JP7196728B2 - 粒子の製造方法及び粒子製造装置 - Google Patents
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Description
しくはより一層粒度分布が狭い粒子を、より高い生産効率で製造する方法、及びその製造
装置を提供することにある。
該反応原料液にセグメント化用ガスを導入して、該反応原料液が該セグメント化用ガスにより、セグメントに分割されているセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成工程と、
該セグメント化反応原料液流を、圧力P1(MPa)の加圧下且つ加熱温度T(℃)で加熱することにより、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成する粒子生成工程と、
を有し、
該粒子生成工程において、該セグメント化反応原料液流中、加熱温度T(℃)で加熱された該反応原料液の体積Vc(mL)に対する、加熱温度T(℃)で加熱された該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00であり、
且つ、該粒子生成工程における該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上であること、
を特徴とする粒子の製造方法を提供するものである。
前記生成物粒子流からセグメント化用ガスを分離する気液分離工程と、
該気液分離工程を行い得られる前記目的生成物粒子を含有する目的生成物粒子分散液を回収する回収工程と、
を更に有することを特徴とする(1)~(14)いずれかの粒子の製造方法を提供するものである。
該第一の流路の下流側に設けられ、該反応原料液にセグメント化用ガスを導入することにより、該反応原料液が該セグメント化用ガスでセグメントに分割されたセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成部と、
該セグメント流形成部の下流側に設けられ、該セグメント化反応原料液流が送出され、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成させる第二の流路と、
該第二の流路の外周側に設けられ、該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流を加熱するための加熱部と、
該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流の圧力を調節するための圧力制御部と、
を有し、
該第二の流路を流れる該セグメント化反応原料液流の圧力がP1(MPa)、該セグメント化反応原料液流の加熱温度がT(℃)、該セグメント化反応原料液流中、該反応原料液の体積Vc(mL)に対する該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00、且つ、該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上となるように、該セグメント流形成部、該加熱部及び該圧力制御部により、該セグメント化反応原料液流を形成する該反応原料液と該セグメント化ガスの体積割合、該セグメント化反応原料液流の圧力P1及び該セグメント化反応原料液流の加熱温度Tが調節されていること、
を特徴とする粒子製造装置を提供するものである。
該第三の流路の外周側に設けられ、該第三の流路内を流れる生成物粒子流を冷却する冷却部と、
該第三の流路の下流側に設けられ、該生成物粒子流からセグメント化用ガスを気液分離により分離する気液分離部と、
前記目的生成物粒子を含有する目的生成物分散液を回収する回収部と、
を更に有することを特徴とする(16)~(22)いずれかの粒子製造装置を提供するものである。
とする(28)の粒子製造装置を提供するものである。
該反応原料液にセグメント化用ガスを導入して、該反応原料液が該セグメント化用ガスにより、セグメントに分割されているセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成工程と、
該セグメント化反応原料液流を、圧力P1(MPa)の加圧下且つ加熱温度T(℃)で加熱することにより、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成する粒子生成工程と、
を有し、
該粒子生成工程において、該セグメント化反応原料液流中、加熱温度T(℃)で加熱された該反応原料液の体積Vc(mL)に対する、加熱温度T(℃)で加熱された該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00であり、
且つ、該粒子生成工程における該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上であること、
を特徴とする粒子の製造方法である。
目的生成物粒子が半導体微小粒子の場合、半導体微小粒子には、単一構造の粒子と、コア粒子と1層以上のシェルからなるコア/シェル構造の粒子がある。コア/シェル構造の粒子の場合、シェルを構成する元素がコアに拡散していてもよい。シェルを2層以上有する場合、一方のシェルを構成する元素が他方のシェルに拡散していてもよい。
目的生成物粒子が金属粒子の場合、金属としては、例えば、ニッケル、銅、銀、パラジウム、白金、及びこれらの金属うち2種以上からなる合金が挙げられる。
目的生成物粒子が金属酸化物粒子の場合、金属酸化物としては、例えば、酸化サマリウム、酸化セリウム、酸化タングステン、酸化スズ、酸化ニッケル、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化イリジウム、酸化バナジウム、酸化スズ、酸化アルミニウム、タングステン酸セシウム、オルトバナジン酸セリウム、オルトバナジン酸テルビウム、アンチモン-スズ酸化物、及びアルミニウム-亜鉛酸化物が挙げられる。
目的生成物粒子が有機高分子粒子の場合、有機高分子としては、例えば、スチレン及びその誘導体、ハロゲン化ビニル類、ビニルエステル類、不飽和ニトリル類、(メタ)アクリル酸エステル類、共役ジエン類、ビニルケトン類、等が重合した重合体が挙げられる。
該第一の流路の下流側に設けられ、該反応原料液にセグメント化用ガスを導入することにより、該反応原料液が該セグメント化用ガスでセグメントに分割されたセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成部と、
該セグメント流形成部の下流側に設けられ、該セグメント化反応原料液流が送出され、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成させる第二の流路と、
該第二の流路の外周側に設けられ、該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流を加熱するための加熱部と、
該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流の圧力を調節するための圧力制御部と、
を有し、
該第二の流路を流れる該セグメント化反応原料液流の圧力がP1(MPa)、該セグメント化反応原料液流の加熱温度がT(℃)、該セグメント化反応原料液流中、該反応原料液の体積Vc(mL)に対する該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00、且つ、該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上となるように、該セグメント流形成部、該加熱部及び該圧力制御部により、該セグメント化反応原料液流を形成する該反応原料液と該セグメント化ガスの体積割合、該セグメント化反応原料液流の圧力P1及び該セグメント化反応原料液流の加熱温度Tが調節されていること、
を特徴とする粒子製造装置である。
<反応原料液の調製>
酢酸インジウム(48mmol)とオレイン酸亜鉛(101mmol)とオレイン酸(130mmol)と1-ドデカンチオール(14.4mmol)と1-オクタデセン(1.6L)を、前駆体タンクに入れ、真空ポンプで真空引きしながら撹拌し、110℃に加熱して、20時間反応させた後、窒素ガス源から1気圧の窒素ガスを導入した雰囲気下で25℃に冷却し、In前駆体を得た。次いで、これに、P前駆体としてトリストリメチルシリルホスフィン(32mmol)を加えて、十分に撹拌し、粒子形成用原料として、In前駆体とP前駆体を含有する反応原料液を調製した。
25℃に調節された室内において、加熱部の管の長さが100m、管の径が3mmである、図1に示すフローの粒子製造装置を用いて、目的生成物粒子の製造を行った。なお、上記の調製した反応原料液に溶媒として用いた1-オクタデセンの300℃における蒸気圧P2は、0.07MPaである。
まず、上記の調製した反応原料液1を、表1に示す体積流量で送出し、セグメント化用ガス2として窒素ガスを表1に示す体積割合(Vb/Va)となる体積流量で導入し、セグメント流形成部11としてT字型の管で、一本の流路に合流させ、セグメント化反応原料液流を得た。
次いで、第二の流路32内のセグメント化反応原料液流3の圧力P1を表1に示す圧力に、加熱温度を300℃に調節して、セグメント化反応原料液流3を、第二の流路32の加熱部分を通過させて、目的生成物粒子の製造を行った。加熱された反応原料液の体積Vc(mL)に対する、加熱されたセグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)を、表1に示す。なお、比較例1の、加熱時のセグメント化反応原料液流3の体積流量は258.9mL/分、セグメント化反応原料液流3が加熱部12に入ってから出るまでの滞留時間は約3分であった。実施例1~18及び比較例2~14の、加熱時のセグメント化反応原料液流3の体積流量は70.6mL/分、セグメント化反応原料液流3が加熱部12に入ってから出るまでの滞留時間は約10分であった。
次いで、得られた生成物粒子流4の気液分離を行い、セグメント化用ガス2を分離して、InP粒子を目的生成物粒子として含有する目的生成物粒子分散液7を得た。このとき、比較例2の単位時間当たりのInP粒子の収量を1.00として、各例の単位時間当たりのInP粒子の収量を算出した。その結果を表1に示す。
次いで、得られたInPコアにシェルを付ける処理を行った。上記で得たInP粒子分散液1Lを、撹拌機と加熱するためのヒーターを備えており、不活性ガスを供給し、空気中の酸素や水分が入り込まない密閉構造である反応容器に入れ、これに、オクタノイルクロリド(52.5mmol)を加えて、240℃に温度を上げて3時間加熱した。次に、200℃まで温度を下げて、オレイン酸亜鉛(30mmol)の1-オクタデセン溶液(75ml)および、Se(30mmol)をTBP(45mmol)に溶解させた溶液を加えて、200℃で30分加熱した。さらに、オレイン酸亜鉛(60mmol)の1-オクタデセン溶液(150ml)及びドデカンチオール(120mmol)を加えて250℃に温度を上げて、3時間加熱した。その後、25℃まで温度を下げてInP/ZnSe-ZnSのコア/シェル構造の半導体微小粒子を含む溶液を得た。
半導体ナノ粒子の光学特性を、量子効率測定システム(大塚電子製、QE-2100)を用いて測定した。上記で得られたコア/シェル構造の半導体微小粒子を含む溶液を分散液に分散させ、励起光を当て発光スペクトルを得、ここで得られた発光スペクトルより再励起されて蛍光発光した分の再励起蛍光発光スペクトルを除いた再励起補正後の発光スペクトルより量子効率(QY)と半値幅(FWHM)を算出した。分散液として、ノルマルヘキサンや1-オクタデセンを用いた。
なお、半導体微小粒子は粒径が大きいと発光波長が長くなり、粒径が小さいと発光波長が短くなる傾向があることから、コア/シェル構造の半導体微小粒子の発光スペクトルの半値幅が小さいほど、コア粒子であるInP粒子の粒度分布が狭いことを示す。また、半導体微小粒子の量子効率が高いほど、性能に優れる半導体微小粒子が得られたことを示すので、コア粒子の製造が良好であったことを示す。
<反応原料液の調製>
インジウムイソプロポキシド(60mmol)、無水塩化インジウム(60mmol)及びトリオクチルホスフィン(2000g)を前駆体タンクに入れ、真空引きポンプで圧力を100Pa以下まで下げながら撹拌して溶解させ、In前駆体を得た。この溶液に、P前駆体としてトリストリメチルシリルホスフィン(90mmol)を加えて、十分に撹拌し、反応原料液を調製した。
上記の調製した反応原料液を用いること、セグメント化反応原料液流3の圧力P1を0.7MPaに調製すること、及び加熱温度Tを300℃に調節すること以外は、上記実施例及び比較例と同様に行い、目的生成物粒子分散液を得た。なお、トリオクチルホスフィンの300℃における蒸気圧は0.25MPaとして加圧条件の設定を行った。
<反応原料液の調製>
無水塩化インジウム(18mmol)、無水塩化亜鉛(18mmol)及びオレイルアミン(1000ml)を前駆体タンクに入れ、100℃に加熱しながら撹拌して溶解させ、In前駆体を得た。この溶液を室温まで冷却した後に、P前駆体としてトリスジメチルアミノホスフィン(5ml)を加えて、十分に撹拌し、反応原料液を調製した。
上記の調製した反応原料液を用いること、セグメント化反応原料液流3の圧力P1を0.4MPaに調製すること、及び加熱温度Tを300℃に調節すること以外は、上記実施例及び比較例と同様に行い、目的生成物粒子分散液を得た。なお、オレイルアミンの300℃における蒸気圧は0.058MPaとして加圧条件の設定を行った。
一方、圧力P1(MPa)が低過ぎる、比較例1は、流速が速くなるために加熱時間が不足し、粒子が十分に成長せず、所望の粒径の粒子が得られなかった。比較例2は、所定の時間加熱するために、流速を遅くした結果、収量が低かった。また、(Vd/Vc)が小さ過ぎる比較例3、7、11では、半値幅が広くなってしまい、また、(Vd/Vc)が大き過ぎる比較例4~6、8~10、12~14では、収量が比較例2よりも低くなってしまった。
2 セグメント化用ガス
3 セグメント化反応原料液流
4 生成物粒子流
7 目的生成物粒子分散液
8 反応原料液のセグメント
10 粒子製造装置
11 セグメント流形成部
12 加熱部
13 冷却部
14 気液分離部
16 圧力弁
19 送液ポンプ
21 マスフローコントローラー
22 圧力計
31 第一の流路管
32 第二の流路管
33 第三の流路管
34 セグメント化用ガス排出管
37 セグメント化用ガス導入管
38 目的生成物粒子分散液回収管
Claims (6)
- 少なくとも、粒子形成用原料と、該粒子形成用原料を溶解する溶媒と、を含有する反応原料液を送出する反応原料液送出工程と、
該反応原料液にセグメント化用ガスを導入して、該反応原料液が該セグメント化用ガスにより、セグメントに分割されているセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成工程と、
該セグメント化反応原料液流を、圧力P1(MPa)の加圧下且つ加熱温度T(℃)で加熱することにより、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成する粒子生成工程と、
を有し、
該粒子生成工程において、該セグメント化反応原料液流中、加熱温度T(℃)で加熱された該反応原料液の体積Vc(mL)に対する、加熱温度T(℃)で加熱された該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00であり、
且つ、該粒子生成工程における該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上であること、
を特徴とする粒子の製造方法。 - 前記セグメント流形成工程において、前記反応原料液の体積Va(mL)に対する前記セグメント化用ガスの体積Vb(mL)の比(Vb/Va)が0.100~3.00となる量で該反応原料液に該セグメント化用ガスを導入することを特徴とする、請求項1記載の粒子の製造方法。
- 前記粒子生成工程において、前記セグメント化反応原料液流の流路の断面の直径が0.10~10.0mmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の粒子の製造方法。
- 前記目的生成物粒子が、粒径が1~100nmの半導体微小粒子であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の粒子の製造方法。
- 前記目的生成物粒子が金属粒子であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の粒子の製造方法。
- 少なくとも、粒子形成用原料と、該粒子形成用原料を溶解する溶媒と、を含有する反応原料液が送出される第一の流路と、
該第一の流路の下流側に設けられ、該反応原料液にセグメント化用ガスを導入することにより、該反応原料液が該セグメント化用ガスでセグメントに分割されたセグメント化反応原料液流を形成させるセグメント流形成部と、
該セグメント流形成部の下流側に設けられ、該セグメント化反応原料液流が送出され、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成させる第二の流路と、
該第二の流路の外周側に設けられ、該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流を加熱するための加熱部と、
該第二の流路内の該セグメント化反応原料液流の圧力を調節するための圧力制御部と、
を有し、
該第二の流路を流れる該セグメント化反応原料液流の圧力がP1(MPa)、該セグメント化反応原料液流の加熱温度がT(℃)、該セグメント化反応原料液流中、該反応原料液の体積Vc(mL)に対する該セグメント化用ガスの体積Vd(mL)の比(Vd/Vc)が0.200~7.00、且つ、該圧力P1が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P2(MPa)の2.0倍以上となるように、該セグメント流形成部、該加熱部及び該圧力制御部により、該セグメント化反応原料液流を形成する該反応原料液と該セグメント化ガスの体積割合、該セグメント化反応原料液流の圧力P1及び該セグメント化反応原料液流の加熱温度Tが調節されていること、
を特徴とする粒子製造装置。
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