JP7106608B2 - Mark detection device, alignment device, film formation device, mark detection method, and film formation method - Google Patents

Mark detection device, alignment device, film formation device, mark detection method, and film formation method Download PDF

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Description

本発明は、マーク検出装置に関する。 The present invention relates to a mark detection device.

基板等を撮影して得られた画像データから、その基板等に設けられたマークを検出するマーク検出装置がある。このようなマーク検出装置は、例えば、基板上にマスクを介して成膜材料の膜を形成する成膜装置が備えている、基板とマスクのアライメント(位置合わせ)をするためのアライメント装置に用いられる。かかるアライメント装置は、基板とマスクを撮像し、基板に設けられた基板マークとマスクに設けられたマスクマークを検出して、マーク間の距離が所定の関係を満たすように基板またはマスクを移動させてアライメントを行う。このとき、アライメント精度を向上させるためには、撮像された画像中から基板マークやマスクマークをできるだけ正確に抽出する必要がある。 2. Description of the Related Art There is a mark detection device that detects a mark provided on a board or the like from image data obtained by photographing the board or the like. Such a mark detection apparatus is used, for example, in an alignment apparatus for aligning a substrate and a mask, which is provided in a film forming apparatus for forming a film of a film forming material on a substrate through a mask. be done. Such an alignment apparatus picks up images of a substrate and a mask, detects substrate marks provided on the substrate and mask marks provided on the mask, and moves the substrate or mask so that the distance between the marks satisfies a predetermined relationship. alignment. At this time, in order to improve alignment accuracy, it is necessary to extract substrate marks and mask marks from the captured image as accurately as possible.

かかる成膜装置の例としては、有機半導体の製造に用いる有機半導体製造装置がある。有機半導体の製造においては、シリコン等のウェハ基板にレーザ加工により基板用のアライメントマーク(基板マーク)を形成する。そしてその基板に所望のパターンを持つマスクを接近させ、マスクに形成されたアライメントマーク(マスクマーク)と基板マークの位置関係に基づく位置合わせを行う。 An example of such a film forming apparatus is an organic semiconductor manufacturing apparatus used for manufacturing organic semiconductors. In the manufacture of organic semiconductors, substrate alignment marks (substrate marks) are formed on a wafer substrate of silicon or the like by laser processing. Then, a mask having a desired pattern is brought close to the substrate, and alignment is performed based on the positional relationship between the alignment marks (mask marks) formed on the mask and the substrate marks.

また成膜装置の他の例としては、有機EL表示装置を製造するための有機EL用の成膜装置が挙げられる。有機ELディスプレイの場合、成膜装置内でガラス等の基板に画素パターンが形成されたマスクを位置合わせし、マスクを介して有機材料や金属材料を成膜することにより、基板上に機能層や電極金属層を形成する。
このような成膜装置において高精度な成膜を行うためには、基板とマスクを精度良くアライメントする必要がある。
Another example of the film forming apparatus is an organic EL film forming apparatus for manufacturing an organic EL display device. In the case of an organic EL display, a mask on which a pixel pattern is formed is aligned with a substrate such as glass in a film forming apparatus. forming an electrode metal layer;
In order to form a film with high precision in such a film forming apparatus, it is necessary to align the substrate and the mask with high precision.

特許文献1(特開2019-179186号公報)には、レーザ加工により基板に形成されたアライメントマークを用いる技術が記載されている。すなわち特許文献1では、レーザを用いて基板にスポット状の光束を照射してアライメントマークを形成し、そのアライメントマークを含む領域を撮影して得られた画像を用いてアライメントを行う。 Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-179186) describes a technique using alignment marks formed on a substrate by laser processing. That is, in Patent Document 1, alignment marks are formed by irradiating a substrate with a spot-shaped light beam using a laser, and alignment is performed using an image obtained by photographing a region including the alignment marks.

特開2019-179186号公報JP 2019-179186 A

基板とマスクのアライメント精度を向上させるために、基板マークをより精度良く検出することが求められている。 In order to improve the alignment accuracy between the substrate and the mask, it is required to detect substrate marks with higher accuracy.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アライメント用に基板に形成されたマークの検出精度を向上させるための技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique for improving detection accuracy of marks formed on a substrate for alignment.

本発明は、以下の構成を採用する。すなわち、 The present invention employs the following configurations. i.e.
アライメントマークを検出するマーク検出装置であって、 A mark detection device for detecting an alignment mark,
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影手段と、 a photographing means for obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出手段と、を備え、 detection means for comparing the photographed image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記検出手段は、前記アライメントマークの前記線状部分の端部を除いた部分と、前記モデル画像とを比較する The detection means compares a portion of the alignment mark excluding an end portion of the linear portion with the model image.
ことを特徴とするマーク検出装置である。This mark detection device is characterized by:
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、 The present invention also employs the following configurations. i.e.
アライメントマークを検出するマーク検出装置であって、 A mark detection device for detecting an alignment mark,
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影手段と、 a photographing means for obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出手段と、を備え、 detection means for comparing the photographed image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記モデル画像は、前記アライメントマークの前記線状部分に対応する線状モデル部分を含み、 the model image includes a linear model portion corresponding to the linear portion of the alignment mark;
前記アライメントマークの前記線状部分の長さより、前記モデル画像の前記線状モデル部分の長さが短い The length of the linear model portion of the model image is shorter than the length of the linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とするマーク検出装置である。This mark detection device is characterized by:
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、 The present invention also employs the following configurations. i.e.
アライメントマークを検出するマーク検出方法であって、 A mark detection method for detecting an alignment mark, comprising:
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影工程と、 a photographing step of obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出工程と、を有し、 a detection step of comparing the captured image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記検出工程は、前記アライメントマークの前記線状部分の端部を除いた部分と、前記モデル画像とを比較する比較工程を含む The detection step includes a comparison step of comparing a portion of the alignment mark excluding an end portion of the linear portion with the model image.
ことを特徴とするマーク検出方法である。This mark detection method is characterized by:
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、 The present invention also employs the following configurations. i.e.
アライメントマークを検出するマーク検出方法であって、 A mark detection method for detecting an alignment mark, comprising:
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影工程と、 a photographing step of obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出工程と、を有し、 a detection step of comparing the captured image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記モデル画像は、前記アライメントマークの前記線状部分に対応する線状モデル部分を含み、 the model image includes a linear model portion corresponding to the linear portion of the alignment mark;
前記アライメントマークの前記線状部分の長さより、前記モデル画像の前記線状モデル部分の長さが短い The length of the linear model portion of the model image is shorter than the length of the linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とするマーク検出方法である。This mark detection method is characterized by:

本発明によれば、アライメント用に基板に形成されたマークの検出精度を向上させるための技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique for improving detection accuracy of marks formed on a substrate for alignment.

成膜装置を含む電子デバイスの製造ラインの模式図Schematic diagram of an electronic device production line including film deposition equipment 成膜装置の内部構成を示す断面図Cross-sectional view showing the internal configuration of the deposition apparatus マーク検出とアライメントについて説明する図Diagram explaining mark detection and alignment 基板マーク端部の膨らみとモデル基板マークを示す図Diagram showing the bulge at the end of the board mark and the model board mark マーク検出から成膜処理の流れを説明するフロー図Flow chart explaining the flow of film formation processing from mark detection 実施例におけるモデル基板マークの修正を説明する図FIG. 4 is a diagram for explaining correction of the model board mark in the embodiment; 基板マークの別形態を示す図A diagram showing another form of the board mark 複数の修正モデル基板マークを説明する図Diagram explaining multiple modified model board marks

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。ただし、以下の記載は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に記載がない限りは、本発明の範囲をこれに限定しようとする趣旨ではない。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the following description merely exemplifies preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. In addition, unless otherwise specified, the hardware configuration and software configuration of the apparatus, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. in the following description are intended to limit the scope of the present invention. do not have.

ここで、基板に何らかの所望の形状を持つ膜を形成する際には、形成される膜の形状に適したマスクパターンを有するマスクを用いる。これにより、成膜される各層を任意に構成できる。そして、基板上の所望の位置に膜を形成するためには、基板等とマスクの相対位置を精度良くアライメントする必要がある。アライメント時には通常、カメラ等の撮影手段によって基板に形成されたアライメントマーク(基板マーク)とマスクに形成されたアライメントマーク(マスクマーク)を撮像し、アクチュエータ等のアライメント手段によって位置合わせを行う。すなわち良好なアライメントのためには、少なくとも基板マークとマスクマークを精度よく検出できることが好ましい。 Here, when forming a film having a desired shape on a substrate, a mask having a mask pattern suitable for the shape of the film to be formed is used. Thereby, each layer to be deposited can be arbitrarily configured. In order to form a film at a desired position on the substrate, it is necessary to precisely align the relative positions of the substrate and the mask. At the time of alignment, an image of an alignment mark (substrate mark) formed on a substrate and an alignment mark (mask mark) formed on a mask is normally captured by a photographing means such as a camera, and alignment is performed by an alignment means such as an actuator. That is, for good alignment, it is preferable that at least substrate marks and mask marks can be detected with high accuracy.

本発明は、上記のように、アライメントマーク(基板マークおよび/またはマスクマーク)を検出する技術に好ましく用いられる。したがって本発明は、マーク検出装置またはマーク検出方法として捉えられる。本発明はまた、検出されたマークを用いて基板とマスクをアライメントするアライメント装置またはアライメント方法としても捉えられる。本発明はまた、かかるアライメント装置またはアライメント方法を用いた成膜装置または成膜方法としても捉えられる。本発明はまた、かかる成膜装置または成膜方法を用いた電子デバイスの製造装置または電子デバイスの製造方法としても捉えられる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention is preferably used in techniques for detecting alignment marks (substrate marks and/or mask marks). Therefore, the present invention can be regarded as a mark detection device or a mark detection method. The present invention can also be viewed as an alignment apparatus or alignment method for aligning a substrate and a mask using detected marks. The present invention can also be regarded as a film forming apparatus or film forming method using such an alignment apparatus or alignment method. The present invention can also be regarded as an electronic device manufacturing apparatus or an electronic device manufacturing method using such a film forming apparatus or film forming method.

本発明は、基板の表面にマスクを介して所望のパターンの薄膜材料層を形成する場合に好ましく適用できる。基板の材料としては、シリコン、ガラス、樹脂、金属など任意のものを利用できる。成膜材料としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物)など任意のものを利用できる。本発明の技術は、典型的には、電子デバイスや光学部材の製造装置
に適用される。本発明は例えば、有機半導体製造装置や、それを用いて製造された有機半導体に適用できる。本発明はまた、有機ELディスプレイやそれを用いた有機EL表示装置の製造装置、薄膜太陽電池、有機CMOSイメージセンサなどの有機電子デバイスに好適である。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be preferably applied when forming a thin film material layer with a desired pattern on the surface of a substrate through a mask. Any material such as silicon, glass, resin, or metal can be used as the material of the substrate. Any material such as an organic material or an inorganic material (metal, metal oxide) can be used as the film-forming material. The technology of the present invention is typically applied to electronic device and optical member manufacturing apparatuses. The present invention can be applied to, for example, an organic semiconductor manufacturing apparatus and an organic semiconductor manufactured using the same. The present invention is also suitable for organic electronic devices such as an organic EL display, a manufacturing apparatus for an organic EL display device using the same, a thin film solar cell, and an organic CMOS image sensor.

<従来技術の検討>
発明者らが鋭意検討した結果、従来の技術においては基板マークの検出精度が低下する可能性があることが分かった。
<Examination of conventional technology>
As a result of diligent studies by the inventors, it was found that there is a possibility that the accuracy of substrate mark detection may deteriorate in the conventional technique.

図3は、基板マークの検出について説明する図である。ここでは、ウェハ基板にレーザ加工により基板マークを形成する場合を例として挙げる。
図3(a)および図3(b)は、従来例にかかる理想的な図であり、各々、理想的に形成された基板マーク104と、基板マーク104を検出するための内部的なモデルであるモデル基板マーク174を示す。モデル基板マーク174とは、基板マークの形状を示すモデル画像であり、記憶手段に記憶されている。また図3(c)は、撮像領域内に基板マーク104とともにマスクマーク224が含まれた様子を示す図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining detection of board marks. Here, a case of forming a substrate mark on a wafer substrate by laser processing will be taken as an example.
FIGS. 3(a) and 3(b) are ideal diagrams according to the conventional example, respectively an ideally formed board mark 104 and an internal model for detecting the board mark 104. FIG. A model board mark 174 is shown. The model board mark 174 is a model image showing the shape of the board mark, and is stored in the storage means. FIG. 3(c) is a diagram showing a state in which the board mark 104 and the mask mark 224 are included in the imaging area.

図3(a)の基板マーク104と図3(b)のモデル基板マークを用いて基板マーク検出を行う場合について説明する。マーク検出装置は、撮影手段により撮像された撮像領域264内の基板マーク104のデータを、パターンマッチング等の画像認識アルゴリズムによってモデル基板マーク174と比較する。モデル基板マーク174の形状に合致する基板マーク104が検出された場合、マーク検出装置は、検出された基板マーク104の位置を座標として記憶する。そしてマーク検出装置がマスクマーク224を検出すると、アライメント装置が基板とマスクのアライメントを行う。 A case where board mark detection is performed using the board mark 104 in FIG. 3A and the model board mark in FIG. 3B will be described. The mark detection device compares the data of the board mark 104 in the imaging area 264 captured by the imaging means with the model board mark 174 by an image recognition algorithm such as pattern matching. When a board mark 104 matching the shape of the model board mark 174 is detected, the mark detection device stores the position of the detected board mark 104 as coordinates. When the mark detection device detects the mask mark 224, the alignment device aligns the substrate and the mask.

一方、図4(a)は、従来例にかかる、レーザ加工技術を用いてウェハ基板を加工して形成された、実際の線状の基板マークを示す図である。
この場合、基板マークの中央部104mは理想の基板マークと同じ太さであるが、基板マークの端部104tが膨らんだ形状となる場合がある。すなわち、線状のマークにおいて線の端部近傍の第1の領域の線の太さが端部近傍以外の第2の領域の線の太さに比べて大きくなる場合がある。端部(第1の領域)104tの中央部(第2の領域)104mに対する膨らみの程度や形状は基板の材質や加工方法に応じて異なるものの、かかる膨らみの発生はマーク検出の精度に影響を与える可能性がある。
On the other hand, FIG. 4A is a diagram showing an actual linear substrate mark formed by processing a wafer substrate using laser processing technology according to the conventional example.
In this case, the central portion 104m of the board mark has the same thickness as the ideal board mark, but the end portion 104t of the board mark may have a swollen shape. That is, in a linear mark, the thickness of the line in the first area near the end of the line may be larger than the thickness of the line in the second area other than the vicinity of the end. Although the extent and shape of the bulging of the end portion (first region) 104t with respect to the central portion (second region) 104m varies depending on the material and processing method of the substrate, the occurrence of such bulging affects the accuracy of mark detection. may give.

すなわち、本図の形状を持つ基板マーク104を、図4(b)に示すモデル基板マーク174とのマッチングにより検出しようとしても、基板マークの第1の領域104tの形状がモデル基板マーク174と一致しない。そのため、基板マーク104の認識精度が低下したり、位置検出時の座標精度が低下したりする可能性がある。その結果、アライメントの精度が低下する可能性があった。 That is, even if the board mark 104 having the shape shown in this figure is detected by matching with the model board mark 174 shown in FIG. do not do. Therefore, there is a possibility that the accuracy of recognizing the board mark 104 will be lowered, or that the accuracy of coordinates during position detection will be lowered. As a result, there is a possibility that the accuracy of alignment will be degraded.

そこで以下の記載では、端部に膨らみなどの変形が発生した基板マークであっても良好に検出可能とするための実施例を説明する。なお、本発明は、ウェハをレーザ加工する場合に限られず、基板およびマスクの少なくともいずれかにマークを設ける際に、加工の影響などにより端部に膨らみや変形が発生する場合に適用できる。 Therefore, in the following description, an embodiment will be described in which it is possible to satisfactorily detect even a board mark whose end portion is deformed such as a bulge. The present invention is not limited to the case of laser processing a wafer, but can be applied to the case where bulging or deformation occurs at the end portion due to the influence of processing when forming marks on at least one of a substrate and a mask.

<実施例1>
(電子デバイスの製造ライン)
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成を模式的に示す平面図である。このような製造ラインは、成膜装置を含む成膜システムである。ここでは、有機ELディスプレイの製造ラインについて説明する。有機ELディスプレイを製造する場合、製造ラインに所定の
サイズの基板を搬入し、有機ELや金属層の成膜を行った後、基板のカットなどの後処理工程を実施する。
<Example 1>
(Electronic device manufacturing line)
FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a manufacturing line for electronic devices. Such a production line is a film forming system including a film forming apparatus. Here, a manufacturing line for an organic EL display will be described. When manufacturing an organic EL display, a substrate of a predetermined size is carried into the manufacturing line, and after the organic EL and metal layers are formed, post-processing such as cutting the substrate is performed.

図1に示すように、製造ラインの成膜クラスタ1は、中央に配置される搬送室130と、搬送室130の周囲に配置される成膜室110およびマスクストック室120を含む。成膜室110は成膜装置を含み、基板10に対する成膜処理が行われる。マスクストック室120は使用前後のマスクが収納される。 As shown in FIG. 1, the film formation cluster 1 of the production line includes a transfer chamber 130 arranged in the center, and a film formation chamber 110 and a mask stock chamber 120 arranged around the transfer chamber 130 . A film forming chamber 110 includes a film forming apparatus, and a film forming process is performed on the substrate 10 . A mask stock chamber 120 stores masks before and after use.

搬送室130内に設置された搬送ロボット140は、基板10やマスク220を搬送室130に搬入し、搬送室130から搬出する。搬送ロボット140は、例えば、多関節アームに基板10やマスク220を保持するロボットハンドが取り付けられたロボットである。成膜室110、マスクストック室120、搬送室130、バッファ室160、旋回室170などの各チャンバは、有機EL表示パネルの製造過程で高真空状態を維持する。 A transport robot 140 installed in the transport chamber 130 loads the substrate 10 and the mask 220 into and out of the transport chamber 130 . The transport robot 140 is, for example, a robot in which a robot hand for holding the substrate 10 and the mask 220 is attached to an articulated arm. Each chamber such as the film forming chamber 110, the mask stock chamber 120, the transfer chamber 130, the buffer chamber 160, and the swirl chamber 170 maintains a high vacuum state during the manufacturing process of the organic EL display panel.

成膜クラスタ1には、基板搬送方向において上流側から流れてくる基板10を搬送室130に搬送するパス室150と、成膜処理が完了した基板10を下流側の他の成膜クラスタに搬送するためのバッファ室160が含まれる。搬送室130の搬送ロボット140は、パス室150から基板10を受け取ると、複数の成膜室110のうちの一つに搬送する。搬送ロボット140はまた、成膜処理が完了した基板10を成膜室110から受け取り、バッファ室160に搬送する。図示例では、パス室150のさらに上流側や、バッファ室160のさらに下流側には、基板10の方向を変える旋回室170が設けられる。 The film forming cluster 1 includes a pass chamber 150 for transferring the substrate 10 flowing from the upstream side in the substrate transfer direction to the transfer chamber 130, and a pass chamber 150 for transferring the substrate 10 having completed the film forming process to another film forming cluster on the downstream side. A buffer chamber 160 is included for. When the transfer robot 140 in the transfer chamber 130 receives the substrate 10 from the pass chamber 150 , it transfers it to one of the film formation chambers 110 . The transfer robot 140 also receives the substrate 10 on which film formation processing has been completed from the film formation chamber 110 and transfers it to the buffer chamber 160 . In the illustrated example, a swirl chamber 170 for changing the direction of the substrate 10 is provided further upstream of the pass chamber 150 and further downstream of the buffer chamber 160 .

(成膜装置)
図2は、成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。複数の成膜室110それぞれには、成膜装置108(蒸着装置とも呼ぶ)が設けられている。搬送ロボット140との基板10の受け渡し、基板10に設けられた基板マークの検出、マスク220に設けられたマスクマークの検出、基板10とマスク220の相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板10の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置の各構成要素によって行われる。
(Deposition device)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the film forming apparatus. Each of the plurality of film formation chambers 110 is provided with a film formation apparatus 108 (also referred to as a vapor deposition apparatus). transfer of the substrate 10 to and from the transport robot 140, detection of substrate marks provided on the substrate 10, detection of mask marks provided on the mask 220, adjustment of the relative positions of the substrate 10 and the mask 220 (alignment), and alignment on the mask. A series of film formation processes such as fixing of the substrate 10 and film formation (evaporation) are performed by each component of the film formation apparatus.

以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を用いる。XYZ直交座標系において、成膜時に基板が水平面(XY平面)と平行となるよう固定された場合、長辺と短辺を有する矩形の基板10の短手方向(短辺に平行な方向)をX方向、長手方向(長辺に平行な方向)をY方向とする。また、Z軸まわりの回転角をθで表す。 In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system with the vertical direction as the Z direction is used. In the XYZ orthogonal coordinate system, when the substrate is fixed so as to be parallel to the horizontal plane (XY plane) during film formation, the short side direction (direction parallel to the short side) of the rectangular substrate 10 having long sides and short sides is Let the X direction and the longitudinal direction (the direction parallel to the long side) be the Y direction. Also, the angle of rotation about the Z-axis is represented by θ.

成膜装置108は、真空チャンバ200を有する。真空チャンバ200の内部は、真空雰囲気、または、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。真空チャンバ200の内部には、基板支持ユニット210、マスク220、マスク台221、冷却板230、および蒸発源240が設けられる。 The film forming apparatus 108 has a vacuum chamber 200 . The inside of the vacuum chamber 200 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. A substrate support unit 210 , a mask 220 , a mask table 221 , a cooling plate 230 and an evaporation source 240 are provided inside the vacuum chamber 200 .

基板支持ユニット210は、搬送ロボット140から受け取った基板10を支持するホルダとしての機能を有する基板支持手段である。マスク220は、例えばメタルマスクであり、基板上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを持つ。マスク220は、マスク支持ユニットである枠状のマスク台221の上に設置されており、マスク上に基板10が位置決めおよび保持されたのち、成膜が行われる。基板支持ユニット210は、例えば、基板10の周囲を、載置または挟持にて支持する複数の支持具が設けられた支持枠体により構成される。 The substrate support unit 210 is substrate support means having a function as a holder that supports the substrate 10 received from the transfer robot 140 . The mask 220 is, for example, a metal mask and has an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate. The mask 220 is placed on a frame-shaped mask table 221 which is a mask support unit, and film formation is performed after the substrate 10 is positioned and held on the mask. The substrate support unit 210 is composed of, for example, a support frame provided with a plurality of supports for supporting the periphery of the substrate 10 by placing or sandwiching it.

冷却板230は、成膜時には、基板10の、マスク220と接触する面とは反対側の面に接触し、成膜時の基板10の温度上昇を抑える板状部材である。冷却板230が基板1
0を冷却することにより、有機材料の変質や劣化が抑制される。冷却板230は、マグネット板を兼ねていてもよい。マグネット板とは、磁力によってマスク220を引き付けることで、成膜時の基板10とマスク220の密着性を高める部材である。なお、基板10とマスク220の密着性を高めるために、基板支持ユニット210が基板10とマスク220を両方とも保持して、アクチュエータ等により密着させてもよい。
The cooling plate 230 is a plate-shaped member that contacts the surface of the substrate 10 opposite to the surface in contact with the mask 220 during film formation, and suppresses the temperature rise of the substrate 10 during film formation. The cooling plate 230 is the substrate 1
By cooling 0, alteration and deterioration of the organic material are suppressed. The cooling plate 230 may also serve as a magnet plate. The magnet plate is a member that enhances the adhesion between the substrate 10 and the mask 220 during film formation by attracting the mask 220 with a magnetic force. In order to improve the adhesion between the substrate 10 and the mask 220, the substrate support unit 210 may hold both the substrate 10 and the mask 220 and bring them into close contact with each other by an actuator or the like.

蒸発源240は、蒸着材料を収容する容器(ルツボ)、ヒータ、シャッタ、駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成される成膜手段である。なお、成膜源は蒸発源240には限定されない。例えば成膜装置108が、成膜源としてスパッタリングターゲットを用いるスパッタリング装置であってもよい。 The evaporation source 240 is film forming means including a container (crucible) containing an evaporation material, a heater, a shutter, a driving mechanism, an evaporation rate monitor, and the like. Note that the film formation source is not limited to the evaporation source 240 . For example, the film forming apparatus 108 may be a sputtering apparatus using a sputtering target as a film forming source.

制御部270は、アクチュエータ部282の各アクチュエータの動作制御、カメラ261の撮影制御および画像データ解析、基板10およびマスク220の搬出入制御およびアライメント制御、成膜源の制御、成膜の制御、その他様々な制御を行う。制御部270は、例えば、プロセッサ、メモリのような記憶手段、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部270の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部270の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部270が設けられていてもよいし、1つの制御部270が複数の成膜装置を制御してもよい。 The control unit 270 controls the operation of each actuator of the actuator unit 282, the imaging control and image data analysis of the camera 261, the carrying-in/out control and alignment control of the substrate 10 and the mask 220, the film-forming source control, the film-forming control, and others. Perform various controls. The control unit 270 can be configured by, for example, a computer having a processor, storage means such as memory, storage, I/O, and the like. In this case, the functions of the control unit 270 are implemented by the processor executing a program stored in the memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or a built-in computer or PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit 270 may be configured with a circuit such as ASIC or FPGA. Note that the control unit 270 may be provided for each film forming apparatus, or one control unit 270 may control a plurality of film forming apparatuses.

(マーク検出のための構成)
真空チャンバ200の外側上部には、撮影手段として、光学撮像を行って画像データを生成するカメラ261が設けられている。カメラ261は、真空チャンバ200に設けられた窓(不図示)を通して撮像を行う。なお、本実施例では一段階アライメント方式を採用しているが、二段階アライメント方式でもよい。その場合、低解像だが広視野の第1のアライメント(ラフアライメント)用のカメラと、狭視野だが高解像の第2のアライメント(ファインアライメント)用のカメラを設置しておき、ラフアライメントからファインアライメントの順にアライメントを行う。
(Configuration for mark detection)
A camera 261 is provided at the upper outer portion of the vacuum chamber 200 as a photographing means for performing optical imaging to generate image data. Camera 261 takes an image through a window (not shown) provided in vacuum chamber 200 . Although the present embodiment employs a one-step alignment method, a two-step alignment method may be used. In that case, a low-resolution wide-field first alignment camera (rough alignment) and a narrow-field high-resolution second alignment camera (fine alignment) are installed, and from the rough alignment Alignment is performed in the order of fine alignment.

本実施例でのカメラ261は、基板10およびマスク220の隅部を撮像できる位置に設置される。カメラ261の撮像領域には、基板表面の基板マーク104と、マスク表面のマスクマーク224が含まれる。本実施例では、基板10およびマスク220の四隅に対応するように、4台のカメラ261を設けている。ただし、アライメントマークの数および設置場所、ならびに、カメラの数、設置場所および種類は、これに限定されない。 The camera 261 in this embodiment is installed at a position where the corners of the substrate 10 and the mask 220 can be imaged. The imaging area of the camera 261 includes the substrate marks 104 on the substrate surface and the mask marks 224 on the mask surface. In this embodiment, four cameras 261 are provided so as to correspond to the four corners of the substrate 10 and mask 220 . However, the number and installation locations of alignment marks and the number, installation locations and types of cameras are not limited to this.

制御部270は、カメラ261による撮像された画像データ(撮影画像)を解析し、基板マーク104およびマスクマーク224の位置情報を取得する。例えば基板マーク104について見ると、撮像領域264を撮像して取得された画像データをパターンマッチング処理により解析して、モデル基板マーク174と一致する形状を抽出する。 The control unit 270 analyzes image data (captured image) captured by the camera 261 and acquires position information of the board mark 104 and the mask mark 224 . For example, regarding the board mark 104 , image data acquired by imaging the imaging area 264 is analyzed by pattern matching processing to extract a shape that matches the model board mark 174 .

カメラ261の位置は固定されているため、撮像領域264の範囲で撮像された画像データ中の任意の位置を座標値に変換することができる。よって、各撮像画像中から検出されたアライメントマークの位置を座標値として取得できる。
その結果、基板マーク104とマスクマーク224の距離や角度などを算出できる。カメラ261は、各アライメントマークの位置情報を取得するマーク検出装置である。また、カメラ261と制御部270を合わせてマーク検出装置としてもよい。制御部270は、本発明の検出手段として機能する。
Since the position of the camera 261 is fixed, any position in the image data captured within the imaging area 264 can be converted into coordinate values. Therefore, the positions of the alignment marks detected from each captured image can be obtained as coordinate values.
As a result, the distance and angle between the substrate mark 104 and the mask mark 224 can be calculated. The camera 261 is a mark detection device that acquires position information of each alignment mark. Also, the camera 261 and the control unit 270 may be combined to form a mark detection device. The control unit 270 functions as detection means of the present invention.

本実施例では、基板マークはレーザ加工によって基板上に形成され、各マスクアライメントマークは機械加工によりマスク上に形成される。ただし、マークの形成方法はこれらに限られず、材料や目的に応じて選択できる。 In this embodiment, the substrate marks are formed on the substrate by laser machining and each mask alignment mark is formed on the mask by machining. However, the method of forming the mark is not limited to these, and can be selected according to the material and purpose.

(アライメントのための構成)
真空チャンバ200の外側上部には、基板Zアクチュエータ250、クランプZアクチュエータ251、冷却板Zアクチュエータ252が設けられる。各アクチュエータは例えば、モータとボールねじ、モータとリニアガイドなどで構成される。真空チャンバ200の外側上部にはさらに、アライメントステージ280が設けられている。
基板Zアクチュエータ250は、基板支持ユニット210全体をZ軸方向に昇降させる駆動手段である。基板Zアクチュエータ250は、アライメント手段が備える垂直移動手段と言える。クランプZアクチュエータ251は、基板支持ユニット210の挟持機構を開閉させる駆動手段である。冷却板Zアクチュエータ252は、冷却板230を昇降させる駆動手段である。
(configuration for alignment)
A substrate Z actuator 250 , a clamp Z actuator 251 , and a cooling plate Z actuator 252 are provided on the outer upper portion of the vacuum chamber 200 . Each actuator is composed of, for example, a motor and a ball screw, or a motor and a linear guide. An alignment stage 280 is further provided on the outer upper portion of the vacuum chamber 200 .
The substrate Z actuator 250 is driving means for raising and lowering the entire substrate support unit 210 in the Z-axis direction. The substrate Z actuator 250 can be said to be a vertical movement means provided by the alignment means. The clamp Z actuator 251 is driving means for opening and closing the clamping mechanism of the substrate support unit 210 . The cooling plate Z actuator 252 is driving means for raising and lowering the cooling plate 230 .

アライメントステージ280は、基板10をXY方向に移動させ、またθ方向に回転させてマスク220との位置を変化させる、アライメント装置である。アライメントステージ280は、アライメント手段が備える面内移動手段と言える。アライメントステージ280は、真空チャンバ200に接続されて固定されるチャンバ固定部281、XYθ移動を行うためのアクチュエータ部282、基板支持ユニット210と接続される接続部283を備える。なお、アライメントステージ280と基板支持ユニット210を合わせてアライメント装置としてもよい。また、アライメントステージ280と基板支持ユニット210に、さらに制御部270を加えてアライメント装置としてもよい。 The alignment stage 280 is an alignment device that moves the substrate 10 in the XY directions and rotates it in the θ direction to change the position with respect to the mask 220 . The alignment stage 280 can be said to be an in-plane moving means provided in the alignment means. The alignment stage 280 includes a chamber fixing portion 281 connected and fixed to the vacuum chamber 200 , an actuator portion 282 for performing XYθ movement, and a connecting portion 283 connected to the substrate support unit 210 . Note that the alignment stage 280 and the substrate support unit 210 may be combined to form an alignment device. Further, the alignment stage 280 and the substrate support unit 210 may be combined with the controller 270 to form an alignment apparatus.

アクチュエータ部282としては、Xアクチュエータ、Yアクチュエータおよびθアクチュエータを積み重ねられたアクチュエータを用いてもよい。また、複数のアクチュエータが協働するUVW方式のアクチュエータを用いてもよい。いずれの方式のアクチュエータ部282であっても、制御部270から送信される制御信号に従って駆動し、基板10をX方向およびY方向に直線移動させ、θ方向に回転移動させる。制御信号は、積み重ね方式のアクチュエータであればXYθ各アクチュエータの動作量を示し、UVW方式のアクチュエータであればUVW各アクチュエータの動作量を示す。 As the actuator section 282, an actuator in which an X actuator, a Y actuator and a θ actuator are stacked may be used. Alternatively, a UVW type actuator in which a plurality of actuators cooperate may be used. Whichever type of actuator unit 282 is used, the actuator unit 282 is driven according to the control signal transmitted from the control unit 270 to linearly move the substrate 10 in the X and Y directions and rotationally move it in the θ direction. The control signal indicates the operation amount of each XY[theta] actuator in the case of a stacking type actuator, and indicates the operation amount of each UVW actuator in the case of a UVW type actuator.

アライメントステージ280は基板支持ユニット210をXYθ移動させる。なお、本実施例では基板10の位置を調整する構成としたが、マスク220の位置を調整する構成や、基板10とマスク220両方の位置を調整する構成でもよい。 The alignment stage 280 moves the substrate support unit 210 by XYθ. Although the position of the substrate 10 is adjusted in this embodiment, the position of the mask 220 may be adjusted, or the positions of both the substrate 10 and the mask 220 may be adjusted.

制御部270は、画像データに基づいて各種の演算を行う。通常のアライメント時には、マーク検出装置が検出した基板マーク104とマスクマーク224の位置ずれ量に基づいて基板のXYθ方向の移動量を算出する。続いて制御部270は、算出された基板等の移動量を、アライメントステージ280の各アクチュエータが備えるステッピングモータやサーボモータ等の駆動量に変換し、制御信号を生成する。また、必要に応じて、アライメントステージ280からのセンサ信号を受信してフィードバック制御を行う。 The control unit 270 performs various calculations based on image data. During normal alignment, the amount of movement of the substrate in the XYθ direction is calculated based on the amount of positional deviation between the substrate mark 104 and the mask mark 224 detected by the mark detection device. Subsequently, the control unit 270 converts the calculated amount of movement of the substrate or the like into a driving amount of a stepping motor, a servo motor, or the like provided for each actuator of the alignment stage 280, and generates a control signal. In addition, if necessary, a sensor signal is received from the alignment stage 280 to perform feedback control.

(処理フロー)
図面を参照しながら処理の流れを説明する。図5は、本実施例におけるマーク検出処理と、その後の工程を示すフロー図である。
(processing flow)
The flow of processing will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a flowchart showing mark detection processing and subsequent steps in this embodiment.

また図6は、本フローで使用される基板マークおよびモデル基板マークを示す平面図である。図6(a)に示す基板マーク104は、実際に基板10に形成されており、図4(
a)と同じものである。二本の線(縦線および横線)が交差した十字状の基板マーク104において、レーザ加工の特性により、縦線および横線は、各々、第1の領域104tの太さが、第2の領域104mの太さよりも太くなっている(第2の領域104mの太さはほぼ一定)。ここでは基板マーク104の縦線の長さh1、横線の長さw1とし、そのうち縦線の第2の領域104mの長さh2、横線の第2の領域104mの長さw2とする。
FIG. 6 is a plan view showing board marks and model board marks used in this flow. The substrate mark 104 shown in FIG. 6(a) is actually formed on the substrate 10, and is shown in FIG.
It is the same as a). In the cross-shaped substrate mark 104 in which two lines (a vertical line and a horizontal line) intersect, the vertical line and the horizontal line each have the thickness of the first region 104t and the thickness of the second region 104m due to the characteristics of laser processing. (the thickness of the second region 104m is substantially constant). Here, the length of the vertical line of the board mark 104 is h1, the length of the horizontal line is w1, the length of the second area 104m of the vertical line is h2, and the length of the second area 104m of the horizontal line is w2.

一方、図6(b)に実線で示した縦線モデルおよび横線モデルが交差した十字形状は、本フローで使用される、従来のモデル基板マーク174よりも小さな(縦線モデルおよび横線モデルの長さが短い)、修正モデル基板マーク176である。修正モデル基板マーク176は、第2の領域104mと同様に、縦線モデルの長さh2、横線モデルの長さw2とする。すなわち、修正モデル基板マーク176は、線状であって当該線の長さが基板マーク104の前記第2の領域に相当する長さの画像である。また、縦線および横線の太さ(幅)は第2の領域104mの太さと同様とする。本実施例では、修正モデル基板マーク176が、モデル基板マーク174を置き換えて、モデル画像として用いられる。 On the other hand, the cross shape where the vertical line model and the horizontal line model intersect shown by solid lines in FIG. short), modified model board mark 176 . As with the second region 104m, the corrected model substrate mark 176 has a vertical line model length h2 and a horizontal line model length w2. In other words, the corrected model board mark 176 is a linear image having a length corresponding to the second region of the board mark 104 . The thickness (width) of the vertical lines and horizontal lines is the same as the thickness of the second region 104m. In this embodiment, modified model board mark 176 replaces model board mark 174 and is used as the model image.

本フローは、マスクストック室120から成膜室110内にマスク220が搬入されてマスク台221に支持され、かつパス室150から成膜室110に基板10が搬入されて基板支持ユニット210に支持された状態から開始する。 In this flow, the mask 220 is carried into the film formation chamber 110 from the mask stock chamber 120 and supported by the mask table 221 , and the substrate 10 is carried into the film formation chamber 110 from the pass chamber 150 and supported by the substrate support unit 210 . start from the

ステップS101において、基板支持ユニット210が基板10を上下方向に移動させ、基板10とマスク220のZ方向における距離を、カメラ261のフォーカス範囲内に基板10の基板マーク104とマスク220のマスクマーク224が含まれるアライメント距離とする。本実施例では、基板10とマスク220がアライメント距離を保った状態で基板10がXY面内においてXYθ方向に移動する。
ステップS102において、カメラ261が撮像領域264を撮像して画像データを生成する。
In step S<b>101 , the substrate support unit 210 moves the substrate 10 in the vertical direction, and the distance between the substrate 10 and the mask 220 in the Z direction is set within the focus range of the camera 261 . be an alignment distance that includes In this embodiment, the substrate 10 is moved in the XY[theta] directions within the XY plane while maintaining the alignment distance between the substrate 10 and the mask 220. FIG.
In step S102, the camera 261 images the imaging area 264 to generate image data.

ステップS103において、制御部270が画像データを解析して基板マーク104を検出する。ここでは、アライメントマーク認識方法としてパターンマッチング法を用いる。パターンマッチング法は、あらかじめ制御部270のメモリに記憶されているモデルマークのパターン形状と、画像中のアライメントマークの形状との相関を判定することによって、アライメントマークを認識する手法である。なおマークを識別可能であれば手法はこれに限られず、例えばエッジ検出法などを用いてもよい。 In step S<b>103 , the control unit 270 analyzes the image data and detects the board mark 104 . Here, a pattern matching method is used as an alignment mark recognition method. The pattern matching method is a method of recognizing an alignment mark by determining the correlation between the pattern shape of a model mark stored in advance in the memory of the control unit 270 and the shape of the alignment mark in the image. Note that the method is not limited to this as long as the mark can be identified, and for example, an edge detection method or the like may be used.

ここで、本フローにおいて特徴的な手法について述べる。上述したように、基板マーク104の第1の領域104tが膨らんでいる場合(前記第1の領域の線の太さが端部近傍以外の前記第2の領域の線の太さに比べて大きい場合)、その基板マーク104と同じ大きさのモデル基板マーク174を用いた画像処理を行うと、認識精度の低下が起こる。そこで図6(b)の修正モデル基板マーク176では、全体の大きさが基板マーク104の第2の領域104mと同程度となっている。そのため、修正モデル基板マーク176の全体において、先の太さが実際の基板マーク104と一致する。換言すると、本フローでの制御部270は、撮像領域264から、修正モデル基板マーク176と相関度の高い図形の抽出を試みる。その結果、第2の領域104mの検出が可能になる。 Here, a characteristic method in this flow will be described. As described above, when the first region 104t of the board mark 104 is swollen (the thickness of the line in the first region is larger than the thickness of the line in the second region other than the vicinity of the end) case), if image processing is performed using the model board mark 174 having the same size as the board mark 104, the recognition accuracy will be degraded. Therefore, in the corrected model board mark 176 of FIG. 6B, the overall size is approximately the same as the second region 104m of the board mark 104. In FIG. Therefore, over the entire modified model board mark 176 , the tip thickness matches the actual board mark 104 . In other words, the control unit 270 in this flow tries to extract a graphic having a high degree of correlation with the modified model board mark 176 from the imaging area 264 . As a result, detection of the second area 104m becomes possible.

制御部270は、検出された第2の領域104mに、モデル基板マーク174から削除された領域178を付加したデータを生成し、基板マーク104の位置情報としてメモリに記憶する。ただし制御部270は、第2の領域104mをそのまま基板マークとして用いてもよい。その場合、後述する判定処理においては、第2の領域104mのサイズや位置を前提としたマーク比較を行う。 The control unit 270 generates data in which the area 178 deleted from the model board mark 174 is added to the detected second area 104m, and stores the data in the memory as the position information of the board mark 104. FIG. However, the control section 270 may use the second area 104m as it is as the board mark. In that case, mark comparison is performed on the premise of the size and position of the second area 104m in the determination processing described later.

ステップS104において、制御部270が画像データからマスクマーク224を検出し、位置情報をメモリに記憶する。ここでも、パターンマッチング法やエッジ検出法など任意の方法を採用できる。 In step S104, the control unit 270 detects the mask mark 224 from the image data and stores the position information in the memory. Any method such as a pattern matching method or an edge detection method can be employed here as well.

ステップS105において、制御部270は、メモリに記憶された基板マーク104の座標情報とマスクマーク224の座標情報を比較する。そして、両者の距離や角度等の位置関係が所定の許容範囲内である、という条件が満たされていれば、アライメント完了と判断する。一方、位置関係が許容範囲外の場合は、ステップS106に移行し、理想の位置関係からのズレ量に基づいて基板10を平面内でXYθ方向に移動させる。この処理を繰り返すことにより、基板10とマスク220の関係が所定の範囲に収まる。 In step S105, the control unit 270 compares the coordinate information of the board mark 104 and the coordinate information of the mask mark 224 stored in the memory. Then, if the condition that the positional relationship such as the distance and angle between the two is within a predetermined allowable range is satisfied, it is determined that the alignment is completed. On the other hand, if the positional relationship is out of the allowable range, the process proceeds to step S106, and the substrate 10 is moved within the plane in the XY[theta] directions based on the amount of deviation from the ideal positional relationship. By repeating this process, the relationship between the substrate 10 and the mask 220 falls within a predetermined range.

ステップS107にて、基板支持ユニット210が動作して基板10とマスク220を接触させる。例えば、基板Zアクチュエータ250が基板10を下降させ、マスク220に載置する。 At step S107, the substrate support unit 210 operates to bring the substrate 10 and the mask 220 into contact. For example, substrate Z actuator 250 lowers substrate 10 onto mask 220 .

ステップS108にて、成膜源としての蒸発源240が加熱され、成膜材料がマスク220を介して基板10に成膜される。これにより、マスクパターンに対応する形状の膜が基板上に形成される。上記のフローにより、チャンバ内部での成膜処理が完了する。 In step S<b>108 , the evaporation source 240 as a film forming source is heated, and the film forming material is formed on the substrate 10 through the mask 220 . Thereby, a film having a shape corresponding to the mask pattern is formed on the substrate. The above flow completes the film forming process inside the chamber.

上記のように本実施例では、レーザ加工の特性により端部が膨らんだり変形したりした基板マークを検出する際に、基板マークよりひと回り小さく、基板マークの変形部分に相当する領域が削除された修正モデル基板マークを使用する。その結果、基板マークの変形部分に影響されることなく検出処理を行えるので、マーク検出の精度が向上し、良好なアライメントが可能になる。 As described above, in this embodiment, when detecting a substrate mark whose end portion is swollen or deformed due to the characteristics of laser processing, an area that is slightly smaller than the substrate mark and corresponds to the deformed portion of the substrate mark is deleted. Use modified model board marks. As a result, since the detection process can be performed without being affected by the deformed portion of the substrate mark, the accuracy of mark detection is improved, and good alignment becomes possible.

<実施例2>
本実施例では、基板10に用いる各アライメントマーク形状が実施例1とは異なる例について説明する。
<Example 2>
In this embodiment, an example in which each alignment mark shape used for the substrate 10 is different from that in the first embodiment will be described.

図7(a)は、本実施例にかかる基板マーク104を示す。このように、レーザ加工の影響により、1本の直線状の基板マーク104の第1の領域104tでは、第2の領域104mと比べて膨らんだ形状となっている。
図7(b)は、本実施例の基板マーク104を従来の方式で検出する場合に使用されるモデル基板マーク174を示す。このようにモデル基板マーク174の長さ(h1)を基板マーク104の長さと一致させると、第1の領域104tが存在するために、パターンマッチング法による基板マーク104の検出精度が低下するおそれがある。
FIG. 7A shows a board mark 104 according to this embodiment. As described above, due to the influence of laser processing, the first area 104t of one linear substrate mark 104 has a bulging shape compared to the second area 104m.
FIG. 7(b) shows a model board mark 174 used when detecting the board mark 104 of this embodiment by a conventional method. If the length (h1) of the model board mark 174 is made to match the length of the board mark 104 in this way, the detection accuracy of the board mark 104 by the pattern matching method may be lowered due to the presence of the first region 104t. be.

そこで本実施例では、図7(c)に示すような修正モデル基板マーク176を用いて検出を行う。一本の直線状の修正モデル基板マーク176の長さh2は、太さが一定の範囲である第2の領域104mの長さに一致しているため、検出精度低下のおそれが少ない。 Therefore, in this embodiment, detection is performed using a modified model substrate mark 176 as shown in FIG. 7(c). Since the length h2 of one linear modified model board mark 176 matches the length of the second area 104m whose thickness is within a certain range, there is little risk of deterioration in detection accuracy.

<実施例3>
続いて、修正モデル基板マーク176の作成方法や適用方法が異なる例について説明する。本実施例は、修正モデル基板マーク176を複数種類作成し、基板マーク104に応じて適切なものを選択して利用する点に特徴がある。
<Example 3>
Next, an example in which the modified model board mark 176 is created and applied is different will be described. This embodiment is characterized in that a plurality of types of corrected model board marks 176 are created and an appropriate one is selected and used according to the board mark 104 .

図8(a)、図8(b)はそれぞれ、図6(b)とは異なる幅(横線モデルの長さ)および高さ(縦線モデルの長さ)を有する、修正モデル基板マーク176である。ここで、基板マーク104の第1の領域104tの膨らみや変形の程度は、基板10の材質やレーザ加工の精度などに応じて少しずつ異なる場合がある。そのため、図6(b)に示した修
正モデル基板マーク176では、膨らみ部分に重なってしまう可能性がある。また逆に、図6(b)に示した修正モデル基板マーク176が、第2の領域104mに比べて小さすぎると、マーク検出の精度が低下する可能性もある。
FIGS. 8(a) and 8(b) are modified model board marks 176 each having a different width (horizontal line model length) and height (vertical line model length) than FIG. 6(b). be. Here, the degree of bulging or deformation of the first region 104t of the substrate mark 104 may vary slightly depending on the material of the substrate 10, accuracy of laser processing, and the like. Therefore, the corrected model board mark 176 shown in FIG. 6B may overlap the bulging portion. Conversely, if the modified model board mark 176 shown in FIG. 6B is too small compared to the second area 104m, the accuracy of mark detection may decrease.

そこで本実施例の制御部270は、図6(b)で示したものに加えて、図6(b)の修正モデル基板マーク176より縦線モデルおよび横線モデルの長さが長い図8(a)で示したものや、図6(b)の修正モデル基板マーク176より縦線モデルおよび横線モデルの長さが短い図8(b)で示したもののように、サイズの異なる複数の修正モデル基板マーク176を用意し、メモリに保存しておく。そして撮像画像中の基板マーク104と、複数の修正モデル基板マーク176それぞれを比較し、第1の領域104tの膨らみを削除したマークと比較するのに最も適切なサイズのものを選択する。これにより、マーク検出精度の低下を防止できる。なお、マーク検出時に何れの修正モデル基板マーク176を選択するかは、ユーザが撮像画像を見て手動で選択してもよく、制御部270が適切なものを選択してもよい。 Therefore, the control unit 270 of this embodiment, in addition to the mark shown in FIG. ) and the one shown in FIG. 8B in which the length of the vertical line model and the horizontal line model are shorter than the corrected model board mark 176 in FIG. A mark 176 is prepared and stored in memory. Then, the board mark 104 in the captured image is compared with each of the plurality of corrected model board marks 176, and the most appropriate size for comparison with the mark with the bulge removed in the first region 104t is selected. As a result, deterioration in mark detection accuracy can be prevented. It should be noted that which modified model board mark 176 to select when detecting the mark may be selected manually by the user looking at the captured image, or may be selected by the control unit 270 appropriately.

なお、本実施例では修正モデル基板マーク176の縦線モデルの長さと横線モデルの長さを一致させたが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板マークの端部の変形の程度が端部ごとに異なる傾向がある場合、修正モデル基板マークの縦線モデルおよび横線モデル長さや縦線モデルと横線モデルとの交差位置をそれに合わせて変えてもよい。
また、十字型以外の形状、例えば1本の線状の基板マークを用いる場合にも、本実施例で述べたようにサイズの異なる複数種類の修正モデル基板マークを準備してもよい。
In this embodiment, the length of the vertical line model and the length of the horizontal line model of the modified model substrate mark 176 are matched, but the present invention is not limited to this. For example, if the degree of deformation of the edge of the board mark tends to be different for each edge, the length of the vertical line model and the horizontal line model of the corrected model board mark and the intersection position of the vertical line model and the horizontal line model are changed accordingly. may
Also, when using a board mark having a shape other than a cross, for example, a single linear board mark, a plurality of types of modified model board marks having different sizes may be prepared as described in the present embodiment.

<実施例4>
本実施例では、修正モデル基板マーク176の作成方法の別の例を説明する。
上記各実施例では、基板マーク104の設計値に基づいて修正モデル基板マーク176のサイズや形状を決定していた。しかし、撮影手段としてのカメラ261が撮像して取得された基板マーク104の画像データに基づいて、制御部270が基板マーク104から膨らみや変形部分を削除して、修正モデル基板マーク176を作成してもよい。
本実施例によれば、撮像して取得された基板マーク104と周囲(背景)の境界部分が明瞭でない場合には上記各実施例ほど精密なモデル画像を作成できないこともあるが、実際の基板マーク104に基づいてマーク検出とアライメントを行うことが可能になる。
<Example 4>
In this embodiment, another example of the method for creating the modified model board mark 176 will be described.
In each of the embodiments described above, the size and shape of the modified model board mark 176 are determined based on the design values of the board mark 104 . However, based on the image data of the circuit board mark 104 captured by the camera 261 as a photographing means, the control unit 270 deletes the bulge and deformed portion from the circuit board mark 104 to create a corrected model circuit board mark 176. may
According to this embodiment, if the boundary between the substrate mark 104 acquired by imaging and the surroundings (background) is not clear, it may not be possible to create a model image as precise as the above embodiments. Mark detection and alignment can be performed based on the marks 104 .

261:カメラ、270:制御部 261: camera, 270: control unit

Claims (20)

アライメントマークを検出するマーク検出装置であって、 A mark detection device for detecting an alignment mark,
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影手段と、 a photographing means for obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出手段と、を備え、 detection means for comparing the photographed image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記検出手段は、前記アライメントマークの前記線状部分の端部を除いた部分と、前記モデル画像とを比較する The detection means compares a portion of the alignment mark excluding an end portion of the linear portion with the model image.
ことを特徴とするマーク検出装置。A mark detection device characterized by:
前記アライメントマークにおいて、前記線状部分の前記端部の太さが、前記線状部分の前記端部とは別の部分の太さに比べて大きい In the alignment mark, the thickness of the end of the linear portion is larger than the thickness of the portion other than the end of the linear portion.
ことを特徴とする請求項1に記載のマーク検出装置。2. The mark detection device according to claim 1, wherein:
前記アライメントマークの前記線状部分は、第1線状部分と、前記第1線状部分に交差する第2線状部分とを含み、 the linear portion of the alignment mark includes a first linear portion and a second linear portion intersecting the first linear portion;
前記検出手段は、前記アライメントマークの前記第1線状部分の両側の端部および前記第2線状部分の両側の端部を除いた部分と、前記モデル画像とを比較する The detection means compares a portion of the alignment mark excluding both ends of the first linear portion and both ends of the second linear portion with the model image.
ことを特徴とする請求項1または2に記載のマーク検出装置。3. The mark detection device according to claim 1, wherein:
前記モデル画像は、前記アライメントマークの前記線状部分に対応する線状モデル部分を含み、 the model image includes a linear model portion corresponding to the linear portion of the alignment mark;
前記検出手段は、前記線状モデル部分の長さの異なる複数のパターンの中から、比較に用いる前記モデル画像を選択する The detection means selects the model image used for comparison from a plurality of patterns having different lengths of the linear model portions.
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のマーク検出装置。4. The mark detection device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
前記アライメントマークは、レーザ加工により基板に形成された基板マークである The alignment mark is a substrate mark formed on the substrate by laser processing.
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のマーク検出装置。5. The mark detection device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
前記基板はシリコンウェハ基板である the substrate is a silicon wafer substrate
ことを特徴とする請求項5に記載のマーク検出装置。6. The mark detection device according to claim 5, wherein:
前記モデル画像は、前記アライメントマークの設計値または前記撮影画像に含まれる前記アライメントマークに基づいて生成される The model image is generated based on the design value of the alignment mark or the alignment mark included in the captured image.
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のマーク検出装置。7. The mark detection device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that:
アライメントマークを検出するマーク検出装置であって、 A mark detection device for detecting an alignment mark,
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影手段と、 a photographing means for obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出手段と、を備え、 detection means for comparing the photographed image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記モデル画像は、前記アライメントマークの前記線状部分に対応する線状モデル部分を含み、 the model image includes a linear model portion corresponding to the linear portion of the alignment mark;
前記アライメントマークの前記線状部分の長さより、前記モデル画像の前記線状モデル部分の長さが短い The length of the linear model portion of the model image is shorter than the length of the linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とするマーク検出装置。A mark detection device characterized by:
前記アライメントマークにおいて、前記線状部分の端部の太さが、前記線状部分の前記端部とは別の部分の太さに比べて大きい In the alignment mark, the thickness of the end of the linear portion is larger than the thickness of the portion other than the end of the linear portion.
ことを特徴とする請求項8に記載のマーク検出装置。9. The mark detection device according to claim 8, wherein:
前記モデル画像の前記線状モデル部分の長さは、前記アライメントマークの前記線状部分の前記別の部分長さに相当する長さである The length of the linear model portion of the model image is a length corresponding to the other partial length of the linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とする請求項9に記載のマーク検出装置。10. The mark detection device according to claim 9, characterized in that:
前記アライメントマークの前記線状部分は、第1線状部分と、前記第1線状部分に交差する第2線状部分とを含み、 the linear portion of the alignment mark includes a first linear portion and a second linear portion intersecting the first linear portion;
前記モデル画像の前記線状モデル部分は、第1線状モデル部分と、前記第1線状モデル部分に交差する第2線状モデル部分とを含み、 the linear model portion of the model image includes a first linear model portion and a second linear model portion intersecting the first linear model portion;
前記アライメントマークの前記第1線状部分の長さより、前記モデル画像の前記第1線状モデル部分の長さが短く、 the length of the first linear model portion of the model image is shorter than the length of the first linear portion of the alignment mark;
前記アライメントマークの前記第2線状部分の長さより、前記モデル画像の前記第2線状モデル部分の長さが短い The length of the second linear model portion of the model image is shorter than the length of the second linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載のマーク検出装置。The mark detection device according to any one of claims 8 to 10, characterized in that:
前記検出手段は、前記線状モデル部分の長さの異なる複数のパターンの中から、比較に用いる前記モデル画像を選択する The detection means selects the model image used for comparison from among a plurality of patterns having different lengths of the linear model portions.
ことを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載のマーク検出装置。12. The mark detection device according to any one of claims 8 to 11, characterized in that:
前記アライメントマークは、レーザ加工により基板に形成された基板マークである The alignment mark is a substrate mark formed on the substrate by laser processing.
ことを特徴とする請求項8から12のいずれか1項に記載のマーク検出装置。13. The mark detection device according to any one of claims 8 to 12, characterized in that:
前記基板はシリコンウェハ基板である the substrate is a silicon wafer substrate
ことを特徴とする請求項13に記載のマーク検出装置。14. The mark detection device according to claim 13, characterized in that:
前記モデル画像は、前記アライメントマークの設計値または前記撮影画像に含まれる前記アライメントマークに基づいて生成される The model image is generated based on the design value of the alignment mark or the alignment mark included in the captured image.
ことを特徴とする請求項8から14のいずれか1項に記載のマーク検出装置。15. The mark detection device according to any one of claims 8 to 14, characterized in that:
請求項1から15のいずれか1項に記載のマーク検出装置と、 a mark detection device according to any one of claims 1 to 15;
前記アライメントマークの位置に基づいて基板とマスクとをアライメントするアライメント手段と、を有する and alignment means for aligning the substrate and the mask based on the positions of the alignment marks.
ことを特徴とするアライメント装置。An alignment device characterized by:
請求項16に記載のアライメント装置と、 an alignment device according to claim 16;
前記基板に対してアライメントされた前記マスクを介して、前記基板に成膜を行う蒸発源装置と、を備える an evaporation source device that forms a film on the substrate through the mask that is aligned with the substrate.
ことを特徴とする成膜装置。A film forming apparatus characterized by:
アライメントマークを検出するマーク検出方法であって、 A mark detection method for detecting an alignment mark, comprising:
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影工程と、 a photographing step of obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出工程と、を有し、 a detection step of comparing the captured image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記検出工程は、前記アライメントマークの前記線状部分の端部を除いた部分と、前記モデル画像とを比較する比較工程を含む The detection step includes a comparison step of comparing a portion of the alignment mark excluding an end portion of the linear portion with the model image.
ことを特徴とするマーク検出方法。A mark detection method characterized by:
アライメントマークを検出するマーク検出方法であって、 A mark detection method for detecting an alignment mark, comprising:
前記アライメントマークを含む領域を撮影して撮影画像を得る撮影工程と、 a photographing step of obtaining a photographed image by photographing an area including the alignment mark;
前記撮影画像とモデル画像とを比較して前記アライメントマークの位置を検出する検出工程と、を有し、 a detection step of comparing the captured image and the model image to detect the position of the alignment mark;
前記アライメントマークは線状部分を含み、 the alignment mark includes a linear portion;
前記モデル画像は、前記アライメントマークの前記線状部分に対応する線状モデル部分を含み、 the model image includes a linear model portion corresponding to the linear portion of the alignment mark;
前記アライメントマークの前記線状部分の長さより、前記モデル画像の前記線状モデル部分の長さが短い The length of the linear model portion of the model image is shorter than the length of the linear portion of the alignment mark.
ことを特徴とするマーク検出方法。A mark detection method characterized by:
請求項18または19に記載のマーク検出方法によって前記アライメントマークを検出する工程と、 detecting the alignment mark by the mark detection method according to claim 18 or 19;
前記アライメントマークの位置に基づいて基板とマスクとをアライメントするアライメント工程と、 an alignment step of aligning the substrate and the mask based on the positions of the alignment marks;
前記基板に対してアライメントされた前記マスクを介して、前記基板に成膜を行う成膜工程と、を有する and a film forming step of forming a film on the substrate through the mask aligned with the substrate.
ことを特徴とする成膜方法。A film forming method characterized by:
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