜など及び有機膜などのうちから選択された一つ以上の膜を含むことができる。しかし、第２パッシベーション層５３２は、必ず必要なものではなく、省略され得る。第２パッシベーション層５３２は、ゲート絶縁膜１２１などと同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化・酸化ケイ素などを、２０ｎｍ～０．２μｍの厚さでスパッタリングやＣＶＤなどにより堆積することにより設けることができる。
ダイクロイック層５４１は、ダイクロイックフィルター（ｄｉｃｈｒｏｉｃ ｆｉｌｔｅｒ）を含む。ダイクロイックフィルターは、入射された光のうち、特定の波長を有する光を透過させ、その他の波長を有する光を反射させるフィルターである。
バックライト部４１０から入射される光が青色光である場合に、青色光を透過させ、青色光以外の光を反射するようにダイクロイック層５４１が使用され得る。この場合には、バックライト部４１０から入射される光は、ダイクロイック層５４１を通過する。一方で、色変換層２３０によって波長変換された赤色光と緑色光は、ダイクロイック層５４１から反射される。従って、このようなダイクロイック層５４１を黄色反射フィルター（ＹＲＦ）ともいう。
具体的に、赤色光と緑色光がダイクロイック層５４１から反射されるので、色変換層２３０で生成された赤色光と緑色光のうち、光量調節層３１０の方に放射された光は、ダイクロイック層５４１によって第２基板２１１の方に反射されて外部に出光される。その結果、本発明の第２実施例による表示装置１０２の光効率が向上することができる。言い替えれば、色変換部２３０から光量調節層に向かって放出された赤色光及び緑色光がダイクロイック層５４１で第２基板２１１に向かって反射されるので、本発明の第２実施例による表示装置１０２の光効率が向上することができる。
ダイクロイック層５４１は、交互に積層された複数個の高屈折層と複数個の低屈折層を含む。複数個の高屈折層と複数個の低屈折層による多層膜干渉現象によってダイクロイック層５４１で選択的光透過が行われることができる。低屈折層は、ＭｇＦ２及びＳｉＯ２のうちの少なくとも一つを含むことができ、高屈折層は、Ａｇ、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３及びＴａ２Ｏ３のうちの少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されるのではない。各層の厚さは、透過される光波長の１／８～１／２の範囲で設計され得る。
ダイクロイック層５４１に含まれた各層の構成に応じて、透過光と反射光の波長が調整され得る。
以下、図７を参照して、本発明の第３実施例を説明する。
図７は、本発明の第３実施例による表示装置の製造工程断面図であって、キャリア基板５５０上に形成された第１偏光板５１０と色変換層２３０を含む色変換基板１０３を示す。
本発明の第３実施例によると、色変換層２３０は、赤色変換部である第１色変換部２３１、緑色変換部である第２色変換部２３２及び青色光を透過する透光部２３３を含む。また、色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２上に配置された黄色カラーフィルター２３５を含む。黄色カラーフィルター２３５は、青色光を吸収し、赤色光及び緑色光を透過する。
本発明の第３実施例によると、バックライト部４１０から発光された青色光が色変換層２３０に入射される。第１色変換部２３１に入射された青色光のうち、赤色光に変換された光は、黄色カラーフィルター２３５を透過し、赤色光に変換されなかった青色光は、黄色カラーフィルター２３５に吸収される。また、第２色変換部２３２に入射された青色光のうち、緑色光に変換された光は、黄色カラーフィルター２３５を透過し、緑色光に変換されなかった青色光は、黄色カラーフィルター２３５に吸収される。これに伴い、赤色及び緑色画素にてそれぞれ鮮明な赤色及び緑色が具現されて、表示装置の表示品質が向上する。
以下、図８及び図９ａ～図９ｇを参照して、本発明の第４実施例を説明する。
図８は、本発明の第４実施例による表示装置１０４の断面図である。
本発明の第４実施例による表示装置１０４は、第１偏光板５１０と色変換層２３０との間に配置された粘着層２８０を含む。
また、本発明の第４実施例によると、共通電極ＣＥが第１偏光板５１０の偏光子５１２上に配置される。ここで、偏光子５１２と共通電極ＣＥとの間に第１パッシベーション層５３１が配置される。
以下、図９ａ～図９ｇを参照して、本発明の第４実施例による表示装置１０４の製造方法を説明する。図９ａ～図９ｇは、本発明の第４実施例による表示装置１０４の製造工程図である。
先ず、図９ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
次に、図９ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板５１０が形成される。第１偏光板５１０の形成のために、キャリア基板５５０上にベース基板５１１が配置され、その上に偏光子５１２が配置される。本発明の第４実施例による偏光子５１２は、ワイヤーグリッド偏光子（ＷＧＰ）である。
図９ｃを参照すると、偏光子５１２上に第１パッシベーション層５３１が配置され、第１パッシベーション層５３１上に共通電極ＣＥが配置される。第１パッシベーション層５３１は、偏光子５１２を保護し、偏光子５１２に異物が侵透することを防止する。
図９ｄを参照すると、第１偏光板５１０上に配置された共通電極ＣＥが表示基板１１０と向き合うように配置され、これらの間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
図９ｅを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、第１偏光板５１０のベース基板５１１から分離されて除去される。
図９ｆを参照すると、第２基板２１１上に遮光層ＢＭ及び色変換層２３０が形成される。色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２は、それぞれ赤色変換部、緑色変換部及び青色変換部のうちのいずれか一つであり得る。
図９ｇを参照すると、第１偏光板５１０上に第２基板２１１と共に色変換層２３０が配置される。色変換層２３０が第１偏光板５１０に接着されるようにするために、第１偏光板５１０と色変換層２３０との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、本発明の第４実施例による表示装置１０４が作られる。
以下、図１０ａ及び図１０ｂを参照して、本発明の第５実施例を説明する。
図１０ａは、本発明の第５実施例による表示装置１０５の断面図であり、図１０ｂは、図１０ａによる表示装置１０５の製造工程図のうちの一つである。
本発明の第５実施例による表示装置１０５は、第１偏光板５１０と共通電極ＣＥとの間に配置された第１補償フィルム５６１、及び第２偏光板５２０と第１基板１１１との間に配置された第２補償フィルム５６２を含むことを除いて、本発明の第４実施例による表示装置１０４と同一の構造を有する。
図１０ｂを参照すると、本発明の第５実施例による表示装置１０５の製造工程中、第１偏光板５１０上に第１パッシベーション層５３１が配置され、共通電極ＣＥが配置されるステップにおいて（図９ｃ参照）、第１パッシベーション層５３１上に第１補償フィルム５６１を配置した後、第１補償フィルム５６１上に共通電極ＣＥを配置することができる。また、第１基板１１１の他面に第２偏光板５２０を配置する前に、第１基板１１１の他面に第２補償フィルム５６２を配置した後、第２補償フィルム５６２上に第２偏光板５２０を配置することができる。
第１補償フィルム５６１と第２補償フィルム５６２のうちのいずれか一つは、省略され得る。
第１補償フィルム５６１と第２補償フィルム５６２として、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムが使用され得る。第１補償フィルム５６１と第２補償フィルム５６２は、同一することもでき、異なることもできる。
以下、図１１及び図１２ａ～図１２ｇを参照して、本発明の第６実施例を説明する。
図１１は、本発明の第６実施例による表示装置１０６の断面図である。
本発明の第６実施例によると、第１偏光板６１０は、プラスチック基板からなるベース基板６１１及びフィルム状の偏光子６１２を含む。具体的に、本発明の第６実施例によると、偏光子６１２は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を含む。例えば、偏光子６１２は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の延伸または染色によって作られうる。すなわち、上記各実施例における第２偏光板５２０をなす偏光子と、同一または類似のものでありうる。
また、本発明の第６実施例によると、第１偏光板６１０と色変換層２３０との間に粘着層２８０が配置され、共通電極ＣＥが第１偏光板６１０のベース基板６１１上に配置される。
以下、図１２ａ～図１２ｇを参照して、本発明の第６実施例による表示装置１０６の製造方法を説明する。図１２ａ～図１２ｇは、本発明の第６実施例による表示装置１０６の製造工程図である。
先ず、図１２ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
次に、図１２ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板６１０のベース基板６１１が配置され、その上に共通電極ＣＥが配置される。
図１２ｃを参照すると、共通電極ＣＥが表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
図１２ｄを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、ベース基板６１１から分離されて除去される。
図１２ｅを参照すると、ベース基板６１１上に偏光子６１２が配置される。偏光子６１２として、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を含むフィルム状の偏光子が使用され得る。
図１２ｆを参照すると、第２基板２１１上に遮光層ＢＭ及び色変換層２３０が形成される。色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。
図１２ｇを参照すると、第１偏光板６１０上に色変換層２３０を有する第２基板２１１が配置される。色変換層２３０が第１偏光板６１０に接着されるようにするために、第１偏光板６１０と色変換層２３０との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、図１１の表示装置１０６が作られる。
以下、図１３ａ及び図１３ｂを参照して、本発明の第７実施例を説明する。
図１３ａは、本発明の第７実施例による表示装置１０７の断面図であり、図１３ｂは、図１３ａによる表示装置１０７の製造工程図のうちの一つである。
本発明の第７実施例による表示装置１０７は、ベース基板６１１と偏光子６１２との間に配置された第３補償フィルム６１３を含む。第３補償フィルム６１３は、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムである。
本発明の第７実施例において、ベース基板６１１、第３補償フィルム６１３及び偏光子６１２が順次に積層されてなる積層フィルムを第１偏光板６２０という。
図１３ｂを参照すると、ベース基板６１１上に偏光子６１２が配置される工程において（図１２ｅ参照）、ベース基板６１１上に第３補償フィルム６１３を配置した後、第３補償フィルム６１３上に偏光子６１２を配置することができる。これに伴い、ベース基板６１１、第３補償フィルム６１３及び偏光子６１２が順次に積層された第１偏光板６２０が作られる。この偏光子６１２は、第６実施例と同様のフィルム状の偏光子でありうる。但し、場合によっては、第１～５実施例と同様の、ワイヤーグリッド偏光子であってもよい。以下の第８～９実施例でも同様である。
以下、図１４及び図１５ａ～図１５ｇを参照して、本発明の第８実施例を説明する。
図１４は、本発明の第８実施例による表示装置１０８の断面図である。本発明の第８実施例によると、ベース基板６１１と偏光子６１２との間にダイクロイック層６１４が配置される。本発明の第８実施例において、ベース基板６１１、ダイクロイック層６１４及び偏光子６１２が順次に積層されてなる積層フィルムを第１偏光板６３０という。
以下、図１５ａ～図１５ｇを参照して、本発明の第８実施例による表示装置１０８の製造方法を説明する。図１５ａ～図１５ｇは、本発明の第８実施例による表示装置１０８の製造工程図である。
先ず、図１５ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
次に、図１５ｂを参照すると、キャリア基板５５０上にベース基板６１１を配置し、ベース基板６１１上にダイクロイック層６１４が配置され、ダイクロイック層６１４上に偏光子６１２が配置されて、第１偏光板６３０が作られる。
図１５ｃを参照すると、第２基板２１１上に遮光層ＢＭ及び色変換層２３０が形成される。色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。
図１５ｄを参照すると、第１偏光板６３０上に色変換層２３０を有する第２基板２１１が配置される。色変換層２３０が第１偏光板６３０に接着されるようにするために、第１偏光板６３０と色変換層２３０との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
図１５ｅを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、ベース基板６１１から分離されて除去される。
図１５ｆを参照すると、ベース基板６１１上に共通電極ＣＥが形成される。示されていないが、ベース基板６１１上にバッファー層が配置され得る。バッファー層は、不純元素または不必要な成分の浸透を防止しながら、同時にベース基板６１１の表面を平坦化する役割を果たす。バッファー層は、様々な無機膜など及び有機膜などのうちから選択された一つ以上の膜を含むことができる。この場合には、バッファー層上に共通電極ＣＥが形成され得る。
図１５ｇを参照すると、図１５ｆにて作られた対向基板２１０が表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、図１４の表示装置１０８が作られる。
以下、図１６ａ及び図１６ｂを参照して、本発明の第９実施例を説明する。
図１６ａは、本発明の第９実施例による表示装置１０９の断面図であり、図１６ｂは、図１６ａによる表示装置１０９の製造工程図のうちの一つである。
本発明の第９実施例による表示装置１０９は、ベース基板６１１と偏光子６１２との間に配置されたダイクロイック層６１４及び第３補償フィルム６１３を含む。第３補償フィルム６１３は、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムである。
図１６ｂを参照すると、キャリア基板５５０上にベース基板６１１、ダイクロイック層６１４及び偏光子６１２を配置する工程において（図１５ｂ参照）、ベース基板６１１上にダイクロイック層６１４を配置し、ダイクロイック層６１４上に第３補償フィルム６１３を配置した後、第３補償フィルム６１３上に偏光子６１２を配置することができる。これに伴い、ベース基板６１１、ダイクロイック層６１４、第３補償フィルム６１３及び偏光子６１２が順次に積層され得る。
図１７は、本発明の第１０実施例による表示装置１０１０の断面図である。
本発明の第１０実施例による表示装置１０１０は、第１偏光板５１０を基準に、色変換層２３０の反対側に配置された遮光層ＢＭを含む。すなわち、第１偏光板５１０における、色変換層２３０が配置される側とは逆の面に、遮光層ＢＭが配置される。
本発明の第１０実施例によると、第１偏光板５１０のベース基板５１１上に遮光層ＢＭが配置され、その上に絶縁平坦層５３５が配置され、絶縁平坦層５３５上に共通電極ＣＥが配置される。これに伴い、色変換層２３０と遮光層ＢＭが互いに異なる層に配置され得る。
図１８は、本発明の第１１実施例による表示装置１０１１の断面図である。
本発明の第１１実施例による表示装置１０１１は、第１０実施例による表示装置１０１０と比較して、ダイクロイック層５４１及び第２パッシベーション層５３２をさらに含む。
ダイクロイック層５４１は、入射された光のうち、特定の波長を有する光を透過させ、その他の波長を有する光を反射させる。本発明の第１１実施例によると、ダイクロイック層５４１は、色変換層２３０の下部に配置される。バックライト部４１０から入射される光は、ダイクロイック層５４１を通過するが、色変換層２３０によって波長変換された赤色光と緑色光は、ダイクロイック層５４１から反射される。
第２パッシベーション層５３２は、ベース基板５１１と偏光子５１２との間に配置される。第２パッシベーション層５３２は、不純元素または不必要な成分が偏光子５１２に侵透することを防止するとともに、ベース基板５１１の表面をさらに平坦化する役割を果たすことができる。
また、図１８を参照すると、第１色変換部２３１と第２色変換部２３２は、縁部が互いに重なり合ってもよい。
図１９は、本発明の第１２実施例による表示装置１０１２の断面図である。
本発明の第１２実施例による表示装置１０１２は、第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間に配置されたバンク２３９を含む。バンク２３９は、第１色変換部２３１と第２色変換部２３２を区分する役割を果たし、光を遮断する役割も果たす。
光遮断は、主に遮光層ＢＭによって行われるので、バンク２３９は、遮光層ＢＭよりも小さい幅を持つことができる。また、バンク２３９によって色変換部２３１、２３２の間の混色が防止され得る。
図１９を参照すると、バンク２３９は、遮光層ＢＭと重なるように配置される。例えば、バンク２３９は、データラインＤＬと重なり合うように配置され得る。示されていないが、第３色変換部（図示せず）と第１色変換部２３１との間、または第３色変換部（図示せず）と第２色変換部２３２との間にもバンク２３９が配置され得る。
図２０ａ～図２０ｉは、本発明の第１２実施例による表示装置１０１２の製造工程図である。
先ず、図２０ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
図２０ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板５１０が形成される。
第１偏光板５１０の形成のために、先ず、キャリア基板５５０上にベース基板５１１が配置される。次に、ベース基板５１１上に第２パッシベーション層５３２が配置され、第２パッシベーション層５３２上に偏光子５１２が配置される。この偏光子５１２は、図示のようにワイヤーグリッド偏光子でありうる。
図２０ｃを参照すると、偏光子５１２上に第１パッシベーション層５３１が配置され、第１パッシベーション層５３１上にダイクロイック層５４１が配置される。
図２０ｄを参照すると、ダイクロイック層５４１上に色変換層２３０が配置される。
色変換層２３０は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２は、それぞれ赤色変換部、緑色変換部及び青色変換部のうちのいずれか一つであり得る。示されていないが、色変換層２３０は、第３色変換部を含むことができ、透光部を含むこともできる。
また、色変換層２３０は、バンク２３９を含む。バンク２３９は、色変換部２３１、２３２などの境界を定め、バンク２３９によって区切られた領域に第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２が配置される。
図２０ｅを参照すると、色変換層２３０上に第２基板２１１が配置される。第２基板２１１が色変換層２３０に接着されるようにするために、第２基板２１１と色変換層２３０との間に、粘着層２８０が配置される。粘着層２８０は、光透過性を有する。
図２０ｆを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、第１偏光板５１０のベース基板５１１から分離されて除去される。
図２０ｇを参照すると、ベース基板５１１上に遮光層ＢＭが配置される。ベース基板５１１に対して、遮光層ＢＭは、第１偏光子５１２の反対側に配置される。以下、ベース基板５１１の表面のうち、第１偏光板５１０の反対側をベース基板５１１の背面という。
図２０ｈを参照すると、遮光層ＢＭ上に絶縁平坦層５３５が配置され、絶縁平坦層５３５上に共通電極ＣＥが配置される。
絶縁平坦層５３５は、ベース基板５１１の背面の平坦度を向上させることができる。絶縁平坦層５３５は、例えば、有機膜からなることができ、５０μｍ以下の厚さを有することができる。絶縁平坦層５３５は、ベース基板５１１の全面に配置される。
共通電極ＣＥは、公知の方法で作られることができる。これにより、対向基板２１０が作られる。
図２０ｉを参照すると、図２０ｈにおいて作られた対向基板２１０が表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置される。例えば、第１基板１１１の背面に第２偏光板５２０が配置され得る。第２偏光板５２０として、例えば、染色・配向されたＰＶＡ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）層を含むフィルムといった偏光子が使用され得る。また、示されていないが、第２偏光板５２０上に補償フィルムが配置され得る。
図２１は、本発明の第１３実施例による表示装置１０１３の断面図である。
本発明の第１３実施例による表示装置１０１３は、第２実施例による表示装置１０２と比較して、第２偏光板５２０と第１基板１１１との間に配置された第２補償フィルム５６２をさらに含む。
第２補償フィルム５６２として、例えば、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムが使用され得る。位相差フィルムとして、λ／４位相差板及びλ／２位相差板のうちの少なくとも一つが使用され得る。
図２２は、本発明の第１４実施例による表示装置１０１４の断面図である。
本発明の第１４実施例による表示装置１０１４は、第４実施例による表示装置１０４と比較して、ダイクロイック層５４１及び第２補償フィルム５６２をさらに含む。
ダイクロイック層５４１は、色変換層２３０の下部に配置される。図２２を参照すると、ダイクロイック層５４１は、色変換層２３０と光透過性を有する粘着層２８０との間に配置される。
第２補償フィルム５６２は、第２偏光板５２０と第１基板１１１との間に配置される。第２補償フィルム５６２として、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムが使用され得る。
図２３は、本発明の第１５実施例による表示装置１０１５の断面図である。
本発明の第１５実施例による表示装置１０１５は、黄色カラーフィルター２３５を含む。
具体的に、本発明の第１５実施例による表示装置１０１５は、赤色変換部である第１色変換部２３１、緑色変換部である第２色変換部２３２及び青色光を透過する透光部２３３を含み、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２上に配置された黄色カラーフィルター２３５を含む。黄色カラーフィルター２３５は、青色光を吸収し、赤色光及び緑色光を透過する。
本発明の第１５実施例によると、バックライト部４１０から青色光が発光される。第１色変換部２３１に入射された青色光のうち、赤色光に変換された光は、黄色カラーフィルター２３５を透過し、赤色光に変換されなかった青色光は、黄色カラーフィルター２３５に吸収される。また、第２色変換部２３２に入射された青色光のうち、緑色光に変換された光は、黄色カラーフィルター２３５を透過し、緑色光に変換されなかった青色光は、黄色カラーフィルター２３５に吸収される。これに伴い、赤色及び緑色画素にてそれぞれ鮮明な赤色及び緑色が具現され、表示装置１０１５の表示品質が向上する。
一方、透光部２３３に入射された青色光は、透光部を通過して青色を表示する。
図２４は、本発明の第１６実施例による表示装置１０１６の断面図である。
本発明の第１６実施例による表示装置１０１６は、第７実施例による表示装置１０７と比較して、ダイクロイック層５４１をさらに含む。
図２４を参照すると、ダイクロイック層５４１は、色変換層２３０と光透過性を有する粘着層２８０との間に配置される。
図２５は、本発明の第１７実施例による表示装置１０１７の断面図である。
本発明の第１７実施例による表示装置１０１７は、第２偏光板６５０を含む。第２偏光板６５０は、偏光子の役割を果たすＰＶＡ６５１及びＰＶＡ６５１上に配置された光学補償フィルム６５２を含む。光学補償フィルム６５２として、例えば、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムが使用され得る。
図２６は、本発明の第１８実施例による表示装置１０１８の断面図である。
本発明の第１８実施例による表示装置１０１８は、第１６実施例による表示装置１０１６と比較して、黄色カラーフィルター２３５を含む。
具体的に、本発明の第１８実施例による表示装置１０１８は、赤色変換部である第１色変換部２３１、緑色変換部である第２色変換部２３２及び青色光を透過する透光部２３３を含み、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２上に配置された黄色カラーフィルター２３５を含む。黄色カラーフィルター２３５は、青色光を吸収し、赤色光及び緑色光を透過する。これに伴い、赤色及び緑色画素にてそれぞれ鮮明な赤色及び緑色が具現され、表示装置１０１８の表示品質が向上する。
図２７は、本発明の第１９実施例による表示装置１０１９の断面図である。
本発明の第１９実施例による表示装置１０１９は、第１偏光板５１０を基準に、互いに反対側に配置された色変換層２３０と遮光層ＢＭを含む。
本発明の第１９実施例によると、第１偏光板５１０の一面に粘着層２８０、ダイクロイック層５４１及び色変換層２３０が順次に配置され、他面に遮光層ＢＭ、絶縁平坦層５３５及び共通電極ＣＥが配置される。
また、本発明の第１９実施例による表示装置１０１９は、第１及び第２パッシベーション層５３１、５３２を含む。
図２７を参照すると、第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間にバンク２３９が配置される。光遮断は、主に遮光層ＢＭによって行われるので、バンク２３９は、遮光層ＢＭよりも小さい幅を持つことができる。また、バンク２３９によって色変換部２３１、２３２の間の混色が防止され得る。
バンク２３９は、遮光層ＢＭと重畳して配置され、特に、データラインＤＬと重畳して配置され得る。
図２８ａ～図２８ｈは、本発明の第１９実施例による表示装置１０１９の製造工程図である。
先ず、図２８ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
図２８ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板５１０が形成される。
第１偏光板５１０の形成のために、先ず、キャリア基板５５０上にベース基板５１１が配置される。次に、ベース基板５１１上に第２パッシベーション層５３２が配置され、第２パッシベーション層５３２上に偏光子５１２が配置される。
図２８ｃを参照すると、偏光子５１２上に第１パッシベーション層５３１が配置され、第１パッシベーション層５３１上に遮光層ＢＭが配置される。
図２８ｄを参照すると、遮光層ＢＭ上に絶縁平坦層５３５が配置され、絶縁平坦層５３５上に共通電極ＣＥが配置される。絶縁平坦層５３５は、例えば、有機膜からなることができ、５０μｍ以下の厚さを有することができる。絶縁平坦層５３５は、ベース基板５１１の全面に配置される。共通電極ＣＥは、公知の方法で作られることができる。これに伴い、対向基板２１０が作られる。
図２８ｅを参照すると、第１偏光板５１０上部の共通電極ＣＥが表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
図２８ｆを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、第１偏光板５１０のベース基板５１１から分離されて除去される。
図２８ｇを参照すると、第２基板２１１上に第１色変換部２３１、第２色変換部２３２及びバンク２３９が配置される。バンク２３９は、色変換部２３１、２３２の間に配置される。第１色変換部２３１、第２色変換部２３２及びバンク２３９上にダイクロイック層５４１が配置される。これに伴い、色変換基板が作られる。
図２８ｈを参照すると、第１偏光板５１０上に第２基板２１１と共に色変換層２３０及びダイクロイック層５４１が配置される。この時、ダイクロイック層５４１が第１偏光板５１０のベース基板５１１と接着される。ダイクロイック層５４１とベース基板５１１との接着のために、ダイクロイック層５４１とベース基板５１１との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０は、光透過性を有する。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、図２７の表示装置１０１９が作られる。
図２９は、本発明の第２０実施例による表示装置１０２０の断面図である。
本発明の第２０実施例による表示装置１０２０は、第１偏光板６２０を基準に、互いに反対側に配置された色変換層２３０と遮光層ＢＭを含む。第１偏光板６２０は、順次に積層されたベース基板６１１、第３補償フィルム６１３及び偏光子６１２を含む。第３補償フィルム６１３は、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムである。
本発明の第２０実施例によると、第１偏光板６２０の一面に粘着層２８０及び色変換層２３０が順次に配置され、他面に遮光層ＢＭ、絶縁平坦層５３５及び共通電極ＣＥが配置される。
また、図２９を参照すると、第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間にバンク２３９が配置される。バンク２３９は、遮光層ＢＭと重畳して配置され、特に、データラインＤＬと重畳して配置され得る。
図３０ａ～図３０ｇは、本発明の第２０実施例による表示装置１０２０の製造工程図である。
先ず、図３０ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
次に、図３０ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板６２０のベース基板６１１が配置され、ベース基板６１１上に遮光層ＢＭが配置される。また、遮光層ＢＭ上に絶縁平坦層５３５が配置され、絶縁平坦層５３５上に共通電極ＣＥが配置される。
図３０ｃを参照すると、共通電極ＣＥが表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
図３０ｄを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、ベース基板６１１から分離されて除去される。
図３０ｅを参照すると、ベース基板６１１上に第３補償フィルム６１３が配置され、第３補償フィルム６１３上に偏光子６１２が配置される。ここで、第３補償フィルム６１３は、視野角補償フィルムまたは位相差フィルムである。偏光子６１２として、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を含むフィルム状の偏光子が使用され得る。
図３０ｆを参照すると、第２基板２１１上にバンク２３９が配置され、バンク２３９によって定義された領域に第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２が配置される。また、バンク２３９、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２上にダイクロイック層５４１が配置される。
図３０ｇを参照すると、偏光子６１２上に色変換層２３０及びダイクロイック層５４１を有する第２基板２１１が配置される。この時、ダイクロイック層５４１が偏光子６１２と接着される。ダイクロイック層５４１と偏光子６１２との接着のために、ダイクロイック層５４１と偏光子６１２との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、図２９の表示装置１０２０が作られる。
図３１ａ～図３１ｈは、本発明の第２０実施例による表示装置１０２０の他の製造工程図である。
先ず、図３１ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
次に、図３１ｂを参照すると、キャリア基板５５０上にベース基板６１１、第３補償フィルム６１３及び偏光子６１２が順次に積層されて、第１偏光板６２０が形成される（図２９参照）。
図３１ｃを参照すると、第２基板２１１上にバンク２３９が配置され、バンク２３９によって定義された領域に第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２が配置される。また、バンク２３９、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２上にダイクロイック層５４１が配置される。
図３１ｄを参照すると、キャリア基板５５０上に形成された偏光子６１２と第２基板２１１上に形成されたダイクロイック層５４１とが互いに接着される。偏光子６１２とダイクロイック層５４１との接着のために、偏光子６１２とダイクロイック層５４１との間に粘着層２８０が配置される。
図３１ｅを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、ベース基板６１１から分離されて除去される。
図３１ｆを参照すると、ベース基板６１１上に遮光層ＢＭが配置される。遮光層ＢＭは、偏光子６１２の反対側に配置される。また、遮光層ＢＭ上に絶縁平坦層５３５が配置される。絶縁平坦層５３５は、例えば、有機膜からなることができ、５０μｍ以下の厚さを有することができる。絶縁平坦層５３５は、ベース基板５１１の全面に配置される。
図３１ｇを参照すると、絶縁平坦層５３５上に共通電極ＣＥが配置される。これに伴い、対向基板２１０が作られる。
図３１ｈを参照すると、図３１ｇにおいて作られた対向基板２１０が表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置されて、図２９の表示装置１０２０が作られる。
図３２は、本発明の第２１実施例による表示装置の断面図である。
本発明の第２１実施例による表示装置は、第１偏光板５１０と共通電極ＣＥとの間に配置される平坦層５３５ａを含む。平坦層５３５ａは、第１偏光板５１０の下部を平坦化させる。平坦層５３５ａは、アクリル（ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機物質から作られることができる。これにより、第２基板２１１を基準に、共通電極ＣＥは、第１偏光板５１０上に配置される。具体的に、共通電極ＣＥは、平坦層５３５ａ上に配置される。
対向基板２１０は、黄色カラーフィルター２３５をさらに含むことができる。図３２に示されたように、黄色カラーフィルター２３５は、第２基板２１１と緩衝層３３２との間に配置される。具体的に、黄色カラーフィルター２３５は、第２基板２１１と色変換部３３１との間に配置される。すなわち、黄色カラーフィルター２３５は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２と重畳することができる。黄色カラーフィルター２３５は、青色光を吸収し、赤色光及び緑色光を透過する。
粘着層２８０は、緩衝層３３２と第１偏光板５１０との間に配置され得る。具体的に、粘着層２８０は、第１偏光板５１０上に配置された第１パッシベーション層５２１と緩衝層２５３との間に配置され得る。粘着層２８０は、緩衝層２５３が配置された第２基板２１１と第１偏光板５１０を接着する。
図３３ａ～図３３ｆは、本発明の第２１実施例による表示装置１０１１の製造工程図である。
先ず、図３３ａに示されたように、表示基板１１０が製造される。
表示基板１１０の製造のために、第１基板１１１上にゲート電極ＧＥ及びゲートラインＧＬが形成され、その上にゲート絶縁膜１２１が配置される。
次に、ゲート絶縁膜１２１上に半導体層ＳＭが配置され、半導体層ＳＭ上に抵抗性接触層１１５が配置される。
また、ゲート絶縁膜１２１上にデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配置される。
データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含んだ第１基板１１１の全面に保護膜１３１が配置される。保護膜１３１上に画素電極ＰＥが配置される。画素電極ＰＥは、保護膜１３１のコンタクトホールＣＨを介してドレイン電極ＤＥに接続される。
図３３ｂを参照すると、キャリア基板５５０上に第１偏光板５１０が形成される。
第１偏光板５１０の形成のために、先ず、キャリア基板５５０上にベース基板５１１が配置される。ベース基板５１１は、プラスチック基板である。例えば、キャリア基板５５０上に高分子樹脂が塗布された後、硬化されてベース基板５１１が作られることができる。または、キャリア基板５５０上にプラスチック基板からなるベース基板５１１が配置され得る。プラスチック基板として、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート及びポリアクリルのうちのいずれか一つを含む透明基板が使用され得る。この時、ベース基板５１１をキャリア基板５５０に固定するための接着剤が使用され得る。
本発明の第２１実施例によると、ベース基板５１１がキャリア基板５５０によって支持されるので、ベース基板５１１が優れた平坦度を有することができる。
ベース基板５１１がキャリア基板５５０によって支持されるので、薄い厚さを有するベース基板５１１が十分な強度を持つことができる。従って、５μｍ～５０μｍの薄い厚さを有するベース基板が使用され得る。
偏光子５１２は、薄い厚さを有するベース基板５１１上に形成される。偏光子５１２は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）またはニッケル（Ｎｉ）から作られることができる。偏光子５１２の製造のために、インプリント（ｉｍｐｒｉｎｔ）、フォトリースグラフィーなどの方法が適用され得る。
第１パッシベーション層５３１は、偏光子５１２上に形成される。第１パッシベーション層５３１は、偏光子５１２を保護し、偏光子５１２に異物が侵透することを防止する。
図３３ｃを参照すると、第２基板２１１上に遮光層ＢＭ及び色変換層３３０が配置される工程において、第２基板２１１上に黄色カラーフィルター２３５及び遮光層ＢＭを配置した後、黄色カラーフィルター２３５上に色変換部３３１を配置する。すなわち、黄色カラーフィルター２３５は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２と重畳して配置される。次いで、遮光層ＢＭ及び色変換部３３１上に緩衝層３３２が配置される。
緩衝層３３２は、色変換部３３１及び遮光層ＢＭによって発生した段差を平坦化する。緩衝層３３２は、光透過性有機物質からなることができる。
色変換部３３１は、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２を含む。第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２は、それぞれ赤色変換部、緑色変換部及び青色変換部のうちのいずれか一つであり得る。
示されていないが、色変換層３３０は、第３色変換部を含むことができ、透過部を含むこともできる。
図３３ｄを参照すると、第１偏光板５１０及び第１パッシベーション層５３１上に緩衝層３３２が位置する第２基板２１１が配置される。緩衝層３３２を含む第２基板２１１が第１ペシベイション５３１に接着されるようにするために、緩衝層３３２と第１ペシベイション層５３１との間に粘着層２８０が配置される。粘着層２８０として、光透過性を有する光学粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ；ＯＣＡ）が使用され得る。
図３３ｅを参照すると、キャリア基板５５０が除去される。キャリア基板５５０は、第１偏光板５１０のベース基板５１１から分離されて除去される。
ベース基板５１１からキャリア基板５５０を分離するために、レーザーが照射され得る。レーザーの照射によってベース基板５１１とキャリア基板５５０との間の接着力が弱化されて、キャリア基板５５０がベース基板５１１から分離され得る。この時、ベース基板５１１の下部に段差が発生することができる。
図３３ｆを参照すると、第１偏光板５１０のベース基板５１１に平坦層５３５ａが配置され得る。平坦層５３５ａは、ベース基板５１１の下部に形成された段差を平坦化する。平坦層５３５ａは、アクリル（ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機物質から作られることができる。
第２基板２１１をベースとして、平坦層５３５ａ上に共通電極ＣＥが配置される。共通電極ＣＥは、公知の方法で作られることができる。これにより、対向基板２１０が作られる。
再び、図３２を参照すると、図３３ｆにおいて作られた対向基板２１０が表示基板１１０と対向配置され、その間に光量調節層３１０である液晶層が配置される。一方、表示基板１１０上に液晶層３１０が配置され、その上に対向基板２１０が配置されることもできる。
次に、表示基板１１０に第２偏光板５２０が配置される。例えば、第１基板１１１の背面に第２偏光板５２０が配置され得る。第２偏光板５２０として、例えば、ＰＶＡ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）のような偏光子が使用され得る。
図３４は、本発明の第２２実施例による表示装置の断面図である。
本発明の第２２実施例による表示装置は、第１偏光板５１０と平坦層５３５との間に配置された遮光層ＢＭを含む。
遮光層ＢＭは、複数の開口部などを有し、開口部は、第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２の各画素電極ＰＥに対応して配置される。各画素電極ＰＥに対応して色変換部３３１が配置され得る。言い替えれば、遮光層ＢＭは、平面上で複数の色変換部３３１の間に配置され得る。具体的に、遮光層ＢＭは、平面上で第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間に配置され得る。遮光層ＢＭは、開口部などを除いた部分における光を遮断する。例えば、遮光層ＢＭは、薄膜トランジスタＴＦＴ、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬ上に位置して、これらを通過した光が外部に放出されることを遮断する。
図３５は、本発明の第２３実施例による表示装置の断面図である。
本発明の第２３実施例による表示装置は、緩衝層３３２と第１偏光板５１０との間に配置された遮光層ＢＭを含む。具体的に、図３５に示されたように、遮光層ＢＭは、粘着層２８０と第１パッシベーション層５３１との間に配置される。遮光層ＢＭは、複数の開口部などを有し、開口部は、第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２の各画素電極ＰＥに対応して配置される。各画素電極ＰＥに対応して、色変換部３３１が配置され得る。言い替えれば、遮光層ＢＭは、平面上で複数の色変換部３３１の間に配置され得る。具体的に、遮光層ＢＭは、平面上で第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間に配置され得る。遮光層ＢＭは、開口部などを除いた部分における光を遮断する。例えば、遮光層ＢＭは、薄膜トランジスタＴＦＴ、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬ上に位置して、これらを通過した光が外部に放出されることを遮断する。
図３６は、本発明の第２４実施例による表示装置の断面図である。
本発明の第２４実施例による表示装置は、第１平坦層５３５ａ及び第２平坦層５３５ｂを含む平坦層５３５及び、第１色変換部２３１、第２色変換部２３２及び透過部（図示せず）を含む色変換部３３１を含むことができる。
第１平坦層５３５ａは、図３６に示されたように、第１偏光板５１０と共通電極ＣＥとの間に配置される。ベース基板５１１の下部に形成された第１平坦層５３５ａは、ベース基板５１１の下部に形成された段差を平坦化する。第１平坦層５３５ａは、アクリル（ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機物質から作られることができる。
第２平坦層５３５ｂは、第２基板２１１と色変換部３３１との間に配置される。第２平坦層５３５ｂは、黄色カラーフィルター２３５によって発生した段差を平坦化する。第２平坦層５３５ｂは、光透過性有機物質からなることができる。
遮光層ＢＭは、複数の開口部などを有し、開口部は、第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２の各画素電極ＰＥに対応して配置される。各画素電極ＰＥに対応して色変換部３３１が配置され得る。言い替えれば、遮光層ＢＭは、複数の色変換部３３１の間に配置され得る。具体的に、遮光層ＢＭは、平面上で第１色変換部２３１と第２色変換部２３２との間に配置され得る。遮光層ＢＭは、開口部などを除いた部分における光を遮断する。例えば、遮光層ＢＭは、薄膜トランジスタＴＦＴ、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬ上に位置して、これらを通過した光が外部に放出されることを遮断する。
本発明の第２４実施例によると、色変換部３３１は、第２平坦層５３５ｂと第１偏光板５１０との間に配置される。具体的に、図３６に示されたように、第１色変換部２３１及び第２色変換部２３２は、第２平坦層５３５ｂと第１偏光板５１０との間に配置され得る。但し、これに限定されず、第１色変換部２３１、第２色変換部２３２または透過部のうちの少なくとも一つは、第２基板２１１と第２平坦層５３５ｂとの間に配置され得る。
以上で説明された表示装置の実施例は、例示的なものに過ぎず、本発明の保護範囲は、本発明の技術分野における通常の知識を有する者ならば、これにより、様々な変形及び均等例を含むことができる。
１１０ 表示基板
２１０ 対向基板
２３０ 色変換層
２３１ 第１色変換部
２３２ 第２色変換部
２３５ 黄色カラーフィルター
２８０ 粘着層
３１０ 光量調節層
４１０ バックライト部
５１１ ベース基板
５１０、６１０、６２０、６３０ 第１偏光板
５２０、６５０ 第２偏光板
５３１ 第１パッシベーション層
５３２ 第２パッシベーション層
５４１ ダイクロイック層
５５０ キャリア基板
５６１ 第１補償フィルム
５６２ 第２補償フィルム
６１３ 第３補償フィルム
２１０ 対向基板
２３０ 色変換層
２３１ 第１色変換部
２３２ 第２色変換部
２３５ 黄色カラーフィルター
２８０ 粘着層
３１０ 光量調節層
４１０ バックライト部
５１１ ベース基板
５１０、６１０、６２０、６３０ 第１偏光板
５２０、６５０ 第２偏光板
５３１ 第１パッシベーション層
５３２ 第２パッシベーション層
５４１ ダイクロイック層
５５０ キャリア基板
５６１ 第１補償フィルム
５６２ 第２補償フィルム
６１３ 第３補償フィルム
Claims (52)
- 表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に介在された光量調節層と、を含み、
前記表示基板は、
第１基板と、
前記第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と、を含み、
前記対向基板は、
第２基板と、
前記第２基板上に配置された色変換層と、
前記色変換層上に配置された第１偏光板と、を含み、
前記第１偏光板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の一面に配置された偏光子と、を含み、
前記第１偏光板は、前記画素電極と対向し、
前記偏光子が配置された前記ベース基板の一面は、６０ｎｍ以下の平坦度を有する表示装置を製造する、液晶表示装置の製造方法であって、
表示基板を形成するステップと、
キャリア基板上に第１偏光板を形成するステップと、
前記第１偏光板上に色変換層を形成するステップと、
前記色変換層上に第２基板を配置するステップと、
前記第１偏光板から前記キャリア基板を除去するステップと、
前記第１偏光板に共通電極を配置して対向基板を形成するステップと、
前記対向基板を前記表示基板と対向配置するステップと、を含み、
前記第１偏光板を形成するステップは、
前記キャリア基板上にベース基板を配置するステップと、
前記ベース基板上に偏光子を配置するステップと、を含む、液晶表示装置の製造方法。 - 表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に介在された光量調節層と、を含み、
前記表示基板は、
第１基板と、
前記第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と、を含み、
前記対向基板は、
第２基板と、
前記第２基板上に配置された色変換層と、
前記色変換層上に配置された第１偏光板と、を含み、
前記第１偏光板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の一面に配置された偏光子と、を含み、
前記第１偏光板は、前記画素電極と対向し、
前記偏光子が配置された前記ベース基板の一面は、６０ｎｍ以下の平坦度を有する表示装置を製造する、液晶表示装置の製造方法であって、
表示基板を形成するステップと、
キャリア基板上に第１偏光板を形成するステップと、
前記第１偏光板上に共通電極を形成するステップと、
前記共通電極を前記表示基板と対向配置するステップと、
第１偏光板から前記キャリア基板を除去するステップと、
第２基板上に色変換層を形成し、前記第２基板上に形成された前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップと、を含み、
前記第１偏光板を形成するステップは、
前記キャリア基板上にベース基板を配置するステップと、
前記ベース基板上に偏光子を配置するステップと、を含む、液晶表示装置の製造方法。 - 表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に介在された光量調節層と、を含み、
前記表示基板は、
第１基板と、
前記第１基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと連結された画素電極と、を含み、
前記対向基板は、
第２基板と、
前記第２基板上に配置された色変換層と、
前記色変換層上に配置された第１偏光板と、を含み、
前記第１偏光板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の一面に配置された偏光子と、を含み、
前記第１偏光板は、前記画素電極と対向し、
前記偏光子が配置された前記ベース基板の一面は、６０ｎｍ以下の平坦度を有する表示装置を製造する、液晶表示装置の製造方法であって、
表示基板を形成するステップと、
キャリア基板上にベース基板を形成するステップと、
前記ベース基板上に共通電極を形成するステップと、
前記共通電極を前記表示基板と対向するように配置するステップと、
前記ベース基板から前記キャリア基板を除去するステップと、
前記キャリア基板が除去されて露出されたベース基板上に偏光子を配置して第１偏光板を形成するステップと、
第２基板上に色変換層を形成し、前記第２基板上に形成された前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップと、を含む、液晶表示装置の製造方法。 - 前記ベース基板と前記偏光子との間に配置された第１のパッシベーション層をさらに含む、請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ベース基板の一面は、１０ｎｍ～６０ｎｍの平坦度を有する、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ベース基板は、３～２０μｍの厚さを有する、請求項１～５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ベース基板は、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート及びポリアクリルのうちのいずれか一つを含むプラスチック基板である、請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記偏光子は、金属のラインパターンからなるＷＧＰ（ｗｉｒｅ ｇｒｉｄ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）である、請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ベース基板と前記色変換層との間には、第２のパッシベーション層が備えられ、この別途のパッシベーション層の厚さは２０ｎｍ～０．２μｍである請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層と前記ベース基板との間に配置されたダイクロイック層をさらに含み、このダイクロイック層は、交互に積層された複数個の高屈折層と複数個の低屈折層を含む、請求項８または９に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第２基板と前記色変換層との間に配置された粘着層を含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層と前記第１偏光板との間に配置された粘着層を含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層は、蛍光体を含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層は、量子ドットを含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層は、
赤色蛍光体を含む赤色変換部と、
緑色蛍光体を含む緑色変換部と、を含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記赤色変換部及び前記緑色変換部上に配置された黄色カラーフィルターをさらに含む、請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記表示基板に配置された第２偏光板をさらに含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記光量調節層は、液晶層である、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記対向基板は、遮光層をさらに含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記遮光層は、前記ベース基板と前記第２基板との間に配置された、請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記遮光層は、前記ベース基板と前記光量調節層との間に配置された、請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記キャリア基板の上面の平坦度は、各液晶表示装置の表示領域に対応する領域内にて、少なくとも６０ｎｍ以下である、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記キャリア基板は、ガラス板または金属板からなり、厚さが5～30mmである、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１偏光板と前記表示基板を互いに対向配置するステップの前に、
前記第１偏光板上に色変換層を配置するステップをさらに含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記キャリア基板を除去するステップの後に、
前記第１偏光板上に色変換層を配置するステップをさらに含む、請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ベース基板と前記偏光子との間に配置された第１のパッシベーション層をさらに含み、
前記第１偏光板を形成するステップは、
前記ベース基板上に、前記第１のパッシベーション層を形成するステップを、前記偏光子を配置するステップの前に含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ベース基板と前記偏光子との間に配置された第１のパッシベーション層をさらに含み、
前記偏光子を配置するステップは、前記第１のパッシベーション層の上に、直接、金属パターンを形成することにより行われる、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記表示基板を形成するステップは、
第１基板上に薄膜トランジスタを配置するステップと、
前記第１基板上に前記薄膜トランジスタと連結された画素電極を形成するステップと、を含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第１偏光板上に色変換層を形成するステップの前に、
前記第１偏光板上にダイクロイック層を配置するステップをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第１偏光板上にダイクロイック層を配置するステップの前に、
前記第１偏光板上に第１パッシベーション層を配置するステップをさらに含む、請求項２９に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ベース基板上に偏光子を配置するステップの前に、
前記ベース基板上にダイクロイック層を配置するステップをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記色変換層上に第２基板を配置するステップは、
前記色変換層と前記第２基板との間に粘着層を配置するステップをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記色変換層を形成するステップは、
前記第１偏光板上に赤色蛍光体を含む赤色変換部、及び緑色蛍光体を含む緑色変換部を形成するステップを含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記赤色変換部及び前記緑色変換部上に黄色カラーフィルターを配置するステップをさらに含む、請求項３３に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層を形成するステップは、遮光層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１偏光板上に前記共通電極を形成するステップの前に、
前記第１偏光板上に補償フィルムを配置するステップをさらに含む、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記色変換層を前記第１偏光板上に配置するステップは、前記色変換層と前記第１偏光板との間に粘着層を配置するステップをさらに含む、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層を形成するステップは、前記第２基板上に遮光層を形成するステップをさらに含む、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換層上にダイクロイック層を形成するステップをさらに含む、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１偏光板上に配置された第２電極を含み、
前記色変換層は、
色変換部と、
前記色変換部と重畳する緩衝層と、を含む、液晶表示装置の製造方法。 - 前記色変換部は、
赤色変換部と、
緑色変換部と、を含む、請求項４０に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記色変換部は、量子ドットを含む、請求項４１に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換部は、透過部をさらに含む、請求項４１に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 平面上で前記赤色変換部と緑色変換部との間に配置される遮光層をさらに含む、請求項４１に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記遮光層は、前記第２基板と前記緩衝層との間に配置された、請求項４４に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記遮光層は、前記緩衝層と前記第１偏光板との間に配置された、請求項４４に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第２電極と前記第１偏光板との間に配置された平坦層をさらに含む、請求項４４に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記遮光層は、前記第１偏光板と前記平坦層との間に配置された、請求項４７に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第２基板と前記緩衝層との間に配置される黄色カラーフィルターをさらに含む、請求項４１に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記黄色カラーフィルターは、前記赤色変換部及び前記緑色変換部と重なる、請求項４９に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記色変換部は、前記第２基板と前記緩衝層との間に配置された、請求項４０に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記緩衝層と前記第１偏光板との間に配置された粘着層を含む、請求項４０に記載の液晶表示装置の製造方法。
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| US10707274B2 (en) * | 2017-10-20 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
| KR102571057B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2023-08-25 | 삼성전자주식회사 | 위상차 필름 및 표시 장치 |
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| CN109031742B (zh) * | 2018-07-26 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制造方法、显示基板及显示装置 |
| WO2020067211A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 大日本印刷株式会社 | フィルタ基板、表示パネル及び表示装置 |
| CN109239966A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板、显示装置及显示基板的制造方法 |
| CN109375411B (zh) * | 2018-10-30 | 2023-10-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶面板及其制作方法 |
| KR102619291B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2023-12-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN109786431B (zh) * | 2019-02-25 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、和显示装置 |
| CN109859644B (zh) * | 2019-03-07 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示模组 |
| CN109828407A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-05-31 | 惠科股份有限公司 | 彩色滤光片基板、显示装置和背光式显示装置 |
| CN112198705A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 彩膜基板、阵列基板及显示面板 |
| CN113257131B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-10-31 | 北京京东方显示技术有限公司 | 光阻材料、彩膜基板、彩膜基板的制备方法和显示装置 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107719A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
| JP2005316495A (ja) | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Lg Electron Inc | フレキシブルワイヤグリッド偏光子及びその製造方法 |
| JP2007033558A (ja) | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
| JP2007122069A (ja) | 1994-11-18 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置用基板の作製方法 |
| JP2007313888A (ja) | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Konica Minolta Opto Inc | 凹凸構造が設けられた光学フィルムの製造方法、光学フィルム、ワイヤグリッド偏光子、及び位相差フィルム |
| JP2008145649A (ja) | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sony Corp | 液晶表示装置および投射型表示装置 |
| JP2009145657A (ja) | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | カラー液晶表示装置組立体及び発光装置 |
| US20100091219A1 (en) | 2008-10-13 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP2010156899A (ja) | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Sony Corp | カラー液晶表示装置組立体及び光変換装置 |
| JP2010286848A (ja) | 2010-08-03 | 2010-12-24 | Sony Corp | 液晶装置、カラーフィルタ基板及びアレイ基板 |
| US20130271834A1 (en) | 2010-12-27 | 2013-10-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Wire grid polarizer |
| JP2015131754A (ja) | 2009-10-20 | 2015-07-23 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体及びその製造方法、並びに表示パネルの製造方法及びその製造方法により得られる表示パネル |
| US20160041430A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001330728A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Jasco Corp | ワイヤーグリット型偏光子及びその製造方法 |
| CN100394226C (zh) * | 2004-12-14 | 2008-06-11 | 日东电工株式会社 | 椭圆偏光板、其制法和使用该椭圆偏光板的图像显示装置 |
| US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
| JP4380714B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子の製造方法 |
| WO2009128115A1 (ja) | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 日東電工株式会社 | 光学フィルム積層体ロールならびにその製造方法および装置 |
| CN100573204C (zh) * | 2008-04-30 | 2009-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏振片制造方法 |
| JP5308901B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2013-10-09 | 富士フイルム株式会社 | 液晶表示装置及び液晶セル |
| JP5879157B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2016-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルム、積層体、位相差フィルム、偏光板及び光学フィルムの製造方法 |
| JP5905761B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-04-20 | 日東電工株式会社 | 光学表示パネルの連続製造方法および光学表示パネルの連続製造システム |
| TW201329585A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-07-16 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | 偏光板及具此偏光板之影像顯示裝置 |
| TWI486679B (zh) * | 2012-01-04 | 2015-06-01 | 群創光電股份有限公司 | 平面顯示裝置及用於平面顯示裝置的光學多層膜結構 |
| JP5938241B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-06-22 | 日立マクセル株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
| KR20140074495A (ko) | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토루미네선트 패널, 이를 갖는 포토루미네선트 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR102100763B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
| KR101835924B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2018-04-19 | 제일모직주식회사 | 광학 필름 및 그 제조방법 |
| KR20150139132A (ko) | 2014-06-02 | 2015-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| KR102245360B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2021-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR102437130B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 색변환 패널의 제조 방법 |
-
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Patent Citations (14)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007122069A (ja) | 1994-11-18 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置用基板の作製方法 |
| JP2002107719A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
| JP2005316495A (ja) | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Lg Electron Inc | フレキシブルワイヤグリッド偏光子及びその製造方法 |
| JP2007033558A (ja) | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
| JP2007313888A (ja) | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Konica Minolta Opto Inc | 凹凸構造が設けられた光学フィルムの製造方法、光学フィルム、ワイヤグリッド偏光子、及び位相差フィルム |
| JP2008145649A (ja) | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sony Corp | 液晶表示装置および投射型表示装置 |
| JP2009145657A (ja) | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | カラー液晶表示装置組立体及び発光装置 |
| US20100091219A1 (en) | 2008-10-13 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP2010156899A (ja) | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Sony Corp | カラー液晶表示装置組立体及び光変換装置 |
| JP2015131754A (ja) | 2009-10-20 | 2015-07-23 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体及びその製造方法、並びに表示パネルの製造方法及びその製造方法により得られる表示パネル |
| JP2010286848A (ja) | 2010-08-03 | 2010-12-24 | Sony Corp | 液晶装置、カラーフィルタ基板及びアレイ基板 |
| US20130271834A1 (en) | 2010-12-27 | 2013-10-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Wire grid polarizer |
| US20160041430A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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