JP7196717B2 - Mask manufacturing method - Google Patents
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Description
本開示の実施形態は、金属板に貫通孔を形成してマスクを製造する方法に関する。 An embodiment of the present disclosure relates to a method of manufacturing a mask by forming through holes in a metal plate.
スマートフォンやタブレットPC等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置は、高精細であることが好ましく、例えば画素密度が400ppi以上であることが好ましい。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション(UHD)に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば800ppi以上であることが好ましい。 Display devices used in portable devices such as smartphones and tablet PCs preferably have high definition, and preferably have a pixel density of 400 ppi or more, for example. Also, there is an increasing demand for portable devices to support Ultra High Definition (UHD), and in this case, it is preferable that the pixel density of the display device is, for example, 800 ppi or more.
表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機EL表示装置が注目されている。有機EL表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成されたマスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機EL表示装置用の基板にマスクを組み合わせる。続いて、有機材料を含む蒸着材料を、マスクの貫通孔を介して基板に付着させる。このような蒸着工程を実施することにより、マスクの貫通孔のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層を有する画素を基板上に形成することができる。 Among display devices, an organic EL display device has attracted attention because of its good responsiveness, low power consumption, and high contrast. As a method of forming pixels of an organic EL display device, a method of forming pixels in a desired pattern using a mask having through holes arranged in a desired pattern is known. Specifically, first, a mask is combined with a substrate for an organic EL display device. Subsequently, a vapor deposition material containing an organic material is deposited on the substrate through the through-holes of the mask. By carrying out such a vapor deposition process, it is possible to form pixels having a vapor deposition layer containing a vapor deposition material in a pattern corresponding to the pattern of the through holes of the mask on the substrate.
マスクの製造方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第1面上に第1レジスト層を形成し、また金属板の第2面上に第2レジスト層を形成する。次に、金属板の第1面のうち第1レジスト層によって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第1面に第1凹部を形成する。その後、金属板の第2面のうち第2レジスト層によって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第2面に第2凹部を形成する。この際、第1凹部と第2凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。 As a method of manufacturing a mask, a method of forming through holes in a metal plate by etching using a photolithographic technique is known. For example, first, a first resist layer is formed on the first surface of the metal plate, and a second resist layer is formed on the second surface of the metal plate. Next, a region of the first surface of the metal plate that is not covered with the first resist layer is etched to form a first recess in the first surface of the metal plate. After that, a region of the second surface of the metal plate that is not covered with the second resist layer is etched to form a second concave portion on the second surface of the metal plate. At this time, etching is performed so that the first concave portion and the second concave portion communicate with each other, thereby forming a through hole penetrating the metal plate.
マスクの貫通孔の位置や形状などが製造公差などに起因してばらつくと、基板に形成される蒸着層の位置や形状もばらつく。このため、蒸着層を設計する段階においては、マスクの貫通孔の位置や形状などがばらついたとしても、基板に形成される画素に干渉などの不具合が生じないよう、2つの隣り合う画素の間隔などにマージンを設けている。マスクの貫通孔の製造公差が大きくなるほど、画素の設計において考慮すべきマージンも大きくなり、画素密度を高くすることが困難になる。従って、画素密度を高くするためには、マスクの貫通孔の製造公差を低減することが重要である。 If the positions and shapes of the through-holes of the mask vary due to manufacturing tolerances, etc., the positions and shapes of the deposited layers formed on the substrate also vary. For this reason, at the stage of designing the vapor deposition layer, even if the positions and shapes of the through holes in the mask vary, the distance between two adjacent pixels should be adjusted so that the pixels formed on the substrate do not interfere with each other. We have set a margin for As the manufacturing tolerance of the through holes of the mask increases, the margin to be considered in pixel design also increases, making it difficult to increase the pixel density. Therefore, in order to increase the pixel density, it is important to reduce the manufacturing tolerance of the through-holes of the mask.
本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得るマスクの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the embodiments of the present disclosure is to provide a mask manufacturing method that can effectively solve such problems.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法は、
第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含む金属板を準備する工程と、
前記金属板を前記第1面側からエッチングして、前記第1面に凹部を形成する第1エッチング工程と、
前記凹部に充填材を充填する充填工程と、
前記第2面が前記充填材の頂部よりも前記第1面側に位置するようになるまで前記金属板を前記第2面側からエッチングする第2エッチング工程と、
前記充填材を除去して、前記金属板に貫通孔を生じさせる充填材除去工程と、を備える。
A method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure comprises:
providing a metal plate including a first side and a second side opposite the first side;
a first etching step of etching the metal plate from the first surface side to form a recess in the first surface;
A filling step of filling the recess with a filler;
a second etching step of etching the metal plate from the second surface side until the second surface is positioned closer to the first surface than the top of the filler;
and a filler removing step of removing the filler to form a through hole in the metal plate.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記貫通孔は、前記第1面における端である第1端と前記第2面における端である第2端とを含む壁面を有し、
前記壁面は、前記金属板の厚み方向において前記第1端と前記第2端の間に位置し、最も小さい開口寸法を有する最小開口径部を含んでいてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The through hole has a wall surface including a first end that is an end on the first surface and a second end that is an end on the second surface,
The wall surface may include a minimum opening diameter portion located between the first end and the second end in the thickness direction of the metal plate and having the smallest opening dimension.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法は、
前記凹部に充填された充填材を充填材焼成温度で焼成する充填材焼成工程を備え、
前記充填材焼成工程の前記充填材焼成温度は、前記第2面における前記貫通孔の開口寸法が前記第1面における前記貫通孔の開口寸法よりも大きくなるよう、予め取得された焼成条件データに基づいて決定されてもよい。
A method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure comprises:
A filler firing step of firing the filler filled in the recess at a filler firing temperature,
The filler firing temperature in the filler firing step is set according to the firing condition data obtained in advance such that the opening dimension of the through hole on the second surface is larger than the opening dimension of the through hole on the first surface. may be determined based on
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記充填材焼成工程の前記充填材焼成温度は、前記最小開口径部及び前記第2端に接する接線が延びる方向と前記第1面の面方向とが成す角度が50°以下になるよう、予め取得された焼成条件データに基づいて決定されてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The filler sintering temperature in the filler sintering step is set in advance so that the angle formed by the direction in which the tangent line in contact with the minimum opening diameter portion and the second end extends and the plane direction of the first surface is 50° or less. It may be determined based on the acquired firing condition data.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法は、
前記凹部に充填された充填材を160℃以下で焼成する充填材焼成工程を更に備えていてもよい。
A method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure comprises:
A filling material firing step of firing the filling material filled in the concave portion at 160° C. or less may be further included.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記充填材が、アクリル系樹脂又はノボラック系樹脂を含んでいてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The filler may contain an acrylic resin or a novolac resin.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板が、10μm以下の厚みを有していてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The metal plate after the second etching step may have a thickness of 10 μm or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板が、5μm以下の厚みを有していてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The metal plate after the second etching step may have a thickness of 5 μm or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板が、2μm以下の厚みを有していてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The metal plate after the second etching step may have a thickness of 2 μm or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚み方向において、前記最小開口径部と前記第1端との間の距離が2.0μm以下であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
A distance between the minimum opening diameter portion and the first end may be 2.0 μm or less in a thickness direction of the metal plate after the second etching step.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚み方向において、前記最小開口径部と前記第1端との間の距離が0.1μm以上であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
A distance between the minimum opening diameter portion and the first end may be 0.1 μm or more in a thickness direction of the metal plate after the second etching step.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚みに対する、前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚み方向における前記最小開口径部と前記第1端との間の距離の比率が、0.1以上0.4以下であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The ratio of the distance between the minimum opening diameter portion and the first end in the thickness direction of the metal plate after the second etching step to the thickness of the metal plate after the second etching step is 0.1. It may be greater than or equal to 0.4 or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記貫通孔の前記第2端が湾曲した断面形状を有していてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The second end of the through hole may have a curved cross-sectional shape.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
2つの前記貫通孔の間に位置する前記金属板の前記第2面が平坦であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The second surface of the metal plate located between the two through holes may be flat.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記最小開口径部及び前記第2端を通る直線が延びる方向と前記第1面の面方向とが成す角度が80°以下であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
An angle between a direction in which a straight line passing through the minimum opening diameter portion and the second end extends and a plane direction of the first surface may be 80° or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記金属板は、34質量%以上且つ38質量%以下のニッケルを含む鉄合金を有していてもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
The metal plate may have an iron alloy containing 34% by mass or more and 38% by mass or less of nickel.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記貫通孔の最小開口寸法が、50μm以下であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
A minimum opening dimension of the through-hole may be 50 μm or less.
本開示の一実施形態によるマスクの製造方法において、
前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚み方向における、前記第1面から前記充填材の前記頂部までの距離に対する、前記第2エッチング工程後の前記金属板の厚みの比率が、0.9以下であってもよい。
In a method for manufacturing a mask according to an embodiment of the present disclosure,
A ratio of the thickness of the metal plate after the second etching step to the distance from the first surface to the top portion of the filler in the thickness direction of the metal plate after the second etching step is 0.9. It may be below.
本開示の実施形態によるマスクの製造方法によれば、マスクの貫通孔の製造公差を低減することができる。 According to the mask manufacturing method according to the embodiment of the present disclosure, it is possible to reduce the manufacturing tolerance of the through holes of the mask.
以下、一実施形態に係るマスクの構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「板」、「基材」、「シート」、「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。また、「面(シート面、フィルム面)」とは、対象となる板状(シート状、フィルム状)の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材(シート状部材、フィルム状部材)の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状(シート状、フィルム状)の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の面(シート面、フィルム面)に対する法線方向のことを指す。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。 Hereinafter, a configuration of a mask and a method for manufacturing the mask according to one embodiment will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments shown below are examples of the embodiments of the present disclosure, and the present disclosure should not be construed as being limited to these embodiments. Also, in this specification, terms such as "plate", "substrate", "sheet", and "film" are not to be distinguished from each other based only on the difference of names. For example, "plate" is a concept that includes members that can be called sheets and films. In addition, the term “surface (sheet surface, film surface)” refers to the target plate-shaped member (sheet-shaped member) when viewed as a whole and from a broad perspective. , film-like member). Further, the normal direction used for a plate-like (sheet-like, film-like) member refers to the normal direction to the surface (sheet surface, film surface) of the member. Furthermore, terms used herein to specify shapes and geometric conditions and their degrees, such as terms such as "parallel" and "perpendicular", length and angle values, etc., are bound by strict meanings. However, it is interpreted to include the extent to which similar functions can be expected.
また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。 In addition, in the drawings referred to in this embodiment, the same reference numerals or similar reference numerals may be assigned to the same portions or portions having similar functions, and repeated description thereof may be omitted. Also, the dimensional ratios in the drawings may differ from the actual ratios for convenience of explanation, and some of the configurations may be omitted from the drawings.
なお、本開示の実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。 It should be noted that the embodiments of the present disclosure can be combined with other embodiments and modifications as long as there is no contradiction. Further, other embodiments may be combined with each other, and other embodiments and modifications may be combined within a range that does not cause contradiction. Modifications can also be combined within a range that does not cause contradiction.
また、本開示の実施形態において、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。 Also, in embodiments of the present disclosure, when multiple steps are disclosed for a method, such as a manufacturing method, other undisclosed steps may be performed between the disclosed steps. Also, the order of the disclosed steps is arbitrary as long as there is no contradiction.
本実施形態においては、マスクが、有機EL表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクである例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるVRや拡張現実いわゆるARを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置を製造するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。 In this embodiment, an example will be described in which the mask is a vapor deposition mask used for patterning an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device. However, the use of the mask is not particularly limited, and the present embodiment can be applied to masks used for various purposes. For example, the mask of this embodiment may be used to manufacture a device for displaying or projecting an image or video for expressing virtual reality (VR) or augmented reality (AR).
まず、本実施形態が解決しようとする課題について説明する。金属板の第1面に複数の第1凹部を形成し、金属板の第2面に、各々が第1凹部と連通する第2凹部を形成する場合、第1凹部と第2凹部とが合流する位置において、貫通孔の開口寸法が最小になる。このため、第1凹部に対する第2凹部の相対的な位置が設計からずれると、貫通孔の開口寸法の最小値がばらつき、また、貫通孔の開口寸法が最小になる位置もばらついてしまう。このため、画素の設計においては、第1凹部に対する第2凹部の相対的な位置のずれ量を考慮してマージンを算出する必要があり、画素密度が制限される。本実施形態は、このような課題を効果的に解決することを目的とする。 First, the problem to be solved by this embodiment will be described. When forming a plurality of first recesses on the first surface of the metal plate and forming second recesses each communicating with the first recesses on the second surface of the metal plate, the first recesses and the second recesses merge. The opening dimension of the through-hole is minimized at the position where the Therefore, if the relative position of the second recess with respect to the first recess deviates from the design, the minimum value of the opening dimension of the through-hole will vary, and the position where the opening dimension of the through-hole becomes the minimum will also vary. For this reason, when designing pixels, it is necessary to calculate a margin in consideration of the amount of relative positional deviation of the second recesses with respect to the first recesses, which limits the pixel density. An object of the present embodiment is to effectively solve such problems.
続いて、本実施形態の具体的な構成について説明する。まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置80について、図1を参照して説明する。図1に示すように、蒸着装置80は、その内部に、蒸着源(例えばるつぼ81)、ヒータ83、及び蒸着マスク装置10を備えていてもよい。また、蒸着装置80は、蒸着装置80の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。るつぼ81は、有機発光材料などの蒸着材料82を収容する。ヒータ83は、るつぼ81を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料82を蒸発させる。蒸着マスク装置10は、るつぼ81と対向するよう配置されている。
Next, a specific configuration of this embodiment will be described. First, a
以下、蒸着マスク装置10について説明する。図1に示すように、蒸着マスク装置10は、少なくとも1つの蒸着マスク20を備える。蒸着マスク装置10は、蒸着マスク20を支持するフレーム15を更に備えていてもよい。フレーム15は、蒸着マスク20が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク20をその面方向に引っ張った状態で支持する。
The vapor
蒸着マスク装置10は、図1に示すように、蒸着材料82を付着させる対象物である基板91に蒸着マスク20が対面するよう、蒸着装置80内に配置されている。蒸着マスク20は、蒸着源81から飛来した蒸着材料82を通過させる複数の貫通孔40を有する。以下の説明において、蒸着マスク20の面のうち、飛来した蒸着材料82が付着する基板91の側に位置する面を第1面201と称し、第1面201の反対側に位置する面を第2面202と称する。
As shown in FIG. 1, the vapor
蒸着マスク装置10は、図1に示すように、基板91の、蒸着マスク20と反対の側の面に配置された磁石85を備えていてもよい。磁石85を設けることにより、磁力によって蒸着マスク20を磁石85側に引き寄せて、蒸着マスク20を基板91に密着させることができる。これにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、基板91に付着する蒸着材料82によって基板91に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度を高めることができる。また、静電気力を利用する静電チャックを用いて蒸着マスク20を基板91に密着させてもよい。
The vapor
図2は、蒸着マスク装置10を蒸着マスク20の第1面201側から見た場合を示す平面図である。図2に示すように、蒸着マスク装置10は、複数の蒸着マスク20を備えていてもよい。本実施の形態において、各蒸着マスク20は、一方向に延びる矩形状の形状を有する。蒸着マスク装置10において、複数の蒸着マスク20は、蒸着マスク20の長さ方向に交差する幅方向に並んでいる。各蒸着マスク20は、蒸着マスク20の長さ方向の両端部において、例えば溶接によってフレーム15に固定されている。
FIG. 2 is a plan view showing the vapor
図2に示す蒸着マスク20は、溶接などによってフレーム15に固定される一対の耳部21と、耳部21の間に位置する中間部22と、を有する。中間部22は、少なくとも1つの有効領域23と、有効領域23の周囲に位置する周囲領域24と、を有していてもよい。図2に示す例において、中間部22は、蒸着マスク20の長さ方向に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域23を含む。周囲領域24は、複数の有効領域23を囲んでいる。
The
蒸着マスク20を用いて有機EL表示装置などの表示装置を作製する場合、1つの有効領域23は、1つの有機EL表示装置の表示領域に対応する。このため、図2に示す蒸着マスク装置10によれば、有機EL表示装置の多面付蒸着が可能である。なお、1つの有効領域23が複数の表示領域に対応する場合もある。また、図示はしないが、蒸着マスク20の幅方向においても所定の間隔を空けて複数の有効領域23が配列されていてもよい。
When a display device such as an organic EL display device is manufactured using the
有効領域23は、例えば、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有する。なお図示はしないが、各有効領域23は、有機EL表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域23は、円形状の輪郭を有していてもよい。
The
図3Aは、蒸着マスク20の有効領域23を第2面202側から見た場合を示す平面図である。また、図4は、図3Aの有効領域23のA-A線に沿った断面図である。有効領域23は、金属板30と、金属板30に設けられた複数の貫通孔40と、を含む。金属板30は、図4に示すように、第1面31と、第1面31の反対側に位置する第2面32と、を含む。金属板30の第1面31が、蒸着マスク20の第1面201を構成し、金属板30の第2面32が、蒸着マスク20の第2面202を構成している。貫通孔40は、金属板30の第1面31から第2面32へ貫通している。貫通孔40は、第1面31から第2面32へ広がる壁面41を有する。
FIG. 3A is a plan view showing the
金属板30を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、金属板30の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で30質量%以上且つ54質量%以下であり、且つコバルトの含有量が0質量%以上且つ6質量%以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、34質量%以上且つ38質量%以下のニッケルを含むインバー材、30質量%以上且つ34質量%以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、38質量%以上且つ54質量%以下のニッケルを含む低熱膨張Fe-Ni系めっき合金などを挙げることができる。このような鉄合金を用いることにより、金属板30の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板91としてガラス基板が用いられる場合に、金属板30の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板91に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度が、金属板30を備える蒸着マスク20と基板91との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。
As a material forming the
貫通孔40の形状は、貫通孔40の周囲の金属板30によって画成される。例えば、遮蔽部35の側面が、貫通孔40の壁面41を構成する。貫通孔40の周囲の金属板30は、基板91の表示領域に蒸着材料82が付着することを遮蔽するよう機能する。以下の説明において、貫通孔40の周囲の金属板30のことを遮蔽部35とも称する。
The shape of through
蒸着マスク20を構成する金属板30の第1面31の面方向D1の法線方向に沿って、すなわち金属板30の厚み方向D2に沿って金属板30を見た場合、複数の貫通孔40のうちの少なくとも一部は、互いに交差する第1方向D11及び第2方向D12に沿ってそれぞれ所定の第1ピッチC1及び第2ピッチC2で配列されている。第1方向D11及び第2方向D12はいずれも、面方向D1における方向である。第1ピッチC1及び第2ピッチC2のうち小さい方のピッチは、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて例えば以下のように定められる。
・画素密度が600ppi以上の場合:ピッチは42.3μm以下
・画素密度が1200ppi以上の場合:ピッチは21.2μm以下
・画素密度が3000ppi以上の場合:ピッチは8.5μm以下
画素密度が600ppiの表示装置又は投影装置は、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置として用いられる。
画素密度が1200ppiの表示装置又は投影装置は、例えば、仮想現実を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられる。
画素密度が3000ppiの表示装置又は投影装置は、例えば、拡張現実を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられる。
When the
・When the pixel density is 600ppi or more: Pitch is 42.3μm or less ・When the pixel density is 1200ppi or more: Pitch is 21.2μm or less ・When the pixel density is 3000ppi or more: Pitch is 8.5μm or less When the pixel density is 600ppi The display device or projection device is used, for example, as an organic EL display device for smartphones.
A display device or projection device with a pixel density of 1200 ppi is used, for example, to display or project images and videos for representing virtual reality.
A display device or projection device with a pixel density of 3000 ppi is used, for example, to display or project images and videos for expressing augmented reality.
有効領域23の配列は任意である。例えば、有効領域23の配列として、図3Aに示すように並列配列が採用されていてもよく、図3Bに示すように千鳥配列が採用されていてもよい。
The arrangement of the
図3A及び図3Bに示す例において、金属板30の厚み方向D2に沿って金属板30を見た場合の貫通孔40は、四隅が湾曲した略矩形状の輪郭を有する。なお、輪郭の形状は、画素の形状に応じて任意に定められ得る。例えば、六角形、八角形などのその他の多角形の形状を有していてもよく、円形状を有していてもよい。また、輪郭の形状は、複数の形状の組み合わせであってもよい。また、複数の貫通孔40はそれぞれ、互いに異なる輪郭の形状を有していてもよい。貫通孔40が多角形の形状の輪郭を有する場合、貫通孔40の開口寸法は、図3Aに示すように、多角形において対向する一対の辺の間の間隔である。
In the example shown in FIGS. 3A and 3B , the through-
図4に示すように、周囲領域24も、有効領域23と同一の金属板30によって構成されている。周囲領域24における金属板30の厚みH0は、有効領域23における金属板30の厚みH1よりも大きくてもよい。同様に、上述の耳部21も、有効領域23と同一の金属板30によって構成され、耳部21の厚みが有効領域23の厚みH1よりも大きくてもよい。なお、図示はしないが、周囲領域24の厚みH0や耳部21の厚みは、有効領域23の厚みH1と同一であってもよく、有効領域23の厚みH1よりも小さくてもよい。
As shown in FIG. 4 , the
有効領域23は、後述するように、まず金属板30に第1面31側から第1エッチング工程を施し、続いて金属板30に第2面32側から第2エッチングを施すことによって形成される。従って、有効領域23の金属板30の厚みH1とは、第2エッチング工程後の金属板30の厚みである。
As will be described later, the
遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1は、10μm以下であることが好ましい。遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1は、7μm以下であってもよく、5μm以下であってもよく、4μm以下であってもよく、3μm以下であってもよく、2μm以下であってもよい。遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1を10μm以下にすることにより、蒸着工程において貫通孔40の壁面41に蒸着材料82が付着することを抑制することができる。これにより、貫通孔40を通過できない蒸着材料82の比率を低減することができ、蒸着材料82の利用効率を高めることができる。一方、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1が小さくなり過ぎると、蒸着マスク20を使用する際や搬送する際などに蒸着マスク20に変形や破損が生じ易くなる。この点を考慮し、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1は、0.5μm以上であることが好ましい。金属板30の厚みH1は、1.0μm以上であってもよく、1.5μm以上であってもよい。
The thickness H1 of the
遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、0.5μm以上10μm以下であってもよく、1.0μm以上5μm以下であってもよく、1.5μm以上2μm以下であってもよい。また、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、2μm以上10μm以下であってもよい。また、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1の範囲は、0.5μm以上1.5μm以下であってもよい。
The range of the thickness H1 of the
貫通孔40及び貫通孔40を画成する遮蔽部35について、図5及び図6を参照して詳細に説明する。図5は、貫通孔40及び遮蔽部35を拡大して示す断面図である。図6は、貫通孔40を拡大して示す平面図である。
The through
図5に示すように、貫通孔40の壁面41は、第1端411、第2端412、及び最小開口径部46を含む。第1端411は、金属板30の第1面31における壁面41の端であり、第2端412は、金属板30の第2面32における壁面41の端である。最小開口径部46は、壁面41のうち第1端411と第2端412との間に位置し、最も小さい開口寸法を有する部分である。
As shown in FIG. 5, the
図5に示す例において、壁面41は、第1端411から第2端412側へ広がる第1壁面43と、第2端412から第1端411側へ広がる第2壁面44と、第1壁面43と第2壁面44とが合流する突端45と、を含む。突端45は、貫通孔40及び遮蔽部35の断面図において、壁面41のうち最も内側に位置する部分である。内側とは、貫通孔40及び遮蔽部35の断面図において貫通孔40の中心軸Cに近づく側である。中心軸Cとは、貫通孔40の断面図において、対向する第1端411の間の中間点と、対向する第2端412の間の中間点とを通る直線である。また、後述する外側とは、貫通孔40及び遮蔽部35の断面図において貫通孔40の中心軸Cから遠ざかる側である。上述の最小開口径部46は、突端45を含んでいる。
In the example shown in FIG. 5, the
図5に示すように、第1壁面43は、第1端411から第2端412側に向かうにつれて内側に向かうように広がっていてもよい。また、第2壁面44は第2端412から第1端411側に向かうにつれて内側に向かうように広がっていてもよい。なお、「第1端411から第2端412側に向かうにつれて内側に向かうように広がる」という状態、及び、「第2壁面44は第2端412から第1端411側に向かうにつれて内側に向かうように広がる」という状態は、壁面41に存在する、深さ又は高さが200nm以下の微小な凹凸を無視した場合に成立していればよい。
As shown in FIG. 5, the
図5及び図6において、符号S1は、最小開口径部46における貫通孔40の開口寸法(以下、最小開口寸法とも称する)を表し、符号S2は、第1面31における貫通孔40の開口寸法(以下、第1面開口寸法とも称する)を表し、符号S3は、第2面32における貫通孔40の開口寸法(以下、第2面開口寸法とも称する)を表す。また、符号S4は、複数の貫通孔40が並ぶ方向における遮蔽部35の幅を表す。第1面開口寸法S2は、最小開口寸法S1以上であり、第2面開口寸法S3は、第1面開口寸法S2以上である。第1面開口寸法S2と最小開口寸法S1の差は、小さいことが好ましい。第1面開口寸法S2から最小開口寸法S1を引いた値は、例えば0μm以上2.0μm以下である。また、第2面開口寸法S3は、第1面開口寸法S2よりも大きいことが好ましい。例えば、第2面開口寸法S3は、第1面開口寸法S2よりも少なくとも0.5μm以上大きいことが好ましい。第2面開口寸法S3は、第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きくてもよく、1.5μm以上大きくてもよく、2μm以上大きくてもよい。また、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値は、好ましくは10μm以下である。第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値は、8μm以下であってもよく、6μm以下であってもよく、4μm以下であってもよい。図6に示すように、金属板30の厚み方向に沿って貫通孔40を見た場合に、第1端411の輪郭が最小開口径部46の輪郭を囲んでいてもよく、また、第2端412の輪郭が第1端411の輪郭を囲んでいてもよい。
5 and 6, symbol S1 represents the opening dimension of the through-
第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値は、0.5μm以上10μm以下であってもよく、1μm以上8μm以下であってもよく、1.5μm以上6μm以下であってもよく、2μm以上4μm以下であってもよい。また、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値は、4μm以上10μm以下であってもよい。また、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2面開口寸法S3から第1面開口寸法S2を引いた値は、0.5μm以上2μm以下であってもよい。 The range of values obtained by subtracting the first surface opening dimension S2 from the second surface opening dimension S3 is any one of the plurality of upper limit candidate values and any of the plurality of lower limit candidate values. It may be defined by one combination. For example, the value obtained by subtracting the first surface opening dimension S2 from the second surface opening dimension S3 may be 0.5 μm or more and 10 μm or less, 1 μm or more and 8 μm or less, or 1.5 μm or more and 6 μm or less. It may be 2 μm or more and 4 μm or less. Also, the range of values obtained by subtracting the first-surface opening dimension S2 from the second-surface opening dimension S3 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above. For example, the value obtained by subtracting the first surface opening dimension S2 from the second surface opening dimension S3 may be 4 μm or more and 10 μm or less. Also, the range of values obtained by subtracting the first-surface opening dimension S2 from the second-surface opening dimension S3 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above. For example, the value obtained by subtracting the first surface opening dimension S2 from the second surface opening dimension S3 may be 0.5 μm or more and 2 μm or less.
最小開口寸法S1、第1面開口寸法S2、第2面開口寸法S3及び幅S4は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて例えば以下の表1のように定められる。
最小開口寸法S1、第1面開口寸法S2、第2面開口寸法S3及び幅S4は、有効領域23における金属板30の厚みH1に対する比率として定められていてもよい。例えば、厚みH1に対する最小開口寸法S1の比率(=S1/H1)は、例えば0.3以上であり、0.5以上であってもよく、0.7以上であってもよく、1.0以上であってもよい。また、S1/H1は、例えば30以下であり、25以下であってもよく、20以下であってもよく、15以下であってもよい。
The minimum opening dimension S1, the first surface opening dimension S2, the second surface opening dimension S3, and the width S4 may be determined as ratios to the thickness H1 of the
S1/H1の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、S1/H1は、0.3以上30以下であってもよく、0.5以上25以下であってもよく、0.7以上20以下であってもよく、1.0以上15以下であってもよい。また、S1/H1の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、S1/H1は、15以上30以下であってもよい。また、S1/H1の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、S1/H1は、0.3以上1.0以下であってもよい。 The range of S1/H1 may be defined by a combination of any one of the multiple candidate upper limits and any one of the multiple candidate lower limits. For example, S1/H1 may be 0.3 or more and 30 or less, 0.5 or more and 25 or less, 0.7 or more and 20 or less, or 1.0 or more and 15 or less. There may be. Also, the range of S1/H1 may be determined by a combination of any two of the multiple upper limit candidate values. For example, S1/H1 may be 15 or more and 30 or less. Also, the range of S1/H1 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above. For example, S1/H1 may be 0.3 or more and 1.0 or less.
図5において、符号L1は、貫通孔40の断面図において最小開口径部46及び第2端412を通る仮想的な直線を表す。符号θ1は、直線L1が延びる方向と、金属板30の第1面31の面方向とが成す角度を表す。角度θ1は、好ましくは80°以下である。角度θ1は、70°以下であってもよく、60°以下であってもよく、50°以下であってもよく、45°以下であってもよく、40°以下であってもよい。また、角度θ1は、好ましくは、10°以上である。角度θ1は、15°以上であってもよく、20°以上であってもよく、25°以上であってもよく、30°以上であってもよい。
In FIG. 5, reference character L1 represents an imaginary straight line passing through the minimum
角度θ1の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、角度θ1は、10°以上80°以下であってもよく、15°以上70°以下であってもよく、20°以上60°以下であってもよく、25°以上50°以下であってもよく、30°以上45°以下であってもよい。また、角度θ1の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、角度θ1は、40°以上80°以下であってもよい。また、角度θ1の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、角度θ1は、10°以上30°以下であってもよい。 The range of the angle θ1 may be defined by a combination of any one of multiple upper limit candidate values and any one of multiple lower limit candidate values. For example, the angle θ1 may be 10° or more and 80° or less, 15° or more and 70° or less, 20° or more and 60° or less, or 25° or more and 50° or less. 30° or more and 45° or less. Also, the range of the angle θ1 may be determined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, the angle θ1 may be 40° or more and 80° or less. Also, the range of the angle θ1 may be determined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, the angle θ1 may be 10° or more and 30° or less.
以下、角度θ1の技術的意味について説明する。蒸着マスク20を用いる蒸着工程において、蒸着材料82は、蒸着源81から基板91に向かって金属板30の厚み方向に沿って飛来する成分に加えて、金属板30の厚み方向に対して傾斜した方向に沿って飛来する成分を含むことがある。傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料82の一部は、基板91に到達する前に金属板30の第2面32や貫通孔40の壁面41に到達して付着する。このため、基板91に形成される蒸着層の厚みは、貫通孔40の壁面41に近いほど薄くなり易い。このような、基板91への蒸着材料82の付着が貫通孔40の壁面41によって阻害される現象のことを、シャドーとも称する。本実施の形態によれば、上述の角度θ1が80°以下になるよう貫通孔40の壁面41を構成することにより、シャドーの発生を抑制することができる。
The technical meaning of the angle θ1 will be described below. In the vapor deposition process using the
ところで、角度θ1を小さくすることは、金属板30の第1面31の面方向における最小開口径部46と第2端412との間の距離S5(図5参照)の拡大を導く。距離S5の拡大は、遮蔽部35の幅S4の拡大を導く。上述の貫通孔40のピッチは、最小開口寸法S1と遮蔽部35の幅S4の和に等しい。従って、距離S5が拡大すると、貫通孔40のピッチを小さくすることが制限されてしまう。
By the way, reducing the angle θ1 leads to an increase in the distance S5 (see FIG. 5) between the minimum
ここで本実施の形態においては、上述のように、有効領域23における金属板30の厚みH1が小さく、例えば10μm以下になっている。このため、角度θ1を小さくするために必要な距離S5が、従来の、例えば10μmを超える厚みを有する蒸着マスクの場合に比べて短い。従って、本実施の形態によれば、貫通孔40のピッチを小さく維持しながら、角度θ1を80°以下にすることができる。
Here, in the present embodiment, as described above, the thickness H1 of the
次に、図7を参照して、貫通孔40及び遮蔽部35の形状について更に詳細に説明する。図7は、貫通孔40を画成する遮蔽部35を拡大して示す断面図である。
Next, with reference to FIG. 7, the shape of the through-
図7において、符号H2は、金属板30の厚み方向D2における、最小開口径部46と第1端411との間の距離を表す。以下の説明において、距離H2のことを、第1壁面43の高さとも称する。第1壁面43の高さH2は、好ましくは2.0μm以下である。第1壁面43の高さH2は、1.5μm以下であってもよく、1.0μm以下であってもよく、0.8μm以下であってもよく、0.6μm以下であってもよい。第1壁面43の高さH2を1.0μm以下にすることにより、蒸着工程によって基板91に形成される蒸着層92の、基板91の面方向における端部の位置がばらつくことを抑制することができる。これにより、2つの隣り合う画素の間隔に関して設けられるマージンを低減することができる。
In FIG. 7 , symbol H2 represents the distance between the minimum
一方、蒸着マスク20の製造工程においては、第1壁面43の高さH2の設計値を小さくし過ぎると、第2面32側から実施されるエッチングが第1面31側にまで到達することが考えられる。第2面32側から実施されるエッチングが第1面31側にまで到達すると、最小開口寸法S1及び第1面開口寸法S2のばらつきが大きくなってしまう。この点を考慮し、第1壁面43の高さH2は、好ましくは0.1μm以上である。第1壁面43の高さH2は、0.2μm以上であってもよく、0.3μm以上であってもよい。
On the other hand, in the manufacturing process of the
第1壁面43の高さH2の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1壁面43の高さH2は、0.1μm以上2.0μm以下であってもよく、0.2μm以上1.5μm以下であってもよく、0.3μm以上1.0μm以下であってもよい。また、第1壁面43の高さH2の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1壁面43の高さH2は、0.6μm以上2.0μm以下であってもよい。また、第1壁面43の高さH2の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1壁面43の高さH2は、0.1μm以0.3μm以下であってもよい。
The range of the height H2 of the
第1壁面43の高さH2の好ましい範囲は、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1に対する相対値として定められていてもよい。例えば、遮蔽部35を構成する金属板30の厚みH1に対する高さH2の比率(H2/H1)は、好ましくは0.4以下である。H2/H1は、0.35以下であってもよく、0.3以下であってもよい。また、H2/H1は、好ましくは0.1以上である。H2/H1は、0.15以上であってもよく、0.2以上であってもよい。
A preferable range of the height H2 of the
また、H2/H1の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H2/H1は、0.1以上0.4以下であってもよく、0.15以上0.35以下であってもよく、0.2以上0.3以下であってもよい。また、H2/H1の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H2/H1は、0.3以上0.4以下であってもよい。また、H2/H1の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H2/H1は、0.1以上0.2以下であってもよい。 Also, the range of H2/H1 may be defined by a combination of any one of multiple upper limit candidate values and any one of multiple lower limit candidate values. For example, H2/H1 may be 0.1 or more and 0.4 or less, 0.15 or more and 0.35 or less, or 0.2 or more and 0.3 or less. Also, the range of H2/H1 may be defined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, H2/H1 may be 0.3 or more and 0.4 or less. Also, the range of H2/H1 may be defined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, H2/H1 may be 0.1 or more and 0.2 or less.
図7において、符号H3は、金属板30の厚み方向D2における、最小開口径部46と第2端412との間の距離を表す。以下の説明において、距離H3のことを、第2壁面44の高さとも称する。第2壁面44の高さH3は、好ましくは4μm以下である。第2壁面44の高さH3は、3.5μm以下であってもよく、3μm以下であってもよい。また、第2壁面44の高さH3は、好ましくは1μm以上である。第2壁面44の高さH3は、1.5μm以上であってもよく、2μm以上であってもよい。
In FIG. 7 , symbol H3 represents the distance between the minimum
第2壁面44の高さH3の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2壁面44の高さH3は、1μm以上4μm以下であってもよく、1.5μm以上3.5μm以下であってもよく、2μm以上3μm以下であってもよい。また、第2壁面44の高さH3の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2壁面44の高さH3は、3μm以上4μm以下であってもよい。また、第2壁面44の高さH3の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2壁面44の高さH3は、1μm以上2μm以下であってもよい。
The range of the height H3 of the
後述するように、2つの貫通孔40の間に位置する遮蔽部35の第2面32は、金属板30のうち有効領域23に対応する部分を全域にわたって金属板30の第2面32側からエッチングすることによって形成される。このため、2つの貫通孔40の間に位置する遮蔽部35の第2面32は平坦である。「第2面が平坦」とは、遮蔽部35の断面図における、金属板30の第1面31の面方向D1における中心点を中心とした距離S6の範囲内において、図7に示すように、第2面32に現れる谷部と山部の間の距離の最大値H4が1μm以下であることを意味する。距離S6は、遮蔽部35の幅S4の1/2である。H4は、0.8μm以下であってもよく、0.6μm以下であってもよい。
As will be described later, the
なお、蒸着マスク20の製造工程において遮蔽部35の第1面31はエッチングされないので、第2面32に現れる谷部と山部の間の距離の最大値H4は、第1面31に現れる谷部と山部の間の距離の最大値に比べて大きい。H4は、例えば0.05μm以上であり、0.07μm以上であってもよく、0.1μm以上であってもよい。
Since the
第2面32に現れる谷部と山部の間の距離の最大値H4の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H4は、0.05μm以上1μm以下であってもよく、0.07μm以上0.8μm以下であってもよく、0.1μm以上0.6μm以下であってもよい。また、H4は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H4は、0.6μm以上1μm以下であってもよい。また、H4は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H4は、0.05μm以上0.1μm以下であってもよい。
The range of the maximum value H4 of the distance between the troughs and the peaks appearing on the
また、後述するように、貫通孔40の壁面41の第2壁面44は、金属板30の第1面31側に充填された充填材52と金属板30との間に浸入したエッチング液によって金属板30がサイドエッチングされることによって形成される面である。この場合、図7に示すように、壁面41の第2端412の断面形状は、湾曲したものとなる。第2端412の断面形状が湾曲していることにより、金属板30の厚み方向に対して傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料82が第2端412及び第2端412の周辺に付着しにくくなる。また、蒸着マスク20を洗浄する工程において、第2端412が鋭くとがっている場合に比べて、第2端412に異物が絡みにくくなる。異物とは、例えばセルロースである。
Further, as will be described later, the
蒸着マスク20の金属板30の第2面32には、蒸着マスク20が搬送される際などに保護フィルムなどが貼られ、その後に保護フィルムが剥がされる場合がある。この場合、第2端412の断面形状が湾曲していることにより、第2端412が鋭くとがっている場合に比べて、保護フィルムを剥がし易くなる。例えば、保護フィルムが第2端412に引っ掛かってしまったり、保護フィルムの粘着剤が第2端412に付着して異物として残ったりすることを抑制することができる。
A protective film or the like may be attached to the
第2端412の断面形状の曲率半径R1は、好ましくは0.3μm以上である。曲率半径R1は、0.5μm以上であってもよく、1.0μm以上であってもよい。これにより、第2端412が上述の効果をより顕著に奏することができる。また、第2端412の断面形状の曲率半径R1は、好ましくは2.0μm以下である。曲率半径R1は、1.5μm以下であってもよく、1.0μm以下であってもよい。
The cross-sectional curvature radius R1 of the
また、曲率半径R1の範囲は、上述の厚みH1の場合と同様に、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2端412の断面形状の曲率半径R1は、0.3μm以上2.0μm以下であってもよく、0.5μm以上1.5μm以下であってもよい。また、曲率半径R1の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2端412の断面形状の曲率半径R1は、1.0μm以上2.0μm以下であってもよい。また、曲率半径R1の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第2端412の断面形状の曲率半径R1は、0.3μm以上1.0μm以下であってもよい。
Further, the range of the radius of curvature R1 is determined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and a plurality of lower limit candidate values, as in the case of the thickness H1 described above. may For example, the cross-sectional curvature radius R1 of the
次に、第2端412を特定する方法について、図8を参照して説明する。図8は、貫通孔40を画成する遮蔽部35を更に拡大して示す図である。第2端412は、第2壁面44が広がる方向の変化量が30°以上になる角度変化点を含む部分として定義されてもよい。以下、角度変化点について説明する。
A method for identifying the
図8において、符号P1は、有効領域23の断面図において第2壁面44上に位置する1つの点を表す。また、符号P2は、点P1から500nmだけ第2壁面44に沿って第2面32に近づく側に変位した点を表す。符号Q1は、点P1において第2壁面44に接する直線を表し、符号Q2は、点P2において第2壁面44に接する直線を表す。符号δは、直線Q1が延びる方向と直線Q2が延びる方向とが成す角度を表す。このようにして算出される角度δが、点P1における第2壁面44の角度の変化量である。第2端412は、このようにして算出される角度の変化量が30°以上になる角度変化点を含んでいる。
In FIG. 8, reference P1 represents one point located on the
なお、図8に示す例においては、点P1だけでなく、図8において点Pxと点Pyとの間に位置する点においても、角度の変化量が30°以上になる。この場合、第2端412は、角度の変化量が30°以上になる第2壁面44の範囲における中心点として定義される。
In the example shown in FIG. 8, not only the point P1, but also the point located between the point Px and the point Py in FIG. 8 has an angle change amount of 30° or more. In this case, the
蒸着マスクの製造方法
次に、金属板30を加工して蒸着マスク20を製造する方法について、主に図9~図15を参照して説明する。
Method for Manufacturing Deposition Mask Next, a method for manufacturing the
まず、金属板30を準備する。金属板30としては、ロールから巻き出された状態の、連続的に延びる金属板30を用いてもよい。この場合、蒸着マスク20の製造工程は、ガイドローラーに沿って搬送される金属板30に対して実施されてもよい。また、金属板30としては、蒸着マスク20の製造工程に応じて用いられる露光機などの装置に対応した寸法を有する1枚の金属板30を用いてもよい。
First, the
金属板30の厚みH0は、好ましくは15μm以上である。金属板30の厚みH0は、20μm以上であってもよく、30μm以上であってもよい。金属板30の厚みH0を10μm以上にすることにより、蒸着マスク20の製造工程において金属板30に加わる負荷に起因して金属板30が破損してしまうことを抑制することができる。また、金属板30の厚みH0は、好ましくは200μm以下である。厚みH0は、100μm以下であってもよく、50μm以下であってもよい。
A thickness H0 of the
また、金属板30の厚みH0の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、金属板30の厚みH0は、10μm以上200μm以下であってもよく、15μm以上100μm以下であってもよく、20μm以上50μm以下であってもよい。また、厚みH0の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、金属板30の厚みH0は、50μm以上200μm以下であってもよい。また、厚みH0の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、金属板30の厚みH0は、10μm以上20μm以下であってもよい。
Also, the range of thickness H0 of
続いて、図9に示すように、金属板30の第1面31に第1レジスト層51を形成する。第1レジスト層51は、レジストの材料を含む溶液を第1面31に塗布し、固化させることにより形成される層であってもよい。若しくは、第1レジスト層51は、ドライフィルムなどのフィルムを第1面31に貼り付けることにより形成される層であってもよい。なお、第1レジスト層51の厚みを小さくする上では、レジストの材料を含む溶液を塗布し、固化させるタイプ、いわゆる塗布型のレジスト層を採用することが好ましい。
Subsequently, as shown in FIG. 9 , a first resist
塗布型を採用する場合、例えば、光溶解型、いわゆるポジ型の感光材を含む溶液を第1面31に塗布し、固化させることにより、第1レジスト層51を形成することができる。この際、第1レジスト層51を焼成するレジスト層焼成工程を実施してもよい。なお、感光材は、光硬化型、いわゆるネガ型であってもよい。
When the coating type is employed, for example, the first resist
ポジ型の感光材の例としては、SC500などのノボラック系ポジレジストなどを挙げることができる。ネガ型の感光材の例としては、カゼインレジストなどを挙げることができる。 Examples of positive type photosensitive materials include novolac type positive resists such as SC500. Examples of negative photosensitive materials include casein resist.
第1レジスト層51を焼成するレジスト層焼成温度は、感光材に応じて設定される。例えば、感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、40℃以上が好ましく、50℃以上であってもよく、60℃以上であってもよい。また、感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、180℃以下が好ましく、170℃以上であってもよく、160℃以下であってもよい。
The resist layer baking temperature for baking the first resist
感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、40℃以上180℃以下であってもよく、50℃以上170℃以下であってもよく、60℃以上160℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、160℃以上180℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、40℃以上60℃以下であってもよい。 When a novolac-based positive resist is used as the photosensitive material, the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and a plurality of lower limit candidate values. good. For example, the resist layer baking temperature may be 40° C. or higher and 180° C. or lower, 50° C. or higher and 170° C. or lower, or 60° C. or higher and 160° C. or lower. Also, the range of the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, the resist layer baking temperature may be 160° C. or higher and 180° C. or lower. Also, the range of the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, the resist layer baking temperature may be 40° C. or higher and 60° C. or lower.
また、感光材としてカゼインレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、80℃以上が好ましく、100℃以上であってもよく、120℃以上であってもよい。また、感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、250℃以下が好ましく、230℃以上であってもよく、200℃以下であってもよい。 When a casein resist is used as the photosensitive material, the resist layer baking temperature is preferably 80° C. or higher, may be 100° C. or higher, or may be 120° C. or higher. When a novolac positive resist is used as the photosensitive material, the resist layer baking temperature is preferably 250° C. or lower, may be 230° C. or higher, or may be 200° C. or lower.
感光材としてカゼインレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、80℃以上250℃以下であってもよく、100℃以上230℃以下であってもよく、120℃以上200℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、200℃以上250℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度は、80℃以上120℃以下であってもよい。 When casein resist is used as the photosensitive material, the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and a plurality of lower limit candidate values. For example, the resist layer baking temperature may be 80° C. or higher and 250° C. or lower, 100° C. or higher and 230° C. or lower, or 120° C. or higher and 200° C. or lower. Also, the range of the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, the resist layer baking temperature may be 200° C. or higher and 250° C. or lower. Also, the range of the resist layer baking temperature may be determined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, the resist layer baking temperature may be 80° C. or higher and 120° C. or lower.
第1レジスト層51の厚みは、好ましくは5.0μm以下である。第1レジスト層51の厚みは、3.0μm以下であってもよく、2.0μm以下であってもよい。第1レジスト層51の厚みを5.0μm以下にすることにより、複数の貫通孔40の間で第1面開口寸法S2がばらつくことを抑制することができる。また、第1レジスト層51の厚みは、好ましくは1.0μm以上である。第1レジスト層51の厚みは、1.5μm以上であってもよく、2.0μm以上であってもよい。
The thickness of the first resist
第1レジスト層51の厚みの範囲は、上述の厚みH1の場合と同様に、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1レジスト層51の厚みは、1.0μm以上5.0μm以下であってもよく、1.5μm以上3.0μm以下であってもよい。また、第1レジスト層51の厚みの範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1レジスト層51の厚みは、2.0μm以上5.0μm以下であってもよい。また、第1レジスト層51の厚みの範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第1レジスト層51の厚みは、1.0μm以上2.0μm以下であってもよい。
The range of the thickness of the first resist
図9に示すように、金属板30の第2面32に第2レジスト層56を形成してもよい。第2レジスト層56に含まれる感光材は、第1レジスト層51に含まれる感光材と同一であってもよく、異なっていてもよい。図示はしないが、金属板30の第2面32には第2レジスト層56が設けられていなくてもよい。
A second resist
続いて、第1レジスト層51を露光する露光工程を実施し、その後、第1レジスト層51を現像する現像工程を実施する。これにより、図10に示すように、第1レジスト層51を部分的に除去して、金属板30の第1面31のうち有効領域23に対応する部分に、第1レジスト層51によって覆われていない複数の露出領域53を設けることができる。
Subsequently, an exposure step of exposing the first resist
金属板30の第2面32に第2レジスト層56が形成されている場合、図10に示すように、第2レジスト層56を露光及び現像してもよい。本実施の形態においては、第2面32のうち有効領域23に対応する部分の第2レジスト層56を除去し、周囲領域24及び耳部21に対応する部分に第2レジスト層56が残るように、第2レジスト層56を露光及び現像する。図示はしないが、第2面32のうち有効領域23及び周囲領域24に対応する部分の第2レジスト層56を除去し、耳部21に対応する部分に第2レジスト層56が残るように、第2レジスト層56を露光及び現像してもよい。
When the second resist
なお、図示はしないが、第2面32のうち有効領域23に対応する部分に、第2面32のエッチングの均一性が阻害されない程度にわずかに第2レジスト層56が残っていてもよい。例えば、第2面32のうち有効領域23に対応する部分であって、第2レジスト層56が設けられていない、連続する露出領域が、第2面32の少なくとも1つの面方向において0.5μm以上の寸法を有していてもよい。
Although not shown, the second resist
続いて、第1レジスト層51をマスクとして金属板30を3第1面31側からエッチングする第1エッチング工程を実施する。これにより、図11に示すように、第1面31に第1凹部50を形成することができる。第1凹部50は、例えば半球状の形状を有する。
Subsequently, a first etching step is performed in which the
続いて、図12に示すように、第1凹部50に充填材52を充填する充填工程を実施する。例えば、充填材52を含む溶液を金属板30の第1面31側に塗布する。充填材52としては、熱可塑性樹脂、フォトレジストなどを用いることができる。フォトレジストは、例えばポジ型の感光材を含むポジレジストである。図12に示すように、充填材52が第1レジスト層51を覆っていてもよい。充填材52を構成する樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂などを挙げることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 12, a filling step of filling the first
続いて、充填材52を焼成する充填材焼成工程を実施する。充填材52としてポジレジストを用いる場合、充填材焼成温度は、60℃以上が好ましく、80℃以上であってもよく、100℃以上であってもよい。また、充填材52としてポジレジストを用いる場合、充填材焼成温度は、180℃以下が好ましく、160℃以上であってもよく、140℃以下であってもよい。
Subsequently, a filler baking process for baking the
充填材52としてポジレジストを用いる場合、充填材焼成温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、充填材焼成温度は、60℃以上180℃以下であってもよく、80℃以上160℃以下であってもよく、100℃以上140℃以下であってもよい。また、充填材焼成温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、充填材焼成温度は、140℃以上180℃以下であってもよい。また、充填材焼成温度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、充填材焼成温度は、60℃以上100℃以下であってもよい。
When a positive resist is used as the
なお、充填材52として熱可塑性樹脂を用いる場合、充填材焼成工程は実施されなくてもよい。
Note that when a thermoplastic resin is used as the
図12において、符号H5は、金属板30の厚み方向における、第1面31から充填材52の頂部までの距離を表す。頂部とは、金属板30の厚み方向において、充填材52のうち第1面31から最も離れている部分である。距離H5は、第1凹部50の深さに等しい。距離H5は、好ましくは7.0μm以下である。距離H5は、6.0μm以下であってもよく、5.0μm以下であってもよい。また、距離H5は、好ましくは1.0μm以上である。距離H5は、2.0μm以上であってもよく、3.0μm以上であってもよく、4.0μm以上であってもよい。
In FIG. 12 , symbol H5 represents the distance from the
距離H5の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、距離H5は、1.0μm以上7.0μm以下であってもよく、2.0μm以上6.0μm以下であってもよく、3.0μm以上5.0μm以下であってもよい。また、距離H5の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、距離H5は、6.0μm以上7.0μm以下であってもよい。また、距離H5の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、距離H5は、1.0μm以上4.0μm以下であってもよい。 The range of the distance H5 may be defined by a combination of any one of the plurality of upper limit candidate values and any one of the plurality of lower limit candidate values. For example, the distance H5 may be 1.0 μm or more and 7.0 μm or less, 2.0 μm or more and 6.0 μm or less, or 3.0 μm or more and 5.0 μm or less. Also, the range of the distance H5 may be determined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, the distance H5 may be 6.0 μm or more and 7.0 μm or less. Also, the range of the distance H5 may be determined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, the distance H5 may be 1.0 μm or more and 4.0 μm or less.
また、エッチングされる前の金属板30の厚みH0に対する距離H5の比率(=H5/H0)は、好ましくは0.1以上である。H5/H0は、0.3以上であってもよく、0.5以上であってもよい。H5/H0を0.1以上にすることにより、後述する第2面32側におけるエッチングが充填材52に到達するまでの時間が位置によってばらつくことを抑制することができる。また、H5/H0は、好ましくは0.9以下であり、0.7以下であってもよく、0.5以下であってもよい。
Also, the ratio of distance H5 to thickness H0 of
H5/H0の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H5/H0は、0.1以上0.9以下であってもよく、0.3以上0.7以下であってもよい。また、H5/H0の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H5/H0は、0.5以上0.9以下であってもよい。また、H5/H0の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H5/H0は、0.1以上0.5以下であってもよい。 The range of H5/H0 may be defined by a combination of any one of a plurality of candidate upper limits and any one of a plurality of candidate lower limits. For example, H5/H0 may be 0.1 or more and 0.9 or less, or may be 0.3 or more and 0.7 or less. Also, the range of H5/H0 may be defined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, H5/H0 may be 0.5 or more and 0.9 or less. Also, the range of H5/H0 may be defined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, H5/H0 may be 0.1 or more and 0.5 or less.
続いて、金属板30を第2面32側からエッチングする第2エッチング工程を実施する。エッチング液としては、塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものなどを用いることができる。エッチング液の温度は、例えば25℃以上であり、30℃以上であってもよく、35℃以上であってもよい。また、エッチング液の温度は、例えば80℃以下であり、70℃以下であってもよく、60℃以下であってもよい。
Subsequently, a second etching step is performed to etch the
エッチング液の温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、エッチング液の温度は、25℃以上80℃以下であってもよく、30℃以上70℃以下であってもよく、35℃以上60℃以下であってもよい。また、エッチング液の温度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、エッチング液の温度は、60℃以上80℃以下であってもよい。また、エッチング液の温度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、エッチング液の温度は、25℃以上35℃以下であってもよい。 The etchant temperature range may be defined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and a plurality of lower limit candidate values. For example, the temperature of the etchant may be 25° C. or higher and 80° C. or lower, 30° C. or higher and 70° C. or lower, or 35° C. or higher and 60° C. or lower. Also, the range of the temperature of the etchant may be determined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, the temperature of the etchant may be 60° C. or higher and 80° C. or lower. Also, the range of the temperature of the etchant may be determined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, the temperature of the etchant may be 25° C. or higher and 35° C. or lower.
第2エッチング工程は、図13に示すように、有効領域23に位置する金属板30の第2面32が少なくとも充填材52の頂部521よりも第1面31側に位置するようになるまで継続される。第2面32側からのエッチングを充填材52の頂部521に到達させることにより、蒸着マスク20に貫通孔40を形成することができる。
The second etching step is continued until the
また、第2エッチング工程は、貫通孔40の第2面開口寸法S3が、突端45における最小開口寸法S1以上になるまで継続される。第2エッチング工程は、好ましくは、貫通孔40の第2面開口寸法S3が最小開口寸法S1よりも1μm以上大きくなるまで、より好ましくは、貫通孔40の第2面開口寸法S3が最小開口寸法S1よりも2μm以上大きくなるまで、継続される。また、第2エッチング工程は、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも大きくなるまで継続されてもよい。第2エッチング工程は、好ましくは、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きくなるまで、より好ましくは、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも2μm以上大きくなるまで、継続される。
Further, the second etching process is continued until the opening dimension S3 on the second surface of the through
また、好ましくは、第2エッチング工程は、図14に示すように、第1面31から充填材52の頂部521までの距離H5に対する、有効領域23に位置する金属板30の厚みH1の比率(=H1/H5)が0.9以下になるまで、継続される。これにより、充填材52と金属板30との間にエッチング液が浸入し易くなる。この結果、図14に示すように、充填材52の周囲の金属板30がサイドエッチングされ、充填材52と金属板30との間に隙間57が生じ易くなる。サイドエッチングによって金属板30に形成された面が、貫通孔40の壁面41の上述の第2壁面44を構成する。サイドエッチングの量を制御することにより、第2壁面44が、第2端412から第1端411側に向かうにつれて内側に向かうように広がる形状を有することができる。H1/H5は、0.8以下であってもよく、0.7以下であってもよく、0.6以下であってもよい。また、H1/H5は、0.1以上であってもよく、0.2以上であってもよく、0.3以上であってもよい。
Also, preferably, the second etching step, as shown in FIG. 14, has a ratio ( =H1/H5) is 0.9 or less. This makes it easier for the etchant to enter between the
H1/H5の範囲は、上述の厚みH1の場合と同様に、複数の上限の候補値のうちの任意の1つと、複数の下限の候補値のうちの任意の1つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H1/H5は、0.1以上0.9以下であってもよく、0.2以上0.8以下であってもよく、0.3以上0.7以下であってもよい。また、H1/H5の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H1/H5は、0.6以上0.9以下であってもよい。また、H1/H5の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の2つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、H1/H5は、0.1以上0.3以下であってもよい。 The range of H1/H5 may be defined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and a plurality of lower limit candidate values, as in the case of thickness H1 described above. good. For example, H1/H5 may be 0.1 or more and 0.9 or less, 0.2 or more and 0.8 or less, or 0.3 or more and 0.7 or less. Also, the range of H1/H5 may be defined by a combination of any two of a plurality of upper limit candidate values. For example, H1/H5 may be 0.6 or more and 0.9 or less. Also, the range of H1/H5 may be defined by a combination of any two of a plurality of lower limit candidate values. For example, H1/H5 may be 0.1 or more and 0.3 or less.
第2エッチング工程においてエッチングを継続する時間は、例えば、予め取得されたエッチング条件データに基づいて決定され得る。エッチング条件データは、例えば、エッチングを継続する時間と、有効領域23の厚みH1との関係を含む。エッチング条件データは、エッチングを継続する時間と、第1壁面43の高さH2との関係を含んでいてもよく、エッチングを継続する時間と、第2壁面44の高さH3との関係を含んでいてもよい。これらのエッチング条件データに基づいて、厚みH1、高さH2、高さH3などが適切な値になるよう、第2エッチング工程においてエッチングを継続する時間を決定することができる。
The time to continue etching in the second etching step can be determined, for example, based on previously obtained etching condition data. The etching condition data includes, for example, the relationship between the etching continuation time and the thickness H1 of the
続いて、図15に示すように、充填材52を除去する充填材除去工程を実施する。これによって、金属板30に貫通孔40が生じる。充填材52を除去するための溶液としては、水酸化ナトリウムを含む溶液などを用いることができる。また、第1レジスト層51及び第2レジスト層56を除去するレジスト層除去工程を実施する。レジスト層を除去するための溶液としては、水酸化ナトリウムを含む溶液などを用いることができる。このようにして、複数の貫通孔40が設けられた金属板30を備える蒸着マスク20を得ることができる。なお、充填材除去工程及びレジスト層除去工程は、充填材及びレジスト層の両方を除去可能な溶液などを用いることにより、同時に実施されてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 15, a filler removing step for removing the
本実施の形態においては、上述のように、金属板30のうち有効領域23に対応する部分における第2面32のエッチングを、第2面32にレジスト層を設けずに実施する。言い換えると、第1面31側に形成されている複数の第1凹部50に跨るように広がる凹部を、第2面32側に形成する。これにより、複数の貫通孔40の間で、貫通孔40の最小開口径部46の位置や最小開口寸法S1がばらつくことを抑制することができる。
In the present embodiment, as described above, etching of the
次に、本実施の形態を、比較の形態と対比することにより、本実施の形態の効果について更に説明する。図16及び図17は、比較の形態における蒸着マスク20の製造方法を示す図である。図16及び図17に示す比較の形態において、上述の実施の形態と同一部分または同様の機能を有する部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
Next, the effects of this embodiment will be further described by comparing this embodiment with a comparative embodiment. FIG.16 and FIG.17 is a figure which shows the manufacturing method of the
図16は、比較の形態において、金属板30の第1面31に設けられた第1レジスト層51及び第2面32に設けられた第2レジスト層56を示す断面図である。図16に示すように、比較の形態においては、金属板30の第2面32のうち有効領域23に対応する部分に、第2レジスト層56によって覆われていない複数の露出領域58を設ける。その後、本実施の形態の場合と同様に、金属板30を第1面31側からエッチングして第1凹部50を形成し、続いて、第1凹部50に充填材52を充填する。その後、第2レジスト層56をマスクとして金属板30を第2面32側からエッチングして、第2面32に複数の第2凹部55を形成する。複数の第1凹部50と複数の第2凹部55とが互いに連通することにより、図17に示すように、金属板30に複数の貫通孔40を形成することができる。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing the first resist
ところで、比較の形態においては、露光マスクの位置合わせの誤差などに起因して、図16の右側部分に示すように、第1レジスト層51に対する第2レジスト層56の相対的な位置が設計からずれることがある。この場合、図17の右側部分に示すように、第1凹部50に対する第2凹部55の相対的な位置がずれてしまい、この結果、1つの貫通孔40において、第1凹部50と第2凹部55とが合流する位置が、金属板30の厚み方向においてばらつくことがある。すなわち、図17において符号H6で示すように、貫通孔40の最小開口径部46の位置が金属板30の厚み方向においてばらつくことがある。この結果、第1壁面43の高さH2がばらついてしまう。
By the way, in the comparative form, due to the alignment error of the exposure mask, etc., as shown in the right part of FIG. There may be deviation. In this case, as shown in the right part of FIG. 55 may vary in the thickness direction of the
また、比較の形態においては、金属板30の第2面32側からのエッチングが、複数の第2凹部55において個別に進行する。この場合、充填材52の頂部の位置のばらつき、エッチング液の濃度のばらつき、エッチング液の流れのばらつきなどに起因して、各第2凹部55におけるエッチングの速度にもばらつきが生じ得る。この結果、第1凹部50と第2凹部55とが合流する位置にばらつきが生じ、貫通孔40の開口寸法の最小値がばらつき易くなる。また、第1壁面43の高さH2にもばらつきが生じてしまう。
Further, in the comparative form, etching from the
これに対して、本実施の形態においては、第2面32のうち少なくとも有効領域23に対応する部分の大半に第2レジスト層56が設けられていない。このため、第2エッチング工程において、有効領域23に対応する部分におけるエッチング液の速度や濃度が、比較の形態に比べて均一になり易い。このため、最小開口径部46の寸法及び位置並びに第1壁面43の高さH2が、有効領域23の複数の貫通孔40の間でばらつくことを抑制することができる。
In contrast, in the present embodiment, the second resist
また、本実施の形態においては、第2面32のうち少なくとも有効領域23に対応する部分の大半に第2レジスト層56が設けられていないので、第2レジスト層56の位置の誤差に起因する最小開口径部46の寸法及び位置の誤差が生じ難い。この点でも、最小開口径部46の寸法及び位置並びに第1壁面43の高さH2が、有効領域23の複数の貫通孔40の間でばらつくことを抑制することができる。
In addition, in the present embodiment, the second resist
また、本実施の形態においては、第2エッチング工程におけるエッチングの速度などのばらつきを抑制することができるので、第1壁面43を残しながら第1壁面43の高さH2が小さくなるように第2エッチング工程を実施することが容易になる。このため、第1壁面43の高さH2の設計値及び実測値を小さくすることができ、例えば2.0μm以下にすることができる。これにより、蒸着工程の際にシャドーが生じることを抑制することができる。
Further, in the present embodiment, it is possible to suppress variations in the etching speed and the like in the second etching step. It becomes easier to carry out the etching process. Therefore, the design value and actual measurement value of the height H2 of the
ところで、本実施の形態の蒸着マスク20において、貫通孔40の第2壁面44は、上述のように、第2エッチング工程において金属板30がサイドエッチングされることによって形成される面である。第2壁面44は、第2端412から第1端411側に向かうにつれて内側に向かうように広がっていることが好ましい。このような第2壁面44を得るためには、第2エッチング工程において充填材52と金属板30との間にエッチング液が浸入し易くなるよう充填材52を構成することが好ましい。例えば、充填材52を焼成する充填材焼成工程において、充填材焼成温度を低くし、これによってエッチング液の浸入を促進することが好ましい。以下、充填材焼成温度を低く設定する際の、充填材焼成温度の設定方法の2つの例を説明する。
By the way, in the
(充填材焼成温度の設定の第1例)
本例においては、充填材焼成工程の充填材焼成温度を、予め取得された焼成条件データに基づいて決定することを提案する。焼成条件データは、例えば、充填材焼成温度と、貫通孔40の第2面開口寸法S3との関係を含む。このようなデータに基づいて、例えば、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも大きくなるように充填材焼成温度を決定することができる。
(First example of setting the filler firing temperature)
In this example, it is proposed to determine the filler sintering temperature in the filler sintering process based on previously acquired sintering condition data. The sintering condition data includes, for example, the relationship between the filler sintering temperature and the second surface opening dimension S3 of the through-
図18に、充填材焼成温度と貫通孔40の第2面開口寸法S3との関係を含む焼成条件データの一例を示す。図19は、充填材焼成温度と貫通孔40の第2面開口寸法S3との関係を表すグラフである。図18及び図19に示す焼成条件データを取得する際の条件(以下、焼成条件データの取得条件とも称する)は下記の通りである。
・充填材:ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製ポジレジストSC500
・充填材の焼成温度:40℃~200℃の範囲内における20℃刻みの値
・充填材の焼成時間:600秒
・貫通孔の第1面開口寸法S2:4μm
・貫通孔のピッチ:8μm
・有効領域における金属板の厚みH1:1μm
FIG. 18 shows an example of sintering condition data including the relationship between the filler sintering temperature and the second surface opening size S3 of the through-
・ Filling material: Positive resist SC500 manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.
Firing temperature of filler: 40°C to 200°C in increments of 20°C Firing time of filler: 600 seconds Opening dimension S2 on first surface of through-hole: 4 µm
・Pitch of through holes: 8 μm
・Thickness H1 of the metal plate in the effective area: 1 μm
図18及び図19に示すように、充填材52の焼成温度が180℃以下の場合、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2以上になった。また、充填材52の焼成温度が160℃以下の場合、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きくなった。また、充填材52の焼成温度が120℃以下の場合、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも2μm以上大きくなった。充填材52の焼成温度が低いほど、充填材52と金属板30との間における金属板30のサイドエッチングが促進されることが分かる。
As shown in FIGS. 18 and 19, when the firing temperature of the
貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きいことが求められる場合、図18及び図19に示す焼成条件データに基づいて、充填材焼成温度を160℃以下に決定することができる。また、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも2μm以上大きいことが求められる場合、図18及び図19に示す焼成条件データに基づいて、充填材焼成温度を120℃以下に決定することができる。
When the second surface opening dimension S3 of the through
図18に示すように、焼成条件データは、充填材焼成温度と、貫通孔40における上述の角度θ1との関係を含んでいてもよい。図20は、充填材焼成温度と角度θ1との関係を表すグラフである。この場合、貫通孔40の角度θ1が所定の角度以下になるように充填材焼成温度を決定することができる。例えば、貫通孔40の角度θ1が60°以下であることが求められる場合、図18及び図20に示す焼成条件データに基づいて、充填材焼成温度を140℃以下に決定することができる。また、角度θ1が50°以下であることが求められる場合、図18及び図20に示す焼成条件データに基づいて、充填材焼成温度を120℃以下に決定することができる。
As shown in FIG. 18, the sintering condition data may include the relationship between the filler sintering temperature and the above-described angle θ1 in the through-
なお、図18に示す焼成条件データは、上述の焼成条件データの取得条件とは異なる条件で蒸着マスク20を製造する場合にも有用であり得る。例えば、有効領域23における金属板30の厚みH1が1μm以下である場合、貫通孔40の第2面開口寸法S3が図18に示す焼成条件データよりも大きくなることが予想される。この場合、充填材焼成温度を160℃以下に決定することにより、貫通孔40の第2面開口寸法S3を第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きくすることができる。また、充填材焼成温度を140℃以下に決定することにより、貫通孔40の角度θ1を60°以下にすることができる。また、充填材焼成温度を120℃以下に決定することにより、貫通孔40の第2面開口寸法S3を第1面開口寸法S2よりも2μm以上大きくすることができ、また、貫通孔40の角度θ1を50°以下にすることができる。
Note that the firing condition data shown in FIG. 18 may also be useful when manufacturing the
蒸着マスク装置の製造方法
次に、上述のようにして得られた蒸着マスク20をフレーム15に溶接する溶接工程を実施する。これによって、蒸着マスク20及びフレーム15を備える蒸着マスク装置10を得ることができる。
Manufacturing Method of Evaporation Mask Device Next, a welding step of welding the
蒸着方法
次に、本実施の形態に係る蒸着マスク20を用いて基板91に蒸着材料82を付着させ、図21に示すように基板91に蒸着層92を形成する方法について説明する。以下の説明において、基板91と、蒸着工程によって基板91に形成された蒸着層92とを少なくとも備える物品のことを、蒸着基板90とも称する。蒸着基板90は、有機EL表示装置などで用いられる。
Evaporation Method Next, a method for depositing the
蒸着マスク20を用いて基板91に蒸着材料82を付着させる蒸着工程においては、まず、蒸着マスク20が基板91に対向するよう蒸着マスク装置10を配置する。また、磁石85を用いて蒸着マスク20を基板91に密着させる。また、蒸着装置80の内部を真空雰囲気にする。この状態で、蒸着材料82を蒸発させて基板91へ飛来させることにより、蒸着マスク20の貫通孔40に対応したパターンで蒸着材料82を基板91に付着させることができる。
In the vapor deposition step of attaching the
図22は、蒸着工程によって基板91に形成される蒸着層92を拡大して示す断面図である。上述の蒸着マスク20の製造方法によれば、第2エッチング工程におけるエッチングの速度などのばらつきを抑制することができるので、貫通孔40の第1壁面43の高さH2を小さく設定することができる。このため、金属板30の第1面31の面方向における第1壁面43の幅K1を小さくすることができる。これにより、図22に示すように、蒸着層92のうち蒸着マスク20の貫通孔40の最小開口径部46よりも外側に形成される部分の幅K1が、複数の画素の間でばらつくことを抑制することができる。このため、隣り合う画素の干渉を考慮して蒸着基板90の設計において設けられるマージンを低減することができる。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing an
また、上述の蒸着マスク20の製造方法によれば、最小開口径部46の寸法及び位置が複数の貫通孔40の間でばらつくことを抑制することができる。このため、図22に示すように基板91上の電極93に重なるように蒸着層92が形成される場合に、電極93の寸法及び位置に対する蒸着層92の寸法及び位置がばらつくことを抑制することができる。このことも、蒸着基板90の設計において考慮されるマージンを低減することに寄与し得る。
Moreover, according to the method for manufacturing the
蒸着基板90の設計において考慮されるマージンを低減することにより、蒸着基板90の画素密度を高めることができる。また、蒸着基板90の画素密度が一定である場合には、マージンを低減することにより、隣り合う画素の干渉を防ぎながら、電極93の面積を拡大することができる。これにより、蒸着層92の面積のうち電極93と重なる面積の比率を高めることができる。このことは、蒸着層92が発光層である場合に、蒸着層92の発光効率の向上を導く。これにより、蒸着層92の輝度を高めたり、蒸着層92の寿命を延ばしたりすることができる。
By reducing the margins considered in the design of the
次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 Next, the embodiments of the present disclosure will be described in more detail with reference to examples, but the embodiments of the present disclosure are not limited to the description of the following examples as long as they do not exceed the gist thereof.
(実施例1)
まず、30μmの厚みを有し、34質量%以上且つ38質量%以下のニッケルを含む鉄合金からなる金属板30を準備した。次に、上述の図10に示すように金属板30の第1面31に第1レジスト層51を形成した。具体的には、まず、金属板30の第1面31にノボラック系ポジレジストであるSC500を塗布した。続いて、ポジレジストを140℃で600秒にわたって加熱して、第1レジスト層51を得た。その後、第1レジスト層51を露光及び現像することにより、図10に示す露出領域53を形成した。続いて、第1レジスト層51をマスクとして金属板30を第1面31側からエッチングして第1凹部50を形成した。第1凹部50の開口寸法S2は5.0μmであり、第1凹部50の深さH5は2.3μmであり、第1凹部50のピッチは8.0μmであった。
(Example 1)
First, a
続いて、第1凹部50に充填材52を充填し、充填材52を焼成した。充填材52としてはSC500を用いた。充填材52の焼成温度及び焼成時間は140℃及び600秒であった。
Subsequently, the first
続いて、金属板30の第2面32にレジスト層が設けられていない状態において、金属板30を第2面32側からエッチングする第2エッチング工程を実施して、金属板30に貫通孔40を形成した。エッチング液としては、塩化第2鉄溶液及び塩酸を含むものを用いた。エッチング液の温度は45℃であった。エッチング時間は、貫通孔40の第2面開口寸法S3が第1面開口寸法S2よりも1μm以上大きくなるよう、予め取得したエッチング条件データに基づいて決定した。
Subsequently, in a state where the
続いて、充填材52及び第1レジスト層51を除去した。このようにして得られた蒸着マスク20の貫通孔40の断面を観察した結果を、図23に示す。貫通孔40の断面を観察するための装置としては、ZEISS製の走査型電子顕微鏡 ULTRA55を用いた。図23に示す例において、貫通孔40の壁面41の第1壁面43及び第2壁面44には、深さ又は高さが100nm以下の微小な凹凸が見られた。
Subsequently, the
(実施例2)
第2エッチング工程のエッチング時間を実施例1の場合よりも長くしたこと以外は、実施例1の場合と同様にして、貫通孔40を作製した。また、実施例1の場合と同様にして、蒸着マスク20の貫通孔40の断面を観察した。結果を、図24に示す。
(Example 2)
A through-
(実施例3)
第2エッチング工程のエッチング時間を実施例2の場合よりも長くしたこと以外は、実施例1の場合と同様にして、貫通孔40を作製した。また、実施例1の場合と同様にして、蒸着マスク20の貫通孔40の断面を観察した。結果を、図25に示す。
(Example 3)
A through-
10 蒸着マスク装置
15 フレーム
20 蒸着マスク
201 第1面
202 第2面
21 耳部
22 中間部
23 有効領域
24 周囲領域
30 金属板
31 第1面
32 第2面
35 遮蔽部
40 貫通孔
41 壁面
411 第1端
412 第2端
43 第1壁面
44 第2壁面
45 突端
46 最小開口径部
50 第1凹部
51 第1レジスト層
52 充填材
53 露出領域
55 第2凹部
56 第2レジスト層
57 隙間
58 露出領域
80 蒸着装置
81 蒸着源
82 蒸着材料
83 ヒータ
85 磁石
90 蒸着基板
91 基板
92 蒸着層
93 電極
10 vapor
Claims (18)
前記金属板を前記第1面側からエッチングして、前記第1面に凹部を形成する第1エッチング工程と、
前記凹部に充填材を充填する充填工程と、
前記第2面が前記充填材の頂部よりも前記第1面側に位置するようになるまで前記金属板を前記第2面側からエッチングする第2エッチング工程と、
前記充填材を除去して、前記金属板に貫通孔を生じさせる充填材除去工程と、を備える、マスクの製造方法。 providing a metal plate including a first side and a second side opposite the first side;
a first etching step of etching the metal plate from the first surface side to form a recess in the first surface;
A filling step of filling the recess with a filler;
a second etching step of etching the metal plate from the second surface side until the second surface is positioned closer to the first surface than the top of the filler;
and a filling material removing step of removing the filling material to form through holes in the metal plate.
前記壁面は、前記金属板の厚み方向において前記第1端と前記第2端の間に位置し、最も小さい開口寸法を有する最小開口径部を含む、請求項1に記載のマスクの製造方法。 The through hole has a wall surface including a first end that is an end on the first surface and a second end that is an end on the second surface,
2. The method of manufacturing a mask according to claim 1, wherein said wall surface includes a minimum opening diameter portion located between said first end and said second end in the thickness direction of said metal plate and having the smallest opening dimension.
前記充填材焼成工程の前記充填材焼成温度は、前記第2面における前記貫通孔の開口寸法が前記第1面における前記貫通孔の開口寸法よりも大きくなるよう、予め取得された焼成条件データに基づいて決定される、請求項2に記載のマスクの製造方法。 The mask manufacturing method includes a filler baking step of baking the filler filled in the recess at a filler baking temperature,
The filler firing temperature in the filler firing step is set according to the firing condition data obtained in advance such that the opening dimension of the through hole on the second surface is larger than the opening dimension of the through hole on the first surface. 3. The method of manufacturing a mask according to claim 2, wherein the method is determined based on
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014148743A (en) | 2013-01-10 | 2014-08-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Metal plate, production method of metal plate, and production method of vapor deposition mask by using metal plate |
JP2016108643A (en) | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method of metal plate, and manufacturing method of vapor evaporation mask using metal plate |
JP2017166029A (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask and vapor deposition mask intermediate |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154461A (en) * | 1996-09-30 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | Manufacture of shadow mask and etching-resistant layer coating device used for it |
-
2019
- 2019-03-25 JP JP2019057308A patent/JP7196717B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014148743A (en) | 2013-01-10 | 2014-08-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Metal plate, production method of metal plate, and production method of vapor deposition mask by using metal plate |
JP2016108643A (en) | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method of metal plate, and manufacturing method of vapor evaporation mask using metal plate |
JP2017166029A (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask and vapor deposition mask intermediate |
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