JP7116994B2 - ITO film and transparent conductive film - Google Patents

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    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/06—Coating with compositions not containing macromolecular substances

Description

本発明は、特に、太陽電池、有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬを用いた照明に適したＩＴＯフィルム及び透明導電性フィルムに関する。 The present invention particularly relates to ITO films and transparent conductive films suitable for solar cells, organic EL displays, and illumination using organic EL.

透明導電性フィルムは、タッチパネル、太陽電池、電磁波／静電気シールド、紫外／赤外線シールドに用いられているが、特に、太陽電池、有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬを用いた照明では、全光線透過率が９０％で表面抵抗が５～１０（Ω／□）の性能が求められはじめている。
ところで、特許文献１では、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜を用いることを開示している（実施例５及び比較例４）。 Transparent conductive films are used for touch panels, solar cells, electromagnetic wave/static shields, and ultraviolet/infrared shields. A performance with a surface resistance of 5 to 10 (Ω/□) at 90% is beginning to be demanded.
By the way, Patent Document 1 discloses the use of an amorphous ITO film that is not annealed (Example 5 and Comparative Example 4).

特許第６１０６７５６号公報Japanese Patent No. 6106756

特許文献１は、透明導電性薄膜層上の透明金属酸化物層を、粒子を点在させることで形成し、透明導電性薄膜層の透明金属層による被覆率を少なくし、粒子間に透明導電性薄膜を露出させることにより、透明導電性薄膜層と透明金属酸化物層上の金属電極聞の導電性を、透明性を落とすことなく大幅に上げ、インデックスマッチング性や耐擦傷性を高めることができるものである。
従って、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ２を形成した場合の実施例５では高い透明性を有しているが、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ２を形成しない比較例４では透明性が低く、耐擦傷性にも課題を生じている。
なお、特許文献１では、ＩＴＯ膜の低抵抗化を実現するためにＩＴＯ膜の膜厚を９０ｎｍと厚くするとともに、ＩＴＯ膜の安定性を高めるためにＳｎＯ２を１０ｗｔ％含有させている。 In Patent Document 1, a transparent metal oxide layer on a transparent conductive thin film layer is formed by interspersing particles to reduce the coverage of the transparent conductive thin film layer with the transparent metal layer, and transparent conductive material is formed between the particles. By exposing the conductive thin film, the conductivity between the transparent conductive thin film layer and the metal electrode on the transparent metal oxide layer can be greatly increased without reducing transparency, and index matching and scratch resistance can be improved. It is possible.
Therefore, Example 5 in which SiO 2 is formed on the ITO film has high transparency, while Comparative Example 4 in which SiO 2 is not formed on the ITO film has low transparency and scratch resistance. is causing problems.
In Patent Document 1, the thickness of the ITO film is increased to 90 nm in order to reduce the resistance of the ITO film, and 10 wt % of SnO 2 is contained in order to increase the stability of the ITO film.

本発明は、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜の安定性を高め、抵抗値に経時変化が無く、耐防湿性やガスバリヤー性が向上し、屈曲による割れに強いＩＴＯフィルム、及び導電性、透明性、及び耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供することを目的とする。 The present invention improves the stability of an amorphous ITO film in a state where annealing is not performed, does not change the resistance value over time, improves moisture resistance and gas barrier properties, and is resistant to cracking due to bending ITO film, and conductive An object of the present invention is to provide a transparent conductive film having excellent transparency and durability.

請求項１記載の本発明のＩＴＯフィルムは、可撓性を有する基材の表面に、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜を形成したＩＴＯフィルムであって、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、前記アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）としたことを特徴とする。
請求項２記載の本発明は、請求項１に記載のＩＴＯフィルムにおいて、前記基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたことを特徴とする。
請求項３記載の本発明は、請求項１又は請求項２に記載のＩＴＯフィルムにおいて、前記アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたことを特徴とする。
請求項４記載の本発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のＩＴＯフィルムにおいて、前記アモルファスＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたことを特徴とする。
請求項５記載の本発明の透明導電性フィルムは、可撓性を有する基材の表面に第１のＩＴＯ膜が形成され、前記第１のＩＴＯ膜の表面に薄膜金属層が形成され、更に前記薄膜金属層の表面に第２のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムであって、前記第１のＩＴＯ膜及び前記第２のＩＴＯ膜を、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、前記アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）とし、前記アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜とし、前記薄膜金属層を、１０ｎｍ～２０ｎｍの厚さのＡｇ層としたことを特徴とする。
請求項６記載の本発明は、請求項５に記載の透明導電性フィルムにおいて、前記基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたことを特徴とする。
請求項７記載の本発明は、請求項５又は請求項６に記載の透明導電性フィルムにおいて、前記第２のＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたことを特徴とする。
請求項８記載の本発明は、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムにおいて、前記第２のＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたことを特徴とする。 The ITO film of the present invention according to claim 1 is an ITO film in which an amorphous ITO film that is not annealed is formed on the surface of a flexible substrate, and the thickness of the amorphous ITO film is As the range of 30 nm to 320 nm, the surface resistance of the amorphous ITO film is set in the range of 9 to 105 (Ω/□), the film density of the amorphous ITO film is set to 65% or more, and the amount of movement is set to 20 to 26.4 μ (cm 2 ). /Vs) .
According to a second aspect of the present invention, in the ITO film according to the first aspect, polyethylene terephthalate is used as the substrate.
(3) The ITO film according to (1) or (2) , wherein the amorphous ITO film has an average surface roughness of 9 nm or less.
The present invention according to claim 4 is the ITO film according to any one of claims 1 to 3 , wherein SnO 2 contained in the amorphous ITO film is in the range of 2 wt% to 7 wt%. characterized by
According to claim 5 , the transparent conductive film of the present invention comprises a first ITO film formed on the surface of a substrate having flexibility, a thin metal layer formed on the surface of the first ITO film, and A transparent conductive film in which a second ITO film is formed on the surface of the thin metal layer, wherein the thickness of the first ITO film and the second ITO film is in the range of 30 nm to 320 nm, and the The surface resistance of the amorphous ITO film is in the range of 9 to 105 (Ω/□), the film density of the amorphous ITO film is 65% or more, the amount of movement is 20 to 26.4 μ (cm 2 /Vs), and the annealing treatment is performed. The thin film metal layer is an Ag layer having a thickness of 10 nm to 20 nm .
According to a sixth aspect of the present invention, in the transparent conductive film of the fifth aspect, polyethylene terephthalate is used as the substrate.
(7) The transparent conductive film according to (5) or (6) , wherein the second ITO film has an average surface roughness of 9 nm or less.
The present invention according to claim 8 is the transparent conductive film according to any one of claims 5 to 7, wherein the SnO 2 contained in the second ITO film is 2 wt% to 7 wt%. It is characterized by having a range.

本発明によれば、抵抗値に経時変化が無く、耐防湿性やガスバリヤー性が向上し、屈曲による割れに強いＩＴＯフィルムを提供できる。
また本発明によれば、導電性、透明性、及び耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an ITO film whose resistance value does not change over time, whose moisture resistance and gas barrier properties are improved, and which is resistant to cracking due to bending.
Moreover, according to the present invention, it is possible to provide a transparent conductive film excellent in conductivity, transparency, and durability.

実施例１と比較例１を用いたホール数の測定結果を示す表Table showing the measurement results of the number of holes using Example 1 and Comparative Example 1 実施例２と比較例１を用いた直径１．０ｍｍの曲げ試験結果を示す図FIG. 10 shows the results of a bending test with a diameter of 1.0 mm using Example 2 and Comparative Example 1. 実施例２と比較例１を用いた無負荷屈曲試験結果を示す図FIG. 4 shows the results of no-load bending test using Example 2 and Comparative Example 1. 実施例２を用いた８０℃保存特性結果を示すグラフGraph showing 80° C. storage characteristic results using Example 2 実施例２を用いた６０℃、９０％ＲＨ保存特性結果を示すグラフGraph showing the results of storage characteristics at 60°C and 90% RH using Example 2 実施例２を用いた－３０℃と８０℃でのヒートサイクルテスト結果を示すグラフGraph showing heat cycle test results at −30° C. and 80° C. using Example 2 実施例３、比較例２、比較例３を用いた耐熱性結果を示す表Table showing heat resistance results using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 実施例３、比較例２、比較例３を用いた５０℃温水デップ試験結果を示す表Table showing the results of the 50° C. hot water dip test using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 実施例３、比較例２、比較例３を用いた６０℃～８０℃温水デップ試験結果を示す表Table showing results of 60° C. to 80° C. hot water dip test using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 実施例３、比較例２、比較例３を用いた大気中常温放置試験結果を示す表A table showing the results of the atmospheric normal temperature storage test using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 実施例３と比較例３を用いた無負荷屈曲試験結果を示す図FIG. 10 shows the results of no-load bending test using Example 3 and Comparative Example 3. 実施例１と比較例１とのＩＴＯフィルム表面の顕微鏡写真Micrographs of ITO film surfaces of Example 1 and Comparative Example 1 図１２で示す試験片の表面粗さの測定結果を示すグラフGraph showing the measurement results of the surface roughness of the test piece shown in FIG.

本発明の第１の実施の形態によるＩＴＯフィルムは、アモルファスＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）としたものである。本実施の形態によれば、アモルファスＩＴＯ膜を高密度とすることで安定性を高めることができ、抵抗値に経時変化が無く、耐防湿性やガスバリヤー性が向上し、屈曲による割れに強いＩＴＯフィルムを提供できる。また、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上とすることで安定性を高めることができる。 In the ITO film according to the first embodiment of the present invention, the thickness of the amorphous ITO film is in the range of 30 nm to 320 nm, the surface resistance of the amorphous ITO film is in the range of 9 to 105 (Ω/□), and the amorphous ITO film is film density of 65% or more, and the movement amount is set to 20 to 26.4 μ (cm 2 /Vs) . According to this embodiment, by increasing the density of the amorphous ITO film, the stability can be improved, the resistance value does not change over time, the moisture resistance and gas barrier properties are improved, and the resistance to cracking due to bending is improved. ITO films can be provided. Moreover, the stability can be enhanced by setting the film density of the amorphous ITO film to 65% or more.

本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態によるＩＴＯフィルムにおいて、基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたものである。本実施の形態によれば、ポリエチレンテレフタレートは、可撓性及び透明性に優れており、アモルファスＩＴＯ膜の形成に適している。 A second embodiment of the present invention uses polyethylene terephthalate as the substrate in the ITO film of the first embodiment. According to this embodiment, polyethylene terephthalate is excellent in flexibility and transparency, and is suitable for forming an amorphous ITO film.

本発明の第３の実施の形態は、第１又は第2の実施の形態によるＩＴＯフィルムにおいて、アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたものである。本実施の形態によれば、アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下とすることで、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として安定性を高めることができる。 According to a third embodiment of the present invention, in the ITO film according to the first or second embodiment, the average surface roughness of the amorphous ITO film is 9 nm or less. According to the present embodiment, by setting the average surface roughness of the amorphous ITO film to 9 nm or less, the film density of the amorphous ITO film can be set to 65% or more, and stability can be improved.

本発明の第４の実施の形態は、第１から第３のいずれかの実施の形態によるＩＴＯフィルムにおいて、アモルファスＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたものである。本実施の形態によれば、ＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲とすることで、透明性を高めることができる。 According to a fourth embodiment of the present invention, in the ITO film according to any one of the first to third embodiments, SnO 2 contained in the amorphous ITO film is in the range of 2 wt % to 7 wt %. be. According to this embodiment, the SnO 2 content is in the range of 2 wt % to 7 wt %, so that the transparency can be improved.

本発明の第５の実施の形態による透明導電性フィルムは、第１のＩＴＯ膜を及び第２のＩＴＯ膜を、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）とし、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜とし、薄膜金属層を、１０ｎｍ～２０ｎｍの厚さのＡｇ層としたものである。本実施の形態によれば、導電性、透明性、及び耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供できる。また、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上とすることで安定性を高めることができる。また、耐久性に劣るＡｇを第２のＩＴＯ膜によって保護して耐久性を高めることができるとともに、５０％程度のＡｇの全光線透過率を第２のＩＴＯ膜によって９０％程度まで高めることができる。 In the transparent conductive film according to the fifth embodiment of the present invention, the thickness of the first ITO film and the second ITO film is in the range of 30 nm to 320 nm, and the surface resistance of the amorphous ITO film is 9 to 105. (Ω/□), the film density of the amorphous ITO film is 65% or more, the amount of movement is 20 to 26.4 μ (cm 2 /Vs), the amorphous ITO film is not annealed, and the thin film metal The layer is an Ag layer with a thickness of 10 nm to 20 nm . According to this embodiment, it is possible to provide a transparent conductive film excellent in conductivity, transparency, and durability. Moreover, the stability can be enhanced by setting the film density of the amorphous ITO film to 65% or more. In addition, Ag, which is inferior in durability, can be protected by the second ITO film to improve durability, and the total light transmittance of Ag, which is about 50%, can be increased to about 90% by the second ITO film. can.

本発明の第６の実施の形態は、第５の実施の形態による透明導電性フィルムにおいて、基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたものである。本実施の形態によれば、ポリエチレンテレフタレートは、可撓性及び透明性に優れており、アモルファスＩＴＯ膜の形成に適している。 According to a sixth embodiment of the present invention, polyethylene terephthalate is used as the substrate in the transparent conductive film according to the fifth embodiment. According to this embodiment, polyethylene terephthalate is excellent in flexibility and transparency, and is suitable for forming an amorphous ITO film.

本発明の第７の実施の形態は、第５又は第６の実施の形態による透明導電性フィルムにおいて、第２のＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたものである。本実施の形態によれば、アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下とすることで、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として安定性を高めることができる。 According to a seventh embodiment of the present invention, in the transparent conductive film according to the fifth or sixth embodiment, the second ITO film has an average surface roughness of 9 nm or less. According to the present embodiment, by setting the average surface roughness of the amorphous ITO film to 9 nm or less, the film density of the amorphous ITO film can be set to 65% or more, and stability can be improved.

本発明の第８の実施の形態は、第５から第７のいずれかの実施の形態による透明導電性フィルムにおいて、第２のＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたものである。本実施の形態によれば、ＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲とすることで、透明性を高めることができる。 An eighth embodiment of the present invention is the transparent conductive film according to any one of the fifth to seventh embodiments, wherein SnO 2 contained in the second ITO film is in the range of 2 wt% to 7 wt%. and According to this embodiment, the SnO 2 content is in the range of 2 wt % to 7 wt %, so that the transparency can be improved.

（実施例１）
厚み１２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）の両面をハードコート処理して基材とし、この基材の一方の表面に、ＳｎＯ２を５ｗｔ％含有するＩＴＯターゲットを用い、約１％のＯ２ガスを含むＡｒガス雰囲気中、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、表面抵抗Ｒ＝７５～８３（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さｄ＝約３５ｎｍ）を形成した。
実施例１によるＩＴＯ（酸化錫を含有する酸化インジウム）フィルムは、全光線透過率が８４％であった。なお、全光線透過率の測定には、スガ試験機（株）HGM-2DPを用いた。 (Example 1)
Both sides of PET (polyethylene terephthalate) with a thickness of 125 μm are hard-coated to form a substrate, and on one surface of this substrate, an ITO target containing 5 wt% SnO 2 is used, and about 1% O 2 gas is used. An ITO film (thickness d = about 35 nm) with a surface resistance R of 75 to 83 (Ω/□) is formed by sputtering vapor deposition in an Ar gas atmosphere at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa). did.
The ITO (indium oxide containing tin oxide) film according to Example 1 had a total light transmittance of 84%. For the measurement of total light transmittance, HGM-2DP manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. was used.

（実施例２）
実施例１と同一の方法で、表面抵抗Ｒ＝１００～１０５（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さｄ＝約３０ｎｍ）を形成した。
このように、実施例１及び実施例２は、可撓性を有する基材の表面に、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜を形成したＩＴＯフィルムである。
可撓性を有する基材には、透明性を有する各種のプラスチックフィルム（シート）を使用できる。プラスチックフィルムには、例えば、樹脂成分としてポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート、ポリアリレート、又はポリフェニレンサルファイドを含むものを用いることができる。これらの中でも、ポリエステルが特に好ましく、ポリエステルの中でもポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。ポリエチレンテレフタレートは、可撓性及び透明性に優れており、アモルファスＩＴＯ膜の形成に適している。両面ハードコート処理したＰＥＴフィルム基材の全光線透過率は約９１％である。なお、スパッタ蒸着時のフィルム基材温度は常温である。またここでのスパッタ方法には通常のマグネトロン電極法を用いた。 (Example 2)
By the same method as in Example 1, an ITO film (thickness d=about 30 nm) with surface resistance R=100 to 105 (Ω/□) was formed.
As described above, Examples 1 and 2 are ITO films in which an amorphous ITO film that is not annealed is formed on the surface of a flexible substrate.
Various transparent plastic films (sheets) can be used as the flexible substrate. For the plastic film, for example, one containing polyester, polycarbonate, polyamide, polyimide, polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyvinyl alcohol, polyacrylate, polyarylate, or polyphenylene sulfide as a resin component can be used. . Among these, polyester is particularly preferred, and among polyesters, polyethylene terephthalate is particularly preferred. Polyethylene terephthalate has excellent flexibility and transparency, and is suitable for forming an amorphous ITO film. The total light transmittance of the PET film substrate with both sides hard-coated is about 91%. Note that the temperature of the film substrate during sputtering deposition is room temperature. A normal magnetron electrode method was used for the sputtering method here.

（比較例１）
厚み１２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）の両面をハードコート処理して基材とし、この基材の一方の表面に、ＳｎＯ２を５ｗｔ％含有するＩＴＯターゲットを用い、約１％のＯ２ガスを含むＡｒガス雰囲気中、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により表面抵抗Ｒ＝１７０（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さｄ＝約２５ｎｍ）を形成した。その後、大気中で約１５０℃の加熱雰囲気で、約５０分加熱し表面抵抗Ｒ＝１４２（Ω／□）のフィルム結晶化ＩＴＯ膜を形成した。なお、アニール時のＰＥＴフィルム基材のヘイズ増加防止を目的として、両面ハードコートＰＥＴフィルム基材を用いた。 (Comparative example 1)
Both sides of PET (polyethylene terephthalate) with a thickness of 125 μm are hard-coated to form a substrate, and on one surface of this substrate, an ITO target containing 5 wt% SnO 2 is used, and about 1% O 2 gas is used. An ITO film (thickness d=about 25 nm) with a surface resistance R=170 (Ω/□) was formed by sputtering vapor deposition in an Ar gas atmosphere at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa). After that, it was heated in the atmosphere at about 150° C. for about 50 minutes to form a film-crystallized ITO film with a surface resistance of R=142 (Ω/□). A double-sided hard-coated PET film substrate was used for the purpose of preventing an increase in haze of the PET film substrate during annealing.

（評価方法１）
図１は、実施例１と比較例１を用いたホール数の測定結果を示す表である。
測定には東陽テクニカ製ResiTest8330 を用いた。
図１に示す結果より、実施例１は比較例１に対して移動度が高いことから高密度な膜であると予想される。 (Evaluation method 1)
FIG. 1 is a table showing the measurement results of the number of holes using Example 1 and Comparative Example 1. FIG.
Toyo Technica ResiTest8330 was used for the measurement.
From the results shown in FIG. 1, the mobility of Example 1 is higher than that of Comparative Example 1, so it is expected that the film has a high density.

（評価方法２）
図２は、実施例２と比較例１を用いた直径１．０ｍｍの曲げ試験結果を示す図である。
図２（ａ）は試験の概念図、図２（ｂ）は試験後の膜表面を示す写真、図２（ｃ）は測定結果を示す表である。
図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、比較例１ではクラックが発生しているのに対して実施例２ではクラックは発生していない。 (Evaluation method 2)
FIG. 2 is a diagram showing the results of a bending test with a diameter of 1.0 mm using Example 2 and Comparative Example 1. FIG.
FIG. 2(a) is a conceptual diagram of the test, FIG. 2(b) is a photograph showing the film surface after the test, and FIG. 2(c) is a table showing the measurement results.
As shown in FIGS. 2(b) and 2(c), cracks are generated in Comparative Example 1, whereas cracks are not generated in Example 2. FIG.

（評価方法３）
図３は、実施例２と比較例１を用いた無負荷屈曲試験結果を示す図である。
図３（ａ）は試験の概念図、図２（ｂ）は測定結果を示す表である。
無負荷屈曲試験結果からも比較例１に対して実施例２は繰り返し曲げにも強いことが分かる。
本発明による透明導電性フィルムは、第１のＩＴＯ膜を、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜とし、第２のＩＴＯ膜を、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜としたものである。 (Evaluation method 3)
FIG. 3 is a diagram showing the results of a no-load bending test using Example 2 and Comparative Example 1. FIG.
FIG. 3(a) is a conceptual diagram of the test, and FIG. 2(b) is a table showing the measurement results.
From the no-load bending test results, it can be seen that Example 2 is more resistant to repeated bending than Comparative Example 1.
In the transparent conductive film according to the present invention, the first ITO film is an amorphous ITO film that is not annealed, and the second ITO film has a thickness in the range of 30 nm to 320 nm. It is an amorphous ITO film with a resistance in the range of 9 to 105 (Ω/□) and without annealing treatment.

（評価方法４）
図４は、実施例２を用いた８０℃保存特性結果を示すグラフである。
図４に示すように、１０００ｈｒ経過においても、抵抗値の経時変化は生じていない。 (Evaluation method 4)
4 is a graph showing the results of 80° C. storage characteristics using Example 2. FIG.
As shown in FIG. 4, the resistance value does not change with time even after 1000 hours.

（評価方法５）
図５は、実施例２を用いた６０℃、９０％ＲＨ保存特性結果を示すグラフである。
図５に示すように、１０００ｈｒ経過においても、抵抗値の経時変化は生じていない。 (Evaluation method 5)
5 is a graph showing the results of storage characteristics at 60° C. and 90% RH using Example 2. FIG.
As shown in FIG. 5, the resistance value does not change with time even after 1000 hours.

（評価方法６）
図６は、実施例２を用いた－３０℃と８０℃でのヒートサイクルテスト結果を示すグラフである。
図６に示すように、１０００サイクル経過においても、抵抗値の経時変化は生じていない。 (Evaluation method 6)
6 is a graph showing the heat cycle test results at -30° C. and 80° C. using Example 2. FIG.
As shown in FIG. 6, the resistance value does not change with time even after 1000 cycles.

（実施例３）
実施例１によるＩＴＯフィルムの表面に、Ａｇターゲットを用い、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、膜厚が約１０ｎｍ～２０ｎｍのＡｇ層を形成した。更に、Ａｇ層の表面に、ＳｎＯ２を５ｗｔ％含有するＩＴＯターゲットを用い、約１％のＯ２ガスを含むＡｒガス雰囲気中、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、表面抵抗Ｒ＝５５～７５（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さ約５０ｎｍ）を形成した。
このように、実施例３は、可撓性を有する基材の表面に第１のＩＴＯ膜が形成され、第１のＩＴＯ膜の表面に薄膜金属層が形成され、更に薄膜金属層の表面に第２のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムである。
実施例３による透明導電性フィルムは、表面抵抗Ｒ＝５．０（Ω／□）、全光線透過率が８９％であった。なお、膜厚が約１０ｎｍ～２０ｎｍのＡｇ層は、全光線透過率が５０％であった。 (Example 3)
An Ag layer having a thickness of about 10 nm to 20 nm was formed on the surface of the ITO film according to Example 1 by sputtering vapor deposition at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa) using an Ag target. Furthermore, on the surface of the Ag layer, an ITO target containing 5 wt% SnO 2 was used, and in an Ar gas atmosphere containing about 1% O 2 gas, at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa). An ITO film (about 50 nm thick) with a surface resistance R of 55 to 75 (Ω/□) was formed by sputtering vapor deposition.
Thus, in Example 3, the first ITO film was formed on the surface of the base material having flexibility, the thin film metal layer was formed on the surface of the first ITO film, and the thin film metal layer was further formed with It is a transparent conductive film on which a second ITO film is formed.
The transparent conductive film according to Example 3 had a surface resistance R of 5.0 (Ω/□) and a total light transmittance of 89%. The Ag layer with a thickness of about 10 nm to 20 nm had a total light transmittance of 50%.

（比較例２）
厚み１２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）の両面をハードコート処理して基材とし、この基材の一方の表面に、ＳｎＯ２を５ｗｔ％含有するＩＴＯターゲットを用い、約１％のＯ２ガスを含むＡｒガス雰囲気中、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により表面抵抗Ｒ＝１７０（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さ約２５ｎｍ）を形成した。その後、このＩＴＯ膜の表面に、Ａｇターゲットを用い、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、膜厚が約１０ｎｍ～２０ｎｍのＡｇ層を形成した。更に、Ａｇ層の表面に、ＩＴＯターゲットを用い、約１％のＯ２ガスを含むＡｒガス雰囲気中、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、厚さ約５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。蒸着直後では、表面抵抗Ｒ＝５．５（Ω／□）、全光線透過率は８５％であった。その後、大気中で約１５０℃の加熱雰囲気で、約５０分加熱し、２つのＩＴＯ膜（厚さ約２５ｎｍ、厚さ約５０ｎｍ）を結晶化した。結晶化した後は、表面抵抗Ｒ＝５．０（Ω／□）、全光線透過率が８９％であった。 (Comparative example 2)
Both sides of PET (polyethylene terephthalate) with a thickness of 125 μm are hard-coated to form a substrate, and on one surface of this substrate, an ITO target containing 5 wt% SnO 2 is used, and about 1% O 2 gas is used. An ITO film (thickness: about 25 nm) with a surface resistance of R=170 (Ω/□) was formed by sputtering vapor deposition in an Ar gas atmosphere at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa). Thereafter, on the surface of this ITO film, an Ag target was used to form an Ag layer with a film thickness of about 10 nm to 20 nm by sputtering vapor deposition at a degree of vacuum of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa). Further, on the surface of the Ag layer, using an ITO target, in an Ar gas atmosphere containing about 1% O 2 gas, sputtering deposition was performed at a vacuum degree of 0.1 to 0.9 Pa (about 0.6 Pa) to a thickness of about An ITO film of 50 nm was formed. Immediately after vapor deposition, the surface resistance R was 5.5 (Ω/□) and the total light transmittance was 85%. After that, the two ITO films (about 25 nm thick and about 50 nm thick) were crystallized by heating for about 50 minutes in a heating atmosphere of about 150° C. in the atmosphere. After crystallization, the surface resistance was R=5.0 (Ω/□) and the total light transmittance was 89%.

（比較例３）
厚み１２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）の両面をハードコート処理して基材とし、この基材の一方の表面に、Ａｇターゲットを用い、真空度０．１～０．９Ｐａ（約０．６Ｐａ）でスパッタ蒸着により、膜厚が約１０ｎｍ～２０ｎｍのＡｇ層を形成した。Ａｇ層を形成した後は、表面抵抗Ｒ＝５．０（Ω／□）、全光線透過率が５０％であった。 (Comparative example 3)
Both sides of PET (polyethylene terephthalate) having a thickness of 125 μm were hard-coated to form a base material. An Ag layer having a thickness of about 10 nm to 20 nm was formed by sputtering deposition. After forming the Ag layer, the surface resistance R was 5.0 (Ω/□) and the total light transmittance was 50%.

（評価方法７）
図７は、実施例３、比較例２、比較例３を用いた耐熱性結果を示す表である。
耐熱性試験は１５０℃の雰囲気下で放置した。
図７に示すように、実施例３は２２時間経過後でも良好な結果が得られたが、比較例２は、２２時間経過後では経時変化を生じている。比較例３は２時間経過時点で既に機能を失っている。 (Evaluation method 7)
7 is a table showing the heat resistance results using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3. FIG.
The heat resistance test was left in an atmosphere of 150°C.
As shown in FIG. 7, in Example 3, good results were obtained even after 22 hours, but in Comparative Example 2, changes over time occurred after 22 hours. Comparative Example 3 has already lost its function after 2 hours.

（評価方法８）
図８は、実施例３、比較例２、比較例３を用いた５０℃温水デップ試験結果を示す表である。
図８に示すように、実施例３は６０分経過後でも良好な結果が得られたが、比較例２は、２０分経過後から影響を受け始めている。比較例３は５分経過時点でＡｇ層が劣化変色して剥がれた。 (Evaluation method 8)
8 is a table showing the results of a 50° C. hot water dip test using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3. FIG.
As shown in FIG. 8, good results were obtained in Example 3 even after 60 minutes, but Comparative Example 2 began to be affected after 20 minutes. In Comparative Example 3, the Ag layer was deteriorated and discolored and peeled off after 5 minutes.

（評価方法９）
図９は、実施例３、比較例２、比較例３を用いた６０℃～８０℃温水デップ試験結果を示す表である。
図９に示すように、実施例３は６０分経過後でも良好な結果が得られたが、比較例２は、４０分経過後から影響を受け始めている。比較例３は５分経過前にＡｇ層が劣化変色して剥がれた。 (Evaluation method 9)
FIG. 9 is a table showing the results of a 60° C. to 80° C. hot water dip test using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3.
As shown in FIG. 9, good results were obtained in Example 3 even after 60 minutes, but Comparative Example 2 began to be affected after 40 minutes. In Comparative Example 3, the Ag layer deteriorated and discolored and peeled off before 5 minutes passed.

（評価方法１０）
図１０は、実施例３、比較例２、比較例３を用いた大気中常温放置試験結果を示す表である。
図１０に示すように、実施例３は９ヶ月経過後でも良好な結果が得られたが、比較例２は、３ヶ月経過後から影響を受け始め、９ヶ月経過ではＡｇ層の一部が変色した。比較例３は２ヶ月経過前にＡｇ層が劣化変色した。 (Evaluation method 10)
FIG. 10 is a table showing the results of a normal-temperature standing test in the air using Example 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 3. As shown in FIG.
As shown in FIG. 10, good results were obtained in Example 3 even after 9 months, but Comparative Example 2 began to be affected after 3 months, and after 9 months, part of the Ag layer Discolored. In Comparative Example 3, the Ag layer deteriorated and discolored before 2 months passed.

（評価方法１１）
図１１は、実施例３と比較例３を用いた無負荷屈曲試験結果を示す図である。試験方法は評価方法３と同様である。
実施例３及び比較例３は、５０００回屈曲テスト後の抵抗変化率、及び全光線透過率ともに良好な結果を得られた。 (Evaluation method 11)
FIG. 11 is a diagram showing the no-load bending test results using Example 3 and Comparative Example 3. FIG. The test method is the same as evaluation method 3.
In Example 3 and Comparative Example 3, good results were obtained in both resistance change rate and total light transmittance after the 5000-times bending test.

図１２は、実施例１と比較例１とのＩＴＯフィルム表面の顕微鏡写真である。
図１２（ａ）は実施例１のＩＴＯフィルム、図１２（ｂ）は比較例１のＩＴＯフィルムであり、いずれも試験片の大きさは１０μｍｘ２．５μｍである。 12 is micrographs of the surfaces of the ITO films of Example 1 and Comparative Example 1. FIG.
FIG. 12(a) is the ITO film of Example 1, and FIG. 12(b) is the ITO film of Comparative Example 1, both of which have a size of 10 μm×2.5 μm.

図１３は、図１２で示す試験片の表面粗さの測定結果を示すグラフである。
図１３（ａ）は実施例１のＩＴＯフィルム、図１３（ｂ）は比較例１のＩＴＯフィルムである。表面粗さの測定には、株式会社小坂研究所製、微細形状測定機 型式 ET200を用いた。また、表面の凹みの顕微鏡写真及び測定には、Bruker社製、走査型プローブ顕微鏡（Dimension Icon SPM）を用いた。
実施例１のＩＴＯフィルムは、表面平均粗さＲａ（ｎｍ）＝４．１、比較例１のＩＴＯフィルムは、表面平均粗さＲａ（ｎｍ）＝９．５であった。また、実施例１で用いた両面ハードコートフィルム基材の表面平均粗さＲａ（ｎｍ）＝５であった。 13 is a graph showing the measurement results of the surface roughness of the test piece shown in FIG. 12. FIG.
13(a) is the ITO film of Example 1, and FIG. 13(b) is the ITO film of Comparative Example 1. FIG. For the measurement of the surface roughness, a fine shape measuring machine model ET200 manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. was used. A scanning probe microscope (Dimension Icon SPM) manufactured by Bruker was used for micrographs and measurements of surface depressions.
The ITO film of Example 1 had an average surface roughness Ra (nm) of 4.1, and the ITO film of Comparative Example 1 had an average surface roughness Ra (nm) of 9.5. Further, the average surface roughness Ra (nm) of the double-sided hard coat film substrate used in Example 1 was 5.

ＩＴＯ膜を用いて低い表面抵抗値が必要な場合、一般的にＩＴＯ膜層の厚さを厚くする方法がある。
（実施例４）
実施例１と同一の方法で、アモルファスＩＴＯ膜の膜厚を約３２０ｎｍに形成した。
この時のＩＴＯフィルムは、全光線透過率が約８２％であり、表面抵抗Ｒは約９（Ω／□）であった。
また、このＩＴＯ膜の平均空口径及び空口率は、実施例１と同一のアモルファス高密度膜であり、抵抗値に経時変化が無いことも確認できた。 When an ITO film is used and a low surface resistance value is required, there is generally a method of increasing the thickness of the ITO film layer.
(Example 4)
By the same method as in Example 1, an amorphous ITO film was formed to a film thickness of about 320 nm.
The ITO film at this time had a total light transmittance of about 82% and a surface resistance R of about 9 (Ω/□).
It was also confirmed that the average void diameter and void ratio of this ITO film were the same as those of the amorphous high-density film in Example 1, and that the resistance value did not change over time.

（比較例４）
比較例４は、比較例１と同一の方法で、スパッタ蒸着により、表面抵抗Ｒ＝１５（Ω／□）のＩＴＯ膜（厚さ約３００ｎｍ）を形成した。
抵抗値の経時変化防止を目的に、大気中で約１５０℃の加熱雰囲気で約５０分加熱し、フィルム結晶化ＩＴＯ膜を形成した。
その結果、透明導電性フィルムに、ＩＴＯ膜面を上面としたカールが発生し、ＩＴＯ膜の一部にクラック（割れ）が発生し、表面抵抗値Ｒ＝１０～∞（クラック部）（Ω／□）となり、安定したものができなかった。 (Comparative Example 4)
In Comparative Example 4, an ITO film (about 300 nm thick) having a surface resistance of R=15 (Ω/□) was formed by sputtering vapor deposition in the same manner as in Comparative Example 1.
For the purpose of preventing the resistance value from changing with time, it was heated in the atmosphere at about 150° C. for about 50 minutes to form a film-crystallized ITO film.
As a result, the transparent conductive film curls with the ITO film surface facing upward, cracks occur in part of the ITO film, and the surface resistance value R = 10 to ∞ (crack part) (Ω/ □).

以下に膜密度について説明する。
膜密度は、単位面積当たりの空口率から導いた。空口率は、測定長さに対する、計測された凹みの空口径の合計長さの比とした。そして、深さ２２ｎｍ以上の凹みを空口であるとし、この凹みの深さの１／２の位置での径を空口の大きさ（空口径）とした。
計測の結果、実施例１のＩＴＯフィルムでは、平均空口径が０．３２μｍ、空口率が９．５％、比較例１のＩＴＯフィルムでは平均空口径が０．４６μｍ、空口率が３６．５％であった。
実施例１のＩＴＯフィルムでは、空口率が９．５％であることから膜密度は９０．５％、比較例１のＩＴＯフィルムでは、空口率が３６．５％であることから膜密度は６３．５％である。 The film density will be explained below.
The film density was derived from the porosity per unit area. The void ratio was defined as the ratio of the total length of the void diameters of the measured dents to the measured length. A dent having a depth of 22 nm or more was defined as a pore, and the diameter of the dent at a position half the depth of the dent was defined as the size of the pore (aperture diameter).
As a result of measurement, the ITO film of Example 1 had an average void diameter of 0.32 μm and a void ratio of 9.5%, and the ITO film of Comparative Example 1 had an average void diameter of 0.46 μm and a void ratio of 36.5%. Met.
The ITO film of Example 1 has a porosity of 9.5%, so the film density is 90.5%. The ITO film of Comparative Example 1 has a porosity of 36.5%, so the film density is 63. 0.5%.

このように、本発明によるＩＴＯフィルムは、アモルファスＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とすることで、アモルファスＩＴＯ膜を高密度とすることで安定性を高めることができ、抵抗値に経時変化が無く、耐防湿性やガスバリヤー性が向上し、屈曲による割れに強いＩＴＯフィルムを提供できる。
アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さは、９ｎｍ以下とすることが好ましく、更には４．１以下であることが更に好ましく、アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下とすることで、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として安定性を高めることができる。
アモルファスＩＴＯ膜の膜密度は、６５％以上とすることが好ましく、更には９０％以上であることが更に好ましく、アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上とすることで安定性を高めることができる。
アモルファスＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２は、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲とすることが好ましく、更には実施例１及び実施例２に示すように５ｗｔ％とすることが更に好ましい。ＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲とすることで、透明性を高めることができる。 Thus, the ITO film according to the present invention has a thickness of the amorphous ITO film in the range of 30 nm to 320 nm and a surface resistance of the amorphous ITO film in the range of 9 to 105 (Ω/□). By increasing the density, the stability can be improved, the resistance value does not change with time, the moisture resistance and gas barrier properties are improved, and an ITO film that is resistant to cracking due to bending can be provided.
The average surface roughness of the amorphous ITO film is preferably 9 nm or less, more preferably 4.1 or less. The film density of 65% or more can improve the stability.
The film density of the amorphous ITO film is preferably 65% or more, more preferably 90% or more, and the stability can be enhanced by setting the film density of the amorphous ITO film to 65% or more. .
SnO 2 contained in the amorphous ITO film is preferably in the range of 2 wt % to 7 wt %, more preferably 5 wt % as shown in Examples 1 and 2. Transparency can be improved by setting SnO 2 in the range of 2 wt % to 7 wt %.

なお、実施例３に示すように、第２のＩＴＯ膜だけでなく、第１のＩＴＯ膜についても、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲としたアモルファスＩＴＯ膜とすることが好ましい。第１のＩＴＯ膜や第２のＩＴＯ膜をこのようなアモルファスＩＴＯ膜とすることで、導電性、透明性、及び耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供できる。
また、第２のＩＴＯ膜を、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とたアモルファスＩＴＯ膜とし、薄膜金属層を１０ｎｍ～２０ｎｍの厚さのＡｇ層とすることで、耐久性に劣るＡｇを第２のＩＴＯ膜によって保護して耐久性を高めることができるとともに、５０％程度のＡｇの全光線透過率を第２のＩＴＯ膜によって９０％程度まで高めることができる。
実施例３では薄膜金属層としてＡｇを用いたが、特にＡｇに限定することなく、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｎ等の単体又は２種以上からなる合金を用いることもできる。 As shown in Example 3, not only the second ITO film but also the first ITO film has a film thickness in the range of 30 nm to 320 nm, and the surface resistance of the amorphous ITO film is 9 to 105 (Ω/ □) is preferably an amorphous ITO film. By using such an amorphous ITO film for the first ITO film and the second ITO film, it is possible to provide a transparent conductive film excellent in conductivity, transparency, and durability.
Further, the second ITO film is an amorphous ITO film having a film thickness in the range of 30 nm to 320 nm, a surface resistance of the amorphous ITO film in the range of 9 to 105 (Ω/□), and a thin metal layer having a thickness of 10 nm to 20 nm. By forming the Ag layer with a thickness of , the Ag, which is inferior in durability, can be protected by the second ITO film to improve durability, and the total light transmittance of Ag of about 50% can be improved by the second ITO. It can be increased up to about 90% depending on the film.
In Example 3, Ag was used as the thin film metal layer, but it is not limited to Ag, and Cu, Al, Au, Ni, Ni/Cr, Cr, Ti, Sn, etc. may be used alone or in an alloy of two or more. can also be used.

Claims (8)

可撓性を有する基材の表面に、アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜を形成したＩＴＯフィルムであって、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、前記アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）としたことを特徴とするＩＴＯフィルム。 An ITO film in which an amorphous ITO film that is not annealed is formed on the surface of a flexible substrate, wherein the thickness of the amorphous ITO film is in the range of 30 nm to 320 nm. An ITO film characterized by having a surface resistance in the range of 9 to 105 (Ω/□), a film density of the amorphous ITO film of 65% or more, and a movement amount of 20 to 26.4 μ (cm 2 /Vs). . 前記基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたことを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯフィルム。 2. The ITO film according to claim 1, wherein polyethylene terephthalate is used as said base material. 前記アモルファスＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＩＴＯフィルム。 3. The ITO film according to claim 1, wherein the amorphous ITO film has an average surface roughness of 9 nm or less. 前記アモルファスＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のＩＴＯフィルム。 4. The ITO film according to any one of claims 1 to 3 , wherein SnO 2 contained in said amorphous ITO film is in the range of 2 wt% to 7 wt%. 可撓性を有する基材の表面に第１のＩＴＯ膜が形成され、前記第１のＩＴＯ膜の表面に薄膜金属層が形成され、更に前記薄膜金属層の表面に第２のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムであって、
前記第１のＩＴＯ膜及び前記第２のＩＴＯ膜を、膜厚を３０ｎｍ～３２０ｎｍの範囲として、前記アモルファスＩＴＯ膜の表面抵抗を９～１０５（Ω／□）の範囲とし、前記アモルファスＩＴＯ膜の膜密度を６５％以上として移動量を２０～２６．４μ（ｃｍ ２ ／Ｖｓ）とし、前記アニール処理を行わない状態のアモルファスＩＴＯ膜とし、
前記薄膜金属層を、１０ｎｍ～２０ｎｍの厚さのＡｇ層とした
ことを特徴とする透明導電性フィルム。 A first ITO film is formed on the surface of a flexible substrate, a thin metal layer is formed on the surface of the first ITO film, and a second ITO film is formed on the surface of the thin metal layer. A transparent conductive film having
The thickness of the first ITO film and the second ITO film is in the range of 30 nm to 320 nm, the surface resistance of the amorphous ITO film is in the range of 9 to 105 (Ω/□), and the amorphous ITO film is An amorphous ITO film having a film density of 65% or more and a movement amount of 20 to 26.4 μ (cm 2 /Vs) without being subjected to the annealing treatment ,
A transparent conductive film , wherein the thin metal layer is an Ag layer having a thickness of 10 nm to 20 nm . 前記基材として、ポリエチレンテレフタレートを用いたことを特徴とする請求項５に記載の透明導電性フィルム。 6. The transparent conductive film according to claim 5 , wherein polyethylene terephthalate is used as the base material. 前記第２のＩＴＯ膜の表面平均粗さを９ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の透明導電性フィルム。 7. The transparent conductive film according to claim 5 , wherein the second ITO film has an average surface roughness of 9 nm or less. 前記第２のＩＴＯ膜に含有されるＳｎＯ２を、２ｗｔ％～７ｗｔ％の範囲としたことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。 8. The transparent conductive film according to any one of claims 5 to 7, wherein SnO 2 contained in the second ITO film is in the range of 2 wt% to 7 wt%.
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