JP7107479B2 - Printed circuit board, package and method for manufacturing printed circuit board - Google Patents

Printed circuit board, package and method for manufacturing printed circuit board Download PDF

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Description

本発明は、プリント回路基板(Printed circuit board)、パッケージ及びプリント回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a printed circuit board, a package, and a method of manufacturing the printed circuit board.

半導体チップの高性能化に伴って信号を迅速に伝達できるパッケージ技術が求められている。また、電子装備の軽薄短小化によりパッケージの厚さをより薄くする技術が求められている。 As the performance of semiconductor chips becomes higher, there is a demand for a packaging technology capable of rapidly transmitting signals. In addition, there is a demand for a technology to make the thickness of the package thinner as electronic equipment becomes lighter, thinner, shorter and smaller.

チップの製造業社は、信号の高速化及び安定化のために、チップに直接配線層を形成したFO-WLPパッケージを開発している。パッケージ用基板の製造業社は、100μm以下の厚さを有する基板を開発してパッケージの厚さを薄くする試みを行っている。 Chip manufacturers are developing FO-WLP packages in which wiring layers are formed directly on the chip to speed up and stabilize signals. Packaging substrate manufacturers are attempting to reduce the thickness of packages by developing substrates having a thickness of 100 μm or less.

韓国公開特許第10-2013-0055335号公報Korean Patent Publication No. 10-2013-0055335

本発明の実施例によれば、パッケージの厚さを薄板化することができるプリント回路基板が提供される。 An embodiment of the present invention provides a printed circuit board that can reduce the thickness of the package.

また本発明の実施例によれば、半導体チップとメイン基板との間の信号を迅速に伝送できるプリント回路基板が提供される。 Further, embodiments of the present invention provide a printed circuit board capable of rapidly transmitting signals between a semiconductor chip and a main board.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。1 illustrates a printed circuit board and package according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の他の実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。FIG. 4 illustrates a printed circuit board and package according to another embodiment of the present invention; 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための一工程を示す図である。It is a figure which shows one process for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on one Example of this invention. 図3の次の工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the next step of FIG. 3; 図4の次の工程を示す図である。5 is a diagram showing the next step of FIG. 4; FIG. 図5の次の工程を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the next step of FIG. 5; 図6の次の工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the next step of FIG. 6; 図7の次の工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the next step of FIG. 7; 図8の次の工程を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the next step of FIG. 8; 図9の次の工程を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the next step of FIG. 9;

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。 The terminology used in this application is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular terms include plural terms unless the context clearly dictates otherwise.

本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。 In this application, terms such as "including" or "having" designate the presence of any feature, number, step, act, component, part, or combination thereof described herein, It should be understood that nothing precludes the presence or addition of one or more other features, figures, steps, acts, components, parts or combinations thereof.

また、明細書全体において、「上に」ということは、対象部分の上または下に位置することを意味するものであり、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するものではない。 Further, throughout the specification, "upper" means positioned above or below the target portion, and does not necessarily mean positioned above the direction of gravity.

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 In addition, in the contact relationship between each component, the term “bond” does not mean only the case where each component is in direct physical contact, and another structure intervenes between each component. It is used as a concept that includes the case where each component is in contact with the other configuration.

図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されるものではない。 The size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited thereto.

以下、本発明に係るプリント回路基板、パッケージ及びプリント回路基板の製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the printed circuit board, the package, and the method of manufacturing the printed circuit board according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. are assigned the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

(プリント回路基板及びパッケージ)
図1は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。図2は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板及びパッケージを示す図である。
(Printed circuit board and package)
FIG. 1 illustrates a printed circuit board and package according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 illustrates a printed circuit board and package according to another embodiment of the invention.

図1を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板500は、第1絶縁部100と、第2絶縁部200と、収容溝CVと、保護層300と、連結導体パターン層400と、を含む。 Referring to FIG. 1, a printed circuit board 500 according to an embodiment of the present invention includes a first insulating part 100, a second insulating part 200, an accommodation groove CV, a protective layer 300, and a connecting conductor pattern layer 400. ,including.

第1絶縁部100及び第2絶縁部200のそれぞれは、少なくとも1つ以上の絶縁層110、210を含む。第1絶縁部100を形成する絶縁層を第1絶縁層110、第2絶縁部200を形成する絶縁層を第2絶縁層210と称し、第1絶縁層110と第2絶縁層210との間の区別が必要のない限り絶縁層と通称し、共通的に説明する。 Each of the first insulation part 100 and the second insulation part 200 includes at least one or more insulation layers 110 and 210 . An insulating layer forming the first insulating portion 100 is called a first insulating layer 110, and an insulating layer forming the second insulating portion 200 is called a second insulating layer 210. is commonly referred to as an insulating layer unless it is necessary to distinguish between the two layers, and the description will be made in common.

絶縁層110、210は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド等の熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラー等の補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグで形成することができる。他の例として、絶縁層110、210は、ABF等のビルドアップフィルムで形成することができる。また他の例として、絶縁層110、210は、光硬化性樹脂で形成することができる。絶縁層110、210の他の例及びまた他の例において、絶縁層110、210は、無機フィラーを含むことができる。 The insulating layers 110 and 210 can be formed of a thermosetting resin such as epoxy resin, a thermoplastic resin such as polyimide, or a resin impregnated with reinforcing material such as glass fiber or inorganic filler, such as prepreg. . As another example, the insulating layers 110, 210 can be formed of build-up films such as ABF. As another example, the insulating layers 110 and 210 can be made of photocurable resin. In other examples and also other examples of the insulating layers 110, 210, the insulating layers 110, 210 can include inorganic fillers.

無機フィラーとしては、アルミナ、シリカ、ガラス、シリコンカーバイド及びこれらの混合物からなるグループから選択された少なくとも1種以上を用いることができる。無機フィラーは、球状、半球状、多角形状、シリンダー状または板状等様々な形状を有するものを用いることができる。無機フィラーの直径は、数nmから数百nmの大きさを多様に選択することができる。無機フィラーが球状ではない場合の無機フィラーの直径とは、無機フィラー表面の互いに異なる二つの点を結び、無機フィラーの重さ中心を通る複数の線分中の最も長い長さを意味する。 At least one selected from the group consisting of alumina, silica, glass, silicon carbide and mixtures thereof can be used as the inorganic filler. As the inorganic filler, those having various shapes such as spherical, hemispherical, polygonal, cylindrical or plate-like can be used. The diameter of the inorganic filler can be variously selected from several nanometers to several hundreds of nanometers. When the inorganic filler is not spherical, the diameter of the inorganic filler means the longest length among a plurality of line segments connecting two different points on the surface of the inorganic filler and passing through the weight center of the inorganic filler.

絶縁部100、200にはそれぞれ導体パターン層120、220が形成される。すなわち、第1絶縁部100には第1導体パターン層120が形成され、第2絶縁部200には第2導体パターン層220が形成される。第1導体パターン層120及び第2導体パターン層220のそれぞれは、複数形成することができる。 Conductor pattern layers 120 and 220 are formed on the insulating parts 100 and 200, respectively. That is, the first conductor pattern layer 120 is formed on the first insulating part 100 , and the second conductor pattern layer 220 is formed on the second insulating part 200 . A plurality of each of the first conductor pattern layer 120 and the second conductor pattern layer 220 can be formed.

導体パターン層120、220は、第1及び第2絶縁部100、200に埋め込まれ、外部に露出されない。ただ、最外層に形成される導体パターン層120、220は、少なくとも一部が絶縁部100、200から突出して形成される。 The conductor pattern layers 120 and 220 are embedded in the first and second insulating parts 100 and 200 and are not exposed to the outside. However, at least a portion of the conductor pattern layers 120 and 220 formed as the outermost layers protrude from the insulating portions 100 and 200 .

導体パターン層120、220は、電気伝導性物質により形成される。例として、導体パターン層120、220は、銅(Cu)で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等様々な電気伝導性物質により形成することができる。 The conductor pattern layers 120, 220 are made of an electrically conductive material. By way of example, the conductor pattern layers 120 and 220 can be made of copper (Cu), but not limited to, nickel (Ni), aluminum (Al), and various other electrically conductive materials.

図1には、第1絶縁部100及び第2絶縁部100のそれぞれが2つの絶縁層110、210に形成されているが、これは例示に過ぎない。すなわち、第1絶縁部100及び第2絶縁部200のそれぞれは、3つ以上の絶縁層または1つの絶縁層により形成されることも可能である。 In FIG. 1, each of the first insulating part 100 and the second insulating part 100 is formed on two insulating layers 110, 210, but this is only an example. That is, each of the first insulation part 100 and the second insulation part 200 may be formed of three or more insulation layers or one insulation layer.

また、図1に示されている第1導体パターン層120及び第2導体パターン層220のそれぞれの数は、例示に過ぎない。他の例として、第1導体パターン層120は、第1絶縁部100に4層構造に形成されることが可能である。また他の例として、第2導体パターン層220は、第2絶縁部200に3層構造に形成されることも可能である。 Also, the respective numbers of the first conductor pattern layers 120 and the second conductor pattern layers 220 shown in FIG. 1 are merely examples. As another example, the first conductor pattern layer 120 may be formed in a four-layer structure on the first insulating part 100 . As another example, the second conductor pattern layer 220 may be formed in the second insulating part 200 to have a three-layer structure.

収容溝CVは、第2絶縁部200を貫通して形成される。収容溝CVには、後述する電子部品600が配置される。収容溝CVの幅及び深さは、電子部品600の幅及び高さに対応することができ、これに限定されることはない。例として、収容溝CVは、電子部品600の幅よりも広い幅に形成され、電子部品600がより容易に本実施例に係るパッケージ1000に配置されることができる。 The accommodation groove CV is formed through the second insulating part 200 . An electronic component 600, which will be described later, is arranged in the accommodation groove CV. The width and depth of the accommodation groove CV may correspond to the width and height of the electronic component 600, but are not limited thereto. For example, the accommodation groove CV may be wider than the electronic component 600 so that the electronic component 600 can be more easily arranged in the package 1000 according to the present embodiment.

収容溝CVは、レーザードリル、CNCドリル、パンチングまたは化学的エッチングにより形成可能である。または、第2絶縁層210が光硬化性樹脂を含む場合、収容溝CVは、フォトリソグラフィ工程により形成可能である。 The receiving groove CV can be formed by laser drilling, CNC drilling, punching or chemical etching. Alternatively, if the second insulating layer 210 contains a photocurable resin, the accommodation groove CV can be formed by a photolithography process.

保護層300は、第1絶縁部100と第2絶縁部200との間、及び第1絶縁部100と収容溝CVとの間に形成される。すなわち、保護層300は、第1絶縁部100の一面の全面に形成され、第1絶縁部100と第2絶縁部200との間に形成される。このため、保護層300の少なくとも一部が収容溝CVにより外部に露出される。 The protective layer 300 is formed between the first insulating part 100 and the second insulating part 200 and between the first insulating part 100 and the receiving groove CV. That is, the protective layer 300 is formed on the entire surface of the first insulating part 100 and formed between the first insulating part 100 and the second insulating part 200 . Therefore, at least part of the protective layer 300 is exposed to the outside through the accommodation groove CV.

保護層300は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される。 Protective layer 300 is formed of a thermosetting solder resist.

本実施例で採用する保護層300は、通常の光硬化性ソルダーレジストではなく熱硬化性ソルダーレジストである。 The protective layer 300 employed in this embodiment is a thermosetting solder resist instead of a normal photo-setting solder resist.

後述するように、保護層300が第1絶縁部100よりも先に形成されるので、保護層300を熱硬化性ソルダーレジストにより形成する。本実施例で採用する保護層300を光硬化性ソルダーレジストにより形成する場合、基板工程を経りながら保護層300に加えられる熱及び圧力によりガスが発生し、基板の不良可能性が高くなる恐れがある。 As will be described later, the protective layer 300 is formed prior to the formation of the first insulating section 100, so the protective layer 300 is formed using a thermosetting solder resist. When the protective layer 300 employed in this embodiment is formed of a photocurable solder resist, heat and pressure applied to the protective layer 300 during the substrate process generate gas, which may increase the possibility of defective substrates. There is

熱硬化性ソルダーレジストは、エポキシとシアネート系の樹脂を含むことができる。熱硬化性ソルダーレジストは、アルミナ、シリカ、ガラス及びシリコンカーバイド等の無機フィラーを含むことができる。 Thermosetting solder resists can include epoxy and cyanate based resins. Thermosetting solder resists can contain inorganic fillers such as alumina, silica, glass and silicon carbide.

連結導体パターン層400は、収容溝CVから露出された接続パターン410を含み、保護層300に埋め込まれるように形成される。連結導体パターン層400は、保護層300の一面に埋め込まれた形状で保護層300に形成される。 The connection conductor pattern layer 400 includes the connection pattern 410 exposed from the accommodation groove CV and is formed to be embedded in the protective layer 300 . The connection conductor pattern layer 400 is formed on the protective layer 300 in a shape embedded in one surface of the protective layer 300 .

接続パターン410は、後述する電子部品に電気的に接続される。接続パターン410も保護層300に埋め込まれる。接続パターン410の一面は保護層300の一面と同一の平面に位置するか、保護層300の一面から陥入され、収容溝CVに露出される。 The connection pattern 410 is electrically connected to electronic components, which will be described later. A connection pattern 410 is also embedded in the protective layer 300 . One surface of the connection pattern 410 is positioned on the same plane as one surface of the protective layer 300 or recessed from one surface of the protective layer 300 to be exposed to the accommodation groove CV.

一方、図1等には接続パターン410が保護層300を貫通することに示されているが、これは例示に過ぎない。すなわち、接続パターン410は、設計上の必要によって保護層300を貫通しないパッド形態に形成することも可能である。接続パターン410の数及び接続パターン410間のピッチは、後述する電子部品600の外部接続端子の数及び外部接続端子間のピッチにより様々に変更することができる。 On the other hand, although FIG. 1 and the like show the connection pattern 410 penetrating the protective layer 300, this is merely an example. That is, the connection pattern 410 may be formed in the form of a pad that does not penetrate the passivation layer 300 according to design requirements. The number of connection patterns 410 and the pitch between connection patterns 410 can be variously changed according to the number of external connection terminals of electronic component 600 and the pitch between external connection terminals, which will be described later.

連結導体パターン層400は、保護層300を貫通し、第1導体パターン層120と第2導体パターン層220とを互いに接続する接続ビア420をさらに含むことができる。接続ビアは保護層300を貫通して、第1導体パターン層120と第2導体パターン層220とを電気的に接続させる。 The connection conductor pattern layer 400 may further include connection vias 420 penetrating the protective layer 300 and connecting the first conductor pattern layer 120 and the second conductor pattern layer 220 to each other. The connection via penetrates the protective layer 300 and electrically connects the first patterned conductor layer 120 and the second patterned conductor layer 220 .

連結導体パターン層400は、第2絶縁部200と収容溝CVとの間の境界にかけて形成される停止パターン430をさらに含むことができる。 The connection conductor pattern layer 400 may further include a stop pattern 430 formed across the boundary between the second insulation part 200 and the receiving groove CV.

停止パターン430は、連結導体パターン層400に含まれる構成であり、上述したように、連結導体パターン層400は、保護層300に埋め込まれて形成される構成である。保護層300は、第2絶縁部200が形成されて外部に露出されない第1領域と、収容溝CVにより外部に露出される第2領域とに区別できる。よって、停止パターン430が第2絶縁部200と収容溝CVとの間の境界にかけて形成されるということは、停止パターン430が保護層300の第1領域と第2領域にかけて形成されるという意味に理解されることができる。 The stop pattern 430 is included in the connecting conductor pattern layer 400 , and as described above, the connecting conductor pattern layer 400 is embedded in the protective layer 300 . The protective layer 300 can be divided into a first region where the second insulating part 200 is formed and not exposed to the outside, and a second region exposed to the outside by the accommodation groove CV. Therefore, the fact that the stop pattern 430 is formed across the boundary between the second insulating part 200 and the receiving groove CV means that the stop pattern 430 is formed across the first region and the second region of the protective layer 300 . can be understood.

停止パターン430は、本実施例に係るプリント回路基板の製造工程において、第2絶縁層210を形成する樹脂が収容溝CVの内側へ流動した場合、流動した樹脂をレーザーにより除去するに当たって、第1絶縁部100及び保護層300がレーザーにより除去されることを防止することができる。すなわち、停止パターン430は、レーザーに対するストッパとしての機能をすることができる。 In the manufacturing process of the printed circuit board according to the present embodiment, when the resin forming the second insulating layer 210 flows inside the accommodation groove CV, the stopping pattern 430 is used to remove the flowing resin with a laser. It is possible to prevent the insulating part 100 and the protective layer 300 from being removed by the laser. That is, the stop pattern 430 can function as a stopper for the laser.

連結導体パターン層400、接続パターン410、接続ビア420及び停止パターン430は、電気伝導性物質により形成される。例として、接続パターン410は、銅(Cu)で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等様々な電気伝導性物質により形成可能である。 The connecting conductor pattern layer 400, the connection pattern 410, the connection via 420 and the stop pattern 430 are made of an electrically conductive material. For example, the connection pattern 410 can be made of copper (Cu), but not limited to, and can be made of various electrically conductive materials such as nickel (Ni) and aluminum (Al).

本発明の一実施例に係るパッケージ1000は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板500と、収容溝CV内に配置され、接続パターン410に接続される電子部品600と、を含む。 A package 1000 according to an embodiment of the present invention includes a printed circuit board 500 according to an embodiment of the present invention, and an electronic component 600 arranged in the accommodation groove CV and connected to the connection pattern 410 .

電子部品600は、半導体チップであり得る。半導体チップは、一面が活性面(Active surface)であり、他面が非活性面(Inactive surface)であってもよい。半導体チップの一面には、外部接続端子が形成され、本実施例に係るプリント回路基板500に電気的に接続されることができる。 Electronic component 600 may be a semiconductor chip. The semiconductor chip may have an active surface on one side and an inactive surface on the other side. External connection terminals are formed on one surface of the semiconductor chip and can be electrically connected to the printed circuit board 500 according to the present embodiment.

図1等に示されている電子部品600の外部接続端子の数は、例示に過ぎない。 The number of external connection terminals of electronic component 600 shown in FIG. 1 etc. is merely an example.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板500及びパッケージ1000は、第1絶縁部100の下面及び第2絶縁部200の上面に形成されたソルダーレジスト層SRをさらに含むことができる。ソルダーレジスト層SRには、第1絶縁部100及び第2絶縁部200の最外層に形成された導体パターン層120、220のうちの少なくとも一部を外部に露出する開口を形成することができる。 The printed circuit board 500 and the package 1000 according to an embodiment of the present invention may further include solder resist layers SR formed on the bottom surface of the first insulation part 100 and the top surface of the second insulation part 200 . An opening may be formed in the solder resist layer SR to expose at least a portion of the conductor pattern layers 120 and 220 formed on the outermost layers of the first insulating part 100 and the second insulating part 200 to the outside.

ソルダーレジスト層SRは、光硬化性または熱硬化性樹脂を含むことができる。ソルダーレジスト層SRが光硬化性樹脂を含む場合に、開口は、フォトリソグラフィ工程を用いて形成することができる。ソルダーレジスト層SRが熱硬化性樹脂を含む場合には、開口は、レーザードリルまたはサンドブラストにより形成することができる。 The solder resist layer SR can contain a photocurable or thermosetting resin. When the solder resist layer SR contains a photocurable resin, the opening can be formed using a photolithography process. If the solder resist layer SR contains a thermosetting resin, the openings can be formed by laser drilling or sandblasting.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板500及びパッケージ1000は、第1絶縁部100及び第2絶縁部200のそれぞれに形成され、互いに異なる第1導体パターン層120を接続させ、互いに異なる第2導体パターン層220を接続させるビアをさらに含むことができる。 The printed circuit board 500 and the package 1000 according to an embodiment of the present invention are formed on the first insulating part 100 and the second insulating part 200, respectively, and connect different first conductor pattern layers 120 to connect different second conductive pattern layers 120 to each other. Vias connecting the conductor pattern layers 220 may be further included.

ビアは、電気伝導性物質により形成される。例として、ビアは、銅(Cu)で形成可能であり、これに限定されず、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等様々な電気伝導性物質で形成可能である。 A via is formed of an electrically conductive material. By way of example, the vias can be formed of copper (Cu), but not limited to, nickel (Ni), aluminum (Al), and various other electrically conductive materials.

一方、示されていないが、本発明の一実施例に係るパッケージ1000は、電子部品600を保護するために電子部品600の側面と収容溝CVの内側面との間に形成されるモールディング材をさらに含むことができる。 Meanwhile, although not shown, the package 1000 according to an embodiment of the present invention includes a molding material formed between the side surface of the electronic component 600 and the inner surface of the receiving groove CV to protect the electronic component 600 . can further include:

(プリント回路基板及びパッケージの製造方法)
図3から図9は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程を順次示す図である。
(Method for manufacturing printed circuit board and package)
3 to 9 are diagrams sequentially showing manufacturing processes for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、一面に保護層が形成された第1絶縁部をキャリア上に形成するステップと、キャリアと第1絶縁部とを分離するステップと、保護層上に収容溝が形成された第2絶縁部を形成するステップと、を含む。 A method for manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes the steps of: forming a first insulating part having a protective layer formed on one surface thereof on a carrier; separating the carrier from the first insulating part; and forming a second insulating part having an accommodation groove on the protective layer.

第1絶縁部をキャリア上に形成するステップは、キャリア上に保護層を形成するステップ及び保護層に貫通ホールを形成するステップを含む。 Forming the first insulation on the carrier includes forming a protective layer on the carrier and forming a through hole in the protective layer.

先ず、図3に示すように、キャリアCを準備する。 First, as shown in FIG. 3, a carrier C is prepared.

キャリアCは、支持部S、支持部Sの両面に形成された第1銅箔CF1、第1銅箔CF1に形成された第2銅箔CF2、第2銅箔CF2に形成されたエッチング防止層ES、及びエッチング防止層ESに形成された第3銅箔CF3を含む。 The carrier C includes a support portion S, a first copper foil CF1 formed on both sides of the support portion S, a second copper foil CF2 formed on the first copper foil CF1, and an anti-etching layer formed on the second copper foil CF2. ES, and a third copper foil CF3 formed on the anti-etching layer ES.

支持部Sは、保護層300及び第1絶縁部100を形成する工程において保護層300及び第1絶縁部100を支持するに十分な剛性を有するものであれば材質に何ら制限はない。支持部Sは、PETフィルム等の樹脂材であってもよく、これに限定されることはないが、金属材であってもよい。 The material of the supporting portion S is not particularly limited as long as it has sufficient rigidity to support the protective layer 300 and the first insulating portion 100 in the process of forming the protective layer 300 and the first insulating portion 100 . The support portion S may be made of a resin material such as a PET film, or may be made of a metal material, although the material is not limited to this.

第1銅箔CF1は、支持部Sとともに保護層300及び第1絶縁部100を形成する工程において保護層300及び第1絶縁部100を支持する。第1銅箔CF1は、銅または銅を含む合金により形成することができる。第1銅箔CF1は、例として18μmの厚さを有することができる。 The first copper foil CF1 supports the protective layer 300 and the first insulating part 100 in the step of forming the protective layer 300 and the first insulating part 100 together with the supporting part S. The first copper foil CF1 can be made of copper or an alloy containing copper. The first copper foil CF1 may have a thickness of 18 μm, as an example.

第2銅箔CF2は、後述するキャリアCと第1絶縁部100とを分離する工程において第1銅箔CF1から分離される。第2銅箔CF2と第1銅箔CF1との間の分離が容易になるように、キャリアCは、第1銅箔CF1と第2銅箔CF2との間に形成される離型層RLをさらに含むことができる。第2銅箔CF2は、例として5μmの厚さを有することができる。 The second copper foil CF2 is separated from the first copper foil CF1 in the step of separating the carrier C and the first insulating part 100, which will be described later. In order to facilitate separation between the second copper foil CF2 and the first copper foil CF1, the carrier C includes a release layer RL formed between the first copper foil CF1 and the second copper foil CF2. can further include: The second copper foil CF2 can have a thickness of 5 μm as an example.

エッチング防止層ESは、キャリアCから第1絶縁部100を分離した後に第1絶縁部100に付着されている第2銅箔CF2をエッチングにより除去するに当たって、上述した連結導体パターン層400がエッチングされることを防止する。エッチング防止層ESは、第2銅箔CF2をエッチングするエッチング液とは化学反応しない物質により形成することができる。例示的に、エッチング防止層ESは、ニッケル(Ni)により形成することができる。 The anti-etching layer ES is formed by etching the connecting conductor pattern layer 400 when removing the second copper foil CF2 attached to the first insulating part 100 after separating the first insulating part 100 from the carrier C. to prevent The anti-etching layer ES can be made of a material that does not chemically react with the etching solution that etches the second copper foil CF2. Exemplarily, the anti-etching layer ES may be made of nickel (Ni).

第3銅箔CF3は、連結導体パターン層400を電解メッキにより形成するに当たってシード層として機能することができる。第3銅箔CF3は、例示的に0.3μmの厚さを有することができる。 The third copper foil CF3 can function as a seed layer when forming the connecting conductor pattern layer 400 by electrolytic plating. The third copper foil CF3 may illustratively have a thickness of 0.3 μm.

第3銅箔CF3が薄い場合は接続パターン410を微細に形成することができるので、電子部品600の外部接続端子間のピッチが狭小な場合にも接続パターン410を電子部品600に電気的に接続することができる。 When the third copper foil CF3 is thin, the connection pattern 410 can be formed finely. can do.

一方、上述したキャリアCの構造は、例示に過ぎず、本発明の範囲が上述したキャリアCの構造に限定されることはない。設計上の必要によってキャリアCの構造は様々に変更することができる。 On the other hand, the structure of the carrier C described above is merely an example, and the scope of the present invention is not limited to the structure of the carrier C described above. The structure of the carrier C can be varied according to design needs.

次に、図4に示すように、キャリアC上に連結導体パターン層400、保護層300、及び第1導体パターン層120を形成する。連結導体パターン層400及び保護層300を形成する順序は設計上の必要によって変更可能である。また、連結導体パターン層400の一部分が先に形成され、保護層300が形成された後に連結導体パターン層400のその他の部分が形成されることも可能である。 Next, as shown in FIG. 4, a connecting conductor pattern layer 400, a protective layer 300, and a first conductor pattern layer 120 are formed on the carrier C. As shown in FIG. The order of forming the connecting conductor pattern layer 400 and the protective layer 300 can be changed according to design requirements. Also, a part of the connecting conductor pattern layer 400 may be formed first, and the other part of the connecting conductor pattern layer 400 may be formed after the protection layer 300 is formed.

図1に示されている本発明の一実施例に係るプリント回路基板500を製造する場合には、キャリアC上に熱硬化性ソルダーレジストにより保護層300を先に形成し、その後接続パターン410、接続ビア420及び停止パターン430を含む連結導体パターン層400を形成することができる。 When manufacturing the printed circuit board 500 according to one embodiment of the present invention shown in FIG. A connecting conductor pattern layer 400 including connection vias 420 and stop patterns 430 may be formed.

保護層300は、フィルム状の熱硬化性ソルダーレジストを積層して形成することができる。連結導体パターン層400は、保護層300の一部をサンドブラストにより除去してキャリアCを外部に露出させ、キャリアCの第3銅箔CF3をシード層とする電解メッキにより形成することができる。 The protective layer 300 can be formed by laminating a film-like thermosetting solder resist. The connecting conductor pattern layer 400 can be formed by removing part of the protective layer 300 by sandblasting to expose the carrier C to the outside, and by electrolytic plating using the third copper foil CF3 of the carrier C as a seed layer.

第1導体パターン層120は、保護層300上にパターニングされたメッキレジストを形成した後に、電解メッキにより形成することができる。連結導体パターン層400と第1導体パターン層120は、同一のメッキ工程または分離されたメッキ工程により形成することができる。 The first conductive pattern layer 120 can be formed by electrolytic plating after forming a patterned plating resist on the protective layer 300 . The connection conductor pattern layer 400 and the first conductor pattern layer 120 may be formed through the same plating process or separate plating processes.

本実施例の場合、連結導体パターン層400を形成するために、保護層300の一部をレーザードリリングよりも相対的に直進性に優れたサンドブラストにより除去する。よって、本実施例により形成された連結導体パターン層400は、レーザービア等に比べると、側面の傾斜がより急に形成される。 In this embodiment, in order to form the connecting conductor pattern layer 400, a portion of the protective layer 300 is removed by sandblasting, which is relatively superior in straightness than laser drilling. Therefore, the connection conductor pattern layer 400 formed according to the present embodiment has a steeper slope of the side surface than laser vias or the like.

一方、図2に示されている本発明の他の実施例に係るプリント回路基板500'を製造する場合には、先ず、キャリアC上に接続パターン410を形成し、接続パターン410とキャリアC上に保護層300を形成した後に、接続ビア420及び停止パターン430を形成することができる。このとき、上述したように、第1導体パターン層120は、接続ビア420及び停止パターン430と同一のメッキ工程または分離されたメッキ工程により形成することができる。 On the other hand, when manufacturing the printed circuit board 500' according to another embodiment of the present invention shown in FIG. After forming the protective layer 300, the connection vias 420 and the stop pattern 430 can be formed. At this time, as described above, the first conductor pattern layer 120 may be formed by the same plating process as the connection via 420 and the stop pattern 430 or by a separate plating process.

次に、図5に示すように、第1導体パターン層120及び保護層300上に第1絶縁層110及び他の第1導体パターン層120を形成する。第1絶縁層110の形成工程及び他の第1導体パターン層120の形成工程は、設計上の必要によって数回繰り返されることができる。 Next, as shown in FIG. 5, the first insulating layer 110 and another first conductor pattern layer 120 are formed on the first conductor pattern layer 120 and the protective layer 300 . The process of forming the first insulating layer 110 and the process of forming the other first conductive pattern layer 120 can be repeated several times according to design needs.

第1絶縁層110は、フィルム状のプリプレグまたはABFフィルムをラミネーションして形成することができる。第1導体パターン層120は、サブトラックティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法、またはMSAP(Modified Semi-Additive Process)法のうちのいずれか一つの方法を用いて形成することができる。 The first insulating layer 110 may be formed by laminating a film-like prepreg or an ABF film. The first conductive pattern layer 120 can be formed using any one of a subtractive method, an additive method, a semi-additive method, or a modified semi-additive process (MSAP) method.

ビアは、第1絶縁層110を積層した後に、第1絶縁層110にビアホールを形成し、ビアホールに伝導性物質を充填することにより形成することができる。ビアホールは、第1絶縁層110の種類に応じてレーザードリリング、CNCドリリング、化学的エッチング及びフォトリソグラフィのうちのいずれか一つ以上の方法を用いて形成することができる。 The via can be formed by stacking the first insulating layer 110, forming a via hole in the first insulating layer 110, and filling the via hole with a conductive material. The via hole may be formed using one or more of laser drilling, CNC drilling, chemical etching, and photolithography according to the type of the first insulating layer 110 .

ビアは、電解メッキによりビアホールに形成可能であるが、これに限定されず、伝導性ペーストをビアホールに充填して形成することも可能である。ビアは、それぞれの第1導体パターン層120を形成するメッキ工程において第1導体パターン層120と共に形成されることが可能である。 The via can be formed in the via hole by electroplating, but is not limited to this, and can be formed by filling the via hole with a conductive paste. The vias can be formed together with the first conductor pattern layers 120 in the plating process that forms each first conductor pattern layer 120 .

次に、図6に示すように、最外層の第1導体パターン層120上にソルダーレジスト層SRを形成する。ソルダーレジスト層SRは、ソルダーレジストフィルムを積層して形成することができる。ソルダーレジスト層SRには、最外層の第1導体パターン層120の少なくとも一部を露出させる開口が形成される。開口は、レーザードリリング、サンドブラストまたはフォトリソグラフィ工程を用いてソルダーレジスト層に形成することができる。 Next, as shown in FIG. 6, a solder resist layer SR is formed on the outermost first conductor pattern layer 120 . The solder resist layer SR can be formed by stacking solder resist films. An opening is formed in the solder resist layer SR to expose at least a portion of the outermost first conductor pattern layer 120 . Apertures can be formed in the solder resist layer using laser drilling, sandblasting or photolithography processes.

次に、図7に示すように、キャリアCから第1絶縁部100を分離する。具体的には、キャリアCの第1銅箔CF1と第2銅箔CF1とを互いに分離する。よって、キャリアCの第2銅箔CF2、エッチング防止層ES、及び第3銅箔CF3は、第1絶縁部100とともにキャリアCの第1銅箔CF1から分離される。 Next, the first insulating part 100 is separated from the carrier C, as shown in FIG. Specifically, the first copper foil CF1 and the second copper foil CF1 of the carrier C are separated from each other. Therefore, the second copper foil CF2 of the carrier C, the anti-etching layer ES, and the third copper foil CF3 are separated from the first copper foil CF1 of the carrier C together with the first insulating part 100. FIG.

次に、図8に示すように、第2銅箔CF2、エッチング防止層ES、及び第3銅箔CF3を順次除去する。第2銅箔CF2をエッチングにより除去するに当たって、エッチング防止層ESは、第3銅箔CF3及び連結導体パターン層400がエッチングにより除去されることを防止する。第3銅箔CF3をエッチングにより除去するに当たって、第3銅箔CF3と接している連結導体パターン層400の一部が除去され、連結導体パターン層400の一面が保護層300の一面から陥入された形態に形成されることもある。 Next, as shown in FIG. 8, the second copper foil CF2, the anti-etching layer ES, and the third copper foil CF3 are sequentially removed. When removing the second copper foil CF2 by etching, the etching prevention layer ES prevents the third copper foil CF3 and the connecting conductor pattern layer 400 from being removed by etching. When removing the third copper foil CF3 by etching, part of the connecting conductor pattern layer 400 in contact with the third copper foil CF3 is removed, and one surface of the connecting conductor pattern layer 400 is recessed from one surface of the protective layer 300. It may also be formed in a different shape.

次に、図9に示すように、保護層300上に第2絶縁部200を形成する。 Next, as shown in FIG. 9, the second insulating section 200 is formed on the protective layer 300. Next, as shown in FIG.

第2絶縁部200は、保護層300上に、第2絶縁層210、ビア及び第2導体パターン層220を順次形成することで形成可能である。このとき、第2絶縁層210は、収容溝CVとなる貫通溝が予め形成された状態で保護層300上に積層されることが可能である。この場合、第2絶縁層210は、流動性の低いNo-Flow PPGにより形成されてもよい。第2絶縁層210、ビア及び第2導体パターン層220を形成する工程は、設計上の必要により数回繰り返されることが可能である。 The second insulating part 200 can be formed by sequentially forming a second insulating layer 210 , vias, and a second conductor pattern layer 220 on the protective layer 300 . At this time, the second insulating layer 210 can be laminated on the protective layer 300 in a state in which a through groove that becomes the accommodation groove CV is formed in advance. In this case, the second insulating layer 210 may be made of No-Flow PPG with low fluidity. The steps of forming the second insulating layer 210, the vias and the second conductor pattern layer 220 can be repeated several times according to design needs.

本発明の一実施例に係るパッケージの製造方法は、プリント回路基板の収容溝に電子部品を配置するステップ及び電子部品の側面と収容溝の内壁との間にモールディング材を形成するステップを含む。 A method of manufacturing a package according to an embodiment of the present invention includes placing an electronic component in a receiving groove of a printed circuit board and forming a molding material between a side surface of the electronic component and an inner wall of the receiving groove.

先ず、図10に示すプリント回路基板500'の収容溝CVに電子部品600を配置する。電子部品600の活性面には外部接続端子が形成されており、電子部品600は、外部接続端子が、本発明の一実施例に係るプリント回路基板500'の接続パターン410に接続するように収容溝CVに配置される。 First, the electronic component 600 is placed in the accommodation groove CV of the printed circuit board 500' shown in FIG. External connection terminals are formed on the active surface of the electronic component 600, and the electronic component 600 is housed so that the external connection terminals are connected to the connection patterns 410 of the printed circuit board 500' according to an embodiment of the present invention. It is placed in the groove CV.

次に、電子部品600の側面と収容溝CVの内壁との間にモールディング材を形成する。モールディング材は、EMCであってもよい。 Next, a molding material is formed between the side surface of the electronic component 600 and the inner wall of the receiving groove CV. The molding material may be EMC.

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除などにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 An embodiment of the present invention has been described above. Alternatively, the present invention can be variously modified and changed by deletion, etc., which are also included in the scope of the present invention.

100 第1絶縁部
110 第1絶縁層
120 第1導体パターン層
200 第2絶縁部
210 第2絶縁層
220 第2導体パターン層
300 保護層
400 連結導体パターン層
410 接続パターン
420 接続ビア
430 停止パターン
500、500' プリント回路基板
600 電子部品
1000、1000' パッケージ
CV 収容溝
SR ソルダーレジスト層
C キャリア
S 支持部
CF1、CF2、CF3 銅箔
RL 離型層
ES エッチング防止層
100 First insulating portion 110 First insulating layer 120 First conductor pattern layer 200 Second insulating portion 210 Second insulating layer 220 Second conductor pattern layer 300 Protective layer 400 Connecting conductor pattern layer 410 Connection pattern 420 Connection via 430 Stop pattern 500 , 500' printed circuit board 600 electronic component 1000, 1000' package CV accommodation groove SR solder resist layer C carrier S support portions CF1, CF2, CF3 copper foil RL release layer ES etching prevention layer

Claims (8)

第1絶縁部と、
前記第1絶縁部上に形成された第2絶縁部と、
前記第1絶縁部に形成される第1導体パターン層と、
前記第2絶縁部に形成される第2導体パターン層と、
前記第2絶縁部を貫通して形成された収容溝と、
前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間、及び前記第1絶縁部と前記収容溝との間に形成された保護層と、
前記収容溝から露出された接続パターンを含み、前記保護層に埋め込まれた連結導体パターン層と、
を含み、
前記保護層に埋め込まれた連結導体パターン層の接続パターンは、前記収容溝の方向に先細りのテーパー形状を有し、
前記連結導体パターン層は、前記第2絶縁部と前記収容溝との間の境界にかけて前記保護層に埋め込まれて形成される停止パターンをさらに含む、プリント回路基板。
a first insulating part;
a second insulating portion formed on the first insulating portion;
a first conductor pattern layer formed on the first insulating portion;
a second conductor pattern layer formed on the second insulating portion;
an accommodation groove formed through the second insulating part;
a protective layer formed between the first insulating portion and the second insulating portion and between the first insulating portion and the accommodation groove;
a connecting conductor pattern layer embedded in the protective layer, including a connection pattern exposed from the accommodation groove;
including
The connection pattern of the connecting conductor pattern layer embedded in the protective layer has a tapered shape that tapers in the direction of the accommodation groove,
The printed circuit board , wherein the connecting conductor pattern layer further includes a stop pattern embedded in the protective layer along a boundary between the second insulating part and the receiving groove .
前記保護層は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される請求項1に記載のプリント回路基板。 2. The printed circuit board according to claim 1, wherein said protective layer is formed of a thermosetting solder resist. 前記連結導体パターン層は、
前記保護層を貫通して前記第1導体パターン層と前記第2導体パターン層とを互いに接続する接続ビアをさらに含む請求項1または請求項2に記載のプリント回路基板。
The connecting conductor pattern layer is
3. The printed circuit board according to claim 1, further comprising a connection via that penetrates the protective layer and connects the first conductor pattern layer and the second conductor pattern layer to each other.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプリント回路基板と、
前記収容溝内に配置され、前記接続パターンに接続する電子部品と、
を含むパッケージ。
A printed circuit board according to any one of claims 1 to 3 ;
an electronic component arranged in the accommodation groove and connected to the connection pattern;
package containing.
前記電子部品は、半導体チップである請求項4に記載のパッケージ。 5. The package according to claim 4 , wherein said electronic component is a semiconductor chip. 接続パターン及び停止パターンを埋め込む保護層が一面に形成された第1絶縁部をキャリア上に形成するステップと、
前記キャリアと前記第1絶縁部とを分離するステップと、
前記保護層上に収容溝が形成された第2絶縁部を形成するステップと、を含み,
前記保護層に埋め込まれた接続パターンは、前記第2絶縁部の収容溝の方向に先細りのテーパー形状を有し、
前記保護層に埋め込まれた停止パターンは、前記第2絶縁部と前記収容溝との間の境界にかけて形成される、プリント回路基板の製造方法。
forming on the carrier a first insulating part having a protective layer in which the connection pattern and the stop pattern are embedded;
separating the carrier and the first insulation;
forming a second insulating part having an accommodation groove on the protective layer;
The connection pattern embedded in the protective layer has a tapered shape that tapers in the direction of the accommodation groove of the second insulating part,
The method of manufacturing a printed circuit board , wherein the stop pattern embedded in the protective layer is formed across a boundary between the second insulating portion and the receiving groove .
前記保護層は、熱硬化性ソルダーレジストにより形成される請求項6に記載のプリント回路基板の製造方法。 7. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 6 , wherein the protective layer is formed of a thermosetting solder resist. 前記接続パターンは、サンドブラストにより形成された貫通ホールに形成される請求項6または請求項7に記載のプリント回路基板の製造方法。 8. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 6 , wherein the connection pattern is formed in a through-hole formed by sandblasting.
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