JP7122545B1 - 圧縮装置および圧縮装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下の実施形態では、アノードガスが水素含有ガスであるとともに、カソードガスが圧縮水素である場合において、上記の圧縮機の一例として、電気化学式水素ポンプの構成および動作について説明する。
図1は、第1実施形態の圧縮装置の一例を示す図である。
電気化学式水素ポンプ100の電気化学セルにおける水素含有ガスが過加湿状態である場合、電気化学セルのアノード内で水の凝縮が起こる可能性がある。すると、凝縮水により、アノードANでフラディングが発生することで、水素拡散性低下による拡散過電圧が上がる可能性がある。
カソード:2H++2e-→H2(高圧)・・・(2)
このようにして、電気化学式水素ポンプ100では、アノードANとカソードCAとの間に電圧を印加することにより、水素含有ガス中の水素の約80%が、アノードANからカソードCAに移動することで、カソードCAのカソード給電体15で水素を圧縮する動作(水素圧縮動作)が行われる。さらに、水素含有ガス中の水素のうちのアノード給電体13およびサーペンタイン流路を通過した残りの約20%は、オフガスとしてアノードANから導出され、その後、アノードANに戻すことでリサイクルされる。
以下の実機による実験では、アノードANに供給される水素含有ガスは、図示しない加湿器(例えば、バブラー)によって加湿量が所定量となるように露点が調整される。また、アノードANにおける水素含有ガスは、調整器22によって温度が所定温度となるように調整される。
以下の如く、水素含有ガスの温度を変更した場合における電気化学セル内における電気化学セルの拡散過電圧の影響について、実機による検証実験を行った。
・水素含有ガスの露点:49℃
・水素含有ガス流量(アノード入口):2.66NL/分;30kPa(ゲージ圧)
・水素含有ガス温度(アノード入口):50℃
・電流密度:1.0A/cm2
・水素圧縮動作:水素含有ガス中の約80%の水素をカソードCAにおいて1.0MPa(ゲージ圧)まで圧縮
この場合、水素含有ガスは、アノード給電体13およびサーペンタイン流路を流れるに連れて順次、水素含有ガス中の水素がカソードCAへ移動する。そして、最終的には、アノードANの出口において、水素含有ガス中の約20%の水素がオフガスとして導出される。つまり、アノードANに投入された水素含有ガス中の水素量は、アノード入口からアノード出口に向けて、100%から約20%まで順次減少する。
本開示者らは、以上の拡散過電圧上昇が、アノードANにおけるフラディングに起因する現象であると考えた。そして、本開示者らは、アノードANにおけるフラディングの要因について鋭意検討した結果、アノードANおよびカソードCA間の差圧によって、カソードCAからアノードANに移動する水量が、アノード出口におけるフラディングに関与しているのではないかと推察した。そして、このような推察は、実機によるカソードCAで圧縮される圧縮水素の圧力を上昇させた実験、および、実機による熱媒体流路60を流れる熱媒体流量を変更することで、アノード出口における水素含有ガス温度を上昇させる実験で検証された。
本実施例の圧縮装置200は、カソードCAで圧縮された圧縮水素の圧力が上昇すると、制御器50は、調整器22を制御して、アノードANの出口の水素含有ガスの温度を上昇させる。また、本実施例の圧縮装置200は、電圧の印加によりアノードANおよびカソードCA間に流れる電流が上昇すると、制御器50は、調整器22を制御して、アノードANの出口の水素含有ガスの温度を上昇させる。
・水素含有ガスの露点:49℃
・水素含有ガス流量(アノード入口):2.66NL/分;30kPa(ゲージ圧)
・水素含有ガス温度(アノード入口):50℃
・電流密度:1.0A/cm2
・水素圧縮動作:水素含有ガス中の約80%の水素をカソードCAにおいて1.0MPa(ゲージ圧)まで圧縮→カソードCAにおいて40MPa(ゲージ圧)まで圧縮
図4には、水素含有ガスの露点および流量、電気化学セルの電流密度、および圧縮装置200の水素圧縮動作を以下の値に設定するとき、アノード出口における水素含有ガスの温度を変更することで、矢印で示すように、アノード出口における水素含有ガスの相対湿度が、100%から適切な数値になるように制御する例が示されている。なお、図示を省略しているが、図4の実線で示されたアノード入口における水素含有ガスの相対湿度は、アノード入口における水素含有ガスの圧力を考慮しても、約55%程度であった。この相対湿度(約55%)は、電解質膜10のドライアップもアノードANでフラディングも発生しない条件である。
・水素含有ガスの露点:49℃
・水素含有ガス流量(アノード入口):2.66NL/分;30kPa(ゲージ圧)
・水素含有ガス温度(アノード入口):50℃
・電流密度:1.0A/cm2
・水素圧縮動作:水素含有ガス中の約80%の水素をカソードCAにおいて1.0MPa(ゲージ圧)まで圧縮
図5Aは、第1実施形態の第1実施例における圧縮装置の第1制御例のフローチャートである。
本実施例の圧縮装置200は、カソードCAで圧縮された圧縮水素の圧力が低下すると、制御器50は、調整器22を制御して、アノードANの出口の水素含有ガスの温度を低下させる。また、本実施例の圧縮装置200は、電圧の印加によりアノードANおよびカソードCA間に流れる電流が低下すると、制御器50は、調整器22を制御して、アノードANの出口の水素含有ガスの温度を低下させる。
本実施形態の圧縮装置200は、以下に説明する制御器50の制御内容以外は、第1実施形態の第1実施例と同様である。
・水素含有ガスの温度差TS=3℃(カソードガス圧P=1.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=4℃(カソードガス圧P=10.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=5℃(カソードガス圧P=20.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=6℃(カソードガス圧P=40.0MPa)
また、一例として、電気化学セルの電流密度が2.5A/cm2であるとき、カソードガス圧Pと、水素含有ガスの温度差TSとが以下の関係になるように調整器22を制御してもよい。なお、この電流(電流密度:2.5A/cm2)は、電気化学式水素ポンプ100の定格運転を想定した値であり、この電流密度に見合うように、水素含有ガス流量を決定した。
・水素含有ガスの温度差TS=6℃(カソードガス圧P=1.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=6.5℃(カソードガス圧P=10.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=7℃(カソードガス圧P=20.0MPa)
・水素含有ガスの温度差TS=8℃(カソードガス圧P=40.0MPa)
以上の水素含有ガスの温度差TSおよびカソードガス圧Pは例示であって、本例に限定されない。
本実施形態の圧縮装置200は、以下に説明する制御器50の制御内容以外は、第1実施形態の第2実施例と同様である。
11 :カソードセパレータ
12 :アノードセパレータ
13 :アノード給電体
14 :アノード触媒層
15 :カソード給電体
16 :カソード触媒層
22 :調整器
30 :サーペンタイン流路
31 :水素含有ガス導入マニホールド
32 :水素含有ガス導出マニホールド
50 :制御器
60 :熱媒体流路
61 :熱媒体導入マニホールド
62 :熱媒体導出マニホールド
100 :電気化学式水素ポンプ
200 :圧縮装置
300 :第1方向
400 :第2方向
AN :アノード
CA :カソード
Claims (5)
- アノードおよびカソード間に電圧を印加することで、アノードガス中の水素を、電解質膜を介してカソードに移動させ、かつ圧縮する圧縮機と、
前記圧縮機内の前記アノードガスの温度を調整する調整器と、
前記電圧の印加により前記アノードおよび前記カソード間に流れる電流が上昇すると、前記調整器を制御して、前記アノードの出口の前記アノードガスの温度を上昇させる制御器とを備える、圧縮装置。 - 前記制御器は、前記アノードの出口の前記アノードガスの温度の上限値を大きくする、請求項1に記載の圧縮装置。
- 前記制御器は、前記調整器を制御して、前記アノードの入口の前記アノードガスの温度に対する前記アノードの出口の前記アノードガスの温度の差を上昇させる、請求項1に記載の圧縮装置。
- 前記制御器は、前記差の上限値を大きくする、請求項3に記載の圧縮装置。
- アノードおよびカソード間に電圧を印加することで、アノードガス中の水素を、電解質膜を介してカソードに移動させ、かつ圧縮するステップを備え、
前記ステップにおいて、前記電圧の印加により前記アノードおよび前記カソード間に流れる電流が上昇すると、前記アノードの出口の前記アノードガスの温度を上昇させる、圧縮装置の制御方法。
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