JP7150582B2 - 回転操作ユニットおよび電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、ユーザが回転操作を行う回転操作部材を備えた回転操作ユニットおよび電子機器に関する。

デジタルカメラ等の撮像装置では、ユーザがダイヤル等の回転操作部材を回転操作することにより、撮影条件の設定や機能の選択を行うことが可能である。従来、回転操作部材の回転を検出する方法として、磁気センサを用いて回転操作部材の回転を検出する方法が知られている。例えば特許文献１には、回転操作部材と一体的に回転するように構成された、円周方向にＳ極とＮ極とが交互に着磁されたリング状の回転磁石とＧＭＲセンサとを用いて、回転方向および回転量を検出する回転操作ユニットが開示されている。

特開２０１３－０７３７２６号公報

しかしながら、特許文献１に開示された回転操作ユニットは、電子機器内に配置された別のセンサや外部の電子機器に対して、回転磁石で発生した漏れ磁束により影響を与える可能性がある。また、漏れ磁束による影響を低減するために磁気シールド板を配置すると、回転操作ユニットおよび電子機器が大型化する。

そこで本発明は、小型で信頼性が高い回転操作ユニットおよび電子機器を提供することを目的とする。

本発明の一側面としての回転操作ユニットは、回転操作可能な第一の回転操作部材と、前記第一の回転操作部材と一体的に回転する第一の磁石と、回転操作可能な第二の回転操作部材と、前記第二の回転操作部材と一体的に回転する第二の磁石と、前記第一の磁石および前記第二の磁石のそれぞれ発生する磁気を検出する磁気センサとを有し、前記磁気センサは、前記第一の磁石からの第一の方向の第一の磁気および第二の方向の第二の磁気を検出し、前記第二の磁石からの第三の方向の第三の磁気および第四の方向の第四の磁気を検出し、前記第一の方向と前記第三の方向とがなす第一の角度は、前記第二の方向と前記第四の方向とがなす第二の角度よりも大きい。

本発明の他の側面としての電子機器は、前記回転操作ユニットを有する。

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施形態において説明される。

本発明によれば、小型で信頼性が高い回転操作ユニットおよび電子機器を提供することができる。

本実施形態における電子機器の外観図である。 本実施形態における電子機器のブロック図である。 本実施形態における回転操作ユニットの分解斜視図である。 本実施形態における回転操作ユニットの断面図である。 本実施形態における磁石と三軸磁気センサの関係図である。 本実施形態における磁場の変化と三軸磁気センサの出力信号との関係図である。 本実施形態における磁場の変化と三軸磁気センサの出力信号との関係図である。 本実施形態における磁場の変化と三軸磁気センサの出力信号との関係図である。 本実施形態における三軸磁気センサ、磁石、および、磁石保持部材の配置関係を示す図である。 本実施形態における複数の回転操作部材を有する撮像装置の斜視図である。 本実施形態における複数の回転操作部材を有する回転操作ユニットの斜視図である。 本実施形態における複数の磁石と三軸磁気センサとの配置関係を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態における電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、ユーザにより操作可能な回転操作部材を有する。なお本実施形態では、電子機器として撮像装置の例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の電子機器にも適用可能である。

（撮像装置の外観図）
図１は、本実施形態における撮像装置１００の外観図である。図１（ａ）は撮像装置１００の前面斜視図、図１（ｂ）は撮像装置１００の背面斜視図をそれぞれ示している。シャッターボタン６１は、撮影指示を行うための操作部である。モード切り替えスイッチ６０は、各種モードを切り替えるための操作部である。ダイヤル４００は回転操作部材である。ユーザがダイヤル４００を回すことにより、シャッタ速度や絞りなどの各種設定値を変更することができる。電源スイッチ７２は、撮像装置１００の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える操作部材である。液晶画面４０は、ＴＦＴ液晶や有機ＥＬを用いた表示装置であり、撮像装置１００の各種設定画面や撮影画像を表示する。

回転操作ユニット２００は、回転操作部材２０１と押しボタン２７０とを備えて構成される。回転操作部材２０１は、時計周り方向および反時計周り方向（円周方向、回転方向）に突き当たることなく回転操作可能なダイヤル状の操作部材であり、撮影モード選択や測距点選択、画像再生選択、メニュー操作などの種々の操作に用いられる。ユーザは、回転操作部材２０１を回転操作することにより、選択枠の移動や画像送りなどを行うことができる。押しボタン２７０は、押圧して操作を行うボタンであり、主に選択項目の決定などに用いられる。

通信端子１０は、撮像装置１００が不図示の撮影レンズ（撮像装置本体に着脱可能なレンズ装置）と通信を行う。接眼ファインダ１６は、不図示のフォーカシングスクリーンを観察することで、不図示のレンズユニットを通して得えられた被写体の光学像の焦点や構図の確認を行うための覗き込み型のファインダである。

（撮像装置のブロック図）
図２は、撮像装置１００のブロック図である。ＲＯＭ（不揮発性メモリ）１０１は、後述するＣＰＵ１５０により実行されるプログラムを格納している。なお本実施形態において、ＲＯＭ１０１はＦｌａｓｈ－ＲＯＭであるが、不揮発性メモリであれば他のメモリを用いてもよい。ＲＡＭ１０２は、撮像装置１００により撮影される画像バッファや画像処理された画像データを一時的に記憶する機能と、ＣＰＵ１５０により用いられるワークメモリとしての機能を有する。なお本実施形態において、ＲＡＭ１０２がこれらの機能を有するが、アクセス速度が十分であれば他のメモリを用いてもよい。

電源部１０５は、撮像装置１００の電源ユニットである。電源部１０５は、電池やＡＣアダプタなどを備えて構成され、直接またはＤＣ－ＤＣコンバータ（不図示）などを介して、撮像装置１００の各部に電源を供給する。電源スイッチ７２は、撮像装置１００に設けられた電源操作部である。本実施形態において、電源スイッチ７２は、図１に示されるように機械的にオン／オフの位置を変更する構造を有する。ただし、電源スイッチ７２はこのような構造に限定されるものではなく、プッシュスイッチや電気的スイッチなどであってもよい。電源スイッチ７２がオフの状態では、電源部１０５が撮像装置１００の内部に挿入されている状態でも撮像装置１００は動作せず、撮像装置１００は消費電力の少ない状態を保持する。一方、電源スイッチ７２がオンの状態であって、かつ電源部１０５が撮像装置１００の内部に挿入されると、撮像装置１００は動作可能である。

ＣＰＵ１５０は、撮像装置１００を統括的に制御する制御部であり、撮像装置１００としての基本機能である撮像機能を実現する。またＣＰＵ１５０、後述のホールＩＣ検出方式の回転操作部材２０１の検出結果に応じて、撮像装置１００のモード切り替えや液晶画面（表示部）４０の表示更新等を行う。

タイマ１５１は、任意の時間を測定することが可能なタイマ機能を有する。なお図２では、タイマ１５１がＣＰＵ１５０に内蔵されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、タイマ１５１が外付けされる構成であってもよい。タイマ１５１は、ＣＰＵ１５０の指示に応じて、時間測定を開始し、時間測定を終了する。またタイマ１５１は、常に動作し、所定時間間隔で定期的にＣＰＵ１５０に割り込みを発生させる機能を有する。カウンタ１５２は、回転操作部材２０１および回転操作部材４００の操作回数を数える（カウントする）ためのカウンタ機能を有する。なお図２では、カウンタ１５２がＣＰＵ１５０に内蔵されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、カウンタ１５２が外付けされる構成であってもよい。また図２において、カウンタ１５２は、回転操作部材２０１、４００の操作回数をカウントするが、任意の操作部の操作回数をカウントすることも可能である。

三軸磁気センサ２４１は、特定の３方向の磁場を検出可能な磁気センサＩＣ（ホールＩＣ）である。本実施例において、三軸磁気センサ２４１は、磁場検出部１２１、１２２、１２３を有する。磁場検出部（第一の検出部）１２１は、Ｘ軸方向（第一の軸の方向）の磁場（磁気）を検出する。磁場検出部（第二の検出部）１２２は、Ｙ軸方向（第二の軸の方向）の磁場（磁気）を検出する。磁場検出部（第三の検出部）１２３は、Ｚ軸方向（第三の軸の方向）の磁場（磁気）を検出する。このような構成により、三軸磁気センサ２４１は、互いに直交する３方向の磁場を検出することができる。なお図２では、三軸磁気センサ２４１はＣＰＵ１５０に外付けされているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＣＰＵ１５０に内蔵されている三軸磁気センサを用いてもよい。ＣＰＵ１５０は、任意のタイミングで、三軸磁気センサ２４１により検出された磁場の磁束密度を読み出すことが可能である。

磁石（磁場生成部材）２５１は、リング状の永久磁石であり、円周方向（回転方向）にＳ極とＮ極とが交互に一定のピッチで着磁されている。なお、詳細は図３以降を参照して説明するが、磁石２５１は、回転操作部材２０１と一体的に回転する。三軸磁気センサ２４１は、磁束密度（磁場）の変化を検出する。ＣＰＵ（算出手段）１５０は、磁束密度の変化に応じて（第１の方向の磁場の変化量と第２の方向の磁場の変化量とに応じて）、回転操作部材２０１の回転方向および回転量を算出する。また磁石（磁場生成部材）４５１は、回転操作部材４００と一体的に回転し、回転操作部材２０１と同様に、ＣＰＵ１５０は三軸磁気センサ２４１を用いて回転操作部材４００の回転方向および回転量を算出する。

（回転操作ユニット２００の説明）
次に、図３および図４を参照して、回転操作ユニット２００の構成について説明する。図３は、回転操作ユニット２００の分解斜視図である。図４は、回転操作ユニット２００の断面図である。図４（ａ）は、後述のボール部材２１１の中心を通る断面、図４（ｂ）は三軸磁気センサ２４１の中心を通る断面をそれぞれ示している。

回転操作部材２０１は、ユーザが時計回り方向または反時計回り方向に回転操作を行うための操作部材である。ベース部材２１０は、回転操作部材２０１を回転可能に保持している。ベース部材２１０は、３か所の固定部２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃにおいて、撮像装置１００の背面カバー１１０（図３および図４では不図示）に固定される。磁石保持部材２３０は、回転操作部材２０１の裏面にビス２３１により固定されている。磁石保持部材２３０は、磁石２５１を回転可能に保持するとともに、回転操作部材２０１の回転に応じてクリック感を発生させる凹凸部２３０ｆを有する。

磁石２５１は、Ｎ極とＳ極とが交互に等ピッチで分極されている。磁石２５１は、Ｎ極およびＳ極のそれぞれに着磁面２５１ａが設けられており、着磁面２５１ａに垂直方向に磁場が発生する。磁石２５１は、回転操作部材２０１に対して所定の角度となるように固定されている。磁石保持部材２３０および磁石２５１は、回転操作部材２０１の回転動作により、一体的に回転する。

ボール部材２１１は、回転操作部材２０１の回転軸と直交する方向に、進退可能にベース部材２１０のボール保持部２１０ｄに保持されている。ばね部材２１２は、ボール部材２１１を磁石保持部材２３０の凹凸部２３０ｆに当接する方向に付勢している。凹凸部２３０ｆは、凹部２３０ｇと凸部２３０ｈとが交互に等ピッチで形成されている。ユーザが回転操作部材２０１を回転させると、ボール部材２１１はボール保持部２１０ｄ内で凹凸部２３０ｆに沿って進退し、クリック感が発生する。

三軸磁気センサ２４１は、互いに直交する３つの方向の磁場の強さを検出することが可能である。三軸磁気センサ２４１は、基板２４０の上に実装される。基板２４０には、基板位置決め穴２４０ａ、２４０ｂが形成されている。基板２４０は、三軸磁気センサ２４１が磁石２５１の着磁面２５１ａと対向する位置となるように、基板位置決め穴２４０ａ、２４０ｂが基板固定板２５０のボス２５０ｄ、２５０ｅとそれぞれ嵌合して位置決めされる。このような構成により、三軸磁気センサ２４１は、磁石２５１の着磁面２５１ａから発生した磁場を検出することができる。なお、この検出方法については後述する。

基板固定板２５０には、３か所の取付部２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃが設けられている。取付部２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃは、ベース部材２１０の固定部２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃと共に、ビス２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃにより背面カバー１１０に締結されて固定される。

回転操作部材２０１が操作されると、磁石２５１が一体的に回転し、三軸磁気センサ２４１に生じる磁場が変化する。三軸磁気センサ２４１がこの磁場変化を検出することにより、回転操作部材２０１の回転動作を検出することができる。

押しボタン２７０は、回転操作部材２０１の操作と合わせて用いられる。例えば、回転操作部材２０１の操作により操作メニューを選択し、押しボタン２７０の操作により選択された操作メニューを決定する。押しボタン２７０は、回転操作部材２０１の回転軸方向に摺動可能に保持されている。押しボタン２７０が押された際には、押しボタン２７０によりスイッチラバー２８０が付勢され、スイッチラバー２８０の導電部２８１が基板内に設けられた電極パッドと接触する。これにより、押しボタン２７０の操作を検出することができる。

なお、図３を参照して説明したクリック感は発生させる機構は、後述の回転操作部材４００、５００のそれぞれにも同様に設けられている。

（三軸磁気センサ２４１による磁場の検出）
次に、図５を参照して、磁石２５１が発生させる磁場、および、三軸磁気センサ２４１による磁場の検出について説明する。図５は、磁石２５１と三軸磁気センサ２４１との関係を示す図である。図５（ａ）は、磁石２５１と三軸磁気センサ２４１をそれぞれ回転操作部材２０１の回転軸方向（ダイヤル回転軸方向）から見た図である。図５（ｂ）は、磁石２５１と三軸磁気センサ２４１をそれぞれ回転軸に垂直な方向（図５（ａ）中の矢印Ｃの方向）から見た断面図である。

磁石２５１は、Ｎ極１０極、Ｓ極１０極の計２０極に等ピッチで分極されている。磁石２５１の着磁面２５１ａにはホールＩＣ２４１が配置され、磁石２５１の幅の中心とホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとが一致している。磁石２５１の内側に設けられた位置決め部２５２は、頂点２５２ａと端点２５２ｂとで構成されている。位置決め部２５２の頂点２５２ａは、磁石２５１のＳ極とＮ極との境界上に一致するように設けられている。このとき、位置決め部２５２は、位置決め部２５２の頂点２５２ａを境として、円環状に等ピッチで分極された磁極と一致するように分極されている。

磁石２５１は、Ｎ極１０極、Ｓ極１０極の計２０極に等ピッチで分極されている。磁石２５１の着磁面２５１ａには三軸磁気センサ２４１が配置され、磁石２５１の幅の中心と三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａとが一致している。

三軸磁気センサ２４１は、磁石２５１の中心軸方向（ダイヤル回転軸方向（図５（ｂ）中の矢印Ａの方向））と磁石２５１の円の接線方向（図５（ｂ）中の矢印Ｂの方向）のそれぞれの磁場の磁束密度を検出し、それぞれの磁場の状態を表す所定の信号を出力する。なお、三軸磁気センサ２４１の出力信号の詳細については後述する。

図５（ｃ）、（ｄ）は、磁石２５１をダイヤル回転軸に直交する方向（図５（ａ）中の矢印Ｃの方向）から見て、三軸磁気センサ２４１付近を拡大した図である。図５（ｃ）は、三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａとＳ極の中心とが左右方向において一致している状態を示している。図５（ｄ）は、図５（ｃ）の状態から磁石２５１がダイヤル回転軸を中心に回転し、三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａとＳ極Ｎ極との境界が一致している状態を示している。

磁石２５１は、極異方性の配向を有するように着磁されている。すなわち、磁石２５１の内部における磁場の方向は、着磁面２５１ａに垂直な直線とならない。磁石内磁場２５４は、着磁面２５１ａのＳ極から垂直に立上った後に弧を描いてＮ極に向かい、着磁面２５１ａのＮ極において再び垂直方向となる。一方、磁石外磁場は、Ｎ極から垂直に立上った磁束が弧を描いてＳ極に向かう。同様に、図５（ｅ）は三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａとＮ極中心が図中の左右方向で一致している状態を示す。図５（ｆ）は、検出部２４１ａが図５（ｄ）の状態から１磁極分回転し、Ｓ極とＮ極とが入替った状態を示す。ここで、図５（ａ）中の矢印Ａの方向をＺ軸、Ｚ軸方向の磁場を縦磁場２５３ａとそれぞれ定義する。また、図５（ａ）中の矢印Ｂの方向をＹ軸、Ｙ軸方向の磁場を横磁場２５３ｂとそれぞれ定義する。

このとき図５（ｃ）の状態では、三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａは縦磁場２５３ａを検出し、横磁場２５３ｂを検出しない。一方、図５（ｄ）の状態では、検出部２４１ａは、横磁場２５３ｂを検出し、縦磁場２５３ａを検出しない。また、図５（ｃ）から図５（ｄ）に至る途中の状態では、検出部２４１ａは、縦磁場２５３ａおよび横磁場２５３ｂのそれぞれを回転状態に応じた強さで検出する。すなわち、図５（ｃ）は縦磁場２５３ａが最大で縦磁場２５３ａがゼロの状態、図５（ｄ）は縦磁場２５３ａがゼロで縦磁場２５３ａが最大の状態を示している。磁石２５１をダイヤル回転軸回りに回転させると、三軸磁気センサ２４１の検出部２４１ａで検出される縦磁場２５３ａおよび横磁場２５３ｂはそれぞれ、ゼロから最大値の間で回転状態に応じた値をとる。

（ダイヤル回転時における磁場の変化と三軸磁気センサ２４１の出力信号）
次に、図６を参照して、ダイヤル回転時における磁場の変化と三軸磁気センサ２４１の出力信号との関係について説明する。図６は、磁場の変化と三軸磁気センサ２４１の出力信号との関係を示す図である。図６（ａ）は、縦磁場および横磁場のそれぞれの強さとそれを検出した三軸磁気センサ２４１の出力の関係を示すグラフである。図６（ａ）において、横軸は回転操作部材２０１の回転角度、縦軸は磁場強度または信号出力値を示す。

前述のように、本実施形態の回転操作ユニット２００は、凹凸部２３０ｆとボール部材２１１とばね部材２１２とによるクリック機構を有し、回転操作部材２０１の回転操作は１クリックを基本単位として行われる。図６（ａ）の横軸に示されるＩからＩＶはクリック位置を表し、それぞれの間は１クリック分の角度である。また、ＩからＩＶで示されているクリック位置は、ボール部材２１１が凹部２３０ｇと接触している状態である。

図６（ａ）のグラフ上部には縦横磁束密度（縦磁束密度３０１および横磁束密度３０２）が示されている。縦磁束密度３０１は、三軸磁気センサ２４１で検出された磁場の縦磁場２５３ａ（図５（ｃ）参照）の磁束密度を表している。横磁束密度３０２は、三軸磁気センサ２４１で検出された磁場の横磁場２５３ｂの磁束密度を表している。ここでは、回転操作部材２０１を一定の速度で時計回り方向に回転させている場合を想定しており、図５（ａ）から明らかなように、それぞれの磁束密度はゼロを中心として最大値と最小値の間で周期的に変化する。回転角度Ｉの状態で、状態３０１ａのように、縦磁束密度３０１は最大値をとる。また、同じ状態（状態３０２ａ）において、横磁束密度３０２はゼロとなる。これは、図５（ｃ）に示されるように、三軸磁気センサ２４１で検出される磁場が矢印Ａの方向の成分のみで、矢印Ｂの方向の成分がないことを意味する。

この状態から回転操作部材２０１が回転して状態３０１ｂになると、縦磁束密度３０１はゼロになり、また、同じ状態（状態３０２ｂ）で横磁束密度３０２は最小値を取る。これは、図５（ｄ）に示されるように、三軸磁気センサ２４１で検出される磁場が矢印Ａの方向の成分を含まず、矢印Ｂの方向の成分のみ、かつ矢印Ｂとは反対向きであることを意味する。

さらに回転操作部材２０１が回転して状態３０１ｃ、３０２ｃになると、図５（ｅ）に示されるように、三軸磁気センサ２４１で検出される磁場は矢印Ａと反対向きの成分のみで、矢印Ｂの方向の成分がない状態となる。この状態になると、回転角度Ｉから回転角度ＩＩまで１クリック分回転操作部材２０１が回転したことになる。また、状態３０１ｄ、３０２ｄまで進むと、図５（ｆ）に示されるように矢印Ａの方向の成分がなく、矢印Ｂの方向の成分のみが三軸磁気センサ２４１で検出されている状態となる。

図５（ｃ）～（ｆ）の４つの状態の間では、縦磁束密度３０１および横磁束密度３０２はそれぞれ、回転操作部材２０１の回転角度に応じた値を取る。前述のように、回転操作部材２０１が１クリック分だけ動くと、磁石２５１は１磁極分回転し、縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２が１／２周期分変化する。縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２はそれぞれ１／２周期だけ変化するが、着磁ピッチ分ずれた周期的な信号となる。これらの２つの信号の極大値の現れる順番や回数を検出することで、回転操作部材２０１の回転量と回転方向を求めることができる。

次に、三軸磁気センサ２４１の出力信号について説明する。縦磁束密度３０１、横磁束密度３０２のグラフと重なるように示されているのが、三軸磁気センサ２４１の上側閾値３０７ａと下側閾値３０７ｂである。三軸磁気センサ２４１は、検出部２４１ａを通過する磁束を定期的にサンプリングしている。そして、検出された縦横の磁束密度が上側閾値３０７ａを上回った場合、または下側閾値３０７ｂを下回った場合、三軸磁気センサ２４１は、縦横磁場信号（縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４）およびを変化させる。以下、これについて詳述する。

縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４は、縦磁束密度３０１および横磁束密度３０２にそれぞれ対応する信号である。それぞれの磁束密度が上側閾値３０７ａを上回った場合、信号がＨ（Ｈｉ）からＬ（Ｌｏ）に変化する。一方、それぞれの磁束密度が下側閾値３０７ｂを下回った場合、信号がＬからＨに変化する。前述のいずれにも該当しない場合、現在の値が保持される。

図６（ａ）の回転角度Ｉの状態において、縦磁束密度３０１は、上側閾値３０７ａを上回っている。このため、縦磁場信号３０３はＬとなっており、横磁束密度３０２は上側閾値３０７ａを上回った後、下側閾値３０７ｂを下回る状態まで進んでいない。そのため、こちらもＬとなっている。この状態から回転操作部材２０１が回転し、三軸磁気センサ２４１は定期的に磁束密度のサンプリングを行い、縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４を更新し続け、点３０２ｅで示す点に至る。このとき、横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回り、その直後の回転角度Ｉａのサンプリングで三軸磁気センサ２４１が磁束密度を検出する。そして、横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回ったことを検出し、横磁場信号３０４をＬからＨに変化させる。この時点では、縦磁束密度３０１は下側閾値３０７ｂを下回っていないため、縦磁場信号３０３はＬのままである。

回転操作部材２０１が更に回転して点３０１ｅを超えると、縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回る。この直後の回転角度Ｉｂの状態で、三軸磁気センサ２４１は磁束密度を検出する。そして、縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回ったことを検出し、縦磁場信号３０３をＬからＨに変化させる。この時点では、横磁束密度３０２は上側閾値３０７ａを上回っていないため、横磁場信号３０４はＨのままである。

回転操作部材２０１が回転して点３０２ｆに至ると、横磁束密度３０２が上側閾値３０７ａを超える。直後の回転角度ＩＩａのサンプリング時に横磁場信号３０４はＨからＬに変化し、縦磁場信号３０３はＨのままである。更に進んで点３０１ｆに至ると、縦磁束密度３０１は上側閾値３０７ａを超え、直後の回転角度ＩＩｂのサンプリング時に縦磁場信号３０３がＨからＬとなり、横磁場信号３０４は引き続きＬのままである。

このように、回転操作部材２０１と一体的に磁石２５１が等速回転することにより、三軸磁気センサ２４１からは、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４という縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２と同一周期の矩形信号が出力される。このような構成により、アナログ波形の縦磁束密度３０１および横磁束密度３０２がそれぞれ矩形波となるため、ＣＰＵ１５０で容易に処理を行うことが可能となる。

ここで、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の排他的論理和（ＸＯＲ）を取ることを考えると、パルス信号３０５で示されるような信号が得られる。図６（ａ）から明らかなように、パルス信号３０５は、縦磁場信号３０３や横磁場信号３０４の半分の周期で変化する矩形波であり、その周期は回転操作部材２０１の１クリック分に相当する。すなわち、パルス信号３０５をモニタリングすると、回転操作部材２０１の１クリック分の回転を検出することが可能となる。

前述のように、本実施形態の回転操作部材２０１では、回転操作部材２０１にクリック感を生じさせるための凹凸形状２３０ｆのピッチと、磁石２５１の磁極のピッチとが一致している。このため、回転操作部材２０１が１クリック分回転した状態では、縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４は半周期分しか変化せず、いずれか一方の信号だけでは１クリック分の回転を検出することはできない。

磁石２５１の磁極ピッチを凹凸形状２３０ｆのピッチの半分にすれば、１クリックで縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４を１周期分変化させることが可能である。しかしながら、着磁工程の制約から磁極の幅には下限値があり、磁極数の増加は磁石の大型化につながる。そこで本実施形態のように、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４との排他的論理和を取ることにより、１クリック分と同じ磁極ピッチでも１周期分の信号を発生させることができ、磁石の大型化を防ぐことが可能である。

また、本実施形態の三軸磁気センサ２４１は、１つの素子で縦磁場および横磁場の両方を検出することができるため、縦横磁場の信号のずれを抑制することが可能である。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、縦磁場検知用のホールＩＣおよび横磁場検知用のホールＩＣを１個ずつ用いて磁石２５１の磁場を検出するように構成してもよい。この場合、ホールＩＣ同士の相互位置関係のずれが検出性能に影響を与えるため、２個のホールＩＣを高精度に配置することが必要である。

本実施形態によれば、２つの方向の磁場を検出可能なホールＩＣを用いるため、磁石とホールＩＣの相対位置が変化しても検出性能に与える影響が小さい。このため、組立時のずれや外力、環境温度などによる構成部品の変位による影響を受けにくい回転操作部材を提供することができる。

（回転方向信号３０６の生成）
図６（ａ）の最下部の回転方向信号３０６は、回転操作部材２０１の回転方向を表す信号であり、Ｌは回転操作部材２０１が時計回りに回転し、Ｈは反時計回りに回転していることを示す。以下、回転方向信号３０６の生成について詳述する。

図６（ｂ）は、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の取り得る値を示す表である。それぞれの信号（Ｈ、Ｌ）の組合せによって、状態１から状態４の４つの状態がある。例えば、回転角度Ｉから回転角度Ｉａの間は状態１である。回転角度Ｉａ～Ｉｂの間は横磁場信号３０４が変化するため状態２となる。同様に、回転角度Ｉｂ～ＩＩａの間は状態３、回転角度ＩＩａ～ＩＩｂの間は状態４となり、回転角度ＩＩｂ～ＩＩＩａの間で再び状態１に戻る。すなわち、回転操作部材２０１を時計回りに回転させると、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組み合わせは状態１→状態２→状態３→状態４→状態１という順序で変化する。一方、詳細は後述するが、回転操作部材２０１を反時計回りに回転させた場合、状態１→状態４→状態３→状態２→状態１という順序で変化する。このため、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の変化をモニタリングすることにより、回転操作部材２０１の回転方向を検出することが可能である。三軸磁気センサ２４１は、この処理を内部的に行い、検出された回転方向をＨ（反時計回り）とＬ（時計回り）として出力する。

（回転操作部材２０１を反時計回りに回転している場合の信号処理）
次に、図７を参照して、回転操作部材２０１を反時計回りに回転している場合の信号処理について説明する。図７は、磁場の変化と三軸磁気センサ２４１の出力信号との関係図である。図７において、図６（ａ）と同一の信号は同じ符号で示し、図６（ａ）と共通な説明は省略する。

図７は、回転操作部材２０１が反時計回りに回転している状態で、ある任意の回転角度（クリック位置）ＩＶ～Ｉまで回転した状態を示している。縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２とに基づいて縦磁場信号３０３、横磁場信号３０４、および、パルス信号３０５が生成される処理は、時計回りの回転時と同等である。

次に、図６（ｂ）と同様に縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組合せ状態を考える。回転角度ＩＶからＩＶａの間において、（縦磁場信号３０３、横磁場信号３０４）は（Ｌ、Ｈ）となるため、状態２である。回転角度ＩＶａ～ＩＶｂの間は（Ｌ、Ｌ）となるため状態１となる。以下、回転角度ＩＶｂ～ＩＩＩａの間は状態４、回転角度ＩＩＩａ～ＩＩＩｂの間は状態３、回転角度ＩＩＩｂ～ＩＩａの間は状態２となる。すなわち、回転操作部材２０１の回転に従って、状態２→状態１→状態４→状態３→状態２という順序で変化する。これにより、前述のように、回転操作部材２０１が反時計周りに回転しているということがわかるため、三軸磁気センサ２４１は回転方向信号３０６としてＨ（反時計回り）を出力する。

（回転検出制御を行う信号処理方法）
次に、図８を参照して、パルス信号３０５と回転方向信号３０６から回転操作部材２０１の回転検出制御を行う信号処理方法について説明する。図８（ａ）は、磁場の変化とホールＩＣの出力信号との関係図である。図８（ａ）は、回転操作部材２０１を回転角度Ｉから時計回りに２クリック分回転角度ＩＩＩまで回転させた後に、反時計回りに２クリック分回転させ、角度Ｉに戻した時の縦横磁束密度および各種信号を示している。

図８（ｂ）は、パルス信号３０５と回転方向信号３０６に基づいてＣＰＵ１５０が行う回転検出処理を示すフローチャートである。本実施形態における信号処理では、回転方向信号３０６の出力に応じて、パルス信号３０５の立上り、立下りエッジのいずれを利用するかを切り換える。具体的には、回転方向信号３０６がＬ（時計回り）の場合、図８（ａ）に示される立上りエッジ（３０５ａ１、３０５ａ２、３０５ａ３）のタイミングで回転操作部材２０１の回転処理を行う。一方、回転方向信号３０６がＨ（反時計回り）の場合、立下りエッジ（３０５ｂ１、３０５ｂ２、３０５ｂ３、３０５ｂ４）のタイミングで回転処理を行う。以下、図８（ａ）の回転角度に沿って説明する。

回転角度Ｉから回転角度ＩＩに時計回りに１クリック動く場合、回転方向信号３０６は時計回りを表すＬとなっている。このため、パルス信号３０５の立下りエッジ３０５ｂ１のタイミングでは何も起こらない。この状態から回転操作部材２０１が回転すると回転角度Ｉｃにおいて、凹凸部２３０ｆの凸部２３０ｈを超える。引き続き回転操作部材２０１が回転して、パルス信号３０５の立上りエッジ３０５ａ１がくると、ＣＰＵ１５０は回転操作部材２０１が１クリック分回転したと判定して、撮像装置１００の設定変更などの所定の動作を行う。そして、ボール部材２１１が再び凹部２３０ｇに接触する回転角度ＩＩの状態まで回転すると１クリック分の動作が終了となる。回転角度ＩＩから回転角度ＩＩＩまでの１クリック分の動作も同様の処理が行われる。

次に、回転角度ＩＩＩで回転操作部材２０１を反時計回りに反転させた場合を説明する。前述のように、ユーザがダイヤル操作を行う際には１クリックごとの操作が基本となる。このため、回転角度ＩＩＩで示されるようなクリック位置からの反転操作が多用されることが想定される。このときの縦磁束密度３０１および横磁束密度３０２は、回転角度ＩＩＩに対して対称的な波形となる。回転角度ＩＩＩから回転角度ＩＩに向かう１クリックの中で、凹凸部２３０ｆの凸部２３０ｈを乗り越える回転角度ＩＩＩｃまでの間はパルス信号３０５には立上りエッジも立下りエッジも現れない。これは、横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回らず、横磁場信号３０４が変化しないためである。

回転角度ＩＩＩｃを超えた後、縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回った後の回転角度ＩＩＩｂのサンプリング時に縦磁場信号３０３がＬからＨに変化し、パルス信号３０５に立下りエッジ３０５ｂ３が現れる。同じタイミングで縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組合せ状態が変化するため、回転方向信号３０６もＬからＨに変化する。

回転方向信号３０６がＨの場合、パルス信号３０５の立下りエッジで回転処理が行われるため、ＣＰＵ１５０は立下りエッジ３０５ｂ３を認識し、回転処理を行う。その後、ボール部材２１１が凹部２３０ｇに当接する回転角度ＩＩに至って、反時計回りに反転した１クリック目が終了する。なお、回転角度ＩＩから回転角度Ｉまでの反時計回りの１クリックも同様の処理が行われる。

回転角度ＩＩＩから回転角度ＩＩに至るプロセスで、時計回り時と同様にパルス信号３０５の立上りエッジのみを利用する制御を行った場合、回転角度ＩＩＩから回転角度ＩＩの間には立上がりエッジが存在しない。このため、ＣＰＵ１５０は回転動作を認識することができない。すなわち、反転操作時の１クリック目の回転は検出されず、ユーザの意図する回転動作が実行されない。また、立上りエッジ３０５ａ３で示されるように、半時計回り時の立上りエッジは回転角度ＩＩと回転角度ＩＩｃの間に現れる。

次に、回転操作部材２０１をユーザが操作する場合を考える。ばね部材２１２の付勢力に対抗して回転操作部材２０１を回転させる状態（例えば、回転角度ＩＩ～ＩＩｃ）と、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えてバネの付勢力でダイヤルが回転方向に付勢される状態（例えば、回転角度ＩＩｃ～ＩＩＩ）が繰り返される。このため、１クリック分の回転動作を発生させる信号のエッジは、ユーザが意志を持って回転操作部材２０１を回転させ、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後の状態、すなわち、回転角度ＩＩｃ～ＩＩＩの間に出現することが好ましい。これは、前述のように回転角度ＩＩ～ＩＩｃの間で回転処理が行われると、回転操作部材２０１のガタツキ等により、ユーザが予期しないタイミングで回転動作が行われてしまう可能性があるからである。

常に立上り、立下りエッジのどちらか一方のみを検出する構成では、時計回り、反時計回のいずれかで、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越える前にパルス信号３０５のエッジが出現する。よって、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後に回転検出を行う制御が実現できない。このように回転方向信号３０６の値に応じて、パルス信号３０５の利用するエッジを切り換える制御を行うことにより、反転動作時の１クリック目の動作不良を防止することができる。また、回転方向によらずにボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後に回転検出を行うことが可能となるため、誤作動が少なくユーザの意志に忠実に反応する回転操作部材を提供することができる。また、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えている途中に反転操作を行った場合でも、前述の制御を行うことにより、動作不良を防止して、ユーザの意志を反映した回転動作を行うことが可能である。

（ＣＰＵ１５０による回転動作の制御）
次に、図８（ｂ）を参照して、前述の制御（ＣＰＵ１５０による回転動作の制御）について説明する。図８（ｂ）の各ステップは、主にＣＰＵ１５０により実行される。まずステップＳ１００において、パルス信号３０５の立上りエッジおよび立下りエッジが発生すると、ＣＰＵ１５０に割り込みが発生する。

続いてステップＳ１０１において、ＣＰＵ１５０は、パルス信号３０５がＨ（Ｈｉｇｈ）であるか否かを判定する。パルス信号３０５がＨである場合、ステップＳ１０２に進む。ステップＳ１０２において、ＣＰＵ１５０は、回転方向信号３０６がＬ（Ｌｏｗ）であるか否かを判定する。回転方向信号３０６がＬである場合、ステップＳ１０３に進む。ステップＳ１０３において、回転操作部材２０１が時計回り方向に１クリック回転させた処理を行う。そしてステップＳ１０４において、割り込み処理が終了する。一方、ステップＳ１０２にて回転方向信号３０６がＬでない場合（回転方向信号３０６がＨの場合）、ＣＰＵ１５０は何も処理を行わず、ステップＳ１０４に進み、割り込み処理が終了する。

ステップＳ１０１にてパルス信号３０５がＨでない場合（パルス信号３０５がＬ）、ステップＳ１１１に進む。ステップＳ１１１において、ＣＰＵ１５０は、回転方向信号３０６がＨ（Ｈｉｇｈ）か否かを判定する。回転方向信号３０６がＨの場合、ステップＳ１１２に進む。ステップＳ１１２において、回転操作部材２０１が反時計回りに１クリック回転させた処理を行う。そしてステップＳ１０４において、割り込み処理が終了する。一方、ステップＳ１１１にて回転方向信号３０６がＨでない場合（回転方向信号３０６がＬの場合）、ＣＰＵ１５０は何も処理を行わず、ステップＳ１０４に進み、割り込み処理が終了する。

図８（ｂ）のフローチャートを図８（ａ）の信号波形に照らし合わせると、以下のように説明される。立下りエッジ３０５ｂ１で発生した割り込みでは、ステップＳ１０１にてＮＯ、ステップＳ１１１にてＮＯとなり、図８（ｂ）中のルート（４）を通ることで、何も処理は実行されない。立上りエッジ３０５ａ１で発生した割り込みでは、ステップＳ１０１にてＹＥＳ、ステップＳ１０２にてＹＥＳとなり、ルート（１）を通ることで時計回り方向に１クリック分の回転処理が実行される。立下りエッジ３０５ｂ３の割り込みでは、ステップＳ１０１にてＮＯ、ステップＳ１１１にてＹＥＳとなり、ルート（３）を通ることで反時計回り方向に１クリック分の処理が実行される。立上りエッジ３０５ａ３の割り込みでは、ステップＳ１０１にてＹＥＳ、ステップＳ１０２にてＮＯとなり、ルート（２）を通るため何も処理は行われない。以上のように、図８（ｂ）のフローチャートに沿った処理を行うことにより、回転操作部材２０１の回転方向によらずに、動作不良を発生させず、ユーザの意志を反映した回転検出制御を行うことが可能となる。

（三軸磁気センサ２４１、磁石２５１、および、磁石保持部材２３０の配置関係）
次に、図９を参照して、三軸磁気センサ２４１、磁石２５１、および、磁石保持部材２３０の配置の関係を説明する。図９は、三軸磁気センサ２４１、磁石２５１、および、磁石保持部材２３０の配置関係を示す上面図である。図９（ａ）は、三軸磁気センサ２４１が磁石２５１のＳ極に対向し、ボール部材２１１が凹凸形状２３０ｆの凹部２３０ｇに落ち込んだ状態を示している。図９（ｂ）は、三軸磁気センサ２４１が磁石２５１のＮ極に対向し、ボール部材２１１が凹凸形状２３０ｆの凹部２３０ｇに落ち込んだ状態を示している。図９（ｃ）は、三軸磁気センサ２４１が磁石２５１のＳ極とＮ極の境目に対向し、ボール部材２１１が凸部２３０ｈの頂点に位置する状態を示している。

図９（ａ）～（ｃ）中に示される角度Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶは、それぞれ、図６乃至図８中に示される回転角度に対応している。回転操作部材２０１を時計回りに１クリック分回転させると、図９（ａ）の状態から図９（ｂ）の状態に変化する。回転操作部材２０１を反時計回りに１クリック分回転させると、図９（ｂ）の状態から図９（ａ）の状態へ変化する。なお、図９（ａ）の状態は図５（ｃ）の状態と対応し、図９（ｂ）の状態は図５（ｅ）の状態と対応し、図９（ｃ）の状態は図５（ｄ）の状態に対応している。回転操作部材２０１を操作していない場合、図９（ａ）、（ｂ）の状態である。図９（ｃ）の状態は、回転操作部材２０１を回転させている途中の状態である。このように、磁石２５１の分極数と回転操作部材２０１のクリック数を等しくした場合でも、前述の制御を行うことにより、ダイヤルの回転方向および回転量を検出することができる。

（複数の回転操作部材を備えた回転操作ユニット）
次に、図１０乃至図１２を参照して、複数の近接した回転操作部材を備えた撮像装置および回転操作ユニットについて説明する。図１０（ａ）、（ｂ）は、複数の回転操作部材４００、５００を有する撮像装置１００ａの斜視図である。

回転操作部材（第一の回転操作部材）４００は、ユーザが時計回り方向および反時計回り方向に回転操作を行うための操作部材であり、後述のベース部材４１０により保持されている。回転操作部材（第二の回転操作部材）５００は、ユーザが時計回り方向および反時計回り方向に回転操作を行うための操作部材である。撮像装置１００ａの外装部材（不図示）は、回転操作部材４００を回動可能に保持している。磁石４０１は、撮像装置１００ａの筐体の内部に配置されており、本実施形態において、磁石５０１は撮像装置１００ａの筐体の外部に配置されている。

図１１（ａ）、（ｂ）は、複数の回転操作部材４００、５００を有する回転操作ユニット３００の斜視図である。ベース部材４１０は、回転操作部材４００を回動可能に保持している。またベース部材４１０は、撮像装置１００ａの外装部材（不図示）に固定されている。

磁石（第一の磁石）４０１は、Ｎ極とＳ極とが交互に等ピッチに分極されている。磁石４０１は、Ｎ極とＳ極のそれぞれに着磁面４０１ａが設けられており、着磁面４０１ａに垂直方向に磁場が発生する。本実施形態において、磁場の方向は、回転軸（軸ａ）と同一の方向である。磁石４０１は、回転操作部材４００に対して所定の角度となるように固定されている。磁石４０１および回転操作部材４００は、回転操作部材４００の回転動作により一体的に回転する。なお、回転操作部材４００の回転に伴ってクリック感を発生させる機構は、図３を参照して説明したとおりである。

磁石保持部材５３０は、ビス（不図示）により回転操作部材５００の回転軸（軸ｂ）に対して固定される。磁石（第二の磁石）５０１は、Ｎ極とＳ極とが交互に等ピッチに分極されている。磁石５０１は、Ｎ極とＳ極それぞれに着磁面５０１ａが設けられており、着磁面５０１ａに垂直方向に磁場が発生する。本実施形態において、磁場の方向は、回転軸（軸ｂ）に対して放射方向となる。磁石５０１は、回転操作部材５００に対して所定の角度となるように固定されている。磁石保持部材５３０および磁石５０１は、回転操作部材５００の回転動作により一体的に回転する。なお、回転操作部材５００の回転に伴ってクリック感を発生させる機構は、図３を参照して説明したとおりである。

三軸磁気センサ（磁気センサ）４４１は、磁界を検出する電気素子である。三軸磁気センサ４４１は、フレキシブル基板４４０の表面に実装され、ベース部材４１０に設置された位置決めボス４４０ａおよび振れ止めボス４４０ｂにより位置決めされ、不図示の両面テープによりベース部材４１０に固定されている。ベース部材４１０に配置されている固定部４１１により、回転操作ユニット３００は撮像装置１００ａに固定される。なお、三軸磁気センサ４４１の構成は、図２を参照して説明した三軸磁気センサ２４１と同様である。

以下の説明では、図１１（ｂ）に示されるように、三軸磁気センサ４４１の検出軸ベクトルとしての軸Ｘ、軸Ｙ、および軸Ｚを定義する。軸Ｘは軸ａおよび軸ｂのそれぞれと直交する方向の軸、軸Ｙは軸ｂと平行な軸、軸Ｚは軸ａと平行な軸である。三軸磁気センサ４４１は、軸Ｘ、軸Ｙ、および軸Ｚの３軸においてそれぞれ独立して磁気（磁界）を検出することができる。

磁気シールド４５０は、ベース部材４１０に対して固定されている。磁気シールド４５０は、磁石４０１、５０１により発生する磁場を、三軸磁気センサ４４１が検出するための磁場を阻害しない範囲においてシールドすることで、撮像装置１００ａの撮像センサ（不図示）への磁場による画質の低減を抑制する。

次に、図１２を参照して、本実施形態における三軸磁気センサ４４１の検出構成を説明する。図１２（ａ）、（ｂ）は、回転操作ユニット３００における磁石４０１、５０１、および、三軸磁気センサ４４１の配置関係を示す図である。

図１２（ａ）は、図１１（ｂ）に示されるように定義された座標軸のＺ－Ｙ平面における、回転操作部材４００の検出構成図を示す。回転操作部材４００は、磁石４０１と共に、軸ａを中心として回転する。このとき三軸磁気センサ４４１は、磁石４０１の着磁面４０１ａから発生する磁場ａを検出する。三軸磁気センサ４４１は、磁場ａの横磁場を軸Ｙで検出し、磁場ａの縦磁場を軸Ｚで検出する。このとき、三軸磁気センサ４４１の軸Ｚは図６中の縦磁束密度３０１に相当し、磁気センサ４４１の軸Ｙは横磁束密度３０２に相当する。回転検出制御を行う信号処理方法は、前述と同様である。本実施形態において、回転操作部材４００の回転軸（軸ａ）は軸Ｚと平行である。ただし本発明は、これに限定されるものではなく、撮像装置１００ａの操作性を考慮して、磁石４０１からの磁場が三軸磁気センサ４４１の検出閾値を下回らない範囲で、軸Ｚに対して所定の角度をつけて（傾けて）配置してもよい。

図１２（ｂ）は、図１０（ｂ）中で定義された座標軸のＺ－Ｘ平面における、回転操作部材５００の検出構成図を示す。回転操作部材５００は、磁石５０１と共に、軸ｂを中心として回転する。このとき三軸磁気センサ４４１は、磁石５０１の着磁面５０１ａから発生する磁場ｂを検出する。三軸磁気センサ４４１は、磁場ｂの横磁場を軸Ｘで検出し、磁場ｂの縦磁場を軸Ｚで検出する。このとき、三軸磁気センサ４４１の軸Ｚは図６中の縦磁束密度３０１に相当し、三軸磁気センサ４４１の軸Ｘは横磁束密度３０２に相当する。回転検出制御を行う信号処理方法は、前述と同様である。本実施形態において、回転操作部材５００の回転軸（軸ｂ）は軸Ｙと平行である。ただし本発明は、これに限定されるものではなく、撮像装置１００ａの操作性を考慮して、磁石５０１からの磁場が三軸磁気センサ４４１の検出閾値を下回らない範囲で、軸Ｙに対して所定の角度をつけて（傾けて）配置してもよい。

このように本実施形態において、回転操作ユニット３００は、回転操作可能な第一の回転操作部材（回転操作部材４００）および第二の回転操作部材（回転操作部材５００）を有する。また回転操作ユニット３００は、第一の回転操作部材と一体的に回転する第一の磁石（磁石４０１）、および、第二の回転操作部材と一体的に回転する第二の磁石（磁石５０１）を有する。また回転操作ユニット３００は、第一の磁石および第二の磁石のそれぞれ発生する磁気を検出する磁気センサ（三軸磁気センサ４４１）を有する。磁気センサは、第一の磁石からの第一の方向の第一の磁気および第二の方向の第二の磁気を検出し、第二の磁石からの第三の方向の第三の磁気および第四の方向の第四の磁気を検出する。第一の方向と第三の方向とがなす第一の角度は、第二の方向と第四の方向とがなす第二の角度よりも大きい。好ましくは、第一の方向（軸Ｙ）と第三の方向（軸Ｘ）とは直交し、第二の方向（軸Ｚ）と第四の方向（軸Ｚ）とは一致する。

好ましくは、磁気センサは、第一の検出部（磁場検出部１２１）、第二の検出部（磁場検出部１２２）、および、第三の検出部（磁場検出部１２３）を有する。第一の検出部は、第一の軸（Ｘ軸）の方向の磁気を検出する。第二の検出部は、第二の軸（Ｙ軸）の方向の磁気を検出する。第三の検出部は、第三の軸（Ｚ軸）の方向の磁気を検出する。より好ましくは、磁気センサは、第二の検出部により第一の磁気を検出し、第三の検出部により第二の磁気を検出し、第一の検出部により第三の磁気を検出し、第三の検出部により第四の磁気を検出する。

好ましくは、回転操作ユニットは、第一の磁石を回転可能に保持するとともに、第一の回転操作部材の回転に応じてクリック感を発生させる第一の機構（凹凸部２３０ｆと同様の機構）を有する。また回転操作ユニットは、第二の磁石を回転可能に保持するとともに、第二の回転操作部材の回転に応じてクリック感を発生させる第二の機構（凹凸部２３０ｆと同様の機構）を有する。また好ましくは、回転操作ユニットは、磁気センサの出力信号に基づいて、第一の回転操作部材および第二の回転操作部材のそれぞれの回転方向および回転量を算出する制御手段（ＣＰＵ１５０）を有する。また好ましくは、第一の磁石および第二の磁石は、それぞれ、円周方向にＳ極とＮ極とが交互に一定のピッチで着磁された円形磁石である。また好ましくは、磁気センサは、第一の磁石の磁束密度が第二の磁石の磁束密度よりも高い位置に配置されている。また好ましくは、第一の磁石および第二の磁石の少なくとも一方は、電子機器（撮像装置１００ａ）の筐体の内部に配置されている。

本実施形態によれば、三軸磁気センサ４４１の軸Ｘ、軸Ｙ、および軸Ｚの３つの検出軸を用いることにより、互いに近接した２つの回転操作部材４００、５００の回転動作を検出することができる。このため、電子機器の大型化を防ぎつつ、低コストで、互いに近接する複数の回転操作部材の回転検出を誤動作なく行うことが可能な回転操作ユニットを得ることが可能である。このため本実施形態によれば、小型で信頼性が高い回転操作ユニットおよび電子機器を提供することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

３００ 回転操作ユニット
４００ 回転操作部材（第一の回転操作部材）
４０１ 磁石（第一の磁石）
４４１ 磁気センサ（三軸磁気センサ）
５００ 回転操作部材（第二の回転操作部材）
５０１ 磁石（第二の磁石）

Claims (10)

1. 回転操作可能な第一の回転操作部材と、
   前記第一の回転操作部材と一体的に回転する第一の磁石と、
   回転操作可能な第二の回転操作部材と、
   前記第二の回転操作部材と一体的に回転する第二の磁石と、
   前記第一の磁石および前記第二の磁石のそれぞれ発生する磁気を検出する磁気センサと、を有し、
   前記磁気センサは、
   前記第一の磁石からの第一の方向の第一の磁気および第二の方向の第二の磁気を検出し、
   前記第二の磁石からの第三の方向の第三の磁気および第四の方向の第四の磁気を検出し、
   前記第一の方向と前記第三の方向とがなす第一の角度は、前記第二の方向と前記第四の方向とがなす第二の角度よりも大きいことを特徴とする回転操作ユニット。
2. 前記第一の方向と前記第三の方向とは直交し、前記第二の方向と前記第四の方向とは一致することを特徴とする請求項１に記載の回転操作ユニット。
3. 前記磁気センサは、第一の軸の方向の磁気を検出する第一の検出部と、第二の軸の方向の磁気を検出する第二の検出部と、第三の軸の方向の磁気を検出する第三の検出部と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の回転操作ユニット。
4. 前記磁気センサは、
   前記第二の検出部により前記第一の磁気を検出し、
   前記第三の検出部により前記第二の磁気を検出し、
   前記第一の検出部により前記第三の磁気を検出し、
   前記第三の検出部により前記第四の磁気を検出することを特徴とする請求項３に記載の回転操作ユニット。
5. 前記第一の磁石を回転可能に保持するとともに、前記第一の回転操作部材の回転に応じてクリック感を発生させる第一の機構と、
   前記第二の磁石を回転可能に保持するとともに、前記第二の回転操作部材の回転に応じてクリック感を発生させる第二の機構と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回転操作ユニット。
6. 前記磁気センサの出力信号に基づいて、前記第一の回転操作部材および前記第二の回転操作部材のそれぞれの回転方向および回転量を算出する制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回転操作ユニット。
7. 前記第一の磁石および前記第二の磁石は、それぞれ、円周方向にＳ極とＮ極とが交互に一定のピッチで着磁された円形磁石であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回転操作ユニット。
8. 前記磁気センサは、前記第一の磁石の磁束密度が前記第二の磁石の磁束密度よりも高い位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の回転操作ユニット。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回転操作ユニットを有することを特徴とする電子機器。
10. 前記第一の磁石および前記第二の磁石の少なくとも一方は、前記電子機器の筐体の内部に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。

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