JP2021034204A - Transparent conductive film - Google Patents
Transparent conductive film Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034204A JP2021034204A JP2019152357A JP2019152357A JP2021034204A JP 2021034204 A JP2021034204 A JP 2021034204A JP 2019152357 A JP2019152357 A JP 2019152357A JP 2019152357 A JP2019152357 A JP 2019152357A JP 2021034204 A JP2021034204 A JP 2021034204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- layer
- conductive film
- less
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 25
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 39
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
本発明は、透明導電性フィルムに関し、詳しくは、光学用途に好適に用いられる透明導電性フィルムに関する。 The present invention relates to a transparent conductive film, and more particularly to a transparent conductive film preferably used for optical applications.
従来から、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電層を所望の電極パターンに形成した透明導電性フィルムが、タッチパネルなどの光学用途に用いられている。 Conventionally, a transparent conductive film in which a transparent conductive layer made of indium tin oxide composite oxide (ITO) is formed in a desired electrode pattern has been used for optical applications such as touch panels.
透明導電性フィルムには、目的および用途に応じて、耐屈曲性が求められる場合がある。 The transparent conductive film may be required to have bending resistance depending on the purpose and application.
このような透明導電性フィルムとして、透明プラスチックフィルム基材と、透明導電膜とを順に備え、柔軟性試験による曲げ直径が１０．７ｍｍである透明導電性フィルムが提案されている（例えば、特許文献１の実施例７参照。）。 As such a transparent conductive film, a transparent conductive film having a transparent plastic film base material and a transparent conductive film in this order and having a bending diameter of 10.7 mm by a flexibility test has been proposed (for example, Patent Documents). See Example 7 of 1).
近年、フレキシブルディスプレイ(フォルダブル、ベンダブル、ローラブルディスプレイなど)などの屈曲性を有するディスプレイに対応するべく、特許文献１の透明導電性フィルムよりも、さらなる耐屈曲性が要求される傾向にある。
In recent years, in order to support flexible displays such as flexible displays (foldable, bendable, rollable displays, etc.), there is a tendency that further bending resistance is required as compared with the transparent conductive film of
本発明は、耐屈曲性に優れる透明導電性フィルムを提供することにある。 The present invention is to provide a transparent conductive film having excellent bending resistance.
本発明［１］は、透明基材と、硬化樹脂層と、透明導電層とを順に備え、前記硬化樹脂層は、シリカ粒子を含み、下記柔軟性試験により測定される曲げ直径が、１０ｍｍ以下である、透明導電性フィルムを含んでいる。 The present invention [1] includes a transparent base material, a cured resin layer, and a transparent conductive layer in this order. The cured resin layer contains silica particles and has a bending diameter of 10 mm or less as measured by the following flexibility test. Includes a transparent conductive film.
柔軟性試験：１６５℃７５分加熱処理した透明導電性フィルムを２０ｍｍ×８０ｍｍの長方形状にカットする。次に、長方形の短辺をテスターでつなぎ抵抗値を観測する。前記透明導電層が外側となるように、透明導電性フィルムを、長方形の短辺が近づくように、曲げていき、テスターの抵抗値が増加し始めた時の透明導電性フィルムの曲げ直径（ｍｍ）を測定した。 Flexibility test: A transparent conductive film heat-treated at 165 ° C. for 75 minutes is cut into a rectangular shape of 20 mm × 80 mm. Next, connect the short sides of the rectangle with a tester and observe the resistance value. The transparent conductive film is bent so that the short sides of the rectangle approach each other so that the transparent conductive layer is on the outside, and the bending diameter (mm) of the transparent conductive film when the resistance value of the tester begins to increase. ) Was measured.
本発明［２］は、前記透明導電層の厚みが、３５ｎｍを超過する、上記［１］に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。 The present invention [2] includes the transparent conductive film according to the above [1], wherein the thickness of the transparent conductive layer exceeds 35 nm.
本発明［３］は、前記透明導電層の表面抵抗値が、４５Ω／□以下である、上記［１］または［２］に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。 The present invention [3] includes the transparent conductive film according to the above [1] or [2], wherein the surface resistance value of the transparent conductive layer is 45 Ω / □ or less.
本発明［４］は、透明基材の厚みが、４５μｍ以下である、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。 The present invention [4] includes the transparent conductive film according to any one of the above [1] to [3], wherein the thickness of the transparent base material is 45 μm or less.
本発明の透明導電性フィルムにおいて、硬化樹脂層は、シリカ粒子を含んでいる。 In the transparent conductive film of the present invention, the cured resin layer contains silica particles.
そのため、耐屈曲性に優れる。 Therefore, it has excellent bending resistance.
また、この透明導電性フィルムにおいて、柔軟性試験により測定される曲げ直径が、１０ｍｍ以下である。 Further, in this transparent conductive film, the bending diameter measured by the flexibility test is 10 mm or less.
そのため、耐屈曲性が要求される光デバイスおよびその構成部品に好適に用いることができる。 Therefore, it can be suitably used for optical devices and their components that require bending resistance.
図１を参照して、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態を説明する。 An embodiment of the transparent conductive film of the present invention will be described with reference to FIG.
図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向）であって、紙面上側が、上側（厚み方向一方側）、紙面下側が、下側（厚み方向他方側）である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。 In FIG. 1, the vertical direction of the paper surface is the vertical direction (thickness direction), the upper side of the paper surface is the upper side (one side in the thickness direction), and the lower side of the paper surface is the lower side (the other side in the thickness direction). Further, the horizontal direction and the depth direction of the paper surface are plane directions orthogonal to the vertical direction. Specifically, it conforms to the direction arrows in each figure.
１．透明導電性フィルム
透明導電性フィルム１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）を有し、厚み方向と直交する面方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。透明導電性フィルム１は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材や電磁波シールドなどの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム１は、画像表示装置などを作製するための部品であり、ＯＬＥＤモジュールなどの画像表示素子を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
1. 1. Transparent Conductive Film The transparent
具体的には、図１に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、硬化樹脂層３と、透明導電層４とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。透明導電性フィルム１は、より具体的には、透明基材２と、透明基材２の上面（厚み方向一方面）に配置される硬化樹脂層３と、硬化樹脂層３の上面（厚み方向一方面）に配置される透明導電層４とを備える。好ましくは、透明導電性フィルム１は、透明基材２、硬化樹脂層３および透明導電層４のみを備える。
Specifically, as shown in FIG. 1, the transparent
透明導電性フィルム１の厚みは、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下である。
The thickness of the transparent
２．透明基材
透明基材２は、透明導電性フィルム１の機械強度を確保するための透明な基材である。
2. Transparent base material The
透明基材２は、フィルム形状を有する。透明基材２は、硬化樹脂層３の下面に接触するように、硬化樹脂層３の下面全面に、配置されている。
The
透明基材２は、例えば、透明性を有する高分子フィルムである。透明基材２の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられ、好ましくは、オレフィン樹脂、より好ましくは、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。
The
透明基材２の厚みは、例えば、６０μｍ以下、好ましくは、４５μｍ以下である。
The thickness of the
透明基材２の厚みが、上記上限以下であれば、耐屈曲性を向上させることができる。
When the thickness of the
３．硬化樹脂層
硬化樹脂層３は、フィルム形状を有する。硬化樹脂層３は、硬化樹脂層３の下面に接触するように、透明導電層４の下面全面に、配置されている。
3. 3. Cured resin layer The cured
硬化樹脂層３としては、ハードコート層５が挙げられる。
Examples of the cured
なお、以下の説明では、硬化樹脂層３がハードコート層５である場合について説明する。
In the following description, the case where the cured
ハードコート層５は、透明導電性フィルム１を製造する際に、透明基材２に傷が発生することを抑制するための保護層である。また、ハードコート層５は、透明導電性フィルム１を積層した場合に、透明導電層４に擦り傷が発生することを抑制するための耐擦傷層である。
The
ハードコート層５は、ハードコート組成物から形成される。
The
ハードコート組成物は、樹脂および粒子を含有する。 The hard coat composition contains a resin and particles.
樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂（例えば、ポリオレフィン樹脂）などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include a curable resin and a thermoplastic resin (for example, a polyolefin resin), and a curable resin is preferable.
硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線（具体的には、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the curable resin include an active energy ray-curable resin that is cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, a thermosetting resin that is cured by heating. Preferably, an active energy ray-curable resin is used.
活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基（メタクリロイル基および／またはアクリロイル基）などが挙げられる。 Examples of the active energy ray-curable resin include polymers having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. Examples of such functional groups include vinyl groups, (meth) acryloyl groups (methacryloyl groups and / or acryloyl groups), and the like.
活性エネルギー線硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートなどの（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。 Specific examples of the active energy ray-curable resin include (meth) acrylic ultraviolet curable resins such as urethane acrylate and epoxy acrylate.
また、活性エネルギー線硬化性樹脂以外の硬化性樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of curable resins other than the active energy ray-curable resin include thermosetting resins such as urethane resin, melamine resin, alkyd resin, siloxane-based polymer, and organic silane condensate.
樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。 The resin can be used alone or in combination of two or more.
粒子は、必須成分として、シリカ粒子を含む。 The particles include silica particles as an essential component.
つまり、ハードコート組成物は、シリカ粒子を含む。そして、このようなハードコート組成物から形成されるハードコート層５（硬化樹脂層３）は、シリカ粒子を含む。 That is, the hard coat composition contains silica particles. The hard coat layer 5 (cured resin layer 3) formed from such a hard coat composition contains silica particles.
ハードコート層５（硬化樹脂層３）が、シリカ粒子を含むと、耐屈曲性が向上する。 When the hard coat layer 5 (cured resin layer 3) contains silica particles, the bending resistance is improved.
また、粒子は、任意成分として、シリカ粒子以外の他の粒子を含む。 Further, the particles include particles other than silica particles as optional components.
他の粒子としては、例えば、無機粒子（シリカ粒子を除く。）、有機粒子などが挙げられる。 Examples of other particles include inorganic particles (excluding silica particles) and organic particles.
無機粒子（シリカ粒子を除く。）としては、例えば、ジルコニア粒子、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などからなる金属酸化物粒子、例えば、炭酸カルシウムなどの炭酸塩粒子などが挙げられる。 Examples of the inorganic particles (excluding silica particles) include zirconia particles, for example, metal oxide particles composed of zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide and the like, and carbonate particles such as calcium carbonate. Be done.
有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子などが挙げられる。 Examples of the organic particles include crosslinked acrylic resin particles.
他の粒子としては、好ましくは、無機粒子（シリカ粒子を除く。）、より好ましくは、ジルコニア粒子が挙げられる。 Examples of other particles include inorganic particles (excluding silica particles), and more preferably zirconia particles.
他の粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。 Other particles can be used alone or in combination of two or more.
上記したように、粒子は、必須成分として、シリカ粒子を含み、任意成分として、他の粒子を含む。粒子は、好ましくは、シリカ粒子および他の粒子を含む。 As described above, the particles include silica particles as an essential component and other particles as an optional component. The particles preferably include silica particles and other particles.
粒子が、シリカ粒子および他の粒子を含めば、耐屈曲性を向上させることができる。 If the particles include silica particles and other particles, the bending resistance can be improved.
また、粒子が、シリカ粒子および他の粒子を含む場合には、シリカ粒子の配合割合は、シリカ粒子および他の粒子の総量１００質量部に対して、例えば、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下であり、他の粒子の配合割合は、シリカ粒子および他の粒子の総量１００質量部に対して、例えば、９０質量部以上、好ましくは、９５質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下である。 When the particles include silica particles and other particles, the mixing ratio of the silica particles is, for example, 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the silica particles and other particles, and also. For example, it is 10 parts by mass or less, preferably 5 parts by mass or less, and the mixing ratio of the other particles is, for example, 90 parts by mass or more, preferably 90 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of the silica particles and the other particles. It is 95 parts by mass or more, and for example, 99 parts by mass or less.
そして、ハードコート組成物は、樹脂および粒子を混合することにより得られる。 Then, the hard coat composition is obtained by mixing the resin and the particles.
樹脂の配合割合は、ハードコート組成物に対して、例えば、２０質量％以上であり、また、例えば、４０質量％以下である。 The blending ratio of the resin is, for example, 20% by mass or more, and for example, 40% by mass or less, based on the hard coat composition.
また、粒子の配合割合は、ハードコート組成物に対して、例えば、５０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下である。 The mixing ratio of the particles is, for example, 50% by mass or more and, for example, 80% by mass or less with respect to the hard coat composition.
また、ハードコート組成物には、必要により、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を配合することができる。 Further, if necessary, a known additive such as a leveling agent, a thixotropy agent, and an antistatic agent can be added to the hard coat composition.
ハードコート層５（硬化樹脂層３）を形成するには、詳しくは後述するが、ハードコート組成物の希釈液を透明基材２の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。
In order to form the hard coat layer 5 (cured resin layer 3), a diluted solution of the hard coat composition is applied to one surface of the
これにより、ハードコート層５を形成する。
As a result, the
ハードコート層５（硬化樹脂層３）の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。ハードコート層５の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。
４．透明導電層
透明導電層４は、結晶質であり、優れた導電性を発現する透明な層である。
From the viewpoint of scratch resistance, the thickness of the hard coat layer 5 (cured resin layer 3) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less. Is. The thickness of the
4. Transparent Conductive Layer The transparent conductive layer 4 is a transparent layer that is crystalline and exhibits excellent conductivity.
透明導電層４は、フィルム形状を有する。透明導電層４は、硬化樹脂層３の上面（厚み方向一方面）全面に、硬化樹脂層３の厚み方向一方面に接触するように、配置されている。
The transparent conductive layer 4 has a film shape. The transparent conductive layer 4 is arranged on the entire upper surface (one surface in the thickness direction) of the cured
透明導電層４の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。 As the material of the transparent conductive layer 4, at least one selected from the group consisting of, for example, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. Examples include metal oxides containing the above metals. The metal oxide may be further doped with the metal atoms shown in the above group, if necessary.
透明導電層４としては、具体的には、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）などのインジウム含有酸化物、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）などのアンチモン含有酸化物などが挙げられ、好ましくは、インジウム含有酸化物、より好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。 Specific examples of the transparent conductive layer 4 include indium-containing oxides such as indium tin oxide composite oxide (ITO), and antimony-containing oxides such as antimony tin composite oxide (ATO). Preferred are indium-containing oxides, more preferably ITO.
透明導電層４の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上、さらに好ましくは、８質量％以上、とりわけ好ましくは、９質量％以上であり、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下である。 When ITO is used as the material of the transparent conductive layer 4, the content ratio of tin oxide is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, more preferably with respect to the total amount of tin oxide and indium oxide. Is 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, particularly preferably 9% by mass or more, and for example, 20% by mass or less, preferably 15% by mass or less.
酸化スズの含有割合が上記した下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が上記した上限以下であれば、透明導電層４は、強度に優れる。 When the content ratio of tin oxide is equal to or higher than the above lower limit, the resistance reduction is promoted. When the content ratio of tin oxide is not more than the above upper limit, the transparent conductive layer 4 is excellent in strength.
また、透明導電層４は、酸化スズの割合が８質量％以上である領域を含むことができる。透明導電層４が酸化スズの割合が８質量％以上である領域を含む場合に場合には、表面抵抗値を小さくすることができる。 Further, the transparent conductive layer 4 can include a region in which the proportion of tin oxide is 8% by mass or more. When the transparent conductive layer 4 includes a region in which the proportion of tin oxide is 8% by mass or more, the surface resistance value can be reduced.
例えば、透明導電層４は、酸化スズの割合が８質量％以上である領域の一例としての第１領域１１と、第１領域１１における酸化スズの割合より低い酸化スズの割合である第２領域１２とを含む。具体的には、透明導電層４は、層状の第１領域と、第１領域１１の厚み方向一方面に配置される層状の第２領域１２とを順に含む。なお、第１領域１１および第２領域１２の境界は、測定装置による観察で確認されず、不明瞭であることが許容される。なお、この透明導電層４では、厚み方向一方面から他方面に向かって酸化スズ濃度が次第に高くなる濃度勾配を有してもよい。透明導電層４が上記した第１領域に加え、第２領域を含む場合には、その領域の比率調整により所望の結晶化速度を得ることができる。
For example, the transparent conductive layer 4 has a
第１領域１１における酸化スズの割合は、好ましくは、９質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、２０質量％以下である。
The proportion of tin oxide in the
透明導電層４の厚みにおける第１領域１１の厚みの割合は、例えば、５０％超過、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、９９％以下、好ましくは、９７％以下である。
The ratio of the thickness of the
第１領域１１の厚みの割合が上記した下限以上であれば、透明導電層４における酸化スズの割合を高くでき、そのため、表面抵抗値を十分に下げることができる。
When the ratio of the thickness of the
第２領域１２における酸化スズの割合は、例えば、８質量％未満、好ましくは、７質量％以下、より好ましくは、５質量％以下、さらに好ましくは、４質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３質量％以上である。
The proportion of tin oxide in the
透明導電層４の厚みにおける第２領域１２の厚みの割合は、例えば、１％以上、好ましくは、３％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、さらに好ましくは、１０％以下である。
The ratio of the thickness of the
第２領域１２における酸化スズの割合に対する、第１領域における酸化スズの割合の比（第１領域における酸化スズの割合／第２領域における酸化スズの割合）は、例えば、１．５以上、好ましくは、２以上、より好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５以下、好ましくは、４以下である。 The ratio of the ratio of tin oxide in the first region to the ratio of tin oxide in the second region 12 (ratio of tin oxide in the first region / ratio of tin oxide in the second region) is, for example, 1.5 or more, preferably 1.5 or more. Is 2 or more, more preferably 2.5 or more, and for example, 5 or less, preferably 4 or less.
透明導電層４、第１領域１１および第２領域１２のそれぞれにおける酸化スズ濃度は、Ｘ線光電子分光法によって、測定される。または、酸化スズの含有割合は、非晶質の透明導電層４をスパッタリングで形成するときに用いられるターゲットの成分（既知）から推測することもできる。
The tin oxide concentration in each of the transparent conductive layer 4, the
また、透明導電層４は、結晶質である。 Further, the transparent conductive layer 4 is crystalline.
透明導電層４が、結晶質であれば、後述する比抵抗を小さくできる。 If the transparent conductive layer 4 is crystalline, the specific resistance described later can be reduced.
透明導電層４の結晶質性は、例えば、透明導電性フィルム１を塩酸（２０℃、濃度５質量％）に１５分間浸漬し、続いて、水洗および乾燥した後、透明導電層４側の表面に対して１５ｍｍ程度の間の端子間抵抗を測定することにより判断できる。上記浸漬・水洗・乾燥後の透明導電性フィルム１において、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合、透明導電層４は結晶質であり、一方、上記抵抗が１０ｋΩを超過する場合、透明導電層４は非晶質である。
Regarding the crystallinity of the transparent conductive layer 4, for example, the transparent
透明導電層４の厚みは、例えば、２０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上、より好ましくは、３５ｎｍを超過、さらに好ましくは、４０ｎｍ以上、とりわけ好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８０ｎｍ以下である。 The thickness of the transparent conductive layer 4 is, for example, 20 nm or more, preferably 30 nm or more, more preferably more than 35 nm, further preferably 40 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, and for example, 80 nm or less. is there.
透明導電層４の厚みが、上記下限以上であれば、透明導電層４の表面抵抗値を小さくすることができる。 When the thickness of the transparent conductive layer 4 is at least the above lower limit, the surface resistance value of the transparent conductive layer 4 can be reduced.
なお、透明導電層４の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム１の断面を観察することにより測定することができる。
The thickness of the transparent conductive layer 4 can be measured by observing the cross section of the transparent
透明導電層４の比抵抗は、例えば、２．６×１０−４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２．４×１０−４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、２．２×１０−４Ω・ｃｍ未満、さらに好ましくは、２．１×１０−４Ω・ｃｍ以下である。 The specific resistance of the transparent conductive layer 4 is, for example, 2.6 × 10 -4 Ω · cm or less, preferably 2.4 × 10 -4 Ω · cm or less, more preferably 2.2 × 10 -4 Ω. -Less than cm, more preferably 2.1 x 10 -4 Ω-cm or less.
透明導電層４の比抵抗が上記した上限以下であれば、透明導電層４をパターンニングして電極として用いられるときに、優れた電気特性を発現できる。 When the specific resistance of the transparent conductive layer 4 is equal to or less than the above upper limit, excellent electrical characteristics can be exhibited when the transparent conductive layer 4 is patterned and used as an electrode.
なお、比抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。 The resistivity can be measured by the 4-terminal method in accordance with JIS K7194.
透明導電層４の表面抵抗値は、例えば、１２０Ω／□以下、好ましくは、８０Ω／□以下、より好ましくは、５０Ω／□以下、さらに好ましくは、４５Ω／□以下である。 The surface resistance value of the transparent conductive layer 4 is, for example, 120 Ω / □ or less, preferably 80 Ω / □ or less, more preferably 50 Ω / □ or less, and further preferably 45 Ω / □ or less.
透明導電層４の表面抵抗値が上記した上限以下であれば、透明導電層４をパターンニングして電極として用いられるときに、優れた電気特性を発現できる。 When the surface resistance value of the transparent conductive layer 4 is equal to or less than the above-mentioned upper limit, excellent electrical characteristics can be exhibited when the transparent conductive layer 4 is patterned and used as an electrode.
透明導電層４の表面抵抗値の下限は、特に限定されない。例えば、透明導電層４の表面抵抗値は、通常、０Ω／□超過、また、１Ω／□以上である。 The lower limit of the surface resistance value of the transparent conductive layer 4 is not particularly limited. For example, the surface resistance value of the transparent conductive layer 4 is usually over 0Ω / □ and at least 1Ω / □.
なお、表面抵抗値は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。
５．透明導電性フィルムの製造方法
次に、透明導電性フィルム１の製造方法を説明する。
The surface resistance value can be measured by the 4-terminal method in accordance with JIS K7194.
5. Method for Producing Transparent Conductive Film Next, a method for producing the transparent
透明導電性フィルム１の製造方法は、透明基材２の厚み方向一方面に、硬化樹脂層３を配置する第１工程と、硬化樹脂層３の厚み方向一方面に、スパッタリングすることにより、非晶質の透明導電層４を形成する第２工程と、非晶質の透明導電層４を加熱して、結晶質の透明導電層４を形成する第３工程とを備える。また、この製造方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。
The method for producing the transparent
第１工程では、まず、透明基材２を用意する。
In the first step, first, the
次いで、透明基材２の厚み方向一方面に、ハードコート組成物の希釈液を塗布し、乾燥後、紫外線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。これにより、透明基材２の厚み方向一方面に、ハードコート層５（硬化樹脂層３）を形成する。
Next, a diluted solution of the hard coat composition is applied to one surface of the
第２工程では、ハードコート層５（硬化樹脂層３）の厚み方向一方面に、スパッタリングすることにより、非晶質の透明導電層４を形成する。
具体的には、スパッタリング装置において、透明導電層４の材料からなるターゲットに、硬化樹脂層３の厚み方向一方面を対向させながら、不活性ガスの存在下、スパッタリングする。このとき、上記した不活性ガス以外に、例えば、酸素などの反応性ガスを存在させることもできる。
In the second step, an amorphous transparent conductive layer 4 is formed by sputtering on one surface of the hard coat layer 5 (cured resin layer 3) in the thickness direction.
Specifically, in a sputtering apparatus, sputtering is performed in the presence of an inert gas while facing one side of the cured
不活性ガスとしては、例えば、アルゴンなどの希ガスなどが挙げられる。スパッタリング装置内における不活性ガスの分圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．３Ｐａ以上であり、また、例えば、１０Ｐａ以下、好ましくは、５Ｐａ以下、より好ましくは、１Ｐａ以下である。不活性ガスの分圧が、上記した下限以上であれば、スパッタリングにおける不活性ガスの原子のエネルギーが低くなる。そうすると、非晶質の透明導電層４が、不活性ガスの原子を取り込むことを抑制できる。 Examples of the inert gas include a rare gas such as argon. The partial pressure of the inert gas in the sputtering apparatus is, for example, 0.1 Pa or more, preferably 0.3 Pa or more, and for example, 10 Pa or less, preferably 5 Pa or less, more preferably 1 Pa or less. .. If the partial pressure of the inert gas is equal to or greater than the above lower limit, the energy of the atoms of the inert gas in sputtering becomes low. Then, the amorphous transparent conductive layer 4 can suppress the uptake of the atoms of the inert gas.
スパッタリング装置内における圧力は、不活性ガスの分圧、および、反応性ガスの分圧の合計圧力である。 The pressure in the sputtering apparatus is the total pressure of the partial pressure of the inert gas and the partial pressure of the reactive gas.
なお、透明導電層４の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズ濃度が互いに異なる第１ターゲットおよび第２ターゲットを、スパッタリング装置において、透明基材２の搬送方向に沿って順に配置することもできる。第１ターゲットの材料は、例えば、上記した第１領域１１におけるＩＴＯ（酸化スズ濃度：８質量％以上）である。第２ターゲットの材料は、例えば、上記した第２領域１２におけるＩＴＯ（酸化スズ濃度：８質量％未満）である。
When ITO is used as the material of the transparent conductive layer 4, the first target and the second target having different tin oxide concentrations can be arranged in order in the sputtering apparatus along the transport direction of the
上記のスパッタリングにより、非晶質の透明導電層４が、透明基材２の厚み方向一方面に形成される。
By the above sputtering, an amorphous transparent conductive layer 4 is formed on one surface of the
なお、非晶質の透明導電層４が、上記した第１ターゲットおよび第２ターゲットを用いるスパッタリングにより形成されている場合には、非晶質の透明導電層４は、酸化スズ濃度が互いに異なる第１非晶質層および第２非晶質層を、厚み方向一方側に向かって順に備える。第１非晶質層および第２非晶質層のそれぞれの材料は、第１ターゲットおよび第２ターゲットの材料と同一である。具体的には、第１非晶質層のＩＴＯにおける酸化スズ濃度は、例えば、８質量％以上である。第２非晶質層のＩＴＯにおける酸化スズ濃度は、例えば、８質量％未満である。 When the amorphous transparent conductive layer 4 is formed by sputtering using the first target and the second target described above, the amorphous transparent conductive layer 4 has different tin oxide concentrations. The 1 amorphous layer and the 2nd amorphous layer are provided in order toward one side in the thickness direction. The materials of the first amorphous layer and the second amorphous layer are the same as the materials of the first target and the second target, respectively. Specifically, the tin oxide concentration in ITO of the first amorphous layer is, for example, 8% by mass or more. The tin oxide concentration in ITO of the second amorphous layer is, for example, less than 8% by mass.
非晶質の透明導電層４の厚みにおける第１非晶質層の厚みの割合は、例えば、５０％超過、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、９９％以下、好ましくは、９７％以下である。 The ratio of the thickness of the first amorphous layer to the thickness of the amorphous transparent conductive layer 4 is, for example, more than 50%, preferably 70% or more, more preferably 80% or more, still more preferably 90%. The above, and for example, 99% or less, preferably 97% or less.
透明導電層４の厚みにおける第２非晶質層の厚みの割合は、例えば、１％以上、好ましくは、３％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、さらに好ましくは、１０％以下である。 The ratio of the thickness of the second amorphous layer to the thickness of the transparent conductive layer 4 is, for example, 1% or more, preferably 3% or more, and for example, 50% or less, preferably 30% or less. It is preferably 20% or less, more preferably 10% or less.
これによって、透明基材２および非晶質の透明導電層４からなる非晶質積層フィルムを得る。
As a result, an amorphous laminated film composed of the
その後、第３工程では、非晶質積層フィルムを加熱する。例えば、赤外線ヒーター、オーブンなどの加熱装置によって、非晶質の透明導電層４を加熱する。 Then, in the third step, the amorphous laminated film is heated. For example, the amorphous transparent conductive layer 4 is heated by a heating device such as an infrared heater or an oven.
加熱条件は、特に限定されない。加熱温度が、例えば、９０℃以上、好ましくは、１１０℃以上あり、また、例えば、１６０℃以下、好ましくは、１４０℃以下である。加熱時間は、例えば、３０分間以上、より好ましくは、６０分間以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。 The heating conditions are not particularly limited. The heating temperature is, for example, 90 ° C. or higher, preferably 110 ° C. or higher, and for example, 160 ° C. or lower, preferably 140 ° C. or lower. The heating time is, for example, 30 minutes or more, more preferably 60 minutes or more, and for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less.
これにより、図１に示すように、非晶質の透明導電層４が結晶化され、結晶質の透明導電層４が形成される。 As a result, as shown in FIG. 1, the amorphous transparent conductive layer 4 is crystallized, and the crystalline transparent conductive layer 4 is formed.
なお、非晶質の透明導電層４が、第１非晶質層および第２非晶質層を含む場合には、結晶質の透明導電層４は、第１非晶質層および第２非晶質層のそれぞれに対応する第１領域１１および第２領域１２を含む。
When the amorphous transparent conductive layer 4 includes the first amorphous layer and the second amorphous layer, the crystalline transparent conductive layer 4 is the first amorphous layer and the second non-amorphous layer. It contains a
これにより、透明基材２と、ハードコート層５（硬化樹脂層３）と、透明導電層４とを順に備えた透明導電性フィルム１が製造される。
As a result, the transparent
その後、この透明導電性フィルム１は、例えば、エッチングなどによって、結晶質の透明導電層４がパターンニングされる。パターンニングされた結晶質の透明導電層４は、タッチパネル（タッチセンサ）などの電極に用いられる。
６．作用効果
透明導電性フィルム１において、硬化樹脂層３（ハードコート層５）は、シリカ粒子を含んでいる。
After that, the transparent
6. Action effect In the transparent
そのため、硬化樹脂層３と透明導電層４との密着性が向上し、その結果、耐屈曲性が向上すると推認できる。
Therefore, it can be inferred that the adhesion between the cured
具体的には、後述する実施例において詳述する柔軟性試験により測定される曲げ直径が、１０ｍｍ以下、好ましくは、８ｍｍ以下、より好ましくは、６ｍｍ以下、さらに好ましくは、４ｍｍ以下、とりわけ好ましくは、２ｍｍ以下、最も好ましくは、２ｍｍ未満である。 Specifically, the bending diameter measured by the flexibility test described in detail in Examples described later is 10 mm or less, preferably 8 mm or less, more preferably 6 mm or less, still more preferably 4 mm or less, and particularly preferably. 2 mm or less, most preferably less than 2 mm.
透明導電性フィルム１は、耐屈曲性に優れるため、例えば、フレキシブルディスプレイ(フォルダブル、ベンダブル、ローラブルなど)などの耐屈曲性が要求される光デバイスおよびその構成部品に好適に用いることができる。
Since the transparent
また、表面抵抗値を低くする観点から、透明導電層４の厚みを大きくする場合（例えば、２０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上、より好ましくは、３５ｎｍを超過）がある。透明導電層４の厚みを大きくすると、耐屈曲性が低下する場合がある。 Further, from the viewpoint of lowering the surface resistance value, there is a case where the thickness of the transparent conductive layer 4 is increased (for example, 20 nm or more, preferably 30 nm or more, more preferably more than 35 nm). If the thickness of the transparent conductive layer 4 is increased, the bending resistance may decrease.
しかし、透明導電性フィルム１は、優れた耐屈曲性を有するため、透明導電層４の厚みが大きくても、詳述する柔軟性試験により測定される曲げ直径を、上記した範囲にすることができる。そのため、耐屈曲性および低い表面抵抗値の両方が要求される光デバイスおよびその構成部品に好適に用いることができる。
７．変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
However, since the transparent
7. Modified Examples In the modified examples, the same members and processes as in one embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Further, the modified example can exhibit the same action and effect as that of one embodiment, except for special mention. Further, one embodiment and a modification thereof can be combined as appropriate.
透明導電層４は、酸化スズの割合が８質量％未満である第２領域を含まず、酸化スズの割合が８質量％以上である第１領域のみを含むこともできる。 The transparent conductive layer 4 may not include the second region in which the proportion of tin oxide is less than 8% by mass, and may include only the first region in which the proportion of tin oxide is 8% by mass or more.
上記した説明では、硬化樹脂層３がハードコート層５である場合について説明したが、図２に示すように、硬化樹脂層３は、光学調整層６であってもよい。
In the above description, the case where the cured
このような場合には、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、光学調整層６（硬化樹脂層３）と、透明導電層４とを順に備える。
In such a case, the transparent
光学調整層６は、透明導電層４のパターン視認を抑制したり、透明導電性フィルム１内の界面での反射を抑制しつつ、透明導電性フィルム１に優れた透明性を確保するために、透明導電性フィルム１の光学物性（例えば、屈折率）を調整する層である。
The optical adjustment layer 6 suppresses the pattern visibility of the transparent conductive layer 4 and suppresses reflection at the interface in the transparent
光学調整層６は、例えば、光学調整組成物から形成される。 The optical adjustment layer 6 is formed from, for example, an optical adjustment composition.
光学調整組成物は、上記した樹脂および上記した粒子を含有する。 The optical adjustment composition contains the above-mentioned resin and the above-mentioned particles.
樹脂としては、ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられ、好ましくは、（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include the resins mentioned in the hard coat composition, and preferably (meth) acrylic ultraviolet curable resins.
上記したように、粒子は、必須成分として、シリカ粒子を含む。 As described above, the particles include silica particles as an essential component.
つまり、光学調整組成物は、シリカ粒子を含む。そして、このような光学調整組成物から形成される光学調整層６（硬化樹脂層３）は、シリカ粒子を含む。 That is, the optical adjustment composition contains silica particles. The optical adjustment layer 6 (cured resin layer 3) formed from such an optical adjustment composition contains silica particles.
光学調整層６（硬化樹脂層３）が、シリカ粒子を含むと、耐屈曲性が向上する。 When the optical adjusting layer 6 (cured resin layer 3) contains silica particles, the bending resistance is improved.
また、上記したように、粒子は、任意成分として、他の粒子を含む。 Further, as described above, the particles include other particles as optional components.
他の粒子としては、ハードコート組成物で挙げた他の粒子が挙げられ、好ましくは、屈折率の観点から、好ましくは、酸化ジルコニウムが挙げられる。 Examples of the other particles include the other particles mentioned in the hard coat composition, and preferably zirconium oxide from the viewpoint of the refractive index.
また、粒子が、シリカ粒子および他の粒子を含む場合には、シリカ粒子の配合割合は、シリカ粒子および他の粒子の総量１００質量部に対して、例えば、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下であり、他の粒子の配合割合は、シリカ粒子および他の粒子の総量１００質量部に対して、例えば、９０質量部以上、好ましくは、９５質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下である。 When the particles include silica particles and other particles, the mixing ratio of the silica particles is, for example, 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the silica particles and other particles, and also. For example, it is 10 parts by mass or less, preferably 5 parts by mass or less, and the mixing ratio of the other particles is, for example, 90 parts by mass or more, preferably 90 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of the silica particles and the other particles. It is 95 parts by mass or more, and for example, 99 parts by mass or less.
そして、光学調整組成物は、樹脂および粒子を混合することにより得られる。 Then, the optical adjustment composition is obtained by mixing the resin and the particles.
樹脂の配合割合は、光学調整組成物に対して、例えば、２０質量％以上であり、また、例えば、４０質量％以下である。 The blending ratio of the resin is, for example, 20% by mass or more and, for example, 40% by mass or less with respect to the optical adjustment composition.
また、粒子の配合割合は、光学調整組成物に対して、例えば、５０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下である。 The mixing ratio of the particles is, for example, 50% by mass or more and, for example, 80% by mass or less with respect to the optical adjustment composition.
光学調整組成物は、さらに、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を含有することができる。 The optical conditioning composition can further contain known additives such as leveling agents, thixotropy agents, antistatic agents and the like.
光学調整層６（硬化樹脂層３）を形成するには、光学調整組成物の希釈液を透明基材２の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。
To form the optical adjustment layer 6 (cured resin layer 3), a diluted solution of the optical adjustment composition is applied to one surface of the
これにより、光学調整層６を形成する。 As a result, the optical adjustment layer 6 is formed.
光学調整層６の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。光学調整層６の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。 From the viewpoint of scratch resistance, the thickness of the optical adjustment layer 6 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less. The thickness of the optical adjustment layer 6 can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.
また、透明導電性フィルム１は、ハードコート層５および光学調整層６の両方を備えることもできる。
Further, the transparent
このような場合には、図３に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、ハードコート層５と、光学調整層６と、透明導電層４とを順に備える。換言すれば、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、硬化樹脂層３と、透明導電層４とを順に備える。
In such a case, as shown in FIG. 3, the transparent
また、透明基材２の厚み方向他方面に、アンチブロッキング層を配置することもできる。
Further, the anti-blocking layer can be arranged on the other surface of the
このような場合は、透明導電性フィルム１は、アンチブロッキング層と、透明基材２と、硬化樹脂層３と、透明導電層４とを順に備える。
In such a case, the transparent
アンチブロッキング層は、透明導電性フィルム１を厚み方向に積層した場合などに、互いに接触する複数の透明導電性フィルム１のそれぞれの表面に耐ブロッキング性を付与する。
The anti-blocking layer imparts blocking resistance to the respective surfaces of the plurality of transparent
アンチブロッキング層は、フィルム形状を有する。 The anti-blocking layer has a film shape.
アンチブロッキング層の材料は、例えば、アンチブロッキング組成物である。 The material of the anti-blocking layer is, for example, an anti-blocking composition.
アンチブロッキング組成物としては、例えば、特開２０１６−１７９６８６号公報に記載の混合物などが挙げられる。 Examples of the anti-blocking composition include the mixture described in JP-A-2016-179686.
アンチブロッキング層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下である。 The thickness of the anti-blocking layer is, for example, 0.1 μm or more, and for example, 10 μm or less.
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
１．透明導電性フィルムの製造
実施例１
まず、透明基材として、シクロオレフィン樹脂からなる透明フィルム（厚み４３μｍ）を用意した。
Examples and comparative examples are shown below, and the present invention will be described in more detail. The present invention is not limited to Examples and Comparative Examples. In addition, specific numerical values such as the compounding ratio (content ratio), physical property values, and parameters used in the following description are the compounding ratios corresponding to those described in the above-mentioned "Form for carrying out the invention". Substitute the upper limit value (value defined as "less than or equal to" or "less than") or the lower limit value (value defined as "greater than or equal to" or "excess") such as content ratio), physical property value, and parameters. be able to.
1. 1. Production of transparent conductive film Example 1
First, as a transparent base material, a transparent film (thickness 43 μm) made of a cycloolefin resin was prepared.
次いで、透明フィルムの厚み方向一方面に、ジルコニア粒子６５．５質量部、シリカ粒子２．５質量部および紫外線硬化性樹脂（アクリル樹脂）３２質量部を含有するハードコート組成物の希釈液を塗布し、次いで、これらを乾燥した後、透明フィルムの厚み方向一方面に紫外線を照射し、ハードコート組成物を硬化させた。これにより、透明フィルムの一方面に、厚み０．７μｍのハードコート層を形成した。 Next, a diluted solution of the hard coat composition containing 65.5 parts by mass of zirconia particles, 2.5 parts by mass of silica particles and 32 parts by mass of an ultraviolet curable resin (acrylic resin) was applied to one surface of the transparent film in the thickness direction. Then, after drying them, one side of the transparent film in the thickness direction was irradiated with ultraviolet rays to cure the hard coat composition. As a result, a hard coat layer having a thickness of 0.7 μm was formed on one surface of the transparent film.
その後、スパッタリングにより、ハードコート層の厚み方向一方面に、厚み５５ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した。 Then, by sputtering, an amorphous transparent conductive layer having a thickness of 55 nm was formed on one surface of the hard coat layer in the thickness direction.
詳しくは、まず、スパッタリング装置に、酸化スズ濃度が１０重量％であるＩＴＯからなる第１ターゲットと、酸化スズ濃度が３．３重量％であるＩＴＯからなる第２ターゲットとを、透明フィルム基材の搬送方向上流側から下流側に向かって順に配置した。そして、非晶質の透明導電層における第１非晶質層の厚みの割合、および、第２非晶質層の厚みの割合が、それぞれ、９５％、および、５％となるように、スパッタリングした。なお、非晶質の透明導電層は、第１非晶質層（酸化スズ濃度１０質量％）および第２非晶質層（酸化スズ濃度３．３質量％）を、厚み方向一方側に向かって順に含む。 Specifically, first, a transparent film base material is provided with a first target made of ITO having a tin oxide concentration of 10% by weight and a second target made of ITO having a tin oxide concentration of 3.3% by weight in a sputtering apparatus. They were arranged in order from the upstream side to the downstream side in the transport direction. Then, sputtering is performed so that the ratio of the thickness of the first amorphous layer and the ratio of the thickness of the second amorphous layer in the amorphous transparent conductive layer are 95% and 5%, respectively. did. The amorphous transparent conductive layer has the first amorphous layer (tin oxide concentration 10% by mass) and the second amorphous layer (tin oxide concentration 3.3% by mass) facing one side in the thickness direction. Include in order.
スパッタリング時のアルゴン流量を調整することによって、スパッタリング装置内のアルゴン分圧を０．３５Ｐａに調整した。なお、スパッタリング装置内の圧力は、０．４２Ｐａであった。 By adjusting the argon flow rate during sputtering, the argon partial pressure in the sputtering apparatus was adjusted to 0.35 Pa. The pressure in the sputtering apparatus was 0.42 Pa.
これにより、透明フィルムと、ハードコート層と、非晶質の透明導電層とを順に備える非晶質積層フィルムを製造した。 As a result, an amorphous laminated film including a transparent film, a hard coat layer, and an amorphous transparent conductive layer in this order was produced.
その後、非晶質積層フィルムを、１３０℃、９０分加熱して、非晶質の透明導電層を結晶化して、結晶質の透明導電層を調製した。 Then, the amorphous laminated film was heated at 130 ° C. for 90 minutes to crystallize the amorphous transparent conductive layer to prepare a crystalline transparent conductive layer.
これにより、透明フィルム、ハードコート層および結晶質の透明導電層を備える透明導電性フィルムを製造した。 As a result, a transparent conductive film including a transparent film, a hard coat layer and a crystalline transparent conductive layer was produced.
また、結晶質の透明導電層は、第１非晶質層および第２非晶質層のそれぞれに起因する第１領域および第２領域を含んでいた。 In addition, the crystalline transparent conductive layer contained a first region and a second region resulting from the first amorphous layer and the second amorphous layer, respectively.
実施例２、実施例３および比較例１
透明基材の厚み、ハードコート組成物の処方および透明導電層の厚みを、表１の記載に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、透明導電性フィルムを製造した。
２．評価
（表面抵抗）
各実施例および各比較例の透明導電層の表面抵抗率を、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した。その結果を表１に示す。
Example 2, Example 3 and Comparative Example 1
A transparent conductive film was produced by treating in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the transparent base material, the formulation of the hard coat composition, and the thickness of the transparent conductive layer were changed according to the description in Table 1.
2. Evaluation (surface resistance)
The surface resistivity of the transparent conductive layer of each Example and each Comparative Example was measured by the four-terminal method in accordance with JIS K7194. The results are shown in Table 1.
（耐屈曲性）
各実施例および各比較例について、１６５℃７５分加熱処理した透明導電性フィルムを２０ｍｍ×８０ｍｍの長方形状にカットした。次に、長方形の短辺をテスターでつなぎ抵抗値を観測し、透明導電層が外側となるように、透明導電性フィルムを、長方形の短辺が近づくように、曲げていき、テスターの抵抗値が増加し始めた時の透明導電性フィルムの曲げ直径（ｍｍ）を測定した。その結果を表１に示す。
(Bending resistance)
For each Example and each Comparative Example, a transparent conductive film heat-treated at 165 ° C. for 75 minutes was cut into a rectangular shape of 20 mm × 80 mm. Next, connect the short sides of the rectangle with a tester, observe the resistance value, bend the transparent conductive film so that the transparent conductive layer is on the outside, and bring the short sides of the rectangle closer, and then bend the resistance value of the tester. The bending diameter (mm) of the transparent conductive film at the time when the amount started to increase was measured. The results are shown in Table 1.
１ 透明導電性フィルム
２ 透明基材
３ 硬化樹脂層
４ 透明導電層
1 Transparent
Claims (4)
前記硬化樹脂層は、シリカ粒子を含み、
下記柔軟性試験により測定される曲げ直径が、１０ｍｍ以下であることを特徴とする、透明導電性フィルム。
柔軟性試験：１６５℃７５分加熱処理した透明導電性フィルムを２０ｍｍ×８０ｍｍの長方形状にカットする。次に、長方形の短辺をテスターでつなぎ抵抗値を観測する。前記透明導電層が外側となるように、透明導電性フィルムを、長方形の短辺が近づくように、曲げていき、テスターの抵抗値が増加し始めた時の透明導電性フィルムの曲げ直径（ｍｍ）を測定した。 A transparent base material, a cured resin layer, and a transparent conductive layer are provided in this order.
The cured resin layer contains silica particles and contains
A transparent conductive film having a bending diameter of 10 mm or less measured by the following flexibility test.
Flexibility test: A transparent conductive film heat-treated at 165 ° C. for 75 minutes is cut into a rectangular shape of 20 mm × 80 mm. Next, connect the short sides of the rectangle with a tester and observe the resistance value. The transparent conductive film is bent so that the short sides of the rectangle approach each other so that the transparent conductive layer is on the outside, and the bending diameter (mm) of the transparent conductive film when the resistance value of the tester begins to increase. ) Was measured.
The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness of the transparent base material is 45 μm or less.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019152357A JP2021034204A (en) | 2019-08-22 | 2019-08-22 | Transparent conductive film |
| KR1020217037580A KR20220025706A (en) | 2019-06-27 | 2020-06-22 | transparent conductive film |
| PCT/JP2020/024333 WO2020262283A1 (en) | 2019-06-27 | 2020-06-22 | Transparent electrically-conductive film |
| CN202080045800.9A CN114007857A (en) | 2019-06-27 | 2020-06-22 | Transparent conductive film |
| TW109121452A TW202108364A (en) | 2019-08-22 | 2020-06-24 | Transparent electrically-conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019152357A JP2021034204A (en) | 2019-08-22 | 2019-08-22 | Transparent conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021034204A true JP2021034204A (en) | 2021-03-01 |
Family
ID=74678716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019152357A Pending JP2021034204A (en) | 2019-06-27 | 2019-08-22 | Transparent conductive film |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021034204A (en) |
| TW (1) | TW202108364A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022185903A1 (en) | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 株式会社クラレ | Carbon dioxide adsorption battery and charge/discharge device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016158606A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 東洋紡株式会社 | Transparent electroconductive film |
| WO2017126466A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | 東洋紡株式会社 | Transparent conductive film |
| WO2017170757A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | Electrochromic dimming member, light-transmissive conductive film, and electrochromic dimming element |
| JP2018012290A (en) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film |
| WO2018193686A1 (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 日東電工株式会社 | Conductive film and touch panel |
| JP2019077097A (en) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film |
-
2019
- 2019-08-22 JP JP2019152357A patent/JP2021034204A/en active Pending
-
2020
- 2020-06-24 TW TW109121452A patent/TW202108364A/en unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016158606A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 東洋紡株式会社 | Transparent electroconductive film |
| WO2017126466A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-27 | 東洋紡株式会社 | Transparent conductive film |
| WO2017170757A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | Electrochromic dimming member, light-transmissive conductive film, and electrochromic dimming element |
| JP2018012290A (en) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film |
| WO2018193686A1 (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 日東電工株式会社 | Conductive film and touch panel |
| JP2019077097A (en) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022185903A1 (en) | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 株式会社クラレ | Carbon dioxide adsorption battery and charge/discharge device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202108364A (en) | 2021-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6601199B2 (en) | Transparent conductor | |
| TWI570600B (en) | Transparent conductor and touch panel | |
| CN107408421B (en) | Transparent conductor and touch panel | |
| WO2020022270A1 (en) | Transparent electroconductive film for heater, and heater | |
| JP2016210192A (en) | Light-transmissive film | |
| KR20180089404A (en) | A transparent conductive film laminate, and a touch panel | |
| WO2020262283A1 (en) | Transparent electrically-conductive film | |
| KR101822372B1 (en) | Transparent conductor and touch panel | |
| JP6260647B2 (en) | Transparent conductor | |
| TWI595392B (en) | Transparent conductive body and touch panel | |
| JP2021034204A (en) | Transparent conductive film | |
| KR20230074766A (en) | Transparent conductive piezoelectric film and touch panel | |
| WO2021060139A1 (en) | Transparent electroconductive film and method for producing same | |
| JP2018022634A (en) | Transparent conductor | |
| KR101737778B1 (en) | Transparent conductor and touch panel | |
| JP6458445B2 (en) | Transparent conductive laminate, touch panel using the transparent conductive laminate, a method for producing the transparent conductive laminate, and a method for producing a touch panel using the transparent conductive laminate | |
| TWI783994B (en) | Transparent conductive film and image display device | |
| JP4247182B2 (en) | Transparent conductor | |
| JP2020146915A (en) | Film laminate and manufacturing method of patterning conductive film | |
| WO2020262284A1 (en) | Transparent conductive film | |
| JP7466269B2 (en) | Transparent conductive film and crystalline transparent conductive film | |
| JP2020108938A (en) | Transparent conductive film laminate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230926 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240319 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240625 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240912 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240924 |