JP7116597B2 - 光電変換素子および撮像装置 - Google Patents
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Description
1×108V/m程度の高電界を印加するとアバランシェ増倍現象が生じ、高感度で高画質の映像を撮像し得るテレビカメラを実現することができる(例えば下記特許文献1)。
一般に人間の視感度は、長波長側では約700nm以上まであるとされており、例えば、カラーカメラに非晶質セレンを用いた光導電ターゲットを用いた場合には、長波長光の赤色光 に対する感度が不足して、色調を忠実に表現することができないという問題がある。
すなわち、本発明の光電変換素子は、
正電極層と負電極層の間に、ペロブスカイト結晶からなる感光層および非晶質セレン材料を含む増倍層を、光入射側からこの順に設けてなり、
前記ペロブスカイト結晶がCH 3 NH 3 PbI 3、 CH 3 NH 3 PbBr 3、 CH 3 NH 3 SnBr 3 、およびCsSnI 3 、から選択される材料からなることを特徴とするものである。
また、前記電界緩和層が非晶質セレン膜中にフッ化カリウム、フッ化リチウムおよび酸化インジウムから選択される材料を添加されたものからなることが好ましい。
また、そもそもペロブスカイト結晶からなる感光層は、低電圧でも光を電気信号に変換することが可能であり、非晶質セレン等の光電変換膜と比べて、例えば駆動電圧を2桁程度小さくすることができるので、下地層となる撮像回路部に与える影響を大幅に軽減することができる。
以下、本発明の実施形態に係る光電変換素子および撮像装置について図面を用いて説明する。
図1は、実施形態1に係る光電変換素子の層構成を示すものであって、撮像管の光電変換部として機能させた場合の層構成を示すものである。
すなわち、光入射側にはガラス基板1が設けられており、このガラス基板1上に、ITO膜等からなる正の透明電極2と、TiO3の多孔質膜等からなる正孔注入阻止強化層(結晶成長層としての機能を併せ有する)3と、CH3NH3PbI3からなるペロブスカイト結晶層(感光層)4と、非晶質セレン材料中にKF(フッ化カリウム)を添加してなる電界緩和層5と、非晶質セレン膜よりなる増倍層6と、Sb2S3等からなる電子ビームランディング層7と、を積層してなるものである。
上記ガラス基板1のサイズとしては、例えば、Φ17.6、厚み1.6mmとされたものを用いる。ガラス基板に替えて透明なプラスチック基板を用いることも可能である。
上記透明電極2のサイズとしては、例えば、Φ12.4、膜厚30nmとされたものを用いる。膜形成は、例えば、酸素ガス分圧 7.6×10-3Pa、アルゴンガス分圧 6.0×10-1Paとした状態で、DCスパッタ法を用いて形成する。
上記ペロブスカイト結晶層4のサイズとしては、例えば、Φ13.2、膜厚300nmとされたものを用いる。膜形成は、例えば、溶液塗布法により形成する。ペロブスカイト結晶は、溶液化することが可能であるので、真空環境中での生成を要しない溶液塗布法を採用することができる。
上記増倍層6のサイズは、例えば、Φ13.2、膜厚2μmとされる。膜形成は、例えば、抵抗加熱蒸着法により形成する。
上記電子ビームランディング層7のサイズは、例えば、Φ14.4、膜厚1000nmとされる。膜形成は、例えば、アルゴンガス分圧3.0×10-1Paとした状態で、抵抗加熱蒸着法を用いて形成する。
従来の撮像の分野における光電変換素子については、前述したように、非晶質セレン膜よりなる増倍層に、バンドギャップの狭いテルル材料等をドープして、非晶質セレン膜の欠点である赤色領域の感度が低いという問題を解消したものが知られているが、テルル材料等をドープした場合には、電圧印加により、雑音が発生しやすく、壊れやすいという問題があった。
すなわち、感光層をペロブスカイト結晶により構成すれば、低電圧で感光層を駆動することができるので、撮像回路部に余計な耐圧負担をかける虞がなく、許容の範囲内で駆動電圧を高めて増倍率を高めることが容易となる。
図2は、実施形態2に係る光電変換素子の層構成を示すものであって、冷陰極撮像板の光電変換部として機能させた場合の層構成を示すものである。
なお、実施形態2に係る光電変換素子は、上記実施形態1に係る光電変換素子と同様の構成とされている。したがって、光電変換素子を構成する各層については、上記実施形態1において対応する部材の付番と同じ付番を本実施形態の部材の付番とし、重複した説明は省略する。
実施形態2に係る光電変換素子による作用効果も、上記実施形態1に係る光電変換素子による作用効果と同様である。
図3は、実施形態3に係る光電変換素子の層構成を示すものであって、固体撮像素子の光電変換部として機能させた場合の層構成を示すものである。
なお、実施形態3に係る光電変換素子は、上記実施形態1、2に係る光電変換素子と、正負が逆の構成ではあるものの、互いに類似した構成とされている。したがって、光電変換素子を構成する各層について、上記実施形態1、2において同様の機能を有する部材の付番と同じ付番を本実施形態の部材の付番とし、重複した詳しい説明は省略する。
この光電変換素子を備えた固体撮像素子(撮像装置)においては、入射光量に応じた信号が、基板9内に設けられた信号回路により検出される。
図3を用いて説明した、実施形態3に係る光電変換素子を評価するための構成として、図4に示す実施例に係る試料を作成した。その評価方法は、この試料の電圧-電流(信号電流・暗電流)特性および、この試料の量子効率(分光感度)特性を測定することにより行った。
試料は、上述した実施形態3の層構成と同様とした。ただし、光電変換素子部分の測定を行うことができればよいので、固体撮像素子(信号読出し回路)基板9に替えて、単なる基台としてのガラス基板(透明でない材料で形成してもよい)1を用いた。また、負電極として透明電極10を用いたが、これを不透明な電極に替えても評価結果は同様である。
また、電源11の正極を正の透明電極2に、電源11の負極を負の透明電極(または不透明電極)10に接続した。また、電源11の正極と正の透明電極2の間に電流値測定のための電流計12を接続した。
得られた測定値に基づき、電圧-暗電流特性および電圧-信号電流(ここでの信号電流は、暗電流を含む測定値である実信号電流から暗電流を減じたものである)特性のグラフを作成した。なお、入射光の波長は450nmとした。
また、図6は、実施例に係る試料についての、印加電圧を5Vとした場合の分光感度特性(量子効率特性)を示すグラフである。実施例の評価のため、実施例のものからペロブスカイト結晶層(感光層)4を除いた試料を比較例として作成した。
図6から明らかなように、比較例(▲印)については600nm以上の波長領域ではほとんど感度が得られないのに対して、本実施例のもの(●印)では、350~750nmの全可視領域を包含する範囲において、良好な感度を得られることが確認された。
上述した実施形態における各層の厚みは、適宜、薄くまたは厚くすることができる。
2 透明電極
3 正孔注入阻止強化層
4 ペロブスカイト結晶層(感光層)
5 電界緩和層
6 増倍層
7、17 電子ビームランディング層(電子注入阻止強化層)
8 カソード
9 固体撮像素子(信号読出し回路)基板
10 電極(透明電極)
11 電源
12 電流計
Claims (4)
- 正電極層と負電極層の間に、ペロブスカイト結晶からなる感光層および非晶質セレン材料を含む増倍層を、光入射側からこの順に設けてなり、
前記ペロブスカイト結晶がCH 3 NH 3 PbI 3、 CH 3 NH 3 PbBr 3、 CH 3 NH 3 SnBr 3 、およびCsSnI 3 、から選択される材料からなることを特徴とする光電変換素子。 - 前記増倍層および前記感光層の間に、これら両層の間の電界勾配を緩和し得る電界緩和層を設けたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記電界緩和層が非晶質セレン膜中にフッ化カリウム、フッ化リチウムおよび酸化インジウムから選択される材料を添加されたものからなることを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。
- 請求項1~3のうちいずれか1項記載の光電変換素子を備えたことを特徴とする撮像装置。
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