JP7126027B2 - Chamber seal assembly and growth furnace - Google Patents
Chamber seal assembly and growth furnace Download PDFInfo
- Publication number
- JP7126027B2 JP7126027B2 JP2021532510A JP2021532510A JP7126027B2 JP 7126027 B2 JP7126027 B2 JP 7126027B2 JP 2021532510 A JP2021532510 A JP 2021532510A JP 2021532510 A JP2021532510 A JP 2021532510A JP 7126027 B2 JP7126027 B2 JP 7126027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- seal
- spacer ring
- seal assembly
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 47
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16J—PISTONS; CYLINDERS; SEALINGS
- F16J15/00—Sealings
- F16J15/02—Sealings between relatively-stationary surfaces
- F16J15/06—Sealings between relatively-stationary surfaces with solid packing compressed between sealing surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は半導体製造の分野に関し、具体的には、チャンバーシールアセンブリ及び成長炉に関する。 The present invention relates to the field of semiconductor manufacturing, and in particular to chamber seal assemblies and growth reactors.
炭化ケイ素(SiC)単結晶は高熱伝導率、高破壊電圧、高キャリア移動度、高化学的安定性等の優れた半導体の物理的性質を有し、高温、強放射条件下で動作する高周波、高出力の電子デバイス及び光電子デバイスを製造でき、国防、ハイテク、工業生産、給電、変電等の分野で大きな応用価値があり、発展の将来性が極めて期待できる第3世代広帯域半導体材料としてみなされている。 Silicon carbide (SiC) single crystal has excellent semiconductor physical properties such as high thermal conductivity, high breakdown voltage, high carrier mobility, and high chemical stability. It can be used to manufacture high-power electronic devices and optoelectronic devices, and has great application value in fields such as national defense, high-tech, industrial production, power supply, and substation. there is
炭化ケイ素単結晶材料の成長には特別のプロセス装置が必要である。該プロセス装置は主に成長炉アセンブリ、加熱アセンブリ、ガスアセンブリ及び制御アセンブリ等を含み、そのうち、成長炉アセンブリはキー構造の一つである。図1は成長炉の構造概略図である。図1を参照すると、成長炉は反応チャンバー1、上室2及び下室3を含み、上室2と下室3はそれぞれ反応チャンバー1の上端と下端から反応チャンバー1に套設される。そして、上室2と反応チャンバー1との間、及び下室3と反応チャンバー1との間にシールアセンブリ(図示せず)が設けられ、それによって反応チャンバー1の内部にシールチャンバーが形成される。従来のSiC成長プロセスのニーズに応じて、該密閉チャンバーは比較的高い真空度レベルを維持する必要がある。
The growth of silicon carbide single crystal material requires special process equipment. The process equipment mainly includes a growth furnace assembly, a heating assembly, a gas assembly and a control assembly, among which the growth furnace assembly is one of the key structures. FIG. 1 is a structural schematic diagram of a growth furnace. Referring to FIG. 1, the growth furnace includes a
従来のシールアセンブリは、通常、互いに間隔をあけた2つのシールリングを含む。この場合、実際の応用では以下の問題が存在し、即ち、取り付けるときに、2つのシールリングの間に空気が閉じ込められ、反応チャンバー1の真空引きが完了した後、チャンバー内部の真空度が比較的高く、2つのシールリング間の間隔内の圧力(空気が閉じ込められるため)とチャンバー内の圧力との差が比較的大きいため、不可避的に、間隔内に閉じ込められた空気がごくわずかにチャンバー内に漏れるとしても、チャンバーの圧力上昇率の上昇を招く可能性があり、晶体成長プロセスの展開に悪影響を与えてしまう。また、間隔内の圧力が外部大気圧力よりも低いため、該間隔が負圧状態になることを引き起こし、それによってチャンバーの取り外し・メンテナンスを行う際に、炉室フランジの取り外しが困難になることを引き起こし、それによって反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクが存在する。
A conventional seal assembly typically includes two seal rings spaced apart from each other. In this case, there are the following problems in practical application: air is trapped between the two seal rings during installation, and after the
本発明は、少なくとも従来技術に存在する技術的問題の一つを解決するために、チャンバーシールアセンブリ及び成長炉を提案し、それは空気が反応チャンバー内に漏れることを回避できるとともに、チャンバーの取り外し・メンテナンスの効率を向上させ、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクを回避することができる。 The present invention proposes a chamber seal assembly and a growth furnace to solve at least one of the technical problems existing in the prior art, which can avoid the air from leaking into the reaction chamber and remove and remove the chamber. The efficiency of maintenance can be improved and the risk of causing damage to the reaction chamber can be avoided.
本発明の目的を実現するために、チャンバーシールアセンブリを提供し、炉室フランジと反応チャンバーとの間に周設され、
シールスペーサーリング、及びそれぞれ前記シールスペーサーリングの軸方向両側に設けられるシールリングを含み、そのうち、前記シールスペーサーリング内に第1排気通路が設けられ、前記第1排気通路が前記シールスペーサーリングの内側と連通し、そして、前記炉室フランジ内に第2排気通路が設けられ、前記第2排気通路がそれぞれ前記第1排気通路及び排気装置に接続される。
In carrying out the objects of the present invention, a chamber seal assembly is provided, disposed circumferentially between the furnace chamber flange and the reaction chamber,
a seal spacer ring, and seal rings respectively provided on both axial sides of said seal spacer ring, wherein a first exhaust passage is provided in said seal spacer ring, said first exhaust passage being inside said seal spacer ring and a second exhaust passage is provided in the furnace chamber flange, the second exhaust passage being connected to the first exhaust passage and an exhaust device, respectively.
選択肢として、前記第1排気通路は前記シールスペーサーリングの周方向に沿って均等に分布する複数の排気孔を含み、各前記排気孔は前記シールスペーサーリング内に穿設される。 Optionally, said first exhaust passage comprises a plurality of exhaust holes evenly distributed along the circumference of said seal spacer ring, each said exhaust hole being drilled in said seal spacer ring.
選択肢として、前記シールスペーサーリングの内周壁上に環状凹溝が形成され、各前記排気孔の内端はいずれも前記環状凹溝内に位置する。 Alternatively, an annular groove is formed on the inner peripheral wall of the seal spacer ring, and the inner end of each of the exhaust holes is located in the annular groove.
選択肢として、前記排気孔の直径は前記シールスペーサーリングの軸方向厚さの1/4である。 Optionally, the diameter of said exhaust hole is 1/4 of the axial thickness of said seal spacer ring.
選択肢として、前記排気孔の数は12~36個である。 Optionally, the number of vent holes is between 12 and 36.
選択肢として、前記排気孔の内端は前記シールスペーサーリングの軸方向厚さの中間位置に位置する。 Optionally, the inner end of the vent hole is located midway in the axial thickness of the seal spacer ring.
選択肢として、前記第1排気通路から遠い前記第2排気通路の一端は前記炉室フランジの外周壁上に位置する。 Optionally, one end of said second exhaust passage remote from said first exhaust passage is located on the outer peripheral wall of said furnace chamber flange.
選択肢として、さらに上裏当てリング及び下裏当てリングを含み、且つ前記シールリングと前記シールスペーサーリングが前記上裏当てリングと前記下裏当てリングとの間に設けられる。 Optionally, further comprising an upper backing ring and a lower backing ring, and wherein said seal ring and said seal spacer ring are provided between said upper backing ring and said lower backing ring.
別の技術案として、本発明はさらに成長炉を提供し、反応チャンバー、上室及び下室を含み、前記上室と下室はそれぞれ前記反応チャンバーの上端と下端に套設され、そして、前記上室及び下室はいずれも下から上に順に積層されたフランジエンドカバー、炉室フランジ及び炉室本体を含み、そのうち、前記炉室フランジの内周壁と前記反応チャンバーの外周壁との間に環状隙間を有し、
前記環状隙間内にチャンバーシールアセンブリが設けられ、前記チャンバーシールアセンブリは本発明が提供する上記チャンバーシールアセンブリを使用する。
As another technical solution, the present invention further provides a growth furnace, comprising a reaction chamber, an upper chamber and a lower chamber, wherein the upper chamber and the lower chamber are installed respectively at the upper end and the lower end of the reaction chamber, and The upper chamber and the lower chamber each include a flange end cover, a furnace chamber flange and a furnace chamber body, which are stacked in order from bottom to top, between the inner peripheral wall of the furnace chamber flange and the outer peripheral wall of the reaction chamber. having an annular gap,
A chamber seal assembly is provided within the annular gap, and the chamber seal assembly employs the chamber seal assembly provided by the present invention.
選択肢として、前記排気装置は真空コネクタ、排気配管及び排気ポンプを含み、そのうち、
前記真空コネクタは前記第2排気通路の第2端に接続され、
前記排気配管はそれぞれ前記排気ポンプ及び前記真空コネクタに接続される。
Optionally, said evacuation device comprises a vacuum connector, an evacuation pipe and an evacuation pump, wherein
the vacuum connector is connected to a second end of the second exhaust passage;
The exhaust pipes are respectively connected to the exhaust pump and the vacuum connector.
本発明は以下の有益な効果を有する。 The invention has the following beneficial effects.
本発明が提供するチャンバーシールアセンブリによれば、それはシールスペーサーリング内に第1排気通路が設けられ、且つ炉室フランジ内に第2排気通路が設けられることによって、排気装置を利用して順に該第2排気通路と第1排気通路を介してシールスペーサーリングと反応チャンバーとの間の間隔内の空気を排出することができ、それによって該間隔内の空気が反応チャンバー内に漏れることを回避でき、チャンバーの圧力上昇率の要件を確保し、また、さらにチャンバーの取り外し・メンテナンスを行う際に、第2排気通路及び第1排気通路を介して上記間隔と大気環境を連通させることができ、それによって間隔内の負圧状態を解除でき、炉室フランジの取り外しが容易になり、それによってチャンバーの取り外し・メンテナンスの効率を向上させ、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクを回避することができる。 According to the chamber seal assembly provided by the present invention, it is provided with a first exhaust passage in the seal spacer ring and a second exhaust passage in the furnace chamber flange, thereby utilizing the exhaust device in turn. Air in the space between the seal spacer ring and the reaction chamber can be evacuated through the second exhaust passage and the first exhaust passage, thereby avoiding leakage of air in the space into the reaction chamber. , ensuring the requirements of the pressure rise rate of the chamber, and furthermore, when the chamber is removed and maintained, the space can be communicated with the atmospheric environment through the second exhaust passage and the first exhaust passage, can release the negative pressure condition in the interval and facilitate the removal of the furnace chamber flange, thereby improving the efficiency of chamber removal and maintenance and avoiding the risk of causing damage to the reaction chamber.
本発明が提供する成長炉によれば、それは本発明が提供する上記チャンバーシールアセンブリを使用することによって、空気が反応チャンバー内に漏れることを回避できるだけでなく、チャンバーの取り外し・メンテナンスの効率を向上させ、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクを回避することができる。 According to the growth furnace provided by the present invention, by using the chamber seal assembly provided by the present invention, it can not only avoid air leakage into the reaction chamber, but also improve the efficiency of removing and maintaining the chamber. and avoid the risk of causing damage to the reaction chamber.
当業者が本発明の技術案をよりよく理解するようにするために、以下、図面を参照しながら本発明が提供するチャンバーシールアセンブリ及び成長炉を詳細に説明する。 In order for those skilled in the art to better understand the technical solution of the present invention, the chamber seal assembly and the growth furnace provided by the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
図2を参照すると、本発明の実施例が使用する成長炉の部分断面図である。該成長炉は反応チャンバー10、上室及び下室を含み、上室と下室はそれぞれ反応チャンバー10の上端と下端から反応チャンバー10上に套設される。図2には、上炉室及びそれと反応チャンバー10とのシール構造の部分断面図のみが示される。下炉室と反応チャンバー10との間のシール構造は上炉室と反応チャンバー10とのシール構造に類似するため、本実施例では、上炉室と反応チャンバー10とのシール構造のみを例とする。
Referring to FIG. 2, it is a partial cross-sectional view of a growth furnace used by embodiments of the present invention. The growth furnace includes a
本実施例では、上炉室は上から下に順に設けられる上エンドカバー13、上炉室本体12及び炉室フランジ11を含み、そのうち、炉室フランジ11は反応チャンバー10上に套設され、且つ炉室フランジ11と反応チャンバー10との間の間隔内にチャンバーシールアセンブリ14が周設され、炉室フランジ11と反応チャンバー10との密封を実現することに用いられる。
In this embodiment, the upper furnace chamber includes an
図2及び図3を併せて参照すると、本実施例が提供するチャンバーシールアセンブリはシールスペーサーリング144、及びそれぞれ該シールスペーサーリング144の軸方向両側に設けられるシールリング143を含む。シールスペーサーリング144はシールリング143を隔離し且つ支持する役割を果たすことに用いられる。
2 and 3 together, the chamber seal assembly provided by this embodiment includes a
しかし、チャンバーシールアセンブリを取り付ける際に、シールスペーサーリング144の内側において、且つ2つのシールリング143の間に位置する間隔内に空気が閉じ込められ、反応チャンバー10の内部の真空引きが完了した後、チャンバー内部の真空度が比較的高く、両側のシールリング143の間の間隔内の圧力とチャンバーの内圧との差が比較的大きいため、不可避的に、2つのシールリング143の間の間隔内に閉じ込められた空気がごくわずかにチャンバー内に漏れるとしても、チャンバーの圧力上昇率の上昇を招く可能性があり、晶体成長プロセスの展開に悪影響を与えてしまう。また、上記間隔内の圧力が外部大気圧力よりも低いため、該間隔が負圧状態であり、それによってチャンバーの取り外し・メンテナンスを行う際に、炉室フランジの取り外しが困難になり、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクがある。
However, when the chamber seal assembly is installed, air is trapped inside the
上記問題を解決するために、本実施例では、シールスペーサーリング144内に第1排気通路1441が設けられ、該第1排気通路1441がシールスペーサーリング144の内側と連通し、具体的には、第1排気通路1441の第1端と第2端はそれぞれシールスペーサーリング144の内周壁と外周壁上に位置する。そして、炉室フランジ11内に第2排気通路111が設けられ、該第2排気通路111の第1端が第1排気通路1441の第2端に接続され、第2排気通路111の第2端が排気装置(図示せず)を接続することに用いられる。
In order to solve the above problem, in this embodiment, a
チャンバーシールアセンブリの取り付けが完了した後、排気装置を利用して順に第2排気通路111及び第1排気通路1441を介してシールスペーサーリング144の内側の間隔内の空気を排出し、それによって該間隔内の空気が反応チャンバー10の内部に漏れることを回避でき、チャンバーの圧力上昇率の要件を確保し、また、さらにチャンバーの取り外し・メンテナンスを行う際に、第2排気通路111及び第1排気通路1441を介して上記間隔と大気環境とを連通させることができ、それによって該間隔内の負圧状態を解除でき、炉室フランジ11の取り外しが容易になり、それによってチャンバーの取り外し・メンテナンスの効率を向上させ、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクを回避することができる。
After the installation of the chamber seal assembly is completed, the exhaust system is utilized to exhaust the air within the space inside the
本実施例では、図4に示すように、第1排気通路1441はシールスペーサーリング144の周方向に沿って均等に分布する複数の排気孔を含み、各排気孔はシールスペーサーリング144内に穿設される。選択肢として、各排気孔はシールスペーサーリング144の径方向に沿って設けられるストレート貫通孔である。シールスペーサーリング144の周方向に沿って均等に分布する複数の排気孔によって、シールスペーサーリング144の内側の間隔内の空気を均一に排出でき、それによってシールスペーサーリング144全体の円周方向に空気を完全に排出できるように確保できるとともに、均一に排気することでシールリング143の変形を回避することができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 4, the
本実施例では、選択肢として、シールスペーサーリング144の内周壁上に環状凹溝1442が形成され、各排気孔1441の内端はいずれも環状凹溝1442内に位置する。環状凹溝1442によって、2つのシールリング143間の空気を完全に排出することにさらに有利である。
In this embodiment, an
選択肢として、排気孔の直径はシールスペーサーリング144の軸方向厚さの1/4である。例えば、シールスペーサーリング144の軸方向厚さが4mmであると、排気孔の直径は1mmである。シールスペーサーリング144の軸方向厚さが8mmであると、排気孔の直径は2mmである。このように、シールスペーサーリング144の強度を確保するうえに、排気速度を向上させることができる。
As an option, the diameter of the vent hole is 1/4 the axial thickness of the
選択肢として、排気孔の数は12~36個である。このように、シールスペーサーリング144の強度を確保するうえに、排気速度を向上させることができる。
Optionally, the number of vent holes is between 12 and 36. In this manner, the strength of the
選択肢として、排気孔の内端はシールスペーサーリング144の軸方向厚さの中間位置に位置し、このように、空気を完全に排出できることに有利である。
As an option, the inner end of the exhaust hole is located midway in the axial thickness of the
本実施例では、図2に示すように、第1排気通路1441から遠い第2排気通路111の一端は炉室フランジ11の外周壁上に位置し、それによって排気装置を接続することに用いられる真空コネクタ15の取り付けが容易になる。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, one end of the
本実施例では、チャンバーシールアセンブリはさらに上裏当てリング141及び下裏当てリング142を含み、そのうち、シールリング143及びシールスペーサーリング144が上裏当てリング141と下裏当てリング142との間に設けられる。上裏当てリング141及び下裏当てリング142は2つのシールリング143を固定して動かないようにすることに用いられる。
In this embodiment, the chamber seal assembly further includes an
本実施例では、上裏当てリング141の上端は炉室本体12に接触し、下裏当てリング142の下端は下エンドカバー(図示せず)に接触する。そして、上炉室本体12、炉室フランジ11及び下エンドカバーはねじによって一体に固定され、且つねじを締めることで、上炉室本体12及び下エンドカバーが反応チャンバー10の軸方向に沿って2つのシールリング143を押し締め、それにより、シールリング143を反応チャンバー10の径方向に沿って膨張変形させ、それによって炉室フランジ11と反応チャンバー10との間の隙間をシールすることを実現する。
In this embodiment, the upper end of the
なお、本実施例では、シールリング143は2つであるが、本発明はこれに限定されず、実際の応用では、シールリング143はまだ1つ又は3つ以上であってもよい。この場合、シールスペーサーリングの構造及び数に対して適応的な改良を行うことができ、シールリングを固定できればよい。
In addition, although there are two sealing
別の技術案として、本発明の実施例はさらに成長炉を提供し、それは反応チャンバー、上室及び下室を含み、上室と下室はそれぞれ反応チャンバーの上端と下端に套設され、そして、上室及び下室はいずれも下から上に順に積層されたフランジエンドカバー、炉室フランジ及び炉室本体を含み、そのうち、炉室フランジの内周壁と反応チャンバーの外周壁との間に環状隙間を有し、該環状隙間内にチャンバーシールアセンブリが設けられ、炉室フランジと反応チャンバーとの密封を実現することに用いられる。該チャンバーシールアセンブリは本発明の実施例が提供する上記チャンバーシールアセンブリを使用する。 As another technical solution, an embodiment of the present invention further provides a growth furnace, comprising a reaction chamber, an upper chamber and a lower chamber, wherein the upper chamber and the lower chamber are installed respectively at the upper end and the lower end of the reaction chamber, and , the upper chamber and the lower chamber each include a flange end cover, a furnace chamber flange and a furnace chamber body, which are stacked in order from bottom to top, wherein an annular ring is formed between the inner peripheral wall of the furnace chamber flange and the outer peripheral wall of the reaction chamber; A gap is provided, and a chamber seal assembly is provided within the annular gap and is used to achieve a seal between the furnace chamber flange and the reaction chamber. The chamber seal assembly uses the above chamber seal assembly provided by embodiments of the present invention.
本実施例では、成長炉は真空コネクタ、排気配管及び排気ポンプを含み、そのうち、真空コネクタは第2排気通路の第2端に接続され、排気配管はそれぞれ排気ポンプ及び真空コネクタに接続される。 In this embodiment, the growth furnace includes a vacuum connector, an exhaust pipe and an exhaust pump, wherein the vacuum connector is connected to the second end of the second exhaust passage, and the exhaust pipe is connected to the exhaust pump and the vacuum connector respectively.
本発明の実施例が提供する成長炉によれば、それは本発明の実施例が提供する上記チャンバーシールアセンブリを使用することによって、空気が反応チャンバー内に漏れることを回避できるだけでなく、チャンバーの取り外し・メンテナンスの効率を向上させ、反応チャンバーの損傷を引き起こすリスクを回避することができる。 According to the growth furnace provided by the embodiments of the present invention, by using the above chamber seal assembly provided by the embodiments of the present invention, it can not only avoid air leakage into the reaction chamber, but also remove the chamber. • The efficiency of maintenance can be improved and the risk of causing damage to the reaction chamber can be avoided.
理解できるように、以上の実施形態は単に本発明の原理を説明するために使用される例示的な実施形態であるが、本発明はこれに限定されない。当業者であれば、本発明の精神及び趣旨を逸脱しない場合に、様々な変形や改良を行うことができ、これらの変形や改良も本発明の保護範囲に属する。 It can be understood that the above embodiments are merely exemplary embodiments used to explain the principles of the invention, but the invention is not limited thereto. Persons skilled in the art can make various modifications and improvements without departing from the spirit and scope of the present invention, and these modifications and improvements also fall within the protection scope of the present invention.
10 反応チャンバー
11 炉室フランジ
111 第2排気通路
12 上炉室本体
13 エンドカバー
14 チャンバーシールアセンブリ
141 上裏当てリング
142 下裏当てリング
143 シールリング
144 シールスペーサーリング
1441 排気孔
1442 環状凹溝
10
Claims (10)
シールスペーサーリング、及びそれぞれ前記シールスペーサーリングの軸方向両側に設けられるシールリングを含み、前記シールスペーサーリング内に第1排気通路が設けられ、前記第1排気通路が前記シールスペーサーリングの内側と連通し、そして、前記炉室フランジ内に第2排気通路が設けられ、前記第2排気通路がそれぞれ前記第1排気通路及び排気装置に接続されることを特徴とするチャンバーシールアセンブリ。 a chamber seal assembly disposed between a cylindrical reaction chamber and a furnace chamber flange disposed at an end of said reaction chamber and surrounding said reaction chamber , said chamber seal assembly closing said reaction chamber; surround the
a seal spacer ring; and seal rings provided on both sides of the seal spacer ring in the axial direction , wherein a first exhaust passage is provided in the seal spacer ring, and the first exhaust passage communicates with the inner side of the seal spacer ring. and a second exhaust passage within said furnace chamber flange, said second exhaust passage being connected to said first exhaust passage and said exhaust system, respectively.
前記環状隙間内にチャンバーシールアセンブリが設けられ、前記チャンバーシールアセンブリは請求項1~8のいずれか一項に記載のチャンバーシールアセンブリを使用することを特徴とする成長炉。 comprising a reaction chamber, an upper chamber and a lower chamber, wherein the upper chamber and the lower chamber are installed in the upper end and the lower end of the reaction chamber respectively, and the upper chamber and the lower chamber are stacked in order from bottom to top; A growth furnace comprising a flange end cover, a furnace chamber flange and a furnace chamber body, wherein an annular gap is formed between the inner peripheral wall of the furnace chamber flange and the outer peripheral wall of the reaction chamber,
A growth furnace, wherein a chamber seal assembly is provided in the annular gap, and the chamber seal assembly uses the chamber seal assembly according to any one of claims 1 to 8.
前記真空コネクタは前記第2排気通路の第2端に接続され、
前記排気配管はそれぞれ前記排気ポンプ及び前記真空コネクタに接続されることを特徴とする請求項9に記載の成長炉。 The evacuation device includes a vacuum connector, an evacuation pipe and an evacuation pump, wherein
the vacuum connector is connected to a second end of the second exhaust passage;
10. The growth reactor according to claim 9, wherein said exhaust pipes are connected to said exhaust pump and said vacuum connector respectively.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811201774.5 | 2018-10-16 | ||
CN201811201774.5A CN111058093B (en) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | Chamber sealing assembly and growth furnace |
PCT/CN2019/105409 WO2020078147A1 (en) | 2018-10-16 | 2019-09-11 | Chamber sealing assembly and growth furnace |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021534071A JP2021534071A (en) | 2021-12-09 |
JP7126027B2 true JP7126027B2 (en) | 2022-08-25 |
Family
ID=70284454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021532510A Active JP7126027B2 (en) | 2018-10-16 | 2019-09-11 | Chamber seal assembly and growth furnace |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7126027B2 (en) |
CN (1) | CN111058093B (en) |
WO (1) | WO2020078147A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114892265A (en) * | 2022-04-13 | 2022-08-12 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | Epitaxial growth reaction device |
CN115584485B (en) * | 2022-10-11 | 2024-08-16 | 拓荆科技股份有限公司 | Sealing structure for thin film deposition equipment and reaction chamber |
CN118380356B (en) * | 2024-06-26 | 2024-09-10 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | Thermal reaction chamber |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069104A (en) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma treatment apparatus |
CN107966022A (en) | 2017-12-21 | 2018-04-27 | 宁夏昇力恒真空设备有限公司 | Flange seal attachment device and ultrahigh vacuum sintering furnace |
CN207715049U (en) | 2017-12-14 | 2018-08-10 | 核工业西南物理研究院 | A kind of door for vacuum chamber sealing structure |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0768151A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-14 | Hitachi Ltd | Vacuum device |
JPH07151312A (en) * | 1993-11-30 | 1995-06-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Liquid fuel combustion device |
JP3463785B2 (en) * | 1997-09-22 | 2003-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Sealing device and processing device |
JP4187073B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-11-26 | 日本ピラー工業株式会社 | Sealing device for a processing device using a rotary table |
US9005539B2 (en) * | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
CN203583011U (en) * | 2013-10-09 | 2014-05-07 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | Dual-seal structure for ultrahigh-temperature double-layer water-cooled quartz tube vacuum chamber |
CN103628140B (en) * | 2013-10-09 | 2016-08-17 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | A kind of superhigh temperature Double water-cooled quartz tube vacuum chamber double sealing structure |
CN204849018U (en) * | 2015-06-23 | 2015-12-09 | 中建材(内江)玻璃高新技术有限公司 | High vacuum seal structure in coating chamber room |
CN205228137U (en) * | 2015-12-02 | 2016-05-11 | 青岛丰东热处理有限公司 | Plasma furnace double containment circle vacuum locking structure |
-
2018
- 2018-10-16 CN CN201811201774.5A patent/CN111058093B/en active Active
-
2019
- 2019-09-11 WO PCT/CN2019/105409 patent/WO2020078147A1/en active Application Filing
- 2019-09-11 JP JP2021532510A patent/JP7126027B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014069104A (en) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma treatment apparatus |
CN207715049U (en) | 2017-12-14 | 2018-08-10 | 核工业西南物理研究院 | A kind of door for vacuum chamber sealing structure |
CN107966022A (en) | 2017-12-21 | 2018-04-27 | 宁夏昇力恒真空设备有限公司 | Flange seal attachment device and ultrahigh vacuum sintering furnace |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111058093A (en) | 2020-04-24 |
WO2020078147A1 (en) | 2020-04-23 |
CN111058093B (en) | 2020-11-10 |
JP2021534071A (en) | 2021-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7126027B2 (en) | Chamber seal assembly and growth furnace | |
TWI710658B (en) | Manufacturing chamber and heat treatment furnace for SiC high temperature oxidation process | |
CN110042370B (en) | Reaction chamber structure of tubular PECVD equipment | |
CN102216656B (en) | For the treatment of the seal arrangement of room | |
KR20020061714A (en) | Shower head & film forming apparatus having the same | |
CN108085649B (en) | Reaction chamber and semiconductor processing equipment | |
WO2022160547A1 (en) | Reaction chamber of silicon carbide epitaxial furnace | |
JP4063661B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method | |
CN105020112B (en) | A kind of ion thruster screen cylinder of high heat stability | |
CN112687513B (en) | Semiconductor processing chamber | |
CN202116643U (en) | Substrate processing device | |
CN114540947B (en) | Process chamber and semiconductor processing equipment | |
CN110735185A (en) | Crystal growth furnace | |
CN105575873B (en) | Ring pressing mechanism and semiconductor processing equipment | |
CN204111831U (en) | A kind of oriented silicon steel high temperature bell-type furnace inner cover | |
CN110630747B (en) | Vacuum barrier sealing structure and equipment provided with same | |
CN216624212U (en) | Semiconductor processing equipment | |
CN210320911U (en) | Drying tank for drying electrode core | |
CN110319192B (en) | Sealing structure for sealing inner quartz tube, process equipment and assembling method | |
CN104195320A (en) | Inner hood of high-temperature hood type furnace for oriented silicon steel | |
CN206735362U (en) | Vacuum cup | |
JP5283001B2 (en) | Rotary kiln seal structure | |
CN115241093A (en) | Semiconductor reaction chamber | |
CN109666971B (en) | Growth furnace | |
JP2001262322A (en) | Exhaust pipe with flexibility and heat radiation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7126027 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |