JP7146043B1 - 支持ユニット、支持体及びイオン化方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の取扱いを容易にすることが可能な支持ユニット、支持体及びイオン化方法を提供する。
【解決手段】支持ユニット１は、第１支持体１０と、第２支持体２０と、を備えている。第１支持体１０は、イオン化基板１１を有している。第２支持体２０は、第１支持体１０に対向するように配置される。第２支持体２０は、支持基板２１と、接着層２２と、を有している。支持基板２１の載置面２１ａは、第１領域２１ｂと、第２領域２１ｃと、を含んでいる。第１領域２１ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に測定領域Ｒと重なる。第２領域２１ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に第１支持体１０と重ならない領域を含みかつ導電性を有している。接着層２２は、第１部分２４と、第２部分２５と、を含んでいる。第１部分２４は、第１領域２１ｂに設けられている。第２部分２５は、導電性を有し、第２領域２１ｃと第１支持体１０の導電層１３とを電気的に接続する。
【選択図】図９

Description

本開示は、支持ユニット、支持体及びイオン化方法に関する。

従来、試料をイオン化するための試料支持体が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような試料支持体は、第１表面及び第１表面とは反対側の第２表面に開口する複数の貫通孔が形成された基板を備えている。第２表面が試料に対向するように試料上に試料支持体が配置された場合、試料の成分は、毛細管現象によって基板の第２表面側から貫通孔を介して第１表面側に向かって移動する。そして、例えばレーザ光等のエネルギー線が第１表面に対して照射されると、第１表面側に移動した試料の成分がイオン化される。

特許第６０９３４９２号公報

上述したような試料支持体では、基板の第２表面側から第１表面側への毛細管現象による試料の移動を促進させるために、基板の薄化が求められる場合がある。しかし、基板が薄化されると、基板の取扱いには注意が必要となる。

本開示は、基板の取扱いを容易にすることが可能な支持ユニット、支持体及びイオン化方法を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る支持ユニットは、試料のイオン化に用いられる支持ユニットであって、第１表面、及び第１表面とは反対側の第２表面を有すると共に、第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が設けられた測定領域を有するイオン化基板と、複数の貫通孔が塞がれないように第１表面に設けられた導電層と、を有する第１支持体と、第１支持体の第２表面に対向するように配置される第２支持体と、を備え、第２支持体は、第２表面に対向する載置面を含む支持基板と、載置面に設けられた接着層と、を有し、載置面は、載置面に直交する方向から見た場合に測定領域と重なる第１領域と、載置面に直交する方向から見た場合に第１支持体と重ならない領域を有しかつ導電性を有する第２領域と、を含み、接着層は、第１領域に設けられた第１部分と、導電性を有し、第２領域と第１支持体の導電層とを電気的に接続するための第２部分と、を含んでいる。

この支持ユニットでは、接着層は、載置面に直交する方向から見た場合に測定領域と重なる第１領域に設けられた第１部分を含んでいる。そのため、第１部分の一部が露出するように第１部分上に試料を載置し、測定領域の第２表面が試料に対向しかつ測定領域が第１部分の露出している部分に接着されるように、第１支持体を試料上に配置することができる。これにより、試料のみならず接着層の第１部分に対しても測定領域を固定することができる。したがって、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、破損したイオン化基板が試料及び接着層から飛散することが抑制される。また、載置面の第２領域は、第１支持体と重ならない領域を有しかつ導電性を有している。接着層の第２部分は、導電性を有し、第２領域と第１支持体の導電層とを電気的に接続する。そのため、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加しつつ、第１表面に対してエネルギー線を照射することで、毛細管現象によって第２表面側から貫通孔を介して第１表面側に移動した試料の成分をイオン化することができる。一例として、電圧を印加するための端子等を導電層に接触させることで導電層に電圧を印加する場合も考えられる。その場合に比べて、上記の構成によれば、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加しているため、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、イオン化基板の破損が抑制される。以上により、この支持ユニットによれば、イオン化基板の取扱いを容易にすることが可能となる。

接着層の第１部分と第２部分とは、別体で形成されており、第１部分と第２部分とは、互いに離れていてもよい。これにより、第１部分及び第２部分のそれぞれの設計の自由度が向上する。

第２部分の表面は、第１部分の表面に対して支持基板側に位置していてもよい。これにより、イオン化基板の測定領域を第１部分に確実に接着することができる。

支持基板及び第１部分のそれぞれは、光透過性を有していてもよい。これにより、第１部分上に載置されている試料を容易に観察することができる。

イオン化基板は、校正に用いられる校正領域を含み、接着層は、載置面のうち、載置面に直交する方向から見た場合に校正領域と重なる領域には設けられていなくてもよい。これにより、校正領域に例えば校正用の試薬を滴下した後、当該試薬のイオン化を行う際に、接着層に起因するノイズの発生を抑制することができる。

第２支持体は、少なくとも接着層を覆うカバー部材を更に有していてもよい。これにより、接着層を保護することができる。

第１支持体は、イオン化基板の第１表面に配置されると共に測定領域を囲む開口を含む保持部材を更に有し、イオン化基板は、バルブ金属又はシリコンが陽極酸化されることで形成されていてもよい。これにより、保持部材によって、イオン化基板の測定領域を規定しつつイオン化基板を補強することができる。

本開示の一側面に係る支持体は、試料のイオン化に用いられる支持体であって、載置面を含む支持基板と、載置面に設けられた接着層と、を備え、載置面は、試料の載置に用いられる第１領域と、導電性を有する第２領域と、を含み、接着層は、第１領域に設けられた第１部分と、導電性を有し、第２領域に至っている第２部分と、を含んでいてもよい。

この支持体では、接着層は、試料を載置するための第１領域に設けられた第１部分を含んでいる。そのため、第１部分の一部が露出するように第１部分上に試料を載置し、イオン化基板が試料に対向しかつイオン化基板が第１部分の露出している部分に接着されるように、イオン化基板を試料上に配置することができる。これにより、試料のみならず接着層の第１部分に対してもイオン化基板を固定することができる。したがって、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、破損したイオン化基板が試料及び接着層から飛散することが抑制される。また、載置面の第２領域は、導電性を有している。接着層の第２部分は、導電性を有し、第２領域に至っている。そのため、第２部分によって第２領域とイオン化基板の導電層とを電気的に接続することができる。これにより、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加しつつ、イオン化基板の表面に対してエネルギー線を照射することで、毛細管現象によって貫通孔を介して表面側に移動した試料の成分をイオン化することができる。一例として、電圧を印加するための端子等を導電層に接触させることで導電層に電圧を印加する場合も考えられる。その場合に比べて、上記の構成によれば、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加しているため、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、イオン化基板の破損が抑制される。以上により、この支持体によれば、イオン化基板の取扱いを容易にすることが可能となる。

接着層の第１部分と第２部分とは、別体で形成されており、第１部分と第２部分とは、互いに離れていてもよい。これにより、第１部分及び第２部分のそれぞれの設計の自由度が向上する。

載置面の第２領域は、金属膜によって形成されていてもよい。これにより、第２領域の導電性を容易に確保することができる。

載置面は、透明導電膜によって形成されていてもよい。これにより、載置面の導電性を容易に確保することができる。

第１領域は、載置面の中央部に位置し、第２領域は、載置面の端部に位置していてもよい。これにより、接着層の第１部分及び試料に用いられるスペースの確保を優先しつつ、電圧の印加に用いられるスペースも適切に確保することができる。

支持基板及び第１部分のそれぞれは、光透過性を有していてもよい。これにより、第１部分上に載置されている試料を容易に観察することができる。

本開示の一側面に係るイオン化方法は、第１表面、及び第１表面とは反対側の第２表面を有すると共に、第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が設けられた測定領域を有するイオン化基板と、複数の貫通孔が塞がれないように第１表面に設けられた導電層と、を備える第１支持体が用意される第１工程と、載置面を含む支持基板と、載置面に設けられた接着層と、を備える第２支持体が用意される第２工程と、接着層上に試料が載置される第３工程と、第２表面が試料に対向するように第１支持体が試料上に配置される第４工程と、導電層に電圧が印加されつつ第１表面に対してエネルギー線が照射されることで、毛細管現象によって第２表面側から貫通孔を介して第１表面側に移動した試料の成分がイオン化される第５工程と、を含み、第２工程で用意される支持基板の載置面は、載置面に直交する方向から見た場合に測定領域と重なる第１領域と、載置面に直交する方向から見た場合に第１支持体と重ならない領域を有しかつ導電性を有する第２領域と、を含み、第２工程で用意される接着層は、第１領域に設けられた第１部分と、導電性を有し、第２領域と第１支持体の導電層とを電気的に接続するための第２部分と、を含み、第３工程では、接着層の第１部分の一部が露出するように第１部分上に試料が載置され、第４工程では、測定領域が第１部分の露出している部分に接着されかつ導電層と第２領域とが第２部分によって電気的に接続されるように第１支持体が配置され、第５工程では、第２領域に電圧が印加される。

このイオン化方法の第３工程では、接着層の第１部分の一部が露出するように第１部分上に試料が載置され、第４工程では、測定領域が第１部分の露出している部分に接着されるように第１支持体が配置される。これにより、試料のみならず接着層の第１部分に対しても測定領域を固定することができる。したがって、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、破損したイオン化基板が試料及び接着層から飛散することが抑制される。また、第４工程では、導電層と第２領域とが第２部分によって電気的に接続されるように第１支持体が配置され、第５工程では、第２領域に電圧が印加される。これにより、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加することができる。一例として、電圧を印加するための端子等を導電層に接触させることで導電層に電圧を印加する場合も考えられる。その場合に比べて、上記の工程によれば、第２領域及び第２部分を介して導電層に電圧を印加しているため、たとえ、イオン化基板が薄化された結果、イオン化基板が破損しやすくなったとしても、イオン化基板の破損が抑制される。以上により、このイオン化方法によれば、イオン化基板の取扱いを容易にすることが可能となる。

本開示によれば、イオン化基板の取扱いを容易にすることが可能な支持ユニット、支持体及びイオン化方法を提供することができる。

図１は、一実施形態の支持ユニットの斜視図である。 図２は、図１の支持ユニットの平面図である。 図３は、図１の支持ユニットの底面図である。 図４は、図１の第１支持体の断面図である。 図５は、図４のイオン化基板の拡大像を示す図である。 図６は、図１の支持ユニットに試料が配置されている状態を示す図である。 図７は、図６の支持ユニットの平面図である。 図８は、図６の支持ユニットの断面図である。 図９は、図６の第１支持体が第２支持体に接着されている状態を示す図である。 図１０は、図１の支持ユニットを用いた質量分析方法の工程を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図面においては、一部、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分があり、実際の寸法とは異なっている場合がある。

［支持ユニットの構成］
図１～図３を参照して、支持ユニット１について説明する。支持ユニット１は、試料のイオン化に用いられる。図１～図３に示されるように、支持ユニット１は、第１支持体１０と、第２支持体２０と、を備えている。第１支持体１０及び第２支持体２０は、試料のイオン化の際に、Ｚ軸方向において互いに対向するように配置される。第１支持体１０及び第２支持体２０のそれぞれは、例えば矩形板状を呈している。第１支持体１０の長辺に沿った方向（Ｘ軸方向）は、第２支持体２０の長辺に沿った方向と一致している。第１支持体１０の短辺に沿った方向（Ｙ軸方向）は、第２支持体２０の短辺に沿った方向と一致している。第１支持体１０の厚さ方向（Ｚ軸方向）は、第２支持体２０の厚さ方向と一致している。一例として、第１支持体１０及び第２支持体２０のそれぞれのＸ軸方向の長さは、例えば数ｃｍ程度であり、Ｙ軸方向の長さは、例えば数ｃｍ程度である。

第１支持体１０は、イオン化基板１１と、フレーム（保持部材）１２と、を有している。イオン化基板１１は、例えば矩形板状を呈している。Ｚ軸方向方向から見た場合におけるイオン化基板１１の一辺の長さは、例えば数ｃｍ程度である。フレーム１２は、例えば矩形枠状を呈している。フレーム１２は、イオン化基板１１の一方の表面に配置されている。フレーム１２の外形は、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の外形よりも大きい。第１支持体１０の外形は、主にフレーム１２によって規定されている。フレーム１２のＸ軸方向の長さは、例えば５ｃｍ程度であり、フレーム１２のＹ軸方向の長さは、例えば２．５ｃｍ程度である。

フレーム１２は、開口１２ａ及び複数（本実施形態では４つ）の開口１２ｂを含んでいる。開口１２ａは、フレーム１２を貫通している。開口１２ａは、フレーム１２の中央部に位置している。開口１２ａは、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している。開口１２ａは、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１と重なっている。

イオン化基板１１のうち開口１２ａに対応する部分（すなわち、Ｚ軸方向から見た場合に開口１２ａと重なる部分）は、試料のイオン化に用いられる測定領域Ｒである。開口１２ａは、イオン化基板１１の測定領域Ｒを規定している。開口１２ａは、Ｚ軸方向から見た場合に、測定領域Ｒを囲んでいる。

各開口１２ｂは、フレーム１２を貫通している。各開口１２ｂは、フレーム１２の各角部に位置している。各開口１２ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば円形状を呈している。各開口１２ｂの直径は、例えば２ｍｍ程度である。各開口１２ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１と重なっている。

イオン化基板１１のうち開口１２ｂに対応する部分（すなわち、Ｚ軸方向から見た場合に開口１２ｂと重なる部分）は、質量校正（マスキャリブレーション）に用いられる校正領域Ｃである。開口１２ｂは、イオン化基板１１の校正領域Ｃを規定している。開口１２ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に、校正領域Ｃを囲んでいる。

第２支持体２０は、支持基板２１と、接着層２２と、カバー部材２３と、を有している。支持基板２１は、例えば矩形板状を呈している。支持基板２１は、載置面２１ａを含んでいる。載置面２１ａは、ＸＹ面内の平坦面である。載置面２１ａは、第１領域２１ｂと、第２領域２２ｃと、を含んでいる。

第１領域２１ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に、載置面２１ａの中央部に位置している。Ｚ軸方向から見た場合に、Ｘ軸方向における第１領域２１ｂの両端は、Ｘ軸方向における載置面２１ａの両端よりも内側に位置している。Ｚ軸方向から見た場合に、Ｙ軸方向における第１領域２１ｂの両端は、Ｙ軸方向における載置面２１ａの両端と一致している。第１領域２１ｂは、後述する試料Ｓの載置に用いられる。

第２領域２１ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、載置面２１ａの端部に位置している。第２領域２１ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、第１領域２１ｂに対して両側に位置している。つまり、載置面２１ａは、２つの第２領域２１ｃを含んでいる。第２領域２１ｃは、載置面２１ａのうち第１領域２１ｂ以外の領域である。

第２領域２１ｃは、導電性を有している。第２領域２１ｃは、例えば金属膜によって形成されている。第２領域２１ｃは、例えば支持基板２１のベース部材の表面に蒸着されたアルミニウムである。本実施形態では、第１領域２１ｂは、ベース部材の表面によって構成され、第２領域２１ｃは、金属膜の表面によって構成されている。支持基板２１のうち第１領域２１ｂを含む部分は、光透過性を有している。具体的には、支持基板２１のベース部材は、例えば紫外線又は可視光等に対して透過性を有している。支持基板２１のベース部材は、例えばスライドグラスである。

接着層２２は、載置面２１ａに設けられている。接着層２２は、第１部分２４と、第２部分２５と、を含んでいる。第１部分２４は、第１領域２１ｂに設けられている。第１部分２４は、第１領域２１ｂにおいて広範囲に広がっている。Ｚ軸方向から見た場合に、第１部分２４の縁は、第１領域２１ｂの縁よりも内側に位置している。第１部分２４は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している。第１部分２４は、光透過性を有している。第１部分２４は、例えば紫外線又は可視光等に対して透過性を有している。第１部分２４は、例えばアクリル系粘着剤である。

第２部分２５は、第１部分と別体で形成されている。第２部分２５は、第１部分２４と離れている。第２部分２５は、Ｚ軸方向から見た場合に、第１部分２４に対してＸ軸方向における両側に位置している。つまり、接着層２２は、２つの第２部分２５を含んでいる。第２部分２５は、第１領域２１ｂ及び第２領域２１ｃの両方に設けられている。つまり、第２部分２５は、第１領域２１ｂ及び第２領域２１ｃを跨っている。換言すると、第２部分２５は、第１領域２１ｂから第２領域２１ｃに至っている。

第２部分２５は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えばＹ軸方向に沿って延びる矩形状を呈している。第２部分２５の表面は、第１部分２４の表面に対して支持基板２１側に位置している。つまり、第２部分２５の厚さは、第１部分２４の厚さよりも小さい（図８参照）。第２部分２５は、導電性を有している。第２部分２５は、例えば導電性粒子を含むアクリル系粘着剤である。

カバー部材２３は、少なくとも接着層２２を覆っている。本実施形態では、カバー部材２３は、接着層２２及び支持基板２１の載置面２１ａの全体を覆っている。カバー部材２３は、接着層２２及び載置面２１ａを保護する。カバー部材２３は、例えば保護フィルムである。カバー部材２３は、第２支持体２０の使用の際に剥がされる。なお、カバー部材２３は、図１のみに図示されている。

第２支持体２０は、載置面２１ａが、イオン化基板１１のうちフレーム１２とは反対側の第２表面１１ｂ（図４参照）に対向するように配置される。以下、第１支持体１０及び第２支持体２０が互いに対向するように配置されている場合における、各部材の位置関係について説明する。

載置面２１ａの第１領域２１ｂは、Ｚ軸方向（載置面２１ａに直交する方向）から見た場合に、イオン化基板１１の測定領域Ｒと重なっている。第１領域２１ｂの縁は、Ｚ軸方向から見た場合に、測定領域Ｒの縁よりも外側に位置している。第１領域２１ｂの縁は、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の縁よりも外側に位置している。

第２領域２１ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の縁よりも外側に位置している。第１領域２１ｂと第２領域２１ｃとの境界線は、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の縁とフレーム１２の縁との間に位置している。第２領域２１ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、フレーム１２と重なる領域と、第１支持体１０と重ならない領域と、を含んでいる。第２領域２１ｃのうち、第１支持体１０と重ならない領域は、電圧の印加に用いられる。

接着層２２の第１部分２４は、Ｚ軸方向から見た場合に、測定領域Ｒと重なっている。第１部分２４の縁は、Ｚ軸方向から見た場合に、測定領域Ｒの縁よりも外側に位置している。第１部分２４の縁は、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の縁よりも内側に位置している。第１部分２４は、Ｚ軸方向から見た場合に、校正領域Ｃと重なっていない。

接着層２２の第２部分２５は、Ｚ軸方向から見た場合に、イオン化基板１１の外側に位置している。第２部分２５は、Ｚ軸方向から見た場合に、フレーム１２と重なっている。第２部分２５は、Ｚ軸方向から見た場合に、校正領域Ｃと重なっていない。つまり、接着層２２は、載置面２１ａのうち、Ｚ軸方向から見た場合に校正領域Ｃと重なる領域には設けられていない。

［第１支持体の構成］
次に、図４及び図５を参照して、第１支持体１０について詳細に説明する。第１支持体１０は、試料をイオン化するために用いられるイオン化支援基板である。図４に示されるように、イオン化基板１１は、第１表面１１ａ、及び第１表面１１ａとは反対側の第２表面１１ｂを有している。イオン化基板１１には、複数の貫通孔１１ｃが一様に（均一な分布で）形成されている。各貫通孔１１ｃは、Ｚ軸方向（イオン化基板１１の厚さ方向）に沿って延在しており、第１表面１１ａ及び第２表面１１ｂに開口している。つまり、各貫通孔１１ｃは、イオン化基板１１を貫通している。第１表面１１ａは、試料の成分をイオン化させる工程において、レーザ光等のエネルギー線が照射される面である。

イオン化基板１１の厚さは、例えば１μｍ～５０μｍ程度である。一例として、イオン化基板１１の厚さは、５μｍ～５０μｍである。Ｚ軸方向から見た場合における貫通孔１１ｃの形状は、例えば略円形である。貫通孔１１ｃの幅は、例えば１ｎｍ～７００ｎｍ程度である。イオン化基板１１は、絶縁性材料によって形成されている。

貫通孔１１ｃの幅は、以下のようにして取得される値である。まず、イオン化基板１１の第１表面１１ａ及び第２表面１１ｂのそれぞれの画像を取得する。図５は、イオン化基板１１の第１表面１１ａの一部のＳＥＭ画像の一例を示している。当該ＳＥＭ画像において、黒色の部分は貫通孔１１ｃであり、白色の部分は貫通孔１１ｃ間の隔壁部である。続いて、取得した第１表面１１ａの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域Ｒ内の複数の第１開口（貫通孔１１ｃの第１表面１１ａ側の開口）に対応する複数の画素群を抽出し、１画素当たりの大きさに基づいて、第１開口の平均面積を有する円の直径を取得する。同様に、取得した第２表面１１ｂの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域Ｒ内の複数の第２開口（貫通孔１１ｃの第２表面１１ｂ側の開口）に対応する複数の画素群を抽出し、１画素当たりの大きさに基づいて、第２開口の平均面積を有する円の直径を取得する。そして、第１表面１１ａについて取得した円の直径と第２表面１１ｂについて取得した円の直径との平均値を貫通孔１１ｃの幅として取得する。

図５に示されるように、イオン化基板１１には、略一定の幅を有する複数の貫通孔１１ｃが一様に形成されている。複数の貫通孔１１ｃの大きさは、互いに不揃いであってもよい。互いに隣り合う貫通孔１１ｃ同士は、連結していてもよい。図５に示されるイオン化基板１１は、バルブ金属（例えばＡｌ（アルミニウム））を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。例えば、Ａｌ基板に対して陽極酸化処理が施されることにより、Ａｌ基板の表面部分が酸化されると共に、Ａｌ基板の表面部分に複数の細孔（貫通孔１１ｃになる予定の部分）が形成される。続いて、酸化された表面部分（陽極酸化皮膜）がＡｌ基板から剥離され、剥離された陽極酸化皮膜に対して上記細孔を拡幅するポアワイドニング処理が施されることにより、上述したイオン化基板１１が得られる。なお、イオン化基板１１は、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｗ（タングステン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンチモン）等のＡｌ以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよいし、Ｓｉ（シリコン）を陽極酸化することにより形成されてもよい。

フレーム１２は、イオン化基板１１の第１表面１１ａに配置されている。フレーム１２は、第１表面１１ａ側においてイオン化基板１１を保持している。フレーム１２は、第１表面１１ａに対向する第１面１２ｈと、第１面１２ｈとは反対側の第２面１２ｇとを有している。第１面１２ｈ及び第２面１２ｇのそれぞれは、ＸＹ面内の平坦面である。開口１２ａ及び開口１２ｂは、第１面１２ｈ及び第２面１２ｇに開口している。上述したように、開口１２ａは、測定領域Ｒを規定し、開口１２ｂは、校正領域Ｃを規定している。

イオン化基板１１には複数の貫通孔１１ｃが一様に形成されているため、測定領域Ｒ及び校正領域Ｃのそれぞれは、複数の貫通孔１１ｃを含んでいる。測定領域Ｒにおける貫通孔１１ｃの開口率（Ｚ軸方向から見た場合に測定領域Ｒに対して貫通孔１１ｃが占める割合）は、実用上は１０～８０％であり、特に３０～６０％であることが好ましい。校正領域Ｃにおける貫通孔１１ｃの開口率は、測定領域Ｒと同じである。

フレーム１２は、導電性を有している。フレーム１２の材料は、例えば金属等である。本実施形態では、フレーム１２は、非磁性であり且つ耐酸性を有する材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、チタン、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等が挙げられる。本実施形態では、フレーム１２は、ＳＵＳによって形成されている。フレーム１２の厚さは、例えば３ｍｍ以下である。一例として、フレーム１２の厚さは、０．２ｍｍである。

イオン化基板１１のうち測定領域Ｒ及び校正領域Ｃ以外の部分は、接着層１４によってフレーム１２に固定されている。接着層１４は、イオン化基板１１の第１表面１１ａとフレーム１２の第１面１２ｈとの間に形成されている。これにより、イオン化基板１１がフレーム２によって支持されるため、第１支持体１０のハンドリングが容易になると共に、温度変化等に起因するイオン化基板１１の変形が抑制される。

接着層１４は、例えば、放出ガスの少ない接着剤（例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等）によって形成され得る。接着層１４は、導電性接着剤によって形成されてもよいし、金属ペーストを塗布することによって形成されてもよい。また、接着層１４は、ＵＶ硬化性接着剤（光硬化性接着剤）又は無機バインダー等によって形成されてもよい。ＵＶ硬化性接着剤の例として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤等が挙げられる。また、無機バインダーの例として、オーデック社製のセラマボンド（登録商標）、東亞合成社製のアロンセラミック（登録商標）等が挙げられる。本実施形態では一例として、接着層１４は、ＵＶ硬化性接着剤によって形成されている。

第１支持体１０は、導電層１３を更に備えている。導電層１３は、イオン化基板１１の第１表面１１ａに設けられている。導電層１３は、イオン化基板１１の第１表面１１ａのうちフレーム１２の開口１２ａに対応する領域（測定領域Ｒ）、開口１２ａの内面、及びフレーム１２の第２面１２ｇに一続きに（一体的に）形成されている。導電層１３は、イオン化基板１１の第１表面１１ａのうちフレーム１２の開口１２ｂに対応する領域（校正領域Ｃ）、開口１２ｂの内面、及びフレーム１２の第２面１２ｇに一続きに（一体的に）形成されている。

導電層１３は、測定領域Ｒ及び校正領域Ｃのそれぞれにおいて、イオン化基板１１の第１表面１１ａのうち貫通孔１１ｃが形成されていない部分を覆っている。つまり、導電層１３は、各貫通孔１１ｃが塞がれないように第１表面１１ａに設けられている。各貫通孔１１ｃは、開口１２ａ及び開口１２ｂに露出している。

導電層１３は、導電性材料によって形成されている。導電層１３は、試料の質量分析に適した材料によって形成されている。具体的には、導電層１３は、例えば、Ｐｔ（白金）又はＡｕ（金）によって形成されている。導電層１３の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性（反応性）が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。

例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いＣｕ（銅）等の金属によって導電層１３が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にＣｕ原子が付加した状態で試料がイオン化され、Ｃｕ原子が付加した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層１３の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。

一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層１３が形成されていると、イオン化基板１１の第１表面１１ａに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層１３が形成されていると、イオン化基板１１に照射されたレーザ光（エネルギー線）のエネルギーを、導電層１３を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層１３の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。

以上の観点から、導電層１３の材料としては、例えば、Ｐｔ、Ａｕ等が用いられることが好ましい。本実施形態では、導電層１３は、Ｐｔである。導電層１３は、例えば、蒸着又はスパッタリング等によって形成されている。導電層１３の厚さは、例えば１ｎｍ～３５０ｎｍ程度である。なお、導電層１３の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等が用いられてもよい。

次に、図６～図９を参照して、試料Ｓが第２支持体２０に載置されている場合について説明する。図６に示されるように、試料Ｓは、接着層２２の第１部分２４上に載置される。試料Ｓの面積は、第１部分２４の面積よりも小さい。つまり、試料Ｓが第１部分２４上に載置されている場合、第１部分２４の一部は露出する。本実施形態では、試料Ｓは、第１部分２４の中央部に載置され、第１部分２４のうち試料Ｓを囲む部分が露出する。試料Ｓは、例えば生体試料である。試料Ｓは、例えば動物の肝臓切片又は植物等である。試料Ｓは、含水試料である。

図７に示されるように、試料Ｓは、Ｚ軸方向から見た場合に、開口１２ａに囲まれる。第１支持体１０の測定領域Ｒは、Ｚ軸方向から見た場合に、試料Ｓ及び第１部分２４の露出している部分と重なる。

図８に示されるように、フレーム１２のうちイオン化基板１１よりも外側に位置する部分は、Ｚ軸方向から見た場合に、接着層２２の第２部分２５と重なる。図９に示されるように、第１支持体１０が第２支持体２０に対して押し付けられると、イオン化基板１１のうち試料Ｓと重なる部分は、試料Ｓに接触すると共に試料Ｓに含まれる水分の作用によって試料Ｓに固定される。また、第１支持体１０が第２支持体２０に対して押し付けられると、イオン化基板１１のうち試料Ｓと重ならない部分は、第１部分２４の露出している部分に接着される。フレーム１２は、接着層２２の第２部分２５に接着される。これにより、第２部分２５は、載置面２１ａの第２領域２１ｃとフレーム１２とを電気的に接続することで、第２領域２１ｃと導電層１３とを電気的に接続する。

第２部分２５の厚さが第１部分２４の厚さよりも小さいため、フレーム１２が第２部分２５に接着された状態では、第１部分２４のうちフレーム１２と重なる部分は、フレーム１２の押圧によって薄くなっている。これにより、イオン化基板１１が第１部分２４に確実に接着される。

［質量分析方法］
次に、図８～図１０を参照して、支持ユニット１を用いた質量分析方法（イオン化方法を含む）の一例について説明する。まず、上述した第１支持体１０が用意される（第１工程）。続いて、上述した第２支持体２０が用意される（第２工程）。第１工程と第２工程との順番は、前後してもよい。

続いて、図８に示されるように、接着層２２上に試料Ｓが載置される（第３工程）。具体的には、第３工程では、接着層２２の第１部分２４の一部が露出するように第１部分２４上に試料Ｓが載置される。続いて、第２表面１１ｂが試料Ｓに対向するように第１支持体１０が試料Ｓ上に配置される（第４工程）。具体的には、第４工程では、第１支持体１０は、Ｚ軸方向から見た場合に、測定領域Ｒが試料Ｓ及び第１部分２４の露出している部分と重なるように配置される。図９に示されるように、第４工程では、第１支持体１０は、測定領域Ｒが第１部分２４の露出している部分に接着される。第４工程では、第１支持体１０のフレーム１２は、第２部分２５に接着される。つまり、第４工程では、第１支持体１０の導電層１３と載置面２１ａの第２領域２１ｃとが第２部分２５によって電気的に接続される。

続いて、図１０に示されるように、試料Ｓが挟まれた支持ユニット１が質量分析装置３０の支持部３１上に載置される。質量分析装置３０は、支持部３１と、試料ステージ３２と、照射部３３と、電圧印加部３４、イオン検出部３５と、カメラ３６と、制御部３７と、を備えている。支持部３１は、試料ステージ３２上に載置されている。

照射部３３は、第１支持体１０の第１表面１１ａに対してレーザ光Ｌ等のエネルギー線を照射する。電圧印加部３４は、第１支持体１０の第１表面１１ａに対して電圧を印加する。具体的には、電圧印加部３４は、載置面２１ａの第２領域２１ｃに電圧を印加することで、接着層２２の第２部分２５及びフレーム１２を介して、第１表面１１ａに設けられた導電層１３に電圧を印加する。イオン検出部３５は、イオン化された試料Ｓの成分（試料イオンＳ２）を検出する。カメラ３６は、照射部３３によるレーザ光Ｌの照射位置を含むカメラ画像を取得する。カメラ３６は、例えば、照射部３３に付随する小型のＣＣＤカメラである。

制御部３７は、試料ステージ３２、照射部３３、電圧印加部３４、イオン検出部３５及びカメラ３６の動作を制御する。制御部３７は、例えば、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ等）、及びメモリ（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ等）等を備えるコンピュータ装置である。

続いて、導電層１３に電圧が印加されつつ第１表面１１ａに対してレーザ光Ｌが照射されることで、毛細管現象によって第２表面１１ｂ側から貫通孔１１ｃを介して第１表面１１ａ側に移動した試料Ｓの成分Ｓ１がイオン化される（第５工程）。第５工程では、載置面２１ａの第２領域２１ｃ及び接着層２２の第２部分２５を介して導電層１３に電圧が印加される。

続いて、制御部３７が、カメラ３６により取得された画像に基づいて、照射部３３を動作させる。具体的には、制御部３７は、レーザ照射範囲（例えば測定領域Ｒのうち、カメラ３６により取得された画像に基づいて特定された成分Ｓ１が存在する領域）内の第１表面１１ａに対してレーザ光Ｌが照射されるように照射部３３を動作させる。

一例として、制御部３７は、試料ステージ３２を移動させると共に、照射部３３によるレーザ光Ｌの照射動作（照射タイミング等）を制御する。すなわち、制御部３７は、試料ステージ３２が所定間隔移動したことを確認した後に、照射部３３にレーザ光Ｌの照射を実行させる。例えば、制御部３７は、レーザ照射範囲内をラスタスキャンするように試料ステージ３２の移動（走査）と照射部３３によるレーザ光Ｌの照射とを繰り返す。なお、第１表面１１ａに対する照射位置の変更は、試料ステージ３２ではなく照射部３３を移動させることによって行われてもよいし、試料ステージ３２及び照射部３３の両方を移動させることによって行われてもよい。

このように、導電層１３に電圧が印加されつつレーザ照射範囲内の第１表面１１ａに対してレーザ光Ｌが照射されることにより、第１表面１１ａ側に移動した成分Ｓ１がイオン化され、試料イオンＳ２（イオン化された成分Ｓ１）が放出される。具体的には、レーザ光Ｌのエネルギーを吸収した導電層１３から、第１表面１１ａ側に移動した成分Ｓ１にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した成分Ｓ１が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンＳ２となる。以上の各工程が、支持ユニット１を用いた試料Ｓのイオン化方法（一例として、質量分析方法の一部としてのレーザ脱離イオン化法）に相当する。

放出された試料イオンＳ２は、支持ユニット１とイオン検出部３５との間に設けられたグランド電極（図示省略）に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンＳ２は、電圧が印加された導電層１３とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、イオン検出部３５によって試料イオンＳ２が検出される。

イオン検出部３５による試料イオンＳ２の検出結果は、レーザ光Ｌの照射位置に関連付けられる。具体的には、イオン検出部３５は、レーザ照射範囲内の各位置について個別に試料イオンＳ２を検出する。これにより、試料Ｓの質量分布を示す分布画像（ＭＳマッピングデータ）が取得される。さらに、試料Ｓを構成する分子の二次元分布を画像化することができる。すなわち、イメージング質量分析を行うことができる。なお、本実施形態では、質量分析装置３０は、飛行時間型質量分析法（ＴＯＦ－ＭＳ：Time-of-Flight Mass Spectrometry）を利用する質量分析装置である。

以上説明したように、支持ユニット１では、接着層２２が、Ｚ軸方向から見た場合に測定領域Ｒと重なる第１領域２１ｂに設けられた第１部分２４を含んでいる。そのため、第１部分２４の一部が露出するように第１部分２４上に試料Ｓを載置し、測定領域Ｒの第２表面１１ｂが試料Ｓに対向しかつ測定領域Ｒが第１部分２４の露出している部分に接着されるように、第１支持体１０を試料Ｓ上に配置することができる。これにより、試料Ｓのみならず接着層２２の第１部分２４に対しても測定領域Ｒを固定することができる。したがって、たとえ、イオン化基板１１が薄化された結果、イオン化基板１１が破損しやすくなったとしても、破損したイオン化基板１１が試料Ｓ及び接着層２２から飛散することが抑制される。また、載置面２１ａの第２領域２１ｃは、第１支持体１０と重ならない領域を有しかつ導電性を有している。接着層２２の第２部分２５は、導電性を有し、第２領域２１ｃと第１支持体１０の導電層１３とを電気的に接続する。そのため、第２領域２１ｃ及び第２部分２５を介して導電層１３に電圧を印加しつつ、第１表面１１ａに対してレーザ光Ｌを照射することで、毛細管現象によって第２表面１１ｂ側から貫通孔１１ｃを介して第１表面１１ａ側に移動した試料Ｓの成分Ｓ１をイオン化することができる。一例として、電圧を印加するための端子等を導電層１３に接触させることで導電層１３に電圧を印加する場合も考えられる。その場合に比べて、上記の構成によれば、第２領域２１ｃ及び第２部分２５を介して導電層１３に電圧を印加しているため、たとえ、イオン化基板１１が薄化された結果、イオン化基板１１が破損しやすくなったとしても、イオン化基板１１の破損が抑制される。また、接着層２２によってフレーム１２を支持基板２１に接着することで、フレーム１２の反りを抑制することができる。以上により、支持ユニット１によれば、イオン化基板１１の取扱いを容易にすることが可能となる。

接着層２２の第１部分２４と第２部分２５とは、別体で形成されている。第１部分２４と第２部分２５とは、互いに離れている。これにより、第１部分２４及び第２部分２５のそれぞれの設計の自由度が向上する。

第２部分２５の表面は、第１部分２４の表面に対して支持基板２１側に位置している。これにより、イオン化基板１１の測定領域Ｒを第１部分２４に確実に接着することができる。

支持基板２１及び第１部分２４のそれぞれは、光透過性を有している。これにより、第１部分２４上に載置されている試料Ｓを容易に観察することができる。例えば、支持基板２１に対して第１部分２４とは反対側から照射された光の透過像を取得することで、試料Ｓの存在範囲等を観察することができる。

イオン化基板１１は、校正に用いられる校正領域Ｃを含んでいる。接着層２２は、載置面２１ａのうち、Ｚ軸方向から見た場合に校正領域Ｃと重なる領域には設けられていない。これにより、校正領域Ｃに例えば校正用の試薬を滴下した後、当該試薬のイオン化を行う際に、接着層２２に起因するノイズの発生を抑制することができる。

第２支持体２０は、少なくとも接着層２２を覆うカバー部材２３を有している。これにより、接着層２２を保護することができる。

第１支持体１０は、イオン化基板１１の第１表面１１ａに配置されると共に測定領域Ｒを囲む開口１２ａを含むフレーム１２を有している。イオン化基板１１は、バルブ金属又はシリコンが陽極酸化されることで形成されている。これにより、フレーム１２によって、イオン化基板１１の測定領域Ｒを規定しつつイオン化基板１１を補強することができる。

載置面２１ａの第２領域２１ｃは、金属膜によって形成されている。これにより、第２領域２１ｃの導電性を容易に確保することができる。

第１領域２１ｂは、載置面２１ａの中央部に位置している。第２領域２１ｃは、載置面２１ａの端部に位置している。これにより、接着層２２の第１部分２４及び試料Ｓに用いられるスペース（第１領域２１ｂ）の確保を優先しつつ、電圧の印加に用いられるスペース（第２領域２１ｃ）も適切に確保することができる。

上記のイオン化方法の第３工程では、接着層２２の第１部分２４の一部が露出するように第１部分２４上に試料Ｓが載置され、第４工程では、測定領域Ｒが第１部分２４の露出している部分に接着されるように第１支持体１０が配置される。これにより、試料Ｓのみならず接着層２２の第１部分２４に対しても測定領域Ｒを固定することができる。したがって、たとえ、イオン化基板１１が薄化された結果、イオン化基板１１が破損しやすくなったとしても、破損したイオン化基板１１が試料Ｓ及び接着層２２から飛散することが抑制される。また、第４工程では、導電層１３と第２領域２１ｃとが第２部分２５によって電気的に接続されるように第１支持体１０が配置され、第５工程では、第２領域２１ｃに電圧が印加される。これにより、第２領域２１ｃ及び第２部分２５を介して導電層１３に電圧を印加することができる。一例として、電圧を印加するための端子等を導電層１３に接触させることで導電層１３に電圧を印加する場合も考えられる。その場合に比べて、上記の工程によれば、第２領域２１ｃ及び第２部分２５を介して導電層１３に電圧を印加しているため、たとえ、イオン化基板１１が薄化された結果、イオン化基板１１が破損しやすくなったとしても、イオン化基板１１の破損が抑制される。また、第４工程では、接着層２２によってフレーム１２を支持基板２１に接着することで、フレーム１２の反りを抑制することができる。以上により、このイオン化方法によれば、イオン化基板１１の取扱いを容易にすることが可能となる。

［変形例］
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は、上述した実施形態に限定されない。

載置面２１ａの第１領域２１ｂが、スライドグラスの表面によって構成され、第２領域２１ｃが、スライドグラスの表面に形成された金属膜の表面によって構成されている例を示した。支持基板２１の載置面２１ａは、透明導電膜によって形成されていてもよい。透明導電膜は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜である。この場合、載置面２１ａの第１領域２１ｂ及び第２領域２１ｃの両方が透明導電膜の表面によって構成されており、第１領域２１ｂ及び第２領域２１ｃの両方が導電性を有している。このような構成によれば、載置面２１ａの導電性及び第１領域２１ｂの光透過性を容易に確保することができる。

接着層２２の第１部分２４と第２部分２５とが別体で形成されている例を示したが、第１部分２４と第２部分２５とは、一体で形成されていてもよい。つまり、載置面２１ａには、１枚の接着層２２が設けられていてもよい。接着層２２のうち少なくとも第２部分２５が導電性を有していればよい。接着層２２の全体が導電性を有していてもよい。この場合、接着層２２は、同一の材料によって一体的に形成されていてもよい。

試料Ｓが含水試料である例を示したが、試料Ｓは、乾燥試料であってもよい。この場合、第１支持体１０が試料Ｓ上に配置された後、例えば溶液等が第１表面１１ａに対して滴下される。試料Ｓの成分Ｓ１は、当該溶液と混合すると共に第２表面１１ｂ側から貫通孔１１ｃを介して第１表面１１ａ側に移動する。イオン化基板１１の測定領域Ｒは、当該溶液の作用によって試料Ｓに固定される。

導電層１３は、少なくとも第１表面１１ａに設けられていればよい。導電層１３は、第１表面１１ａに加えて、例えば、第２表面２ｂにも設けられてもよいし、各孔２ｃの内面の全体又は一部にも設けられてもよい。

質量分析装置３０は、走査型の質量分析装置であってもよいし、投影型の質量分析装置であってもよい。走査型の場合、照射部３３による１回のレーザ光Ｌの照射毎に、レーザ光Ｌのスポット径に対応する大きさの１画素の信号が取得される。つまり、１画素毎にレーザ光Ｌの走査（照射位置の変更）及び照射が行われる。一方、投影型の場合、照射部３３による１回のレーザ光Ｌの照射毎に、レーザ光Ｌのスポット径に対応する画像（複数の画素）の信号が取得される。投影型の場合においてレーザ光Ｌのスポット径に測定領域Ｒの全体が含まれる場合には、１回のレーザ光Ｌの照射によってイメージング質量分析を行うことができる。なお、投影型の場合においてレーザ光Ｌのスポット径に測定領域Ｒの全体が含まれない場合には、走査型と同様にレーザ光Ｌの走査及び照射を行うことにより、測定領域Ｒ全体の信号を取得することができる。また、上述したイオン化方法は、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用することができる。

試料支持体の用途は、レーザ光Ｌの照射による試料のイオン化に限定されない。試料支持体は、レーザ光、イオンビーム、電子線等のエネルギー線の照射による試料のイオン化に用いることができる。上述したイオン化方法及び質量分析方法では、このようなエネルギー線の照射によって試料をイオン化することができる。

１…支持ユニット、１０…第１支持体、１１…イオン化基板、１１ａ…第１表面、１１ｂ…第２表面、１１ｃ…貫通孔、１２…フレーム（保持部材）、１２ａ…開口、１３…導電層、２０…第２支持体、２１…支持基板、２１ａ…載置面、２１ｂ…第１領域、２１ｃ…第２領域、２２…接着層、２３…カバー部材、２４…第１部分、２５…第２部分、Ｃ…校正領域、Ｒ…測定領域、Ｓ…試料。

Claims (14)

1. 試料のイオン化に用いられる支持ユニットであって、
   第１表面、及び前記第１表面とは反対側の第２表面を有すると共に、前記第１表面及び前記第２表面に開口する複数の貫通孔が設けられた測定領域を有するイオン化基板と、前記複数の貫通孔が塞がれないように前記第１表面に設けられた導電層と、を有する第１支持体と、
   前記第１支持体の前記第２表面に対向するように配置される第２支持体と、を備え、
   前記第２支持体は、前記第２表面に対向する載置面を含む支持基板と、前記載置面に設けられた接着層と、を有し、
   前記載置面は、
   前記載置面に直交する方向から見た場合に前記測定領域と重なる第１領域と、
   前記載置面に直交する方向から見た場合に前記第１支持体と重ならない領域を有しかつ導電性を有する第２領域と、を含み、
   前記接着層は、
   前記第１領域に設けられた第１部分と、
   導電性を有し、前記第２領域と前記第１支持体の前記導電層とを電気的に接続するための第２部分と、を含んでいる、支持ユニット。
2. 前記接着層の前記第１部分と前記第２部分とは、別体で形成されており、
   前記第１部分と前記第２部分とは、互いに離れている、請求項１に記載の支持ユニット。
3. 前記第２部分の表面は、前記第１部分の表面に対して前記支持基板側に位置している、請求項２に記載の支持ユニット。
4. 前記支持基板及び前記第１部分のそれぞれは、光透過性を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載の支持ユニット。
5. 前記イオン化基板は、校正に用いられる校正領域を含み、
   前記接着層は、前記載置面のうち、前記載置面に直交する方向から見た場合に前記校正領域と重なる領域には設けられていない、請求項１～４のいずれか一項に記載の支持ユニット。
6. 前記第２支持体は、少なくとも前記接着層を覆うカバー部材を更に有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の支持ユニット。
7. 前記第１支持体は、前記イオン化基板の前記第１表面に配置されると共に前記測定領域を囲む開口を含む保持部材を更に有し、
   前記イオン化基板は、バルブ金属又はシリコンが陽極酸化されることで形成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の支持ユニット。
8. 試料のイオン化に用いられる支持体であって、
   載置面を含む支持基板と、
   前記載置面に設けられた接着層と、を備え、
   前記載置面は、前記試料の載置に用いられる第１領域と、導電性を有する第２領域と、を含み、
   前記接着層は、前記第１領域に設けられた第１部分と、導電性を有し、前記第２領域に至っている第２部分と、を含んでいる、支持体。
9. 前記接着層の前記第１部分と前記第２部分とは、別体で形成されており、
   前記第１部分と前記第２部分とは、互いに離れている、請求項８に記載の支持体。
10. 前記載置面の前記第２領域は、金属膜によって形成されている、請求項８又は９に記載の支持体。
11. 前記載置面は、透明導電膜によって形成されている、請求項８又は９に記載の支持体。
12. 前記第１領域は、前記載置面の中央部に位置し、
    前記第２領域は、前記載置面の端部に位置している、請求項８～１１のいずれか一項に記載の支持体。
13. 前記支持基板及び前記第１部分のそれぞれは、光透過性を有している、請求項８～１２のいずれか一項に記載の支持体。
14. 第１表面、及び前記第１表面とは反対側の第２表面を有すると共に、前記第１表面及び前記第２表面に開口する複数の貫通孔が設けられた測定領域を有するイオン化基板と、前記複数の貫通孔が塞がれないように前記第１表面に設けられた導電層と、を備える第１支持体が用意される第１工程と、
    載置面を含む支持基板と、前記載置面に設けられた接着層と、を備える第２支持体が用意される第２工程と、
    前記接着層上に試料が載置される第３工程と、
    前記第２表面が前記試料に対向するように前記第１支持体が前記試料上に配置される第４工程と、
    前記導電層に電圧が印加されつつ前記第１表面に対してエネルギー線が照射されることで、毛細管現象によって前記第２表面側から前記貫通孔を介して前記第１表面側に移動した前記試料の成分がイオン化される第５工程と、を含み、
    前記第２工程で用意される前記支持基板の前記載置面は、前記載置面に直交する方向から見た場合に前記測定領域と重なる第１領域と、前記載置面に直交する方向から見た場合に前記第１支持体と重ならない領域を有しかつ導電性を有する第２領域と、を含み、
    前記第２工程で用意される前記接着層は、前記第１領域に設けられた第１部分と、導電性を有し、前記第２領域と前記第１支持体の前記導電層とを電気的に接続するための第２部分と、を含み、
    前記第３工程では、前記接着層の前記第１部分の一部が露出するように前記第１部分上に前記試料が載置され、
    前記第４工程では、前記測定領域が前記第１部分の露出している部分に接着されかつ前記導電層と前記第２領域とが前記第２部分によって電気的に接続されるように前記第１支持体が配置され、
    前記第５工程では、前記第２領域に電圧が印加される、イオン化方法。

Images