JP7144413B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、トランジスタによる乗算をする場合に生成されるオフセット成分を低減する撮像装置について、図1乃至図6を用いて説明する。
本実施の形態では、撮像装置の一例について図面を参照して説明する。
図7(A)に、実施の形態1で説明した画素回路を有する画素の構成を例示する。図7(A)に示す画素は、層261及び層262の積層構成を有する例である。
図11(A)は、本発明の一態様の撮像装置の画素にカラーフィルタ等を付加した例を示す斜視図である。当該斜視図では、複数の画素の断面もあわせて図示している。光電変換素子50が形成される層261上には、絶縁層280が形成される。絶縁層280は可視光に対して透光性の高い酸化シリコン膜などを用いることができる。また、パッシベーション層として窒化シリコン膜を積層してもよい。また、反射防止層として、酸化ハフニウムなどの誘電体膜を積層してもよい。
以下では、イメージセンサチップを収めたパッケージ及びカメラモジュールの一例について説明する。当該イメージセンサチップには、上記撮像装置の構成を用いることができる。
本発明の一態様に係る撮像装置を用いることができる電子機器として、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像記憶装置又は画像再生装置、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。したがって、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態について図面を参照しながら説明している。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)、「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合や、第3端子、第4端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載するトランジスタが2つ以上のゲートを有するとき(この構成をデュアルゲート構造という場合がある)、それらのゲートを第1ゲート、第2ゲートと呼ぶ場合や、フロントゲート、バックゲートと呼ぶ場合がある。特に、「フロントゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。また、「バックゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。なお、ボトムゲートとは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも先に形成される端子のことをいい、「トップゲート」とは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも後に形成される端子のことをいう。
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が0.1原子%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にDOS(Density of States)が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある。
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル形成領域を有する。ゲート-ソース間にしきい値電圧を超える電圧を与えることによって、チャネル形成領域にチャネルが形成され、ソース‐ドレイン間に電流を流すことができる。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択する機能を有するものをいう。
本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が-30°以上30°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
Claims (3)
- ニューラルネットワークインターフェースを有する撮像装置であって、
前記撮像装置は、画素領域と、第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、第4の回路と、第1の信号線と、を有し、
前記画素領域は、複数の画素を有し、
前記画素は、第1のトランジスタを有し、
前記第4の回路は、前記ニューラルネットワークインターフェースを有し、
前記画素は、前記第1の信号線を介して前記第3の回路と電気的に接続され、
前記第3の回路は、前記第4の回路と電気的に接続され、
前記第1の回路は、前記画素に走査信号を与える機能を有し、
前記第2の回路は、前記走査信号によって選択される前記画素に重み電位を与える機能を有し、
前記画素は、光から光電変換することで第1の信号を取得する機能を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタによって前記第1の信号と、前記重み電位と、を乗算する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の信号と、前記重み電位との乗算項と、第1のオフセット項と、第2のオフセット項とを生成する機能を有し、
前記第3の回路は、前記第1のオフセット項を減算する機能を有し、
前記第4の回路は、前記第2のオフセット項を減算する機能を有し、
前記第4の回路は、前記乗算項を判定する機能を有し、
前記第4の回路は、前記ニューラルネットワークインターフェースを介して判定結果を出力する、撮像装置。 - 請求項1において、
前記第2の回路は、さらに、前記走査信号によって選択される前記画素にオフセット電位を与える機能を有し、
前記画素は、前記第1の信号に前記オフセット電位を加えることで第2の信号を生成する機能を有し、
前記画素は、前記オフセット電位に前記重み電位を加えることで第3の信号を生成する機能を有し、
前記画素は、前記第1の信号に前記オフセット電位と前記重み電位とを加えることで第4の信号を生成する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2の信号を乗算し第5の信号を生成する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第3の信号を乗算し第6の信号を生成する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第4の信号を乗算し第7の信号を生成する機能を有し、
前記第3の回路は、前記第2の信号を記憶する機能を有し、
前記第3の回路は、前記第7の信号と前記第5の信号とを演算することで第8の信号を生成する機能を有し、
前記第4の回路は、前記第8の信号を記憶する機能を有し、
前記第4の回路は、前記第8の信号と前記第6の信号とを演算することで第9の信号を生成する機能を有し、
前記第9の信号には、前記第1の信号と、前記重み電位との乗算項が出力され、
前記第4の回路は、前記第9の信号を判定する機能を有し、
前記第4の回路は、前記ニューラルネットワークインターフェースを介して判定結果を出力する、撮像装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記撮像装置は、さらに、アナログデジタル変換回路と、信号線Pioと、配線VRSと、を有し、
前記画素は、前記信号線Pioを介してデータを前記アナログデジタル変換回路に出力する機能を有し、
前記画素には、前記信号線Pioを介して前記配線VRSに与えられる第1の電位が入力される機能を有し、
前記画素は、前記第1の電位が入力されるときニューラルネットワークのニューロンとして機能する、撮像装置。
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