JP7100682B2 - 光センサモジュール、光感知データ取得方法、電子機器、記憶媒体 - Google Patents

Description

本願は、２０１９年２月２６日に中国特許局に提出された、出願番号がＣＮ２０２０１０１１９９３７６である中国特許出願に基づいて提出されるものであり、当該中国特許出願の優先権を主張し、当該中国特許出願の全ての内容が参照によって本願に組み込まれる。

本開示は、検出技術分野に関し、特に、光センサモジュール、光感知データ取得方法、電子機器および記憶媒体に関する。

現在、電子機器におけるディスプレイ画面の画面比率がますます大きくなり、フルスクリーンが発展トレンドになっている。フルスクリーンの場合、元々は、ディスプレイ画面上に配置された様々なセンサ（例えば、光センサなど）を、ディスプレイ画面の下に配置する必要がある。感光センサを例とすると、外部環境の光がフルスクリーンを通過した後、感光センサは光を収集して照明の強さを取得し、照明の強さに基づいて、必要な指紋画像などの情報を検出することができる。

実際の用途では、感光センサは、感光ＴＦＴトランジスタで作られ、低コストのＯＬＥＤスクリーンの大面積光学指紋の解決策である。指紋画像の品質は、指紋ロック解除の解釈の基礎であり、即ち、指紋画像のコントラストが優れるほど、指紋ロック解除性能も向上する。より優れたコントラストを取得するために、感光センサは特定の露光時間を必要とする。通常の光の場合、特定の時間に露光する場合、信号ベースは図１（ａ）に示されたように、露光時間が一定で光が強い場合、感光センサによって検出される信号は強いため、信号ベースが高まり、信号ベースは図１（ｂ）に示されたように、信号ベースと信号自体の和は感光センサの後端の読み出しチップ（Ｒｅａｄｏｕｔ ＩＣ）の動的範囲を超える。言い換えると、信号ベースが高い場合、読み出しチップは信号を傍受して信号の歪みを引き起こし、検出の精度を低下させる。

本開示は、関連技術の欠陥を解決するために、光センサモジュール、光感知データ取得方法、電子機器、記憶媒体を提供する。

本開示の一態様によれば、光センサモジュールを提供し、前記光センサモジュールは、基板を含み、前記基板には第１検出領域が設けられ、前記第１検出領域には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられ、前記感光デバイスは、前記第１検出領域の現在の入射光の下で第１光感知データを収集するように構成され、前記第１光感知データは、現在の入射光の下で前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するかどうかを決定するために使用される。

本明細書の実施形態では、現在の入射光の下での光センサデータは、前記基板上の第１検出領域内の少なくとも１つの感光デバイスによって収集され得る。次に、前記光センサデータを使用して、前記光センサモジュール内の第２検出領域内の入射光の下での補償データを決定することができる。したがって、前記光センサモジュールの第２検出領域に対応する光センサデータは、補償データに従って補償され得る。補償された光センサーデータは、最終的に検出された光センサーデータとして設定されてもよい。本明細書の実施形態では、前記感光デバイスによって取得される光センサデータの量は、前記基板上のすべての感光デバイスによって取得される光センサデータの量よりはるかに少ない場合がある。処理時間が短縮される場合がある。したがって、後で取得される光センサデータは、異なる入射光のシナリオに従って補償され、それにより信号ベースを減少させることができる。したがって、信号ベースと信号自体の合計は、読み出し集積回路（ＲＯＩＣ）のダイナミックレンジよりも小さくすることができ、ＲＯＩＣの不十分なダイナミックレンジの発生を回避する。

例示的に、前記基板は、第２検出領域をさらに含み、前記第１検出領域は、前記第２検出領域の外側に配置される。

例示的に、前記第１検出領域は、少なくとも１つのサブ検出領域を含み、前記少なくとも１つのサブ検出領域は、前記第２検出領域の各頂角位置にそれぞれ配置される。

例示的に、前記第２検出領域には、いくつかの感光デバイスが設けられ、前記感光デバイスの面積は前記感光デバイスの面積より大きい。

例示的に、前記感光デバイスは、複数の感光デバイスで構成され、前記複数の感光デバイスのゲート線は互いに接続し、且つ前記複数の感光デバイスのデータ線は互いに接続する。

例示的に、読み出しチップおよび前記読み出しチップの先端に配置された補償回路をさらに含み、前記補償回路は、前記光センサモジュールが現在の入射光で収集した光感知データを補償するために使用される。

例示的に、前記補償回路は電流補償回路を含むことができる。前記補償回路は、演算増幅器、フィードバックコンデンサ、補償電流源、第１スイッチ、補償電圧源、第２スイッチおよび補償コンデンサを含み、前記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
前記補償電流源は、前記第１スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続する。

例示的に、前記補償回路は電圧補償回路を含むことができる。前記補償回路は、演算増幅器、フィードバックコンデンサ、補償電圧源、第２スイッチおよび補償コンデンサを含み、前記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続する。

例示的に、前記補償回路は電圧補償回路および電流補償回路を含むことができる。且つ前記電圧補償回路および前記電流補償回路は、演算増幅器、フィードバックコンデンサおよび補償コンデンサを共有し、前記電流補償回路は、補償電流源および第１スイッチをさらに含み、前記電圧補償回路は、補償電圧源、補償コンデンサ、および第２スイッチをさらに含み、ここで、
前記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
前記補償電流源は、前記第１スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続する。

本開示の一態様によれば、光感知データ取得方法を提供し、前記方法は、
光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することと、
前記第１光感知データおよび設定された閾値を比較することと、
前記第１光感知データが前記設定された閾値を超える場合、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することとを含む。

当該方法の利点と技術的効果は、前述のデバイスの利点と技術的効果に対応する。

例示的に、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
設定された閾値と補償データの対応関係に基づいて、前記第１光感知データに対応する補償データを取得することと、
前記補償データに基づいて前記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、前記補償回路により前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、前記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することとを含む。

例示的に、前記方法は、
前記第１光感知データが前記設定された閾値以下である以下である場合、前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することをさらに含む。

例示的に、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
前記第１光感知データがトリガ条件を満たすかどうかを判断することと、
満たす場合、電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償し、満たしない場合、電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することとを含む。

例示的に、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含む。

例示的に、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含む。

例示的に、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含む。

例示的に、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含む。

本開示の一態様によれば、光感知データ取得装置を提供し、前記装置は、
光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得するように構成される取得モジュールと、
前記第１光感知データおよび設定された閾値を比較するように構成される比較モジュールと、
前記第１光感知データが前記設定された閾値を超える場合、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定するように構成される補償モジュールとを含む。

前記装置の利点と技術的効果は、前述の方法の利点と技術的効果に対応する。

例示的に、前記補償モジュールは、
設定された閾値区間と補償データの対応関係に基づいて、前記第１光感知データに対応する補償データを取得するように構成される取得ユニットと、
前記補償データに基づいて前記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、前記補償回路により前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、前記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成される決定ユニットとを含む。

例示的に、前記補償モジュールは、さらに、前記第１光感知データが前記設定された閾値以下である以下である場合、前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成される。

例示的に、前記補償モジュールは、前記決定ユニットとトリガユニットを含む。

前記決定ユニットは、前記第１光感知データがトリガ条件を満たすかどうかを決定するように構成される。

前記トリガユニットは、前記トリガ条件が満たされているとの決定に応答して、前記電流補償回路によって、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することをトリガするように構成される。前記トリガー条件が満たされていないとの決定に応答して、前記電圧補償回路によって、光センサーモジュールによって収集された光感知データをトリガ補償する。

例示的に、前記補償モジュールは、
電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含む。

例示的に、前記補償モジュールは、
電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含む。

例示的に、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、前記取得モジュールは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取るように構成されるデータ同時取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第１データ決定ユニットとを含む。

例示的に、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、前記取得モジュールは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取るように構成される行ごとのデータ取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第２データ決定ユニットとを含む。

本開示の一態様によれば、電子機器を提供し、前記電子機器は、
ディスプレイ画面と、
前記ディスプレイ画面の下に配置された光センサモジュールと、
プロセッサと、
プロセッサ実行可能なコンピュータプログラムを記憶するためのメモリとを含み、
前記プロセッサは、第２態様に記載の方法のステップを実現するために、前記メモリに記憶されたコンピュータプログラムを実行するように構成される。

前記電子機器の利点と技術的効果は、前述の方法の説明に対応する。

特定の一実施形態では、本明細書の方法は、コンピュータプログラム命令によって決定される。

したがって、本明細書の態様によれば、主題の開示は、プログラムがコンピュータによって実行されるときに、本明細書の方法を実行するための命令を含むコンピュータプログラムをさらに対象とする。

前記プログラムは、任意のプログラミング言語を使用し、部分的にコンパイルされた形式などのソースコード、オブジェクトコード、またはソースコードとオブジェクトコードの中間のコード、または任意の他の望ましい形式の形式を取ることができる。

本開示の一態様によれば、一時的または非一時的な読み取り可能な記憶媒体または記憶媒体は、実行されると本明細書の方法を実施する実行可能なコンピュータプログラムを記憶することができる。

情報媒体は、プログラムを格納することができる任意のエンティティまたはデバイスとすることができる。例えば、支持体は、ＲＯＭ、例えば、ＣＤＲＯＭまたは超小型電子回路ＲＯＭなどの記憶手段、または磁気記憶手段、例えば、ディスケット（フロッピー（登録商標）ディスク）またはハードディスクを含むことができる。

あるいは、情報媒体は、プログラムが組み込まれた集積回路であり得、回路は、問題の方法を実行するか、またはその実行において使用されるように適合されている。
以下である 上記した一般的な説明および後述する詳細な説明は、単なる例示および説明に過ぎず、本開示を限定するものではないことを理解されたい。

例えば、本願は以下の項目を提供する。
（項目１）
光センサモジュールであって、
基板を含み、上記基板には第１検出領域が設けられ、上記第１検出領域には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられ、上記感光デバイスは、上記第１検出領域の現在の入射光の下で第１光感知データを収集するように構成され、上記第１光感知データは、現在の入射光の下で上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するかどうかを決定するために使用されることを特徴とする、上記光センサモジュール。
（項目２）
上記基板は、第２検出領域をさらに含み、上記第１検出領域は、上記第２検出領域の外側に配置されることを特徴とする、
上記項目に記載の光センサモジュール。
（項目３）
上記第１検出領域は、少なくとも１つのサブ検出領域を含み、上記少なくとも１つのサブ検出領域は、上記第２検出領域の各頂角位置にそれぞれ配置され、
上記第２検出領域には、いくつかの感光デバイスが設けられ、上記感光デバイスの面積は上記感光デバイスの面積より大きいことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光センサモジュール。
（項目４）
上記感光デバイスは、複数の感光デバイスで構成され、上記複数の感光デバイスのゲート線は互いに接続し、且つ上記複数の感光デバイスのデータ線は互いに接続することを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光センサモジュール。
（項目５）
読み出しチップおよび上記読み出しチップの先端に配置された補償回路をさらに含み、上記補償回路は、上記光センサモジュールが現在の入射光の下で収集した光感知データを補償するために使用されることを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光センサモジュール。
（項目６）
上記補償回路は電流補償回路であり、上記補償回路は、
演算増幅器、フィードバックコンデンサ、補償電流源、第１スイッチを含み、上記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、上記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、上記フィードバックコンデンサは、上記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
上記補償電流源は、上記第１スイッチを介して上記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
上記補償コンデンサの一端子は、上記補償電圧源に接続し、別の端子は、上記第２スイッチを介して上記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
上記補償回路は電圧補償回路であり、上記補償回路は、
演算増幅器、フィードバックコンデンサ、補償電圧源、第２スイッチおよび補償コンデンサを含み、上記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、上記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、上記フィードバックコンデンサは、上記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
上記補償コンデンサの一端子は、上記補償電圧源に接続し、別の端子は、上記第２スイッチを介して上記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
上記補償回路は電圧補償回路および電流補償回路であり、且つ上記電圧補償回路および上記電流補償回路は、演算増幅器、フィードバックコンデンサおよび補償コンデンサを共有し、上記電流補償回路は、補償電流源および第１スイッチをさらに含み、上記電圧補償回路補償電圧源および第２スイッチをさらに含み、
上記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、上記演算増幅器の非反転入力端子は接地し、上記フィードバックコンデンサは、上記演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続し、
上記補償電流源は、上記第１スイッチを介して上記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
上記補償コンデンサの一端子は、上記補償電圧源に接続し、別の端子は、上記第２スイッチを介して上記演算増幅器の反転入力端子に接続することを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光センサモジュール。
（項目７）
光感知データ取得方法であって、
光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することと、
上記第１光感知データおよび設定された閾値を比較することと、
上記第１光感知データが上記設定された閾値を超える場合、上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することとを含むことを特徴とする、上記光感知データ取得方法。
（項目８）
上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
予め設定された閾値と補償データの対応関係に基づいて、上記第１光感知データに対応する補償データを取得することと、
上記補償データに基づいて上記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、上記補償回路により上記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、上記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することとを含むことを特徴とする、
上記項目に記載の光感知データ取得方法。
（項目９）
上記方法は、
上記第１光感知データが上記設定された閾値以下である場合、上記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することをさらに含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１０）
上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
上記第１光感知データがトリガ条件を満たすかどうかを判断することと、
満たす場合、電流補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償し、満たしない場合、電圧補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１１）
上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電流補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１２）
上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電圧補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１３）
上記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１４）
上記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得方法。
（項目１５）
光感知データ取得装置であって、
光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得するように構成される取得モジュールと、
上記第１光感知データおよび設定された閾値を比較するように構成される比較モジュールと、
上記第１光感知データが上記設定された閾値を超える場合、上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定するように構成される補償モジュールとを含むことを特徴とする、上記光感知データ取得装置。
（項目１６）
上記補償モジュールは、
閾値区間と補償データの対応関係に基づいて、上記第１光感知データに対応する補償データを取得するように構成される取得ユニットと、
上記補償データに基づいて上記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、上記補償回路により上記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、上記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成される決定ユニットとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目１７）
上記補償モジュールは、さらに、上記第１光感知データが上記設定された閾値以下である場合、上記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成されることを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目１８）
上記補償モジュールは、
上記第１光感知データがトリガ条件を満たすかどうかを判断するように構成される判断ユニットと、
上記第１光感知データがトリガ条件を満たす場合、電流補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償し、上記第１光感知データがトリガ条件を満足しない場合、電圧補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目１９）
上記補償モジュールは、
電流補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目２０）
上記補償モジュールは、
電圧補償回路をトリガして上記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目２１）
上記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、上記取得モジュールは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取るように構成されるデータ同時取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第１データ決定ユニットとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目２２）
上記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、上記取得モジュールは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取るように構成される行ごとのデータ取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第２データ決定ユニットとを含むことを特徴とする、
上記項目のいずれか一項に記載の光感知データ取得装置。
（項目２３）
電子機器であって、
ディスプレイ画面と、
上記ディスプレイ画面の下に配置された光センサモジュールと、
プロセッサと、
プロセッサ実行可能なコンピュータプログラムを記憶するためのメモリとを含み、
上記プロセッサは、上記項目のいずれか一項に記載の方法のステップを実現するために、上記メモリのコンピュータプログラムを実行するように構成される、上記電子機器。
（項目２４）
実行可能なコンピュータプログラムを記憶した読み取り可能な記憶媒体であって、
上記コンピュータプログラムが実行されると、上記項目のいずれか一項に記載の方法のステップを実現することを特徴とする、上記読み取り可能な記憶媒体。

（摘要）
本開示は、光センサモジュール、光感知データ取得方法、電子機器、記憶媒体に関する。光センサモジュールは、基板を含み、前記基板には第１検出領域が設けられ、前記第１検出領域には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられ、前記光センサモジュールによって収集された前記第１検出領域の現在の入射光での光感知データを補償するために、前記感光デバイスは、前記第１検出領域の現在の入射光での光感知データを収集するように構成され、前記光感知データは、現在の入射光の下で前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するかどうかを決定するために使用される。本実施例では、異なる入射光のシナリオに従って、後続に取得される光感知データを補償することができ、それにより、信号ベースを低減して、信号ベースと信号自体の和が、読み出しチップの動的範囲以下であることができるようにし、読み出しチップの動的範囲が不十分である問題を回避する。

ここでの図面は、本明細書に組み込まれてその一部を構成し、本開示と一致する実施例を示し、明細書とともに本開示の実施例の原理を説明するために使用される。
関連技術によって示されたシナリオの模式図である。 一例示的な実施例によって示された光センサモジュールの例示図である。 一例示的な実施例によって示された第１検出領域の配置の例示図である。 一例示的な実施例によって示された第１検出領域の配置の例示図である。 一例示的な実施例によって示された第１検出領域の配置の例示図である。 一例示的な実施例によって示された第１検出領域の配置の例示図である。 一例示的な実施例によって示された第１検出領域の配置の例示図である。 一例示的な実施例によって示された光センサモジュールのアレイ基板の例示図である。 一例示的な実施例によって示された補償回路の回路図である。 一例示的な実施例によって示された光感知データ取得方法のフローチャートである。 一例示的な実施例によって示された光感知データを取得するためのフローチャートである。 一例示的な実施例によって示された照明の強さ取得装置のブロック図である。 一例示的な実施例によって示された照明の強さ取得装置のブロック図である。 一例示的な実施例によって示された電子機器のブロック図である。

ここで、例示的な実施例について詳細に説明し、その例は図面に示す。特に明記しない限り、以下の説明が添付の図面に関する場合、異なる図面の同じ数字は同じまたは類似の要素を表す。以下の例示的な実施例で説明される実施形態は、本開示と一致するすべての実施形態を表すものではない。むしろ、それらは、添付された特許請求の範囲に詳述されたように、本開示の特定の態様と一致する装置（即ち、デバイス）の例である。例示的な実施モードは、複数の形態を取ることができ、本明細書に示される例に限定されると解釈されるべきではない。代わりに、そのような実施モードを提供することにより、本明細書の実施形態はより包括的かつ完全になり得、例示的な実施モードの包括的な概念が当業者に提供され得る。以下の例示的な実施形態に示される実装は、本開示によるすべての実装を表すものではない。むしろ、それらは、添付の特許請求の範囲に記載されている本明細書の特定の態様による装置および方法の単なる例である。

本明細書の実施形態で使用される用語は、本開示を限定するのではなく、単に実施形態を説明するためのものである。本明細書の実施形態および添付の特許請求の範囲で使用される単数形「ａ」および「ｔｈｅ」はまた、文脈により明確に示されない限り、複数形を含むことも意図され得る。さらに、本明細書で使用される「および／または」という用語は、１つまたは複数の関連するリストされたアイテムの任意の組み合わせまたはすべての可能な組み合わせを指し、含むことができることに留意されたい。

なお、本実施の形態では、第１、第２、第３等の用語を用いて各種情報を説明しているが、これに限定されるものではない。このような用語は、同じタイプの情報を区別するためだけのものです。例えば、本明細書の実施形態の範囲から逸脱することなく、第１の情報は、第２の情報と呼ばれることもある。同様に、第２の情報は、第１の情報と呼ばれることもある。文脈に応じて、本明細書で使用される「ｉｆ」は、「いつ」または「ｗｈｉｌｅ」または「それを決定することに応じて」と解釈され得る。

さらに、説明されている特性、構造、または機能は、任意の適切な方法で1つ以上の実装モードで組み合わせることができます。以下の説明では、本明細書の実施形態の完全な理解を可能にするために、多くの詳細が提供されている。しかしながら、当業者は、本明細書の実施形態の技術的解決策が１つ以上の詳細なしに実行され得ることを知っているであろう。あるいは、別の方法、コンポーネント、デバイス、オプションなどを採用してもよい。他の条件下では、本明細書の実施形態の態様を不明瞭にすることを回避するために、既知の構造、方法、デバイス、実装、材料または動作の詳細を示したり説明したりすることはできない。
添付の図面に示されるブロック図は、物理的または論理的に独立したエンティティに必ずしも対応しなくてもよい機能エンティティであり得る。そのような機能エンティティは、ソフトウェアの形で、１つまたは複数のハードウェアモジュールまたは集積回路で、または異なるネットワークおよび／またはプロセッサデバイスおよび／またはマイクロコントローラデバイスで実装され得る。

さらに、「第１」、「第２」などの用語は、説明の目的でのみ役立つ場合があり、関連性の示唆や意味、または検討中の技術的特徴の量の意味として解釈されるべきではありません。したがって、属性「第１」、「第２」などを有する特徴は、明示的または黙示的に少なくとも１つのそのような特徴を含み得る。本明細書において「複数」とは、他に明示的に示されない限り、それは2つ以上を意味し得る。

実際の用途では、感光センサはＴＦＴトランジスタで作られ、露光時間が一定で光が強い場合、感光センサによって検出される信号は強いため、信号ベースが高まり、信号ベースと信号自体の和は感光センサの後端の読み出しチップ（Ｒｅａｄｏｕｔ ＩＣ）の動的範囲を超える。言い換えると、信号ベースが高い場合、読み出しチップは信号を傍受して信号の歪みを引き起こし、検出の精度を低下させる。

上記した技術的課題を解決するために、本開示の実施例は、光センサモジュールおよび照明の強さ取得方法を提供し、その発明構想は、光センサモジュールの基板には第１検出領域が設けられ、第１検出領域には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられることができる。即ち、本実施例では、感光デバイスを使用して、現在の入射光される光感知データ（以下、第１光感知データと称する）を取得し、前記第１光感知データを使用して現在の入射光の下で光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するかどうかを決定する。例えば、第１光感知データが設定された閾値を超える場合、光センサモジュールによって収集された光感知データを補償し、第１光感知データが、設定された閾値以下である以下である場合、光センサモジュールによって収集された光感知データを補償しない。このようにして、本実施例では、光センサモジュールが検出した光感知データを現在の入射光とマッチングして、読み出しチップの動的範囲が不十分という問題が発生することを回避し、検出の精度を向上させるのに有益である。

以下、まず、光センサモジュールの具体的な構造を紹介する。図２を参照すると、光センサモジュール１０は基板２０を含み、前記基板２０は、第１検出領域２１および第２検出領域２２を含む。ここで、
第１検出領域２１には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられ、前記感光デバイスは、現在の入射光での第１光感知データを収集するように構成されることができ、前記第１光感知データは、光センサモジュールの現在の入射光の下で感知データを補償するかどうかを決定するために使用されることができる。

第２検出領域２２には、いくつかの感光デバイスが設けられ、前記感光デバイスは、現在の入射光での第２光感知データを収集することができ、第２光感知データは、即ち、収取された光感知データである。

第２光感知データは、光センサモジュールによって収集された光感知データであり、第１光感知データは、第２光感知データを補償するかどうかを決定することを補助するために使用される補助データであり、データ自体は、光センサモジュールにより出力されないことを理解されたい。

指紋センサなどの光センサモジュールの適用シナリオを考慮して、本実施例における第１検出領域２１は、第２検出領域２２の外側に配置されることができる。さらに、光感知データを処理するのに必要とする時間および計算量を考慮すると、本実施例の第１検出領域の面積は第２検出領域の面積より小さく、それにより、第１検出領域における感光デバイスによって収取された光感知データは低減される。第１検出領域および第２検出領域の面積の大きさは、具体的なシナリオに従って設定することができ、ここでは限定しないことを理解されたい。

本実施例では、第１検出領域は、少なくとも１つのサブ検出領域を含み得る。

サブ検出領域の数が１つである場合を例とし、図３（ａ）、図３（ｂ）および図３（ｃ）を参照すると、ここで、図３（ａ）および図３（ｂ）は、サブ検出領域が帯状領域であるシナリオを示し、且つ、図３（ａ）は、サブ検出領域が第２検出領域の上側に配置されたシナリオを示し、図３（ｂ）は、サブ検出領域が第２検出領域の右側に配置されたシナリオを示し、もちろん、サブ検出領域は、第２検出領域の下側または左側に配置されてもよく、対応する技術案は同様に本開示の保護範囲に含まれる。

本例示では、帯状領域を配置することにより、ユーザの指が第１検出領域のすべてを覆うことを回避することができる。実際の用途では、帯状領域の長さを指の幅より大きくなるように設定することができ、第１検出領域における感光デバイスが入射光を検出することを保証する。さらに、第１検出領域を帯状領域として配置し、製造を容易にし、歩留まりを向上させることもできる。

サブ検出領域の数が複数である場合を例とし、図３（ｄ）、図３（ｅ）および図２を参照すると、ここで、図３（ｄ）は、２つの正方形のサブ検出領域を配置したシナリオを示し、図３（ｅ）は、３つの正方形のサブ検出領域を配置したシナリオを示し、図２は、４つの正方形のサブ検出領域を配置したシナリオを示す。前記複数のサブ検出領域は、第２検出領域の頂角位置に配置される。

本示例では、サブ検出領域を頂角位置に配置することにより、対角線上の２つのサブ検出領域の間の距離が最も長いことを保証することができ、指が前記２つのサブ検出領域を同時に覆うことを回避し、第１検出領域における感光デバイスが入射光を検出することを保証することに留意されたい。

また、サブ検出領域の数が複数である場合、１つのサブ検出領域は帯状領域を採用することができ、１つのサブ検出領域は正方形領域を収集することができ、対応する組み合わせによって形成された技術案も同様に本開示の保護範囲に含まれることに留意されたい。

本実施例では、第１検出領域２１における各感光デバイスの面積は第２検出領域２２における感光デバイスの面積より大きく、これにより、感光デバイスの入射光量を確保し、収集時間を短縮することができる。一例において、感光デバイスは複数の感光デバイスで構成されることができ、即ち、基板上で同じプロセスを使用して感光デバイス（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）など）を製造した後、第１検出領域２１における複数の感光デバイスのゲート線を互いに接続し、且つ複数の感光デバイスのデータ線を互いに接続することができ、即ち、前記複数の感光デバイスは、入射光を同時に感知しおよび光感知データを同時に出力することができる。言い換えると、本示例において、感光デバイスと感光デバイスの面積の比率は１：ｎであり、ここで、ｎの値は４～９であってもよい。

図２を参照し続けると、光センサモジュールは、ゲート駆動回路（ＧＯＡ）４０および読み出しチップ３０をさらに含み得、動作原理は、
新しい光感知データを収集する必要がある場合、前記ＧＯＡ４０は各行の感光デバイスを順位開け、この場合、データ線は感光デバイスに設定値を入力し、即ち、感光デバイスをクリア（またはリセット）し、その後、感光デバイスが入射光を特定の期間（７０ｍｓなど）感知し、ＧＯＡ４０は、各行感光デバイスをオンにするために、各行ゲートに有効な信号を入力することができ、読み出しチップ３０は、光感知データを読み出すことができる。ＴＦＴに基づいてで作られた光センサモジュールの動作原理は、ＴＦＴに基づいて作られたアレイ基板の動作原理を参照してもよく、ここでは繰り返さないことに留意されたい。

第１検出領域に複数のサブ検出領域が設けられた場合、読み出しチップ３０が光感知データを読み取りする順序を考慮して、ＧＯＡ４０は、各サブ検出領域に接続するために、いくつかの専用ピンを配置することができることに留意されたい。例えば、専用ピンとサブ検出領域は、１対１に対応する関係であり、この場合、読み出しチップは、サブ検出領域で１つずつ光感知データを読み出すことができる。別の例では、１つの専用ピンは、同じラインののサブ検出領域に対応することができ、この場合、読み出しチップは、サブ検出領域で行ごとに光感知データを読み出すことができる。さらに別の例では、すべてのサブ検出領域は同じピンに接続し、この場合、読み出しチップは、サブ検出領域のすべての行を同時に光感知データを読み出すことができる。

本実施例では、第１検出領域に感光デバイスを配置し、および第２検出領域に感光デバイスを配置することを考慮し、したがって、光センサモジュールの各周期の動作原理は、次の通りである。

第初に、第１検出領域における感光デバイスによって収集された光感知データを取得し、最大の光感知データを第１光感知データとして使用する。取得プロセスは、前の段落で説明した作業プロセスを参照することができる。

第２に、第２検出領域における感光デバイスによって収集された光感知データを取得する。取得プロセスは、前の段落で説明した作業プロセスを参照することができる。

即ち、本例示では、１フレームの光感知データを取得するプロセスを２つの部分に分け、第１部分は、第１検出領域に対応する光感知データを取得することであり、即ち、第１光感知データを取得することであり、第２部分は、第２検出領域に対応する光感知データを取得することであり、即ち、第２光感知データを取得する。さらに、前記光センサモジュールを使用する電子機器は、第１感知データに従って第２光感知データを保証する必要があるかどうかを決定する必要があるため、第１部分および第２部分の順序を入れ替えることはできない。

図４は、本実施例によって提供された光センサモジュールにおけるアレイ基板の例示図であり、図４を参照すると、当該図は１つの第１検出領域を配置する状況に対応し、第１検出領域（背景は黒でマークする）における光センサは９つの画素で構成され、前記９つの画素のゲート線およびデータ線はそれぞれ並列に接続し、第２検出領域（背景は白でマークする）は、５行の画素、即ち、

を含む。すると、光センサモジュールが、図４に示されたアレイ基板を使用して光感知データを取得するプロセスは、次のステップを含む。

まず、第１検出領域の画素によって収集された光感知データを読み出し、その後、第２検出領域の画素によって収集された光感知データを読み出す。即ち、ゲート線

の順序に従って各画素を有効化することができる同時に、光感知データを読み取ることができる。ここで、

の間の順序は固定されているが、間隔時間の長さは可変的であり、間隔は通常固定され、これにより、より大きな光量を取得し、読み出し時間の節約することもできる。

第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、前記複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データの読み取り順序は、次の通りである。

一例において、各サブ検出領域によって収集された光感知データを同時に読み取り、その後、第２検出領域の第２光感知データを１行ずつ再読取りすることができる。

別の例において、まず、１つずつ読み取りまたは同じラインに配置された複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを読み取り、そして、他のラインの複数のサブ検出領域の光感知データを読み取ることができ、例えば、４つのコーナーにサブ検出領域が配置された場合、まず、上端の同じラインに配置された２つのサブ検出領域の光感知データを読み取り、そして、下端の同じラインに配置された２つのサブ検出領域の光感知データを読み取り、すべてのサブ検出領域の光感知データを読み取った後に、第２検出領域の光感知データを１行ずつ読み取る。

複数のサブ検出領域が設けられた場合、その中で、サブ検出領域の光感知データが設定された閾値を超える限り補償され、複数のサブ検出領域の光感知データが設定された閾値を超えた場合、最大の光感知データ（即ち、第１光感知データ）を補償値として使用し、または異なる区間の光感知データが１つの補償値に対応するように設定し、その後、補償値を補償回路に入力して補償する。

本実施例では、光感知データを補償する方法は、ハードウェア補償を含み得、したがって、光センサモジュールは、読み出しチップの先端に配置される補償回路をさらに含み、図５を参照すると、前記補償回路は、前記光センサモジュールが現在の入射光で収集した光感知データを補償するために使用される。一例において、補償回路は、演算増幅器

フィードバックコンデンサ

補償電流源

、
第１スイッチ

補償電圧源

第２スイッチ

および補償コンデンサ

を含み、演算増幅器

の反転入力端子（「－」で示される）は、第２検出領域における感光デバイスに接続し、演算増幅器

の非反転入力端子（「＋」で示される）は接地し、フィードバックコンデンサ

は、演算増幅器

の反転入力端子と出力端子の間に並列に接続する。ここで、演算増幅器

フィードバックコンデンサ

補償電流源

第１スイッチ

および補償コンデンサ

は、電流補償回路を構成し、演算増幅器

フィードバックコンデンサ

補償電圧源

第２スイッチ

および補償コンデンサ

は、電圧補償回路を構成する。電流補償回路および電圧補償回路は、独立して配置されてもよく、同時に配置されてもよく、同時に配置される場合、電流補償回路および電圧補償回路は、演算増幅器

フィードバックコンデンサ

および補償コンデンサ

を共有することができる。前記電流補償回路および電圧補償回路は、具体的なシナリオに従って、分けて配置するか同時に配置するかを選択することができ、検出の精度に要件があると、電圧補償回路を選択することができ、より大きな光感知データを差し引いて、時間が十分でありまたは電流が大きい場合、電流補償回路を選択することができる。

前記補償回路の動作原理は、次の通りである。

１、補償電流源を使用して補償する。

光センサの電流の方向が下であると、電荷がフィードバックコンデンサ

に移動し（電荷が

によって引き抜かれる）、この場合、電圧

は上昇し、その変化は

であり、ここで、ｔは電荷がフィードバックコンデンサ

に持続して移動する時間を示す。したがって、この場合第１スイッチ

をオンにし、補償電流源をアクセスし、この場合、補償電流源の電流は、即ち

であり、即ち、補償された電圧

であり、それにより、光感知データを低下する。

２、補償電圧源

および補償コンデンサ

を使用して補償する。

光センサの基底が大きい過ぎて補償する必要がある場合、第２スイッチ

をオンにし、補償電圧Ｖｃを調整することによりフィードバックコンデンサ

に充電し、この場合、補償電圧

は、演算増幅器の出力端子で

の変化が発生し、即ち、補償された電圧

であり、それにより、光感知データを低下させる。

本実施例において、電圧補償回路を使用と電流補償回路のどっちを使用してキャリブレーションするかを事前に設定することができ、例えば、電圧補償回路のみを配置すると、電圧補償方法のみを使用して補償し、または、電流補償回路のみを配置すると、電流補償方法のみを使用して補償することができ、電圧補償回路および電流補償回路が同時に配置された場合、電流補償または電圧補償使用することをトリガするトリガ条件を事前に設定し、例えば、１つの閾値を設定し、信号がバーストして前記閾値を超える（即ち、より大きな光感知データを差し引く必要がある）場合、電流補償回路をトリガし、即ち、トリガ条件は、第１光感知データが前記閾値を超えることであり、電流補償回路が広い範囲、即ち、より大きな信号区間のキャリブレーションを実行するため、信号がバーストして前記閾値以下であるか等しい場合、電圧補償回路をトリガするのは、信号のバースト区間が小さいときに電圧補償方法を使用する方がより正確的であるためである。

以上、光センサモジュールの具体的な構造の説明を完了する。

本開示の実施例では、基板上の第１検出領域における少なくとも１つの感光デバイスを介して、現在の入射された光感知データを収集することができ、その後、前記光感知データを使用して光センサモジュールにおける第２検出領域に入射された補償データを決定し、前記補償データに従って前記光センサモジュールの第２検出領域に対応する光感知データを補償するのに便宜であり、補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することがわかる。本実施例では、感光デバイスによって収集された光感知データの量は、基板上のすべての感光デバイスによって収集された光感知データの量よりもはるかに少ないようにプリセットし、処理時間を減らすことができ、異なる入射光のシナリオに従って、後続に取得される光感知データを補償し、それにより、信号ベースを低減して、信号ベースと信号自体の和が読み出しチップの動的範囲以下であることができるようにし、読み出しチップの動的範囲が不十分である問題を回避するのに有益である。

前記光センサモジュールに基づいて、本開示の実施例は、図２に示された光センサモジュールが設けられた電子機器に適合する照明の強さ取得方法をさらに提供し、図６を参照すると、前記方法は、ステップ６１－ステップ６３を含み、ここで、
ステップ６１において、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得する。

ステップ６２において、前記第１光感知データおよび設定された閾値を比較する。

ステップ６３において、前記第１光感知データが前記設定された閾値を超える場合、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定する。

一実施例において、図７を参照すると、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、次のステップを含む。

ステップ７１において、閾値区間と補償データの対応関係に基づいて、前記第１光感知データに対応する補償データを取得する。

ステップ７２において、前記補償データに基づいて前記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、前記補償回路により前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、前記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用する。

一実施例において、前記方法は、
前記第１光感知データが前記設定された閾値以下である場合、前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用することをさらに含む。

一実施例において、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含む。

一実施例において、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定することは、
電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを含む。

一実施例において、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含む。

一実施例において、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得することは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取ることと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定することとを含む。

本開示の実施例によって提供された方法は、前記光センサモジュールの作業プロセスに対応し、具体的な内容は、光センサモジュールの各実施例の内容を参照してもよく、ここでは繰り返さないことを理解されたい。

以上、本実施例では、感光デバイスによって収集された光感知データの量は、基板上のすべての感光デバイスによって収集された光感知データの量よりもはるかに少ないようにプリセットし、処理時間を減らすことができ、異なる入射光のシナリオに従って、後続に取得される光感知データを補償し、それにより、信号ベースを低減して、信号ベースと信号自体の和が読み出しチップの動的範囲以下であることができるようにし、読み出しチップの動的範囲が不十分であるという問題を回避するのに有益である。

図８は、一例示的な実施例によって示された光感知データ取得装置のブロック図であり、図８を参照すると、前記装置は、
光センサモジュールの第１検出領域に入射された第１光感知データを取得するように構成される取得モジュール８１と、
前記第１光感知データおよび設定された閾値を比較するように構成される比較モジュール８２と、
前記第１光感知データが前記設定された閾値を超える場合、前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償することを決定するように構成される補償モジュール８３とを含む。

一実施例において、図９を参照すると、前記補償モジュール８３は、
閾値区間と補償データの対応関係に基づいて、前記第１光感知データに対応する補償データを取得するように構成される取得ユニット９１と、
前記補償データに基づいて前記光センサモジュールにおける補償回路の補償電流または補償電圧を決定し、前記補償回路により前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを補償し、前記補償された光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成される決定ユニット９２とを含む。

一実施例において、前記補償モジュールは、さらに、前記第１光感知データが前記設定された閾値以下である場合、前記光センサモジュールにおける第２検出領域の感光デバイスによって収集された第２光感知データを最終的に検出される光感知データとして使用するように構成される。

一実施例において、前記補償モジュールは、
前記第１光感知データがトリガ条件を満たすかどうかを判断するように構成される判断ユニットと、
前記第１光感知データがトリガ条件を満たす場合、電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償し、前記第１光感知データがトリガ条件を満足しない場合、電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットとを含む。

一実施例において、前記補償モジュールは、
電流補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含む。

一実施例において、前記補償モジュールは、
電圧補償回路をトリガして前記光センサモジュールによって収集された光感知データを補償するように構成されるトリガユニットを含む。

一実施例において、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、前記取得モジュールは、
複数のサブ検出領域の画素によって収集された光感知データを同時に読み取るように構成されるデータ同時取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第１データ決定ユニットとを含む。

一実施例において、前記第１検出領域が複数のサブ検出領域を含む場合、前記取得モジュールは、
各サブ検出領域の画素によって収集された光感知データを１つずつまたは１行ずつ読み取るように構成される行ごとのデータ取得ユニットと、
最大の光感知データを第１光感知データとして決定するように構成される第２データ決定ユニットとを含む。

本開示の実施例によって提供された装置は、上記の方法に対応し、具体的なコンテンツは方法の各実施例のコンテンツを参照することができ、ここでは繰り返しないことを理解されたい。

電子機器には、ディスプレイ、光センサーモジュール、プロセッサ、メモリが含まれる。

光センサーモジュールは、ディスプレイの下にある。

メモリは、プロセッサによって実行可能なコンピュータプログラムを格納するように構成される。

プロセッサは、本明細書の方法を実装するように構成される
図１０は、一例示的な実施例によって示された電子機器のブロック図である。例えば、電子機器１０００は、スマートフォン、コンピュータ、デジタル放送端末、タブレット機器、医療機器、フィットネス機器、携帯情報端末などであってもよい。

図１０を参照する場合、電子機器１０００は、処理コンポーネント１００２、メモリ１００４、電力コンポーネント１００６、マルチメディアコンポーネント１００８、オーディオコンポーネント１０１０、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース１０１２、センサコンポーネント１０１４、通信コンポーネント１０１６、および画像収集コンポーネント１０１８の１つまたは複数を含むことができる。

処理コンポーネント１００２は、一般的に、ディスプレイ、電話の呼び出し、データ通信、カメラ操作及び記録操作に関する操作のような電子機器１０００の全般的な操作を制御する。処理コンポーネント１００２は、コンピュータプログラムを実行するように、１つまたは複数のプロセッサ１０２０を含むことができる。加えて、処理コンポーネント１００２は、処理コンポーネント１００２と他のコンポーネントの間の相互作用を容易にするために、１つまたは複数のモジュールを含むことができる。例えば、処理コンポーネント１００２は、マルチメディアコンポーネント１００８と処理コンポーネント１００２との間の相互作用を容易にするために、マルチメディアモジュールを含むことができる。

メモリ１００４は、機器１０００での操作をサポートするために、様々なタイプのデータを格納するように構成される。これらのデータの例には、電子機器１０００で動作する任意のアプリケーションまたは方法のコンピュータプログラム、連絡先データ、電話帳データ、メッセージ、写真、ビデオ等が含まれる。メモリ１００４は、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、電気的に消去可能なプログラム可能な読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、消去可能なプログラム可能な読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、プログラム可能な読み取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、磁気メモリ、フラッシュメモリ、磁気ディスクまたは光ディスクなど、あらゆるタイプの揮発性または不揮発性ストレージデバイスまたはそれらの組み合わせによって実現されることができる。

電力コンポーネント１００６は、電子機器１０００の様々なコンポーネントに電力を提供する。電力コンポーネント１００６は、電力管理システム、１つまたは複数の電源、及び電子機器１０００のための電力の生成、管理および割り当てに関する他のコンポーネントを含むことができる。

マルチメディアコンポーネント１００８は、電子機器１０００と目標対象との間の出力インターフェースを提供するスクリーンを含む。いくつかの実施例において、スクリーンは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及びタッチパネル（ＴＰ）を含み得る。スクリーンがタッチパネルを含む場合、スクリーンは、目標対象からの入力信号を受信するためのタッチスクリーンとして具現されることができる。タッチパネルは、タッチ、スワイプ及びタッチパネルでのジェスチャーを検知するための１つまたは複数のタッチセンサを含む。タッチセンサは、タッチまたはスワイプの操作の境界を感知するだけでなく、タッチまたはスワイプ動作に関連する持続時間および圧力も検出する。マルチメディアコンポーネント１００８は、フロントカメラまたはリアカメラのうちの少なくとも１つを含み得る。電子機器１０００が撮影モードまたはビデオモードなどの動作モードにあるとき、フロントカメラまたはリアカメラの少なくとも１つは、外部マルチメディアデータを受信することができる。前方カメラまたは後方カメラのそれぞれは、固定光学レンズシステムであってもよく、または焦点距離を有し、光学ズームが可能であってもよい。

オーディオコンポーネント１０１０は、オーディオ信号を出力および／または入力するように構成される。例えば、オーディオコンポーネント１０１０は、１つのマイクロフォン（ＭＩＣ）を含み、電子機器１０００が通話モード、録音モード及び音声認識モードなどの動作モードである場合、マイクロフォンは、外部オーディオ信号を受信するように構成される。受信されたオーディオ信号は、メモリ１００４にさらに格納されてもよく、または通信コンポーネント１０１６を介して送信されてもよい。いくつかの実施例において、オーディオコンポーネント１０１０は、オーディオ信号を出力するためのスピーカをさらに含む。

Ｉ／Ｏインタフェース１０１２は、処理コンポーネント１００２と周辺インターフェースモジュールとの間にインターフェースを提供し、前記周辺インターフェースモジュールは、キーボード、クリックホイール、ボタンなどであってもよい。このようなボタンには、ホームページボタン、音量ボタン、スタートボタン、ロックボタンの少なくとも1つが含まれるが、これらに限定されない。

センサコンポーネント１０１４は、電子機器１０００に各態様の状態評価を提供するための１つまたは複数のセンサを含む。例えば、センサコンポーネント１０１４は、電子機器１０００のオン／オフ状態、コンポーネントの相対的な位置を検出することができ、コンポーネントは、電子機器１０００のディスプレイやキーパッドなどであり、センサコンポーネント１０１４は、電子機器１０００または１つのコンポーネントの位置の変化、目標対象と電子機器１０００との接触の有無、電子機器１０００の方位または加速／減速、及び電子機器１０００の温度の変化も検出することができる。センサコンポーネント１０１４は、物理的な接触なしに近くの物体の存在を検出するように適合された近接センサを含み得る。センサ構成要素１０１４は、撮像用途で使用される相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）または電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサなどの光学センサをさらに含むことができる。センサコンポーネント１０１４は、加速度センサ、ジャイロスコープセンサ、磁気センサ、圧力センサ、温度センサなどをさらに含み得る。

通信コンポーネント１０１６は、電子機器１０００と他の機器の間の有線または無線方式の通信を容易にするように構成される。電子機器１０００は、ＷｉＦｉ、２Ｇまたは３Ｇ、またはそれらの組み合わせなどの通信規格に基づく無線ネットワークにアクセスすることができる。一例示的な実施例において、前記通信コンポーネント１０１６は、放送チャンネルを介して外部放送管理システムからの放送信号または放送関連情報を受信する。ある例示的な実施例において、前記通信コンポーネント１０１６は、短距離通信を促進するために近距離通信（ＮＦＣ）モジュールをさらに含む。例えば、ＮＦＣモジュールは、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）技術、赤外線データ協会（ＩｒＤＡ）技術、超広帯域（ＵＷＢ）技術、ブルートゥース（登録商標）（ＢＴ）技術及び他の技術に基づいて具現することができる。

例示的な実施例において、電子機器１０００は、１つまたは複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、デジタル信号処理装置（ＤＳＰＤ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、コントローラ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサまたは他の電子素子によって具現されることができる。

例示的な実施例において、命令を含むメモリ１００４などの、実行可能なコンピュータプログラムを含む一時的または非一時的な読み取り可能な記憶媒体をさらに提供し、前記実行可能なコンピュータプログラムは、プロセッサによって実行されることができる。ここで、読み取り可能な記憶媒体は、ＲＯＭ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＣＤ－ＲＯＭ、磁気テープ、フロッピー（登録商標）ディスクおよび光学データ記憶装置等であり得る。

コンピュータ可読記憶媒体には、実行時に本明細書の方法を実施する実行可能なコンピュータプログラムが記憶されている。

当業者は、明細書を考慮して、本明細書に開示される発明を実施した後、本開示の他の実施形態を容易に想到し得るであろう。本開示は、前記各実施例のあらゆる変形、応用または適応性変化を網羅することを意図し、これらの変形、応用または適応性変化は、本開示の普通の原理に準拠し、本開示によって開示されない本技術分野における公知知識または従来の技術的手段を含む。明細書と実施例は、例示としてのみ考慮され、本開示の真の範囲および思想は添付の特許請求の範囲によって示される。

本開示は、上記に既に説明し且つ図面に示した正確な構造に限定されるものではなく、その範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更を行うことができることを理解されたい。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ制限される。

Claims (3)

1. 光センサモジュールであって、
   前記光センサモジュールは、基板を含み、前記基板には、第１検出領域が設けられ、前記第１検出領域には、少なくとも１つの感光デバイスが設けられ、前記感光デバイスは、前記第１検出領域の現在の入射光の下で第１光感知データを収集するように構成され、
   前記基板は、第２検出領域をさらに含み、前記第２検出領域には、現在の入射光での第２光感知データを収集するいくつかの感光デバイスが設けられ、前記第１検出領域は、前記第２検出領域の外側に配置され、
   前記光センサモジュールは、読み出しチップと、前記読み出しチップの先端に配置された補償回路とをさらに含み、前記補償回路は、第２光感知データを補償するために使用され、
   前記補償回路は、電流補償回路であり、前記補償回路は、演算増幅器とフィードバックコンデンサと補償電流源と第１スイッチとを含み、前記演算増幅器の反転入力端子は、前記第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は、接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続し、前記補償電流源は、前記第１スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、前記補償コンデンサの別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
   または、
   前記補償回路は、電圧補償回路であり、前記補償回路は、演算増幅器とフィードバックコンデンサと補償電圧源と第２スイッチと補償コンデンサとを含み、前記演算増幅器の反転入力端子は、第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は、接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続し、前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、前記補償コンデンサの別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、
   または、
   前記補償回路は、電圧補償回路および電流補償回路であり、前記電圧補償回路および前記電流補償回路は、演算増幅器とフィードバックコンデンサと補償コンデンサとを共有し、前記電流補償回路は、補償電流源と第１スイッチとをさらに含み、前記電圧補償回路は、補償電圧源と第２スイッチとをさらに含み、前記演算増幅器の反転入力端子は、前記第２検出領域の感光デバイスに接続し、前記演算増幅器の非反転入力端子は、接地し、前記フィードバックコンデンサは、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続し、前記補償電流源は、前記第１スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続し、前記補償コンデンサの一端子は、前記補償電圧源に接続し、前記補償コンデンサの別の端子は、前記第２スイッチを介して前記演算増幅器の反転入力端子に接続する、光センサモジュール
2. 前記第１検出領域は、少なくとも１つのサブ検出領域を含み、前記少なくとも１つのサブ検出領域は、前記第２検出領域の各頂角位置にそれぞれ配置され、
   前記第１検出領域の感光デバイスの面積は、前記第２検出領域の感光デバイスの面積より大きい、請求項１に記載の光センサモジュール。
3. 前記第１検出領域の感光デバイスは、複数の感光デバイスで構成され、前記複数の感光デバイスのゲート線は互いに接続し、前記複数の感光デバイスのデータ線は互いに接続する、請求項２に記載の光センサモジュール。

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