JP7202229B2

JP7202229B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Info

Publication number: JP7202229B2
Application number: JP2019053334A
Authority: JP
Inventors: 誠士阿野; 雅洋基村
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2019-03-20
Filing date: 2019-03-20
Publication date: 2023-01-11
Anticipated expiration: 2039-03-20
Also published as: TW202040291A; TWI791956B; WO2020189327A1; JP2020155613A

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法および半導体製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a semiconductor manufacturing method.

半導体製造において、レジスト剥離工程にレジスト剥離液としてアルカリ処理液が使用されている。レジスト剥離液として、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）が知られている（例えば、特許文献１）。 In semiconductor manufacturing, an alkaline treatment liquid is used as a resist stripping liquid in a resist stripping process. As a resist stripping solution, for example, tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH) is known (eg, Patent Document 1).

特開２００３－１４０３６４号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-140364

アルカリ処理液は、空気中の二酸化炭素が溶け込むと炭酸塩が生成される。その結果、アルカリ処理液のレジスト剥離性能が低下する可能性があった。 Carbonates are produced when carbon dioxide in the air dissolves in the alkali treatment liquid. As a result, there was a possibility that the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid would be degraded.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的はアルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる基板処理装置、基板処理方法および半導体製造方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a semiconductor device capable of suppressing the reaction of an alkaline processing liquid with carbon dioxide to form a carbonate. It is to provide a manufacturing method.

本発明に係る基板処理装置は、アルカリ処理液によって基板を処理する。前記基板処理装置は、処理部と、供給ユニットと、回収ユニットと、不活性ガス供給部とを備える。前記処理部は、前記基板を処理する。前記供給ユニットは、第１収容部を有する。前記第１収容部は、前記処理部に供給する前記アルカリ処理液を収容する。前記回収ユニットは、第２収容部を有する。前記第２収容部は、前記処理部から回収した前記アルカリ処理液を収容する。前記不活性ガス供給部は、前記第１収容部および前記第２収容部の少なくとも一方に不活性ガスを供給する。 A substrate processing apparatus according to the present invention processes a substrate with an alkaline processing liquid. The substrate processing apparatus includes a processing section, a supply unit, a recovery unit, and an inert gas supply section. The processing section processes the substrate. The supply unit has a first container. The first storage section stores the alkaline treatment liquid to be supplied to the processing section. The collecting unit has a second container. The second storage section stores the alkaline treatment liquid recovered from the processing section. The inert gas supply unit supplies inert gas to at least one of the first container and the second container.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、制御部をさらに備える。前記回収ユニットは、供給部をさらに有する。前記供給部は、前記第２収容部から前記第１収容部に前記アルカリ処理液を供給する。前記制御部は、前記供給部と前記不活性ガス供給部とを制御する。前記制御部は前記供給部を動作させる場合、前記供給部を動作させない場合に比べて、前記不活性ガスの供給量が増加するように前記不活性ガス供給部を制御する。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a controller. The collection unit further comprises a supply. The supply section supplies the alkaline treatment liquid from the second storage section to the first storage section. The control section controls the supply section and the inert gas supply section. The control unit controls the inert gas supply unit so that the supply amount of the inert gas increases when the supply unit is operated compared to when the supply unit is not operated.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、戻り配管部と、検知部とをさらに備える。前記戻り配管部は、前記処理部と前記第２収容部とを接続する。前記検知部は、前記戻り配管部内に前記アルカリ処理液が存在するか否かを検知する。前記制御部は、前記検知部が検知した結果に基づいて、前記戻り配管部内に前記アルカリ処理液が存在すると判定した場合、前記供給部が動作を開始するように制御する。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a return pipe section and a detection section. The return pipe section connects the processing section and the second housing section. The detection section detects whether or not the alkaline treatment liquid exists in the return pipe section. The control unit controls the supply unit to start operating when it is determined that the alkaline treatment liquid is present in the return pipe based on the detection result of the detection unit.

ある実施形態において、前記不活性ガス供給部は、計測部を有する。前記計測部は、前記第１収容部または前記第２収容部に供給する前記不活性ガスの量を計測する。 In one embodiment, the inert gas supply section has a measurement section. The measurement unit measures the amount of the inert gas supplied to the first storage unit or the second storage unit.

ある実施形態において、前記処理部は、第１ノズルと、第２ノズルとをさらに有する。前記第１ノズルは、前記基板に前記アルカリ処理液を供給する。前記第２ノズルは、前記基板に前記アルカリ処理液および不活性ガスを供給する。 In one embodiment, the processing section further includes a first nozzle and a second nozzle. The first nozzle supplies the alkaline treatment liquid to the substrate. The second nozzle supplies the alkaline processing liquid and the inert gas to the substrate.

ある実施形態において、前記処理部は、第１ノズルと、第２ノズルとをさらに有する。前記第１ノズルは、前記基板に前記アルカリ処理液を供給する。前記第２ノズルは、前記基板に炭酸水および不活性ガスを供給する。 In one embodiment, the processing section further includes a first nozzle and a second nozzle. The first nozzle supplies the alkaline treatment liquid to the substrate. The second nozzle supplies carbonated water and inert gas to the substrate.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、第３収容部をさらに備える。前記第３収容部は、前記処理部から回収した炭酸水を収容する。前記第２ノズルが前記基板に前記炭酸水を供給する場合、前記第３収容部に前記炭酸水が回収され、前記第２収容部には前記炭酸水が回収されない。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a third accommodation section. The third storage unit stores carbonated water collected from the processing unit. When the second nozzle supplies the carbonated water to the substrate, the carbonated water is collected in the third container, and the carbonated water is not collected in the second container.

ある実施形態において、第１液受部と、第２液受部と、移動部とをさらに備える。前記第１液受部は、前記基板を処理した後のアルカリ処理液を受ける。前記第２液受部は、前記基板を処理した後の前記炭酸水を受ける。前記移動部は、前記第１液受部と前記第２液受部とを移動させる。前記移動部は、前記アルカリ処理液によって前記基板を処理する場合、前記第１液受部が前記アルカリ処理液を受けるように前記第１液受部を移動させる。前記移動部は、前記第２ノズルが前記基板に前記炭酸水を供給する場合、前記第２液受部が前記炭酸水を受けるように前記第２液受部を移動させる。 In one embodiment, it further includes a first liquid receiver, a second liquid receiver, and a moving section. The first liquid receiver receives an alkaline processing liquid after processing the substrate. The second liquid receiver receives the carbonated water after processing the substrate. The moving part moves the first liquid receiving part and the second liquid receiving part. The moving part moves the first liquid receiving part so that the first liquid receiving part receives the alkaline processing liquid when the substrate is processed with the alkaline processing liquid. The moving part moves the second liquid receiving part so that the second liquid receiving part receives the carbonated water when the second nozzle supplies the carbonated water to the substrate.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、制御部と、戻り配管部とをさらに備える。前記戻り配管部は、前記処理部と前記第２収容部とを接続する。前記戻り配管部は、供給配管部と、排出配管部とを有する。前記供給配管部は、前記基板を処理した後のアルカリ処理液を前記第２収容部に供給する。前記排出配管部は、前記基板を処理した後のアルカリ処理液を排出する。前記制御部は、前記供給配管部と前記排出配管部とを制御する。前記制御部は、前記処理部が前記アルカリ処理液によって前記基板の処理を開始して所定の期間内は、前記基板を処理した後のアルカリ処理液が前記排出配管部を流れるように制御し、所定の期間経過後は、前記基板を処理した後のアルカリ処理液が前記供給配管部を流れるように制御する。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a control section and a return pipe section. The return pipe section connects the processing section and the second housing section. The return piping section has a supply piping section and a discharge piping section. The supply pipe part supplies the alkaline treatment liquid after processing the substrate to the second storage part. The discharge pipe section discharges the alkaline processing liquid after processing the substrate. The control section controls the supply piping section and the discharge piping section. The control unit controls such that the alkaline processing liquid after processing the substrate flows through the discharge pipe within a predetermined period after the processing unit starts processing the substrate with the alkaline processing liquid, After a predetermined period of time has passed, the alkaline processing liquid after processing the substrate is controlled to flow through the supply pipe.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、回収配管部をさらに備える。前記回収配管部は、前記第１収容部と前記第２収容部とを接続する。前記不活性ガス供給部は、前記回収配管部に不活性ガスを供給する。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a recovery pipe section. The recovery pipe part connects the first accommodation part and the second accommodation part. The inert gas supply section supplies inert gas to the recovery pipe section.

本発明に係る基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法である。前記基板処理方法は、アルカリ処理液を収容する第１収容部から前記アルカリ処理液を処理部に供給する供給工程と、前記処理部が前記アルカリ処理液によって前記基板を処理する処理工程と、前記基板を処理したアルカリ処理液を前記処理部から第２収容部に回収する回収工程とを包含する。前記第１収容部および前記第２収容部の少なくとも一方に不活性ガスが供給されている。 A substrate processing method according to the present invention is a substrate processing method for processing a substrate. The substrate processing method includes a supply step of supplying the alkaline processing liquid from a first storage portion that stores the alkaline processing liquid to a processing portion; a processing step of processing the substrate with the alkaline processing liquid by the processing portion; and a recovering step of recovering the alkaline treatment liquid used for treating the substrate from the treating part to the second accommodating part. An inert gas is supplied to at least one of the first accommodating portion and the second accommodating portion.

本発明に係る半導体製造方法は、半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する半導体製造方法である。前記半導体製造方法は、アルカリ処理液を収容する第１収容部から前記アルカリ処理液を処理部に供給する供給工程と、前記処理部が前記アルカリ処理液によって前記半導体基板を処理する処理工程と、前記半導体基板を処理したアルカリ処理液を前記処理部から第２収容部に回収する回収工程とを包含する。前記第１収容部および前記第２収容部の少なくとも一方に不活性ガスが供給されている。 A semiconductor manufacturing method according to the present invention is a semiconductor manufacturing method for processing a semiconductor substrate to manufacture a semiconductor that is the semiconductor substrate after processing. The semiconductor manufacturing method includes a supply step of supplying the alkaline processing liquid from a first storage portion that stores the alkaline processing liquid to a processing portion; a processing step of processing the semiconductor substrate with the alkaline processing liquid by the processing portion; and a recovering step of recovering the alkaline treatment liquid with which the semiconductor substrate has been treated from the treating part to a second accommodating part. An inert gas is supplied to at least one of the first accommodating portion and the second accommodating portion.

本発明に係る基板処理装置は、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。 The substrate processing apparatus according to the present invention can suppress the reaction of the alkaline processing liquid with carbon dioxide to produce carbonate.

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の構成を模式的に示す平面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。4 is a side view schematically showing the configuration of the processing unit; FIG. （ａ）は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。（ｂ）は、レジスト剥離処理方法を示すフローチャートである。(a) is a flow chart showing a substrate processing method of the present embodiment. (b) is a flow chart showing a resist stripping treatment method. 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a side view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。FIG. 5 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention; 本発明の実施形態３に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態４に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の変形例に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on the modification of this invention.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. Also, in the embodiment of the present invention, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other, the X-axis and Y-axis are parallel to the horizontal direction, and the Z-axis is parallel to the vertical direction.

［実施形態１］
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００について説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す平面図である。 [Embodiment 1]
A substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention.

図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１００は、例えば、エッチング処理をされた基板Ｗの表面から不要になったレジストを剥離するために用いられる装置である。詳しくは、基板処理装置１００は、アルカリ処理液によって、基板Ｗを処理する。また、基板処理装置１００は、表面にメタル膜が存在する基板Ｗに対して、処理を行う。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type apparatus that processes substrates W one by one. The substrate processing apparatus 100 is, for example, an apparatus used for stripping unnecessary resist from the surface of a substrate W that has been etched. Specifically, the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W with an alkaline processing liquid. Further, the substrate processing apparatus 100 processes a substrate W having a metal film on its surface.

基板Ｗは、例えば、シリコンウエハ、樹脂基板、または、ガラス・石英基板である。本実施形態では、基板Ｗは、ポリシリコンウエハである。本実施形態では、基板Ｗとして、円板状の半導体基板が例示されている。しかし、基板Ｗの形状は特に限定されない。基板Ｗは、例えば、矩形状に形成されていてもよい。 The substrate W is, for example, a silicon wafer, a resin substrate, or a glass/quartz substrate. In this embodiment, the substrate W is a polysilicon wafer. In this embodiment, as the substrate W, a disk-shaped semiconductor substrate is exemplified. However, the shape of the substrate W is not particularly limited. The substrate W may be formed in a rectangular shape, for example.

基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、複数の処理ユニット１と、記憶部２と、制御部３とを備える。なお、処理ユニット１は、「処理部」の一例に相当する。 A substrate processing apparatus 100 includes a plurality of load ports LP, a plurality of processing units 1 , a storage section 2 and a control section 3 . Note that the processing unit 1 corresponds to an example of a "processing unit".

ロードポートＬＰは、基板Ｗを収容したキャリアＣを保持する。処理ユニット１は、ロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理流体で処理する。処理流体は、例えば、処理液、または処理ガスを示す。 The load port LP holds a carrier C containing substrates W therein. The processing unit 1 processes the substrate W transported from the load port LP with a processing fluid. Processing fluid refers to, for example, a processing liquid or a processing gas.

記憶部２は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、およびＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）のような主記憶装置（例えば、半導体メモリー）を含み、補助記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）をさらに含んでもよい。主記憶装置、および／または，補助記憶装置は、制御部３によって実行される種々のコンピュータープログラムを記憶する。 The storage unit 2 includes a main storage device (eg, semiconductor memory) such as ROM (Read Only Memory) and RAM (Random Access Memory), and may further include an auxiliary storage device (eg, hard disk drive). The main memory and/or auxiliary memory store various computer programs executed by the controller 3 .

制御部３は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）およびＭＰＵ（ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。制御部３は、基板処理装置１００の各要素を制御する。 The control unit 3 includes processors such as a CPU (Central Processing Unit) and an MPU (Micro Processing Unit). The control unit 3 controls each element of the substrate processing apparatus 100 .

基板処理装置１００は、搬送ロボットをさらに備える。搬送ロボットは、ロードポートＬＰと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットは、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲとを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲ、およびセンターロボットＣＲの各々は、基板Ｗを支持するハンドを含む。 The substrate processing apparatus 100 further includes a transfer robot. The transport robot transports the substrate W between the load port LP and the processing unit 1 . The transport robots include an indexer robot IR and a center robot CR. The indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the processing units 1 . Each of the indexer robot IR and the center robot CR includes a hand that supports the substrate W. As shown in FIG.

基板処理装置１００は、複数の供給ユニット３０と、薬液キャビネット５とをさらに備える。複数の供給ユニット３０と、処理ユニット１とは、基板処理装置１００の筐体１００ａの内部に配置されている。薬液キャビネット５は、基板処理装置１００の筐体１００ａの外部に配置されている。薬液キャビネット５は、基板処理装置１００の側方に配置されていてもよい。また、薬液キャビネット５は、基板処理装置１００が設置されるクリーンルームの下（地下）に配置されていてもよい。 The substrate processing apparatus 100 further includes a plurality of supply units 30 and a chemical liquid cabinet 5 . The plurality of supply units 30 and the processing unit 1 are arranged inside a housing 100 a of the substrate processing apparatus 100 . The chemical solution cabinet 5 is arranged outside the housing 100 a of the substrate processing apparatus 100 . The chemical solution cabinet 5 may be arranged on the side of the substrate processing apparatus 100 . Further, the chemical solution cabinet 5 may be arranged under (underground) the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed.

複数の処理ユニット１は、上下に積層された塔Ｕを構成する。塔Ｕは複数設けられる。複数の塔Ｕは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。 A plurality of processing units 1 constitute a tower U stacked vertically. A plurality of towers U are provided. A plurality of towers U are arranged so as to surround the center robot CR in plan view.

本実施形態では、塔Ｕには、３つの処理ユニット１が積層される。また、塔Ｕは４つ設けられる。なお、塔Ｕを構成する処理ユニット１の個数は特に限定されない。また、塔Ｕの個数も特に限定されない。 In this embodiment, the tower U is stacked with three treatment units 1 . Also, four towers U are provided. The number of treatment units 1 constituting the tower U is not particularly limited. Also, the number of towers U is not particularly limited.

複数の供給ユニット３０は、それぞれ、複数の塔Ｕと対応する。薬液キャビネット５内の薬液は、供給ユニット３０を介して、供給ユニット３０と対応する塔Ｕに供給される。その結果、塔Ｕに含まれる全ての処理ユニット１に対して薬液が供給される。 A plurality of supply units 30 correspond to a plurality of towers U, respectively. The chemical solution in the chemical solution cabinet 5 is supplied via the supply unit 30 to the tower U corresponding to the supply unit 30 . As a result, all the processing units 1 included in the tower U are supplied with the chemical solution.

図１および図２を参照して、処理ユニット１について説明する。図２は、処理ユニット１の構成を模式的に示す側面図である。 The processing unit 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of the processing unit 1. As shown in FIG.

図２に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１と、供給ユニット３０と、回収ユニット４０と、戻り配管部５１と、回収配管部５２と、不活性ガス供給部６０ａと、不活性ガス供給部６０ｂとを備える。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes a processing unit 1, a supply unit 30, a recovery unit 40, a return pipe portion 51, a recovery pipe portion 52, an inert gas supply portion 60a, and an inert gas supply portion 60a. and a gas supply unit 60b.

処理ユニット１は、チャンバー６と、スピンチャック１０と、第１カップ１４と、第２カップ１５とを含む。 Processing unit 1 includes chamber 6 , spin chuck 10 , first cup 14 and second cup 15 .

チャンバー６は略箱形状を有する。チャンバー６は基板Ｗを収容する。基板Ｗは、例えば略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー６には基板Ｗが１枚ずつ収容される。 The chamber 6 has a substantially box shape. Chamber 6 accommodates substrate W. FIG. The substrate W is, for example, substantially disc-shaped. Here, the substrate processing apparatus 100 is of a single substrate type that processes the substrates W one by one, and the substrates W are accommodated in the chamber 6 one by one.

スピンチャック１０は、チャンバー６内に配置される。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持しつつ、回転軸Ａ１回りに回転させる。回転軸Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な軸である。 A spin chuck 10 is arranged in the chamber 6 . The spin chuck 10 holds the substrate W horizontally and rotates it around the rotation axis A1. The rotation axis A1 is a vertical axis that passes through the central portion of the substrate W. As shown in FIG.

スピンチャック１０は、複数のチャックピン１１と、スピンベース１２と、スピンモータ１３と、第１カップ１４と、第２カップ１５と、移動部１６とを含む。なお、第１カップ１４は、「第１液受部」の一例に相当する。また、第２カップ１５は、「第２液受部」の一例に相当する。 The spin chuck 10 includes multiple chuck pins 11 , a spin base 12 , a spin motor 13 , a first cup 14 , a second cup 15 and a moving portion 16 . Note that the first cup 14 corresponds to an example of a "first liquid receiver". Also, the second cup 15 corresponds to an example of a "second liquid receiver".

スピンベース１２は、円板状の部材である。複数のチャックピン１１は、スピンベース１２上で基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンモータ１３は、複数のチャックピン１１を回転させることにより、回転軸Ａ１回りに基板Ｗを回転させる。 The spin base 12 is a disk-shaped member. A plurality of chuck pins 11 hold the substrate W horizontally on the spin base 12 . The spin motor 13 rotates the chuck pins 11 to rotate the substrate W around the rotation axis A1.

本実施形態のスピンチャック１０は、複数のチャックピン１１を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックである。しかし、本発明はこれに限定されない。スピンチャック１０は、バキューム式のチャックでもよい。バキューム式のチャックは、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより、基板Ｗを水平に保持する。 The spin chuck 10 of this embodiment is a clamping type chuck that brings a plurality of chuck pins 11 into contact with the outer peripheral surface of the substrate W. As shown in FIG. However, the invention is not so limited. The spin chuck 10 may be a vacuum chuck. The vacuum chuck holds the substrate W horizontally by sucking the back surface (lower surface) of the substrate W, which is the non-device forming surface, onto the upper surface of the spin base 12 .

第１カップ１４と第２カップ１５とは、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。詳しくは、第１カップ１４は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液を受ける。第２カップ１５は、基板Ｗを処理した後の炭酸水を受ける。 The first cup 14 and the second cup 15 receive the processing liquid discharged from the substrate W. As shown in FIG. Specifically, the first cup 14 receives the alkaline processing liquid after the substrate W has been processed. The second cup 15 receives carbonated water after the substrate W has been processed.

移動部１６は、上昇位置と、下降位置との間で第１カップ１４と第２カップ１５とを昇降させる。第１カップ１４が上昇位置に位置するとき、第１カップ１４の上端１４ａが、スピンチャック１０よりも上方に位置する。第１カップ１４が下降位置に位置するとき、第１カップ１４の上端１４ａが、スピンチャック１０よりも下方に位置する。また、第２カップ１５が上昇位置に位置するとき、第２カップ１５の上端１５ａが、スピンチャック１０よりも上方に位置する。第２カップ１５が下降位置に位置するとき、第２カップ１５の上端１５ａが、スピンチャック１０よりも下方に位置する。 The moving part 16 raises and lowers the first cup 14 and the second cup 15 between the raised position and the lowered position. The upper end 14 a of the first cup 14 is positioned above the spin chuck 10 when the first cup 14 is positioned at the raised position. When the first cup 14 is positioned at the lowered position, the upper end 14a of the first cup 14 is positioned below the spin chuck 10 . Further, when the second cup 15 is positioned at the raised position, the upper end 15 a of the second cup 15 is positioned above the spin chuck 10 . When the second cup 15 is positioned at the lowered position, the upper end 15a of the second cup 15 is positioned below the spin chuck 10 .

基板Ｗに処理液が供給されるとき、第１カップ１４と第２カップ１５とは上昇位置に位置する。 When the processing liquid is supplied to the substrate W, the first cup 14 and the second cup 15 are positioned at the raised position.

処理ユニット１は、ノズル２１と、ノズル移動ユニット２２と、供給配管Ｐ１と、バルブＶ１とをさらに含む。 The processing unit 1 further includes a nozzle 21, a nozzle moving unit 22, a supply pipe P1, and a valve V1.

ノズル２１は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに向けて薬液を吐出する。なお、ノズル２１は、「第１ノズル」の一例に相当する。薬液は、例えば、アルカリ処理液である。アルカリ処理液は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）を含む。なお、アルカリ処理液は、水酸化カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＫＯＨ）でもよい。 The nozzle 21 ejects the chemical liquid toward the substrate W held by the spin chuck 10 . Note that the nozzle 21 corresponds to an example of a "first nozzle". The chemical liquid is, for example, an alkaline processing liquid. The alkaline treatment liquid contains, for example, tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH). The alkaline treatment liquid may be potassium hydroxide (KOH).

供給配管Ｐ１はノズル２１にアルカリ処理液を供給する。バルブＶ１は、ノズル２１に対するアルカリ処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。 The supply pipe P1 supplies the nozzle 21 with the alkaline treatment liquid. The valve V<b>1 switches between starting and stopping the supply of the alkaline treatment liquid to the nozzle 21 .

ノズル移動ユニット２２は、処理位置と退避位置との間でノズル２１を移動させる。処理位置は、ノズル２１が基板Ｗに向けて薬液を吐出する位置を示す。退避位置は、ノズル２１が基板Ｗから離間した位置を示す。ノズル移動ユニット２２は、例えば、回動軸線Ａ２回りにノズル２１を旋回させることでノズル２１を移動させる。回動軸線Ａ２は、第１カップ１４および第２カップ１５の周辺に位置する鉛直な軸である。 The nozzle moving unit 22 moves the nozzle 21 between the processing position and the retracted position. The processing position indicates a position where the nozzle 21 discharges the chemical liquid toward the substrate W. FIG. The retracted position indicates a position where the nozzle 21 is separated from the substrate W. FIG. The nozzle moving unit 22 moves the nozzle 21 by rotating the nozzle 21 around the rotation axis A2, for example. The pivot axis A2 is a vertical axis positioned around the first cup 14 and the second cup 15 .

処理ユニット１は、ノズル２３と、ノズル移動ユニット２４と、供給配管Ｐ２と、供給配管Ｐ３と、バルブＶ２と、バルブＶ３とをさらに含む。 The processing unit 1 further includes a nozzle 23, a nozzle moving unit 24, a supply pipe P2, a supply pipe P3, a valve V2 and a valve V3.

ノズル２３は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに向けて炭酸水および窒素ガスを吐出する。なお、ノズル２３は、「第２ノズル」の一例に相当する。 Nozzle 23 ejects carbonated water and nitrogen gas toward substrate W held on spin chuck 10 . Note that the nozzle 23 corresponds to an example of a "second nozzle".

供給配管Ｐ２はノズル２３に炭酸水を供給する。バルブＶ２は、ノズル２３に対する炭酸水の供給開始と供給停止とを切り替える。 The supply pipe P2 supplies the nozzle 23 with carbonated water. The valve V2 switches between starting and stopping the supply of carbonated water to the nozzle 23 .

供給配管Ｐ３はノズル２３に窒素ガスを供給する。バルブＶ３は、ノズル２３に対する窒素ガスの供給開始と供給停止とを切り替える。 A supply pipe P3 supplies nitrogen gas to the nozzle 23 . The valve V3 switches between starting and stopping the supply of nitrogen gas to the nozzle 23 .

ノズル移動ユニット２４は、処理位置と退避位置との間でノズル２３を移動させる。処理位置は、ノズル２３が基板Ｗに向けて薬液を吐出する位置を示す。退避位置は、ノズル２３が基板Ｗから離間した位置を示す。ノズル移動ユニット２４は、例えば、回動軸線Ａ３回りにノズル２３を旋回させることでノズル２３を移動させる。回動軸線Ａ３は、第１カップ１４および第２カップ１５の周辺に位置する鉛直な軸である。 The nozzle moving unit 24 moves the nozzle 23 between the processing position and the retracted position. The processing position indicates a position where the nozzle 23 discharges the chemical liquid toward the substrate W. FIG. The retracted position indicates a position where the nozzle 23 is separated from the substrate W. FIG. The nozzle moving unit 24 moves the nozzle 23 by rotating the nozzle 23 around the rotation axis A3, for example. A pivot axis A3 is a vertical axis positioned around the first cup 14 and the second cup 15 .

供給ユニット３０は、処理ユニット１に、アルカリ処理液を供給する。供給ユニット３０は、供給タンク３１を有する。供給タンク３１は、処理ユニット１に供給するアルカリ処理液を収容する。供給ユニット３０の詳細については、図４を参照して後述する。なお、供給タンク３１は、「第１収容部」の一例に相当する。 The supply unit 30 supplies the processing unit 1 with an alkaline processing liquid. The supply unit 30 has a supply tank 31 . The supply tank 31 contains an alkaline processing liquid to be supplied to the processing unit 1 . Details of the supply unit 30 will be described later with reference to FIG. In addition, the supply tank 31 corresponds to an example of the "first container".

回収ユニット４０は、基板Ｗを処理したアルカリ処理液を処理ユニット１から回収する。回収ユニット４０は、回収タンク４１を有する。回収タンク４１は、処理ユニット１から回収したアルカリ処理液を収容する。回収ユニット４０の詳細については、図４を参照して後述する。なお、回収タンク４１は、「第２収容部」の一例に相当する。 The recovery unit 40 recovers from the processing unit 1 the alkaline processing liquid with which the substrate W has been processed. The recovery unit 40 has a recovery tank 41 . The recovery tank 41 stores the alkaline processing liquid recovered from the processing unit 1 . Details of the collection unit 40 will be described later with reference to FIG. Note that the collection tank 41 corresponds to an example of the "second storage section".

戻り配管部５１は、処理ユニット１と回収タンク４１とを接続する。したがって、処理ユニット１によって基板Ｗを処理したアルカリ処理液は、戻り配管部５１を流れて、回収タンク４１に回収される。 The return pipe section 51 connects the processing unit 1 and the recovery tank 41 . Therefore, the alkaline processing liquid that has processed the substrate W by the processing unit 1 flows through the return pipe portion 51 and is recovered in the recovery tank 41 .

回収配管部５２は、供給タンク３１と回収タンク４１とを接続する。したがって、回収タンク４１に収容されている基板Ｗを処理したアルカリ処理液は、回収配管部５２を流れて、供給タンク３１に回収される。 The recovery pipe portion 52 connects the supply tank 31 and the recovery tank 41 . Therefore, the alkaline processing liquid that has processed the substrates W stored in the recovery tank 41 flows through the recovery pipe portion 52 and is recovered in the supply tank 31 .

不活性ガス供給部６０ａは、供給タンク３１に不活性ガスを供給する。不活性ガスは、アルカリ処理液に対して不活性な気体である。不活性ガスは、例えば、窒素ガスを含む。なお、不活性ガスは、アルゴンガスでもよい。不活性ガスの流量は、例えば、５ＬＰＭ（リットル／分）以上が好ましい。 The inert gas supply unit 60 a supplies inert gas to the supply tank 31 . An inert gas is a gas that is inert to the alkaline processing liquid. Inert gases include, for example, nitrogen gas. Note that the inert gas may be argon gas. The inert gas flow rate is preferably, for example, 5 LPM (liters/minute) or more.

不活性ガス供給部６０ｂは、回収ユニット４０に不活性ガスを供給する。不活性ガスは、アルカリ処理液に対して不活性な気体である。不活性ガスは、例えば、窒素ガスを含む。なお、不活性ガスは、アルゴンガスでもよい。不活性ガスの流量は、例えば、５ＬＰＭ（リットル／分）以上が好ましい。 The inert gas supply section 60b supplies the recovery unit 40 with inert gas. An inert gas is a gas that is inert to the alkaline processing liquid. Inert gases include, for example, nitrogen gas. Note that the inert gas may be argon gas. The inert gas flow rate is preferably, for example, 5 LPM (liters/minute) or more.

次に、図１、図２、図３（ａ）および図３（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が実行する基板処理方法を説明する。図３（ａ）は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。図３（ｂ）は、レジスト剥離処理方法を示すフローチャートである。図３（ａ）に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ５を含む。図３（ｂ）に示すように、レジスト剥離処理方法は、ステップＳ２１～ステップＳ２３を含む。 Next, a substrate processing method performed by the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3A is a flow chart showing the substrate processing method of this embodiment. FIG. 3(b) is a flow chart showing a resist stripping treatment method. As shown in FIG. 3A, the substrate processing method of this embodiment includes steps S1 to S5. As shown in FIG. 3B, the resist stripping processing method includes steps S21 to S23.

図３（ａ）に示すように、基板処理装置１００が基板Ｗを処理する場合、まず、基板Ｗがチャンバー６に搬入される（ステップＳ１）。詳しくは、搬送ロボットが基板Ｗをチャンバー６に搬入する。なお、本実施形態では、基板Ｗはエッチング処理済のレジストが形成された基板である。搬入された基板Ｗは、スピンチャック１０によって保持される。 As shown in FIG. 3A, when the substrate processing apparatus 100 processes a substrate W, first, the substrate W is loaded into the chamber 6 (step S1). Specifically, a transport robot loads the substrate W into the chamber 6 . In this embodiment, the substrate W is a substrate on which an etched resist is formed. The loaded substrate W is held by the spin chuck 10 .

スピンチャック１０が基板Ｗを保持した後に、レジスト剥離処理が行われる（ステップＳ２）。図３（ｂ）に示すように、レジスト剥離処理において、まず、供給処理が行われる（ステップＳ２１）。詳しくは、供給タンク３１からアルカリ処理液を処理ユニット１に供給する。より詳しくは、ノズル２１が、回動軸線Ａ２を中心に回動しながら、アルカリ処理液を吐出する。ノズル２１は、少なくとも基板Ｗの上面全域がアルカリ処理液で覆われるまで、アルカリ処理液を吐出する。 After the spin chuck 10 holds the substrate W, a resist stripping process is performed (step S2). As shown in FIG. 3B, in the resist stripping process, supply processing is first performed (step S21). Specifically, the alkaline processing liquid is supplied from the supply tank 31 to the processing unit 1 . More specifically, the nozzle 21 ejects the alkaline treatment liquid while rotating about the rotation axis A2. The nozzle 21 discharges the alkaline processing liquid until at least the entire upper surface of the substrate W is covered with the alkaline processing liquid.

供給処理が行われた後に、アルカリ液処理が行われる（ステップＳ２２）。詳しくは、処理ユニット１がアルカリ処理液によって基板Ｗを処理する。詳しくは、基板Ｗをアルカリ処理液で基板Ｗの表面のレジストを剥離する。 After the supply process is performed, the alkaline solution process is performed (step S22). Specifically, the processing unit 1 processes the substrate W with an alkaline processing liquid. Specifically, the resist on the surface of the substrate W is stripped off with an alkaline treatment liquid.

次に、回収処理が行われる（ステップＳ２３）。詳しくは、基板Ｗを処理したアルカリ処理液を処理ユニット１から回収タンク４１に回収する。 Next, collection processing is performed (step S23). Specifically, the alkaline processing liquid used to process the substrate W is recovered from the processing unit 1 into the recovery tank 41 .

レジスト剥離処理（ステップＳ２）が終了すると、ステップＳ３において、洗浄処理が行われる。詳しくは、ノズル２３が、回動軸線Ａ３を中心に回動しながら、炭酸水および窒素ガスを吐出する。その結果、基板Ｗが洗浄される。 After the resist stripping process (step S2) is finished, a cleaning process is performed in step S3. Specifically, the nozzle 23 discharges carbonated water and nitrogen gas while rotating about the rotation axis A3. As a result, the substrate W is cleaned.

ステップＳ４において、基板Ｗを乾燥させる。 In step S4, the substrate W is dried.

ステップＳ５において、基板Ｗの回転を停止させた後、チャンバー６から基板Ｗを搬出して、図３（ａ）および図３（ｂ）に示す処理を終了する。 In step S5, after stopping the rotation of the substrate W, the substrate W is unloaded from the chamber 6, and the processing shown in FIGS. 3(a) and 3(b) is completed.

また、実施形態１に係る半導体製造方法では、エッチング処理済のレジストが形成された半導体基板Ｗを、ステップＳ１～ステップＳ５およびステップＳ２１～ステップＳ２３を含む基板処理方法によって処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。 Further, in the semiconductor manufacturing method according to the first embodiment, the semiconductor substrate W on which the etched resist is formed is processed by the substrate processing method including steps S1 to S5 and steps S21 to S23, and the post-processed semiconductor substrate W is processed. A semiconductor, which is a semiconductor substrate W, is manufactured.

なお、本実施形態では、基板処理装置１００は、エッチング処理済のレジストが形成された基板Ｗについてレジスト剥離処理を行ったが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板処理装置１００においてエッチング処理を行ってもよい。 In the present embodiment, the substrate processing apparatus 100 performs the resist stripping process on the substrate W on which the etched resist is formed, but the present invention is not limited to this. For example, an etching process may be performed in the substrate processing apparatus 100 .

図４を参照して、基板処理装置１００についてさらに説明する。図４は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。 The substrate processing apparatus 100 will be further described with reference to FIG. FIG. 4 is a side view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention.

図４に示すように、供給ユニット３０は、供給タンク３１に加えて、循環配管３２と、循環ポンプ３３と、循環フィルター３４と、循環ヒータ３５と、気体供給配管Ｐ４と、配管Ｐ５と、バルブＶ３１と、バルブＶ３２と、バルブＶ３３とをさらに有する。 As shown in FIG. 4, the supply unit 30 includes, in addition to the supply tank 31, a circulation pipe 32, a circulation pump 33, a circulation filter 34, a circulation heater 35, a gas supply pipe P4, a pipe P5, a valve It further has V31, valve V32 and valve V33.

供給タンク３１は、アルカリ処理液を収容する。循環配管３２は、管状の部材である。循環配管３２内には、アルカリ処理液が循環する循環路が形成される。循環配管３２は、上流側端部３２ａと、下流側端部３２ｂとを有する。循環配管３２は、供給タンク３１に連通する。具体的には、循環配管３２の上流側端部３２ａと、下流側端部３２ｂとが供給タンク３１に連通する。 The supply tank 31 contains an alkaline processing liquid. The circulation pipe 32 is a tubular member. A circulation path is formed in the circulation pipe 32 for circulating the alkaline treatment liquid. The circulation pipe 32 has an upstream end 32a and a downstream end 32b. The circulation pipe 32 communicates with the supply tank 31 . Specifically, the upstream end 32 a and the downstream end 32 b of the circulation pipe 32 communicate with the supply tank 31 .

循環ポンプ３３は、供給タンク３１内のアルカリ処理液を循環配管３２に送る。循環ポンプ３３が作動すると、供給タンク３１内のアルカリ処理液が循環配管３２の上流側端部３２ａに送られる。上流側端部３２ａに送られたアルカリ処理液は、循環配管３２内を搬送されて、下流側端部３２ｂから供給タンク３１に排出される。循環ポンプ３３が作動し続けることで、上流側端部３２ａから下流側端部３２ｂに向かって、循環配管３２内にアルカリ処理液が流れ続ける。その結果、アルカリ処理液が循環配管３２を循環する。 A circulation pump 33 sends the alkaline treatment liquid in the supply tank 31 to the circulation pipe 32 . When the circulation pump 33 operates, the alkaline processing liquid in the supply tank 31 is sent to the upstream end 32 a of the circulation pipe 32 . The alkaline treatment liquid sent to the upstream end 32a is conveyed through the circulation pipe 32 and discharged to the supply tank 31 from the downstream end 32b. As the circulation pump 33 continues to operate, the alkaline treatment liquid continues to flow in the circulation pipe 32 from the upstream end 32a toward the downstream end 32b. As a result, the alkaline treatment liquid circulates through the circulation pipe 32 .

循環フィルター３４は、循環配管３２を循環するアルカリ処理液から、パーティクルのような異物を除去する。循環ヒータ３５は、アルカリ処理液を加熱することで、アルカリ処理液の温度を調整する。循環ヒータ３５は、アルカリ処理液の温度を、例えば、室温よりも高い一定の温度（例えば、６０℃）に保持する。循環配管３２を循環するアルカリ処理液の温度は、循環ヒータ３５により一定の温度に保持される。 The circulation filter 34 removes foreign matter such as particles from the alkaline processing liquid circulating through the circulation pipe 32 . The circulation heater 35 adjusts the temperature of the alkaline processing liquid by heating the alkaline processing liquid. The circulation heater 35 maintains the temperature of the alkaline treatment liquid at a constant temperature (eg, 60° C.) higher than room temperature, for example. The temperature of the alkaline treatment liquid circulating through the circulation pipe 32 is maintained at a constant temperature by the circulation heater 35 .

循環ポンプ３３、循環フィルター３４、および循環ヒータ３５は、循環配管３２に設置される。 A circulation pump 33 , a circulation filter 34 , and a circulation heater 35 are installed in the circulation pipe 32 .

循環ポンプ３３に代えて、加圧装置を設けてもよい。加圧装置は、供給タンク３１内の気圧を上昇させることにより、供給タンク３１内のアルカリ処理液を循環配管３２に送り出す。 A pressure device may be provided instead of the circulation pump 33 . The pressurizing device sends out the alkaline processing liquid in the supply tank 31 to the circulation pipe 32 by increasing the pressure in the supply tank 31 .

気体供給配管Ｐ４は、バルブＶ３１を介して、不活性ガス供給部６０ａと供給タンク３１とを接続する。バルブＶ３１は、供給タンク３１に対する、不活性ガスの供給開始と供給停止とを切り替える。 The gas supply pipe P4 connects the inert gas supply section 60a and the supply tank 31 via the valve V31. The valve V31 switches between starting and stopping the supply of the inert gas to the supply tank 31 .

配管Ｐ５は、バルブＶ３２およびバルブＶ３３を介して、ドレンタンク（図示せず）に接続される。バルブＶ３２およびバルブＶ３３は、ドレンタンクに対するアルカリ処理液の排出開始と排出停止とを切り替える。 The pipe P5 is connected to a drain tank (not shown) via valves V32 and V33. A valve V32 and a valve V33 switch between starting and stopping discharge of the alkaline treatment liquid to the drain tank.

一般的にアルカリ処理液が空気中の二酸化炭素が溶け込むと炭酸塩が生成される。炭酸塩が生成されると、アルカリ処理液の濃度が低下し、アルカリ処理液のレジスト剥離性能が低下する。 In general, carbonates are produced when carbon dioxide in the air dissolves in the alkaline treatment liquid. When carbonate is generated, the concentration of the alkaline processing liquid is lowered, and the resist stripping performance of the alkaline processing liquid is lowered.

そこで、不活性ガス供給部６０ａは、気体供給配管Ｐ４を介して、供給タンク３１に、不活性ガスを供給する。したがって、供給タンク３１内の二酸化炭素の濃度を低減させることができる。その結果、供給タンク３１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 Therefore, the inert gas supply unit 60a supplies the inert gas to the supply tank 31 through the gas supply pipe P4. Therefore, the concentration of carbon dioxide in the supply tank 31 can be reduced. As a result, it is possible to suppress the reaction of the alkaline processing liquid with carbon dioxide to produce carbonate in the supply tank 31 . Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

処理ユニット１は、バルブＶ４と、分岐配管Ｐ６とをさらに有する。基板Ｗの裏面にアルカリ処理液を供給する。バルブＶ４は、基板Ｗの裏面に対するアルカリ処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。 The processing unit 1 further has a valve V4 and a branch pipe P6. An alkaline processing liquid is supplied to the rear surface of the substrate W. As shown in FIG. The valve V4 switches between starting and stopping the supply of the alkaline processing liquid to the back surface of the substrate W. FIG.

回収ユニット４０は、回収タンク４１に加えて、バルブＶ４１と、回収ポンプ４４と、気体供給配管Ｐ７とをさらに有する。なお、回収ポンプ４４は、「供給部」の一例に相当する。 In addition to the recovery tank 41, the recovery unit 40 further has a valve V41, a recovery pump 44, and a gas supply pipe P7. Note that the recovery pump 44 corresponds to an example of a "supply unit".

回収タンク４１は、処理部から回収したアルカリ処理液を収容する。 The recovery tank 41 stores the alkaline processing liquid recovered from the processing section.

回収ポンプ４４は、回収タンク４１から供給タンク３１にアルカリ処理液を供給する。詳しくは、回収ポンプ４４は、回収タンク４１内のアルカリ処理液を回収配管部５２に送る。 The recovery pump 44 supplies the alkaline treatment liquid from the recovery tank 41 to the supply tank 31 . Specifically, the recovery pump 44 sends the alkaline treatment liquid in the recovery tank 41 to the recovery pipe section 52 .

回収ポンプ４４に代えて、加圧装置を設けてもよい。加圧装置は、回収タンク４１内の気圧を上昇させることにより、回収タンク４１内のアルカリ処理液を回収配管部５２に送り出す。 A pressure device may be provided instead of the recovery pump 44 . The pressurizing device sends out the alkali-treated liquid in the recovery tank 41 to the recovery pipe section 52 by increasing the pressure in the recovery tank 41 .

気体供給配管Ｐ７は、不活性ガス供給部６０ｂと回収タンク４１とを接続する。 The gas supply pipe P7 connects the inert gas supply section 60b and the recovery tank 41 .

不活性ガス供給部６０ｂは、気体供給配管Ｐ７を介して、回収タンク４１に、不活性ガスを供給する。したがって、回収タンク４１内の二酸化炭素の濃度を低減させることができる。その結果、回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 The inert gas supply unit 60b supplies the inert gas to the recovery tank 41 through the gas supply pipe P7. Therefore, the concentration of carbon dioxide in the recovery tank 41 can be reduced. As a result, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide in the recovery tank 41 to produce carbonate. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

回収ポンプ４４を動作させた場合、回収タンク４１の排気口（図示せず）から回収タンク４１外の空気が回収ユニットに入り込む可能性がある。その結果、回収タンク４１内の二酸化炭素の濃度が上昇する可能性がある。 When the recovery pump 44 is operated, air outside the recovery tank 41 may enter the recovery unit through an exhaust port (not shown) of the recovery tank 41 . As a result, the concentration of carbon dioxide in the recovery tank 41 may increase.

したがって、回収ポンプ４４を動作させた場合、制御部３は、回収ポンプ４４を動作させる場合、回収ポンプ４４を動作させない場合に比べて、不活性ガスの供給量が増加するように不活性ガス供給部６０ｂを制御することが好ましい。したがって、回収ポンプ４４を動作させることによって増加した回収タンク４１内の二酸化炭素の濃度を低減させることができる。その結果、回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。 Therefore, when the recovery pump 44 is operated, the control unit 3 supplies the inert gas so that the amount of inert gas supplied increases when the recovery pump 44 is operated compared to when the recovery pump 44 is not operated. It is preferred to control the portion 60b. Therefore, the increased concentration of carbon dioxide in the recovery tank 41 can be reduced by operating the recovery pump 44 . As a result, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide in the recovery tank 41 to produce carbonate.

基板処理装置１００は、排出タンク７０をさらに備える。排出タンク７０には、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が排出される。 The substrate processing apparatus 100 further includes a discharge tank 70 . The alkaline processing liquid after processing the substrate W is discharged into the discharge tank 70 .

戻り配管部５１は、処理ユニット１と回収タンク４１とを接続する。戻り配管部５１は、供給配管部Ｐ８と、排出配管部Ｐ９とを有する。 The return pipe section 51 connects the processing unit 1 and the recovery tank 41 . The return pipe portion 51 has a supply pipe portion P8 and a discharge pipe portion P9.

供給配管部Ｐ８は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液を回収タンク４１に供給する。供給配管部Ｐ８は、処理ユニット１と回収タンク４１とを接続する。供給配管部Ｐ８は、バルブＶ５を有する。バルブＶ５は、回収タンク４１への基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。 The supply pipe part P8 supplies the recovery tank 41 with the alkaline processing liquid after the substrate W has been processed. The supply pipe portion P8 connects the processing unit 1 and the recovery tank 41 . The supply pipe section P8 has a valve V5. The valve V5 switches between starting and stopping the supply of the alkaline processing liquid to the recovery tank 41 after the substrates W have been processed.

排出配管部Ｐ９は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液を排出タンク７０に排出する。排出配管部Ｐ９は、供給配管部Ｐ８から分岐して排出タンク７０に接続する。排出配管部Ｐ９は、バルブＶ６を有する。バルブＶ６は、排出タンク７０への基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液の排出開始と排出停止とを切り替える。 The discharge pipe part P9 discharges the alkaline processing liquid after processing the substrate W to the discharge tank 70 . The discharge pipe portion P9 is branched from the supply pipe portion P8 and connected to the discharge tank 70 . The discharge pipe portion P9 has a valve V6. The valve V6 switches between starting and stopping the discharge of the alkaline processing liquid after processing the substrate W into the discharge tank 70 .

一般的に、処理ユニットがアルカリ処理液によってレジスト除去の処理を開始した直後は、多量のレジストがアルカリ処理液に混入している。したがって、レジスト除去の処理を開始した直後は、アルカリ処理液を回収タンクに回収しないことが好ましい。したがって、本実施形態では、レジスト除去の処理を開始した直後は、アルカリ処理液を回収タンク４１に回収しないように、制御部３は、供給配管部Ｐ８と排出配管部Ｐ９とを制御することが好ましい。 In general, a large amount of resist is mixed in the alkaline processing liquid immediately after the processing unit starts removing the resist with the alkaline processing liquid. Therefore, it is preferable not to collect the alkaline processing liquid in the collection tank immediately after starting the resist removal process. Therefore, in the present embodiment, the control unit 3 can control the supply pipe portion P8 and the discharge pipe portion P9 so that the alkali treatment liquid is not recovered in the recovery tank 41 immediately after the resist removal process is started. preferable.

具体的には、制御部３は、処理ユニット１がアルカリ処理液によって基板Ｗの処理を開始して所定の期間内は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が排出配管部Ｐ９を流れるように制御する。詳しくは、制御部３は、バルブＶ６を開いて、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が排出タンク７０に流れるようにバルブＶ６を制御する。一方、制御部３は、バルブＶ５を閉じて基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が回収タンク４１に流れないようにバルブＶ５を制御する。 Specifically, the control unit 3 controls the processing unit 1 to cause the alkaline processing liquid after processing the substrates W to flow through the discharge pipe section P9 within a predetermined period after the processing unit 1 starts processing the substrates W with the alkaline processing liquid. to control. Specifically, the control unit 3 opens the valve V6 and controls the valve V6 so that the alkaline processing liquid after processing the substrate W flows into the discharge tank 70 . On the other hand, the control unit 3 closes the valve V5 and controls the valve V5 so that the alkaline processing liquid after processing the substrate W does not flow into the recovery tank 41 .

また、所定の期間経過後は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が供給配管部Ｐ８を流れるように制御する。詳しくは、制御部３は、バルブＶ５を開いて、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が回収タンク４１に流れるようにバルブＶ６を制御する。一方、制御部３は、バルブＶ５を閉じて基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が排出タンク７０に流れないようにバルブＶ６を制御する。 Further, after a predetermined period of time has passed, the alkaline processing liquid after processing the substrate W is controlled to flow through the supply pipe portion P8. Specifically, the control unit 3 opens the valve V5 and controls the valve V6 so that the alkaline processing liquid after processing the substrate W flows into the recovery tank 41 . On the other hand, the control unit 3 closes the valve V5 and controls the valve V6 so that the alkaline processing liquid after processing the substrate W does not flow into the discharge tank 70 .

このように、レジスト除去の処理を開始した直後は、制御部３がアルカリ処理液を回収タンク４１に回収されないように制御する。したがって、多量のレジストが混入した状態で、アルカリ処理液を回収タンク４１に回収されないようにすることができる。その結果、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液を効率良く再使用することができる。 In this way, the control unit 3 controls so that the alkaline treatment liquid is not recovered in the recovery tank 41 immediately after the resist removal process is started. Therefore, it is possible to prevent the alkaline treatment liquid from being recovered in the recovery tank 41 in a state in which a large amount of resist is mixed. As a result, the alkaline processing liquid after processing the substrate W can be efficiently reused.

以上、図１～図４を参照して説明したように、基板処理装置１００において、不活性ガス供給部６０は、供給タンク３１（第１収容部）および回収タンク４１（第２収容部）の少なくとも一方に不活性ガス（窒素ガス）を供給する。したがって、供給タンク３１内および回収タンク４１内の二酸化炭素の濃度を低減させることができる。その結果、供給タンク３１内および回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 As described above with reference to FIGS. 1 to 4, in the substrate processing apparatus 100, the inert gas supply unit 60 is provided in the supply tank 31 (first container) and the recovery tank 41 (second container). An inert gas (nitrogen gas) is supplied to at least one of them. Therefore, the concentration of carbon dioxide in the supply tank 31 and the recovery tank 41 can be reduced. As a result, in the supply tank 31 and the recovery tank 41, it is possible to prevent the alkaline processing liquid from reacting with carbon dioxide to produce carbonate. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

なお、本実施形態では、不活性ガス供給部６０は、供給タンク３１および回収タンク４１のいずれにも不活性ガスを供給していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、不活性ガス供給部６０は、供給タンク３１および回収タンク４１のいずれか一方にのみ不活性ガスを供給してもよい。 Although the inert gas supply unit 60 supplies the inert gas to both the supply tank 31 and the recovery tank 41 in the present embodiment, the present invention is not limited to this. For example, the inert gas supply section 60 may supply the inert gas to only one of the supply tank 31 and the recovery tank 41 .

また、制御部３は回収ポンプ４４（供給部）を動作させる場合、回収ポンプ４４を動作させない場合に比べて、不活性ガスの供給量が増加するように不活性ガス供給部６０を制御する。したがって、回収ポンプ４４を動作させることによって増加した回収タンク４１内の二酸化炭素の濃度を低減させることができる。その結果、回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。 In addition, when operating the recovery pump 44 (supply unit), the control unit 3 controls the inert gas supply unit 60 so that the amount of inert gas supplied increases compared to when the recovery pump 44 is not operated. Therefore, the increased concentration of carbon dioxide in the recovery tank 41 can be reduced by operating the recovery pump 44 . As a result, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide in the recovery tank 41 to produce carbonate.

また、制御部３は、処理ユニット１（処理部）がアルカリ処理液によって基板Ｗの処理を開始して所定の期間内は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が排出配管部Ｐ９を流れるように制御する。また、制御部３は、所定の期間経過後は、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が供給配管部Ｐ８を流れるように制御する。したがって、多量のレジストが混入した状態で、アルカリ処理液を回収タンク４１に回収されないようにすることができる。その結果、基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液を効率良く再使用することができる。 In addition, the control unit 3 controls that the alkaline processing liquid after processing the substrate W flows through the discharge pipe portion P9 for a predetermined period after the processing unit 1 (processing section) starts processing the substrate W with the alkaline processing liquid. to control. Further, after a predetermined period of time has passed, the control section 3 controls the alkaline processing liquid after processing the substrate W so that it flows through the supply pipe section P8. Therefore, it is possible to prevent the alkaline treatment liquid from being recovered in the recovery tank 41 in a state in which a large amount of resist is mixed. As a result, the alkaline processing liquid after processing the substrate W can be efficiently reused.

［実施形態２］
図１、図２および図５を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００について説明する。図５は、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。不活性ガス供給部６０が、流量計６２を有する点を除いて、実施形態２に係る基板処理装置１００は、実施形態１に係る基板処理装置１００と同様な構成を有するため、重複部分については説明を省略する。 [Embodiment 2]
A substrate processing apparatus 100 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 5. FIG. FIG. 5 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 2 of the present invention. The substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment except that the inert gas supply unit 60 has a flow meter 62. Description is omitted.

図５に示すように、不活性ガス供給部６０ａは、流量計６２を有する。なお、流量計６２は、「計測部」の一例に相当する。流量計６２は、供給タンク３１に供給される不活性ガスの量を計測する。制御部３は、流量計６２で計測された不活性ガスの供給量に基づいて、不活性ガス供給部６０ａが供給タンク３１に供給する不活性ガスの量を調整することが好ましい。その結果、必要以上に不活性ガスを供給することを抑制することができる。なお、制御部３は、フィードバック制御をすることによって、供給タンク３１に供給する不活性ガスの量を調整してもよい。 As shown in FIG. 5, the inert gas supply section 60a has a flow meter 62. As shown in FIG. In addition, the flowmeter 62 corresponds to an example of a "measurement part." A flow meter 62 measures the amount of inert gas supplied to the supply tank 31 . The control unit 3 preferably adjusts the amount of inert gas supplied to the supply tank 31 by the inert gas supply unit 60 a based on the amount of inert gas supplied measured by the flow meter 62 . As a result, it is possible to suppress the supply of inert gas more than necessary. Note that the control unit 3 may adjust the amount of inert gas supplied to the supply tank 31 by performing feedback control.

同様に、不活性ガス供給部６０ｂは、流量計６２を有する。なお、流量計６２は、「計測部」の一例に相当する。流量計６２は、回収タンク４１に供給される不活性ガスの量を計測する。制御部３は、流量計６２で計測された不活性ガスの供給量に基づいて、不活性ガス供給部６０ｂが回収タンク４１に供給する不活性ガスの量を調整することが好ましい。その結果、必要以上に不活性ガスを供給することを抑制することができる。なお、制御部３は、フィードバック制御をすることによって、回収タンク４１に供給する不活性ガスの量を調整してもよい。なお、実施形態１で説明したように、回収タンク４１は、回収ポンプ４４の動作中に、回収タンク４１の二酸化炭素の濃度が上昇する可能性がある。したがって、回収タンク４１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部６０ｂは、流量計６２を有することが、特に好ましい。 Similarly, the inert gas supply 60b has a flow meter 62. FIG. In addition, the flowmeter 62 corresponds to an example of a "measurement part." A flow meter 62 measures the amount of inert gas supplied to the recovery tank 41 . The control unit 3 preferably adjusts the amount of inert gas supplied to the recovery tank 41 by the inert gas supply unit 60 b based on the amount of inert gas supplied measured by the flow meter 62 . As a result, it is possible to suppress the supply of inert gas more than necessary. Note that the control unit 3 may adjust the amount of inert gas supplied to the recovery tank 41 by performing feedback control. As described in the first embodiment, the concentration of carbon dioxide in the recovery tank 41 may increase while the recovery pump 44 is operating. Therefore, it is particularly preferable that the inert gas supply unit 60b that supplies the inert gas to the recovery tank 41 has the flow meter 62. As shown in FIG.

本実施形態でも、実施形態１同様に、供給タンク３１内および回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 In the present embodiment, as in the first embodiment, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide to produce carbonate in the supply tank 31 and the recovery tank 41 . Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

［実施形態３］
図１、図２および図６を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００について説明する。図６は、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。基板処理装置１００が検知部５１５を備える点を除いて、実施形態３に係る基板処理装置１００は、実施形態１に係る基板処理装置１００と同様な構成を有するため、重複部分については説明を省略する。 [Embodiment 3]
A substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 6. FIG. FIG. 6 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 3 of the present invention. The substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 3 has the same configuration as that of the substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 except that the substrate processing apparatus 100 includes a detection unit 515, so description of overlapping portions will be omitted. do.

図６に示すように、基板処理装置１００は、検知部５１５をさらに備える。検知部５１５は、回収タンク４１内に設けられる。詳しくは、検知部５１５は、回収タンク４１の底面近傍に設けられる。検知部５１５は、回収タンク４１内にアルカリ処理液が存在するか否かを検知する。検知部５１５は、例えば、静電容量センサーである。制御部３は、検知部５１５が検知した結果に基づいて、回収タンク４１内にアルカリ処理液が存在すると判定した場合、回収ポンプ４４が動作を開始するように制御する。したがって、回収タンク４１にアルカリ処理液が滞留する時間を短くすることができる。また、制御部３は、検知部５１５が検知した結果に基づいて、回収タンク４１内にアルカリ処理液が存在しないと判定した場合、回収ポンプ４４が動作を停止するように制御する。その結果、回収タンク４１において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 As shown in FIG. 6 , the substrate processing apparatus 100 further includes a detector 515 . The detection unit 515 is provided inside the recovery tank 41 . Specifically, the detection unit 515 is provided near the bottom surface of the recovery tank 41 . The detection unit 515 detects whether or not the alkaline treatment liquid exists in the recovery tank 41 . The detection unit 515 is, for example, a capacitance sensor. When the control unit 3 determines that the alkaline treatment liquid is present in the recovery tank 41 based on the detection result of the detection unit 515, the control unit 3 controls the recovery pump 44 to start operating. Therefore, the retention time of the alkaline treatment liquid in the recovery tank 41 can be shortened. Further, when the control unit 3 determines that the alkaline treatment liquid does not exist in the recovery tank 41 based on the detection result of the detection unit 515, the control unit 3 controls the recovery pump 44 to stop operating. As a result, in the recovery tank 41, it is possible to prevent the alkaline treatment liquid from reacting with carbon dioxide to produce carbonate. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

本実施形態でも、実施形態１および実施形態２と同様に、供給タンク３１内および回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 In this embodiment, as in Embodiments 1 and 2, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide in the supply tank 31 and the recovery tank 41 to produce carbonate. can. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

［実施形態４］
図１、図２および図７を参照して、本発明の実施形態４に係る基板処理装置１００について説明する。図７は、本発明の実施形態４に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。基板処理装置１００が排出タンク８０をさらに備える点を除いて、実施形態４に係る基板処理装置１００は、実施形態１に係る基板処理装置１００と同様な構成を有するため、重複部分については説明を省略する。 [Embodiment 4]
A substrate processing apparatus 100 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 7. FIG. FIG. 7 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 4 of the present invention. The substrate processing apparatus 100 according to the fourth embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment except that the substrate processing apparatus 100 further includes a discharge tank 80, so the overlapping parts will not be described. omitted.

図７に示すように、基板処理装置１００は、排出タンク８０と配管部Ｐ１０とをさらに備える。排出タンク８０は、処理ユニット１から回収した炭酸水を収容する。排出タンク８０には、基板Ｗを洗浄した後の炭酸水が排出される。配管部Ｐ１０は、処理ユニット１と排出タンク８０とを接続する。なお、排出タンク８０は、「第３収容部」の一例に相当する。 As shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 100 further includes a discharge tank 80 and a piping section P10. The discharge tank 80 stores carbonated water collected from the processing unit 1 . Carbonated water after washing the substrate W is discharged to the discharge tank 80 . The piping part P10 connects the processing unit 1 and the discharge tank 80 . Note that the discharge tank 80 corresponds to an example of the "third storage section".

ノズル２１が基板Ｗにアルカリ処理液を供給する場合、回収タンク４１に基板Ｗを処理した後のアルカリ処理液が回収される。この際、制御部３は、バルブＶ５を開くように、かつ、バルブＶ６を閉じるように制御する。また、移動部１６（図２参照）は、アルカリ処理液によって基板Ｗを処理する場合、第１カップ１４がアルカリ処理液を受けるように第１カップ１４を移動させる。したがって、第１カップ１４によって受け止められたアルカリ処理液は、供給配管部Ｐ８を介して回収タンク４１に回収される。 When the nozzle 21 supplies the alkaline processing liquid to the substrate W, the alkaline processing liquid after processing the substrate W is recovered in the recovery tank 41 . At this time, the control unit 3 controls to open the valve V5 and to close the valve V6. Further, the moving part 16 (see FIG. 2) moves the first cup 14 so that the first cup 14 receives the alkaline processing liquid when the substrate W is processed with the alkaline processing liquid. Therefore, the alkaline treatment liquid received by the first cup 14 is recovered in the recovery tank 41 through the supply pipe portion P8.

一方、ノズル２３が基板Ｗに炭酸水を供給する場合、排出タンク８０に炭酸水が回収される。また、ノズル２３が基板Ｗに炭酸水を供給する場合、回収タンク４１には炭酸水が回収されない。この際、制御部３は、バルブＶ５およびバルブＶ６を閉じるように制御する。また、移動部１６（図２参照）は、ノズル２３が基板Ｗに炭酸水を供給する場合、第２カップ１５が炭酸水を受けるように第２カップ１５を移動させる。したがって、第２カップ１５によって受け止められた炭酸水は、配管部Ｐ１０を介して排出タンク８０に回収される。 On the other hand, when the nozzle 23 supplies carbonated water to the substrate W, the carbonated water is collected in the discharge tank 80 . Also, when the nozzle 23 supplies carbonated water to the substrate W, the carbonated water is not recovered in the recovery tank 41 . At this time, the controller 3 controls to close the valves V5 and V6. Further, when the nozzle 23 supplies carbonated water to the substrate W, the moving unit 16 (see FIG. 2) moves the second cup 15 so that the second cup 15 receives the carbonated water. Therefore, the carbonated water received by the second cup 15 is collected in the discharge tank 80 via the piping part P10.

以上、図１、図２および図７を参照して説明したように、移動部１６は、アルカリ処理液によって基板Ｗを処理する場合、第１カップ１４（第１液受部）がアルカリ処理液を受けるように第１カップ１４を移動させる。したがって、アルカリ処理液によって基板Ｗを処理する場合には、アルカリ処理液が回収タンク４１に回収される。一方、ノズル２３（第２ノズル）が基板Ｗに炭酸水を供給する場合、第２カップ１５（第２液受部）が炭酸水を受けるように第２カップ１５を移動させる。したがって、ノズル２３が基板Ｗに炭酸水を供給する場合には、炭酸水が排出タンク８０に回収される。その結果、アルカリ処理液および炭酸水を効率良く回収することができる。 As described above with reference to FIGS. 1, 2, and 7, when the moving part 16 processes the substrate W with the alkaline processing liquid, the first cup 14 (first liquid receiving section) receives the alkaline processing liquid. The first cup 14 is moved to receive the Therefore, when the substrate W is processed with the alkaline processing liquid, the alkaline processing liquid is recovered in the recovery tank 41 . On the other hand, when the nozzle 23 (second nozzle) supplies carbonated water to the substrate W, the second cup 15 is moved so that the second cup 15 (second liquid receiver) receives the carbonated water. Therefore, when the nozzle 23 supplies carbonated water to the substrate W, the carbonated water is collected in the discharge tank 80 . As a result, the alkaline treatment liquid and carbonated water can be efficiently recovered.

本実施形態でも、実施形態１～実施形態２と同様に、供給タンク３１内および回収タンク４１内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 In this embodiment, as in Embodiments 1 and 2, it is possible to suppress the reaction of the alkaline treatment liquid with carbon dioxide in the supply tank 31 and the recovery tank 41 to produce carbonate. can. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

以上、図面（図１～図７）を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）～（５））。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 7). However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the scope of the invention (for example, (1) to (5) shown below). In order to facilitate understanding, the drawings schematically show each component mainly, and the thickness, length, number, etc. of each component illustrated are different from the actual ones due to the convenience of drawing. . In addition, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiment are examples and are not particularly limited, and various changes are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. be.

（１）実施形態１～実施形態４において、ノズル２３（第２ノズル）は、基板Ｗに炭酸水および窒素ガスを供給（吐出）していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ノズル２３は、アルカリ処理液および不活性ガスを供給（吐出）してもよい。この場合、アルカリ処理液で基板Ｗを処理中に、炭酸塩が生成することを抑制することができる。 (1) In Embodiments 1 to 4, the nozzle 23 (second nozzle) supplies (discharges) carbonated water and nitrogen gas onto the substrate W, but the present invention is not limited to this. For example, the nozzle 23 may supply (discharge) an alkaline processing liquid and an inert gas. In this case, it is possible to suppress the formation of carbonate during the processing of the substrate W with the alkaline processing liquid.

（２）実施形態１～実施形態４において、不活性ガス供給部６０は、供給タンク３１または回収タンク４１に不活性ガスを供給していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、不活性ガス供給部６０は、回収配管部５２に不活性ガスを供給してもよい。その結果、回収ユニット４０から供給ユニット３０に回収配管部５２を介してアルカリ処理液を供給する場合に、回収配管部５２内において、アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 (2) In Embodiments 1 to 4, the inert gas supply unit 60 supplies the inert gas to the supply tank 31 or the recovery tank 41, but the present invention is not limited to this. For example, the inert gas supply section 60 may supply the inert gas to the recovery piping section 52 . As a result, when the alkali-treated liquid is supplied from the recovery unit 40 to the supply unit 30 through the recovery pipe portion 52, the alkali-treated liquid reacts with carbon dioxide in the recovery pipe portion 52 to produce carbonate. can be suppressed. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

（３）不活性ガス供給部６０は、不活性ガスをバブリングによって供給タンク３１および回収タンク４１に供給してもよい。不活性ガスをバブリングによって供給することによって、アルカリ処理液中の溶存二酸化炭素量を低減させることができる。その結果アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる。したがって、アルカリ処理液のレジスト剥離性能の低下を抑制することができる。 (3) The inert gas supply unit 60 may supply the inert gas to the supply tank 31 and the recovery tank 41 by bubbling. By supplying the inert gas by bubbling, the amount of dissolved carbon dioxide in the alkaline treatment liquid can be reduced. As a result, it is possible to prevent the alkaline treatment liquid from reacting with carbon dioxide to produce carbonate. Therefore, deterioration of the resist stripping performance of the alkaline treatment liquid can be suppressed.

（４）実施形態１～実施形態４において、回収ユニット４０は、基板処理装置１００の内部に配置されていたが、本発明はこれに限定されない。回収ユニット４０は、基板処理装置１００の外部に配置されてもよい。 (4) In Embodiments 1 to 4, the recovery unit 40 is arranged inside the substrate processing apparatus 100, but the present invention is not limited to this. The collection unit 40 may be arranged outside the substrate processing apparatus 100 .

（５）実施形態１～実施形態４において、処理ユニット１は、対向部材２８（図８参照）をさらに含んでいてもよい。図８は、本発明の変形例に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。図８に示すように、対向部材（遮断板）２８は、基板Ｗの上面に対して対向配置可能である。例えば、対向部材２８は、基板Ｗから１０ｍｍ以下の高さに移動する。対向部材２８のうち基板Ｗの上面と対向する面の寸法は、例えば、基板Ｗの上面の寸法よりも大きい。ノズル２１は、基板Ｗの上面に対して対向部材２８の中央部から間隔を空けて対向する。ノズル２１は、アルカリ処理液を吐出するとともに、不活性ガスが吐出される。したがって、アルカリ処理液で基板Ｗを処理中に、炭酸塩が生成することを抑制することができる。 (5) In Embodiments 1 to 4, the processing unit 1 may further include a facing member 28 (see FIG. 8). FIG. 8 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to a modification of the invention. As shown in FIG. 8, the opposing member (blocking plate) 28 can be arranged to face the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. For example, the opposing member 28 moves to a height of 10 mm or less from the substrate W. The dimension of the surface of the facing member 28 facing the upper surface of the substrate W is larger than the dimension of the upper surface of the substrate W, for example. The nozzle 21 faces the upper surface of the substrate W at a distance from the central portion of the facing member 28 . The nozzle 21 ejects an alkaline treatment liquid and an inert gas. Therefore, it is possible to suppress the formation of carbonate during the processing of the substrate W with the alkaline processing liquid.

１処理ユニット（処理部）
３制御部
１４第１カップ（第１液受部）
１５第２カップ（第２液受部）
１６移動部
２１ノズル（第１ノズル）
２３ノズル（第２ノズル）
３０供給ユニット
３１供給タンク（第１収容部）
４０回収ユニット
４１回収タンク（第２収容部）
４４回収ポンプ（供給部）
５１戻り配管部
５２回収配管部
６０、６０ａ、６０ｂ不活性ガス供給部
６２流量計（計測部）
８０排出タンク（第３収容部）
１００基板処理装置
５１５検知部
Ｗ基板 1 processing unit (processing unit)
3 control unit 14 first cup (first liquid receiver)
15 Second cup (second liquid receiver)
16 moving part 21 nozzle (first nozzle)
23 nozzle (second nozzle)
30 supply unit 31 supply tank (first container)
40 recovery unit 41 recovery tank (second storage unit)
44 recovery pump (supply unit)
51 Return piping section 52 Recovery piping sections 60, 60a, 60b Inert gas supply section 62 Flow meter (measurement section)
80 Discharge tank (third container)
100 substrate processing apparatus 515 detection unit W substrate

Claims

A substrate processing apparatus for processing a substrate with an alkaline processing liquid,
a processing unit that processes the substrate;
a supply unit having a first storage section for storing the alkaline treatment liquid to be supplied to the processing section;
a recovery unit having a second storage section for storing the alkaline treatment liquid recovered from the processing section;
a recovery pipe portion connecting the first accommodation portion and the second accommodation portion;
a supply unit that supplies the alkaline treatment liquid from the second storage unit to the first storage unit;
a first inert gas supply unit for supplying the inert gas to the first storage unit, the first inert gas supply unit having a first meter side unit for measuring the amount of inert gas supplied to the first storage unit ;
a second inert gas supply unit for supplying the inert gas to the second storage unit, the second inert gas supply unit having a second meter side unit for measuring the amount of inert gas supplied to the second storage unit;
The first inert gas supply unit is operated to adjust the amount of the inert gas supplied to the first storage unit based on the amount of the inert gas measured by the first measurement side unit. The second inert gas to control and adjust the amount of the inert gas supplied to the second storage unit based on the amount of the inert gas measured by the second measuring side part a control unit that controls the supply unit;
with
When operating the supply unit, the control unit supplies the second inert gas such that the amount of the inert gas supplied to the second storage unit is increased compared to when the supply unit is not operated. A substrate processing apparatus that controls a supply unit .

further comprising a detection unit for detecting whether or not the alkaline treatment liquid is present in the second storage unit;
2. The control unit controls the supply unit to start operating when it is determined that the alkaline treatment liquid is present in the second storage unit based on the detection result of the detection unit. The substrate processing apparatus according to .

The processing unit is
a first nozzle that supplies the alkaline treatment liquid to the substrate;
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second nozzle for supplying said alkaline processing liquid and inert gas to said substrate.

The processing unit is
a first nozzle that supplies the alkaline treatment liquid to the substrate;
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second nozzle for supplying carbonated water and inert gas to said substrate.

Further comprising a third storage unit for storing carbonated water collected from the processing unit,
5. The substrate according to claim 4 , wherein when the second nozzle supplies the carbonated water to the substrate, the carbonated water is collected in the third container and the carbonated water is not collected in the second container. processing equipment.

a first liquid receiver that receives an alkaline processing liquid after processing the substrate;
a second liquid receiver that receives the carbonated water after processing the substrate;
further comprising a moving part for moving the first liquid receiving part and the second liquid receiving part,
The moving part is
when the substrate is treated with the alkaline treatment liquid, moving the first liquid receiver so that the first liquid receiver receives the alkaline treatment liquid;
6. The substrate processing apparatus according to claim 5 , wherein when said second nozzle supplies said carbonated water to said substrate, said second liquid receiver is moved so that said second liquid receiver receives said carbonated water.

further comprising a return pipe section connecting the processing section and the second housing section,
The return pipe section is
a supply pipe portion for supplying the alkaline processing liquid after processing the substrate to the second container;
a discharge pipe for discharging the alkaline processing liquid after processing the substrate;
The control unit controls the supply pipe unit and the discharge pipe unit,
The control unit controls such that the alkaline processing liquid after processing the substrate flows through the discharge pipe within a predetermined period after the processing unit starts processing the substrate with the alkaline processing liquid, 7. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein after a predetermined period of time has passed, the alkaline processing liquid after processing the substrate is controlled to flow through the supply pipe.

The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7 , further comprising an inert gas supply section that supplies inert gas to the recovery pipe section.

A substrate processing method for processing a substrate,
a first supply step of supplying the alkaline processing liquid from a first storage section that stores the alkaline processing liquid to the processing section;
a processing step in which the processing unit processes the substrate with the alkaline processing liquid;
a recovery step of recovering the alkaline treatment liquid used for treating the substrate from the processing section to a second storage section ;
a second supply step of supplying the alkaline treatment liquid from the second container to the first container;
encompasses
An inert gas is supplied to the first accommodation portion and the second accommodation portion ,
In the second supply step, the amount of the inert gas supplied to the second storage unit is increased compared to when the second supply step is not performed,
Measure the amount of the inert gas supplied to the first storage section and the second storage section, and measure the amount of the inert gas supplied to the first storage section and the second storage section based on the measured amount of the inert gas A substrate processing method, wherein the amount of the inert gas supplied to each is adjusted .