JP7136371B2 - 電力変換器 - Google Patents

Description

本明細書が開示する技術は、電力変換用のスイッチング素子を収容する半導体モジュールが一対の冷却器に挟まれている電力変換器に関する。

一対の冷却器の間に半導体モジュールが挟まれており、半導体モジュールの内部のスイッチング素子が冷却器の隣りに配置されたコンデンサに接続されている電力変換器が知られている。特開２０１８－４２４２４号公報（文献１）に、そのような電力変換器の例が開示されている。冷却器と半導体モジュールは第１方向に沿って並んでおり、半導体モジュールの第２方向を向く面から端子が延びている。一対の冷却器は第３方向の両側にて、連結パイプで連結されている。なお、第１方向、第２方向、第３方向は、互いに直交する方向を示す。コンデンサは第３方向で半導体モジュールに隣り合っている。

電力変換器では、スイッチング素子からコンデンサまでの電流経路で発生するインダクタンスが電力損失の一因となる。文献１の電力変換器の構造では、コンデンサと半導体モジュールの間には連結パイプが位置する。それゆえ、スイッチング素子（半導体モジュール）からコンデンサまでの電流経路が長くなり、大きいインダクタンスが発生する。

本明細書が開示する電力変換器では、半導体モジュールの第２方向を向く第１面に対向するようにコンデンサを配置する。先に述べたように、第２方向を向く第１面に端子が設けられている。端子が設けられている第１面に対向するようにコンデンサ素子を配置することで、半導体モジュールの端子からコンデンサまでの距離が短くなる。すなわち半導体モジュールの中のスイッチング素子からコンデンサまでの電流経路が短くなり、インダクタンスを抑えることができる。

本明細書が開示する電力変換器の一態様では、コンデンサは、第３方向における両端に電極を備える。半導体モジュールの正極端子は、コンデンサの側面に沿って第３方向に延びており、先端がコンデンサの一方の電極に接続される。半導体モジュールの負極端子は、正極端子とは逆方向に延びており、先端がコンデンサの他方の電極に接続される。この態様によると、コンデンサの中を流れる電流の方向が正極端子（負極端子）を流れる電流の方向と逆になる。互いに逆方向に電流が流れると電流経路で発生するインダクタンスを相殺することができる。すなわち、インダクタンスのさらなる低減が期待できる。

本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。

電力変換器の回路図である。 半導体モジュールの斜視図である。 図２のIII－III線に沿った半導体モジュールの断面図である。 第１実施例の電力変換器の斜視図である。 第１実施例の電力変換器の斜視図である（コンデンサを外した状態）。 電力変換器の正面図である。 第１変形例の電力変換器の平面図である。 第２実施例の電力変換器の斜視図である。 第２実施例の電力変換器の分解斜視図である。 第２変形例の電力変換器の断面図である。

（第１実施例）図１－図６を参照して第１実施例の電力変換器２を説明する。まず、電力変換器２の回路構成を説明する。図１に、電力変換器２の回路を示す。電力変換器２は、電気自動車９０に搭載されている。電力変換器２はインバータであり、バッテリ９１の直流電力を走行用のモータ９２を駆動するための交流電力に変換する。

電力変換器２は、直流端の正極９ａと負極９ｂの間に接続されているコンデンサ３と、電力変換用の６個のスイッチング素子４（４ａ、４ｂ）と、６個のダイオード５（５ａ、５ｂ）で構成される。６個のスイッチング素子４は、２個ずつ直列に接続される。正極９ａの側のスイッチング素子４をスイッチング素子４ａと称し、負極９ｂの側のスイッチング素子４をスイッチング素子４ｂと称する場合がある。

３セットの直列接続回路（２個のスイッチング素子４ａ、４ｂの直列接続回路）が直流端の正極９ａと負極９ｂの間に並列に接続される。それぞれのスイッチング素子４にダイオード５（５ａ、５ｂ）が逆並列に接続される。スイッチング素子４ａに並列に接続されるダイオード５をダイオード５ａと称し、スイッチング素子４ｂに並列に接続されるダイオード５をダイオード５ｂと称する場合がある。２個のスイッチング素子４ａ、４ｂの直列接続回路の中点から交流が出力される。

６個のスイッチング素子４は、モータコントローラ６によって制御される。図１における矢印破線は信号線を示しており、モータコントローラ６からスイッチング素子４のゲートに信号線がつながっている。

モータコントローラ６は、上位のコントローラ９４からモータ９２の目標出力を受信すると、目標出力が実現するように６個のスイッチング素子４を制御する。正極側のスイッチング素子４ａと負極側のスイッチング素子４ｂを交互にオンオフすると、直列接続回路の中点から交流が出力される。

直列に接続される２個のスイッチング素子４ａ、４ｂは半導体モジュール１０に収容されている。符号１０が示す破線矩形が半導体モジュールを示している。それぞれのスイッチング素子４ａ、４ｂに並列に接続されるダイオード５ａ、５ｂも半導体モジュール１０に収容される。電力変換器２は、３個の半導体モジュール１０（１０ａ－１０ｃ）を備えている。３個の半導体モジュールを総称する場合は符号１０を用い、それぞれの半導体モジュールを個別に表す場合には符号１０ａ、１０ｂ、１０ｃを用いる。半導体モジュール１０のハードウエアの構造は後で説明する。

半導体モジュール１０は３個のパワー端子（正極端子１１、負極端子１２、中点端子１３）を備えている。正極端子１１、負極端子１２、中点端子１３は、それぞれ、２個のスイッチング素子４ａ、４ｂの直列接続回路の高電位側、低電位側、中点と接続される。

図２に、半導体モジュール１０の斜視図を示す。図３に、図２のIII－III線に沿った断面を示す。半導体モジュール１０の本体は樹脂製のパッケージ２０であり、パッケージ２０に２個の半導体チップ２１ａ、２１ｂが埋設されている。半導体チップ２１ａには図１のスイッチング素子４ａとダイオード５ａの並列回路が実装されており、半導体チップ２１ｂには図１のスイッチング素子４ｂとダイオード５ｂの並列回路が実装されている。

図３を参照してパッケージ２０の内部の構造を説明する。半導体チップ２１ａ、２１ｂは扁平な板であり、その幅広面の両面に電極が露出している。半導体チップ２１ａの正極（スイッチング素子４ａの正極）にはスペーサ２４ａが接合されており、スペーサ２４ａの反対側に金属板２３ａが接合されている。半導体チップ２１ａの負極（スイッチング素子４ａの負極）は金属板２２に接合されており、その金属板２２には半導体チップ２１ｂの正極（スイッチング素子４ｂの正極）が接合されている。すなわち、金属板２２が２個のスイッチング素子４ａ、４ｂを直列に接続する。

半導体チップ２１ｂの負極（スイッチング素子４ｂの負極）はスペーサ２４ｂに接合されており、スペーサ２４ｂの反対側に金属板２３ｂが接合されている。金属板２３ａが２個のスイッチング素子４ａ、４ｂの直列接続回路の高電位側に対応し、金属板２３ｂが直列接続回路の低電位側に対応する。

金属板２２、２３ａ、２３ｂの一方の面はパッケージ２０から露出しており、半導体チップ２１ａ、２１ｂの熱を放出する。

図２に戻り、半導体モジュール１０の構造を説明する。パッケージ２０は、扁平であり、図中の座標系の＋Ｙ方向を向く幅狭の面２０ａに正極端子１１と負極端子１２が設けられている。負極端子１２は、第１幅狭面２０ａからＹ方向に延びている基部１２ａと、基部１２ａからＸ方向に直角に折れ曲がっている中間部１２ｂと、中間部１２ｂからＹ方向に直角に折れ曲がっている先端部１２ｃを有する。正極端子１１も同様であり、基部１１ａ、中間部１１ｂ、先端部１１ｃを有する。正極端子１１の基部１１ａは、中間部１１ｂに隠れて見えない。基部１１ａ（１２ａ）、中間部１１ｂ（１２ｂ）、先端部１１ｃ（１２ｃ）は、それぞれ平板である。

反対側のーＹ方向を向く幅狭の面２０ｂに中点端子１３と制御端子１４ａ、１４ｂが設けられている。説明の都合上、パッケージ２０の＋Ｙ方向を向く面２０ａを以下では第１幅狭面２０ａと称し、－Ｙ方向を向く面２０ｂを第２幅狭面２０ｂと称する。

正極端子１１、負極端子１２は、それぞれ、パッケージ２０の内部で金属板２３ａ、２３ｂに接続されている。中点端子１３は、パッケージ２０の内部で金属板２２に接続されている。正極端子１１、負極端子１２、中点端子１３は、金属板２２、２３ａ、２３ｂを介して２個の半導体チップ２１ａ、２１ｂ（２個のスイッチング素子４ａ、４ｂ）の直列接続回路の高電位側、低電位側、中点と導通する。別言すれば、正極端子１１は、スイッチング素子４ａの正極に接続され、負極端子１２はスイッチング素子４ｂの負極に接続される。

制御端子１４ａ（１４ｂ）は、半導体チップ２１ａ（２１ｂ）の制御パッド（不図示）に接続されている。制御パッドは、スイッチング素子のゲート、温度センサ(不図示)の端子などで構成される。制御端子１４ａ（１４ｂ）を介してモータコントローラ６からスイッチング素子４ａ（４ｂ）へ駆動信号が送られる。

図４に、電力変換器２の斜視図を示す。図４は、電力変換器２の主要部品である半導体モジュール１０とコンデンサ３のアセンブリの斜視図である。図４では、アセンブリ以外の部品（筐体を含む）の図示は省略してある。図５に、コンデンサ３を半導体モジュール１０から外した状態の電力変換器２の斜視図を示す。

電力変換器２は、３個の半導体モジュール１０（１０ａ－１０ｃ）と、４個の冷却器３０（３０ａ－３０ｄ）と、コンデンサ３を備える。４個の冷却器３０を総称する場合には符号３０を用い、個別に表す場合には符号３０ａ－３０ｄを用いる。

３個の半導体モジュール１０と４個の冷却器３０は、１個ずつ交互に積層される。複数の半導体モジュール１０と複数の冷却器３０は、図中の座標系のＸ方向に並んでいる。それぞれの半導体モジュール１０は、一対の冷却器に挟まれることになる。例えば半導体モジュール１０ａは一対の冷却器３０ａ、３０ｂに挟まれる。半導体モジュール１０ｂは一対の冷却器３０ｂ、３０ｃに挟まれる。半導体モジュール１０ｃは一対の冷却器３０ｃ、３０ｄに挟まれる。

冷却器３０の内部を冷媒が通る。冷媒は液体である。隣り合う冷却器３０は、一対の連結パイプ３１ａ、３１ｂで連結される。連結パイプ３１ａ、３１ｂは、隣り合う冷却器３０の中の流路をつなぐ。図の右端の冷却器３０ｄには、冷媒入口３２ａと冷媒出口３２ｂが設けられている。冷媒入口３２ａと冷媒出口３２ｂは不図示の冷媒循環装置に接続される。冷媒入口３２ａから供給された冷媒は、連結パイプ３１ａを通じて全ての冷却器３０に分配される。冷媒は冷却器３０の内部を通過する間に隣り合う半導体モジュール１０から熱を吸収する。熱を吸収した冷媒は連結パイプ３１ｂを通じて冷媒出口３２ｂから排出される。それぞれの半導体モジュール１０は両面から冷却されるので、電力変換器２は半導体モジュール１０に対する冷却効率が高い。

それぞれの半導体モジュール１０の第１幅狭面２０ａに正極端子１１と負極端子１２が設けられている。先に述べたように、第１幅狭面２０ａは図中の座標系のＹ方向を向く面であり、正極端子１１と負極端子１２はＺ方向に並んでいる。コンデンサ３は、半導体モジュール１０の第１幅狭面２０ａに対向するように配置される。コンデンサ３は、図中の座標系のＺ方向の両端に電極（正極３ｐ、負極３ｎ）を有している。

半導体モジュール１０の正極端子１１の先端部１１ｃと負極端子１２の先端部１２ｃは、Ｚ方向でコンデンサ３を挟み込み、先端部１１ｃがコンデンサ３の正極３ｐに接合され、先端部１２ｃがコンデンサ３の負極３ｎに接合される。

複数の半導体モジュール１０の下方に回路基板７が配置される。回路基板７には図１に示したモータコントローラ６が実装されている。

図６に電力変換器２の正面図を示す。半導体モジュール１０の第２幅狭面２０ｂに制御端子１４ａ、１４ｂと中点端子１３が設けられている。回路基板７は、第２幅狭面２０ｂに対向するように配置される。制御端子１４ａ、１４ｂは、回路基板７に接続される。中点端子１３は、回路基板７を通過し、別のバスバと接合される。バスバとは、金属棒（金属板）で作られた導電部材である。

先に述べたように、コンデンサ３は、半導体モジュール１０の第１幅狭面２０ａに対向するように配置される。第１幅狭面２０ａには正極端子１１と負極端子１２が設けられている。図４－図６に示されているように、正極端子１１（負極端子１２）からコンデンサ３までの距離が短い。半導体モジュール１０の内部のスイッチング素子４ａ、４ｂからコンデンサ３までの電流経路が短いので、電流経路で発生するインダクタンスを抑えることができる。電流経路で発生するインダクタンスは電力損失の原因となる。スイッチング素子からコンデンサまでの電流経路が短い電力変換器２は、損失が小さい。

Ｚ方向で半導体モジュール１０の両側には連結パイプ３１ａ、３１ｂが配置されている。それゆえ、仮にＺ方向で半導体モジュール１０に隣り合うようにコンデンサ３を配置すると、半導体モジュール１０内のスイッチング素子からコンデンサ３までの距離が長くなる。複数の半導体モジュール１０と複数の冷却器３０がＸ方向に並んでいる。従って、仮にＸ方向で半導体モジュール１０に隣り合うようにコンデンサ３を配置した場合も、半導体モジュール１０内のスイッチング素子からコンデンサ３までの距離が長くなる。実施例の電力変換器２では、Ｙ方向で半導体モジュール１０に隣り合うようにコンデンサ３が配置される。そのような配置が、半導体モジュール１０内のスイッチング素子からコンデンサ３までの距離を最も短くすることができる。

また、正極端子１１の中間部１１ｂと負極端子１２の中間部１２ｂは、コンデンサ３の側面に沿って延びており、Ｚ軸に沿って互いに逆方向に延びている。正極端子１１の先端部１１ｃと負極端子１２の先端部１２ｃは互いに対向するように折れ曲がっており、それらの間にコンデンサ３が挟まれている。先に述べたように、正極端子１１の先端部１１ｃはコンデンサ３の正極３ｐに接合され、負極端子１２の先端部１２ｃはコンデンサ３の負極３ｎに接合される。

図６に示されているように、コンデンサ３は、Ｚ方向（正極端子１１と負極端子１２の並び方向）の中心線ＣＬが正極端子１１と負極端子１２の間を通るように配置される。そして、正極端子１１と負極端子１２がコンデンサ３の側面に沿って互いに逆方向に延びている。この構成により、図６の太い矢印線が示すように電流が流れる。特に高周波のノイズはコンデンサ３の表層に沿って流れる。すなわち、正極端子１１と負極端子１２に流れる電流と、コンデンサ３の内部を流れる電流は、近接することになる。

正極端子１１の中間部１１ｂと負極端子１２の中間部１２ｂでは電流は図中の右から左へ流れる。コンデンサ３の内部では、電流は左から右へと流れる。正極端子１１と負極端子１２を流れる電流とコンデンサ３の内部を流れる電流が互いに反対方向になるから、それぞれの電流が発生する磁界が相殺される。電流が発生する磁界が相殺されると電流変化に起因するインダクタンスが抑制される。電力変換器２では、磁界を相殺することでもインダクタンスが抑制され、その結果、損失が抑えられる。

図７に、変形例の電力変換器１０２の正面図を示す。実施例の半導体モジュール１０は、第１幅狭面２０ａに正極端子１１と負極端子１２が設けられており、反対側の第２幅狭面２０ｂに中点端子１３が設けられている。変形例の電力変換器１０２に用いられている半導体モジュール１１０は、パッケージ２０の第１幅狭面２０ａに正極端子１１１と負極端子１１２と中点端子１１３が設けられている。正極端子１１１と負極端子１１２と中点端子１１３は、第１幅狭面２０ａにて、Ｚ方向に並んでいる。第１幅狭面２０ａに中点端子１１３も設けられ、正極端子１１１と負極端子１１２の間が狭められている。それでも、正極端子１１１と負極端子１１２は、Ｚ方向で並んでおり、それらの間にコンデンサ１０３が配置される。コンデンサ１０３は第１幅狭面２０ａに対向するように配置される。コンデンサ１０３は、Ｚ方向におけるコンデンサ１０３の中心線ＣＬが正極端子１１１と負極端子１１２の間を通るように配置される。

正極端子１１１と負極端子１１２は、コンデンサ１０３の側面に沿って互いに反対方向へ延びており、正極端子１１１はコンデンサ１０３の正極３ｐに接合しており、負極端子１１２は負極３ｎと接合している。変形例の電力変換器１０２も実施例の電力変換器２と同じ効果を奏する。

（第２実施例）図８、図９を用いて第２実施例の電力変換器２０２を説明する。図８は、電力変換器２０２の斜視図であり、図９は電力変換器２０２の分解斜視図である。第２実施例の電力変換器２０２は、第１実施例の電力変換器２が用いた半導体モジュール１０（１０ａ－１０ｃ）を用いるが、その並べ方が第１実施例の場合と異なる。

電力変換器２０２では、一対の冷却器２３０ａ、２３０ｂの間に、３個の半導体モジュール１０ａ－１０ｃが挟まれている。３個の半導体モジュール１０ａ－１０ｃは、図中の座標系のＺ方向に並んでいる。Ｚ方向は、半導体モジュール１０において正極端子１１と負極端子１２の並び方向と同じである。

第１実施例の電力変換器２では、３個の半導体モジュール１０ａ－１０ｃのそれぞれの正極端子１１と負極端子１２が１個のコンデンサ３に接続されている。第２実施例の電力変換器２０２は、３個のコンデンサ３ａ－３ｃを有しており、半導体モジュール１０ａ－１０ｃのそれぞれが３個のコンデンサ３ａ－３ｃのそれぞれに接続されている。

電力変換器２０２は、３個の半導体モジュール１０ａ－１０ｃの並び方が相違するだけで、他の特徴は電力変換器２の特徴と同じである。それゆえ、第２実施例の電力変換器２も第１実施例の電力変換器２と同じ利点を有する。

（変形例）図１０に変形例の電力変換器３０２の側面図を示す。図１０では、冷却器３３０ａ、３３０ｂと半導体モジュール３１０とコンデンサ３を収容する筐体３８０も描いてある。図１０は、電力変換器３０２の筐体３８０を図中の座標系のＸＹ平面でカットした断面を示している。一対の冷却器３３０ａ、３３０ｂと半導体モジュール３１０とコンデンサ３は側面が描かれている。

変形例の電力変換器３０２では、半導体モジュール３１０の端子の形状が半導体モジュール１０とは若干相違する。電力変換器３０２も一対の冷却器３３０ａと３３０ｂの間に３個の半導体モジュール３１０が挟まれている。３個の半導体モジュール３１０はＺ方向に並んでおり、２個の半導体モジュール３１０は、図１０の紙面奥側に配置されている。

一対の冷却器３３０ａ、３３０ｂと半導体モジュール３１０は図中座標系のＸ方向に並んでおり、それぞれの半導体モジュール３１０の正極端子３１１と負極端子（図１０では負極端子は正極端子３１１に隠れて見えない）はＺ方向で並んでおり、コンデンサ３はＹ方向で半導体モジュール３１０の第１幅狭面２０ａに対向している、正極端子３１１と負極端子（図１では不図示）は、Ｚ方向でコンデンサ３を挟んでいる。これらの構造は、第２実施例の電力変換器２０２と同じである。それゆえ、変形例の電力変換器３０２は、第２実施例の電力変換器２０２と同じ利点を有する。

モータコントローラ６が実装された回路基板３０７は、冷却器３３０ａ、３３０ｂと半導体モジュール３１０のアセンブリの上方に配置されている。回路基板３０７は筐体３８０に固定されている。半導体モジュール３１０の制御端子３１４は上方に折れ曲がっており、回路基板３０７に接続されている。中点端子３１３は中間バスバ３８４の一端に連結されている。中間バスバ３８４の他端は出力バスバ３８５の一端に連結されている。出力バスバ３８５は、筐体３８０の外へと延びている。出力バスバ３８５は、走行用のモータ９２（図１参照）に接続される。

回路基板３０７は、伝熱シート３８２を挟んで冷却器３３０ａと対向している。図１０では理解を助けるため、伝熱シート３８２をグレーで示してある。回路基板３０７は、冷却器３３０ａと熱的に接続されている。図１０において回路基板７から冷却器３３０ａに向かう矢印線は熱の流れを表している。図１０の構造によると、回路基板７は冷却器３３０ａにより冷却される。

コンデンサ３の下面は筐体３８０の底板３８１に接している。また、冷却器３３０ｂも底板３８１に接している。コンデンサ３の下部から底板３８１に向かう矢印線、および、底板３８１から冷却器３３０ｂへ向かう矢印線も熱の流れを示している。それらの矢印線が示すように、コンデンサ３は冷却器３３０ｂにより冷却される。

実施例で説明した電力変換器２（１０２、２０２、３０３）の特徴を以下に列挙する。コンデンサ３は、正極端子１１と負極端子１２が設けられている第１幅狭面と対向するように配置されている。コンデンサは、Ｚ方向における中心線ＣＬが正極端子１１と負極端子１２の間を通るように配置されている。コンデンサ３は、Ｚ方向における両端に電極（正極３ｐと負極３ｎ）を備える。正極端子１１は、コンデンサ３の側面に沿ってＺ方向に延びており、先端部１１ｃがコンデンサ３の一方の電極（例えば正極３ｐ）に接続される。負極端子１２はコンデンサ３の側面に沿って正極端子１１とは逆方向に延びており、先端部１２ｃがコンデンサ３の他方の電極（例えば負極３ｎ）に接続される。上記の構造により、半導体モジュール１０の内部のスイッチング素子４ａ、４ｂからコンデンサ３までの電流経路が短くなり、電流経路に発生するインダクタンスを抑えることができる。また、正極端子１１（負極端子１２）とコンデンサ３の内部で電流が逆方向に流れる。この構造も、インダクタンスの抑制に貢献する。

半導体モジュール１０には２個のスイッチング素子４ａ、４ｂの直列接続回路が収容されている。正極端子１１は直列接続回路の高電位側に接続されており、負極端子１２は直列接続回路の低電位側に接続されている。直列接続回路の中点に接続されている中点端子１３は、第１幅狭面の反対側の第２幅狭面から延びている。

複数の冷却器３０がＸ方向に並んでおり、複数の半導体モジュール１０と複数の冷却器３０がＸ方向に沿って１個ずつ交互に積層されている。それぞれの半導体モジュール１０の正極端子１１と負極端子１２がコンデンサ３に接続される。

第２実施例の電力変換器２０２では、複数の半導体モジュール１０がＺ方向に沿って並んでいる。一対の冷却器２３０ａ、２３０ｂが複数の半導体モジュール１０ａ－１０ｃを挟んでいる。

実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。図のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向がそれぞれ、第１方向、第２方向、第３方向に対応する。第１幅狭面２０ａが、正極端子１１と負極端子１２が設けられている第１面に対応する。実施例の半導体モジュールでは第１幅狭面２０ａと第２幅狭面２０ｂはともに平坦であったが、第１幅狭面２０ａと第２幅狭面２０ｂは平坦でなくともよい。

本明細書が開示する技術は少なくとも１個の半導体モジュールが一対の冷却器に挟まれている電力変換器に適用することができる。本明細書が開示する技術は半導体モジュールの数、冷却器の数に限定されない。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims (5)

1. 電力変換用のスイッチング素子を収容している半導体モジュールと、
   前記半導体モジュールの第１面に設けられており、前記スイッチング素子と導通している正極端子と負極端子と、
   前記半導体モジュールを挟み込んでいる一対の冷却器と、
   前記スイッチング素子と電気的に接続されているコンデンサと、
   を備えており、
   前記半導体モジュールと一対の前記冷却器が第１方向で並んでおり、
   前記第１面は、第１方向に交差する第２方向を向いており、
   前記正極端子と前記負極端子は前記第１方向と前記第２方向の両方と交差する第３方向で並んでおり、
   前記コンデンサは、前記第１面に対向するように配置されているとともに、前記第３方向における両端に電極を備えており、
   前記正極端子は、前記コンデンサの側面に沿って前記第３方向に延びており、先端が前記コンデンサの一方の前記電極に接続されており、
   前記負極端子は、前記側面に沿って前記正極端子とは逆方向に延びており、先端が前記コンデンサの他方の前記電極に接続されている、電力変換器。
2. 前記コンデンサは、前記第３方向における中心線が前記正極端子と前記負極端子の間を通るように配置されている、請求項１に記載の電力変換器。
3. 前記半導体モジュールには２個の前記スイッチング素子の直列接続回路が収容されており、
   前記正極端子は前記直列接続回路の高電位側に接続されており、
   前記負極端子は前記直列接続回路の低電位側に接続されており、
   前記直列接続回路の中点に接続されている中点端子が前記第１面の反対側の第２面から延びている、請求項１または２に記載の電力変換器。
4. 一対の前記冷却器を含む複数の前記冷却器が前記第１方向に並んでおり、
   前記半導体モジュールを含む複数の前記半導体モジュールと複数の前記冷却器が前記第１方向に沿って１個ずつ交互に積層されており、それぞれの前記半導体モジュールの前記正極端子と前記負極端子が前記コンデンサに接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の電力変換器。
5. 前記半導体モジュールを含む複数の前記半導体モジュールが前記第３方向に沿って並んでおり、
   一対の前記冷却器が複数の前記半導体モジュールを挟んでいる、請求項１から３のいずれか１項に記載の電力変換器。

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