JP7113511B2 - ブリッジ型の酸化スズ含有シートとその製造方法 - Google Patents
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Description
90℃の蒸留水1000mLに、フッ化スズ(SnF2)(森田化学工業株式会社製)4.35gを溶解して5mMフッ化スズ水溶液を得た。幅5μmの白金電極が5μmごとの間隔でガラス基板の表面にくし形に設けられた白金くし形電極基板をこのフッ化スズ水溶液に浸漬し、90℃で6時間保持して試料1を得た。図1に試料1の断面を模式的に示す。図1に示すように、試料1では、隣接する2つの白金電極間にまたがって酸化スズ含有シートが形成されており、酸化スズ含有シートの下方は空洞となっていた。つまり、試料1では、内側部が基材であるガラス基板から浮いているブリッジ型の構造体の酸化スズ含有シートが形成された。なお、酸化スズ含有シートの下方の空洞は、フッ化スズ水溶液によってガラス基板の上部が溶解してできた空間である。
イオンスパッタ装置(日立製作所製、E-1010)を用いて、試料1を放電電流15mAで、15秒間、30秒間、45秒間、60秒間、75秒間、90秒間、または100秒間イオンスパッタ処理を行った。金属ターゲットは、金(Au)60質量%とパラジウム(Pd)40質量%を含有する合金であった。この合金ターゲットから、パラジウムおよび金が試料1に堆積する。XPS(光電子分光法)を用いて、スズのスペクトルとパラジウムのスペクトルの積分強度比と感度係数から、酸化スズ含有シート表面のスズとパラジウムの組成比(原子濃度であるatomic%の比)を算出した。その結果、パラジウム:スズは、15秒間、30秒間、45秒間、60秒間、75秒間、90秒間、100秒間のスパッタ処理で、それぞれ46:54、76:24、91:9、93:7、95:5、96:4、96:4であった。
フッ化スズ水溶液に浸漬する前に、白金くし形電極基板をイオンスパッタ処理した点を除いて、実施例1と同様にして試料3を作製した。このイオンスパッタ処理は、イオンスパッタ装置(日立製作所製、E-1010)を用いて、放電電流15mAで15秒間行った。なお、金属ターゲットは、金(Au)60質量%とパラジウム(Pd)40質量%を含有する合金であった。試料3は、パラジウム粒子を内包する酸化スズ含有シートを備えている。
Claims (4)
- 基材と、前記基材に設けられた少なくとも一対の電極と、前記一対の電極に支持された酸化スズ含有シートとを備える酸化スズ含有素子を有し、メタンとノナナールの少なくとも一方の存在下で使用する水素ガスセンサであって、
前記酸化スズ含有シートは、前記一対の電極を橋脚として、前記基材上に架け渡されたブリッジ形状を備え、
前記酸化スズ含有シートのうち前記基材から浮いている部分は、複数の酸化スズのナノシート片が集合してなる中央シート部と、前記中央シート部の少なくとも一部の両面に付着し、前記中央シート部の複数のナノシート片の集合密度よりも低い集合密度で、複数の酸化スズのナノシート片が集合してなる周辺部とを備え、
前記周辺部が、被覆率46%以上91%以下でパラジウムに覆われている水素ガスセンサ。 - 請求項1において、
前記基材の主成分がSiO2である水素ガスセンサ。 - 請求項1または2の水素ガスセンサの製造方法であって、
前記基材と、前記少なくとも一対の電極とを備える電極基材を、酸化スズ前駆体を含有し、前記基材の表面を溶かす液体中に浸して、前記電極基材に前記酸化スズ含有シートを形成する浸漬工程と、
前記浸漬工程の後、前記酸化スズ含有シートの表面の一部をパラジウムで覆う被覆工程と、
を有する水素ガスセンサの製造方法。 - 請求項3において、
前記基材の主成分がSiO2であり、
前記液体がフッ化スズ水溶液である水素ガスセンサの製造方法。
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CHOI, P. G. et al.,Fabrication and H2-Sensing Properties of SnO2 Nanosheet Gas Sensors,ACS OMEGA,2018年11月01日,Vol.3,pp.14592-14596,DOI: 10.1021/acsomega.8b01635 |
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