JP7138551B2 - スパッタリング方法及びスパッタリング装置 - Google Patents
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Description
高周波電力を用いるスパッタリング法によって薄膜を形成する場合、成膜速度の制御においてアノード電極の面積は大変重要な役割を果たす。
本発明は、前記凹凸アノード電極部に、前記基板上に形成される膜の膜厚が他の領域に比べて小さい領域の近傍に前記アノード面積調整用凹部を設け、前記アノード電極の面積を部分的に増加させることにより、スパッタリング時の前記放電空間内における高周波プラズマのプラズマ密度を調整するスパッタリング方法である。
本発明は、放電空間を有する真空槽と、前記真空槽内においてカソード電極に保持されたターゲットと、成膜対象である基板が配置され且つアノード電極を構成するステージと、前記カソード電極を介して前記ターゲットに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空槽内の前記ターゲットと前記ステージとの間の放電空間内に設けられ、当該放電空間側の面に複数の凹部を有し、かつ、スパッタリング時に前記アノード電極と同等の電位となる凹凸構造の凹凸アノード電極部とを備え、前記凹凸アノード電極部に、前記凹凸アノード電極部の凹凸構造を構成する凹部として、前記基板上に形成される膜の膜厚分布の偏りに応じて前記アノード電極の面積を部分的に増加させるように構成されたアノード面積調整用凹部が設けられているスパッタリング装置である。
本発明は、前記凹凸アノード電極部の前記放電空間側の面における、前記基板上に形成される膜の膜厚が他の領域に比べて小さい領域の近傍に、前記アノード面積調整用凹部が設けられているスパッタリング装置である。
本発明は、前記凹凸アノード電極部が、前記ステージの外側でこれを取り囲むように配置された外側凹凸アノード電極部と、前記外側凹凸アノード電極部の内側で、かつ、前記ステージに近接してこれを取り囲むように配置された基板側凹凸アノード電極部とを有し、前記外側凹凸アノード電極部の放電空間側の面にアノード面積を増加するためのアノード面積増加用凹部が設けられるとともに、前記基板側凹凸アノード電極部の放電空間側の面に前記アノード面積調整用凹部が設けられているスパッタリング装置である。
本発明は、前記基板側凹凸アノード電極部の放電空間側の面における、前記ステージに対して前記真空槽の真空排気口及び基板導入口側の位置に、前記アノード面積調整用凹部がそれぞれ設けられているスパッタリング装置である。
図2(a)(b)は、本発明に用いる外側凹凸アノード電極部の例を示すもので、図2(a)は平面図、図2(b)は図2(a)のA-A線断面図である。
図3(a)(b)は、本発明に用いる基板側凹凸アノード電極部の例を示すもので、図3(a)は平面図、図3(b)は図3(a)のB-B線断面図ある。
また、図4は、本実施の形態の真空槽の内部構成を示す部分断面図である。
2……真空槽(アノード電極)
2a…ステージ(アノード電極)
3……バッキングプレート(カソード電極)
4……ターゲット
5……高周波電源
8……外側凹凸アノード電極部
8a…アノード面積増加用凹部
8S…放電空間側の面
9……基板側凹凸アノード電極部
9a…アノード面積調整用凹部
9S…放電空間側の面
20…基板
80…凹凸アノード電極部
Claims (6)
- 真空中でカソード電極に保持されたターゲットに高周波電力を供給してアノード電極との間の放電空間内で放電させ、前記ターゲットをスパッタしてアノード電極上に配置された基板上に成膜を行うスパッタリング方法であって、
前記アノード電極とは別体の凹凸アノード電極部であって、スパッタリング時に前記アノード電極と同等の電位になる凹凸構造の凹凸アノード電極部を前記放電空間内に配置し、
前記凹凸アノード電極部に、当該凹凸構造を構成する凹部として、前記基板上に形成される膜の膜厚分布の偏りに応じて表面積を部分的に増加させるように構成されたアノード面積調整用凹部を設け、スパッタリング時の前記放電空間内における高周波プラズマのプラズマ密度を調整する工程を有するスパッタリング方法。 - 前記凹凸アノード電極部に、前記基板上に形成される膜の膜厚が他の領域に比べて小さい領域の近傍に前記アノード面積調整用凹部を設け、前記表面積を部分的に増加させることにより、スパッタリング時の前記放電空間内における高周波プラズマのプラズマ密度を調整する請求項1記載のスパッタリング方法。
- 放電空間を有する真空槽と、
前記真空槽内においてカソード電極に保持されたターゲットと、
成膜対象である基板が配置され且つアノード電極を構成するステージと、
前記カソード電極を介して前記ターゲットに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記アノード電極とは別体の凹凸アノード電極部であって、前記真空槽内の前記ターゲットと前記ステージとの間の放電空間内に設けられ、当該放電空間側の面に複数の凹部を有し、かつ、スパッタリング時に前記アノード電極と同等の電位となる凹凸構造の凹凸アノード電極部とを備え、
前記複数の凹部は、前記凹凸アノード電極部の凹凸構造を構成する凹部として、前記基板上に形成される膜の膜厚分布の偏りに応じて表面積を部分的に増加させるように所定の間隔をおいて配置されたアノード面積調整用凹部であるスパッタリング装置。 - 前記凹凸アノード電極部の前記放電空間側の面における、前記基板上に形成される膜の膜厚が他の領域に比べて小さい領域の近傍に、前記アノード面積調整用凹部が設けられている請求項3記載のスパッタリング装置。
- 前記凹凸アノード電極部が、前記ステージの外側でこれを取り囲むように配置された外側凹凸アノード電極部と、前記外側凹凸アノード電極部の内側で、かつ、前記ステージに近接してこれを取り囲むように配置された基板側凹凸アノード電極部とを有し、前記外側凹凸アノード電極部の放電空間側の面にアノード面積を増加するためのアノード面積増加用凹部が設けられるとともに、前記基板側凹凸アノード電極部の放電空間側の面に前記アノード面積調整用凹部が設けられている請求項3又は4のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記基板側凹凸アノード電極部の放電空間側の面における、前記ステージに対して前記真空槽の真空排気口及び基板導入口側の位置に、前記アノード面積調整用凹部がそれぞれ設けられている請求項5記載のスパッタリング装置。
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US6495000B1 (en) * | 2001-07-16 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode |
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