JP7153985B2 - 静電容量型デバイスおよび圧電型デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、静電容量型デバイスおよび圧電型デバイスに関し、より詳しくは、インピーダンス整合用の送受信板を備えた静電容量型デバイスおよび圧電型デバイスに関するものである。
超音波トランスデューサ素子は、超音波撮像装置の超音波探触子(プローブ)内に組み込まれ、超音波を送受信することにより、例えば人体内の腫瘍の診断や、建造物に発生した亀裂の非破壊検査などといった様々な用途に用いられている。
従来、この種の超音波撮像装置の探触子には、電気音響交換素子としてPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などに代表される圧電セラミックスが用いられてきたが、近年、圧電セラミックスよりも広い帯域特性を有する容量検出型の超音波トランスデューサ(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer;以下、CMUTと略称する)が注目され、研究開発が進められている(特許文献1~特許文献3)。
上記CMUTの基本的な構造は、下部電極とその上部に配置した上部電極との間の絶縁層に空洞部(キャビティ)を設け、空洞部の上部の絶縁層と上部電極とをメンブレン(ダイヤフラムとも言う)として機能させるものである。超音波を発信する際は、上部電極と下部電極との間に直流電圧と交流電圧とを重畳して印加し、その際に両電極間に生じる静電気力によってメンブレンを交流電圧の周波数で振動させる。一方、受信の際は、メンブレンの表面に到達した超音波の圧力によってメンブレンを振動させ、その際に生じる両電極間の距離の変化を容量変化として電気的に検出する。
特開2013-146478号公報 特開2009-194934号公報 特開2009-055474号公報
超音波を利用した非破壊検査においては、超音波の伝搬効率を良くするために、被検物を水中に浸漬して検査を行うことが多い。
ところが、被検物の多くは、水中において膨潤や浸水が原因となって状態が変化してしまうため、被検物を空気中で検査するニーズがある。
しかしながら、空気中を伝搬する超音波の受信素子への音響伝搬効率は0.001%と低いため、これが空気中での高精度な検査の妨げとなっている。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
代表的な実施の形態による静電容量型デバイスは、CMUTと、前記CMUTのメンブレンの上部に形成された第1面積の接続部と、前記接続部を介して前記CMUTの上方に形成された、前記第1面積よりも大きい第2面積の送受信板と、を備える。
本発明によれば、空気中での音響伝搬効率が向上した静電容量型デバイスを実現することができる。
実施の形態1の静電容量型デバイスの単位構造を示す断面図である。 実施の形態1の静電容量型デバイスの単位セルをアレイ状に配置した複合構造の静電容量型デバイスの一例を示す平面図である。 図2のIII-III線断面図である。 図1の単位セルをアレイ状に配置した複合構造の静電容量型デバイスの他の例を示す平面図である。 実施の形態2の静電容量型デバイスの単位構造を示す概略断面図である。 実施の形態2の静電容量型デバイスにおける送受信板の平面構造の一例を示す平面図である。 実施の形態2の静電容量型デバイスにおける送受信板の平面構造の他の例を示す平面図である。 実施の形態2の静電容量型デバイスにおける送受信板の平面構造の他の例を示す平面図である。 実施の形態2の静電容量型デバイスにおける送受信板の平面構造の他の例を示す平面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態1の静電容量型デバイス10の単位構造を示す断面図である。静電容量型デバイス10は、CMUT(超音波トランスデューサ)で構成された単位セル11と、接続部12を介して単位セル11の上部に設けられたインピーダンス整合用の送受信板13とを備えている。
単位セル(CMUT)11は、単結晶シリコンからなる基板101上に絶縁膜102を介して形成された下部電極103と、下部電極103上に形成された2層の絶縁膜104、106と、2層の絶縁膜104、106の間に形成された空隙によって構成される空洞部110と、空洞部110の上方に絶縁膜106を介して形成された上部電極107と、上部電極107の上部に形成された3層の絶縁膜108、111、112と、を備えている。絶縁膜104、106、108、111、112は、酸化シリコン膜からなる。
ここで、絶縁膜106、108、111、112および上部電極107のうち、空洞部110の上方に位置している部分は、超音波の送受信時に振動するメンブレン120として機能する。また、絶縁膜106、108、111、112のうち、メンブレン120として機能する領域を囲んでいる部分は、メンブレン120を支持する固定部として機能する。
上記絶縁膜104、106、108、111、112を開口して形成した接続孔113の底部には、下部電極103の一部によって構成された外部接続用のパッド115が露出しており、絶縁膜108、111、112を開口して形成した接続孔114の底部には、上部電極107の一部で構成された外部接続用のパッド116が露出している。単位セル11には、これらのパッド115、116に接続された導体層(図示省略)を通じて外部の電源から直流電圧および交流電圧が印加される。
下部電極103は、絶縁膜102の上部にアルミニウム合金膜などの金属膜を堆積することにより形成する。また、上部電極107は、絶縁膜106の上部にアルミニウム合金膜などの金属膜を堆積した後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてこの金属膜をパターニングすることにより形成する。
空洞部110は、絶縁膜104の上部に多結晶シリコン膜や金属膜などからなるダミーパターン(図示せず)を形成した後、絶縁膜106、108に形成した開口109を通じてダミーパターンの表面にウェットエッチング液を接触させてダミーパターンを溶解させることにより形成する。空洞部110の平面形状は、例えば矩形であるが、円形、楕円形、多角形などであってもよい。
単位セル11の上部の接続部12は、例えばウェットエッチング液に対するエッチング選択比が絶縁膜112とは異なる絶縁膜(例えば窒化シリコン膜)からなり、絶縁膜112上にこの絶縁膜と送受信板13を構成する薄膜とを堆積した後、絶縁膜と絶縁膜112のエッチングレートの差を利用してパターニングすることにより形成する。
接続部12を介して単位セル11の上部に設けられた送受信板13は、アルミニウム合金などの導電膜でも絶縁膜であってもよいが、密度が低く、ヤング率が高い材料が好ましい。送受信板13の平面形状は、例えば矩形であるが、円形、楕円形、多角形などであってもよい。
なお、上述した単位セル11を構成する電極材料や絶縁膜材料は、好ましい一例であって、これらに限定されるものではなく、半導体製造プロセスで使用される種々の材料が使用可能である。すなわち、下部電極103、上部電極107および送受信板13としてはアルミニウム合金以外の金属材料、例えばW、Ti、TiN、Al、Cr、Pt、Auや、不純物を高濃度にドープした多結晶シリコンやアモルファスシリコンなどを使用することもできる。また、酸化シリコン膜からなる絶縁膜に代えて、酸窒化シリコン膜、酸化ハフニウム膜、シリコン-ドープド酸化ハフニウム膜などを使用することもできる。
本実施の形態1の静電容量型デバイス10の特徴は、単位セル11を構成するCMUTのメンブレン120と送受信板13とが送受信板13よりも面積の小さい接続部12を介して接続されていることにある。送受信板13の面積は、接続部12の面積よりも大きいことが条件であるが、音響伝搬効率の向上の観点からは、空洞部110の面積よりも大きいことが望ましい。
ここで、空気のインピーダンスをZ(=00044Mrayls)とし、CMUTで構成された単位セル11のインピーダンスをZ(一般的なCMUTの場合=数Mrayls程度)とすると、空気中を伝搬して静電容量型デバイス10の表面で反射する音の反射率(R)は、R=(Z-Z)/(Z+Z)で表される。すなわち、反射率(R)は、Z-Zが小さいほど(言い換えると、ZがZに近づくほど)、小さくなる。
従って、単位セル11の上部に接続部12を介して接続部12よりも大面積の送受信板13を設けた本実施の形態の静電容量型デバイス10によれば、見かけの空気の密度が大きくなり、空気のインピーダンス(=密度×速度)Zが高くなるので、CMUT(単位セル11)単独で構成された送受信素子に比べて反射率(R)が小さくなる結果、音響伝搬効率の高い送受信素子として機能することができる。
実際の静電容量型デバイス10は、上記した単位セル11と接続部12と送受信板13とからなる単位構造が基板101の主面の一方向あるいは互いに直交する二方向に沿って多数配置された複合構造を有している。
例えば、図2および図3(図2のIII-III線断面図)に示す複合構造の静電容量型デバイス10は、共通に基板101上に多数の単位セル11をアレイ状に形成し、これら多数の単位セル11の上部に1枚の送受信板13を設けると共に、それぞれの単位セル11と送受信板13とを単位セル11よりも小面積の接続部12で接続したものである。
また、図4に示す静電容量型デバイス10のように、図1に示した単位構造を所定間隔を置いてアレイ状に配置した複合構造を採用することもできる。この場合は、図2および図3に示す複合構造に比べてアレイ化が容易になる利点がある。また、図2および図3に示す複合構造に比べて送受信板13が小型化されるので、横波の抑制が容易になると共に、周波数設計も容易になる利点がある。
(実施の形態2)
図5は、本実施の形態2の静電容量型デバイス20の単位構造を示す概略断面図である。本実施の形態2の静電容量型デバイス20の特徴は、送受信板13の一端が接続部12と同層の絶縁膜からなる固定部14を介して単位セル11に支持されている点にある。また、CMUTとして機能する空洞部110およびその上部のメンブレン120(図1参照)と接続部12は、送受信板13の中央部よりも固定部14に近接した位置に配置されている。すなわち、空洞部110、メンブレン120および接続部12は、送受信板13の他端(図5の右端)側に比べて変形し難い固定部14側(図5の左側)に近接した位置に配置されている。
上記のように構成された本実施の形態の静電容量型デバイス20によれば、音波を受信する際の送受信板13の変位を小さくすることができるので、前記実施の形態1の静電容量型デバイス10に比べて高感度な受信が可能となる。
また、本実施の形態2の静電容量型デバイス20の単位構造も、前記実施の形態1の静電容量型デバイス10の単位構造と同じく、単位セル11を構成するCMUTのメンブレン120と送受信板13とが送受信板13よりも面積の小さい接続部12を介して接続されているので、音響伝搬効率の高い送受信素子として機能することができる。
送受信板13の平面形状は、例えば矩形であるが、これに限定されるものではなく、例えば、図6に示すような螺旋形状とした場合には、単位セル11に比べて大面積の送受信板13を実現することができる。
また、前記実施の形態1の静電容量型デバイス10と同様、実際の静電容量型デバイス20は、上記した単位セル11と接続部12と送受信板13とからなる単位構造と固定部14とが基板101の主面の一方向あるいは互いに直交する二方向に沿って多数配置された複合構造を有している。
この場合も、例えば、図7に示すように、複数の送受信板13を櫛歯状に配置したり、図8に示すように、1枚の送受信板13をドーナッツ状に配置したり、図9に示すように、共通の固定部14の周囲に複数の送受信板13を放射状に配置したりするなど、種々の変形が可能である。
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
前記実施の形態1の静電容量型デバイス10や実施の形態2の静電容量型デバイス20は、CMUTで構成された単位セル11の上部に接続部12を介して送受信板13を設けているが、例えば、圧電素子のようなCMUT以外の送受信素子の上部に接続部を介して送受信板を設けてもよい。
圧電素子は、CMUTに比べて音響伝搬効率は低いが、圧電素子の上部に接続部を介して送受信板を設けた場合には、圧電素子単独での使用に比べて音響伝搬効率を向上させることができる。
10 静電容量型デバイス
11 単位セル
12 接続部
13 送受信板
14 固定部
20 静電容量型デバイス
101 基板
102 絶縁膜
103 下部電極
104 絶縁膜
106 絶縁膜
107 上部電極
108 絶縁膜
109 開口
110 空洞部
111 絶縁膜
112 絶縁膜
113 接続孔
114 接続孔
115 パッド
116 パッド
120 メンブレン

Claims (4)

  1. 基板、前記基板上に形成された下部電極、前記下部電極上に順次形成された第1絶縁膜と第2絶縁膜との間に設けられた空洞部、前記空洞部の上方に形成された上部電極、前記上部電極上に形成された第3絶縁膜、および前記空洞部上の前記第2絶縁膜と前記第3絶縁膜とによって構成されるメンブレン、を有する超音波トランスデューサと、
    前記メンブレンの上部に形成された第1面積の接続部と、
    前記接続部を介して前記超音波トランスデューサの上方に形成された、前記第1面積よりも大きい第2面積の送受信板と、
    を備え、
    前記送受信板の前記第2面積は、前記空洞部の面積よりも大きく、
    前記送受信板の一部が固定部を介して前記超音波トランスデューサに固定されており、
    前記空洞部、前記メンブレンおよび前記接続部は、前記送受信板の中央部よりも前記固定部に近接した位置に配置され、
    前記送受信板の平面形状は、螺旋形状である、静電容量型デバイス。
  2. 請求項1記載の静電容量型デバイスにおいて、
    アレイ状に配置された複数の前記超音波トランスデューサと、前記複数の前記超音波トランスデューサのそれぞれの上方に形成された前記送受信板とが、前記送受信板よりも面積の小さい前記接続部を介して接続されている、静電容量型デバイス。
  3. 圧電素子と、
    前記圧電素子の上方に形成された第1面積の接続部と、
    前記接続部を介して前記圧電素子の上方に形成された、前記第1面積よりも大きい第2面積の送受信板と、
    を備え、
    前記送受信板の一部が、固定部を介して前記圧電素子に固定されており、
    前記圧電素子は、前記送受信板の中央部よりも前記固定部に近接した位置に配置され、
    前記送受信板の平面形状は、螺旋形状である、圧電型デバイス。
  4. 請求項3記載の圧電型デバイスにおいて、
    アレイ状に配置された複数の前記圧電素子と、前記複数の前記圧電素子のそれぞれの上方に形成された前記送受信板とが、前記送受信板よりも面積の小さい前記接続部を介して接続されている、圧電型デバイス。
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